JP2001267135A - Electronic component, manufacturing method thereof and radio terminal device - Google Patents
Electronic component, manufacturing method thereof and radio terminal deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品及び無線端末装置に関するものである。特
に、絶縁性の基体上に導電膜を設けた電子部品及び製造
方法及び無線端末装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and a radio terminal device which are used for electronic equipment such as mobile communication, and particularly preferably used for high frequency circuits and the like. In particular, the present invention relates to an electronic component in which a conductive film is provided on an insulating substrate, a manufacturing method, and a wireless terminal device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１１において、１は四角柱状また
は、円柱状の基台、２は基台１の上に形成された導電
膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜３の上に
積層された保護材である。2. Description of the Related Art FIG. 11 is a side view showing a conventional inductance element. In FIG. 11, reference numeral 1 denotes a square-pillar or cylindrical base, 2 denotes a conductive film formed on the base 1, 3 denotes a groove provided in the conductive film 2, and 4 denotes a stacked layer on the conductive film 3. Protected material.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、溝３を導電膜２に形成する場合に、レーザ
光線や砥石などを用いていたために、導電膜にバリが生
じたり、或いは、導電膜に酸化物が生じたりするので、
溝３を形成した後に、導電膜１２をエッチング液などを
用いてエッチング処理をしなければならず、製造時間が
かかり生産性が悪いという問題点があった。However, in the above-described conventional structure, when forming the groove 3 in the conductive film 2, a laser beam or a grindstone is used, so that burrs are generated in the conductive film or the conductive film is formed. Oxide is generated in the film,
After the groove 3 is formed, the conductive film 12 must be etched using an etchant or the like, which causes a problem that manufacturing time is long and productivity is low.
【０００４】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、生産性が向上する電子部品及び製造方法及び無線端
末装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide an electronic component, a manufacturing method, and a wireless terminal device with improved productivity.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、基台の上に設
けられた導電膜の上に保護膜を形成し、その後に溝を導
電膜と保護膜の双方に形成した。According to the present invention, a protective film is formed on a conductive film provided on a base, and then grooves are formed in both the conductive film and the protective film.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜上に設け
られた保護膜と、前記導電膜と前記保護膜の双方に設け
られた溝と、前記基台の両端部上に設けられた端子部と
を備えたことによって、導電膜に溝を形成する際にバリ
や酸化物が発生するのを防止できるので、生産性が向上
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention according to claim 1 comprises a base,
A conductive film provided on the base, a protective film provided on the conductive film, grooves provided on both the conductive film and the protective film, and provided on both ends of the base; With the provision of the terminal portion, it is possible to prevent burrs and oxides from being generated when forming a groove in the conductive film, so that productivity is improved.
【０００７】請求項２記載の発明は、基台上に導電膜を
形成し、前記導電膜上に保護膜を形成し、前記保護膜と
前記導電膜にレーザ加工や砥石などの切削加工によって
溝を形成し、前記溝を覆う保護材を形成し、その後に、
両端部に端子部を形成することによって、導電膜に溝を
形成する際にバリや酸化物が発生するのを防止できるの
で、生産性が向上する。According to a second aspect of the present invention, a conductive film is formed on a base, a protective film is formed on the conductive film, and a groove is formed on the protective film and the conductive film by laser processing or cutting with a grindstone. Forming a protective material covering the groove, and thereafter,
By forming the terminal portions at both ends, it is possible to prevent burrs and oxides from being generated when forming a groove in the conductive film, so that productivity is improved.
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項２におい
て、切削加工の後に保護膜を除去し、溝を覆うように保
護材を形成し、その後に端子部を形成することによっ
て、不具合が生じた保護膜を除去するので、更に特性を
向上させることができる。According to a third aspect of the present invention, a problem arises in that the protective film is removed after cutting, a protective material is formed so as to cover the groove, and then a terminal portion is formed. Since the protective film is removed, the characteristics can be further improved.
【０００９】請求項４記載の発明は、基台上に導電膜を
形成し、前記導電膜の上に絶縁性の保護膜を形成し、前
記基台の両端に端子部を形成し、その後に、前記導電膜
及び保護膜にレーザ加工や砥石などを用いた切削加工に
よって溝を形成することによって、導電膜に溝を形成す
る際にバリや酸化物が発生するのを防止できるので、生
産性が向上するとともに、溝を形成する前に端子部を形
成することになるので、溝を形成する際に生じる屑等が
端子部を形成する部分に付着して、端子部が正常に形成
されないことなどを防止できる。According to a fourth aspect of the present invention, a conductive film is formed on a base, an insulating protective film is formed on the conductive film, and terminal portions are formed on both ends of the base. By forming grooves in the conductive film and the protective film by laser processing or cutting using a grindstone, it is possible to prevent burrs and oxides from being generated when forming grooves in the conductive film, thereby improving productivity. And the terminal portion is formed before the groove is formed, so that dust and the like generated when forming the groove adhere to the portion forming the terminal portion, and the terminal portion is not formed properly. Can be prevented.
【００１０】請求項５記載の発明は、請求項１におい
て、導電膜と溝によって、インダクタンス成分を形成す
ることによって、実装性に優れ、製造が容易で、しかも
特性の劣化が小さな、チップインダクタを作製すること
ができる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a chip inductor according to the first aspect, wherein an inductance component is formed by the conductive film and the groove, so that the chip inductor has excellent mountability, is easy to manufacture, and has little deterioration in characteristics. Can be made.
【００１１】請求項６記載の発明は、請求項１におい
て、導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事によって、実装
性に優れ、製造が容易で、しかも特性の劣化が小さな、
チップ抵抗器を作製することができる。According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect, the resistance film is used in place of the conductive film, so that the mounting characteristics are excellent, the manufacturing is easy, and the deterioration of the characteristics is small.
Chip resistors can be made.
【００１２】請求項７記載の発明は、請求項１におい
て、導電膜を少なくとも２分する溝を設け、容量成分を
有する事によって、実装性に優れ、製造が容易で、しか
も特性の劣化が小さな、チップコンデンサを作製するこ
とができる。According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect, by providing a groove for dividing the conductive film into at least two parts and having a capacitance component, it is excellent in mountability, easy to manufacture, and has little deterioration in characteristics. Thus, a chip capacitor can be manufactured.
【００１３】請求項８記載の発明は、表示手段と、デー
タ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号に
変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の少
なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及び
前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御する
制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路，フ
ィルタ回路，アンテナ部及び各段とのマッチング回路周
辺部等の少なくとも一つに請求項１，５，６，７いずれ
か１記載もしくは、請求項２，３，４いずれか１記載の
電子部品の製造方法で作製された電子部品を用いたこと
によって、実装性に優れ、製造が容易で、しかも特性の
劣化が小さな電子部品を用いることができるので、端末
の特性劣化や製造上における不良率を低減でき、生産性
を向上させることができる。The invention according to claim 8 is a display means, a conversion means for converting at least one of a data signal and a voice signal into a transmission signal or a reception signal into at least one of a data signal and a voice signal, and the transmission means. An antenna for transmitting and receiving a signal and the reception signal, and a control unit for controlling each unit, wherein at least one of a transmission circuit, a filter circuit, an antenna unit, a peripheral circuit of a matching circuit with each stage, and the like are provided. The use of the electronic component manufactured by the method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1, 5, 6, and 7, or the use of the electronic component according to any one of claims 2, 3, and 4, results in excellent mountability and manufacturing. It is possible to use electronic components that are easy to use and have small deterioration of characteristics, so that it is possible to reduce the deterioration of terminal characteristics and the defective rate in manufacturing, and to improve the productivity. It can be.
【００１４】以下、本発明における電子部品及び無線端
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。Hereinafter, embodiments of an electronic component and a wireless terminal device according to the present invention will be specifically described with reference to an inductance element as an example.
【００１５】図１はそれぞれ本発明の一実施の形態にお
ける電子部品を示す側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【００１６】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base which is formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like.
Reference numeral 2 denotes a conductive film provided on the base 11.
2 is formed on the base 11 by an evaporation method such as a plating method or a sputtering method.
【００１７】１３は基台１１及び導電膜１２に設けられ
た溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電膜１２に照射す
ることによって形成したり、導電膜１２に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。Reference numeral 13 denotes a groove provided in the base 11 and the conductive film 12. The groove 13 is formed by irradiating the conductive film 12 with a laser beam or the like, or is mechanically formed by applying a grindstone or the like to the conductive film 12. Or by selective etching using a resist or the like.
【００１８】１００は導電膜１２上に設けられた保護膜
で、保護膜１００は金属膜や樹脂膜あるいは電着膜など
が好適に用いられる。金属膜としては、ニッケル，半
田，鉛フリー半田等が好適に用いられる。Reference numeral 100 denotes a protective film provided on the conductive film 12. As the protective film 100, a metal film, a resin film, an electrodeposition film, or the like is suitably used. Nickel, solder, lead-free solder or the like is preferably used as the metal film.
【００１９】１４は基台１１及び導電膜１２及び保護膜
１００の溝１３を設けた部分に塗布された保護材、１
５，１６はそれぞれ基台１１の端部にそれぞれ取り付け
られた端子部で、端子部１５と端子部１６の間には、基
台１１が挟み込まれている。Reference numeral 14 denotes a protective material applied to the base 11, the conductive film 12, and the portion of the protective film 100 where the groove 13 is provided.
Terminal portions 5 and 16 are respectively attached to the ends of the base 11, and the base 11 is sandwiched between the terminal portions 15 and 16.
【００２０】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３は以下の通りとなって
いることが好ましい。In the inductance element of the present embodiment, it is preferable that the length L1, the width L2, and the height L3 are as follows.
【００２１】Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは
０．３〜０．８ｍｍ） Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ） Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ） （なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。） Ｌ１が０．２ｍｍ以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができない。また、Ｌ１が２．０ｍｍを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など（以下回路基板等と略す）
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、Ｌ２，Ｌ３それぞれが０．１ｍｍ以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、Ｌ２，Ｌ３が１．０ｍｍ以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8 mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. If L1 is 0.2 mm or less, the required inductance cannot be obtained. Further, when L1 exceeds 2.0 mm, the element itself becomes large, and a substrate on which an electronic circuit or the like is formed (hereinafter abbreviated as a circuit substrate or the like).
It is not possible to reduce the size of a circuit board or the like, and thus it is impossible to reduce the size of an electronic device or the like on which the circuit board or the like is mounted.
When L2 and L3 are each 0.1 mm or less,
The mechanical strength of the element itself becomes too weak, and when the element is mounted on a circuit board or the like by a mounting device or the like, the element may be broken. On the other hand, if L2 and L3 are 1.0 mm or more, the elements become too large, and it is not possible to reduce the size of the circuit board or the like and, consequently, the size of the device.
【００２２】以上の様に、小型であるインダクタンス素
子において、導電膜１２の上に保護膜１００を設け、導
電膜１２と保護膜１００に溝１３を形成することで、レ
ーザや砥石などで溝１３を形成する場合に、導電膜１２
の表面が荒れたり、バリが発生することを防止できるの
で、従来のように、エッチング処理が不要になったり、
或いは、エッチング処理の時間を短くすることができ、
生産性に優れた電子部品を提供することができる。As described above, in a small-sized inductance element, the protective film 100 is provided on the conductive film 12 and the groove 13 is formed in the conductive film 12 and the protective film 100. When the conductive film 12 is formed,
Surface can be prevented from being roughened, and burrs can be prevented.
Alternatively, the etching time can be shortened,
An electronic component with excellent productivity can be provided.
【００２３】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。With respect to the inductance element configured as described above, each part will be described in detail below.
【００２４】まず、基台１１の形状について説明する。First, the shape of the base 11 will be described.
【００２５】基台１１は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図１，２に示す様に基台１１を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台１１を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台１１を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。The base 11 is preferably formed in a prismatic or cylindrical shape. By forming the base 11 in a prismatic shape as shown in FIGS. 1 and 2, the mountability can be improved and the rolling of the element can be improved. And the like. In addition, among the rectangular bases, the base 11 is particularly preferably formed in a square pillar shape, which greatly facilitates the mounting and the positioning of the element on the circuit board. In addition, it is more preferable that the bottom surface is a rectangular parallelepiped having a square shape, so that the mountability and the like can be further improved. Further, since the base 11 has a prismatic structure, the structure becomes very simple, so that the productivity is good and the cost is very advantageous.
【００２６】また、基台１１の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台１１上に導電膜１２を形
成し、その導電膜１２にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。When the base 11 has a cylindrical shape, a conductive film 12 is formed on the base 11 as described later, and when a groove is formed in the conductive film 12 by laser processing or the like, the conductive film The depth of the groove and the like can be formed with high accuracy, and variations in characteristics can be suppressed.
【００２７】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。Next, the constituent materials of the base 11 will be described. It is preferable to satisfy the following characteristics as a constituent material of the base 11.
【００２８】体積固有抵抗：１０13Ωｍ以上（好ましく
は１０14Ωｍ以上） 熱膨張係数：５×１０-4／℃以下（好ましくは２×１０
-5／℃以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係数］
比誘電率：１ＭＨｚにおいて１２以下（好ましくは１
０以下） 曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ2以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ2以上） 密度：２〜５ｇ／ｃｍ3（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ3） 基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０13Ωｍ以下で
あると、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。Volume resistivity: 10 13 Ωm or more (preferably 10 14 Ωm or more) Thermal expansion coefficient: 5 × 10 −4 / ° C. or less (preferably 2 × 10 4 Ω / m)
-5 / ° C or less) [Coefficient of thermal expansion at 20 ° C to 500 ° C]
Relative dielectric constant: 1 or less at 1 MHz (preferably 1
0 or less) Flexural strength: 1300 kg / cm 2 or more (preferably 20
Density: 2 to 5 g / cm 3 (preferably 3 to 4 g / cm 3 ) When the constituent material of the base 11 has a volume resistivity of 10 13 Ωm or less, the conductive material 12 and the base 11 Also, a current starts to flow in a predetermined manner, so that a parallel circuit is formed, and the self-resonant frequency f0 and the Q value decrease, which is not suitable for a high-frequency element.
【００２９】また熱膨張係数が５×１０-4／℃以上であ
ると、基台１１にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が５×１０-4／℃以
上であると、上述の様に溝１３を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台１１が局部的に高温にな
り、基台１１にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。If the coefficient of thermal expansion is 5 × 10 −4 / ° C. or more, cracks may occur in the base 11 due to heat shock or the like. That is, when the thermal expansion coefficient is 5 × 10 −4 / ° C. or more, the base 11 is locally heated to a high temperature because a laser beam or a grindstone is used when forming the groove 13 as described above. Although cracks and the like may occur in 11, the occurrence of cracks and the like can be greatly suppressed by having the above-described coefficient of thermal expansion.
【００３０】また、誘電率が１ＭＨｚにおいて１２以上
であると、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。If the dielectric constant is 12 or more at 1 MHz, the self-resonant frequency f0 and the Q value become low, which is not suitable for a high-frequency device.
【００３１】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ2以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。If the bending strength is 1300 kg / cm 2 or less, the element may be broken when mounted on a circuit board or the like by a mounting apparatus.
【００３２】密度が２ｇ／ｃｍ3以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。When the density is 2 g / cm 3 or less, the base 1
1, the water absorption rate is increased, the characteristics of the base 11 are significantly deteriorated, and the characteristics as an element are deteriorated. The density is 5 g / c
If it exceeds m 3 , the weight of the base will be heavy, and there will be a problem in mountability and the like. In particular, when the density is set within the above range, the water absorption rate is small, water hardly enters the base 11, the weight is reduced, and no problem occurs when mounting on a substrate by a chip mounter or the like.
【００３３】この様に基台１１の体積固有抵抗，熱膨張
係数，誘電率，曲げ強度，密度を規定することによっ
て、自己共振周波数ｆ０やＱが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台１１にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。By defining the volume resistivity, the coefficient of thermal expansion, the dielectric constant, the bending strength, and the density of the base 11 in this manner, the self-resonant frequency f0 and Q do not decrease, so that the base 11 can be used as a high-frequency element. It is possible to suppress the occurrence of cracks or the like in the base 11 due to heat shock or the like, so that the defective rate can be reduced, and furthermore, the mechanical strength can be improved. Since it can be mounted on a circuit board or the like, excellent effects such as improvement in productivity can be obtained.
【００３４】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ2Ｏ3が９２重量％以上，ＳｉＯ2が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ2Ｏ3が０．１
％以下，Ｎａ2Ｏが０．３重量％以下が挙げられる。As a material for obtaining the above-mentioned various properties, a ceramic material containing alumina as a main component can be used. However, simply using a ceramic material mainly composed of alumina cannot obtain the above-mentioned characteristics. That is,
Since the above-mentioned various characteristics vary depending on the pressing pressure, the sintering temperature, and the additives at the time of producing the base 11, the production conditions and the like must be appropriately adjusted. Specific manufacturing conditions include a pressing pressure of 2 to 5 tons when processing the base 11, a firing temperature of 1500 to 1600 ° C., and a firing time of 1 to 3 hours. Specific examples of the alumina material include Al 2 O 3 of 92 wt% or more, SiO 2 of 6 wt% or less, MgO of 1.5 wt% or less, and Fe 2 O 3 of 0.1 wt% or less.
% Or less, and 0.3% by weight or less of Na 2 O.
【００３５】また、基台１１の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台１１をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
（大体０．５μＨ〜１μＨＨ）を有する素子を形成する
ことができる。The base 11 may be made of a magnetic material such as ferrite. When the base 11 is made of a magnetic material such as ferrite, an element having high inductance (approximately 0.5 μH to 1 μHH) can be formed.
【００３６】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。Next, the surface roughness of the base 11 will be described. The surface roughness described below means the average roughness of the center line, and the roughness described in the description of the conductive film 12 is also the average roughness of the center line.
【００３７】導電膜１２と基台１１との密着強度，導電
膜１２のＱ値及び自己共振周波数ｆ０の双方の結果から
判断すると、基台１１の表面粗さは、０．１５μｍ〜
０．５μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２〜０．
３μｍが良い。Judging from the results of both the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11, the Q value of the conductive film 12, and the self-resonance frequency f0, the surface roughness of the base 11 is 0.15 μm or less.
It is preferably 0.5 μm, more preferably 0.2 to 0.1 μm.
3 μm is good.
【００３８】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。In the present embodiment, the bonding strength between the conductive film 12 and the base 11 is improved by adjusting the surface roughness of the base 11.
2 to improve the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 without adjusting the surface roughness by providing an intermediate layer composed of Cr alone or an alloy of Cr and another metal. Can be. Of course, when the surface roughness of the base 11 is adjusted and the intermediate layer and the conductive film 12 are laminated on the base 11, it is possible to obtain a stronger adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11. it can.
【００３９】次に導電膜１２について説明する。Next, the conductive film 12 will be described.
【００４０】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。Hereinafter, the conductive film 12 will be specifically described.
【００４１】導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，
金，ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，
銀，金，ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
めに所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と非
金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコス
ト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合金
がよく用いられる。導電膜１２の材料として、銅等を用
いる場合には、まず、基台１１上に無電解メッキによっ
て下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所
定の銅膜を形成して導電膜１２が形成される。更に、合
金等で導電膜１２を形成する場合には、スパッタリング
法や蒸着法で構成することが好ましい。The constituent materials of the conductive film 12 include copper, silver,
Conductive materials such as gold and nickel can be used. This copper,
Predetermined elements may be added to materials such as silver, gold, and nickel in order to improve weather resistance and the like. Alternatively, an alloy such as a conductive material and a nonmetallic material may be used. Copper and its alloys are often used as constituent materials in terms of cost, corrosion resistance, and ease of fabrication. When copper or the like is used as the material of the conductive film 12, first, a base film is formed on the base 11 by electroless plating, and a predetermined copper film is formed on the base film by electrolytic plating. The conductive film 12 is formed. Further, when the conductive film 12 is formed of an alloy or the like, it is preferable to form the conductive film 12 by a sputtering method or a vapor deposition method.
【００４２】更に、本実施の形態の様に、導電膜１２を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜１２に形成される溝１３の幅Ｋ１と
溝１３と溝１３の間の導電膜１２の幅Ｋ２は以下の関係
を有する事が好ましい。Further, as in the present embodiment, when the conductive film 12 is made of, for example, copper or the like, and the film thickness is increased to suppress self-heating, the width K1 of the groove 13 formed in the conductive film 12 is reduced. The width K2 of the conductive film 12 between the grooves 13 preferably has the following relationship.
【００４３】２０μｍ＞Ｋ１＞１５μｍ ２００μｍ＞Ｋ２＞１００μｍ 特に前述の様に長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３を、 Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ） Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ） Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ） （なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）としたインダクタンス素子
とした場合、上述のＫ１，Ｋ２は上述の範囲とすること
によって、電気抵抗を小さくすることができ、しかも導
電膜１２に形成される溝１３を精度良く形成することが
でき、更に導電膜１２の膜厚を厚くした場合に確実に溝
１３を形成することができる。20 μm>K1> 15 μm 200 μm>K2> 100 μm In particular, as described above, the length L1, width L2, and height L3 are L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8
mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. In the case of the inductance element described in (1), by setting the above K1 and K2 within the above ranges, the electric resistance can be reduced and the groove 13 formed in the conductive film 12 can be formed with high accuracy. In addition, when the thickness of the conductive film 12 is further increased, the groove 13 can be surely formed.
【００４４】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜１２を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１
１の上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属
膜（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に
問題がある銅の腐食を防止することができる。The conductive film 12 may be composed of a single layer, but may have a multilayer structure. That is, a plurality of conductive films 12 having different constituent materials may be stacked. For example, base 1
First, a copper film is formed on 1 and a metal film having good weather resistance (such as nickel) is laminated thereon, so that corrosion of copper having a problem in weather resistance can be prevented.
【００４５】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。Examples of the method for forming the conductive film 12 include a plating method (such as an electrolytic plating method and an electroless plating method), a sputtering method, and a vapor deposition method. Among these forming methods,
A plating method with good mass productivity and small variations in film thickness is often used.
【００４６】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのＱ値が低下する。The surface roughness of the conductive film 12 is preferably 1 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the surface roughness of the conductive film 12 exceeds 1 μm, the Q value at high frequencies decreases due to the skin effect.
【００４７】次に保護膜１００について説明する。Next, the protective film 100 will be described.
【００４８】保護膜１００としては、金属膜，樹脂膜，
ガラス膜，酸化物膜等が好適に用いられる。As the protective film 100, a metal film, a resin film,
Glass films, oxide films, and the like are preferably used.
【００４９】保護膜１００として、金属膜を用いる場
合、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ等
の材料グループから選ばれる単体か、その材料グループ
から２種以上の合金、あるいは、材料グループから選ば
れる少なくとも一種の材料と、材料グループ以外の他の
材料との合金などが好適に用いられる。When a metal film is used as the protective film 100, a single substance selected from a material group of Ni, Sn, Pb, Ag, Au, Cr, Ti, W, etc., or two or more alloys from the material group, or An alloy of at least one material selected from a material group and another material other than the material group is preferably used.
【００５０】また、保護膜１００として金属膜を用いた
場合には、膜厚は０．０５μｍ〜１０μｍとしたほうが
好ましく、膜厚が０．０５μｍより小さい場合には、思
うように導電膜１２のバリの発生や酸化物の生成を抑え
ることが困難であり、また、１０μｍより大きいと、コ
ストや膜形成に時間がかかる上に、Ｑ値の低下などを引
き起こす可能性が高くなる。When a metal film is used as the protective film 100, the film thickness is preferably set to 0.05 μm to 10 μm, and when the film thickness is smaller than 0.05 μm, the thickness of the conductive film 12 It is difficult to suppress the generation of burrs and the formation of oxides. If the thickness is more than 10 μm, the cost and time required for film formation are increased, and the possibility of causing a decrease in Q value is increased.
【００５１】更に、保護膜１００として、樹脂膜，ガラ
ス膜，酸化物膜等を用いることで、膜厚が厚くてもＱ値
低下などは起こりにくい。更に樹脂膜やガラス膜などを
用いる場合は、塗布法が好適に用いられ、また、樹脂膜
の場合には、電着法等も好適に用いられる。この場合の
膜厚としては、１μｍ〜５０μｍとすることが好まし
い。Further, by using a resin film, a glass film, an oxide film or the like as the protective film 100, even if the film thickness is large, a decrease in the Q value does not easily occur. Further, when a resin film or a glass film is used, a coating method is preferably used, and when a resin film is used, an electrodeposition method or the like is also preferably used. In this case, the film thickness is preferably 1 μm to 50 μm.
【００５２】次に保護材１４について説明する。Next, the protective member 14 will be described.
【００５３】保護材１４としては、耐候性に優れた有機
材料、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料や電
着膜が用いられる。また、保護材１４としては、溝１３
の状況等が観測できるような透明度を有する事が好まし
い。更に保護材１４には透明度を有したまま、所定の色
を有することが好ましい。保護材１４に赤，青，緑など
の、導電膜１２や端子部１５，１６等と異なる色を着色
する事によって、素子各部の区別をする事ができ、素子
各部の検査などが容易に行える。また、素子の大きさ、
特性、品番等の違いで保護材１４の色を変えることによ
って、特性や品番等の異なる素子を誤った部分に取り付
けるなどのミスを低減させることができる。As the protective material 14, an organic material having excellent weather resistance, for example, an insulating material such as an epoxy resin or an electrodeposition film is used. Further, as the protective material 14, the groove 13
It is preferable to have transparency so that the situation can be observed. Further, it is preferable that the protective material 14 has a predetermined color while having transparency. By coloring the protective material 14 with a color such as red, blue, or green, which is different from the conductive film 12 and the terminal portions 15 and 16, it is possible to distinguish each element portion, and to easily inspect each element portion. . Also, the size of the element,
By changing the color of the protective material 14 depending on the difference in characteristics, product numbers, etc., it is possible to reduce errors such as mounting of elements having different characteristics, product numbers, etc. on erroneous parts.
【００５４】特に保護材１４を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材１４の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部１５，１６と回路基板の配線の間に隙間が生
じることがあり、十分な電気的接合を行うことができな
いことがあるが、電着膜で保護材１４を形成することに
よって、薄くしかも均一な保護材１４を形成できるの
で、素子を回路基板などに実装したときに、端子部１
５，１６と配線との間の隙間が非常に小さくなり、配線
と基盤の端子間の電気的接合は十分に行うことができ
る。In particular, when the protective material 14 is formed of an electrodeposited film, the protective material 14 is very thin, can secure insulation, and can have improved heat resistance. That is, when the method of applying an epoxy resin, a resist, or the like is applied, a portion of the protective material 14 rises greatly. In some cases, sufficient electrical bonding cannot be performed. However, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, a thin and uniform protective material 14 can be formed. When mounted, terminal 1
The gap between the wiring 5 and 16 and the wiring is very small, and the electrical connection between the wiring and the terminal of the board can be sufficiently performed.
【００５５】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材１４を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材１４を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。Further, in the method of applying a resist or the like, each element must be applied using a tape or the like, so that the number of steps is increased, productivity is not improved, and manufacturing cost is reduced. Although it is not possible, as in the present embodiment, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, the protective material 14 can be provided to many elements at once, so that productivity is improved and cost is reduced. Can be done.
【００５６】保護材１４の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタ
ン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も１つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材１４を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系，アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材１４は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝１３の上に並列して設けてもよ
い。As a specific constituent material of the protective material 14, an electrodeposition resin film made of at least one resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a fluorine resin, a urethane resin, and a polyimide resin is used. It is configured. In the case where the protective material 14 is formed of an electrodeposited film, and when either the cation type or the anion type is selected, the constituent material of the conductive film 12, the constituent material of the electrodeposited film, and the usage of the inductance element are used. It is preferable to determine in consideration of the above. The protective material 14 may be formed by laminating electrodeposited films made of different materials, or may be formed by laminating the same material. Further, a plurality of electrodeposited films may be arranged in parallel on the groove 13. It may be provided.
【００５７】保護材１４を電着膜で構成する場合、保護
材１４の厚さが数十ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、１８３℃で保護材１４が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。When the protective member 14 is formed of an electrodeposited film, it is preferable that the protective member 14 has a thickness of several tens of microns and a withstand voltage of 20 V or more, and has a melting point of 183 ° C., which is the melting point of solder.
It is preferable to use a material having characteristics of not burning or evaporating. In the case where the protective material 14 is softened at 183 ° C., no problem occurs.
【００５８】次に端子部１５，１６について説明する。Next, the terminals 15 and 16 will be described.
【００５９】端子部１５，１６は、半田や鉛フリー半田
等の接合材が好適に用いられ、鍍金法等によって、接合
層として好適に形成される。なお、導電膜１２の上に直
接接合材で層を形成してもよいが、半田食われの防止や
端子部１５，１６の耐候性を向上させる様にＮｉやＮｉ
合金で作製された耐食層を導電膜１２の上に形成し、そ
の上に接合層を形成する構成でもよい。また、他の方法
としては、導電ペーストを電子部品の両端に塗布して、
加熱などを施して、端子部１５，１６を形成してもよ
い。The terminal portions 15 and 16 are preferably made of a bonding material such as solder or lead-free solder, and are preferably formed as a bonding layer by plating or the like. Note that a layer may be formed directly on the conductive film 12 with a bonding material, but Ni or Ni is used to prevent solder erosion and improve the weather resistance of the terminal portions 15 and 16.
A structure in which a corrosion-resistant layer made of an alloy is formed on the conductive film 12 and a bonding layer is formed thereon. Also, as another method, a conductive paste is applied to both ends of the electronic component,
The terminal portions 15 and 16 may be formed by heating or the like.
【００６０】次に、端子部１５，１６の表面粗さは１μ
ｍ〜１０μｍ（好ましくは１μｍ〜５μｍ）とする事が
好ましい。すなわち、端子部１５，１６の表面粗さが１
μｍ以下であると、回路基板などに設けられた電極との
接合面積が小さくなってしまい、接合強度が小さくなっ
てしまい、表面粗さが１０μｍ以上であると、端子部１
５，１６上に他の導電膜などを形成する際に、その導電
膜の特性が劣化してしまう。Next, the surface roughness of the terminals 15 and 16 is 1 μm.
m to 10 μm (preferably 1 μm to 5 μm). That is, the surface roughness of the terminal portions 15 and 16 is 1
If it is less than μm, the bonding area with an electrode provided on a circuit board or the like will be small, and the bonding strength will be small. If the surface roughness is 10 μm or more, the terminal 1
When another conductive film or the like is formed on the layers 5 and 16, the characteristics of the conductive film deteriorate.
【００６１】また、端子部１５，１６の比抵抗値は１×
１０-4Ωｃｍ以上（好ましくは５×１０-4Ωｃｍ以上）
とする事が電気的特性を向上させるために有効である。The specific resistance of the terminals 15 and 16 is 1 ×
10 −4 Ωcm or more (preferably 5 × 10 −4 Ωcm or more)
It is effective to improve the electrical characteristics.
【００６２】以上の様に構成された電子部品について、
以下その製造方法について説明する。For the electronic component configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described.
【００６３】（実施の形態１）まず、図２アルミナ等の
絶縁材料をプレス成形や押し出し法によって、基台１１
を作製し、次に図３に示すようにその基台１１全体にメ
ッキ法，塗布法やスパッタリング法などによって導電膜
１２をほぼ全面に形成する。(Embodiment 1) First, an insulating material such as alumina shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 3, a conductive film 12 is formed on substantially the entire surface of the base 11 by plating, coating, sputtering or the like.
【００６４】次に、図４に示すように導電膜１２の上に
塗布法や鍍金法などによって、保護膜１００を形成す
る。Next, as shown in FIG. 4, a protective film 100 is formed on the conductive film 12 by a coating method, a plating method, or the like.
【００６５】次に図５に示すように導電膜１２及び保護
膜１００を形成した基台１１にスパイラル状の溝１３を
設ける。この時、溝１３は、好ましくは基台１１にも形
成されるようにしたほうが好ましい。溝１３はレーザ加
工や切削加工によって作製される。ここで、本実施の形
態では、保護膜１００を形成しているので、レーザ加工
等を施しても、バリは主に保護膜１００に発生し、実質
的に素子の特性を左右する導電膜１２にバリの発生を抑
えることができる。また、レーザの熱による酸化物も主
に保護膜１００に形成されることになり、導電膜１２に
はほとんど酸化物が形成されないか、わずかしか形成さ
れない。従って、従来行われていたエッチング液等を用
いたエッチング処理は、まったく実施しないか、或いは
従来よりも短時間で処理が済むので、生産性が向上す
る。更に、エッチング処理を行わない場合には、洗浄等
のみを行うことにしてもよい。従って、エッチング処理
を省いたりあるいはエッチングの処理液の放出を少なく
できるので、環境に優しい工程を実現することができ
る。Next, as shown in FIG. 5, a spiral groove 13 is provided in the base 11 on which the conductive film 12 and the protective film 100 are formed. At this time, the groove 13 is preferably formed on the base 11. The groove 13 is formed by laser processing or cutting. Here, in this embodiment, since the protective film 100 is formed, even when laser processing or the like is performed, burrs mainly occur in the protective film 100, and the conductive film 12 which substantially affects the characteristics of the element is formed. The occurrence of burrs can be suppressed. In addition, an oxide due to the heat of the laser is mainly formed on the protective film 100, and almost no oxide is formed on the conductive film 12. Therefore, the conventional etching using an etching solution or the like is not performed at all, or the processing is completed in a shorter time than in the conventional case, so that the productivity is improved. Further, when the etching process is not performed, only the cleaning or the like may be performed. Therefore, since the etching process can be omitted or the release of the etching solution can be reduced, an environment-friendly process can be realized.
【００６６】次に図６に示すように、溝１３を形成した
後に、電着法や塗布法などを用いて、基台１１の両端面
を除いた部分に保護材１４を形成する。Next, as shown in FIG. 6, after the grooves 13 are formed, a protective material 14 is formed on the base 11 except for both end surfaces by using an electrodeposition method or a coating method.
【００６７】次に、基台１１の両端面に導電ペーストを
塗布したり、或いは鍍金法等によって端子部１５，１６
を形成して、図１に示すような阻止を完成させる。Next, a conductive paste is applied to both end surfaces of the base 11, or the terminal portions 15, 16 are plated by plating or the like.
To complete the blockage as shown in FIG.
【００６８】この時点でも、製品は完成するが、前述の
様に、仕様等によって、耐食層や接合層を設ける。At this point, the product is completed, but as described above, a corrosion-resistant layer and a bonding layer are provided according to the specifications and the like.
【００６９】なお、本実施の形態では、導電膜１２を基
台１１の全面に形成したが、例えば、基台１１の両端面
を除いて、導電膜１２を形成することで、いわゆるフィ
レットレス対応の電子部品にしても良いし、或いは、保
護膜１００を両端部を除いて、形成しても良い。In this embodiment, the conductive film 12 is formed on the entire surface of the base 11. However, for example, by forming the conductive film 12 except for both end surfaces of the base 11, a so-called filletless compatible Or the protective film 100 may be formed except for both end portions.
【００７０】（実施の形態２）別の製法としては、図５
に示す構造物まで形成した後に、保護膜１００をエッチ
ングなどの手法によって取り除き、導電膜１２の一部或
いは全部を剥き出しにし、その後に、図７に示すよう
に、保護材１４を形成し、図８に示すように両端に端子
部１５，１６を形成する。この様な、製法によって、保
護膜１００を取り除いたことによって、保護膜１００に
発生したバリや酸化物を除去することができるので、特
性面を非常に重視する場合には、この様な工法を適用す
ることが好ましい。(Embodiment 2) As another manufacturing method, FIG.
After the structure shown in FIG. 1 is formed, the protective film 100 is removed by a technique such as etching to expose a part or the entirety of the conductive film 12, and then, as shown in FIG. As shown in FIG. 8, terminal portions 15 and 16 are formed at both ends. Since the burrs and oxides generated on the protective film 100 can be removed by removing the protective film 100 by such a manufacturing method, such a method is used when the characteristics are very important. It is preferred to apply.
【００７１】（実施の形態３）保護膜１００として、樹
脂膜などの絶縁性を有する材料を用いた場合には、特に
以下のような工程が好ましい。(Embodiment 3) In the case where an insulating material such as a resin film is used as the protective film 100, the following steps are particularly preferable.
【００７２】第１の製造方法としては、先ず、図５に示
すように、溝１３まで形成し、その後に、両端部の保護
膜１００のみを除去し、その後に保護材１４で溝１３を
覆い、最後に、保護膜１００を除去することによって、
両端部に剥き出しになった導電膜１２の上に端子部１
５，１６を形成する。As a first manufacturing method, first, as shown in FIG. 5, a groove 13 is formed, then only the protective films 100 at both ends are removed, and then the groove 13 is covered with a protective material 14. Finally, by removing the protective film 100,
The terminal portion 1 is placed on the exposed conductive film 12 at both ends.
5 and 16 are formed.
【００７３】第２の製造方法としては、図５に示すよう
に、溝１３まで形成し、溝１３を覆う保護材１４を形成
し、両端部の保護膜１００を除去するか、或いは保護材
１４を両端部まで形成した場合には、両端部の保護膜１
００及び保護材１４の双方を取り除き、導電膜２を剥き
出しにして、その上に端子部１５，１６を形成してもよ
い。As a second manufacturing method, as shown in FIG. 5, a groove 13 is formed, a protective material 14 covering the groove 13 is formed, and the protective films 100 at both ends are removed. Is formed up to both ends, the protective films 1 at both ends are formed.
Alternatively, both the terminal portions 15 and 16 may be formed on the conductive film 2 exposed by removing both the protective member 14 and the protective material 14.
【００７４】（実施の形態４）まず、基台１１上に導電
膜１２を形成し、電着膜で保護膜１００を形成する。次
に、基台１１の両端部に端子部１５，１６を形成する。
この時、保護膜１００を導電膜１２の全面に形成した場
合には、両端部の保護膜１００を取り除いた後に、端子
部１５，１６を形成し、予めパターン形成で、両端部を
除いて保護膜１００を形成した場合には、そのまま端子
部１５，１６を形成する。(Embodiment 4) First, a conductive film 12 is formed on a base 11, and a protective film 100 is formed by an electrodeposition film. Next, terminal portions 15 and 16 are formed at both ends of the base 11.
At this time, when the protective film 100 is formed on the entire surface of the conductive film 12, the terminal portions 15 and 16 are formed after removing the protective film 100 at both ends, and the protection is performed in advance by pattern formation except for both ends. When the film 100 is formed, the terminal portions 15 and 16 are formed as they are.
【００７５】端子部１５，１６を形成した後に、レーザ
加工などで、保護膜１００及び導電膜１２にスパイラル
状などの溝１３を形成する。最後に、好ましくは、溝１
３を覆う保護材１４を設けることが好ましい。After the terminals 15 and 16 are formed, a spiral groove 13 is formed in the protective film 100 and the conductive film 12 by laser processing or the like. Finally, preferably groove 1
It is preferable to provide a protective material 14 for covering 3.
【００７６】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。Although the present embodiment has been described with reference to an inductance element, the same effect can be obtained with an electronic component in which a conductive film is formed on a base made of an insulating material.
【００７７】また、導電膜１２を抵抗膜とすることによ
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜１２にスパイラル状の溝１３を設けるのではなく、環
状の溝等を設けることによって、導電膜１２を少なくと
も２分する事によって、チップコンデンサとしても使用
することができる。Also, by using the conductive film 12 as a resistive film, a small chip resistor can be manufactured. Instead of providing the spiral groove 13 in the conductive film 12, an annular groove or the like is provided. By dividing the conductive film 12 into at least two, the conductive film 12 can also be used as a chip capacitor.
【００７８】図９及び図１０はそれぞれ本発明の一実施
の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロック
図である。図９及び図１０において、２９は音声を音声
信号に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変換す
るスピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成される
操作部、３２は着信等を表示する表示部、３３はアンテ
ナ、３４はマイク２９からの音声信号を復調して送信信
号に変換する送信部で、送信部３４で作製された送信信
号は、アンテナ３３を通して外部に放出される。３５は
アンテナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信
部で、受信部３５で作成された音声信号はスピーカー３
０にて音声に変換される。３６は送信部３４，受信部３
５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部である。FIGS. 9 and 10 are a perspective view and a block diagram, respectively, showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention. 9 and 10, reference numeral 29 denotes a microphone for converting a voice into a voice signal, reference numeral 30 denotes a speaker for converting a voice signal into voice, reference numeral 31 denotes an operation unit including dial buttons and the like, and reference numeral 32 denotes a display unit for displaying an incoming call and the like. Reference numeral 33 denotes an antenna, and reference numeral 34 denotes a transmission unit for demodulating an audio signal from the microphone 29 and converting it into a transmission signal. The transmission signal produced by the transmission unit 34 is emitted to the outside through the antenna 33. A receiving unit 35 converts a received signal received by the antenna into an audio signal. The audio signal created by the receiving unit 35 is transmitted to the speaker 3.
At 0, it is converted to voice. 36 is a transmitting unit 34 and a receiving unit 3
5, a control unit for controlling the operation unit 31 and the display unit 32;
【００７９】以下その動作の一例について説明する。An example of the operation will be described below.
【００８０】先ず、着信があった場合には、受信部３５
から制御部３６に着信信号を送出し、制御部３６は、そ
の着信信号に基づいて、表示部３２に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部３１から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部３６に送出されて、
制御部３６は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ３３で受信した信号は、受信部３５で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー３０から音声として出力
されると共に、マイク２９から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部３４を介し、アンテナ３３を通
して外部に送出される。First, when there is an incoming call, the receiving unit 35
Sends an incoming signal to the control unit 36, the control unit 36 displays a predetermined character or the like on the display unit 32 based on the incoming signal, and further presses a button or the like for receiving an incoming call from the operation unit 31. And a signal is sent to the control unit 36,
The control unit 36 sets each unit to the incoming call mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.
【００８１】次に、発信する場合について説明する。Next, a case where a call is transmitted will be described.
【００８２】まず、発信する場合には、操作部３１から
発信する旨の信号が、制御部３６に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部３１から制御部３６に
送られてくると、制御部３６は送信部３４を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ３３から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ３３を介し受信部３５を通して
制御部３６に送られると、制御部３６は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ３３で受信した信号は、受
信部３５で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
３０から音声として出力されると共に、マイク２９から
入力された音声は、音声信号に変換され、送信部３４を
介し、アンテナ３３を通して外部に送出される。First, when transmitting a signal, a signal indicating that the signal is to be transmitted from the operation unit 31 is input to the control unit 36. Subsequently, when a signal corresponding to the telephone number is transmitted from the operation unit 31 to the control unit 36, the control unit 36 transmits a signal corresponding to the telephone number from the antenna 33 via the transmission unit 34. When the transmission signal establishes communication with the other party,
When a signal to that effect is sent to the control unit 36 via the reception unit 35 via the antenna 33, the control unit 36 sets each unit to the transmission mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.
【００８３】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。In this embodiment, an example in which voice is transmitted and received has been described. However, the present invention is not limited to voice, and a similar effect can be obtained for a device that transmits or receives data other than voice such as character data. Can be obtained.
【００８４】上記で説明した電子部品（図１及び図２〜
図８に示した製造方法等で構成されたもの）は、発信回
路，フィルタ回路，アンテナ及び各段とのマッチング回
路周辺部等の高いＱを必要とする箇所の少なくとも一つ
に用いられ、その数は、一つの無線端末装置に数個〜４
０個程度用いられている。上述の様な電子部品を用いる
ことによって、装置内部の基板等を小型化でき、素子立
ち現象などを抑えることができるので、回路基板などの
不良率が極めて小さくなり、生産性が非常によくなる。The electronic components described above (FIGS. 1 and 2 to 2)
8) is used in at least one of the places requiring a high Q, such as a transmitting circuit, a filter circuit, an antenna, and a peripheral part of a matching circuit with each stage. The number is several to four in one wireless terminal device.
About 0 are used. By using the electronic components as described above, the size of the substrate and the like inside the device can be reduced, and the phenomenon of standing up of the elements can be suppressed. Therefore, the defective rate of the circuit board and the like becomes extremely small, and the productivity becomes very good.
【００８５】[0085]
【発明の効果】本発明は、本発明は、基台の上に設けら
れた導電膜の上に保護膜を形成し、その後に溝を導電膜
と保護膜の双方に形成したことによって、導電膜に溝を
形成する際にバリや酸化物が発生するのを防止できるの
で、生産性が向上する。また、導電膜に溝形成を行った
後に、エッチング処理をまったく施さないか、あるい
は、従来よりもエッチング時間を短くできるので、製造
時間を短縮することができる。According to the present invention, a protective film is formed on a conductive film provided on a base, and then a groove is formed in both the conductive film and the protective film. Since burrs and oxides can be prevented from being generated when forming a groove in the film, productivity is improved. Further, after the groove is formed in the conductive film, no etching treatment is performed, or the etching time can be shorter than in the conventional case, so that the manufacturing time can be shortened.
【００８６】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、電子部品の実装性及び特性
劣化を防止できるので、生産性が非常によくなり、端末
の特性劣化などを抑えることができる。Further, by mounting the above-mentioned electronic components in the wireless terminal device, it is possible to prevent the mountability and characteristics of the electronic components from being deteriorated, so that the productivity is greatly improved and the deterioration of the characteristics of the terminals can be suppressed. .
【図１】本発明の一実施の形態における電子部品を示す
側断面図FIG. 1 is a side sectional view showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 2 is a side sectional view showing a method for manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 3 is a side sectional view showing a method for manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 4 is a side sectional view showing a method for manufacturing an electronic component according to one embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 5 is a side sectional view showing a method of manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 6 is a side sectional view showing a method for manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 7 is a side sectional view showing a method for manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す側断面図FIG. 8 is a side sectional view showing a method of manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図９】本発明の一実施の形態における無線端末装置を
示す斜視図FIG. 9 is a perspective view showing a wireless terminal device according to one embodiment of the present invention;
【図１０】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図FIG. 10 is a block diagram showing a wireless terminal device according to one embodiment of the present invention;
【図１１】従来のインダクタンス素子を示す側面図FIG. 11 is a side view showing a conventional inductance element.
１１ 基台 １２ 導電膜 １３ 溝 １４ 保護材 １５，１６ 端子部 ３０ スピーカー ３１ 操作部 ３２ 表示部 ３３ アンテナ ３４ 送信部 ３５ 受信部 ３６ 制御部 １００ 保護膜 Reference Signs List 11 base 12 conductive film 13 groove 14 protective material 15, 16 terminal unit 30 speaker 31 operation unit 32 display unit 33 antenna 34 transmitting unit 35 receiving unit 36 control unit 100 protective film
フロントページの続き (72)発明者 清末 邦昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 林 清人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E062 DD01 5E070 AA01 AB02 BA07 CB12 CC03 CC10 DA15 DA20 DB08 EA01 EB03 Continuing on the front page (72) Kuniaki Kiyosue, 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reference) 5E062 DD01 5E070 AA01 AB02 BA07 CB12 CC03 CC10 DA15 DA20 DB08 EA01 EB03
Claims (8)
と、前記導電膜上に設けられた保護膜と、前記導電膜と
前記保護膜の双方に設けられた溝と、前記基台の両端部
上に設けられた端子部とを備えたことを特徴とする電子
部品。A base, a conductive film provided on the base, a protective film provided on the conductive film, a groove provided in both the conductive film and the protective film, An electronic component comprising: terminals provided on both ends of a base.
保護膜を形成し、前記保護膜と前記導電膜にレーザ加工
や砥石などの切削加工によって溝を形成し、前記溝を覆
う保護材を形成し、その後に、両端部に端子部を形成す
ることを特徴とする電子部品の製造方法。2. A conductive film is formed on a base, a protective film is formed on the conductive film, and a groove is formed in the protective film and the conductive film by laser processing or cutting with a grindstone. Forming a protective material covering the substrate, and thereafter forming terminal portions at both ends.
ように保護材を形成し、その後に端子部を形成すること
を特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法。3. The method for manufacturing an electronic component according to claim 2, wherein the protective film is removed after cutting, a protective material is formed so as to cover the groove, and a terminal portion is formed thereafter.
に絶縁性の保護膜を形成し、前記基台の両端に端子部を
形成し、その後に、前記導電膜及び保護膜にレーザ加工
や砥石などを用いた切削加工によって溝を形成すること
を特徴とする電子部品の製造方法。4. A conductive film is formed on a base, an insulating protective film is formed on the conductive film, and terminal portions are formed on both ends of the base. A method for manufacturing an electronic component, wherein a groove is formed in a film by laser processing or cutting using a grindstone.
を形成することを特徴とする請求項１記載の電子部品。5. The electronic component according to claim 1, wherein an inductance component is formed by the conductive film and the groove.
とする請求項１記載の電子部品。6. The electronic component according to claim 1, wherein a resistance film is used instead of the conductive film.
量成分を有する事を特徴とする請求項１記載の電子部
品。7. The electronic component according to claim 1, wherein a groove for dividing the conductive film into at least two parts is provided and has a capacitance component.
の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号をデ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換する
変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信す
るアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線端
末装置であって、発信回路，フィルタ回路，アンテナ部
及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一つ
に請求項１，５，６，７いずれか１記載もしくは、請求
項２，３，４いずれか１記載の電子部品の製造方法で作
製された電子部品を用いたことを特徴とする無線端末装
置。8. A display means, conversion means for converting at least one of a data signal and an audio signal into a transmission signal or converting a reception signal into at least one of a data signal and an audio signal, and converting the transmission signal and the reception signal. A wireless terminal device comprising an antenna for transmitting and receiving and control means for controlling each part, wherein at least one of a transmission circuit, a filter circuit, an antenna part and a peripheral part of a matching circuit for each stage is provided. A wireless terminal device using an electronic component manufactured by the method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 6 and 7 or claim 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070047A JP2001267135A (en) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | Electronic component, manufacturing method thereof and radio terminal device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000070047A JP2001267135A (en) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | Electronic component, manufacturing method thereof and radio terminal device |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100700A (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Chuki Seiki Kk | Noise rejection device |
| JP2013038291A (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | Chip component structure and manufacturing method of the same |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000070047A patent/JP2001267135A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013038291A (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | Chip component structure and manufacturing method of the same |
| US8878339B2 (en) | 2011-08-10 | 2014-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-component structure and method of producing same |
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