JP2001296650A - Reticle - Google Patents
ReticleInfo
- Publication number
- JP2001296650A JP2001296650A JP2000121054A JP2000121054A JP2001296650A JP 2001296650 A JP2001296650 A JP 2001296650A JP 2000121054 A JP2000121054 A JP 2000121054A JP 2000121054 A JP2000121054 A JP 2000121054A JP 2001296650 A JP2001296650 A JP 2001296650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- substrate
- reticle
- rectangular
- light transmittance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
技術で用いるレチクル（フォトマスク）に関し、特に矩
形をしたマスクパターン（以下、単にパターンと称す
る）の形状精度を高めたレチクルに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle (photomask) used in a photolithography technique, and more particularly to a reticle having a rectangular mask pattern (hereinafter simply referred to as a "pattern") having improved shape accuracy.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積度化と小
型化により、半導体デバイスに形成する各素子の設計パ
ターンが縮小されてきている。また、半導体デバイスの
各素子はフォトリソグラフィ技術を用いて形成されてい
るが、半導体チップの容量増大化、及びズループット向
上に対応するため、半導体デバイスの各パターンを露光
するための露光機は、広露光エリア対応の露光機に移行
してきている。そのため、レチクルにおいては、露光機
での縮小率が従来の５倍から４倍になり、しかも、設計
パターンが縮小されているため、レチクルに形成するパ
ターン（マスクパターン）のパターン寸法を縮小する必
要があり、レチクル作製が難しくなってきている。2. Description of the Related Art In recent years, the design pattern of each element formed in a semiconductor device has been reduced due to the high integration and miniaturization of the semiconductor device. Although each element of the semiconductor device is formed by using photolithography technology, an exposing machine for exposing each pattern of the semiconductor device is widely used in order to cope with an increase in the capacity of the semiconductor chip and an improvement in throughput. It has shifted to an exposure machine that can handle exposure areas. For this reason, in the reticle, the reduction ratio in the exposure machine has increased from 5 times to 4 times that of the conventional one, and the design pattern has been reduced. Therefore, it is necessary to reduce the pattern size of the pattern (mask pattern) formed on the reticle. Therefore, reticle fabrication has become difficult.
【０００３】また、一方で高精度なレチクルのニーズが
高まっている。特に、レチクルのパターンの端部や、微
小面積のパターンの角部においては、パターンの角部が
丸くなってしまう。そのため、半導体基板上のパターン
形成精度が低下するとともに、性能低下や製造歩留低下
の要因となっている。すなわち、レチクルに形成するパ
ターン自体も、透明基板に光不透過膜を形成し、当該光
不透過膜をフォトリソグラフィ技術を用いてエッチング
してパターン形成を行っているため、パターン寸法の縮
小に伴って、所望のパターンを高精度に形成することが
困難になる。特に、露光時における光の回折、干渉等に
よって縁部や角部の鮮鋭性が低下され、前記したパター
ンの角部では丸いパターンに形成されてしまうことにな
る。On the other hand, a need for a highly accurate reticle is increasing. In particular, at the edge of the reticle pattern or at the corner of the pattern having a small area, the corner of the pattern is rounded. As a result, the accuracy of pattern formation on the semiconductor substrate is reduced, and the performance and the production yield are reduced. In other words, the pattern itself formed on the reticle is also formed by forming a light-impermeable film on a transparent substrate and etching the light-impermeable film using photolithography technology to form a pattern. Therefore, it becomes difficult to form a desired pattern with high accuracy. In particular, the sharpness of edges and corners is reduced due to light diffraction, interference, and the like at the time of exposure, and a round pattern is formed at the corners of the above-described pattern.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解消
するためには、例えば、特開平６−１１８６２４号公報
に記載のように、Ｘ方向のパターンを形成したレチクル
と、Ｙ方向のパターンを形成したレチクルとを用いた二
回の露光を行うことにより、両レチクルにより二重露光
された領域にパターン精度の高いパターン露光を行う技
術が提案されている。しかしながら、この公報に記載の
技術では、二回の露光工程が必要とされるるとともに、
各露光工程の二つのレチクルの相対位置決めを行う必要
があり、フォトリソグラフィ工程が煩雑化するという問
題がある。また、二回の露光に際しての相対位置決めに
おいて、位置ずれが生じると、目的とするパターンを高
精度に露光することができなくなるという問題も生じ
る。In order to solve such a problem, for example, as described in JP-A-6-118624, a reticle having an X-directional pattern and a Y-directional reticle are used. There has been proposed a technique of performing pattern exposure with high pattern accuracy on a region double-exposed by both reticles by performing two exposures using the formed reticle. However, the technique described in this publication requires two exposure steps,
It is necessary to perform relative positioning between the two reticles in each exposure step, and there is a problem that the photolithography step becomes complicated. In addition, if a positional shift occurs in the relative positioning during the two exposures, there is a problem that a target pattern cannot be exposed with high accuracy.
【０００５】本発明の目的は、露光工程を煩雑化するこ
となく、しかも矩形パターンを高精度に露光することが
可能なレチクルを提供するものである。An object of the present invention is to provide a reticle capable of exposing a rectangular pattern with high accuracy without complicating the exposure step.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のレチクルは、第
１の透明基板の表面に光透過率の低い材料で第１のパタ
ーンが形成された第１基板と、第２の透明基板の表面に
所要の光透過率の材料で第２のパターンが形成された第
２基板とを備え、前記第１のパターンと前記第２のパタ
ーンとを向かい合わせにして前記第１基板と第２基板と
を一体化し、前記第１のパターンと第２のパターンとが
重なる領域を遮光パターンとして構成したことを特徴と
する。According to the present invention, there is provided a reticle comprising: a first substrate having a first pattern formed of a material having a low light transmittance on a surface of a first transparent substrate; And a second substrate on which a second pattern is formed of a material having a required light transmittance. The first substrate and the second substrate are arranged such that the first pattern and the second pattern face each other. And a region where the first pattern and the second pattern overlap with each other is configured as a light-shielding pattern.
【０００７】例えば、前記第１のパターン及び第２のパ
ターンの少なくとも一方は、前記第１または第２の透明
基板の表面に形成した前記所要の光透過率の材料膜を所
要のパターンに形成した構成とする。あるいは、前記第
１のパターン及び第２のパターンの少なくとも一方は、
前記第１または第２の透明基板の表面に所要のパターン
に形成した凹溝内に前記所要の光透過率の材料を埋め込
んだ構成とする。For example, at least one of the first pattern and the second pattern is formed by forming the material film having the required light transmittance on the surface of the first or second transparent substrate into a required pattern. Configuration. Alternatively, at least one of the first pattern and the second pattern includes:
A material having the required light transmittance is embedded in a groove formed in a required pattern on the surface of the first or second transparent substrate.
【０００８】本発明のレチクルによれば、第１のパター
ンと第２のパターンとが重なった領域を実質的な遮光パ
ターンとして構成され、特に矩形パターンの角部は、第
１のパターンと第２のパターンの辺の交差によって構成
されるので、従来のようにレチクルに光不透過膜を用い
て矩形パターンを形成する場合のような、パターン寸法
の縮小に伴って角部が丸くなるようなこともなく、高精
度な矩形パターンのレチクルを得ることができる。そし
て、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、露光工程が
増加することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる
場合のような相対位置決めの必要もなく、露光工程を簡
略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの精
度が低下されることもない。According to the reticle of the present invention, a region where the first pattern and the second pattern overlap each other is formed as a substantial light-shielding pattern. In particular, the corners of the rectangular pattern correspond to the first pattern and the second pattern. Because the pattern is formed by the intersection of the sides of the pattern, the corners become rounded as the pattern size is reduced, as in the case of forming a rectangular pattern using a light opaque film on the reticle as in the past. Thus, a highly accurate reticle having a rectangular pattern can be obtained. In addition, a single exposure using one reticle enables exposure of a rectangular pattern having a required arrangement, so that the number of exposure steps does not increase. There is no need for such relative positioning, the exposure process is simplified, and the accuracy of the rectangular pattern is not reduced due to the relative positioning error.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態のレ
チクル１を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ線断面
図である。また、図２はその分解した状態の斜視図であ
る。この実施形態では、レチクルに形成するパターンと
して、微小な矩形パターンをＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ
所定のピッチ寸法でマトリクス配置したパターンの例を
示している。前記レチクル１は、第１基板１００と第２
基板２００とを貼り合わせて一つのレチクルを構成して
いる。前記第１基板１００は、透明ガラス基板１０１の
表面に、低光透過材料として、例えばＣｒ等の金属材料
が、一方向（Ｘ方向）に所要のピッチ寸法をおいてＹ方
向に延長された所要幅寸法の複数本のＹ方向ラインパタ
ーン１０２として形成されている。また、前記第２基板
２００は、同様に透明ガラス基板２０１の表面に、低光
透過材料としてＣｒ等の金属材料が、他方向（Ｙ方向）
に所要のピッチ寸法をおいてＸ方向に延長された所要幅
寸法、ここでは前記Ｙ方向ラインパターンとほぼ同一ピ
ッチ寸法で同一幅寸法の複数本のＸ方向ラインパターン
２０２として形成されている。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B show a reticle 1 according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view, and FIG. FIG. 2 is a perspective view of the disassembled state. In this embodiment, as a pattern formed on a reticle, an example of a pattern in which minute rectangular patterns are arranged in a matrix at predetermined pitches in the X direction and the Y direction, respectively, is shown. The reticle 1 includes a first substrate 100 and a second substrate 100.
One reticle is formed by bonding the substrate 200 and the substrate 200 together. In the first substrate 100, a metal material such as Cr as a low light transmission material is extended on the surface of the transparent glass substrate 101 in the Y direction with a required pitch dimension in one direction (X direction). It is formed as a plurality of Y-direction line patterns 102 having a width dimension. In the second substrate 200, similarly, a metal material such as Cr as a low light transmission material is coated on the surface of the transparent glass substrate 201 in the other direction (Y direction).
A required width dimension extended in the X direction with a required pitch dimension, here, is formed as a plurality of X-direction line patterns 202 having substantially the same pitch dimension and the same width dimension as the Y-direction line pattern.
【００１０】なお、前記第１及び第２の各基板１００，
２００の各ラインパターン１０２，２０２の製造方法
は、図３に第１基板１００の概略工程断面図を示すよう
に、（ａ）に示すガラス基板１０１に、（ｂ）のように
前記金属材料の膜１０３を形成した後、（ｃ）のよう
に、その上面に形成したフォトレジスト１０４に対して
前記ラインパターンのパターン形状で露光を行い、かつ
現像した上で、（ｄ）のように前記フォトレジスト１０
４をマスクにして前記金属材料１０３をエッチングする
ことによって形成する。また、このとき、各基板１０
１，２０１に形成する前記各ラインパターン１０２，２
０２の金属材料の膜厚を極めて薄く形成することで、各
ラインパターン１０２，２０２の光透過率が約７０％程
度ないしそれよりも多少小さくなるように形成する。第
２基板２００についても同様である。The first and second substrates 100, 100
As shown in FIG. 3, a method of manufacturing the line patterns 102 and 202 of the first substrate 200 is shown in FIG. 3. The glass substrate 101 shown in FIG. After the film 103 is formed, the photoresist 104 formed on the upper surface is exposed in the pattern shape of the line pattern as shown in (c) and developed, and the photoresist 104 is developed as shown in (d). Resist 10
The metal material 103 is formed by etching the metal material 103 using the mask 4 as a mask. At this time, each substrate 10
The line patterns 102, 2 to be formed in 1,201
By making the thickness of the metal material 02 extremely thin, the light transmittance of each of the line patterns 102 and 202 is formed to be about 70% or slightly smaller. The same applies to the second substrate 200.
【００１１】そして、前記第１基板１００と第２基板２
００は、各ラインパターン１０２，２０２が形成されて
いる面を互いに向かい合わせにして密着した上で、両基
板１００，２００を接着して一体化する。このとき、両
基板の前記ラインパターンが形成されている面には、例
えば、光透過性のあるガラスや石英等からなる接合材料
３０１を塗布した上で、両基板を向かい合わせに密着
し、その上で前記接合材料３０１を加熱して硬化するこ
とで、両基板１００，２００を一体化することが可能で
ある。この場合、接合材料３０１は、前記各ラインパタ
ーン１０２，２０２が形成されていない領域に塗布する
ことが好ましい。The first substrate 100 and the second substrate 2
In No. 00, the substrates on which the line patterns 102 and 202 are formed face each other and are closely attached to each other, and then the two substrates 100 and 200 are bonded and integrated. At this time, a bonding material 301 made of, for example, light-transmitting glass or quartz is applied to the surface of the two substrates on which the line pattern is formed, and then the two substrates are brought into close contact with each other. By heating and curing the bonding material 301 above, both substrates 100 and 200 can be integrated. In this case, it is preferable that the bonding material 301 is applied to a region where the line patterns 102 and 202 are not formed.
【００１２】以上の構成のレチクル１によれば、第１基
板１００と第２基板２００を接合することにより、第１
基板のＹ方向ラインパターン１０２と、第２基板のＸ方
向ラインパターン２０２が重なった領域には、各ライン
パターンの幅寸法を辺寸法とする矩形、ここでは正方形
の矩形パターンＰがマトリクス配置された状態で形成さ
れることになる。そして、第１基板１００においては、
Ｙ方向ラインパターン１０２が形成されている領域の光
透過率は略７０％であり、それ以外の領域は略１００％
である。同様に、第２基板２００においては、Ｘ方向ラ
インパターン２０２が形成されている領域の光透過率は
略７０％であり、それ以外の領域は略１００％である。
そのため、Ｙ方向ラインパターン１０２とＸ方向ライン
パターン２０２が重なった前記矩形パターンＰの光透過
率は０．７×０．７＝０．４９、すなわちほぼ４９％と
なる。また、前記矩形パターンＰ以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１０２，２０２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となる。According to the reticle 1 having the above-described structure, the first substrate 100 and the second substrate 200 are joined to form the first
In a region where the Y-direction line pattern 102 of the substrate and the X-direction line pattern 202 of the second substrate overlap each other, a rectangle having a width dimension of each line pattern as a side dimension, here, a square rectangular pattern P is arranged in a matrix. It will be formed in a state. And in the first substrate 100,
The light transmittance of the region where the Y-direction line pattern 102 is formed is approximately 70%, and the other region is approximately 100%.
It is. Similarly, in the second substrate 200, the light transmittance of a region where the X-direction line pattern 202 is formed is approximately 70%, and the other region is approximately 100%.
Therefore, the light transmittance of the rectangular pattern P, in which the Y-direction line pattern 102 and the X-direction line pattern 202 overlap, is 0.7 × 0.7 = 0.49, that is, approximately 49%. The light transmittance of the area other than the rectangular pattern P is 70% of the area of each of the line patterns 102 and 202.
And 100% of the area other than each line pattern.
【００１３】したがって、このレチクル１を用いて露光
機によりフォトレジストに対して露光を行なうときに、
当該レチクル１を透過する光の５０％から６０％程度以
上の光強度で当該フォトレジストが感光するように、光
源の光強度を設定することにより、前記レチクル１の矩
形パターンＰを透過した光はフォトレジストにおいて感
光されず、それ以外の領域を透過した光はフォトレジス
トにおいて感光されることになる。これにより、マトリ
クス配置した矩形パターンＰのみを選択的に遮光した状
態のて露光が実現できる。Therefore, when the photoresist is exposed by the exposure machine using the reticle 1,
By setting the light intensity of the light source so that the photoresist is exposed at a light intensity of about 50% to 60% or more of the light transmitted through the reticle 1, the light transmitted through the rectangular pattern P of the reticle 1 Light that is not exposed in the photoresist and that has passed through other areas is exposed in the photoresist. Thereby, exposure can be realized in a state where only the rectangular patterns P arranged in a matrix are selectively shielded from light.
【００１４】そして、このように１枚のレチクルを用い
た１回の露光で、所要の配置の矩形パターンの露光が可
能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大するこ
ともない。また、２枚のレチクルを用いる場合のような
相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフィ工程を
簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの
精度が低下されることもない。さらに、レチクルに光不
透過膜を用いて矩形パターンを形成する場合のような、
パターン寸法の縮小に伴って、所望のパターンを高精度
に形成することが困難になるようなこともなく、特に形
成される矩形パターンＰの角部はＹ方向及びＸ方向の各
ラインパターン１０２，２０２の辺同士の交差によって
形成されるため、角部が丸くなることがない矩形パター
ンＰを高精度に形成することも可能になる。[0014] In this manner, a single pattern exposure using a single reticle enables exposure of a rectangular pattern having a required arrangement, so that the photolithography process does not increase. Further, there is no need for relative positioning as in the case of using two reticles, the photolithography process is simplified, and the accuracy of the rectangular pattern due to the relative positioning error is not reduced. Furthermore, as in the case of forming a rectangular pattern using a light opaque film on the reticle,
As the pattern size is reduced, it is not difficult to form a desired pattern with high precision. Particularly, the corners of the rectangular pattern P to be formed are line patterns 102, Since it is formed by the intersection of the sides of 202, it is also possible to form a rectangular pattern P having a rounded corner with high accuracy.
【００１５】図４は本発明の第２の実施形態のレチクル
１Ａを示す図であり、前記第１の実施形態の図１
（ａ），（ｂ）に対応する図である。また、図５はその
分解斜視図である。この第２の実施形態では、第１基板
１１０に形成するＹ方向ラインパターン１１２と、第２
基板２１０に形成するＸ方向パターン２１２をそれぞれ
の基板の表面内に埋設した状態で形成したことを特徴と
している。すなわち、第１基板１１０では、透明ガラス
基板１１１の表面にＹ方向ラインパターンに対応する凹
溝１１３が形成されており、この凹溝１１３内にＣｒ等
の金属材料が埋設されて前記Ｙ方向ラインパターン１１
２が形成されている。同様に、第２基板２１０では、透
明ガラス基板２１１の表面にＸ方向ラインパターンに対
応する凹溝２１３が形成されており、この凹溝２１３内
にＣｒ等の金属材料が埋設されて前記Ｘ方向ラインパタ
ーン２１２が形成されている。そして、前記第１基板１
１０と第２基板２１０は、各ラインパターン１１２，２
１２を向かい合わせにした状態で接着材料、接合材料に
より一体化されている。なお、この実施形態では、前記
接着材料、接合材料は極めて薄いため、図には表れな
い。FIG. 4 is a view showing a reticle 1A according to a second embodiment of the present invention.
It is a figure corresponding to (a) and (b). FIG. 5 is an exploded perspective view thereof. In the second embodiment, a Y-direction line pattern 112 formed on a first substrate 110 and a second
It is characterized in that the X-direction pattern 212 formed on the substrate 210 is formed so as to be embedded in the surface of each substrate. That is, in the first substrate 110, a concave groove 113 corresponding to the Y direction line pattern is formed on the surface of the transparent glass substrate 111, and a metal material such as Cr is buried in the concave groove 113 so that the Y direction line pattern is formed. Pattern 11
2 are formed. Similarly, in the second substrate 210, a concave groove 213 corresponding to the X direction line pattern is formed on the surface of the transparent glass substrate 211, and a metal material such as Cr is buried in the concave groove 213 and the X direction. A line pattern 212 is formed. And the first substrate 1
10 and the second substrate 210 are provided with respective line patterns 112, 2
12 are integrated with an adhesive material and a bonding material in a state where they face each other. In this embodiment, the bonding material and the bonding material are not shown in the figure because they are extremely thin.
【００１６】前記第１及び第２の各基板１１０，２１０
の各ラインパターン１１２，２１２の製造方法は、図６
に第１基板１１０の概略工程断面図を示すように、
（ａ）に示すガラス基板１１１の表面を図外のフォトレ
ジストを用いたフォトリソグラフィ技術により選択エッ
チングして、（ｂ）のように、前記Ｙ方向ラインパター
ンに対応する凹溝１１３を形成する。そして、（ｃ）の
ように、ガラス基板１１１の表面にＣｒ等の金属材料１
１４を蒸着法、スパッタ法により、少なくとも前記凹溝
１１３を埋め込む厚さに形成する。その上で、前記金属
材料１１４をエッチングバックし、あるいは化学機械研
磨法（ＣＭＰ法）により研磨して、前記金属材料を前記
凹溝１１３内にのみ残すことによって、（ｄ）のよう
に、前記Ｙ方向ラインパターン１１３を形成する。ここ
で、前記凹溝１１３の深さを浅く形成することで、当該
凹溝１１３に埋設される前記金属材料１１４で構成され
る前記Ｙ方向ラインパターン１１２の光透過率が約７０
％程度ないしそれよりも多少小さくなるように形成す
る。第２基板２１０についても同様である。The first and second substrates 110 and 210
The method of manufacturing each of the line patterns 112 and 212 of FIG.
As shown in the schematic process sectional view of the first substrate 110,
The surface of the glass substrate 111 shown in (a) is selectively etched by a photolithography technique using a photoresist (not shown) to form a concave groove 113 corresponding to the Y-direction line pattern as shown in (b). Then, as shown in (c), a metal material 1 such as Cr is formed on the surface of the glass substrate 111.
14 is formed by a vapor deposition method or a sputtering method so as to at least fill the concave groove 113. Then, the metal material 114 is etched back or polished by a chemical mechanical polishing method (CMP method) so that the metal material is left only in the concave groove 113, as shown in FIG. A Y-direction line pattern 113 is formed. Here, by forming the depth of the concave groove 113 to be shallow, the light transmittance of the Y-direction line pattern 112 made of the metal material 114 embedded in the concave groove 113 is about 70.
% Or slightly smaller. The same applies to the second substrate 210.
【００１７】以上の構成の、第２の実施形態のレチクル
１Ａによれば、第１基板１１０と第２基板２１０を接合
することにより、第１基板１１０のＹ方向ラインパター
ン１１２と、第２基板２１０のＸ方向ラインパターン２
１２が重なった領域には、各ラインパターンの幅寸法を
辺寸法とする矩形、ここでは正方形の矩形パターンＰが
マトリクス配置された状態で形成されることになる。そ
して、前記矩形パターンＰの光透過率はほぼ４９％以下
となり、また、前記矩形パターン以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１１２，２１２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となること
は第１の実施形態と同じである。したがって、このレチ
クルを用いて、第１の実施形態で説明したと同様に、露
光機によりフォトレジストに対して露光を行なうことに
より、マトリクス配置した矩形パターンの露光が実現で
きる。According to the reticle 1A of the second embodiment having the above-described structure, the first substrate 110 and the second substrate 210 are joined to form the Y-direction line pattern 112 of the first substrate 110 and the second substrate 210. 210 X-direction line pattern 2
In a region where 12 overlaps, a rectangular pattern P having a width dimension of each line pattern as a side dimension, here, a square rectangular pattern P is formed in a matrix arrangement. The light transmittance of the rectangular pattern P is approximately 49% or less, and the light transmittance of the area other than the rectangular pattern is 70% of the area of each of the line patterns 112 and 212.
Is 100% of the area other than each line pattern as in the first embodiment. Therefore, as described in the first embodiment, exposure of the photoresist by the exposure device using this reticle can realize exposure of a rectangular pattern arranged in a matrix.
【００１８】この第２の実施形態のレチクルにおいて
も、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、フォトリソ
グラフィ工程が増大することもない。また、２枚のレチ
クルを用いる場合のような相対位置決めの必要もなく、
フォトリソグラフィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め
誤差による矩形パターンの精度が低下されることもな
い。さらに、レチクルに光不透過膜を用いて矩形パター
ンを形成する場合のような、パターン寸法の縮小に伴っ
て、所望のパターンを高精度に形成することが困難にな
るようなこともなく、特に角部が丸くなることがない矩
形パターンを高精度に形成することも可能になる。ま
た、このレチクルでは、第１及び第２の各基板１１０，
２１０に形成したラインパターン１１２，２１２は、ガ
ラス基板１１１，２１１の表面内に埋め込み状態に形成
されているため、第１の実施形態のように金属材料をエ
ッチング形成したラインパターンにおいて生じ易いパタ
ーン欠陥を防止する上で有利になる。また、両基板を接
合したときに、両基板間にラインパターン、すなわち金
属材料膜による隙間が生じることはなく、両基板の密着
性を高め、矩形パターンの精度をより高くすることが可
能になる。In the reticle of the second embodiment, a rectangular pattern having a required arrangement can be exposed by one exposure using one reticle, so that the number of photolithography steps may be increased. Absent. Also, there is no need for relative positioning as in the case of using two reticles,
The photolithography process is simplified, and the accuracy of the rectangular pattern due to the relative positioning error is not reduced. Furthermore, as in the case of forming a rectangular pattern using a light opaque film on the reticle, it is not difficult to form a desired pattern with high precision with a reduction in pattern size, particularly, It is also possible to form a rectangular pattern with a rounded corner with high precision. In this reticle, the first and second substrates 110,
Since the line patterns 112 and 212 formed in 210 are embedded in the surfaces of the glass substrates 111 and 211, pattern defects that are likely to occur in the line patterns formed by etching the metal material as in the first embodiment. This is advantageous in preventing In addition, when the two substrates are joined, no line pattern is formed between the two substrates, that is, no gap is formed by the metal material film, the adhesion between the two substrates is increased, and the accuracy of the rectangular pattern can be further improved. .
【００１９】ここで、前記各実施形態では、本発明をマ
トリクス配置した矩形パターンのレチクルについて説明
したが、任意の配置の矩形パターンのレチクルを形成す
る場合においても本発明を適用することが可能である。
例えば、独立した矩形パターンを形成する場合には、第
１及び第２の基板にそれぞれ所要の長さ、幅寸法のＹ方
向ラインパターンとＸ方向ラインパターンが十字状に交
差するように形成することで、所望の位置に所望の辺寸
法の矩形パターンを形成することが可能となる。このよ
うに形成される矩形パターンは、前記第１及び第２の実
施形態で説明したように、角部が丸くなることはなく、
高精度の形状のパターンを得ることが可能になる。Here, in each of the above embodiments, the present invention has been described with respect to a reticle having a rectangular pattern in which the present invention is arranged in a matrix. is there.
For example, when forming independent rectangular patterns, the first and second substrates should be formed such that the Y-direction line pattern and the X-direction line pattern each having a required length and width dimension cross each other. Thus, it is possible to form a rectangular pattern having a desired side dimension at a desired position. As described in the first and second embodiments, the rectangular pattern thus formed does not have rounded corners.
It is possible to obtain a highly accurate pattern.
【００２０】また、本発明は、第１基板と第２基板のい
ずれか一方の基板のラインパターンを金属材料膜のエッ
チングにより形成し、他方の基板のラインパターンを凹
溝内に埋設した金属材料で形成し、これらを向かい合わ
せに接合するように構成してもよい。このようにすれ
ば、一方の基板はこれまでのレチクルの製造方法と同じ
でよく、２枚の基板のそれぞれに凹溝を用いたラインパ
ターンを形成する前記第２の実施形態よりも製造工程を
簡略化することができる一方で、向かい合わせにした両
基板の間の隙間を低減し、密着性を向上し、かつ精度を
向上することが可能になる。Further, according to the present invention, there is provided a metal material in which a line pattern of one of a first substrate and a second substrate is formed by etching a metal material film, and a line pattern of the other substrate is embedded in a concave groove. And may be configured to join them face to face. In this case, one of the substrates is the same as the conventional reticle manufacturing method, and the manufacturing process is smaller than that of the second embodiment in which a line pattern using a concave groove is formed on each of the two substrates. While it can be simplified, the gap between the two substrates facing each other can be reduced, the adhesion can be improved, and the accuracy can be improved.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル
は、第１のパターンを有する第１基板と、第２のパター
ンを有する第２基板とを一体化し、前記第１のパターン
と第２のパターンとの重なる領域を遮光パターンとして
構成しているので、特に矩形パターンの角部は、第１の
パターンと第２のパターンの辺の交差によって構成され
るので、遮光パターンの角部が丸くなるようなこともな
く、高精度な矩形パターンのレチクルを得ることができ
る。また、本発明のレチクルは、１枚のレチクルで構成
されているので、１回の露光で所要の矩形パターンの露
光が可能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大
することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる場合
のような相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフ
ィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パ
ターンの精度を向上することが可能になる。As described above, the reticle of the present invention integrates the first substrate having the first pattern and the second substrate having the second pattern, and forms the first pattern with the second pattern. Since the area overlapping with the pattern is configured as a light-shielding pattern, the corners of the rectangular pattern are particularly formed by intersections of the sides of the first pattern and the second pattern, so that the corners of the light-shielding pattern are rounded. Without such a problem, a highly accurate rectangular pattern reticle can be obtained. Further, since the reticle of the present invention is constituted by one reticle, the required rectangular pattern can be exposed by one exposure, so that the photolithography process does not increase, and This eliminates the need for relative positioning as in the case of using two reticles, simplifies the photolithography process, and improves the accuracy of a rectangular pattern due to a relative positioning error.
【図１】本発明の第１の実施形態のレチクルの平面図と
ＡＡ線断面図である。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view taken along line AA of a reticle according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１のレチクルの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the reticle of FIG.
【図３】図１のレチクルの製造方法を説明するための工
程断面図である。FIG. 3 is a process cross-sectional view for describing a method for manufacturing the reticle of FIG.
【図４】本発明の第２の実施形態のレチクルの断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view of a reticle according to a second embodiment of the present invention.
【図５】図４のレチクルの分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of the reticle of FIG. 4;
【図６】図４のレチクルの製造方法を説明するための工
程断面図である。FIG. 6 is a process sectional view for describing the method for manufacturing the reticle of FIG.
１，１Ａ レチクル １００，１１０ 第１基板 １０１，１１１ 透明ガラス基板 １０２，１１２ Ｙ方向ラインパターン １１３ 凹溝 ２００，２１０ 第２基板 ２０１，２１１ 透明ガラス基板 ２０２，２１２ Ｘ方向ラインパターン ２１３ 凹溝 1,1A Reticle 100,110 First substrate 101,111 Transparent glass substrate 102,112 Y direction line pattern 113 Concave groove 200,210 Second substrate 201,211 Transparent glass substrate 202,212 X direction line pattern 213 Concave groove
Claims (5)
材料で第１のパターンが形成された第１基板と、第２の
透明基板の表面に所要の光透過率の材料で第２のパター
ンが形成された第２基板とを備え、前記第１のパターン
と前記第２のパターンとを向かい合わせにして前記第１
基板と第２基板とを一体化し、前記第１のパターンと第
２のパターンとが重なる領域を遮光パターンとして構成
したことを特徴とするレチクル。1. A first substrate having a first pattern formed on a surface of a first transparent substrate with a material having a low light transmittance, and a second substrate having a surface having a required light transmittance with a material having a required light transmittance. A second substrate having a second pattern formed thereon, wherein the first pattern and the second pattern face each other,
A reticle, wherein a substrate and a second substrate are integrated, and a region where the first pattern and the second pattern overlap is formed as a light shielding pattern.
の少なくとも一方は、前記第１または第２の透明基板の
表面に形成した前記所要の光透過率の材料膜を所要のパ
ターンに形成していることを特徴とする請求項１に記載
のレチクル。2. The method according to claim 1, wherein at least one of the first pattern and the second pattern is formed by forming the material film having the required light transmittance on the surface of the first or second transparent substrate into a required pattern. The reticle according to claim 1, wherein:
の少なくとも一方は、前記第１または第２の透明基板の
表面に所要のパターンに形成した凹溝内に前記所要の光
透過率の材料を埋め込んでいることを特徴とする請求項
１に記載のレチクル。3. A material having the required light transmittance in at least one of the first pattern and the second pattern in a groove formed in a required pattern on the surface of the first or second transparent substrate. 2. The reticle according to claim 1, wherein the reticle is embedded.
域が矩形パターンとして構成されることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載のレチクル。4. The reticle according to claim 1, wherein an area where the first and second patterns overlap is formed as a rectangular pattern.
透過率を略７０％に形成していることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかに記載のレチクル。5. The reticle according to claim 1, wherein the first and second patterns have a light transmittance of about 70%.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A JP2001296650A (en) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | Reticle |
| US09/837,721 US6627357B2 (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | Reticle |
| GB0109412A GB2361551B (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | Reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A JP2001296650A (en) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | Reticle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001296650A true JP2001296650A (en) | 2001-10-26 |
Family
ID=18631768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A Withdrawn JP2001296650A (en) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | Reticle |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6627357B2 (en) |
| JP (1) | JP2001296650A (en) |
| GB (1) | GB2361551B (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002796A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing reticle and forming overlay pattern |
| JP2005533374A (en) * | 2002-07-17 | 2005-11-04 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | Layer transfer method |
| KR20170013750A (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | 주식회사 엘지화학 | Photomask, laminate comprising the photomask, method for manufacturing the photomask and device for forming pattern using the photomask |
| JP2018525652A (en) * | 2015-07-28 | 2018-09-06 | エルジー・ケム・リミテッド | Photomask, laminate including the photomask, method for manufacturing the photomask, pattern forming apparatus using the photomask, and pattern forming method using the photomask |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752673B1 (en) * | 2006-10-17 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | Photo mask having assist pattern and method of fabricating the same |
| CN113514910B (en) * | 2021-04-13 | 2023-04-18 | 长江存储科技有限责任公司 | Diffractive optical element, acquisition method and optical system |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877270A (en) | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of josephson junction device |
| JPS607432A (en) * | 1983-05-31 | 1985-01-16 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | Improved formation of fine metal wire |
| JPS607431A (en) | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | Reticle for manufacturing semiconductor device |
| JPS6245026A (en) | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Photolithography of semiconductor ic |
| JPH06118624A (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | Photomask and semiconductor exposing method using this photomask |
| JPH07106764A (en) | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | Multilayered circuit board of ceramic |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000121054A patent/JP2001296650A/en not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-04-17 GB GB0109412A patent/GB2361551B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-17 US US09/837,721 patent/US6627357B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002796A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing reticle and forming overlay pattern |
| JP2005533374A (en) * | 2002-07-17 | 2005-11-04 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | Layer transfer method |
| JP4740590B2 (en) * | 2002-07-17 | 2011-08-03 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | Layer transfer method |
| KR20170013750A (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | 주식회사 엘지화학 | Photomask, laminate comprising the photomask, method for manufacturing the photomask and device for forming pattern using the photomask |
| JP2018521339A (en) * | 2015-07-28 | 2018-08-02 | エルジー・ケム・リミテッド | Photomask, laminate including the photomask, method for producing the photomask, and pattern formation method using the photomask |
| JP2018525652A (en) * | 2015-07-28 | 2018-09-06 | エルジー・ケム・リミテッド | Photomask, laminate including the photomask, method for manufacturing the photomask, pattern forming apparatus using the photomask, and pattern forming method using the photomask |
| KR102042872B1 (en) * | 2015-07-28 | 2019-11-08 | 주식회사 엘지화학 | Photomask, laminate comprising the photomask, method for manufacturing the photomask and device for forming pattern using the photomask |
| US10732500B2 (en) | 2015-07-28 | 2020-08-04 | Lg Chem, Ltd. | Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, pattern forming apparatus using photomask and pattern forming method using photomask |
| US10747101B2 (en) | 2015-07-28 | 2020-08-18 | Lg Chem, Ltd. | Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2361551B (en) | 2002-06-26 |
| GB2361551A (en) | 2001-10-24 |
| US20010033977A1 (en) | 2001-10-25 |
| US6627357B2 (en) | 2003-09-30 |
| GB0109412D0 (en) | 2001-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100240522B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor ic device | |
| US5723236A (en) | Photomasks and a manufacturing method thereof | |
| JP4301584B2 (en) | Reticle, exposure apparatus using the same, exposure method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2001066757A (en) | Exposure method | |
| JP2001296650A (en) | Reticle | |
| JPH10268505A (en) | Producing device for semiconductor device | |
| JP2000019715A (en) | Double-sided photomask | |
| WO2002065211A1 (en) | Method of manufacturing phase shift mask and phase shift mask | |
| JPH0756320A (en) | Photomask and photomask group | |
| US20060115746A1 (en) | Focus monitoring masks having multiple phase shifter units and methods for fabricating the same | |
| JPH0664337B2 (en) | Photomask for semiconductor integrated circuit | |
| JP3250560B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3120345B2 (en) | Phase shift mask and semiconductor device | |
| JP2007219436A (en) | Exposure mask, method for forming resist pattern and method for forming thin film pattern | |
| JPH0777796A (en) | Mask for exposure and exposure method | |
| JPH08306621A (en) | Method of exposure, aligner and manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| JPH0355815B2 (en) | ||
| JPH1083061A (en) | Phase shift mask, manufacture of phase shift mask, and formation of pattern using phase shift mask | |
| JP3529967B2 (en) | Manufacturing method of photomask blanks with alignment marks | |
| KR20020002062A (en) | Exposure mask and method for fabricating the same | |
| JPH04273243A (en) | Phase shift mask and production thereof | |
| JPH03172848A (en) | Manufacture of photomask | |
| JP2791757B2 (en) | Semiconductor mask and method of manufacturing the same | |
| JPH04285957A (en) | Exposure method and production of reticle | |
| JP3507996B2 (en) | A pair of photomasks and a method for processing front and back surfaces of a transparent substrate using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20031208 |