JP2001274133A - Substrate-treating apparatus and method thereof - Google Patents

Substrate-treating apparatus and method thereof

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JP2001274133A
JP2001274133A JP2000086650A JP2000086650A JP2001274133A JP 2001274133 A JP2001274133 A JP 2001274133A JP 2000086650 A JP2000086650 A JP 2000086650A JP 2000086650 A JP2000086650 A JP 2000086650A JP 2001274133 A JP2001274133 A JP 2001274133A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-treating apparatus and a substrate treating method, whereby evenness can be improved when a treatment solution is supplied to the substrate. SOLUTION: The substrate treating device comprises a plurality of supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d for supplying a treatment solution to a substrate W, which is dipped into a treatment solution stored in a processing chamber 61. The supply pipes 63a, 63b, 63c, and 64d are disposed on different positions of upper left, lower left, upper right, and lower right. As shown in Figs. 6 (a) to 6 (d), one of the plurality of (four) supply pipes are selectively switched, to supply a treatment solution to the substrate W. Since various flows of a treatment solution can be formed, it is possible to suppress the occurrence of 'stagnationβ and the like that cauged by constant rate flows continues.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）を処
理する基板処理装置において、その処理液による基板処
理でのより一層の均一化を図ることが可能な基板処理装
置および基板処理方法に関する。The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask,
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate (hereinafter, referred to as a "substrate") such as an optical disk substrate, which can achieve more uniform substrate processing with a processing liquid.

【０００２】[0002]

【従来の技術】基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬
して処理する基板処理装置が存在する。このような基板
処理装置においては、フッ酸等の薬液および純水（以
下、薬液および純水を総称して処理液とする）へのロッ
ト（バッチ処理を行うときの一組の複数の基板）の浸漬
処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除去したり、基
板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離
したりする一連の基板処理を達成している。2. Description of the Related Art There is a substrate processing apparatus for processing a substrate by immersing the substrate in a processing solution stored in a processing tank. In such a substrate processing apparatus, a lot (a set of a plurality of substrates when performing batch processing) to a chemical solution such as hydrofluoric acid and pure water (hereinafter, the chemical solution and pure water are collectively referred to as a processing solution) Is repeated to remove contaminants on the substrate surface, etch an oxide film on the substrate surface, and peel off the resist film to achieve a series of substrate treatments.

【０００３】図１３はそのような処理の一例を表す図で
あり、処理槽１６１の下側に配置された処理液の供給管
１６３から一定の方向に向けて処理液Ｌを供給する場合
を示している。このような基板処理装置においては、た
とえば図１３に示すように、１組（２つ）の矢印ＡＲ９
で代表されるような１種類の流れを形成することにより
処理液の供給が行われる。FIG. 13 is a diagram showing an example of such processing, and shows a case where a processing liquid L is supplied in a certain direction from a processing liquid supply pipe 163 arranged below the processing tank 161. ing. In such a substrate processing apparatus, for example, as shown in FIG.
The processing liquid is supplied by forming one kind of flow as represented by

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな１種類の流れにより基板処理が行われている場合に
おいては、処理槽内において処理液の流れがよどむ部分
（たとえば部分Ｐ１）が存在することがある。そして、
この「よどみ」が生じた部分においては、パーティクル
や反応生成物が滞留することとなったり、あるいは処理
液の濃度分布の不均一性を生じさせるなどの事態を招来
することになる。すなわち、このような「よどみ」は、
基板処理の均一化を阻害する要因となるという問題があ
る。However, when the substrate processing is performed by such one kind of flow, there is a portion (for example, a portion P1) where the flow of the processing liquid is stagnant in the processing tank. There is. And
In the portion where the “stagnation” has occurred, particles and reaction products may stay, or a situation may occur in which the concentration distribution of the processing solution becomes non-uniform. That is, such "stagnation"
There is a problem that it becomes a factor that hinders uniform processing of the substrate.

【０００５】また、基板処理の均一性の低下という上記
のような問題は、基板を浸漬して処理する基板処理装置
のみならず、浸漬せずに保持した基板に対して処理液を
供給することにより基板処理を行う基板処理装置におい
ても同様に起こり得る。[0005] Further, the above problem that the uniformity of the substrate processing is deteriorated is caused not only by the substrate processing apparatus for immersing the substrate but also by supplying the processing liquid to the substrate held without immersion. This can also occur in a substrate processing apparatus that performs substrate processing by using the above method.

【０００６】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基板
に対する処理液の供給にあたって、その均一性を向上さ
せることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the uniformity in supplying a processing liquid to a substrate.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の基板処理装置は、処理槽中に貯留
された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置
であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処
理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処
理液を供給することが可能な複数の供給手段と、前記複
数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の
供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備え
ることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a substrate immersion process using a processing liquid stored in a processing tank. A plurality of supply means provided at different positions in the processing tank and capable of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid stored in the processing tank; and Switching means for selectively switching which supply means is used to supply the processing liquid.

【０００８】請求項２に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置において、前記複数の供給手段
は、少なくとも３つの供給手段で構成され、前記少なく
とも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板の周囲の互
いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の主面の中心
に向かう方向に対して相対的に所定の側にずれた相互に
異なる位置に対して処理液を供給することが可能であ
り、前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を
所定の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理
液を供給するように切り換えることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the plurality of supply units include at least three supply units, and each of the at least three supply units is It is provided at different positions around the immersion substrate, and it is possible to supply the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side relative to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate. It is possible that the switching means selects the at least three supply means in a predetermined order and switches so as to supply the processing liquid from the selected supply means.

【０００９】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記
供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基板に
対して供給することにより、基板の剥離処理を行うこと
を特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect, the supply unit supplies a processing liquid for performing a peeling process on the substrate surface to the substrate. Accordingly, the substrate is separated.

【００１０】請求項４に記載の基板処理装置は、請求項
１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置にお
いて、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽
内に貯留された処理液を排出することが可能な複数の排
出手段と、前記切換手段は、前記複数の排出手段のうち
いずれの排出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択
的に切り換えることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the substrate processing apparatus is provided at different positions in the processing tank and stored in the processing tank. A plurality of discharge units capable of discharging the processing liquid; and the switching unit selectively switches which of the plurality of discharge units is used to discharge the processing liquid. I do.

【００１１】また、請求項５に記載の基板処理方法は、
処理槽中に貯留された処理液によって基板の浸漬処理を
行う基板処理方法であって、前記処理槽内の互いに異な
る位置に設けられた複数の供給手段のうち１つ以上の供
給手段を含む第１の組合せに係る供給手段を用いて、前
記処理槽内の処理液に浸漬された基板に対して処理液を
供給する第１の工程と、前記複数の供給手段のうち１つ
以上の供給手段を含む組合せであって、前記第１の工程
で用いられた第１の組合せとは異なる第２の組合せに係
る供給手段を用いて、前記基板に対して処理液を供給す
る第２の工程と、を含むことを特徴とする。Further, the substrate processing method according to the fifth aspect is characterized in that:
A substrate processing method for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, the method including at least one supply unit among a plurality of supply units provided at different positions in the processing tank. A first step of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid in the processing bath using a supply means according to a combination of one or more of the plurality of supply means; A second step of supplying a processing liquid to the substrate using supply means according to a second combination different from the first combination used in the first step. , Is included.

【００１２】さらに、請求項６に記載の基板処理装置
は、基板表面に対して処理液を供給する処理を行う基板
処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設け
られ、処理槽空間内の所定位置に保持された基板表面に
対して処理液を吐出供給することが可能な複数の供給手
段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用
いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手
段と、を備えることを特徴とする。A substrate processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for performing processing for supplying a processing liquid to a surface of a substrate. A plurality of supply units capable of discharging and supplying the processing liquid to the surface of the substrate held at a predetermined position in the inside, and which one of the plurality of supply units supplies the processing liquid. And a switching unit for selectively switching between (a) and (b).

【００１３】また、請求項７に記載の基板処理装置は、
処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行
う基板処理装置であって、前記処理槽内の浸漬基板に対
して処理液を供給することにより第１の流れを形成する
ことが可能な第１の供給手段と、前記処理槽において前
記第１の供給手段よりも下側に配置され、前記浸漬基板
に対して処理液を供給することが可能な第２の供給手段
と、前記第１の供給手段と前記第２の供給手段との間に
設けられ、第２の供給手段から供給された処理液の流れ
を整えて、第１の流れとは異なる第２の流れを形成する
整流手段と、前記第１の供給手段を用いて前記第１の流
れを形成する動作と、前記第２の供給手段および整流手
段を用いて前記第２の流れを形成する動作とを選択的に
切り換える切換手段と、を備えることを特徴とする。Further, the substrate processing apparatus according to claim 7 is
A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, wherein a first flow can be formed by supplying a processing liquid to an immersion substrate in the processing tank. A first supply unit, a second supply unit disposed below the first supply unit in the processing tank, and capable of supplying a processing liquid to the immersion substrate; A rectifier that is provided between the first supply unit and the second supply unit, regulates the flow of the processing liquid supplied from the second supply unit, and forms a second flow different from the first flow; Means and an operation for forming the first flow using the first supply means and an operation for forming the second flow using the second supply means and the rectifying means. Switching means.

【００１４】請求項８に記載の基板処理装置は、請求項
７に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前
記第１の供給手段を用いた第１の流れを有する処理液の
供給を行った後に、前記第２の供給手段を用いた第２の
流れを有する処理液の供給を行うように、前記第１の流
れを形成する動作と前記第２の流れを形成する動作との
切り換えを行うことを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the switching means supplies the processing liquid having the first flow using the first supply means. After performing, the operation of forming the first flow and the operation of forming the second flow are switched so that the processing liquid having the second flow is supplied using the second supply unit. Is performed.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】＜Ａ．第１実施形態＞ ＜Ａ１．基板処理装置の全体構成＞図１は、本発明に係
る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示
のように、この基板処理装置１は、未処理基板を収納し
ているカセットＣＳが投入されるカセット搬入部２と、
このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載置され内
部から複数の基板（ロット）が同時に取り出される基板
取出部３と、カセットＣＳから取り出された未処理基板
が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処理後の複
数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収納される
基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセット
ＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さら
に、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に
亙って基板移載搬送機構９が配置されており、浸漬処理
前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを一箇所から別
の箇所に搬送したり移載したりする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <A. First Embodiment><A1. Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus> FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. As shown in the drawing, the substrate processing apparatus 1 includes a cassette loading unit 2 into which a cassette CS containing unprocessed substrates is loaded,
A substrate unloading unit 3 on which the cassette CS from the cassette loading unit 2 is placed and a plurality of substrates (lots) are simultaneously extracted from the inside, and a substrate processing unit 5 on which unprocessed substrates unloaded from the cassette CS are sequentially immersed. A substrate storage unit 7 in which a plurality of processed substrates after the immersion processing are simultaneously stored in the cassette CS; and a cassette unloading unit 8 from which the cassette CS storing the processed substrates is discharged. Further, on the front side of the apparatus, a substrate transfer / transportation mechanism 9 is arranged from the substrate unloading section 3 to the substrate storage section 7, and a lot before, during and after the immersion processing can be selected from one place. Convey or transfer to another location.

【００１６】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。The cassette loading section 2 includes a cassette transfer robot C capable of horizontal movement, vertical movement, and rotation about a vertical axis.
R1 is provided, and a pair of cassettes CS mounted at predetermined positions on the cassette stage 2a are transferred to the substrate extracting section 3.

【００１７】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の
未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能
にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、
カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣ
Ｓ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に
設けられた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後
に基板処理部５に投入される。The substrate unloading section 3 includes a pair of holders 3a and 3b which move up and down. A guide groove is formed on the upper surface of each of the holders 3a and 3b, so that unprocessed substrates in the cassette CS can be supported vertically and parallel to each other. Therefore, when the holders 3a and 3b rise,
The substrate is pushed up from inside the cassette CS. Cassette C
The substrate pushed upward S is transferred to the transfer robot TR provided in the substrate transfer / transfer mechanism 9, and is loaded into the substrate processing unit 5 after horizontal movement.

【００１８】基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留し
て薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２
と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する
水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽ＭＢを有す
る多機能処理部５６とを備える。なお、本明細書におい
ては、基板に何らかの処理を行う薬液槽ＣＢ、水洗槽Ｗ
Ｂ、多機能槽ＭＢを総称して処理用槽とする。The substrate processing section 5 includes a chemical processing section 52 having a chemical tank CB for storing a chemical such as hydrofluoric acid and performing chemical processing.
And a washing unit 54 having a washing tank WB for storing pure water and performing washing processing, and a multi-function tank MB for storing various chemicals and washing in a single tank by storing chemicals or pure water. And a multifunctional processing unit 56 having the same. In this specification, a chemical solution tank CB and a washing tank W for performing some processing on a substrate are used.
B, the multi-function tank MB is collectively referred to as a processing tank.

【００１９】基板処理部５において、薬液処理部５２お
よび水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５
５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能
なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け
取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リ
フターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板
を搬送することが可能であるとともに、それら処理用槽
に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理
用槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液か
ら離脱させることができる。In the substrate processing section 5, a first substrate immersion mechanism 5 is provided behind the chemical processing section 52 and the washing processing section 54.
The substrate received from the transport robot TR is immersed in the chemical tank CB of the chemical processing section 52, and the washing tank WB of the water washing section 54 is arranged by the lifter LH1 that can be moved up and down and traversed. Or soak in The lifter LH1 can transfer the substrate between the chemical solution tank CB and the washing tank WB, and raises and lowers the substrate with respect to the processing tanks so that the substrate is stored in the processing tank. It can be immersed in a liquid or separated from the processing liquid.

【００２０】また、多機能処理部５６の後方側には、第
２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上
下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲ
から受け取った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＭＢ
内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して多機
能槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに多機能槽ＭＢか
ら当該基板を搬出する役割を担っており、多機能槽ＭＢ
に対して基板を昇降させることによって当該基板を多機
能槽ＭＢに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理
液から離脱させることができる。なお、５２ａ、５６ａ
はリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けられた基板を
支持するための基板受部を示す。A second substrate immersion mechanism 57 is disposed behind the multi-function processing unit 56, and is provided with a vertically movable lifter LH2 to transfer the robot TR.
Of the substrate received from the multi-function processing unit 56 in the multi-function tank MB
Support within. The lifter LH2 has a role of holding the substrate, loading the substrate into the multi-function tank MB, and carrying out the substrate from the multi-function tank MB.
By raising and lowering the substrate with respect to the substrate, the substrate can be immersed in or removed from the processing liquid stored in the multi-function tank MB. In addition, 52a, 56a
Indicates a substrate receiving portion for supporting substrates provided on the lifters LH1 and LH2.

【００２１】また、多機能処理部５６には、蓋５８が設
けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省
略）を有しており、当該駆動機構によって多機能槽ＭＢ
の上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５
８は、多機能槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、多
機能槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防
止するとともに、多機能槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩
するのを防ぐ役割を有している。The multi-function processing section 56 is provided with a lid 58. The lid 58 has a drive mechanism (not shown) at its lower part, and the multifunction tank MB is driven by the drive mechanism.
Opening / closing operation for opening / closing the upper end portion of the camera. Lid 5
8 prevents the inflow of contaminants into the processing liquid stored in the multi-function tank MB by closing the upper end of the multi-function tank MB, and prevents the atmosphere in the multi-function tank MB from leaking to the outside. Has the role of preventing.

【００２２】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣＳ中に収納する。The substrate storage unit 7 has the same structure as the substrate unloading unit 3, and receives the processed substrate held by the transport robot TR by a pair of vertically movable holders 7a and 7b and stores the processed substrate in the cassette CS. I do.

【００２３】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移
載する。The cassette carry-out section 8 has the same structure as the cassette carry-in section 2 and includes a movable cassette transfer robot CR2, and a pair of cassettes CS mounted on the substrate accommodating section 7. It is transferred to a predetermined position on the stage 8a.

【００２４】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
１、９２よってロットを把持することにより、基板取出
部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部
５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に
移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板
浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載し
たり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ
７ａ、７ｂに基板を移載したりする。The substrate transfer / transfer mechanism 9 includes a transfer robot TR that can move horizontally and vertically. Then, a pair of rotatable hands 9 provided on the transport robot TR are provided.
By holding the lot by the first and the second 92, the substrate supported by the holders 3a and 3b of the substrate unloading unit 3 is transferred to the lifter LH1 side provided in the first substrate immersion mechanism 55 of the substrate processing unit 5, or The substrate is transferred from the lifter LH1 to the lifter LH2 provided in the adjacent second substrate immersion mechanism 57, or the substrate is transferred from the lifter LH2 to the holders 7a and 7b of the substrate storage unit 7.

【００２５】＜Ａ２．基板処理装置の制御機構＞次に、
上記基板処理装置１の制御機構について説明する。図２
は、図１の基板処理装置１の制御機構を説明するための
機能ブロック図である。この基板処理装置１には、卓上
型コンピュータ等からなる制御部３０が組み込まれてお
り、オペレータは制御部３０を介して装置に指令を与え
たり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりでき
る。<A2. Control mechanism of substrate processing equipment>
A control mechanism of the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG.
FIG. 2 is a functional block diagram for explaining a control mechanism of the substrate processing apparatus 1 of FIG. The substrate processing apparatus 1 incorporates a control unit 30 including a desktop computer or the like, and an operator can give commands to the apparatus via the control unit 30 and set processing patterns and processing conditions.

【００２６】制御部３０は、その本体部であるＣＰＵ３
１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ３２と、読み
書き自在のメモリーであるＲＡＭ３３と、制御用ソフト
ウェアやレシピ（処理手順を既述したファイル）などを
記憶しておく磁気ディスク３４と、付随する入出力機器
とのインターフェイスである入出力ポート３５と、基板
処理装置１を直接制御する装置とのインターフェイスで
あるネットワークポート３６と、基板処理装置１外部に
設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通
信ポート３７とを備えている。また、制御部３０には、
入出力ポート３５を介してディスプレイ３８とキーボー
ド３９とが付随して設けられており、オペレータはディ
スプレイ３８の表示を確認しつつ、キーボード３９から
コマンドやパラメータを入力することができる。The control unit 30 has a CPU 3 as its main unit.
1, a ROM 32 that is a read-only memory, a RAM 33 that is a readable and writable memory, a magnetic disk 34 that stores control software and recipes (files whose processing procedures have been described), and associated input / output devices An input / output port 35 which is an interface with the substrate processing apparatus 1, a network port 36 which is an interface with an apparatus which directly controls the substrate processing apparatus 1, and a communication port 37 which communicates with a host computer or the like provided outside the substrate processing apparatus 1. And The control unit 30 includes:
A display 38 and a keyboard 39 are additionally provided via the input / output port 35, and the operator can input commands and parameters from the keyboard 39 while checking the display on the display 38.

【００２７】制御部３０に入力された指令は、処理用の
ソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて制御部
３０からネットワークポート３６を介してマスターコン
トローラ４０および槽コントローラ５０などに伝達され
る。マスターコントローラ４０は、搬送ロボットＴＲ
（図１参照）の動作を制御する。また、槽コントローラ
５０は、槽制御装置５１に指令を伝達して、各処理用槽
への注排液などを制御する。なお、槽コントローラ５０
を介した制御部３０による処理用槽への供給および排出
の制御などについては後に詳述する。The command input to the control unit 30 is processed based on processing software, and is transmitted from the control unit 30 to the master controller 40 and the tank controller 50 via the network port 36 as necessary. The master controller 40 includes the transfer robot TR
(See FIG. 1). Further, the tank controller 50 transmits a command to the tank control device 51 to control liquid injection into and out of each processing tank. The tank controller 50
The control of supply and discharge to and from the processing tank by the control unit 30 via the control unit 30 will be described later in detail.

【００２８】＜Ａ３．処理用槽の構成＞次に、基板処理
装置１に設けられている処理用槽の構成について説明す
る。ここでは、処理用槽の一例として多機能処理部５６
の多機能槽ＭＢについて説明する。図３は、多機能槽Ｍ
Ｂ（ＭＢ１）の構成を示す図である。多機能槽ＭＢは、
主として処理槽６１、回収部６２、およびそれらに付随
する注排液機構によって構成されている。処理槽６１
は、多機能槽ＭＢの主要部であり、純水または薬液（フ
ッ酸等）を貯留することが可能であり、その処理液中に
基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの表面処理を進行
させる槽である。<A3. Configuration of Processing Tank> Next, the configuration of the processing tank provided in the substrate processing apparatus 1 will be described. Here, as an example of the processing tank, the multifunctional processing unit 56
The multi-function tank MB will be described. FIG. 3 shows a multi-function tank M
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of B (MB1). Multi-function tank MB
It is mainly composed of a processing tank 61, a recovery section 62, and a liquid injection / drainage mechanism associated therewith. Processing tank 61
Is a main part of the multi-function tank MB, can store pure water or a chemical solution (hydrofluoric acid or the like), and advances the surface treatment of the substrate W by immersing the substrate W in the treatment liquid. It is a tank.

【００２９】処理槽６１の内部壁面においては、複数
（ここでは４本）の処理液の供給管６３ａ，６３ｂ，６
３ｃ，６３ｄが設けられている。これらの供給管６３
ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒形状（図ではその
断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面
に処理液を供給するための孔（図示せず）を有してい
る。また、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ
は、それぞれ、図３において、処理槽６１の左上方、左
下方、右上方、右下方の位置にそれぞれ配置されてお
り、それぞれ、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ
を介して、処理液の供給源６５ａ，６５ｂ，６５ｃ，６
５ｄに接続されている。On the inner wall surface of the processing tank 61, supply pipes 63a, 63b, 6
3c and 63d are provided. These supply pipes 63
Each of a, 63b, 63c, and 63d has a cylindrical shape (the cross-sectional shape is shown in the figure), and has a hole (not shown) for supplying a processing liquid to the cylindrical surface. I have. In addition, each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d
Are arranged at upper left, lower left, upper right, and lower right positions of the processing tank 61 in FIG. 3, respectively, and the valves 64a, 64b, 64c, 64d are respectively provided.
Through the processing liquid supply sources 65a, 65b, 65c, 6
5d.

【００３０】そして、たとえば供給管６３ａは、バルブ
６４ａを開状態にすることにより、処理液の供給源６５
ａにおいて蓄えられた処理液を、供給管６３ａの表面に
設けられた孔から処理槽６１に対して供給することがで
きる。なお、簡略化のため図示していないが、供給源６
５ａにおいては、それぞれ、複数の種類の処理液を選択
するための選択バルブなどを有しており、この選択用バ
ルブとバルブ６４とを用いて、所望の処理液を供給する
ことができる。また、他の供給管６３ｂ，６３ｃ，６３
ｄについても同様であり、それぞれ、バルブ６４ｂ，６
４ｃ，６４ｄを介して、同様の処理液の供給源６５ｂ，
６５ｃ，６５ｄに蓄えられる処理液を供給することがで
きる。さらに、処理槽６１の供給管６３から供給された
処理液は、やがてその上方から溢れ出て（オーバーフロ
ーして）、回収部６２によって回収された後、排出され
る。The supply pipe 63a is connected to the processing liquid supply source 65 by opening the valve 64a.
The processing liquid stored in a can be supplied to the processing tank 61 from a hole provided on the surface of the supply pipe 63a. Although not shown for simplicity, the source 6
5a has a selection valve or the like for selecting a plurality of types of processing liquids, and a desired processing liquid can be supplied using the selection valve and the valve 64. Further, the other supply pipes 63b, 63c, 63
The same applies to d, where the valves 64b, 6
4c and 64d, supply sources 65b,
The processing liquid stored in 65c and 65d can be supplied. Further, the processing liquid supplied from the supply pipe 63 of the processing tank 61 eventually overflows (overflows) from above, is recovered by the recovery unit 62, and is then discharged.

【００３１】また、処理槽６１の底部には、排出用バル
ブ６６ｅと排液部６７ｅとが設けられている。この排出
用バルブ６６ｅを閉状態としておくことにより、上記の
ようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、
この排出用バルブ６６ｅを開状態とすることにより、処
理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｅに向けて短
時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の
処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能であ
る。At the bottom of the processing tank 61, a discharge valve 66e and a liquid discharge section 67e are provided. By closing the discharge valve 66e, the overflow process described above can be performed. Also,
By opening the discharge valve 66e, the processing liquid stored in the processing tank 61 can be discharged to the drainage section 67e in a short time, and the like. It is possible to perform operations such as a total replacement.

【００３２】ここにおいて、この処理槽６１において
は、エッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うこと
ができる。たとえば、基板のエッチング処理には、フッ
酸などの薬液が用いられ、また、基板上のレジスト膜な
どの不要物を除去する剥離処理には、（１）オゾン（Ｏ
3）を純水に溶解したオゾン（Ｏ3）水、（２）オゾン
（Ｏ3）水と炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ3）などの
重炭酸イオンを含む添加物との混合液、（３）硫酸（Ｈ
2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ）との混合液、（４）
硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とオゾンとの混合液、（５）有機剥離
液、あるいは（６）有機剥離液で処理した後の基板を洗
浄処理するイソプロピルアルコール液などのリンス液が
使用される。Here, in the processing tank 61, an etching process or a stripping process of a resist film can be performed. For example, a chemical solution such as hydrofluoric acid is used for etching the substrate, and (1) ozone (O 2 O) is used for the stripping process for removing unnecessary substances such as a resist film on the substrate.
3 ) Ozone (O 3 ) water dissolved in pure water, (2) a mixture of ozone (O 3 ) water and an additive containing bicarbonate ions such as sodium hydrogen carbonate (NaHCO 3 ), (3) sulfuric acid (H
Mixed solution of 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide solution (H 2 O), (4)
A rinsing liquid such as a mixed liquid of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and ozone, (5) an organic stripping liquid, or (6) an isopropyl alcohol liquid for cleaning a substrate after being treated with the organic stripping liquid is used.

【００３３】このうち、有機剥離液としては、たとえ
ば、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェ
ン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、ジメ
チルスルホシキド、モノエタノールアミン、２−（２ア
ミノエトキシ）エタノール、ヒドロキシアミン、カテコ
ール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオー
ル、パーフレン、フェノールを主成分とする薬液が使用
される。より具体的には、たとえば、１−メチル−２
ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシ
ドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エ
タノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエ
タノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合
液、パーフレンとフェノールとの混合液、の（６種類
の）混合液のそれぞれが、有機剥離剤として用いられ
る。Among them, examples of the organic stripping solution include 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide, isopropanolamine, dimethyl sulfoxide, monoethanolamine, 2- (2aminoethoxy) ethanol, A chemical solution containing hydroxyamine, catechol, N-methylpyrrolidone, aromatic diol, perfrene, and phenol as main components is used. More specifically, for example, 1-methyl-2
A mixture of pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide and isopropanolamine, a mixture of dimethyl sulfoxide and monoethanolamine,
A mixed solution of (2aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine and catechol, a mixed solution of 2- (2aminoethoxy) ethanol and N-methylpyrrolidone, a mixed solution of monoethanolamine, water and aromatic diol, perfrene Each of the (six types) of mixed solutions of phenol and phenol is used as an organic release agent.

【００３４】また、処理槽６１における処理の種類など
によって、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから
供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これ
は、バルブ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉量
や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御
することにより行われる。特に、上述の剥離処理におい
ては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有する
処理液）を基板に対して供給することにより、基板の表
面に付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可
能になる。The supply amount (flow rate) of the processing liquid supplied from the supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d changes depending on the type of processing in the processing tank 61 and the like. This is performed by controlling the opening / closing amounts of the valves 64a, 64b, 64c, 64d and the pressure of a processing liquid supply pump (not shown). In particular, in the above-described stripping treatment, unnecessary resist films and the like adhering to the surface of the substrate can be stripped by supplying a large flow rate of the processing liquid (therefore, a processing liquid having a large liquid pressure) to the substrate. Will be possible.

【００３５】さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、
処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態におい
て、起立状態で保持されている。そして、図３に示すよ
うに、供給管６３ａは基板Ｗの左上方から処理液を供給
し、供給管６３ｂは基板Ｗの左下方から処理液を供給
し、供給管６３ｃは基板Ｗの右上方から処理液を供給
し、供給管６３ｄは基板Ｗの右下方から処理液を供給す
る。つぎに、これらの複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６
３ｃ，６３ｄを用いた処理動作について詳述する。Further, a plurality of substrates W to be processed are
In a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61, it is held upright. Then, as shown in FIG. 3, the supply pipe 63a supplies the processing liquid from the upper left of the substrate W, the supply pipe 63b supplies the processing liquid from the lower left of the substrate W, and the supply pipe 63c supplies the processing liquid from the upper right of the substrate W. The supply pipe 63d supplies the processing liquid from the lower right of the substrate W. Next, these supply pipes 63a, 63b, 6
The processing operation using 3c and 63d will be described in detail.

【００３６】＜Ａ４．動作＞ ＜第１の動作＞ここでは、上記の４つの供給管６３ａ，
６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを用いて選択的に処理液を基板
に対して供給する場合について説明する。図４は、各供
給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供
給方向を示す模式図であり、図５は、各供給管６３ａ，
６３ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給動作を示す
動作図（タイミングチャート）である。また、図６は、
異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３ｂ，６３
ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図である。<A4. Operation><FirstOperation> Here, the four supply pipes 63a,
The case where the processing liquid is selectively supplied to the substrate by using 63b, 63c, and 63d will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing the supply direction of the processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d, and FIG.
It is an operation | movement figure (timing chart) which shows the supply operation of the processing liquid from 63b, 63c, 63d. Also, FIG.
Supply pipes 63a, 63b, 63 at different times
It is a figure which shows the supply situation of the processing liquid from c, 63d.

【００３７】図４に示すように、これら４つの供給管の
それぞれは、（処理槽内の処理液に）浸漬された基板
（浸漬基板）Ｗの周辺部の互いに異なる位置に設けら
れ、浸漬基板の主面（図では円形面）の中心Ｃに向かう
方向に対して相対的に所定の側（図では左側）にずれた
相互に異なる位置に対して処理液を供給するように構成
されている。たとえば、供給管６３ａは基板の中心Ｃに
向かって中心Ｃの左側にずれた位置に対して処理液を供
給し、供給管６３ｂも基板の中心Ｃに向かって中心Ｃの
左側にずれた位置に対して処理液を供給する。他の供給
管６３ｃ，６３ｄについても同様であり、基板の中心Ｃ
に向かって（同一の）左側にずれた位置に対して処理液
を供給する。As shown in FIG. 4, each of these four supply pipes is provided at different positions on the periphery of a substrate (immersion substrate) W immersed (in a processing solution in a processing tank). The processing liquid is supplied to mutually different positions shifted to a predetermined side (the left side in the figure) relative to the direction toward the center C of the main surface (the circular surface in the figure). . For example, the supply pipe 63a supplies the processing liquid to a position shifted to the left of the center C toward the center C of the substrate, and the supply pipe 63b also shifts to a position shifted to the left of the center C toward the center C of the substrate. The processing liquid is supplied to the processing liquid. The same applies to the other supply pipes 63c and 63d.
The processing liquid is supplied to a position shifted to the (same) left side toward.

【００３８】この実施形態においては、このような４つ
の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの全てから同
時に処理液を供給するのではなく、４つの供給管６３
ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれからの処理液の
供給が、所定の順序で切り換えて行われる場合を例示す
る。このような切換動作は、上記の制御部３０の指令に
基づいて、槽コントローラ５０を介して、各バルブ６４
ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄの開閉などを伴うことによ
り実現される。In this embodiment, the processing liquid is not supplied from all of the four supply pipes 63a, 63b, 63c and 63d at the same time.
The case where the supply of the processing liquid from each of a, 63b, 63c, and 63d is performed by switching in a predetermined order will be exemplified. Such a switching operation is performed by the valves 64 through the tank controller 50 based on the command from the control unit 30.
a, 64b, 64c, 64d.

【００３９】つぎに、図５の動作図をも参照しながら、
このような切換動作について説明する。図５の動作図に
示すように、まず、時刻ｔ０において、供給管６３ａか
らの供給が開始される。図６（ａ）は、供給管６３ａか
らのみ処理液が供給される様子を示す。そして、所定時
間Δｔ経過後、時刻ｔ１において、供給管６３ａからの
供給が停止され、今度は、供給管６３ａに代わって、供
給管６３ｃからの供給が開始される。図６（ｂ）は、供
給管６３ｃからのみ処理液が供給される様子を示す。つ
ぎに、時刻ｔ２において、供給管６３ｃからの供給が停
止され、供給管６３ｄからの供給が開始される。図６
（ｃ）は、供給管６３ｄからのみ処理液が供給される様
子を示す。さらに、時刻ｔ３において、供給管６３ｄか
らの供給が停止され、供給管６３ｂからの供給が開始さ
れる。図６（ｄ）は、供給管６３ｂからのみ処理液が供
給される様子を示す。その後、時刻ｔ４において、供給
管６３ｂからの処理液の供給が停止される。また、この
各供給管６３からの処理液の供給時間Δｔ（＝ｔ１−ｔ
０，ｔ２−ｔ１，...）は、たとえば、数秒から数十秒
である。この供給時間は、処理槽６１の大きさおよび処
理液の流量などに応じて適切な値が設定される。Next, referring also to the operation diagram of FIG.
Such a switching operation will be described. As shown in the operation diagram of FIG. 5, first, at time t0, supply from the supply pipe 63a is started. FIG. 6A shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63a. Then, after a predetermined time Δt has elapsed, at time t1, the supply from the supply pipe 63a is stopped, and the supply from the supply pipe 63c is started instead of the supply pipe 63a. FIG. 6B shows a state in which the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63c. Next, at time t2, the supply from the supply pipe 63c is stopped, and the supply from the supply pipe 63d is started. FIG.
(C) shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63d. Further, at time t3, the supply from the supply pipe 63d is stopped, and the supply from the supply pipe 63b is started. FIG. 6D shows a state where the processing liquid is supplied only from the supply pipe 63b. Thereafter, at time t4, the supply of the processing liquid from the supply pipe 63b is stopped. Further, the processing liquid supply time Δt (= t1−t) from each supply pipe 63
0, t2-t1,...) Is, for example, several seconds to several tens of seconds. The supply time is set to an appropriate value according to the size of the processing tank 61 and the flow rate of the processing liquid.

【００４０】以降、順次、時刻ｔ４，ｔ５，...におい
て供給管６３ａ，６３ｂ，からの供給が開始されるとと
もに、時刻ｔ５，ｔ６，...において供給管６３ｃ，６
３ｄからの供給が停止される。すなわち、図６（ａ）〜
（ｄ）に示される各動作をこの順序で繰り返すことによ
り、４つの供給管からの処理液の供給動作を行う。Thereafter, the supply from the supply pipes 63a, 63b is started sequentially at times t4, t5,... And the supply pipes 63c, 6 at times t5, t6,.
The supply from 3d is stopped. That is, FIG.
By repeating each operation shown in (d) in this order, an operation of supplying the processing liquid from the four supply pipes is performed.

【００４１】ここにおいて、４つの供給管６３ａ，６３
ｂ，６３ｃ，６３ｄのうちいずれの供給管を用いて処理
液の供給を行うかを選択的に切り換えて処理液の供給動
作を行うので、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、処理
液の様々な流れ（ここでは４種類の流れ）を形成するこ
とができる。したがって、一定の流れが継続することに
起因する「よどみ」等の発生を抑制することができるの
で、処理液を基板に対して供給するにあたって、その均
一性を向上させることができる。Here, the four supply pipes 63a, 63
Since the processing liquid supply operation is performed by selectively switching which of the supply pipes b, 63c, and 63d is used to supply the processing liquid, the processing liquid supply operation is performed, as shown in FIGS. Various flows (here, four types of flows) of the processing liquid can be formed. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.

【００４２】さらに、浸漬基板Ｗの主面の中心Ｃに向か
う方向に対して所定の側（同一の側）にずれた相互に異
なる位置に対して処理液を供給する４つの供給管６３
ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄによって、所定の順序（こ
こでは、供給管の配置位置に関して時計回りの順序）で
処理液が供給されるので、各供給管６３ａ，６３ｂ，６
３ｃ，６３ｄのそれぞれによる供給時点においては、図
６（ａ）〜（ｄ）のそれぞれに示す独自の流れが形成さ
れる一方で、さらに大きな時間単位で考察すると、基板
の中心Ｃに対して（時計回りに）回転するような処理液
の流れを形成することが可能である。したがって、基板
に対して均一な処理が可能になる。Further, four supply pipes 63 for supplying the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side (the same side) with respect to the direction toward the center C of the main surface of the immersion substrate W.
The processing liquid is supplied in a predetermined order (here, the clockwise order with respect to the arrangement position of the supply pipes) by a, 63b, 63c, and 63d.
At the time of supply by each of 3c and 63d, the unique flow shown in each of FIGS. 6A to 6D is formed, while considering in a larger time unit, ( It is possible to form a flow of the processing liquid that rotates (clockwise). Therefore, uniform processing can be performed on the substrate.

【００４３】なお、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３
ｃ，６３ｄから同時に処理液を供給する場合には、別個
の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給され
る処理液の相互間による流れが干渉するため、基板の中
心に対して回転するような処理液の流れを形成すること
が困難であるのに対して、上記のように時間的に異なる
タイミングで各供給管から処理液を供給する場合には、
このような相互干渉が抑制されるため、基板の中心Ｃに
対して回転するような処理液の流れを効率的に形成する
ことが可能になる。特に、上述の剥離処理を行う場合に
おいては、大流量の処理液（したがって大きな液圧を有
する処理液）を基板Ｗに対して供給するにあたって、各
供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそれぞれから
供給される処理液同士が互いに干渉することなく、各供
給時間にわたる各供給管のそれぞれから供給される処理
液の液圧を十分に利用した上で、処理液の供給を行うこ
とが可能である。これにより、基板の表面に付着した不
要なレジスト膜などの剥離をより有効に行うことができ
る。The four supply pipes 63a, 63b, 63
When the processing liquids are supplied simultaneously from c and 63d, the flow of the processing liquid supplied from the separate supply pipes 63a, 63b, 63c and 63d interferes with each other. When it is difficult to form a flow of the processing liquid, when the processing liquid is supplied from each supply pipe at different timings as described above,
Since such mutual interference is suppressed, it is possible to efficiently form a flow of the processing liquid that rotates with respect to the center C of the substrate. In particular, in the case of performing the above-described stripping process, when supplying a large flow rate of the processing liquid (therefore, a processing liquid having a high liquid pressure) to the substrate W, the supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d are used to supply the processing liquid. It is possible to supply the processing liquid after sufficiently utilizing the pressure of the processing liquid supplied from each supply pipe over each supply time without the supplied processing liquids interfering with each other. . This makes it possible to more effectively remove unnecessary resist films and the like adhering to the surface of the substrate.

【００４４】また、基板Ｗは、それ自身が回転されるこ
となく固定された状態で保持されるので、基板Ｗなどか
らのパーティクルの発生も最小限に止めることができ
る。Since the substrate W is held in a fixed state without being rotated, generation of particles from the substrate W and the like can be minimized.

【００４５】さらに、上記においては、４つの供給管に
より処理液の供給を行ったが、少なくとも３つの供給管
からの処理液の供給を行うことにより、同様の処理を行
うことができる。たとえば、基板Ｗの周囲の異なる３カ
所（たとえば、基板Ｗの左上位置と基板Ｗの右上位置と
基板Ｗの直下位置との合計３カ所）の位置に設けられた
３つの供給管を用いても同様の処理を行うことが可能で
ある。Further, in the above description, the processing liquid is supplied through the four supply pipes. However, the same processing can be performed by supplying the processing liquid through at least three supply pipes. For example, three supply pipes provided at three different positions around the substrate W (for example, a total of three positions including an upper left position of the substrate W, an upper right position of the substrate W, and a position immediately below the substrate W) may be used. Similar processing can be performed.

【００４６】＜その他の動作＞上記においては、浸漬基
板Ｗの主面の中心Ｃに向かう方向に対して所定の側（左
側）にずれた位置に対して処理液を供給する４つの供給
管を用いる場合において、供給管の配置位置に関して時
計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３ｃ，６３
ｄ，６３ｂの順）で処理液が供給される場合を例示した
が、これに限定されない。たとえば、浸漬基板Ｗの主面
の中心Ｃに対して右側にずれた位置に対して処理液を供
給する４つの供給管を用いて、供給管の配置位置に関し
て反時計回りの順序（すなわち、供給管６３ａ，６３
ｂ，６３ｄ，６３ｃの順）で処理液を供給してもよい。
また、これら４つの供給管からの処理液の供給順序は、
さらに別の順序（たとえば、供給管６３ａ，６３ｂ，６
３ｃ，６３ｄの順）であってもよい。<Other Operations> In the above, the four supply pipes for supplying the processing liquid to a position shifted to a predetermined side (left side) with respect to the direction toward the center C of the main surface of the immersion substrate W are provided. When used, the clockwise order (that is, the supply pipes 63a, 63c,
Although the case where the processing liquid is supplied in the order of (d, 63b) is illustrated, the invention is not limited to this. For example, using four supply pipes for supplying the processing liquid to a position shifted to the right with respect to the center C of the main surface of the immersion substrate W, a counterclockwise order (that is, the supply Tubes 63a, 63
b, 63d, and 63c in this order).
The supply order of the processing liquid from these four supply pipes is as follows.
Still another order (for example, supply pipes 63a, 63b, 6)
3c, 63d).

【００４７】さらには、所定の時刻において、４つの供
給管のうちの２つ以上を組合せて処理液の供給を行うよ
うにしてもよい。すなわち、２つ以上の供給管が同時に
処理液の供給を行うべきであるとして選択されてもよ
い。たとえば、（１）供給管６３ａ，６３ｃを同時に用
いて処理液の供給を行う動作と供給管６３ｂ，６３ｄを
同時に用いて処理液の供給を行う動作とを交互に行うよ
うな動作であってもよく、あるいは、（２）所定の時刻
において供給管６３ａ，６３ｂを同時に用いて処理液の
供給を行い、別の時刻において、供給管６３ａ，６３
ｂ，６３ｃを同時に用いて処理液の供給を行い、さらに
別の時刻において、供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６
３ｄを同時に用いて処理液の供給を行う動作を繰り返す
ような動作であってもよい。このような場合であって
も、４つの供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのう
ちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択
的に切り換えて処理液の供給動作が行われるので、処理
液の様々な流れを形成することが可能である。Further, at a predetermined time, two or more of the four supply pipes may be combined to supply the processing liquid. That is, it may be selected that two or more supply pipes should simultaneously supply the processing liquid. For example, (1) an operation in which the operation of supplying the processing liquid using the supply pipes 63a and 63c simultaneously and the operation of supplying the processing liquid using the supply pipes 63b and 63d simultaneously are performed alternately. (2) At a predetermined time, supply of the processing liquid is performed simultaneously using the supply pipes 63a and 63b, and at another time, the supply pipes 63a and 63b are supplied.
b and 63c are simultaneously used to supply the processing liquid, and at another time, the supply pipes 63a, 63b, 63c and 6 are supplied.
The operation may be such that the operation of supplying the processing liquid using 3d simultaneously is repeated. Even in such a case, the processing liquid supply operation is performed by selectively switching which of the four supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d is used to supply the processing liquid. Therefore, it is possible to form various flows of the processing liquid.

【００４８】＜Ａ５．変形例＞上記第１実施形態におい
ては、処理槽６１に貯留された処理液がオーバーフロー
によって回収部６２を介して排出される場合を示した
が、これに限定されない。たとえば、図７に示すような
オーバーフローを用いない閉鎖系の多機能槽ＭＢ（ＭＢ
４）を有する基板処理装置にも適用することが可能であ
る。<A5. Modifications> In the first embodiment described above, the case where the processing liquid stored in the processing tank 61 is discharged via the recovery unit 62 due to overflow has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, a closed multifunctional tank MB (MB
The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus having the method 4).

【００４９】図７においては、図３の多機能槽ＭＢ１と
同一の要素については同一の参照符号を付して示してい
る。図７の多機能槽ＭＢ４は、多機能槽ＭＢ１と同様の
構成に加えて、さらに、排出用バルブ６６ａ，６６ｂ，
６６ｃ，６６ｄと、排液部６７ａ，６７ｂ，６７ｃ，６
７ｄとを有している。これらの排出用バルブ６６ａ，６
６ｂ，６６ｃ，６６ｄなどを用いることにより、供給管
６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから供給された処理液
を処理槽６１から回収することができる。In FIG. 7, the same elements as those of the multi-function tank MB1 of FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. The multi-function tank MB4 in FIG. 7 has the same configuration as the multi-function tank MB1, and further includes discharge valves 66a, 66b,
66c, 66d, and drainage sections 67a, 67b, 67c, 6
7d. These discharge valves 66a, 6
By using 6b, 66c, 66d and the like, the processing liquid supplied from the supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d can be recovered from the processing tank 61.

【００５０】なお、ここでは、処理槽６１内の互いに異
なる位置に設けられ、処理槽６１内に貯留された処理液
を排出することが可能な複数の供給管６３ａ，６３ｂ，
６３ｃ，６３ｄを排出管として共用することにより処理
液の排出を行う場合を示すが、供給管６３ａ，６３ｂ，
６３ｃ，６３ｄとは別個に排出専用の排出管を設けても
よい。Here, a plurality of supply pipes 63 a, 63 b, provided at different positions in the processing tank 61 and capable of discharging the processing liquid stored in the processing tank 61.
The case where the processing liquid is discharged by sharing the discharge pipes 63c and 63d is shown.
A discharge pipe dedicated to discharge may be provided separately from 63c and 63d.

【００５１】そして、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，
６３ｃ，６３ｄのいずれかから、処理液の排出が行われ
る。この排出動作は、上記の供給動作に前後して行う
（すなわち、排出動作と供給動作とを順次に行う）よう
にしてもよく、あるいは、供給動作と同時に行うように
してもよい。供給管と排出管とを共用した上で、供給動
作と排出動作とを同時に行うときには、その時点で供給
動作を行っている供給管以外の供給管が、排出動作を行
う排出管として選択される。Then, these supply pipes 63a, 63b,
The discharge of the processing liquid is performed from either of 63c and 63d. This discharge operation may be performed before or after the supply operation (that is, the discharge operation and the supply operation are performed sequentially), or may be performed simultaneously with the supply operation. When the supply operation and the discharge operation are performed simultaneously while the supply tube and the discharge tube are shared, a supply tube other than the supply tube performing the supply operation at that time is selected as the discharge tube performing the discharge operation. .

【００５２】この排出動作において、いずれの供給管６
３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから排出を行うかは、上
記の制御部３０などによってあらかじめ定められた手順
によって選択的に切り換えられる。これにより、処理液
の様々な流れを形成することができるので、処理液を基
板に対して供給するにあたって、その均一性を向上させ
ることができる。In this discharging operation, any of the supply pipes 6
Whether to discharge from 3a, 63b, 63c, 63d is selectively switched by a procedure predetermined by the control unit 30 or the like. Accordingly, since various flows of the processing liquid can be formed, the uniformity of the processing liquid when supplying the processing liquid to the substrate can be improved.

【００５３】なお、ここでは、閉鎖系の多機能槽ＭＢに
おいて、処理液の排出を行う排出管（供給管と共用）を
処理槽６１内の複数の位置に設ける場合を示したが、こ
れに限定されず、オーバーフローを用いる多機能槽ＭＢ
において上記のような排出管を設けてもよい。Here, in the closed multi-function tank MB, a case is shown in which discharge pipes for discharging the processing liquid (shared with the supply pipe) are provided at a plurality of positions in the processing tank 61. Multifunctional tank MB using overflow without limitation
In, a discharge pipe as described above may be provided.

【００５４】＜Ｂ．第２実施形態＞つぎに、第２実施形
態について説明する。図８は、第２実施形態に係る基板
処理装置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ２）を示す模式図であ
る。第２実施形態の基板処理装置は、第１実施形態の基
板処理装置と同様の構成を有しており、ここでは相違点
を中心に説明する。<B. Second Embodiment> Next, a second embodiment will be described. FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a multi-function tank MB (MB2) of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The substrate processing apparatus according to the second embodiment has the same configuration as that of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and the following description will focus on differences.

【００５５】この第２実施形態における基板処理におい
ては、処理槽６１において処理液を貯留せずに基板Ｗの
処理を行う点で、処理槽６１に貯留された処理液に基板
Ｗを浸漬して基板処理を行う第１実施形態と大きく相違
する。この第２実施形態では、図９に示すような、孔ｈ
を有する供給管６３を用いて、空間内に保持された基板
Ｗ（図８）に対して、処理液を吹き付ける（吐出供給す
る）ことにより、基板表面の処理を行うことができる。
この供給管は、円筒断面内の所定の角度θにわたる円弧
部分において、吐出部として機能する複数個の孔Ｈを有
している。そして、この孔Ｈから処理液を噴出（吐出）
させることにより、基板Ｗへの処理液の吹き付け（吐出
供給）を行うことができる。In the substrate processing according to the second embodiment, the substrate W is immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61 in that the processing of the substrate W is performed without storing the processing liquid in the processing tank 61. This is significantly different from the first embodiment in which substrate processing is performed. In the second embodiment, a hole h as shown in FIG.
The processing of the substrate surface can be performed by spraying (discharging and supplying) the processing liquid to the substrate W (FIG. 8) held in the space using the supply pipe 63 having
This supply pipe has a plurality of holes H functioning as a discharge portion in an arc portion extending over a predetermined angle θ in the cylindrical cross section. Then, the processing liquid is ejected (discharged) from the hole H.
By doing so, it is possible to spray (discharge and supply) the processing liquid onto the substrate W.

【００５６】ここで、基板Ｗは、リフターＬＨ（ＬＨ２
など）による昇降により、処理槽６１空間内の所定位置
（図示の位置）に到達することが可能であり、基板処理
時においてその所定位置に保持される。そして、各供給
管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、円筒面において
円弧上に設けられた複数の孔Ｈから処理液を噴出させる
ことにより、処理槽空間内の所定位置に保持された基板
Ｗの表面に対して処理液を供給する。そして、複数の供
給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行う
かを選択的に切り換えることにより、上記と同様の処理
を行うことができる。Here, the substrate W is connected to the lifter LH (LH2
And the like, it is possible to reach a predetermined position (position shown in the drawing) in the space of the processing tank 61, and is held at the predetermined position during substrate processing. The supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d eject the processing liquid from a plurality of holes H provided on the cylindrical surface in an arc, thereby forming the substrate W held at a predetermined position in the processing tank space. Supply the treatment liquid to the surface. Then, by selectively switching which of the plurality of supply pipes is used to supply the processing liquid, the same processing as described above can be performed.

【００５７】ここにおいて、基板Ｗ上において、その主
面全体をいくつか（ここでは４つ）の領域に区分してお
き、複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄのそ
れぞれに対して処理液を吹き付けるべき領域を各供給管
に対する吐出対象領域として割り当てている。そして、
これらの各吐出対象領域に対応する供給管から所定の順
序で順次に処理液を吐出することによって、基板に対し
て処理液を均一に供給することが可能になる。また、１
つの供給管による吐出供給によって基板Ｗの全面に対し
て処理液を供給する場合に比べて、各供給管が担当すべ
き吐出領域を小さく設定することが可能である。Here, the entire main surface of the substrate W is divided into several (here, four) regions, and the processing liquid is supplied to each of the plurality of supply pipes 63a, 63b, 63c, 63d. Is assigned as a discharge target region for each supply pipe. And
By sequentially discharging the processing liquid from the supply pipes corresponding to the respective discharge target areas in a predetermined order, the processing liquid can be uniformly supplied to the substrate. Also, 1
As compared with the case where the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate W by the discharge supply by one supply pipe, it is possible to set a smaller discharge area to be handled by each supply pipe.

【００５８】また、これらの供給管６３ａ，６３ｂ，６
３ｃ，６３ｄから同時に処理液を噴出させた場合には、
複数の供給管のそれぞれから供給される処理液が相互に
衝突することによって、互いの処理液の流れの方向や強
さが減衰することになり、基板に接触する際の処理液の
液圧が低下する。しかしながら、この第２実施形態にお
いては、上記第１実施形態と同様に、複数の供給管から
の処理液の供給を同時ではなく時間的にずらして行う。
言い換えれば、処理槽６１内の互いに異なる位置に設け
られた供給管から基板に対して処理液を供給するにあた
って、複数の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理
液の供給を行うかを選択的に切り換える。したがって、
複数の供給管から供給される処理液が相互に衝突するこ
とによる基板に対する液圧の低下を防止することができ
る。したがって、基板に対する処理液の均一な供給を効
率的に行うことができる。The supply pipes 63a, 63b, 6
When the processing liquid is ejected simultaneously from 3c and 63d,
When the processing liquid supplied from each of the plurality of supply pipes collides with each other, the flow direction and strength of each processing liquid are attenuated, and the liquid pressure of the processing liquid when contacting the substrate is reduced. descend. However, in the second embodiment, as in the first embodiment, the supply of the processing liquid from the plurality of supply pipes is performed not at the same time but at different times.
In other words, when supplying the processing liquid to the substrate from the supply pipes provided at different positions in the processing tank 61, which of the plurality of supply pipes is used to supply the processing liquid is determined. Selectively switch. Therefore,
It is possible to prevent a decrease in the liquid pressure on the substrate due to the collision of the processing liquids supplied from the plurality of supply pipes with each other. Therefore, uniform supply of the processing liquid to the substrate can be efficiently performed.

【００５９】＜Ｃ．第３実施形態＞ ＜Ｃ１．構成＞つぎに、第３実施形態について説明す
る。第３実施形態の基板処理装置は、各処理用槽以外の
構成においては、第１実施形態の基板処理装置と同様の
構成を有しており、ここでは、第３実施形態の処理用槽
の一例として多機能槽について説明する。<C. Third Embodiment><C1.Configuration> Next, a third embodiment will be described. The substrate processing apparatus of the third embodiment has the same configuration as that of the substrate processing apparatus of the first embodiment except for the configuration of each processing tank. A multifunctional tank will be described as an example.

【００６０】図１０は、第３実施形態に係る基板処理装
置の多機能槽ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。以下
に示すように、第３実施形態の多機能槽ＭＢ３は、上記
の各第１および第２実施形態とは、供給管の配置や、上
下に配置される供給管の間に処理液の流れを整える整流
板が設けられる点などにおいて異なっている。FIG. 10 is a schematic diagram showing a multi-function tank MB (MB3) of the substrate processing apparatus according to the third embodiment. As shown below, the multifunctional tank MB3 of the third embodiment is different from the first and second embodiments in the arrangement of the supply pipes and the flow of the processing liquid between the supply pipes arranged vertically. This is different in that a rectifying plate for adjusting the pressure is provided.

【００６１】まず、多機能槽ＭＢは、主として処理槽６
１、回収部６２、およびそれらに付随する注排液機構に
よって構成されている。処理槽６１は、多機能槽ＭＢの
主要部であり、純水または薬液（フッ酸等）を貯留する
ことが可能であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬するこ
とによって基板Ｗの表面処理を進行させる槽である。First, the multi-function tank MB mainly includes the processing tank 6.
1, a collection unit 62 and a liquid supply / drainage mechanism attached thereto. The processing tank 61 is a main part of the multi-function tank MB, and can store pure water or a chemical solution (such as hydrofluoric acid). The surface processing of the substrate W is performed by immersing the substrate W in the processing liquid. Is a tank for proceeding.

【００６２】処理槽６１の内部壁面においては、複数
（ここでは４本）の処理液の供給管６３ｇ，６３ｈ，６
３ｉ，６３ｊが設けられている。これらの供給管６３
ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊは、円筒形状（図ではその
断面形状が表されている）を有しており、その円筒表面
に処理液を供給するための孔（図示せず）を有してい
る。これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊ
は、処理槽６１の下方において、上下２段に分かれた位
置にそれぞれ配置されており、より具体的には、供給管
６３ｇ，６３ｉは上段位置（上側）に配置され、供給管
６３ｈ，６３ｊは下段位置（供給管６３ｇ，６３ｉより
も下側の位置）に配置されている。On the inner wall surface of the processing tank 61, supply pipes 63g, 63h, 6
3i and 63j are provided. These supply pipes 63
Each of g, 63h, 63i, and 63j has a cylindrical shape (the cross-sectional shape is shown in the figure), and has a hole (not shown) for supplying a processing liquid to the cylindrical surface. I have. These supply pipes 63g, 63h, 63i, 63j
Are arranged in two lower and upper stages below the processing tank 61. More specifically, the supply pipes 63g and 63i are arranged at an upper position (upper side), and the supply pipes 63h and 63j are It is arranged at a lower position (a position below the supply pipes 63g and 63i).

【００６３】また、これらの供給管６３ｇ，６３ｈ，６
３ｉ，６３ｊは、それぞれ、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６
４ｉ，６４ｊを介して、処理液の供給源６５ｇ，６５
ｈ，６５ｉ，６５ｊに接続されている。そして、たとえ
ば供給管６３ｇは、バルブ６４ｇを開状態にすることに
より、処理液の供給源６５ｇにおいて蓄えられた処理液
を、供給管６３ｇの表面に設けられた孔から処理槽６１
に対して供給することができる。なお、簡略化のため図
示していないが、供給源６５ｇにおいては、それぞれ、
複数の種類の処理液を選択するための選択バルブなどを
有しており、この選択用バルブとバルブ６４とを用い
て、所望の処理液を供給することができる。また、他の
供給管６３ｈ，６３ｉ，６３ｊについても同様であり、
それぞれ、バルブ６４ｈ，６４ｉ，６４ｊを介して、同
様の処理液の供給源６５ｈ，６５ｉ，６５ｊに蓄えられ
る処理液を供給することができる。さらに、処理槽６１
の供給管６３から供給された処理液は、やがてその上方
から溢れ出て（オーバーフローして）、回収部６２によ
って回収された後、排出される。The supply pipes 63g, 63h, 6
3i and 63j are valves 64g, 64h and 6 respectively.
4i and 64j, supply sources 65g and 65
h, 65i, 65j. For example, the supply pipe 63g opens the valve 64g to allow the processing liquid stored in the processing liquid supply source 65g to pass through the hole provided on the surface of the supply pipe 63g into the processing tank 61g.
Can be supplied. Although not shown for simplicity, in the supply source 65g,
A selection valve for selecting a plurality of types of processing solutions is provided, and a desired processing solution can be supplied using the selection valve and the valve 64. The same applies to the other supply pipes 63h, 63i, 63j,
The processing liquid stored in the similar processing liquid supply sources 65h, 65i, 65j can be supplied via the valves 64h, 64i, 64j, respectively. Further, the processing tank 61
The processing liquid supplied from the supply pipe 63 soon overflows from above (overflows), is recovered by the recovery unit 62, and is then discharged.

【００６４】また、処理槽６１の底部には、排出用バル
ブ６６ｋと排液部６７ｋとが設けられている。この排出
用バルブ６６ｋを閉状態としておくことにより、上記の
ようなオーバーフロー処理を行うことができる。また、
この排出用バルブ６６ｋを開状態とすることにより、処
理槽６１に貯留された処理液を排液部６７ｋに向けて短
時間で排出することなどが可能であり、処理槽６１内の
処理液の全入れ替えなどの動作を行うことが可能であ
る。At the bottom of the processing tank 61, a discharge valve 66k and a liquid discharge section 67k are provided. The overflow process described above can be performed by closing the discharge valve 66k. Also,
By opening the discharge valve 66k, the processing liquid stored in the processing tank 61 can be discharged to the drainage section 67k in a short time, and the like. It is possible to perform operations such as a total replacement.

【００６５】ここにおいて、この処理槽においては、エ
ッチング処理やレジスト膜の剥離処理を行うことができ
る。処理液については、第１実施形態において詳述した
ものなどを用いることができる。Here, in this processing tank, an etching treatment and a resist film peeling treatment can be performed. As the treatment liquid, those described in detail in the first embodiment can be used.

【００６６】また、処理槽６１における処理の種類など
によって、供給管６３ｇ，６３ｈ，６３ｉ，６３ｊから
供給される処理液の供給量（流量）が変化する。これ
は、バルブ６４ｇ，６４ｈ，６４ｉ，６４ｊの開閉量
や、図示しない処理液供給用のポンプの圧力などを制御
することにより行われる。特に、上述の剥離処理におい
ては、大流量の処理液を供給し、基板に対して大きな液
圧を有する処理液を供給することにより、基板の表面に
付着した不要なレジスト膜などを剥離することが可能に
なる。The supply amount (flow rate) of the processing liquid supplied from the supply pipes 63g, 63h, 63i, 63j changes depending on the type of processing in the processing tank 61 and the like. This is performed by controlling the opening / closing amounts of the valves 64g, 64h, 64i, 64j and the pressure of a processing liquid supply pump (not shown). In particular, in the above-described stripping process, a large flow rate of a processing liquid is supplied, and a processing liquid having a large liquid pressure is supplied to the substrate, thereby removing an unnecessary resist film or the like attached to the surface of the substrate. Becomes possible.

【００６７】さらに、処理対象となる複数の基板Ｗは、
処理槽６１に貯留された処理液に浸漬された状態におい
て、起立状態で保持されている。これらの基板Ｗに対し
て、後述するように、上記の上側に配置される供給管６
３ｇ，６３ｉを用いて処理液の第１の流れを形成する動
作と、下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊおよび整
流板６８を用いて第２の流れを形成する動作とを切り換
えることにより、処理槽６１内に異なる２種類の流れを
形成することにより、基板処理を行う。Further, a plurality of substrates W to be processed are:
In a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank 61, it is held upright. As described later, the supply pipe 6 arranged on the upper side
By switching between the operation of forming the first flow of the processing liquid using 3g and 63i and the operation of forming the second flow using the supply pipes 63h and 63j and the rectifying plate 68 arranged below. The substrate processing is performed by forming two different flows in the processing tank 61.

【００６８】そのため、上側に配置される供給管６３
ｇ，６３ｉと下側に配置される供給管６３ｈ，６３ｊと
の間には、整流板６８が設けられている。この整流板６
８は、薄板状の部材の全面にわたって多数の微小孔ＨＬ
を有する構成を有している。Therefore, the supply pipe 63 arranged on the upper side
A flow straightening plate 68 is provided between g, 63i and supply pipes 63h, 63j arranged on the lower side. This current plate 6
8 has a large number of micro holes HL over the entire surface of the thin plate member.
.

【００６９】そして、整流板６８の下側に配置される
（下段の）供給管６３ｈ，６３ｊから供給される処理液
は、基板Ｗの下方のあらゆる位置に存在する微小孔ＨＬ
（整流板６８）を介して基板Ｗへと向かうことになるの
で、基板Ｗに対して下側から上側へと（一定の方向に）
向かう流れ（並進流）（図１２（ｂ）参照）が形成され
ることになる。すなわち、整流板６８は、下段の供給管
６３ｈ，６３ｊから供給される処理液の流れを整える機
能を有している。The processing liquid supplied from the supply pipes 63h and 63j (lower stage) disposed below the current plate 68 is supplied to the micro holes HL existing at all positions below the substrate W.
(Rectifier plate 68), the substrate W is directed toward the substrate W, so that the substrate W is moved from the lower side to the upper side (in a certain direction).
A heading flow (translational flow) (see FIG. 12B) is formed. That is, the current plate 68 has a function of adjusting the flow of the processing liquid supplied from the lower supply pipes 63h and 63j.

【００７０】一方、整流板６８の上側に配置される供給
管６３ｇ，６３ｉから供給される処理液は、整流板６８
を介さずに直接的に基板Ｗに対して供給され、たとえ
ば、処理槽６１内において左右対称に大きく循環するよ
うな流れ（循環流）（図１２（ａ）参照）が形成され
る。これにより、処理槽６１内の基板Ｗの表面処理にあ
たって、高効率のパーティクルの排出効果を有すること
が可能である。On the other hand, the processing liquid supplied from the supply pipes 63g and 63i disposed above the rectifying plate 68
The flow is directly supplied to the substrate W without passing through the processing tank 61, and a flow (circulation flow) (see FIG. 12A) that circulates largely symmetrically in the processing tank 61 is formed. Thereby, in the surface treatment of the substrate W in the processing tank 61, it is possible to have a highly efficient particle discharging effect.

【００７１】このような上段の供給管６３ｇ，６３ｉを
用いた処理液の供給と下段の供給管６３ｈ，６３ｊおよ
び整流板６８を用いた処理液の供給とは、それぞれ異な
る流れを形成する。したがって、これらの２種類の流れ
を切り換えて動作させることにより、より適切な処理液
の供給を行うことができる。The supply of the processing liquid using the upper supply pipes 63g and 63i and the supply of the processing liquid using the lower supply pipes 63h and 63j and the rectifying plate 68 form different flows. Therefore, by switching and operating these two types of flows, more appropriate supply of the processing liquid can be performed.

【００７２】つぎに、これらの複数の供給管６３ｇ，６
３ｈ，６３ｉ，６３ｊなどを用いた処理動作について詳
述する。Next, the plurality of supply pipes 63g, 6
Processing operations using 3h, 63i, 63j, etc. will be described in detail.

【００７３】＜Ｃ２．動作＞図１１は、第３実施形態に
おける動作を示すフローチャートである。図１１に示す
ように、薬液処理Ａ（ステップＳＰ１０）を行った後
に、第１の純水リンス処理（ステップＳＰ２０）、第２
の純水リンス処理（ステップＳＰ３０）、および薬液処
理Ｃ（ステップＳＰ４０）を行う場合について説明す
る。<C2. Operation> FIG. 11 is a flowchart showing the operation in the third embodiment. As shown in FIG. 11, after performing the chemical solution treatment A (step SP10), a first pure water rinsing process (step SP20),
The case of performing the pure water rinsing process (step SP30) and the chemical solution process C (step SP40) will be described.

【００７４】まず、ステップＳＰ１０において、上段の
供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、薬液処理Ａを行うため
の処理液（薬液）を供給する。これにより、所定の薬液
による基板Ｗの表面等に対する処理を進行させる。First, in step SP10, a processing liquid (chemical liquid) for performing the chemical liquid processing A is supplied using the upper supply pipes 63g and 63i. Thereby, the processing on the surface of the substrate W and the like by the predetermined chemical solution is advanced.

【００７５】つぎに、ステップＳＰ２０において、第１
の純水リンス処理Ｂ１を行う。それに先だって、上記の
薬液処理Ａから純水リンス処理Ｂ１に移行するに際して
は、排出用バルブ６６ｋを開くことにより処理槽６１に
貯留されていた薬液を急速に排出した後、純水を供給す
ることが可能である。あるいは、基板Ｗを雰囲気中に露
出させることが好ましくない場合には、純水を追加供給
することにより、徐々に薬液を排出するようにすること
も可能である。Next, in step SP20, the first
Of pure water rinse B1. Prior to that, when shifting from the chemical treatment A to the pure water rinsing treatment B1, the chemical stored in the treatment tank 61 is rapidly discharged by opening the discharge valve 66k, and then pure water is supplied. Is possible. Alternatively, when it is not preferable to expose the substrate W to the atmosphere, it is possible to gradually discharge the chemical solution by additionally supplying pure water.

【００７６】そして、この純水リンス処理Ｂ１において
は、上段の供給管６３ｇ，６３ｉを用いて、所定の流量
（たとえば、２２リットル／分）の処理液を供給する。
これにより、図１２（ａ）の矢印ＡＲ１に示すように、
処理槽６１内において左右対称に大きく循環するような
流れ（循環流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純
水リンス処理を進行させる。なお、この純水リンス処理
Ｂ１においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊからの処
理液の供給は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供
給のみを行うものとする。In the pure water rinsing process B1, a processing liquid at a predetermined flow rate (for example, 22 liters / minute) is supplied using the upper supply pipes 63g and 63i.
Thereby, as shown by the arrow AR1 in FIG.
A flow (circulation flow) that largely circulates symmetrically in the processing tank 61 is formed, and a pure water rinsing process is performed on the surface of the substrate W or the like. In the pure water rinsing process B1, the supply of the processing liquid from the lower supply pipes 63h and 63j is performed only at zero (that is, stopped) or at a small amount.

【００７７】このような第１の純水リンス処理Ｂ１を所
定時間行った後、次の第２の純水リンス処理Ｂ２に移行
する。After performing the first pure water rinsing process B1 for a predetermined time, the process proceeds to the next second pure water rinsing process B2.

【００７８】次の純水リンス処理Ｂ２（ステップＳＰ３
０）においては、下段の供給管６３ｈ，６３ｊを用い
て、所定の流量（たとえば、２２リットル／分）の処理
液を供給する。これにより、図１２（ｂ）に示すよう
に、基板Ｗに対して下側から上側へと向かう流れ（並進
流）を形成して、基板Ｗの表面等に対する純水リンス処
理を進行させる。なお、この純水リンス処理Ｂ１におい
ては、上段の供給管６３ｇ，６３ｉからの処理液の供給
は、ゼロ（すなわち停止）もしくは微量の供給のみを行
うものとする。The next pure water rinsing process B2 (step SP3
In 0), the processing liquid is supplied at a predetermined flow rate (for example, 22 liters / minute) using the lower supply pipes 63h and 63j. Thus, as shown in FIG. 12B, a flow (translational flow) from the lower side to the upper side is formed on the substrate W, and the pure water rinsing process is performed on the surface of the substrate W and the like. In the pure water rinsing process B1, the supply of the processing liquid from the upper supply pipes 63g and 63i is performed only at zero (that is, stopped) or at a small amount.

【００７９】ここにおいて、第１の純水リンス処理Ｂ１
においては、図１２（ａ）の矢印に示すような、処理槽
６１内において左右対称に大きく循環するような流れ
（矢印ＡＲ１）を形成することにより、非常に高効率に
パーティクルの排出処理を行うことが可能であるが、こ
のような１種類の流れによる処理を継続する場合には、
処理槽６１内の所定の部分においては「よどみ」が生じ
ることがある。たとえば、図１２（ａ）においては、処
理槽６１の上方から回収部６２へと溢れ出る流れと、矢
印ＡＲ１で示す流れとの間に挟まれた部分Ｐ１において
「よどみ」が生じている場合を示している。Here, the first pure water rinsing treatment B1
In FIG. 12A, as shown by an arrow in FIG. 12A, a flow (arrow AR1) that largely symmetrically circulates in the processing tank 61 is formed, thereby performing a very efficient particle discharge process. Although it is possible to continue the processing by such one kind of flow,
“Stagnation” may occur in a predetermined portion in the processing tank 61. For example, in FIG. 12A, a case where “stagnation” occurs in a portion P1 sandwiched between the flow overflowing from above the processing tank 61 to the collection unit 62 and the flow indicated by the arrow AR1. Is shown.

【００８０】しかしながら、この第３実施形態において
は、次の第２の純水リンス処理Ｂ２において、図１２
（ｂ）の矢印ＡＲ２に示すように、供給管６３ｈ，６３
ｊを用いた処理液の供給により浸漬基板の下側から上側
へと向かう流れ（ＡＲ２）を形成して処理を行う。した
がって、循環流（ＡＲ１）とは異なる流れを処理槽内に
生じさせることができる。これにより、循環流だけを用
いた場合に部分Ｐ１などの所定の位置に滞留しやすい滞
留物をも排出することが可能になるので、より効率的な
基板処理を行うことが可能である。However, in the third embodiment, in the next second pure water rinsing process B2,
As shown by the arrow AR2 in (b), the supply pipes 63h, 63
The processing is performed by forming a flow (AR2) from the lower side to the upper side of the immersion substrate by supplying the processing liquid using j. Therefore, a flow different from the circulation flow (AR1) can be generated in the processing tank. This makes it possible to discharge even the stagnant matter that tends to stay at a predetermined position such as the portion P1 when only the circulating flow is used, so that more efficient substrate processing can be performed.

【００８１】上記のように、２種類の流れを適宜に使い
分けることにより、適切な処理液（純水）の供給を行う
ことが可能であり、純水リンス処理を効率よく行うこと
ができる。As described above, by appropriately using the two types of flows, it is possible to supply an appropriate processing liquid (pure water), and it is possible to efficiently perform the pure water rinsing processing.

【００８２】そして、このような純水リンス処理の後、
次の薬液処理Ｃがこれらの基板Ｗに対して行われる（ス
テップＳＰ４０）。薬液処理Ｃは、薬液処理Ａと同一ま
たは別個の薬液を用いて行われる。Then, after such pure water rinsing treatment,
The next chemical solution processing C is performed on these substrates W (step SP40). Chemical treatment C is performed using the same or different chemicals as chemical treatment A.

【００８３】なお、ここでは、第１の純水リンス処理Ｂ
１の処理の後、第２の純水リンス処理Ｂ２の処理を行う
場合について説明したが、これに限定されず、たとえ
ば、逆であってもよい。この場合であっても、２種類の
流れを適宜に使い分けることにより、適切な処理液の供
給を行うことが可能である。Here, the first pure water rinsing process B
Although the case of performing the second pure water rinsing process B2 after the first process has been described, the present invention is not limited to this, and may be reversed, for example. Even in this case, it is possible to appropriately supply the processing liquid by appropriately using the two types of flows.

【００８４】＜Ｄ．その他＞上記においては、第１実施
形態と第２実施形態とにおいてそれぞれ別個の実施形態
に係る基板処理装置であるとして示したが、これに限定
されず、第１実施形態において示した浸漬処理と、第２
実施形態において示した処理液の吐出供給処理とを、順
次に行うことが可能な多機能槽を有する基板処理装置で
あってもよい。たとえば、まず、第１実施形態において
示した浸漬処理によって薬液処理などを行った後、処理
槽６１内の処理液（薬液）を排出し、第２実施形態にお
いて示した処理液（純水）の吐出供給処理により純水リ
ンス処理を行ってもよい。<D. Others> In the above description, the substrate processing apparatus according to the first embodiment and the substrate processing apparatus according to the second embodiment are respectively described as separate embodiments. However, the present invention is not limited thereto. , Second
A substrate processing apparatus having a multi-function tank capable of sequentially performing the processing liquid discharge and supply processing described in the embodiment may be used. For example, first, after performing a chemical treatment by the immersion treatment shown in the first embodiment, the treatment liquid (chemical solution) in the treatment tank 61 is discharged, and the treatment liquid (pure water) shown in the second embodiment is discharged. A pure water rinsing process may be performed by a discharge supply process.

【００８５】[0085]

【発明の効果】以上のように、請求項１ないし請求項４
に記載の基板処理装置によれば、複数の供給手段のうち
いずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択
的に切り換えることができるので、処理液の様々な流れ
を形成することができる。したがって、一定の流れが継
続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制するこ
とができるので、処理液を基板に対して供給するにあた
って、その均一性を向上させることができる。As described above, claims 1 to 4 are as described above.
According to the substrate processing apparatus described in (1), it is possible to selectively switch which of the plurality of supply units is used to supply the processing liquid, so that various flows of the processing liquid can be formed. Can be. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.

【００８６】特に、請求項２に記載の基板処理装置によ
れば、少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基
板の主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側
にずれた相互に異なる位置に対して、所定の順序で処理
液を供給するので、基板の中心に対して回転するような
処理液の流れを形成することが可能であり、基板に対し
て均一な処理が可能になる。[0086] In particular, according to the substrate processing apparatus of the second aspect, each of the at least three supply means is mutually shifted to a predetermined side with respect to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate. Since the processing liquid is supplied to the different positions in a predetermined order, it is possible to form a flow of the processing liquid that rotates with respect to the center of the substrate, thereby enabling uniform processing of the substrate. become.

【００８７】また、請求項４に記載の基板処理装置によ
れば、複数の排出手段のうちいずれの排出手段を用いて
処理液の排出を行うかを選択的に切り換えるので、処理
液の様々な流れを形成することができる。したがって、
処理液を基板に対して供給するにあたって、その均一性
を向上させることができる。According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, which of the plurality of discharging means is used to selectively discharge the processing liquid is used, so that various types of processing liquid can be used. A flow can be formed. Therefore,
In supplying the processing liquid to the substrate, the uniformity can be improved.

【００８８】さらに、請求項５に記載の基板処理方法に
よれば、第１の工程と第２の工程とにおいて、互いに異
なる組合せに係る供給手段を用いて、互いに異なる処理
液の流れを形成することができる。したがって、一定の
流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑
制することができるので、処理液を基板に対して供給す
るにあたって、その均一性を向上させることができる。Further, according to the substrate processing method of the present invention, in the first step and the second step, different flows of the processing liquid are formed by using the supply means according to different combinations. be able to. Therefore, the occurrence of “stagnation” or the like due to the continuation of a constant flow can be suppressed, and the uniformity of the processing liquid when it is supplied to the substrate can be improved.

【００８９】また、請求項６に記載の基板処理装置によ
れば、複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて
処理液の吐出供給を行うかを選択的に切り換えることが
できるので、複数の供給手段から供給される処理液が相
互に衝突することによる基板に対する液圧の低下を防止
することができる。したがって、処理液を基板に対して
供給するにあたって、その均一性を向上させることがで
きる。Further, according to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to selectively switch which of the plurality of supply units is used to supply and discharge the processing liquid. This can prevent the processing liquids supplied from the supply means from colliding with each other and thereby lowering the liquid pressure on the substrate. Therefore, when supplying the processing liquid to the substrate, the uniformity can be improved.

【００９０】さらに、請求項７に記載の基板処理装置に
よれば、第１の供給手段を用いて第１の流れを形成する
動作と、第２の供給手段および整流手段を用いて第２の
流れを形成する動作とを切り換えることにより、処理液
に関する２種類の流れを形成することができる。したが
って、この２種類の流れを切り換えて用いることによ
り、「よどみ」を解消して、適切な基板処理を行うこと
が可能である。Further, according to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the operation of forming the first flow by using the first supply means and the second operation by using the second supply means and the rectification means. By switching between the flow forming operation and the flow forming operation, two types of flows relating to the processing liquid can be formed. Therefore, by switching and using these two types of flows, it is possible to eliminate “stagnation” and perform appropriate substrate processing.

【００９１】また、請求項８に記載の基板処理装置によ
れば、第１の供給手段を用いた処理液の供給により第１
の流れを形成して効率よく処理を行った後に、第２の供
給手段を用いた処理液を供給することにより、第１の流
れとは異なる第２の流れを処理槽内に生じさせることが
できる。したがって、第１の流れによって所定の処理を
行った後、第２の流れを用いることによって、第１の流
れだけを用いた場合に所定の位置に滞留しやすい滞留物
をも排出することが可能になるので、より効率的な基板
処理を行うことが可能である。Further, according to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the first processing means supplies the processing liquid by using the first supply means.
After the flow is formed and the processing is performed efficiently, by supplying the processing liquid using the second supply means, a second flow different from the first flow can be generated in the processing tank. it can. Therefore, after performing a predetermined process by the first flow, by using the second flow, it is also possible to discharge a stagnant substance that easily stays at a predetermined position when only the first flow is used. Therefore, more efficient substrate processing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.

【図２】基板処理装置１の制御機構を説明するための機
能ブロック図である。FIG. 2 is a functional block diagram for explaining a control mechanism of the substrate processing apparatus 1.

【図３】多機能槽ＭＢ（ＭＢ１）の構成を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a multi-function tank MB (MB1).

【図４】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから
の処理液の供給方向を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a supply direction of a processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d.

【図５】各供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄから
の処理液の供給動作を示す動作図（タイミングチャー
ト）である。FIG. 5 is an operation diagram (timing chart) illustrating an operation of supplying a processing liquid from each supply pipe 63a, 63b, 63c, 63d.

【図６】異なる時刻における、各供給管６３ａ，６３
ｂ，６３ｃ，６３ｄからの処理液の供給状況を示す図で
ある。FIG. 6 shows supply pipes 63a and 63 at different times.
It is a figure which shows the supply situation of the processing liquid from b, 63c, 63d.

【図７】変形例に係る多機能槽ＭＢ（ＭＢ４）を示す図
である。FIG. 7 is a view showing a multi-function tank MB (MB4) according to a modification.

【図８】第２実施形態に係る基板処理装置の多機能槽Ｍ
Ｂ（ＭＢ２）を示す模式図である。FIG. 8 is a multifunctional tank M of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
It is a schematic diagram which shows B (MB2).

【図９】供給管６３を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a supply pipe 63.

【図１０】第３実施形態に係る基板処理装置の多機能槽
ＭＢ（ＭＢ３）を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a multi-function tank MB (MB3) of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.

【図１１】第３実施形態における動作を示すフローチャ
ートである。FIG. 11 is a flowchart showing an operation in the third embodiment.

【図１２】第１の流れ（循環流）と第２の流れ（並進
流）とを示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing a first flow (circulating flow) and a second flow (translational flow).

【図１３】従来例を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板処理装置 ５ 基板処理部 ５６ 多機能処理部 ６１ 処理槽 ６２ 回収部 ６３，６３ａ〜６３ｄ，６３ｇ〜６３ｊ 供給管 ６４，６４ａ〜６４ｄ，６４ｇ〜６４ｊ バルブ ６５ａ〜６５ｄ，６５ｇ〜６５ｊ 供給源 ６６ａ〜６６ｅ，６６ｇ〜６６ｋ 排出用バルブ ６７ａ〜６７ｅ，６７ｇ〜６７ｋ 排液部 ６８ 整流板 Ｈ，ＨＬ 孔 Ｌ 処理液 ＭＢ，ＭＢ１〜ＭＢ４ 多機能槽 Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 5 Substrate processing part 56 Multifunctional processing part 61 Processing tank 62 Collection part 63, 63a-63d, 63g-63j Supply pipe 64, 64a-64d, 64g-64j Valve 65a-65d, 65g-65j Supply source 66a -66e, 66g-66k Discharge valve 67a-67e, 67g-67k Drainage part 68 Rectifying plate H, HL hole L Treatment liquid MB, MB1-MB4 Multifunctional tank W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者 今井 正芳 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB42 BB02 BB05 BB24 BB25 BB33 BB62 BB87 BB93 BB95 CB15 CC01 CD41 5F043 AA01 CC16 EE02 EE04 EE27 5F046 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/306 H01L 21/306 J (72) Inventor Masayoshi Imai 4 1-chome Tenjin Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 3B201 AA02 AA03 AB42 BB02 BB05 BB24 BB25 BB33 BB62 BB87 BB93 BB95 CB15 CC01 CD41 5F043 AA01 CC16 EE02 EE04 EE27 5F046 MA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 処理槽中に貯留された処理液により基板
の浸漬処理を行う基板処理装置であって、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯
留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給
することが可能な複数の供給手段と、 前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処
理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate with a processing liquid stored in a processing tank, provided at different positions in the processing tank, and immersed in the processing liquid stored in the processing tank. A plurality of supply means capable of supplying the processing liquid to the substrate, and a switching means for selectively switching which of the plurality of supply means is used to supply the processing liquid. ,
A substrate processing apparatus comprising: 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記複数の供給手段は、少なくとも３つの供給手段で構
成され、 前記少なくとも３つの供給手段のそれぞれは、浸漬基板
の周囲の互いに異なる位置に設けられ、前記浸漬基板の
主面の中心に向かう方向に対して相対的に所定の側にず
れた相互に異なる位置に対して処理液を供給することが
可能であり、 前記切換手段は、前記少なくとも３つの供給手段を所定
の順序で選択して、当該選択した供給手段から処理液を
供給するように切り換えることを特徴とする基板処理装
置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of supply units include at least three supply units, and each of the at least three supply units is different from each other around an immersion substrate. It is possible to supply the processing liquid to mutually different positions shifted to a predetermined side relatively to the direction toward the center of the main surface of the immersion substrate, the switching means, A substrate processing apparatus, wherein the at least three supply units are selected in a predetermined order, and switching is performed so as to supply a processing liquid from the selected supply unit. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
理装置において、 前記供給手段は、基板表面の剥離処理を行う処理液を基
板に対して供給することにより、基板の剥離処理を行う
ことを特徴とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the supply unit performs the substrate peeling process by supplying a processing liquid for performing the substrate surface peeling process to the substrate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理装置において、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯
留された処理液を排出することが可能な複数の排出手段
と、 前記切換手段は、前記複数の排出手段のうちいずれの排
出手段を用いて処理液の排出を行うかを選択的に切り換
えることを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is provided at different positions in the processing tank and can discharge the processing liquid stored in the processing tank. A substrate processing apparatus, wherein: a plurality of discharge units; and the switching unit selectively switches which one of the plurality of discharge units is used to discharge the processing liquid. 【請求項５】 処理槽中に貯留された処理液によって基
板の浸漬処理を行う基板処理方法であって、 前記処理槽内の互いに異なる位置に設けられた複数の供
給手段のうち１つ以上の供給手段を含む第１の組合せに
係る供給手段を用いて、前記処理槽内の処理液に浸漬さ
れた基板に対して処理液を供給する第１の工程と、 前記複数の供給手段のうち１つ以上の供給手段を含む組
合せであって、前記第１の工程で用いられた第１の組合
せとは異なる第２の組合せに係る供給手段を用いて、前
記基板に対して処理液を供給する第２の工程と、を含む
ことを特徴とする基板処理方法。5. A substrate processing method for performing immersion processing of a substrate by using a processing liquid stored in a processing tank, wherein at least one of a plurality of supply units provided at different positions in the processing tank is provided. A first step of supplying a processing liquid to a substrate immersed in the processing liquid in the processing tank using a supply unit according to a first combination including a supply unit; A processing liquid is supplied to the substrate by using a supply unit according to a second combination that is different from the first combination used in the first step and is a combination including one or more supply units. And a second step. 【請求項６】 基板表面に対して処理液を供給する処理
を行う基板処理装置であって、 処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽空間内
の所定位置に保持された基板表面に対して処理液を吐出
供給することが可能な複数の供給手段と、 前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処
理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。6. A substrate processing apparatus for performing processing for supplying a processing liquid to a substrate surface, wherein the substrate processing apparatus is provided at different positions in a processing tank and is provided at a predetermined position in a processing tank space. A plurality of supply units capable of discharging and supplying the processing liquid, and a switching unit for selectively switching which of the plurality of supply units is used to supply the processing liquid;
A substrate processing apparatus comprising: 【請求項７】 処理槽中に貯留された処理液により基板
の浸漬処理を行う基板処理装置であって、 前記処理槽内の浸漬基板に対して処理液を供給すること
により第１の流れを形成することが可能な第１の供給手
段と、 前記処理槽において前記第１の供給手段よりも下側に配
置され、前記浸漬基板に対して処理液を供給することが
可能な第２の供給手段と、 前記第１の供給手段と前記第２の供給手段との間に設け
られ、第２の供給手段から供給された処理液の流れを整
えて、第１の流れとは異なる第２の流れを形成する整流
手段と、 前記第１の供給手段を用いて前記第１の流れを形成する
動作と、前記第２の供給手段および整流手段を用いて前
記第２の流れを形成する動作とを選択的に切り換える切
換手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。7. A substrate processing apparatus for performing immersion processing of a substrate using a processing liquid stored in a processing tank, wherein the first flow is performed by supplying the processing liquid to the immersion substrate in the processing tank. A first supply unit that can be formed; and a second supply unit that is disposed below the first supply unit in the processing tank and that can supply a processing liquid to the immersion substrate. Means, provided between the first supply means and the second supply means, for regulating the flow of the processing liquid supplied from the second supply means, and providing a second processing liquid different from the first flow. Rectification means for forming a flow; operation for forming the first flow using the first supply means; operation for forming the second flow using the second supply means and rectification means; Switching means for selectively switching between the substrates. Management apparatus. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理装置におい
て、 前記切換手段は、前記第１の供給手段を用いた第１の流
れを有する処理液の供給を行った後に、前記第２の供給
手段を用いた第２の流れを有する処理液の供給を行うよ
うに、前記第１の流れを形成する動作と前記第２の流れ
を形成する動作との切り換えを行うことを特徴とする基
板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the switching unit supplies the processing liquid having the first flow using the first supply unit, and then performs the second supply. Substrate processing, wherein the operation of forming the first flow and the operation of forming the second flow are switched so as to supply the processing liquid having the second flow using the means. apparatus.
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