JP2001255555A - 液晶表示装置およびアレイ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトホールの残渣発生を解消して表示
ムラを低減することができ生産性が向上される液晶表示
装置およびアレイ基板を提供すること。 【課題手段】 アレイ基板は、スイッチング素子と、ス
イッチング素子上の形成された絶縁層と、絶縁層上に形
成された画素電極とをアレイ状に有する。絶縁層には、
スイッチング素子の端子と画素電極とを電気的に接続す
るためのコンタクトホールが形成され、画素電極のコン
タクトホールとの対応位置が画素電極の中心より隅にあ
り、画素電極は、アレイの対向する二辺または四辺にお
いてコンタクトホールとの対応位置がアレイの中心側を
向く方向に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びアレイ基板に係り、特に、表示ムラを低減できる液晶
表示装置およびアレイ基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータを中心とする情報機
器分野およびテレビなどを中心とする映像機器分野にお
いて、軽量、小型、高精細な液晶表示装置が用いられて
いる。

【０００３】このような液晶表示装置で一般的に用いら
れているものの主たる構造は、電極を有する２枚のガラ
ス基板とその間に挟持された液晶層である。

【０００４】詳しくいうと、例えば、カラー型アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置においては、第１の基板で
あるアレイ基板上には、アモルファスシリコンやポリシ
リコンを半導体層とした薄膜トランジスタ（スイッチン
グ素子）と薄膜トランジスタに接続された画素電極とが
マトリクス状に、また、画素電極に接続された走査線お
よび信号線が縦横にストライプ状に形成されている。

【０００５】一方、第２の基板である対向基板上には、
三原色の着色層のついたカラーフィルタおよび対向電極
が形成されている。また、この２枚の基板間には距離を
保つためのスペーサ（スペーサ材）が設置（封入）され
ており、さらに２枚の基板は液晶封入口を除いて基板の
周辺に形成された接着剤で固定されている。

【０００６】また、別の構造として、２枚の基板の貼り
合わせ精度の精密さを不要とするため、また、画素の開
口率を向上するため、アレイ基板上に縦構造としたスイ
ッチング素子と画素電極との間にカラーフィルタ層や透
明絶縁膜を形成するものも存在する。このような構造で
は、スイッチング素子と画素電極とを電気的に接続（コ
ンタクト）するためカラーフィルタ層にコンタクトホー
ルを形成する必要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】カラーフィルタ層にコ
ンタクトホールを形成する構造を有する液晶表示装置で
は、コンタクトホールの表示画面全面にわたる均一な形
成が問題となる。均一な形成がされれば、いずれの画素
においてもスイッチング素子と画素電極との電気的接触
が良好になされるが、均一でないとその電気的接触が不
良となる画素が形成され、その部分で表示がムラになる
からである。

【０００８】すなわち、例えば、図５に示すように、基
板１１上にスイッチング素子１２を形成し、さらにその
上にカラーフィルタとなるべき樹脂１３を塗布し、フォ
トマスクによるパターニングと現像とによりこれを選択
的に取り去りコンタクトホール１４を形成する。このと
きコンタクトホール１４に樹脂１３の残骸など（残渣１
５）が残ると、このあと成膜する画素電極１６とスイッ
チング素子１２との電気的接触が不良となり、表示画素
として機能しない。

【０００９】特に、このような不均一は、表示装置の表
示領域であって非表示領域に近い部分で発生しやすい。
これは、カラーフィルタ層を形成する工程において、表
示領域と非表示領域とでは、これを形成すべき基板上に
その工程までに形成されているパターンが異なるためそ
の影響で、カラーフィルタとなるべき樹脂材料の塗布時
の膜厚が、非表示領域に近い上記の部分で他の部分より
厚くなるからである。

【００１０】つまり、樹脂をスピンナーで全面塗布する
ときに凹凸のある一定の形成パターン上ではそのパター
ンに影響されつつ塗布厚が決まるが、一定のパターンが
崩れる場所ではこれとは異なる厚さになるということで
ある。

【００１１】他の部分より厚くなると、フォトマスクに
よるパターニングと現像とによるコンタクトホールの形
成において、通常の厚みを有する部分を基準に現像工程
で樹脂を取り去るので樹脂層が厚い分だけ残渣として残
りやすくなる。例えば、膜厚差は、１μｍ程度は発生し
得、これに近い分の残渣の発生となる。

【００１２】このため、表示装置の表示領域であって非
表示領域に近い部分では、スイッチング素子と画素電極
との電気的接触不良となる場合を生ずる。したがって、
その発生の程度によっては製品の歩留まりに影響し生産
性を損なうことにもなる。

【００１３】本発明は、上記した問題を考慮してなされ
たもので、コンタクトホールの残渣発生を解消して表示
ムラを低減することができ生産性が向上される液晶表示
装置およびアレイ基板を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る液晶表示装置は、アレイ基板と、前記
アレイ基板に対向配置された対向基板と、前記アレイ基
板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有し、前
記アレイ基板は、スイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成さ
れた画素電極とをアレイ状に有し、前記絶縁層には、前
記スイッチング素子と前記画素電極とを電気的に接続す
るためのコンタクトホールが形成され、前記画素電極の
前記コンタクトホールとの対応位置が前記画素電極の中
心より隅にあり、前記アレイ状に形成された画素電極の
うち最外周の少なくとも対向する二辺に配置された画素
電極に対応する前記コンタクトホールは、対応する各々
の画素電極の中心より前記アレイ基板の中心側に配置さ
れていることを特徴とする特徴とする。

【００１５】これにより、少なくともアレイの対向する
二辺において、画素の必要ない非表示領域からコンタク
トホールまでの距離がある程度確保されることになる。

【００１６】したがって、カラーフィルタ膜厚の厚めの
部分を避けてコンタクトホールを形成することが可能に
なり、コンタクトホールの残渣発生が解消される。この
ためスイッチング素子と画素電極との電気的接触が非表
示領域に近い部分でも確実となり表示ムラの発生が低減
される。

【００１７】また、本発明に係る液晶表示装置は、アレ
イ基板と、前記アレイ基板に対向配置された対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶とを有し、前記アレイ基板は、スイッチング素子
と、前記スイッチング素子上に形成された絶縁層と、前
記絶縁層上に形成された画素電極とをアレイ状に有し、
前記絶縁層には、前記スイッチング素子と前記画素電極
とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成さ
れ、前記画素電極の前記コンタクトホールとの対応位置
が前記画素電極の中心より隅にあり、前記アレイ状に形
成された画素電極のうち最外周に配置された画素電極に
対応する前記コンタクトホールは、対応する各々の画素
電極の中心より前記アレイ基板の中心側に配置されてい
ることを特徴とする。

【００１８】これにより、アレイの四辺において、画素
の必要ない非表示領域からコンタクトホールまでの距離
がある程度確保されることになる。

【００１９】したがって、上下のみならず左右について
もカラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクト
ホールを形成することが可能になり、コンタクトホール
の残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と
画素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確
実となり表示ムラの発生が低減される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を参照しながら説明する。

【００２１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る液
晶表示装置における画素電極の配置とそのそれぞれのコ
ンタクトホールの位置を示す図である。同図に示すよう
に、各画素に形成されたコンタクトホール２の上には画
素電極１が形成される。なお、画素電極１の配置ピッチ
は例えば、縦１００μｍ、横３０μｍ程度とすることが
できる。

【００２２】本実施形態は、コンタクトホール２が同図
において画素電極１の上方に配置される画素がマトリク
ス状（アレイ状）に配置されるものであって、その図に
おける第１行の画素電極１のみ１８０度回転させた方向
に配置させたものである（図１）。これにより、第１行
の画素および最後の行の画素ともに、画素の必要ない非
表示領域からコンタクトホールまでの距離がある程度確
保されることになる。

【００２３】したがって、カラーフィルタ膜厚の厚めの
部分を避けてコンタクトホールを形成することが可能に
なり、コンタクトホールの残渣発生が解消される。この
ためスイッチング素子と画素電極との電気的接触が非表
示領域に近い部分でも確実となり表示ムラの発生が低減
される。

【００２４】以下に、これを確かめるための製造工程例
を示す。

【００２５】これには、一般的なアクティブマトリクス
素子を形成するプロセスと同様に、成膜とパターニング
を繰り返して薄膜トランジスタ素子等を形成するプロセ
スを用いることができる。

【００２６】まず、透明基板上にゲート線をモリブデン
で膜厚約０．３μｍのスパッタリングにより成膜し、フ
ォトリソグラフィにより所定の形状にパターン形成す
る。その上に、膜厚０．１５μｍで二酸化ケイ素あるい
は窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜層を形成し、その上
に薄膜トランジスタの半導体層を設ける。さらにその上
に、膜厚０．３μｍのＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ
ｏｘｉｄｅ：インジウムすず酸化物）からなる信号線と
ソース電極とを形成し薄膜トランジスタとする。このと
き、図１に示すようなコンタクトホールの位置に合わせ
てこれらのパターンを形成する。

【００２７】続いて、赤色の顔料を分散させた感光性レ
ジストＣＲ−２０００（富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー株式会社製）をスピンナーで全面塗布し、９
０℃、１０分の乾燥後、赤色の着色層を形成する部分の
みに紫外線を照射し、外周部（幅１０μｍ）およびコン
タクトホール部（２０μｍ×２０μｍ）では紫外線が遮
光されるようなフォトマスクを介し、露光量が２００ｍ
Ｊ／ｃｍ２ となるように露光を行う。そして、水酸化
カリウム１ｗｔ％水溶液で２０秒間現像を行い、２００
℃、６０分焼成することにより、赤色の着色層（赤カラ
ーフィルタ）を形成する。フォトマスクのパターンは図
１に示すようなコンタクトホールの配置となるようなも
のとする。

【００２８】同様に、緑、青の着色層（カラーフィル
タ）を繰り返し形成することにより、各着色層の膜厚が
１．５μｍであるカラーフィルタ層を得る。ここで、緑
の着色材料にはＣＧ−２０００（富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー株式会社製）、青の着色材料にはＣ
Ｂ−２０００（同）を用いることができる。

【００２９】その後、ＩＴＯを膜厚約０．１μｍでスパ
ッタリングして画素電極を形成し薄膜トランジスタのソ
ース電極端子とコンタクトホール部で接続するようにフ
ォトリソグラフィにより所定の形状にパターン形成す
る。画素電極のパターン形成は図１に示すように第１行
のみ１８０度反転した形状とする。

【００３０】さらに、感光性の黒色樹脂をスピンナーで
塗布し、９０℃、１０分の乾燥後、スペーサ部（７μｍ
×１５μｍ）と表示エリアの外周部（幅３ｍｍ）に紫外
線が照射されるようなフォトマスクを介して、露光量３
００ｍＪ／ｃｍ２ で露光を行う。その後ｐＨ＝１１．
５のアルカリ性水溶液で現像し、２００℃、６０分焼成
することにより、スペーサと表示エリア外周部の遮光層
を形成する。

【００３１】このような工程により得られたアレイ基板
と、共通電極を形成した対向基板とを、それぞれ、配向
膜材料ＡＬ−１０５１（日本合成ゴム株式会社製）を塗
布し配向膜を形成後、ラビング処理を行い、エポキシ系
の熱硬化樹脂からなる接着剤ＸＮ−２１５（三井合成ゴ
ム株式会社製）を用いて貼り合わせ、液晶ＺＬＩ−４７
９２（Ｅ．メルク製）を注入し、注入口を紫外線硬化樹
脂で封止して液晶セルを作成する。

【００３２】この液晶セルの両面に偏向板としてＬＬＣ
２−９２１８Ｓ（株式会社サンリッツ製）を貼りつけモ
ジュール組立てを行ないこれを液晶表示装置のアセンブ
ルに用いることができる。

【００３３】このようにして得られたモジュールを画像
表示駆動すれば、コンタクト不良による輝点不良（信号
による輝度制御が不能）や表示ムラがなく品質の高い画
像が得られる。

【００３４】また、作成したアレイ基板の非表示領域に
隣接するコンタクトホールをＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆ
ｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）およびＳＥＭ（ｓｃ
ａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｅ）で観察すれば、コンタクトホールに残渣がないこと
も実際に確認し得る。さらに、ＩＲ（赤外線）スペクト
ラム、ＳＩＭＳでもコンタクトホールに残渣がないこと
を確認し得る。

【００３５】次に、本発明の第２の実施形態について図
２を参照して説明する。

【００３６】同図は、本発明の第２の実施形態に係る液
晶表示装置における画素電極の配置とそのそれぞれのコ
ンタクトホールの位置を示す図である。同図に示すよう
に、各画素に形成されたコンタクトホール２の上には画
素電極１が形成される。

【００３７】本実施形態は、画素の隣り合う各２行が１
８０度異なる向きで１組となってマトリクスを構成する
もので、その際に各画素のコンタクトホールが各２行の
内側に並ぶように配置されるものである（図２）。これ
により、第１行の画素および最後の行の画素ともに、表
示画素の必要ない非表示領域からコンタクトホールまで
の距離がある程度確保されることになる。

【００３８】したがって、カラーフィルタ膜厚の厚めの
部分を避けてコンタクトホールを形成することが可能に
なり、コンタクトホールでの残渣発生が解消される。こ
のためスイッチング素子と画素電極との電気的接触が非
表示領域に近い部分でも確実となり表示ムラの発生が低
減される。

【００３９】この実施形態も上記の実施形態と同様な工
程により製造することができる。その際の違いの一つ
は、カラーフィルタ層の形成時のフォトマスクを図２に
示すような配置でコンタクトホール２が形成されるよう
にすることである。

【００４０】このようにして得られたモジュールを実際
に画像表示駆動すれば、コンタクト不良による輝点不良
や表示ムラがなく品質の高い画像が得られる。

【００４１】また、この実施形態では、第１の実施形態
に比較して、画素の配列パターンが表示全面にわたり均
一であり、配列パターンの不規則性に起因する局部的な
不良の発生をより抑制し得る。

【００４２】すなわち、本実施形態によれば、画素形状
の形成パターンを表示部全体にわたり規則化することが
できるので、局部的なパターンの不規則性に起因する不
良を低減し得る。

【００４３】次に、本発明の第３の実施形態について図
３を参照して説明する。

【００４４】同図は、本発明の第３の実施形態に係る液
晶表示装置における画素電極の配置とそのそれぞれのコ
ンタクトホールの位置を示す図である。同図に示すよう
に、各画素に形成されたコンタクトホール２の上には画
素電極１が形成される。

【００４５】本実施形態は、コンタクトホールが同図に
おいて画素電極の下方右側に配置される画素がマトリク
ス状に配置されるものであって、その図における最後の
行のみ画素電極形状を行に平行な線についての線対称と
して配置させ、かつ、最後の列のみ画素電極形状を列に
平行な線についての線対称として配置させたものである
（図３）。これにより、第１行の画素および最後の行の
画素ともに表示画素の必要ない非表示領域からコンタク
トホールまでの距離がある程度確保され、かつ、第１列
の画素および最後の列の画素ともに表示画素の必要ない
非表示領域からコンタクトホールまでの距離がある程度
確保されることになる。

【００４６】したがって、上下のみならず左右について
もカラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクト
ホールを形成することが可能になり、コンタクトホール
の残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と
画素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確
実となり表示ムラの発生が低減される。

【００４７】この実施形態も上記の第１の実施形態と同
様な工程により製造することができる。その際の違いの
ひとつは、カラーフィルタ層の形成時のフォトマスクを
図３に示すような配置でコンタクトホール２が形成され
るようにすることである。

【００４８】このようにして得られたモジュールを実際
に画像表示駆動すれば、コンタクト不良による輝点不良
や表示ムラがなく品質の高い画像が得られる。

【００４９】すなわち、本実施形態によれば、画素電極
は、アレイの四辺において、コンタクトホールとの対応
位置がアレイの中心側を向く方向に配置されるので、画
素の必要ない非表示領域からコンタクトホールまでの距
離がある程度確保され、上下のみならず左右についても
カラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクトホ
ールを形成することが可能になり、コンタクトホールの
残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と画
素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確実
となり表示ムラの発生が低減される。

【００５０】次に、本発明の第４の実施形態について図
４を参照して説明する。

【００５１】同図は、本発明の第４の実施形態に係る液
晶表示装置における画素電極の配置とそのそれぞれのコ
ンタクトホールの位置を示す図である。同図に示すよう
に、各画素に形成されたコンタクトホール２の上には画
素電極１が形成される。

【００５２】本実施形態は、コンタクトホールが画素電
極の一つの隅方向部に配置される画素を４つ１組として
これをマトリクス状に配置させるものであって、そのそ
れぞれの組は、コンタクトホールが位置する隅をその４
つの中心に至近となるよう画素電極の形状を対称に形成
し配置させたものである（図４）。これにより、第１行
の画素および最後の行の画素ともに画素の必要ない非表
示領域からコンタクトホールまでの距離がある程度確保
され、かつ、第１列の画素および最後の列の画素ともに
画素の必要ない非表示領域からコンタクトホールまでの
距離がある程度確保されることになる。

【００５３】したがって、上下のみならず左右について
もカラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクト
ホールを形成することが可能になり、コンタクトホール
の残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と
画素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確
実となり表示ムラの発生が低減される。

【００５４】この実施形態も上記の第１の実施形態と同
様な工程により製造することができる。その際の違いの
ひとつは、カラーフィルタ層の形成時のフォトマスクを
図４に示すような配置でコンタクトホール２が形成され
るようにすることである。

【００５５】このようにして得られたモジュールを実際
に画像表示駆動すれば、コンタクト不良による輝点不良
や表示ムラがなく品質の高い画像が得られる。

【００５６】すなわち、本実施形態によれば、画素電極
は、アレイの四辺において、コンタクトホールとの対応
位置がアレイの中心側を向く方向に配置されるので、画
素の必要ない非表示領域からコンタクトホールまでの距
離がある程度確保され、上下のみならず左右についても
カラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクトホ
ールを形成することが可能になり、コンタクトホールの
残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と画
素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確実
となり表示ムラの発生が低減される。

【００５７】また、この実施形態では、第１、第３の実
施形態に比較して、画素の配列パターンが表示全面にわ
たり均一であり、配列パターンの不規則性に起因する局
部的な不良の発生をより抑制し得る。

【００５８】すなわち、本実施形態によれば、画素形状
の形成パターンを表示部全体にわたり規則化することが
できるので、局部的なパターンの不規則性に起因する不
良を低減し得る。

【００５９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
画素電極は、少なくともアレイの対向する二辺におい
て、コンタクトホールとの対応位置がアレイの中心側を
向く方向に配置されるので、画素の必要ない非表示領域
からコンタクトホールまでの距離がある程度確保され、
カラーフィルタ膜厚の厚めの部分を避けてコンタクトホ
ールを形成することが可能になり、コンタクトホールの
残渣発生が解消される。このためスイッチング素子と画
素電極との電気的接触が非表示領域に近い部分でも確実
となり表示ムラの発生が低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置ま
たはアレイ基板における画素電極の配置とそのそれぞれ
のコンタクトホールの位置を示す図。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置ま
たはアレイ基板における画素電極の配置とそのそれぞれ
のコンタクトホールの位置を示す図。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置ま
たはアレイ基板における画素電極の配置とそのそれぞれ
のコンタクトホールの位置を示す図。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置ま
たはアレイ基板における画素電極の配置とそのそれぞれ
のコンタクトホールの位置を示す図。

【図５】コンタクトホールに発生する残渣を説明する
図。

【符号の説明】

１ 画素電極 ２ コンタクトホール

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA28 JA35 JA38 JA39 JA42 JA43 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB52 KA12 KA16 KA18 KB14 KB23 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA35 MA37 MA41 NA01 NA25 NA27 NA29 PA08 PA09 5C094 AA03 AA08 AA42 AA43 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 CA20 CA24 DA13 DB04 EA04 EA05 EB02 ED03 FA01 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA04 AA17 BB12 CC09 GG12 KK05

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アレイ基板と、前記アレイ基板に対向配
   置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
   の間に挟持された液晶とを有し、 前記アレイ基板は、スイッチング素子と、前記スイッチ
   ング素子上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成
   された画素電極とをアレイ状に有し、 前記絶縁層には、前記スイッチング素子と前記画素電極
   とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成さ
   れ、 前記画素電極の前記コンタクトホールとの対応位置が前
   記画素電極の中心より隅にあり、 前記アレイ状に形成された画素電極のうち最外周の少な
   くとも対向する二辺に配置された画素電極に対応する前
   記コンタクトホールは、対応する各々の画素電極の中心
   より前記アレイ基板の中心側に配置されていることを特
   徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 アレイ基板と、前記アレイ基板に対向配
   置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
   の間に挟持された液晶とを有し、 前記アレイ基板は、スイッチング素子と、前記スイッチ
   ング素子上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成
   された画素電極とをアレイ状に有し、 前記絶縁層には、前記スイッチング素子と前記画素電極
   とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成さ
   れ、 前記画素電極の前記コンタクトホールとの対応位置が前
   記画素電極の中心より隅にあり、 前記アレイ状に形成された画素電極のうち最外周に配置
   された画素電極に対応する前記コンタクトホールは、対
   応する各々の画素電極の中心より前記アレイ基板の中心
   側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記画素電極は、前記アレイの隣り合う列または行ごと
   に１８０度向きが反転されて配置されることを特徴とす
   る請求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 請求項２記載の液晶表示装置において、 最外周の一辺に配置された画素電極は、最外周の前記一
   辺に隣り合う辺に形成された画素電極形状に対してアレ
   イの列または行に関する線対称の形状であることを特徴
   とする請求項２記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項２記載の液晶表示装置において、 前記画素電極は、各列、各行ともに１画素ごとに前記
   列、前記行に関する線対称の形状を有して配置されるこ
   とを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 スイッチング素子と、前記スイッチング
   素子上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され
   た画素電極とをアレイ状に有し、 前記絶縁層には、前記スイッチング素子と前記画素電極
   とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成さ
   れ、 前記画素電極の前記コンタクトホールとの対応位置が前
   記画素電極の中心より隅にあり、 前記アレイ状に形成された画素電極のうち最外周の少な
   くとも対向する二辺に配置された画素電極に対応する前
   記コンタクトホールは、対応する各々の画素電極の中心
   より前記アレイ基板の中心側に配置されていることを特
   徴とするアレイ基板。
7. 【請求項７】 スイッチング素子と、前記スイッチング
   素子上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され
   た画素電極とをアレイ状に有し、 前記絶縁層には、前記スイッチング素子と前記画素電極
   とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成さ
   れ、 前記画素電極の前記コンタクトホールとの対応位置が前
   記画素電極の中心より隅にあり、 前記アレイ状に形成された画素電極のうち最外周に配置
   された画素電極に対応する前記コンタクトホールは、対
   応する各々の画素電極の中心より前記アレイ基板の中心
   側に配置されていることを特徴とするアレイ基板。
8. 【請求項８】 請求項６記載の液晶表示装置において、 前記画素電極は、前記アレイの隣り合う列または行ごと
   に１８０度向きが反転されて配置されることを特徴とす
   る請求項６記載のアレイ基板。
9. 【請求項９】 請求項７記載の液晶表示装置において、 最外周の一辺に配置された画素電極は、最外周の前記一
   辺に隣り合う辺に形成された画素電極形状に対してアレ
   イの列または行に関する線対称の形状であることを特徴
   とする請求項７記載のアレイ基板。
10. 【請求項１０】 請求項７記載の液晶表示装置におい
    て、 前記画素電極は、各列、各行ともに画素ごとに前記列、
    前記行に関する線対称の形状を有して配置されることを
    特徴とする請求項７記載のアレイ基板。