JP2001281623A

JP2001281623A - 液晶装置および液晶素子の駆動方法

Info

Publication number: JP2001281623A
Application number: JP2000095447A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Kondo; 茂樹近藤; Yasushi Asao; 恭史浅尾
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2000-03-30
Publication date: 2001-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】色割れなどの動画質の改善および表示面内の
画質の均一化を図る。【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示素子を
フィールドシーケンシャル駆動し、その際、各色フィー
ルド毎に、該色表示用信号と表示にほとんど寄与しない
信号（例えば黒表示信号）をそれぞれフィールド期間の
１／２より短い期間で転送し、かつ、該当する色の光源
は、ほぼフィールド期間点灯させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子およ
びそれらを使用した表示装置をはじめとする液晶装置に
関する。

【０００２】

【従来技術】従来、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ;Thin Fi
lm Transistor ）等の能動素子を用いた表示素子として
広範に用いられているネマティック液晶表示素子の代表
的な液晶モードとして、例えばエム・シャット（M.Scha
dt）とダブリュー・ヘルフリッヒ（W.Helfrich）著Appl
ied Physics Letters第１８巻、第４号（１９７１年
２月１５日発行）第１２７頁から１２８頁において示さ
れたツイステッドネマチック（ＴＮ（Twisted Nemati
c)) モードが広く用いられている。一方最近では、横方
向電界を利用したインプレインスイッチング（ＩＰＳ
（In-Plain Switching）) モードや垂直配向（ＶＡ（Ve
rtical Alignment))モードを用いた液晶ディスプレイが
発表されており、従来型の液晶ディスプレイの欠点であ
った視野角特性の改善がなされている。このように、こ
うしたネマティック液晶を用いたＴＦＴ表示素子に用い
るための液晶モードとしていくつかのモードが存在する
のであるが、そのいずれのモードの場合にも液晶の応答
速度が数十ミリ秒以上と遅く、更なる応答速度の改善が
要求されている。

【０００３】このような従来型のネマティック液晶素子
の応答速度を改善するものとして、近年、カイラルスメ
クチック相を示す液晶を用いた液晶モードがいくつか提
案されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘
電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反
強誘電性液晶」などが提案されており、未だ実用化には
至っていないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応
答性が実現できると報告されている。

【０００４】一方、我々は特願平１０−１７７１４５
（以下「先願１」と記載）に記載されている素子を発明
し提案している。先願１の素子では、例えば、高温側よ
り等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃ
ｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）、または
等方性液体相（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^* ）を示す相系列の材料に着目し、仮想コーン
のエッジより内側の位置にて単安定化させるようにして
いる。そして例えば、Ｃｈ−ＳｍＣ^* 相転移の際、また
は等方相−ＳｍＣ^* 相転移の際に一対の基板間に正負い
ずれかのＤＣ電圧を印加する、などによって層方向を一
方向に均一化させ、これにより高速応答かつ階調制御が
可能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い
量産性とともに実現しうる。そして先願１の素子は上述
の各種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を
小さくすることができることからＴＦＴ等のアクティブ
素子とのマッチングがよい素子となっている。

【０００５】同様に、我々は特開２０００−０１００７
６（以下「先願２」と記載）に記載されている素子を発
明し提案している。先願２の素子では、例えば、高温側
より等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃ
ｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）、または
等方性液体相（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^* ）を示す相系列の材料に着目し、仮想コーン
エッジの位置にて単安定化させるようにしている。そし
て例えば、Ｃｈ−ＳｍＣ^* 相転移の際、または等方相−
ＳｍＣ^* 相転移の際に一対の基板間に正負いずれかのＤ
Ｃ電圧を印加する、などによって層方向を一方向に均一
化させ、これにより高速応答かつ階調制御が可能であ
り、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い量産性と
ともに実現しうる。また先願２の素子はヒステリシスが
小さく安定な中間調表示が実現でき、かつ上述した他の
各種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を小
さくすることができることからＴＦＴ等のアクティブ素
子とのマッチングがよい素子となっている。

【０００６】液晶表示素子を取り巻く環境として、もう
ひとつ重要な技術が、高解像度化の流れ、である。従来
液晶表示装置において、カラー画像表示を行う場合、各
画素毎にカラーフィルター（例えば、ＲＧＢ）を配置
し、白色光源を常時点灯し、空間的に色合成を行うのが
一般的である。しかしながら、この方法によると、１絵
素を３分割する必要があるため、画素ピッチの高精細化
が要求される。また、カラーフィルタ層は、原理的に白
色光源光量の１／３しか利用できない（実質的には１／
４くらいといわれている）ため、透過率が上がらない、
また、カラーフィルタ層形成のためのコストも高い。こ
れを解消するために、近年、カラーフィルターを用いず
に、ＲＧＢの３色光源を高速で切り替えて点灯させ、白
色カラー表示を行う試みがなされている（これをフィー
ルドシーケンシャル（ＦＳＣ）駆動方式という)。この
方式では、カラーフィルタを用いず、ひとつの画素で白
色カラー表示が可能なため、カラーフィルター方式に比
べ、同じ解像度を得るのに３分の１のドット数ですむ。
また、カラーフィルタは、透過率が原理的に３分の１以
下であるのに対して、この方式は、透過率を１に設定可
能である。しかし、ＦＳＣ駆動方式は、１フレームの間
に、ＲＧＢ３色の異なる色信号を表示する必要があるた
め、液晶が高速に応答する必要がある。

【０００７】従来のＦＳＣ駆動タイミングを図８に示
す。ここでは、Ｍ行Ｎ列のマトリクスを駆動するものと
する。先述したように、従来のＦＳＣ駆動においては、
１フレームを３つの色フィールドに分け、各色フィール
ドにおいて、まず、各画素への映像信号の転送期間を設
け、そのあと各色の光源を点灯させるタイミングを取っ
ていた。映像信号転送期間と、光源点灯期間との間は、
通常ある一定期間時間を置くのが一般的である。これ
は、液晶の応答速度の関係である。これを図９によって
説明する。

【０００８】画素マトリクスのアドレス（１, １) の画
素に映像信号が転送されてから順次各画素に映像信号が
転送され、最後にアドレス（Ｍ，Ｎ）の画素に信号が転
送される。この間数ｍｓｅｃを要する。画素の映像信号
が転送されると、その信号レベルに応じて液晶が応答
し、所望の輝度レベルに変化する。しかしながら、アド
レス（１, １) 画素（応答曲線９０４）とアドレス
（Ｍ，Ｎ）画素（応答曲線９０５）では、液晶の応答開
始時間にタイムラグ９０１が生じ、最後の画素が所望の
輝度レベルに達するのを待ってから、光源を点灯させ
る。従来用いられてきた液晶は、先述したＴＮ液晶をベ
ースにした液晶であり、応答速度は、速いものでも室温
で２ｍｓｅｃ以上を要することが知られている。このた
め、実際に光源を点灯させ表示に寄与する時間９０３
は、１フィールド期間よりさらに短く、サブミリ秒以下
となる。

【０００９】図面上では、最初のアドレスビット（画
素）と最終のアドレスビット（画素）がともに所望輝度
レベルまで達しているかのように書かれているが、これ
は、液晶の応答速度が十分速い場合であり、実際には、
最初のビットと最終ビットでは微妙に輝度レベルが異な
ることがある。例えば、環境温度が低温側に変化した場
合には液晶の応答速度が遅くなり、最初のビットと最終
ビットで到達輝度レベルが異なり、画面上で色むら、輝
度むらを生じてしまう。

【００１０】このようにタイミングで駆動されている液
晶表示素子で、動きのある画像を表示すると、画像の輪
郭の動く方向の前後に色のにじみ（色割れ) を生じ、著
しく画質を損なってしまう。この現象は、静止画を表示
しているときに目線を動かすことによっても起こる。

【００１１】この原因は、図８のタイミングにも示した
ように、ＲＧＢ各色の点灯タイミング（各色表示タイミ
ング) が、時間的に離散しており、かつ、その点灯（表
示)期間が１フレーム（フィールド) 期間に対して極端
に少ないことに起因する。すなわち、例えば黒地に白の
画像が動く（静止画像で目線が動く) 場合、本来は全て
の時間においてＲＧＢ全ての色が発色（表示) されてい
なければならないのに、動きがあるためにある微小時間
だけとってみるとＲＧＢのどれかひとつ（あるいは２
つ) の光源しか点灯（発色) していない状況が起こりう
るために起こる。この現象は、画像の進行方向エッジや
末尾エッジで顕著になり、その結果、色割れが生じてし
まうのである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の液晶素子においては、高解像度を実現するための
ＦＳＣ駆動方式において、画質、特に動画質を保証する
ようなものは困難であった。

【００１３】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、フィールドシーケンシャル駆動
方式による液晶装置において、色割れの問題を解決し、
均一な画質を得られるようにすることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記発明によって解決される。すなわち、本発明の液晶装
置は、映像を表示する１つのフレームが複数の色フィー
ルドから構成されており、該色フィールドはそれぞれが
該色フィールド期間の１／２よりも短い、該色表示用信
号の転送期間と表示にほとんど寄与しない信号（例えば
黒表示信号）の転送期間とを含み、かつ、該色フィール
ドのほとんどの期間中その色フィールドに該当する色の
光源を点灯させ、これらを前記複数の色フィールドにお
いて順次行うことにより白色カラー表示を行うことを特
徴とする。

【００１５】さらに言えば、本発明で好ましく用いられ
る液晶素子は、カイラルスメクチック液晶と、該液晶に
電圧を印加する電極と、該液晶を挟持して対向すると共
に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された
一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備え
た液晶素子であって、前記カイラルスメクチック液晶の
相転移系列が、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ. ）
−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ
相、または等方性液体相（ＩＳＯ. ）−カイラルスメク
チックＣ相であって、前記液晶素子に用いる基板の少な
くとも一方は各画素に対応する電極に接続したアクティ
ブ素子を有していることを特徴とするカイラルスメクチ
ック液晶素子である。

【００１６】また、当該液晶素子は電圧無印加時では、
液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示し、
第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印
加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置か
ら一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の第二
の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安
定化された位置から第一の極性の電圧を印加したときと
は逆側にチルトする液晶素子であり、前記第一の極性の
電圧印加時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平均分子
軸の該第一の状態における単安定化された位置を基準と
した最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β
２としたとき、β１＞β２となる液晶素子であることが
好ましい。上記β１、β２の関係が、β１≧５×β２で
あればより好ましく、β２が実質的にゼロであることが
さらに好ましい。

【００１７】

【作用】本発明の好ましい実施の形態によれば、カイラ
ルスメクチック液晶を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示素子をフィールドシーケンシャル駆動し、その
際、各色フィールド毎に、フィールド期間の１／２より
短い期間で信号を転送し、かつ、該当する色の光源は、
ほぼフィールド期間点灯させることにより、従来に比べ
色割れのない、均一な画質が得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明に係る液晶素子の好適な態
様として、液晶と、該液晶に電圧を印加する電極と、該
液晶を挟持して対向すると共に少なくとも一方の対向面
に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された
一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備
え、１秒間に複数フレームでの画像を表示し、各フレー
ム内において液晶の配向状態が経時的に変化する液晶素
子が提供される。

【００１９】さらに本発明では、上述したような素子製
造法によって作製される素子として、上述したような電
圧無印加時に液晶が単安定状態を呈するようなカイラル
スメクチック液晶を用いた液晶素子が提供される。

【００２０】その本発明に好ましく適用できる液晶素子
は、特願平１０−１７７１４５あるいは特開２０００−
０１００７６に記載の素子であり、該液晶材料の相転移
系列が等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）、ま
たは等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ^* ）を示し、ＳｍＣ^* 相への転移の際に一
対の基板間へ、正負いずれかのＤＣ電圧を印加すること
で、２つの層方向のうち一方の層方向のみに揃え、すな
わち平均一軸配向処理軸とスメクチック層法線方向のず
れ方向が一定となるようにし、電圧無印加の状態で液晶
分子仮想コーンエッジ上、あるいはその内側に安定化さ
せ、そのメモリ性を消失させたＳｍＣ^* 相の配向状態を
得ている。

【００２１】また、本発明に用いられる液晶は、カイラ
ルスメクチック液晶であって、相転移系列が、高温側よ
り、等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃ
ｈ）−カイラルスメクチックＣ相、または等方性液体相
（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相であるものが
好ましい。以下に本発明で用いられる液晶組成物を構成
する好ましい化合物の具体例を（化１）〜（化４）に示
す。

【００２２】

【化１】Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０で、置換基を有し
ていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯまたはＯＯＣＹ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：ＨまたはＦｎ：０または１

【００２３】

【化２】Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０で、置換基を有し
ていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯまたはＯＯＣＹ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：ＨまたはＦ

【００２４】

【化３】Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０で、置換基を有し
ていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯまたはＯＯＣＹ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：ＨまたはＦ

【００２５】

【化４】Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０で、置換基を有し
ていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯまたはＯＯＣＹ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：ＨまたはＦ

【００２６】以下、図１を参照して本発明の液晶素子の
具体的な一実施形態について説明する。同図に示す液晶
素子８０では、一対のガラス、プラスチック等透明性の
高い材料からなる基板８１ａ、８１ｂ間に液晶８５、好
ましくはカイラルスメクチック相を呈する液晶を挟持し
たセルが互いに偏光軸が直交した一対の偏光板８７ａお
よび８７ｂ間に挟装された構造となっている。

【００２７】基板８１ａ、８１ｂには、夫々液晶８５に
電圧を印加するためのＩｎ₂ Ｏ₃ 、ＩＴＯ等の材料から
なる電極８２ａ、８２ｂが設けられており、例えば後述
するように一方の基板にドット状の透明電極をマトリッ
クス状に配置し、各透明電極にＴＦＴやＭＩＭ（Metal-
Insulator-Metal ）等のスイッチング素子を接続し、他
方の基板の一面上あるいは所定パターンの対向電極を設
けアクティブマトリックス構造を形成している。

【００２８】電極８２ａ、８２ｂ上には、必要に応じて
これらのショートを防止する等の機能を持つＳｉＯ₂ 、
ＴｉＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 等の材料からなる絶縁膜８３ａ、
８３ｂが夫々設けられる。

【００２９】さらに、絶縁膜８３ａ、８３ｂ上には、液
晶８５に接し、その配向状態を制御するべく機能する配
向制御膜８４ａ、８４ｂが設けられている。かかる配向
制御膜８４ａ、８４ｂの少なくとも一方には一軸配向処
理が施されている。かかる膜としては、例えば、ポリイ
ミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアル
コール等の有機材料を溶液塗工した膜の表面にラビング
処理を施したもの、あるいはＳｉＯ等の酸化物、窒化物
を基板に対し斜め方向から所定の角度で蒸着した無機材
料の斜方蒸着膜を用いることができる。

【００３０】尚、配向制御膜８４ａ、８４ｂについて
は、その材料の選択、処理（一軸配向処理等）の条件等
により、液晶８５の分子のプレチルト角（液晶分子の配
向制御膜界面付近で膜面に対してなす角度）が調整され
る。

【００３１】また、配向制御膜８４ａ、８４ｂがいずれ
も一軸配向処理がなされた膜である場合、夫々の膜の一
軸配向処理方向（特にラビング方向）を、用いる液晶材
料に応じて反平行、平行、またはクロスラビング、ある
いは片側のみのラビングに設定することができる。

【００３２】基板８１ａおよび８１ｂは、スペーサ８６
を介して対向している。かかるスペーサ８６は、基板８
１ａ、８１ｂの間の距離（セルギャップ）を決定するも
のであり、シリカビーズ等が用いられる。ここで決定さ
れるセルギャップについては、液晶材料の違いによって
最適範囲および上限値が異なるが、均一な一軸配向性、
また電圧無印加時に液晶分子の平均分子軸をほぼ配向処
理軸の平均方向の軸と実質的に同一にする配向状態を発
現させるべく、０．３〜１０μｍの範囲に設定すること
が好ましい。

【００３３】スペーサ８６に加えて、基板８１ａおよび
８１ｂ間の接着性を向上させ、カイラルスメクチック相
を示す液晶の耐衝撃性を向上させるべく、エポキシ樹脂
等の樹脂材料等からなる接着粒子を分散配置することも
できる（図示せず）。

【００３４】上記構造の液晶素子８０では、液晶８５と
してカイラルスメクチック相を示す液晶を用いる場合に
ついては、その材料の組成を調整し、さらに液晶材料の
処理や素子構成、例えば配向制御膜８４ａおよび８４ｂ
の材料、処理条件等を適宜設定することにより、電圧無
印加時では、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定
化されている配向状態を示し、駆動時では一方の極性
（第一の極性）の電圧印加時に印加電圧の大きさに応じ
て平均分子軸の単安定化される位置を基準としたチルト
角度が連続的に変化し、他方の極性（第二の極性）の電
圧印加時には液晶の平均分子軸は、印加電圧の大きさに
応じた角度でチルトするような特性を示すようにする。
このとき、第一の極性の電圧印加による最大チルト角度
が、第二の極性の電圧印加による最大チルト角度より大
きいような特性を示すようにしてもよい。または第２の
極性の電圧印加時には平均分子軸が印加電圧の大きさに
よらずチルトしないような特性にしても良い。

【００３５】そして、カイラルスメクチック相を示す液
晶材料８５としては、前述したような特性（液晶材料固
有の物性値コーン角Θ、スメクチック層の層間隔ｄ、傾
斜角δについての特性）を示すようなビフェニル骨格や
フェニルシクロヘキサンエステル骨格、フェニルピリミ
ジン骨格等を有する炭化水素系液晶材料、ナフタレン系
液晶材料、ポリフッ素系液晶材料を適宜選択して調製し
た組成物を用いる。

【００３６】当該液晶素子では、基板８１ａおよび８１
ｂの一方に少なくともＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを設
け、カラー液晶素子とすることもできる。また光源とし
てＲ、Ｇ、Ｂの光源を順次切り替えることで、時分割に
よる混色を利用してフルカラー表示させる方法を用いる
こともできる。

【００３７】尚、当該液晶素子は、基板８１ａおよび８
１ｂの両方の基板に一対の偏光板を設けた透過型の液晶
素子、すなわち基板８１ａおよび８１ｂのいずれも透光
性の基板であり、一方の基板側からの入射光（例えば外
部光源による光）を変調し他方側に出射するタイプの素
子、または少なくとも一方の基板に偏光板を設けた反射
型の液晶素子、すなわち基板８１ａおよび８１ｂのいず
れか一方の側に反射板を設けるかあるいは一方の基板自
体または基板に設ける部材として反射性の材料を用い
て、入射光および反射光を変調し、入射側と同様の側に
光を出射するタイプの素子のいずれにも適用することが
できる。

【００３８】本実施形態では、上述の液晶素子に対して
階調信号を供給する駆動回路を設け、上述したような電
圧の印加により液晶の平均分子軸の単安定位置からの連
続的なチルト角度の変化、および素子からの出射光量が
連続的に変化する特性を利用し階調表示を行う液晶表示
素子を構成することができる。例えば、液晶素子の一方
の基板として前述したようなＴＦＴ等を備えたアクティ
ブマトリクス基板を用い、駆動回路で振幅変調によるア
クティブマトリクス駆動を行うことでアナログ階調表示
が可能となる。

【００３９】図２〜４を参照して、本実施形態の液晶素
子において、このようなアクティブマトリクス基板を用
いた例について説明する。図２は、当該素子を、駆動手
段を備えた形で、一方の基板（アクティブマトリクス基
板）の構成を中心に模式的に示したものである。

【００４０】図２に示す構成では、液晶素子に相当する
パネル部９０において、駆動手段である走査信号ドライ
バ９１に接続した走査線に相当する図面上水平方向のゲ
ート線Ｇ１、Ｇ２、…と、駆動手段である情報信号ドラ
イバ９２に接続した情報信号線に相当する図面上縦方向
のソース線Ｓ１、Ｓ２、…が互いに絶縁された状態で直
交するように設けられており、その各交点の画素に対応
してスイッチング素子に相当する薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）９４および画素電極９５が設けられている（同図
では簡略化のため５×５画素の領域のみを示す）。尚、
スイッチング素子として、ＴＦＴの他、ＭＩＭ素子を用
いることもできる。ゲート線Ｇ１、Ｇ２、…はＴＦＴ９
４のゲート電極（図示せず）に接続され、ソース線Ｓ
１、Ｓ２、…はＴＦＴ９４のソース電極（図示せず）に
接続され、画素電極９５はＴＦＴ９４のドレイン電極
（図示せず）に接続されている。かかる構成において、
走査信号ドライバ９１によりゲート線Ｇ１、Ｇ２、…が
例えば線順次に走査選択されてゲート電圧が供給され、
このゲート線の走査選択に同期して情報信号ドライバ９
２から、各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧が
ソース線Ｓ１、Ｓ２、…に供給され、ＴＦＴ９４を介し
て各画素電極に印加される。

【００４１】図３は、図２に示すようなパネル構成にお
ける各画素部分（１ビット分）の断面構造の一例を示
す。同図に示す構造では、ＴＦＴ９４および画素電極９
５を備えるアクティブマトリクス基板２０と共通電極４
２を備えた対向基板４０との間に、自発分極を有する液
晶層４９が挟持され、液晶容量（Ｃ_LC）３１が構成され
ている。

【００４２】アクティブマトリクス基板２０について
は、ＴＦＴ９４としてアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）を
用いたボトムゲート型ＴＦＴを用いた例が示されてい
る。これ以外にも、ポリ−Ｓｉを用いた同様の構造のも
のや、トップゲート型のＴＦＴも用いることが可能であ
る。ＴＦＴ９４はガラス等からなる基板２１上に形成さ
れ、図２に示すゲート線Ｇ１、Ｇ２、…に接続したゲー
ト電極２２上に窒化シリコン（ＳｉＮ_x ）等の材料から
なる絶縁膜（ゲート絶縁膜）２３を介してａ−Ｓｉ層２
４が設けられており、該ａ−Ｓｉ層２４上に、夫々ｎ⁺
ａ−Ｓｉ層２５、２６を介してソース電極２７、ドレイ
ン電極２８が互いに離間して設けられている。ソース電
極２７は図２に示すソース線Ｓ１、Ｓ２，…に接続し、
ドレイン電極２８はＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる画
素電極９５に接続している。また、ＴＦＴ９４における
ａ−Ｓｉ層２４上をチャネル保護膜２９が被覆してい
る。このＴＦＴ９４は、該当するゲート線が走査選択さ
れた期間においてゲート電極２２にゲートパルスが印加
されオン状態となる。

【００４３】さらに、アクティブマトリクス基板２０に
おいては、画素電極９５と、該電極のガラス基板側に設
けられた保持容量電極３０により絶縁膜２３（ゲート電
極２２上の絶縁膜と連続的に設けられた膜）を挟持した
構造により保持容量（Ｃｓ）３２が液晶層５０と並列の
形で設けられている。保持容量電極はその面積が大きい
場合、開口率が低下するため、ＩＴＯ膜等の透明導電膜
により形成される。

【００４４】アクティブマトリクス基板２０のＴＦＴ９
４および画素電極９５上には液晶の配向状態を制御する
ための例えばラビング処理等の一軸配向処理が施された
配向膜４３ａが設けられている。一方、対向基板４０で
は、ガラス基板４１上に、全面同様の厚みで共通電極４
２、および液晶の配向状態を制御するための配向膜４３
ｂが積層されている。尚、上記セル構造は、互いに偏光
軸が直交した関係にある一対の偏光板間に挟持されてい
る（図示せず）。

【００４５】上記構造のパネルの画素部分において、液
晶層４９としては、自発分極を有する液晶、例えばカイ
ラルスメクチック相を呈する液晶が用いられる。尚、図
２および３に示すようなパネル構成において、アクティ
ブマトリクス基板として、多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）ＴＦ
Ｔを備えた基板を用いることができる。

【００４６】図３に示すパネルの画素部分の等価回路を
図４に示す。図４および図５を参照して上記構造の液晶
素子における特性を利用したアクティブマトリクス駆動
について述べる。本実施形態の液晶素子におけるアクテ
ィブマトリクス駆動では、例えば一画素においてある情
報を表示するための期間（１フレーム）を複数のフィー
ルド（例えば図５に示す１Ｆおよび２Ｆ）に分割し、こ
れら２フィールドにおいて平均的に所定の情報に応じた
出射光量を得る。以下では、液晶層４９が一方の極性の
電圧印加で十分な透過光強度であり、逆極性ではそれよ
り小さい透過光強度である特性を示す場合における２フ
ィールドに分割された例について説明する。

【００４７】図５（ａ）は、一画素を着目した際に、当
該画素に接続する走査線となる一ゲート線に印加される
電圧を示す。上記構造の液晶素子では、各フィールド毎
にゲート線Ｇ１、Ｇ２、…が例えば線順次で選択され、
一ゲート線には選択期間Ｔonにおいて所定のゲート電圧
Ｖｇが印加され、ゲート電極２２に電圧Ｖｇが加わりＴ
ＦＴ９４がオン状態となる。他のゲート線が選択されて
いる期間に相当する非選択期間Ｔoff にはゲート電極２
２に電圧が加わらずＴＦＴ９４は高抵抗状態（オフ状
態）となり、Ｔoff 毎に所定の同一のゲート線が選択さ
れてゲート電極２２にゲート電圧Ｖｇが印加される。

【００４８】図５（ｂ）は、当該画素の情報信号線（ソ
ース線）に印加される電圧Ｖｓを示す。図５（ａ）で示
すように各フィールドで選択期間Ｔonでゲート電極２２
にゲート電圧が印加された際、これに同期して当該画素
に接続する情報線となるソース線Ｓ１、Ｓ２、…からソ
ース電極２７に、所定のソース電圧（情報信号電圧）Ｖ
ｓ（基準電位を共通電極４２の電位Ｖｃとする）が印加
される。

【００４９】ここで、１フレームを構成する第一のフィ
ールド（１Ｆ）では、当該画素に書込まれる情報、例え
ば用いる液晶に応じた電圧−透過率特性を基に当該画素
で得ようとする光学状態または表示情報（透過率）に応
じたレベルＶｘの正極性のソース電圧（情報信号電圧）
（基準電位を共通電極４２の電位Ｖｃとする）が印加さ
れる。この時、ＴＦＴ９４がオン状態であるため、上記
ソース電極２７に印加される電圧Ｖｘがドレイン電極２
８を介して画素電極（９５）に印加され、液晶容量（Ｃ
_LC）３１および保持容量（Ｃｓ）３２に充電がなされ、
画素電極の電位が情報信号電圧Ｖｘになる。続いて、当
該画素の属するゲート線の非選択期間Ｔoff においてＴ
ＦＴ９４は高抵抗（オフ状態）となるため、この非選択
期間には、液晶セル（液晶容量Ｃ_LC）３１および保持容
量（Ｃｓ）３２では選択期間Ｔonで充電された電荷が蓄
積された状態を維持し、電圧Ｖｘが保持される。そし
て、当該画素における液晶層４９に第１フィールド１Ｆ
の期間を通して電圧Ｖｘが印加され、当該画素の液晶部
分ではこの電圧値に応じた光学状態（透過光量）が得ら
れる。このとき液晶の応答速度がゲートオン期間より遅
い場合、液晶セル（液晶容量Ｃ_LC）３１および保持容量
（Ｃｓ）３２に充電が完了し、ゲートがオフされた非選
択期間にスイッチングが開始される。このような場合は
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺されて、
液晶層に印加される電圧が図５（ｃ）のようにＶｘより
Ｖｄ小さいＶｘ’という値を取る。

【００５０】次に、第二のフィールド（２Ｆ）の選択期
間Ｔonでは、第一のフィールド１Ｆとは極性が逆で実質
的に同様の電圧値Ｖｘを有するソース電圧（−Ｖｘ）が
ソース電極２７に印加される。この時、ＴＦＴ１４がオ
ン状態であり、画素電極９５に電圧−Ｖｘが印加され
て、液晶容量（Ｃ_LC）３１および保持容量（Ｃｓ）３２
に充電がなされ、画素電極の電位が情報信号電圧−Ｖｘ
になる。続いて、非選択期間Ｔoff においてＴＦＴ９４
は高抵抗（オフ状態）となるため、この非選択期間に
は、液晶セル（液晶容量Ｃ_LC）３１および保持容量（Ｃ
ｓ）３２では選択期間Ｔonで充電された電荷が蓄積され
た状態を維持し、電圧−Ｖｘが保持される。そして、当
該画素における液晶層４９に第２のフィールド２Ｆ期間
を通して電圧−Ｖｘが印加され、当該画素ではこの電圧
値に応じた光学状態（出射光量）が得られる。このとき
も同様に液晶の応答速度がゲートオン期間より遅い場
合、液晶セル（液晶容量Ｃ_LC）３１および保持容量（Ｃ
ｓ）３２に充電が完了し、ゲートがオフされた非選択期
間にスイッチングが開始される。このような場合は自発
分極の反転によって充電された電荷が相殺されて、液晶
層に印加される電圧が図５（ｃ）のように−ＶｘよりＶ
ｄ小さい−Ｖｘ’という値を取る。

【００５１】図５（ｃ）は、上述したような当該画素の
液晶容量および保持容量に実際に保持され液晶層４９に
印加される電圧値Ｖpix を、図５（ｄ）は当該画素での
液晶の実際の光学応答（透過型液晶素子した場合での光
学応答）を模式的に示す。図５（ｃ）に示すように、２
フィールド（１Ｆおよび２Ｆ）を通じて印加電圧は互い
に極性が反転しただけの同一レベル（絶対値）Ｖｘ’で
ある。一方、図５（ｄ）に示すように第一フィールド１
Ｆでは、Ｖｘ’に応じた階調表示状態（出射光量）が得
られ、第二フィールド２Ｆでは、−Ｖｘ’に応じた階調
表示状態が得られるが、実際には安定状態に対しわずか
な透過光量の変化しか得られず、透過光量はＴｘより小
さく、０レベルに近いＴｙとなる。

【００５２】上述したようなアクティブマトリクス駆動
では、カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた場合
で良好な高速応答性に基づいた階調表示が可能となると
同時に一画素においてあるレベルの階調表示を、高い透
過光量を得る第一フィールドと低い透過光量を得る第二
フィールドに分割して連続的に行うため、時間開口率が
５０％以下となり人間の目の感じる動画高速応答特性も
良好になる。また、第二フィールドにおいては液晶分子
の若干のスイッチング動作により完全に透過光量が０に
はならないので、フレーム期間全体での人間の目に感じ
る輝度は確保される。

【００５３】さらに、第一および第二フィールドで同様
のレベルの電圧が極性反転して液晶層４９に印加される
ため、液晶層４９に実際に印加される電圧が交流化され
液晶の劣化が防止される。

【００５４】上記のアクティブマトリクス駆動では、２
フィールドからなる１フレーム全体では、ＴｘとＴｙを
平均した透過光量が得られる。このため、情報信号電圧
Ｖｓについては、実際に当該フレームで当該画素で得よ
うとする画像情報（階調情報）に応じて、所定のレベル
だけ大きな透過光量を得ることのできる電圧値を選択し
て印加することで、第一フィールド１Ｆにおいて、所望
の階調状態より高いレベル透過光量での階調状態を表示
することも好ましい。

【００５５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に沿って詳細に
説明する。図６に本発明の第１の実施例に係る液晶素子
の駆動タイミングを示した。１画面全体を表示する期間
を１フレームとし、それをＲフィールド、Ｇフィール
ド、Ｂフィールドの３フィールドに分ける。１フレーム
周波数を６０Ｈｚとすると、各色フィールド周波数は、
１８０Ｈｚになる。

【００５６】Ｒフィールド内でのタイミングを用いて説
明する。図５でも説明したように、本発明の実施形態で
用いた液晶は、正負どちらかの信号のとき（図５ではＶ
ｃをはさんで正側) Ｖpix に応じた出射光量が得られ、
反対の極性の信号のときには、ほとんど出射光量が得ら
れない（ほとんど黒表示に近い) 特性を示す。

【００５７】図６（１）に示したように、ひとつの色フ
ィールド（例えばＲフィールド) 期間のうち、前半に映
像表示に寄与する映像信号転送期間６０１を設け、後半
に映像表示にほとんど寄与しない（ほとんど黒表示に近
い) 信号転送期間６０２を設ける。このとき、Ｒ光源
は、図中（２) で示したように、ほぼすべての期間６０
３点灯される。但し、点灯するタイミングは、映像信号
転送期間開始とほぼ同時であり、消灯するタイミング
は、後半の信号転送期間６０２がすべての画素に対して
終了してから、各画素の液晶の光学応答状態がほぼ同レ
ベルで、かつ、表示に寄与しないレベルに至ったタイミ
ングで実施する。

【００５８】図７には、第１アドレス（１，１) 画素と
最終アドレス（Ｍ，Ｎ）画素の液晶の光学応答波形を示
した。信号の転送は、（１，１) 画素から順次開始さ
れ、最終（Ｍ，Ｎ）画素が転送されるまで行われる。前
半の転送期間７０１で映像表示に寄与する映像信号が、
順次転送される。また、転送に要する時間は、1 フィー
ルドの１／２の時間より短く設定される。先述したよう
に、本発明の実施形態で用いたカイラルスメクチック液
晶は、光学応答速度が非常に速く、この転送期間７０１
内にすべての画素が所望の輝度レベルに到達できる。図
２で示したようなアクティブマトリクス駆動の場合、ゲ
ート線Ｇ１、Ｇ２、…を順次選択する、いわゆる線順次
駆動が用いられる。この場合、ゲート線Ｇ１に接続され
ている（１，１）画素から（１，Ｎ）画素までが同時に
選択され、ゲート線ＧＭに接続されている（Ｍ，１）画
素から（Ｍ，Ｎ）画素までが同時に選択される。

【００５９】後半の転送期間７０２では、期間７０１で
転送された映像信号とは逆極性の信号を、やはり、順次
転送する。転送開始は、前半の転送期間７０１が終了し
てからある一定時間経過後、言い換えれば、１フィール
ドのちょうど１／２の時間経過後、に設定される。ま
た、転送に要する時間は、前半の転送期間７０１と同じ
に設定される。

【００６０】この信号の転送により、各画素の輝度レベ
ルは、ほとんど映像表示に寄与しないレベル（ほとんど
黒表示) まですべての画素の輝度レベルが揃う。また、
前後半の信号転送期間の間の期間６０６、７０６の期間
を設けることにより、温度などの変化による液晶の光学
応答時間の変化にも対応し、常に一定の輝度レベルを維
持できるようになる。

【００６１】一方、光源は、１フィールド期間のほとん
どの期間７０３点灯させる。但し、点灯開始時期は、前
半の映像信号転送期間６０１、７０１の開始時期に合わ
せて点灯し、消灯時期は、後半の信号転送終了時期から
ある一定時間経過後に行う。

【００６２】このようなタイミングに設定することで、
映像表示に寄与する期間（各画素毎に見れば、転送期間
６０１、７０１から転送期間６０２、７０２までの間）
が、従来に比べ十分長く取れるようになり（後述する
が、実際には３ｍｓｅｃ程度の時間が確保可能であっ
た）、時間的に離散した光源点灯がかなり改善され、画
面上を画像が移動する際にも色割れ現象は観察されず、
良好な動画質映像が得られた。

【００６３】また、このようなタイミングに設定するこ
とで、画面全体の輝度差をほとんどなくすことが可能と
なる。すなわち、前半の映像信号転送期間と、後半の映
像表示にほとんど寄与しない信号の転送期間を、どちら
も１フィールド期間の１／２よりも短い期間に設定する
ことにより、表示輝度レベル、および、表示に寄与しな
い輝度レベル双方とも、温度などの変化により液晶の応
答速度が変化しても十分に液晶が応答できる時間的余裕
が生まれる。また、後半の信号転送期間の開始時期をち
ょうど１フィールドの１／２の時間経過後に設定し、か
つ、光源の点灯期間を上述のように設定することによ
り、常に点灯期間に対して同じデューティ比で表示を行
うことが可能になる。

【００６４】また、この両者の信号は、図５でも説明し
たように、両極性の信号であり、両者でＤＣ成分がほぼ
ゼロになるように設定される。こうすることで、液晶に
対してＤＣ成分が印加、残留することなしに駆動するこ
とが可能であり、素子の信頼性が向上する。

【００６５】先述した通り、本発明の実施形態に用いた
液晶材料であるカイラルスメクティック液晶は、従来か
ら用いられてきたＴＮ液晶に比べ光学応答速度が非常に
速く、１信号転送期間内に十分所望輝度レベルまで到達
することができる。使用温度範囲を０℃〜６０℃までに
設定した場合、黒状態から白状態に応答する時間は約１
ｍｓｅｃ程度であり、白状態から黒状態に応答する時間
は、約０．５ｍｓｅｃ程度である。したがって、本実施
例において、各信号転送期間は、フィールド周波数を１
８０Ｈｚとすると、おのおの２ｍｓｅｃに設定されてい
る。

【００６６】本実施例では、２ｍｓｅｃで全ての画素に
信号を順次転送するために、駆動能力の高いポリシリコ
ンＴＦＴを用いた。ＶＧＡ（６４０×４８０）の画素数
では、ドット周波数が１５０ＭＨｚ程度になるため、画
面を分割してそれぞれを並列に信号転送することによ
り、２ｍｓｅｃという短い転送期間でも全ての画素に信
号転送することが可能になった。

【００６７】（液晶組成物の調製）下記液晶性化合物を
混合して液晶組成物L Ｃ-1を調製した。構造式に併記し
た数値は混合の際の重量比率である。

【００６８】

【化５】上記液晶組成物L Ｃ-1の物性パラメータを以下に示す。

【００６９】

【式１】

【００７０】（液晶セルの作製）一方の基板として上述
した画素構造を有し、ゲート絶縁膜として窒化シリコン
膜を備えたａ−ＳｉＴＦＴを有するアクティブマトリク
ス基板と、対向する基板として透明電極を有する基板と
の、厚さ１. １ｍｍの一対の基板を用意した。画面サイ
ズは１０．４インチ、画素数は８００×６００とした。
該基板の透明電極上に、市販のＴＦＴ用配向膜ＳＥ７９
９（日産化学社製）をスピンコート法により塗布し、そ
の後、８０℃５分間の前乾燥を行なった後、２００℃で
１時間加熱焼成を施し膜厚５００Åのポリイミド被膜を
得た。

【００７１】続いて、当該基板上のポリイミド膜に対し
て一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を
施した。ラビング処理の条件は、径１０ｃｍのロールに
ナイロン（ＮＦ−７７／帝人製）を貼り合わせたラビン
グロールを用い、押し込み量０．３ｍｍ、送り速度１０
ｃｍ／ｓｅｃ、回転数１０００ｒｐｍ、送り回数４回と
した。

【００７２】続いて、一方の基板上にスペーサとして、
平均粒径１．５μｍのシリカビーズを散布し、各基板の
ラビング処理方向が互いに反平行（アンチパラレル）と
なるように対向させ、均一なセルギャップのセル（アク
ティブマトリクスパネルＡ）を得た。

【００７３】上記のプロセスで作製したアクティブマト
リクスパネルＡに液晶組成物ＬＣ-1をＣｈ相の温度で注
入し、液晶をカイラルスメクティック液晶相を示す温度
まで冷却し、この冷却の際、Ｃｈ−ＳｍＣ^* 相転移前後
において、＋２Ｖまたは−２Ｖのオフセット電圧（直流
電圧）を印加して冷却を行う処理を施し、液晶パネルを
作製した。かかるサンプルについて、画質、とりわけ動
画質の評価を行った。

【００７４】尚、上述の実施例では、アクティブ素子と
して、ポリシリコンＴＦＴを用いたが、駆動能力および
開示した駆動タイミングが実現できれば、例えば、ＭＩ
Ｍ素子を用いたアクティブマトリクス基板を用いても良
く、単純マトリクス基板を用いても良い。

【００７５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
従来問題であった色割れなどの動画質が改善され、か
つ、表示面内で均一が画質が得られる液晶素子を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る液晶素子の模式的
断面図である。

【図２】図１の素子に用いたアクティブマトリクス基
板の模式図である。

【図３】図２におけるアクティブマトリクス素子の断
面構造図である。

【図４】図３における画素部分の等価回路図である。

【図５】図１〜４に示す液晶素子の基本的な駆動方法
を説明する図である。

【図６】本発明の一実施例に係る液晶素子の駆動方法
を説明する図である。

【図７】本発明の一実施例に係る液晶素子の駆動方法
を説明する図である。

【図８】従来の駆動方法の問題点を説明する図であ
る。

【図９】従来の駆動方法の問題点を説明する図であ
る。

【符号の説明】

７０１：色表示用信号の転送期間、７０２：表示にほと
んど寄与しない信号の転送期間、７０３：光源の点灯期
間、７０４：最初に色表示用信号を転送される画素の応
答曲線、７０５：最後に色表示用信号を転送される画素
の応答曲線、７０６：色フィールドの１／２と色表示用
信号の転送期間との差。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｊ６４２Ｃ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HB13Y KA14 LA02 LA04 LA16 MA11 MB01 2H093 NA16 NA43 NC16 NC34 NC42 ND01 ND09 ND34 NE06 NF17 5C006 AA22 AC02 AC24 AC25 AF44 AF50 AF71 BA11 BB16 BC03 BC06 BC07 BC13 BF34 BF37 EA03 FA22 FA56 5C080 AA10 BB05 CC03 DD30 EE28 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 KK43

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アクティブマトリクス型の液晶素子と、
複数色の光源とを備え、前記液晶素子に映像を表示する
１つのフレームが複数の色フィールドから構成されてお
り、該色フィールドは該色フィールド期間の１／２未満
の該色表示用信号の転送期間と該色フィールド期間の１
／２未満の表示にほとんど寄与しない信号の転送期間と
を含み、かつ、該色表示用信号の転送期間の開始とほぼ
同時に該当する色の光源を点灯させ、該表示にほとんど
寄与しない信号の転送期間の終了後一定時間経過後、該
当する色の光源を消灯させ、これらを前記複数の色フィ
ールドにおいて順次行うことにより白色カラー表示を行
うことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】前記色表示用信号の転送期間は前記色フ
ィールド期間の開始と同時に開始し、前記表示にほとん
ど寄与しない信号の転送期間は前記色フィールド期間の
１／２の時間経過時に開始することを特徴とする請求項
１に記載の表示装置。
【請求項３】前記表示にほとんど寄与しない信号は前
記色表示用信号の極性を反転した信号であることを特徴
とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】前記液晶素子は、カイラルスメクチック
液晶と、該液晶に電圧を印加する電極と、該液晶を挟持
して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配
向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板
側に設けられた偏光板とを備えた液晶素子であり、前記
カイラルスメクチック液晶の相転移系列が、高温側よ
り、等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃ
ｈ）−カイラルスメクチックＣ相、または等方性液体相
（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相であることを
特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】前記液晶素子のアクティブマトリクス素
子が、薄膜トランジスタにより構成されていることを特
徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】前記液晶素子は、電圧無印加時では、前
記液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示
し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸
は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位
置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の
第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該
単安定化された位置から第一の極性の電圧を印加したと
きとは逆側にチルトし、かつ前記第一の極性の電圧印加
時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第
一の状態における単安定化された位置を基準とした最大
チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２とした
とき、β１＞β２となる液晶素子であることを特徴とす
る請求項４または５項に記載の液晶装置。
【請求項７】前記液晶素子において、前記第一の極性
の電圧印加時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平均分
子軸の前記第一の状態における単安定化された位置を基
準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ
１、β２としたとき、β１≧５×β２となることを特徴
とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】前記液晶素子は、電圧無印加時では、前
記液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示
し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸
は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位
置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の
第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該
単安定化された位置から実質的に変化しない液晶素子で
あることを特徴とする請求項７記載の液晶装置。
【請求項９】前記液晶素子において、前記カイラルス
メクチック液晶のバルク状態でのらせんピッチが、該液
晶素子のセル厚の２倍より長いことを特徴とする請求項
６〜８のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項１０】カイラルスメクチック液晶と、該液晶
に電圧を印加する電極と、該液晶を挟持して対向すると
共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施され
た一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備
えたアクティブマトリクス型の液晶素子の駆動方法であ
って、前記カイラルスメクチック液晶の相転移系列が、
高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリッ
ク相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相、または等方
性液体相（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相であ
り、映像を表示する１つのフレームが、複数の色フィー
ルドから構成されており、該色フィールドは、該色フィ
ールド期間の１／２未満の該色表示用信号の転送期間と
該色フィールド期間の１／２未満の表示にほとんど寄与
しない信号の転送期間とを含み、かつ、該色表示用信号
の転送期間の開始とほぼ同時に該当する色の光源を点灯
させ、該表示にほとんど寄与しない信号の転送期間の終
了後一定時間経過後、該当する色の光源を消灯させ、こ
れらを前記複数の色フィールドにおいて順次行うことに
より白色カラー表示を行うことを特徴とする、液晶素子
の駆動方法。
【請求項１１】前記液晶素子が、線順次駆動で駆動さ
れることを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆
動方法。