JP2001305993A - Method for manufacturing optical substrate for display element, and liquid crystal display element using the same as well as method for manufacturing the same - Google Patents
Method for manufacturing optical substrate for display element, and liquid crystal display element using the same as well as method for manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子等の
ディスプレイを構成する表示素子用光学基板とその製造
方法、及びそれを用いた液晶表示素子とその製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical substrate for a display device constituting a display such as a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display device using the same and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来のカラー液晶表示素子の構成
を示す断面図であり、図において、４０ａ、４０ｂは透
明ガラス基板、４１〜４３は透明ガラス基板４０ａ表面
にそれぞれ形成されたＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用
カラーフィルタ、４４はＢＬ（黒）マトリクス、４９は
カラーフィルター４１〜４３及びＢＬ（黒）マトリクス
４４を覆う透光性樹脂層、４６，４７はストライプ電
極、４８は液晶層、４５はシール部材、５２は配向膜、
５３はスペーサである。ここで、透明ガラス基板４０
ａ、カラーフィルタ４１〜４３、ＢＬ（黒）マトリクス
４４及び透光性樹脂層４９によりカラーフィルタ層５０
（カラーフィルタ４１〜４３，ＢＬ（黒）マトリクス，
透光性樹脂層４９）付き基板５１が構成されている。ま
た、カラーフィルタ４１〜４３は一般には印刷式、染色
式、顔料分散式、及び電着式、インクジェット式等の方
法で形成される。またストライプ電極４６はカラーフィ
ルタ付き基板５１の主面である透光性樹脂層４９の表面
に形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a conventional color liquid crystal display element. In the figure, reference numerals 40a and 40b denote transparent glass substrates, and 41 to 43 denote R () formed on the surface of the transparent glass substrate 40a. Red, G (green), and B (blue) color filters, 44 is a BL (black) matrix, 49 is a translucent resin layer that covers the color filters 41 to 43 and the BL (black) matrix 44, and 46 and 47 are Stripe electrode, 48 is a liquid crystal layer, 45 is a sealing member, 52 is an alignment film,
53 is a spacer. Here, the transparent glass substrate 40
a, the color filters 41 to 43, the BL (black) matrix 44 and the translucent resin layer 49
(Color filters 41 to 43, BL (black) matrix,
A substrate 51 with a translucent resin layer 49) is formed. The color filters 41 to 43 are generally formed by a printing method, a dyeing method, a pigment dispersion method, an electrodeposition method, an ink jet method, or the like. The stripe electrode 46 is formed on the surface of the light transmitting resin layer 49 which is the main surface of the substrate 51 with the color filter.
【０００３】染色式は、ガラス基板上に染色用の材料で
ある水溶性高分子材料を塗布し、これをリソグラフィ−
工程により所望の形状にパターンニングした後、得られ
たパターンを染色液に浸漬することによって着色された
パターンを得る。In the dyeing method, a water-soluble polymer material, which is a material for dyeing, is applied on a glass substrate, and this is lithographically coated.
After patterning into a desired shape by the process, the obtained pattern is immersed in a staining solution to obtain a colored pattern.
【０００４】顔料分散式は、基板上に顔料を分散した感
光性樹脂層を形成し、これをパターンニングすることに
より単色のパターンを得る。In the pigment dispersion method, a monochromatic pattern is obtained by forming a photosensitive resin layer in which a pigment is dispersed on a substrate and patterning the photosensitive resin layer.
【０００５】電着式は、基板上に電極をパターンニング
し、顔料、樹脂、電解液等の入った電着塗装液に浸漬し
て色を電着し、最後に焼成する。In the electrodeposition method, an electrode is patterned on a substrate, immersed in an electrodeposition coating solution containing a pigment, a resin, an electrolytic solution and the like to electrodeposit a color, and finally fired.
【０００６】印刷式は、熱硬化型の樹脂に顔料を分散さ
せ、Ｒ，Ｇ，Ｂ、ＢＬを塗り分けた後、樹脂を熱硬化さ
せることにより着色層を形成するのが一般的であり、最
も低コスト化が可能とされている。In the printing method, generally, a pigment is dispersed in a thermosetting resin, R, G, B, and BL are separately applied, and then the resin is thermoset to form a colored layer. It is said that the cost can be reduced most.
【０００７】印刷式で形成したカラーフィルタ４１〜４
３の表面は約１μｍの凹凸を有しており、この表面凹凸
を有する透明ガラス基板４０ａをそのまま利用して液晶
表示素子を作製した場合、光学的な複屈折原理と位相差
板を利用して表示を行う液晶表示素子では、前記表面凹
凸のために色むらが発生するという不具合を発生してし
まう。Color filters 41 to 4 formed by printing
The surface of No. 3 has irregularities of about 1 μm, and when a liquid crystal display element is manufactured using the transparent glass substrate 40 a having the irregularities as it is, the optical birefringence principle and the retardation plate are used. In a liquid crystal display element that performs display, a problem occurs that color unevenness occurs due to the surface unevenness.
【０００８】このため、カラーフィルタ４１〜４３及び
ＢＬ（黒）マトリクス４４を形成した後に、このカラー
フィルタ４１〜４３及びＢＬ（黒）マトリクス４４を透
光性樹脂層４９で被覆し、透光性樹脂層４９の表面を例
えば表面研磨等の方法で平坦化して、透光性樹脂層４９
の表面平滑度を０．１〜０．２μｍに保持している。な
おいずれの方式においても、平坦化、カラーフィルタの
保護といった目的から着色層上に透光性樹脂層４９を形
成するのが一般的である。また、透光性樹脂層４９は熱
硬化型樹脂であり、２００℃以上の熱硬化により形成す
るのが一般的である。For this reason, after the color filters 41 to 43 and the BL (black) matrix 44 are formed, the color filters 41 to 43 and the BL (black) matrix 44 are covered with a light-transmitting resin layer 49 to form a light-transmitting resin. The surface of the resin layer 49 is flattened, for example, by a method such as surface polishing, so that the light-transmitting resin layer 49 is formed.
Is maintained at 0.1 to 0.2 μm. In any of the methods, a light-transmitting resin layer 49 is generally formed on a colored layer for the purpose of flattening and protecting a color filter. The translucent resin layer 49 is a thermosetting resin, and is generally formed by thermosetting at 200 ° C. or higher.
【０００９】透明導電膜は、一般的に酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）といった材料を２００℃以上の成膜温度で結
晶化することにより形成している。The transparent conductive film is generally formed by crystallizing a material such as indium tin oxide (ITO) at a film forming temperature of 200 ° C. or more.
【００１０】液晶表示素子は、一般に、相対向する面に
それぞれ透明導電膜４６、４７および配向膜５２が形成
されたガラスや樹脂等からなる２枚の基板をスペーサ５
３、及びシール部材４５を介して貼り合わせ、シール部
材の内側における両基板間に液晶を封入させた構造とな
っている。従来このような液晶表示素子を製造する場
合、所定の形状にパターンニングされた透明導電膜の上
面に、ポリイミド樹脂などからなる配向膜を形成し、次
いで配向膜の表面をラビングロールによって一定方向に
擦ってラビング処理することにより液晶を配向させてい
る。In general, a liquid crystal display element comprises two substrates made of glass, resin or the like having transparent conductive films 46 and 47 and an alignment film 52 formed on opposing surfaces, respectively.
3 and a seal member 45, which are bonded together, and a liquid crystal is sealed between the two substrates inside the seal member. Conventionally, when manufacturing such a liquid crystal display element, an alignment film made of polyimide resin or the like is formed on the upper surface of a transparent conductive film patterned in a predetermined shape, and then the surface of the alignment film is rubbed in a certain direction. The liquid crystal is aligned by rubbing and rubbing.
【００１１】このようなガラス基板を用いる構成は、Ｓ
ＴＮ（Super Twisted Nematic）方式を用いた単純マト
リクスならびにＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式を
用いたアクティブマトリクス液晶表示素子の両方で、一
般的に採用されている。The structure using such a glass substrate is S
It is generally adopted in both a simple matrix using a TN (Super Twisted Nematic) system and an active matrix liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) system.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】最近は、薄型、割れ難
いといった特徴を活かして、プラスチック基板を用い、
その上に透明導電膜が形成される場合もあるが、プラス
チック基板はガラス基板と比較してガラス点移転温度が
低く、透明導電膜付き基板を作製する工程におけるプロ
セス温度の制約が発生する。また、プラスチック基板
は、ガラス基板と比較して耐傷性、ガスバリア性、耐薬
品性が劣るため、プラチック基板上に無機、有機材料か
らなるガスバリア膜、耐薬品層等の多層薄膜加工を行う
ことによりそれらを向上させるといった方法が用いられ
ている。Recently, a plastic substrate has been used by taking advantage of its features of being thin and hard to break.
Although a transparent conductive film may be formed thereon, the plastic substrate has a lower glass point transfer temperature than the glass substrate, and thus the process temperature in the process of manufacturing a substrate with a transparent conductive film is restricted. In addition, plastic substrates are inferior in scratch resistance, gas barrier properties and chemical resistance as compared with glass substrates, so by performing multilayer thin film processing such as gas barrier films made of inorganic and organic materials and chemical resistant layers on plastic substrates. A method of improving them is used.
【００１３】また、成膜プロセスの低温化は薄膜のコス
トダウンには必要不可欠であるが、硬化温度の低い有機
材料からなる積層膜やカラーフィルタ層は耐薬品性、密
着性が悪く、生産性、歩留まりの低下を引き起こすとい
った問題が発生していた。Although lowering the temperature of the film forming process is indispensable for reducing the cost of the thin film, a laminated film and a color filter layer made of an organic material having a low curing temperature are poor in chemical resistance and adhesion, and the productivity is low. However, there has been a problem that the yield is lowered.
【００１４】また成膜温度が低い透明導電膜において
は、配向膜との密着性が低下したり、透明導電膜の耐薬
品性などといった膜性能が低下するといった問題が発生
していた。Further, in the case of a transparent conductive film having a low film forming temperature, there have been problems in that the adhesion to the alignment film is reduced and the film performance such as chemical resistance of the transparent conductive film is reduced.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の表示素子用光学基板の製造方法は、透明導
電膜付き基板の一方の透明導電膜形成面に、電子線照
射、または電子線照射及び熱処理、または電子線照射及
び熱処理及び光照射、または電子線照射及び光照射する
ことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing an optical substrate for a display element according to the present invention is directed to a method for manufacturing an optical substrate for a display element, the method comprising: It is characterized by irradiation with an electron beam and heat treatment, or irradiation with an electron beam and heat treatment and light irradiation, or irradiation with an electron beam and light.
【００１６】また本発明の表示素子の製造方法は、一対
の透明導電膜付き基板間に液晶を狭持してなる液晶表示
素子において、少なくとも前記基板の一方の透明導電膜
形成面に、電子線照射、または電子線照射及び熱処理、
または電子線照射及び熱処理及び光照射、または電子線
照射及び光照射した後に、前記透明導電膜を所定の形状
にパターンニングする工程と、前記一対の基板を互いの
透明導電膜形成面が所定間隙を空けて対向するように配
置する工程と、前記間隙に液晶を封入する工程とを含む
ことを特徴とする。According to a method of manufacturing a display element of the present invention, in a liquid crystal display element having liquid crystal sandwiched between a pair of substrates provided with a transparent conductive film, at least one transparent conductive film forming surface of the substrate has an electron beam. Irradiation, or electron beam irradiation and heat treatment,
Or a step of patterning the transparent conductive film into a predetermined shape after electron beam irradiation and heat treatment and light irradiation, or electron beam irradiation and light irradiation; and And a step of enclosing liquid crystal in the gap.
【００１７】また本発明の他の表示素子の製造方法は、
一対の透明導電膜付き基板間に液晶を狭持してなる液晶
表示素子において、少なくとも前記基板の一方の透明導
電膜を所定の形状にパターンニングした後に、前記基板
の透明導電膜形成面に、電子線照射、または電子線照射
及び熱処理、または電子線照射及び熱処理及び光照射、
または電子線照射及び光照射する工程と、前記一対の基
板を互いの透明導電膜形成面が所定間隙を空けて対向す
るように配置する工程と、前記間隙に液晶を封入する工
程を含むことを特徴とする。Further, another method for manufacturing a display element according to the present invention is as follows.
In a liquid crystal display element in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates with a transparent conductive film, at least one transparent conductive film of the substrate is patterned into a predetermined shape, and then on the transparent conductive film forming surface of the substrate, Electron beam irradiation, or electron beam irradiation and heat treatment, or electron beam irradiation and heat treatment and light irradiation,
Or a step of irradiating with an electron beam and light, a step of arranging the pair of substrates so that their transparent conductive film forming surfaces face each other with a predetermined gap therebetween, and a step of sealing a liquid crystal into the gap. Features.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１９】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１における液晶表示素子の一例を模式的に示す断面
図である。図１において、１０１はプラスチック基板、
１０２はＳｉＯｘからなるガスバリア層、１０３はエポ
キシ系樹脂からなる耐薬品層、１０４はポリイミド樹脂
等からなる配向膜、１０５はシール材、１０６、１０７
は１００℃程度で低温成膜された酸化インジウム錫（Ｉ
ＴＯ）からなる透明導電膜（透明電極）、１０８は液晶
層、１０９はアクリル系樹脂からなる透光性樹脂層、１
１０は印刷法により形成されたカラーフィルタ層であ
る。基板１ｂは、プラスチック基板１０１、ガスバリア
層１０２、耐薬品層１０３および透明導電膜１０７によ
り構成されている。カラーフィルタ付き基板１ａはプラ
スチック基板１０１、ガスバリア層１０２、カラーフィ
ルタ層１１０、透光性樹脂層１０９および透明導電膜１
０６により構成されている。一対の透明電極付き基板１
ａ、１ｂは、透明電極１０６、１０７同士が互いに対向
するように複数のスペーサ粒子１１１により所定間隙を
設けて配置されている。この間隙（セルギャップ）には
液晶１０８が封入されている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view schematically showing an example of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, 101 is a plastic substrate,
102 is a gas barrier layer made of SiOx, 103 is a chemical resistant layer made of an epoxy resin, 104 is an alignment film made of a polyimide resin or the like, 105 is a sealing material, 106 and 107
Is indium tin oxide (I) formed at a low temperature at about 100 ° C.
TO), a transparent conductive film (transparent electrode) 108, a liquid crystal layer 108, a translucent resin layer 109 made of an acrylic resin,
Reference numeral 10 denotes a color filter layer formed by a printing method. The substrate 1b includes a plastic substrate 101, a gas barrier layer 102, a chemical resistant layer 103, and a transparent conductive film 107. The substrate 1a with a color filter includes a plastic substrate 101, a gas barrier layer 102, a color filter layer 110, a light-transmitting resin layer 109, and a transparent conductive film 1.
06. Substrate 1 with a pair of transparent electrodes
a and 1b are arranged with a predetermined gap provided by a plurality of spacer particles 111 such that the transparent electrodes 106 and 107 face each other. The liquid crystal 108 is sealed in this gap (cell gap).
【００２０】プラスチック基板１ｂ、１ａは、シリコン
ラダー系の熱及び光硬化性珪素樹脂からなり、厚さ０．
４ｍｍ、比重１．２、ガラス転移温度１７０度である。
プラスチック基板１ｂ、１ａの表面に積層されたガスバ
リア層、カラーフィルタ層１１０、透明電極１０６，１
０７などは極めて薄く、合計でも数ミクロン以下であ
る。それぞれの基板１ａ、１ｂの透明導電膜１０６、１
０７形成面に、電子線照射（２００ｋＶ，１秒，Ｎ
2中）、及び熱処理（１６０℃５Ｈ）を行うことによ
り、耐傷性、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に優れた
表示素子用光学基板及び液晶表示素子を提供することが
出来る。The plastic substrates 1b and 1a are made of a silicon ladder-based heat and light curable silicon resin and have a thickness of 0.1 mm.
4 mm, specific gravity 1.2, glass transition temperature 170 degrees.
Gas barrier layer, color filter layer 110, transparent electrodes 106, 1 laminated on the surfaces of plastic substrates 1b, 1a
07 and the like are extremely thin, and are several microns or less in total. The transparent conductive films 106, 1 on the respective substrates 1a, 1b
07 irradiation surface, electron beam irradiation (200 kV, 1 second, N
By performing ( 2 ) and heat treatment (160 ° C., 5H), an optical substrate for a display element and a liquid crystal display element having excellent scratch resistance, gas barrier properties, chemical resistance, and heat resistance can be provided.
【００２１】基板１ａ、１ｂのＩＴＯ膜面に電子線照射
及び熱処理することにより、ＩＴＯ膜１０６、１０７と
プラスチック基板１０１間に積層される有機材料からな
る耐薬品層１０３、透光性樹脂層１０９、カラーフィル
タ層１１０などの架橋密度を増加させるのである。ま
た、ＩＴＯ膜１０６、１０７の耐薬品性などの膜性能を
向上させるのである。The surface of the ITO film of each of the substrates 1a and 1b is irradiated with an electron beam and heat-treated, so that a chemical-resistant layer 103 made of an organic material and a light-transmitting resin layer 109 laminated between the ITO films 106 and 107 and the plastic substrate 101. This increases the crosslink density of the color filter layer 110 and the like. Further, the film performance such as chemical resistance of the ITO films 106 and 107 is improved.
【００２２】高速に加速された電子は物質内で一定の距
離を透過して全エネルギーを失う。この電子の透過能力
を表すのに一般に比重１の物質中に照射された電子の透
過深さと物質中の相対的エネルギー損失（吸収線量）の
関係を表すＤｅｐｔｈ−Ｄｏｓｅ曲線が用いられる。The electrons accelerated at a high speed penetrate a certain distance in the substance and lose all energy. In general, a Depth-Dose curve representing the relationship between the penetration depth of electrons irradiated into a substance having a specific gravity of 1 and the relative energy loss (absorbed dose) in the substance is used to represent the electron transmission ability.
【００２３】図５は電子線の透過能力と加速電圧を示す
図である。FIG. 5 is a diagram showing the electron beam transmission capability and the acceleration voltage.
【００２４】処理厚みを求める場合、一般にＤｅｐｔｈ
−Ｄｏｓｅ曲線の縦軸の吸収線量が６０％（となる透過
厚みを用いることが多く、比重ρの物質に対しては横軸
を１／ρ倍して厚みを求め目安とする。When the processing thickness is determined, generally, the depth is determined.
In many cases, a transmission thickness at which the absorbed dose on the vertical axis of the -Dose curve is 60% (for a substance having a specific gravity ρ), the thickness is obtained by multiplying the horizontal axis by 1 / ρ.
【００２５】従って、本実施の形態では比重１．２のプ
ラスチック基板に、２００ｋＶの加速電圧で電子線照射
を行い、照射表面から１５０μｍ程度の厚さの領域の架
橋密度を増加させていることになる。Therefore, in this embodiment, a plastic substrate having a specific gravity of 1.2 is irradiated with an electron beam at an accelerating voltage of 200 kV to increase the crosslink density in a region having a thickness of about 150 μm from the irradiated surface. Become.
【００２６】電子線の加速電圧が大きいほど処理厚みは
大きくなるが、加速電圧があまり大きすぎると基板への
損傷が発生するので、５００ｋＶ以下に抑えることが望
ましい。The processing thickness increases as the acceleration voltage of the electron beam increases, but if the acceleration voltage is too high, damage to the substrate occurs. Therefore, it is desirable to suppress the voltage to 500 kV or less.
【００２７】なお、本発明に係る液晶表示素子では、基
板１ａ、１ｂの構成は上記構成に限らず、プラスチック
基板１０１上には無機／有機材料からなるその他積層膜
を形成するなど、本発明の概念の範囲で様々な変形が可
能である。また、ガスバリア層１０２、耐薬品層１０
３、及びカラーフィルタ層１１０のいずれか、あるいは
すべてがなくてもかまわない。In the liquid crystal display device according to the present invention, the structure of the substrates 1a and 1b is not limited to the above structure, and other laminated films made of an inorganic / organic material are formed on the plastic substrate 101. Various modifications are possible within the scope of the concept. In addition, the gas barrier layer 102 and the chemical resistant layer 10
3, and any or all of the color filter layer 110 may be omitted.
【００２８】また、プラスチック基板１０１、透明導電
膜０１６、１０７、ガスバリア層１０２、耐薬品層１０
３、及び透光性樹脂層１０９も上記材料に限らない。The plastic substrate 101, the transparent conductive films 016 and 107, the gas barrier layer 102, and the chemical resistant layer 10
3, and the translucent resin layer 109 is not limited to the above materials.
【００２９】またカラーフィルタ層の形成方法も上記方
法に限らない。The method for forming the color filter layer is not limited to the above method.
【００３０】上記方法により、透明導電膜形成後に、透
明導電膜とプラスチック基板１０１間に積層される有機
材料からなる積層膜の架橋密度を増加させ、かつ透明導
電膜の原子間のダングリングボンドを減少させることが
可能になり、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に優れた
表示素子用光学基板、及びそれを用いた液晶表示素子を
提供することが出来る。According to the above method, after the formation of the transparent conductive film, the crosslink density of the laminated film made of the organic material laminated between the transparent conductive film and the plastic substrate 101 is increased, and dangling bonds between atoms of the transparent conductive film are reduced. This makes it possible to provide an optical substrate for a display element having excellent gas barrier properties, chemical resistance and heat resistance, and a liquid crystal display element using the same.
【００３１】また上記製造方法により作製された表示素
子用光学基板を用いることにより液晶表示素子製造工程
の生産性、及び歩留まり向上が実現できる。Further, by using the optical substrate for a display element manufactured by the above-mentioned manufacturing method, the productivity and the yield of the liquid crystal display element manufacturing process can be improved.
【００３２】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２における液晶表示素子の一例を模式的に示す断面
図である。図２は、本発明の実施の形態２における液晶
表示素子の一例を模式的に示す断面図である。図２にお
いて、２０１はプラスチック基板、２０２はＳｉＯｘか
らなるガスバリア層、２０３はアクリル系樹脂からなる
耐薬品層、２０４はポリイミド樹脂等からなる配向膜、
１０５はシール材、２０６、２０７はＺｎＯ系材料から
なる透明導電膜（透明電極）、２０８は液晶層、２１０
は電着法により形成されたカラーフィルタ層である。基
板２ｂは、プラスチック基板２０１、ガスバリア層２０
２、耐薬品層２０３および透明導電膜２０７により構成
されている。カラーフィルタ付き基板２ａは、プラスチ
ック基板２０１、ガスバリア層２０２、カラーフィルタ
層２１０および透明導電膜２０６により構成されてい
る。一対の透明電極付き基板２ａ、２ｂは、透明電極２
０６、２０７同士が互いに対向するように複数のスペー
サ粒子２１１により所定間隙を設けて配置されている。
この間隙（セルギャップ）には液晶２０８が封入されて
いる。(Embodiment 2) FIG. 2 is a sectional view schematically showing an example of a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing one example of the liquid crystal display element according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 2, 201 is a plastic substrate, 202 is a gas barrier layer made of SiOx, 203 is a chemical resistant layer made of an acrylic resin, 204 is an alignment film made of a polyimide resin or the like,
105 is a sealing material, 206 and 207 are transparent conductive films (transparent electrodes) made of a ZnO-based material, 208 is a liquid crystal layer, 210
Is a color filter layer formed by an electrodeposition method. The substrate 2b includes a plastic substrate 201 and a gas barrier layer 20.
2. It is composed of a chemical resistant layer 203 and a transparent conductive film 207. The substrate 2a with a color filter includes a plastic substrate 201, a gas barrier layer 202, a color filter layer 210, and a transparent conductive film 206. The pair of substrates with transparent electrodes 2a and 2b
06 and 207 are arranged at a predetermined gap by a plurality of spacer particles 211 so that they face each other.
A liquid crystal 208 is sealed in this gap (cell gap).
【００３３】プラスチック基板２０１は、アクリル系の
熱及び光硬化性珪素樹脂からなり、厚さ０．３ｍｍ、比
重１．１、ガラス転移温度１７０度である。The plastic substrate 201 is made of an acrylic heat and light curable silicon resin, has a thickness of 0.3 mm, a specific gravity of 1.1 and a glass transition temperature of 170 degrees.
【００３４】透明電極付き基板２ａ、２ｂの透明導電膜
を所定の形状にパターンニングした後、前記透明導電膜
形成面に電子線照射（１５０ｋＶ，１秒、大気中）、を
行うことにより、液晶表示素子を製造するプロセス中
で、必要な耐傷性、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に
優れた表示素子用光学基板及び液晶表示素子を提供する
ことが出来る。After patterning the transparent conductive film of the substrates 2a and 2b with a transparent electrode into a predetermined shape, the surface on which the transparent conductive film is formed is irradiated with an electron beam (150 kV, 1 second, in the air) to obtain a liquid crystal. An optical substrate for a display element and a liquid crystal display element having excellent scratch resistance, gas barrier properties, chemical resistance, and heat resistance required in a process of manufacturing the display element can be provided.
【００３５】透明導電膜表面への電子線照射により、透
明導電膜と基板との間に積層されるカラーフィルタ層２
１０、及び耐薬品層２０３の架橋密度を増加し、かつ透
明導電膜２０６、２０７の原子間のダングリングボンド
を減少するのである。The color filter layer 2 laminated between the transparent conductive film and the substrate by irradiating the surface of the transparent conductive film with an electron beam.
10 and the crosslinking density of the chemical resistant layer 203 is increased, and dangling bonds between atoms of the transparent conductive films 206 and 207 are reduced.
【００３６】また透明導電膜表面の親水性を向上させ、
配向膜塗布工程での塗布むらやピンホール等の欠陥をな
くすといった効果もある。Further, the hydrophilicity of the surface of the transparent conductive film is improved,
There is also an effect of eliminating defects such as coating unevenness and pinholes in the alignment film coating process.
【００３７】実施の形態１で説明した図５のＤｅｐｔｈ
−Ｄｏｓｅ曲線に従えば、本実施の形態では比重１．１
のプラスチック基板に、１５０ｋＶの加速電圧で電子線
照射を行い、照射した面から７０μｍ程度の厚さの領域
の架橋密度を増加していることになる。Depth of FIG. 5 described in the first embodiment
According to the Dose curve, the specific gravity is 1.1 in the present embodiment.
Is irradiated with an electron beam at an acceleration voltage of 150 kV to increase the crosslink density in a region having a thickness of about 70 μm from the irradiated surface.
【００３８】なお、本発明に係る液晶表示素子では、基
板２ａ、２ｂの構成は上記構成に限らず、プラスチック
基板２０１上には無機／有機材料からなるその他積層膜
を形成するなど、本発明の概念の範囲で様々な変形が可
能である。また、ガスバリア層２０２、及び耐薬品層２
０３がなくてもかまわない。In the liquid crystal display device according to the present invention, the structure of the substrates 2a and 2b is not limited to the above structure. For example, another laminated film made of an inorganic / organic material is formed on the plastic substrate 201. Various modifications are possible within the scope of the concept. Further, the gas barrier layer 202 and the chemical resistant layer 2
03 is not required.
【００３９】また、プラスチック基板２０１、透明導電
膜２０６、２０７、ガスバリア層２０２、及び耐薬品層
２０３、も上記材料に限らない。The plastic substrate 201, the transparent conductive films 206 and 207, the gas barrier layer 202, and the chemical resistant layer 203 are not limited to the above materials.
【００４０】またカラーフィルタ層の形成方法も上記方
法に限らない。The method for forming the color filter layer is not limited to the above method.
【００４１】上記方法により、透明導電膜のパターンニ
ング後に透明導電膜とプラスチック基板２０１間に積層
される有機材料からなる積層膜の架橋密度を増加させ、
かつ透明導電膜の原子間のダングリングボンドを減少さ
せることが可能になり、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱
性に優れた表示素子用光学基板、及びそれを用いた液晶
表示素子を提供することが出来る。According to the above method, the crosslinking density of the laminated film made of the organic material laminated between the transparent conductive film and the plastic substrate 201 after the patterning of the transparent conductive film is increased,
Further, it is possible to provide an optical substrate for a display element, which can reduce dangling bonds between atoms of a transparent conductive film and has excellent gas barrier properties, chemical resistance, and heat resistance, and a liquid crystal display element using the same. Can be done.
【００４２】また透明導電膜の親水性を向上することが
可能になり、透明導電膜上に配向膜を塗布する工程にお
いて、配向膜の塗布むらやピンホールをなくすといった
効果もある。Further, it becomes possible to improve the hydrophilicity of the transparent conductive film, and in the step of coating the alignment film on the transparent conductive film, there is also an effect of eliminating uneven coating of the alignment film and pinholes.
【００４３】またガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に優
れた表示素子用光学基板を用いることにより液晶表示素
子製造工程の生産性、及び歩留まり向上が実現できる。Further, by using an optical substrate for a display element having excellent gas barrier properties, chemical resistance and heat resistance, it is possible to improve the productivity and the yield of the liquid crystal display element manufacturing process.
【００４４】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態１における液晶表示素子の一例を模式的に示す断面
図である。図３において、３０１はプラスチック基板、
３０２はＳｉＯｘからなるガスバリア層、３０３はエポ
キシ系樹脂からなる耐薬品層、３０４はポリイミド樹脂
等からなる配向膜、３０５はシール材、３０６、３０７
は１８０℃程度の成膜温度で形成されたＩＴＯ薄膜など
の透明導電膜（透明電極）、３０８は液晶層、３０９は
アクリル系樹脂からなる透光樹脂層、３１０は染色式に
より形成されたカラーフィルタ層である。基板３ｂは、
プラスチック基板３０１、ガスバリア層３０２、耐薬品
層３０３および透明導電膜３０７により構成されてい
る。カラーフィルタ付き基板３ａは、プラスチック基板
３０１、ガスバリア層３０２、カラーフィルタ層３１
０、透光性樹脂層３０９および透明導電膜３０６により
構成されている。一対の透明電極付き基板３ａ、３ｂ
は、透明電極３０６、３０７同士が互いに対向するよう
に複数のスペーサ粒子３１１により所定間隙を設けて配
置されている。この間隙（セルギャップ）には液晶３０
８が封入されている。(Embodiment 3) FIG. 3 is a sectional view schematically showing one example of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 3, 301 is a plastic substrate,
302 is a gas barrier layer made of SiOx, 303 is a chemical resistant layer made of epoxy resin, 304 is an alignment film made of polyimide resin or the like, 305 is a sealing material, 306 and 307
Is a transparent conductive film (transparent electrode) such as an ITO thin film formed at a film forming temperature of about 180 ° C., 308 is a liquid crystal layer, 309 is a translucent resin layer made of an acrylic resin, and 310 is a color formed by a dyeing method. It is a filter layer. The substrate 3b is
It comprises a plastic substrate 301, a gas barrier layer 302, a chemical resistant layer 303 and a transparent conductive film 307. The substrate 3a with a color filter includes a plastic substrate 301, a gas barrier layer 302, and a color filter layer 31.
0, a light-transmitting resin layer 309 and a transparent conductive film 306. A pair of substrates 3a and 3b with transparent electrodes
Are arranged with a predetermined gap by a plurality of spacer particles 311 so that the transparent electrodes 306 and 307 face each other. In this gap (cell gap), the liquid crystal 30
8 is enclosed.
【００４５】プラスチック基板３ｂ、３ａは、ポリカー
ボネートからなり、厚さ０．３ｍｍ、比重１．２、ガラ
ス転移温度１２０度である。それぞれの基板３ａ、３ｂ
の透明導電膜３０６、３０７形成面に電子線照射（１５
０ｋＶ，０．２秒，Ｏ2中）及び光照射（ＵＶ光１分）
／あるいは電子線照射（１００ｋＶ，０．２秒，Ｏ
2中）及び熱処理（１１０℃１Ｈ）及び光照射（ＵＶ光
１分）を行うことにより、耐傷性、ガスバリア性、耐薬
品性、耐熱性に優れた表示素子用光学基板及び液晶表示
素子を提供することが出来る。The plastic substrates 3b and 3a are made of polycarbonate, have a thickness of 0.3 mm, a specific gravity of 1.2, and a glass transition temperature of 120 degrees. Each substrate 3a, 3b
The surface on which the transparent conductive films 306 and 307 are formed is irradiated with an electron beam (15
0 kV, 0.2 seconds, in O 2 ) and light irradiation (UV light 1 minute)
/ Or electron beam irradiation (100 kV, 0.2 seconds, O
2 ) and heat treatment (110 ° C for 1H) and light irradiation (UV light for 1 minute) to provide an optical substrate for display elements and a liquid crystal display element having excellent scratch resistance, gas barrier properties, chemical resistance, and heat resistance. You can do it.
【００４６】基板３ａ、３ｂの透明導電膜面に電子線照
射及び熱処理及び光照射／あるいは電子線照射及び光照
射することにより、透明導電膜３０６、３０７とプラス
チック基板３０１間に積層される有機材料からなる耐薬
品層３０３、透光性樹脂層３０９、カラーフィルタ層３
１０の架橋密度を増加させ、かつ透明導電膜３０６、３
０７の原子間のダングリングボンドを減少するのであ
る。An organic material laminated between the transparent conductive films 306 and 307 and the plastic substrate 301 by irradiating the surfaces of the transparent conductive films of the substrates 3 a and 3 b with electron beam and heat treatment and light irradiation and / or electron beam and light irradiation. Layer 303, light-transmitting resin layer 309, and color filter layer 3
10, and the transparent conductive films 306, 3
The number of dangling bonds between atoms of 07 is reduced.
【００４７】実施の形態１で説明した図５のＤｅｐｔｈ
−Ｄｏｓｅ曲線に従えば、本実施の形態では比重１．２
のプラスチック基板に、１５０ｋＶの加速電圧で電子線
照射を行い、照射表面から６０μｍ程度の厚さの領域の
架橋密度を増加させていることになる。The depth of FIG. 5 described in the first embodiment
According to the Dose curve, the specific gravity is 1.2 in this embodiment.
Is irradiated with an electron beam at an accelerating voltage of 150 kV to increase the crosslink density in a region having a thickness of about 60 μm from the irradiated surface.
【００４８】なお、本発明に係る液晶表示素子では、基
板３ａ、３ｂの構成は上記構成に限らず、プラスチック
基板３０１上には無機／有機材料からなるその他積層膜
を形成するなど、本発明の概念の範囲で様々な変形が可
能である。また、ガスバリア層３０２、及び耐薬品層３
０３がなくてもかまわない。In the liquid crystal display device according to the present invention, the structure of the substrates 3a and 3b is not limited to the above structure. For example, other laminated films made of an inorganic / organic material are formed on the plastic substrate 301. Various modifications are possible within the scope of the concept. The gas barrier layer 302 and the chemical resistant layer 3
03 is not required.
【００４９】また、プラスチック基板３０１、透明導電
膜３０６、３０７、ガスバリア層３０２、耐薬品層３０
３、及び透光性樹脂層３０９も上記材料に限らない。The plastic substrate 301, the transparent conductive films 306 and 307, the gas barrier layer 302, and the chemical resistant layer 30
3 and the light-transmitting resin layer 309 are not limited to the above materials.
【００５０】またカラーフィルタ層の形成方法も上記方
法に限らない。The method for forming the color filter layer is not limited to the above method.
【００５１】上記方法により、透明導電膜形成後にＩＴ
Ｏ膜とプラスチック基板１０１間に積層される有機材料
からなる積層膜の架橋密度を増加させ、かつ透明導電膜
の原子間のダングリングボンドを減少させることが可能
になり、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に優れた表示
素子用光学基板、及びそれを用いた液晶表示素子を提供
することが出来る。According to the above method, after the formation of the transparent conductive film, the IT
It is possible to increase the crosslink density of a laminated film made of an organic material laminated between the O film and the plastic substrate 101 and to reduce dangling bonds between atoms of the transparent conductive film, thereby improving gas barrier properties and chemical resistance. The present invention can provide a display element optical substrate having excellent heat resistance and a liquid crystal display element using the same.
【００５２】また、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に
優れた表示素子用光学基板を用いることにより液晶表示
素子製造工程の生産性、及び歩留まり向上が実現でき
る。Further, by using an optical substrate for a display element having excellent gas barrier properties, chemical resistance and heat resistance, it is possible to improve the productivity and the yield in the liquid crystal display element manufacturing process.
【００５３】[0053]
【発明の効果】上記構成により、透明導電膜と基板間に
積層される有機材料からなる積層膜の架橋密度を増加さ
せ、かつ透明導電膜のダングリングボンドを減少させる
ことが可能になり、耐傷性、ガスバリア性、耐薬品性、
耐熱性に優れた表示素子用光学基板及び液晶表示素子を
提供することが出来る。また、電子線照射を大気中、Ｏ
2中で行うことにより、透明導電膜の親水性を向上させ
ることが可能になり、透明導電膜上に配向膜を塗布する
工程において、配向膜の塗布むらやピンホールをなくす
といった効果もある。According to the above configuration, the transparent conductive film and the substrate can be placed between the transparent conductive film and the substrate.
Increased crosslink density of laminated films made of organic materials to be laminated
And reduce dangling bonds in the transparent conductive film
It is possible to have scratch resistance, gas barrier property, chemical resistance,
Optical substrates for display devices and liquid crystal display devices with excellent heat resistance
Can be provided. In addition, electron beam irradiation is performed in air, O
TwoBy performing in the inside, the hydrophilicity of the transparent conductive film is improved.
Coating an alignment film on a transparent conductive film
Eliminates uneven coating and pinholes in the alignment film during the process
There is also an effect.
【００５４】また、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性に
優れた表示素子用光学基板を用いることにより液晶表示
素子製造工程の生産性、及び歩留まり向上が実現でき
る。Further, by using an optical substrate for a display element having excellent gas barrier properties, chemical resistance, and heat resistance, it is possible to improve the productivity and the yield of the liquid crystal display element manufacturing process.
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示素子の
一例を模式的に示す断面図FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a liquid crystal display element according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態２における液晶表示素子の
一例を模式的に示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a liquid crystal display element according to Embodiment 2 of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態３における液晶表示素子の
一例を模式的に示す断面図FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a liquid crystal display element according to Embodiment 3 of the present invention.
【図４】従来の液晶表示素子の一例を模式的に示す断面
図FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of a conventional liquid crystal display element.
【図５】電子線の透過能力と加速電圧の関係を示す図FIG. 5 is a diagram showing the relationship between electron beam transmission capability and acceleration voltage.
１ａ，１ｂ 透明電極付き基板 １０１ プラスチック基板 １０２ ガスバリア層 １０３ 耐薬品層 １０４ 配向膜 １０５ シール材 １０６ 透明導電膜 １０７ 透明導電膜 １０８ 液晶層 １０９ 透光性樹脂層 １１０ カラーフィルタ層 １１１ スペーサ粒子 1a, 1b Substrate with transparent electrode 101 Plastic substrate 102 Gas barrier layer 103 Chemical resistant layer 104 Alignment film 105 Sealing material 106 Transparent conductive film 107 Transparent conductive film 108 Liquid crystal layer 109 Translucent resin layer 110 Color filter layer 111 Spacer particles
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ (72)発明者 小川 一文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JB03 JC07 JD11 LA01 2H092 KB14 MA12 MA35 NA18 PA01 PA08 5C094 AA33 AA36 AA37 AA38 AA42 AA43 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB02 ED03 FB01 FB02 FB03 FB05 FB12 FB15 GB10 JA03 JA20 5G435 AA04 AA06 AA14 AA17 BB12 CC09 CC12 HH12 HH14 KK05──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat 参考 (Reference) G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 (72) Inventor Kazufumi Ogawa 1006 Ojimon Kadoma Kadoma City, Osaka Matsushita Electric F term in Sangyo Co., Ltd. (Reference) 2H090 JB03 JC07 JD11 LA01 2H092 KB14 MA12 MA35 NA18 PA01 PA08 5C094 AA33 AA36 AA37 AA38 AA42 AA43 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB02 ED03 FB01 AFB FB03 A05 FB02 AA14 AA17 BB12 CC09 CC12 HH12 HH14 KK05
Claims (29)
に、電子線照射、または電子線照射及び熱処理、または
電子線照射及び熱処理及び光照射、または電子線照射及
び光照射することを特徴とする表示素子用光学基板の製
造方法。An electron beam irradiation, or an electron beam irradiation and a heat treatment, or an electron beam irradiation and a heat treatment and a light irradiation, or an electron beam irradiation and a light irradiation, on a transparent conductive film forming surface of a substrate with a transparent conductive film. A method for manufacturing an optical substrate for a display element.
料からなる積層膜を有していることを特徴とする請求項
１記載の表示素子用光学基板の製造方法。2. The method of manufacturing an optical substrate for a display device according to claim 1, further comprising a laminated film made of an organic material between said substrate and said transparent conductive film.
フィルタ層を有していることを特徴とする請求項１記載
の表示素子用光学基板の製造方法。3. The method for manufacturing an optical substrate for a display device according to claim 1, further comprising a color filter layer between said substrate and said transparent conductive film.
ることを特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基板
の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the transparent conductive film has an amorphous region.
Ｏ）からなる材料をスパッタ法を用いて２００℃以下の
成膜温度で形成されていることを特徴とする請求項１記
載の表示素子用光学基板の製造方法。5. The transparent conductive film is made of indium oxide (IT).
2. The method for manufacturing an optical substrate for a display element according to claim 1, wherein the material comprising O) is formed at a film formation temperature of 200 ° C. or less by a sputtering method.
ていることを特徴とする請求項１記載の表示素子用光学
基板の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the transparent conductive film is formed of a ZnO-based material.
特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基板の製造方
法。7. The method according to claim 1, wherein an inorganic film is laminated on the substrate.
あることを特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基
板の製造方法。8. The method according to claim 1, wherein the substrate is a substrate made of plastic.
ガラス転移温度以下であることを特徴とする請求項８記
載の表示素子用光学基板の製造方法。9. The method according to claim 8, wherein the heat treatment temperature is lower than the glass transition temperature of the plastic substrate.
移温度以下で成膜されていることを特徴とする請求項８
記載の表示素子用光学基板の製造方法。10. The transparent conductive film is formed at a temperature lower than the glass transition temperature of the substrate.
A method for producing an optical substrate for a display element as described in the above.
以下であることを特徴とする請求項１記載の表示素子用
光学基板の製造方法。11. The electron beam irradiation accelerating voltage is 500 kV.
2. The method for manufacturing an optical substrate for a display device according to claim 1, wherein:
を特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基板の製造
方法。12. The method according to claim 1, wherein the electron beam irradiation is performed in the atmosphere.
を特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基板の製造
方法。13. The method according to claim 1, wherein the electron beam irradiation is performed in N 2 .
を特徴とする請求項１記載の表示素子用光学基板の製造
方法。14. The method according to claim 1, wherein the electron beam irradiation is performed in O 2 .
持してなる液晶表示素子において、少なくとも前記基板
の一方の透明導電膜形成面に、電子線照射、または電子
線照射及び熱処理、または電子線照射及び熱処理及び光
照射、または電子線照射及び光照射した後に、前記透明
導電膜を所定の形状にパターンニングする工程と、前記
一対の基板を互いの透明導電膜形成面が所定間隙を空け
て対向するように配置する工程と、前記間隙に液晶を封
入する工程とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製
造方法。15. A liquid crystal display device comprising a pair of substrates with a transparent conductive film and a liquid crystal interposed therebetween, wherein at least one of the transparent conductive film forming surfaces of the substrate is irradiated with an electron beam or with an electron beam irradiation and heat treatment. Or a step of patterning the transparent conductive film into a predetermined shape after electron beam irradiation and heat treatment and light irradiation, or electron beam irradiation and light irradiation; and And a step of enclosing liquid crystal in the gap.
持してなる液晶表示素子において、少なくとも前記基板
の一方の透明導電膜を所定の形状にパターンニングした
後に、前記基板の透明導電膜形成面に、電子線照射、ま
たは電子線照射及び熱処理、または電子線照射及び熱処
理及び光照射、または電子線照射及び光照射する工程
と、前記一対の基板を互いの透明導電膜形成面が所定間
隙を空けて対向するように配置する工程と、前記間隙に
液晶を封入する工程を含むことを特徴とする液晶表示素
子の製造方法。16. A liquid crystal display device comprising a pair of substrates with a transparent conductive film and a liquid crystal interposed therebetween, wherein at least one of the transparent conductive films of the substrate is patterned into a predetermined shape, and then the transparent conductive film of the substrate is formed. A step of irradiating the film formation surface with an electron beam, or an electron beam irradiation and a heat treatment, or an electron beam irradiation and a heat treatment and a light irradiation, or an electron beam irradiation and a light irradiation; A method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising: a step of arranging the liquid crystal display so as to face each other with a predetermined gap, and a step of sealing liquid crystal into the gap.
材料からなる積層膜を有していることを特徴とする請求
項１５あるいは１６記載の液晶表示素子の製造方法。17. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 15, wherein a laminated film made of an organic material is provided between said substrate and said transparent conductive film.
ーフィルタ層を有していることを特徴とする請求項１５
あるいは１６記載の液晶表示素子の製造方法。18. A device according to claim 15, further comprising a color filter layer between said substrate and said transparent conductive film.
Alternatively, the method for producing a liquid crystal display device according to item 16.
いることを特徴とする請求項１５あるいは１６記載の液
晶表示素子の製造方法。19. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 15, wherein said transparent conductive film has an amorphous region.
Ｏ）からなる材料を用いて、２００℃以下の成膜温度で
形成されていることを特徴とする請求項１５あるいは１
６記載の液晶表示素子の製造方法。20. The transparent conductive film is made of indium oxide (IT).
16. The method according to claim 15, wherein the film is formed at a film forming temperature of 200 ° C. or less using a material comprising O).
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 6.
れていることを特徴とする請求項１５あるいは１６記載
の液晶表示素子の製造方法。21. The method according to claim 15, wherein the transparent conductive film is formed of a ZnO-based material.
を特徴とする請求項１５あるいは１６記載の液晶表示素
子の製造方法。22. The method according to claim 15, wherein an inorganic film is laminated on the substrate.
ックからなる基板であることを特徴とする請求項１５あ
るいは１６記載の液晶表示素子の製造方法。23. The method according to claim 15, wherein at least one of the substrates is a substrate made of plastic.
のガラス転移温度以下であることを特徴とする請求項２
１記載の液晶表示素子の製造方法。24. The method according to claim 2, wherein the heat treatment temperature is lower than the glass transition temperature of the plastic substrate.
2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 1.
移温度以下で成膜されていることを特徴とする請求項２
１記載の液晶表示素子の製造方法。25. The transparent conductive film is formed at a temperature lower than the glass transition temperature of the substrate.
2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 1.
以下であることを特徴とする請求項１５あるいは１６記
載の液晶表示素子の製造方法。26. The accelerating voltage of the electron beam irradiation is 500 kV.
17. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 15, wherein:
を特徴とする請求項１５あるいは１６記載の液晶表示素
子の製造方法。27. The method according to claim 15, wherein the electron beam irradiation is performed in the atmosphere.
を特徴とする請求項１５あるいは１６記載の液晶表示素
子の製造方法。28. The method according to claim 15, wherein the electron beam irradiation is performed in N 2 .
を特徴とする請求項１５あるいは１６記載の液晶表示素
子の製造方法。29. The method according to claim 15, wherein the electron beam irradiation is performed in O 2 .
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