JP2001312047A - ペリクルおよびその製造方法 - Google Patents
ペリクルおよびその製造方法Info
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- JP2001312047A JP2001312047A JP2000131268A JP2000131268A JP2001312047A JP 2001312047 A JP2001312047 A JP 2001312047A JP 2000131268 A JP2000131268 A JP 2000131268A JP 2000131268 A JP2000131268 A JP 2000131268A JP 2001312047 A JP2001312047 A JP 2001312047A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ぺリクル板として必要な厚さバラツキ±０．３
μｍ／１５０ｍｍ以内の精度を持つ合成石英ガラス製ペ
リクル板を備えたペリクルを得る。 【解決手段】ペリクルフレームの寸法より１０ｍｍ以上
外形寸法の大きい合成石英ガラス板を研磨し、次いで合
成石英ガラス板を所定の寸法に切断することにより、ペ
リクル板を製造する工程を含む。
μｍ／１５０ｍｍ以内の精度を持つ合成石英ガラス製ペ
リクル板を備えたペリクルを得る。 【解決手段】ペリクルフレームの寸法より１０ｍｍ以上
外形寸法の大きい合成石英ガラス板を研磨し、次いで合
成石英ガラス板を所定の寸法に切断することにより、ペ
リクル板を製造する工程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路の製造工程
で使用されるマスクまたはレチクル（以降、両者をあわ
せてマスクと称する。）に異物付着防止の目的で装着さ
れるペリクルおよびその製造方法に関する。
で使用されるマスクまたはレチクル（以降、両者をあわ
せてマスクと称する。）に異物付着防止の目的で装着さ
れるペリクルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造工程で使用される光リソ
グラフィ工程においては、レジスト材を塗布した半導体
ウェハを露光することによりパターン形成が行われる。
この際に用いるマスクに傷・異物が存在していると、パ
ターンとともに傷・異物がウェハ上に転写され、回路の
短絡・断線等の原因となる。このため、マスクの表面の
異物よけとして、マスクの片面または両面にペリクルを
装着する方法がとられている。
グラフィ工程においては、レジスト材を塗布した半導体
ウェハを露光することによりパターン形成が行われる。
この際に用いるマスクに傷・異物が存在していると、パ
ターンとともに傷・異物がウェハ上に転写され、回路の
短絡・断線等の原因となる。このため、マスクの表面の
異物よけとして、マスクの片面または両面にペリクルを
装着する方法がとられている。
【０００３】ペリクルは図１の正面図および側面図に示
すような外形で、アルミニウムなどからなるフレーム１
にニトロセルロースまたはフッ素樹脂からなる数ｎｍ〜
数μｍの厚さのペリクル膜２を接着剤３で貼り付けたも
のが用いられており、これをマスク上のパターンを覆う
ように固定して用いられていた。
すような外形で、アルミニウムなどからなるフレーム１
にニトロセルロースまたはフッ素樹脂からなる数ｎｍ〜
数μｍの厚さのペリクル膜２を接着剤３で貼り付けたも
のが用いられており、これをマスク上のパターンを覆う
ように固定して用いられていた。
【０００４】しかし、このような有機膜等を使用したぺ
リクルでは露光精度を上げるために使用される波長が短
くなるにつれその透過率に限界が生じ、Ｆ2レーザー
（波長１５７ｎｍ）を用いた露光にいたっては充分な透
過率を有さなかった。また、上記の有機膜の組成の変更
や添加物の添加により透過率自体の改善は試みられてき
たが、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ2レーザーの光学的
エネルギーは強大であり、有機分の分解等を促すため実
際の露光で使用するエネルギーでのショット数、すなわ
ち使用時間に対して充分な耐久性を持たないことがあ
る。
リクルでは露光精度を上げるために使用される波長が短
くなるにつれその透過率に限界が生じ、Ｆ2レーザー
（波長１５７ｎｍ）を用いた露光にいたっては充分な透
過率を有さなかった。また、上記の有機膜の組成の変更
や添加物の添加により透過率自体の改善は試みられてき
たが、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ2レーザーの光学的
エネルギーは強大であり、有機分の分解等を促すため実
際の露光で使用するエネルギーでのショット数、すなわ
ち使用時間に対して充分な耐久性を持たないことがあ
る。
【０００５】一方、ｉ線、ｇ線を透過する材料としては
合成石英ガラスが知られており、特開平８−１６０５９
７では、ペリクルフレームに合成石英ガラス板をペリク
ル板として接着し、ぺリクルとして使用することが提案
されている。ここでは、ペリクル板の厚さは０．０１〜
０．５ｍｍであることが望ましいとされているが、実際
の露光では、ペリクル板の板内に厚さのばらつきがある
と屈折光の光路が変わるため転写パターンの位置がずれ
良好なリソグラフィが行えない。この様子を概念的に示
したのが図２であり、傾いた表面を有するペリクル板４
を透過する露光光線５は矢印の方向に屈折する。このた
めに、ペリクル板に許容される板厚のばらつきは±０．
３μｍ／１５０ｍｍ以内と考えられる。
合成石英ガラスが知られており、特開平８−１６０５９
７では、ペリクルフレームに合成石英ガラス板をペリク
ル板として接着し、ぺリクルとして使用することが提案
されている。ここでは、ペリクル板の厚さは０．０１〜
０．５ｍｍであることが望ましいとされているが、実際
の露光では、ペリクル板の板内に厚さのばらつきがある
と屈折光の光路が変わるため転写パターンの位置がずれ
良好なリソグラフィが行えない。この様子を概念的に示
したのが図２であり、傾いた表面を有するペリクル板４
を透過する露光光線５は矢印の方向に屈折する。このた
めに、ペリクル板に許容される板厚のばらつきは±０．
３μｍ／１５０ｍｍ以内と考えられる。
【０００６】一方、合成石英ガラス板は成形された合成
石英ガラスブロックからスライスして板に加工される。
ぺリクル板には露光の障害となる表面のキズがないこと
が求められることから、合成石英ガラス板をぺリクル板
として使用するためにはスライス後の合成石英ガラス板
を研磨して所定の厚さまで加工する必要がある。この研
磨は両面研磨装置を用いて行なうのが一般的である。
石英ガラスブロックからスライスして板に加工される。
ぺリクル板には露光の障害となる表面のキズがないこと
が求められることから、合成石英ガラス板をぺリクル板
として使用するためにはスライス後の合成石英ガラス板
を研磨して所定の厚さまで加工する必要がある。この研
磨は両面研磨装置を用いて行なうのが一般的である。
【０００７】ぺリクル板の加工は、粗削りであるラップ
工程と鏡面出しであるポリシング工程とからなり、いず
れの工程でも両面研磨装置が使用される。両面研磨装置
としては図３の部分側面図および図４の部分斜視図に示
すような研磨装置が知られている。この研磨装置は下定
盤６と上定盤７からなりラップ工程では鋳鉄等の表面自
体で、ポリシング工程では研磨布が貼られ研磨に使用さ
れる。
工程と鏡面出しであるポリシング工程とからなり、いず
れの工程でも両面研磨装置が使用される。両面研磨装置
としては図３の部分側面図および図４の部分斜視図に示
すような研磨装置が知られている。この研磨装置は下定
盤６と上定盤７からなりラップ工程では鋳鉄等の表面自
体で、ポリシング工程では研磨布が貼られ研磨に使用さ
れる。
【０００８】また、ワークホルダであるキャリア８は外
周部にギアが加工されている。装置本体にある太陽ギア
９とインターナルギア１０の間にキャリア８をセットし
て上下定盤またはどちらか片側の定盤を回転することに
より、キャリア８が自転し、ワーク１１の両面が同時に
研磨できる。なお、図示はしていないが、上定盤側には
研磨材の供給孔を有しており研磨中にワーク１１に研磨
材が供給できるようになっている。
周部にギアが加工されている。装置本体にある太陽ギア
９とインターナルギア１０の間にキャリア８をセットし
て上下定盤またはどちらか片側の定盤を回転することに
より、キャリア８が自転し、ワーク１１の両面が同時に
研磨できる。なお、図示はしていないが、上定盤側には
研磨材の供給孔を有しており研磨中にワーク１１に研磨
材が供給できるようになっている。
【０００９】しかし、このような装置で加工する場合、
ワークの外周部と中心部とで単位時間当たりの研磨量を
均一にすることが難しいこと、研磨材がワークの面内に
均一に働くよう供給することが困難であることなどの理
由により、ワークを面内均一に研磨すること、特に前述
の板厚バラツキ±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内の精度に
加工することは困難であった。
ワークの外周部と中心部とで単位時間当たりの研磨量を
均一にすることが難しいこと、研磨材がワークの面内に
均一に働くよう供給することが困難であることなどの理
由により、ワークを面内均一に研磨すること、特に前述
の板厚バラツキ±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内の精度に
加工することは困難であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】かかる現状を鑑み、本
発明はＡｒＦエキシマレーザ以下の短波長光に対して、
充分な光透過率を有しかつ充分なエネルギー耐性を持つ
材料として合成石英ガラス材料を使用し、かつ、光路の
ズレによる露光精度の悪化を回避するために面内の板厚
バラツキを±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内に抑制したぺ
リクル板を備えたペリクルおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
発明はＡｒＦエキシマレーザ以下の短波長光に対して、
充分な光透過率を有しかつ充分なエネルギー耐性を持つ
材料として合成石英ガラス材料を使用し、かつ、光路の
ズレによる露光精度の悪化を回避するために面内の板厚
バラツキを±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内に抑制したぺ
リクル板を備えたペリクルおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】発明者らは、ペリクル板
の製造にあたって従来から使用されている両面研磨装置
で試験を重ねた結果、板厚が外周部分が小さく、中心部
分が大きい傾向にあり、かつその変位が大きい箇所が外
周の限られた範囲であること、すなわち、研磨されたペ
リクル板の外周部のみが薄くなるダレの発生が基板の板
厚ばらつきを大きくしていることを知見した。またこの
傾向は、キャリアの内側にいくにつれて小さくなること
から、キャリアの外周部と中心部とで研磨速度に差があ
ることを知見した。本発明は、これらの知見に基づいて
なされたものである。
の製造にあたって従来から使用されている両面研磨装置
で試験を重ねた結果、板厚が外周部分が小さく、中心部
分が大きい傾向にあり、かつその変位が大きい箇所が外
周の限られた範囲であること、すなわち、研磨されたペ
リクル板の外周部のみが薄くなるダレの発生が基板の板
厚ばらつきを大きくしていることを知見した。またこの
傾向は、キャリアの内側にいくにつれて小さくなること
から、キャリアの外周部と中心部とで研磨速度に差があ
ることを知見した。本発明は、これらの知見に基づいて
なされたものである。
【００１２】すなわち、本発明は、ペリクルフレームと
ペリクルフレームの上面に接着された合成石英ガラス製
ペリクル板とを備えたペリクルの製造方法であって、ペ
リクルフレームの寸法より１０ｍｍ以上外形寸法の大き
い合成石英ガラス板を研磨し、次いで合成石英ガラス板
を所定の寸法に切断することにより、ペリクル板を製造
する工程を含むことを特徴とするペリクルの製造方法、
および、ペリクルフレームとペリクルフレームの上面に
接着された合成石英ガラス製ペリクル板とを備えたペリ
クルの製造方法であって、合成石英ガラス板の外周部に
ダミー加工部を装着した状態で合成石英ガラス板を研磨
することにより、ペリクル板を製造する工程を含むこと
を特徴とするペリクルの製造方法、である。
ペリクルフレームの上面に接着された合成石英ガラス製
ペリクル板とを備えたペリクルの製造方法であって、ペ
リクルフレームの寸法より１０ｍｍ以上外形寸法の大き
い合成石英ガラス板を研磨し、次いで合成石英ガラス板
を所定の寸法に切断することにより、ペリクル板を製造
する工程を含むことを特徴とするペリクルの製造方法、
および、ペリクルフレームとペリクルフレームの上面に
接着された合成石英ガラス製ペリクル板とを備えたペリ
クルの製造方法であって、合成石英ガラス板の外周部に
ダミー加工部を装着した状態で合成石英ガラス板を研磨
することにより、ペリクル板を製造する工程を含むこと
を特徴とするペリクルの製造方法、である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明では、図５に示すようにペ
リクル板として使用する外形寸法１２より少なくとも１
０ｍｍ大きい基板（以下、素板１３という。）を研磨
し、所定の板厚に仕上げた後、外周部分を切断する。こ
れにより良好な板厚バラツキを有するぺリクル板が得ら
れる。また、この切断しろの代わりに、図６に示すよう
にぺリクル板１４の外周に加工すべきぺリクル板と同等
の厚さをもつダミー加工部１５を設けて、ぺリクル板と
同様にキャリアにセットすることにより外周部ダレが低
減される。
リクル板として使用する外形寸法１２より少なくとも１
０ｍｍ大きい基板（以下、素板１３という。）を研磨
し、所定の板厚に仕上げた後、外周部分を切断する。こ
れにより良好な板厚バラツキを有するぺリクル板が得ら
れる。また、この切断しろの代わりに、図６に示すよう
にぺリクル板１４の外周に加工すべきぺリクル板と同等
の厚さをもつダミー加工部１５を設けて、ぺリクル板と
同様にキャリアにセットすることにより外周部ダレが低
減される。
【００１４】このとき、ダミー加工部１５の幅は１０ｍ
ｍ以上であることが好ましい。また、研磨スピードが加
工されるぺリクル板と同等であり、かつ、研磨によって
生じる微粉が加工中にぺリクル板を傷付けることを防止
できるため、ダミー加工部１５は合成石英ガラス製であ
ることが好ましいが同等の性質を満たす樹脂でもよい。
ｍ以上であることが好ましい。また、研磨スピードが加
工されるぺリクル板と同等であり、かつ、研磨によって
生じる微粉が加工中にぺリクル板を傷付けることを防止
できるため、ダミー加工部１５は合成石英ガラス製であ
ることが好ましいが同等の性質を満たす樹脂でもよい。
【００１５】この素板を研磨する場合、研磨装置は少な
くともキャリアの半径内に素板１３１枚が収納できる大
きさ、または、半径内にダミー加工部１５全体が保持で
きる大きさを有することが好ましい。キャリアの中心部
と外周部とで生じる研磨速度の差の影響をなるべく受け
ないようにするためである。
くともキャリアの半径内に素板１３１枚が収納できる大
きさ、または、半径内にダミー加工部１５全体が保持で
きる大きさを有することが好ましい。キャリアの中心部
と外周部とで生じる研磨速度の差の影響をなるべく受け
ないようにするためである。
【００１６】また、図７に示すように、素板１７の形状
を円形にすれば、キャリア内で素板が固定されることが
ないので研磨中にキャリアのホール内で自由運動するこ
とになり、キャリアの外周部と内周部で生じる研磨速度
の差を小さくできる。さらに、この円形状の素板の代わ
りに図８で示すように矩形の素板１４を保持できる円形
状の補助キャリア１８を本来のワークホルダであるキャ
リア１６に装着することで、円形状の素板１７を研磨す
るのと同等の効果が得られる。
を円形にすれば、キャリア内で素板が固定されることが
ないので研磨中にキャリアのホール内で自由運動するこ
とになり、キャリアの外周部と内周部で生じる研磨速度
の差を小さくできる。さらに、この円形状の素板の代わ
りに図８で示すように矩形の素板１４を保持できる円形
状の補助キャリア１８を本来のワークホルダであるキャ
リア１６に装着することで、円形状の素板１７を研磨す
るのと同等の効果が得られる。
【００１７】この方法によれば、素板外周部の切断部分
を低減、または不要とすることができるので、材料のロ
スを最少限にすることができる。この円形の補助キャリ
ア１８としては、前述のダミー加工部１５と同様の厚
さ、材質を選択することでダミー加工部１５と同様の機
能を持たせることができる。
を低減、または不要とすることができるので、材料のロ
スを最少限にすることができる。この円形の補助キャリ
ア１８としては、前述のダミー加工部１５と同様の厚
さ、材質を選択することでダミー加工部１５と同様の機
能を持たせることができる。
【００１８】次に本発明の具体例を説明する。公知の方
法で合成された目標の厚さで所定の波長の光を８５％以
上透過する合成石英材料のインゴットを内周刃スライサ
で１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×２．３ｍｍ厚に切断した
後、市販のＮＣ面取り機で外形寸法が１２２ｍｍ×１４
９ｍｍでかつ、端面部がＲ形状になるよう面取り加工を
実施した。
法で合成された目標の厚さで所定の波長の光を８５％以
上透過する合成石英材料のインゴットを内周刃スライサ
で１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×２．３ｍｍ厚に切断した
後、市販のＮＣ面取り機で外形寸法が１２２ｍｍ×１４
９ｍｍでかつ、端面部がＲ形状になるよう面取り加工を
実施した。
【００１９】次に、切断によるクラックおよび面取りに
よるクラックの進行を止めるため、この合成石英ガラス
板を５質量％ＨＦ溶液に浸漬した。次いで、この合成石
英ガラス板をスピードファム製１６Ｂ両面ラップ機を使
用し、研磨材としてＦＯ＃１２００（フジミコーポレー
ション社製商品名）を濾過水に１０〜１２質量％懸濁さ
せたスラリーを用いて、厚さ０．３５ｍｍになるまでラ
ップ加工を施した。
よるクラックの進行を止めるため、この合成石英ガラス
板を５質量％ＨＦ溶液に浸漬した。次いで、この合成石
英ガラス板をスピードファム製１６Ｂ両面ラップ機を使
用し、研磨材としてＦＯ＃１２００（フジミコーポレー
ション社製商品名）を濾過水に１０〜１２質量％懸濁さ
せたスラリーを用いて、厚さ０．３５ｍｍになるまでラ
ップ加工を施した。
【００２０】さらに、ラップ加工後の合成石英ガラス板
に対して前述と同様のエッチング処理を行った。続い
て、この合成石英ガラス板をスピードファム社製１６Ｂ
両面ポリッシュ機を用いて酸化セリウムを主体としたス
ラリーとポリウレタンパッドで研磨し、その後、同型機
で酸化セリウムを主体としたスラリーと発泡ポリウレタ
ンパッドとで仕上げ研磨を行い、厚さ３０５μｍのぺリ
クル板を得た。
に対して前述と同様のエッチング処理を行った。続い
て、この合成石英ガラス板をスピードファム社製１６Ｂ
両面ポリッシュ機を用いて酸化セリウムを主体としたス
ラリーとポリウレタンパッドで研磨し、その後、同型機
で酸化セリウムを主体としたスラリーと発泡ポリウレタ
ンパッドとで仕上げ研磨を行い、厚さ３０５μｍのぺリ
クル板を得た。
【００２１】このぺリクル板をレーザー光を利用した厚
さ測定器（キーエンス社製レーザーフォーカス変位計）
で測定した結果を図９に示す。図９から明らかなよう
に、板外周部は薄いものの、外周部から５ｍｍを除いた
部分の板厚バラツキは良好である（例１）。この結果を
元に、あらかじめ、寸法を１３２ｍｍ×１５９ｍｍとし
た素板を前述の工程で加工して、周辺部を切断して１２
２ｍｍ×１４９ｍｍのペリクル板を得たところ、１２２
ｍｍ×１４９ｍｍの範囲内での板厚バラツキを±０．３
μｍ／１５０ｍｍ以内に抑制できた（例２）。なお、上
記の例で用いた装置、研磨材、研磨布に限定されず、同
等の性能、目的を果たすものであれば種類は問わない。
さ測定器（キーエンス社製レーザーフォーカス変位計）
で測定した結果を図９に示す。図９から明らかなよう
に、板外周部は薄いものの、外周部から５ｍｍを除いた
部分の板厚バラツキは良好である（例１）。この結果を
元に、あらかじめ、寸法を１３２ｍｍ×１５９ｍｍとし
た素板を前述の工程で加工して、周辺部を切断して１２
２ｍｍ×１４９ｍｍのペリクル板を得たところ、１２２
ｍｍ×１４９ｍｍの範囲内での板厚バラツキを±０．３
μｍ／１５０ｍｍ以内に抑制できた（例２）。なお、上
記の例で用いた装置、研磨材、研磨布に限定されず、同
等の性能、目的を果たすものであれば種類は問わない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ぺリクル板として必要
な厚さバラツキ±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内の精度を
持つ合成石英ガラス製ペリクル板を備えたペリクルを得
ることができる。
な厚さバラツキ±０．３μｍ／１５０ｍｍ以内の精度を
持つ合成石英ガラス製ペリクル板を備えたペリクルを得
ることができる。
【図１】ぺリクルを示す正面図と側面図。
【図２】板厚バラツキによる露光光線のズレの概念図。
【図３】両面研磨装置の部分側面図。
【図４】両面研磨装置の部分斜視図。
【図５】本発明のぺリクル板を示す概念図。
【図６】本発明におけるぺリクル板とダミー加工部との
関係を示す概念図。
関係を示す概念図。
【図７】本発明におけるぺリクル板と円形素板との関係
を示す概念図。
を示す概念図。
【図８】本発明における補助キャリアとキャリアとの関
係を示す概念図。
係を示す概念図。
【図９】本発明の例における板厚バラツキの測定結果を
示すグラフ。
示すグラフ。
１：フレーム ２：ぺリクル膜 ３：接着剤 ４：ぺリクル板 ５：露光光線 ６：下定盤 ７：上定盤 ８：キャリア ９：太陽ギア １０：インターナルギア １１：ワーク １２：外形寸法 １３：素板 １４：ぺリクル板 １５：ダミー加工部 １６：キャリア １７：素板 １８：補助キャリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 勝博 神奈川県横浜市鶴見区末広町１丁目１番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BC33 BC34 5F046 AA25 CB17 DA06
Claims (3)
- 【請求項１】ペリクルフレームとペリクルフレームの上
面に接着された合成石英ガラス製ペリクル板とを備えた
ペリクルの製造方法であって、 ペリクルフレームの寸法より１０ｍｍ以上外形寸法の大
きい合成石英ガラス板を研磨し、次いで合成石英ガラス
板を所定の寸法に切断することにより、ペリクル板を製
造する工程を含むことを特徴とするペリクルの製造方
法。 - 【請求項２】ペリクルフレームとペリクルフレームの上
面に接着された合成石英ガラス製ペリクル板とを備えた
ペリクルの製造方法であって、 合成石英ガラス板の外周部にダミー加工部を装着した状
態で合成石英ガラス板を研磨することにより、ペリクル
板を製造する工程を含むことを特徴とするペリクルの製
造方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載のペリクルの製造方
法により得られたペリクル。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131268A JP2001312047A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ペリクルおよびその製造方法 |
| EP00961001A EP1164431B1 (en) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Pellicle |
| PCT/JP2000/006286 WO2001020401A1 (fr) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Pellicule et son procede de fabrication |
| KR1020017005943A KR100696152B1 (ko) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | 펠리클 |
| TW089118736A TW507267B (en) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Pellicle and its manufacturing method |
| AT00961001T ATE283503T1 (de) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Membranabdeckung |
| US09/831,360 US6475575B1 (en) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Pellicle and method for manufacture thereof |
| DE60016185T DE60016185T2 (de) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Abdeckung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131268A JP2001312047A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ペリクルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001312047A true JP2001312047A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=18640188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131268A Pending JP2001312047A (ja) | 1999-09-13 | 2000-04-28 | ペリクルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001312047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019191488A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000131268A patent/JP2001312047A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019191488A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠及びその製造方法 |
| JP7096063B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-07-05 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠の製造方法 |
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