JP2001267479A - 母線ヒートシンク - Google Patents

母線ヒートシンク

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JP2001267479A JP2000378173A JP2000378173A JP2001267479A JP 2001267479 A JP2001267479 A JP 2001267479A JP 2000378173 A JP2000378173 A JP 2000378173A JP 2000378173 A JP2000378173 A JP 2000378173A JP 2001267479 A JP2001267479 A JP 2001267479A
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シー、シュールマン デリク
Robert G Lankin
ジー、ランキン ロバート
Richard J Hellinga
ジェイ、ヘリンガ リチャード
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 伝導基板上の各種要素から発生する熱をヒー
トシンクへ伝導させることにより、強固で頑丈なデバイ
スを提供する。 【解決手段】 電子回路へ電流を流し、電子回路から熱
を伝導する多重電流路デバイスであって、オプションの
ヒートシンク２００と、幾つかの電気絶縁的な電流伝導
体を形成する複数個の伝導基板１００、１０１、１０２
と、各伝導基板とヒートシンクとを接着する、伝熱性の
電気絶縁第１層１５０と、基板に接着される複数の電子
または電気的要素１２０、１２１とを有する多重電流路
デバイスを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流を流し且つ熱
を伝導するためのデバイスに関するものである。特に、
電気または電子要素内で発生した熱を除去することが強
く必要とされる、高電流用途のためのデバイスに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では、高電流伝導体が、低信号
伝導体とともにプリント回路ボード内で混合されてい
る。例えば ＵＳ５，２２３，６７６（Ｙａｍａｍｏｔ
ｏ）およびＵＳ４，４４６，１８８（Ｐａｔｅｌ他）を
参照されたい。
【０００３】埋設されたヒートシンクの使用は、ＵＳ
４，８６６，５７１（Ｂｕｔｔ）に示されている。ここ
では、ヒートシンク上に取り付けた半導体への接続のた
めに、別個の電気伝導体が用いられている。
【０００４】従来の技術は、熱発生要素からの熱を適切
に移送するフレキシブルな（すなわち異なる製品要求に
容易に適合することのできる）電流伝導システムを提供
していないという明らかな欠点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
および電気要素を担持するとともに、それらに複数の高
電流を供給し且つ要素内で発生した熱を要素自体から外
へ伝導することのできるデバイスであって、それらの機
能を最少のスペース且つ非複雑な機械的配置で達成する
デバイスを提供することにある。本発明のデバイスは、
既存の製造ラインで、製造機械を変更することなく製造
がすることができる。
【０００６】本発明では、効率的な熱移送、および導電
容量の高電流化を可能とする、基礎的な「サンドイッ
チ」構造が用いられる。この構造は、複数の電流路を備
えた電力回路を形成することが可能である。
【０００７】本発明によれば、好適には、電子回路へ電
流を流し且つ電子回路から熱を伝導する多重電流路デバ
イスであって、ヒートシンクと、相互に電気的に絶縁さ
れた幾つかの電流伝導体を形成する、複数の電気および
熱伝導基板と、該各伝導基板と前記ヒートシンクとを接
合するための、熱を伝導し且つ電気を絶縁する第１の層
と、電気的および熱的に前記伝導基板に接続された複数
の電子または電気要素と、を有する多重電流路デバイス
が提供される。
【０００８】このデバイスは、好適には、伝導基板上に
配置された複数のプリント回路をさらに含み、各プリン
ト回路は伝導基板から電気的に絶縁されている。このデ
バイスは、有利なことには、伝導基板と各プリント回路
とを接合するための、伝熱性電気絶縁第２層をさらに含
む。さらにまた、伝導基板は、伝導基板とプリント回路
との間に電流を流す導電バイアス（ｖｉａｓ）を有して
いてもよい。
【０００９】前記各電子または電気要素は、個々の伝導
基板上に都合よく取り付けられており、あるいは２以上
の伝導基板もしくは２以上のプリント回路をブリッジす
るように取り付けれらてもよい。代わりに、各電子また
は電気要素は、１つのプリント回路と１つの伝導基板と
をブリッジするように取り付けられてもよい。
【００１０】前記伝導基板は、好適には、実質的に平坦
な長方形である。
【００１１】本発明のデバイスは、好適には、２つ、３
つ、４つ、または５つの伝導基板を有する。
【００１２】各伝導基板は、好適には、電流搬送体に接
続するための電力接続部を有している。この電力接続部
は、ボルト手段、または伝導基板自体の突起部とするこ
とができる。
【００１３】本発明のデバイスは、好適には、半ブリッ
ジ電力回路、全ブリッジ電力回路、または三相ブリッジ
電力回路とされてもよい。
【００１４】本発明によるデバイスの他の実施例は、実
質的に断熱性のガラス繊維強化樹脂ボードをさらに有す
る。このボードは、接合層によって伝熱性電気絶縁第１
層に接合されるとともに、１以上の電子要素を介して複
数の電気および熱伝導基板に電気的に接続されている。
この樹脂ボードは、好適には、前記電気要素と電気的に
接続された１以上のプリント回路パターン層を有する。
【００１５】本発明をより明確に理解するために、本発
明の好適実施例について添付図面の例を参照しながらよ
り詳細に説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図1Ａ、図１Ｂおよび図３Ａは、
共通のヒートシンク２００上に横一列に配置された電気
および熱伝導性の３つの基板１００，１０１，１０２を
有する本発明の実施例を示す。好ましくは、ヒートシン
クはアルミニウムからなる。
【００１７】本発明は３つの基板に限定されることはな
く、様々な数の伝導基板を使用することができ、その数
は特定の用途において用いられる別個の電流の数によっ
て決定される。好ましくは、２つ、３つ、４つ、または
５つの伝導基板が用いられる。伝導基板の好ましい材料
は銅であるが、あらゆる金属、金属合金、または半導体
といった、いかなる伝導性材料であってもよい。伝導基
板は任意の形状とすることができるが、一般に等高縁部
を有する平坦な形状が好ましい。例えば、ほぼ平坦な長
方形、楕円形、または円形が有用である。あるいは用途
に応じて、例えば１つまたはそれ以上の伝導基板間での
構成要素の接続のために、等高部のいくつかの突起また
は凹みが用いられてもよい。
【００１８】伝導基板１００，１０１，１０２とヒート
シンク２００との間には、それらの間を接合するため
に、熱伝導性があり且つ電気絶縁性の第１層１５０が配
置される。電力消費が比較的少ない用途では基板自体が
十分な冷却手段として用いられ、従ってこれらの用途に
おいてヒートシンク２００と伝熱性電気絶縁第１層１５
０とを省略することができる。電力消費がより大きい用
途の場合はヒートシンクが必要である。各々の伝導基板
上には、個々のプリント回路１７０が、図１Ｂに示すよ
うに、中央の基板１０１上に、好ましくは伝熱性電気絶
縁第２層１６０を介して任意に取り付けられている。伝
導基板に既に取り付けてあるプリント回路上に任意にさ
らにプリント回路を取り付けて、図１Ｂに示す右端の基
板１０２のように多層プリント回路構造を構成してもよ
い。付加的なプリント回路は、先に取り付けたプリント
回路との間に伝熱性電気絶縁第２層１６０を挟んで取り
付けることが好ましい。プリント回路の形状は伝導基板
の形状と同一であってもよく、あるいは基板の等高部内
に適合する所望の形状であってもよい。
【００１９】各プリント回路上の回路パターンには、電
気または電子要素１２０，１２１，１２４，１２５が接
合部１２３を介して、溶接またはその他の方法によって
接続されている。これらの要素はまた、既知のごとく、
多層プリント回路中に埋め込まれていてもよい。あるい
は、埋め込まれた要素を、該要素を被覆するような複数
の電気絶縁層を伴う一層のプリント回路パターンととも
に用いてよい。該要素は、例として電気スイッチ、ダイ
オード、抵抗、および各種のＭＯＳＦＥＴである。導電
性バイアス１８０が、各伝導基板1００，１０１，１０
２をその基板に接合されるプリント回路と接続するよう
に配置されている。バイアスは伝導基板とプリント回路
との間で電気を伝える。前記要素は、図１Ｂに示すよう
に、左端の基板１００上に直接取り付けてもよく、ある
いは電気絶縁性の第２層１６０に直接取り付けてもよ
い。いずれの場合にも、要素から発生した熱は基板中へ
導かれ、さらにヒートシンク中へ導かれる。前記基板お
よび／またはプリント回路はまた、相互基板接続部１３
０によって電気的に接続してもよい。
【００２０】前記ヒートシンク２００は、さらに効率を
良くするためにフィン２１０を有していてもよい。該ヒ
ートシンクは、好ましくは、デバイス（図示せず）のた
めの囲いの、１つまたはそれ以上の壁部として用いられ
る。頂部と２つの側部とを有する蓋（図示せず）が、該
デバイス上に取り付けた電子部品を効果的に包囲する。
該ヒートシンクの形状および寸法は、デバイスから移送
されるべき熱の量によって決まる。要素１２０は、プリ
ント回路に溶接されて、または電気的に接続されて、あ
るいは基板1００，１０１，１０２に直接取り付けられ
て、２つの異なる伝導基板１００，１０１，１０２上に
取り付けた２つのプリント回路の間を連絡し、または２
つの基板の間またはプリント回路と基板との間を連絡す
る。伝導基板に対する電力の接続は、ねじ付きコネクタ
ー部分３０３を備えた自己締付ボルト３００によって行
われたり、あるいは伝導基板自体が取付け孔３０２を備
えた突起部３０１を有するようにしてもよい。突起部
は、端子として作用するために、最終的なパッケージか
ら外へ延びている。
【００２１】同様の一般的なサンドイッチの集積は、Ｖ
ＬＳＩ、露出ダイ、およびハイブリッドモジュール構造
に適している。熱発生要素を基板または第２の電気絶縁
層に対して十分な熱移送を確保できるように取り付ける
ことができる限り、どのようなタイプの要素も本発明の
デバイスとともに用いることができると考えられる。
【００２２】電熱に耐え且つ電子回路から熱を伝えるた
めの本発明による多重電流路デバイスは、熱伝導および
導電の能力の組み合わせにおいて大きな利点を有してい
る。接続部の温度すなわち要素のコアまたはダイにおけ
る温度は、要素の電力消費と熱抵抗によって決まる。こ
の接続部温度を、用いる要素ごとの所定の最大温度以下
に保持することが望ましい。一般に、安定状態にあるデ
バイスの接続部温度は、次のように表される（図２Ａ参
照）。
【００２３】前述のように、重要な最終目的は接続部温
度を最少にすることによって要素にかかる応力を減少さ
せ、強固な設計にすることにある。加えて、半導体スイ
ッチにおける平均接続部温度の低減は、一般的に要素寿
命をより長くする。最後に、複数の積極的温度係数デバ
イスが並列配置されている設計（例えばＭＯＳＦＥＴ）
においては、要素間の負担は、要素間の熱降下が小さく
なることによって改善される。接続部からケースへの熱
抵抗 は、回路の設計者が制御できないデバイスパラメータで
ある。しかし、 および は設計者の制御できるパラメータである。伝導冷却のた
めにより大きなヒートシンクを選択したり表面積を改善
することによって、また、対流冷却のために空気の流速
を改善することによって、 を最少にすることができる。 はデバイスを取り付けるために賢明な方法を用いること
によって減少させることができる。代表的には、この熱
抵抗は、要素のパッケージとヒートシンクとの間に配置
された電気絶縁的な材料を用いる結果として極めて大き
くなるが、材料の厚さや取り付け圧力とともに変化する
であろう。
【００２４】本発明に於いて、ケースからシンクへの熱
抵抗 は２つの小さな連続要素に分割され、これらは図２Ｂ図
に示すように、要素のケースから伝導基板への熱抵抗 と、伝導基板からヒートシンクへの熱抵抗 である。熱抵抗 は、通常は頂部のプリント回路層から伝導基板へ固体の
伝導性バイアスを介して直接接続されているので、きわ
めて小さい。熱抵抗 もまた、伝導基板とヒートシンクとの間の面積が極めて
大きいので、極めて小さい。一般的に、熱抵抗は次の関
係を有している。 Ｒθ ∝ １／（面積）
【００２５】それゆえ、電気絶縁材料を通しての損失の
有効面積は、デバイスの寸法の順番に応じた面積から伝
導基板の面積へと、実質的に「熱拡散」していく。伝導
基板は大きく作ることが可能であり、従って熱抵抗は劇
的に減少される。
【００２６】本発明はまた過渡的熱インピーダンスの利
点を有している。伝導基板の熱容量は単一の要素に比べ
て極めて大きい。また、熱抵抗 は（前述したように）極めて小さい。従って、前記要素
は大きな熱容量に至る小さな熱抵抗路を有し、その結果
過渡的な熱インピーダンスは大きく改善される。この結
果、より大きなピーク電力消費やより大きなピーク電流
に耐えることのできるより頑丈な設計が可能となる。
【００２７】代表的には、電気抵抗は次のように表現さ
れる。 Ｒ＝（長さ）／（ρ・面積） ここでρは導電率（材料の特性）である。銅のような抵
抗の少ない導電体からなる基板は、非常に大きな電流を
運ぶことができる。伝導基板の電流処理能力は、単に厚
い基板を用いたり、および／または基板の巾を増やした
りすることによって任意に増加させることができる。ま
た、この方法は、伝導基板導電体の本質的に大きな表面
積によって表皮効果が減少するので、高周波信号を伝達
するのによく適している。
【００２８】伝導基板の相対位置を賢明に割り付けるこ
とによって、有効ループ面積すなわちインダクタンスも
また最小値に保持することができる。
【００２９】本発明は、発明の概念を検討した当業者に
とって明らかなように、異なる実施例を有していても良
い。本発明の概念において、 （１）前記伝導基板の「島」は任意の形状であってよ
い。 （２）前記伝導基板の「島」の数は固定されない。代表
的には、回路中の各高電流節点（ノード）に対して１つ
の別個の伝導基板がある。 （３）プリント回路の層の数は１つに限定されない。し
かしながら、単一層が最もコスト的に有効である。 （４）ヒートシンクは別個の機械的部品（ヒートシンク
という単一の目的のために付加されたもの）でなくても
よく、実際には制御する機械の構造部品、例えば電動モ
ータのケーシングであってもよい。従って、本発明によ
るデバイスは、モータケーシングの内部または外部のい
ずれに配置してもよい。 （５）ヒートシンクは伝導冷却手段を取り付けるために
平坦であってもよく、または対流冷却のためにフィンを
設けていてもよい。 （６）前記伝導基板は、非平坦な形状に、例えば３つの
基板が三角形断面を形成するように配置されてもよい。
これは基板の間の交差接続を単純化する。
【００３０】本発明によるデバイスは、以下の実現のた
めに用いることができる。 （１）単一層のプリント回路を用いた、図示したような
サンドイッチ上の半ブリッジ。 （２）三相ブリッジ位相。 （３）高電流導電路／節点の各々が伝導基板を形成して
いる電力回路。
【００３１】本発明による半ブリッジデバイスが図３Ａ
に示されている。このデバイスの電気線図が図３Ｂに示
されている。３つの基板が異なる役割を有しており、こ
れらは、正の供給基板１００と、接地基板１０２と、出
力基板１０１とからなる。高圧側スイッチ１４５が正の
供給基板と出力基板とを接続し、低圧側スイッチ１４６
が接地基板と出力基板とを接続している。デカップリン
グ・コンデンサ１４０が正の基板と接地基板とを接続し
ている。これらの基板は前述のようにヒートシンク２０
０上に取り付けられる。前記スイッチは単一デバイス、
または例えばＭＯＳＦＥＴといった並列デバイスであ
る。
【００３２】本発明による全ブリッジデバイスが図４Ａ
に示されている。このデバイスの電気線図が図４Ｂに示
されている。４つの基板が異なる役割を有し、これらは
正の供給基板１００と、接地基板１０２と、第１出力基
板１０１’および第２出力基板１０１”に分割された出
力基板とからなる。第１組の高圧側スイッチ１４５’が
正の供給基板と第１出力基板とを接続し、第２組の高圧
側スイッチ１４５”が正の供給基板と第２出力基板とを
接続している。同様に、第１組の低圧側スイッチ１４
６’が接地基板と第１出力基板とを接続し、第２組の低
圧側スイッチ１４６”が接地基板と第２出力基板とを接
続している。デカップリング・コンデンサ１４０が正の
供給基板と第２出力基板とを接続している。これらの基
板は前述のようにヒートシンク２００上に取り付けられ
ている。前記スイッチは単一デバイスまたは例えばＭＯ
ＳＦＥＴといった並列デバイスである。
【００３３】本発明による相ブリッジデバイスが図５Ａ
に示されている。このデバイスの電気線図が図５Ｂに示
されている。５つの基板が異なる役割を有し、これらは
正の供給基板１００と、接地基板１０２と、第１相出力
基板１０１’、第２相出力基板１０１”および第３相出
力基板１０１’’’に分割された出力基板とからなる。
第１組の高圧側スイッチ１４５’が正の供給基板と第１
出力基板とを接続し、第２組の高圧側スイッチ１４５”
が正の供給基板と第２出力基板とを接続し、第３組の高
圧側スイッチ１４５’’’が正の供給基板と第３出力基
板とを接続している。同様に第１組の低圧側スイッチ１
４６’が接地基板と第１出力基板とを接続し、第２組の
低圧側スイッチ１４６”が接地基板と第２出力基板とを
接続し、第３組の低圧側スイッチ１４６’’’が正の供
給基板と第３出力基板とを接続している。デカップリン
グ・コンデンサ１４０が正の供給基板と接地基板とを接
続している。これらの基板は前述のようにヒートシンク
２００上に取り付けられている。前記スイッチは単一デ
バイスまたは例えばＭＯＳＦＥＴといった並列デバイス
である。次のものを含む多くの用途が、この方法によっ
て有利になるであろう。 （１）電気自動車のモータ制御装置、ロボット制御装
置、リニアモータ駆動装置、を含むモータ制御装置。 （２）共振コンバータ、インバータ（直流／交流）、直
流／直流コンバータ、交流／交流コンバータ、制御され
た交流／直流コンバータ、電圧／電流調整器、を含む出
力コンバータ。 （３）擬似アクティブ負荷、過電圧クランプ、を含む負
荷。
【００３４】本発明のデバイス製造方法は、いかなるコ
ストのかかる特殊工具も必要としない。その構造のほと
んどは、標準的なＳＭＴ組立機械を用いることによって
実現される。多重伝導基板は、好ましくは、前記機械に
とって単一の基板として見られるように、ジグを用いて
工作される。単一ボード用のフレーム装置４００（また
はジグ）の実施例が図６および図７に示されている。該
ジグは、２つの短い側部４０１と、２つの長い側部４０
２と、低部４０７とを有している。複数個の区画室４０
３，４０４，４０５，４０６がジグの中に配置され、隔
壁４０８によって分離されている。各々の区画室は、挿
入される基板の上面がジグ４００の上面とほぼ一致する
ように十分深くなっている。
【００３５】図示した例は図４Ａの実施例、すなわち正
の供給基板１００と、接地基板１０２と、第１出力基板
１０１’および第２出力基板１０１”に分割された出力
基板とからなる基板を保持するためのジグを示してい
る。前記基板がジグの中に配置され、このジグが既存の
ボード製造機の中へ挿入され、要素１２０，１２１が基
板上の所望の位置に取り付けられる。この結果、ボード
組立のために既存の機械を用いることが可能となり、複
雑またはコストのかかる設備、または付加的な機械は不
要である。多重伝導基板は、単純で安価な「基板キャリ
ヤ」（ジグ４００）上に単に配置されており、次に標準
的なＳＭＴピック・アンド・プレース処理とリフロー処
理を通じて位置決めがなされる。１つの最終的な付加的
工程は、最終仕上げされた伝導基板の組立体をヒートシ
ンクに取り付けることである。
【００３６】前記ジグの他の実施例もまた有用である。
例えば、多数の穴を有する多孔質基礎ボードが、該基礎
ボード上の所望の位置に挿入されたペグとともに用いら
れて、個々の基板のためのホルダーを形成する。
【００３７】したがって、本発明によるデバイスの組立
方法は、好ましくは、次の段階を含む。 （１）多重伝導基板を１つのボードとして登録および保
持するために、「基板ホルダー」ジグを使用する段階。 （２）標準的なピック・アンド・プレース機械を用いて
電気／電子要素を配置する段階。 （３）標準的なオーブンによって標準的なＳＭＴリフロ
ー溶接を行う段階（その温度曲線は、伝導基板の熱容量
の増加のために幾らかの修正を行うことが必要であって
もよい）。 （４）フライング・プローブまたはそれと同等な技術を
用いて標準試験を行う段階。 （５）伝導基板の組立体をヒートシンクに選択的に接着
する段階。 （６）最終的に機械組立を行う段階。 ここで、伝導基板への電力接続は、自己締付ボルトを用
いるか、あるいは伝導基板自体を最終パッケージから突
出させて「母線端子」として作用させることによってな
されてもよい。また、前記ヒートシンクは、機械的パッ
ケージの全て、またはその一部分によって構成されてい
てもよい。
【００３８】図８Ａおよび図８Ｂは、共通のヒートシン
ク２００の上に横一列に配置された２つの伝導基板１０
０，１０１を有する本発明の他の実施例を示している。
伝熱的且つ電気絶縁的な第１層１５０が該伝導基板１０
０，１０１とヒートシンク２００との間に配置されて、
それらを接着している。１またはそれ以上のプリント回
路パターン層を有する標準的なガラス繊維強化樹脂製の
ボード５００が「第３の基板」として用いられている。
該樹脂ボードは、ほぼ断熱的であり、従って該樹脂ボー
ドには冷却目的のために熱消費要素は取り付けられな
い。該樹脂ボード５００は、好ましくは、接着層５１０
を用いて伝熱性のある電気絶縁的な第１層１５０に接着
される。他の参照数字は以前に用いた数字と同一であ
り、前述したのと同じ技術的特徴を示す。
【００３９】今まで記載してきたことは単なる例示的な
好的実施例に関するものであることは明らかであろう。
当業者にとっては、本発明には多くの変形例があり、そ
のような明らかな変形例が、表現として記載されていよ
うとなかろうと、明細書の記載および特許請求の範囲に
示された本発明の範囲の中に入ることは、明らかであろ
う。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明によるデバイスの概略的な頂面図で、
共通のヒートシンクと関連要素とを備えた３つの伝導基
板を示す図。
【図１Ｂ】図１Ａの線Ａ−Ａに沿って見た概略断面図。
【図２Ａ】本発明によるデバイスの熱損失機構の概略線
図。
【図２Ｂ】ケースに入れられた電子要素の、ケースから
シンクへの熱抵抗の概略線図。
【図３Ａ】本発明による半ブリッジデバイスの概略頂面
図。
【図３Ｂ】図３Ａによるデバイスの概略電気線図。
【図４Ａ】本発明による全ブリッジデバイスの概略頂面
図。
【図４Ｂ】図４Ａによるデバイスの概略電気線図。
【図５Ａ】本発明による三相ブリッジデバイスの概略頂
面図。
【図５Ｂ】図５Ａによるデバイスの概略電気線図。
【図６】本発明による板固定物の概略頂面図。
【図７】図６による固定物の概略側部図。
【図８Ａ】本発明によるデバイスの他の実施例の概略頂
面図。
【図８Ｂ】図８Ａの線Ｂ−Ｂに沿って見た概略側断面
図。
フロントページの続き (72)発明者 リチャード ジェイ、ヘリンガ カナダ国 オンタリオ、ウォータールー、 アシュトン クレセント 57

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子回路へ電流を流し、且つ電子回路か
    ら熱を伝導する多重電流路デバイスであって、 互いに電気的に絶縁された幾つかの電流伝導体を形成す
    る、複数の電気および熱伝導体基板（１００，１０１，
    １０１’，１０１”， １０１’’’，１０２）と、 該伝導基板に電気的および熱的に接続された、複数の電
    子または電気的要素（１２０，１２１，１２４，１２
    ５，１４０，１４５，１４５’，１４５”，１４
    ５’’’，１４６，１４６’，１４６”，１４
    ６’’’）とを有する多重電流路デバイス。
  2. 【請求項２】 ヒートシンク（２００）、および前記各
    伝導基板（１００，１０１，１０１’，１０１”， １
    ０１’’’，１０２）と該ヒートシンクとを接合する伝
    熱および電気絶縁性の第１の層（１５０）をさらに有す
    る請求項１に記載の多重電流路デバイス。
  3. 【請求項３】 伝導基板（１００，１０１，１０１’，
    １０１”， １０１’’’，１０２）上に配置された複
    数のプリント回路（１７０）をさらに有し、各プリント
    回路が伝導基板から電気的に絶縁されていることを特徴
    とする請求項１または請求項２に記載の多重電流路デバ
    イス。
  4. 【請求項４】 前記伝導基板（１００，１０１，１０
    １’，１０１”， １０１’’’，１０２）と個々のプ
    リント回路（１７０）とを接合する、伝熱および電気絶
    縁性の第２の層（１６０）をさらに有する請求項３に記
    載の多重電流路デバイス。
  5. 【請求項５】 前記伝導基板（１００，１０１，１０
    １’，１０１”， １０１’’’，１０２）が、該伝導
    基板とプリント回路（１７０）との間を電気的に伝導す
    る導電バイアス（１８０）を有する請求項３または請求
    項４に記載の多重電流路デバイス。
  6. 【請求項６】 前記電子または電気的要素（１２０，１
    ２１，１２４，１２５，１４０，１４５，１４５’，１
    ４５”，１４５’’’，１４６，１４６’，１４６”，
    １４６’’’）のそれぞれが、１つの個々の伝導基板
    （１００，１０１，１０１’，１０１”，１０
    １’’’，１０２）上に取り付けられている請求項１か
    ら請求項５までのいずれか１項に記載の多重電流路デバ
    イス。
  7. 【請求項７】 前記電子または電気的要素（１２０，１
    ２１，１２４，１２５，１４０，１４５，１４５’，１
    ４５”，１４５’’’，１４６，１４６’，１４６”，
    １４６’’’）が、２つまたはそれ以上の伝導基板（１
    ００，１０１，１０１’，１０１”，１０１’’’，１
    ０２）をブリッジするように取り付けられている請求項
    １から請求項５までのいずれか１項に記載の多重電流路
    デバイス。
  8. 【請求項８】 前記電子または電気的要素（１２０，１
    ２１，１２４，１２５，１４０，１４５，１４５’，１
    ４５”，１４５’’’，１４６，１４６’，１４６”，
    １４６’’’）が、１つの個々のプリント回路（１７
    ０）上に取り付けられている請求項３に記載の多重電流
    路デバイス。
  9. 【請求項９】 前記電子または電気的要素（１２０，１
    ２１，１２４，１２５，１４０，１４５，１４５’，１
    ４５”，１４５’’’，１４６，１４６’，１４６”，
    １４６’’’）が、２つまたはそれ以上のプリント回路
    （１７０）をブリッジするように取り付けられている請
    求項３から請求項７までのいずれか１項に記載の多重電
    流路デバイス。
  10. 【請求項１０】 前記電子または電気的要素（１２０，
    １２１，１２４，１２５，１４０，１４５，１４５’，
    １４５”，１４５’’’，１４６，１４６’，１４
    ６”，１４６’’’）が、１つのプリント回路と１つの
    伝導基板（１００，１０１，１０１’，１０１”， １
    ０１’’’，１０２）とをブリッジするように取り付け
    られている請求項３から請求項７までのいずれか１項に
    記載の多重電流路デバイス。
  11. 【請求項１１】 前記伝導基板（１００，１０１，１０
    １’，１０１”，１０１’’’，１０２）が、実質的に
    平坦且つ長方形である請求項１から請求項１０までのい
    ずれか１項に記載の多重電流路デバイス。
  12. 【請求項１２】 ２つの伝導基板（１００，１０１，１
    ０１’，１０１”，１０１’’’，１０２）を有するこ
    とを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか
    １項に記載の多重電流路デバイス。
  13. 【請求項１３】 ３つの伝導基板（１００，１０１，１
    ０１’，１０１”，１０１’’’，１０２）を有するこ
    とを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか
    １項に記載の多重電流路デバイス。
  14. 【請求項１４】 ４つの伝導基板（１００，１０１，１
    ０１’，１０１”，１０１’’’，１０２）を有するこ
    とを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか
    １項に記載の多重電流路デバイス。
  15. 【請求項１５】 ５つの伝導基板（１００，１０１，１
    ０１’，１０１”，１０１’’’，１０２）を有するこ
    とを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか
    １項に記載の多重電流路デバイス。
  16. 【請求項１６】 前記伝導基板（１００，１０１，１０
    １’，１０１”，１０１’’’，１０２）のそれぞれ
    が、電流搬送体に接続するための電力接続部（３００，
    ３０１，３０２）を有している請求項１から請求項１５
    までのいずれか１項に記載の多重電流路デバイス。
  17. 【請求項１７】 前記電力接続部がボルト装置（３０
    ０，３０３）である請求項１６に記載の多重電流路デバ
    イス。
  18. 【請求項１８】 前記電力接続部が、前記伝導基板（１
    ００，１０１，１０１’，１０１”， １０１’’’，
    １０２）それ自体の突起部（３０１）である請求項１６
    に記載の多重電流路デバイス。
  19. 【請求項１９】 前記多重電流路デバイスが、半ブリッ
    ジ電力回路である請求項１から請求項１８までのいずれ
    か１項に記載の多重電流路デバイス。
  20. 【請求項２０】 前記多重電流路デバイスが、全ブリッ
    ジ電力回路である請求項１から請求項１８までのいずれ
    か１項に記載の多重電流路デバイス。
  21. 【請求項２１】 前記多重電流路デバイスが、三相ブリ
    ッジ電力回路である請求項１から請求項１８までのいず
    れか１項に記載の多重電流路デバイス。
  22. 【請求項２２】 接着層（５１０）によって前記伝熱お
    よび電気絶縁性の第１層（１５０）に接合され且つ１つ
    またはそれ以上の電子要素（１２０，１２１，１２４，
    １２５，１４０，１４５，１４５’，１４５”，１４
    ５’’’，１４６，１４６’，１４６”，１４
    ６’’’）を介して前記複数の電気および熱伝導基板
    （１００，１０１，１０１’，１０１”， １０
    １’’’，１０２）に電気的に接続された、実質的に断
    熱性のガラス繊維強化樹脂ボード（５００）をさらに有
    し、該ガラス繊維強化樹脂ボード（５００）が、前記電
    子要素に電気的に接続された１つまたはそれ以上のプリ
    ント回路パターン（１７０）層を具備していることを特
    徴とする請求項１から請求項２１までのいずれか１項に
    記載の多重電流路デバイス。
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