JP2001284566A - 固体撮像装置、及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置、及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001284566A JP2001284566A JP2000100230A JP2000100230A JP2001284566A JP 2001284566 A JP2001284566 A JP 2001284566A JP 2000100230 A JP2000100230 A JP 2000100230A JP 2000100230 A JP2000100230 A JP 2000100230A JP 2001284566 A JP2001284566 A JP 2001284566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- passivation film
- passivation
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 330
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 22
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 108700042918 BF02 Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置を提供する。 【解決手段】 シリコン基板1上に光電変換を行う受光
部2と、前記受光部2の受光面を覆うことなく設けられ
た遮光膜4とを有し、前記遮光膜4と前記受光部2とを
覆うパッシベーション膜5を有する固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜5の上面が平坦であること
を特徴とする。
Description
し、特に、受光部の感度が向上するように構成された固
体撮像装置とその製造方法に関するものである。
では映像の送受信は必須となりつつある。映像の撮影は
CCDなどのいわゆる固体撮像装置が使用され、表示に
は液晶パネルが使用されている。固体撮像装置において
は、低消費電力化、低コスト化の観点から、通常の集積
回路を作製するいわゆるCMOSロジックプロセスを基
にしたCMOSイメージセンサの開発が盛んに行われて
いる。CMOSイメージセンサにおいても、CCDと同
様に高画素化、小型化が進むにつれ、画素サイズが縮小
され、受光部の面積や遮光膜の開口が狭くなってきてい
る。ところが、CMOSイメージセンサについてはロジ
ックプロセスを基にした開発を行ってきている為、多層
膜の界面における反射や屈折などの光学的特性を十分考
慮して開発しているとはいえない。そのため、入射した
光を効率よく集光させ、十分な感度を得ることが難しく
なってきている。
ジセンサについて、図5を用いて説明する。シリコン基
板11の表面に入射した光(hν)を電荷に変換する受
光部12が形成されている。層間絶縁膜13がシリコン
基板11上に形成され、一層目メタル18と二層目メタ
ル19と遮光膜14をそれぞれ電気的に分離している。
遮光膜14は層間絶縁膜13上に入射した光が受光部1
2以外に入射しないように受光部12の受光面を覆うこ
となく形成されている。パッシベーション膜15は遮光
膜14上と遮光膜14の開口部にある層間絶縁膜13上
に耐湿性、耐薬品性、Naイオン、酸素等の不純物や金
属に対するバリヤ性能向上のために形成されている。平
坦化膜16はパッシベーション膜15上に形成され、マ
イクロレンズ17は平坦化膜16上に入射する光を集光
させるために形成されている。層間絶縁膜13として、
P(プラズマCVD)−SiO2膜、NSG膜(不純物
を含まないシリコン酸化膜)、BPSG膜(リンとホウ
素を含むシリコン酸化膜)等の積層膜が使用されてい
る。パッシベーション膜15として、P(プラズマCV
D)−SiN膜の単層膜若しくはP−SiN膜とPSG
膜(リンを含むシリコン酸化膜)の積層膜が一般的に使
用されている。平坦化膜16として、主にアクリル材料
が使用されている。また、カラーの固体撮像装置の場合
には、平坦化膜16として、アクリル材料とカラーフィ
ルターが使用されている。従来の構造ではパッシベーシ
ョン膜15に段差が有り、その段差が集光の妨げになっ
ていた。そのため、そのままの構造で、高画素化、小型
化を行うとパッシベーション膜15の段差部分が妨げに
なり、受光部12に集光される光が減少する。そのた
め、十分な感度を得ることが難しくなってきている。
説明する。シリコン基板11に受光部12をイオン注入
や熱処理を用いて形成する。また、多結晶シリコン膜と
シリサイド膜をCVDにより形成し、パターニング、エ
ッチング等を用いてシリコン基板11上にゲート電極
(図示せず)を形成している。その後、層間絶縁膜13
としてBPSG膜をCVDにより堆積させる。BPSG
膜は高温で熱処理すると流動性を生じるため、表面を平
坦にすることができる。その特性を利用して、BPSG
膜の表面を平坦にし一層目メタル18を形成し易くして
いる。BPSG膜上にスパッタやCVDを用いてTiN
やAl等を堆積させ、一層目メタル18を形成してい
る。一層目メタル18上には層間絶縁膜13としてP−
SiO2膜をCVDにより堆積させ、化学機械研磨によ
り表面を平坦にしている。その後、二層目メタル19も
一層目メタル18と同様に、スパッタやCVDを用い、
TiNやAl等の薄膜を形成している。同様に二層目メ
タル19上に層間絶縁膜13としてP−SiO2膜をC
VDにより堆積させ、化学機械研磨により表面を平坦に
している。その後、遮光膜14としてスパッタやCVD
を用いて、TiNやAl等を堆積させ、受光部12を覆
うことのないようにパターニングし、エッチングを行っ
ている。遮光膜14上にはパッシベーション膜15とし
てP−SiNをCVD等により堆積させている。アクリ
ル材を塗布することにより平坦化膜16を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜16を形成して
いる。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び
熱処理によりマイクロレンズ17を形成している。
いて、パッシベーション膜15に用いられるP−SiN
膜の屈折率は約2.0であるのに対し、平坦化膜16に
用いられるアクリル材料の屈折率は1.5〜1.6程度
である。パッシベーション膜15の屈折率が平坦化膜1
6の屈折率より高い状態にある場合、パッシベーション
膜15の段差部分の角に光が入射すると、パッシベーシ
ョン膜15の角の部分が丸みをおびている為、入射した
光は受光部12に集光されず、外側の一層目メタル18
や二層目メタル19の方へ屈折してしまう。また、図5
(b)の拡大図に示すように、段差部分の上側の平坦な
部分に光が入射した場合、パッシベーション膜15の屈
折率が平坦化膜16の屈折率より高いため、入射角度に
よっては遮光膜14の側壁部分のパッシベーション膜1
5と平坦化膜16の界面で全反射が起こり、遮光膜14
の側壁に沿って光が進み、受光部12に集光されなくな
ってしまう。すなわち、図5(a)に示す従来の構造で
は遮光膜14の側壁に堆積しているパッシベーション膜
15に入射する光は感度には無効になってしまうので、
実際には遮光膜14の開口はパッシベーション膜15の
膜厚分だけ狭くなっていることになる。
する光はあったが、受光部12に集光された光に比べ段
差部分に入射する光は問題にならなかった。しかし、高
画素化、小型化による画素サイズの縮小により、受光部
12の受光面が小さくなり遮光膜14の開口部分も狭く
なってきた。その狭くなった部分にパッシベーション膜
15の膜厚分だけさらに狭くなると、パッシベーション
膜15の段差部分に入射する光が増加し、十分な感度を
得ることが難しくなってきた。しかし、パッシベーショ
ン膜15は耐湿性、耐薬品性、Naイオン、酸素等の不
純物や金属に対するバリヤ性能向上といった重要な役割
を果たしているため、取り除くことはできない。
る影響について具体的に説明する。パッシベーション膜
厚分だけ感度が無効になると仮定すると、開口は(画素
サイズ)−(遮光膜の幅)−(パッシベーション膜の膜
厚×2)と表すことができる。例えば、遮光膜14の幅
を1.5μm、パッシベーション膜15の膜厚を0.5
μmとすると、10μm□画素では、遮光膜14の開口
は10−1.5−0.5×2=7.5μmとなり、開口
率は75%となる。5μm□画素の場合でも同様に、5
−1.5−0.5×2=2.5μmとなり開口率は50
%となる。これは1次元の場合であり、実際には2次元
なので面積成分で比較すると開口率の差はさらに大きく
なる。また、遮光膜14はマイクロレンズ17に近い
為、開口の縮小は下層に比べ入射光の妨げになる。
のであり、パッシベーション膜の段差をなくすことがで
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置、及びその製造方法を提供するものである。
体撮像装置は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆うパッシベ
ーション膜を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜の上面が平坦であることを特徴とするもの
である。
は、前記第1発明の固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜が、Si3N4膜、或いはSiON膜等のシ
リコン窒化膜系の単層膜、または同シリコン窒化膜系を
含む積層膜であることを特徴とするものである。
は、前記第1発明または第2発明の固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜と前記遮光膜との間に介在
する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上面が平坦であること
を特徴とするものである。
は、前記第3発明の固体撮像装置に於いて、前記絶縁膜
が、SiO2膜、PSG膜、或いはBPSG膜等のシリ
コン酸化膜系であることを特徴とするものである。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を形
成する工程を備えていることを特徴とするものである。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜上にSOG膜を塗布し、前記パッシベー
ション膜形成用薄膜と前記SOG膜の選択比が1または
略1となるエッチング条件でエッチバックを行うことに
より、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を
形成する工程を備えていることを特徴とするものであ
る。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に絶縁膜を形成し
た後、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材料を堆積して、
その上面が平坦な前記パッシベーション膜を形成する工
程とを備えていることを特徴とするものである。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上にSOG膜を塗布
形成することによって、その表面が平坦な絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材
料を堆積して、その上面が平坦な前記パッシベーション
膜を形成する工程とを備えていることを特徴とするもの
である。
縁膜上のパッシベーション膜の厚さが遮光膜よりも厚く
なるまで堆積させる。その後、厚く堆積させたパッシベ
ーション膜の表面を化学機械研磨、またはSOGなどを
塗布し、エッチバックを用いて、遮光膜を露出させない
程度に削り、パッシベーション膜の表面を平坦化する。
間絶縁膜上にシリコン酸化膜系の絶縁膜を前記同様に厚
く堆積させる。その後、化学機械研磨を用いて遮光膜を
露出させない程度に削って、表面を平坦にする。そし
て、このシリコン酸化膜系の絶縁膜の上面にパッシベー
ション膜を堆積させる。シリコン酸化膜系の絶縁膜の上
面が平坦になっているため、パッシベーション膜を堆積
させると、パッシベーション膜の上面も平坦になる。こ
れにより、従来までのパッシベーション膜の段差を無く
すことができる。
間絶縁膜上にSOG膜を塗布形成させる。そして、前記
SOG膜上面にパッシベーション膜を堆積させる。SO
G膜の上面が平坦になっているため、パッシベーション
膜を堆積させると、パッシベーション膜の上面も平坦に
なる。これにより、従来までのパッシベーション膜の段
差を無くすことができる。
分の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を遮光膜の膜厚
以上に厚く堆積させ、その後、パッシベーション膜の上
面を化学機械研磨やエッチバックを用いて遮光膜を露出
させない程度に削って、表面を平坦にする等の手法を採
用することにより、従来のパッシベーション膜の段差を
無くすことができる。これによって、これまでは段差部
分に入射して、受光部以外の方向に屈折していた光を受
光部に集光することができるようになり、高画素化、小
型化に対応できるようになる。
て、図面を用いて詳細に説明する。
図1に示す。図1において、シリコン基板1の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部2が形成されている。
層間絶縁膜3がシリコン基板1上に形成され、一層目メ
タル8と二層目メタル9と遮光膜4をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜4は層間絶縁膜3上に受光部2の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部2以外
に入射しないように形成されている。パッシベーション
膜5は遮光膜4上と遮光膜4の開口部にある層間絶縁膜
3上に耐湿性、耐薬品性、Naイオン、酸素等の不純物
や金属に対するバリヤ性能向上を図る為に形成されてい
る。パッシベーション膜5の表面は化学機械研磨やエッ
チバックを用いて遮光膜4を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。平坦化膜6がパッシベーション
膜5上に形成され、マイクロレンズ7が平坦化膜6上に
入射する光を集光する為に形成されている。本実施の形
態において、パッシベーション膜5としては、SiN膜
系の単層膜、若しくはSiN膜系を含む積層膜が形成さ
れており、SiN膜の屈折率は約2.0である。また、
平坦化膜6にはアクリル材料を用いており、屈折率は
1.5〜1.6程度である。
ベーション膜15に段差部分があった。その段差部分に
入射した光は段差の角の部分での屈折率の差により受光
部以外の方向へ屈折する。また、パッシベーション膜1
5の屈折率が平坦化膜16の屈折率より大きい為、遮光
膜14の側壁部分でパッシベーション膜15と平坦化膜
16との界面で全反射が起こり、受光部12に集光され
なかった。しかしながら、上記の本発明の第1の実施形
態の構造ではパッシベーション膜5を厚く堆積させ、そ
の上面を化学機械研磨やエッチバックにより平坦にして
いるので、従来のようなパッシベーション膜15の段差
による入射光の屈折は起こらず、マイクロレンズ7によ
り集光された光の殆どが受光部2に集光される。
撮像装置の製造方法について図3を用いて説明する。シ
リコン基板1に受光部2をイオン注入や熱処理を用いて
形成する。また、多結晶シリコン膜とシリサイド膜をC
VDにより形成し、パターニング、エッチング等を用い
てシリコン基板1上にゲート電極(図示せず)を形成し
ている。その後、層間絶縁膜3としてBPSG膜をCV
Dにより5000〜15000Å堆積させる。BPSG
膜を850〜950℃で熱処理し、BPSG膜の表面を
平坦にし一層目メタル8を形成し易くしている。BPS
G膜上にスパッタやCVDを用いてTiNを300〜1
000Å、Alを3000〜10000Å堆積させ、一
層目メタル8を形成している。一層目メタル8上には層
間絶縁膜3としてP−SiO2膜をCVDにより200
00〜25000Å堆積させ、化学機械研磨により10
000Å程度削って、表面を平坦にしている。その後、
二層目メタル9も一層目メタル8と同様に、スパッタや
CVDを用い、TiNを300〜1000Å、Alを3
000〜10000Å堆積させている。同様に二層目メ
タル9上に層間絶縁膜3としてP−SiO2膜をCVD
により20000〜25000Å堆積させ、化学機械研
磨により10000Å程度削って、表面を平坦にしてい
る。その後、遮光膜4をスパッタやCVDを用いて、T
iNを300〜1000Å、Alを3000Å〜100
00Å堆積させ、受光部2を覆うことのないようにパタ
ーニングし、エッチングを行っている。パッシベーショ
ン膜5としてP−SiNを20000Å堆積させる。そ
の後、P−SiN膜の表面を化学機械研磨により100
00Å削ることにより平坦化する。また、別の平坦化方
法として、遮光膜4までは従来と同様の製造方法で形成
し、パッシベーション膜5としてP−SiNをCVD等
により厚く堆積させる。その後、SOGを塗布して、P
−SiNとSOGの選択比がほぼ1となるようなエッチ
ング条件を用いてRIEでエッチングし、パッシベーシ
ョン膜5の上面を平坦にする。具体的には、遮光膜4の
膜厚を3000Å〜10000Å堆積させ、パッシベー
ション膜5としてP−SiN膜を20000Å堆積させ
る。更に、P−SiN膜上にSOGを15000Å塗布
する。RIEエッチャーの条件を、圧力:4〜15P
a、CHF3:20〜50sccm、CF4:20〜50
sccm、Ar:50〜100sccm、O2:1〜5
sccm、RF:200〜700Wとすると、P−Si
NとSOGの選択比は1になり、この条件でエッチング
を行うと、P−SiN膜の上面を平坦にすることができ
る。パッシベーション膜5の上面を平坦にした後で、ア
クリル材を塗布することにより平坦化膜6を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜6を形成してい
る。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び熱
処理によりマイクロレンズ7を形成している。
より、遮光膜の開口は(画素サイズ)−(遮光膜の幅)
で表すことができる。例えば、遮光膜の幅を1.5μm
とし、5μm□画素では、開口は5−1.5=3.5μ
mとなり、開口率は70%となる。従来では開口率は5
0%なので、開口率は1.4倍に大幅に改善されてい
る。
明をする。
図2に示す。図2において、シリコン基板1の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部2が形成されている。
層間絶縁膜3がシリコン基板1上に形成され、一層目メ
タル8と二層目メタル9と遮光膜4をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜4が層間絶縁膜3上に受光部2の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部2以外
に入射しないように形成されている。シリコン酸化膜1
0が遮光膜4上と遮光膜4の開口部にある層間絶縁膜3
上に形成されている。シリコン酸化膜10の表面は化学
機械研磨を用いて遮光膜4を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。なお、シリコン酸化膜10を、
SOGの塗布により形成した場合は、上記化学機械研磨
を行わなくても、その上面が平坦なシリコン酸化膜を形
成することができる。そして、パッシベーション膜5が
シリコン酸化膜10上に耐湿性、耐薬品性、Naイオ
ン、酸素等の不純物や金属に対するバリヤ性能向上を図
る為に形成されている。平坦化膜6がパッシベーション
膜5上に形成され、マイクロレンズ7が平坦化膜6上に
入射する光を集光する為に形成されている。
ッシベーション膜5であるP−SiN膜に比べ容易に化
学機械研磨を行うことができる。まず、P−SiN膜に
比べシリコン酸化膜系はエッチングレートが速いためエ
ッチングし易い。次に、層間絶縁膜3を形成する際に化
学機械研磨を行っているためシリコン酸化膜系の化学機
械研磨は既存プロセスを用いることができる。以上のこ
とにより、シリコン酸化膜系の上面の平坦化を行う方が
有利である。その後、シリコン酸化膜10上にパッシベ
ーション膜5を堆積させると、パッシベーション膜5の
上面を平坦にすることができる。これにより、図5
(a)に示す従来のパッシベーション膜15の段差部分
をなくすことができ、マイクロレンズ7により集光され
た光は邪魔されることなく受光部2に集光される。
を用いて説明する。遮光膜4までは従来及び第1実施形
態と同様の製造方法で形成する。シリコン基板1に受光
部2をイオン注入や熱処理を用いて形成する。また、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜をCVDにより形成し、
パターニング、エッチング等を用いてシリコン基板1上
にゲート電極(図示せず)を形成している。その後、層
間絶縁膜3としてBPSGをCVDにより5000〜1
5000Å堆積させる。BPSG膜を850〜950℃
で熱処理し、BPSG膜の表面を平坦にし一層目メタル
8を形成し易くしている。BPSG膜上にスパッタやC
VDを用いてTiNを300〜1000Å、Alを30
00〜10000Å堆積させ、一層目メタル8を形成し
ている。一層目メタル8上には層間絶縁膜3としてP−
SiO2膜をCVDにより20000〜25000Å堆
積させ、化学機械研磨により10000Å程度削って、
表面を平坦にしている。その後、二層目メタル9も一層
目メタル8と同様に、スパッタやCVDを用い、TiN
を300〜1000Å、Alを3000〜10000Å
堆積させている。同様に二層目メタル9上に層間絶縁膜
3としてP−SiO 2膜をCVDにより20000〜2
5000Å堆積させ、化学機械研磨により10000Å
程度削って、表面を平坦にしている。その後、遮光膜4
としてスパッタやCVDを用いて、TiNを300〜1
000Å、Alを3000〜10000Å堆積させ、受
光部2を覆うことのないようにパターニングし、エッチ
ングを行っている。遮光膜4までは従来と同様の製造方
法で形成している。その後、シリコン酸化膜10をCV
Dにより20000Å〜25000Å堆積させ、化学機
械研磨により10000Å削る。その後、P−SiN膜
を3000Å〜10000Å堆積させると、P−SiN
膜の上面は平坦になる。また、別の平坦化方法として、
遮光膜4までは従来と同様の製造方法で形成し、遮光膜
4上にシリコン酸化膜10としてSOGを塗布する。S
OG膜による平坦化されたシリコン酸化膜10上にP−
SiN膜を堆積させると、上面が平坦なP−SiN膜を
得ることができる。この場合に於いて、SOGの塗布膜
厚は10000〜15000Åであり、P−SiN膜は
3000〜10000Å程度、CVDにより堆積してい
る。その後、アクリル材を塗布することにより平坦化膜
6を形成している。また、カラーの固体撮像装置の場合
はアクリル材を塗布し、その後、カラーフィルターを形
成し、さらに保護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜
6を形成している。その後、レンズ材料を塗布し、パタ
ーニング及び熱処理によりマイクロレンズ7を形成して
いる。
よれば、パッシベーション膜の上面を平坦化することに
より、段差部分をなくすことができ、受光部に入射光を
集光できる。そのため、画素を縮小しても、効率よく入
射光を受光部に集光できる固体撮像装置を提供すること
ことできるものである。
図である。
図である。
程断面図である。
程断面図である。
(a)は、その断面図、(b)は、(a)の部分拡大図
である。
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆うパッシベ
ーション膜を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜の上面が平坦であることを特徴とする固体
撮像装置。 - 【請求項2】 前記パッシベーション膜が、シリコン窒
化膜系の単層膜またはシリコン窒化膜系を含む積層膜で
あることを特徴とする、請求項1に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項3】 前記パッシベーション膜と前記遮光膜と
の間に介在する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上面が平坦
であることを特徴とする、請求項1または2に記載の固
体撮像装置。 - 【請求項4】 前記絶縁膜がシリコン酸化膜系であるこ
とを特徴とする、請求項3に記載の固体撮像装置。 - 【請求項5】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を形
成する工程を備えていることを特徴とする固体撮像装置
の製造方法。 - 【請求項6】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜上にSOG膜を塗布し、前記パッシベー
ション膜形成用薄膜と前記SOG膜の選択比が1または
略1となるエッチング条件でエッチバックを行うことに
より、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を
形成する工程を備えていることを特徴とする固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項7】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に絶縁膜を形成し
た後、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材料を堆積して、
その上面が平坦な前記パッシベーション膜を形成する工
程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造
方法。 - 【請求項8】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上にSOG膜を塗布
形成することによって、その表面が平坦な絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材
料を堆積して、その上面が平坦な前記パッシベーション
膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体
撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000100230A JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
US09/824,549 US6903322B2 (en) | 2000-04-03 | 2001-04-02 | Solid-state imaging device and method for producing the same |
KR1020010017413A KR20010095237A (ko) | 2000-04-03 | 2001-04-02 | 고체촬상장치 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000100230A JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001284566A true JP2001284566A (ja) | 2001-10-12 |
JP3824469B2 JP3824469B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=18614461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000100230A Expired - Fee Related JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6903322B2 (ja) |
JP (1) | JP3824469B2 (ja) |
KR (1) | KR20010095237A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
JP2006032897A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Dongbuanam Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
JP2006191047A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | カラー毎に焦点距離の調整が可能なイメージセンサ及びその製造方法 |
JP2007043108A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
US7453109B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
JP2011233862A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-17 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2012009881A (ja) * | 2011-08-12 | 2012-01-12 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
US8692345B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device, image sensing system, and method for manufacturing image sensing device |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030038838A (ko) * | 2001-11-06 | 2003-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP3709873B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2005-10-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び撮像カメラ |
US7279353B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Passivation planarization |
KR100538150B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100685881B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP4647404B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-03-09 | 三星電子株式会社 | 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法 |
KR100653691B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들 |
JP5272281B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-08-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
US20070152139A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Moores Mark D | Techniques to control illumination for image sensors |
JP2008186880A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Seiko Instruments Inc | Cmosイメージセンサおよびその製造方法 |
KR100881200B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2010238848A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
US20110127628A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Ion implantation to change the optical properties of the passivation films in cmos imager devices |
WO2011142065A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US8767108B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-07-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP2015015296A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US20230411540A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor device and method of making |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226624A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPH0645569A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-02-18 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPH06125070A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JPH08330557A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH08335685A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB887847A (en) * | 1959-09-17 | 1962-01-24 | Shannon Ltd | Improvements in photo-copying |
JPS63318154A (ja) | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4986878A (en) * | 1988-07-19 | 1991-01-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Process for improved planarization of the passivation layers for semiconductor devices |
KR100262400B1 (ko) * | 1995-11-20 | 2000-09-01 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화방법 |
WO1998018044A1 (fr) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Seiko Epson Corporation | Panneau a cristaux liquides a matrice active |
US5908672A (en) * | 1997-10-15 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer |
US6396089B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-05-28 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor image sensor |
US6171885B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices |
JP2001284568A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100230A patent/JP3824469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-02 US US09/824,549 patent/US6903322B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-02 KR KR1020010017413A patent/KR20010095237A/ko active Search and Examination
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226624A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPH0645569A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-02-18 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPH06125070A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JPH08330557A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH08335685A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
JP2006032897A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Dongbuanam Semiconductor Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
US7453109B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
US7745247B2 (en) | 2004-09-03 | 2010-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
JP2006191047A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | カラー毎に焦点距離の調整が可能なイメージセンサ及びその製造方法 |
JP2007043108A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2011233862A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-17 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
US8525907B2 (en) | 2010-04-06 | 2013-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
US9054243B2 (en) | 2010-04-06 | 2015-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
US8692345B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device, image sensing system, and method for manufacturing image sensing device |
JP2012009881A (ja) * | 2011-08-12 | 2012-01-12 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010095237A (ko) | 2001-11-03 |
JP3824469B2 (ja) | 2006-09-20 |
US20010054677A1 (en) | 2001-12-27 |
US6903322B2 (en) | 2005-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3824469B2 (ja) | 固体撮像装置、及びその製造方法 | |
JP4384454B2 (ja) | イメージ素子 | |
JP3827909B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
TWI399849B (zh) | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法,及電子設備 | |
CN104347657B (zh) | 固态成像装置、其制造方法以及电子设备 | |
KR20060104273A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법. | |
JP2007048893A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP4964418B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4923357B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US11335726B2 (en) | Lens structure configured to increase quantum efficiency of image sensor | |
JP2012186396A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007088057A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
US7294819B2 (en) | Solid state image sensor including transparent film layers each having a convex lens-shaped portion with increased light intake efficiency and manufacturing method therefor | |
JP2006319037A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5383124B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007048894A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
KR100732847B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 | |
JP2004356269A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP3664997B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4835080B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法、及び、固体撮像素子 | |
JP3485304B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20210053152A (ko) | 이미지 센서의 양자 효율을 증가시키도록 구성되는 렌즈 구조물 | |
JPH05183136A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2007115976A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2005322833A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3824469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707 Year of fee payment: 7 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |