JP2001256773A - 磁気メモリセルのアクセス方法及び磁気メモリセル - Google Patents
磁気メモリセルのアクセス方法及び磁気メモリセルInfo
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- JP2001256773A JP2001256773A JP2000065913A JP2000065913A JP2001256773A JP 2001256773 A JP2001256773 A JP 2001256773A JP 2000065913 A JP2000065913 A JP 2000065913A JP 2000065913 A JP2000065913 A JP 2000065913A JP 2001256773 A JP2001256773 A JP 2001256773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を用
いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面
内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁
極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が
不安定になる。 【解決手段】 閉磁路構造を有する磁気メモリセル１１
の閉磁路内にビット線１２を設け、磁気メモリセル１１
上に絶縁層２６を介してワード線１３を直交配列する。
いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面
内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁
極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が
不安定になる。 【解決手段】 閉磁路構造を有する磁気メモリセル１１
の閉磁路内にビット線１２を設け、磁気メモリセル１１
上に絶縁層２６を介してワード線１３を直交配列する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気メモリセルのア
クセス方法及び磁気メモリセルに関するものである。
クセス方法及び磁気メモリセルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ用再生ヘッドや磁気メモリへの応用
が考えられている。
は、従来の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子や巨大磁
気抵抗効果（ＧＭＲ）素子に比べて大きな出力が得られ
ることから、ＨＤＤ用再生ヘッドや磁気メモリへの応用
が考えられている。
【０００３】特に、磁気メモリにおいては、半導体メモ
リと同じく稼動部の無い固体メモリであり、電源が断た
れても情報を失わない、繰り返し回数が無限回である、
放射線が入射しても記録内容が消失する危険性が無い
等、半導体メモリと比較して有用である。
リと同じく稼動部の無い固体メモリであり、電源が断た
れても情報を失わない、繰り返し回数が無限回である、
放射線が入射しても記録内容が消失する危険性が無い
等、半導体メモリと比較して有用である。
【０００４】従来のＭＴＪ素子の構成例を図４に示す。
なお、このような構造はたとえば特開平９―１０６５１
４号公報に示されている。
なお、このような構造はたとえば特開平９―１０６５１
４号公報に示されている。
【０００５】図４のＭＴＪ素子は、反強磁性層４１、強
磁性層４２、絶縁層４３、強磁性層４４を積層したもの
である。強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化はいずれ
も膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように実効
的な一軸磁気異方性を有している。そして、強磁性層４
２の磁化は反強磁性層４１との交換結合により実質的に
一方向に固定され、強磁性層４４の磁化の方向で記録を
保持する。
磁性層４２、絶縁層４３、強磁性層４４を積層したもの
である。強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化はいずれ
も膜面内にあり、平行もしくは反平行となるように実効
的な一軸磁気異方性を有している。そして、強磁性層４
２の磁化は反強磁性層４１との交換結合により実質的に
一方向に固定され、強磁性層４４の磁化の方向で記録を
保持する。
【０００６】反強磁性層４１としてはＦｅＭｎ、ＮｉＭ
ｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金が用いられ、強磁性層
４２及び強磁性層４４としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或はこ
れらの合金が用いられる。また、絶縁層４３としては各
種の酸化物や窒化物が検討されているが、現在はＡｌ2
Ｏ3膜の場合に最も高い磁気抵抗（ＭＲ）比が得られる
ことが知られている。
ｎ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の合金が用いられ、強磁性層
４２及び強磁性層４４としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或はこ
れらの合金が用いられる。また、絶縁層４３としては各
種の酸化物や窒化物が検討されているが、現在はＡｌ2
Ｏ3膜の場合に最も高い磁気抵抗（ＭＲ）比が得られる
ことが知られている。
【０００７】また、この他に、反強磁性層４１を除いた
構成で、強磁性層４２と強磁性層４４の保磁力差を利用
したＭＴＪ素子の提案もなされている。
構成で、強磁性層４２と強磁性層４４の保磁力差を利用
したＭＴＪ素子の提案もなされている。
【０００８】図４の構造のＭＴＪ素子をランダムアクセ
ス可能な磁気メモリに用いた場合の概略図を図５に示
す。トランジスタ５１は読み出し時にＭＴＪ素子５２を
選択する役割を有している。“０”、“１”の情報は図
４に示すＭＴＪ素子の強磁性層４４の磁化方向によって
記録されており、強磁性層４２の磁化方向は固定されて
いる。そして、強磁性層４２と強磁性層４４の磁化が平
行の時は抵抗値が低く、反平行の時は抵抗値が高くなる
という磁気抵抗効果を利用して情報を読み出す。一方、
書込みは、ビット線５３とワード線５４が形成する合成
磁界によって強磁性層４４の磁化の向きを反転すること
で実現される。なお、５５はプレートラインである。
ス可能な磁気メモリに用いた場合の概略図を図５に示
す。トランジスタ５１は読み出し時にＭＴＪ素子５２を
選択する役割を有している。“０”、“１”の情報は図
４に示すＭＴＪ素子の強磁性層４４の磁化方向によって
記録されており、強磁性層４２の磁化方向は固定されて
いる。そして、強磁性層４２と強磁性層４４の磁化が平
行の時は抵抗値が低く、反平行の時は抵抗値が高くなる
という磁気抵抗効果を利用して情報を読み出す。一方、
書込みは、ビット線５３とワード線５４が形成する合成
磁界によって強磁性層４４の磁化の向きを反転すること
で実現される。なお、５５はプレートラインである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造の
ＭＴＪ素子では強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化が
面内方向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気
メモリの高密度化を図るにはＭＴＪ素子を微細化する必
要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極によ
る反磁界の影響が大きくなる。
ＭＴＪ素子では強磁性層４２及び強磁性層４４の磁化が
面内方向であるため、両端部には磁極が発生する。磁気
メモリの高密度化を図るにはＭＴＪ素子を微細化する必
要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極によ
る反磁界の影響が大きくなる。
【００１０】強磁性層４２については反強磁性層４１と
交換結合していることから、上記の反磁界の影響は少な
く、また、米国特許５８４１６９２号公報に開示されて
いるように、強磁性層４２を反強磁性結合する二つの強
磁性層で構成することにより、端部に発生する磁極を実
質的にゼロにすることができる。
交換結合していることから、上記の反磁界の影響は少な
く、また、米国特許５８４１６９２号公報に開示されて
いるように、強磁性層４２を反強磁性結合する二つの強
磁性層で構成することにより、端部に発生する磁極を実
質的にゼロにすることができる。
【００１１】一方、メモリ層となる強磁性層４４につい
ては同様の手法を取ることができないことから、パター
ンが微細化するに連れて端部磁極の影響により磁化が不
安定となり、記録の保持が困難となってしまう。
ては同様の手法を取ることができないことから、パター
ンが微細化するに連れて端部磁極の影響により磁化が不
安定となり、記録の保持が困難となってしまう。
【００１２】そこで、メモリ層となる強磁性層４４を閉
磁路構造とすることで端部磁極の影響を低減することが
考えられる。この時、ビット線とワード線を両方ともこ
の閉磁路内を通る構成とすれば、書込み時に効率よく強
磁性層４４の磁化を反転できる効果が得られるが、ビッ
ト線とワード線はＭＴＪ素子部で同じ方向に配線される
ため、図５に示すような簡単な直交配列を取ることが困
難になる。閉磁路構造の例は特開平１０−３０２４５６
号公報等に見られるが、その時の最適な磁気メモリセル
のアクセス方法については開示されていない。
磁路構造とすることで端部磁極の影響を低減することが
考えられる。この時、ビット線とワード線を両方ともこ
の閉磁路内を通る構成とすれば、書込み時に効率よく強
磁性層４４の磁化を反転できる効果が得られるが、ビッ
ト線とワード線はＭＴＪ素子部で同じ方向に配線される
ため、図５に示すような簡単な直交配列を取ることが困
難になる。閉磁路構造の例は特開平１０−３０２４５６
号公報等に見られるが、その時の最適な磁気メモリセル
のアクセス方法については開示されていない。
【００１３】本発明は上記課題を解決するために、メモ
リ層となる強磁性層４４に閉磁路構造を導入しても、磁
気メモリのセル密度が低下しない磁気メモリセルのアク
セス方法を提供することを目的とする。
リ層となる強磁性層４４に閉磁路構造を導入しても、磁
気メモリのセル密度が低下しない磁気メモリセルのアク
セス方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明は、磁
気メモリセルの記憶を保持する磁性層上に閉磁路層を設
け、該磁性層と該閉磁路層とが構成する閉磁路内に第一
の電流線を配置し、該閉磁路外に第二の電流線を配置す
るとともに、該第一の電流線に該閉磁路層の磁化は反転
するが該磁性層の磁化は反転しない電流を流し、該二の
電流線に単独では該磁性層の磁化は反転しないが該ビッ
ト線との合成磁界は該磁性層の磁化を反転する電流を流
すことにより該磁性層の磁化方向を変えることを特徴と
する。
気メモリセルの記憶を保持する磁性層上に閉磁路層を設
け、該磁性層と該閉磁路層とが構成する閉磁路内に第一
の電流線を配置し、該閉磁路外に第二の電流線を配置す
るとともに、該第一の電流線に該閉磁路層の磁化は反転
するが該磁性層の磁化は反転しない電流を流し、該二の
電流線に単独では該磁性層の磁化は反転しないが該ビッ
ト線との合成磁界は該磁性層の磁化を反転する電流を流
すことにより該磁性層の磁化方向を変えることを特徴と
する。
【００１５】また、第２発明は、第１発明のアクセス方
法を用いる磁気メモリセルにおいて、前記磁気メモリセ
ルは少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を順に
積層した磁気トンネル接合素子からなり、且つ少なくと
も該第１又は第２磁性層の該磁性層の該絶縁層積層側と
異なる側に中央部を離間して前記閉磁路層を設け、第１
磁性層及び閉磁路層又は第２磁性層及び閉磁路層により
閉磁路が構成されていることを特徴とする。
法を用いる磁気メモリセルにおいて、前記磁気メモリセ
ルは少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を順に
積層した磁気トンネル接合素子からなり、且つ少なくと
も該第１又は第２磁性層の該磁性層の該絶縁層積層側と
異なる側に中央部を離間して前記閉磁路層を設け、第１
磁性層及び閉磁路層又は第２磁性層及び閉磁路層により
閉磁路が構成されていることを特徴とする。
【００１６】更にまた、第３発明は、第１発明のアクセ
ス方法を用いる磁気メモリセルにおいて、前記磁気メモ
リセルは少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を
順に積層した磁気トンネル接合素子からなり、且つ少な
くとも該第１又は第２磁性層の該絶縁層積層側と異なる
側に、金属層を介するとともに中央部を離間して前記閉
磁路層を設け、第１磁性層及び閉磁路層又は第２磁性層
及び閉磁路層により閉磁路が構成されていることを特徴
とする。
ス方法を用いる磁気メモリセルにおいて、前記磁気メモ
リセルは少なくとも第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を
順に積層した磁気トンネル接合素子からなり、且つ少な
くとも該第１又は第２磁性層の該絶縁層積層側と異なる
側に、金属層を介するとともに中央部を離間して前記閉
磁路層を設け、第１磁性層及び閉磁路層又は第２磁性層
及び閉磁路層により閉磁路が構成されていることを特徴
とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図をもとに本発明の磁気メ
モリセルのアクセス方法及び磁気メモリセルについて詳
細に説明する。
モリセルのアクセス方法及び磁気メモリセルについて詳
細に説明する。
【００１８】本発明の実施例を図１に示す。磁気メモリ
セル１１はビット線１２とワード線１３の交点に配置さ
れている。磁気メモリセル１１は図面の縦方向に閉磁路
構造を有しており、磁化も同じ方向を向いている。図１
のＡＢ断面図を図２に示す。簡単化のために一個の磁気
メモリセルのみを示している。
セル１１はビット線１２とワード線１３の交点に配置さ
れている。磁気メモリセル１１は図面の縦方向に閉磁路
構造を有しており、磁化も同じ方向を向いている。図１
のＡＢ断面図を図２に示す。簡単化のために一個の磁気
メモリセルのみを示している。
【００１９】図２に示すように、磁気メモリセル１１は
反強磁性層２１、強磁性層２２、絶縁層２３、強磁性層
２４からなるＭＴＪ素子上に閉磁路層２５が設けられて
いる。そして、反強磁性層２１と強磁性層２２は交換結
合している。また、強磁性層２４と閉磁路層２５は両端
部で接合し、中央部では離間している。この中央離間部
にビット線１２が設けられ、ＭＴＪ素子と電気的に接続
し、また、ワード線１３は磁気メモリセル１１上に絶縁
層２６を介して設けられている。
反強磁性層２１、強磁性層２２、絶縁層２３、強磁性層
２４からなるＭＴＪ素子上に閉磁路層２５が設けられて
いる。そして、反強磁性層２１と強磁性層２２は交換結
合している。また、強磁性層２４と閉磁路層２５は両端
部で接合し、中央部では離間している。この中央離間部
にビット線１２が設けられ、ＭＴＪ素子と電気的に接続
し、また、ワード線１３は磁気メモリセル１１上に絶縁
層２６を介して設けられている。
【００２０】従って、ＭＴＪ素子の片側はビット線１２
と電気的に接続しており、もう一方は図示されていない
選択トランジスタのコレクタに接続されている。また、
ワード線はＭＴＪ素子とは電気的に絶縁されており、図
示されていない選択トランジスタのゲートに接続されて
いる。その結果、図５に示すランダムアクセスの可能な
レイアウトが構成されている。
と電気的に接続しており、もう一方は図示されていない
選択トランジスタのコレクタに接続されている。また、
ワード線はＭＴＪ素子とは電気的に絶縁されており、図
示されていない選択トランジスタのゲートに接続されて
いる。その結果、図５に示すランダムアクセスの可能な
レイアウトが構成されている。
【００２１】磁気メモリセルの情報は強磁性層２４の磁
化方向で記憶される。一方、強磁性層２２の磁化方向は
反強磁性層２１との交換結合で固定されている。従っ
て、強磁性層２２と強磁性層２４の磁化方向が平行、反
平行でＭＴＪ素子の抵抗が変化することを利用して、磁
気メモリセルに記憶された情報即ち強磁性層の磁化方向
を検出する。
化方向で記憶される。一方、強磁性層２２の磁化方向は
反強磁性層２１との交換結合で固定されている。従っ
て、強磁性層２２と強磁性層２４の磁化方向が平行、反
平行でＭＴＪ素子の抵抗が変化することを利用して、磁
気メモリセルに記憶された情報即ち強磁性層の磁化方向
を検出する。
【００２２】磁気メモリセルの情報の書換えはビット線
１２とワード線１３に電流を流し、強磁性層２４の磁化
方向を変えることで実現される。この時、電流を流すビ
ット線１２とワード線１３の交点にある磁気メモリセル
１１以外の磁気メモリセルの強磁性層１２は磁化方向が
変わらないことが必要である。これは、以下のようにし
て実現できる。
１２とワード線１３に電流を流し、強磁性層２４の磁化
方向を変えることで実現される。この時、電流を流すビ
ット線１２とワード線１３の交点にある磁気メモリセル
１１以外の磁気メモリセルの強磁性層１２は磁化方向が
変わらないことが必要である。これは、以下のようにし
て実現できる。
【００２３】強磁性層２４は情報を保持でき、しかも記
録電流で書換えが可能な程度の保磁力を有している。一
方、閉磁路層２５は、強磁性層２４に比して保磁力が小
さい材料で構成されている。磁気メモリセル１１の情報
を書換える場合には、閉磁路層２５の磁化は反転する
が、強磁性層２４の磁化は反転しない大きさの電流をビ
ット線１２に流す。更に、ビット線１２との合成磁界は
強磁性層２４の磁化を反転するが、単独では反転できな
い大きさの電流をワード線１３に流す。この時、ビット
線１２上にある磁気メモリセル１１以外のセルにはワー
ド線１３からの磁界は印加されないため、強磁性層２４
の磁化方向は変化しない。一方、ワード線１３上にある
磁気メモリセル１１以外のセルにはビット線１２からの
磁界は印加されないため、強磁性層２４の磁化方向は変
化しない。
録電流で書換えが可能な程度の保磁力を有している。一
方、閉磁路層２５は、強磁性層２４に比して保磁力が小
さい材料で構成されている。磁気メモリセル１１の情報
を書換える場合には、閉磁路層２５の磁化は反転する
が、強磁性層２４の磁化は反転しない大きさの電流をビ
ット線１２に流す。更に、ビット線１２との合成磁界は
強磁性層２４の磁化を反転するが、単独では反転できな
い大きさの電流をワード線１３に流す。この時、ビット
線１２上にある磁気メモリセル１１以外のセルにはワー
ド線１３からの磁界は印加されないため、強磁性層２４
の磁化方向は変化しない。一方、ワード線１３上にある
磁気メモリセル１１以外のセルにはビット線１２からの
磁界は印加されないため、強磁性層２４の磁化方向は変
化しない。
【００２４】上記のように、強磁性層２４及び閉磁路層
２５の磁気特性と、ビット線１２及びワード線１３に流
す電流の大きさを制御することにより、ビット線１２と
ワード線１３の交点にある磁気メモリセル１１の磁化方
向のみを変えることができる。
２５の磁気特性と、ビット線１２及びワード線１３に流
す電流の大きさを制御することにより、ビット線１２と
ワード線１３の交点にある磁気メモリセル１１の磁化方
向のみを変えることができる。
【００２５】本実施例によれば、ビット線１２は強磁性
層２４と閉磁路層２５とで構成する閉磁路構造内に有る
ことから、十分低い電流で閉磁路層２５の磁化を反転さ
せることができ、強磁性層２４に有効に磁界を印可する
ことができる。一方、ワード線１３もまた絶縁層を介し
て閉磁路層２５に近接して設けられているので、閉磁路
層２５を通じて強磁性層２４に有効に磁界を印可するこ
とができる。従って、図４に示す従来の構造に比して、
十分に低い電流で磁気メモリセル１１の磁化方向を変え
ることができる。従って、閉磁路層２５を高透磁率材料
で構成すれば記録電流の低減化に有効である。
層２４と閉磁路層２５とで構成する閉磁路構造内に有る
ことから、十分低い電流で閉磁路層２５の磁化を反転さ
せることができ、強磁性層２４に有効に磁界を印可する
ことができる。一方、ワード線１３もまた絶縁層を介し
て閉磁路層２５に近接して設けられているので、閉磁路
層２５を通じて強磁性層２４に有効に磁界を印可するこ
とができる。従って、図４に示す従来の構造に比して、
十分に低い電流で磁気メモリセル１１の磁化方向を変え
ることができる。従って、閉磁路層２５を高透磁率材料
で構成すれば記録電流の低減化に有効である。
【００２６】図１に示す磁気メモリセル１１の他の構成
例を図３に示す。図２との相違は強磁性層２４と閉磁路
層２５が金属層２７を介して接合していることである。
この金属層２７の膜厚は、強磁性層２４と閉磁路層２５
とが反強磁性結合するように設定されている。従って、
磁気メモリセル１１の情報の書換えが上記と同様に行わ
れた際、磁気メモリセル１１以外の書換えが行われなか
ったセルにおいて、強磁性層２４と閉磁路層２５の磁化
は、金属層２７を介した反強磁性結合により、確実に閉
磁路を構成するようになる。
例を図３に示す。図２との相違は強磁性層２４と閉磁路
層２５が金属層２７を介して接合していることである。
この金属層２７の膜厚は、強磁性層２４と閉磁路層２５
とが反強磁性結合するように設定されている。従って、
磁気メモリセル１１の情報の書換えが上記と同様に行わ
れた際、磁気メモリセル１１以外の書換えが行われなか
ったセルにおいて、強磁性層２４と閉磁路層２５の磁化
は、金属層２７を介した反強磁性結合により、確実に閉
磁路を構成するようになる。
【００２７】上記の実施例においては、閉磁路構造を有
する磁気メモリセルとして、ＭＴＪ素子を用いた二つの
例を示したが、その他の閉磁路構造を有する磁気メモリ
セルを用いることも可能である。また、上記の実施例に
おいては、ワード線はビット線の上に設けられていた
が、ＭＴＪ素子の下に設けることも可能である。また、
ビット線をＭＴＪ素子から絶縁する、或いは、ビット線
とワード線を入れ替える、或いは、記録用と読み出し用
にビット線もしくはワード線を別個に設ける等も可能で
あり、本発明はビット線とワード線及び閉磁路構造につ
いて上記の実施例に制限されるものでないことは明らか
である。
する磁気メモリセルとして、ＭＴＪ素子を用いた二つの
例を示したが、その他の閉磁路構造を有する磁気メモリ
セルを用いることも可能である。また、上記の実施例に
おいては、ワード線はビット線の上に設けられていた
が、ＭＴＪ素子の下に設けることも可能である。また、
ビット線をＭＴＪ素子から絶縁する、或いは、ビット線
とワード線を入れ替える、或いは、記録用と読み出し用
にビット線もしくはワード線を別個に設ける等も可能で
あり、本発明はビット線とワード線及び閉磁路構造につ
いて上記の実施例に制限されるものでないことは明らか
である。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の磁気メモリセル
のアクセス方法によれば、強磁性層及び閉磁路層の磁気
特性と、ビット線及びワード線に流す電流の大きさを制
御することにより、単一の磁気メモリセルのみをアクセ
スできるとともに記録電流を低減することができる。ま
た、磁気メモリセルの端部磁極の影響を低減できること
から、パターンが微細化されても安定した磁化状態を保
持することができるとともに、より高い集積度の磁気メ
モリを実現することができる。また、メモリ層となる強
磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏洩磁界に対
して安定となる。更にまた、本発明により磁気メモリの
消費電力を低減することができる。
のアクセス方法によれば、強磁性層及び閉磁路層の磁気
特性と、ビット線及びワード線に流す電流の大きさを制
御することにより、単一の磁気メモリセルのみをアクセ
スできるとともに記録電流を低減することができる。ま
た、磁気メモリセルの端部磁極の影響を低減できること
から、パターンが微細化されても安定した磁化状態を保
持することができるとともに、より高い集積度の磁気メ
モリを実現することができる。また、メモリ層となる強
磁性層が閉磁路構造を取ることから、外部漏洩磁界に対
して安定となる。更にまた、本発明により磁気メモリの
消費電力を低減することができる。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】本発明の実施例にある磁気メモリセルの断面図
である。
である。
【図３】本発明の実施例にある磁気メモリセルの他の断
面図である。
面図である。
【図４】従来のＭＴＪ素子の構成を示す図である。
【図５】従来の磁気メモリの概略図である。
１１ 磁気メモリセル １２ ビット線 １３ ワード線 ２１、４１ 反強磁性層 ２２、２４、４２、４４ 強磁性層 ２３、４３ 絶縁層 ２５ 閉磁路層 ２６ 絶縁層 ２７ 金属層 ５１ トランジスタ ５２ ＭＴＪ素子 ５３ ビット線 ５４ ワード線 ５５ プレートライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 秀和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D091 CC05 CC26 HH20 5F083 FZ10 GA11 KA01 KA05
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気メモリセルの記憶を保持する磁性層
上に閉磁路層を設け、該磁性層と該閉磁路層とが構成す
る閉磁路内に第一の電流線を配置し、該閉磁路外に第二
の電流線を配置するとともに、該第一の電流線に該閉磁
路層の磁化は反転するが該磁性層の磁化は反転しない電
流を流し、該第二の電流線に単独では該磁性層の磁化は
反転しないが該第一の電流線との合成磁界は該磁性層の
磁化を反転する電流を流すことにより、該磁性層の磁化
方向を変えることを特徴とする磁気メモリセルのアクセ
ス方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のアクセス方法を用いる磁
気メモリセルにおいて、前記磁気メモリセルは少なくと
も第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を順に積層した磁気
トンネル接合素子からなり、且つ少なくとも該第１又は
第２磁性層の該磁性層の該絶縁層積層側と異なる側に中
央部を離間して前記閉磁路層を設け、第１磁性層及び閉
磁路層又は第２磁性層及び閉磁路層により閉磁路が構成
されていることを特徴とする磁気メモリセル。 - 【請求項３】 請求項１記載のアクセス方法を用いる磁
気メモリセルにおいて、前記磁気メモリセルは少なくと
も第１磁性層、絶縁層、第２磁性層を順に積層した磁気
トンネル接合素子からなり、且つ少なくとも該第１又は
第２磁性層の該絶縁層積層側と異なる側に、金属層を介
するとともに中央部を離間して前記閉磁路層を設け、第
１磁性層及び閉磁路層又は第２磁性層及び閉磁路層によ
り閉磁路が構成されていることを特徴とする磁気メモリ
セル。
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