JP2001262390A - パラジウムめっき液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき形成したパラジウムめっき層の熱履歴
後におけるはんだ濡れ性が良好で、しかも液劣化が起こ
りにくく、リードフレーム用のめっき液として好適なパ
ラジウムめっき液や、更には厚めっきが可能で電子部品
用接点材料の製造に適用して有効なめっき液を提供す
る。 【解決手段】 水溶性パラジウム化合物：１〜６０ｇ／
Ｌ（ただし、パラジウム換算量）、亜硫酸またはその
塩：１.０〜５０ｇ／Ｌ、およびスルファミン酸または
その塩：０.１〜１００ｇ／Ｌを必須成分として含み、
とくに前記水溶性パラジウム化合物が、パラジウムのア
ンミン錯塩の塩化合物、臭化物、沃化物、および亜硝酸
塩の群から選ばれる少なくとも１種であるパラジウムめ
っき液や、更にリン酸またはその塩を０.１〜２００ｇ
／Ｌ含有する厚めっき用のパラジウムめっき液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパラジウムめっき液
に関し、更に詳しくは、熱履歴後におけるはんだ濡れ性
が良好なパラジウムめっきを実現することができ、また
厚めっきを行っても良好な外観を呈し、かつ接触抵抗の
経時変化も少ないパラジウムめっきを実現することがで
き、電気・電子部品用のリードフレームや接点材料への
パラジウムめっきを行うときに用いて有効なパラジウム
めっき液に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップが搭載されるリードフレー
ムは、従来、銅または銅合金を基材とし、そのアウター
リードにははんだめっき、インナーリードには銀めっき
を施して製造されているのが通例であるが、このリード
フレームには次のような特性が要求されている。すなわ
ち、熱履歴後のはんだ濡れ性、展延性、ワイヤボンディ
ング性が良好であり、耐マイグレーション性や耐食性も
良好で、更には相手材とのはんだ接合後における接合信
頼性が高いなどの諸特性である。

【０００３】そして、近年、このリードフレームの製造
に当たっては、上記基材へのめっきをはんだや銀のめっ
きに代わってパラジウムめっきで行うことが注目を集め
ている。このパラジウムめっきに関しては、例えば、特
開昭５２−５４６２７号公報で開示されている方法が知
られている。この先行技術では、塩化パラドサミン、塩
化アンモニウム、スルファミン酸アンモニウム、水酸化
アンモニウム、および亜硫酸ナトリウムを必須成分とす
るめっき液を用いてパラジウムめっきが行われている。

【０００４】また、特開昭６３−１１１９４号公報に
は、可溶性パラジウム塩、可溶性セレン塩、およびピリ
ジンスルホン酸もしくはそのアルカリ塩を必須成分とす
るめっき液を用いるパラジウムめっきが開示されてい
る。しかしながら、上記したような従来のパラジウムめ
っきでリードフレームを製造した場合、前記した要求特
性にある程度応えられるとはいえ、熱履歴後のはんだ濡
れ性に関しては充分に満足のいくレベルに達しないとい
う問題がある。

【０００５】また、上記したようなめっき液は、長期間
使用していると液劣化が進み、その結果、要求特性を示
すパラジウムめっき層を同一のめっき液で長期間に亘り
安定して形成することが困難になるという問題もある。
ところで、パラジウムめっきの場合、高純度の析出パラ
ジウムで構成されるめっき層はその内部応力が高くなり
やすい。そのため、厚めっきを行うと、めっき層にはカ
ケやクラックが発生しやすく、また良好な展延性が得に
くいという問題がある。このようなことから、パラジウ
ムめっきの厚みは、一般に、１.０μｍ程度までとされ
ている。

【０００６】一方、電子部品用の接点材料にパラジウム
めっきを行った場合、そのめっき層には、耐食性や耐摩
耗性に優れているという特性とともに、接触抵抗の経時
変化が少ないという特性が要求されている。しかしなが
ら、先行技術として示したような従来のパラジウムめっ
き液では、上記した要求特性を充分に満たすようなめっ
き層を形成することは困難であり、いまだに、めっき液
としての実用的な課題が残されている状況にある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は従来のパラジ
ウムめっき液における上記した問題を解決し、熱履歴後
におけるはんだ濡れ性が優れているパラジウムめっき層
を形成することができ、同時に液劣化も起こしづらい新
規なパラジウムめっき液の提供を第１の目的とする。

【０００８】また、本発明はパラジウムの厚めっきが可
能であり、耐食性や耐摩耗性が良好で、また相手材との
接触抵抗の経時変化が少ないパラジウムめっき層の形成
を可能にするパラジウムめっき液の提供を第２の目的と
する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明においては、水溶
性パラジウム化合物：１〜６０ｇ／Ｌ（ただし、パラジ
ウム換算量）、亜硫酸またはその塩：１.０〜５０ｇ／
Ｌ、および、スルファミン酸またはその塩：０.１〜１
００ｇ／Ｌを必須成分として含むことを特徴とするパラ
ジウムめっき液が提供される。

【００１０】とくに、本発明においては、前記した第１
の目的を達成するために好適なめっき液として、前記水
溶性パラジウム化合物の含有量が１〜４０ｇ／Ｌ（ただ
し、パラジウム換算量）であり、前記スルファミン酸ま
たはその塩の含有量が０.１〜６０ｇ／Ｌであるパラジ
ウムめっき液が提供される。また、本発明においては、
前記した第２の目的を達成するために好適なめっき液と
して、リン酸またはその塩：０.１〜２００ｇ／Ｌを必
須成分として含ませて成るパラジウムめっき液が提供さ
れる。

【００１１】そして、前記水溶性パラジウム化合物が、
パラジウムのアンミン錯塩の塩化物、臭化物、沃化物、
硫化物、硝酸塩、亜硝酸塩、および亜硫酸塩の群から選
ばれる少なくとも１種であることが好ましく、また、め
っき液には、更に、硝酸塩、塩化物、硫酸塩、しゅう酸
塩、酒石酸塩、水酸化物、ほう酸、ほう酸塩、および炭
酸塩の群から選ばれる少なくとも１種の導電性電解質が
含まれていることを好適とするパラジウムめっき液が提
供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】まず、本発明のめっき液は、水溶
性パラジウム化合物、亜硫酸またはその塩、およびスル
ファミン酸またはその塩を必須成分として含有するもの
である。そして、厚めっきの目的とする場合には、更に
リン酸またはその塩を必須成分として含有せしめる。リ
ン酸またはその塩を含有せしめると、高い電流密度でめ
っきを行ってもワレ、カケが発生せず、焼けも起こらな
くなる。

【００１３】ここで、めっき液の主剤である水溶性パラ
ジウム化合物としては、パラジウムのアンミン錯塩の塩
化物、臭化物、沃化物、硫化物、硝酸塩、亜硝酸塩、お
よび亜硫酸塩を好適例としてあげることができる。具体
的には、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ（Ｎ
Ｈ₃）₄Ｃｌ₂）、ジブロモテトラアンミンパラジウム
（Ｐｄ［ＮＨ₃］₄Ｂｒ₂）、ジイオドテトラアンミンパ
ラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］ ₄Ｉ₂）、ジニトライトテトラ
アンミンパラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₄（ＯＮＯ）₂）、
ジニトレイトテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ［Ｎ
Ｈ₃］₄（ＮＯ₃）₂）、ジサルファイトテトラアンミンパ
ラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₄（ＳＯ₃）₂）、ジサルフェイ
トテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₄（Ｓ
Ｏ₄）₂）、ジニトロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ
［ＮＨ₃］₄（ＮＯ₂）₂）のようなテトラアンミンパラジ
ウム化合物；ジクロロジアミンパラジウム（Ｐｄ（ＮＨ
₃）₂Ｃｌ₂）、ジブロモジアンミンパラジウム（Ｐｄ
［ＮＨ₃］₂Ｂｒ₂）、ジイオドジアンミンパラジウム
（Ｐｄ［ＮＨ₃］₂Ｉ₂）、ジニトライトジアンミンパラ
ジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₂（ＯＮＯ）₂）、ジニトレイト
ジアンミンパラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₂（ＮＯ₃）₂）、
ジサルファイトジアンミンパラジウム（Ｐｄ［ＮＨ₃］₂
（ＳＯ₃）₂）、ジサルフェイトジアンミンパラジウム
（Ｐｄ［ＮＨ₃］₂（ＳＯ₄）₂）のようなジアンミンパラ
ジウム化合物などを使用することもできる。これらの水
溶性パラジウム化合物は単独で用いてもよく、また２種
以上を適宜に組み合わせて用いてもよい。

【００１４】めっき液において、水溶性パラジウム化合
物の濃度は、パラジウム換算量にして１〜６０ｇ／Ｌに
設定される。この濃度が１ｇ／Ｌより低い場合は、パラ
ジウムが電着しなくなったり、また仮にめっき層が形成
されても、析出速度の低下、めっき層の光沢不良や展延
性の著しい低下、耐食性や耐摩耗性の低下などの問題が
生じてくる。

【００１５】また、６０ｇ／Ｌより高濃度にすると、水
溶性パラジウム化合物が溶解しにくくなってめっき液の
均質性に問題が生ずるとともに、めっきの過程でめっき
液の持ち出しに基づくＰｄ成分のロスが起こって不経済
になる。このような理由に基づいて、本発明のめっき液
における水溶性パラジウムの濃度の上限値は規制される
ことになるが、その規制の範囲内において、めっき目的
に対応して水溶性パラジウム化合物の濃度を次のように
設定することが好ましい。

【００１６】すなわち、厚めっきを目的としない場合に
は、水溶性パラジウム化合物の濃度は１〜４０ｇ／Ｌに
設定することが好ましい。そして、例えば電子部品用の
接点材料の製造のために厚めっきが目的とされる場合に
は、めっき液に後述するリン酸またはその塩を含有せし
めると同時に、水溶性パラジウム化合物の濃度を４〜６
０ｇ／Ｌと高濃度にすることが好ましい。前者のより好
ましい濃度は４〜２０ｇ／Ｌであり、後者のより好まし
い濃度は４〜４０ｇ／Ｌである。

【００１７】本発明のめっき液における第２の必須成分
である亜硫酸またはその塩は、基材へのパラジウムめっ
きのつきまわり性を改善し、均一な半光沢のめっき外観
を得るために配合される成分である。亜硫酸塩として
は、例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫
酸アンモニウム、亜硫酸カルシウムなどをあげることが
できる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を適宜
組み合わせて用いてもよい。

【００１８】めっき液において、亜硫酸またはその塩の
濃度は、１.０〜５０ｇ／Ｌに設定される。濃度が１.０
ｇ／Ｌより低い場合は、上記した効果が充分に発揮され
ず、また５０ｇ／Ｌより高い場合は、外観の劣化やめっ
き液の安定性の低下のような不都合が生ずるからであ
る。好ましい濃度は１〜３０ｇ／Ｌである。第３の必須
成分であるスルファミン酸またはその塩は、高い電流密
度でめっきを行っても、焼けのない半光沢のめっき外観
を得るために配合される成分である。

【００１９】スルファミン酸の塩としては、例えばスル
ファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリウム、スル
ファミン酸アンモニウム、スルファミン酸カルシウムな
どをあげることができる。これらは単独で用いてもよ
く、また２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。ス
ルファミン酸またはその塩の濃度は０.１〜１００ｇ／
Ｌに設定される。濃度が０.１ｇ／Ｌより低い場合は、
上記した効果が充分に発揮されず、例えば高い電流密度
でめっきを行うと、めっき層に焼けなどの外観不良が発
生するようになる。また、１００ｇ／Ｌより高濃度にす
ると、めっき液の化学的な安定性が低下する。

【００２０】このようなことから、本発明においては、
スルファミン酸またはその塩の濃度の上限値が規制され
ることになるが、その規制の範囲内において、めっき目
的に対応してスルファミン酸またはその塩の濃度を次の
ように設定することが好ましい。すなわち、厚めっきを
目的としない場合には、０.１〜３０ｇ／Ｌに設定する
ことが好ましい。より好ましくは、１〜２０ｇ／Ｌとす
る。また、厚めっきを目的とする場合には、１〜１００
ｇ／Ｌに設定することが好ましい。より好ましくは１〜
６０ｇ／Ｌにする。

【００２１】厚めっきを目的とするめっき液を建浴する
ときには、リン酸またはその塩が必須成分として配合さ
れるが、そのときに用いるリン酸塩としては、例えば、
リン酸アンモニウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウ
ムなどを上げることができる。これらは単独で用いても
よく、また２種類以上を適宜組み合わせて用いてもよ
い。

【００２２】このリン酸またはその塩は、めっき層にお
ける内部応力を低減せしめるのでその厚めっきを可能と
し、展延性のある緻密で密着性に富むめっき層の形成に
資する。更に、高い電流密度を適用して、焼けのない良
好な金属光沢を有するめっき層の形成に資する。このよ
うな効果を発揮せしめるリン酸またはその塩の濃度は、
０.１〜２００ｇ／Ｌに設定される。この濃度が０.１ｇ
／Ｌより低い場合は上記した効果が充分に発揮されず、
厚めっきは困難になり、また２００ｇ／Ｌより高い場合
は、電流効率の低下およびめっき光沢が失われるように
なる。好ましい濃度は５〜１５０ｇ／Ｌとする。

【００２３】本発明のめっき液に更に次のような電導性
電解質を溶解せしめると、上記した効果が更に助長さ
れ、めっき時にめっき層に悪影響を与える成分が副生し
なくなり、もって液劣化が抑制され、長期に亘って安定
した特性のめっき層を形成できるので好適である。この
ような電導性電解質としては、例えば、硝酸アンモニウ
ム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウムのような硝酸塩；塩
化アンモニウム、塩化カリウム、塩化ナトリウムのよう
な塩化物；硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ナト
リウムのような硫酸塩；リン酸アンモニウム、リン酸カ
リウム、リン酸ナトリウムのようなリン酸塩；しゅう酸
アンモニウム、しゅう酸カリウム、しゅう酸ナトリウム
のようなしゅう酸塩；酒石酸アンモニウム、酒石酸カリ
ウム、酒石酸ナトリウムのような酒石酸塩；水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウムのような水酸化物；ほう酸；ほ
う酸アンモニウム、ほう酸カリウム、ほう酸ナトリウム
のようなほう酸塩；炭酸アンモニウム、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウムのような炭酸塩の１種または２種以上を
あげることができる。

【００２４】これらの電導性電解質は、その濃度が０.
１〜５００ｇ／Ｌとなるように溶解せしめることが好ま
しい。濃度が０.１ｇ／Ｌより低い場合は、上記した効
果が充分に発揮されず、また５００ｇ／Ｌより高くなる
と、外観の低下やめっき液の安定性の低下などの不都合
が生じてくるからである。好ましい濃度は２０〜４００
ｇ／Ｌである。

【００２５】更に、本発明のめっき液には、必要に応じ
て、公知の非イオン系界面活性剤やカチオン系界面活性
剤を添加してもよい。また、表面調整剤として、エタノ
ール、ブタンジオール、グリセリン、エチルセルソルブ
のようなアルコール類、グルコース、ショ糖、でんぷ
ん、グルコースと果糖の混合物である異性化糖のような
ＯＨ基を有する有機物；アセトアルデヒド、ホルムアル
デヒドのようなＣＨＯ基を有する有機物；アセトン、ピ
ナコリン、メシチルオキシド、アセトフェノン、シクロ
ヘキサノンのようなＣＯ基を有する化合物；メチルアミ
ン、トリエタノールアミン、ピリジン、ピピリジンなど
のアミノ類のようなＮを有する化合物；などを、０.１
〜５０ｇ／ｌ添加してもよい。

【００２６】本発明のめっき液を用いてパラジウムめっ
きを行う場合には、例えばアンモニア水や希硫酸または
希塩酸を用いてめっき液のpH値を７〜９、好ましくは
７.５〜８.５に調整し、液温を３０〜７０℃、好ましく
は４５〜６５℃に設定し、そして陰極電流密度を０.２
〜３０Ａ／dm²、好ましくは１〜２５Ａ／dm²に設定して
実施すればよい。

【００２７】

【実施例】実施例１ ジクロロテトラアンミンパラジウム：４ｇ／Ｌ（パラジ
ウム換算）、スルファミン酸カリウム：２０ｇ／Ｌ、亜
硫酸カリウム：２０ｇ／Ｌから成るめっき液を建浴し
た。このめっき液を水酸化アンモニウムと希硫酸でpH７
に調整し、液温を６０℃に保持し、液攪拌を行いなが
ら、予め無光沢のＮｉめっきが１μｍ施されているハル
セル銅板に対して電流密度２Ａ／dm²で１０秒間のめっ
きを行った。

【００２８】形成されためっき層につき、下記の仕様で
特性を評価した。 電流効率：液温６０℃、電流密度２Ａ／dm²、めっき
時間１０分の条件下で厚み５μｍのパラジウムめっきを
行い、めっき前後における重量変化を測定し、そのＰｄ
めっき量を上記条件におけるＰｄの理論電着量で除算し
て百分率を求めた。この値が９０％以上である場合を合
格とした。 めっき外観：目視でムラ、焼け、光沢の有無を観察。 熱履歴後のはんだ濡れ性：めっき層に温度３１５℃で
３０秒間の熱履歴を与えたのち、メニスコグラフでゼロ
クロスタイム（秒）を測定した。この値が２秒以下であ
る場合を合格とした。 液寿命：１０ターン経過後もめっき処理が可能である
場合を合格とした。なお、ここでいう１ターンとは、建
浴時におけるめっき液の単位体積中に含有されているパ
ラジウム量（実施例１の場合は、１リットル中に４ｇの
パラジウム量）が完全に消費された時点をいう。したが
って、ターン数が大きいめっきほど長期使用時における
液劣化が起こりにくいということを表す。以上の結果を
表１に示す。

【００２９】実施例２ めっき液の組成が、ジニトロテトラアンミンパラジウ
ム：２０ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、スルファミン酸ナ
トリウム：２０ｇ／Ｌ、亜硫酸ナトリウム：１０ｇ／Ｌ
であったこと、めっき液のpH値を８に調整したこと、を
除いては実施例１の場合と同様にしてパラジウムめっき
層を形成した。実施例１の場合と同様にしてめっき層の
評価を行った。結果を表１に示す。

【００３０】実施例３ めっき液の組成が、ジニトロテトラアンミンパラジウ
ム：４ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、スルファミン酸アン
モニウム：２ｇ／Ｌ、亜硫酸アンモニウム：２ｇ／Ｌ、
硝酸ナトリウム：４００ｇ／Ｌであったことを除いては
実施例２の場合と同様にしてパラジウムめっき層を形成
した。実施例２の場合と同様にしてめっき層の評価を行
った。結果を表１に示す。

【００３１】実施例４ めっき液の組成が、ジブロモテトラアンミンパラジウ
ム：１０ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、スルファミン酸カ
ルシウム：２０ｇ／Ｌ、亜硫酸カリウム：２０ｇ／Ｌ、
硝酸アンモニウム：１００ｇ／Ｌ、塩化アンモニウム：
２００ｇ／Ｌであったことを除いては実施例２の場合と
同様にしてパラジウムめっき層を形成した。実施例２の
場合と同様にしてめっき層の評価を行った。結果を表１
に示す。

【００３２】実施例５ めっき液の組成が、ジクロロジアンミンパラジウム：１
０ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、スルファミン酸カルシウ
ム：１０ｇ／Ｌ、亜硫酸アンモニウム：５ｇ／Ｌ、亜硝
酸アンモニウム：１５０ｇ／Ｌであり、表面調整剤とし
てグルコース：５ｇ／Ｌであったことを除いては実施例
２の場合と同様にしてパラジウムめっき層を形成した。
実施例２の場合と同様にしてめっき層の評価を行った。
結果を表１に示す。

【００３３】比較例１ めっき液の組成が、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム：４ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、スルファミン酸カリ
ウム：２０ｇ／Ｌであったことを除いては実施例２の場
合と同様にしてパラジウムめっき層を形成した。このめ
っき液は、本発明のめっき液における必須成分である亜
硫酸またはその塩を含まないものである。実施例１の場
合と同様にしてめっき層の評価を行った。結果を表１に
示す。

【００３４】比較例２ めっき液の組成が、ジニトロテトラアンミンパラジウ
ム：４ｇ／Ｌ（パラジウム換算）、亜硫酸アンモニウ
ム：２ｇ／Ｌ、硝酸ナトリウム：４００ｇ／Ｌであった
ことを除いては実施例２の場合と同様にしてパラジウム
めっき層を形成した。このめっき液は、本発明のめっき
液における必須成分であるスルファミン酸またはその塩
を含まないものである。実施例１の場合と同様にしてめ
っき層の評価を行った。結果を表１に示す。

【００３５】従来例 めっき液の組成が、塩化パラドサミン：２５ｇ／Ｌ（パ
ラジウム換算）、塩化アンモニウム：５０ｇ／Ｌ、スル
ファミン酸アンモニウム：３５ｇ／Ｌ、亜硫酸ナトリウ
ム：０.５ｇ／Ｌ、水酸化アンモニウム：７５ｇ／Ｌで
あったことを除いては実施例１の場合と同様にしてパラ
ジウムめっきを行い、その特性を評価した。結果を表１
に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１から明らかなように、パラジウムのア
ンミン錯塩とスルファミン酸塩と亜硫酸塩を同時に含有
する実施例のめっき液でパラジウムめっきを行うと、形
成されためっき層は、めっき外観、電流効率は良好で、
熱履歴後のはんだ濡れ性はそのゼロクロスタイムが２秒
以下と非常に優れたものになる。しかも、めっき液のタ
ーン数も大きく、液劣化を招くことなく安定しためっき
を行うことができるという効果も得られている。したが
って、本発明のめっき液は、熱履歴後における優れたは
んだ濡れ性が要求されるリードフレーム用のパラジウム
のめっき液としてその工業的価値は大である。

【００３８】実施例６ ジクロロジアンミンパラジウム：２０ｇ／Ｌ（パラジウ
ム換算）、リン酸ナトリウム：１５ｇ／Ｌ、亜硫酸アン
モニウム：２０ｇ／Ｌ、スルファミン酸アンモニウム：
３０ｇ／Ｌ、硝酸アンモニウム：４００ｇ／Ｌから成る
めっき液を建浴した。

【００３９】このめっき液を水酸化アンモニウムと希硫
酸でpH８に調整し、液温を６０℃に保持し、液攪拌を行
いながら、予め無光沢のＮｉめっきが１μｍ施されてい
る無酸素銅板に対して電流密度１５Ａ／dm²で１分間の
めっきを行った。厚み４μｍのＰｄめっき層が形成され
た。このめっき層につき、下記の仕様で特性評価を行っ
た。

【００４０】めっき外観：実施例１〜４と同様に、目視
でムラ、焼け、光沢の有無を観察した。 熱履歴後のはんだ濡れ性：実施例１〜４と同様に行い、
ゼロクロスタイムが２秒以下である場合を合格とした。 耐食性：硫化水素濃度３ppm、温度４０℃、相対湿度８
５％の腐食雰囲気中に試料を２４時間放置したのち、め
っき層を目視観察。外観に変化がない場合を○、何らか
の腐食生成物があった場合を×として判定した。 接触抵抗値とその経時変化：上記した耐食性の評価に用
いた試料のめっき層に、頭部５ＲのＡｇを荷重１０ｇで
押し当て、その状態で電流１０mAを流して接触抵抗を測
定した。この値が５０ｍΩ以下である場合を○とし、５
０ｍΩより大きい場合を×とした。また、耐食性試験の
時間を９６時間として接触抵抗の変動を調べ、接触抵抗
が５０ｍΩ以下の場合を○とし、５０ｍΩより大きくな
った場合を×とした。 液寿命：１０ターン経過後もめっき処理においても電流
効率が９０％以上であり、形成されためっきに対するが
ゼロクロスタイムが２秒以下であるような場合を○と
し、そうでない場合を×とした。 以上の結果を表２に示す。

【００４１】実施例７ めっき液の組成が、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム：４０ｇ／Ｌ（パラジウム換算量）、リン酸カリウ
ム：７ｇ／Ｌ、亜硫酸ナトリウム：０.３ｇ／Ｌ、スル
ファミン酸ナトリウム：９０ｇ／Ｌ、塩化カリウム：３
００ｇ／Ｌであったことを除いては実施例６と同様にし
て厚み４μｍのめっき層を形成した。実施例６の場合と
同様にしてめっき層の評価を行い、その結果を表２に示
した。

【００４２】実施例８ めっき液の組成が、ジニトロジアンミンパラジウム：６
０ｇ／Ｌ（パラジウム換算量）、リン酸ナトリウム：６
０ｇ／Ｌ、亜硫酸ナトリウム：５０ｇ／Ｌ、スルファミ
ン酸ナトリウム：３０ｇ／Ｌ、臭化ナトリウム：３００
ｇ／Ｌであったことを除いては実施例６と同様にして厚
み４μｍのめっき層を形成した。実施例６の場合と同様
にしてめっき層の評価を行い、その結果を表２に示し
た。

【００４３】実施例９ めっき液の組成が、ジニトロジアンミンパラジウム：１
０ｇ／Ｌ（パラジウム換算量）、ジブロモテトラアンミ
ンパラジウム：１０ｇ／Ｌ（パラジウム換算量）、リン
酸カリウム：１５０ｇ／Ｌ、亜硫酸アンモニウム：５ｇ
／Ｌ、スルファミン酸アンモニウム：３０ｇ／Ｌ、硫酸
アンモニウム：４０ｇ／Ｌであったことを除いては実施
例６と同様にして厚み４μｍのめっき層を形成した。実
施例６の場合と同様にしてめっき層の評価を行い、その
結果を表２に示した。

【００４４】比較例 めっき液として、実施例６のめっき液成分からリン酸カ
リウムを除き、また亜硫酸アンモニウムの濃度を０.１
ｇ／Ｌとしたものを用いたことを除いては実施例６の場
合と同様にしてめっきを行い、得られためっき層を評価
した。

【００４５】

【表２】

【００４６】表２から明らかなように、リン酸塩を添加
しためっき浴を用いると、外観が良好で、はんだ濡れ性
も良好で、耐食性や接触抵抗の経時変化も優れているパ
ラジウムの厚めっき層を形成することができる。したが
って、このめっき液を用いることにより、実用性に富む
電子部品用の接点材料の製造が可能になる。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
めっき液を用いると、形成されためっき層は、めっき外
観、はんだ濡れ性に優れたものになる。そして、めっき
液に更にリン酸またはその塩を所定濃度で添加すると、
そのめっき液を用いてパラジウムの厚めっきが可能とな
り、しかも形成されためっき層は、めっき外観とはんだ
濡れ性に優れていることはもち論のこと、耐食性や相手
材との接触抵抗の経時変化も小さくなる。したがって、
そのめっき液を用いることにより、電子部品用の接点材
料の製造が可能となり、工業的価値は大である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 伸二 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 松田 産業株式会社内 (72)発明者 小田 和弘 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 松田 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 智 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 松田 晃 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K023 AA28 BA22 BA27 CA08 CA09 CB03 CB08 DA03 DA06 DA08 DA11 5F067 DC06 DC16

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水溶性パラジウム化合物：１〜６０ｇ／
   Ｌ（ただし、パラジウム換算量）、亜硫酸またはその
   塩：１.０〜５０ｇ／Ｌ、および、スルファミン酸また
   はその塩：０.１〜１００ｇ／Ｌを必須成分として含む
   ことを特徴とするパラジウムめっき液。
2. 【請求項２】 前記水溶性パラジウム化合物の含有量が
   １〜４０ｇ／Ｌ（ただし、パラジウム換算量）であり、
   前記スルファミン酸またはその塩の含有量が０.１〜６
   ０ｇ／Ｌである請求項１のパラジウムめっき液。
3. 【請求項３】 更に、リン酸またはその塩：０.１〜２
   ００ｇ／Ｌを含む請求項１または２のパラジウムめっき
   液。
4. 【請求項４】 前記水溶性パラジウム化合物が、パラジ
   ウムのアンミン錯塩の塩化物、臭化物、沃化物、硫化
   物、硝酸塩、亜硝酸塩、および亜硫酸塩の群から選ばれ
   る少なくとも１種である請求項１〜３のいずれかのパラ
   ジウムめっき液。
5. 【請求項５】 更に、硝酸塩、塩化物、硫酸塩、しゅう
   酸塩、酒石酸塩、水酸化物、ほう酸、ほう酸塩、および
   炭酸塩の群から選ばれる少なくとも１種の導電性電解質
   が含まれている請求項１〜４のいずれかのパラジウムめ
   っき液。