JP2001295035A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，ＴａおよびＲｕの少なくとも１種の高融点金属を主成分として９５重量％以上含有するスパッタリングターゲットであり、ターゲット組織に一辺が５０μｍの正方形状の測定領域を設定した場合に、上記測定領域に含まれる結晶粒内において発生したバブルの面積割合が１５％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 同一のターゲット面内における上記バブルの面積割合のばらつきが±２０％以内であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】 高融点金属の平均結晶粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】 Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，ＴａおよびＲｕの少なくとも１種の高融点金属は、高純度金属であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】 主成分となる高融点金属がＴｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれた少なくとも１種類の元素を、５重量％未満含有することを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】 Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，ＴａおよびＲｕの少なくとも１種の高融点金属を主成分とする原料粉末を成形・焼結し、相対密度が５０〜９０％である仮焼結体を調製し、しかる後に、得られた仮焼結体を還元雰囲気中で加熱してバブル減少化処理後、緻密化処理して所定形状のターゲットとすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】 バブル減少化処理時の還元雰囲気は、水素雰囲気であることを特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】 バブル減少化処理は、仮焼結体を１５００℃以上の温度で、１６時間以上保持することを特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】 緻密化処理は熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ法）により実施することを特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】 原料粉末の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするスパッタ膜。
【請求項１２】 請求項１１記載のスパッタ膜を構成材の少なくとも一部として具備することを特徴とする半導体デバイス。