JP2001257198A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30655—Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング主体の工程とデポジション主体の
工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたとき
に発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提
供する。 【解決手段】 プラズマ発生装置用高周波電源4により
13.56MHzの高周波電力を、プラズマ発生装置用
整合回路5を介して、コイル6に供給すると、真空容器
1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8
に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うこと
ができる。この装置を用いて、エッチング主体の工程と
デポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うこと
により、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、
発生する反射電力を抑制することができた。
工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたとき
に発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提
供する。 【解決手段】 プラズマ発生装置用高周波電源4により
13.56MHzの高周波電力を、プラズマ発生装置用
整合回路5を介して、コイル6に供給すると、真空容器
1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8
に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うこと
ができる。この装置を用いて、エッチング主体の工程と
デポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うこと
により、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、
発生する反射電力を抑制することができた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体等の電子
デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるドライエ
ッチング、スパッタリング、プラズマCVD等のプラズ
マ処理方法に関するものである。
デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるドライエ
ッチング、スパッタリング、プラズマCVD等のプラズ
マ処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、プラズマ処理技術において、ガス
組成、圧力、高周波電力などの制御パラメータを、処理
中に複数回繰り返し変化させるタイムモジュレーション
処理が用いられるようになってきた。
組成、圧力、高周波電力などの制御パラメータを、処理
中に複数回繰り返し変化させるタイムモジュレーション
処理が用いられるようになってきた。
【0003】図4は、誘導結合型プラズマ処理装置の断
面図である。図4において、真空容器1内にガス供給装
置2から所定のガスを導入しつつ排気装置としてのポン
プ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保
ちながら、プラズマ発生装置用高周波電源4により1
3.56MHzの高周波電力を、プラズマ発生装置用整
合回路5を介して、プラズマ発生装置としてのコイル6
に供給すると、真空容器1内にプラズマが発生し、電極
7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表
面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このと
き、電極7にも電極用高周波電源9により、電極用整合
回路10を介して高周波電力を供給することで、基板8
に到達するイオンエネルギーを制御することができる。
面図である。図4において、真空容器1内にガス供給装
置2から所定のガスを導入しつつ排気装置としてのポン
プ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保
ちながら、プラズマ発生装置用高周波電源4により1
3.56MHzの高周波電力を、プラズマ発生装置用整
合回路5を介して、プラズマ発生装置としてのコイル6
に供給すると、真空容器1内にプラズマが発生し、電極
7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表
面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このと
き、電極7にも電極用高周波電源9により、電極用整合
回路10を介して高周波電力を供給することで、基板8
に到達するイオンエネルギーを制御することができる。
【0004】単結晶シリコンに深い溝加工を高速に行う
方法として、真空容器内に供給するガスの主成分がエッ
チングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内
に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデポ
ジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し行
う方法が知られている。例えば、エッチングガスとして
SF6、デポジションガスとしてC4F8を用い、各工
程を数秒ずつ切り換えることで、高速エッチングが可能
である。ただし、エッチング主体の工程においてのみ、
電極用高周波電力を供給するのが通常である。
方法として、真空容器内に供給するガスの主成分がエッ
チングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内
に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデポ
ジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し行
う方法が知られている。例えば、エッチングガスとして
SF6、デポジションガスとしてC4F8を用い、各工
程を数秒ずつ切り換えることで、高速エッチングが可能
である。ただし、エッチング主体の工程においてのみ、
電極用高周波電力を供給するのが通常である。
【0005】また、プラズマの電子温度を低下させるた
めに、所定の周期でプラズマ発生装置に供給する高周波
電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行う方法があ
る。この方法では、低電子温度化によって微細加工性が
高まるという効果や、エッチング選択比の向上が図れる
という効果がある。
めに、所定の周期でプラズマ発生装置に供給する高周波
電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行う方法があ
る。この方法では、低電子温度化によって微細加工性が
高まるという効果や、エッチング選択比の向上が図れる
という効果がある。
【0006】また、基板に到達するイオンエネルギーを
より効果的に制御する方法として、所定の周期で電極に
供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返
し行う方法がある。この方法では、イオンとラジカルを
交互に基板に作用させ、微細加工性を高めることができ
るという効果がある。
より効果的に制御する方法として、所定の周期で電極に
供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返
し行う方法がある。この方法では、イオンとラジカルを
交互に基板に作用させ、微細加工性を高めることができ
るという効果がある。
【0007】また、プラズマ中の微粒子の発生を抑制す
る方法として、所定の周期でプラズマ発生装置に供給す
る高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行う
方法がある。この方法では、微粒子が成長する前にプラ
ズマ発生装置に供給する高周波電力をOFFすること
で、低ダストプロセスを構築できるという効果がある。
る方法として、所定の周期でプラズマ発生装置に供給す
る高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行う
方法がある。この方法では、微粒子が成長する前にプラ
ズマ発生装置に供給する高周波電力をOFFすること
で、低ダストプロセスを構築できるという効果がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4を
用いて説明した従来の方法では、エッチング主体の工程
とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズ
マ発生装置または電極に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えたときの放電インピーダンスの変化が大
きく、プラズマ発生装置用整合回路または電極用整合回
路の動作が追従せず、大きな反射電力が発生してしまう
という問題点があった。これは、整合回路に2つの可変
インピーダンス素子として可動部をもつ可変コンデンサ
を用いているので、モーターが回転してインピーダンス
を変化するのにsecオーダーの時間を要するというこ
とに起因している。反射電力の発生は、処理の再現性を
低下させる原因となる。また、ノイズの発生の原因とな
る場合もあり、機器の誤動作を招くこともあった。
用いて説明した従来の方法では、エッチング主体の工程
とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズ
マ発生装置または電極に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えたときの放電インピーダンスの変化が大
きく、プラズマ発生装置用整合回路または電極用整合回
路の動作が追従せず、大きな反射電力が発生してしまう
という問題点があった。これは、整合回路に2つの可変
インピーダンス素子として可動部をもつ可変コンデンサ
を用いているので、モーターが回転してインピーダンス
を変化するのにsecオーダーの時間を要するというこ
とに起因している。反射電力の発生は、処理の再現性を
低下させる原因となる。また、ノイズの発生の原因とな
る場合もあり、機器の誤動作を招くこともあった。
【0009】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、エッ
チング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換え
たときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周
波電力のON/OFFを切り換えたときに発生する反射
電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供することを目
的としている。
チング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換え
たときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周
波電力のON/OFFを切り換えたときに発生する反射
電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供することを目
的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願の第1発明のプラズ
マ処理方法は、プラズマ発生装置を備えた真空容器内に
ガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変イン
ピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコア
を備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ
発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器
内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置され
た被エッチング物をエッチングするに際して、真空容器
内に供給するガスの主成分がエッチングガスであるエッ
チング主体の工程と、真空容器内に供給するガスの主成
分がデポジションガスであるデポジション主体の工程を
所定時間で切り換えて繰り返し行うことを特徴とする。
マ処理方法は、プラズマ発生装置を備えた真空容器内に
ガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変イン
ピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコア
を備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ
発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器
内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置され
た被エッチング物をエッチングするに際して、真空容器
内に供給するガスの主成分がエッチングガスであるエッ
チング主体の工程と、真空容器内に供給するガスの主成
分がデポジションガスであるデポジション主体の工程を
所定時間で切り換えて繰り返し行うことを特徴とする。
【0011】本願の第1発明のプラズマ処理方法におい
て、好適には、エッチング主体の工程において、電極に
高周波電力を供給することが望ましい。
て、好適には、エッチング主体の工程において、電極に
高周波電力を供給することが望ましい。
【0012】また、エッチング主体の工程において、2
つの可変インピーダンス素子として可動部をもたないト
ロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して電極に高
周波電力を供給してもよい。
つの可変インピーダンス素子として可動部をもたないト
ロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して電極に高
周波電力を供給してもよい。
【0013】また、好適には、エッチング主体の工程と
デポジション主体の工程を切り換える所定時間が、プラ
ズマ発生用整合回路の整合に要する時間の10倍以上で
あることが望ましい。
デポジション主体の工程を切り換える所定時間が、プラ
ズマ発生用整合回路の整合に要する時間の10倍以上で
あることが望ましい。
【0014】本願の第2発明のプラズマ処理方法は、プ
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用整合回路を介
してプラズマ発生装置に高周波電力を供給することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極に載置された被エッチング物をエッチングするに際し
て、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガ
スであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給す
るガスの主成分がデポジションガスであるデポジション
主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し行うプラズ
マ処理方法であって、エッチング主体の工程において、
2つの可変インピーダンス素子として可動部をもたない
トロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して電極に
高周波電力を供給することを特徴とする。
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用整合回路を介
してプラズマ発生装置に高周波電力を供給することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極に載置された被エッチング物をエッチングするに際し
て、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガ
スであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給す
るガスの主成分がデポジションガスであるデポジション
主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し行うプラズ
マ処理方法であって、エッチング主体の工程において、
2つの可変インピーダンス素子として可動部をもたない
トロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して電極に
高周波電力を供給することを特徴とする。
【0015】本願の第2発明のプラズマ処理方法におい
て、好適には、エッチング主体の工程とデポジション主
体の工程を切り換える所定時間が、電極用整合回路の整
合に要する時間の10倍以上であることが望ましい。
て、好適には、エッチング主体の工程とデポジション主
体の工程を切り換える所定時間が、電極用整合回路の整
合に要する時間の10倍以上であることが望ましい。
【0016】本願の第1または第2発明のプラズマ処理
方法において、好適には、エッチングガスが、SF6,
NF3,Cl2のうち少なくとも1つを含むガスである
ことが望ましい。
方法において、好適には、エッチングガスが、SF6,
NF3,Cl2のうち少なくとも1つを含むガスである
ことが望ましい。
【0017】また、好適には、デポジションガスが、C
F4、C2F6,C4F8等のフッ化炭素ガス、また
は、CHF3、CH2F2等の水素・炭素・フッ素を含
むガスのうち少なくとも1つを含むガスであることが望
ましい。
F4、C2F6,C4F8等のフッ化炭素ガス、また
は、CHF3、CH2F2等の水素・炭素・フッ素を含
むガスのうち少なくとも1つを含むガスであることが望
ましい。
【0018】また、好適には、デポジション主体の工程
において、電極に高周波電力を印加しないことが望まし
い。
において、電極に高周波電力を印加しないことが望まし
い。
【0019】また、好適には、電子サイクロトロン共鳴
方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合
方式プラズマ源、アンテナ方式プラズマ源等の高密度プ
ラズマ源を利用してプラズマを発生させることが望まし
い。
方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合
方式プラズマ源、アンテナ方式プラズマ源等の高密度プ
ラズマ源を利用してプラズマを発生させることが望まし
い。
【0020】本願の第1または第2発明のプラズマ処理
方法は、被エッチング物が、シリコンである場合にとく
に効果的なプラズマ処理方法である。
方法は、被エッチング物が、シリコンである場合にとく
に効果的なプラズマ処理方法である。
【0021】本願の第3発明のプラズマ処理方法は、プ
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、2つの可変インピーダンス素子と
して可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ
発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波
電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発
生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理する
プラズマ処理方法であって、所定の周期でプラズマ発生
装置に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて
繰り返し行うことを特徴とする。
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、2つの可変インピーダンス素子と
して可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ
発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波
電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発
生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理する
プラズマ処理方法であって、所定の周期でプラズマ発生
装置に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて
繰り返し行うことを特徴とする。
【0022】本願の第3発明のプラズマ処理方法におい
て、好適には、高周波電力のON時間が、プラズマ発生
用整合回路の整合に要する時間の3倍以上であることが
望ましい。
て、好適には、高周波電力のON時間が、プラズマ発生
用整合回路の整合に要する時間の3倍以上であることが
望ましい。
【0023】本願の第4発明のプラズマ処理方法は、プ
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用整合回路を介
してプラズマ発生装置に高周波電力を供給するととも
に、真空容器内に基板を載置するための電極に、2つの
可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイ
ダルコアを備えた電極用整合回路を介して高周波電力を
供給することにより、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法
であって、所定の周期で電極に供給する高周波電力のO
N/OFFを切り換えて繰り返し行うことを特徴とす
る。
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用整合回路を介
してプラズマ発生装置に高周波電力を供給するととも
に、真空容器内に基板を載置するための電極に、2つの
可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイ
ダルコアを備えた電極用整合回路を介して高周波電力を
供給することにより、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法
であって、所定の周期で電極に供給する高周波電力のO
N/OFFを切り換えて繰り返し行うことを特徴とす
る。
【0024】本願の第4発明のプラズマ処理方法におい
て、好適には、高周波電力のON時間が、電極用整合回
路の整合に要する時間の3倍以上であることが望まし
い。
て、好適には、高周波電力のON時間が、電極用整合回
路の整合に要する時間の3倍以上であることが望まし
い。
【0025】本願の第5発明のプラズマ処理方法は、プ
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、2つの可変インピーダンス素子と
して可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ
発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波
電力を供給するとともに、真空容器内に基板を載置する
ための電極に、2つの可変インピーダンス素子として可
動部をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合回路
を介して高周波電力を供給することにより、真空容器内
にプラズマを発生させ、電極に載置された基板を処理す
るプラズマ処理方法であって、所定の周期でプラズマ発
生装置に供給する高周波電力のON/OFFを切り換え
て繰り返し行うことを特徴とする。
ラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ
真空容器内を排気し、2つの可変インピーダンス素子と
して可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ
発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波
電力を供給するとともに、真空容器内に基板を載置する
ための電極に、2つの可変インピーダンス素子として可
動部をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合回路
を介して高周波電力を供給することにより、真空容器内
にプラズマを発生させ、電極に載置された基板を処理す
るプラズマ処理方法であって、所定の周期でプラズマ発
生装置に供給する高周波電力のON/OFFを切り換え
て繰り返し行うことを特徴とする。
【0026】本願の第5発明のプラズマ処理方法におい
て、好適には、高周波電力のON時間が、電極用整合回
路の整合に要する時間の3倍以上であることが望まし
い。
て、好適には、高周波電力のON時間が、電極用整合回
路の整合に要する時間の3倍以上であることが望まし
い。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態につ
いて、図1及び図2を参照して説明する。
いて、図1及び図2を参照して説明する。
【0028】図1は、本発明の実施形態において用いた
誘導結合方式プラズマ処理装置の断面図である。図1に
おいて、真空容器1内にガス供給装置2から所定のガス
を導入しつつ排気装置としてのポンプ3により排気を行
い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、プラズマ
発生装置用高周波電源4により13.56MHzの高周
波電力を、プラズマ発生装置用整合回路5を介して、プ
ラズマ発生装置としてのコイル6に供給すると、真空容
器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板
8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処
理を行うことができる。このとき、電極7にも電極用高
周波電源9により、電極用整合回路10を介して高周波
電力を供給することで、基板8に到達するイオンエネル
ギーを制御することができる。
誘導結合方式プラズマ処理装置の断面図である。図1に
おいて、真空容器1内にガス供給装置2から所定のガス
を導入しつつ排気装置としてのポンプ3により排気を行
い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、プラズマ
発生装置用高周波電源4により13.56MHzの高周
波電力を、プラズマ発生装置用整合回路5を介して、プ
ラズマ発生装置としてのコイル6に供給すると、真空容
器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板
8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処
理を行うことができる。このとき、電極7にも電極用高
周波電源9により、電極用整合回路10を介して高周波
電力を供給することで、基板8に到達するイオンエネル
ギーを制御することができる。
【0029】次に、プラズマ発生装置用整合回路5につ
いて詳しく説明する。プラズマ発生装置としてのコイル
6に高周波電力が供給されると、センサー11からの信
号に応じて、演算部12は制御電圧をトロイダルコア1
3に出力する。すると、トロイダルコア13の透磁率が
変化するため、高周波系のインダクタンスが変化し、望
ましい整合状態へと移行することができる。整合に要す
る時間は1msec以下である。これは、このプラズマ
発生装置用整合回路5が、可動部をもたず、電気的な信
号のみでインピーダンスを可変できるトロイダルコア1
3を用いているためである。
いて詳しく説明する。プラズマ発生装置としてのコイル
6に高周波電力が供給されると、センサー11からの信
号に応じて、演算部12は制御電圧をトロイダルコア1
3に出力する。すると、トロイダルコア13の透磁率が
変化するため、高周波系のインダクタンスが変化し、望
ましい整合状態へと移行することができる。整合に要す
る時間は1msec以下である。これは、このプラズマ
発生装置用整合回路5が、可動部をもたず、電気的な信
号のみでインピーダンスを可変できるトロイダルコア1
3を用いているためである。
【0030】電極用整合回路10においても同様に、電
極7に高周波電力が供給されると、センサー14からの
信号に応じて、演算部15は制御電圧をトロイダルコア
16に出力する。すると、トロイダルコア16の透磁率
が変化するため、高周波系のインダクタンスが変化し、
望ましい整合状態へと移行することができる。整合に要
する時間は1msec以下である。
極7に高周波電力が供給されると、センサー14からの
信号に応じて、演算部15は制御電圧をトロイダルコア
16に出力する。すると、トロイダルコア16の透磁率
が変化するため、高周波系のインダクタンスが変化し、
望ましい整合状態へと移行することができる。整合に要
する時間は1msec以下である。
【0031】図1に示した装置を用いて、単結晶シリコ
ンに深い溝加工を行った。エッチング主体の工程とデポ
ジション主体の工程を数秒ずつ切り換えた。
ンに深い溝加工を行った。エッチング主体の工程とデポ
ジション主体の工程を数秒ずつ切り換えた。
【0032】エッチング主体の工程では、真空容器1内
にSF6ガスを50sccm導入し、真空容器1内の圧
力を2Paに設定し、コイル6に供給する高周波電力を
800W、電極7に供給する高周波電力を40Wとし
た。また、エッチング主体の工程は、一回当たり4秒間
連続して行った。
にSF6ガスを50sccm導入し、真空容器1内の圧
力を2Paに設定し、コイル6に供給する高周波電力を
800W、電極7に供給する高周波電力を40Wとし
た。また、エッチング主体の工程は、一回当たり4秒間
連続して行った。
【0033】デポジション主体の工程では、真空容器1
内にC4F8ガスを50sccm導入し、真空容器1内
の圧力を2Paに設定し、コイル6に供給する高周波電
力を800Wを供給した。電極7には高周波電力を供給
しなかった。また、デポジション主体の工程は、一回当
たり4秒間連続して行った。
内にC4F8ガスを50sccm導入し、真空容器1内
の圧力を2Paに設定し、コイル6に供給する高周波電
力を800Wを供給した。電極7には高周波電力を供給
しなかった。また、デポジション主体の工程は、一回当
たり4秒間連続して行った。
【0034】図2に、上記加工中の反射電力を測定した
結果を示す。なお、従来例における測定結果も併記して
ある。エッチング主体の工程とデポジション主体の工程
を切り換えた直後に反射電力が瞬間的に発生している
が、従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的
に短くなっていることがわかる。
結果を示す。なお、従来例における測定結果も併記して
ある。エッチング主体の工程とデポジション主体の工程
を切り換えた直後に反射電力が瞬間的に発生している
が、従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的
に短くなっていることがわかる。
【0035】以上述べた本発明の第1実施形態におい
て、プラズマ発生装置用整合回路5及び電極用整合回路
10が、ともに、2つの可変インピーダンス素子として
可動部をもたないトロイダルコアを備えた整合回路であ
る場合について説明したが、どちらか一方のみが2つの
可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイ
ダルコアを備えた整合回路である場合も、従来よりも反
射電力を抑制できることはいうまでもない。
て、プラズマ発生装置用整合回路5及び電極用整合回路
10が、ともに、2つの可変インピーダンス素子として
可動部をもたないトロイダルコアを備えた整合回路であ
る場合について説明したが、どちらか一方のみが2つの
可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイ
ダルコアを備えた整合回路である場合も、従来よりも反
射電力を抑制できることはいうまでもない。
【0036】また、以上述べた本発明の第1実施形態に
おいて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工
程を切り換える所定時間が4秒、プラズマ発生用整合回
路の整合に要する時間が1msecである場合について
説明したが、十分に反射電力を抑制するためには、エッ
チング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換え
る所定時間が、プラズマ発生用整合回路の整合に要する
時間の10倍以上であればよい。
おいて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工
程を切り換える所定時間が4秒、プラズマ発生用整合回
路の整合に要する時間が1msecである場合について
説明したが、十分に反射電力を抑制するためには、エッ
チング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換え
る所定時間が、プラズマ発生用整合回路の整合に要する
時間の10倍以上であればよい。
【0037】また、以上述べた本発明の第1実施形態に
おいて、エッチングガスがSF6である場合について説
明したが、エッチングガスは、SF6,NF3,Cl2
のうち少なくとも1つを含むガスであればよい。
おいて、エッチングガスがSF6である場合について説
明したが、エッチングガスは、SF6,NF3,Cl2
のうち少なくとも1つを含むガスであればよい。
【0038】また、以上述べた本発明の第1実施形態に
おいて、デポジションガスがC4F8である場合につい
て説明したが、デポジションガスは、CF4、C2F
6,C4F8等のフッ化炭素ガス、または、CHF3、
CH2F2等の水素・炭素・フッ素を含むガスのうち少
なくとも1つを含むガスであればよい。
おいて、デポジションガスがC4F8である場合につい
て説明したが、デポジションガスは、CF4、C2F
6,C4F8等のフッ化炭素ガス、または、CHF3、
CH2F2等の水素・炭素・フッ素を含むガスのうち少
なくとも1つを含むガスであればよい。
【0039】また、以上述べた本発明の第1実施形態に
おいて、プラズマ発生装置が誘導結合方式プラズマ源で
ある場合について説明したが、その他の電子サイクロト
ロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、
アンテナ方式プラズマ源等の高密度プラズマ源を利用し
てプラズマを発生させることにより、同様の高速エッチ
ングを行うことができる。
おいて、プラズマ発生装置が誘導結合方式プラズマ源で
ある場合について説明したが、その他の電子サイクロト
ロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、
アンテナ方式プラズマ源等の高密度プラズマ源を利用し
てプラズマを発生させることにより、同様の高速エッチ
ングを行うことができる。
【0040】次に、本発明の第2実施形態について、図
3を用いて説明する。
3を用いて説明する。
【0041】図3は、本発明の第2実施形態において用
いた平行平板型プラズマ処理装置の断面図である。図3
において、真空容器1内にガス供給装置2から所定のガ
スを導入しつつ排気装置としてのポンプ3により排気を
行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、プラズ
マ発生装置用高周波電源4により13.56MHzの高
周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路5を介して、
プラズマ発生装置としての上部プレート17に供給する
と、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置
された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等の
プラズマ処理を行うことができる。電極7は接地されて
いる。プラズマ発生装置用整合回路5は、本発明の第1
実施例で説明したものと同様、トロイダルコアを用いた
ものである。
いた平行平板型プラズマ処理装置の断面図である。図3
において、真空容器1内にガス供給装置2から所定のガ
スを導入しつつ排気装置としてのポンプ3により排気を
行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、プラズ
マ発生装置用高周波電源4により13.56MHzの高
周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路5を介して、
プラズマ発生装置としての上部プレート17に供給する
と、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置
された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等の
プラズマ処理を行うことができる。電極7は接地されて
いる。プラズマ発生装置用整合回路5は、本発明の第1
実施例で説明したものと同様、トロイダルコアを用いた
ものである。
【0042】図3に示した装置を用いて、アモルファス
シリコンの成膜を行った。プラズマ中の微粒子の発生を
抑制するために、プラズマ発生装置としての上部プレー
ト17に供給する高周波電力のON/OFFを切り換え
て繰り返し行った。成膜条件としては、真空容器1内に
SiH4ガス及びH2ガスを、それぞれ100sccm
及び500sccm導入し、真空容器1内の圧力を13
3Paに設定し、上部プレート17に供給する高周波電
力を1500W(ピーク値)とした。電極7には高周波
電力を供給しなかった。上部プレート17に供給する高
周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行った
が、ON時間を3msec、OFF時間を3msecと
した。
シリコンの成膜を行った。プラズマ中の微粒子の発生を
抑制するために、プラズマ発生装置としての上部プレー
ト17に供給する高周波電力のON/OFFを切り換え
て繰り返し行った。成膜条件としては、真空容器1内に
SiH4ガス及びH2ガスを、それぞれ100sccm
及び500sccm導入し、真空容器1内の圧力を13
3Paに設定し、上部プレート17に供給する高周波電
力を1500W(ピーク値)とした。電極7には高周波
電力を供給しなかった。上部プレート17に供給する高
周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行った
が、ON時間を3msec、OFF時間を3msecと
した。
【0043】上記加工中の反射電力を測定したところ、
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。
【0044】以上述べた本発明の第2実施形態におい
て、プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON時間
が3msec、整合回路の整合に要する時間が1mse
cである場合について説明したが、十分に反射電力を抑
制するためには、高周波電力のON時間が、整合回路の
整合に要する時間の3倍以上であればよい。
て、プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON時間
が3msec、整合回路の整合に要する時間が1mse
cである場合について説明したが、十分に反射電力を抑
制するためには、高周波電力のON時間が、整合回路の
整合に要する時間の3倍以上であればよい。
【0045】次に、本発明の第3実施形態について、図
1を用いて説明する。
1を用いて説明する。
【0046】本発明の第3実施形態において用いた装置
は、本発明の第1実施形態において用いた図1に示す装
置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
は、本発明の第1実施形態において用いた図1に示す装
置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【0047】図1に示した装置を用いて、多結晶シリコ
ンのエッチングを行った。基板8に到達するイオンエネ
ルギーをより効果的に制御するために、電極7に供給す
る高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行っ
た。エッチング条件としては、真空容器1内にCl2ガ
スを200sccm導入し、真空容器1内の圧力を1P
aに設定し、コイル6に供給する高周波電力を600W
とし、電極7に供給する高周波電力を100W(ピーク
値)とした。電極7に供給する高周波電力のON/OF
Fを切り換えて繰り返し行ったが、ON時間を3mse
c、OFF時間を3msecとした。
ンのエッチングを行った。基板8に到達するイオンエネ
ルギーをより効果的に制御するために、電極7に供給す
る高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行っ
た。エッチング条件としては、真空容器1内にCl2ガ
スを200sccm導入し、真空容器1内の圧力を1P
aに設定し、コイル6に供給する高周波電力を600W
とし、電極7に供給する高周波電力を100W(ピーク
値)とした。電極7に供給する高周波電力のON/OF
Fを切り換えて繰り返し行ったが、ON時間を3mse
c、OFF時間を3msecとした。
【0048】上記加工中の反射電力を測定したところ、
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。なお、このような処理を
行うに当たっては、プラズマ発生装置用整合回路5が、
2つの可変インピーダンス素子として可動部をもたない
トロイダルコアを備えた整合回路である必要はない。な
ぜならば、電極7に供給する高周波電力のON/OFF
を切り換えて繰り返し行っても、プラズマ密度の変動は
ほとんど無く、プラズマ発生装置のインピーダンス変動
が十分に小さいからである。
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。なお、このような処理を
行うに当たっては、プラズマ発生装置用整合回路5が、
2つの可変インピーダンス素子として可動部をもたない
トロイダルコアを備えた整合回路である必要はない。な
ぜならば、電極7に供給する高周波電力のON/OFF
を切り換えて繰り返し行っても、プラズマ密度の変動は
ほとんど無く、プラズマ発生装置のインピーダンス変動
が十分に小さいからである。
【0049】以上述べた本発明の第3実施形態におい
て、電極に供給する高周波電力のON時間が3mse
c、整合回路の整合に要する時間が1msecである場
合について説明したが、十分に反射電力を抑制するため
には、高周波電力のON時間が、整合回路の整合に要す
る時間の3倍以上であればよい。
て、電極に供給する高周波電力のON時間が3mse
c、整合回路の整合に要する時間が1msecである場
合について説明したが、十分に反射電力を抑制するため
には、高周波電力のON時間が、整合回路の整合に要す
る時間の3倍以上であればよい。
【0050】次に、本発明の第4実施形態について、図
1を用いて説明する。
1を用いて説明する。
【0051】本発明の第4実施形態において用いた装置
は、本発明の第1実施形態において用いた図1に示す装
置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
ただし、整合回路5及び10の応答性を特別に改良し、
整合に要する時間を0.03msec以下にしてある。
は、本発明の第1実施形態において用いた図1に示す装
置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
ただし、整合回路5及び10の応答性を特別に改良し、
整合に要する時間を0.03msec以下にしてある。
【0052】図1に示した装置を用いて、シリコン酸化
膜のエッチングを行った。プラズマの電子温度を低下さ
せ、反応ガスの過剰な解離を抑制するために、コイル6
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り
返し行った。エッチング条件としては、真空容器1内に
C4F8ガス及びArガスを、それぞれ50sccm及
び950sccm導入し、真空容器1内の圧力を2Pa
に設定し、コイル6に供給する高周波電力を1500W
(ピーク値)とし、電極7に供給する高周波電力を80
0Wとした。コイル6に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えて繰り返し行ったが、電子温度を効果的
に低下させながら、プラズマ密度の低下を最小限に抑え
るために、ON時間を0.1msec、OFF時間を
0.1msecとした。
膜のエッチングを行った。プラズマの電子温度を低下さ
せ、反応ガスの過剰な解離を抑制するために、コイル6
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り
返し行った。エッチング条件としては、真空容器1内に
C4F8ガス及びArガスを、それぞれ50sccm及
び950sccm導入し、真空容器1内の圧力を2Pa
に設定し、コイル6に供給する高周波電力を1500W
(ピーク値)とし、電極7に供給する高周波電力を80
0Wとした。コイル6に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えて繰り返し行ったが、電子温度を効果的
に低下させながら、プラズマ密度の低下を最小限に抑え
るために、ON時間を0.1msec、OFF時間を
0.1msecとした。
【0053】上記加工中の反射電力を測定したところ、
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。なお、このような処理を
行うに当たっては、プラズマ発生装置用整合回路5のみ
ならず、電極用整合回路10が、2つの可変インピーダ
ンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備え
た整合回路であることが効果的である。なぜならば、プ
ラズマ発生装置(コイル6)に供給する高周波電力のO
N/OFFを切り換えて繰り返し行うと、プラズマ密度
の変動が大きく、電極7のインピーダンス変動が大きく
なるからである。
従来例と比較すると、反射電力の発生時間が飛躍的に短
くなっていることがわかった。なお、このような処理を
行うに当たっては、プラズマ発生装置用整合回路5のみ
ならず、電極用整合回路10が、2つの可変インピーダ
ンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備え
た整合回路であることが効果的である。なぜならば、プ
ラズマ発生装置(コイル6)に供給する高周波電力のO
N/OFFを切り換えて繰り返し行うと、プラズマ密度
の変動が大きく、電極7のインピーダンス変動が大きく
なるからである。
【0054】以上述べた本発明の第4実施形態におい
て、プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON時間
が0.1msec、整合回路の整合に要する時間が0.
03msecである場合について説明したが、十分に反
射電力を抑制するためには、高周波電力のON時間が、
整合回路の整合に要する時間の3倍以上であればよい。
て、プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON時間
が0.1msec、整合回路の整合に要する時間が0.
03msecである場合について説明したが、十分に反
射電力を抑制するためには、高周波電力のON時間が、
整合回路の整合に要する時間の3倍以上であればよい。
【0055】以上述べた本発明の実施形態においては、
本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ発
生装置の形状及び配置等に関して様々なバリエーション
のうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあ
たり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが
考えられることは、いうまでもない。
本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ発
生装置の形状及び配置等に関して様々なバリエーション
のうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあ
たり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが
考えられることは、いうまでもない。
【0056】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第1発明のプラズマ処理方法によれば、プラズマ発生装
置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を
排気し、2つの可変インピーダンス素子として可動部を
もたないトロイダルコアを備えたプラズマ発生装置用整
合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給す
ることにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空
容器内の電極に載置された被エッチング物をエッチング
するに際して、真空容器内に供給するガスの主成分がエ
ッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器
内に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデ
ポジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し
行うため、エッチング主体の工程とデポジション主体の
工程を切り換えたときに発生する反射電力を抑制でき
る。
第1発明のプラズマ処理方法によれば、プラズマ発生装
置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を
排気し、2つの可変インピーダンス素子として可動部を
もたないトロイダルコアを備えたプラズマ発生装置用整
合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給す
ることにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空
容器内の電極に載置された被エッチング物をエッチング
するに際して、真空容器内に供給するガスの主成分がエ
ッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器
内に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデ
ポジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し
行うため、エッチング主体の工程とデポジション主体の
工程を切り換えたときに発生する反射電力を抑制でき
る。
【0057】また、本願の第2発明のプラズマ処理方法
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用
整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給
することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真
空容器内の電極に載置された被エッチング物をエッチン
グするに際して、真空容器内に供給するガスの主成分が
エッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容
器内に供給するガスの主成分がデポジションガスである
デポジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返
し行うプラズマ処理方法であって、エッチング主体の工
程において、2つの可変インピーダンス素子として可動
部をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合回路を
介して電極に高周波電力を供給するため、エッチング主
体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときに
発生する反射電力を抑制できる。
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用
整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給
することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真
空容器内の電極に載置された被エッチング物をエッチン
グするに際して、真空容器内に供給するガスの主成分が
エッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容
器内に供給するガスの主成分がデポジションガスである
デポジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返
し行うプラズマ処理方法であって、エッチング主体の工
程において、2つの可変インピーダンス素子として可動
部をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合回路を
介して電極に高周波電力を供給するため、エッチング主
体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときに
発生する反射電力を抑制できる。
【0058】また、本願の第3発明のプラズマ処理方法
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変インピー
ダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備
えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生
装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内に
プラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基
板を処理するプラズマ処理方法であって、所定の周期で
プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON/OFF
を切り換えて繰り返し行うため、プラズマ発生装置に供
給する高周波電力のON/OFFを切り換えたときに発
生する反射電力を抑制できる。
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変インピー
ダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備
えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生
装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内に
プラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基
板を処理するプラズマ処理方法であって、所定の周期で
プラズマ発生装置に供給する高周波電力のON/OFF
を切り換えて繰り返し行うため、プラズマ発生装置に供
給する高周波電力のON/OFFを切り換えたときに発
生する反射電力を抑制できる。
【0059】また、本願の第4発明のプラズマ処理方法
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用
整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給
するとともに、真空容器内に基板を載置するための電極
に、2つの可変インピーダンス素子として可動部をもた
ないトロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して高
周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマ
を発生させ、電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法であって、所定の周期で電極に供給する高周波
電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行うため、電
極に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたと
きに発生する反射電力を抑制できる。
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用
整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給
するとともに、真空容器内に基板を載置するための電極
に、2つの可変インピーダンス素子として可動部をもた
ないトロイダルコアを備えた電極用整合回路を介して高
周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマ
を発生させ、電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法であって、所定の周期で電極に供給する高周波
電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行うため、電
極に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたと
きに発生する反射電力を抑制できる。
【0060】また、本願の第5発明のプラズマ処理方法
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変インピー
ダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備
えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生
装置に高周波電力を供給するとともに、真空容器内に基
板を載置するための電極に、2つの可変インピーダンス
素子として可動部をもたないトロイダルコアを備えた電
極用整合回路を介して高周波電力を供給することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、電極に載置され
た基板を処理するプラズマ処理方法であって、所定の周
期でプラズマ発生装置に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えて繰り返し行うため、プラズマ発生装置
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたとき
に発生する反射電力を抑制できる。
によれば、プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガス
を供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変インピー
ダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備
えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生
装置に高周波電力を供給するとともに、真空容器内に基
板を載置するための電極に、2つの可変インピーダンス
素子として可動部をもたないトロイダルコアを備えた電
極用整合回路を介して高周波電力を供給することによ
り、真空容器内にプラズマを発生させ、電極に載置され
た基板を処理するプラズマ処理方法であって、所定の周
期でプラズマ発生装置に供給する高周波電力のON/O
FFを切り換えて繰り返し行うため、プラズマ発生装置
に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたとき
に発生する反射電力を抑制できる。
【図1】本発明の実施形態で用いたプラズマ処理装置の
構成を示す断面図
構成を示す断面図
【図2】加工中の反射電力を測定した結果を示す図
【図3】本発明の第2実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図
置の構成を示す断面図
【図4】従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す
断面図
断面図
1 真空容器 2 ガス供給装置 3 ポンプ 4 プラズマ発生装置用高周波電源 5 プラズマ発生装置用整合回路 6 コイル 7 電極 8 基板 9 電極用高周波電源 10 電極用整合回路 11 センサー 12 演算部 13 トロイダルコア 14 センサー 15 演算部 16 トロイダルコア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/302 F Fターム(参考) 4G075 AA24 BC02 BC04 BC06 CA25 DA02 EB01 5F004 AA16 BA04 BA20 BB13 BC08 BD04 CA01 CA02 CA03 DA01 DA15 DA16 DA17 DA18 DA23 DA24 DB01 DB03 5F045 AA08 AB04 AC01 AE21 BB15 DP02 EB02 EH04 EH12 EH20
Claims (17)
- 【請求項1】 プラズマ発生装置を備えた真空容器内に
ガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変イン
ピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコア
を備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ
発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器
内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置され
た被エッチング物をエッチングするに際して、真空容器
内に供給するガスの主成分がエッチングガスであるエッ
チング主体の工程と、真空容器内に供給するガスの主成
分がデポジションガスであるデポジション主体の工程を
所定時間で切り換えて繰り返し行うことを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項2】 エッチング主体の工程において、電極に
高周波電力を供給することを特徴とする、請求項1記載
のプラズマ処理方法。 - 【請求項3】 エッチング主体の工程において、2つの
可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイ
ダルコアを備えた電極用整合回路を介して電極に高周波
電力を供給することを特徴とする、請求項1記載のプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項4】 エッチング主体の工程とデポジション主
体の工程を切り換える所定時間が、プラズマ発生用整合
回路の整合に要する時間の10倍以上であることを特徴
とする、請求項1記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項5】 プラズマ発生装置を備えた真空容器内に
ガスを供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装
置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を
供給することにより、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、真空容器内の電極に載置された被エッチング物をエ
ッチングするに際して、真空容器内に供給するガスの主
成分がエッチングガスであるエッチング主体の工程と、
真空容器内に供給するガスの主成分がデポジションガス
であるデポジション主体の工程を所定時間で切り換えて
繰り返し行うプラズマ処理方法であって、エッチング主
体の工程において、2つの可変インピーダンス素子とし
て可動部をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合
回路を介して電極に高周波電力を供給することを特徴と
するプラズマ処理方法。 - 【請求項6】 エッチング主体の工程とデポジション主
体の工程を切り換える所定時間が、電極用整合回路の整
合に要する時間の10倍以上であることを特徴とする、
請求項5記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項7】 エッチングガスが、SF6,NF3,C
l2のうち少なくとも1つを含むガスであることを特徴
とする、請求項1または5記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項8】 デポジションガスが、CF4、C2F
6,C4F8等のフッ化炭素ガス、または、CHF3、
CH2F2等の水素・炭素・フッ素を含むガスのうち少
なくとも1つを含むガスであることを特徴とする、請求
項1または5記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項9】 デポジション主体の工程において、電極
に高周波電力を印加しないことを特徴とする、請求項1
または5記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項10】 電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ
源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合方式プラズマ
源、アンテナ方式プラズマ源のいずれかを利用してプラ
ズマを発生させることを特徴とする、請求項1または5
記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項11】 被エッチング物が、シリコンであるこ
とを特徴とする、請求項1または5記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項12】 プラズマ発生装置を備えた真空容器内
にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変イ
ンピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコ
アを備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズ
マ発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容
器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置さ
れた基板を処理するプラズマ処理方法であって、所定の
周期でプラズマ発生装置に供給する高周波電力のON/
OFFを切り換えて繰り返し行うことを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項13】 高周波電力のON時間が、プラズマ発
生用整合回路の整合に要する時間の3倍以上であること
を特徴とする、請求項12記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項14】 プラズマ発生装置を備えた真空容器内
にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生
装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力
を供給するとともに、真空容器内に基板を載置するため
の電極に、2つの可変インピーダンス素子として可動部
をもたないトロイダルコアを備えた電極用整合回路を介
して高周波電力を供給することにより、真空容器内にプ
ラズマを発生させ、電極に載置された基板を処理するプ
ラズマ処理方法であって、所定の周期で電極に供給する
高周波電力のON/OFFを切り換えて繰り返し行うこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項15】 高周波電力のON時間が、電極用整合
回路の整合に要する時間の3倍以上であることを特徴と
する、請求項14記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項16】 プラズマ発生装置を備えた真空容器内
にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変イ
ンピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコ
アを備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズ
マ発生装置に高周波電力を供給するとともに、真空容器
内に基板を載置するための電極に、2つの可変インピー
ダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備
えた電極用整合回路を介して高周波電力を供給すること
により、真空容器内にプラズマを発生させ、電極に載置
された基板を処理するプラズマ処理方法であって、所定
の周期でプラズマ発生装置に供給する高周波電力のON
/OFFを切り換えて繰り返し行うことを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項17】 高周波電力のON時間が、電極用整合
回路の整合に要する時間の3倍以上であることを特徴と
する、請求項16記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068301A JP2001257198A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068301A JP2001257198A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | プラズマ処理方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001257198A true JP2001257198A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18587370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000068301A Pending JP2001257198A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2001257198A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008053496A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | エッチング装置 |
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KR101155839B1 (ko) | 2004-04-30 | 2012-06-21 | 램 리써치 코포레이션 | 고속 가스 스위칭 능력을 가진 가스 분배 시스템 |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068301A patent/JP2001257198A/ja active Pending
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