JP2001284716A - 外部共振器型レーザ光源 - Google Patents
外部共振器型レーザ光源Info
- Publication number
- JP2001284716A JP2001284716A JP2000095642A JP2000095642A JP2001284716A JP 2001284716 A JP2001284716 A JP 2001284716A JP 2000095642 A JP2000095642 A JP 2000095642A JP 2000095642 A JP2000095642 A JP 2000095642A JP 2001284716 A JP2001284716 A JP 2001284716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- external
- optical fiber
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/143—Littman-Metcalf configuration, e.g. laser - grating - mirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部共振器の発振状態を監視することができ
る外部共振器型レーザ光源を提供する。 【解決手段】 一方の端面に反射防止膜１Ａが施された
半導体レーザ１を備え、この半導体レーザ１の反射防止
膜側の端面からの出射光をレンズ４で平行光に変換し、
この平行光を回折格子２で波長選択したのちミラー３で
再び回折格子２に戻し、再度回折格子２で波長選択して
半導体レーザ１に帰還してレーザ発振させ、ミラー３の
角度によって選択波長を可変するための回転機構を備え
る外部共振器型レーザ光源において、半導体レーザ１の
反射防止膜が施されていない端面からの出射光Ａ、また
は、回折格子２の０次光Ｂのどちらかを光ファイバ９に
結合し、光ファイバ９への結合に用いられていないどち
らかの光を受光するフォトダイオード１４を備える。
る外部共振器型レーザ光源を提供する。 【解決手段】 一方の端面に反射防止膜１Ａが施された
半導体レーザ１を備え、この半導体レーザ１の反射防止
膜側の端面からの出射光をレンズ４で平行光に変換し、
この平行光を回折格子２で波長選択したのちミラー３で
再び回折格子２に戻し、再度回折格子２で波長選択して
半導体レーザ１に帰還してレーザ発振させ、ミラー３の
角度によって選択波長を可変するための回転機構を備え
る外部共振器型レーザ光源において、半導体レーザ１の
反射防止膜が施されていない端面からの出射光Ａ、また
は、回折格子２の０次光Ｂのどちらかを光ファイバ９に
結合し、光ファイバ９への結合に用いられていないどち
らかの光を受光するフォトダイオード１４を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で使用
される外部共振器型レーザ光源に関する。
される外部共振器型レーザ光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の外部共振器型レーザ光源につい
て、図７〜図１２を用いて説明する。図７〜図１１は、
従来の外部共振器型レーザ光源の一例を示す構成図であ
り、図１２は、従来の外部共振器型レーザ光源の周辺構
成を示すブロック図である。図７〜図１１において、１
は半導体レーザ、２は回折格子、３はミラー、４、５、
６はレンズ、７、８は光アイソレータ、９、１０は光フ
ァイバ、１１はビームスプリッタ、１２はバンドパスフ
ィルタ、１３は部分反射鏡である。
て、図７〜図１２を用いて説明する。図７〜図１１は、
従来の外部共振器型レーザ光源の一例を示す構成図であ
り、図１２は、従来の外部共振器型レーザ光源の周辺構
成を示すブロック図である。図７〜図１１において、１
は半導体レーザ、２は回折格子、３はミラー、４、５、
６はレンズ、７、８は光アイソレータ、９、１０は光フ
ァイバ、１１はビームスプリッタ、１２はバンドパスフ
ィルタ、１３は部分反射鏡である。
【０００３】図７に示す従来の外部共振器型レーザ光源
では、半導体レーザ１の片方の端面に反射防止膜１Ａを
施し、この反射防止膜側の端面からの出射光をレンズ４
より平行光に変換する。そして、この平行光を回折格子
２で波長選択したのちミラー３で再び回折格子２に戻
し、再度回折格子２で波長選択して半導体レーザ１に帰
還してレーザ発振させ、前記ミラー３の角度によって選
択波長を可変するための回転機構を備えている。一方、
回折格子２の０次光は、光アイソレータ７を通過して、
レンズ５により集光され、光ファイバ９に結合してい
る。
では、半導体レーザ１の片方の端面に反射防止膜１Ａを
施し、この反射防止膜側の端面からの出射光をレンズ４
より平行光に変換する。そして、この平行光を回折格子
２で波長選択したのちミラー３で再び回折格子２に戻
し、再度回折格子２で波長選択して半導体レーザ１に帰
還してレーザ発振させ、前記ミラー３の角度によって選
択波長を可変するための回転機構を備えている。一方、
回折格子２の０次光は、光アイソレータ７を通過して、
レンズ５により集光され、光ファイバ９に結合してい
る。
【０００４】図８に示す従来の外部共振器型レーザ光源
は、半導体レーザ１と回折格子２との間にビームスプリ
ッタ１１を備えている。ビームスプリッタ１１によって
取り出した帰還光は、光アイソレータ８を通過して、レ
ンズ６により集光され、光ファイバ１０に結合される図
７に示すタイプの外部共振器型レーザ光源である。
は、半導体レーザ１と回折格子２との間にビームスプリ
ッタ１１を備えている。ビームスプリッタ１１によって
取り出した帰還光は、光アイソレータ８を通過して、レ
ンズ６により集光され、光ファイバ１０に結合される図
７に示すタイプの外部共振器型レーザ光源である。
【０００５】図９に示す従来の外部共振器型レーザ光源
は、回折格子２の代わりに膜厚を連続的に変化させたバ
ンドパスフィルタ１２を使用し、ミラーを部分反射鏡１
３にしてバンドパスフィルタ１２の後に配置し、バンド
パスフィルタ１２の位置によって選択波長を可変するた
めのスライド機構を備えている。
は、回折格子２の代わりに膜厚を連続的に変化させたバ
ンドパスフィルタ１２を使用し、ミラーを部分反射鏡１
３にしてバンドパスフィルタ１２の後に配置し、バンド
パスフィルタ１２の位置によって選択波長を可変するた
めのスライド機構を備えている。
【０００６】図１０に示す従来の外部共振器型レーザ光
源は、半導体レーザ１とバンドパスフィルタ１２との間
にビームスプリッタ１１を備えている。ビームスプリッ
タ１１によって取り出される帰還光は、光アイソレータ
８を通過して、レンズ６により集光され、光ファイバ１
０に結合される図９に示すタイプの外部共振器型レーザ
光源である。
源は、半導体レーザ１とバンドパスフィルタ１２との間
にビームスプリッタ１１を備えている。ビームスプリッ
タ１１によって取り出される帰還光は、光アイソレータ
８を通過して、レンズ６により集光され、光ファイバ１
０に結合される図９に示すタイプの外部共振器型レーザ
光源である。
【０００７】図１１に示す従来の外部共振器型レーザ光
源は、ミラー３を使用せずに回折格子２で波長選択して
前記半導体レーザ１に帰還してレーザ発振させ、回折格
子２の角度によって選択波長を可変するための回転機構
を備える図８に示すタイプの外部共振器型レーザ光源で
ある。
源は、ミラー３を使用せずに回折格子２で波長選択して
前記半導体レーザ１に帰還してレーザ発振させ、回折格
子２の角度によって選択波長を可変するための回転機構
を備える図８に示すタイプの外部共振器型レーザ光源で
ある。
【０００８】また、図１２に示す従来の外部共振器型レ
ーザ光源のブロック図において、１５は波長モニタ、１
６は、後述する回転機構やスライド機構から成る波長可
変機構、２０は光カプラ、２１は光出力モニタ、２３は
半導体レーザ駆動回路、２４は波長可変機構駆動回路で
ある。
ーザ光源のブロック図において、１５は波長モニタ、１
６は、後述する回転機構やスライド機構から成る波長可
変機構、２０は光カプラ、２１は光出力モニタ、２３は
半導体レーザ駆動回路、２４は波長可変機構駆動回路で
ある。
【０００９】上記構成を有する外部共振型レーザ光源で
は、出力用光ファイバの光を光カプラ２０等で分岐して
光出力モニタ２１と波長モニタ１５に入射する。そして
光出力モニタ２１の信号を半導体レーザ駆動回路２３に
帰還して半導体レーザ１の駆動電流を光出力が一定にな
るように制御する（ＡＰＣ駆動）と共に、波長モニタ１
５の信号を波長可変機構駆動回路２４に帰還して波長可
変機構１６を設定波長で発振するように制御している。
は、出力用光ファイバの光を光カプラ２０等で分岐して
光出力モニタ２１と波長モニタ１５に入射する。そして
光出力モニタ２１の信号を半導体レーザ駆動回路２３に
帰還して半導体レーザ１の駆動電流を光出力が一定にな
るように制御する（ＡＰＣ駆動）と共に、波長モニタ１
５の信号を波長可変機構駆動回路２４に帰還して波長可
変機構１６を設定波長で発振するように制御している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の外部共
振器型レーザ光源において、常に安定した単一波長で発
振させるには、外部共振器の発振が最適な状態になって
いなければならない。一方、外部共振器を構成している
光学部品の位置精度は非常に高く、このため、温度や湿
度といった環境変化等により、外部共振器を構成してい
る光学部品が位置ずれし、外部共振器の発振状態が劣化
することがあり、外部共振器の発振状態を監視して、外
部共振器の発振が最適な状態を維持するように補正する
ことが必要となっている。
振器型レーザ光源において、常に安定した単一波長で発
振させるには、外部共振器の発振が最適な状態になって
いなければならない。一方、外部共振器を構成している
光学部品の位置精度は非常に高く、このため、温度や湿
度といった環境変化等により、外部共振器を構成してい
る光学部品が位置ずれし、外部共振器の発振状態が劣化
することがあり、外部共振器の発振状態を監視して、外
部共振器の発振が最適な状態を維持するように補正する
ことが必要となっている。
【００１１】外部共振器の発振状態は、外部共振器内の
光パワーが最大の時に最適な位置であり、外部共振器内
の光パワー変化をフォトダイオードで計測することで、
外部共振器の発振状態を監視することができる。しかし
ながら、従来の外部共振器型レーザ光源では、光出力モ
ニタで光パワーの計測をしているが、出力用光ファイバ
の光を光カプラ等で分岐して入力しているため、信号に
光ファイバへの結合状態の環境変化による変動や光ファ
イバでの伝搬状態の環境変化等による変動が含まれてい
る。
光パワーが最大の時に最適な位置であり、外部共振器内
の光パワー変化をフォトダイオードで計測することで、
外部共振器の発振状態を監視することができる。しかし
ながら、従来の外部共振器型レーザ光源では、光出力モ
ニタで光パワーの計測をしているが、出力用光ファイバ
の光を光カプラ等で分岐して入力しているため、信号に
光ファイバへの結合状態の環境変化による変動や光ファ
イバでの伝搬状態の環境変化等による変動が含まれてい
る。
【００１２】このため、光出力モニタは信号を半導体レ
ーザ駆動回路に帰還して半導体レーザの駆動電流を光出
力が一定になるように制御する（ＡＰＣ駆動：Automati
c PowerControl）には有効であるが、外部共振器内の
光パワー変化を正確に計測することができなく、外部共
振器の発振状態を正確に監視することができない。
ーザ駆動回路に帰還して半導体レーザの駆動電流を光出
力が一定になるように制御する（ＡＰＣ駆動：Automati
c PowerControl）には有効であるが、外部共振器内の
光パワー変化を正確に計測することができなく、外部共
振器の発振状態を正確に監視することができない。
【００１３】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、波長可変機構を持つ外部共振型レーザ光源におい
て、半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、前記回折格子の０次光、ビームスプリッタ
の反射光のいずれかを光ファイバに結合し、光ファイバ
への結合に用いられないいずれかの光を受光するフォト
ダイオードを備えることにより、外部共振器内の光パワ
ー変化を正確に計測し、このことにより、外部共振器の
発振状態を正確に監視することのできる外部共振型半導
体レーザ光源を提供することを目的とする。
あり、波長可変機構を持つ外部共振型レーザ光源におい
て、半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、前記回折格子の０次光、ビームスプリッタ
の反射光のいずれかを光ファイバに結合し、光ファイバ
への結合に用いられないいずれかの光を受光するフォト
ダイオードを備えることにより、外部共振器内の光パワ
ー変化を正確に計測し、このことにより、外部共振器の
発振状態を正確に監視することのできる外部共振型半導
体レーザ光源を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、一方の端面に反射防止膜
が施された半導体レーザと、前記半導体レーザの反射防
止膜側の端面から得られる出射光を平行光に変換し、こ
の平行光を回折格子で波長選択したのちミラーで前記回
折格子に戻し、再度前記回折格子で波長選択して前記半
導体レーザに帰還してレーザ発振させ、前記ミラーの角
度によって選択波長を可変とする回転機構とを備える外
部共振器型レーザ光源において、前記半導体レーザの反
射防止膜が施されていない端面からの出射光、もしくは
前記回折格子の０次光のいずれか一方を光ファイバに結
合し、前記光ファイバへの結合に用いられない他方の光
を受光するフォトダイオードを備えることとした。上記
構成により、ミラーの角度によって選択波長を可変とす
る回転機構を備え、任意波長を選択できる外部共振型レ
ーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モニ
タ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できる。
め、請求項１に記載の発明は、一方の端面に反射防止膜
が施された半導体レーザと、前記半導体レーザの反射防
止膜側の端面から得られる出射光を平行光に変換し、こ
の平行光を回折格子で波長選択したのちミラーで前記回
折格子に戻し、再度前記回折格子で波長選択して前記半
導体レーザに帰還してレーザ発振させ、前記ミラーの角
度によって選択波長を可変とする回転機構とを備える外
部共振器型レーザ光源において、前記半導体レーザの反
射防止膜が施されていない端面からの出射光、もしくは
前記回折格子の０次光のいずれか一方を光ファイバに結
合し、前記光ファイバへの結合に用いられない他方の光
を受光するフォトダイオードを備えることとした。上記
構成により、ミラーの角度によって選択波長を可変とす
る回転機構を備え、任意波長を選択できる外部共振型レ
ーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モニ
タ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できる。
【００１５】また、請求項２に記載の発明は、前記半導
体レーザと前記回折格子の間にビームスプリッタを備
え、前記ビームスプリッタによって取り出された帰還光
を光ファイバに結合する請求項１に記載の外部共振器型
レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜が
施されていない端面からの出射光、前記回折格子の０次
光、前記ビームスプリッタの反射光の何れかを光ファイ
バに結合し、前記光ファイバへの結合に用いられない何
れかの光を受光するフォトダイオードを備えることとし
た。上記構成により、自然放出光成分の無い極めて純粋
な単一波長光を得ることができる外部共振器型レーザ光
源において、フォトダイオード（外部共振器モニタ）に
より外部共振器内の光パワー変化を正確に計測すること
ができ、外部共振器の発振状態を監視することができ
る。
体レーザと前記回折格子の間にビームスプリッタを備
え、前記ビームスプリッタによって取り出された帰還光
を光ファイバに結合する請求項１に記載の外部共振器型
レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜が
施されていない端面からの出射光、前記回折格子の０次
光、前記ビームスプリッタの反射光の何れかを光ファイ
バに結合し、前記光ファイバへの結合に用いられない何
れかの光を受光するフォトダイオードを備えることとし
た。上記構成により、自然放出光成分の無い極めて純粋
な単一波長光を得ることができる外部共振器型レーザ光
源において、フォトダイオード（外部共振器モニタ）に
より外部共振器内の光パワー変化を正確に計測すること
ができ、外部共振器の発振状態を監視することができ
る。
【００１６】請求項３に記載の発明は、膜厚を連続的に
変化させたバンドパスフィルタを使用し、ミラーを部分
反射鏡にして前記バンドパスフィルタの後に配置し、前
記バンドパスフィルタの位置によって選択波長を可変と
するスライド機構を備える外部共振型レーザ光源におい
て、前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端
面からの出射光、もしくは前記部分反射鏡の透過光のい
ずれか一方を光ファイバに結合し、前記光ファイバへの
結合に用いられない他方の光を受光するフォトダイオー
ドを備えることとした。上記構成により、バンドパスフ
ィルタの選択波長を可変するためのスライド機構を備
え、任意の波長を選択できる外部共振型レーザ光源にお
いて、フォトダイオード（外部共振器モニタ）により外
部共振器内の光パワー変化を正確に計測することがで
き、外部共振器の発振状態を監視することができる。
変化させたバンドパスフィルタを使用し、ミラーを部分
反射鏡にして前記バンドパスフィルタの後に配置し、前
記バンドパスフィルタの位置によって選択波長を可変と
するスライド機構を備える外部共振型レーザ光源におい
て、前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端
面からの出射光、もしくは前記部分反射鏡の透過光のい
ずれか一方を光ファイバに結合し、前記光ファイバへの
結合に用いられない他方の光を受光するフォトダイオー
ドを備えることとした。上記構成により、バンドパスフ
ィルタの選択波長を可変するためのスライド機構を備
え、任意の波長を選択できる外部共振型レーザ光源にお
いて、フォトダイオード（外部共振器モニタ）により外
部共振器内の光パワー変化を正確に計測することがで
き、外部共振器の発振状態を監視することができる。
【００１７】請求項４に記載の発明は、前記半導体レー
ザと前記バンドパスフィルタの間にビームスプリッタを
備え、前記ビームスプリッタによって取り出された帰還
光を光ファイバに結合する請求項３に記載の外部共振器
型レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜
が施されていない端面からの出射光、前記ビームスプリ
ッタの反射光、前記部分反射鏡の透過光の何れかを前記
光ファイバに結合し、前記光ファイバへの結合に用いら
れない何れかの光を受光するフォトダイオードを備える
こととした。上記構成により、自然放出光成分の無い極
めて純粋な単一波長光を得ることができる外部共振器型
レーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モ
ニタ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測
することができ、外部共振器の発振状態を監視すること
ができる。
ザと前記バンドパスフィルタの間にビームスプリッタを
備え、前記ビームスプリッタによって取り出された帰還
光を光ファイバに結合する請求項３に記載の外部共振器
型レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜
が施されていない端面からの出射光、前記ビームスプリ
ッタの反射光、前記部分反射鏡の透過光の何れかを前記
光ファイバに結合し、前記光ファイバへの結合に用いら
れない何れかの光を受光するフォトダイオードを備える
こととした。上記構成により、自然放出光成分の無い極
めて純粋な単一波長光を得ることができる外部共振器型
レーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モ
ニタ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測
することができ、外部共振器の発振状態を監視すること
ができる。
【００１８】請求項５に記載の発明は、前記ミラーを使
用せずに前記回折格子で波長選択して前記半導体レーザ
に帰還させ、前記回折格子の角度によって選択波長を可
変とする回転機構を備えた請求項２に記載の外部共振器
型レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜
が施されていない端面からの出射光、もしくは前記ビー
ムスプリッタの反射光の一方を光ファイバに結合し、前
記光ファイバへの結合に用いられない他方の光を受光す
るフォトダイオードを備えることとした。上記構成によ
り、回折格子の角度によって選択波長を可変するための
回転機構を備え、任意の波長を選択できる外部共振器型
レーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モ
ニタ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測
することができ、外部共振器の発振状態を監視すること
ができる。
用せずに前記回折格子で波長選択して前記半導体レーザ
に帰還させ、前記回折格子の角度によって選択波長を可
変とする回転機構を備えた請求項２に記載の外部共振器
型レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜
が施されていない端面からの出射光、もしくは前記ビー
ムスプリッタの反射光の一方を光ファイバに結合し、前
記光ファイバへの結合に用いられない他方の光を受光す
るフォトダイオードを備えることとした。上記構成によ
り、回折格子の角度によって選択波長を可変するための
回転機構を備え、任意の波長を選択できる外部共振器型
レーザ光源において、フォトダイオード（外部共振器モ
ニタ）により外部共振器内の光パワー変化を正確に計測
することができ、外部共振器の発振状態を監視すること
ができる。
【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請
求項５のいずれか１項に記載の外部共振器型レーザ光源
において、前記フォトダイオードの信号を外部共振器補
正機構駆動回路に帰還させ、外部共振器の発振が所定の
状態になるように外部共振器補正機構を制御することと
した。上記構成により、フォトダイオードで外部共振器
内の光パワー変化を正確に計測することができ、外部共
振器の発振状態を監視することができるので、フォトダ
イオード（外部共振器モニタ）の信号を外部共振器補正
機構駆動回路に帰還させ、外部共振器内の光パワーが最
大になるように外部共振器補正機構を制御して、外部共
振器の発振が最適な状態を維持するように補正すること
ができる。
求項５のいずれか１項に記載の外部共振器型レーザ光源
において、前記フォトダイオードの信号を外部共振器補
正機構駆動回路に帰還させ、外部共振器の発振が所定の
状態になるように外部共振器補正機構を制御することと
した。上記構成により、フォトダイオードで外部共振器
内の光パワー変化を正確に計測することができ、外部共
振器の発振状態を監視することができるので、フォトダ
イオード（外部共振器モニタ）の信号を外部共振器補正
機構駆動回路に帰還させ、外部共振器内の光パワーが最
大になるように外部共振器補正機構を制御して、外部共
振器の発振が最適な状態を維持するように補正すること
ができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図６に示す図面を参
照して本発明実施形態の動作について詳細に説明する。
図１〜図５は、本発明による外部共振器型レーザ光源の
一実施形態を示す構成図、図６は、本発明による外部共
振器型レーザ光源の周辺構成を示すブロック図である。
図１〜図５において、１は半導体レーザ、２は回折格
子、３はミラー、４、５、６はレンズ、７、８は光アイ
ソレータ、９、１０は光ファイバ、１１はビームスプリ
ッタ、１２はバンドパスフィルタ、１３は部分反射鏡、
１４はフォトダイオードである。
照して本発明実施形態の動作について詳細に説明する。
図１〜図５は、本発明による外部共振器型レーザ光源の
一実施形態を示す構成図、図６は、本発明による外部共
振器型レーザ光源の周辺構成を示すブロック図である。
図１〜図５において、１は半導体レーザ、２は回折格
子、３はミラー、４、５、６はレンズ、７、８は光アイ
ソレータ、９、１０は光ファイバ、１１はビームスプリ
ッタ、１２はバンドパスフィルタ、１３は部分反射鏡、
１４はフォトダイオードである。
【００２１】図１に示す外部共振器型レーザ光源では、
半導体レーザ１の片方の端面には反射防止膜１Ａを施し
ており、この半導体レーザ１の反射防止膜側の端面から
の出射光をレンズ４より平行光に変換し、この平行光を
回折格子２に入射している。この回折格子２に入射した
平行光は波長ごとに放射状に分光され、ミラー３の反射
面に対して垂直入射となる波長の光は再度回折格子２に
入射し、再び分光された後、元の光路をたどり半導体レ
ーザ１に帰還されレーザ発振する。上記構成はリットマ
ン方式と呼ばれ、外部共振器内で光が回折格子２により
往復で２回波長選択されるため波長選択性に優れ、最も
一般的な方法のひとつとして知られている。
半導体レーザ１の片方の端面には反射防止膜１Ａを施し
ており、この半導体レーザ１の反射防止膜側の端面から
の出射光をレンズ４より平行光に変換し、この平行光を
回折格子２に入射している。この回折格子２に入射した
平行光は波長ごとに放射状に分光され、ミラー３の反射
面に対して垂直入射となる波長の光は再度回折格子２に
入射し、再び分光された後、元の光路をたどり半導体レ
ーザ１に帰還されレーザ発振する。上記構成はリットマ
ン方式と呼ばれ、外部共振器内で光が回折格子２により
往復で２回波長選択されるため波長選択性に優れ、最も
一般的な方法のひとつとして知られている。
【００２２】上記構成において、ミラー３の角度を変え
るとミラー３の反射面に対して垂直入射となる波長を変
化することが可能であり、ミラー３の角度によって選択
波長を可変するための回転機構を備えている。ここで、
ミラー回転中心位置Ｘは、半導体レーザ１の反射防止膜
が施されていない端面の、回折格子２に対する光学的位
置を起点にして、光軸に対し垂直に延ばした線と、回折
格子２の回折面の延長線との交点と一致させ、ミラー３
の反射面の延長線が先の交点を通過するようにミラー３
を配置することが望ましく、この場合、波長可変時にモ
ードホップによる瞬断のない連続的な可変が可能とな
る。
るとミラー３の反射面に対して垂直入射となる波長を変
化することが可能であり、ミラー３の角度によって選択
波長を可変するための回転機構を備えている。ここで、
ミラー回転中心位置Ｘは、半導体レーザ１の反射防止膜
が施されていない端面の、回折格子２に対する光学的位
置を起点にして、光軸に対し垂直に延ばした線と、回折
格子２の回折面の延長線との交点と一致させ、ミラー３
の反射面の延長線が先の交点を通過するようにミラー３
を配置することが望ましく、この場合、波長可変時にモ
ードホップによる瞬断のない連続的な可変が可能とな
る。
【００２３】本実施形態において、回折格子２の０次光
Ｂは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１の反射
防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、フォト
ダイオード１４で受光されている。なお、光ファイバ９
に結合する光と、フォトダイオード１４で受光する光
は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない端面
からの出射光Ａ、または、回折格子２の０次光Ｂのどち
らでも良い。
Ｂは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１の反射
防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、フォト
ダイオード１４で受光されている。なお、光ファイバ９
に結合する光と、フォトダイオード１４で受光する光
は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない端面
からの出射光Ａ、または、回折格子２の０次光Ｂのどち
らでも良い。
【００２４】図２に示す実施形態は、半導体レーザ１と
回折格子２との間に回折格子２から半導体レーザ１に帰
還する帰還光の一部を取り出すビームスプリッタ１１を
備え、ビームスプリッタ１１によって取り出した帰還光
は、光アイソレータ８を通過して、レンズ６により集光
され、光ファイバ１０に結合している図１に示すタイプ
の外部共振器型レーザ光源である。この帰還光は回折格
子２により往復で２回波長選択された直後の光であるた
め、半導体レーザ１から放出される自然放出光成分の無
い極めて単一波長光を得ることができる。このことは、
例えば、平成１１年５月１１に公開された、特開平１１
−１２６９４３号広報「外部共振器型光源」に詳細に開
示されている。
回折格子２との間に回折格子２から半導体レーザ１に帰
還する帰還光の一部を取り出すビームスプリッタ１１を
備え、ビームスプリッタ１１によって取り出した帰還光
は、光アイソレータ８を通過して、レンズ６により集光
され、光ファイバ１０に結合している図１に示すタイプ
の外部共振器型レーザ光源である。この帰還光は回折格
子２により往復で２回波長選択された直後の光であるた
め、半導体レーザ１から放出される自然放出光成分の無
い極めて単一波長光を得ることができる。このことは、
例えば、平成１１年５月１１に公開された、特開平１１
−１２６９４３号広報「外部共振器型光源」に詳細に開
示されている。
【００２５】本実施形態では、回折格子２の０次光Ｂ
は、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集光
され、光ファイバ９に結合し、ビームスプリッタ１１の
反射光Ｃは、フォトダイオード１４で受光されている。
なお、光ファイバ９に結合する光と、フォトダイオード
１４で受光する光は、半導体レーザ１の反射防止膜が施
されていない端面からの出射光Ａ、または、回折格子２
の０次光Ｂ、または、ビームスプリッタ１１の反射光Ｃ
の何れでも良い。
は、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集光
され、光ファイバ９に結合し、ビームスプリッタ１１の
反射光Ｃは、フォトダイオード１４で受光されている。
なお、光ファイバ９に結合する光と、フォトダイオード
１４で受光する光は、半導体レーザ１の反射防止膜が施
されていない端面からの出射光Ａ、または、回折格子２
の０次光Ｂ、または、ビームスプリッタ１１の反射光Ｃ
の何れでも良い。
【００２６】図３に示す実施形態は、回折格子２の代わ
りに膜厚を連続的に変化させたバンドパスフィルタ１２
を使用すると共に、ミラーを部分反射鏡１３にしてバン
ドパスフィルタ１２の後に配置されている。このバンド
パスフィルタ１２に入射した平行光は選択された波長の
み透過し、部分反射鏡１３で反射され、再度バンドパス
フィルタ１２を透過して半導体レーザ１に帰還されレー
ザ発振する。バンドパスフィルタ１２を膜厚変化方向に
スライドさせるとバンドパスフィルタ１２を通過する波
長を変化することが可能であり、バンドパスフィルタ１
２の位置によって選択波長を可変するためのスライド機
構を備えている。
りに膜厚を連続的に変化させたバンドパスフィルタ１２
を使用すると共に、ミラーを部分反射鏡１３にしてバン
ドパスフィルタ１２の後に配置されている。このバンド
パスフィルタ１２に入射した平行光は選択された波長の
み透過し、部分反射鏡１３で反射され、再度バンドパス
フィルタ１２を透過して半導体レーザ１に帰還されレー
ザ発振する。バンドパスフィルタ１２を膜厚変化方向に
スライドさせるとバンドパスフィルタ１２を通過する波
長を変化することが可能であり、バンドパスフィルタ１
２の位置によって選択波長を可変するためのスライド機
構を備えている。
【００２７】本実施形態では、部分反射鏡１３の透過光
Ｄは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１の反射
防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、フォト
ダイオード１４で受光されている。なお、光ファイバ９
に結合する光と、フォトダイオード１４で受光する光
は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない端面
からの出射光Ａ、または、部分反射鏡１３の透過光Ｄの
どちらでも良い。
Ｄは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１の反射
防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、フォト
ダイオード１４で受光されている。なお、光ファイバ９
に結合する光と、フォトダイオード１４で受光する光
は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない端面
からの出射光Ａ、または、部分反射鏡１３の透過光Ｄの
どちらでも良い。
【００２８】図４に示す実施形態は、半導体レーザ１と
バンドパスフィルタ１２との間にバンドパスフィルタ１
２から半導体レーザ１に帰還する帰還光の一部を取り出
すビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１
によって取り出した帰還光は、光アイソレータ８を通過
して、レンズ６により集光され、光ファイバ１０に結合
している図３に示すタイプの外部共振器型レーザ光源で
ある。この帰還光はバンドパスフィルタ１２により往復
で２回波長選択された直後の光であるため、半導体レー
ザ１から放出される自然放出光成分の無い極めて単一波
長光を得ることができる。このことは先の特開平１１−
１２６９４３「外部共振器型光源」を参照して明らかで
ある。
バンドパスフィルタ１２との間にバンドパスフィルタ１
２から半導体レーザ１に帰還する帰還光の一部を取り出
すビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１
によって取り出した帰還光は、光アイソレータ８を通過
して、レンズ６により集光され、光ファイバ１０に結合
している図３に示すタイプの外部共振器型レーザ光源で
ある。この帰還光はバンドパスフィルタ１２により往復
で２回波長選択された直後の光であるため、半導体レー
ザ１から放出される自然放出光成分の無い極めて単一波
長光を得ることができる。このことは先の特開平１１−
１２６９４３「外部共振器型光源」を参照して明らかで
ある。
【００２９】本実施形態では、部分反射鏡１３の透過光
Ｄは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、ビームスプリッタ１１
の反射光Ｃは、フォトダイオード１４で受光されてい
る。なお、光ファイバ９に結合する光と、フォトダイオ
ード１４で受光する光は、半導体レーザ１の反射防止膜
が施されていない端面からの出射光Ａ、または、ビーム
スプリッタ１１の反射光Ｃ、または、部分反射鏡１３の
透過光Ｄの何れでも良い。また、部分反射鏡１３の代わ
りにミラー３を使用した場合は、光ファイバ９に結合す
る光と、フォトダイオード１４で受光する光は、半導体
レーザ１の反射防止膜が施されていない端面からの出射
光Ａ、または、ビームスプリッタ１１の反射光Ｃのどち
らでも良い。
Ｄは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５により集
光され、光ファイバ９に結合し、ビームスプリッタ１１
の反射光Ｃは、フォトダイオード１４で受光されてい
る。なお、光ファイバ９に結合する光と、フォトダイオ
ード１４で受光する光は、半導体レーザ１の反射防止膜
が施されていない端面からの出射光Ａ、または、ビーム
スプリッタ１１の反射光Ｃ、または、部分反射鏡１３の
透過光Ｄの何れでも良い。また、部分反射鏡１３の代わ
りにミラー３を使用した場合は、光ファイバ９に結合す
る光と、フォトダイオード１４で受光する光は、半導体
レーザ１の反射防止膜が施されていない端面からの出射
光Ａ、または、ビームスプリッタ１１の反射光Ｃのどち
らでも良い。
【００３０】図５に示す実施形態は、ミラー３を使用せ
ずに回折格子２で波長選択して半導体レーザに帰還させ
る図２に示すタイプの外部共振器型レーザ光源である。
この回折格子２に入射した平行光は波長ごとに放射状に
分光され、元の光路と一致する波長のみ半導体レーザ１
に帰還されレーザ発振する。この構成は、リトロー方式
と呼ばれ、最も基本的な方法のひとつとして知られてい
る。回折格子２の角度を変えると回折格子２で分光され
た光の中で元の光路と一致する波長を変化することが可
能であり、回折格子２の角度によって選択波長を可変す
るための回転機構を備えている。
ずに回折格子２で波長選択して半導体レーザに帰還させ
る図２に示すタイプの外部共振器型レーザ光源である。
この回折格子２に入射した平行光は波長ごとに放射状に
分光され、元の光路と一致する波長のみ半導体レーザ１
に帰還されレーザ発振する。この構成は、リトロー方式
と呼ばれ、最も基本的な方法のひとつとして知られてい
る。回折格子２の角度を変えると回折格子２で分光され
た光の中で元の光路と一致する波長を変化することが可
能であり、回折格子２の角度によって選択波長を可変す
るための回転機構を備えている。
【００３１】本実施形態では、ビームスプリッタ１１の
反射光Ｃは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５に
より集光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１
の反射防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、
フォトダイオード１４で受光されている。なお、光ファ
イバ９に結合する光と、フォトダイオード１４で受光す
る光は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない
端面からの出射光Ａ、または、ビームスプリッタ１１の
反射光Ｃのどちらでも良い。
反射光Ｃは、光アイソレータ７を通過して、レンズ５に
より集光され、光ファイバ９に結合し、半導体レーザ１
の反射防止膜が施されていない端面からの出射光Ａは、
フォトダイオード１４で受光されている。なお、光ファ
イバ９に結合する光と、フォトダイオード１４で受光す
る光は、半導体レーザ１の反射防止膜が施されていない
端面からの出射光Ａ、または、ビームスプリッタ１１の
反射光Ｃのどちらでも良い。
【００３２】図６に本発明の外部共振器型レーザ光源の
周辺構成がブロック図で示されている。図において、１
５は波長モニタ、１６は、回転機構やスライド機構から
成る波長可変機構、２０は光カプラ、２１は光出力モニ
タ、２３は半導体レーザ駆動回路、２４は波長可変機構
駆動回路、２５は外部共振器補正機構、２６は外部共振
器補正機構駆動回路である。
周辺構成がブロック図で示されている。図において、１
５は波長モニタ、１６は、回転機構やスライド機構から
成る波長可変機構、２０は光カプラ、２１は光出力モニ
タ、２３は半導体レーザ駆動回路、２４は波長可変機構
駆動回路、２５は外部共振器補正機構、２６は外部共振
器補正機構駆動回路である。
【００３３】ここでは、図１〜図５の何れかに示す外部
共振器型レーザ光源の実施形態において、フォトダイオ
ード１４（外部共振器モニタ）の信号を外部共振器補正
機構駆動回路２６に帰還させ、外部共振器内の光パワー
が最大になるように外部共振器補正機構２５を制御し
て、外部共振器の発振が最適な状態を維持するように補
正している。ここで、外部共振器の発振における最適な
状態とは、単一波長で安定して発振する状態である。外
部共振器補正機構２５とは、外部共振器を構成する回折
格子２、または、ミラー３、または、部分反射鏡１３に
取り付けられ、光学部品の煽り位置補正、または、外部
共振器長の補正を行うピエゾ素子等で構成される機構で
ある。
共振器型レーザ光源の実施形態において、フォトダイオ
ード１４（外部共振器モニタ）の信号を外部共振器補正
機構駆動回路２６に帰還させ、外部共振器内の光パワー
が最大になるように外部共振器補正機構２５を制御し
て、外部共振器の発振が最適な状態を維持するように補
正している。ここで、外部共振器の発振における最適な
状態とは、単一波長で安定して発振する状態である。外
部共振器補正機構２５とは、外部共振器を構成する回折
格子２、または、ミラー３、または、部分反射鏡１３に
取り付けられ、光学部品の煽り位置補正、または、外部
共振器長の補正を行うピエゾ素子等で構成される機構で
ある。
【００３４】本発明は、本発明は、必ずしも上記実施形
態に限定されるものではなく、フォトダイオード（外部
共振器モニタ）１４の信号を外部共振器補正機構駆動回
路２６に帰還させ、外部共振器内の光パワーが最大にな
るように外部共振器補正機構２５を制御して、外部共振
器の発振が最適な状態を維持する範囲で種々の変形が容
易に可能である。
態に限定されるものではなく、フォトダイオード（外部
共振器モニタ）１４の信号を外部共振器補正機構駆動回
路２６に帰還させ、外部共振器内の光パワーが最大にな
るように外部共振器補正機構２５を制御して、外部共振
器の発振が最適な状態を維持する範囲で種々の変形が容
易に可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明のように請求項１に記載の発明
によれば、ミラーの角度によって選択波長を可変とする
回転機構を備え、任意波長を選択できる外部共振型レー
ザ光源において、光ファイバへの結合に用いられていな
いどちらかの光を受光するフォトダイオードを備えてい
るので、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測する
ことができ、外部共振器の発振状態を監視することがで
きる。また、請求項２に記載の発明によれば、自然放出
光成分の無い極めて純粋な単一波長光を得ることができ
る外部共振器型レーザ光源において、フォトダイオード
（外部共振器モニタ）により外部共振器内の光パワー変
化を正確に計測することができ、外部共振器の発振状態
を監視することができる。
によれば、ミラーの角度によって選択波長を可変とする
回転機構を備え、任意波長を選択できる外部共振型レー
ザ光源において、光ファイバへの結合に用いられていな
いどちらかの光を受光するフォトダイオードを備えてい
るので、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測する
ことができ、外部共振器の発振状態を監視することがで
きる。また、請求項２に記載の発明によれば、自然放出
光成分の無い極めて純粋な単一波長光を得ることができ
る外部共振器型レーザ光源において、フォトダイオード
（外部共振器モニタ）により外部共振器内の光パワー変
化を正確に計測することができ、外部共振器の発振状態
を監視することができる。
【００３６】請求項３に記載の発明によれば、バンドパ
スフィルタの位置によって選択波長を可変するためのス
ライド機構を備えることにより任意の波長を選択できる
外部共振型レーザ光源において、光ファイバへの結合に
用いられていないどちらかの光を受光するフォトダイオ
ードを備えているので、外部共振器内の光パワー変化を
正確に計測することができ、外部共振器の発振状態を監
視することができる。また、請求項４に記載の発明によ
れば、ビームスプリッタによって取り出した帰還光を光
ファイバに結合するので自然放出光成分の無い極めて純
粋な単一波長光を得ることができる外部共振器型レーザ
光源において、光ファイバへの結合に用いられていない
何れかの光を受光するフォトダイオードを備えているの
で、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測すること
ができ、外部共振器の発振状態を監視することができ
る。
スフィルタの位置によって選択波長を可変するためのス
ライド機構を備えることにより任意の波長を選択できる
外部共振型レーザ光源において、光ファイバへの結合に
用いられていないどちらかの光を受光するフォトダイオ
ードを備えているので、外部共振器内の光パワー変化を
正確に計測することができ、外部共振器の発振状態を監
視することができる。また、請求項４に記載の発明によ
れば、ビームスプリッタによって取り出した帰還光を光
ファイバに結合するので自然放出光成分の無い極めて純
粋な単一波長光を得ることができる外部共振器型レーザ
光源において、光ファイバへの結合に用いられていない
何れかの光を受光するフォトダイオードを備えているの
で、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測すること
ができ、外部共振器の発振状態を監視することができ
る。
【００３７】請求項５に記載の発明によれば、回折格子
の角度によって選択波長を可変するための回転機構を備
えることにより任意の波長を選択できる外部共振器型レ
ーザ光源において、光ファイバへの結合に用いられてい
ないどちらかの光を受光するフォトダイオードを備えて
いるので、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できる。
の角度によって選択波長を可変するための回転機構を備
えることにより任意の波長を選択できる外部共振器型レ
ーザ光源において、光ファイバへの結合に用いられてい
ないどちらかの光を受光するフォトダイオードを備えて
いるので、外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できる。
【００３８】請求項６に記載の発明によれば、フォトダ
イオードで外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できるので、フォトダイオード（外部共振器モニタ）の
信号を外部共振器補正機構駆動回路に帰還させ、外部共
振器内の光パワーが最大になるように外部共振器補正機
構を制御して、外部共振器の発振が最適な状態を維持す
るように補正することができる。
イオードで外部共振器内の光パワー変化を正確に計測す
ることができ、外部共振器の発振状態を監視することが
できるので、フォトダイオード（外部共振器モニタ）の
信号を外部共振器補正機構駆動回路に帰還させ、外部共
振器内の光パワーが最大になるように外部共振器補正機
構を制御して、外部共振器の発振が最適な状態を維持す
るように補正することができる。
【図１】 本発明による外部共振器型レーザ光源の一実
施形態を示す構成図である。
施形態を示す構成図である。
【図２】 本発明による外部共振器型レーザ光源の他の
実施形態を示す構成図である。
実施形態を示す構成図である。
【図３】 本発明による外部共振器型レーザ光源の更に
他の実施形態を示す構成図である。
他の実施形態を示す構成図である。
【図４】 本発明による外部共振器型レーザ光源の更に
他の実施形態を示す構成図である。
他の実施形態を示す構成図である。
【図５】 本発明による外部共振器型レーザ光源の更に
他の実施形態を示す構成図である。
他の実施形態を示す構成図である。
【図６】 本発明による外部共振器型レーザ光源の周辺
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図７】 従来における外部共振器型レーザ光源の一例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図８】 従来における外部共振器型レーザ光源の他の
一例を示す構成図である。
一例を示す構成図である。
【図９】 従来における外部共振器型レーザ光源の更に
他の一例を示す構成図である。
他の一例を示す構成図である。
【図１０】 従来における外部共振器型レーザ光源の更
に他の一例を示す構成図である。
に他の一例を示す構成図である。
【図１１】 従来における外部共振器型レーザ光源の更
に他の一例を示す構成図である。
に他の一例を示す構成図である。
【図１２】 従来における外部共振器型レーザ光源の周
辺構成を示すブロック図である。
辺構成を示すブロック図である。
１…半導体レーザ、１Ａ…反射防止膜、２…回折格子、
３…ミラー、４（５）… レンズ、７…光アイソレー
タ、９…光ファイバ、１４…フォトダイオード、１５…
波長モニタ、１６…波長可変機構、２０…光カプラ、２
１…光出力モニタ、２３…半導体レーザ駆動回路、２４
…波長可変機構駆動回路、２５…外部共振器補正機構、
２６…外部共振器補正機構駆動回路
３…ミラー、４（５）… レンズ、７…光アイソレー
タ、９…光ファイバ、１４…フォトダイオード、１５…
波長モニタ、１６…波長可変機構、２０…光カプラ、２
１…光出力モニタ、２３…半導体レーザ駆動回路、２４
…波長可変機構駆動回路、２５…外部共振器補正機構、
２６…外部共振器補正機構駆動回路
Claims (6)
- 【請求項１】 一方の端面に反射防止膜が施された半導
体レーザと、 前記半導体レーザの反射防止膜側の端面から得られる出
射光を平行光に変換し、この平行光を回折格子で波長選
択したのちミラーで前記回折格子に戻し、再度前記回折
格子で波長選択して前記半導体レーザに帰還してレーザ
発振させ、前記ミラーの角度によって選択波長を可変と
する回転機構とを備える外部共振器型レーザ光源におい
て、 前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、もしくは前記回折格子の０次光のいずれか
一方を光ファイバに結合し、 前記光ファイバへの結合に用いられない他方の光を受光
するフォトダイオードを備えることを特徴とする外部共
振器型レーザ光源。 - 【請求項２】 前記半導体レーザと前記回折格子の間に
ビームスプリッタを備え、前記ビームスプリッタによっ
て取り出された帰還光を光ファイバに結合する外部共振
器型レーザ光源において、 前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、前記回折格子の０次光、前記ビームスプリ
ッタの反射光の何れかを光ファイバに結合し、 前記光ファイバへの結合に用いられない何れかの光を受
光するフォトダイオードを備えることを特徴とする請求
項１に記載の外部共振器型レーザ光源。 - 【請求項３】 膜厚を連続的に変化させたバンドパスフ
ィルタを使用し、ミラーを部分反射鏡にして前記バンド
パスフィルタの後に配置し、 前記バンドパスフィルタの選択波長を可変とするスライ
ド機構を備える外部共振型レーザ光源において、 前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、もしくは前記部分反射鏡の透過光のいずれ
か一方を光ファイバに結合し、 前記光ファイバへの結合に用いられない他方の光を受光
するフォトダイオードを備えることを特徴とする外部共
振器型レーザ光源。 - 【請求項４】 前記半導体レーザと前記バンドパスフィ
ルタの間にビームスプリッタを備え、前記ビームスプリ
ッタによって取り出された帰還光を光ファイバに結合す
る外部共振器型レーザ光源において、 前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、前記ビームスプリッタの反射光、前記部分
反射鏡の透過光の何れかを前記光ファイバに結合し、 前記光ファイバへの結合に用いられない何れかの光を受
光するフォトダイオードを備えることを特徴とする請求
項３に記載の外部共振器型レーザ光源。 - 【請求項５】 前記ミラーを使用せずに前記回折格子で
波長選択して前記半導体レーザに帰還させ、前記回折格
子の角度によって選択波長を可変とする回転機構を備え
た外部共振器型レーザ光源において、 前記半導体レーザの反射防止膜が施されていない端面か
らの出射光、もしくは前記ビームスプリッタの反射光の
一方を光ファイバに結合し、 前記光ファイバへの結合に用いられない他方の光を受光
するフォトダイオードを備えることを特徴とする請求項
２に記載の外部共振器型レーザ光源。 - 【請求項６】 前記フォトダイオードの信号を外部共振
器補正機構駆動回路に帰還させ、外部共振器の発振が所
定の状態になるように外部共振器補正機構を制御するこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
記載の外部共振器型レーザ光源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095642A JP2001284716A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 外部共振器型レーザ光源 |
| EP01400807A EP1139524A3 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-29 | External resonator type laser light source |
| CA002342684A CA2342684A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-29 | External resonator type laser light source |
| US09/823,365 US20010026574A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-30 | External resonator type laser light source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095642A JP2001284716A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 外部共振器型レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284716A true JP2001284716A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18610523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000095642A Withdrawn JP2001284716A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 外部共振器型レーザ光源 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010026574A1 (ja) |
| EP (1) | EP1139524A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001284716A (ja) |
| CA (1) | CA2342684A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485212B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-04-25 | 한국전자통신연구원 | 파장가변 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2006270106A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Mitsutoyo Corp | 外部キャビティレーザ装置およびその調整方法 |
| JP2006324372A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sony Corp | レーザ装置 |
| JP2006324371A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sony Corp | レーザ装置、レーザ波長検出方法およびホログラム装置 |
| EP2451032A2 (en) | 2010-10-26 | 2012-05-09 | Sony Corporation | Laser diode assembly and semiconductor optical amplifier assembly |
| EP2485345A2 (en) | 2010-10-22 | 2012-08-08 | Sony Corporation | Laser diode assembly |
| JP2014160859A (ja) * | 2014-05-01 | 2014-09-04 | Sony Corp | 半導体レーザ装置組立体 |
| JP2017011163A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 国立大学法人埼玉大学 | レーザー光源装置及び干渉計 |
| JP7469976B2 (ja) | 2020-07-15 | 2024-04-17 | 横河電機株式会社 | 光源装置及び光パルス試験器 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414973B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-07-02 | Ruey-Jen Hwu | High-power blue and green light laser generation from high powered diode lasers |
| AU2002218642A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-18 | Radians Innova Ab | Device and method for reduction of spontaneous emission from external cavity laser |
| JP2003234527A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Acterna R & D Kk | 波長可変光源装置 |
| US6690690B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-02-10 | Lightgage, Inc. | Tunable laser system having an adjustable external cavity |
| US7136552B2 (en) * | 2003-06-19 | 2006-11-14 | Emcore Corporation | TO-packaged optic-fiber receiving interface and method |
| US7011455B2 (en) * | 2003-06-19 | 2006-03-14 | Emcore Corporation | Opto-electronic TO-package and method for laser |
| JP2008529068A (ja) * | 2005-01-24 | 2008-07-31 | ソルラブス、 インコーポレイテッド | 高速に波長スキャンする小型マルチモードレーザ |
| US7496120B2 (en) * | 2005-10-14 | 2009-02-24 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact laser output monitoring using reflection and diffraction |
| US20070236384A1 (en) * | 2006-02-12 | 2007-10-11 | Gennadii Ivtsenkov | Cost-effective friend-or-foe (IFF) combat infrared alert and identification system (CID) |
| WO2008109978A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Gennadii Ivtsenkov | Cost-effective friend-or-foe (iff) battlefield infrared alarm and identification system |
| US7916763B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-03-29 | Corning Incorporated | Current driven frequency-stepped radiation source and methods thereof |
| WO2014176566A1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Oewaves, Inc. | Resonator based external cavity laser |
| US20180109069A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | Mark C. Phillips | Method for scanning wavelength of external cavity laser |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3943470A1 (de) * | 1989-05-29 | 1990-12-13 | Rainer Thiessen | Gegenstands-naeherungs und troepfchendetektor |
| US5872655A (en) * | 1991-07-10 | 1999-02-16 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Monolithic linear variable filter and method of manufacture |
| JPH0745890A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型半導体レーザ |
| JP3654401B2 (ja) * | 1997-10-23 | 2005-06-02 | 横河電機株式会社 | 外部共振器型光源 |
| EP0921614B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-03-14 | Hewlett-Packard Company | Low noise and wide power range laser source |
| JP3197869B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2001-08-13 | アンリツ株式会社 | 波長可変レーザ光源装置 |
| JPH11307864A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型波長可変光源 |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000095642A patent/JP2001284716A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-29 CA CA002342684A patent/CA2342684A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-29 EP EP01400807A patent/EP1139524A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-30 US US09/823,365 patent/US20010026574A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485212B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-04-25 | 한국전자통신연구원 | 파장가변 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2006270106A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Mitsutoyo Corp | 外部キャビティレーザ装置およびその調整方法 |
| JP2006324372A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sony Corp | レーザ装置 |
| JP2006324371A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sony Corp | レーザ装置、レーザ波長検出方法およびホログラム装置 |
| JP4670472B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-04-13 | ソニー株式会社 | レーザ装置 |
| EP2485345A2 (en) | 2010-10-22 | 2012-08-08 | Sony Corporation | Laser diode assembly |
| US9048619B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-06-02 | Sony Corporation | Laser diode assembly |
| US9219346B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-12-22 | Sony Corporation | Laser diode assembly |
| EP2451032A2 (en) | 2010-10-26 | 2012-05-09 | Sony Corporation | Laser diode assembly and semiconductor optical amplifier assembly |
| US9153938B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Laser diode assembly and semiconductor optical amplifier assembly |
| JP2014160859A (ja) * | 2014-05-01 | 2014-09-04 | Sony Corp | 半導体レーザ装置組立体 |
| JP2017011163A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 国立大学法人埼玉大学 | レーザー光源装置及び干渉計 |
| JP7469976B2 (ja) | 2020-07-15 | 2024-04-17 | 横河電機株式会社 | 光源装置及び光パルス試験器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2342684A1 (en) | 2001-09-30 |
| EP1139524A2 (en) | 2001-10-04 |
| EP1139524A3 (en) | 2004-02-04 |
| US20010026574A1 (en) | 2001-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001284716A (ja) | 外部共振器型レーザ光源 | |
| EP1349245B1 (en) | Wavelength-selectable laser capable of high-speed frequency control | |
| EP0641052B1 (en) | Tunable wavelength light source incorporating an interferometer as an optical filter in the external cavity | |
| EP1130718A2 (en) | Tunable frequency stabilized fiber grating laser | |
| US8000359B2 (en) | Laser device and controlling method therefor | |
| JP4332067B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
| US20050105566A1 (en) | Laser diode arrangement with external resonator | |
| JP2006278770A (ja) | 波長可変レーザ | |
| JPH10270800A (ja) | 可変波長半導体レーザ光源 | |
| JP2000056185A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| CN105790067A (zh) | 波长锁定半导体激光器 | |
| CA2342034A1 (en) | Light source for an external cavity laser | |
| JPH07154014A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| EP1433231B1 (en) | Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier | |
| EP0390525B1 (en) | An optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device | |
| JP2001284717A (ja) | 外部共振器型レーザ光源 | |
| JP3391229B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ光源 | |
| JPH11126943A (ja) | 外部共振器型光源 | |
| JP2001308455A (ja) | 波長可変光源及び光部品損失計測装置 | |
| JPH09129982A (ja) | 外部共振器型ｌｄ光源 | |
| JP6849524B2 (ja) | 半導体レーザ光源 | |
| JP2000305120A (ja) | 共振器及び共振器を有する顕微鏡 | |
| JP2000353854A (ja) | 外部共振器型波長可変光源 | |
| JP2000164979A (ja) | 外部共振器型光源 | |
| JP2000286503A (ja) | レーザ光源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20040810 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041001 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070713 |