JP2001269860A

JP2001269860A - 銅系金属研磨用スラリーおよび銅系金属膜の研磨方法

Info

Publication number: JP2001269860A
Application number: JP2000087300A
Authority: JP
Inventors: Toshihide Hayashi; 俊秀林; Naoaki Sakurai; 直明桜井; Nobuo Kobayashi; 信雄小林; Hideaki Hirabayashi; 英明平林; Takao Ino; 隆生猪野; Akiko Saito; 晶子斎藤
Original assignee: Toshiba Corp; Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2000-03-27
Filing date: 2000-03-27
Publication date: 2001-10-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】銅系金属膜の研磨終了時におけるディシング
の発生を抑制することが可能な銅系金属研磨用スラリー
を提供しようとものである。【解決手段】研磨砥粒、増粘剤および水を含むことを
特徴とし、銅と反応して水に実質的に不溶性で、かつ銅
よりも機械的に脆弱な銅錯体を生成する水溶性の有機酸
および酸化剤がさらに含有される銅系金属研磨用スラリ
ー、および基板上の凹部および開口部から選ばれる少な
くとも１つの埋込み用部材を形成し、この埋込み用部材
を含む全面に銅系金属膜を形成する工程と、前記基板の
銅系金属膜を研磨パッド上で、それらの間に少なくとも
研磨砥粒、増粘剤および水を存在させた状態にて研磨す
る工程とを具備した銅系金属膜の研磨方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、銅系金属研磨用ス
ラリーおよび半導体装置等の銅系金属配線を形成するた
めの銅系金属膜の研磨方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程の一つである配線
層の形成においては、表面の段差を解消する目的でエッ
チバック技術が採用されている。また、配線材料として
はＡｌに代わってより低抵抗で、マイグレーションが生
じない銅または銅合金を使用することが試みられ、一部
実用化されている。このような銅または銅合金の配線材
料として用いるエッチバック技術は、半導体基板上の絶
縁膜に配線形状の溝を形成し、前記溝を含む前記絶縁膜
上にＣｕ膜またはＣｕ合金膜を形成し、前記Ｃｕ膜また
はＣｕ合金膜をポリシング装置および研磨スラリーを用
いて研磨処理し、前記溝内のみにＣｕ膜またはＣｕ合金
膜を残存させて埋め込み配線層を形成する方法である。

【０００３】ところで、前記研磨スラリーとしては従来
よりコロイダルシリカ、アルミナのような研磨砥粒が分
散された純水からなるものが用いられている。しかしな
がら、前記研磨スラリーおよびポリシング装置を用いる
Ｃｕ膜の研磨終点時期において前記Ｃｕ膜が過度に研磨
されて形成されたＣｕ配線層が表面凹型に変形する、い
わゆるディシングを生じる。このようなディシングの発
生は、半導体装置の表面に段差が生じたり、配線層その
もののシート抵抗が高くなったりするという問題があ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、銅系金属膜
の研磨終了時におけるディシングの発生を抑制すること
が可能な銅系金属研磨用スラリーを提供しようとするも
のである。

【０００５】本発明は、ディシングの発生を抑制した銅
系金属からなる埋込み配線層やビアフィルを形成するこ
とが可能な銅系金属膜の研磨方法を提供しようとするも
のである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る銅系金属研
磨用スラリーは、研磨砥粒、増粘剤および水を含むこと
を特徴とするものである。

【０００７】本発明に係る銅系金属膜の研磨方法は、基
板上の凹部および開口部から選ばれる少なくとも１つの
埋込み用部材を形成し、この埋込み用部材を含む全面に
銅系金属膜を形成する工程と、前記基板の銅系金属膜を
研磨パッド上で、それらの間に少なくとも研磨砥粒、増
粘剤および水を存在させた状態にて研磨して前記銅系金
属を埋込み用部材内に埋込む工程とを具備したことを特
徴とするものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【０００９】本発明の銅系金属研磨用スラリーは、研磨
砥粒、増粘剤および水を含有する。

【００１０】前記研磨砥粒としては、例えばコロイダル
シリカ、コロイダルアルミナ、α−アルミナ、γ−アル
ミナ、θ−アルミナ、酸化セリウム等を挙げることがで
きる。この研磨砥粒は、スラリー中に１〜２０重量％含
有されることが好ましい。

【００１１】前記研磨砥粒は、０．０２〜０．１μｍの
平均粒径を有し、球状もしくは球に近似した形状を有す
ることが好ましい。このような研磨砥粒を含む研磨組成
物によりＣｕまたはＣｕ合金の研磨処理を行うと、Ｃｕ
またはＣｕ合金表面への損傷を抑制が可能になる。

【００１２】前記増粘剤としては、例えばカゼイン、ゼ
ラチン、アルギン酸塩、でんぷん、デキストリン、ペク
チン、寒天、カラゲニン、ローカストビーンゴム、ベン
ドナイト、ポリアクリル酸ソーダのようなポリアクリル
酸塩、ポリエチレングリコール、セチルトリメチルアン
モニウムプロミド（陽イオン性界面活性剤）、セチルピ
リジウムプロミド（陽イオン性界面活性剤）、ポバー
ル、カルボキシメルセルロース、ヒドロキシプロピルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒド
ロキシエチルセルロース、メチルセルロースおよびポリ
ビニルアルコールから選ばれる１種または２種以上の混
合物を用いることができる。これらの増粘剤は、前記ス
ラリー中に０．１〜１０重量％含有されることが好まし
い。

【００１３】本発明に係る銅系金属研磨用スラリーは、
さらに銅と反応して水に実質的に不溶性で、かつ銅より
も機械的に脆弱な銅錯体を生成する水溶性の有機酸（第
１有機酸）および酸化剤を含有することを許容する。

【００１４】前記第１有機酸としては、銅もしくは銅合
金に前記研磨用スラリーを接触させた際に前記酸化剤に
より生成された銅の水和物と反応して水に溶解されない
ものの、Ｃｕに比べて脆弱である銅錯体を生成する作用
を有する。かかる第１有機酸としては、例えば２−キノ
リンカルボン酸（キナルジン酸）、２−ピリジンカルボ
ン酸、２，６−ピリジンカルボン酸、キノン等を挙げる
ことができる。

【００１５】前記第１有機酸は、前記研磨用スラリー中
に０．１重量％以上含有されることが好ましい。前記有
機酸の含有量を０．１重量％未満にすると、Ｃｕまたは
Ｃｕ合金の表面に銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を十分
に生成することが困難になる。その結果、研磨時におい
てＣｕまたはＣｕ合金の研磨速度を十分に高めることが
困難になる。より好ましい前記第１有機酸の含有量は、
０．３〜１．２重量％である。

【００１６】前記酸化剤は、銅もしくは銅合金に前記研
磨用スラリーを接触させた際に銅の水和物を生成する作
用を有する。かかる酸化剤としては、例えば過酸化水素
（Ｈ ₂Ｏ₂）、次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌＯ）のよう
な酸化剤を用いることができる。

【００１７】前記酸化剤は、前記研磨組成物中に前記第
１有機酸に対して重量割合で１０倍以上含有することが
好ましい。前記酸化剤の含有量を重量割合で前記第１有
機酸に対して１０倍未満にすると、ＣｕまたはＣｕ合金
の表面への銅錯体生成を十分に促進することが困難にな
る。より好ましい前記酸化剤の含有量は、前記第１有機
酸に対して重量割合で３０倍以上、さらに好ましくは５
０倍以上である。

【００１８】本発明に係る銅系金属研磨用スラリーは、
さらにカルボキシル基およびヒドロキシル基をそれぞれ
１つ持つ有機酸（第２有機酸）および界面活性剤を含有
することを許容する。この第２有機酸は、前記酸化剤に
よる銅の水和物の生成を促進する作用を有する。かかる
第２有機酸としては、例えば乳酸、酒石酸、マンデル酸
およびリンゴ酸等を挙げることができ、これらは１種ま
たは２種以上の混合物の形態で用いることができる。特
に、乳酸が好ましい。

【００１９】前記第２有機酸は、前記研磨組成物中に前
記第１有機酸に対して２０〜２５０重量％含有されるこ
とが好ましい。第２有機酸の含有量を２０重量％未満に
すると、前記酸化剤による銅の水和物の生成を促進する
作用を十分に発揮することが困難になる。一方、第２有
機酸の含有量が２５０重量％を超えると、銅膜もしくは
銅合金膜がエッチングされ、パターン形成ができなくな
る恐れがある。より好ましい前記第２有機酸の含有量
は、前記第１有機酸に対して４０〜２００重量％であ
る。

【００２０】次に、本発明に係る銅系金属膜の研磨方法
を説明する。

【００２１】まず、基板上の凹部および開口部から選ば
れる少なくとも１つの埋込み用部材を形成し、この埋込
み用部材を含む全面に銅系金属膜を形成する。

【００２２】前記基板としては、例えば半導体基板、ガ
ラス基板等を挙げることができる。

【００２３】前記埋込み用部材は、例えば前記基板上の
絶縁膜に形成される。この絶縁膜としては、例えばシリ
コン酸化膜、ボロン添加ガラス膜（ＢＰＳＧ膜）、リン
添加ガラス膜（ＰＳＧ膜）等を用いることができる。こ
の絶縁膜上には、窒化シリコン、炭素、アルミナ、窒化
ホウ素、ダイヤモンド等からなる研磨ストッパ膜が被覆
されることを許容する。

【００２４】前記銅系金属としては、銅（Ｃｕ）または
Ｃｕ−Ｓｉ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、Ｃｕ−Ａｇ合金のような銅合金（Ｃｕ合金）等を用
いることができる。

【００２５】前記銅系金属膜は、例えばスパッタ蒸着、
真空蒸着、またはメッキ等により形成される。

【００２６】次いで、前記基板の銅系金属膜を研磨パッ
ド上で、それらの間に少なくとも研磨砥粒、増粘剤およ
び水を存在させた状態にて研磨して前記銅系金属を埋込
み用部材内に埋込み、例えば銅系金属からなる埋め込み
配線層を形成する。

【００２７】前記研磨砥粒、増粘剤は、前記銅系金属研
磨用スラリーで説明したのと同様なものが用いられる。

【００２８】前記銅系金属膜と前記研磨パッドの間に
は、前述した銅と反応して水に実質的に不溶性で、かつ
銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を生成する水溶性の有機
酸（第１有機酸）および酸化剤をさらに存在させること
を許容する。また、前記銅系金属膜と前記研磨パッドの
間には前述したカルボキシル基およびヒドロキシル基を
それぞれ１つ持つ有機酸（第２有機酸）を存在させるこ
とを許容する。

【００２９】前記研磨は、例えば次に説明する図１の研
磨装置を用いてなされる。すなわち、図１のターンテー
ブル１上には例えば発泡樹脂から作られた研磨パッド２
が被覆されている。研磨砥粒、増粘剤および水を含む研
磨用スラリー（または研磨砥粒を含まず、増粘剤および
水を含む研磨組成物）を供給するための供給管３は、前
記研磨パッド２の上方に配置されている。上面に支持軸
４を有する基板ホルダ５は、研磨パッド２の上方に上下
動自在でかつ回転自在に配置されている。

【００３０】このような図１に示す研磨装置による研磨
は、以下に説明する３つの形態、つまり（１）研磨砥
粒、増粘剤および水を含む研磨用スラリーを研磨パッド
上に供給する形態、（２）研磨パッド表面に研磨砥粒を
分散・固定し、この研磨パッド上に研磨砥粒を含まず、
増粘剤および水を含む研磨組成物を供給する形態、
（３）研磨パッドに研磨砥粒を分散・仮固定し、この研
磨パッド上に前記研磨組成物を供給する形態、のいずれ
かが採用される。

【００３１】（１）研磨砥粒、増粘剤および水を含む研
磨用スラリーを研磨パッド上に供給する形態まず、ホルダ５により基板６上に形成した銅系金属膜が
研磨パッド２に対向するように保持する。つづいて、供
給管３から研磨砥粒、増粘剤および水を含む研磨用スラ
リー７を供給しながら、支持軸４により前記基板６を前
記研磨パッド２に向けて所望の加重を与え、さらに前記
ホルダ５およびターンテーブル１を同方向に回転させ
る。このとき、前記基板の銅系金属膜はこの金属膜と前
記研磨パッド間に供給された研磨用スラリー中の研磨砥
粒により研磨される。

【００３２】（２）研磨パッド表面に研磨砥粒を分散・
固定し、この研磨パッド上に研磨砥粒を含まず、増粘剤
および水を含む研磨組成物を供給する形態まず、ホルダ５により基板６上に形成した銅系金属膜が
研磨パッド２に対向するように保持する。つづいて、供
給管３から研磨砥粒を含まず、増粘剤および水を含む研
磨組成物７を供給しながら、支持軸４により前記基板６
を前記研磨パッド２に向けて所望の加重を与え、さらに
前記ホルダ５およびターンテーブル１を同方向に回転さ
せる。このとき、前記基板の銅系金属膜は前記研磨パッ
ド表面に固定、露出された研磨砥粒および供給された増
粘剤および水を含む研磨組成物の存在下で研磨される。

【００３３】（３）研磨パッド表面に研磨砥粒を分散・
仮固定し、この研磨パッド上に研磨砥粒を含まず、増粘
剤および水を含む研磨組成物を供給する形態まず、ホルダ５により基板６上に形成した銅系金属膜が
研磨パッド２に対向するように保持する。つづいて、供
給管３から研磨砥粒を含まず、増粘剤および水を含む研
磨組成物７を供給しながら、支持軸４により前記基板６
を前記研磨パッド２に向けて所望の加重を与え、さらに
前記ホルダ５およびターンテーブル１を同方向に回転さ
せる。このとき、前記研磨パッドに仮固定された研磨砥
粒が前記基板の銅系金属膜と前記研磨パッドの間に供給
されるため、前記基板の銅系金属膜はこの研磨砥粒と別
途供給された増粘剤および水を含む研磨組成物の存在下
で研磨される。

【００３４】以上説明したように本発明に係る本発明の
銅系金属研磨用スラリーは、研磨砥粒、増粘剤および水
を含有するため、銅系金属膜の研磨終了時における過度
な研磨、つまりディシングを抑制することができる。

【００３５】具体的には、前記スラリーにより例えば基
板上の溝内を含む全面に形成した銅系金属膜を研磨する
と、前記溝以外の領域の銅系金属膜部分を研磨、除去し
た後に溝内に埋込まれた前記銅系金属の研磨を抑制、つ
まりディシングを抑制することができる。かかるディシ
ングの作用は、次のような挙動によるものと推定され
る。

【００３６】すなわち、一つは前述したような図１に示
す研磨装置を用い、そのホルダにより研磨パッドと銅系
金属膜の間に供給されるスラリー中の研磨砥粒に荷重が
加えると、その砥粒による銅系金属膜の研磨は前記荷重
がある値を超えた時点で始まる荷重依存性を示す。前述
したように研磨用スラリー中に研磨砥粒および水ととも
に、例えばセルロース、ポリビニルピロリドンのような
増粘剤を共存させると、前記研磨砥粒の表面に増粘剤が
付着して緩衝材として作用し、高い荷重下でも研磨砥粒
による銅系金属膜の研磨を抑制できる。その結果、溝内
に埋込まれた前記銅系金属のディシングを抑制できる。

【００３７】もう一つは、前述したスラリーによる銅系
金属膜の研磨においてそのスラリー中の増粘剤が銅系金
属膜の表面に付着して前記研磨砥粒による研磨性を緩和
するため、結果として溝内に埋込まれた前記銅系金属の
ディシングを抑制することができる。

【００３８】したがって、例えば溝内に埋込まれた銅系
金属のディシングを抑制できるため、例えば半導体装置
の埋込み配線に適用した場合、半導体装置の表面を平坦
化できるとともに、配線層そのもののシート抵抗の増大
を防止することが可能になる。

【００３９】特に、銅と反応して水に実質的に不溶性
で、かつ銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を生成する水溶
性の有機酸（第１有機酸）、酸化剤およびカルボキシル
基およびヒドロキシル基をそれぞれ１つ持つ有機酸（第
２有機酸）がさらに含有された銅系金属研磨用スラリー
は、銅系金属膜の研磨速度を高めつつ、研磨終了時での
銅系金属膜のディシングを抑制することができる。

【００４０】すなわち、研磨砥粒、増粘剤および水の他
にさらに前記有機酸および酸化剤が含有されたスラリー
を前述した図１に示すポリシング装置のホルダ５で保持
された基板６の銅系金属膜とターンテーブル１上の研磨
パッド２との間に供給して前記スラリーを前記銅系金属
膜に接触させると、そのスラリー中の酸化剤が水の存在
下で銅と反応してＣｕの水和物（Ｃｕイオン）を生成す
る。この時、前記スラリー中の第２有機酸（例えば乳
酸）により前記水和物の生成を促進することができる。
また、前記スラリー中の有機酸（例えば２−キノリンカ
ルボン酸）は、前記Ｃｕの水和物（Ｃｕイオン）と反応
して銅系金属膜表面に銅錯体層を生成する。このような
状態で前記ホルダ５により前記基板６の銅系金属膜を前
記研磨パッド２に向けて荷重を加え、前記ターンテーブ
ル１およびホルダ５を同一方向に回転させると、前記銅
系金属膜の表面に生成された銅錯体層は、水に溶解され
ないものの、銅に比べて脆弱であるため、前記スラリー
中の研磨砥粒により機械的に研磨される。つまり、前記
組成のスラリーは、前記銅系金属膜を化学機械的に研磨
されるため、研磨速度を高めることが可能になる。

【００４１】また、前記第１有機酸、酸化剤および第２
有機酸がさらに含有された銅系金属研磨用スラリーによ
る銅系金属膜の研磨終了時において、前記スラリー中の
増粘剤が銅系金属膜表面の脆弱な銅錯体層の研磨を抑え
る作用をなすため、前記溝内に埋込まれた銅系金属のデ
ィシングを抑制することができる。

【００４２】本発明に係る銅系金属膜の研磨方法は、基
板上の凹部および開口部から選ばれる少なくとも１つの
埋込み用部材を形成し、この埋込み用部材を含む全面に
銅系金属膜を形成し、この基板の銅系金属膜を例えば前
述した図１に示す研磨装置の研磨パッド上で、それらの
間に少なくとも研磨砥粒、増粘剤および水の存在させた
状態にて研磨することによって、前記増粘剤の作用によ
り前述したように基板上の凹部および開口部から選ばれ
る少なくとも１つの埋込み用部材に埋込まれた銅系金属
のディシングを抑制できる。

【００４３】

【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図２を参照
して詳細に説明する。

【００４４】（実施例１）まず、コロイダルシリカ３．
６重量％、コロイダルアルミナ１．１重量％、２−キノ
リンカルボン酸（キナルジン酸）０．６重量％、乳酸
０．３５重量％、ドデシル硫酸アンモニウム１．８重量
％、過酸化水素３．９重量％、ヒドロキシエチルセルロ
ース０．５重量％および残部水からなる銅系金属研磨用
スラリーを調製した。

【００４５】次いで、図２の（Ａ）に示すように表面に
図示しないソース、ドレイン等の拡散層が形成されたシ
リコン基板２１上にＣＶＤ法により層間絶縁膜としての
例えば厚さ１０００ｎｍのＳｉＯ₂膜２２を堆積した
後、前記ＳｉＯ₂膜２２にフォトエッチング技術により
配線層に相当する形状を有する幅１００μｍ、深さ０．
８μｍの複数の溝２３を形成した。つづいて、図２の
（Ｂ）に示すように前記溝２３を含む前記ＳｉＯ₂膜２
２上にスパッタ蒸着により厚さ１５ｎｍのＴｉＮからな
るバリア層２４および厚さ１．６μｍのＣｕ膜２５をこ
の順序で形成した。

【００４６】次いで、前述した図１に示すポリシング装
置を用いて基板ホルダ５に前記Ｃｕ膜２５が成膜された
シリコン基板２１をそのＣｕ膜２５が研磨パッド（ロー
デル社製商品名；ＩＣ１０００）２側に対向するように
逆さにして保持し、支持軸４により前記ウェハを研磨パ
ッド２に５００ｇｆ／ｃｍ²の荷重を与え、さらに前記
ターンテーブル１およびホルダ５をそれぞれ１０３ｒｐ
ｍ、１００ｒｐｍの速度で同一方向に回転させながら、
前記研磨用スラリーを供給管３から５０ｍＬ／分の速度
で前記研磨パッド２に供給して前記溝２３を除く前記Ｓ
ｉＯ₂膜２２表面が露出するまでＣｕ膜２５および前記
バリア層２４を研磨することにより図２の（Ｃ）に示す
ように周囲がバリア層２４で包まれた埋込みＣｕ配線層
２６を形成して半導体装置を製造した。

【００４７】（比較例１）銅系金属研磨用スラリーとし
てコロイダルシリカ３．６重量％、コロイダルアルミナ
１．１重量％、２−キノリンカルボン酸（キナルジン
酸）０．６重量％、乳酸０．３５重量％、ドデシル硫酸
アンモニウム１．８重量％、過酸化水素３．９重量％お
よび残部水からなる組成ものを用いた以外、実施例１と
同様な方法によりＣｕ膜、バリア層を研磨してＣｕ埋込
み配線層を形成し、半導体装置を製造した。

【００４８】実施例１および比較例１により形成された
Ｃｕ埋込み配線層のディシング量を測定した。その結
果、比較例１ではディシング量が１８０ｎｍであったの
に対し、実施例１ではディシング量が１３０ｎｍと減少
することが確認された。

【００４９】（実施例２）銅系金属研磨用スラリーとし
てθ−アルミナ２．２重量％、２−キノリンカルボン酸
（キナルジン酸）０．６重量％、乳酸０．３５重量％、
ドデシル硫酸アンモニウム１．８重量％、過酸化水素
３．９重量％、ヒドロキシエチルセルロース０．３重量
％および残部水からなる組成ものを用いた以外、実施例
１と同様な方法によりＣｕ膜、バリア層を研磨してＣｕ
埋込み配線層を形成し、半導体装置を製造した。

【００５０】（比較例２）銅系金属研磨用スラリーとし
てθ−アルミナ２．２重量％、２−キノリンカルボン酸
（キナルジン酸）０．６重量％、乳酸０．３５重量％、
ドデシル硫酸アンモニウム１．８重量％、過酸化水素
３．９重量％および残部水からなる組成ものを用いた以
外、実施例１と同様な方法によりＣｕ膜、バリア層を研
磨してＣｕ埋込み配線層を形成し、半導体装置を製造し
た。

【００５１】実施例２および比較例２により形成された
Ｃｕ埋込み配線層のディシング量を測定した。その結
果、比較例２ではディシング量が１５０ｎｍであったの
に対し、実施例１ではディシング量が１００ｎｍと減少
することが確認された。

【００５２】なお、前記実施例１，２では半導体装置の
埋込み配線層の形成に適用した例を説明したが、これに
限定されない。例えば半導体装置のビアフィルの形成ま
たは液晶表示装置の埋込み配線層やビアフィルの形成に
適用してもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば銅
系金属膜の研磨終了時におけるディシングの発生を抑制
することが可能な銅系金属研磨用スラリーを提供するこ
とができる。

【００５４】本発明は、ディシングの発生を抑制した銅
系金属からなる埋込み配線層やビアフィルを形成するこ
とが可能で、半導体装置や液晶表示装置の配線形成工程
に有効に適用することができる銅系金属膜の研磨方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の研磨方法に適用される研磨装置を示す
概略図。

【図２】本発明の実施例１における半導体装置の製造工
程を示す断面図。

【符号の説明】

１…ターンテーブル、２…研磨パッド、３…供給管、５…ホルダ２１…シリコン基板、２２…ＳｉＯ₂膜、２３…溝、２６…Ｃｕ埋込み配線層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者桜井直明神奈川県横浜市栄区笠間町1000番地１芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者小林信雄神奈川県横浜市栄区笠間町1000番地１芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者平林英明神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者猪野隆生神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者斎藤晶子神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術センター内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 CA01 CA04 CB01 CB03 DA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨砥粒、増粘剤および水を含むことを
特徴とする銅系金属研磨用スラリー。
【請求項２】銅と反応して水に実質的に不溶性で、か
つ銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を生成する水溶性の有
機酸および酸化剤がさらに含有されることを特徴とする
請求項１記載の銅系金属研磨用スラリー。
【請求項３】基板上の凹部および開口部から選ばれる
少なくとも１つの埋込み用部材を形成し、この埋込み用
部材を含む全面に銅系金属膜を形成する工程と、前記基板の銅系金属膜を研磨パッド上で、それらの間に
少なくとも研磨砥粒、増粘剤および水を存在させた状態
にて研磨する工程とを具備したことを特徴とする銅系金
属膜の研磨方法。
【請求項４】前記銅系金属膜と前記研磨パッドの間に
銅と反応して水に実質的に不溶性で、かつ銅よりも機械
的に脆弱な銅錯体を生成する水溶性の有機酸および酸化
剤をさらに存在させることを特徴とする請求項３記載の
銅系金属膜の研磨方法。