JP2001284542A - Ferroelectric memory element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は繰り返し記録再生に
関して高い耐久性を有し、かつ低消費電力で動作し、高
密度集積化が可能な強誘電体メモリ素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ferroelectric memory element having high durability for repeated recording and reproduction, operating with low power consumption, and capable of high-density integration.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、PbZr1-xTixO3(PZT)やSrBi2Ta2O
9(SBT)に代表されるペロブスカイトタイプの遷移金属酸
化物からなる強誘電体が、大容量で低消費電力を実現し
た不揮発性メモリ素子の材料として実用化されようとし
ている。例えばPtからなる下部電極の上にゾル-ゲル法
にて厚み200nm程度のPZTを形成し、更に上部電極として
Ptからなる上部電極を形成した構造が、一般的な強誘電
体メモリ素子として知られている。電極としてはメモリ
素子としての耐久性の観点からRuO2、IrO2、SrRuO3、(L
aSr)CoO3などの導電性酸化物を用いることも提案されて
いる(応用物理 第67巻p.1263 1998 )( 第60回応用物理
学会講演予稿集2p-A-14 1999)。2. Description of the Related Art In recent years, PbZr 1-x Ti x O 3 (PZT) and SrBi 2 Ta 2 O
9 Ferroelectrics composed of perovskite-type transition metal oxides represented by (SBT) are about to be put to practical use as materials for nonvolatile memory elements that have realized large capacity and low power consumption. For example, PZT with a thickness of about 200 nm is formed by a sol-gel method on a lower electrode made of Pt, and further as an upper electrode
A structure in which an upper electrode made of Pt is formed is known as a general ferroelectric memory element. As electrodes, RuO 2 , IrO 2 , SrRuO 3 , (L
It has also been proposed to use a conductive oxide such as aSr) CoO 3 (Applied Physics Vol. 67, p. 1263 1998) (60th Proceedings of the Japan Society of Applied Physics 2p-A-14 1999).
【０００３】また異なった格子定数をもつ絶縁体を組み
合わせ超格子構造をとることで、格子定数を調節し系と
しての強誘電特性を向上させる試みがなされている（強
誘電体薄膜の基礎と応用 第17回応用物理学会スクール
p.17 1995）。Attempts have also been made to improve the ferroelectric characteristics of a system by adjusting the lattice constant by taking a superlattice structure by combining insulators having different lattice constants (basic and application of ferroelectric thin film). 17th Japan Society of Applied Physics School
p.17 1995).
【０００４】これら強誘電体メモリ素子は、いずれ高集
積化が進みメモリチップ単体として、あるいはロジック
・メモリ混載型の集積回路に組み込まれる形として、SR
AMやDRAMと競合する日がくるはずである。その時、強誘
電体メモリに要求される必要条件は、記録再生特性に関
して耐久性があることと、デバイスに組み込んだ時に低
消費電力であることの２点である。第１点目の耐久性に
関しては、ディスク型のメモリを強誘電体メモリで置き
換えようと考えたとき1012回以上、理想は1015回以上を
クリアすることが望ましいとされている。また第２点目
の低消費電力化に関しては、使用電圧が1.5V以下、好ま
しくは1V以下で分極反転動作を行うことが必要となって
くる。これらの要求を同時に解決するためには前記した
SBTを強誘電体材料として用いることが最適であるとさ
れている（川合知二編著, 消えないICメモリ-FRAMのす
べて-, 工業調査会）。SBTはBi層状ぺロブスカイトとし
て総称される一群の材料のうちの一つである。特に強誘
電体中に発生する欠陥にともなう空間電荷をスクリーニ
ングする効力が高いとされている。このスクリーニング
の効力はデバイ長で表わされ、デバイ長が短いほどスク
リーニングの効果は大きい。そしてスクリーニングの効
果が大きいほど欠陥に対する強誘電体本体への影響が少
ないといわれている。このため繰り返し耐久性試験にと
もなって発生する欠陥による悪影響を押え込むことがで
きる。また強誘電体層を薄くしたときに生じる電極との
界面形成による欠陥の効果がスクリーニングされるため
に、より少ない電圧で所定の電界を得ることができる。
このため、SBTはデバイスとしての省電力化には大変好
ましい。[0004] These ferroelectric memory elements have become increasingly integrated as a memory chip, or as a form incorporated in a logic / memory mixed type integrated circuit.
There will be a day to compete with AM and DRAM. At that time, two necessary conditions required for the ferroelectric memory are that the recording / reproducing characteristics have durability and that the ferroelectric memory has low power consumption when incorporated in a device. Regarding the durability of the first point, it is considered that it is desirable to clear 10 12 times or more, ideally 10 15 times or more when considering replacing a disk type memory with a ferroelectric memory. Regarding the second point of low power consumption, it is necessary to perform the polarization inversion operation at a working voltage of 1.5 V or less, preferably 1 V or less. To solve these requirements at the same time,
It is said that SBT is optimally used as a ferroelectric material (Edited by Tomoji Kawai, IC memory that does not disappear-All about FRAM-, Industrial Research Committee). SBT is one of a group of materials collectively referred to as Bi-layered perovskites. In particular, it is said that screening for space charges due to defects generated in a ferroelectric is highly effective. The efficacy of this screening is represented by the Debye length, and the shorter the Debye length, the greater the effect of the screening. It is said that the larger the effect of the screening, the smaller the effect of the defect on the ferroelectric body. For this reason, it is possible to suppress the adverse effects caused by the defects generated during the repeated durability test. In addition, since the effect of defects caused by the formation of an interface with the electrode when the ferroelectric layer is thinned is screened, a predetermined electric field can be obtained with a smaller voltage.
Therefore, SBT is very preferable for power saving as a device.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、SBTにも避け
られない欠点がひとつある。SBTの分極モーメントはc軸
方向にはなくa,b軸面内に存在する。SBTをc軸配向させ
たのでは基板に垂直方向に有限な分極モーメントを得る
ことができない（第１７回応用物理学会スクール, “強
誘電体薄膜の基礎と応用”, 1995年）（第59回応用物理
学会学術講演会予稿集, 17p-G-6, p.460, 1998年）（Ja
panese Journal of Applied Physics, Vol.38, L258, 1
999年）。そのために成膜時にSBTを多結晶ごとにランダ
ム配向させて有効的な分極モーメントを得ることが一般
に行われる。SBTのランダム配向にともなう多結晶構造
は必然的に結晶粒界を生むことになる。メモリー素子の
集積度を上げようとするとき、結晶粒界が素子特性のば
らつきの原因になるのである。そこで耐久性に優れ、か
つ低電圧で動作し、微細化しても特性の劣化しない強誘
電体メモリ素子が望まれていた。However, SBT also has one inevitable drawback. The polarization moment of SBT is not in the c-axis direction but exists in the a- and b-axis planes. When the SBT is c-axis oriented, a finite polarization moment cannot be obtained in the direction perpendicular to the substrate (17th School of Japan Society of Applied Physics, “Fundamentals and Applications of Ferroelectric Thin Films”, 1995) (59th) Proceedings of the Japan Society of Applied Physics, 17p-G-6, p.460, 1998) (Ja
panese Journal of Applied Physics, Vol. 38, L258, 1
999). Therefore, it is common practice to obtain an effective polarization moment by randomly orienting SBT for each polycrystal during film formation. The polycrystalline structure associated with the random orientation of the SBT necessarily produces crystal grain boundaries. When trying to increase the degree of integration of a memory device, crystal grain boundaries cause variations in device characteristics. Therefore, a ferroelectric memory element that has excellent durability, operates at a low voltage, and does not deteriorate in characteristics even when miniaturized has been desired.
【０００６】そこで本発明は、記録再生に関して高い耐
久性を有し、かつ低消費電力で動作し、かつ高密度集積
化が可能な強誘電体メモリ素子を提供することを目的と
する。Accordingly, an object of the present invention is to provide a ferroelectric memory element which has high durability for recording and reproduction, operates with low power consumption, and is capable of high-density integration.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
強誘電体メモリが提供される （１）第一の金属層と第二の金属層の間に、強誘電体層
Aと金属層Bとを交互に積層した超格子構造をはさんでキ
ャパシタを構成することを特徴とする強誘電体メモリ素
子。According to the present invention, the following ferroelectric memory is provided. (1) A ferroelectric layer is provided between a first metal layer and a second metal layer.
A ferroelectric memory element comprising a capacitor sandwiched by a superlattice structure in which A and metal layers B are alternately stacked.
【０００８】前記構成によれば強誘電体層Aの劣化に伴
い発生する空間電荷を金属層Bがスクリーニングするた
め、繰り返し記録再生に関して耐久性の高い強誘電体メ
モリ素子を提供することができる。また金属層Bの有す
るスクリーニングの効果は、前記超格子構造における強
誘電体層Aの厚みの総和を薄くすることを可能にする。
そのためキャパシタの分極反転に必要な電圧が低くする
ことができるので、メモリ素子としての消費電力を低下
させることが可能となる。According to the above configuration, since the metal layer B screens for the space charges generated due to the deterioration of the ferroelectric layer A, it is possible to provide a ferroelectric memory element having high durability in repeated recording and reproduction. Further, the screening effect of the metal layer B makes it possible to reduce the total thickness of the ferroelectric layer A in the superlattice structure.
Therefore, the voltage required for the polarization reversal of the capacitor can be reduced, so that the power consumption of the memory element can be reduced.
【０００９】（２）上記（１）において、強誘電体層A
および金属層Bは、ともにぺロブスカイト酸化物からな
ることを特徴とする強誘電体メモリ素子。(2) In the above (1), the ferroelectric layer A
The ferroelectric memory element, wherein both the metal layer B and the metal layer B are made of perovskite oxide.
【００１０】前記構成によれば強誘電体層Aと金属層Bを
エピタキシャルに成長させることが容易になり、メモリ
素子の特性を向上させることができる。According to the above configuration, the ferroelectric layer A and the metal layer B can be easily grown epitaxially, and the characteristics of the memory element can be improved.
【００１１】（３）上記（２）において、強誘電体層A
はBaTiO3からなり、金属層BはSrRuO3からなることを特
徴とする強誘電体メモリ素子。(3) In the above (2), the ferroelectric layer A
Is a ferroelectric memory element, wherein Ba is made of BaTiO 3 and the metal layer B is made of SrRuO 3 .
【００１２】前記構成によれば、強誘電体層Aと金属層B
をエピタキシャルに成長させることが容易になり、メモ
リ素子の特性を向上させることができる。According to the above construction, the ferroelectric layer A and the metal layer B
Can be easily grown epitaxially, and the characteristics of the memory element can be improved.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】（実施例）図１は本実施例における強誘電
体メモリ素子の側面断面図である。１０１は第一の金属
層、１０２は第二の金属層である。第１の金属層と第２
の金属層の間には強誘電体層A１０３、金属層B１０４か
らなる超格子構造が作られる。図１で示したように強誘
電体層A、金属層Bを交互に積層する。本実施例では、強
誘電体層Aと金属層Bはc軸方向（（００１）配向）にエ
ピタキシャルに成長させた超格子構造をとる。本実施例
ではキュービックタイプのぺロブスカイト構造によって
超格子構造をつくる。特に強誘電体層AとしてBaTiO
3を、また金属層BとしてSrRuO3を用いる。本実施例中に
おいてはSrRuO3を擬キュービックとして考えることにす
る。第一の金属層および第二の金属層にはSrRuO3をもち
いる。その理由はエピタキシャル性に優れた超格子構造
を作るためである。また第一の金属層および第二の金属
層には金属配線を接続し、強誘電体メモリのキャパシタ
における電極として用いる。このとき第一の金属層と第
二の金属層の間に電位差V0を生じさせることで、超格子
構造に含まれる強誘電体層Aの分極モーメントを反転さ
せる。FIG. 1 is a side sectional view of a ferroelectric memory device according to this embodiment. 101 is a first metal layer, and 102 is a second metal layer. A first metal layer and a second metal layer
A superlattice structure including a ferroelectric layer A103 and a metal layer B104 is formed between the metal layers. As shown in FIG. 1, the ferroelectric layers A and the metal layers B are alternately stacked. In this embodiment, the ferroelectric layer A and the metal layer B have a superlattice structure grown epitaxially in the c-axis direction ((001) orientation). In this embodiment, a superlattice structure is formed by a cubic type perovskite structure. In particular, BaTiO as the ferroelectric layer A
3 and SrRuO 3 as the metal layer B. In this embodiment, SrRuO 3 will be considered as pseudo-cubic. SrRuO 3 is used for the first metal layer and the second metal layer. The reason is to produce a superlattice structure having excellent epitaxial properties. Further, a metal wiring is connected to the first metal layer and the second metal layer, and is used as an electrode in a capacitor of the ferroelectric memory. At this time, by generating a potential difference V0 between the first metal layer and the second metal layer, the polarization moment of the ferroelectric layer A included in the superlattice structure is inverted.
【００１５】本実施例では第一の金属層の厚み及び第二
の金属層の厚みを共に100nmとする。またエピタキシャ
ル成長で超格子をつくるため、特に層の厚みが薄い強誘
電体層Aおよび金属層Bの厚みを定義するには注意が必要
である。そこで図２に本実施例で用いた超格子構造の原
子配置図を示した。この超格子構造を持つサンプルをサ
ンプル1と呼ぶことにする。図２では（１１０）面に関
しての断面図になっており酸素原子は省略してある。本
実施例では強誘電体層Aの化学組成をABO3としたとき、A
O層を5層、BO2を4層とした。また本実施例では金属層B
の化学組成をA'B'O3としたとき、A'O層を2層、B'O2を3
層とした。さらに本実施例の超格子構造は50層の強誘電
体層Aを含むことにする。また金属層１と金属層２に隣
接する層には強誘電体層Aを配置する。In this embodiment, both the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer are set to 100 nm. Since a superlattice is formed by epitaxial growth, care must be taken particularly in defining the thicknesses of the ferroelectric layer A and the metal layer B having a small thickness. Therefore, FIG. 2 shows an atom arrangement diagram of the superlattice structure used in this embodiment. The sample having this superlattice structure is referred to as sample 1. FIG. 2 is a cross-sectional view related to the (110) plane, in which oxygen atoms are omitted. In this embodiment, when the chemical composition of the ferroelectric layer A is ABO 3 , A
There were five O layers and four BO 2 layers. In the present embodiment, the metal layer B
Assuming that the chemical composition of A′B′O 3 is A′O 2 layers, B′O 2 3
Layers. Further, the superlattice structure of this embodiment includes 50 ferroelectric layers A. Further, a ferroelectric layer A is disposed in a layer adjacent to the metal layers 1 and 2.
【００１６】超格子構造の成膜方法はレーザーアブレー
ション法を用いる。成膜温度は600℃〜650℃の範囲とし
た。RHEEDにより成長面をモニタリングすることによ
り、エピタキシャル成長が保たれるように成膜速度をコ
ントロールした。本実施例においてV0を±1.0Vとしたと
き、超格子構造に含まれる分極モーメントは反転動作を
行うことができた。またP-V曲線におけるヒステリシス
ループの角型性も良好でありメモリ素子としての使用に
適していた（ここでPrは分極モーメント、Vは電圧であ
る）。A laser ablation method is used for forming the super lattice structure. The film formation temperature was in the range of 600 ° C to 650 ° C. By monitoring the growth surface by RHEED, the film formation rate was controlled so that the epitaxial growth was maintained. In this example, when V0 was set to ± 1.0 V, the polarization moment included in the superlattice structure could perform an inversion operation. Also, the squareness of the hysteresis loop in the PV curve was good and suitable for use as a memory element (where Pr is the polarization moment and V is the voltage).
【００１７】比較例としてPZTをPt電極で挟んだ構造の
キャパシタをゾル-ゲル法で作成した。PZTの厚みは200n
mである。本比較例ではV0を±3.0Vとしなければ分極モ
ーメントは反転動作を行わなかった。これは本比較例に
おける強誘電体層（PZT）の厚み200nmと絶対値で3.0V以
下のV0から得られる電界では強誘電体層全体の分極モー
メントを反転させることができないためである。強誘電
体層にかかる電界を高めようとして、本比較例における
PZTの厚みを60nmとした。このときヒステリシスループ
の角型性が失われてしまいメモリー素子として不適格と
なった。As a comparative example, a capacitor having a structure in which PZT was sandwiched between Pt electrodes was formed by a sol-gel method. PZT thickness is 200n
m. In this comparative example, the polarization moment did not perform the inversion operation unless V0 was set to ± 3.0 V. This is because the polarization moment of the entire ferroelectric layer cannot be reversed by the electric field obtained from the ferroelectric layer (PZT) thickness 200 nm and the absolute value V0 of 3.0 V or less in this comparative example. In an attempt to increase the electric field applied to the ferroelectric layer,
The thickness of PZT was set to 60 nm. At this time, the squareness of the hysteresis loop was lost, and the memory device was ineligible.
【００１８】次に本実施例に関して耐久性試験を行っ
た。分極モーメントが反転する方向に信号記録の後、デ
ータを読み出して１サイクルとした。1012回までの繰り
返し記録試験における分極モーメントの劣化は5%以内で
あり、メモリー素子として十分な耐久性を示すことがわ
かった。Next, a durability test was performed on this embodiment. After recording the signal in the direction in which the polarization moment was reversed, the data was read out to make one cycle. The deterioration of the polarization moment in the repeated recording test up to 10 12 times was within 5%, indicating that the memory element exhibited sufficient durability.
【００１９】本実施例１で示した金属層１、金属層２、
強誘電体層A、金属層Bの厚み、超格子構造に含まれる強
誘電体層Aの数に関しては、本発明の効果を逸脱しない
範囲で変更することが可能である。特に強誘電体層A、
金属層Bの厚みは積層方向に可変であってもよい。すな
わち超格子層中に欠陥が発生したときに、その欠陥の作
る空間電荷に対するスクリーニング層として金属層Bが
機能すればよいのである。金属層Bの厚みはA'O層を2
層、B'O2を1層としても本実施例と同等の効果を示す。
図３は本実施例のサンプル2の超格子部分の原子配置図
である。サンプル2ではAO層を4層、BO2を5層とした。ま
たA'O層を1層、B'O2を2層とした。強誘電体層A、金属層
Bの厚み以外の構成はサンプル1と同じにした。このよう
な構成であっても本実施例と同等の効果を有する。図４
は本実施例のサンプル3の超格子部分の原子配置図であ
る。サンプル3ではAO層を4層、BO2を4層とした。またA'
O層を2層、B'O2を2層とした。強誘電体層A、金属層Bの
厚み以外の構成はサンプル1と同じにした。このような
構成であっても本実施例と同等の効果を有する。図３、
図４ともに（１１０）面に関しての断面図になっており
酸素原子は省略してある。The metal layers 1 and 2 shown in the first embodiment,
The thicknesses of the ferroelectric layer A and the metal layer B, and the number of the ferroelectric layers A included in the superlattice structure can be changed without departing from the effects of the present invention. Especially the ferroelectric layer A,
The thickness of the metal layer B may be variable in the laminating direction. That is, when a defect occurs in the superlattice layer, the metal layer B only has to function as a screening layer for space charges generated by the defect. The thickness of the metal layer B is 2 for the A'O layer.
Even when the layer and B′O 2 are used as one layer, the same effect as in the present embodiment is exhibited.
FIG. 3 is an atomic arrangement diagram of the superlattice portion of Sample 2 of the present example. In Sample 2, four AO layers and five BO 2 layers were used. The one layer A'O layer, was the B'O 2 2 layers. Ferroelectric layer A, metal layer
The configuration other than the thickness of B was the same as Sample 1. Even with such a configuration, an effect equivalent to that of the present embodiment is obtained. FIG.
FIG. 4 is an atomic arrangement diagram of a superlattice portion of Sample 3 of the present example. In Sample 3, four AO layers and four BO 2 layers were used. Also A '
O layer 2-layer, was the B'O 2 2 layers. The configuration other than the thicknesses of the ferroelectric layer A and the metal layer B was the same as that of the sample 1. Even with such a configuration, an effect equivalent to that of the present embodiment is obtained. FIG.
4 are cross-sectional views related to the (110) plane, in which oxygen atoms are omitted.
【００２０】また本実施例で示した金属層１、金属層
２、強誘電体層A、金属層Bの組成に関しては本発明の効
果を逸脱しない範囲で変更することが可能である。例え
ば金属層１、金属層２は超格子層のエピタキシャル性が
保証されるならばRuO2、IrO2、(LaSr)CoO3などであって
もよい。あるいは金属層１、金属層２の中にPt層を含ん
でいてもよい。また金属層Bの組成は(LaSr)CoO3であっ
てもよい。さらに強誘電体層AはBiFeO3、PbTiO3、Pb(Zr
1-xTix)O3、KNbO3、K(Ta1-xNbx)O3であってもよい。The compositions of the metal layer 1, metal layer 2, ferroelectric layer A, and metal layer B shown in this embodiment can be changed without departing from the effects of the present invention. For example, the metal layer 1 and the metal layer 2 may be RuO 2 , IrO 2 , (LaSr) CoO 3 or the like if the epitaxial property of the superlattice layer is guaranteed. Alternatively, the metal layer 1 and the metal layer 2 may include a Pt layer. The composition of the metal layer B may be (LaSr) CoO 3 . Further, the ferroelectric layer A is made of BiFeO 3 , PbTiO 3 , Pb (Zr
1-x Ti x ) O 3 , KNbO 3 , or K (Ta 1-x Nb x ) O 3 may be used.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の強誘電体メモリ素子によれば、
繰り返し記録再生に関して耐久性が高く、かつ低消費電
力で動作し、かつ高密度に集積化が可能な強誘電体メモ
リ素子を提供することができる。According to the ferroelectric memory device of the present invention,
It is possible to provide a ferroelectric memory element which has high durability for repeated recording and reproduction, operates with low power consumption, and can be integrated at high density.
【図１】本発明の実施例における強誘電体メモリ素子の
側面断面図。FIG. 1 is a side sectional view of a ferroelectric memory element according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例におけるサンプル１の超格子構
造の原子配置図。FIG. 2 is an atomic arrangement diagram of a superlattice structure of Sample 1 in an example of the present invention.
【図３】本発明の実施例におけるサンプル２の超格子構
造の原子配置図。FIG. 3 is an atomic arrangement diagram of a superlattice structure of Sample 2 in an example of the present invention.
【図４】本発明の実施例におけるサンプル３の超格子構
造の原子配置図。FIG. 4 is an atomic arrangement diagram of a superlattice structure of Sample 3 in an example of the present invention.
１０１ 第１の金属層 １０２ 第２の金属層 １０３ 強誘電体層A １０４ 金属層B Reference Signs List 101 first metal layer 102 second metal layer 103 ferroelectric layer A 104 metal layer B
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樋口 天光 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F083 AD21 AD60 FR01 GA05 GA09 GA21 JA14 JA38 JA43 JA44 JA45 PR25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tenmitsu Higuchi 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano F-term (reference) in Seiko Epson Corporation 5F083 AD21 AD60 FR01 GA05 GA09 GA21 JA14 JA38 JA43 JA44 JA45 PR25
Claims (3)
電体層Aと金属層Bとを交互に積層した超格子構造をはさ
んでキャパシタを構成することを特徴とする強誘電体メ
モリ素子。1. A capacitor comprising a superlattice structure in which ferroelectric layers A and metal layers B are alternately stacked between a first metal layer and a second metal layer. Ferroelectric memory device.
ブスカイト酸化物からなることを特徴とする請求項１記
載の強誘電体メモリ素子。2. The ferroelectric memory device according to claim 1, wherein both the ferroelectric layer A and the metal layer B are made of perovskite oxide.
RuO3からなることを特徴とする請求項２記載の強誘電体
メモリ素子。3. The ferroelectric layer A is made of BaTiO 3 and the metal layer B is made of Sr.
3. The ferroelectric memory device according to claim 2, comprising RuO 3 .
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| JP2000095422A JP2001284542A (en) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | Ferroelectric memory element |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7354088B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-10-02 | 三星電子株式会社 | Semiconductor device and its manufacturing method |
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2000
- 2000-03-30 JP JP2000095422A patent/JP2001284542A/en not_active Withdrawn
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