JP2001297993A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーンユニットのファンの径が大きいとき
にも、半導体製造装置の幅を小さくする。 【解決手段】 半導体ウェハを熱処理する反応室26を
設け、反応室26のシールキャップ25を昇降するエレ
ベータ24を設け、エレベータ24に対向してボートを
移動させるボート交換装置27を設け、天井面に空気導
入口33を設け、空気導入口33に連通して空気導入ダ
クト34を設け、ボート交換装置27の近傍にクリーン
ユニット40を設け、クリーンユニット40の本体41
の前部に空気導入ダクト34に連結された空気導入路4
2を設け、本体41の後部にチャンバ44を設け、空気
導入路42とチャンバ44との間にターボファン43を
設け、本体41にフィルタ45を着脱可能に取り付け、
ターボファン43の回転面とフィルタ45の表面とをほ
ぼ平行かつ並列に配置する。
にも、半導体製造装置の幅を小さくする。 【解決手段】 半導体ウェハを熱処理する反応室26を
設け、反応室26のシールキャップ25を昇降するエレ
ベータ24を設け、エレベータ24に対向してボートを
移動させるボート交換装置27を設け、天井面に空気導
入口33を設け、空気導入口33に連通して空気導入ダ
クト34を設け、ボート交換装置27の近傍にクリーン
ユニット40を設け、クリーンユニット40の本体41
の前部に空気導入ダクト34に連結された空気導入路4
2を設け、本体41の後部にチャンバ44を設け、空気
導入路42とチャンバ44との間にターボファン43を
設け、本体41にフィルタ45を着脱可能に取り付け、
ターボファン43の回転面とフィルタ45の表面とをほ
ぼ平行かつ並列に配置する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタを通過した
気流を装置内に送出するクリーンユニットを具備する縦
形拡散・CVD装置等の半導体製造装置に関するもので
ある。
気流を装置内に送出するクリーンユニットを具備する縦
形拡散・CVD装置等の半導体製造装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図8は従来の半導体製造装置に使用され
るクリーンユニットを示す斜視図、図9は図8に示した
クリーンユニットを示す断面図である。図に示すよう
に、本体1内の後部すなわち図9紙面上部にチャンバ2
が設けられ、チャンバ2に空気導入ダクト3が連通さ
れ、本体1の前部すなわち図9紙面下部にフィルタ5が
着脱可能に取り付けられ、チャンバ2とフィルタ5との
間にファン4が設けられている。
るクリーンユニットを示す斜視図、図9は図8に示した
クリーンユニットを示す断面図である。図に示すよう
に、本体1内の後部すなわち図9紙面上部にチャンバ2
が設けられ、チャンバ2に空気導入ダクト3が連通さ
れ、本体1の前部すなわち図9紙面下部にフィルタ5が
着脱可能に取り付けられ、チャンバ2とフィルタ5との
間にファン4が設けられている。
【0003】このクリーンユニットにおいては、ファン
4を作動すると、空気導入ダクト3を介して空気がチャ
ンバ2内に取り込まれ、チャンバ2内の空気はフィルタ
5を通過して、クリーンエアが本体1の前面に送出され
る。
4を作動すると、空気導入ダクト3を介して空気がチャ
ンバ2内に取り込まれ、チャンバ2内の空気はフィルタ
5を通過して、クリーンエアが本体1の前面に送出され
る。
【0004】図10は従来の他の半導体製造装置に使用
されるクリーンユニットを示す正面図、図11は図10
に示したクリーンユニットを示す平面図である。図に示
すように、本体11内の上部すなわち図10紙面上部に
チャンバ12が設けられ、チャンバ12に空気導入路1
9を介して送風装置13が接続され、送風装置13にモ
ータ14、モータ14によって駆動されるファン15、
外部に開口した空気取入口16および空気導入路19に
連通した空気導入口17が設けられ、本体1の下部すな
わち図10紙面下部にフィルタ18が設けられている。
されるクリーンユニットを示す正面図、図11は図10
に示したクリーンユニットを示す平面図である。図に示
すように、本体11内の上部すなわち図10紙面上部に
チャンバ12が設けられ、チャンバ12に空気導入路1
9を介して送風装置13が接続され、送風装置13にモ
ータ14、モータ14によって駆動されるファン15、
外部に開口した空気取入口16および空気導入路19に
連通した空気導入口17が設けられ、本体1の下部すな
わち図10紙面下部にフィルタ18が設けられている。
【0005】このクリーンユニットにおいては、送風装
置13を作動すると、空気導入路19を介して空気がチ
ャンバ12内に取り込まれ、チャンバ12内の空気はフ
ィルタ18を通過して、クリーンエアが本体11の下面
に送出される。
置13を作動すると、空気導入路19を介して空気がチ
ャンバ12内に取り込まれ、チャンバ12内の空気はフ
ィルタ18を通過して、クリーンエアが本体11の下面
に送出される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図8、図9に
示したクリーンユニットにおいては、チャンバ2、ファ
ン4、フィルタ5が直列に配置されているから、フィル
タ5が設けられた部分のクリーンユニットのユニット幅
すなわち図9紙面上下方向寸法が大きくなるので、半導
体製造装置の幅を小さくすることができない。
示したクリーンユニットにおいては、チャンバ2、ファ
ン4、フィルタ5が直列に配置されているから、フィル
タ5が設けられた部分のクリーンユニットのユニット幅
すなわち図9紙面上下方向寸法が大きくなるので、半導
体製造装置の幅を小さくすることができない。
【0007】また、図10、図11に示したクリーンユ
ニットにおいては、ファン15とフィルタ18は並列に
配置されているものの、ファン15の回転面とフィルタ
18の表面とは垂直に配置されているから、すなわちフ
ァン15とフィルタ18とが図10紙面左右方向に並べ
られているものの、ファン15の回転中心線がフィルタ
18の表面と平行であるから、クリーンユニットのユニ
ット幅すなわち図10紙面上下方向寸法がファン15の
径に依存するので、ファン15の径が大きいときには、
ユニット幅が大きくなるため、半導体製造装置の幅を小
さくすることができない。
ニットにおいては、ファン15とフィルタ18は並列に
配置されているものの、ファン15の回転面とフィルタ
18の表面とは垂直に配置されているから、すなわちフ
ァン15とフィルタ18とが図10紙面左右方向に並べ
られているものの、ファン15の回転中心線がフィルタ
18の表面と平行であるから、クリーンユニットのユニ
ット幅すなわち図10紙面上下方向寸法がファン15の
径に依存するので、ファン15の径が大きいときには、
ユニット幅が大きくなるため、半導体製造装置の幅を小
さくすることができない。
【0008】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、クリーンユニットのファンの径が大きいと
きにも、半導体製造装置の幅を小さくすることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
れたもので、クリーンユニットのファンの径が大きいと
きにも、半導体製造装置の幅を小さくすることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、ファンと、フィルタと、上記フ
ァンにより生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有
し、上記フィルタを通過した気流を装置内に送出するク
リーンユニットを具備する半導体製造装置において、上
記クリーンユニットの上記ファンの回転面と上記フィル
タの表面とをほぼ平行かつ並列に配置する。
め、本発明においては、ファンと、フィルタと、上記フ
ァンにより生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有
し、上記フィルタを通過した気流を装置内に送出するク
リーンユニットを具備する半導体製造装置において、上
記クリーンユニットの上記ファンの回転面と上記フィル
タの表面とをほぼ平行かつ並列に配置する。
【0010】この場合、上記クリーンユニットの上記フ
ィルタを上記ファンの両側に配置してもよい。
ィルタを上記ファンの両側に配置してもよい。
【0011】これらの場合、基板を熱処理する反応室
と、上記反応室内で複数枚の基板を保持するボートとを
有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記反応
室から引き出した上記ボートに対向する位置に設けても
よい。
と、上記反応室内で複数枚の基板を保持するボートとを
有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記反応
室から引き出した上記ボートに対向する位置に設けても
よい。
【0012】また、基板を熱処理する反応室と、上記反
応室内で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボート
に対し上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装
填された上記ボートを上記反応室内にロード/アンロー
ドするロード/アンロード位置、上記ボートを一時的に
退避させる退避位置に上記ボートを移動させるボート交
換装置とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタ
を上記基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向
するように配置してもよい。
応室内で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボート
に対し上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装
填された上記ボートを上記反応室内にロード/アンロー
ドするロード/アンロード位置、上記ボートを一時的に
退避させる退避位置に上記ボートを移動させるボート交
換装置とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタ
を上記基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向
するように配置してもよい。
【0013】この場合、上記反応室における熱処理後の
上記基板が装填されたボートを上記ボート交換装置によ
り上記退避位置に搬送し、保持するようにしてもよい。
上記基板が装填されたボートを上記ボート交換装置によ
り上記退避位置に搬送し、保持するようにしてもよい。
【0014】また、上記ボート交換装置のアームを回動
する本体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接
して設置してもよい。
する本体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接
して設置してもよい。
【0015】これらの場合、天井面に外部から上記クリ
ーンユニット内に空気を取り込むための空気導入口が設
けられ、上記空気導入口から取り込まれた空気は空気導
入ダクトを介して上記クリーンユニット内に取り込まれ
るようにしてもよい。
ーンユニット内に空気を取り込むための空気導入口が設
けられ、上記空気導入口から取り込まれた空気は空気導
入ダクトを介して上記クリーンユニット内に取り込まれ
るようにしてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る半導体製造装
置を示す概略斜視図、図2は図1に示した半導体製造装
置を示す平面図、図3は図1、図2に示した半導体製造
装置に使用するクリーンユニットを示す斜視図、図4は
図3に示したクリーンユニットを示す正面図、図5は図
4のA−A断面図、図6は図4のB−B断面図、図7は
図4のC−C断面図である。図に示すように、基板であ
る半導体ウェハ(図示せず)を移載する移載機22を昇
降するエレベータ21が設けられ、半導体ウェハのノッ
チを合わせるノッチ合わせ装置23が設けられ、半導体
ウェハを熱処理する反応室(ヒータ)26が設けられ、
反応室26内で複数枚の半導体ウェハを保持するボート
(図示せず)が設けられ、反応室26のシールキャップ
25を昇降するエレベータ24が設けられ、エレベータ
24に対向してボート交換装置27が設けられ、ボート
交換装置27は本体30と本体30によって回動される
2本のアーム28、29とを有しており、ボート交換装
置27はボートに対し半導体ウェハを移載する基板移載
位置すなわち図2のアーム28の位置、半導体ウェハが
装填されたボートを反応室26内にロード/アンロード
するロード/アンロード位置すなわち図2のシールキャ
ップ25の位置、ボートを一時的に退避させる退避位置
すなわち図2のアーム29の位置にボートを移動させる
ことができ、とくに反応室26における熱処理後の半導
体ウェハが装填されたボートを退避位置に搬送し、保持
することができる。また、ノッチ合わせ装置23の上方
に複数枚の半導体ウェハ(基板)を収納した基板収納容
器(図示せず)を複数個保持することができる回転棚3
1が設けられ、回転棚31の近傍の天井面32に空気導
入口33が設けられ、空気導入口33に連通して空気導
入ダクト34が設けられている。また、ボート交換装置
27の近傍にクリーンユニット40が設けられ、クリー
ンユニット40の本体41の前部すなわち図5紙面下部
に空気導入路42が設けられ、空気導入路42はフラン
ジ35により空気導入ダクト34に連結されている。ま
た、本体41の後部すなわち図5紙面上部にチャンバ4
4が設けられ、空気導入路42とチャンバ44との間に
ターボファン43が設けられ、本体41にフィルタ45
が着脱可能に取り付けられ、ターボファン43の回転面
とフィルタ45の表面とがほぼ平行かつ並列に配置され
ている。すなわち、ターボファン43の回転中心線とフ
ィルタ45の表面とが直角であり、フィルタ45とター
ボファン43とが図5紙面左右方向に並んでおり、フィ
ルタ45がターボファン43の両側に配置されている。
そして、チャンバ44はターボファン43により生ずる
気流をフィルタ45に導く空間を構成している。また、
フィルタ45は反応室26から引き出したボートに対向
する位置に設けられ、フィルタ45は基板移載位置、退
避位置のボートに対向するように配置されている。な
お、フィルタ45はロード/アンロード位置のボートに
対向するように配置してもよい。また、ボート交換装置
27は本体30がターボファン43に隣接して設置され
ている。
置を示す概略斜視図、図2は図1に示した半導体製造装
置を示す平面図、図3は図1、図2に示した半導体製造
装置に使用するクリーンユニットを示す斜視図、図4は
図3に示したクリーンユニットを示す正面図、図5は図
4のA−A断面図、図6は図4のB−B断面図、図7は
図4のC−C断面図である。図に示すように、基板であ
る半導体ウェハ(図示せず)を移載する移載機22を昇
降するエレベータ21が設けられ、半導体ウェハのノッ
チを合わせるノッチ合わせ装置23が設けられ、半導体
ウェハを熱処理する反応室(ヒータ)26が設けられ、
反応室26内で複数枚の半導体ウェハを保持するボート
(図示せず)が設けられ、反応室26のシールキャップ
25を昇降するエレベータ24が設けられ、エレベータ
24に対向してボート交換装置27が設けられ、ボート
交換装置27は本体30と本体30によって回動される
2本のアーム28、29とを有しており、ボート交換装
置27はボートに対し半導体ウェハを移載する基板移載
位置すなわち図2のアーム28の位置、半導体ウェハが
装填されたボートを反応室26内にロード/アンロード
するロード/アンロード位置すなわち図2のシールキャ
ップ25の位置、ボートを一時的に退避させる退避位置
すなわち図2のアーム29の位置にボートを移動させる
ことができ、とくに反応室26における熱処理後の半導
体ウェハが装填されたボートを退避位置に搬送し、保持
することができる。また、ノッチ合わせ装置23の上方
に複数枚の半導体ウェハ(基板)を収納した基板収納容
器(図示せず)を複数個保持することができる回転棚3
1が設けられ、回転棚31の近傍の天井面32に空気導
入口33が設けられ、空気導入口33に連通して空気導
入ダクト34が設けられている。また、ボート交換装置
27の近傍にクリーンユニット40が設けられ、クリー
ンユニット40の本体41の前部すなわち図5紙面下部
に空気導入路42が設けられ、空気導入路42はフラン
ジ35により空気導入ダクト34に連結されている。ま
た、本体41の後部すなわち図5紙面上部にチャンバ4
4が設けられ、空気導入路42とチャンバ44との間に
ターボファン43が設けられ、本体41にフィルタ45
が着脱可能に取り付けられ、ターボファン43の回転面
とフィルタ45の表面とがほぼ平行かつ並列に配置され
ている。すなわち、ターボファン43の回転中心線とフ
ィルタ45の表面とが直角であり、フィルタ45とター
ボファン43とが図5紙面左右方向に並んでおり、フィ
ルタ45がターボファン43の両側に配置されている。
そして、チャンバ44はターボファン43により生ずる
気流をフィルタ45に導く空間を構成している。また、
フィルタ45は反応室26から引き出したボートに対向
する位置に設けられ、フィルタ45は基板移載位置、退
避位置のボートに対向するように配置されている。な
お、フィルタ45はロード/アンロード位置のボートに
対向するように配置してもよい。また、ボート交換装置
27は本体30がターボファン43に隣接して設置され
ている。
【0017】この半導体製造装置においては、まず移載
機22が基板収納容器から熱処理を行なうべき半導体ウ
ェハを取り入れ、ノッチ合わせ装置23に半導体ウェハ
を搬送すると、ノッチ合わせ装置23が半導体ウェハの
ノッチ合わせを行ない、こののち移載機22が半導体ウ
ェハを基板移載位置に保持された空の第1のボートに充
填する。つぎに、アーム28が半導体ウェハの充填され
た第1のボートをロード/アンロード位置すなわちシー
ルキャップ25上に搬送する。つぎに、エレベータ24
がシールキャップ25上の第1のボートを反応室26内
に搬送し、反応室26で第1のボートに充填された半導
体ウェハを熱処理する。この反応室26での第1のボー
トに充填された半導体ウェハの熱処理が行なわれている
ときに、アーム29が退避位置に保持された空の第2の
ボートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして基
板移載位置にある空の第2のボートにノッチ合わせをし
た半導体ウェハを充填する。そして、反応室26での第
1のボートに充填された半導体ウェハの熱処理が終了し
たときには、エレベータ24がシールキャップ25とと
もに反応室26内の第1のボートを下降し、アーム29
がシールキャップ25上の第1のボートすなわち反応室
26から引き出した第1のボートを退避位置まで搬送す
る。つぎに、アーム28が基板移載位置にありかつ半導
体ウェハの充填された第2のボートをロード/アンロー
ド位置すなわちシールキャップ25上に搬送する。つぎ
に、エレベータ24がシールキャップ25上の第2のボ
ートを反応室26内に搬送し、反応室26で第2のボー
トに充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室
26で第2のポートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム29が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第1のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、移載機22が熱処理済
みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、移載機22が
未処理の半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処
理を行なうべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせ
装置23によりノッチ合わせが行なわれた半導体ウェハ
を基板移載位置に保持された空の第1のボートに充填す
る。そして、反応室26での第2のボートに充填された
半導体ウェハの熱処理が終了したときには、エレベータ
24がシールキャップ25とともに反応室26内の第2
のボートを下降し、アーム29がシールキャップ25上
の第2のボートを退避位置まで搬送する。つぎに、アー
ム28が半導体ウェハの充填された第1のボートをシー
ルキャップ25上に搬送し、反応室26で第1のボート
に充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室2
6での第1のボートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム29が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第2のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして熱処
理済みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、未処理の
半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処理を行な
うべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせが行なわ
れた半導体ウェハを基板移載位置に保持された空の第2
のボートに充填する。以下、同様にして半導体ウェハを
熱処理する。すなわち、基板移載位置に保持された第1
のボートに充填された半導体ウェハを反応室26で熱処
理している間に、退避位置に保持された第2のボートに
充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位置に
て回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェハを
第2のボートに充填し、また基板移載位置に保持された
第2のボートに充填された半導体ウェハを反応室26で
熱処理している間に、退避位置に保持された第1のボー
トに充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位
置にて回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェ
ハを第1のボートに充填する。
機22が基板収納容器から熱処理を行なうべき半導体ウ
ェハを取り入れ、ノッチ合わせ装置23に半導体ウェハ
を搬送すると、ノッチ合わせ装置23が半導体ウェハの
ノッチ合わせを行ない、こののち移載機22が半導体ウ
ェハを基板移載位置に保持された空の第1のボートに充
填する。つぎに、アーム28が半導体ウェハの充填され
た第1のボートをロード/アンロード位置すなわちシー
ルキャップ25上に搬送する。つぎに、エレベータ24
がシールキャップ25上の第1のボートを反応室26内
に搬送し、反応室26で第1のボートに充填された半導
体ウェハを熱処理する。この反応室26での第1のボー
トに充填された半導体ウェハの熱処理が行なわれている
ときに、アーム29が退避位置に保持された空の第2の
ボートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして基
板移載位置にある空の第2のボートにノッチ合わせをし
た半導体ウェハを充填する。そして、反応室26での第
1のボートに充填された半導体ウェハの熱処理が終了し
たときには、エレベータ24がシールキャップ25とと
もに反応室26内の第1のボートを下降し、アーム29
がシールキャップ25上の第1のボートすなわち反応室
26から引き出した第1のボートを退避位置まで搬送す
る。つぎに、アーム28が基板移載位置にありかつ半導
体ウェハの充填された第2のボートをロード/アンロー
ド位置すなわちシールキャップ25上に搬送する。つぎ
に、エレベータ24がシールキャップ25上の第2のボ
ートを反応室26内に搬送し、反応室26で第2のボー
トに充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室
26で第2のポートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム29が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第1のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、移載機22が熱処理済
みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、移載機22が
未処理の半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処
理を行なうべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせ
装置23によりノッチ合わせが行なわれた半導体ウェハ
を基板移載位置に保持された空の第1のボートに充填す
る。そして、反応室26での第2のボートに充填された
半導体ウェハの熱処理が終了したときには、エレベータ
24がシールキャップ25とともに反応室26内の第2
のボートを下降し、アーム29がシールキャップ25上
の第2のボートを退避位置まで搬送する。つぎに、アー
ム28が半導体ウェハの充填された第1のボートをシー
ルキャップ25上に搬送し、反応室26で第1のボート
に充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室2
6での第1のボートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム29が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第2のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして熱処
理済みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、未処理の
半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処理を行な
うべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせが行なわ
れた半導体ウェハを基板移載位置に保持された空の第2
のボートに充填する。以下、同様にして半導体ウェハを
熱処理する。すなわち、基板移載位置に保持された第1
のボートに充填された半導体ウェハを反応室26で熱処
理している間に、退避位置に保持された第2のボートに
充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位置に
て回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェハを
第2のボートに充填し、また基板移載位置に保持された
第2のボートに充填された半導体ウェハを反応室26で
熱処理している間に、退避位置に保持された第1のボー
トに充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位
置にて回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェ
ハを第1のボートに充填する。
【0018】また、ターボファン43を作動させると、
装置の天井面32に設けられた空気導入口33、空気導
入ダクト34を介して空気が空気導入路42内に取り込
まれ、空気導入路42内の空気がチャンバ44、フィル
タ45を通過して、クリーンエアすなわち気流が本体4
1の前面にすなわち装置内にほぼ水平な方向に送出され
る。
装置の天井面32に設けられた空気導入口33、空気導
入ダクト34を介して空気が空気導入路42内に取り込
まれ、空気導入路42内の空気がチャンバ44、フィル
タ45を通過して、クリーンエアすなわち気流が本体4
1の前面にすなわち装置内にほぼ水平な方向に送出され
る。
【0019】このような半導体製造装置においては、フ
ィルタ45が設けられた部分ではチャンバ44とフィル
タ45とが直列に配置されており、ターボファン43は
直列に配置されていないから、フィルタ45が設けられ
た部分のクリーンユニット40のユニット幅すなわち図
5紙面上下方向寸法が小さく、またターボファン43の
回転面とフィルタ45の表面とがほぼ平行かつ並列に配
置されているから、クリーンユニット40のユニット幅
がターボファン43の径に依存することはないので、タ
ーボファン43の径が大きいときにも、半導体製造装置
の幅を小さくすることができる。また、フィルタ45を
ターボファン43を挟んでターボファン43の両側に配
置しているから、1つのファンにて複数の異なる個所に
効率よくクリーンエアを送出することができる。また、
フィルタ45を反応室26から引き出した第1、第2の
ボートに対向する位置に設けているから、反応室26で
の熱処理後の加熱された半導体ウェハを冷却することが
できる。また、フィルタ45を基板移載位置、退避位
置、あるいはロード/アンロード位置のボートに対向す
るように配置しているから、第1、第2のボートに充填
された半導体ウェハに直接クリーンエアを送出すること
ができる。また、ボート交換装置27が反応室26にお
ける熱処理後の半導体ウェハが装填されたボートを退避
位置に搬送し、保持しているから、効率よく半導体ウェ
ハの熱処理作業(半導体ウェハ冷却等)を行なうことが
できる。また、ボート交換装置27の本体30をターボ
ファン43に隣接して設置しているから、クリーンユニ
ット40のユニット幅が小さいフィルタ45が設けられ
た部分に対向してアーム28、29を位置させることが
できるので、半導体製造装置の幅をより小さくすること
ができる。また、装置の天井面32に外部からクリーン
ユニット40内に空気を取り込むための空気導入口33
を設け、空気導入口33から取り込まれた空気を空気導
入ダクト34を介してクリーンユニット40内に取り込
むから、効率よく、装置上方より空気をクリーンユニッ
ト40内に取り込み、装置内にほぼ水平な方向のエアー
フローを形成することができる。また、フィルタ45が
本体41に着脱可能に取り付けられているから、フィル
タ45に目詰まりが生じた場合には、フィルタ45を交
換することができる。
ィルタ45が設けられた部分ではチャンバ44とフィル
タ45とが直列に配置されており、ターボファン43は
直列に配置されていないから、フィルタ45が設けられ
た部分のクリーンユニット40のユニット幅すなわち図
5紙面上下方向寸法が小さく、またターボファン43の
回転面とフィルタ45の表面とがほぼ平行かつ並列に配
置されているから、クリーンユニット40のユニット幅
がターボファン43の径に依存することはないので、タ
ーボファン43の径が大きいときにも、半導体製造装置
の幅を小さくすることができる。また、フィルタ45を
ターボファン43を挟んでターボファン43の両側に配
置しているから、1つのファンにて複数の異なる個所に
効率よくクリーンエアを送出することができる。また、
フィルタ45を反応室26から引き出した第1、第2の
ボートに対向する位置に設けているから、反応室26で
の熱処理後の加熱された半導体ウェハを冷却することが
できる。また、フィルタ45を基板移載位置、退避位
置、あるいはロード/アンロード位置のボートに対向す
るように配置しているから、第1、第2のボートに充填
された半導体ウェハに直接クリーンエアを送出すること
ができる。また、ボート交換装置27が反応室26にお
ける熱処理後の半導体ウェハが装填されたボートを退避
位置に搬送し、保持しているから、効率よく半導体ウェ
ハの熱処理作業(半導体ウェハ冷却等)を行なうことが
できる。また、ボート交換装置27の本体30をターボ
ファン43に隣接して設置しているから、クリーンユニ
ット40のユニット幅が小さいフィルタ45が設けられ
た部分に対向してアーム28、29を位置させることが
できるので、半導体製造装置の幅をより小さくすること
ができる。また、装置の天井面32に外部からクリーン
ユニット40内に空気を取り込むための空気導入口33
を設け、空気導入口33から取り込まれた空気を空気導
入ダクト34を介してクリーンユニット40内に取り込
むから、効率よく、装置上方より空気をクリーンユニッ
ト40内に取り込み、装置内にほぼ水平な方向のエアー
フローを形成することができる。また、フィルタ45が
本体41に着脱可能に取り付けられているから、フィル
タ45に目詰まりが生じた場合には、フィルタ45を交
換することができる。
【0020】なお、上述実施の形態においては、ファン
としてターボファン43を用いたが、他のファンを用い
てもよい。
としてターボファン43を用いたが、他のファンを用い
てもよい。
【0021】
【発明の効果】本発明に係る半導体製造装置において
は、クリーンユニットのユニット幅がファンの径に依存
することはないから、ファンの径が大きいときにも、半
導体製造装置の幅を小さくすることができる。
は、クリーンユニットのユニット幅がファンの径に依存
することはないから、ファンの径が大きいときにも、半
導体製造装置の幅を小さくすることができる。
【0022】また、クリーンユニットのフィルタをファ
ンの両側に配置したときには、効率よく気流を送出する
ことができる。
ンの両側に配置したときには、効率よく気流を送出する
ことができる。
【0023】また、基板を熱処理する反応室と、反応室
内で複数枚の基板を保持するボートとを設け、クリーン
ユニットのフィルタを反応室から引き出したボートに対
向する位置に設けたときには、反応室での熱処理後の加
熱された基板を冷却することができる。
内で複数枚の基板を保持するボートとを設け、クリーン
ユニットのフィルタを反応室から引き出したボートに対
向する位置に設けたときには、反応室での熱処理後の加
熱された基板を冷却することができる。
【0024】また、基板を熱処理する反応室と、反応室
内で複数枚の基板を保持するボートと、ボートに基板を
移載する基板移載位置、基板が装填されたボートを反応
室内にロード/アンロードするロード/アンロード位
置、ボートを一時的に退避させる退避位置にボートを移
動させるボート交換装置とを設け、クリーンユニットの
フィルタを基板移載位置、退避位置のボートに対向する
ように配置したときには、ボートに充填された基板に直
接気流を送出することができる。なお、ロード/アンロ
ード位置のボートに対向するように配置すると、さらに
好ましい。
内で複数枚の基板を保持するボートと、ボートに基板を
移載する基板移載位置、基板が装填されたボートを反応
室内にロード/アンロードするロード/アンロード位
置、ボートを一時的に退避させる退避位置にボートを移
動させるボート交換装置とを設け、クリーンユニットの
フィルタを基板移載位置、退避位置のボートに対向する
ように配置したときには、ボートに充填された基板に直
接気流を送出することができる。なお、ロード/アンロ
ード位置のボートに対向するように配置すると、さらに
好ましい。
【0025】また、反応室における熱処理後の基板が装
填されたボートをボート交換装置により退避位置に搬送
し、保持するようにしたときには、効率よく基板の熱処
理作業を行なうことができる。
填されたボートをボート交換装置により退避位置に搬送
し、保持するようにしたときには、効率よく基板の熱処
理作業を行なうことができる。
【0026】また、ボート交換装置のアームを回動する
本体を、上記クリーンユニットのファンに隣接して設置
したときには、半導体製造装置の幅をより小さくするこ
とができる。
本体を、上記クリーンユニットのファンに隣接して設置
したときには、半導体製造装置の幅をより小さくするこ
とができる。
【0027】また、天井面に外部からクリーンユニット
内に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、空気
導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介して
クリーンユニット内に取り込まれるようにしたときに
は、効率よく空気をクリーンユニット内に取り込み、装
置内にほぼ水平な方向のエアーフローを形成することが
できる。
内に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、空気
導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介して
クリーンユニット内に取り込まれるようにしたときに
は、効率よく空気をクリーンユニット内に取り込み、装
置内にほぼ水平な方向のエアーフローを形成することが
できる。
【図1】図1は本発明に係る半導体製造装置を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
【図2】図1に示した半導体製造装置を示す平面図であ
る。
る。
【図3】図1、図2に示した半導体製造装置に使用する
クリーンユニットを示す斜視図である。
クリーンユニットを示す斜視図である。
【図4】図3に示したクリーンユニットを示す正面図で
ある。
ある。
【図5】図4のA−A断面図である。
【図6】図4のB−B断面図である。
【図7】図4のC−C断面図である。
【図8】従来の半導体製造装置に使用されるクリーンユ
ニットを示す斜視図である。
ニットを示す斜視図である。
【図9】図8に示したクリーンユニットを示す断面図で
ある。
ある。
【図10】従来の他の半導体製造装置に使用されるクリ
ーンユニットを示す正面図である。
ーンユニットを示す正面図である。
【図11】図10に示したクリーンユニットを示す平面
図である。
図である。
26…反応室 27…ボート交換装置 28…アーム 29…アーム 30…本体 32…天井面 33…空気導入口 34…空気導入ダクト 40…クリーンユニット 42…空気導入路 43…ターボファン 44…チャンバ 45…フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 16/44 C23C 16/44 F 16/54 16/54 (72)発明者 小竹 繁 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 4K029 BD01 DA00 DA01 GA01 KA02 KA09 4K030 DA09 GA12 GA13 KA08 KA49 LA15 5F031 CA02 FA01 FA05 FA07 FA11 FA12 GA02 GA47 GA48 GA49 GA50 HA67 MA28 NA03 5F045 BB08 BB14 EM08 EM10
Claims (7)
- 【請求項1】ファンと、フィルタと、上記ファンにより
生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有し、上記フ
ィルタを通過した気流を装置内に送出するクリーンユニ
ットを具備する半導体製造装置において、上記クリーン
ユニットの上記ファンの回転面と上記フィルタの表面と
をほぼ平行かつ並列に配置したことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項2】上記クリーンユニットの上記フィルタを上
記ファンの両側に配置したことを特徴とする請求項1に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項3】基板を熱処理する反応室と、上記反応室内
で複数枚の基板を保持するボートとを有し、上記クリー
ンユニットの上記フィルタを上記反応室から引き出した
上記ボートに対向する位置に設けたことを特徴とする請
求項1または2に記載の半導体製造装置。 - 【請求項4】基板を熱処理する反応室と、上記反応室内
で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボートに対し
上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装填され
た上記ボートを上記反応室内にロード/アンロードする
ロード/アンロード位置、上記ボートを一時的に退避さ
せる退避位置に上記ボートを移動させるボート交換装置
とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記
基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向するよ
うに配置したことを特徴とする請求項2に記載の半導体
製造装置。 - 【請求項5】上記反応室における熱処理後の上記基板が
装填されたボートを上記ボート交換装置により上記退避
位置に搬送し、保持することを特徴とする請求項4に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項6】上記ボート交換装置のアームを回動する本
体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接して設
置したことを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項7】天井面に外部から上記クリーンユニット内
に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、上記空
気導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介し
て上記クリーンユニット内に取り込まれることを特徴と
する請求項1〜6のいずれかに記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000114581A JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000114581A JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001297993A true JP2001297993A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18626367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000114581A Pending JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001297993A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114150272A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-08 | 江苏威森美微电子有限公司 | 一种半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000114581A patent/JP2001297993A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114150272A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-08 | 江苏威森美微电子有限公司 | 一种半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
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