JP2001319569A - プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法、プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法、プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネルInfo
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- JP2001319569A JP2001319569A JP2000133557A JP2000133557A JP2001319569A JP 2001319569 A JP2001319569 A JP 2001319569A JP 2000133557 A JP2000133557 A JP 2000133557A JP 2000133557 A JP2000133557 A JP 2000133557A JP 2001319569 A JP2001319569 A JP 2001319569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストの削減及び歩留まりの向上と高精
細化とを両立しうるPDP用基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 前面ガラス基板5の主面5S上に全面に
渡って、感光性を有し且つ鉛成分を含まないガラスペー
ストを厚膜印刷法により印刷し、これを乾燥させる。次
に、上記誘電体層を露光・現像して、透明電極のパター
ンに対応する溝30を形成する。その後、鉛成分を含ま
ない透明導電性ペーストを印刷して、溝30内を当該透
明導電性ペーストで埋める。透明導電性ペーストを乾燥
させて得られた透明導電層1Aと露光・現像後に残存す
る誘電体層31Bとを互いに同じ高さレベルになるまで
平坦化し、平坦化後の透明導電層及び誘電体層31Bを
焼成する。その後、透明導電層から形成された透明電極
上にバス電極を形成する。
細化とを両立しうるPDP用基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 前面ガラス基板5の主面5S上に全面に
渡って、感光性を有し且つ鉛成分を含まないガラスペー
ストを厚膜印刷法により印刷し、これを乾燥させる。次
に、上記誘電体層を露光・現像して、透明電極のパター
ンに対応する溝30を形成する。その後、鉛成分を含ま
ない透明導電性ペーストを印刷して、溝30内を当該透
明導電性ペーストで埋める。透明導電性ペーストを乾燥
させて得られた透明導電層1Aと露光・現像後に残存す
る誘電体層31Bとを互いに同じ高さレベルになるまで
平坦化し、平坦化後の透明導電層及び誘電体層31Bを
焼成する。その後、透明導電層から形成された透明電極
上にバス電極を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(以下、PDPとも呼ぶ)、PDP用基板及
びPDP用基板の製造方法に関するものであり、特に製
造コストの削減及び歩留まりの向上と高精細化とを両立
させるための技術に関する。
レイパネル(以下、PDPとも呼ぶ)、PDP用基板及
びPDP用基板の製造方法に関するものであり、特に製
造コストの削減及び歩留まりの向上と高精細化とを両立
させるための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】図13に、代表的な交流面放電型のPD
P151を説明するための模式的な斜視図を示す。図1
3に示すように、PDP151では、カソード膜104
とバリアリブ7の頂部とが当接するように前面パネル1
51Fと背面パネル51Rとが配置されている。前面パ
ネル151Fと背面パネル51Rとは図示しない周縁部
において封着されており、前面パネル151Fと背面パ
ネル51Rとの間に形成される放電空間51S内にNe
−Xe混合ガスやHe−Xe混合ガス等の放電用ガスが
封入されている。
P151を説明するための模式的な斜視図を示す。図1
3に示すように、PDP151では、カソード膜104
とバリアリブ7の頂部とが当接するように前面パネル1
51Fと背面パネル51Rとが配置されている。前面パ
ネル151Fと背面パネル51Rとは図示しない周縁部
において封着されており、前面パネル151Fと背面パ
ネル51Rとの間に形成される放電空間51S内にNe
−Xe混合ガスやHe−Xe混合ガス等の放電用ガスが
封入されている。
【0003】前面パネル151Fにおいて、表示面を成
す前面ガラス基板105の放電空間51S側の表面上
に、例えばSiO2等から成る下地絶縁層111が形成
されている。そして、下地絶縁層111の放電空間51
S側の表面上に、複数の透明電極101が互いに平行に
延長形成されている。透明電極101は例えばITOや
SnO2等から成る。更に、透明電極101の放電空間
51S側の表面上に、バス電極102が透明電極101
に沿って形成されている。バス電極102は、透明電極
101の導電性を補って透明電極101に電圧を供給す
るためのものである。
す前面ガラス基板105の放電空間51S側の表面上
に、例えばSiO2等から成る下地絶縁層111が形成
されている。そして、下地絶縁層111の放電空間51
S側の表面上に、複数の透明電極101が互いに平行に
延長形成されている。透明電極101は例えばITOや
SnO2等から成る。更に、透明電極101の放電空間
51S側の表面上に、バス電極102が透明電極101
に沿って形成されている。バス電極102は、透明電極
101の導電性を補って透明電極101に電圧を供給す
るためのものである。
【0004】透明電極101及びバス電極2から成る電
極は、隣接する2本ずつが対を成し、かかる1対の電極
が1本の走査線ないしは走査ラインを形成する。このと
き、対を成す透明電極101間の間隙が放電ギャップに
あたる。図13に示すように、n番目の走査線を成す2
本の(1対の)電極(上述のように透明電極101及び
バス電極102から成る)をそれぞれ「放電維持電極X
n」,「放電維持電極Yn」とも呼ぶ。なお、バス電極
102は、透明電極101上において、放電ギャップか
ら遠い側に、換言すれば隣の走査線の側に形成されてい
る。
極は、隣接する2本ずつが対を成し、かかる1対の電極
が1本の走査線ないしは走査ラインを形成する。このと
き、対を成す透明電極101間の間隙が放電ギャップに
あたる。図13に示すように、n番目の走査線を成す2
本の(1対の)電極(上述のように透明電極101及び
バス電極102から成る)をそれぞれ「放電維持電極X
n」,「放電維持電極Yn」とも呼ぶ。なお、バス電極
102は、透明電極101上において、放電ギャップか
ら遠い側に、換言すれば隣の走査線の側に形成されてい
る。
【0005】透明電極101及びバス電極102を覆っ
て透明な誘電体層103が形成されており、更に、誘電
体層103の放電空間51S側の表面上に、放電の際に
カソードとして機能するMgO膜ないしはカソード膜1
04が形成されている。
て透明な誘電体層103が形成されており、更に、誘電
体層103の放電空間51S側の表面上に、放電の際に
カソードとして機能するMgO膜ないしはカソード膜1
04が形成されている。
【0006】ここで、下地絶縁層111について説明を
加える。一般的に、下地絶縁層111を有さない場合、
PDPの駆動時に前面ガラス基板105中に含まれるナ
トリウム成分と誘電体層103中に含まれる酸化鉛成分
とがマイグレーションして化学反応(還元反応)を起こ
し、透明電極101間に鉛が析出・成長する。かかる鉛
は、透明電極101の導電性を不安定にすると共に、隣
接する透明電極101間の絶縁性を損なってしまう。こ
のため、PDP151には、アルカリバリアの機能を担
う下地絶縁層111が設けられている。
加える。一般的に、下地絶縁層111を有さない場合、
PDPの駆動時に前面ガラス基板105中に含まれるナ
トリウム成分と誘電体層103中に含まれる酸化鉛成分
とがマイグレーションして化学反応(還元反応)を起こ
し、透明電極101間に鉛が析出・成長する。かかる鉛
は、透明電極101の導電性を不安定にすると共に、隣
接する透明電極101間の絶縁性を損なってしまう。こ
のため、PDP151には、アルカリバリアの機能を担
う下地絶縁層111が設けられている。
【0007】他方、背面パネル51Rにおいて、背面ガ
ラス基板9の放電空間51S側の表面上に、放電維持電
極Xn及びYnと直交する方向に複数のアドレス電極6
が延長形成されている。アドレス電極6を覆って、背面
ガラス基板9の上記表面の全面に渡って誘電体より成る
グレーズ層10が形成されている。そして、グレーズ層
10の放電空間51S側の表面上に、隣接するアドレス
電極6間を区切るようにバリアリブ7が延長形成されて
いる。
ラス基板9の放電空間51S側の表面上に、放電維持電
極Xn及びYnと直交する方向に複数のアドレス電極6
が延長形成されている。アドレス電極6を覆って、背面
ガラス基板9の上記表面の全面に渡って誘電体より成る
グレーズ層10が形成されている。そして、グレーズ層
10の放電空間51S側の表面上に、隣接するアドレス
電極6間を区切るようにバリアリブ7が延長形成されて
いる。
【0008】更に、隣接するバリアリブ7とグレーズ層
10とで形成される略U字型の溝の内壁面上に蛍光体層
8が形成されている。なお、各U字型溝毎に赤色,緑色
又は青色の蛍光色を発する蛍光体層8R,8G又は8B
が形成されている。
10とで形成される略U字型の溝の内壁面上に蛍光体層
8が形成されている。なお、各U字型溝毎に赤色,緑色
又は青色の蛍光色を発する蛍光体層8R,8G又は8B
が形成されている。
【0009】PDP151では、1対の放電維持電極X
n,Ynによって規定されるn番目の走査線とアドレス
電極6とが立体交差する各点が1個の放電セルを形成し
ており、当該放電セルが多数、マトリクス状に配置され
てPDP151の画面を構成する。
n,Ynによって規定されるn番目の走査線とアドレス
電極6とが立体交差する各点が1個の放電セルを形成し
ており、当該放電セルが多数、マトリクス状に配置され
てPDP151の画面を構成する。
【0010】次に、図14〜図16に示すフローチャー
トを参照しつつ、PDP151の従来の製造方法を説明
する。なお、図15及び図16は、図14中の各工程S
T101F,ST1Rの詳細なフローチャートである。
トを参照しつつ、PDP151の従来の製造方法を説明
する。なお、図15及び図16は、図14中の各工程S
T101F,ST1Rの詳細なフローチャートである。
【0011】前面パネルの製造ステップST101F
(図15参照)では、まず、ソーダライムガラス等から
成る前面ガラス基板105を洗浄して準備し(ステップ
ST101F1)、前面ガラス基板105の一方の表面
上ないしは主面上に下地絶縁層111を形成する(ステ
ップST101F2)。下地絶縁層111は例えばSi
O2等をスパッタ法やCVD法を用いて形成される。
(図15参照)では、まず、ソーダライムガラス等から
成る前面ガラス基板105を洗浄して準備し(ステップ
ST101F1)、前面ガラス基板105の一方の表面
上ないしは主面上に下地絶縁層111を形成する(ステ
ップST101F2)。下地絶縁層111は例えばSi
O2等をスパッタ法やCVD法を用いて形成される。
【0012】次に、下地絶縁層111上に透明電極10
1を形成する(ステップST101F3)。例えば、
(A)ITO膜をフォトエッチング法でパターニングす
ることによって、或いは、(B)SnO2膜をリフトオ
フ法でパターニングすることによって、透明電極101
をパターン形成する。なお、透明電極101の形成方法
は後に詳述する。
1を形成する(ステップST101F3)。例えば、
(A)ITO膜をフォトエッチング法でパターニングす
ることによって、或いは、(B)SnO2膜をリフトオ
フ法でパターニングすることによって、透明電極101
をパターン形成する。なお、透明電極101の形成方法
は後に詳述する。
【0013】その後、透明電極101を覆って金属膜を
スパッタ法を用いて形成し、当該金属膜をフォトエッチ
ング法によってパターニングすることにより、バス電極
102を形成する(ステップST101F4)。そし
て、前面ガラス基板105上に透明電極101及びバス
電極102を覆って誘電体ペーストを印刷し、これを乾
燥させ、焼成することによって、誘電体層103を形成
する(ステップST101F5)。次に、誘電体層10
3上に真空蒸着法等を用いてMgO膜を形成することに
よって、カソード膜104を形成する(ステップST1
01F6)。
スパッタ法を用いて形成し、当該金属膜をフォトエッチ
ング法によってパターニングすることにより、バス電極
102を形成する(ステップST101F4)。そし
て、前面ガラス基板105上に透明電極101及びバス
電極102を覆って誘電体ペーストを印刷し、これを乾
燥させ、焼成することによって、誘電体層103を形成
する(ステップST101F5)。次に、誘電体層10
3上に真空蒸着法等を用いてMgO膜を形成することに
よって、カソード膜104を形成する(ステップST1
01F6)。
【0014】他方、背面パネル51Rの製造ステップS
T1R(図16参照)では、まず、ソーダライムガラス
等から成る背面ガラス基板9を洗浄して準備し(ステッ
プST1R1)、その後、背面ガラス基板9の一方の表
面上ないしは主面上に、銀ペーストを用いた厚膜印刷法
によってアドレス電極6を形成する(ステップST1R
2)。そして、アドレス電極6を覆って誘電体ペースト
を印刷し、これを乾燥・焼結することによってグレーズ
層を形成する。
T1R(図16参照)では、まず、ソーダライムガラス
等から成る背面ガラス基板9を洗浄して準備し(ステッ
プST1R1)、その後、背面ガラス基板9の一方の表
面上ないしは主面上に、銀ペーストを用いた厚膜印刷法
によってアドレス電極6を形成する(ステップST1R
2)。そして、アドレス電極6を覆って誘電体ペースト
を印刷し、これを乾燥・焼結することによってグレーズ
層を形成する。
【0015】次に、誘電体ペーストの厚膜印刷及び乾燥
を繰り返すことによって、グレーズ層10上の所定の位
置にバリアリブ7を形成する(ステップST1R4)。
その後、蛍光体ペーストの厚膜印刷法を用いて、上述の
U字型溝の内壁面上に所定の発光色用の蛍光体層8を形
成する(ステップST1R5)。そして、前面パネル1
51Fと背面パネル51Rとを封着するための低融点ガ
ラスペースト(シール層;図示せず)を、背面パネル5
1Rの周縁部に形成する(ステップST1R6)。
を繰り返すことによって、グレーズ層10上の所定の位
置にバリアリブ7を形成する(ステップST1R4)。
その後、蛍光体ペーストの厚膜印刷法を用いて、上述の
U字型溝の内壁面上に所定の発光色用の蛍光体層8を形
成する(ステップST1R5)。そして、前面パネル1
51Fと背面パネル51Rとを封着するための低融点ガ
ラスペースト(シール層;図示せず)を、背面パネル5
1Rの周縁部に形成する(ステップST1R6)。
【0016】次に、透明電極101及びバス電極102
とアドレス電極6とが直交するように、前面パネル15
1Fと背面パネル51Rとを配置してアライメント(位
置合わせ)を行い、カソード膜104とバリアリブ7の
頂部とを当接させる(ステップST2)。かかる状態を
保持したままシール層を焼成し、前面パネル151Fと
背面パネル51Rとを封着する(ステップST3)。次
に、前面パネル151Fと背面パネル51Rとの張り合
わせにより形成された放電空間51S内を真空排気し
(ステップST4)、その後、放電用ガスを封入する
(ステップST5)。そして、エージングを行うことに
より(ステップST6)、PDP151が完成する。
とアドレス電極6とが直交するように、前面パネル15
1Fと背面パネル51Rとを配置してアライメント(位
置合わせ)を行い、カソード膜104とバリアリブ7の
頂部とを当接させる(ステップST2)。かかる状態を
保持したままシール層を焼成し、前面パネル151Fと
背面パネル51Rとを封着する(ステップST3)。次
に、前面パネル151Fと背面パネル51Rとの張り合
わせにより形成された放電空間51S内を真空排気し
(ステップST4)、その後、放電用ガスを封入する
(ステップST5)。そして、エージングを行うことに
より(ステップST6)、PDP151が完成する。
【0017】ここで、透明電極101の形成方法の具体
例として、(A)フォトエッチング法、(B)リフトオ
フ法、(C)スクリーン印刷法を説明する。
例として、(A)フォトエッチング法、(B)リフトオ
フ法、(C)スクリーン印刷法を説明する。
【0018】(A)フォトエッチング法により透明電極
101を形成する場合、まず、前面ガラス基板105の
主面上に下地絶縁層111を形成し、下地絶縁層111
上に、例えばITO等の透明電極用のターゲットをスパ
ッタし、透明導電層101Aを成膜する(図17参照;
なお、図17〜図26は図13中の矢印Aの方向から前
面パネル151Fを見た場合の縦断面図に相当する)。
そして、透明導電層101A上にフォトレジスト(以
下、レジストとも呼ぶ)201Aを塗布した後(図18
参照)、当該レジスト201Aを露光マスク211を用
いてパターン露光し(図19参照)、現像する(図20
参照)。次に、現像後に残存するレジスト201Bをマ
スクとして透明導電層101Aを化学エッチングし、透
明電極101を形成する(図21参照)。その後、レジ
スト201Bを剥離する(図22参照)。
101を形成する場合、まず、前面ガラス基板105の
主面上に下地絶縁層111を形成し、下地絶縁層111
上に、例えばITO等の透明電極用のターゲットをスパ
ッタし、透明導電層101Aを成膜する(図17参照;
なお、図17〜図26は図13中の矢印Aの方向から前
面パネル151Fを見た場合の縦断面図に相当する)。
そして、透明導電層101A上にフォトレジスト(以
下、レジストとも呼ぶ)201Aを塗布した後(図18
参照)、当該レジスト201Aを露光マスク211を用
いてパターン露光し(図19参照)、現像する(図20
参照)。次に、現像後に残存するレジスト201Bをマ
スクとして透明導電層101Aを化学エッチングし、透
明電極101を形成する(図21参照)。その後、レジ
スト201Bを剥離する(図22参照)。
【0019】(B)次に、リフトオフ法により透明電極
101を形成する場合を説明する。リフトオフ法はSn
O2等のエッチングが難しい材料をパターニングする際
に用いられる。まず、下地絶縁層111が形成された前
面ガラス基板105を準備し、下地絶縁層111上にレ
ジスト202Aを塗布した後(図23参照)、当該レジ
スト202Aを露光マスク212を用いてパターン露光
し(図24参照)、現像する(図25参照)。次に、現
像後に残存するレジスト202Bが形成する溝を埋める
ように、SnO2等の透明導電層101Bを例えば常圧
CVD法等で成膜する(図26参照)。その後、レジス
ト202Bを根元から除去(剥離)することにより、透
明導電層101Bから透明電極101を形成する(既述
の図22参照)。
101を形成する場合を説明する。リフトオフ法はSn
O2等のエッチングが難しい材料をパターニングする際
に用いられる。まず、下地絶縁層111が形成された前
面ガラス基板105を準備し、下地絶縁層111上にレ
ジスト202Aを塗布した後(図23参照)、当該レジ
スト202Aを露光マスク212を用いてパターン露光
し(図24参照)、現像する(図25参照)。次に、現
像後に残存するレジスト202Bが形成する溝を埋める
ように、SnO2等の透明導電層101Bを例えば常圧
CVD法等で成膜する(図26参照)。その後、レジス
ト202Bを根元から除去(剥離)することにより、透
明導電層101Bから透明電極101を形成する(既述
の図22参照)。
【0020】(C)また、スクリーン印刷法により透明
電極101を形成する場合、透明導電性材料にコロイド
系粒子や樹脂と溶剤とを加えてペースト化し、当該ペー
ストを、透明電極101のパターンが形成されたスクリ
ーン版を用いてダイレクトにパターン印刷する。
電極101を形成する場合、透明導電性材料にコロイド
系粒子や樹脂と溶剤とを加えてペースト化し、当該ペー
ストを、透明電極101のパターンが形成されたスクリ
ーン版を用いてダイレクトにパターン印刷する。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
各形成方法はそれぞれ以下のような問題点を有してい
る。
各形成方法はそれぞれ以下のような問題点を有してい
る。
【0022】(A)まず、フォトエッチング法はフォト
リソグラフィ法を用いるので寸法精度が高く高精細なパ
ターニングに優れる反面、後に透明電極101となる透
明導電層101Aの成膜→レジスト201Bの形成(レ
ジストの塗布,パターン露光及び現像)→透明導電層1
01Aのエッチング→レジスト201Bの剥離と工程数
が多く、工程歩留りを落とす要因を多く含んでいる。
リソグラフィ法を用いるので寸法精度が高く高精細なパ
ターニングに優れる反面、後に透明電極101となる透
明導電層101Aの成膜→レジスト201Bの形成(レ
ジストの塗布,パターン露光及び現像)→透明導電層1
01Aのエッチング→レジスト201Bの剥離と工程数
が多く、工程歩留りを落とす要因を多く含んでいる。
【0023】更に、上記透明導電層をスパッタ法等で形
成するので当該透明導電層の成膜速度は遅く(約30n
m/分前後である)、結果的にスループットが低くなっ
てしまう。
成するので当該透明導電層の成膜速度は遅く(約30n
m/分前後である)、結果的にスループットが低くなっ
てしまう。
【0024】更に、スパッタ法を用いるので、そのため
の成膜設備が高価であり(数億円程度である)、イニシ
ャルコストが極めて高い。また、設備全体が長い、付帯
設備を伴う等の理由から、広大な設置スペース(フット
プリント)が必要である。また、設備の定期的なメンテ
ナンスのための費用も高い。
の成膜設備が高価であり(数億円程度である)、イニシ
ャルコストが極めて高い。また、設備全体が長い、付帯
設備を伴う等の理由から、広大な設置スペース(フット
プリント)が必要である。また、設備の定期的なメンテ
ナンスのための費用も高い。
【0025】(B)リフトオフ法を用いた形成方法で
は、パターニングされたレジスト202Bの表面が透明
導電層101Bの形成時に炭化状態になってしまうの
で、レジスト202Bの剥離時に透明導電層101Bが
(従って透明電極101が)傷つきやすい。即ち、透明
導電層101Bを例えば常圧CVD法により形成する場
合、前面ガラス基板105を昇温するが、このとき前面
ガラス基板105の表面温度が高温(例えば500〜6
50°C)になるので、レジスト202Bの表面が炭化
されてしまう。かかる炭化状態のレジスト202Bは例
えばNaOH等のアルカリ性水溶液から成るレジスト剥
離液によっても十分に剥離できないので、レジスト剥離
液への浸漬後に、残留しているレジストに対して、ラビ
ング機能を付与したブラシ洗浄等の機械的剥離を行う。
この際、透明導電層までも剥離しないように機械的剥離
の実施条件が設定されるが、透明導電層の損傷を避ける
ことは極めて困難である。透明電極101が傷つくと、
輝度ムラ等の表示品質上の不具合を招いてしまう。
は、パターニングされたレジスト202Bの表面が透明
導電層101Bの形成時に炭化状態になってしまうの
で、レジスト202Bの剥離時に透明導電層101Bが
(従って透明電極101が)傷つきやすい。即ち、透明
導電層101Bを例えば常圧CVD法により形成する場
合、前面ガラス基板105を昇温するが、このとき前面
ガラス基板105の表面温度が高温(例えば500〜6
50°C)になるので、レジスト202Bの表面が炭化
されてしまう。かかる炭化状態のレジスト202Bは例
えばNaOH等のアルカリ性水溶液から成るレジスト剥
離液によっても十分に剥離できないので、レジスト剥離
液への浸漬後に、残留しているレジストに対して、ラビ
ング機能を付与したブラシ洗浄等の機械的剥離を行う。
この際、透明導電層までも剥離しないように機械的剥離
の実施条件が設定されるが、透明導電層の損傷を避ける
ことは極めて困難である。透明電極101が傷つくと、
輝度ムラ等の表示品質上の不具合を招いてしまう。
【0026】また、CVD法の成膜レートは、反応炉へ
の反応ガスの導入流量や反応炉内の排気の流量、基板温
度等の成膜条件の変動に影響を受けやすい。このため、
各前面パネル151F毎に透明電極101の膜厚が異な
ったり、或いは、(1つの)前面パネル151F内で透
明電極101の膜厚分布が生じたりする。これらの膜厚
バラツキはPDPの表示品位を低下させてしまう。
の反応ガスの導入流量や反応炉内の排気の流量、基板温
度等の成膜条件の変動に影響を受けやすい。このため、
各前面パネル151F毎に透明電極101の膜厚が異な
ったり、或いは、(1つの)前面パネル151F内で透
明電極101の膜厚分布が生じたりする。これらの膜厚
バラツキはPDPの表示品位を低下させてしまう。
【0027】(C)また、スクリーン印刷法によれば、
透明電極101のダイレクトパターニング印刷→焼成と
工程数も少ないので、歩留りを低下させる要因が少な
い。また、他の方法と比較して設備のイニシャルコスト
が低い。しかしながら、スクリーン印刷法では高精度の
パターン形成が難しいという問題がある。特に、前面ガ
ラス基板105や下地絶縁層111のような平滑なガラ
ス表面等上に印刷すると、印刷されたペーストが広がっ
てしまうので、高精細なパターニングは難しい。このと
き、対を成す透明電極101間の間隙として形成される
放電ギャップには±数μmの寸法精度が要求されるの
で、透明電極101のパターニングを、従って放電ギャ
ップのパターニングをスクリーン印刷法でダイレクト印
刷するのは困難である。
透明電極101のダイレクトパターニング印刷→焼成と
工程数も少ないので、歩留りを低下させる要因が少な
い。また、他の方法と比較して設備のイニシャルコスト
が低い。しかしながら、スクリーン印刷法では高精度の
パターン形成が難しいという問題がある。特に、前面ガ
ラス基板105や下地絶縁層111のような平滑なガラ
ス表面等上に印刷すると、印刷されたペーストが広がっ
てしまうので、高精細なパターニングは難しい。このと
き、対を成す透明電極101間の間隙として形成される
放電ギャップには±数μmの寸法精度が要求されるの
で、透明電極101のパターニングを、従って放電ギャ
ップのパターニングをスクリーン印刷法でダイレクト印
刷するのは困難である。
【0028】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、製造コストの削減及び歩留まりの向上と高精細
化とを両立しうるPDP用基板の製造方法を提供するこ
とを第1の目的とする。
であり、製造コストの削減及び歩留まりの向上と高精細
化とを両立しうるPDP用基板の製造方法を提供するこ
とを第1の目的とする。
【0029】更に、本発明は、高精細表示が可能であり
又表示品質の高いPDP及びそのようなPDPを実現し
うるPDP用基板を低価格で提供することを第2の目的
とする。
又表示品質の高いPDP及びそのようなPDPを実現し
うるPDP用基板を低価格で提供することを第2の目的
とする。
【0030】
【課題を解決するための手段】(1)請求項1に記載の
発明に係るプラズマディスプレイパネル用基板の製造方
法は、(a)基板を準備する工程と、(b)前記基板の
主面上に感光性を有する誘電体層を配置する工程と、
(c)前記誘電体層をフォトリソグラフィ法を用いて所
定のパターンに加工する工程と、(d)前記誘電体層の
前記所定のパターン間の溝内を透明導電層で埋める工程
と、(e)前記透明導電層及び前記誘電体層の各露出表
面を同じ高さレベルに平坦化する工程とを備えることを
特徴とする。
発明に係るプラズマディスプレイパネル用基板の製造方
法は、(a)基板を準備する工程と、(b)前記基板の
主面上に感光性を有する誘電体層を配置する工程と、
(c)前記誘電体層をフォトリソグラフィ法を用いて所
定のパターンに加工する工程と、(d)前記誘電体層の
前記所定のパターン間の溝内を透明導電層で埋める工程
と、(e)前記透明導電層及び前記誘電体層の各露出表
面を同じ高さレベルに平坦化する工程とを備えることを
特徴とする。
【0031】(2)請求項2に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1に
記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法で
あって、前記工程(d)において、透明な導電性ペース
トを印刷することによって前記透明導電層を配置するこ
とを特徴とする。
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1に
記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法で
あって、前記工程(d)において、透明な導電性ペース
トを印刷することによって前記透明導電層を配置するこ
とを特徴とする。
【0032】(3)請求項3に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1又
は2に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法であって、前記工程(b)において、感光性を有す
る誘電体ペーストを印刷することによって前記誘電体層
を配置することを特徴とする。
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1又
は2に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法であって、前記工程(b)において、感光性を有す
る誘電体ペーストを印刷することによって前記誘電体層
を配置することを特徴とする。
【0033】(4)請求項4に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1又
は2に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法であって、前記工程(b)において、感光性を有す
る誘電体フィルムを配置することによって前記誘電体層
を配置することを特徴とする。
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1又
は2に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法であって、前記工程(b)において、感光性を有す
る誘電体フィルムを配置することによって前記誘電体層
を配置することを特徴とする。
【0034】(5)請求項5に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1乃
至4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用
基板の製造方法であって、前記透明導電層及び前記誘電
体層の少なくとも一方は鉛成分を含まないことを特徴と
する。
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1乃
至4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用
基板の製造方法であって、前記透明導電層及び前記誘電
体層の少なくとも一方は鉛成分を含まないことを特徴と
する。
【0035】(6)請求項6に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1乃
至5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用
基板の製造方法であって、(f)前記工程(e)の後
に、前記透明導電層の前記基板とは反対側の表面上に、
電極を成す、銀を含む導電性ペーストを印刷する工程を
更に備えることを特徴とする。
マディスプレイパネル用基板の製造方法は、請求項1乃
至5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用
基板の製造方法であって、(f)前記工程(e)の後
に、前記透明導電層の前記基板とは反対側の表面上に、
電極を成す、銀を含む導電性ペーストを印刷する工程を
更に備えることを特徴とする。
【0036】(7)請求項7に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネル用基板は、請求項1乃至6のいず
れかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法により製造されたことを特徴とする。
マディスプレイパネル用基板は、請求項1乃至6のいず
れかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板の製造
方法により製造されたことを特徴とする。
【0037】(8)請求項8に記載の発明に係るプラズ
マディスプレイパネルは、請求項7に記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用基板を備えることを特徴とする。
マディスプレイパネルは、請求項7に記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用基板を備えることを特徴とする。
【0038】
【発明の実施の形態】<実施の形態1>以下に、実施の
形態1に係るPDPを説明するが、当該PDPは前面パ
ネルの製造方法、特に透明電極の形成方法に特徴がある
ため、かかる点を中心に説明をする。なお、実施の形態
1に係るPDPの背面パネルとして従来の背面パネル5
1Rを適用するものとするが、その他の背面パネルを用
いても構わない。
形態1に係るPDPを説明するが、当該PDPは前面パ
ネルの製造方法、特に透明電極の形成方法に特徴がある
ため、かかる点を中心に説明をする。なお、実施の形態
1に係るPDPの背面パネルとして従来の背面パネル5
1Rを適用するものとするが、その他の背面パネルを用
いても構わない。
【0039】図1に実施の形態1に係るPDPの前面パ
ネル(PDP用基板)51Fの模式的な縦断面図を示
す。なお、図1中には1本の走査線に対応する部分のみ
を抽出・拡大して図示している。また、図1並びに後述
の図3〜図10及び図12の図示化の方向は図17と同
等である。
ネル(PDP用基板)51Fの模式的な縦断面図を示
す。なお、図1中には1本の走査線に対応する部分のみ
を抽出・拡大して図示している。また、図1並びに後述
の図3〜図10及び図12の図示化の方向は図17と同
等である。
【0040】図1に示すように、前面パネル51Fで
は、例えばソーダライムガラス等から成る前面ガラス基
板5の一方の主面5S上に、対を成す2本の透明電極1
が放電ギャップgを介して配置されている。なお、透明
電極1は図1において紙面に垂直な方向に帯状に延在し
ており、又、前面パネル51F全体では複数の(複数対
の)透明電極1が互いに平行に配置されている。そし
て、隣接する透明電極1のパターン間を埋めるように、
前面ガラス基板5の主面5S上に誘電体層31が配置さ
れている。
は、例えばソーダライムガラス等から成る前面ガラス基
板5の一方の主面5S上に、対を成す2本の透明電極1
が放電ギャップgを介して配置されている。なお、透明
電極1は図1において紙面に垂直な方向に帯状に延在し
ており、又、前面パネル51F全体では複数の(複数対
の)透明電極1が互いに平行に配置されている。そし
て、隣接する透明電極1のパターン間を埋めるように、
前面ガラス基板5の主面5S上に誘電体層31が配置さ
れている。
【0041】特に、透明電極1及び誘電体層31は鉛成
分(例えば酸化鉛等)を含まない材料から成る。また、
透明電極1の上記主面1Sとは反対側の表面1Sと誘電
体層31の同表面31Sとは平坦を成している、換言す
れば両表面1S,31Sは略同じ高さレベルにある。
分(例えば酸化鉛等)を含まない材料から成る。また、
透明電極1の上記主面1Sとは反対側の表面1Sと誘電
体層31の同表面31Sとは平坦を成している、換言す
れば両表面1S,31Sは略同じ高さレベルにある。
【0042】更に、各透明電極1の表面1S上にそれぞ
れ、銀を含む材料から成るバス電極2が配置されてい
る。各バス電極2は、放電ギャップgから遠い側に、透
明電極1に沿って延在している。そして、透明電極1,
バス電極2及び誘電体層31を覆って、誘電体層32が
配置されている。なお、両誘電体層31,32は一体化
している。更に、誘電体層32の表面32S上に例えば
MgOから成るカソード膜ないしは保護膜4が配置され
ている。
れ、銀を含む材料から成るバス電極2が配置されてい
る。各バス電極2は、放電ギャップgから遠い側に、透
明電極1に沿って延在している。そして、透明電極1,
バス電極2及び誘電体層31を覆って、誘電体層32が
配置されている。なお、両誘電体層31,32は一体化
している。更に、誘電体層32の表面32S上に例えば
MgOから成るカソード膜ないしは保護膜4が配置され
ている。
【0043】次に、図2のフローチャート及び図3〜図
10の縦断面図を参照しつつ、前面パネル51の製造方
法ないしは製造ステップST1Fを説明する。
10の縦断面図を参照しつつ、前面パネル51の製造方
法ないしは製造ステップST1Fを説明する。
【0044】まず、図3に示すように、前面ガラス基板
5を洗浄等して準備する(ステップST1F1)。次
に、図4に示すように、前面ガラス基板5の主面5S上
に全面に渡って、感光性を有し且つ鉛成分を含まない誘
電体層31Aを形成する(ステップST1F2)。詳細
には、例えば感光性を有し且つ鉛成分を含まないガラス
ペーストを厚膜印刷法により印刷し乾燥させることによ
り、誘電体層31Aを得る。
5を洗浄等して準備する(ステップST1F1)。次
に、図4に示すように、前面ガラス基板5の主面5S上
に全面に渡って、感光性を有し且つ鉛成分を含まない誘
電体層31Aを形成する(ステップST1F2)。詳細
には、例えば感光性を有し且つ鉛成分を含まないガラス
ペーストを厚膜印刷法により印刷し乾燥させることによ
り、誘電体層31Aを得る。
【0045】そして、フォトリソグラフィ法を用いて誘
電体層31Aをパターニングする(ステップST1F
3)。詳細には、図5に示すように、透明電極1(図1
参照)のパターンに対応した開口を有する露光マスク2
12を介して誘電体層31Aに露光光(例えば紫外線)
210を照射し、誘電体層31Aを露光する。続いて、
露光後の誘電体層31Aに対して現像液(アルカリ性水
溶液)をスプレー噴射して現像する。これにより、図6
に示すように、誘電体層31Aから透明電極1のパター
ンに対応した部分が除去されて溝30を成し、露光され
なかった部分が誘電体層31Bとして残存する。
電体層31Aをパターニングする(ステップST1F
3)。詳細には、図5に示すように、透明電極1(図1
参照)のパターンに対応した開口を有する露光マスク2
12を介して誘電体層31Aに露光光(例えば紫外線)
210を照射し、誘電体層31Aを露光する。続いて、
露光後の誘電体層31Aに対して現像液(アルカリ性水
溶液)をスプレー噴射して現像する。これにより、図6
に示すように、誘電体層31Aから透明電極1のパター
ンに対応した部分が除去されて溝30を成し、露光され
なかった部分が誘電体層31Bとして残存する。
【0046】その後、図7に示すように、鉛成分を含ま
ない透明導電層1Aを形成する(ステップST1F
4)。詳細には、誘電体層31B及び前面ガラス基板5
を覆うように、鉛成分を含まない透明導電性ペースト
(SnO2やITO(の微粒子)等の透明導電性材料に
コロイド系粒子や樹脂と溶剤とを加えてペースト化した
材料)を印刷して、溝30内を当該透明導電性ペースト
で埋める。そして、かかる透明導電性ペーストを乾燥さ
せることにより、透明導電層1Aを得る。
ない透明導電層1Aを形成する(ステップST1F
4)。詳細には、誘電体層31B及び前面ガラス基板5
を覆うように、鉛成分を含まない透明導電性ペースト
(SnO2やITO(の微粒子)等の透明導電性材料に
コロイド系粒子や樹脂と溶剤とを加えてペースト化した
材料)を印刷して、溝30内を当該透明導電性ペースト
で埋める。そして、かかる透明導電性ペーストを乾燥さ
せることにより、透明導電層1Aを得る。
【0047】次に、透明導電層1A及び誘電体層31B
を研磨等して、透明導電層1Aと誘電体層31Bとの各
露出表面が互いに同じ高さレベルになるように平坦化処
理を行う(ステップST1F5)。これにより、図8に
示すように、それぞれの露出表面1BS,31CSが平
坦を成す透明導電層1B及び誘電体層31Cを得る。平
坦化処理の一例として、例えば研磨砥粒をシート状に分
散させたテープを加工面に直接接触させて、当該加工面
を研磨する方法が挙げられる。
を研磨等して、透明導電層1Aと誘電体層31Bとの各
露出表面が互いに同じ高さレベルになるように平坦化処
理を行う(ステップST1F5)。これにより、図8に
示すように、それぞれの露出表面1BS,31CSが平
坦を成す透明導電層1B及び誘電体層31Cを得る。平
坦化処理の一例として、例えば研磨砥粒をシート状に分
散させたテープを加工面に直接接触させて、当該加工面
を研磨する方法が挙げられる。
【0048】ここでは、透明導電層1A及び誘電体層3
1Bの双方を研磨等する場合を述べたが、かかる場合に
は透明導電層1A及び誘電体層31Bの研磨量(研磨厚
さ)を考慮して、上記ステップST1F2における誘電
体層31Aの成膜厚さを設定する。或いは、研磨量が過
剰にならないように研磨量又は膜厚をモニタする。な
お、透明導電層1Aのみを研磨等することによって、平
坦化処理を行っても構わない。
1Bの双方を研磨等する場合を述べたが、かかる場合に
は透明導電層1A及び誘電体層31Bの研磨量(研磨厚
さ)を考慮して、上記ステップST1F2における誘電
体層31Aの成膜厚さを設定する。或いは、研磨量が過
剰にならないように研磨量又は膜厚をモニタする。な
お、透明導電層1Aのみを研磨等することによって、平
坦化処理を行っても構わない。
【0049】その後、平坦化後の透明導電層1B及び誘
電体層31Cを焼成することにより、図9に示すように
透明電極1及び誘電体層31が得られる(ステップST
1F6)。
電体層31Cを焼成することにより、図9に示すように
透明電極1及び誘電体層31が得られる(ステップST
1F6)。
【0050】次に、図10に示すように、銀を含む導電
性ペーストを、透明電極1の表面1上の所定の位置に厚
膜印刷法によりダイレクトパターニング印刷し、これを
乾燥させ、焼成することによって、バス電極2を形成す
る(ステップST1F7)。なお、透明導電層1B及び
誘電体層31Cの焼成ステップST1F6の前に上記銀
を含む導電性ペーストの印刷・乾燥を行い、当該導電性
ペースト,透明導電層1B及び誘電体層31Cを同時に
焼成しても良く、かかる場合には製造工程数を削減する
ことができる。
性ペーストを、透明電極1の表面1上の所定の位置に厚
膜印刷法によりダイレクトパターニング印刷し、これを
乾燥させ、焼成することによって、バス電極2を形成す
る(ステップST1F7)。なお、透明導電層1B及び
誘電体層31Cの焼成ステップST1F6の前に上記銀
を含む導電性ペーストの印刷・乾燥を行い、当該導電性
ペースト,透明導電層1B及び誘電体層31Cを同時に
焼成しても良く、かかる場合には製造工程数を削減する
ことができる。
【0051】更に、透明電極1及びバス電極2を覆って
誘電体ペーストを印刷し、これを乾燥させ、焼成するこ
とによって誘電体層32を形成する(ステップST1F
8)。続いて、誘電体層32の露出表面32S上に例え
ば真空蒸着法によってMgOを蒸着することによって、
カソード膜4を形成する(ステップST1F9)。以上
の工程により、図1に示す前面パネル51Fが完成す
る。
誘電体ペーストを印刷し、これを乾燥させ、焼成するこ
とによって誘電体層32を形成する(ステップST1F
8)。続いて、誘電体層32の露出表面32S上に例え
ば真空蒸着法によってMgOを蒸着することによって、
カソード膜4を形成する(ステップST1F9)。以上
の工程により、図1に示す前面パネル51Fが完成す
る。
【0052】そして、当該前面パネル51と既述の図1
6に示すステップST1Rにより製造された背面パネル
51Rとを用いて、図14に示すステップST2〜ST
6を実施する。即ち、透明電極1及びバス電極2とアド
レス電極6とが直交するように、前面パネル51Fと背
面パネル51Rとを配置してアライメント(位置合わ
せ)を行い、カソード膜4とバリアリブ7の頂部とを当
接させる(ステップST2)。かかる状態を保持したま
まシール層を焼成し、前面パネル51Fと背面パネル5
1Rとを封着する(ステップST3)。次に、前面パネ
ル51Fと背面パネル51Rとの張り合わせにより形成
された放電空間51S内を真空排気し(ステップST
4)、その後、放電用ガスを封入する(ステップST
5)。そして、エージングを行うことにより(ステップ
ST6)、実施の形態1に係るPDPが完成する。
6に示すステップST1Rにより製造された背面パネル
51Rとを用いて、図14に示すステップST2〜ST
6を実施する。即ち、透明電極1及びバス電極2とアド
レス電極6とが直交するように、前面パネル51Fと背
面パネル51Rとを配置してアライメント(位置合わ
せ)を行い、カソード膜4とバリアリブ7の頂部とを当
接させる(ステップST2)。かかる状態を保持したま
まシール層を焼成し、前面パネル51Fと背面パネル5
1Rとを封着する(ステップST3)。次に、前面パネ
ル51Fと背面パネル51Rとの張り合わせにより形成
された放電空間51S内を真空排気し(ステップST
4)、その後、放電用ガスを封入する(ステップST
5)。そして、エージングを行うことにより(ステップ
ST6)、実施の形態1に係るPDPが完成する。
【0053】本製造方法によれば、以下の効果を得るこ
とができる。まず、本製造方法では透明導電性ペースト
を印刷法で配置することによって透明電極1を形成する
ので、スパッタ法の高価な成膜設備を必要としない。ま
た、PDPの他の構成要素、例えば誘電体層31やグレ
ーズ層10等の形成と印刷機を兼用ないしは共用するこ
とができる。このため、設備のイニシャルコストを低く
抑えることができる。加えて、スパッタ法と比較して、
高スループットで又高い材料使用効率でPDP用基板を
製造することができる。その結果、製造コストを削減す
ることができる。
とができる。まず、本製造方法では透明導電性ペースト
を印刷法で配置することによって透明電極1を形成する
ので、スパッタ法の高価な成膜設備を必要としない。ま
た、PDPの他の構成要素、例えば誘電体層31やグレ
ーズ層10等の形成と印刷機を兼用ないしは共用するこ
とができる。このため、設備のイニシャルコストを低く
抑えることができる。加えて、スパッタ法と比較して、
高スループットで又高い材料使用効率でPDP用基板を
製造することができる。その結果、製造コストを削減す
ることができる。
【0054】このとき、透明導電性ペーストを埋め込む
溝30は、感光性を有する誘電体層をフォトリソグラフ
ィ法によりパターニングして形成される。このため、例
えば放電ギャップgのように精度が要求される部分であ
っても、透明電極1のパターンをダイレクトパターニン
グ印刷する場合と比較して、高精細にパターニングする
ことができる。しかも、誘電体層31Aを印刷法を用い
て形成するので、低コストに誘電体層を形成することが
できる。
溝30は、感光性を有する誘電体層をフォトリソグラフ
ィ法によりパターニングして形成される。このため、例
えば放電ギャップgのように精度が要求される部分であ
っても、透明電極1のパターンをダイレクトパターニン
グ印刷する場合と比較して、高精細にパターニングする
ことができる。しかも、誘電体層31Aを印刷法を用い
て形成するので、低コストに誘電体層を形成することが
できる。
【0055】つまり、本製造方法によれば、製造コスト
の削減と高精細化とを両立させて、透明電極1を形成す
ることができる。
の削減と高精細化とを両立させて、透明電極1を形成す
ることができる。
【0056】更に、本製造方法では、透明電極1のパタ
ーニングにレジストを用いない。このため、レジストを
用いた従来の製造方法と比較して製造工程数を削減する
ことができ、その分、製造コストを削減することができ
るし、又、製造歩留まりを向上することができる。
ーニングにレジストを用いない。このため、レジストを
用いた従来の製造方法と比較して製造工程数を削減する
ことができ、その分、製造コストを削減することができ
るし、又、製造歩留まりを向上することができる。
【0057】また、平坦化処理(ステップST1F5)
では誘電体層を完全に除去せず残存させるので、換言す
れば誘電体層を全て除去する必要が無いので、リフトオ
フ法のレジスト剥離工程におけるラビング機能を付与し
たブラシ洗浄のような機械的に強い力で透明電極1を処
理することがない。従って、本製造方法の方がリフトオ
フ法と比較して透明電極1の損傷が少ない。
では誘電体層を完全に除去せず残存させるので、換言す
れば誘電体層を全て除去する必要が無いので、リフトオ
フ法のレジスト剥離工程におけるラビング機能を付与し
たブラシ洗浄のような機械的に強い力で透明電極1を処
理することがない。従って、本製造方法の方がリフトオ
フ法と比較して透明電極1の損傷が少ない。
【0058】加えて、本製造方法では焼成ステップST
1F6よりも前に平坦化処理ステップST1F5を実施
するので、平坦化処理においてたとえ透明導電層及び誘
電体層が傷ついたとしても焼成時にそのような傷を平滑
化することができる。なお、これに対して、リフトオフ
法により形成される透明導電層101Bは、上述の平滑
化に相当する変化を経ることなくパターニングされて透
明電極101となる。
1F6よりも前に平坦化処理ステップST1F5を実施
するので、平坦化処理においてたとえ透明導電層及び誘
電体層が傷ついたとしても焼成時にそのような傷を平滑
化することができる。なお、これに対して、リフトオフ
法により形成される透明導電層101Bは、上述の平滑
化に相当する変化を経ることなくパターニングされて透
明電極101となる。
【0059】また、上述のように、本製造方法では透明
電極1の形成に印刷法を用いるので、CVD法よりも膜
厚のバラツキを抑制することができる。
電極1の形成に印刷法を用いるので、CVD法よりも膜
厚のバラツキを抑制することができる。
【0060】更に、本製造方法では透明電極1及び誘電
体層31は鉛成分を含まない材料で以て形成されるの
で、前面ガラス基板5の主面5Sを鉛成分を含まない層
で覆うことができる。即ち、透明電極1及び誘電体層3
1で以てアルカリバリア層を形成する。このため、前面
ガラス基板5がナトリウム成分を含む場合であっても、
前面ガラス基板5と透明電極1及び誘電体層31との間
で鉛の析出反応が生じず、透明電極1間の絶縁性を確保
することができる。
体層31は鉛成分を含まない材料で以て形成されるの
で、前面ガラス基板5の主面5Sを鉛成分を含まない層
で覆うことができる。即ち、透明電極1及び誘電体層3
1で以てアルカリバリア層を形成する。このため、前面
ガラス基板5がナトリウム成分を含む場合であっても、
前面ガラス基板5と透明電極1及び誘電体層31との間
で鉛の析出反応が生じず、透明電極1間の絶縁性を確保
することができる。
【0061】つまり、前面パネル51Fには、従来の前
面パネル151Fが有する下地絶縁層111を設ける必
要が無いので、その分、製造工程の簡素化,製造コスト
の削減を図ることができる。なお、透明電極1又は誘電
体層31の一方のみが鉛成分を含まない場合であって
も、かかる効果を一定程度に得ることはできる。換言す
れば、上述の効果は、透明電極1及び誘電体層31の双
方が鉛成分を含まない場合に、より確実に得られる。こ
のとき、更に誘電体層32にも鉛成分を含まない材料を
用いることによって、いっそう効果的である。
面パネル151Fが有する下地絶縁層111を設ける必
要が無いので、その分、製造工程の簡素化,製造コスト
の削減を図ることができる。なお、透明電極1又は誘電
体層31の一方のみが鉛成分を含まない場合であって
も、かかる効果を一定程度に得ることはできる。換言す
れば、上述の効果は、透明電極1及び誘電体層31の双
方が鉛成分を含まない場合に、より確実に得られる。こ
のとき、更に誘電体層32にも鉛成分を含まない材料を
用いることによって、いっそう効果的である。
【0062】また、本製造方法ではバス電極2を印刷法
を用いてダイレクトパターニング印刷するので、従来の
ようにスパッタ法により金属膜を成膜し、当該金属膜を
フォトエッチングするよりも低コスト化を図ることがで
きる。このとき、銀を含む導電性ペーストは透明電極1
上に印刷されるので、例えば平滑なガラス表面等上に印
刷する場合と比較して、高精細なパターンを形成するこ
とができる。また、銀を含むペーストは、電極材料とし
て低抵抗であると共に印刷ペーストとしての適用性が高
いので、コストパフォーマンスが高い。また、上述のよ
うに、当該銀を含む導電性ペースト,透明導電層1B及
び誘電体層31Cを同時に焼成する場合には製造工程数
を削減することができる。
を用いてダイレクトパターニング印刷するので、従来の
ようにスパッタ法により金属膜を成膜し、当該金属膜を
フォトエッチングするよりも低コスト化を図ることがで
きる。このとき、銀を含む導電性ペーストは透明電極1
上に印刷されるので、例えば平滑なガラス表面等上に印
刷する場合と比較して、高精細なパターンを形成するこ
とができる。また、銀を含むペーストは、電極材料とし
て低抵抗であると共に印刷ペーストとしての適用性が高
いので、コストパフォーマンスが高い。また、上述のよ
うに、当該銀を含む導電性ペースト,透明導電層1B及
び誘電体層31Cを同時に焼成する場合には製造工程数
を削減することができる。
【0063】その結果、本製造方法によれば、上述の効
果が発揮されて、高精細表示が可能なPDP及びそのよ
うなPDPを実現しうるPDP用基板を低価格で提供す
ることができる。更に、透明電極1の損傷や膜厚のバラ
ツキ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因した表
示上の不具合が抑制されて、表示品質の高いPDP及び
そのようなPDPを実現しうるPDP用基板を提供する
ことができる。
果が発揮されて、高精細表示が可能なPDP及びそのよ
うなPDPを実現しうるPDP用基板を低価格で提供す
ることができる。更に、透明電極1の損傷や膜厚のバラ
ツキ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因した表
示上の不具合が抑制されて、表示品質の高いPDP及び
そのようなPDPを実現しうるPDP用基板を提供する
ことができる。
【0064】<実施の形態2>次に、実施の形態2に係
る前面パネルの製造方法ないしは製造ステップST1F
Aを、図11のフローチャートを参照しつつ説明する。
る前面パネルの製造方法ないしは製造ステップST1F
Aを、図11のフローチャートを参照しつつ説明する。
【0065】まず、既述のステップST1F1と同様に
して前面ガラス基板5を準備する(ステップST1F
1)。特に、実施の形態2に係る製造方法では、次に、
図12に示すように前面ガラス基板5上に感光性を有し
且つ鉛成分を含まない誘電体層31Eを配置する。詳細
には、前面ガラス基板5の主面5S上の全面に、感光性
を有し且つ鉛成分を含まないガラスフィルムをラミネー
タにより貼り付けることによって、誘電体層31Eを形
成する(ステップST1F1A)。なお、上記ガラスフ
ィルムは、実施の形態1に係る感光性を有し且つ鉛成分
を含まないガラスペーストと同様の材料が予め所定の厚
さのフィルム状に加工されたものである(いわゆるドラ
イフィルム)。
して前面ガラス基板5を準備する(ステップST1F
1)。特に、実施の形態2に係る製造方法では、次に、
図12に示すように前面ガラス基板5上に感光性を有し
且つ鉛成分を含まない誘電体層31Eを配置する。詳細
には、前面ガラス基板5の主面5S上の全面に、感光性
を有し且つ鉛成分を含まないガラスフィルムをラミネー
タにより貼り付けることによって、誘電体層31Eを形
成する(ステップST1F1A)。なお、上記ガラスフ
ィルムは、実施の形態1に係る感光性を有し且つ鉛成分
を含まないガラスペーストと同様の材料が予め所定の厚
さのフィルム状に加工されたものである(いわゆるドラ
イフィルム)。
【0066】その後の製造方法は実施の形態1と同様で
ある。即ち、誘電体層31Eを露光マスク212を用い
て露光し、現像する(ステップST1F3;図5及び図
6参照)。そして、鉛成分を含まない透明導電層1Aを
形成し(ステップST1F4;図7参照)、透明導電層
1A及び現像後の誘電体層31Eの各露出表面が互いに
同じ高さレベルになるまで平坦化処理を行う(ステップ
ST1F5;図8参照)。その後、平坦化後の透明導電
層1B及び誘電体層31Eを焼成することによって、透
明電極1及び誘電体層31を得る(ステップST1F
6;図9参照)。続いて、バス電極2を形成し(ステッ
プST1F7;図10参照)、誘電体層32及びカソー
ド膜4を順次に形成する(ステップST1F8,ST1
F9)。以上の工程により、図1に示す前面パネル51
Fが完成する。
ある。即ち、誘電体層31Eを露光マスク212を用い
て露光し、現像する(ステップST1F3;図5及び図
6参照)。そして、鉛成分を含まない透明導電層1Aを
形成し(ステップST1F4;図7参照)、透明導電層
1A及び現像後の誘電体層31Eの各露出表面が互いに
同じ高さレベルになるまで平坦化処理を行う(ステップ
ST1F5;図8参照)。その後、平坦化後の透明導電
層1B及び誘電体層31Eを焼成することによって、透
明電極1及び誘電体層31を得る(ステップST1F
6;図9参照)。続いて、バス電極2を形成し(ステッ
プST1F7;図10参照)、誘電体層32及びカソー
ド膜4を順次に形成する(ステップST1F8,ST1
F9)。以上の工程により、図1に示す前面パネル51
Fが完成する。
【0067】更に、当該前面パネル51と既述の図16
に示すステップST1Rにより製造された背面パネル5
1Rとを用いて、図14に示すステップST1〜ST6
を実施することにより、実施の形態2に係るPDPが完
成する。
に示すステップST1Rにより製造された背面パネル5
1Rとを用いて、図14に示すステップST1〜ST6
を実施することにより、実施の形態2に係るPDPが完
成する。
【0068】実施の形態2に係る前面パネルの製造方法
によっても、実施の形態1と同様の効果を得ることがで
き、更に以下の効果をも得ることができる。
によっても、実施の形態1と同様の効果を得ることがで
き、更に以下の効果をも得ることができる。
【0069】本製造方法では、誘電体層31(31E)
を感光性を有する誘電体フィルムの配置によって形成す
るので、印刷法よりも均一な厚さの誘電体層を基板全面
に渡って形成することができる。かかる効果は前面ガラ
ス基板5が大型になるほど顕著である。また、誘電体フ
ィルムの貼り付けによれば誘電体層の形成時の異物の混
入ないしは取り込みが印刷法よりも少ない。誘電体層の
形成時に異物が混入すると、誘電体層31内に気泡が生
じて絶縁性が低下したり、誘電体層31の形成不具合に
起因した透明電極1間のショートや透明電極1の断線が
生じたりする点に鑑みれば、本製造方法はこのような不
具合を格段に抑制することができる。
を感光性を有する誘電体フィルムの配置によって形成す
るので、印刷法よりも均一な厚さの誘電体層を基板全面
に渡って形成することができる。かかる効果は前面ガラ
ス基板5が大型になるほど顕著である。また、誘電体フ
ィルムの貼り付けによれば誘電体層の形成時の異物の混
入ないしは取り込みが印刷法よりも少ない。誘電体層の
形成時に異物が混入すると、誘電体層31内に気泡が生
じて絶縁性が低下したり、誘電体層31の形成不具合に
起因した透明電極1間のショートや透明電極1の断線が
生じたりする点に鑑みれば、本製造方法はこのような不
具合を格段に抑制することができる。
【0070】また、実施の形態2に係る前面パネル及び
PDPによっても、実施の形態1と同様に、高精細表示
が可能であり又高い表示品質を得ることができる。
PDPによっても、実施の形態1と同様に、高精細表示
が可能であり又高い表示品質を得ることができる。
【0071】
【発明の効果】(1)請求項1に係る発明によれば、透
明導電層のパターニングにレジストを用いない。このた
め、レジストを用いた製造方法と比較して製造工程数を
削減することができ、その分、製造コストを削減するこ
とができるし、又、製造歩留まりを向上することができ
る。
明導電層のパターニングにレジストを用いない。このた
め、レジストを用いた製造方法と比較して製造工程数を
削減することができ、その分、製造コストを削減するこ
とができるし、又、製造歩留まりを向上することができ
る。
【0072】更に、透明導電層を埋め込む溝は、感光性
を有する誘電体層をフォトリソグラフィ法でパターニン
グすることによって形成されるので、レジストを用いる
ことなく高精細なパターニングが可能である。
を有する誘電体層をフォトリソグラフィ法でパターニン
グすることによって形成されるので、レジストを用いる
ことなく高精細なパターニングが可能である。
【0073】更に、工程(e)では誘電体層を完全に除
去せず残存させるので、換言すれば誘電体層を全て除去
する必要が無いので、リフトオフ法においてレジストを
全て剥離する工程よりも弱い力で以て工程(e)での平
坦化処理を実施することができる。このため、透明導電
層から形成される透明電極の損傷を少なくすることがで
きる。
去せず残存させるので、換言すれば誘電体層を全て除去
する必要が無いので、リフトオフ法においてレジストを
全て剥離する工程よりも弱い力で以て工程(e)での平
坦化処理を実施することができる。このため、透明導電
層から形成される透明電極の損傷を少なくすることがで
きる。
【0074】(2)請求項2に係る発明によれば、透明
導電層を透明な導電性ペーストの印刷により配置する。
即ち、スパッタ法を利用しないので、設備のイニシャル
コストを低く抑えることができるし、加えて高スループ
ットで又高い材料使用効率でプラズマディスプレイパネ
ル用基板を製造することができる。その結果、製造コス
トを削減することができる。しかも、上述のように透明
導電層を埋め込む溝はフォトリソグラフィ法によって形
成されるので、透明導電層を所定のパターンでダイレク
トパターニング印刷する製造方法と比較して、高精細な
パターニングが可能である。即ち、透明導電層の配置に
関して、製造コストの削減と高精細化とを両立すること
ができる。
導電層を透明な導電性ペーストの印刷により配置する。
即ち、スパッタ法を利用しないので、設備のイニシャル
コストを低く抑えることができるし、加えて高スループ
ットで又高い材料使用効率でプラズマディスプレイパネ
ル用基板を製造することができる。その結果、製造コス
トを削減することができる。しかも、上述のように透明
導電層を埋め込む溝はフォトリソグラフィ法によって形
成されるので、透明導電層を所定のパターンでダイレク
トパターニング印刷する製造方法と比較して、高精細な
パターニングが可能である。即ち、透明導電層の配置に
関して、製造コストの削減と高精細化とを両立すること
ができる。
【0075】また、透明導電層の配置に印刷法を用いる
ことにより、CVD法よりも膜厚のバラツキを抑制する
ことができる。
ことにより、CVD法よりも膜厚のバラツキを抑制する
ことができる。
【0076】(3)請求項3に係る発明によれば、印刷
法によって低コストに誘電体層を形成することができ
る。
法によって低コストに誘電体層を形成することができ
る。
【0077】(4)請求項4に係る発明によれば、誘電
体層を感光性を有する誘電体フィルムの配置によって形
成するので、印刷法よりも均一な厚さの誘電体層を基板
全面に渡って形成することができる。かかる効果は基板
が大型になるほど顕著である。また、誘電体フィルムの
配置によれば誘電体層の形成時の異物の混入ないしは取
り込みが印刷法よりも少ない。このため、誘電体層内に
気泡が生じて絶縁性が低下したり、誘電体層の形成不具
合に起因した透明電極間のショートや透明電極の断線が
生じたりする、不具合を格段に抑制することができる。
体層を感光性を有する誘電体フィルムの配置によって形
成するので、印刷法よりも均一な厚さの誘電体層を基板
全面に渡って形成することができる。かかる効果は基板
が大型になるほど顕著である。また、誘電体フィルムの
配置によれば誘電体層の形成時の異物の混入ないしは取
り込みが印刷法よりも少ない。このため、誘電体層内に
気泡が生じて絶縁性が低下したり、誘電体層の形成不具
合に起因した透明電極間のショートや透明電極の断線が
生じたりする、不具合を格段に抑制することができる。
【0078】(5)請求項5に係る発明によれば、従来
のプラズマディスプレイパネル用基板が有するアルカリ
バリア層(下地絶縁層)が無くても、基板がナトリウム
成分を含む場合に鉛の析出反応を抑制することができ
る。このため、透明導電層及び誘電体層の双方が鉛成分
を含み且つアルカリバリア層を有さない場合と比較し
て、透明電極間の絶縁性を向上することができる。
のプラズマディスプレイパネル用基板が有するアルカリ
バリア層(下地絶縁層)が無くても、基板がナトリウム
成分を含む場合に鉛の析出反応を抑制することができ
る。このため、透明導電層及び誘電体層の双方が鉛成分
を含み且つアルカリバリア層を有さない場合と比較し
て、透明電極間の絶縁性を向上することができる。
【0079】このとき、誘電体層及び透明導電層の双方
が鉛成分を含まない場合には、基板の主面を鉛成分を含
まない層で覆うことができる。このため、従来のアルカ
リバリア層を設ける必要が全く無くなり、その分、製造
工程の簡素化及び製造コストの削減を図ることができ
る。
が鉛成分を含まない場合には、基板の主面を鉛成分を含
まない層で覆うことができる。このため、従来のアルカ
リバリア層を設ける必要が全く無くなり、その分、製造
工程の簡素化及び製造コストの削減を図ることができ
る。
【0080】(6)請求項6に係る発明によれば、工程
(f)において銀を含む導電性ペーストの印刷によって
透明電極上に電極を形成するので、低抵抗の電極を低コ
ストで形成することができる。このとき、銀を含む導電
性ペーストは透明電極上に印刷されるので、例えば平滑
なガラス表面等上に印刷する場合と比較して、高精細な
パターンを形成することができる。
(f)において銀を含む導電性ペーストの印刷によって
透明電極上に電極を形成するので、低抵抗の電極を低コ
ストで形成することができる。このとき、銀を含む導電
性ペーストは透明電極上に印刷されるので、例えば平滑
なガラス表面等上に印刷する場合と比較して、高精細な
パターンを形成することができる。
【0081】また、当該銀を含む導電性ペースト,上述
の透明な導電性ペースト及び感光性を有する誘電体ペー
ストを同時に焼成することにより、製造工程数を削減す
ることができる。
の透明な導電性ペースト及び感光性を有する誘電体ペー
ストを同時に焼成することにより、製造工程数を削減す
ることができる。
【0082】(7)請求項7に係る発明によれば、
(1)乃至(6)のいずれかの効果が発揮されて、高精
細表示が可能なプラズマディスプレイパネルを低価格で
実現しうるプラズマディスプレイパネル用基板を提供す
ることができる。更に、透明電極の損傷や膜厚のバラツ
キ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因した表示
上の不具合が抑制されて、表示品質の高いプラズマディ
スプレイパネルを実現しうるプラズマディスプレイパネ
ル用基板を提供することができる。
(1)乃至(6)のいずれかの効果が発揮されて、高精
細表示が可能なプラズマディスプレイパネルを低価格で
実現しうるプラズマディスプレイパネル用基板を提供す
ることができる。更に、透明電極の損傷や膜厚のバラツ
キ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因した表示
上の不具合が抑制されて、表示品質の高いプラズマディ
スプレイパネルを実現しうるプラズマディスプレイパネ
ル用基板を提供することができる。
【0083】(8)請求項8に係る発明によれば、
(1)乃至(6)のいずれかの効果が発揮されて、高精
細表示が可能なプラズマディスプレイパネルを低価格で
提供することができる。更に、透明電極の損傷や膜厚の
バラツキ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因す
る表示上の不具合が抑制されて、表示品質の高いプラズ
マディスプレイパネルを提供することができる。
(1)乃至(6)のいずれかの効果が発揮されて、高精
細表示が可能なプラズマディスプレイパネルを低価格で
提供することができる。更に、透明電極の損傷や膜厚の
バラツキ、鉛成分の析出による絶縁性の低下等に起因す
る表示上の不具合が抑制されて、表示品質の高いプラズ
マディスプレイパネルを提供することができる。
【図1】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の模式的な縦断面図である。
ネル用基板の模式的な縦断面図である。
【図2】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するためのフローチャート
である。
ネル用基板の製造方法を説明するためのフローチャート
である。
【図3】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図4】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図5】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図6】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図7】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図8】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図9】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
ネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断面
図である。
【図10】 実施の形態1に係るプラズマディスプレイ
パネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断
面図である。
パネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断
面図である。
【図11】 実施の形態2に係るプラズマディスプレイ
パネル用基板の製造方法を説明するためのフローチャー
トである。
パネル用基板の製造方法を説明するためのフローチャー
トである。
【図12】 実施の形態2に係るプラズマディスプレイ
パネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断
面図である。
パネル用基板の製造方法を説明するための模式的な縦断
面図である。
【図13】 代表的なプラズマディスプレイパネルを説
明するための模式的な斜視図である。
明するための模式的な斜視図である。
【図14】 プラズマディスプレイパネルの従来の製造
方法を説明するためのフローチャートである。
方法を説明するためのフローチャートである。
【図15】 プラズマディスプレイパネルの従来の製造
方法を説明するためのフローチャートである。
方法を説明するためのフローチャートである。
【図16】 プラズマディスプレイパネルの従来の製造
方法を説明するためのフローチャートである。
方法を説明するためのフローチャートである。
【図17】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図18】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図19】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図20】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図21】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図22】 フォトエッチング法による透明電極の形成
を説明するための模式的な縦断面図である。
を説明するための模式的な縦断面図である。
【図23】 リフトオフ法による透明電極の形成を説明
するための模式的な縦断面図である。
するための模式的な縦断面図である。
【図24】 リフトオフ法による透明電極の形成を説明
するための模式的な縦断面図である。
するための模式的な縦断面図である。
【図25】 リフトオフ法による透明電極の形成を説明
するための模式的な縦断面図である。
するための模式的な縦断面図である。
【図26】 リフトオフ法による透明電極の形成を説明
するための模式的な縦断面図である。
するための模式的な縦断面図である。
1 透明電極、1A,1B 透明導電層、1BS,1
S,31CS,31S表面、2 バス電極、5 前面ガ
ラス基板、5S 主面、30 溝、31,31A〜31
C,31E,32 誘電体層、51F 前面パネル(P
DP用基板)、210 露光光、212 露光マスク、
ST1F,ST1FA,ST1F1〜ST1F9,ST
1F2A,ST1R,ST2〜ST6 ステップ(工
程)。
S,31CS,31S表面、2 バス電極、5 前面ガ
ラス基板、5S 主面、30 溝、31,31A〜31
C,31E,32 誘電体層、51F 前面パネル(P
DP用基板)、210 露光光、212 露光マスク、
ST1F,ST1FA,ST1F1〜ST1F9,ST
1F2A,ST1R,ST2〜ST6 ステップ(工
程)。
Claims (8)
- 【請求項1】 (a)基板を準備する工程と、 (b)前記基板の主面上に感光性を有する誘電体層を配
置する工程と、 (c)前記誘電体層をフォトリソグラフィ法を用いて所
定のパターンに加工する工程と、 (d)前記誘電体層の前記所定のパターン間の溝内を透
明導電層で埋める工程と、 (e)前記透明導電層及び前記誘電体層の各露出表面を
同じ高さレベルに平坦化する工程とを備えることを特徴
とする、プラズマディスプレイパネル用基板の製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1に記載のプラズマディスプレイ
パネル用基板の製造方法であって、 前記工程(d)において、透明な導電性ペーストを印刷
することによって前記透明導電層を配置することを特徴
とする、プラズマディスプレイパネル用基板の製造方
法。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のプラズマディス
プレイパネル用基板の製造方法であって、 前記工程(b)において、感光性を有する誘電体ペース
トを印刷することによって前記誘電体層を配置すること
を特徴とする、プラズマディスプレイパネル用基板の製
造方法。 - 【請求項4】 請求項1又は2に記載のプラズマディス
プレイパネル用基板の製造方法であって、 前記工程(b)において、感光性を有する誘電体フィル
ムを配置することによって前記誘電体層を配置すること
を特徴とする、プラズマディスプレイパネル用基板の製
造方法。 - 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板の製造方法であって、 前記透明導電層及び前記誘電体層の少なくとも一方は鉛
成分を含まないことを特徴とする、プラズマディスプレ
イパネル用基板の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板の製造方法であって、 (f)前記工程(e)の後に、前記透明導電層の前記基
板とは反対側の表面上に、電極を成す、銀を含む導電性
ペーストを印刷する工程を更に備えることを特徴とす
る、プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用基板の製造方法により製造さ
れたことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用
基板。 - 【請求項8】 請求項7に記載のプラズマディスプレイ
パネル用基板を備えることを特徴とする、プラズマディ
スプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000133557A JP2001319569A (ja) | 2000-05-02 | 2000-05-02 | プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法、プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000133557A JP2001319569A (ja) | 2000-05-02 | 2000-05-02 | プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法、プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001319569A true JP2001319569A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18642029
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1775747A3 (en) * | 2005-10-13 | 2008-07-30 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel (PDP) and its method of manufacture |
EP1772890A3 (en) * | 2005-10-07 | 2008-08-06 | Samsung SDI Co., Ltd. | Method for Preparing Plasma Display Panel |
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-
2000
- 2000-05-02 JP JP2000133557A patent/JP2001319569A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1772890A3 (en) * | 2005-10-07 | 2008-08-06 | Samsung SDI Co., Ltd. | Method for Preparing Plasma Display Panel |
US7677942B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-03-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of making a plasma display panel and green sheet for forming dielectric layers of the plasma display panel |
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