JP2001247733A - Electronic part - Google Patents

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JP2001247733A
JP2001247733A JP2000147591A JP2000147591A JP2001247733A JP 2001247733 A JP2001247733 A JP 2001247733A JP 2000147591 A JP2000147591 A JP 2000147591A JP 2000147591 A JP2000147591 A JP 2000147591A JP 2001247733 A JP2001247733 A JP 2001247733A
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dielectric
present
ether compound
conductor
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JP2000147591A
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Japanese (ja)
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Minoru Takatani
稔 高谷
Hisashi Kosara
恒 小更
Toshiichi Endo
敏一 遠藤
Masashi Takahara
誠志 高原
Toshiyuki Abe
敏之 阿部
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic part for high frequency excellent in high-frequency characteristics and accordingly, excellent in overall electrical characteristics by using at least any of a resin substrate excellent in high-frequency characteristics, a magnetic substrate excellent in high-frequency characteristics, and a dielectric substrate excellent in high-frequency characteristics. SOLUTION: This electronic part has a constitution comprising at least any of an organic dielectric layer having a polyvinyl benzyl ether compound, a composite magnetic substance layer comprising a magnetic powder dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound and a composite dielectric layer comprising a dielectric powder dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数
領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、磁気特
性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使用に適
したプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and a laminated circuit using a prepreg and a substrate, and is particularly suitable for use in a high frequency region (100 MHz or more). The present invention relates to an electronic component using a prepreg and a substrate suitable for an intended use.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a remarkable trend toward miniaturization and high-density mounting methods in the field of electronic devices for communication, consumer use, industrial use, and the like. Heat resistance, dimensional stability, electrical properties, and moldability are being demanded.

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。[0003] As a high-frequency electronic component or a high-frequency multilayer substrate, a substrate obtained by forming a sintered ferrite or sintered ceramic into a multi-layered substrate is generally known. Making these materials into a multi-layer substrate has been conventionally used because of its merit of miniaturization.

【０００４】しかしながら、焼結フェライト材料では磁
気特性を示す透磁率μの周波数特性が５００ＭHz程度ま
でしか延びないため、ＧHzの高周波帯域での使用は限ら
れてしまっていたり、材料の比誘電率が大きく浮遊容量
の影響を受け、高周波特性の低下という課題を有してい
た。However, in the case of sintered ferrite materials, the frequency characteristics of the magnetic permeability μ indicating the magnetic characteristics extend only up to about 500 MHz, so that the use in the high frequency band of GHz is limited or the relative permittivity of the materials is reduced. There is a problem that the high frequency characteristics are deteriorated due to the influence of the stray capacitance.

【０００５】また、単に焼結セラミックを用いたのでは
比誘電率を４以下にすることが困難であり、高周波特性
を高めるためにはさらなる低誘電率かが望まれていた。Further, it is difficult to reduce the relative dielectric constant to 4 or less simply by using a sintered ceramic, and a higher dielectric constant has been desired in order to enhance high-frequency characteristics.

【０００６】高周波特性を改善する方法としては、焼結
フェライト等のセラミック磁性材料、もしくはセラミッ
ク誘電材料と有機樹脂材料の複合材料による基板を提供
する試みがなされている（特開平９−７６３４１号公
報、特開平１１−１９２６２０号公報、特開平８−６９
７１２号公報）。しかしながら、未だに所望の高周波特
性を得られていないというのが現状である。As a method for improving high frequency characteristics, an attempt has been made to provide a substrate made of a ceramic magnetic material such as sintered ferrite or a composite material of a ceramic dielectric material and an organic resin material (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-76341). JP-A-11-192620, JP-A-8-69
712 publication). However, at present, desired high-frequency characteristics have not yet been obtained.

【０００７】さらに、焼結フェライトと焼結セラミック
といった異材質を同一積層基板内部に含有させ、多層化
させる場合においては、線膨張係数の違いによりクラッ
クが発生し易いといった問題も有していた。Further, when different materials such as sintered ferrite and sintered ceramic are contained in the same laminated substrate to form a multilayer structure, there is a problem that cracks are likely to occur due to a difference in linear expansion coefficient.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優
れた磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板とのい
ずれかを用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総
合的な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供するこ
とである。An object of the present invention is to use at least one of a resin substrate excellent in high-frequency characteristics, a magnetic substrate excellent in high-frequency characteristics, and a dielectric substrate excellent in high-frequency characteristics. Another object of the present invention is to provide a high-frequency electronic component having excellent high-frequency characteristics and, consequently, excellent overall electric characteristics.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。 （１） 少なくともポリビニルベンジルエーテル化合物
を有する有機誘電体層、ポリビニルベンジルエーテル化
合物に磁性粉が分散されている複合磁性体層、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物に誘電体粉末が分散されてい
る複合誘電体層のいずれかを有する電子部品。 （２） 前記ポリビニルベンジルエーテル化合物は、下
記一般式（１）で示される上記（１）の電子部品。The above object is achieved by the present invention described below. (1) An organic dielectric layer having at least a polyvinyl benzyl ether compound, a composite magnetic layer in which magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and a composite dielectric layer in which dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound An electronic component having any of the above. (2) The electronic component according to the above (1), wherein the polyvinyl benzyl ether compound is represented by the following general formula (1).

【００１０】[0010]

【化２】 Embedded image

【００１１】（式中、Ｒ1 はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、Ｒ3 は水素原子またはビニルベンジル基を示
し（但し、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は６
０：４０〜０：１００である）、ｎは２〜４の数を示
す）で示されるポリビニルベンジルエーテル化合物。 （３） 少なくとも強化繊維を包含する層を１層有する
上記（１）または（２）の電子部品。 （４） ポリビニルベンジルエーテル化合物を有し、比
誘電率が２．６〜３．５、誘電正接が０．００２５〜
０．００５である有機誘電体層を少なくとも１層有する
上記（１）〜（３）のいずれかの電子部品。 （５） ポリビニルベンジルエーテル化合物中に誘電体
粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が２
０〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００１であ
り、全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２
５〜０．００７５である第１の複合誘電体層を少なくと
も１層有する上記（１）〜（３）のいずれかの電子部
品。 （６） ポリビニルベンジルエーテル化合物中に誘電体
粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が２
０〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．０００１、
含有量が４０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が１
０〜４０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５であ
る第２の複合誘電体層を少なくとも１層有する上記
（１）〜（３）のいずれかの電子部品。 （７） ポリビニルベンジルエーテル化合物中に磁性粉
が分散されていて、前記磁性粉の含有量が２５〜６５体
積％であり、全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体
層を少なくとも１層有する上記（１）〜（３）のいずれ
かの電子部品。 （８） 少なくともいずれかの層に１種または２種以上
の難燃剤を含有する上記（１）〜（７）のいずれかの電
子部品。(Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom or a vinylbenzyl group (provided that The molar ratio of hydrogen atom to vinylbenzyl group is 6
0:40 to 0: 100), and n represents a number of 2 to 4). (3) The electronic component according to (1) or (2) above, which has at least one layer containing reinforcing fibers. (4) having a polyvinyl benzyl ether compound, having a relative dielectric constant of 2.6 to 3.5 and a dielectric loss tangent of 0.0025 to
The electronic component according to any one of the above (1) to (3), having at least one organic dielectric layer having a thickness of 0.005. (5) A dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and the dielectric powder has a relative dielectric constant of 2
0 to 10000, dielectric tangent is 0.01 to 0.001, overall relative dielectric constant is 5 to 20, and dielectric tangent is 0.002.
The electronic component according to any one of (1) to (3), further including at least one first composite dielectric layer having a thickness of 5 to 0.0075. (6) The dielectric powder is dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound, and the dielectric powder has a relative dielectric constant of 2
0-10000, dielectric loss tangent 0.01-0.0001,
The content is 40 to 65% by volume, and the relative dielectric constant of the whole is 1
The electronic component according to any one of (1) to (3), further including at least one second composite dielectric layer having 0 to 40 and a dielectric tangent of 0.0025 to 0.0075. (7) At least one composite magnetic material layer in which a magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, the content of the magnetic powder is 25 to 65% by volume, and the total magnetic permeability is 3 to 20 An electronic component according to any one of the above (1) to (3). (8) The electronic component according to any one of (1) to (7), wherein at least one of the layers contains one or more flame retardants.

【００１２】[0012]

【作用】本発明は少なくともポリビニルベンジルエーテ
ル化合物、ポリビニルベンジルエーテル化合物と磁性粉
との複合材料、およびポリビニルベンジルエーテル化合
物と誘電体粉末との複合材料のいずれかを用いて多層基
板を構成することにより、比誘電率が小さく、高周波特
性に優れた磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板
を可能としている。このことが、結果として総合的に高
周波特性に優れた多層基板、これを用いた電子部品を可
能としている。According to the present invention, a multilayer substrate is formed by using at least one of a polyvinyl benzyl ether compound, a composite material of a polyvinyl benzyl ether compound and a magnetic powder, and a composite material of a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric powder. This enables a magnetic substrate having a small relative dielectric constant and excellent in high-frequency characteristics and a dielectric substrate having excellent high-frequency characteristics. As a result, a multilayer substrate having excellent high-frequency characteristics as a whole and an electronic component using the multilayer substrate have been made possible.

【００１３】なお、高周波用多層基板としては、フッ素
樹脂、ポリイミド樹脂等の材料により構成されたものも
検討されているが（特開平１１−１１６６７２号公報、
特開平７−３３５４４０号公報）、多層化が困難である
といった課題を有している。このため、本発明のポリビ
ニルベンジルエーテル化合物を用いた基板、およびその
複合材では従来のガラスエポキシ基板と同等の工程で容
易に多層化でき、既存の製造設備を使って製造できるこ
とから製造コストの面でも極めて有用である。As a high-frequency multilayer substrate, a substrate composed of a material such as a fluororesin or a polyimide resin has been studied (JP-A-11-116672,
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335440) has a problem that multilayering is difficult. For this reason, the substrate using the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention and its composite material can be easily multi-layered in the same process as a conventional glass epoxy substrate, and can be manufactured using existing manufacturing equipment. But it is extremely useful.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の電子部品は、少なくともポリビニルベン
ジルエーテル化合物を有する有機誘電体層、ポリビニル
ベンジルエーテル化合物に磁性粉が分散されている複合
磁性体層、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体
粉末が分散されている複合誘電体層のいずれかを有する
樹脂複合型の電子部品である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. The electronic component of the present invention includes an organic dielectric layer having at least a polyvinyl benzyl ether compound, a composite magnetic layer in which a magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and a composite in which a dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound. It is a resin composite type electronic component having any one of the dielectric layers.

【００１５】このような構成とすることによって、誘電
率の調整が容易となり、低誘電率化も可能で、高周波数
領域（１００MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下
の領域）での使用に好適である。また、複合磁性体層は
優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的と
した使用に適している。一方、複合誘電体層は高周波数
帯域で、比較的高いＱやεを得ることも可能であり、こ
うした特性が要求される用途（例えばストリップライン
や、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等
の電子部品）に適した複合誘電体基板となり、しかも高
強度である。By adopting such a configuration, the dielectric constant can be easily adjusted and the dielectric constant can be reduced, and it is suitable for use in a high frequency region (100 MHz or more, particularly 100 MHz to 10 GHz). . In addition, the composite magnetic layer is suitable for applications utilizing excellent magnetic properties or for magnetic shielding. On the other hand, the composite dielectric layer can obtain a relatively high Q and ε in a high frequency band, and can be used in applications requiring such characteristics (for example, strip lines, impedance matching circuits, delay circuits, antennas, etc.). It becomes a composite dielectric substrate suitable for (electronic parts) and has high strength.

【００１６】また、このような複合磁性体層、あるいは
複合誘電体層を用いて基板、積層型電子部品を形成する
場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパタ
ーニングが実現でき、かつ多層化を実現することができ
る。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板
製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび
作業性の改善を図ることができる。また、このようにし
て得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特
性の向上したものである。When a substrate or a laminated electronic component is formed using such a composite magnetic layer or composite dielectric layer, adhesion and patterning with a copper foil can be realized without using an adhesive or the like. In addition, multilayering can be realized. Such patterning and multi-layer processing can be performed in the same process as a normal substrate manufacturing process, so that cost reduction and improvement in workability can be achieved. Further, the electronic component using the substrate obtained in this way has high strength and improved high-frequency characteristics.

【００１７】さらに、本発明を説明する。本発明の電子
部品に用いられるポリビニルベンジルエーテル化合物
は、下記一般式（１）で示されるものが好ましい。Further, the present invention will be described. The polyvinyl benzyl ether compound used for the electronic component of the present invention is preferably represented by the following general formula (1).

【００１８】[0018]

【化３】 Embedded image

【００１９】（式中、Ｒ1 はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、Ｒ3 は水素原子またはビニルベンジル基を示
し（但し、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は６
０：４０〜０：１００である）、ｎは２〜４の数を示
す）(Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom or a vinylbenzyl group (provided that The molar ratio of hydrogen atom to vinylbenzyl group is 6
0:40 to 0: 100), n represents a number of 2 to 4)

【００２０】また本発明は、下記一般式（２）The present invention also relates to the following general formula (2):

【００２１】[0021]

【化４】 Embedded image

【００２２】（式中、Ｒ1 はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、ｎは２〜４の数を示す）で示されるポリフェ
ノールと、ビニルベンジルハライドとを、アルカリ金属
水酸化物の存在下で反応させて得られる、上記一般式
（１）で示されるポリビニルベンジルエーテル化合物を
用いてもよい。(Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and n represents a number of 2 to 4). And a vinylbenzyl halide, which is obtained by reacting the compound with a vinylbenzyl halide in the presence of an alkali metal hydroxide and represented by the general formula (1).

【００２３】上記一般式（１）で示される本発明のポリ
ビニルベンジルエーテル化合物において、Ｒ1 はメチル
基またはエチル基を示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数
１〜１０の炭化水素基、好ましくはベンジル基を表し、
Ｒ3 は水素原子またはビニルベンジル基を表すものであ
る。ここで、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は
６０：４０〜０：１００である。また、ｎは２〜４の値
を有する。本発明の一般式（１）のポリビニルベンジル
エーテル化合物は、例えば、特開平９−３１００６号公
報に記載されているように、上記一般式（２）に示され
るポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとを反応
させることにより合成することができる。In the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention represented by the general formula (1), R 1 represents a methyl group or an ethyl group, and R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, preferably Represents a benzyl group,
R 3 represents a hydrogen atom or a vinylbenzyl group. Here, the molar ratio between the hydrogen atom and the vinylbenzyl group is from 60:40 to 0: 100. Further, n has a value of 2 to 4. The polyvinyl benzyl ether compound of the general formula (1) of the present invention is obtained, for example, by reacting the polyphenol represented by the general formula (2) with vinyl benzyl halide as described in JP-A-9-31006. Can be synthesized.

【００２４】一般式（２）のポリフェノールは、市販さ
れているものを利用することができ、例えば日本石油化
学社製ＰＰ−７００−３００、ＰＰ−１０００−１８０
等が挙げられる。As the polyphenol of the general formula (2), commercially available ones can be used. For example, PP-700-300 and PP-1000-180 manufactured by Nippon Petrochemical Co., Ltd.
And the like.

【００２５】ビニルベンジルハライドとしては、ｐ−ビ
ニルベンジルクロライド、ｍ−ビニルベンジルクロライ
ド、ｐ−ビニルベンジルクロライドとｍ−ビニルベンジ
ルクロライドとの混合体、ｐ−ビニルベンジルブロマイ
ド、ｍ−ビニルベンジルブロマイドおよびｐ−ビニルベ
ンジルブロマイドとｍ−ビニルベンジルブロマイドとの
混合体等が挙げられる。中でも好ましくは、ｐ−ビニル
ベンジルクロライド、およびｐ−ビニルベンジルクロラ
イドとｍ−ビニルベンジルクロライドとの混合体がよ
い。ｐ−ビニルベンジルクロライドを使用すると、対称
性がよくなり、高融点、高軟化点のポリビニルベンジル
エーテル化合物が得られる。また、ｐ−ビニルベンジル
クロライドとｍ−ビニルベンジルクロライドとの混合体
を使用すると、低融点、低軟化点のポリビニルベンジル
エーテル化合物が得られ、作業性が良好となる。Examples of the vinylbenzyl halide include p-vinylbenzyl chloride, m-vinylbenzyl chloride, a mixture of p-vinylbenzyl chloride and m-vinylbenzyl chloride, p-vinylbenzyl bromide, m-vinylbenzyl bromide and p-vinylbenzyl bromide. A mixture of -vinylbenzyl bromide and m-vinylbenzyl bromide. Of these, p-vinylbenzyl chloride and a mixture of p-vinylbenzyl chloride and m-vinylbenzyl chloride are preferred. When p-vinylbenzyl chloride is used, the symmetry is improved, and a polyvinyl benzyl ether compound having a high melting point and a high softening point can be obtained. When a mixture of p-vinylbenzyl chloride and m-vinylbenzyl chloride is used, a polyvinyl benzyl ether compound having a low melting point and a low softening point is obtained, and the workability is improved.

【００２６】ポリフェノールとビニルベンジルハライド
との反応は、とくに制限されるものではないが、例えば
ポリフェノールとビニルベンジルハライドとを、極性中
性溶媒中、アルカリ金属水酸化物を脱塩酸剤として用い
反応させる方法が挙げられる。The reaction between polyphenol and vinylbenzyl halide is not particularly limited. For example, polyphenol and vinylbenzyl halide are reacted in a polar neutral solvent using an alkali metal hydroxide as a dehydrochlorinating agent. Method.

【００２７】ポリフェノールとビニルベンジルハライド
との配合割合は、適宜設計することができるが、例えば
モル比として、ポリフェノール：ビニルベンジルハライ
ド＝１００：４０〜１００：１２０であることができ
る。The mixing ratio of polyphenol and vinylbenzyl halide can be appropriately designed. For example, the molar ratio of polyphenol: vinylbenzyl halide can be 100: 40 to 100: 120.

【００２８】極性中性溶媒としては、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン、アセトニトリル、
テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエー
テル、１,３−ジメトキシプロパン、１,２−ジメトキシ
プロパン、テトラメチレンスルホン、ヘキサメチルホス
ホアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、アセトンおよびこれらの混合物が挙げられる。Examples of the polar neutral solvent include dimethylformamide, dimethylsulfoxide, dimethylacetamide,
N-methylpyrrolidone, dioxane, acetonitrile,
Examples include tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, 1,3-dimethoxypropane, 1,2-dimethoxypropane, tetramethylene sulfone, hexamethylphosphamide, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetone and mixtures thereof.

【００２９】アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウムおよびこれらの混合物等が挙
げられる。アルカリ金属水酸化物の配合割合は、例えば
フェノール性水酸基１モルに対して１.１〜２.０倍モル
程度がよい。Examples of the alkali metal hydroxide include potassium hydroxide, sodium hydroxide and a mixture thereof. The mixing ratio of the alkali metal hydroxide is, for example, preferably about 1.1 to 2.0 times mol per mol of phenolic hydroxyl group.

【００３０】反応温度および反応時間は、それぞれ３０
〜１００℃で、０.５〜２０時間であればよい。The reaction temperature and the reaction time are each 30
The temperature may be 0.5 to 20 hours at １００100 ° C.

【００３１】これとは別の方法として、相間移動触媒、
例えば第４級アンモニウム塩の存在下で、上記ポリフェ
ノールとビニルベンジルハライドとを、水／有機溶剤混
合液中、アルカリ金属水酸化物を脱塩酸剤として１００
℃までの温度で反応させることにより、本発明のポリビ
ニルベンジルエーテル化合物が得られる。Alternatively, a phase transfer catalyst,
For example, in the presence of a quaternary ammonium salt, the above-mentioned polyphenol and vinylbenzyl halide are mixed in a water / organic solvent mixture by using an alkali metal hydroxide as a dehydrochlorinating agent.
By reacting at a temperature of up to ° C., the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention is obtained.

【００３２】なお、上記方法で本発明のポリビニルベン
ジルエーテル化合物を製造した場合、ポリフェノールと
ビニルベンジルハライドの配合設計により、出発原料の
一つである一般式（２）のポリフェノールにおけるフェ
ノール性水酸基が、すべてビニルベンジル基に置換させ
ないものを作ることができる。この場合、上記反応によ
り得られるものは、本発明のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物と一般式（２）のポリフェノールとの混合体で
ある。本発明においては、特定割合未満、すなわち両者
に対して６０モル％未満であれば、このポリフェノール
は存在していてもよい。しかし、６０モル％を超える
と、後に行う硬化反応が十分に達成されず、また良好な
誘電特性を示さなくなるので好ましくない。When the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention is produced by the above method, the phenolic hydroxyl group in the polyphenol of the general formula (2), which is one of the starting materials, is All can be made not substituted with vinylbenzyl group. In this case, what is obtained by the above reaction is a mixture of the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention and the polyphenol of the general formula (2). In the present invention, the polyphenol may be present as long as it is less than a specific ratio, that is, less than 60 mol% based on both. However, if it exceeds 60 mol%, the curing reaction performed later is not sufficiently achieved, and good dielectric properties are not exhibited.

【００３３】一般式（２）のポリフェノール水酸基のビ
ニルベンジル基への置換率は、４０〜１００モル％、好
ましくは６０〜１００モル％である。この置換率は、当
然のことながら高ければ高いほど望ましい。この置換率
は、ポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとの配
合設計により適宜調整することができる。The substitution ratio of the hydroxyl group of the polyphenol to the vinylbenzyl group in the general formula (2) is 40 to 100 mol%, preferably 60 to 100 mol%. Of course, the higher the substitution rate, the better. This substitution ratio can be appropriately adjusted by a blending design of polyphenol and vinylbenzyl halide.

【００３４】ポリフェノールの存在が許されない場合
は、ポリフェノールとビニルベンジルハライドとの配合
設計および適当な手段、例えば溶媒／非溶媒系の組み合
わせによる再沈殿精製法により未反応原料等を除去すれ
ばよい。When the presence of polyphenol is not allowed, unreacted raw materials and the like may be removed by a blending design of polyphenol and vinylbenzyl halide and a suitable means, for example, a reprecipitation purification method using a combination of a solvent and a non-solvent system.

【００３５】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物は、それ自体あるいは他の共重合可能な単量体と重合
および硬化させることにより、広い周波数領域で良好で
一定で、且つ温度や吸湿性に依存しにくい誘電特性を示
し、さらに耐熱性にも優れる樹脂として使用することが
できる。The polyvinyl benzyl ether compound of the present invention can be polymerized and cured with itself or with other copolymerizable monomers, so that it is good and constant over a wide frequency range, and hardly depends on temperature or moisture absorption. It can be used as a resin that shows dielectric properties and has excellent heat resistance.

【００３６】共重合可能な単量体としては、例えばスチ
レン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、ジビニルベ
ンジルエーテル、アリルフェノール、アリルオキシベン
ゼン、ジアリルフタレート、アクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル、ビニルピロリドン等が挙げられる。
これらの単量体の配合割合は、ポリビニルベンジルエー
テル化合物に対して、２〜５０重量％程度である。Examples of the copolymerizable monomer include styrene, vinyl toluene, divinyl benzene, divinyl benzyl ether, allyl phenol, allyl oxybenzene, diallyl phthalate, acrylate, methacrylate, and vinylpyrrolidone. .
The mixing ratio of these monomers is about 2 to 50% by weight based on the polyvinyl benzyl ether compound.

【００３７】また、本発明のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物は、既知の熱硬化性樹脂、例えばビニルエステ
ル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポ
リフェノールのポリシアナート樹脂、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ビニルベンジル化合物等や、既知の熱可
塑性樹脂、例えばポリエーテルイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂
等と組み合わせて使用することも可能である。その配合
割合は、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物に
対して５〜９０重量％程度である。中でも好ましくは、
ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイ
ミド樹脂、ポリフェノールのポリシアナート樹脂、エポ
キシド樹脂およびこれらの混合物からなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。The polyvinyl benzyl ether compound of the present invention may be a known thermosetting resin, for example, a vinyl ester resin, an unsaturated polyester resin, a maleimide resin, a polyphenol polycyanate resin, an epoxy resin, a phenol resin, a vinyl benzyl compound, or the like. It is also possible to use in combination with known thermoplastic resins, for example, polyetherimide, polyethersulfone, polyacetal, dicyclopentadiene resin and the like. The compounding ratio is about 5 to 90% by weight based on the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention. Among them, preferably,
It is at least one selected from the group consisting of vinyl ester resins, unsaturated polyester resins, maleimide resins, polyphenol polycyanate resins, epoxide resins, and mixtures thereof.

【００３８】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物自体、あるいはこの化合物と他の単量体または熱硬化
性樹脂とを含有してなる硬化性樹脂組成物の重合および
硬化は、公知の方法で行うことができる。硬化は、硬化
剤の存在下または不存在下のいずれでも可能である。硬
化剤を使用する場合は、例えば過酸化ベンゾイル、メチ
ルエチルケトンパーオキシド、ジクミルパーオキシド、
ｔ−ブチルパーベンゾエート等の公知のラジカル重合開
始剤を使用することができる。使用量は、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物１００重量部に対して０〜１０重
量部である。The polymerization and curing of the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention itself or a curable resin composition containing this compound and another monomer or a thermosetting resin can be carried out by a known method. it can. Curing is possible either in the presence or absence of a curing agent. When a curing agent is used, for example, benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide,
A known radical polymerization initiator such as t-butyl perbenzoate can be used. The amount used is 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyvinyl benzyl ether compound.

【００３９】硬化温度は、硬化剤の使用の有無および硬
化剤の種類によっても異なるため一概に規定できない
が、２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２５０℃であ
る。温度が２０℃未満では、十分な硬化が得られない。The curing temperature varies depending on whether or not a curing agent is used and the type of the curing agent, and cannot be unconditionally specified, but is 20 to 250 ° C., preferably 50 to 250 ° C. If the temperature is lower than 20 ° C., sufficient curing cannot be obtained.

【００４０】また、硬化の調整のために、ハイドロキノ
ン、ベンゾキノン、銅塩等を配合できる。For adjusting the curing, hydroquinone, benzoquinone, copper salt and the like can be blended.

【００４１】本発明の電子部品は、上記ポリビニルベン
ジルエーテル化合物から形成され、比誘電率が２．６〜
３．５、誘電正接が０．００２５〜０．００５である有
機誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。こ
のような、有機誘電体層は、分布容量を少なくすること
ができるため、特にコイル等のインダクタ素子の形成に
適している。The electronic component of the present invention is formed from the above polyvinyl benzyl ether compound and has a relative dielectric constant of 2.6 to 2.6.
It is preferable to have at least one organic dielectric layer having a dielectric tangent of 3.5 and a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.005. Such an organic dielectric layer is suitable for forming an inductor element such as a coil, in particular, because the distributed capacitance can be reduced.

【００４２】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に誘電体粉末が分散されていて、前記
誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１であり、全体の比誘電率が５〜
２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５である第
１の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好まし
い。このような構成とすることにより、適度な誘電率
と、高いＱとを得ることができ、伝達ロスが少なくな
り、特にバルントランス、アンテナ、パワーアンプ等の
電子回路の形成に適している。In the electronic component of the present invention, a dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and the dielectric powder has a relative dielectric constant of 20 to 10,000 and a dielectric loss tangent of 0.01 to 0.0001. , The relative dielectric constant of the whole is 5
20, it is preferable to have at least one first composite dielectric layer having a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.0075. With such a configuration, an appropriate dielectric constant and a high Q can be obtained, and transmission loss is reduced, which is particularly suitable for forming electronic circuits such as a balun transformer, an antenna, and a power amplifier.

【００４３】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に誘電体粉末が分散されていて、前記
誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１、含有量が４０〜６５ vol％で
あり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なく
とも１層有することが好ましい。このような構成とする
ことにより、適度なＱ値と高い誘電率を得ることがで
き、特にコンデンサやパッチアンテナ、あるいはＶＣＯ
（電圧制御発振器）、パワーアンプ等の電子回路の形成
に適している。In the electronic component of the present invention, a dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and the dielectric powder has a relative dielectric constant of 20 to 10,000 and a dielectric loss tangent of 0.01 to 0.0001. The amount is 40 to 65 vol%, the overall relative dielectric constant is 10 to 40, and the dielectric loss tangent is 0.0.
It is preferable to have at least one second composite dielectric layer having a thickness of 075 to 0.025. With such a configuration, an appropriate Q value and a high dielectric constant can be obtained. In particular, a capacitor, a patch antenna, or a VCO
(Voltage controlled oscillator), suitable for forming electronic circuits such as power amplifiers.

【００４４】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に磁性粉が分散されていて、この磁性
粉の含有量が２５〜６５体積％であり、全体の透磁率が
３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有するこ
とが好ましい。このような構成とすることにより、適度
な透磁率を確保しつつ低誘電率となり、高周波数領域
（１００MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下の領
域）での使用が可能となり、磁性粉の含有量を大きくで
きることから磁気特性を利用した電子部品や電子部品の
磁気シールドに適したものとなる。The electronic component of the present invention has a composite in which a magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, the content of the magnetic powder is 25 to 65% by volume, and the whole magnetic permeability is 3 to 20. It is preferable to have at least one magnetic layer. With such a configuration, a low dielectric constant is obtained while maintaining an appropriate magnetic permeability, and it can be used in a high frequency region (100 MHz or more, particularly 100 MHz or more and 10 GHz or less), and the content of the magnetic powder is reduced. Since it can be made larger, it is suitable for electronic parts utilizing magnetic characteristics and magnetic shielding of electronic parts.

【００４５】これらの構成層は、少なくとも上記いずれ
かの層が一層以上含まれていればよく、目的とする電子
部品の構成、機能等により適宜組み合わせて用いればよ
い。These constituent layers only need to include at least one of the above layers, and may be used in an appropriate combination depending on the structure, function, and the like of the target electronic component.

【００４６】本発明に用いるセラミクス粉末、特に上記
第１の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は高い
Ｑとある程度の比誘電率を持つことを必要とする。特に
２GHzでの比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１であることが好ましく、さらに
Ｑが２５０〜５００００であることが好ましい。このよ
うな構成により高いＱと比誘電率の複合誘電体を得るこ
とが可能である。The ceramic powder used in the present invention, in particular, the ceramic powder contained in the first composite dielectric layer needs to have high Q and a certain dielectric constant. In particular, the relative dielectric constant at 2 GHz is preferably from 20 to 10,000, the dielectric loss tangent is preferably from 0.01 to 0.0001, and the Q is preferably from 250 to 50,000. With such a configuration, it is possible to obtain a composite dielectric having a high Q and a relative dielectric constant.

【００４７】本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波
数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電
率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上
用いてもよい。セラミック粉末は、第１の複合誘電体層
全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜
０．００７５となるように含有されていればよい。The ceramic powder used in the present invention may be any ceramic powder having a higher relative dielectric constant and Q than the resin serving as the dispersion medium in a high frequency band, and two or more kinds may be used. The ceramic powder has a relative dielectric constant of the whole first composite dielectric layer of 5 to 20, and a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.0025.
What is necessary is just to be contained so that it may become 0.0075.

【００４８】セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶
粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含め
て、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分
とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２GH
zにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。The ceramics powder may be a single crystal powder such as sapphire or a polycrystalline alumina powder. Including these, the type of the ceramic powder is preferably, for example, a dielectric powder having the following composition as a main component. 2GH
The relative dielectric constant ε and the Q value at z are shown.

【００４９】Mg2SiO4[ε=7、Q=20000]、Al2O3[ε=9.8、
Q=40000]、MgTiO3[ε=17、Q=22000]、ZnTiO3[ε=26、Q=
800]、Zn2TiO4[ε=15、Q=700]、TiO2[ε=104、Q=1500
0]、CaTiO3[ε=170、Q=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=70
0]、SrZrO3[ε=30、Q=1200]、BaTi 2O5[ε=42、Q=570
0]、BaTi4O9[ε=38、Q=9000]、Ba2Ti9O20[ε=39、Q=900
0]、Ba 2(Ti,Sn)9O20[ε=37、Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q
=7000]、(Zr,Sn)TiO4[ε=38、Q=7000]、BaNd2Ti5O14[ε
=83、Q=2100]、BaSm2TiO14[ε=74、Q=2400]、Bi2O3-BaO
-Nd2O3-TiO2系[ε=88、Q=2000]、PbO-BaO-Nd2O3-TiO2系
[ε=90、Q=5200]、(Bi2O 3、PbO)-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε=
105、Q=2500]、La2Ti2O7[ε=44、Q=4000]、Nd2Ti 2O7[ε
=37、Q=1100]、(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、Ba(Mg1/3
Ta2/3)O3[ε=25、Q=35000]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=30、
Q=14000]、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3[ε=41、Q=9200]、Sr(Zn
1/3Nb2/3)O3[ε=40、Q=4000]等。MgTwoSiOFour[ε = 7, Q = 20000], AlTwoOThree[ε = 9.8,
Q = 40000], MgTiOThree[ε = 17, Q = 22000], ZnTiOThree[ε = 26, Q =
800], ZnTwoTiOFour[ε = 15, Q = 700], TiOTwo[ε = 104, Q = 1500
0], CaTiOThree[ε = 170, Q = 1800], SrTiOThree[ε = 255, Q = 70
0], SrZrOThree[ε = 30, Q = 1200], BaTi TwoOFive[ε = 42, Q = 570
0], BaTiFourO9[ε = 38, Q = 9000], BaTwoTi9O20[ε = 39, Q = 900
0], Ba Two(Ti, Sn)9O20[ε = 37, Q = 5000], ZrTiOFour[ε = 39, Q
= 7000], (Zr, Sn) TiOFour[ε = 38, Q = 7000], BaNdTwoTiFiveO14[ε
= 83, Q = 2100], BaSmTwoTiO14[ε = 74, Q = 2400], BiTwoOThree-BaO
-NdTwoOThree-TiOTwoSystem [ε = 88, Q = 2000], PbO-BaO-NdTwoOThree-TiOTwosystem
[ε = 90, Q = 5200], (BiTwoO Three, PbO) -BaO-NdTwoOThree-TiOTwoThe system [ε =
105, Q = 2500], LaTwoTiTwoO7[ε = 44, Q = 4000], NdTwoTi TwoO7[ε
= 37, Q = 1100], (Li, Sm) TiOThree[ε = 81, Q = 2050], Ba (Mg1/3
Ta2/3) OThree[ε = 25, Q = 35000], Ba (Zn1/3Ta2/3) OThree[ε = 30,
Q = 14000], Ba (Zn1/3Nb2/3) OThree[ε = 41, Q = 9200], Sr (Zn
1/3Nb2/3) OThree[ε = 40, Q = 4000] etc.

【００５０】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。TiO2、CaTiO3、SrTiO3、BaO-Nd2O3-TiO2
系、Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2系、BaTi4O 9、Ba2Ti9O20、Ba
2(Ti,Sn)9O20系、MgO-TiO2系、ZnO-TiO2系、MgO-SiO
2系、Al2O 3、等。More preferably, the following composition is a main component.
Things. TiOTwo, CaTiOThree, SrTiOThree, BaO-NdTwoOThree-TiOTwo
System, BiTwoOThree-BaO-NdTwoOThree-TiOTwoSystem, BaTiFourO 9, BaTwoTi9O20, Ba
Two(Ti, Sn)9O20System, MgO-TiOTwoSystem, ZnO-TiOTwoSystem, MgO-SiO
TwoSystem, AlTwoO Three,etc.

【００５１】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成型体を得られない。The average particle size of the ceramics powder is preferably about 0.2 to 100 μm in consideration of the kneadability with the resin and the like. If the particle size is small, kneading with the resin becomes difficult. In addition, when the particle size is large, the powder becomes non-uniform and cannot be uniformly dispersed, and a dense molded body cannot be obtained when molding a composition having a large powder content.

【００５２】本発明の第１の複合誘電体層は、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂と上記セラ
ミクスとを主成分とするものであるが、ポリビニルベン
ジルエーテル化合物とセラミクス粉末との合計量を１０
０vol%としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０vol%
以上７０vol%未満であり、好ましくは２０vol%以上６０
vol%以下の範囲である。The first composite dielectric layer of the present invention comprises a resin obtained from a polyvinyl benzyl ether compound and the above-mentioned ceramics as main components, and the total amount of the polyvinyl benzyl ether compound and the ceramic powder is 10%.
When 0 vol%, the content of the ceramic powder is 10 vol%
At least 70 vol%, preferably at least 20 vol% and at least 60 vol%.
It is in the range of vol% or less.

【００５３】セラミクス粉末が７０vol%以上であると緻
密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を
添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもあ
る。一方、セラミクス粉末が１０vol%未満であると、セ
ラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。If the content of the ceramic powder is 70 vol% or more, a dense composition cannot be obtained. In addition, Q may be greatly reduced as compared with the case where no ceramics powder is added. On the other hand, if the content of the ceramic powder is less than 10 vol%, the effect of containing the ceramic powder is not so much observed.

【００５４】本発明の第１の複合誘電体層は各成分を上
記の範囲内で適宜設定することにより、ポリビニルベン
ジルエーテル化合物から得られる樹脂よりも大きくする
ことができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ること
が可能となる。The first composite dielectric layer of the present invention can be made larger than the resin obtained from the polyvinyl benzyl ether compound by appropriately setting each component within the above range. It is possible to obtain a high rate and a high Q.

【００５５】本発明に用いるセラミクス粉末、特に上記
第２の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は特に
高い比誘電率を持つことを必要とする。The ceramic powder used in the present invention, particularly the ceramic powder contained in the second composite dielectric layer, needs to have a particularly high dielectric constant.

【００５６】比誘電率が、好ましくは比誘電率が２０〜
１００００、誘電正接が０．０１〜０．０００１である
ことが好ましく、さらにＱが２５０〜５００００である
ことが好ましい。このようなセラミクス粉末をポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂中に分散さ
せることで、より高い比誘電率の複合誘電体を得ること
が可能である。The relative dielectric constant is preferably 20 to
Preferably, the dielectric loss tangent is 10,000 to 0.0001, and the Q is 250 to 50,000. By dispersing such ceramics powder in a resin obtained from a polyvinyl benzyl ether compound, a composite dielectric having a higher relative dielectric constant can be obtained.

【００５７】本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波
数帯域、特に２ＧHzにおいて、第２の複合誘電体層全体
の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜
０．０２５とできる粉末であればよく、２種類以上用い
てもよいが、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末か
ら選択されるものが好ましい。併せて２GHzにおける比
誘電率εを示す。The ceramic powder used in the present invention has a relative dielectric constant of the whole second composite dielectric layer of 10 to 40 and a dielectric loss tangent of 0.0075 to 0.004 in a high frequency band, particularly 2 GHz.
Any powder may be used as long as it can be 0.025, and two or more kinds may be used. However, a powder selected from dielectric powder having the following composition as a main component is preferable. In addition, the relative dielectric constant ε at 2 GHz is shown.

【００５８】BaTiO3[ε=1500]、(Ba,Pb)TiO3系[ε=600
0]、Ba(Ti,Zr)O3系[ε=9000](Ba,Sr)TiO3系[ε=7000]。BaTiO 3 [ε = 1500], (Ba, Pb) TiO 3 [ε = 600
0], Ba (Ti, Zr) O 3 system [ε = 9000] (Ba, Sr) TiO 3 system [ε = 7000].

【００５９】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。BaTiO3、Ba(Ti,Zr)O3
系。More preferably, it is selected from dielectric powders having the following compositions as main components. BaTiO 3 , Ba (Ti, Zr) O 3
system.

【００６０】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。The ceramics powder may be a single crystal or polycrystal powder.

【００６１】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成形体を得られない。The average particle size of the ceramic powder is preferably about 0.2 to 100 μm in consideration of the kneading property with the resin, and the smaller the particle size, the more difficult it is to knead with the resin. In addition, when the particle size is large, the powder becomes non-uniform, and cannot be uniformly dispersed, and a compact having a large powder content cannot be obtained.

【００６２】本発明の第２の複合誘電体層は、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂と上記のセ
ラミクスとを主成分とするものであるが、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物とセラミクス粉末との合計量を１
００vol%としたとき、セラミクス粉末の含有量は４０vo
l%以上６５vol%未満であり、好ましくは４０vol%以上６
０vol%以下の範囲である。The second composite dielectric layer of the present invention comprises a resin obtained from a polyvinyl benzyl ether compound and the above-mentioned ceramics as main components, but the total amount of the polyvinyl benzyl ether compound and the ceramic powder is reduced. 1
When the volume is set to 00 vol%, the content of the ceramic powder is 40 vo.
l% or more and less than 65 vol%, preferably 40 vol% or more
The range is 0 vol% or less.

【００６３】フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍ
ｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。As ferrite, Mn-Mg-Zn
System, Ni-Zn system, Mn-Zn system, etc., and Mn-M
A g-Zn system, a Ni-Zn system, and the like are preferable.

【００６４】強磁性金属としては、カーボニル鉄、鉄−
シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：セ
ンダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロ
イ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ま
しい。As ferromagnetic metals, carbonyl iron, iron-
Silicon-based alloys, iron-aluminum-silicon-based alloys (trade name: Sendust), iron-nickel-based alloys (trade name: Permalloy), amorphous (iron-based, cobalt-based) and the like are preferable.

【００６５】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。Means for making these into powder are pulverization,
A known method such as granulation may be used.

【００６６】磁性粉の粒径は０．０１〜１００μm であ
ることが好ましく、平均粒径は１〜５０μm であること
が好ましい。このような粒径とすることによって、磁性
粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。こ
れに対し、磁性粉の粒径が大きくなるとペースト化した
際に沈降し易くなり、均一に分散しにくい。また、肉薄
の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の
平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小
さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程度が
限度である。The particle size of the magnetic powder is preferably from 0.01 to 100 μm, and the average particle size is preferably from 1 to 50 μm. With such a particle size, the dispersibility of the magnetic powder is improved, and the effect of the present invention is improved. On the other hand, when the particle size of the magnetic powder is large, the magnetic powder tends to settle when it is made into a paste, and is difficult to be uniformly dispersed. Also, when it is attempted to form a thin substrate or prepreg, it becomes difficult to obtain a smooth surface. It is practically difficult to make the particle size too small, and the limit is about 0.01 μm.

【００６７】磁性粉の粒度は均一であることが好まし
く、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえて
もよい。磁性分の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれ
のものでも良く、その用途により使い分ければよい。ま
た、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁
材のコーティングなどの処理を施してもよい。The particle size of the magnetic powder is preferably uniform, and if necessary, the particle size may be uniformed by sieving or the like. The shape of the magnetic component may be any one of a spherical shape, a flat shape, and an elliptical shape, and may be properly used depending on the application. If necessary, the surface may be subjected to a treatment such as oxidation, coupling, or coating of an organic insulating material.

【００６８】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性粉を
２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、
用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すれば
よい。Further, two or more kinds of magnetic powders having different types and particle size distributions may be used. The mixing ratio at that time is arbitrary,
The material used, the particle size distribution, and the mixing ratio may be adjusted depending on the application.

【００６９】磁性粉の透磁率μは１０〜１００００００
であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方
が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。The magnetic permeability μ of the magnetic powder is 10 to 10,000,000
It is preferred that In addition, it is preferable that the bulk insulating property is high because the insulating property when the substrate is formed is improved.

【００７０】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物と磁性粉との混合比としては、形成される複合磁性体
層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていれ
ばよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階
で、樹脂と磁性粉との比率で示した場合、磁性粉の含有
量は２５〜６５ vol％（５０〜９０wt% ）であることが
好ましい。このような磁性粉の含有量とすることで、複
合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効
果が向上する。これに対し、磁性粉の含有量が多くなる
とスラリー化して塗工することが困難になり、基板、プ
リプレグの作製が困難になる。一方、磁性粉の含有量が
少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁
気特性が低下してしまう。The mixing ratio between the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention and the magnetic powder may be such that the whole composite magnetic layer formed has a magnetic permeability of 3 to 20. In particular, when the ratio of the resin to the magnetic powder is indicated in the paste step of coating on a glass cloth or the like, the content of the magnetic powder is preferably 25 to 65 vol% (50 to 90 wt%). With such a content of the magnetic powder, the magnetic permeability of the entire composite magnetic layer becomes 3 to 20, and the effect of the present invention is improved. On the other hand, when the content of the magnetic powder is large, it is difficult to form a slurry and apply the slurry, and it is difficult to prepare a substrate and a prepreg. On the other hand, when the content of the magnetic powder is small, the magnetic permeability may not be able to be secured, and the magnetic properties may be reduced.

【００７１】本発明の難燃剤としては、通常基板の難燃
化のために用いられている種々の難燃剤を用いることが
できる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロ
ム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エス
テルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水
素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
これらのなかでも、ハロゲン化リン酸エステル、リン酸
エステルアミド系等が好ましく、特にハロゲン化リン酸
エステルが好ましい。As the flame retardant of the present invention, various flame retardants usually used for making a substrate flame-retardant can be used. Specifically, halides such as halogenated phosphoric acid esters and brominated epoxy resins, organic compounds such as phosphoric acid ester amides, and inorganic materials such as antimony trioxide and aluminum hydride can be used.
Of these, halogenated phosphoric acid esters and phosphoric acid ester amides are preferred, and halogenated phosphoric acid esters are particularly preferred.

【００７２】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物と難燃剤との混合比としては、難燃剤にハロゲン化リ
ン酸エステルを用いる場合、ガラスクロスなどに塗布す
るペースト段階で、樹脂とハロゲン化リン酸エステルと
の比率で示した場合、次の関係を満たすことが好まし
い。The mixing ratio of the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention and the flame retardant is as follows. It is preferable that the following relationship be satisfied.

【００７３】ポリビニルベンジルエーテル化合物：ハロ
ゲン化リン酸エステル＝１００：１００〜１００：９０
０Polyvinylbenzyl ether compound: halogenated phosphoric acid ester = 100: 100 to 100: 90
0

【００７４】すなわち、ハロゲン化リン酸エステルの含
有量は４０〜６０wt% であることが好ましい。このよう
な難燃剤の含有量とすることで、本発明の効果が向上す
る。これに対し、難燃剤の含有量が多くなると樹脂の有
する特性、特に電気的特性が劣化してくる。一方、難燃
剤の含有量が少なくなると難燃化が困難となり、特にＵ
Ｌ規格の９４Ｖ０を満足することが困難になってくる。That is, the content of the halogenated phosphoric acid ester is preferably 40 to 60% by weight. By setting the content of such a flame retardant, the effect of the present invention is improved. On the other hand, when the content of the flame retardant increases, the properties of the resin, particularly the electrical properties, deteriorate. On the other hand, when the content of the flame retardant is low, it becomes difficult to make the flame retardant,
It becomes difficult to satisfy 94V0 of the L standard.

【００７５】本発明に用いられるガラスクロス等の強化
繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、
市販品をそのまま用いることができる。このときの強化
繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝
７、tanδ＝０．００３、 １ＧHz）、Ｄガラスクロス
（ε＝４、tanδ＝０．００１３、 １ＧHz）、Ｈガラ
スクロス（ε＝１１、tanδ＝０．００３、 １ＧHz）
等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１０
０μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好まし
い。布重量としては、１２０g／m2 以下、特に２０〜７
０g／m2 が好ましい。The reinforcing fibers such as glass cloth used in the present invention may be of various types depending on the purpose and application.
Commercial products can be used as they are. The reinforcing fiber at this time is made of E glass cloth (ε =
7, tan δ = 0.003, 1 GHz), D glass cloth (ε = 4, tan δ = 0.0013, 1 GHz), H glass cloth (ε = 11, tan δ = 0.003, 1 GHz)
Etc. may be properly used. Also, to improve interlayer adhesion,
Coupling treatment or the like may be performed. Its thickness is 10
It is preferably 0 μm or less, particularly preferably 20 to 60 μm. The weight of the fabric is 120 g / m 2 or less, especially 20 to 7
0 g / m 2 is preferred.

【００７６】また、ポリビニルベンジルエーテル化合物
とガラスクロスとの配合比は、重量比で、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物／ガラスクロスが４／１〜１／１
であることが好ましい。このような配合比とすることに
よって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が
小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との
密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこ
の比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用
できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度
の確保が困難となる。The blending ratio of the polyvinyl benzyl ether compound and the glass cloth was such that the weight ratio of the polyvinyl benzyl ether compound / glass cloth was 4/1 to 1/1.
It is preferred that With such a mixing ratio, the effect of the present invention is improved. On the other hand, when this ratio is reduced and the amount of epoxy resin is reduced, the adhesion to the copper foil is reduced, and a problem occurs in the smoothness of the substrate. Conversely, when this ratio increases and the amount of epoxy resin increases, it becomes difficult to select a usable glass cloth, and it becomes difficult to secure strength with a thin wall.

【００７７】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。As the metal foil to be used, any suitable metal having good conductivity such as gold, silver, copper and aluminum may be used. Of these, copper is particularly preferred.

【００７８】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。As a method for producing a metal foil, various known methods such as an electrolytic method and a rolling method can be used. However, when it is desired to obtain a foil peel strength, an electrolytic foil is used. It is preferable to use a rolled foil which is less affected by the skin effect due to surface irregularities.

【００７９】金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好
ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。The thickness of the metal foil is preferably from 8 to 70 μm, particularly preferably from 12 to 35 μm.

【００８０】本発明において、電子部品の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物とを含み、溶剤に混練してスラリー化した
ペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に
従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好まし
く、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度
を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボ
ールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよ
い。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上
に含浸することにより、形成することができる。In the present invention, in order to obtain a prepreg which is the basis of an electronic component, a ceramic powder, a magnetic powder having a predetermined mixing ratio, a flame retardant and a polyvinyl benzyl ether compound as required, and a kneaded mixture in a solvent are used to prepare a slurry. And then drying (B-stage). The solvent used in this case is preferably a volatile solvent, particularly preferably the above-mentioned polar neutral solvent, and is used for the purpose of adjusting the viscosity of the paste to facilitate coating. The kneading may be performed by a known method using a ball mill, stirring, or the like. It can be formed by coating a paste on a metal foil or impregnating on a glass cloth.

【００８１】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有するセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤の含
有量などにより適宜調整すればよいが、通常、１００〜
１２０℃、０．５〜３時間とすればよい。乾燥、Ｂステ
ージ化した後の厚みは５０〜３００μm 程度が好まし
く、その用途や要求される特性（パターン幅および精
度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。The drying (B-stage) of the prepreg may be appropriately adjusted depending on the content of the ceramic powder, the magnetic powder, and the flame retardant if necessary.
The temperature may be set to 120 ° C. for 0.5 to 3 hours. The thickness after drying and B-stage formation is preferably about 50 to 300 μm, and may be adjusted to an optimum film thickness in accordance with its use and required characteristics (pattern width and precision, DC resistance) and the like.

【００８２】プリプレグは、図７２または図７３に示す
ような方法により製造することができる。この場合、図
７２の方法は比較的量産に適しており、図７３の方法
は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行
えるという特徴を有している。図７２において、（ａ）
に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０
１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドロ
ーラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗
工槽１１０には、溶剤中に分散されているセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物がスラリー状調整されており、この塗工槽
１１０をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に
浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中
のすきまが埋められることになる。The prepreg can be manufactured by a method as shown in FIG. 72 or 73. In this case, the method of FIG. 72 is relatively suitable for mass production, and the method of FIG. 73 is characterized in that the film thickness can be easily controlled and the characteristics can be adjusted relatively easily. In FIG. 72, (a)
As shown in the figure, the glass cloth 10 wound in a roll shape
1a is fed out from the roll 101a, and is conveyed to the coating tank 110 via the guide roller 111. In this coating tank 110, ceramic powder and magnetic powder dispersed in a solvent, a flame retardant and a polyvinyl benzyl ether compound as necessary are adjusted in a slurry state, and when a glass cloth passes through this coating tank 110, The glass cloth is immersed in the slurry and applied to the glass cloth, and the gap therein is filled.

【００８３】塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、
ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２
０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスク
ロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化され
るとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して
巻取ローラ１３０に巻回される。The glass cloth that has passed through the coating tank 110 is
Drying furnace 12 through guide rollers 112a and 112b
0 is introduced. The resin-impregnated glass cloth introduced into the drying furnace is dried at a predetermined temperature and for a predetermined time, B-staged, turned around by the guide roller 121, and wound around the winding roller 130.

【００８４】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にセラ
ミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂
が配置されたプリプレグが得られる。Then, when cut into a predetermined size,
As shown in (b), a prepreg is obtained in which ceramic powder, magnetic powder and, if necessary, a resin containing a flame retardant are arranged on both surfaces of the glass cloth 101.

【００８５】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１０
０〜２００℃の温度、９．８×１０5〜７．８４×１０6
Pa（１０〜８０kgf/cm2）の圧力とすればよく、このよ
うな条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好ま
しい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことが
できる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配
置することなく加熱・加圧プレスすればよい。Further, as shown in (c), a metal foil 103 such as a copper foil is placed on the upper and lower surfaces of the obtained prepreg, and is pressed under heat and pressure to obtain a double-sided film as shown in (d). A substrate with a metal foil is obtained. Heating and pressing conditions are 10
Temperature of 0 to 200 ° C, 9.8 × 10 5 to 7.84 × 10 6
The pressure may be Pa (10 to 80 kgf / cm 2 ), and it is preferable to mold under such conditions for about 0.5 to 20 hours. The molding can be performed in a plurality of stages under different conditions. In the case where no metal foil is provided, heating and pressing may be performed without disposing the metal foil.

【００８６】次に、図７３の製造方法について説明す
る。図７３において、（ａ）に示すように、セラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジル
エーテル化合物を溶剤中に分散したスラリー１０２ａを
ドクターブレード１５０等によってクリアランスを一定
に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。Next, the manufacturing method of FIG. 73 will be described. In FIG. 73, as shown in FIG. 73 (a), a slurry 102a in which a ceramic powder, a magnetic powder, and a flame retardant and a polyvinyl benzyl ether compound are dispersed in a solvent, if necessary, is kept in a solvent with a doctor blade 150 or the like while keeping the clearance constant using a copper foil or the like. Coating on metal foil.

【００８７】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面にセラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置
されたプリプレグが得られる。Then, when cut into a predetermined size,
As shown in (b), a prepreg having a ceramic powder, a magnetic powder, and, if necessary, a resin containing a flame retardant disposed on the upper surface of the metal foil 103 is obtained.

【００８８】さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロ
ス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０
３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを
加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属
箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよ
い。Further, as shown in (c), the prepregs 102 and 10 obtained on the upper and lower surfaces of the glass cloth 101 were obtained.
3 are arranged with the resin 102 side as the inner surface, and are pressed under heat and pressure to obtain a substrate with double-sided metal foil as shown in (d). The heating and pressing conditions may be the same as described above.

【００８９】電子部品を構成する基板、およびプリプレ
グは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混
練物を成型することによっても得ることができる。この
場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比
較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として
適している。The substrate and the prepreg constituting the electronic component can be obtained by kneading materials and molding a kneaded material in a solid state in addition to the above-mentioned coating method. In this case, since the raw material is solid, it is easy to take a thickness, and is suitable as a method for forming a relatively thick substrate or prepreg.

【００９０】混練は、少なくともポリビニルベンジルエ
ーテル化合物の融点以上である必要がある。ポリビニル
ベンジルエーテル化合物の融点は、通常、５０〜１５０
℃程度である。混練は、ボールミル、撹拌、混練機など
の公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を
用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化
してもよい。The kneading needs to be at least the melting point of the polyvinyl benzyl ether compound. The melting point of the polyvinyl benzyl ether compound is usually 50 to 150.
It is about ° C. The kneading may be performed by a known method such as a ball mill, stirring, and a kneader. At that time, a solvent may be used if necessary. Further, it may be pelletized or powdered as necessary.

【００９１】得られた、ペレット化、粉末化等された混
練物を金型を用いて加熱・加圧成型する。成型条件とし
ては、１００〜２００℃、０．５〜３時間、４．９×１
０5〜７．８４×１０6Pa（５〜８０kgf/cm2）圧力とす
ればよい。The obtained kneaded material formed into pellets, powders, etc. is molded by heating and pressing using a mold. As molding conditions, 100-200 ° C., 0.5-3 hours, 4.9 × 1
The pressure may be in the range of 0 5 to 7.84 × 10 6 Pa ( 5 to 80 kgf / cm 2 ).

【００９２】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚み
は、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて
適宜調整すればよい。The thickness of the prepreg obtained in this case is about 0.05 to 5 mm. The thickness of the prepreg may be appropriately adjusted according to the desired plate thickness and the content of the dielectric powder or the magnetic powder.

【００９３】さらに、上記同様に得られたプリプレグの
上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・
加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。加熱
加圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０5〜
７．８４×１０6Pa（１０〜８０kgf/cm2）の圧力とすれ
ばよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形
することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分
けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合に
は、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすれば
よい。Further, a metal foil such as a copper foil was placed on the upper and lower surfaces of the prepreg obtained in the same manner as described above, and this was heated and heated.
When pressed under pressure, a substrate with double-sided metal foil is obtained. The heating and pressurizing condition is a temperature of 100 to 200 ° C., and 9.8 × 10 5 to
The pressure may be 7.84 × 10 6 Pa (10 to 80 kgf / cm 2 ), and it is preferable to mold under such conditions for about 0.5 to 20 hours. The molding can be performed in a plurality of stages under different conditions. In the case where no metal foil is provided, heating and pressing may be performed without disposing the metal foil.

【００９４】このようにして得られる成形材料としての
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。The substrate (organic composite material) as a molding material thus obtained is excellent in high frequency characteristics of magnetic permeability and dielectric constant. In addition, it has excellent insulating properties that can be endured as an insulating material. Furthermore, when a substrate with a copper foil is used as described later, the adhesive strength with the copper foil is large. Also, it has excellent heat resistance such as solder heat resistance.

【００９５】本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。The prepreg of the present invention can form a substrate with a copper foil by forming the prepreg on a copper foil by applying heat and pressure. In this case, the thickness of the copper foil is about 12 to 35 μm.

【００９６】このような銅箔付基板には、両面パターン
ニング基板や多層基板などがある。Such a substrate with a copper foil includes a double-sided patterned substrate and a multilayer substrate.

【００９７】図７４、図７５には両面パターンニング基
板形成例の工程図を示す。図７４、図７５に示されるよ
うに、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）
箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次に
スルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。
形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッ
キ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパ
ターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程
Ｄ）。その後、図７４に示されるように、外部端子等の
接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッ
キはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉ
メッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解
または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法によ
り行われる。FIGS. 74 and 75 show process diagrams of an example of forming a double-sided patterned substrate. As shown in FIGS. 74 and 75, a prepreg 1 having a predetermined thickness and copper (Cu) having a predetermined thickness
The foil 2 is overlaid and pressurized and heated to form (step A). Next, through holes are formed by drilling (step B).
Copper (Cu) plating is applied to the formed through holes to form a plating film 4 (step C). Further, the copper foils 2 on both sides are patterned to form conductor patterns 21 (step D). Thereafter, as shown in FIG. 74, plating for connecting external terminals and the like is performed (step E). In this case, plating is performed by Ni plating followed by Pd plating.
It is performed by a method of further applying Au plating after plating (plating is electrolytic or electroless plating) or a method using a solder leveler.

【００９８】図７６、図７７には多層基板形成例の工程
図であり、４層積層する例が示されている。図７６、図
７７に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定
厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する
（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、
導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにし
て得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所
定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧
加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリ
リングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホー
ルに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する
（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施
し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図
７６に示されるように、外部端子との接続のためのメッ
キを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後
にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらに
Ａｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッ
キ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。FIG. 76 and FIG. 77 are process diagrams of an example of forming a multilayer substrate, and show an example in which four layers are stacked. As shown in FIGS. 76 and 77, a prepreg 1 having a predetermined thickness and a copper (Cu) foil 2 having a predetermined thickness are overlapped and molded by applying pressure and heating (step a). Next, the copper foil 2 on both sides is patterned
The conductor pattern 21 is formed (step b). A prepreg 1 and a copper foil 2 each having a predetermined thickness are further laminated on both surfaces of the double-sided patterned substrate thus obtained, and are simultaneously molded by applying pressure and heat (step c). Next, through holes are formed by drilling (step d). The formed through holes are plated with copper (Cu) to form a plating film 4 (step e). Further, the copper foils 2 on both sides are patterned to form conductor patterns 21 (step f). Thereafter, as shown in FIG. 76, plating for connection to external terminals is performed (step g). In this case, plating is performed by a method of further plating Pd after Ni plating, a method of further plating Au after Ni plating (plating is electrolytic or electroless plating), or a method using a solder leveler.

【００９９】上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２
００℃の温度、９．８×１０5〜７．８４×１０6Pa（１
０〜８０kgf/cm2）の圧力で、０．５〜２０時間とする
ことが好ましい。The molding conditions for the heating and pressing are 100 to 2
At a temperature of 00 ° C., 9.8 × 10 5 to 7.84 × 10 6 Pa (1
Preferably, the pressure is 0 to 80 kgf / cm 2 ) for 0.5 to 20 hours.

【０１００】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。In the present invention, not limited to the above example, various substrates can be formed. For example, it is also possible to use a substrate as a molding material or a substrate with a copper foil and a prepreg, and use the prepreg as an adhesive layer to form a multilayer.

【０１０１】また、プリプレグや成形材料としての基板
と銅箔とを接着する態様において、前述のセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物とブチルカルビトールアセテート等の高沸
点溶剤とを混練して得られた複合誘電体材料や複合磁性
材料ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン
印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図
ることができる。。In a mode of bonding a substrate as a prepreg or a molding material to a copper foil, the above-mentioned ceramic powder, magnetic powder, if necessary, a flame retardant, a polyvinyl benzyl ether compound and a high boiling solvent such as butyl carbitol acetate. May be formed by screen printing or the like on a patterned substrate of a composite dielectric material or a composite magnetic material paste obtained by kneading, thereby improving the characteristics. .

【０１０２】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、電子部品を得ることができる。An electronic component can be obtained by combining such a prepreg, a substrate with a copper foil, a laminated substrate, and the like with an element configuration pattern and a configuration material.

【０１０３】本発明の電子部品は、上記のようなコンデ
ンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ
ー等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パター
ン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、Ｒ
Ｆモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回
路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回
路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等
の高周波用電子部品を得ることができる。The electronic component according to the present invention is not limited to the above-described capacitors (capacitors), coils (inductors), filters, etc., and may be used in combination with these or other wiring patterns, amplifying elements, and functional elements to form antennas, R
High-frequency electronic components such as an F module (RF amplification stage), VCO (voltage controlled oscillation circuit), and power amplifier (power amplification stage), and high-frequency electronic components such as a superposition module used for an optical pickup can be obtained.

【０１０４】[0104]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１、図２は、本発明の第１の実施態様で
あるインダクタを示した図であり、図１は透視斜視図、
図２は断面図を表している。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the present invention. <Embodiment 1> FIGS. 1 and 2 are views showing an inductor according to a first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2 shows a sectional view.

【０１０５】図において、インダクタ１０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１
０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている
内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３
を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。
このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチン
グ等により形成することができる。また、形成されたコ
イルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成
された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア
１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断さ
れた構造となっている。これは、集合基板で複数の素子
を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の
中心から切断するためである。In the figure, an inductor 10 has constituent layers (prepregs or substrates) 10a to 1 having a resin of the present invention.
0e, an internal conductor (coil pattern) 13 formed on the constituent layers 10b to 10e, and an internal conductor 13
And via holes 14 for electrically connecting.
This via hole 14 can be formed by drilling, laser processing, etching or the like. The terminal ends of the formed coils are connected to the through vias 12 formed on the end faces of the inductor 10 and the land patterns 11 formed slightly in the vertical direction from the through vias 12. The through via 12 has a structure cut in half by dicing, V-cut or the like. This is because a plurality of elements are formed on the collective substrate and cut from the center of the through via 12 when finally cut into individual pieces.

【０１０６】このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０
ｅには、高周波用のチップインダクタとしての用途を考
えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があること
から比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましく、
上記の有機誘電体層を用いることが好ましい。また、共
振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布
容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率
を５〜４０とすることが好ましく、上記の第１、第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。このようにする
ことで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることがで
きる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損
失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接
（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることに
より、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを
得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を
考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダン
スをできるだけ大きくする必要がある。このような場合
には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合
磁性体層を用いることが好ましい。これにより、高周波
ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。
また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な
組み合わせを選択すればよい。The constituent layers 10 a to 10 of this inductor 10
For e, when considering its use as a high frequency chip inductor, it is necessary to reduce the distributed capacitance as much as possible, so that the relative dielectric constant is preferably set to 2.6 to 3.5.
It is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer. In some cases, the distributed capacitance is positively used in the inductor forming the resonance circuit. In such an application, the relative permittivity is preferably set to 5 to 40. It is preferable to use a body layer. In this manner, the size of the element can be reduced and the capacitor can be omitted. Further, in these inductors, it is necessary to minimize material loss. Therefore, by setting the dielectric loss tangent (tan δ) to 0.0025 to 0.0075, it is possible to obtain an inductor with very low material loss and high Q. Further, when considering an application for noise removal, it is necessary to increase the impedance as much as possible at the frequency of the noise to be removed. In such a case, the magnetic permeability is preferably set to 3 to 20, and it is preferable to use the composite magnetic layer. Thereby, the effect of removing high-frequency noise can be significantly improved.
The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１０７】なお、その等価回路を図１０（ａ）に示
す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。The equivalent circuit is shown in FIG. As shown in FIG. 10A, the equivalent circuit is an electronic component (inductor) having the coil 31.

【０１０８】＜実施例２＞図３、図４は、本発明の第２
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は
透視斜視図、図４は断面図を表している。<Embodiment 2> FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the inductor according to the embodiment.

【０１０９】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。In this example, a configuration in which the coil pattern wound in the vertical direction in the first embodiment is replaced by a helical winding wound in the horizontal direction is shown. Other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１１０】＜実施例３＞図５、図６は、本発明の第３
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は
透視斜視図、図６は断面図を表している。<Embodiment 3> FIGS. 5 and 6 show a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a transparent perspective view, and FIG. 6 is a cross-sectional view.

【０１１１】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。In this example, the coil pattern wound in the vertical direction in the first embodiment is changed to a configuration in which spirals on the upper and lower surfaces are connected. Other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１１２】＜実施例４＞図７、図８は、本発明の第４
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は
透視斜視図、図８は断面図を表している。<Embodiment 4> FIGS. 7 and 8 show a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows a perspective view, and FIG. 8 shows a cross-sectional view of an inductor according to an embodiment of the present invention.

【０１１３】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。In this example, the coil pattern wound in the up-down direction in the first embodiment is configured as a meander-shaped pattern formed inside. Other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１１４】＜実施例５＞図９は本発明の第５の実施態
様であるインダクタを示した透視斜視図である。<Embodiment 5> FIG. 9 is a perspective view showing an inductor according to a fifth embodiment of the present invention.

【０１１５】この例では、実施例１において単独で構成
されていたコイルを、４連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０
（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜
３１ｄが４連装された電子部品（インダクタ）となって
いる。In this example, a mode is shown in which the coils configured independently in Example 1 are replaced with four coils. With such a configuration, space can be saved. Other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. The equivalent circuit is shown in FIG. FIG.
As shown in (b), in the equivalent circuit, the coils 31a to 31a
An electronic component (inductor) 31d is provided in quadruple.

【０１１６】＜実施例６＞図１１、図１２は、本発明の
第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示し
た図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表
している。<Embodiment 6> FIGS. 11 and 12 are views showing a capacitor (capacitor) according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 11 is a transparent perspective view, and FIG. 12 is a sectional view. ing.

【０１１７】図において、キャパシタ２０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２
０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている
内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２
３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成
された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン２１ととから構成されている。In the figure, a capacitor 20 includes constituent layers (prepregs or substrates) 20a to 2 having the resin of the present invention.
0 g, the internal conductor (internal electrode pattern) 23 formed on the constituent layers 20 b to 20 g, and the internal conductor 2.
3 and a through via 22 formed on the end face of the capacitor, which is connected alternately with each other, and a land pattern 21 formed slightly in the vertical direction from the through via 22.

【０１１８】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇには、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると
比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０
０７５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ない
し第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なもの
を用いることが好ましい。これにより、得られる容量の
範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。ま
た、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このた
め、誘電正接（ tanδ）を０．００７５〜０．０２５と
することにより、材料損失の極めて少ないキャパシタと
することができる。また、各構成層は同一でも異なって
いてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。The constituent layers 20a to 20 of the capacitor 20
In consideration of the diversity of the obtained capacitance and the accuracy, g has a relative dielectric constant of 2.6 to 40 and a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.0.
075, and it is preferable to use a suitable one of the above-mentioned organic dielectric layers or first or second composite dielectric layers. As a result, the range of the obtained capacitance is widened, and a low capacitance value can be formed with high accuracy. In addition, it is necessary to minimize material loss. For this reason, by setting the dielectric loss tangent (tan δ) to 0.0075 to 0.025, a capacitor with extremely small material loss can be obtained. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１１９】なお、その等価回路を図１４（ａ）に示
す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となってい
る。The equivalent circuit is shown in FIG. As shown in FIG. 14A, the equivalent circuit is an electronic component (capacitor) having the capacitor 32.

【０１２０】＜実施例７＞図１３は本発明の第７の実施
態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。<Embodiment 7> FIG. 13 is a perspective view showing a capacitor according to a seventh embodiment of the present invention.

【０１２１】この例では、実施例６において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）
に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３
２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）となってい
る。In this example, a configuration is shown in which the capacitors configured independently in the sixth embodiment are arranged in a plurality of arrays to form four units. When the capacitors are formed in an array, various capacitances may be formed with high accuracy. Therefore, it can be said that the above ranges of the dielectric constant and the dielectric loss tangent are preferable. Other components are the same as those in the sixth embodiment,
The same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The equivalent circuit is shown in FIG. FIG. 14 (b)
As shown in FIG.
2d is an electronic component (capacitor) provided in quadruple.

【０１２２】＜実施例８＞図１５〜図１８は、本発明の
第８の実施態様を示したバルントランスを示している。
ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は
各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。<Eighth Embodiment> FIGS. 15 to 18 show a balun transformer according to an eighth embodiment of the present invention.
15 is a transparent perspective view, FIG. 16 is a sectional view, FIG. 17 is an exploded plan view of each constituent layer, and FIG. 18 is an equivalent circuit diagram.

【０１２３】図１５〜１７において、バルントランス４
０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内
部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有
する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状
導体４３を、図１７の等価回路に示される結合ライン５
３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結
している。Referring to FIGS.
No. 0 has an internal GND conductor 45 disposed above, below, and in the middle of the laminated body in which the constituent layers 40a to 40o are laminated, and an internal conductor 43 formed between the internal GND conductors 45. The inner conductor 43 is formed by connecting the spiral conductor 43 having a length of λg / 4 to the coupling line 5 shown in the equivalent circuit of FIG.
They are connected by via holes 44 and the like so as to form 3a to 53d.

【０１２４】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ t
anδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好まし
く、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合
誘電体層を用いることが好ましい。また、用途によって
は透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁
性体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一
でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれ
ばよい。The constituent layers 40a-
40o has a relative dielectric constant of 2.6 to 40 and a dielectric loss tangent (t
anδ) is preferably from 0.0075 to 0.025, and it is preferable to use the above-described organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer. In some applications, the magnetic permeability is preferably 3 to 20, and it is preferable to use the composite magnetic layer. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１２５】＜実施例９＞図１９〜図２２は、本発明の
第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。
ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は
等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積
層フィルターは２ポールとして構成されている。<Embodiment 9> FIGS. 19 to 22 show a laminated filter according to a ninth embodiment of the present invention.
19 is a perspective view, FIG. 20 is an exploded perspective view, FIG. 21 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 22 is a transfer characteristic diagram. Note that this laminated filter is configured as a two-pole filter.

【０１２６】図１９〜２１において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデン
サ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成
された端部電極（外部端子）１２とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン１１と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接
続されている。19 to 21, the laminated filter 6
No. 0 has a pair of strip lines 68 and a pair of capacitor conductors 67 at substantially the center of the stacked body in which the constituent layers 60a to 60e are stacked. The capacitor conductor 67 is formed on the lower constituent layer group 60d, and the strip line 68 is formed on the constituent layer 60c thereabove. Constituent layers 60a-60
A GND conductor 65 is formed at the upper and lower ends of e, so that the strip line 68 and the capacitor conductor 67 are sandwiched therebetween. The strip line 68, the capacitor conductor 67, and the GND conductor 65 are respectively connected to an end electrode (external terminal) 12 formed on an end face and a land pattern 11 formed slightly upward and downward from the end electrode (external terminal). The GND pattern 66 formed on both side surfaces and slightly in the vertical direction from the both sides is connected to the GND conductor 65.

【０１２７】ストリップ線路６８は、図２１の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価
回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。The strip line 68 is a strip line 74a, 74b having a length of λg / 4 or less as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 21, and the capacitor conductor 67 forms an input / output coupling capacitance Ci. The strip lines 74a and 74b are coupled by a coupling capacitance Cm and a coupling coefficient M. With such an equivalent circuit, a multilayer filter having a two-pole type transfer characteristic as shown in FIG. 22 can be obtained.

【０１２８】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数
１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性
が得られるようになる。また、ストリップライン共振器
の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正
接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすること
が好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１
または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。な
お、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組
み合わせを選択すればよい。The constituent layers 60a to 60 of the laminated filter 60
In 0e, by setting the relative permittivity to 2.6 to 40, a desired transfer characteristic can be obtained in a band from several 100 MHz to several GHz. Further, it is desirable to suppress the material loss of the stripline resonator as much as possible, and it is preferable to set the dielectric loss tangent (tan δ) to 0.0025 to 0.0075. Therefore, the above-mentioned organic dielectric layer, or the first
Alternatively, it is preferable to use the second composite dielectric layer. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１２９】＜実施例１０＞図２３〜図２６は、本発明
の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示してい
る。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２
５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、こ
の積層フィルターは４ポールとして構成されている。<Embodiment 10> FIGS. 23 to 26 show a laminated filter according to a tenth embodiment of the present invention. 23 is a perspective view, FIG. 24 is an exploded perspective view, and FIG.
5 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 26 is a transfer characteristic diagram. In addition, this laminated filter is comprised as a 4-pole.

【０１３０】図２３〜２６において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同
様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省
略する。23 to 26, the laminated filter 6
No. 0 has four strip lines 68 and a pair of capacitor conductors 67 substantially at the center of the stacked body in which the constituent layers 60a to 60e are stacked. Other components are the same as those in the ninth embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１３１】＜実施例１１＞図２７〜図３２は、本発明
の第１１の実施態様を示したブロックフィルターを示し
ている。ここで図２７は透過斜視図、図２８は正面図、
図２９は側面断面図、図３０は平面断面図、図３１は等
価回路図、図３２は金型の構造を示した透過側面図であ
る。なお、このブロックフィルターは２ポールとして構
成されている。<Embodiment 11> FIGS. 27 to 32 show a block filter according to an eleventh embodiment of the present invention. Here, FIG. 27 is a transparent perspective view, FIG. 28 is a front view,
29 is a side sectional view, FIG. 30 is a plan sectional view, FIG. 31 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 32 is a transparent side view showing a structure of a mold. This block filter is configured as a two-pole filter.

【０１３２】図２７〜図３２において、ブロックフィル
ター８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同
軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この
同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロ
ック８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体
で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲に
は、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されて
いる。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分に
コンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデン
サ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、およ
び部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体
８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０
ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導
電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形
成する。27 to 32, the block filter 80 has a pair of coaxial conductors 81 and a capacitor coaxial conductor 82 formed in a constituent block 80a. The coaxial conductor 81 and the capacitor coaxial conductor 82 are formed of a conductor formed in a hollow shape so as to hollow out the constituent block 80a. A surface GND conductor 87 is formed around the constituent block 80a so as to cover the constituent block 80a. A capacitor conductor 83 is formed at a portion corresponding to the capacitor coaxial conductor 82. Further, the capacitor conductor 83 and the surface GND conductor 87 are also used as input / output terminals and component fixing terminals. Note that the coaxial conductor 81 and the capacitor coaxial conductor 82 are
A conductive material is adhered to the inside of a hollow hole formed by hollowing out a by electroless plating, vapor deposition, or the like to form a transmission path.

【０１３３】同軸導体８１は、図３１の等価回路図に示
されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線
路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導
体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８
２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成す
る。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍ
および結合係数Ｍにより結合されている。このような構
成により、図３１に示すような等価回路となり、２ポー
ル型の伝達特性を有するブロックフィルターを得ること
ができる。Coaxial conductors 81 are coaxial lines 94a and 94b having a length of λg / 4 or less as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 31, and a GND conductor 87 is formed so as to surround them. . The capacitor coaxial conductor 8
2 and the capacitor conductor 83 constitute an input / output coupling capacitance Ci. The coupling capacitance Cm is provided between the coaxial conductors 81.
And a coupling coefficient M. With such a configuration, an equivalent circuit as shown in FIG. 31 is obtained, and a block filter having a two-pole type transfer characteristic can be obtained.

【０１３４】図３２はブロックフィルター８０の構成ブ
ロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略
断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース
１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成
され、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが
形成されている。構成ブロック８０ａを形成するための
複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注
入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，１
０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が
満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂
を固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不
要な部分を切断する。こうして、図２７〜図３０に示さ
れる構成ブロック８０ａが形成される。FIG. 32 is a schematic sectional view showing an example of a mold for forming the constituent blocks 80a of the block filter 80. In the figure, the mold has a resin injection port 104 and an injection hole 106 formed in a metal base 103 such as iron, and is connected to these to form component forming portions 105a and 105b. The composite resin material for forming the constituent block 80a is injected in a liquid state from the resin injection port 104, passes through the injection hole 106, and forms the component forming portions 105a, 105a.
Reaches 05b. Then, in a state where the inside of the mold is filled with the composite resin, cooling or heating treatment is performed to solidify the composite resin, take out the composite resin from the mold, and cut unnecessary portions hardened at an injection port or the like. Thus, the configuration block 80a shown in FIGS. 27 to 30 is formed.

【０１３５】このようにして形成された構成ブロック８
０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等
の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウ
ム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８
１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。The building block 8 thus formed
0a is subjected to a process such as plating, etching, printing, sputtering, vapor deposition, etc., to form a surface GND conductor 87 and a coaxial conductor 8 made of copper, gold, palladium, platinum, aluminum or the like.
1 and a capacitor coaxial conductor 82 and the like.

【０１３６】このブロックフィルタ８０の構成ブロック
８０ａは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、
数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特
性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失
はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tan
δ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好まし
い。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第
２の複合誘電体層を用いることが好ましい。The constituent block 80a of the block filter 80 has a relative permittivity of 2.6 to 40,
Desired transfer characteristics can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, it is desirable to minimize the material loss of the coaxial resonator, and the dielectric loss tangent (tan
δ) is preferably set to 0.0025 to 0.0075. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer.

【０１３７】＜実施例１２＞図３３〜図３７は、本発明
の第１２の実施態様を示したカプラを示している。ここ
で図３３は透過斜視図、図３４は断面図、図３５は各構
成層の分解平面図、図３６は内部結線図、図３７は等価
回路図である。<Embodiment 12> FIGS. 33 to 37 show a coupler according to a twelfth embodiment of the present invention. 33 is a transparent perspective view, FIG. 34 is a sectional view, FIG. 35 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 36 is an internal connection diagram, and FIG. 37 is an equivalent circuit diagram.

【０１３８】図３３〜３７において、カプラ１１０は、
構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に
形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部Ｇ
ＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有
する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトラ
ンスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１
４等で連結している。また。形成されたコイルの終端
と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３６に示すように、
それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接
続されている。このように構成することにより、図３７
の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１
２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。33 to 37, the coupler 110 is
An internal GND conductor 115 formed and arranged above and below a laminated body in which the constituent layers 110a to 110c are laminated;
It has an internal conductor 113 formed between the ND conductors 115. The internal conductor 113 is formed in a spiral shape in the via hole 11 so that a transformer is constituted by two coils.
They are linked by 4 mag. Also. As shown in FIG. 36, the terminal of the formed coil and the internal GND conductor 115
Each is connected to a through via 112 formed on the end face and a land pattern 111 formed slightly upward and downward from the through via 112. With this configuration, FIG.
As shown in the equivalent circuit diagram of FIG.
The coupler 110 to which 25b is coupled is obtained.

【０１３９】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０
とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域にお
いて、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内
部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（tan
δ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好まし
い。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高い
インダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることが
できる。従って、上記の有機誘電体層、または第１また
は第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、
各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合
わせを選択すればよい。The constituent layers 110a to 110 of the coupler 110
In the case of 0c, it is preferable that the relative dielectric constant is as small as possible in order to realize a wide band. Also, considering the miniaturization, the relative permittivity is preferably as high as possible. Therefore, a material having a dielectric constant suitable for the purpose, required performance, specifications and the like may be used. Usually, the relative dielectric constant is set to 2.6 to 40.
By doing so, a desired transfer characteristic can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Also, to increase the Q value of the internal inductor, the dielectric loss tangent (tan
δ) is preferably set to 0.0025 to 0.0075. As a result, an inductor having a very small material loss and a high Q value can be formed, and a high-performance coupler can be obtained. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer. In addition,
The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１４０】＜実施例１３＞図３８〜図４０は、本発明
の第１３の実施態様であるアンテナを示した図であり、
図３８は透視斜視図、図３９（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４０は各構成層の
分解斜視図を表している。<Thirteenth Embodiment> FIGS. 38 to 40 show an antenna according to a thirteenth embodiment of the present invention.
38 is a perspective view, FIG. 39 (a) is a plan view, (b) is a side sectional view, (c) is a front sectional view, and FIG. 40 is an exploded perspective view of each constituent layer.

【０１４１】図において、アンテナ１３０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜
１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞ
れ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３
を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アン
テナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから
僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と
接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周
波数に対し、約λg ／４長となるようなリアクタンス素
子として構成され、ミアンダ状に形成されている。In the figure, an antenna 130 has constituent layers (prepregs or substrates) 130 a to 130 b containing the resin of the present invention.
130c, and internal conductors (antenna patterns) 133 formed on the constituent layers 130b and 130c, respectively.
Having. The end of the internal conductor 133 is connected to a through via 132 formed on the end surface of the antenna and a land pattern 131 formed slightly in the vertical direction from the through via 132. In this example, the internal conductor 133 is configured as a reactance element having a length of about λg / 4 with respect to a used frequency, and is formed in a meander shape.

【０１４２】このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１
３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電
率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考
えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用
途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電
率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４
０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好
ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複
合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好まし
い。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成
できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要があ
る。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少な
いアンテナとすることができる。また、用途によっては
透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性
体層を用いることが好ましい。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。The constituent layers 130a-1 of the antenna 130
In the case of 30c, it is preferable that the relative dielectric constant is as small as possible when realizing a wider band. Also, considering the miniaturization, the relative permittivity is preferably as high as possible. Therefore, a material having a dielectric constant suitable for the purpose, required performance, specifications and the like may be used. Usually, the relative dielectric constant is 2.6-4.
0 and a dielectric loss tangent of preferably 0.0075 to 0.025, and it is preferable to use a suitable one from the above-mentioned organic dielectric layers or first or second composite dielectric layers. Thereby, the range of the frequency is widened and the frequency can be formed with high precision. In addition, it is necessary to minimize material loss. Therefore, the dielectric loss tangent (tan δ) is 0.0025 to
By setting the ratio to 0.0075, an antenna with extremely small material loss can be obtained. In some applications, the magnetic permeability is preferably 3 to 20, and it is preferable to use the composite magnetic layer. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１４３】＜実施例１４＞図４１、図４２は、本発明
の第１４の実施態様を示したアンテナを示している。こ
こで図４１は透過斜視図、図４２は分解斜視図である。
なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有す
るアンテナとして構成されている。<Embodiment 14> FIGS. 41 and 42 show an antenna according to a fourteenth embodiment of the present invention. FIG. 41 is a transparent perspective view, and FIG. 42 is an exploded perspective view.
The antenna in this example is configured as an antenna having a helical internal electrode.

【０１４４】図４１、４２において、アンテナ１４０
は、本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４
０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパ
ターン）１４３ａを有する。そして、上下の内部導体１
４３ａはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状の
インダクタンス素子を形成するようになっている。その
他の構成要素は実施例１３と同様であり、同一構成要素
には同一符号を付して説明を省略する。In FIGS. 41 and 42, the antenna 140
Are constituent layers (prepregs or substrates) 140a to 140c having the resin of the present invention, and constituent layers 140b and 14c.
0c are formed on the inner conductor (antenna pattern) 143a. And the upper and lower inner conductors 1
43a is connected by a via hole 144 to form a helical inductance element. Other components are the same as those of the thirteenth embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【０１４５】＜実施例１５＞図４３、図４４は、本発明
の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表してい
る。<Embodiment 15> FIGS. 43 and 44 show a patch antenna according to a fifteenth embodiment of the present invention. FIG. 43 is a perspective view, and FIG. 44 is a sectional view. .

【０１４６】図において、パッチアンテナ１５０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体
１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で
接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５と
は接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャッ
プ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５
５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われる
ようになっている。In the figure, a patch antenna 150 is a component layer (prepreg or substrate) having the composite resin of the present invention.
150a, a patch conductor 159 (antenna pattern) formed on the constituent layer 150a, and a GND conductor 155 formed on the bottom surface of the constituent layer 150a so as to face the patch conductor 159. A power supply through conductor 154 is connected to the patch conductor 159 at a power supply unit 153, and a gap 156 is provided between the through conductor 154 and the GND conductor 155 so that the through conductor 154 is not connected to the GND conductor 155. Therefore, the GND conductor 15
5 through the through conductor 154 to supply power.

【０１４７】このパッチアンテナ１５０の構成層１５０
ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、
誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好まし
く、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘
電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。
これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成でき
る。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。
このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０
０７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射
効率の高いアンテナとすることができる。The constituent layers 150 of the patch antenna 150
As for a, it is preferable that the relative dielectric constant is as small as possible when realizing a wider band. Also, considering the miniaturization, the relative permittivity is preferably as high as possible. Therefore, a material having a dielectric constant suitable for the purpose, required performance, specifications and the like may be used. Usually, the relative dielectric constant is 2.6-40,
The dielectric loss tangent is preferably 0.0075 to 0.025, and it is preferable to use a suitable one from the above-mentioned organic dielectric layers or first or second composite dielectric layers.
Thereby, the range of the frequency is widened and the frequency can be formed with high precision. In addition, it is necessary to minimize material loss.
Therefore, the dielectric loss tangent (tan δ) is set to 0.0025 to 0.0
By setting it to 075, an antenna with extremely low radiation efficiency and high radiation efficiency can be obtained.

【０１４８】また、数１００ＭHz以下の周波数帯域にお
いては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得ら
れ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げること
ができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることによ
り、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。こ
のため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが
好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。
これにより、数１００ＭHz以下の周波数帯域において高
特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。In a frequency band of several hundred MHz or less, a magnetic substance can also have the same wavelength shortening effect as a dielectric substance, and can further increase the inductance value of the radiation element. Also, by matching the frequency peak of Q, a high Q can be obtained even at a relatively low frequency. For this reason, the magnetic permeability is preferably set to 3 to 20 depending on the use, and it is preferable to use the composite magnetic layer.
Thereby, high characteristics and miniaturization can be realized in a frequency band of several hundred MHz or less. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.

【０１４９】＜実施例１６＞図４５、図４６は、本発明
の第１６の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図４５は透視斜視図、図４６は断面図を表してい
る。<Embodiment 16> FIGS. 45 and 46 are views showing a patch antenna according to a sixteenth embodiment of the present invention. FIG. 45 is a perspective view, and FIG. 46 is a sectional view. .

【０１５０】図において、パッチアンテナ１６０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体
１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導
体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから
給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、
メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理
を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等に
より形成することができる。その他の構成要素は実施例
１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して
説明を省略する。In the figure, a patch antenna 160 is a component layer (prepreg or substrate) having the composite resin of the present invention.
160a, a patch conductor 169 (antenna pattern) formed on the constituent layer 160a, and a GND conductor 165 formed on the bottom surface of the constituent layer 160a so as to face the patch conductor 169. A power supply conductor 161 for power supply is arranged near the patch conductor 169 so as not to come into contact with the patch conductor 169, and power is supplied from the power supply terminal 162 via the power supply terminal 162. The power supply terminal 162 is
It can be formed of copper, gold, palladium, platinum, aluminum, or the like by performing processes such as plating, termination, printing, sputtering, and vapor deposition. Other components are the same as those of the fifteenth embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１５１】＜実施例１７＞図４７、図４８は、本発明
の第１７の実施態様である多層型のパッチアンテナを示
した図であり、図４７は透視斜視図、図４８は断面図を
表している。<Embodiment 17> FIGS. 47 and 48 are views showing a multilayer patch antenna according to a seventeenth embodiment of the present invention. FIG. 47 is a transparent perspective view, and FIG. Represents.

【０１５２】図において、パッチアンテナ１７０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ
上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、
このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構
成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを
有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー
導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導
体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅ
とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ
導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられてい
る。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体
１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるよ
うになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッ
チ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４と
のギャップによって形成される容量により給電される。
その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成
要素には同一符号を付して説明を省略する。In the figure, a patch antenna 170 is a component layer (prepreg or substrate) having the composite resin of the present invention.
150a, 150b and the constituent layers 150a, 150b
Patch conductors 159a and 159e formed thereon;
A GND conductor 155 is formed on the bottom surface of the constituent layer 150b so as to face the patch conductors 159a and 159e. A power supply through conductor 154 is connected to the patch conductor 159a at a power supply portion 153a. The through conductor 154 is connected to the GND conductor 155 and the patch conductor 159e.
A gap 156 is provided between the GND conductor 155 and the patch conductor 159e so that the gap 156 is not connected. For this reason, power is supplied to the patch conductor 159a from the lower portion of the GND conductor 155 through the through conductor 154. At this time, power is supplied to the patch conductor 159e by capacitive coupling with the patch conductor 159a and capacitance formed by a gap with the through conductor 154.
Other components are the same as those of the fifteenth embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【０１５３】＜実施例１８＞図４９、図５０は本発明の
第１８の実施態様である多連型のパッチアンテナを示し
たであり、図４９は透視斜視図、図５０は断面図を表し
ている。<Embodiment 18> Figs. 49 and 50 show a multiple patch antenna according to an eighteenth embodiment of the present invention. Fig. 49 is a perspective view, and Fig. 50 is a sectional view. ing.

【０１５４】この例では、実施例１７において単独で構
成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて
４連とした態様を表している。図において、本発明の複
合樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成
層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１
５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形
成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９
ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに
対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮ
Ｄ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１
８と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説
明を省略する。In this example, a mode is shown in which the patch antennas configured independently in the seventeenth embodiment are arranged in a plurality of arrays to form four stations. In the drawing, constituent layers 150a and 150b having the composite resin of the present invention and patch conductors 159a and 159a formed on the constituent layer 150a are shown.
59b, 159c, 159d and patch conductors 159e, 159f, 159 formed on the constituent layer 150b.
g, 159h, and GN formed on the bottom surface of the constituent layer 150b so as to face the patch conductors 159a, 159e.
And a D conductor 155. Other components are the first embodiment.
8, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【０１５５】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。By forming such an array, it is possible to reduce the size of the set and the number of components.

【０１５６】＜実施例１９＞図５１〜図５３は、本発明
の第１９の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）
を示している。ここで図５１は透過斜視図、図５２は断
面図、図５３は等価回路図である。<Embodiment 19> FIGS. 51 to 53 show a VCO (voltage controlled oscillator) according to a nineteenth embodiment of the present invention.
Is shown. 51 is a transparent perspective view, FIG. 52 is a sectional view, and FIG. 53 is an equivalent circuit diagram.

【０１５７】図５１〜５３において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図５３に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。In FIGS. 51 to 53, the VCO includes an electronic component 261 such as a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a resistor formed and arranged on a laminate in which constituent layers 210a to 210g are stacked, and the constituent layers 210a to 210g. Conductor pattern 26 formed in 210 g and on upper and lower surfaces thereof
2,263,264. Since this VCO is configured by an equivalent circuit as shown in FIG. 53, it has a strip line 263, a capacitor, a signal line, a semiconductor, a power supply line, and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.

【０１５８】この例では、共振器を構成する構成層２１
０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００
７５の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電
体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０
ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２
５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびイ
ンダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が
０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．
５の有機誘電体層を用いることが好ましい。In this example, the constituent layers 21 constituting the resonator
The dielectric loss tangent is 0.0025 to 0.00 for 0f and 210g.
It is preferred to use 75 organic dielectric layers, or a first or second composite dielectric layer. Capacitor constituent layer 210
The dielectric loss tangent of c to 210e is 0.0075 to 0.02.
5. It is preferable to use the first or second composite dielectric layer having a relative dielectric constant of 5 to 40. The wiring and the inductor constituent layers 210a and 210b have a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.0075 and a relative dielectric constant of 2.6 to 3.0.
Preferably, 5 organic dielectric layers are used.

【０１５９】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図５３の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。The strip lines 263, G serving as internal conductors are provided on the surfaces of the constituent layers 210a to 210g.
The ND conductor 262, the capacitor conductor 264, the wiring inductor conductor 265, and the terminal conductor 266 are formed. Each internal conductor is vertically connected by a via hole 214, and a mounted electronic component 261 is mounted on the surface to form a VCO as shown in an equivalent circuit of FIG.

【０１６０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric loss tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.

【０１６１】＜実施例２０＞図５４〜図５６は、本発明
の第２０の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅
部）を示している。ここで図５４は各構成層の分解平面
図、図５５は断面図、図５６は等価回路図である。Embodiment 20 FIGS. 54 to 56 show a power amplifier (power amplifier) according to a twentieth embodiment of the present invention. Here, FIG. 54 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 55 is a sectional view, and FIG. 56 is an equivalent circuit diagram.

【０１６２】図５４〜５６において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５６に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２
０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。In FIGS. 54 to 56, the power amplifier
Electronic components 361 such as capacitors, inductors, semiconductors, and resistors formed and arranged on a laminated body in which the constituent layers 300a to 300e are stacked;
It has conductor patterns 313 and 315 formed in 0e and on the upper and lower surfaces thereof. Since this power amplifier is constituted by an equivalent circuit as shown in FIG. 56, strip lines L11 to L17 and capacitors C11 to C2
0, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.

【０１６３】この例では、ストリップラインを構成する
構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５
〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の有機誘電体
層、または第１または第２の複合誘電体層を用いること
が好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃに
は、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が
５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を
用いることが好ましい。In this example, the dielectric loss tangent of each of the constituent layers 300d and 300e constituting the strip line is 0.0075.
It is preferable to use an organic dielectric layer having a relative dielectric constant of 2.6 to 40 or a first or second composite dielectric layer. It is preferable to use the first or second composite dielectric layer having a dielectric loss tangent of 0.0075 to 0.025 and a relative dielectric constant of 5 to 40 for the capacitor constituent layers 300a to 300c.

【０１６４】そして、これらの構成層３００ａ〜３００
ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル３１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品３６１が搭載されて図５６の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。Then, these constituent layers 300a-300
On the surface of e, an internal conductor 313, a GND conductor 315 and the like are formed. The respective internal conductors are vertically connected by via holes 314, and mounted electronic components 361 are mounted on the surface to form a power amplifier as shown in the equivalent circuit of FIG.

【０１６５】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric loss tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.

【０１６６】＜実施例２１＞図５７〜図５９は、本発明
の第２１の実施態様を示した光ピックアップなどに使用
される重畳モジュールを示している。ここで図５７は各
構成層の分解平面図、図５８は断面図、図５９は等価回
路図である。<Embodiment 21> FIGS. 57 to 59 show a superposition module used in an optical pickup or the like according to a twenty-first embodiment of the present invention. Here, FIG. 57 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 58 is a sectional view, and FIG. 59 is an equivalent circuit diagram.

【０１６７】図５７〜５９において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
５９に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。In FIGS. 57 to 59, a superimposed module includes a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a capacitor formed and arranged on a stacked body in which constituent layers 400a to 400k are stacked.
An electronic component 461 such as a register and the constituent layers 400a to
It has conductor patterns 413 and 415 formed in 400k and on the upper and lower surfaces thereof. Since this superimposition module is constituted by an equivalent circuit as shown in FIG. 59,
Inductors L211 and L23, capacitors C21 and C2
7, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.

【０１６８】この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜
４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、
比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層
を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層
４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接
が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。In this example, the capacitor constituting layers 400d to 400d
400h has a dielectric loss tangent of 0.0075 to 0.025,
It is preferable to use a second composite dielectric layer having a relative dielectric constant of 10 to 40. The constituent layers 400a to 400c and 400j to 400k constituting the inductor have a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.0075 and a relative permittivity of 2.6 to 2.6.
It is preferred to use 3.5 organic dielectric layers.

【０１６９】そして、これらの構成層４００ａ〜４００
ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル４１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品４６１が搭載されて図５９の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。Then, these constituent layers 400a-400
On the surface of k, an internal conductor 413, a GND conductor 415, and the like are formed. Each internal conductor is vertically connected by a via hole 414, and a mounted electronic component 461 is mounted on the surface to form a superimposed module as shown in the equivalent circuit of FIG.

【０１７０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.

【０１７１】＜実施例２２＞図６０〜図６３は、本発明
の第２２の実施態様を示したＲＦモジュールを示してい
る。ここで図６０は斜視図、図６１は外装部材を外した
状態での斜視図、図６２は各構成層の分解斜視図、図６
３は断面図である。Embodiment 22 FIGS. 60 to 63 show an RF module according to a twenty-second embodiment of the present invention. Here, FIG. 60 is a perspective view, FIG. 61 is a perspective view with an exterior member removed, FIG. 62 is an exploded perspective view of each constituent layer, FIG.
3 is a sectional view.

【０１７２】図６０〜６３において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。Referring to FIGS. 60 to 63, the RF module includes a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a capacitor formed and arranged on a laminated body in which constituent layers 500a to 500i are laminated.
Electronic components 561 such as registers,
Conductor patterns 513, 515, 572 formed in and on the upper and lower surfaces of the antenna pattern
3 This RF module has an inductor, a capacitor, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like as described above. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.

【０１７３】この例では、アンテナ構成、ストリップラ
イン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇに
は、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。コンデ
ンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるよう
な第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ラ
イン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０の上
記複合磁性体層を用いることが好ましい。In this example, the antenna structure, strip line structure, and wiring layers 500a to 500d and 500g have 0.0025 to 0.0075 and a relative dielectric constant of 2.6 to 500.
It is preferred to use 3.5 organic dielectric layers. The dielectric loss tangent of the capacitor constituent layers 500e to 500f is 0.0
It is preferable to use a second composite dielectric layer having a specific dielectric constant of 075 to 0.025 and a relative dielectric constant of 10 to 40. It is preferable to use the composite magnetic layer having a magnetic permeability of 3 to 20 for the power supply line layers 500h to 500i.

【０１７４】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。Then, these constituent layers 500a to 500a
On the surface of i, an internal conductor 513, a GND conductor 515, an antenna conductor 573, and the like are formed. Also, the respective inner conductors are vertically connected by via holes 514,
The mounted electronic component 561 is mounted on the surface, and R
An F module is formed.

【０１７５】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric loss tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.

【０１７６】＜実施例２３＞図６４、図６５は、本発明
の第２３の実施態様を示した共振器を示している。ここ
で図６４は透過斜視図、図６５は断面図である。<Embodiment 23> FIGS. 64 and 65 show a resonator according to a twenty-third embodiment of the present invention. Here, FIG. 64 is a transparent perspective view, and FIG. 65 is a cross-sectional view.

【０１７７】図６４、６５において、共振器は、ベース
材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されて
いる。その形成方法は、実施例１１のブロックフィルタ
と同様である。すなわち、金型成形されたベース材６１
０に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の
処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム
等により形成された表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの
表面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２で接続された同
軸導体６４１と、同軸導体６４１と接続されている共振
器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体
６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路
であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形
成されている。In FIGS. 64 and 65, the resonator has a through-hole-shaped coaxial conductor 641 formed in a base member 610. The formation method is the same as that of the block filter of the eleventh embodiment. That is, the base material 61 that has been molded
0, plating, etching, printing, sputtering, vapor deposition, etc. are performed, and a surface GND conductor 647 formed of copper, gold, palladium, platinum, aluminum, or the like, and a connection to the surface GND conductor 647 and the end electrode 682. The formed coaxial conductor 641 and the resonator HOT terminal 681 connected to the coaxial conductor 641 are formed. The coaxial conductor 641 is a coaxial line having a certain characteristic impedance, and a surface GND conductor 647 is formed so as to surround these.

【０１７８】この共振器のベース材６１０は、比誘電率
を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数
ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるように
なる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えること
が望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．
００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘
電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いる
ことが好ましい。By setting the relative dielectric constant of the base member 610 of this resonator to 2.6 to 40, desired resonance characteristics can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, it is desirable that the material loss of the resonator is suppressed as much as possible, and the dielectric loss tangent (tan δ) is set to 0.0025 to 0.5.
0075 is preferable. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer.

【０１７９】＜実施例２４＞図６６、図６７は、本発明
の第２４の実施態様を示したストリップ共振器を示して
いる。ここで図６６は透過斜視図、図６７は断面図であ
る。Embodiment 24 FIGS. 66 and 67 show a strip resonator according to a twenty-fourth embodiment of the present invention. Here, FIG. 66 is a transparent perspective view, and FIG. 67 is a cross-sectional view.

【０１８０】図６６、６７において、ストリップ共振器
は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７
１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された
矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリッ
プ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８
１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されてい
る。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様
である。In FIGS. 66 and 67, the strip resonator comprises a rectangular strip conductor 784 and a
And a rectangular GND conductor 783 that is disposed so as to be sandwiched from above and below through the intermediary 10. A HOT terminal 78 for a resonator is provided at both ends of the strip conductor 784.
1 and a GND terminal 782 are formed and connected. Other forming methods are the same as those of the inductor of the first embodiment.

【０１８１】この共振器の構成層７１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。By setting the relative dielectric constant of the material of the constituent layer 710 of this resonator to 2.6 to 40, desired resonance characteristics can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, it is desirable to minimize the material loss of the resonator, and the dielectric loss tangent (tan δ) should be 0.0025 to 0.0025.
It is preferably 0.0075. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer.

【０１８２】＜実施例２５＞図６８は、本発明の第２５
の実施態様を示した共振器を示す透過斜視図である。<Embodiment 25> FIG. 68 shows a twenty-fifth embodiment of the present invention.
It is a transmission perspective view which shows the resonator which showed embodiment of FIG.

【０１８３】図６８において、共振器は実施例２３同様
に、ベース材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８
４１，８４２が形成されている。そして、表面ＧＮＤ導
体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極
８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２
と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８
４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用
ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４
１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型
線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７
が形成されている。In FIG. 68, as in the twenty-third embodiment, the resonator has two through-hole-shaped coaxial conductors 8 in base material 810.
41, 842 are formed. Then, a surface GND conductor 847, a coaxial conductor 842 connected to the surface GND conductor 847 by an end electrode 882, and a coaxial conductor 842
Coaxial conductor 8 connected to connection electrode 885 via connection electrode 885
41, a resonator HOT terminal 881 connected to the coaxial conductor 841, and the like. Then, the coaxial conductor 84
Reference numerals 1 and 842 denote coaxial lines having a certain characteristic impedance.
Are formed.

【０１８４】この共振器のベース材８１０は、比誘電率
を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数
ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるように
なる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えること
が望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．
００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘
電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いる
ことが好ましい。By setting the relative dielectric constant of the base member 810 of this resonator to 2.6 to 40, desired resonance characteristics can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, it is desirable that the material loss of the resonator is suppressed as much as possible, and the dielectric loss tangent (tan δ) is set to 0.0025 to 0.5.
0075 is preferable. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer.

【０１８５】＜実施例２６＞図６９は、本発明の第２６
の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図
である。<Embodiment 26> FIG. 69 shows a twenty-sixth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a transparent perspective view showing a strip resonator according to the embodiment.

【０１８６】図６９において、ストリップ共振器は実施
例２４と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、こ
れを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにし
て配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。ま
た、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用
ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され
接続されている。その他の形成方法は、実施例１のイン
ダクタと同様である。In FIG. 69, as in the twenty-fourth embodiment, a strip resonator 884 has a U-shape and a rectangular GND conductor arranged so as to sandwich the strip conductor 884 from above and below via a constituent layer 810. 883. A resonator HOT terminal 881 and a GND terminal 882 are formed and connected to both ends of the strip conductor 884. Other forming methods are the same as those of the inductor of the first embodiment.

【０１８７】この共振器の構成層８１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。By setting the relative dielectric constant of the material of the constituent layer 810 of the resonator to 2.6 to 40, desired resonance characteristics can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, it is desirable to minimize the material loss of the resonator, and the dielectric loss tangent (tan δ) should be 0.0025 to 0.0025.
It is preferably 0.0075. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned organic dielectric layer or the first or second composite dielectric layer.

【０１８８】図７０は、上記実施例２３〜２６の共振器
の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯ
Ｔ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構
成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その
他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。FIG. 70 is an equivalent circuit diagram of the resonator of each of the embodiments 23 to 26. In the figure, HO for resonator is used.
The T terminal 981 is connected to one end of a resonator 984, 941 composed of a coaxial path or a strip line, and the other end is connected to a GND terminal 982.

【０１８９】＜実施例２７＞図７１は、本発明の第２７
の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロ
ック構成図である。<Embodiment 27> FIG. 71 shows a twenty-seventh embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing a high-frequency unit of the portable terminal device according to the embodiment of FIG.

【０１９０】図において、ベースバンドユニット１０１
０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により
混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混
成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２
０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１
９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数の
ＲＦ信号が供給されるようになっている。In the figure, the baseband unit 101
The transmission signal transmitted from 0 is mixed with the RF signal from the hybrid circuit 1021 by the mixer 1001. The hybrid circuit 1021 includes a voltage controlled oscillator (VCO) 102
0 is connected and the phase locked loop circuit 101
9 together with a synthesizer circuit, so that an RF signal of a predetermined frequency is supplied.

【０１９１】ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われ
た送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２
を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。この
パワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１０
０４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに
調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、
パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カ
ップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止
用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７
を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続さ
れているアンテナ１００９から送信される。A transmission signal RF-modulated by the mixer 1001 is converted into a band-pass filter (BPF) 1002
, And is amplified by the power amplifier 1003. A part of the output of the power amplifier 1003 is
04, is adjusted to a predetermined level by the attenuator 1005, and is again input to the power amplifier 1003.
The gain of the power amplifier is adjusted to be constant. The transmission signal transmitted from the coupler 1004 is supplied to an isolator 1006 for backflow prevention, a low-pass filter 1007
, And is input to the duplexer 1008 and transmitted from the antenna 1009 connected thereto.

【０１９２】アンテナ１００９に入力された受信信号
は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力さ
れ、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出
力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経
てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１
３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力さ
れ、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１
０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０
１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１
０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回
路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力さ
れ、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１
０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユ
ニットへ送出される。The reception signal input to antenna 1009 is input from duplexer 1008 to amplifier 1011 and amplified to a predetermined level. The received signal output from the amplifier 1011 is input to the mixer 1013 via the band pass filter 1012. This mixer 101
3, the RF signal from the hybrid circuit 1021 is input, and the RF signal component is removed and demodulated. Mixer 1
013 is output from the SAW filter 10.
After being amplified by the amplifier 1015 through the
016 is input. A local transmission signal having a predetermined frequency is input to the mixer 1016 from the local transmission circuit 1018, and the received signal is converted into a desired frequency.
After being amplified to a predetermined level in 017, it is transmitted to the baseband unit.

【０１９３】本発明では、上記アンテナ１００９，デュ
プレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むア
ンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレ
ータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，
パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプ
モジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブ
リッドモジュールとして構成することができる。また、
これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして
構成できることは既に実施例２２で示した通りであり、
ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１２および１９に示した
手法に倣って構成することができる。In the present invention, an antenna front end module 1200 including the antenna 1009, the duplexer 1008, and the low-pass filter 1007, an isolator 1006, a coupler 1004, an attenuator 1005,
The isolator power amplifier module 1100 including the power amplifier 1003 can be configured as a hybrid module by the same method as described above. Also,
It is as already shown in Example 22 that a component including other components can be configured as an RF unit,
The BPF, VCO, and the like can also be configured according to the method described in the ninth to twelfth and nineteenth embodiments.

【０１９４】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、
円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、
コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィル
タ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シー
ト、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デ
ュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフ
ロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプ
モジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュ
ール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバラ
ンスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、
トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ
（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、Ｐ
ＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等に応
用することができる。According to the present invention, a coil core, a toroidal core,
Disc capacitors, feedthrough capacitors, clamp filters,
Common mode filter, EMC filter, power supply filter, pulse transformer, deflection coil, choke coil, D
C-DC converter, delay line, radio wave absorption sheet, thin radio wave absorber, electromagnetic shield, diplexer, duplexer, antenna switch module, antenna front end module, isolator / power amplifier module, PLL module, front end module, tuner unit, direction Sexual coupler, double balanced mixer (DBM), power combiner, power distributor,
Toner sensor, current sensor, actuator, sounder (piezoelectric sound generator), microphone, receiver, buzzer, P
It can be applied to TC thermistors, thermal fuses, ferrite magnets and the like.

【０１９５】以上の各実施例において、必要によりハロ
ゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロ
ゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合
物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機
材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。In each of the above Examples, if necessary, halides such as halogenated phosphoric acid esters and brominated epoxy resins, organic compounds such as phosphoric acid ester amides, and inorganic compounds such as antimony trioxide and aluminum hydride. A flame retardant such as a material may be added to each constituent layer.

【０１９６】[0196]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優れた
磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板とのいずれ
かを用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総合的
な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供することが
できる。As described above, according to the present invention, at least one of a resin substrate excellent in high-frequency characteristics, a magnetic substrate excellent in high-frequency characteristics, and a dielectric substrate excellent in high-frequency characteristics is used. Thus, it is possible to provide a high-frequency electronic component having excellent high-frequency characteristics and, consequently, excellent overall electrical characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an inductor which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an inductor that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 9 is a view showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing an inductor that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 12 is a view showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 13 is a view showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。FIG. 18 is an equivalent circuit diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 19 is a view showing a laminated filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 20 is a view showing a laminated filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。FIG. 21 is an equivalent circuit diagram showing a multilayer filter as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a transfer characteristic of a multilayer filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 23 is a view showing a laminated filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 24 is a view showing a laminated filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。FIG. 25 is an equivalent circuit diagram showing a multilayer filter as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。FIG. 26 is a diagram illustrating a transfer characteristic of a multilayer filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２７】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。FIG. 27 is a diagram showing a block filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２８】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。FIG. 28 is a diagram showing a block filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。FIG. 29 is a diagram showing a block filter which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。FIG. 30 is a diagram showing a block filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの等価回路を示す図である。FIG. 31 is a diagram showing an equivalent circuit of a block filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの金型を示す図である。FIG. 32 is a view showing a mold of a block filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 33 is a diagram showing a coupler as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 34 is a diagram illustrating a coupler that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 35 is a diagram showing a coupler as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。FIG. 36 is a diagram showing an internal connection of a coupler which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。FIG. 37 is a diagram showing an equivalent circuit of a coupler which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。FIG. 38 is a diagram showing an antenna as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。FIG. 39 is a diagram showing an antenna as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図４０】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。FIG. 40 is a diagram showing an antenna as a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。FIG. 41 is a diagram showing an antenna as a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。FIG. 42 is a diagram showing an antenna as a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 43 is a view showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 44 is a view showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 45 is a diagram showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 46 is a diagram showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 47 is a view showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 48 is a diagram showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 49 is a view showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。FIG. 50 is a diagram showing a patch antenna which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図５１】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。FIG. 51 is a diagram illustrating a VCO that is a configuration example of an electronic component according to the present invention.

【図５２】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。FIG. 52 is a diagram illustrating a VCO that is a configuration example of an electronic component according to the invention.

【図５３】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。FIG. 53 is an equivalent circuit diagram showing a VCO that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図５４】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。FIG. 54 is a diagram showing a power amplifier which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図５５】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。FIG. 55 is a diagram showing a power amplifier which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図５６】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。FIG. 56 is an equivalent circuit diagram showing a power amplifier which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図５７】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。FIG. 57 is a diagram illustrating a superposition module that is a configuration example of an electronic component according to the invention.

【図５８】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。FIG. 58 is a diagram showing a superposition module which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図５９】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。FIG. 59 is an equivalent circuit diagram showing a superposition module which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６０】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。FIG. 60 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。FIG. 61 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図６２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。FIG. 62 is a diagram illustrating an RF module that is a configuration example of an electronic component according to the present invention.

【図６３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。FIG. 63 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.

【図６４】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 64 is a diagram illustrating a resonator that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６５】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 65 is a diagram illustrating a resonator that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６６】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 66 is a diagram illustrating a resonator that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 67 is a diagram illustrating a resonator that is a configuration example of an electronic component according to the present invention.

【図６８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 68 is a view illustrating a resonator that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図６９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。FIG. 69 is a diagram illustrating a resonator that is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図７０】本発明の電子部品の構成例である共振器の等
価回路を示す図である。FIG. 70 is a diagram showing an equivalent circuit of a resonator which is a configuration example of the electronic component of the present invention.

【図７１】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の
高周波部を示すブロック図である。FIG. 71 is a block diagram illustrating a high-frequency unit of a portable device that is a configuration example of an electronic component according to the invention.

【図７２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工
程図である。FIG. 72 is a process drawing showing an example of forming a substrate with a copper foil used in the present invention.

【図７３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他
の工程図である。FIG. 73 is another process drawing showing the example of forming the substrate with copper foil used in the present invention;

【図７４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。FIG. 74 is a process diagram illustrating an example of forming a substrate with a copper foil.

【図７５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図であ
る。75 is another process diagram showing the example of forming the substrate with a copper foil; FIG.

【図７６】多層基板の形成例を示す工程図である。FIG. 76 is a process view showing an example of forming a multilayer substrate;

【図７７】多層基板の形成例を示す工程図である。FIG. 77 is a process view showing an example of forming a multilayer substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ インダクタ １０ａ〜１０ｅ 構成層 １１ ランドパターン １２ 貫通ビア １３ 内部導体（コイルパターン） １４ ビアホール ２０ キャパシタ ２０ａ〜２０ｇ 構成層 ２１ ランドパターン ２２ 貫通ビア ２３ 内部導体（内部電極パターン） ４０ バルントランス４０ ４０ａ〜４０ｏ構成層 ４５ ＧＮＤ導体 ４３ 内部導体４３ ６０ 積層フィルター ８０ ブロックフィルター １１０ カプラ １３０、１４０ アンテナ １５０、１６０、１７０ パッチアンテナ REFERENCE SIGNS LIST 10 inductor 10 a to 10 e constituent layer 11 land pattern 12 through via 13 internal conductor (coil pattern) 14 via hole 20 capacitor 20 a to 20 g constituent layer 21 land pattern 22 through via 23 internal conductor (internal electrode pattern) 40 balun transformer 40 40 a to 40 o Constituent layer 45 GND conductor 43 Inner conductor 43 60 Laminated filter 80 Block filter 110 Coupler 130, 140 Antenna 150, 160, 170 Patch antenna

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 17/00 Ｈ０１Ｆ 17/00 Ａ Ｈ０１Ｇ 4/18 ３３０ Ｈ０１Ｇ 4/18 ３３０Ａ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ (72)発明者 遠藤 敏一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケ イ株式会社内 (72)発明者 高原 誠志 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケ イ株式会社内 (72)発明者 阿部 敏之 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケ イ株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 BC121 DC007 DE046 DE047 DM006 FD206 FD207 GQ00 5E041 AB01 AB02 AB19 BB03 CA01 HB15 NN04 NN14 5E070 AA01 AB03 AB07 BA12 BB03 CB01 CB12 5E082 AA01 AB03 BB05 BC14 BC17 DD07 FF05 FG06 FG34 PP01 PP03 PP10 5E346 CC08 CC21 EE05 FF45 GG28 HH06 HH31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01F 17/00 H01F 17/00 A H01G 4/18 330 H01G 4/18 330A H05K 3/46 H05K 3/46 G (72) Inventor Toshikazu Endo 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation (72) Inventor Seishi Takahara 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation (72) Inventor Toshiyuki Abe 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo F-term in TDK Corporation (reference) 4J002 BC121 DC007 DE046 DE047 DM006 FD206 FD207 GQ00 5E041 AB01 AB02 AB19 BB03 CA01 HB15 NN04 NN14 5E070 AA01 AB03 AB07 BA12 BB03 CB01 CB12 5E082 AA01 AB03 BB05 BC14 BC17 DD07 FF05 FG06 FG34 PP01 PP03 PP10 5E346 CC08 CC21 EE05 FF45 GG28 HH06 HH31

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくともポリビニルベンジルエーテル
化合物を有する有機誘電体層、ポリビニルベンジルエー
テル化合物に磁性粉が分散されている複合磁性体層、ポ
リビニルベンジルエーテル化合物に誘電体粉末が分散さ
れている複合誘電体層のいずれかを有する電子部品。An organic dielectric layer having at least a polyvinyl benzyl ether compound, a composite magnetic layer in which a magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, and a composite dielectric in which a dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound Electronic component having any of the layers. 【請求項２】 前記ポリビニルベンジルエーテル化合物
は、下記一般式（１）で示される請求項１の電子部品。 【化１】 （式中、Ｒ1 はメチル基またはエチル基を示し、Ｒ2 は
水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｒ
3 は水素原子またはビニルベンジル基を示し（但し、水
素原子とビニルベンジル基とのモル比は６０：４０〜
０：１００である）、ｎは２〜４の数を示す）で示され
るポリビニルベンジルエーテル化合物。2. The electronic component according to claim 1, wherein the polyvinyl benzyl ether compound is represented by the following general formula (1). Embedded image (Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group; R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms;
3 represents a hydrogen atom or a vinylbenzyl group (provided that the molar ratio of the hydrogen atom to the vinylbenzyl group is from 60:40 to
0: 100), and n represents a number of 2 to 4). 【請求項３】 少なくとも強化繊維を包含する層を１層
有する請求項１または２の電子部品。3. The electronic component according to claim 1, having at least one layer containing at least one reinforcing fiber. 【請求項４】 ポリビニルベンジルエーテル化合物を有
し、 比誘電率が２．６〜３．５、誘電正接が０．００２５〜
０．００５である有機誘電体層を少なくとも１層有する
請求項１〜３のいずれかの電子部品。4. A polyvinyl benzyl ether compound having a relative dielectric constant of 2.6 to 3.5 and a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.005.
4. The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component has at least one organic dielectric layer having a thickness of 0.005. 【請求項５】 ポリビニルベンジルエーテル化合物中に
誘電体粉末が分散されていて、 前記誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正
接が０．０１〜０．００１であり、 全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜
０．００７５である第１の複合誘電体層を少なくとも１
層有する請求項１〜３のいずれかの電子部品。5. A dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, the dielectric powder has a relative dielectric constant of 20 to 10,000, a dielectric loss tangent of 0.01 to 0.001, and an overall relative dielectric constant. Rate 5-20, dielectric loss tangent 0.0025-
At least one first composite dielectric layer that is 0.0075
The electronic component according to claim 1, further comprising a layer. 【請求項６】 ポリビニルベンジルエーテル化合物中に
誘電体粉末が分散されていて、 前記誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正
接が０．０１〜０．０００１、含有量が４０〜６５体積
％であり、 全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５
〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なくとも１
層有する請求項１〜３のいずれかの電子部品。6. A dielectric powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, the dielectric powder has a relative dielectric constant of 20 to 10,000, a dielectric loss tangent of 0.01 to 0.0001, and a content of 40 to 65. % By volume, the relative dielectric constant of the whole is 10 to 40, and the dielectric loss tangent is 0.0075.
At least one second composite dielectric layer
The electronic component according to claim 1, further comprising a layer. 【請求項７】 ポリビニルベンジルエーテル化合物中に
磁性粉が分散されていて、 前記磁性粉の含有量が２５〜６５体積％であり、 全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくと
も１層有する請求項１〜３のいずれかの電子部品。7. A composite magnetic material layer in which a magnetic powder is dispersed in a polyvinyl benzyl ether compound, the content of the magnetic powder is 25 to 65% by volume, and the entire magnetic permeability is 3 to 20 The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component has one layer. 【請求項８】 少なくともいずれかの層に１種または２
種以上の難燃剤を含有する請求項１〜７のいずれかの電
子部品。8. At least one of the two or more layers
The electronic component according to claim 1, further comprising at least one kind of flame retardant.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003143033A (en) * 2001-11-01 2003-05-16 Hitachi Metals Ltd High-frequency switching module
US7754970B2 (en) 2005-06-15 2010-07-13 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha High frequency electronic part
WO2012036221A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 Antenna device and communication device

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