JP2001267898A - Inductive load driving circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、モータやソレノイ
ド等の誘導性負荷に電流を供給することで誘導性負荷を
駆動するための誘導性負荷駆動回路であり、特に、過電
流を検出する機能を備えた誘導性負荷駆動回路に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductive load driving circuit for driving an inductive load by supplying current to an inductive load such as a motor or a solenoid, and more particularly to a function of detecting an overcurrent. The present invention relates to an inductive load drive circuit including:
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、高精度の電流制御や電流検出
を行い、負荷に電力供給することで負荷を駆動する負荷
駆動回路が知られている。そして、こうした負荷駆動回
路には、負荷に通電する電流の過電流を検出する機能を
備えたものがあり、例えば、負荷への通電経路を通電・
遮断するパワーＭＯＳＦＥＴ等からなる第１スイッチン
グ手段と、この第１スイッチング手段よりも小さい電流
を通電するパワーＭＯＳＦＥＴ等からなる第２スイッチ
ング手段とにより構成されるカレントミラー回路を用い
て過電流を検出するものが挙げられる。なお、第１スイ
ッチング手段および第２スイッチング手段は同一の駆動
指令信号によって制御されており、第２スイッチング手
段は、第１スイッチング手段に比例した電流（例えば、
第１スイッチング手段：第２スイッチング手段＝１００
０：１）を通電するよう構成されている。2. Description of the Related Art There has been known a load drive circuit that drives a load by performing current control and current detection with high accuracy and supplying power to the load. Some of these load drive circuits have a function of detecting an overcurrent of a current flowing through the load.
An overcurrent is detected using a current mirror circuit composed of a first switching means composed of a power MOSFET or the like for cutting off and a second switching means composed of a power MOSFET or the like for supplying a smaller current than the first switching means. Things. Note that the first switching means and the second switching means are controlled by the same drive command signal, and the second switching means has a current proportional to the first switching means (for example,
First switching means: Second switching means = 100
0: 1).
【０００３】このように構成された過電流検出機能を有
する負荷駆動回路では、例えば、負荷においてグランド
ショート（接地短絡）などの異常が発生して、第１スイ
ッチング手段に過電流が流れた場合、第２スイッチング
手段の電流は、第１スイッチング手段の過電流の例えば
１０００分の１（１／１０００）となり、その電流を抵
抗等に流して異常を検出する。In the load drive circuit having the overcurrent detection function configured as described above, for example, when an abnormality such as a ground short (ground short) occurs in the load and an overcurrent flows through the first switching means, The current of the second switching means is, for example, 1/1000 (1/1000) of the overcurrent of the first switching means, and the current is passed through a resistor or the like to detect an abnormality.
【０００４】他方、こうした負荷駆動回路には、例え
ば、モータやソレノイドなどの誘導性負荷を駆動制御
（ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御など）するた
めの誘導性負荷駆動回路がある。そして、誘導性負荷
は、通電される電流が急峻に変動すると、その両端にフ
ライバック電圧（逆起電力）が瞬時的に発生するという
特性がある。つまり、誘導性負荷のインダクタンス（例
えば、数１０［ｍＨ］程度）をＬとすると、誘導性負荷
の両端には、単位時間あたりの電流の変化割合に比例し
た電圧Ｖ（＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ））が発生するのであ
る。On the other hand, such a load drive circuit includes, for example, an inductive load drive circuit for performing drive control (PWM (Pulse Width Modulation) control or the like) of an inductive load such as a motor or a solenoid. Then, the inductive load has a characteristic that when a current to be supplied fluctuates sharply, a flyback voltage (back electromotive force) is instantaneously generated at both ends thereof. That is, assuming that the inductance of the inductive load (for example, about several tens [mH]) is L, a voltage V (= −L (di / di / dt)) occurs.
【０００５】このため、駆動指令信号に基づき第１スイ
ッチング手段がターンオフして誘導性負荷への通電を停
止する際に、通電停止によって瞬時的に誘導性負荷の両
端にフライバック電圧が発生して、第１電位Ｖ１がグラ
ンド電位（０［ｖ］）よりも低下することがある。この
とき、第２スイッチング手段についても、駆動指令信号
に基づきオフ状態となるが、第２電位Ｖ２はグランド電
位よりも低下しないことから、第１電位Ｖ１が第２電位
Ｖ２よりも低い状態となり、検出抵抗に大電流が流れ、
誤って過電流を検出することになる。For this reason, when the first switching means is turned off based on the drive command signal to stop energizing the inductive load, a flyback voltage is instantaneously generated at both ends of the inductive load due to the stop of energizing. , The first potential V1 may be lower than the ground potential (0 [v]). At this time, the second switching means is also turned off based on the drive command signal, but since the second potential V2 does not drop below the ground potential, the first potential V1 becomes lower than the second potential V2, A large current flows through the detection resistor,
An overcurrent will be detected by mistake.
【０００６】こうした問題に対して、過電流の検出を一
定時間遅延させるフィルタを設けることで、過電流の誤
検出を防ぐよう構成された誘導性負荷駆動回路があり、
図２に概略構成を示す。図２に示す誘導性負荷駆動回路
１ａは、ｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからなる第１
トランジスタ５１に流れる第１規定値より大きい過電流
を検出するものである。To solve such a problem, there is an inductive load driving circuit configured to prevent erroneous detection of overcurrent by providing a filter that delays detection of overcurrent for a predetermined time.
FIG. 2 shows a schematic configuration. The inductive load driving circuit 1a shown in FIG.
This is for detecting an overcurrent that is larger than a first specified value flowing through the transistor 51.
【０００７】そして、第１トランジスタ５１は、ゲート
駆動回路５５から出力される駆動指令信号Ｓｂに基づい
て、図示しない直流電源からの出力（電源電圧）Ｖｃが
供給された電源ラインＬＶからの電流を誘導性負荷ＬＬ
に供給するための第１通電経路を通電・遮断する。な
お、ゲート駆動回路５５は、制御ロジック５７が出力す
る制御指令信号Ｓａに応じて駆動指令信号Ｓｂを出力し
ており、また、制御ロジック５７は、誘導性負荷ＬＬの
電流制御を行うために、制御指令信号Ｓａを出力してい
る。The first transistor 51 receives a current from a power supply line LV supplied with an output (power supply voltage) Vc from a DC power supply (not shown) based on a drive command signal Sb output from a gate drive circuit 55. Inductive load LL
The first energizing path for supplying power to the power supply is turned on and off. Note that the gate drive circuit 55 outputs a drive command signal Sb in accordance with the control command signal Sa output by the control logic 57, and the control logic 57 performs current control of the inductive load LL. The control command signal Sa is output.
【０００８】そして、第１トランジスタ５１の電流出力
端の第１電位Ｖ１が、ｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ
からなる第２トランジスタ５３の電流出力端の第２電位
Ｖ２よりも低下すると、第１コンパレータ６１の出力信
号がハイレベルとなりｎｐｎ型トランジスタからなる第
３トランジスタ６３が駆動される。これにより、第２ト
ランジスタ５３，第３トランジスタ６３および抵抗６５
からなる第２通電経路に電流が流れ、この電流によって
抵抗６５の両端に生じる電位差が、過電流判定のために
設定された定電圧電源６９の出力電圧を上回ると、第２
コンパレータ６７の出力信号がハイレベルとなる。そし
て、第２コンパレータ６７の出力信号はフィルタ７１を
介してゲート駆動回路５５に入力されており、ゲート駆
動回路５５は、ハイレベルの信号が入力されると駆動指
令信号Ｓｂの出力を停止する。これにより、第１通電経
路における通電が停止されて、第１トランジスタ５１が
過電流から保護される。Then, the first potential V1 at the current output terminal of the first transistor 51 is changed to an n-channel type power MOSFET.
Becomes lower than the second potential V2 at the current output terminal of the second transistor 53, the output signal of the first comparator 61 becomes high level, and the third transistor 63 made of an npn transistor is driven. Thus, the second transistor 53, the third transistor 63, and the resistor 65
When a current flows through the second current path composed of the constant voltage power supply 69 set for the overcurrent determination due to the potential difference between the two ends of the resistor 65, the second current flows.
The output signal of the comparator 67 becomes high level. The output signal of the second comparator 67 is input to the gate drive circuit 55 via the filter 71. The gate drive circuit 55 stops outputting the drive command signal Sb when a high-level signal is input. Thereby, the energization in the first energization path is stopped, and the first transistor 51 is protected from overcurrent.
【０００９】このとき、フィルタ７１は、第２コンパレ
ータ６７の出力信号が入力されてから一定期間（例え
ば、数μ秒〜１０数μ秒）が経過すると、ゲート駆動回
路５５に対して出力信号を出力するように構成されてい
る。つまり、図２に示す過電流検出機能を備えた誘導性
負荷駆動回路は、フィルタ７１を設けて過電流の検出時
期を遅延することで、瞬時的に発生する電圧変動では過
電流と判定しないように構成されている。このため、誘
導性負荷のフライバック電圧により発生する瞬時的な電
圧変動が原因となって、誤って過電流と判定するのを防
ぐことができる。At this time, the filter 71 outputs the output signal to the gate drive circuit 55 when a certain period (for example, several μsec to several tens μsec) has elapsed since the output signal of the second comparator 67 was input. It is configured to output. In other words, the inductive load drive circuit having the overcurrent detection function shown in FIG. 2 is provided with the filter 71 to delay the timing of detecting the overcurrent so that the instantaneous voltage fluctuation does not determine the overcurrent. Is configured. For this reason, it is possible to prevent an erroneous determination of an overcurrent due to an instantaneous voltage fluctuation generated by the flyback voltage of the inductive load.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すような従来の誘導性負荷駆動回路では、第２コンパ
レータ６７の出力信号がフィルタ７１により遅延される
遅延期間においては、通電経路に過電流が流れることに
なり、この過電流によって第１トランジスタ（第１スイ
ッチング手段）５１が破損する虞がある。However, in the conventional inductive load driving circuit as shown in FIG. 2, during the delay period in which the output signal of the second comparator 67 is delayed by the filter 71, the overcurrent flows through the current path. Flows, and the overcurrent may damage the first transistor (first switching means) 51.
【００１１】ここで、第１スイッチング手段として用い
られる半導体素子（パワーＭＯＳＦＥＴ等）は、通電可
能な電流の容量が大きいものほど高価になるため、コス
ト的に優れた負荷駆動回路を実現するには、第１スイッ
チング手段として容量が小さい半導体素子を用いること
が望ましい。このため、実際の誘導性負荷駆動回路にお
いては、スイッチング手段として、負荷の定格電流より
も僅かに大きい容量の半導体素子を用いることが多い。Here, the semiconductor element (power MOSFET or the like) used as the first switching means becomes more expensive as the current carrying capacity becomes larger, so that a load driving circuit excellent in cost is realized. It is desirable to use a semiconductor element having a small capacitance as the first switching means. For this reason, in an actual inductive load driving circuit, a semiconductor element having a capacity slightly larger than the rated current of the load is often used as the switching means.
【００１２】そして、このように定格電流に対して余裕
の少ないスイッチング手段を用いた誘導性負荷駆動回路
において過電流検出を行うにあたり、信号出力の遅延処
理を行うようにすると、遅延期間中に流れる過電流によ
ってスイッチング手段が破損する可能性が高くなってし
まう。When detecting an overcurrent in the inductive load drive circuit using the switching means having a small margin with respect to the rated current, a signal output delay process is performed during the delay period. The possibility that the switching means is damaged by the overcurrent increases.
【００１３】本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
のであり、モータやソレノイド等の誘導性負荷に供給す
る電流の過電流を検出する際に、フライバック電圧によ
る誤検出を抑えて正確に過電流を検出することができ、
また、過電流によるスイッチング手段の破損が発生し難
い誘導性負荷駆動回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such a problem, and when detecting an overcurrent of a current supplied to an inductive load such as a motor or a solenoid, an erroneous detection by a flyback voltage is suppressed to accurately detect an overcurrent. Can detect the current,
It is another object of the present invention to provide an inductive load driving circuit in which the switching means is hardly damaged by an overcurrent.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）の誘
導性負荷駆動回路によれば、誘導性負荷への通電停止に
より発生するフライバック電圧によって、誤って過電流
と判定することが無くなり、正確に過電流を検出するこ
とができる。また、過電流検出時の対応処理を迅速に実
施でき、第１スイッチング手段を過電流から保護できる
ため、過電流による第１スイッチング手段の破損が発生
し難くなる。According to the inductive load driving circuit of the present invention (claim 1), it is possible to erroneously determine that an overcurrent is caused by a flyback voltage generated by stopping power supply to the inductive load. Thus, the overcurrent can be accurately detected. In addition, the processing for detecting an overcurrent can be performed quickly, and the first switching means can be protected from overcurrent, so that the first switching means is less likely to be damaged by the overcurrent.
【００１５】なお、制御指令信号が出力されない時に
は、第１スイッチング手段はオフ状態となり電流が流れ
ないことから、第１通電経路に過電流が流れることはな
いため、過電流検出を停止することによる問題は無い。
ここで、上述の誘導性負荷駆動回路におけるスイッチン
グ手段としては、例えば、バイポーラトランジスタや電
解効果トランジスタ（ＦＥＴ）などを用いることができ
るが、請求項２に記載のように、ｎチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴからなる第１スイッチング手段と、第１スイッチン
グ手段が流す電流よりも小さい電流を流すｎチャネル型
ＭＯＳＦＥＴからなる第２スイッチング手段とを用いる
とよい。When the control command signal is not output, the first switching means is turned off and no current flows, so that no overcurrent flows in the first conduction path. No problem.
Here, as the switching means in the inductive load driving circuit, for example, a bipolar transistor or a field effect transistor (FET) can be used, but as described in claim 2, an n-channel MOSF
It is preferable to use a first switching means made of ET and a second switching means made of an n-channel MOSFET for passing a current smaller than the current passed by the first switching means.
【００１６】つまり、ＭＯＳＦＥＴは、バイポーラトラ
ンジスタに比べて通電経路における抵抗が小さく、高速
スイッチングが可能であることから、大電流のスイッチ
ング特性に優れており、直流電源から負荷への通電経路
の通電・遮断を行うのに適している。また、ＭＯＳＦＥ
Ｔは、キャリアの種類（正孔または電子）によりｎチャ
ネル型とｐチャネル型とに分かれるが、ｎチャネル型は
ｐチャネル型に比べて安価であるため、ｎチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴを用いた負荷駆動回路は低コストで実現でき
る。That is, the MOSFET has a smaller resistance in the current path as compared with the bipolar transistor and is capable of high-speed switching, and therefore has excellent switching characteristics of a large current. Suitable for blocking. Also, MOSFE
T is divided into an n-channel type and a p-channel type depending on the type of carrier (hole or electron), but the n-channel type is less expensive than the p-channel type,
A load driving circuit using an OSFET can be realized at low cost.
【００１７】また、１つの指令信号（駆動指令信号）に
より、第１スイッチング手段および第２スイッチング手
段をそれぞれ同時に駆動制御することができるため、第
１電位と第２電位との比較により過電流の検出が可能と
なる。また、第１通電経路に流れる電流に比例した電流
を、第２通電経路に流すことが可能となり、さらに、こ
のとき第２通電経路に流れる電流は小さいことから、過
電流検出を行うに際しての電力消費量が小さくなる。Further, since the first switching means and the second switching means can be simultaneously driven and controlled by one command signal (drive command signal), the overcurrent of the overcurrent is determined by comparing the first potential with the second potential. Detection becomes possible. Further, a current proportional to the current flowing in the first current path can flow in the second current path. Further, since the current flowing in the second current path is small at this time, the electric power required to perform overcurrent detection is reduced. The consumption is reduced.
【００１８】次に、上述の誘導性負荷駆動回路は、請求
項３の記載によれば、第２スイッチング手段に流れる電
流は、第１スイッチング手段に流れる電流に比例するこ
とから、第２通電経路には、第１通電経路に比例した電
流が流れる。そして、第１通電経路に第１規定値を超え
る過電流が流れる際には、第２通電経路に流れる電流
は、第１規定値に応じて設定された第２規定値を超える
ことになり、第２通電経路に流れる電流に基づいて第１
通電経路における過電流を検出することができる。Next, according to the third aspect of the present invention, the above-described inductive load drive circuit is configured such that the current flowing through the second switching means is proportional to the current flowing through the first switching means. , A current proportional to the first current path flows. Then, when an overcurrent exceeding the first specified value flows through the first current path, the current flowing through the second current path exceeds the second specified value set according to the first specified value, Based on the current flowing through the second current path, the first
An overcurrent in the current path can be detected.
【００１９】このように、第１電位と第２電位との比較
に加えて、第２通電経路に流れる電流に基づき第１通電
経路における電流値を判定して過電流を検出すること
で、第１電位と第２電位との比較のみによる過電流検出
に比べて、より正確に過電流を検出することができる。As described above, in addition to the comparison between the first potential and the second potential, the overcurrent is detected by determining the current value in the first current path based on the current flowing in the second current path. The overcurrent can be detected more accurately than the overcurrent detection based on only the comparison between the first potential and the second potential.
【００２０】よって、本発明（請求項３）によれば、第
１通電経路における過電流をより正確に検出することが
できるため、第１スイッチング手段をより確実に保護す
ることが可能となる。また、本発明（請求項４）の誘導
性負荷駆動回路によれば、過電流検出手段を新規に開発
すること無く、過電流検出停止手段を追設することで、
フライバック電圧による影響を抑えることができること
から、過電流の誤検出を抑えられる誘導性負荷駆動回路
を低コストで実現できる。Therefore, according to the present invention (claim 3), the overcurrent in the first current path can be detected more accurately, so that the first switching means can be more reliably protected. According to the inductive load drive circuit of the present invention (claim 4), the overcurrent detection stop means is additionally provided without newly developing the overcurrent detection means,
Since the influence of the flyback voltage can be suppressed, an inductive load drive circuit that can suppress erroneous detection of overcurrent can be realized at low cost.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面と
共に説明する。図１は、誘導性負荷の駆動制御を行うた
めの誘導性負荷駆動回路の概略構成図であり、本誘導性
負荷駆動回路は、過電流検出機能を備えている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inductive load drive circuit for performing drive control of an inductive load. The inductive load drive circuit has an overcurrent detection function.
【００２２】図１に示すように、本実施例の誘導性負荷
駆動回路は、図示しない直流電源からの出力（例えば、
電源電圧１２［ｖ］）Ｖｃが供給された電源ラインＬＶ
からの電流を誘導性負荷ＬＬに供給するための第１通電
経路を通電・遮断するｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ
からなる第１トランジスタ１１と、電源ラインＬＶから
の電流を抵抗２５に供給する第２通電経路を通電・遮断
するｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴからなる第２トラ
ンジスタ１３と、第１トランジスタ１１および第２トラ
ンジスタ１３を駆動するための駆動指令信号Ｓｂを出力
するゲート駆動回路１５と、誘導性負荷ＬＬを駆動制御
するための制御指令信号Ｓａを出力する制御ロジック１
７と、を備えている。As shown in FIG. 1, the inductive load driving circuit according to the present embodiment includes an output from a DC power supply (not shown) (for example,
Power supply voltage 12 [v]) Power supply line LV supplied with Vc
-Channel type power MOSFET for energizing and interrupting a first energizing path for supplying a current from the inductive load LL
, A second transistor 13 composed of an n-channel power MOSFET for energizing / cutting off a second energizing path for supplying a current from the power supply line LV to the resistor 25, and a first transistor 11 and a second transistor And a control logic 1 for outputting a control command signal Sa for driving and controlling the inductive load LL.
7 is provided.
【００２３】そして、制御ロジック１７は、ＣＭＯＳト
ランジスタを用いたプロセスを使用したマイコンで構成
され、図示しない電源装置（例えば、出力電圧５
［ｖ］）からの電力供給により動作しており、複雑な制
御処理を実施して誘導性負荷ＬＬを制御するための制御
指令信号Ｓａを出力している。The control logic 17 is constituted by a microcomputer using a process using a CMOS transistor, and a power supply device (not shown) (for example, an output voltage 5)
[V]), and outputs a control command signal Sa for controlling the inductive load LL by performing a complicated control process.
【００２４】また、ゲート駆動回路１５は、チャージポ
ンプを備えており、制御ロジック１７から出力される制
御指令信号Ｓａに応じて、第１トランジスタ１１および
第２トランジスタ１３を駆動可能な駆動指令信号Ｓｂを
出力する。つまり、ゲート駆動回路１５は、低電位の信
号（制御指令信号Ｓａ）を高電位の信号（駆動指令信号
Ｓｂ）に変換する回路であり、制御指令信号Ｓａに応じ
て、制御指令信号Ｓａよりも高電位の駆動指令信号Ｓｂ
を出力する。The gate drive circuit 15 includes a charge pump, and according to a control command signal Sa output from the control logic 17, a drive command signal Sb capable of driving the first transistor 11 and the second transistor 13. Is output. That is, the gate drive circuit 15 is a circuit that converts a low-potential signal (control command signal Sa) into a high-potential signal (drive command signal Sb). High potential drive command signal Sb
Is output.
【００２５】さらに、第１トランジスタ１１は、ゲート
がゲート駆動回路１５における駆動指令信号Ｓｂの出力
端子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接続さ
れ、ソースが誘導性負荷ＬＬに接続されている。そし
て、駆動指令信号Ｓｂがハイレベルとなると、第１トラ
ンジスタ１１はオン状態となり、電源ラインＬＶから誘
導性負荷ＬＬへの第１通電経路に電流が流れる。Further, the first transistor 11 has a gate connected to the output terminal of the drive command signal Sb in the gate drive circuit 15, a drain connected to the power supply line LV, and a source connected to the inductive load LL. Then, when the drive command signal Sb becomes high level, the first transistor 11 is turned on, and a current flows through the first current path from the power supply line LV to the inductive load LL.
【００２６】よって、本誘導性負荷駆動回路１では、制
御ロジック１７が制御指令信号Ｓａをハイレベルとする
と、ゲート駆動回路１５が駆動指令信号Ｓｂをハイレベ
ルとし、これにより、第１トランジスタ１１がオン状態
となることで、第１通電経路を通じて電源ラインＬＶか
ら誘導性負荷ＬＬへの電力供給が行われる。Therefore, in the inductive load drive circuit 1, when the control logic 17 sets the control command signal Sa to a high level, the gate drive circuit 15 sets the drive command signal Sb to a high level, whereby the first transistor 11 By being turned on, power is supplied from the power supply line LV to the inductive load LL through the first current path.
【００２７】また、第２トランジスタ１３は、ゲートが
ゲート駆動回路１５における駆動指令信号Ｓｂの出力端
子に接続され、ドレインが電源ラインＬＶに接続されて
おり、駆動指令信号Ｓｂがハイレベルとなるとオン状態
となり、また、第１トランジスタ１１に比例した小さい
電流を流すよう構成されている。The second transistor 13 has a gate connected to the output terminal of the drive command signal Sb in the gate drive circuit 15, a drain connected to the power supply line LV, and turned on when the drive command signal Sb goes high. It is configured to be in a state and to flow a small current proportional to the first transistor 11.
【００２８】そして、本誘導性負荷駆動回路１は、上記
構成に加えて、第１トランジスタ１１のソースに反転入
力端子（−）が接続され、第２トランジスタ１３のソー
スに非反転入力端子（＋）が接続された第１比較器（以
下、第１コンパレータという）２１と、第２トランジス
タ１３のソースにコレクタが接続されるとともに、第１
コンパレータ２１の出力端子にベースが接続されたｎｐ
ｎ型トランジスタからなる第３トランジスタ２３と、第
３トランジスタ２３のエミッタに一端が接続され、他端
が接地された抵抗２５と、第３トランジスタ２３のエミ
ッタと抵抗２５との接続点に非反転入力端子（＋）が接
続され、ゲート駆動回路１５に出力端子が接続された第
２比較器（以下、第２コンパレータという）２７と、第
２コンパレータ２７の反転入力端子（−）に正極が接続
され、負極が接地された定電圧電源２９と、を備えてい
る。The inductive load driving circuit 1 has an inverting input terminal (-) connected to the source of the first transistor 11 and a non-inverting input terminal (+) connected to the source of the second transistor 13 in addition to the above configuration. ) Is connected to a first comparator (hereinafter, referred to as a first comparator) 21 and a collector of the second transistor 13 is connected to the first comparator 21.
Np whose base is connected to the output terminal of the comparator 21
a third transistor 23 composed of an n-type transistor; a resistor 25 having one end connected to the emitter of the third transistor 23 and the other end grounded; and a non-inverting input to a connection point between the emitter of the third transistor 23 and the resistor 25. A second comparator (hereinafter, referred to as a second comparator) 27 having a terminal (+) connected thereto and an output terminal connected to the gate drive circuit 15, and a positive electrode connected to the inverting input terminal (−) of the second comparator 27. , A constant voltage power supply 29 having a negative electrode grounded.
【００２９】そして、第１トランジスタ１１のソースの
電位（以下、第１電位という）Ｖ１が、第２トランジス
タ１３のソースの電位（以下、第２電位という）Ｖ２よ
りも低下すると、第１コンパレータ２１が出力する出力
信号Ｓｃがハイレベルとなり、第３トランジスタ２３が
オン状態となる。すると、電源ラインＬＶから第２トラ
ンジスタ１３、第３トランジスタ２３、抵抗２５を介し
てグランド（接地）に通じる第２通電経路に電流が流れ
る。When the potential of the source of the first transistor 11 (hereinafter referred to as first potential) V1 becomes lower than the potential of the source of the second transistor 13 (hereinafter referred to as second potential) V2, the first comparator 21 The output signal Sc output from the first transistor becomes high level, and the third transistor 23 is turned on. Then, a current flows from the power supply line LV to the second conduction path leading to the ground (ground) via the second transistor 13, the third transistor 23, and the resistor 25.
【００３０】ここで、例えば、誘導性負荷ＬＬにおいて
グランドショート（接地短絡）などの異常が発生する
と、第１トランジスタ１１に過電流が流れるとともに、
第１電位Ｖ１はグランド電位（０［ｖ］）となるため、
第１電位Ｖ１が第２電位Ｖ２よりも低下する。このた
め、第１コンパレータ２１は、第１電位Ｖ１と第２電位
Ｖ２とを比較することで、第１通電経路における過電流
を検出している。Here, for example, when an abnormality such as a ground short (ground short) occurs in the inductive load LL, an overcurrent flows through the first transistor 11 and
Since the first potential V1 becomes the ground potential (0 [v]),
The first potential V1 is lower than the second potential V2. Therefore, the first comparator 21 detects an overcurrent in the first conduction path by comparing the first potential V1 with the second potential V2.
【００３１】そして、第１通電経路に過電流が流れる
と、第１コンパレータ２１が第３トランジスタ２３を駆
動することにより、第２通電経路に電流が流れることに
なり、このとき第２通電経路に流れる電流は、第１通電
経路に流れる電流に比例した大きさとなる。また、抵抗
２５の両端には、第２通電経路に流れる電流に比例する
電位差が発生するため、抵抗２５の両端電圧は、第１通
電経路に流れる電流に比例した大きさになる。When an overcurrent flows through the first current path, the first comparator 21 drives the third transistor 23 to cause a current to flow through the second current path. The flowing current has a magnitude proportional to the current flowing in the first current path. Further, since a potential difference proportional to the current flowing through the second conduction path is generated at both ends of the resistor 25, the voltage across the resistance 25 has a magnitude proportional to the current flowing through the first conduction path.
【００３２】このとき、定電圧電源２９は、抵抗２５の
抵抗値と、第２通電経路における電流の第２規定値との
乗算により得られる電圧値と等しい電圧を出力する定電
圧電源にて構成されている。なお、第２規定値は、第１
通電経路にて第１規定値と等しい電流が流れる際に第２
通電経路に流れる電流値である。また、第１規定値は、
第１トランジスタ１１に流れる電流における過電流の指
標であり、第１規定値よりも大きい電流が過電流であ
る。At this time, the constant voltage power supply 29 is constituted by a constant voltage power supply that outputs a voltage equal to a voltage value obtained by multiplying the resistance value of the resistor 25 by a second specified value of the current in the second current path. Have been. Note that the second specified value is the first specified value.
When a current equal to the first specified value flows in the current path, the second
This is the value of the current flowing in the current path. The first specified value is
This is an index of an overcurrent in the current flowing through the first transistor 11, and a current larger than a first specified value is an overcurrent.
【００３３】そして、第２コンパレータ２７は、抵抗２
５の両端電圧が定電圧電源２９の出力電圧より大きくな
ると、ハイレベルの信号をゲート駆動回路１５に対して
出力する。つまり、第２コンパレータ２７は、第２通電
経路を流れる電流に基づき第１通電経路に流れる電流を
検出し、第１通電経路に流れる電流が第１規定値よりも
大きくなることで、過電流を検出したことをゲート駆動
回路１５に通知するのである。The second comparator 27 is connected to the resistor 2
When the voltage across the terminal 5 becomes higher than the output voltage of the constant voltage power supply 29, a high level signal is output to the gate drive circuit 15. That is, the second comparator 27 detects the current flowing in the first current path based on the current flowing in the second current path, and detects the overcurrent by making the current flowing in the first current path larger than the first specified value. The detection is notified to the gate drive circuit 15.
【００３４】よって、本誘導性負荷駆動回路１は、第１
コンパレータ２１が、第１電位Ｖ１と第２電位Ｖ２とを
比較すると共に、さらに、第２コンパレータ２７が第２
通電経路に流れる電流に基づき第１通電経路に流れる電
流を検出することで、第１トランジスタ１１に流れる過
電流を検出している。Therefore, the present inductive load driving circuit 1
The comparator 21 compares the first potential V1 and the second potential V2, and further, the second comparator 27
An overcurrent flowing through the first transistor 11 is detected by detecting a current flowing through the first current path based on a current flowing through the current path.
【００３５】このように、各トランジスタの電流出力端
における電位の比較だけではなく、第１通電経路に流れ
る電流を検出して過電流を判定することにより、より精
度良く過電流を検出することが可能となる。また、第１
コンパレータ２１が第３トランジスタ２３を駆動すると
きのみ第２通電経路に電流を流すことから、常に第２通
電経路に電流を流す場合に比べて、過電流検出に必要な
電力消費量を抑えることができる。As described above, not only the comparison of the potentials at the current output terminals of the transistors but also the detection of the overcurrent by detecting the current flowing through the first conduction path makes it possible to detect the overcurrent with higher accuracy. It becomes possible. Also, the first
Since the current flows through the second current path only when the comparator 21 drives the third transistor 23, the power consumption required for overcurrent detection can be reduced as compared with the case where the current always flows through the second current path. it can.
【００３６】そして、第２コンパレータ２７からの信号
が入力されたゲート駆動回路１５は、制御指令信号Ｓａ
の状態に拘わらず、駆動指令信号Ｓｂの出力を停止して
ローレベルとし、第１トランジスタ１１をオフ状態にす
る。これにより、第１通電経路における通電が停止され
て、第１トランジスタ１１は過電流から保護される。Then, the gate drive circuit 15 to which the signal from the second comparator 27 has been input is controlled by the control command signal Sa.
Irrespective of the state, the output of the drive command signal Sb is stopped and set to the low level, and the first transistor 11 is turned off. As a result, energization in the first energization path is stopped, and the first transistor 11 is protected from overcurrent.
【００３７】さらに、本誘導性負荷駆動回路１は、制御
指令信号Ｓａに基づき過電流検出を停止させる過電流検
出停止回路３１が備えられている。そして、この過電流
検出停止回路３１は、信号レベルを反転させるインバー
タ回路３３と、抵抗３５と、ｎｐｎ型トランジスタから
なる検出停止用トランジスタ３７とを備えている。Further, the inductive load driving circuit 1 is provided with an overcurrent detection stop circuit 31 for stopping overcurrent detection based on the control command signal Sa. The overcurrent detection stop circuit 31 includes an inverter circuit 33 for inverting a signal level, a resistor 35, and a detection stop transistor 37 formed of an npn transistor.
【００３８】まず、インバータ回路３３は、入力端子へ
入力される入力信号がハイレベル（例えば、電位５
［ｖ］）の場合にはローレベル（例えば、グランド電位
０［ｖ］）の信号を出力し、入力信号がローレベルの場
合には、ハイレベルの信号を出力するよう構成されてい
る。そして、インバータ回路３３は、入力端子が、制御
ロジック１７における制御指令信号Ｓａの出力端子に接
続されている。First, the inverter circuit 33 sets the input signal input to the input terminal to a high level (for example, the potential 5).
[V]), a low-level signal (for example, ground potential 0 [v]) is output, and if the input signal is low, a high-level signal is output. The input terminal of the inverter circuit 33 is connected to the output terminal of the control command signal Sa in the control logic 17.
【００３９】また、検出停止用トランジスタ３７は、ベ
ースが抵抗３５を介してインバータ回路３３の出力端子
と接続され、コレクタが第３トランジスタ２３のベース
に接続され、エミッタが接地されている。このため、過
電流検出停止回路３１では、制御指令信号Ｓａがローレ
ベルの場合には、インバータ回路３３の出力信号がハイ
レベルとなり、検出停止用トランジスタ３７がオン状態
となる。これにより、第３トランジスタ２３のベース電
位はローレベルに維持されることになり、第１コンパレ
ータ２１の動作に拘わらず、第３トランジスタ２３は強
制的にオフ状態に維持される。このため、第２通電経路
に電流が流れることが無くなり、第２コンパレータ２７
がハイレベルの信号を出力することはない。The detection stop transistor 37 has a base connected to the output terminal of the inverter circuit 33 via the resistor 35, a collector connected to the base of the third transistor 23, and an emitter grounded. Therefore, in the overcurrent detection stop circuit 31, when the control command signal Sa is at a low level, the output signal of the inverter circuit 33 is at a high level, and the detection stop transistor 37 is turned on. As a result, the base potential of the third transistor 23 is maintained at the low level, and the third transistor 23 is forcibly maintained in the off state regardless of the operation of the first comparator 21. Therefore, no current flows through the second current path, and the second comparator 27
Does not output a high-level signal.
【００４０】また、制御指令信号Ｓａがハイレベルの場
合には、インバータ回路３３の出力信号がローレベルと
なり、検出停止用トランジスタ３７がオフ状態となる。
これにより、第３トランジスタ２３のベース電位は第１
コンパレータ２１により決定されることになり、第１コ
ンパレータ２１が過電流を検出すると第３トランジスタ
２３はオン状態となり第２通電経路に電流が流れる。When the control command signal Sa is at a high level, the output signal of the inverter circuit 33 is at a low level, and the detection stop transistor 37 is turned off.
As a result, the base potential of the third transistor 23 becomes the first potential.
This is determined by the comparator 21, and when the first comparator 21 detects an overcurrent, the third transistor 23 is turned on and a current flows through the second current path.
【００４１】よって、過電流検出停止回路３１は、制御
指令信号Ｓａがローレベルとなる時には、第３トランジ
スタ２３を強制的にオフ状態にすることで、第２コンパ
レータ２７による過電流の検出を停止させる。したがっ
て、本誘導性負荷駆動回路１においては、誘導性負荷Ｌ
Ｌの駆動制御において通電を停止した際に発生するフラ
イバック電圧（逆起電力）によって第１電位Ｖ１が第２
電位Ｖ２よりも低電位となり、第１コンパレータ２１が
過電流を検出しても、過電流検出停止回路３１の動作に
より第２コンパレータ２７が過電流を検出することが無
くなるため、フライバック電圧による過電流の誤検出を
防ぐことができる。Therefore, the overcurrent detection stop circuit 31 stops the overcurrent detection by the second comparator 27 by forcibly turning off the third transistor 23 when the control command signal Sa becomes low level. Let it. Therefore, in the present inductive load driving circuit 1, the inductive load L
The flyback voltage (back electromotive force) generated when the energization is stopped in the drive control of L causes the first potential V1 to change to the second potential.
Since the potential becomes lower than the potential V2 and the first comparator 21 detects an overcurrent, the operation of the overcurrent detection stop circuit 31 prevents the second comparator 27 from detecting the overcurrent. Erroneous detection of current can be prevented.
【００４２】なお、本実施例においては、制御ロジック
１７が特許請求の範囲における制御手段に相当し、ゲー
ト駆動回路１５が駆動手段に相当し、第１トランジスタ
１１が第１スイッチング手段に相当し、第１トランジス
タ１１のゲートが第１スイッチング手段の制御端子に相
当し、第２トランジスタ１３が第２スイッチング手段に
相当し、第２トランジスタ１３のゲートが第２スイッチ
ング手段の制御端子に相当し、第１コンパレータ２１が
過電流検出手段に相当し、第２コンパレータ２７および
定電圧電源２９が保護手段に相当し、過電流検出停止回
路３１が過電流検出停止手段に相当し、第３トランジス
タ２３が第３スイッチング手段に相当し、抵抗２５が第
２電流検出手段に相当し、第１コンパレータ２１の出力
信号Ｓｃが過電流検出信号に相当する。In this embodiment, the control logic 17 corresponds to the control means in the claims, the gate drive circuit 15 corresponds to the drive means, the first transistor 11 corresponds to the first switching means, The gate of the first transistor 11 corresponds to the control terminal of the first switching means, the second transistor 13 corresponds to the second switching means, the gate of the second transistor 13 corresponds to the control terminal of the second switching means, The first comparator 21 corresponds to overcurrent detection means, the second comparator 27 and the constant voltage power supply 29 correspond to protection means, the overcurrent detection stop circuit 31 corresponds to overcurrent detection stop means, and the third transistor 23 corresponds to 3 corresponds to a switching means, the resistor 25 corresponds to a second current detecting means, and the output signal Sc of the first comparator 21 is an overcurrent Corresponding to the output signal.
【００４３】以上説明したように、本実施例の誘導性負
荷駆動回路１によれば、制御指令信号Ｓａが出力されな
いときには過電流検出を行わないことから、誘導性負荷
ＬＬへの通電停止により発生するフライバック電圧によ
って、誤って過電流と判定することが無くなり、正確に
過電流を検出することができる。また、過電流検出時に
おける第１通電経路の通電停止処理を迅速に実行でき、
第１トランジスタを過電流から保護できるため、過電流
による第１トランジスタの破損が発生し難くなる。As described above, according to the inductive load driving circuit 1 of this embodiment, when the control command signal Sa is not output, the overcurrent detection is not performed. Due to the flyback voltage, the overcurrent is not erroneously determined, and the overcurrent can be accurately detected. In addition, it is possible to quickly execute the energization stop processing of the first energization path when overcurrent is detected,
Since the first transistor can be protected from overcurrent, breakage of the first transistor due to overcurrent is less likely to occur.
【００４４】なお、制御指令信号Ｓａが出力されない時
には、第１トランジスタ１１はオフ状態となり電流が流
れないことから、第１通電経路に過電流が流れることは
ないため、過電流検出を停止しても問題はない。また、
誘導性負荷ＬＬへの通電開始時に発生するフライバック
電圧については、ゲート駆動回路１５がチャージポンプ
を用いて駆動指令信号Ｓｂを生成することから、駆動指
令信号Ｓｂの立ち上がり速度が比較的遅いため、フライ
バック電圧は小さくなり過電流検出に対する影響はな
い。When the control command signal Sa is not output, the first transistor 11 is turned off and no current flows, so that no overcurrent flows in the first conduction path. No problem. Also,
Regarding the flyback voltage generated at the start of energization to the inductive load LL, since the gate drive circuit 15 generates the drive command signal Sb using the charge pump, the rising speed of the drive command signal Sb is relatively slow. The flyback voltage is reduced and has no effect on overcurrent detection.
【００４５】また、本実施例の誘導性負荷駆動回路によ
れば、駆動指令信号Ｓｂによって第１トランジスタ１１
および第２トランジスタ１３をそれぞれ同時に駆動制御
することができるため、第１電位Ｖ１と第２電位Ｖ２と
の比較により過電流の検出が可能となる。また、第２通
電経路に流れる電流が小さい電流であることから、過電
流検出を行うに際しての電力消費量を抑えることができ
る。Further, according to the inductive load drive circuit of this embodiment, the first transistor 11 is driven by the drive command signal Sb.
And the second transistor 13 can be simultaneously driven and controlled, so that an overcurrent can be detected by comparing the first potential V1 with the second potential V2. Further, since the current flowing through the second current path is a small current, it is possible to suppress power consumption when performing overcurrent detection.
【００４６】さらに、第１電位Ｖ１と第２電位Ｖ２との
比較に加えて、第２通電経路に流れる電流に基づき第１
通電経路における電流値を判定して過電流を検出するた
め、第１電位と第２電位との比較のみによる過電流検出
に比べて、より正確に過電流を検出することができる。Further, in addition to the comparison between the first potential V1 and the second potential V2, the first potential V1
Since the overcurrent is detected by determining the current value in the energization path, the overcurrent can be detected more accurately than the overcurrent detection based only on the comparison between the first potential and the second potential.
【００４７】また、本実施例の誘導性負荷駆動回路は、
従来から使用されている第１コンパレータ２１をそのま
ま用いることができ、また、従来の誘導性負荷駆動回路
に過電流検出停止回路３１を追設することで容易に実現
することができるため、過電流の誤検出を抑えられる誘
導性負荷駆動回路を低コストで実現できる。Further, the inductive load driving circuit of the present embodiment
Since the first comparator 21 conventionally used can be used as it is and can be easily realized by adding the overcurrent detection stop circuit 31 to the conventional inductive load driving circuit, And an inductive load drive circuit capable of suppressing erroneous detection of the inductive load can be realized at low cost.
【００４８】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種
々の態様を採ることができる。例えば、制御ロジック１
７へ電力供給する電源装置の出力電圧は、５［ｖ］に限
ることはなく、制御ロジック１７を駆動可能な電圧値で
あればよい。また、電源ラインＬＶに供給される電源電
圧も、１２［ｖ］に限ることはなく、誘導性負荷ＬＬに
応じた電圧値であればよい。As described above, one embodiment of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various embodiments can be adopted. For example, control logic 1
The output voltage of the power supply device that supplies power to 7 is not limited to 5 [v], but may be any voltage value that can drive the control logic 17. Also, the power supply voltage supplied to the power supply line LV is not limited to 12 [v], but may be any voltage value according to the inductive load LL.
【００４９】そして、過電流検出の停止方法について
は、例えば、第１コンパレータ２１と第３トランジスタ
２３とを接続する信号経路を開放・短絡する信号遮断用
スイッチング手段を設けて、過電流検出停止回路３１
が、信号遮断用スイッチング手段のオン・オフ状態を制
御するように構成してもよい。As a method of stopping the overcurrent detection, for example, a signal cutoff switching means for opening and shorting a signal path connecting the first comparator 21 and the third transistor 23 is provided, and an overcurrent detection stop circuit is provided. 31
However, the on / off state of the signal cutoff switching means may be controlled.
【００５０】さらに、上記実施例では、第１トランジス
タおよび第２トランジスタとしてｎチャネル型ＭＯＳＦ
ＥＴを用いた負荷駆動回路について説明したが、これら
のトランジスタは、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いて
構成しても良く、また、バイポーラトランジスタを用い
ても良い。さらに、上記実施例では、第１トランジスタ
および第２トランジスタが、通電経路において負荷より
も高電位側に設けられたハイサイドスイッチとして備え
られているが、これらトランジスタがローサイドスイッ
チとして備えられた負荷駆動回路に本発明を適用するこ
ともできる。Further, in the above embodiment, the n-channel type MOSF is used as the first transistor and the second transistor.
Although the load drive circuit using the ET has been described, these transistors may be configured using p-channel MOSFETs, or may be bipolar transistors. Further, in the above-described embodiment, the first transistor and the second transistor are provided as high-side switches provided at a higher potential side than the load in the conduction path. The present invention can be applied to a circuit.
【図１】 実施例の誘導性負荷駆動回路の概略構成図で
ある。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inductive load driving circuit according to an embodiment.
【図２】 従来の誘導性負荷駆動回路の概略構成図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional inductive load drive circuit.
１…誘導性負荷駆動回路、１１…第１トランジスタ、１
３…第２トランジスタ、１５…ゲート駆動回路、１７…
制御ロジック、２１…第１コンパレータ、２３…第３ト
ランジスタ、２５…抵抗、２７…第２コンパレータ、２
９…定電圧電源、３１…過電流検出停止回路、３３…イ
ンバータ回路、３５…抵抗、３７…検出停止用トランジ
スタ、ＬＬ…誘導性負荷、ＬＶ…電源ライン。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inductive load drive circuit, 11 ... 1st transistor, 1
3 ... second transistor, 15 ... gate drive circuit, 17 ...
Control logic, 21 first comparator, 23 third transistor, 25 resistor, 27 second comparator, 2
9: constant voltage power supply, 31: overcurrent detection stop circuit, 33: inverter circuit, 35: resistor, 37: detection stop transistor, LL: inductive load, LV: power supply line.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H740 BA12 BB07 BB10 MM11 5J055 AX21 AX25 AX34 AX64 BX16 CX13 CX20 DX13 DX22 DX53 DX54 DX73 DX83 EX01 EX02 EX24 EY01 EY17 EZ07 EZ10 EZ39 EZ51 EZ55 FX04 FX13 FX18 FX32 FX38 GX01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference)
Claims (4)
路に設けられ、制御端子に入力される駆動指令信号に基
づき該第１通電経路を通電・遮断する第１スイッチング
手段と、 前記誘導性負荷を駆動制御するための制御指令信号を出
力する制御手段と、 該制御手段からの前記制御指令信号に応じて、前記第１
スイッチング手段を駆動するための駆動指令信号を出力
する駆動手段と、 前記直流電源からの電流を所定の負荷に供給する第２通
電経路に設けられ、制御端子が前記第１スイッチング手
段の制御端子に接続されて、第１スイッチング手段に比
例した電流を流す第２スイッチング手段と、 前記第１スイッチング手段の電流出力端の第１電位と、
前記第２スイッチング手段の電流出力端の第２電位とを
比較し、該第１電位が該第２電位よりも低電位となる
と、前記第１スイッチング手段に流れる第１規定値より
大きい過電流を検出する過電流検出手段と、 前記第１スイッチング手段に流れる過電流が検出される
と、前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力を停止
させることにより、第１通電経路における通電を停止し
て前記第１スイッチング手段を保護する保護手段と、 を備えて、前記誘導性負荷を駆動するとともに過電流検
出を行う誘導性負荷駆動回路であって、 前記制御手段から前記制御指令信号が出力されないとき
には、前記過電流検出手段による過電流の検出を停止さ
せる過電流検出停止手段、を備えたことを特徴とする誘
導性負荷駆動回路。A first switching means provided in a first current path from a DC power supply to an inductive load, for energizing / disconnecting the first current path based on a drive command signal input to a control terminal; Control means for outputting a control command signal for controlling the driving of the reactive load;
A driving unit for outputting a drive command signal for driving the switching unit; and a second energizing path for supplying a current from the DC power supply to a predetermined load, and a control terminal connected to a control terminal of the first switching unit. A second switching means connected to flow a current proportional to the first switching means; a first potential at a current output terminal of the first switching means;
A second potential at a current output terminal of the second switching means is compared with the second potential, and when the first potential is lower than the second potential, an overcurrent larger than a first specified value flowing through the first switching means is generated. Detecting an overcurrent flowing in the first switching means, detecting the overcurrent flowing in the first switching means, stopping the output of the drive command signal by the driving means, thereby stopping the energization in the first current path, A protection means for protecting the first switching means, comprising: an inductive load drive circuit that drives the inductive load and performs overcurrent detection, wherein the control command signal is not output from the control means. An inductive load drive circuit comprising: an overcurrent detection stop unit that stops detection of an overcurrent by the overcurrent detection unit.
ル型ＭＯＳＦＥＴからなり、 前記第２スイッチング手段は、前記第１スイッチング手
段が流す電流よりも小さい電流を流すｎチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴからなること、 を特徴とする請求項１に記載の誘導性負荷駆動回路。2. The first switching means comprises an n-channel type MOSFET, and the second switching means comprises an n-channel type MOSFET through which a current smaller than a current flowing through the first switching means flows.
The inductive load driving circuit according to claim 1, comprising an SFET.
ッチング手段よりも下流側に設けられて、前記過電流検
出手段により過電流が検出されると前記第２通電経路の
通電を行う第３スイッチング手段と、 前記第２通電経路に流れる電流を検出する第２電流検出
手段と、が備えられ、 前記保護手段は、該第２電流検出手段により検出される
電流が前記第１規定値に応じて設定された第２規定値を
超えると、前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力
を停止させること、 を特徴とする請求項１または請求項２に記載の誘導性負
荷駆動回路。3. A third switching device which is provided downstream of the second switching means in the second current path, and energizes the second current path when an overcurrent is detected by the overcurrent detection means. Means, and second current detection means for detecting a current flowing through the second current path, wherein the protection means determines that the current detected by the second current detection means corresponds to the first specified value. The inductive load drive circuit according to claim 1, wherein the output of the drive command signal by the drive unit is stopped when the value exceeds a set second specified value.
チング手段に流れる過電流を検出すると、過電流検出信
号を出力するよう構成され、 前記過電流検出停止手段は、前記過電流検出手段よりも
優先して前記過電流検出信号を制御することで、過電流
の検出を停止すること、 を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の
誘導性負荷駆動回路。4. The overcurrent detection means is configured to output an overcurrent detection signal when detecting an overcurrent flowing through the first switching means, and the overcurrent detection stop means is configured to output the overcurrent detection signal from the overcurrent detection means. The inductive load drive circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the overcurrent detection is stopped by giving priority to the overcurrent detection signal.
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