JP2001319904A - Wafer polishing deice - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの研磨装置
に関するものであり、詳しくは、半導体ウエハの研磨に
使用される研磨装置であって、装置構成を一層小型化で
き、しかも、連続処理が可能なウエハの研磨装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for a wafer, and more particularly, to a polishing apparatus used for polishing a semiconductor wafer. The present invention relates to a possible wafer polishing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知の通り、半導体ウエハの製造におい
ては、回路パターンの作製前やパターンの積層途中に研
磨工程（ポリッシング）を取り入れ、研磨装置によって
ウエハ表面を機械研摩または機械化学研磨することによ
り、ウエハの平面度を高めたり、付着した不要な回路材
料を除去している。2. Description of the Related Art As is well known, in the production of semiconductor wafers, a polishing step (polishing) is introduced before the production of a circuit pattern or during the lamination of patterns, and the wafer surface is mechanically or mechanically polished by a polishing apparatus. In addition, the flatness of the wafer is increased, and unnecessary circuit material attached is removed.
【０００３】一般的なウエハの研磨装置は、例えば、特
開平２−４１８６９号公報に記載される様に、上面に研
磨クロスが装着され且つ一方向に回転する回転テーブル
状の定盤と、被研磨面が下面に露出する状態に複数枚の
ウエハを同一平面レベルで保持する複数組のキャリアプ
レートと、定盤の中心に設けられ且つ当該定盤と伴回り
するセンターローラーと、定盤外周側の一定位置に周方
向に沿って等間隔で吊持された回転自在な複数組のガイ
ドローラーと、定盤の上方から支持され且つ定盤上に配
置された各キャリアプレートを定盤に向けて一定の力で
加圧する複数組の加圧盤（ウエイト）とから構成され
る。[0003] A general wafer polishing apparatus is, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-41869, in which a polishing cloth is mounted on the upper surface and a turntable-shaped platen that rotates in one direction is provided. A plurality of sets of carrier plates for holding a plurality of wafers at the same plane level so that the polishing surface is exposed on the lower surface; a center roller provided at the center of the platen and rotating with the platen; A plurality of rotatable guide rollers suspended at equal intervals along the circumferential direction at a fixed position, and each carrier plate supported from above the platen and arranged on the platen facing the platen. It is composed of a plurality of sets of pressurizing plates (weights) that pressurize with a constant force.
【０００４】上記の研磨装置においては、センターロー
ラーと各ガイドローラーとの距離がキャリアプレートの
直径よりも小さく設定されており、ウエハを保持した各
キャリアプレートは、回転する定盤上に配置された場
合、ウエイトによって加圧され、かつ、センターローラ
ーとガイドローラーによって一定の位置に保持されると
共に、センターローラーを介して定盤の回転力が伝達さ
れることにより、キャリアプレート自体も回転する様に
なされている。従って、研磨装置においては、各キャリ
アプレートに複数枚のウエハを保持させ、所定の研磨液
（砥液）を供給しつつ、定盤を回転させることにより、
ウエハの表面に対し、相対的に研磨クロスを複雑に回転
運動させて研磨加工できる。[0004] In the above polishing apparatus, the distance between the center roller and each guide roller is set smaller than the diameter of the carrier plate, and each carrier plate holding a wafer is placed on a rotating platen. In this case, the carrier plate itself is rotated by being pressed by the weight and held at a fixed position by the center roller and the guide roller, and by transmitting the rotating force of the platen through the center roller. It has been done. Therefore, in the polishing apparatus, by holding a plurality of wafers on each carrier plate and supplying a predetermined polishing liquid (polishing liquid), the platen is rotated,
Polishing can be performed by rotating the polishing cloth in a complicated manner relative to the surface of the wafer.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の研磨
装置は、バッチ方式の装置であり、斯かる装置において
は、ウエハが貼り付けられたキャリアプレートを１回の
研磨処理ごとにセットし直さなければならない。ウエハ
の製造では、コストの低減が極めて重要な要素であり、
研磨工程においても一層の効率化が望まれる。本発明の
目的は、装置構成を一層小型化でき、しかも、連続処理
が可能な新規な構造のウエハの研磨装置を提供すること
にある。Incidentally, the conventional polishing apparatus is a batch-type apparatus. In such an apparatus, the carrier plate to which the wafer is attached must be reset every polishing processing. Must. Cost reduction is an extremely important factor in wafer manufacturing.
It is desired that the polishing process be more efficient. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer polishing apparatus having a novel structure capable of further miniaturizing the apparatus configuration and performing continuous processing.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係るウエハの研磨装置は、被研磨面が下面
に露出する状態にキャリアプレートによってウエハを保
持し、キャリアプレートにウエイトを搭載して定盤上で
移動させることにより、ウエハの研磨処理を連続的に行
うウエハの研磨装置であって、上面が研磨面として構成
され且つ一方向に回転する定盤と、当該定盤の略中央に
設けられ且つ当該定盤とは独立に回転する中央案内板
と、前記定盤の外周側に周方向に沿って一定間隔で設け
られた複数基の回転自在なガイドローラーとを備え、か
つ、これらガイドローラーから前記中央案内板の外周ま
での離間距離がキャリアプレートの直径よりも短くに設
定され、しかも、前記各ガイドローラーは、前記定盤の
外周に沿って当該定盤とは独立に旋回可能に設けられて
いることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a wafer polishing apparatus according to the present invention holds a wafer by a carrier plate in a state where a surface to be polished is exposed on a lower surface, and attaches a weight to the carrier plate. A wafer polishing apparatus that continuously performs wafer polishing processing by being mounted and moved on a surface plate, and a surface plate having an upper surface configured as a polishing surface and rotating in one direction; A central guide plate that is provided substantially at the center and rotates independently of the surface plate, and includes a plurality of rotatable guide rollers provided at regular intervals along the circumferential direction on the outer peripheral side of the surface plate, The distance between the guide rollers and the outer periphery of the central guide plate is set to be shorter than the diameter of the carrier plate, and the guide rollers are arranged along the outer periphery of the platen. And it is provided pivotably independently of the.
【０００７】すなわち、上記のウエハの研磨装置におい
ては、キャリアプレートによってウエハを保持し、キャ
リアプレートにウエイトを搭載して定盤上に供給する
と、定盤は、供給されたキャリアプレートを移動させる
様に作用する。その際、中央案内板の外周とガイドロー
ラーの離間距離がキャリアプレートの直径よりも短くに
設定された構造は、定盤上においてキャリアプレートの
ストッパーとして作用し、しかも、ガイドローラーは、
定盤とは独立に旋回可能に設けられているため、係止さ
れたキャリアプレートは、ガイドローラーの旋回速度に
応じて搬送される。また、ガイドローラーが回動自在な
ローラーであり、中央案内板が定盤とは独立に回転する
ため、中央案内板は、当該中央案内板とガイドローラー
によって係止したキャリアプレートに対して自転運動を
与える。従って、定盤にキャリアプレートを載せて所定
領域だけ旋回させることにより、定盤の回転とキャリア
プレートの自転によってウエハに研磨を施すことが出来
る。That is, in the above-described wafer polishing apparatus, when the wafer is held by the carrier plate, and the weight is mounted on the carrier plate and supplied onto the surface plate, the surface plate moves the supplied carrier plate. Act on. At that time, the structure in which the distance between the outer periphery of the central guide plate and the guide roller is set to be shorter than the diameter of the carrier plate acts as a stopper for the carrier plate on the surface plate.
Since the carrier plate is provided so as to be pivotable independently of the surface plate, the locked carrier plate is transported according to the rotation speed of the guide roller. In addition, since the guide roller is a rotatable roller and the center guide plate rotates independently of the surface plate, the center guide plate rotates with respect to the carrier plate locked by the center guide plate and the guide roller. give. Therefore, the wafer can be polished by the rotation of the platen and the rotation of the carrier plate by placing the carrier plate on the platen and rotating it by a predetermined area.
【０００８】また、上記の研磨装置の好ましい態様にお
いては、中央案内板の回転中心が、定盤の回転中心に対
して偏心している。斯かる中央案内板の偏心構造によ
り、定盤の研磨面とウエハとの接触位置をより複雑に変
化させることが出来、定盤の研磨面におけるウエハとの
接触部分の偏りを更に少なく出来る。In a preferred embodiment of the above-mentioned polishing apparatus, the center of rotation of the central guide plate is eccentric with respect to the center of rotation of the platen. With such an eccentric structure of the central guide plate, the contact position between the polished surface of the surface plate and the wafer can be changed more complicatedly, and the deviation of the polished surface of the surface plate in contact with the wafer can be further reduced.
【０００９】また、上記の各態様においては、未処理の
ウエハが貼着されたキャリアプレートを定盤の所定位置
に供給するウエハ供給機構と、当該ウエハ供給機構によ
って供給されたキャリアプレートの上にウエイトを供給
するウエイト供給機構と、研磨処理の終了したウエハの
キャリアプレートを前記ウエハ供給機構とは異なる所定
位置で排出するウエハ排出機構と、当該ウエハ排出機構
によって排出されるキャリアプレートからウエイトを回
収するウエイト排出機構とが設けられていることによ
り、キャリアプレート及びウエイトを自動的に供給・回
収でき、研磨処理を完全に自動化できる。Further, in each of the above aspects, a wafer supply mechanism for supplying a carrier plate having an unprocessed wafer attached thereto to a predetermined position on a surface plate, and a carrier plate supplied on the carrier plate supplied by the wafer supply mechanism. A weight supply mechanism for supplying a weight, a wafer discharge mechanism for discharging a carrier plate of a polished wafer at a predetermined position different from the wafer supply mechanism, and a weight recovery from the carrier plate discharged by the wafer discharge mechanism With the provision of the weight discharge mechanism, the carrier plate and the weight can be automatically supplied and collected, and the polishing process can be completely automated.
【００１０】更に、自動化された上記の態様の研磨装置
においては、ウエイトの滞留数をより低減し、装置を一
層小型化するため、ウエイト供給機構とウエイト排出機
構の間には、前記ウエイト排出機構によって回収したウ
エイトを前記ウエイト供給機構に還流するウエイト循環
機構が設けられていてもよい。In the automated polishing apparatus of the above aspect, the weight discharging mechanism is provided between the weight supply mechanism and the weight discharging mechanism in order to further reduce the number of retained weights and to further reduce the size of the apparatus. A weight circulating mechanism may be provided to recirculate the weight collected by the above to the weight supply mechanism.
【００１１】また、自動化された上記の各態様の研磨装
置において、ウエハ供給機構に近傍には、キャリアプレ
ートにウエハを貼着するウエハ貼付装置が配置され、ウ
エハ排出機構の近傍には、キャリアプレートからウエハ
を剥がすウエハ剥離装置が配置され、そして、前記ウエ
ハ貼付装置と前記ウエハ剥離装置の間には、前記ウエハ
剥離装置によってウエハが剥がされたキャリアプレート
を前記ウエハ貼付装置に還流するキャリアプレート循環
装置が設けられていることにより、研磨処理の前後の付
帯操作を一層効率化でき、しかも、キャリアプレートの
滞留数を低減できる。In the automated polishing apparatus of each of the above aspects, a wafer attaching device for attaching a wafer to a carrier plate is arranged near the wafer supply mechanism, and a carrier plate is arranged near the wafer discharge mechanism. A wafer peeling device for peeling a wafer from the wafer is disposed, and a carrier plate circulating between the wafer pasting device and the wafer peeling device to return the carrier plate from which the wafer has been peeled off by the wafer peeling device to the wafer pasting device. Since the apparatus is provided, the incidental operation before and after the polishing process can be made more efficient, and the number of stays of the carrier plate can be reduced.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明に係るウエハの研磨装置の
一実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明
に係るウエハの研磨装置の主要部を示す平面図である。
図２は、本発明に係るウエハの研磨装置の主要部を示す
一部破断の側面図である。図３は、ウエイト供給機構お
よびウエイト排出機構の構造例を示す縦断面図である。
図４は、キャリアプレートの構造例を示す縦断面図であ
る。以下、実施形態の説明においては、ウエハの研磨装
置を「研磨装置」と略記する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a main part of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partially broken side view showing a main part of the wafer polishing apparatus according to the present invention. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a structural example of the weight supply mechanism and the weight discharge mechanism.
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an example of the structure of the carrier plate. Hereinafter, in the description of the embodiment, a wafer polishing apparatus is abbreviated as “polishing apparatus”.
【００１３】本発明の研磨装置は、図１及び図２に示す
様に、被研磨面が下面に露出する状態にキャリアプレー
ト（９）によってウエハ（Ｗ）を保持し、キャリアプレ
ート（９）にウエイト（８）を搭載して定盤上で移動さ
せることにより、ウエハ（Ｗ）の研磨処理を連続的に行
う研磨装置であり、ベースフレーム（１０）及び凾状の
本体フレーム（１２）から成るフレーム構造を利用して
構成される。In the polishing apparatus of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, a wafer (W) is held by a carrier plate (9) in a state where a surface to be polished is exposed on a lower surface, and the wafer is held on the carrier plate (9). A polishing apparatus for continuously performing a polishing process on a wafer (W) by mounting a weight (8) and moving the same on a surface plate, comprising a base frame (10) and a box-shaped main body frame (12). It is configured using a frame structure.
【００１４】本発明の研磨装置は、上面が研磨面として
構成され且つ一方向に回転する定盤（２）と、定盤
（２）の略中央に設けられ且つ当該定盤とは独立に回転
する中央案内板（３）と、定盤（２）の外周側に周方向
に沿って一定間隔で設けられた複数組の回転自在なガイ
ドローラー（４）とから主として構成される。定盤
（２）の上方には、定盤（２）の表面に研磨液（砥液）
を供給するノズル（図示省略）が配置され、研磨処理の
際、二酸化硅素の粉末が含有された水またはアルカリ水
溶液を主成分とする研磨液（砥液）を研磨処理の内容に
応じて供給可能になされている。The polishing apparatus according to the present invention has a surface plate (2) having an upper surface formed as a polishing surface and rotating in one direction, and provided substantially at the center of the surface plate (2) and rotating independently of the surface plate. And a plurality of rotatable guide rollers (4) provided at regular intervals along the circumferential direction on the outer peripheral side of the surface plate (2). Above the surface plate (2), a polishing liquid (polishing liquid) is applied to the surface of the surface plate (2).
A nozzle (illustration omitted) is provided to supply a polishing liquid (polishing liquid) containing water or an alkaline aqueous solution containing silicon dioxide powder as a main component during the polishing process according to the content of the polishing process. Has been made.
【００１５】キャリアプレート（９）は、図４に示す様
に、ウエハ（Ｗ）を１枚ごとに保持するウエハ搬送用の
部材であり、セラミックによってウエハ（Ｗ）よりも幾
分大径の円板状に形成されたプレート本体（９１）と、
当該プレート本体の下面に積層されたバックシート（９
２）と、当該バックシートの更に下面側に付設されたウ
エハ位置決め用のテンプレート（９３）とから構成され
る。斯かるテンプレート（９３）は、保持したウエハ
（Ｗ）のずれを規制し且つ被研磨面を下面に露出させる
ため、ウエハ（Ｗ）が嵌合し得る形状で且つウエハ
（Ｗ）よりも薄い厚さに形成される。As shown in FIG. 4, the carrier plate (9) is a wafer transfer member for holding wafers (W) one by one. The carrier plate (9) is made of ceramic and has a somewhat larger diameter than the wafer (W). A plate body (91) formed in a plate shape;
The back sheet (9) laminated on the lower surface of the plate body
2) and a wafer positioning template (93) attached to the lower surface of the back sheet. Such a template (93) has a shape capable of fitting with the wafer (W) and has a thickness smaller than that of the wafer (W) in order to restrict the displacement of the held wafer (W) and expose the polished surface to the lower surface. Formed.
【００１６】上記キャリアプレート（９）においては、
ウエハ（Ｗ）を保持する場合、テンプレート（９３）に
嵌め込む状態でバックシート（９２）にウエハ（Ｗ）を
水貼りされる。勿論、ワックス等を使用してウエハ
（Ｗ）を貼り付けることも出来る。キャリアプレート
（９）の外径は、ウエハ（Ｗ）の直径が２００ｍｍの場
合、例えば２２０〜２５０ｍｍ程度とされ、キャリアプ
レート（９）の厚さは、１０〜２０ｍｍ程度とされる。In the carrier plate (9),
When holding the wafer (W), the wafer (W) is attached to the back sheet (92) with water while being fitted into the template (93). Of course, the wafer (W) can be attached using wax or the like. When the diameter of the wafer (W) is 200 mm, the outer diameter of the carrier plate (9) is, for example, about 220 to 250 mm, and the thickness of the carrier plate (9) is about 10 to 20 mm.
【００１７】ウエイト（８）は、キャリアプレート
（９）に貼着したウエハ（Ｗ）に対し、研磨の際に一定
の圧力を加えるために使用される。斯かるウエイト
（８）は、図３に示す様に、例えば、キャリアプレート
（９）よりも僅かに小径の短軸円柱状のブロックによっ
て構成される。ウエイト（８）の質量は、上記の規格の
ウエハ（Ｗ）の場合で２０〜１００ｋｇ程度であり、研
磨の種類あるいは定盤（２）の回転速度などに応じて設
定される。また、定盤（２）上のキャリアプレート
（９）に搭載したり、キャリアプレート（９）の上から
排除する際、後述するウエイト供給機構（６Ａ）及びウ
エイト排出機構（６Ｂ）によってウエイト（８）を把持
するため、ウエイト（８）の上端には、回動自在な駒
（８ｃ）が取り付けられる。The weight (8) is used to apply a constant pressure to the wafer (W) attached to the carrier plate (9) during polishing. As shown in FIG. 3, such a weight (8) is constituted by, for example, a short-axis cylindrical block slightly smaller in diameter than the carrier plate (9). The weight of the weight (8) is about 20 to 100 kg in the case of the wafer (W) of the above standard, and is set according to the type of polishing or the rotation speed of the platen (2). Further, when mounting on the carrier plate (9) on the surface plate (2) or removing the weight from the carrier plate (9), the weight (8A) and the weight discharging mechanism (6B) described later are used for the weight (8). ), A pivotable piece (8c) is attached to the upper end of the weight (8).
【００１８】研磨装置の本体構造を更に具体的に説明す
ると、定盤（２）の研磨面は、一般的な円盤面でもよい
が、例えば、中央案内板（３）の回転軌道を内包する図
１に示す様なドーナツに形成される。斯かる研磨面に
は、通常使用される研磨クロスが貼着される。定盤
（２）の外径は、例えば１２００ｍｍ程度とされ、斯か
る大きさは、キャリアプレート（９）の搭載数などに応
じて適宜設定し得る。定盤（２）は、ベースフレーム
（１０）に設けられた駆動モーター（２１）により、歯
車機構（２２）を介して一方向に一定速度で回転する様
になされている。図１に矢印で示す様に、定盤（２）
は、例えば時計廻りに３０回転／分の回転速度で回転す
る様に構成される。The main body structure of the polishing apparatus will be described more specifically. The polishing surface of the surface plate (2) may be a general disk surface, for example, a diagram including the rotation orbit of the central guide plate (3). The donut is formed as shown in FIG. A commonly used polishing cloth is attached to such a polishing surface. The outer diameter of the platen (2) is, for example, about 1200 mm, and such a size can be appropriately set according to the number of mounted carrier plates (9). The platen (2) is configured to rotate at a constant speed in one direction via a gear mechanism (22) by a drive motor (21) provided on the base frame (10). Platen (2) as indicated by the arrow in FIG.
Is configured to rotate, for example, clockwise at a rotation speed of 30 rotations / minute.
【００１９】中央案内板（３）は、ガイドローラー
（４）と協働的に機能して定盤（２）上のキャリアプレ
ート（９）の位置を規定し且つキャリアプレート（９）
に自転運動を与える部材である。中央案内板（３）の直
径は６００ｍｍ程度であり、斯かる中央案内板（３）
は、定盤（２）の略中央に上方から吊持される。The central guide plate (3) cooperates with the guide roller (4) to define the position of the carrier plate (9) on the platen (2) and to control the position of the carrier plate (9).
Is a member that gives a spinning motion to. The diameter of the central guide plate (3) is about 600 mm, and the central guide plate (3)
Is suspended from above at substantially the center of the surface plate (2).
【００２０】具体的には、図２に示す様に、本体フレー
ム（１２）には支柱が立設され、斯かる支柱には梁状の
支持フレーム（１１）が張出されている。更に、支持フ
レーム（１１）の先端側には、駆動モータ（３１）によ
って駆動する回転軸（３２）が定盤（２）の略中心に向
けて垂下する状態に設けられ、中央案内板（３）は、回
転軸（３２）の下端に取り付けられる。すなわち、中央
案内板（３）は、駆動モータ（３１）の駆動により、図
１に矢印で示す様に、例えば反時計廻りに１５回転／分
の回転速度で回転する様になされている。Specifically, as shown in FIG. 2, a column is erected on the main body frame (12), and a beam-shaped support frame (11) is extended from the column. Further, a rotating shaft (32) driven by a drive motor (31) is provided on the distal end side of the support frame (11) so as to hang down substantially toward the center of the surface plate (2). ) Is attached to the lower end of the rotating shaft (32). That is, as shown by an arrow in FIG. 1, the central guide plate (3) is rotated at a rotation speed of 15 rotations / minute, for example, counterclockwise by driving the drive motor (31).
【００２１】また、定盤（２）の研磨面とウエハ（Ｗ）
との接触位置を常時変化させるため、中央案内板（３）
の回転中心は、定盤（２）の回転中心に対して偏心して
いるのが好ましい。偏心量は、通常、１〜５ｍｍ程度に
設定される。The polished surface of the platen (2) and the wafer (W)
Central guide plate (3) to constantly change the contact position with
Is preferably eccentric with respect to the rotation center of the surface plate (2). The amount of eccentricity is usually set to about 1 to 5 mm.
【００２２】ガイドローラー（４）は、中央案内板
（３）と協働的に機能して定盤（２）上のキャリアプレ
ート（９）の位置を規定する部材である。ガイドローラ
ー（４）は、外径が８０〜１００ｍｍ程度の小径のフリ
ーローラーによって構成され、例えば、定盤（２）の外
周側に一定間隔で１０基配置される。また、中央案内板
（３）とガイドローラー（４）によってキャリアプレー
ト（９）の位置を規定するため、各ガイドローラー
（４）から中央案内板（３）の外周までの離間距離は、
キャリアプレート（９）の直径よりも短くに設定され
る。The guide roller (4) is a member that functions in cooperation with the central guide plate (3) to define the position of the carrier plate (9) on the surface plate (2). The guide rollers (4) are configured by small-diameter free rollers having an outer diameter of about 80 to 100 mm, and, for example, ten guide rollers are arranged at regular intervals on the outer peripheral side of the surface plate (2). Further, since the position of the carrier plate (9) is defined by the center guide plate (3) and the guide roller (4), the separation distance from each guide roller (4) to the outer periphery of the center guide plate (3) is:
It is set shorter than the diameter of the carrier plate (9).
【００２３】本発明の研磨装置においては、キャリアプ
レート（９）と共にウエハ（Ｗ）を定盤（２）上で一定
の軌道に従って旋回させるため、各ガイドローラー
（４）は、定盤（２）の外周に沿って当該定盤とは独立
に旋回可能に設けられる。これにより、定盤（２）の所
定位置にキャリアプレート（９）をガイドローラー
（４）の配置間隔に応じて逐次供給するだけで、定盤
（２）の異なる所定位置までキャリアプレート（９）を
移動でき、そして、キャリアプレート（９）の移動中に
ウエハ（Ｗ）を研磨できる。In the polishing apparatus of the present invention, each guide roller (4) is rotated by the guide plate (2) in order to rotate the wafer (W) together with the carrier plate (9) on the base plate (2) according to a fixed orbit. Is provided so as to be able to turn independently of the surface plate along the outer periphery of. Thus, the carrier plate (9) can be supplied to a predetermined position of the surface plate (2) only by sequentially supplying the carrier plate (9) according to the arrangement interval of the guide rollers (4) to a different predetermined position of the surface plate (2). And the wafer (W) can be polished while the carrier plate (9) is moving.
【００２４】具体的には、各ガイドローラー（４）は、
図１に示す様に、定盤（２）の外周側に当該定盤を包囲
する様に配置されたドーナツ状の回転板（４４）に取り
付けられる。より具体的には、図２に示す様に、回転板
（４４）の上には、支柱部材の上端から定盤（２）の外
周部上方へ支持板を張出して成る支持ステー（４５）が
設けられ、各ガイドローラー（４）は、これら支持ステ
ー（４５）の先端に取り付けられる。Specifically, each guide roller (4)
As shown in FIG. 1, it is attached to a donut-shaped rotating plate (44) arranged so as to surround the surface plate on the outer peripheral side of the surface plate (2). More specifically, as shown in FIG. 2, on the rotating plate (44), a support stay (45) formed by projecting a support plate from the upper end of the support member to the upper part of the outer periphery of the surface plate (2). The guide rollers (4) are provided, and are attached to the tips of the support stays (45).
【００２５】一方、回転板（４４）は、円環状の支持ベ
アリング（４３）を介して本体フレーム（１２）の上面
に設けられ、かつ、回転板（４４）の外周縁は、サンギ
ヤとして構成される。また、本体フレーム（１２）の外
周部には、駆動モータ（４１）によって回転し且つ回転
板（４４）の外周縁の歯合する歯車（４２）が設けられ
る。すなわち、回転板（４４）の外周縁の歯車部と歯車
（４２）のギヤ比の設定ならびに駆動モータ（４１）の
回転制御により、回転板（４４）は、図１に示す様に、
例えば、定盤（２）と同方向の時計廻りに０．２回転／
分の回転速度で且つ定盤とは別個に旋回する構造になさ
れている。On the other hand, the rotating plate (44) is provided on the upper surface of the main body frame (12) via an annular support bearing (43), and the outer peripheral edge of the rotating plate (44) is configured as a sun gear. You. A gear (42) that is rotated by the drive motor (41) and meshes with the outer peripheral edge of the rotating plate (44) is provided on the outer peripheral portion of the main body frame (12). That is, by setting the gear ratio between the gear portion on the outer peripheral edge of the rotating plate (44) and the gear (42) and controlling the rotation of the drive motor (41), the rotating plate (44) is, as shown in FIG.
For example, 0.2 rotation / clockwise in the same direction as the surface plate (2)
It is structured to rotate at a rotation speed of one minute and separately from the surface plate.
【００２６】ところで、本発明の研磨装置は、前述した
様に、多数のウエハ（Ｗ）に対して連続的に研磨処理す
る装置であり、ウエハ（Ｗ）が貼付けられたキャリアプ
レート（９）の定盤（２）に対する供給・排出ならびに
ウエイト（８）の供給・排出を自動化することにより、
研磨工程を完全に自動化できる。As described above, the polishing apparatus according to the present invention is an apparatus for continuously polishing a large number of wafers (W). The polishing apparatus of the carrier plate (9) on which the wafers (W) are adhered. By automating the supply and discharge of the platen (2) and the supply and discharge of the weight (8),
The polishing process can be completely automated.
【００２７】すなわち、本発明の研磨装置の好ましい態
様においては、図１に示す様に、未処理のウエハ（Ｗ）
が貼着されたキャリアプレート（９）を定盤（２）の所
定位置に供給するウエハ供給機構（５Ａ）と、当該ウエ
ハ供給機構によって供給されたキャリアプレート（９）
の上にウエイト（８）を供給するウエイト供給機構（６
Ａ）と、研磨処理の終了したウエハ（Ｗ）のキャリアプ
レート（９）をウエハ供給機構（５Ａ）とは異なる所定
位置で排出するウエハ排出機構（５Ｂ）と、当該ウエハ
排出機構によって排出されるキャリアプレート（９）か
らウエイト（８）を回収するウエイト排出機構（６Ｂ）
とが設けられる。That is, in a preferred embodiment of the polishing apparatus of the present invention, as shown in FIG.
A wafer supply mechanism (5A) for supplying the carrier plate (9) with the affixed thereto to a predetermined position on the surface plate (2), and a carrier plate (9) supplied by the wafer supply mechanism.
Weight supply mechanism (6) for supplying weight (8)
A), a wafer discharge mechanism (5B) for discharging the carrier plate (9) of the wafer (W) that has been polished at a predetermined position different from the wafer supply mechanism (5A), and the wafer is discharged by the wafer discharge mechanism. Weight discharge mechanism (6B) for collecting weight (8) from carrier plate (9)
Are provided.
【００２８】ウエハ供給機構（５Ａ）は、定盤（２）の
側方に配置される。斯かるウエハ供給機構（５Ａ）は、
旋回可能で且つ昇降可能なアーム（５１）と、当該アー
ムの先端に付設された吸着装置（５２）によって構成さ
れる。そして、ウエハ（Ｗ）が貼着されたキャリアプレ
ート（９）を吸着保持し、例えば、ウエハ貼付装置（７
Ａ）から定盤（２）の所定位置（図１に示す定盤（２）
を時計の文字盤として視た場合の略２時の位置）まで搬
送する機能を有する。The wafer supply mechanism (5A) is arranged on the side of the platen (2). Such a wafer supply mechanism (5A)
The arm (51) is rotatable and can move up and down, and a suction device (52) attached to the tip of the arm. Then, the carrier plate (9) on which the wafer (W) is adhered is sucked and held.
A) to a predetermined position of the surface plate (2) (the surface plate (2) shown in FIG. 1).
To a position substantially at 2 o'clock when the watch is viewed as a clock face.
【００２９】また、ウエハ排出機構（５Ｂ）は、ウエハ
供給機構（５Ａ）と同様の構造を備え、そして、処理済
みのウエハ（Ｗ）が貼着されたキャリアプレート（９）
を吸着保持し、例えば、定盤（２）の他の所定位置（図
１に示す定盤（２）を時計の文字盤として視た場合の略
１０時の位置）からウエハ剥離装置（７Ｂ）まで搬送す
る機能を有する。The wafer discharge mechanism (5B) has the same structure as the wafer supply mechanism (5A), and has a carrier plate (9) on which a processed wafer (W) is adhered.
And a wafer peeling device (7B) from, for example, another predetermined position of the surface plate (2) (at approximately 10:00 when the surface plate (2) shown in FIG. 1 is viewed as a clock face). It has a function to transport to
【００３０】ウエイト供給機構（６Ａ）は、ウエハ供給
機構（５Ａ）の近傍に配置される。斯かるウエイト供給
機構（６Ａ）は、サーボモータを含むボールネジ機構あ
るいはシリンダ機構によって直線駆動する図１及び図２
に示す様なリニアガイド（６１）と、当該リニアガイド
に取り付けられた図２に示す様なシリンダ装置（６３）
とから構成される。The weight supply mechanism (6A) is arranged near the wafer supply mechanism (5A). The weight supply mechanism (6A) is linearly driven by a ball screw mechanism or a cylinder mechanism including a servomotor.
And a cylinder device (63) attached to the linear guide as shown in FIG.
It is composed of
【００３１】より具体的には、図３に示す様に、リニア
ガイド（６１）は、上記の支持フレーム（１１）の一部
に取付金具（１３）によって水平に架設される。また、
シリンダ装置（６３）は、リニアガイド（６１）の移動
子に対し、断面がコ字状の支持アーム（６２）を介して
下方に向けて取り付けられる。しかも、シリンダ装置
（６３）の先端には、前述のウエイト（８）の駒（８
ｃ）を挟持する固定型フィンガーとしての挟持部材（６
４）が付設される。More specifically, as shown in FIG. 3, the linear guide (61) is horizontally mounted on a part of the support frame (11) by a mounting bracket (13). Also,
The cylinder device (63) is attached to the moving element of the linear guide (61) downward via a U-shaped support arm (62). Moreover, the tip (8) of the weight (8) is provided at the tip of the cylinder device (63).
c) a clamping member (6) as a fixed finger for clamping
4) is attached.
【００３２】すなわち、ウエイト供給機構（６Ａ）は、
挟持部材（６４）にて吊持したウエイト（８）を定盤
（２）上のキャリアプレート（９）の上方まで搬送した
後、シリンダ装置（６３）の前進操作（下降操作）によ
ってウエイト（８）をキャリアプレート（９）に搭載す
る機能を発揮する。なお、挟持部材（６４）は、図３に
示す様な溝構造により、キャリアプレート（９）の移動
に伴ってウエイト（８）の駒（８ｃ）を開放することが
出来る。That is, the weight supply mechanism (6A)
After the weight (8) suspended by the holding member (64) is conveyed to above the carrier plate (9) on the surface plate (2), the weight (8) is moved forward (downward operation) of the cylinder device (63). ) Is mounted on the carrier plate (9). The holding member (64) can release the weight (8) piece (8c) with the movement of the carrier plate (9) by the groove structure as shown in FIG.
【００３３】また、ウエイト排出機構（６Ｂ）は、上記
ウエイト供給機構（６Ａ）と同様の構造を備え、そし
て、キャリアプレート（９）の排出位置において、キャ
リアプレート（９）に搭載されたウエイト（８）の駒
（８ｃ）が挟持部材（６４）に係合した際、シリンダ装
置（６３）の後退操作（上昇操作）によって駒（８ｃ）
を掛止した後、ウエイト（８）を吊持して定盤（２）の
外方までキャリアプレート（９）を搬送する機能を発揮
する。The weight discharge mechanism (6B) has the same structure as the weight supply mechanism (6A), and at the discharge position of the carrier plate (9), the weight (6) mounted on the carrier plate (9). When the piece (8c) of (8) engages with the holding member (64), the piece (8c) is moved by a retreat operation (elevating operation) of the cylinder device (63).
Then, the weight (8) is suspended and the carrier plate (9) is conveyed to the outside of the surface plate (2).
【００３４】更に、本発明の研磨装置においては、ウエ
イト（８）の滞留数を低減し、装置構成を一層小型化す
るため、図１に示す様に、上記ウエイト供給機構（６
Ａ）とウエイト排出機構（６Ｂ）の間には、ウエイト排
出機構（６Ｂ）によって回収したウエイト（８）をウエ
イト供給機構（６Ａ）に還流するウエイト循環機構（６
Ｃ）が設けられる。ウエイト循環機構（６Ｃ）は、ウエ
イト（８）を循環させ得る適宜の装置によって構成し得
るが、例えば、図１及び図２に示す様な駆動コンベヤに
よって構成される。Further, in the polishing apparatus of the present invention, in order to reduce the number of stays of the weight (8) and further reduce the size of the apparatus, as shown in FIG.
A) and the weight discharge mechanism (6B), a weight circulation mechanism (6) that recirculates the weight (8) collected by the weight discharge mechanism (6B) to the weight supply mechanism (6A).
C) is provided. The weight circulating mechanism (6C) can be constituted by an appropriate device capable of circulating the weight (8), and is constituted by, for example, a drive conveyor as shown in FIGS. 1 and 2.
【００３５】また、本発明の研磨装置においては、研磨
処理の前後の付帯操作を一層効率化するため、ウエハ供
給機構（５Ａ）に近傍には、キャリアプレート（９）に
ウエハ（Ｗ）を貼着するウエハ貼付装置（７Ａ）が配置
され、ウエハ排出機構（５Ｂ）の近傍には、キャリアプ
レート（９）からウエハ（Ｗ）を剥がすウエハ剥離装置
（７Ｂ）が配置される。In the polishing apparatus of the present invention, a wafer (W) is pasted on the carrier plate (9) in the vicinity of the wafer supply mechanism (5A) in order to make the additional operations before and after the polishing process more efficient. A wafer sticking device (7A) to be attached is arranged, and a wafer peeling device (7B) for peeling the wafer (W) from the carrier plate (9) is arranged near the wafer discharge mechanism (5B).
【００３６】そして、キャリアプレートの滞留数を低減
するため、ウエハ貼付装置（７Ａ）とウエハ剥離装置
（７Ｂ）の間には、ウエハ剥離装置（７Ｂ）によってウ
エハ（Ｗ）が剥がされたキャリアプレート（９）をウエ
ハ貼付装置（７Ａ）に還流するキャリアプレート循環装
置としてのコンベヤ装置（図示省略）が設けられる。In order to reduce the number of stays of the carrier plate, the carrier plate from which the wafer (W) has been peeled off by the wafer peeling device (7B) is provided between the wafer sticking device (7A) and the wafer peeling device (7B). A conveyor device (not shown) is provided as a carrier plate circulating device for returning (9) to the wafer attaching device (7A).
【００３７】本発明の研磨装置においてウエハ（Ｗ）の
研磨処理は次の様に実施される。先ず、事前操作とし
て、ウエハ貼付装置（７Ａ）において、研磨処理すべき
ウエハ（Ｗ）が貼付けられたキャリアプレート（９）を
多数組準備する。ウエハ貼付装置（７Ａ）に対し、ウエ
ハ供給機構（５Ａ）は、先端の吸着装置（５２）によっ
てキャリアプレート（９）を吸着保持した後、アーム
（５１）を旋回および昇降させることにより、定盤
（２）上の所定の供給位置にキャリアプレート（９）を
移動させ、吸着装置（５２）の解除操作によってキャリ
アプレート（９）を定盤（２）上に開放する。In the polishing apparatus of the present invention, the wafer (W) is polished as follows. First, as a preliminary operation, in the wafer bonding apparatus (7A), a number of sets of carrier plates (9) on which wafers (W) to be polished are bonded are prepared. In contrast to the wafer sticking device (7A), the wafer supply mechanism (5A) sucks and holds the carrier plate (9) by the suction device (52) at the tip, and then rotates and moves the arm (51) up and down to thereby make the surface plate. (2) The carrier plate (9) is moved to a predetermined supply position on the upper surface, and the carrier plate (9) is opened on the surface plate (2) by releasing the suction device (52).
【００３８】また、ウエイト供給機構（６Ａ）は、キャ
リアプレート（９）の供給操作に同期し、吊持したウエ
イト（８）をリニアガイド（６１）の前進操作によって
定盤（２）上のキャリアプレート（９）まで搬送した
後、シリンダ装置（６３）の前進操作（下降操作）によ
ってウエイト（８）をキャリアプレート（９）に搭載す
る。その際、ウエイト供給機構（６Ａ）の挟持部材（６
４）が駒（８ｃ）に対する係合を解除するため、定盤
（２）の回転に伴うキャリアプレート（９）の微小移動
によって駒（８ｃ）が外れ、定盤（２）上にウエイト
（８）が開放される。The weight supply mechanism (6A) synchronizes with the supply operation of the carrier plate (9), and moves the suspended weight (8) on the carrier (2) by moving the linear guide (61) forward. After being conveyed to the plate (9), the weight (8) is mounted on the carrier plate (9) by the forward operation (downward operation) of the cylinder device (63). At this time, the holding member (6) of the weight supply mechanism (6A)
4) releases the engagement with the piece (8c), the piece (8c) comes off due to the minute movement of the carrier plate (9) accompanying the rotation of the surface plate (2), and the weight (8) is placed on the surface plate (2). ) Is released.
【００３９】上記の様な定盤（２）に対するキャリアプ
レート（９）の供給操作、ならびに、キャリアプレート
（９）に対するウエイト（８）の搭載操作は、ガイドロ
ーラー（４）の移動のタイミングに合わせ、各ガイドロ
ーラー（４）が供給位置（定盤（２）の略２時の位置）
を通過するごとに逐次行われる。The supply operation of the carrier plate (9) to the surface plate (2) and the operation of mounting the weight (8) to the carrier plate (9) are performed in accordance with the movement timing of the guide roller (4). , Each guide roller (4) is at the supply position (at about 2 o'clock on the surface plate (2))
It is performed sequentially each time it passes.
【００４０】一方、一定速度で回転する定盤（２）は、
供給されたキャリアプレート（９）を時計方向に移動さ
せる様に作用する。その際、キャリアプレート（９）の
供給位置に対して定盤（２）の回転方向の下流側直近に
位置する１つのガイドローラー（４）は、供給されたキ
ャリアプレート（９）が定盤（２）に伴って移動するの
を規制する。すなわち、中央案内板（３）の外周と上記
ガイドローラー（４）の離間距離がキャリアプレート
（９）の直径よりも短くに設定された構造は、定盤
（２）の上においてキャリアプレート（９）のストッパ
ーとして作用する。On the other hand, the platen (2) rotating at a constant speed is
It acts to move the supplied carrier plate (9) clockwise. At this time, one guide roller (4) located immediately downstream of the supply position of the carrier plate (9) in the rotation direction of the platen (2) is configured such that the supplied carrier plate (9) has a platen ( Restrict the movement in accordance with 2). That is, the structure in which the distance between the outer periphery of the central guide plate (3) and the guide roller (4) is set to be shorter than the diameter of the carrier plate (9) is such that the carrier plate (9) is placed on the surface plate (2). ) Acts as a stopper.
【００４１】更に、ガイドローラー（４）は、定盤
（２）の外周に沿って当該定盤とは独立に旋回可能に設
けられており、駆動モータ（４１）の回転により、回転
板（４４）に伴って時計廻りに遅い速度で旋回するた
め、係止したキャリアプレート（９）をゆっくりと時計
廻りに移動させる。還元すれば、中央案内板（３）とガ
イドローラー（４）によるストッパー構造は、キャリア
プレート（９）の定盤（２）との供廻りを規制すると共
に、ガイドローラー（４）の旋回速度に応じてキャリア
プレート（９）を搬送する。Further, the guide roller (4) is provided so as to be rotatable independently of the surface plate along the outer periphery of the surface plate (2), and the rotation plate (44) is rotated by the rotation of the drive motor (41). ), The carrier plate (9) locked is slowly moved clockwise to rotate clockwise at a low speed. In other words, the stopper structure including the central guide plate (3) and the guide roller (4) regulates the rotation of the carrier plate (9) with the platen (2) and reduces the rotation speed of the guide roller (4). The carrier plate (9) is conveyed accordingly.
【００４２】また、ガイドローラー（４）自体は、回動
自在なローラーであり、他方、中央案内板（３）は、駆
動モータ（３１）の駆動により、定盤（２）から独立し
て反時計廻りに回転する。従って、中央案内板（３）
は、当該中央案内板とガイドローラー（４）によって係
止したキャリアプレート（９）に対し、図１に矢印で示
す様に、時計廻りの回転運動を与える。The guide roller (4) itself is a rotatable roller. On the other hand, the center guide plate (3) is independent of the surface plate (2) by the drive of the drive motor (31). Rotate clockwise. Therefore, the center guide plate (3)
Gives a clockwise rotation to the carrier plate (9) locked by the central guide plate and the guide roller (4), as indicated by the arrow in FIG.
【００４３】すなわち、本発明の研磨装置において、中
央案内板（３）とガイドローラー（４）による上記スト
ッパー構造は、高速度で回転する定盤（２）上にてキャ
リアプレート（９）をゆっくりと旋回させ、更に、中央
案内板（３）は、キャリアプレート（９）に自転運動を
与える。従って、本発明の研磨装置においては、定盤
（２）上に研磨液を供給しつつ、定盤（２）にキャリア
プレート（９）を載せて所定領域だけ旋回させることに
より、キャリアプレート（９）に貼着されたウエハ
（Ｗ）に対し、定盤（２）の研磨面を複雑な軌道で接触
させ、均一に研磨を施すことが出来る。That is, in the polishing apparatus of the present invention, the stopper structure including the central guide plate (3) and the guide roller (4) allows the carrier plate (9) to slowly move on the platen (2) rotating at a high speed. And the central guide plate (3) imparts a rotational movement to the carrier plate (9). Therefore, in the polishing apparatus of the present invention, the carrier plate (9) is placed on the surface plate (2) and rotated by a predetermined area while the polishing liquid is supplied onto the surface plate (2), whereby the carrier plate (9) is rotated. ) Can be polished uniformly by bringing the polished surface of the platen (2) into contact with the wafer (W) adhered to the substrate (2) along a complicated track.
【００４４】殊に、中央案内板（３）の回転中心が定盤
（２）の回転中心に対して偏心した構造になされている
場合には、定盤（２）の研磨面とウエハ（Ｗ）との接触
位置をより複雑に変化させることが出来る。しかも、定
盤（２）の研磨面におけるウエハ（Ｗ）との接触部分の
偏りを更に少なく出来るため、研磨面の摩耗がより均一
となり、ウエハ（Ｗ）に対して一層均一な研磨が施せ
る。In particular, when the center of rotation of the central guide plate (3) is eccentric with respect to the center of rotation of the surface plate (2), the polished surface of the surface plate (2) and the wafer (W). ) Can be changed more complicatedly. In addition, since the deviation of the contact portion with the wafer (W) on the polishing surface of the platen (2) can be further reduced, the wear of the polishing surface becomes more uniform, and the wafer (W) can be more uniformly polished.
【００４５】ウエハ（Ｗ）を研磨しつつ、定盤（２）上
を時計廻りに排出位置（定盤（２）の略１０時の位置）
までキャリアプレート（９）が搬送されると、ウエイト
排出機構（６Ｂ）は、キャリアプレート（９）に搭載さ
れたウエイト（８）を回収する。すなわち、ウエイト排
出機構（６Ｂ）は、挟持部材（６４）を下降させた状態
で待機しており、挟持部材（６４）にウエイト（８）の
駒（８ｃ）が滑り込むと、シリンダ装置（６３）の後退
操作（上昇操作）によってウエイト（８）を吊持し、リ
ニアガイド（６１）の後退操作によって定盤（２）の外
方げ搬出する。While polishing the wafer (W), the discharge position is clockwise on the surface plate (2) (at approximately 10 o'clock position of the surface plate (2)).
When the carrier plate (9) is conveyed to this point, the weight discharge mechanism (6B) collects the weight (8) mounted on the carrier plate (9). That is, the weight discharge mechanism (6B) is on standby with the holding member (64) lowered, and when the weight (8) piece (8c) slides into the holding member (64), the cylinder device (63). The weight (8) is hung by the retreating operation (elevating operation), and the surface plate (2) is carried out by the retreating operation of the linear guide (61).
【００４６】また、ウエハ排出機構（５Ｂ）は、ウエイ
ト排出機構（６Ｂ）の回収操作に同期し、先端の吸着装
置（５２）によってキャリアプレート（９）を吸着保持
した後、アーム（５１）を旋回および昇降させることに
より、定盤（２）上のキャリアプレート（９）をウエハ
剥離装置（７Ｂ）に移動させ、吸着装置（５２）の解除
操作によってキャリアプレート（９）をウエハ剥離装置
（７Ｂ）へ開放する。The wafer ejecting mechanism (5B) synchronizes with the collecting operation of the weight ejecting mechanism (6B), sucks and holds the carrier plate (9) by the suction device (52) at the tip, and then moves the arm (51). The carrier plate (9) on the surface plate (2) is moved to the wafer peeling device (7B) by turning and raising / lowering, and the carrier plate (9) is moved to the wafer peeling device (7B) by releasing the suction device (52). ).
【００４７】上記の様なキャリアプレート（９）からの
ウエイト（８）の回収操作、ならびに、キャリアプレー
ト（９）の回収操作は、キャリアプレート（９）が排出
位置に搬送される都度繰り返される。なお、ウエハ剥離
装置（７Ｂ）においては、回収されたキャリアプレート
（９）からウエハ（Ｗ）を剥離し、これを所定の洗浄工
程に供給する。The operation of collecting the weight (8) from the carrier plate (9) and the operation of collecting the carrier plate (9) as described above are repeated each time the carrier plate (9) is transported to the discharge position. In the wafer peeling device (7B), the wafer (W) is peeled from the collected carrier plate (9) and supplied to a predetermined cleaning step.
【００４８】更に、ウエイト供給機構（６Ａ）とウエイ
ト排出機構（６Ｂ）の間に設けられたウエイト循環機構
（６Ｃ）は、ウエイト排出機構（６Ｂ）によって回収し
たウエイト（８）をウエイト供給機構（６Ａ）に還流す
る。従って、ウエイト供給機構（６Ａ）は、新たなウエ
ハ（Ｗ）を処理する際に回収したウエイト（８）を再び
供給することが出来る。Further, a weight circulation mechanism (6C) provided between the weight supply mechanism (6A) and the weight discharge mechanism (6B) transfers the weight (8) collected by the weight discharge mechanism (6B) to the weight supply mechanism (6). Reflux to 6A). Therefore, the weight supply mechanism (6A) can supply the weight (8) collected when processing a new wafer (W) again.
【００４９】上記の様に、本発明の研磨装置において
は、キャリアプレート（９）及びウエイト（８）をそれ
ぞれ装置本体から独立した部材として構成し、中央案内
板（３）とガイドローラー（４）によるストッパー構造
によってキャリアプレート（９）を係止すると共に、供
給位置で一旦係止したキャリアプレート（９）をその状
態のままガイドローラー（４）の独立した旋回構造によ
って定盤（２）上の供給位置から排出位置まで一定速度
で移動させるため、移動中にキャリアプレート（９）が
遠心力で飛ばされることがなく、安定した研磨処理が可
能である。As described above, in the polishing apparatus of the present invention, the carrier plate (9) and the weight (8) are each configured as a member independent of the apparatus main body, and the central guide plate (3) and the guide roller (4). The carrier plate (9) is locked by the stopper structure of the carrier plate (9), and the carrier plate (9) once locked at the supply position is kept as it is on the surface plate (2) by the independent turning structure of the guide roller (4). Since the carrier plate (9) is moved at a constant speed from the supply position to the discharge position, the carrier plate (9) does not fly by the centrifugal force during the movement, and a stable polishing process is possible.
【００５０】そして、本発明の研磨装置においては、キ
ャリアプレート（９）に貼付けたウエハ（Ｗ）を定盤
（２）の所定位置に供給し、キャリアプレート（９）と
共に他の所定位置で回収するだけで多数のウエハ（Ｗ）
に対して連続して研磨処理を施すことが出来る。すなわ
ち、本発明の研磨装置においては、アイドルタイムがな
く、一層効率的にウエハ（Ｗ）の研磨処理が出来、処理
コストを更に低減できる。しかも、上記の様に、独立部
材として構成されたキャリアプレート（９）及びウエイ
ト（８）を移動させるだけの簡単な構造になされ、か
つ、処理効率を高めることが出来るため、装置構成をよ
り一層小型化できる。In the polishing apparatus of the present invention, the wafer (W) attached to the carrier plate (9) is supplied to a predetermined position on the surface plate (2), and is collected together with the carrier plate (9) at another predetermined position. A large number of wafers (W)
Can be continuously polished. That is, in the polishing apparatus of the present invention, there is no idle time, the wafer (W) can be polished more efficiently, and the processing cost can be further reduced. In addition, as described above, the structure is simple enough to move the carrier plate (9) and the weight (8) formed as independent members, and the processing efficiency can be increased. Can be downsized.
【００５１】また、上記の様に、ウエハ供給機構（５
Ａ）、ウエイト供給機構（６Ａ）、ウエハ排出機構（５
Ｂ）及びウエイト排出機構（６Ｂ）が設けられた本発明
の研磨装置においては、キャリアプレート及びウエイト
を自動的に供給・回収でき、研磨処理を完全に自動化で
きる。更に、ウエイト供給機構（６Ａ）とウエイト排出
機構（６Ｂ）の間にウエイト循環機構（６Ｃ）が設けら
れている場合には、ウエイト（８）の循環作業を効率化
でき、しかも、ウエイト（８）の滞留数を一層低減でき
且つウエイト（８）の貯蔵場所を縮小できる。As described above, the wafer supply mechanism (5)
A), weight supply mechanism (6A), wafer discharge mechanism (5
In the polishing apparatus of the present invention provided with B) and the weight discharge mechanism (6B), the carrier plate and the weight can be automatically supplied and collected, and the polishing process can be completely automated. Further, when a weight circulation mechanism (6C) is provided between the weight supply mechanism (6A) and the weight discharge mechanism (6B), the work of circulating the weight (8) can be made more efficient, and the weight (8) ) Can be further reduced and the storage space for the weight (8) can be reduced.
【００５２】更に、ウエハ貼付装置（７Ａ）、ウエハ剥
離装置（７Ｂ）ならびにキャリアプレート循環装置が設
けられている場合には、キャリアプレートの（９）の循
環作業を効率化でき、しかも、キャリアプレート（９）
の滞留数を低減できる。なお、本発明において、キャリ
アプレートとしては、装置全体の小型化、ウエハ貼付装
置（７Ａ）及びウエハ剥離装置（７Ｂ）の小型化の観点
からは１枚のウエハ（Ｗ）を保持し得る図示した様な構
造のものが好ましいが、処理効率をより高める観点から
は複数枚のウエハ（Ｗ）を保持し得る構造のものでもよ
い。Further, when the wafer sticking device (7A), the wafer peeling device (7B) and the carrier plate circulating device are provided, the circulating operation of the carrier plate (9) can be made more efficient, and the carrier plate can be circulated. (9)
Can be reduced. In the present invention, the carrier plate can hold one wafer (W) from the viewpoint of miniaturization of the entire apparatus and miniaturization of the wafer bonding apparatus (7A) and the wafer peeling apparatus (7B). Such a structure is preferable, but a structure capable of holding a plurality of wafers (W) may be used from the viewpoint of further improving the processing efficiency.
【００５３】[0053]
【発明の効果】本発明に係るウエハの研磨装置によれ
ば、キャリアプレート及びウエイトを独立部材として構
成し、中央案内板とガイドローラーによるストッパー構
造によってキャリアプレートを係止すると共に、一旦係
止したキャリアプレートをガイドローラーの独立した旋
回構造によってガイドローラーの速度で移動させるた
め、キャリアプレートが遠心力で飛ばされることがな
く、安定した研磨処理が可能であり、そして、キャリア
プレートと共にウエハを定盤の所定位置に供給し、キャ
リアプレートと共に他の所定位置で回収するだけで多数
のウエハに対して連続して研磨処理を施すことが出来、
処理コストを更に低減できる。しかも、キャリアプレー
ト及びウエイトを移動させるだけの簡単な構造になさ
れ、かつ、処理効率を高めることが出来るため、装置構
成をより一層小型化できる。According to the wafer polishing apparatus of the present invention, the carrier plate and the weight are configured as independent members, and the carrier plate is locked and temporarily locked by the stopper structure including the central guide plate and the guide roller. Since the carrier plate is moved at the speed of the guide roller by the independent rotating structure of the guide roller, the carrier plate is not spun by the centrifugal force, and a stable polishing process is possible. Can be continuously polished to a large number of wafers simply by supplying it to another predetermined position together with the carrier plate and collecting it at another predetermined position.
Processing costs can be further reduced. In addition, since the structure is simple enough to move the carrier plate and the weight, and the processing efficiency can be increased, the apparatus configuration can be further reduced in size.
【図１】本発明に係るウエハの研磨装置の主要部を示す
平面図FIG. 1 is a plan view showing a main part of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係るウエハの研磨装置の主要部を示す
一部破断の側面図FIG. 2 is a partially broken side view showing a main part of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図３】ウエイト供給機構およびウエイト排出機構の構
造例を示す縦断面図FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a structural example of a weight supply mechanism and a weight discharge mechanism.
【図４】キャリアプレートの構造例を示す縦断面図FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a structural example of a carrier plate.
１０：ベースフレーム １１：支持フレーム １２：本体フレーム ２ ：定盤 ２１：駆動モータ ３ ：中央案内板 ３１：駆動モータ ４ ：ガイドローラー ４１：駆動モータ ４４：回転板 ５Ａ：ウエハ供給機構 ５Ｂ：ウエハ排出機構 ６Ａ：ウエイト供給機構 ６Ｂ：ウエイト排出機構 ６Ｃ：ウエイト循環機構 ７Ａ：ウエハ貼付装置 ７Ｂ：ウエハ剥離装置 ８ ：ウエイト ９ ：キャリアプレート Ｗ ：ウエハ 10: Base frame 11: Support frame 12: Body frame 2: Platen 21: Drive motor 3: Central guide plate 31: Drive motor 4: Guide roller 41: Drive motor 44: Rotating plate 5A: Wafer supply mechanism 5B: Wafer discharge Mechanism 6A: Weight supply mechanism 6B: Weight discharge mechanism 6C: Weight circulation mechanism 7A: Wafer attaching device 7B: Wafer peeling device 8: Weight 9: Carrier plate W: Wafer
Claims (5)
アプレート（９）によってウエハ（Ｗ）を保持し、キャ
リアプレート（９）にウエイト（８）を搭載して定盤上
で移動させることにより、ウエハ（Ｗ）の研磨処理を連
続的に行うウエハの研磨装置であって、上面が研磨面と
して構成され且つ一方向に回転する定盤（２）と、定盤
（２）の略中央に設けられ且つ当該定盤とは独立に回転
する中央案内板（３）と、定盤（２）の外周側に周方向
に沿って一定間隔で設けられた複数基の回転自在なガイ
ドローラー（４）とを備え、かつ、これらガイドローラ
ー（４）から中央案内板（３）の外周までの離間距離が
キャリアプレート（９）の直径よりも短くに設定され、
しかも、各ガイドローラー（４）は、定盤（２）の外周
に沿って当該定盤とは独立に旋回可能に設けられている
ことを特徴とするウエハの研磨装置。1. A wafer (W) is held by a carrier plate (9) so that a surface to be polished is exposed on a lower surface, and a weight (8) is mounted on the carrier plate (9) and moved on a surface plate. A polishing apparatus for a wafer, which continuously performs a polishing process on a wafer (W), comprising a surface plate (2) having an upper surface configured as a polishing surface and rotating in one direction, and a substantially center of the surface plate (2). And a plurality of rotatable guide rollers (3) provided at regular intervals along the circumferential direction on the outer peripheral side of the surface plate (2). 4), and the separation distance from the guide roller (4) to the outer periphery of the central guide plate (3) is set shorter than the diameter of the carrier plate (9);
Moreover, each of the guide rollers (4) is provided so as to be rotatable independently of the surface plate along the outer periphery of the surface plate (2).
（２）の回転中心に対して偏心している請求項１に記載
のウエハの研磨装置。2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the center of rotation of the central guide plate is eccentric with respect to the center of rotation of the platen.
リアプレート（９）を定盤（２）の所定位置に供給する
ウエハ供給機構（５Ａ）と、当該ウエハ供給機構によっ
て供給されたキャリアプレート（９）の上にウエイト
（８）を供給するウエイト供給機構（６Ａ）と、研磨処
理の終了したウエハ（Ｗ）のキャリアプレート（９）を
ウエハ供給機構（５Ａ）とは異なる所定位置で排出する
ウエハ排出機構（５Ｂ）と、当該ウエハ排出機構によっ
て排出されるキャリアプレート（９）からウエイト
（８）を回収するウエイト排出機構（６Ｂ）とが設けら
れている請求項１又は２に記載のウエハの研磨装置。3. A wafer supply mechanism (5A) for supplying a carrier plate (9) on which an unprocessed wafer (W) is stuck to a predetermined position of a surface plate (2), and a carrier plate (9) supplied by the wafer supply mechanism. A weight supply mechanism (6A) for supplying the weight (8) onto the carrier plate (9), and a carrier plate (9) for the polished wafer (W) at a predetermined position different from the wafer supply mechanism (5A). 3. A wafer discharging mechanism (5B) for discharging the wafer by a pressure, and a weight discharging mechanism (6B) for collecting a weight (8) from a carrier plate (9) discharged by the wafer discharging mechanism. An apparatus for polishing a wafer as described in the above.
出機構（６Ｂ）の間には、ウエイト排出機構（６Ｂ）に
よって回収したウエイト（８）をウエイト供給機構（６
Ａ）に還流するウエイト循環機構（６Ｃ）が設けられて
いる請求項３に記載のウエハの研磨装置。4. A weight (8) collected by the weight discharge mechanism (6B) is provided between the weight supply mechanism (6A) and the weight discharge mechanism (6B).
The wafer polishing apparatus according to claim 3, wherein a weight circulation mechanism (6C) for recirculating is provided in A).
ャリアプレート（９）にウエハ（Ｗ）を貼着するウエハ
貼付装置（７Ａ）が配置され、ウエハ排出機構（５Ｂ）
の近傍には、キャリアプレート（９）からウエハ（Ｗ）
を剥がすウエハ剥離装置（７Ｂ）が配置され、そして、
ウエハ貼付装置（７Ａ）とウエハ剥離装置（７Ｂ）の間
には、ウエハ剥離装置（７Ｂ）によってウエハ（Ｗ）が
剥がされたキャリアプレート（９）をウエハ貼付装置
（７Ａ）に還流するキャリアプレート循環装置が設けら
れている請求項３又は４に記載のウエハの研磨装置。5. A wafer attaching device (7A) for attaching a wafer (W) to a carrier plate (9) is disposed near the wafer supply mechanism (5A), and a wafer discharging mechanism (5B).
Near the wafer (W) from the carrier plate (9).
A wafer peeling device (7B) for peeling off is arranged, and
A carrier plate for returning the carrier plate (9) from which the wafer (W) has been peeled off by the wafer peeling device (7B) to the wafer pasting device (7A) between the wafer pasting device (7A) and the wafer peeling device (7B). The wafer polishing apparatus according to claim 3 or 4, further comprising a circulation device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138863A JP2001319904A (en) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | Wafer polishing deice |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000138863A JP2001319904A (en) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | Wafer polishing deice |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319904A true JP2001319904A (en) | 2001-11-16 |
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ID=18646413
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000138863A Pending JP2001319904A (en) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | Wafer polishing deice |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001319904A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100778806B1 (en) | 2006-11-07 | 2007-11-22 | 주식회사 동구기업 | The rotating automatic polishing device of the glass lens |
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-
2000
- 2000-05-11 JP JP2000138863A patent/JP2001319904A/en active Pending
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