JP2001242219A

JP2001242219A - 検査用プローブ基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001242219A
Application number: JP2000060409A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Chinda; 聡珍田; Katsumi Suzuki; 勝美鈴木
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2000-03-01
Filing date: 2000-03-01
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップとの位置ずれが起きた場合でも、
接触抵抗をより低くでき、より正確な検査を行うこと。【解決手段】絶縁性がある基板と、前記基板上に形成さ
れた所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電気
的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは電
子装置の外部端子と接触する金属めっき突起とを備えた
検査用プローブ基板であって、前記金属めっき突起は、
前記外部端子と接触する箇所の中心部分に凹みを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子と電気的
に接続して、半導体装置または電子装置の検査を行うた
めの検査用プローブ基板及びその製造法に関し、特に、
半導体集積回路チップ／ＣＳＰパッケージの品質を単体
のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造法に適
用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】パッケージしていないベアチップを複数
個搭載したプリント基板を、ＭＣＭ（Multi Chip Modul
e ）という。このＭＣＭは電子機器の発展とともに、本
質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段とし
て、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになっ
てきた。

【０００３】また、パッケージをする場合でも、パッケ
ージ基材量を最小限とし、パッケージ面積（体積）がチ
ップとほぼ等しいくらいに小型化したＣＳＰ（Chip Siz
e ／Scale Package ）の開発が極めて活発で、デバイス
メーカから種々の形状の小型パッケージが発表されてい
る。このＣＳＰパッケージの多くは、外部端子がパッケ
ージの裏面にはんだポールを配列するＢＧＡ構造であ
る。

【０００４】しかし、これらのペアチップやＣＳＰの最
大の障壁は、品質保証されたチップ／パッケージ（ＫＧ
Ｄ：Known Good Die）選別のための非破壊検査方法であ
り、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケー
ジの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確
保するための突起を設けた、検査用プローブ基板の開発
がポイントとなる。

【０００５】従来は、チップのアルミパッドの位置に合
わせてタングステン製の微小針を設けたプローブ基板が
使われていた。

【０００６】しかし、チップの小形化、多ピン化にとも
ない、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピ
ッチはますます狭くなっているため、タングステン針を
配置したプローブ基板では、基板自体の製造に大きな制
約が生じている。

【０００７】そのため現在、テープキャリアと微小バン
プ製造技術を組み合わせたＫＧＤ判別用プローブ組み込
みソケットが開発されている。

【０００８】これらの構造は、微細配線を設けた基板
に、チップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子
のはんだボールに対応する位置に突起を設け、このプロ
ーブ基板と上型の間にチップを挟む方式となっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプロー
プ基板では、突起とチップの電極パッドとのアライメン
トに、画像認織などを用いることはなく、通常はチップ
をソケットに落とし込んで機械的な位置合わせで接触さ
せるので、プローブ基板の製造精度やチップの切断精度
等から、チップの電極パッドとプロープ基板の突起の位
置が数１０μｍずれることは普通である。

【００１０】このずれによって、接触部分が１点のみと
なってしまい、接触抵抗が増大することがある。また、
電極パッドは通常、酸化皮膜で覆われているため、接触
抵抗が大きくなりがちである。

【００１１】このため、従来のプローブ基板では接触抵
抗が増大することにより、正確な検査ができないという
問題点があった。

【００１２】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めに成されたものであり、その目的は半導体チップとの
位置ずれが起きた場合でも、接触抵抗をより低くでき、
より正確な検査を行える検査用プローブ基板を提供する
ものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、下記のとおりである。

【００１４】（１）絶縁性がある基板と、前記基板上に
形成された所定の配線パターンと、前記配線パターン上
に電気的に接続されるように形成され、半導体装置もし
くは電子装置の外部端子と接触する金属めっき突起とを
備えた検査用プローブ基板であって、前記金属めっき突
起は、前記外部端子と接触する箇所の中心部分に凹みを
有する。

【００１５】（２）（１）の検査用プローブ基板におい
て、前記金属めっき突起は、前記外部端子と接触する箇
所の反対側に前記配線パターンまたは前記基板内に埋め
込まれる脱落抑止突起を有し、前記配線パターンまたは
前記基板は、前記金属めっき突起が形成される箇所に前
記脱落抑止突起を嵌合する穴を有する。

【００１６】（３）（１）の検査用プローブ基板におい
て、前記金属めっき突起の形状は、中心部分が刳り抜か
れた円柱（円筒状）とする。

【００１７】（４）（１）の検査用プローブ基板におい
て、前記金属めっき突起の形状は、中心部分が刳り抜か
れた多角柱とする。

【００１８】（５）（１）乃至（４）の検査用プローブ
基板において、前記金属めっき突起は、無電解めっき法
で形成された無電解金属めっき突起である。

【００１９】（６）（１）乃至（５）の検査用プローブ
基板において、前記配線パターン及びその上に形成され
た前記金属めっき突起を酸化防止金属膜で一括被覆形成
する。

【００２０】（７）（６）の検査用プローブ基板におい
て、前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきとする。

【００２１】（８）半導体装置もしくは電子装置の外部
端子と接触する金属めっき突起を備えた検査用プローブ
基板の製造方法であって、絶縁テープに接着剤を用いて
導電性薄膜を貼り付けた３層構造のテープキャリア材を
作成し、そのテープキャリア材の導電性薄膜の貼り付け
面に、フォトファブリケーションを施して配線パターン
を形成し、テープキャリア材上の配線パターンが形成さ
れた面にレジスト膜を形成し、配線パターン上の所定位
置のレジスト膜に円筒状、または中心部分が刳り抜かれ
た多角柱状の開口部を形成し、前記レジスト膜の開口部
が形成されたテープキャリア材を金属めっき液に浸漬し
て無電解めっきを行い、前記開口部が埋まる厚さに金属
めっき層を形成し、前記レジスト膜を除去し、前記配線
パターン上に金属めっき突起を形成する。

【００２２】（９）（８）の検査用プローブ基板の製造
方法において、前記金属めっき突起が形成されたテープ
キャリア材を貴金属めっき液中に浸して無電解、または
電解めっきを行い、無電解で形成された金属めっき突起
の表面に前記開口部が埋まる厚さの貴金属めっきを形成
し、前記配線パターン上に貴金属めっきを施した金属め
っき突起を形成する。

【００２３】（１０）半導体装置もしくは電子装置の外
部端子と接触する金属めっき突起を備えた検査用プロー
ブ基板の製造方法であって、絶縁テープに接着剤を用い
て導電性薄膜を貼り付けた３層構造のテープキャリア材
を作成し、そのテープキャリア材の導電性薄膜の貼り付
け面に、フォトファブリケーションを施して配線パター
ンを形成し、テープキャリア材上の配線パターンが形成
された面にレジスト膜を形成し、配線パターン上の所定
位置にレジスト膜の開口部を形成し、その形成された開
口部より小さな開口径を有する受け穴を該開口部内の前
記配線パターンまたは前記絶縁テープに達する深さで形
成し、前記レジスト膜の開口部及び受け穴が形成された
テープキャリア材を金属めっき液に浸漬して無電解めっ
きを行い、前記開口部が埋まる厚さに金属めっき層を形
成し、前記レジスト膜を除去し、前記配線パターン上に
金属めっき突起を形成する。

【００２４】（１１）（１０）の検査用プローブ基板の
製造方法において、前記レジスト膜の開口部及び前記受
け穴が形成されたテープキャリア材の無電解めっきを前
記開口部内の所定の高さの金属めっき層を形成するまで
行い、その金属めっき層が形成されたテープキャリア材
を貴金属めっき液中に浸して無電解、または電解めっき
を行い、無電解で形成された金属めっき突起の表面に前
記開口部が埋まる厚さの貴金属めっきを形成し、前記レ
ジスト膜を除去し、前記配線パターン上に貴金属めっき
を施した金属めっき突起を形成する。

【００２５】このようにすることで、金属めっき突起の
凹んだ部分に半導体チップのボール端子が入り込み、ア
ライメントが可能になり、位置ズレを極力抑えることが
可能になる。

【００２６】また、アライメントができるのと同時に、
凹みの端（エッジ）部分でボール端子の酸化皮膜をワイ
ピングし、接触抵抗を低下させることが可能になる。こ
れよって、より正確な検査を行うことが可能になる。

【００２７】さらに、金属めっき突起を無電解金属めっ
きで形成することにより、金属めっき突起の硬度が増す
ので、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供でき
る。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明にかかる一実施形態の検査
用プローブ基板を図面を用いて詳細に説明する。

【００２９】図１は、本実施形態の検査用プローブ基板
の構成を説明するための平面図である。図２は、図１に
示すＡ−Ａ線で切った断面図を示す。なお、図１，図２
は、主要部分の構成を説明し易いように示してある。

【００３０】図１，図２に示すように、本実施形態の検
査用プローブ１００は、ポリイミド等の絶縁基板（絶縁
テープ）１０と、検査する半導体チップの外部端子の位
置に合わせて絶縁テープ１０上に設けられ銅箔等の導電
性薄膜で形成された配線パターン１１と、その配線パタ
ーン１１上における外部端子との接続位置に設けられた
めっき突起１２とから構成される。

【００３１】この絶縁テープ１０は、絶縁性があり、か
つ半導体チップの外部端子の凸凹（例えば、ボール端子
の高さの誤差）を吸収するために変形しやすいフレキシ
ブル材料を用いる。

【００３２】配線パターン１１は、導電性材料で加工し
やすい薄膜金属をエッチングして形成され、配線ケーブ
ル等を介して検査装置（ここでは図示せず）と電気的に
接続される。

【００３３】めっき突起１２は、図１，図２に示すよう
に、中心部分が凹んだ（刳り抜かれた）円筒状の形状を
している。これにより、凹んだ部分に半導体チップのボ
ール端子が入り込み、アライメントが可能になり、位置
ズレを極力抑えることが可能になる。

【００３４】また、アライメントができるのと同時に、
凹みの端（エッジ）部分でボール端子の酸化皮膜をワイ
ピングし、接触抵抗を低下させることが可能になる。こ
れによって、より正確な検査を行うことが可能になる。

【００３５】さらに、半導体チップのボール端子と押圧
接触するため、耐久性を高めるために硬質であって、か
つ導電性が高い材料で形成する必要がある。例えば、無
電解めっき法で形成された金属めっきで形成するのがよ
い。この無電解金属めっきは、電解金属めっきに比べ、
硬質に積層されるためである。ここで、ニッケルを例に
挙げると、無電解ニッケルめっきで形成された突起のピ
ッカーズ硬度はＨｖ４５０〜６００であり、電解ニッケ
ルめっきで形成された突起のピッカーズ硬度はＨｖ１８
０程度であり、無電解めっき法と電解めっき法とで形成
された突起の硬度の差は明らかである。

【００３６】無電解金属めっきの中でも、特に、無電解
ニッケルめっきは導電性が高く、硬質であるため、この
めっき突起１２には最適である。他には、無電解銅めっ
きがある。

【００３７】また、図３に示すように、この無電解金属
めっきで形成されためっき突起１２及び配線パターン１
１上に、ボール端子との接触部分の酸化防止のための金
属めっき（例えば、金めっき）１３を施すこともある。
なお、配線パターン１１とめっき突起１２を被覆するめ
っき層は、金めっき１３に限るものではなく、例えば、
ロジウム、パラジウム、白金、銀などの酸化されにくい
貴金属めっきが好ましい。また、これらの貴金属めっき
は、めっき突起１２の接触抵抗を軽減する性質を有する
ので、品質検査をより正確に行える。

【００３８】次に、本実施形態の検査用プローブ基板１
００の製造方法について図面を用いて説明する。図４
は、本実施形態の検査用プローブ基板１００の製造方法
を説明するための図である。

【００３９】本実施形態の検査用プローブ基板１００
は、図４（ａ）に示すように、ポリイミドの絶縁テープ
１０に接着剤２２により銅箔２１を貼り付けた３層構造
のテープキャリア材を作成する。

【００４０】次に、図４（ｂ）に示すように、そのテー
プキャリア材の銅箔２１の面に、ポジ型フォトレジスト
２３を塗布し、フォトレジスト塗布面に露光、現像、エ
ッチング、レジスト膜剥離等の一連のフォトファブリケ
ーションを施し、図４（ｃ）に示すように、配線パター
ン１１を形成する。

【００４１】次に、この配線パターン１１上に厚付け用
のポジ型フォトレジスト２３を塗布してレジスト膜を形
成し、図４（ｄ）に示すように、これに露光及び現像を
施し、半導体チップのアルミパッドまたはボール端子
（不図示）に合致する位置の配線パターン１１上に円筒
状のレジスト開口部２４を形成する。なお、厚付け用の
ポジ型フォトレジスト２３の代わりにドライフィルムレ
ジストを用いてもよい。

【００４２】次に、そのレジスト開口部２４が形成され
た基板（絶縁テープ、配線パターンを含むテープキャリ
ア材）をニッケルめっき液に浸漬して無電解めっきを行
い、図４（ｅ）に示すように、レジスト開口部２４がほ
ぼ埋まる厚さにレジスト開口部内にニッケルめっき層
（めっき突起）１２を施す。

【００４３】次に、図４（ｆ）に示すように、専用剥離
液を用いてレジスト２３を溶解除去し、次に、図４
（ｇ）に示すように、配線パターン１１上にめっき突起
１２が形成された基板を金めっき液中に浸して電解めっ
きを行い、配線パターン１１上に無電解で形成されたニ
ッケルのめっき突起１２の表面に金めっき１３を形成す
る。このように、作成した基板を所望のサイズに切断
し、図５に示すように、検査する半導体チップ３１のボ
ール端子とニッケルめっき突起１２とを接触するように
プローブソケット３０に設置する検査用プローブ基板１
００を形成する。

【００４４】また、めっき突起１２の形成は、上記の金
めっき／ニッケルめっきの組み合わせに限定されるもの
ではなく、パラジウム、ロジウム、ニッケル合金、ダイ
ヤモンド、シリカなどの硬質粉末を含有した複合めっき
皮膜など、多様な組み合わせの使用が可能である。

【００４５】また、本実施形態のめっき突起１２の形状
は、円筒状に限るものではなく、ボール端子を引き込む
ように作用するものであれば、どんな形状であっても構
わない。例えば、図６（ａ）に示すように、四角柱の中
心部分を四角柱状に凹ませた（刳り抜いた）ものや、図
６（ｂ）に示すように、四角柱の中心部分を円柱状に凹
ませたものであっても構わない。そのほかにも多角柱の
形状であってもよい。

【００４６】このように、絶縁性があるテープと、前記
基板上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パ
ターン上に電気的に接続されるように形成され、半導体
装置もしくは電子装置の外部端子と接触する、中心部分
が凹んだ円筒または多角柱状に形成されためっき突起１
２とを備えることにより、凹みの端（エッジ）部分でボ
ール端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低下さ
せることができるので、半導体チップとの位置ずれが起
きた場合でも、より正確な検査を行うことが可能にな
る。

【００４７】また、めっき突起１２を無電解金属めっき
で形成することにより、めっき突起１２の硬度が増すの
で、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。

【００４８】なお、本実施形態では、半導体チップ３１
を検査する場合について説明してきたが、本発明はこの
半導体チップの限るものではなく、電子装置の検査にも
適応できる。

【００４９】（実施例１）：脱落抑止突起を埋め込み形
成図７は、本実施例１の検査用プローブ基板の構成を説明
するための図であり、図７（ａ）はその断面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）に示す点線の囲みＣを示した図であ
る。なお、本実施例１の検査用プローブ基板の全体図
は、図１に示す平面図と同様であるため、省略してい
る。

【００５０】図７（ａ）に示すように、本実施例１の検
査用プローブ１００ａは、ポリイミド等の絶縁テープ１
０と、検査する半導体チップの外部端子の位置に合わせ
て絶縁テープ１０上に設けられ銅箔等の配線パターン１
１と、その配線パターン１１上における外部端子との接
続位置に設けられた無電解ニッケルのめっき突起１２
と、その配線パターン１１及びめっき突起１２上に施さ
れた酸化防止のための金めっき１３とをから構成され、
めっき突起１２は配線パターン１１からの脱落を抑止す
る脱落抑止突起１２ａを有し、配線パターン１１にはめ
っき突起１２が配置される位置にその脱落抑止突起１２
ａを嵌合するための受け穴１１ａが設けられる。

【００５１】また、この無電解金属めっきで形成された
めっき突起１２上に、外部端子との接触部分の酸化防止
のために金めっき１３を施すこともある。

【００５２】このように、脱落抑止突起１２ａを設ける
ことによって、めっき突起１２は配線パターン１１の上
面だけでなく側面部分でも結合するので結合を強固にす
ることが可能になる。

【００５３】通常、めっき突起１２の接合部分は基板面
に対して垂直方向にかかる力には強いが、斜め方向を含
む水平方向からの力に弱い傾向がある。このため、主に
検査する半導体チップとの位置ズレによって発生する水
平成分を含む力がめっき突起１２にかかることによっ
て、接合部分に水平方向にずれる力が働き、金属疲労で
弱くなって脱落すると考えられる。

【００５４】したがって、本実施例１のめっき突起１２
は配線パターン１１の上面部分だけでなく側面部分でも
結合し、かつ脱落抑止突起１２ａが配線パターン１１、
接着剤層、さらにはポリイミドの絶縁テープ１０まで達
することで基板面に対して水平方向に対する力により強
くなるので、配線パターン１１とめっき突起１２の全体
を被覆しなくてもめっき突起１２の脱落を抑止でき、耐
久性により優れた検査用プローブ基板を提供できる。

【００５５】また、めっき突起１２は、めっきを積層し
ていくことによって形成されるため、この脱落抑止突起
１２ａ（受け穴１１ａ）を設けることによって、図７
（ｂ）に示すように、半導体チップのボール端子と接触
するめっき突起１２の中心部分は凹んだ形状になる。こ
のときの凹みは逆円錐形のように、エッジ部分が無い凹
みになるが、その凹んだ部分に半導体チップのボール端
子が入り込むことでボール端子との接触面積が増大す
る。このように、接触面積が大きくなるので、接触抵抗
が低下し、検査をより正確に行うことが可能になる。

【００５６】さらに、その際に、高価である金（また
は、貴金属）を配線パターン１１とめっき突起１２の全
体に被覆しなくても耐久性を向上できるので、より安価
な検査用プローブ基板を提供できる。

【００５７】次に、本実施例１の検査用プローブ基板１
００ａの製造方法について図面を用いて説明する。図８
は、本実施例１の検査用プローブ基板１００ａの製造方
法を説明するための図である。

【００５８】本実施例１の検査用プローブ基板１００ａ
は、図８（ａ）に示すように、厚さ２５μｍのポリイミ
ドの絶縁テープ１０に厚さ１２μｍの接着剤２２により
厚さ１８μｍの銅箔２１を貼り付けた３層構造のテープ
キャリア材を作成する。

【００５９】次に、図８（ｂ）に示すように、そのテー
プキャリア材の銅箔２１の面に、ポジ型フォトレジスト
２３を塗布し、フォトレジスト塗布面に露光、現像、エ
ッチング、レジスト膜剥離等の一連のフォトファブリケ
ーションを施し、図８（ｃ）に示すように、配線パター
ン１１を形成する。

【００６０】次に、この配線パターン１１上に厚付け用
のポジ型フォトレジスト２３（例えば、東京応化社製Ｐ
ＭＥＲ等）を塗布して厚さ約２０μｍのレジスト膜を形
成し、図８（ｄ）に示すように、これに露光及び現像を
施し、半導体チップのアルミパッド（不図示）に合致す
る位置の配線パターン１１上に、例えば、円形状、多角
形状のレジスト開口部２４ａを形成する。なお、厚付け
用のポジ型フォトレジスト２３の代わりにドライフィル
ムレジストを用いてもよい。

【００６１】次に、図８（ｅ）に示すように、その形成
されたレジスト開口部２４ａのより小さな開口径、開口
長を有する受け穴１１ａを炭酸ガスレーザ等で配線パタ
ーン１１、接着剤２２層、またはポリイミドの絶縁テー
プ１０に達する深さに形成する。なお、この受け穴１１
ａは、必ずしも接着剤２２層、またはポリイミドの絶縁
テープ１０に達する深さに形成する必要はなく、配線パ
ターン１１の側面と結合できるのであれば、配線パター
ン１１の厚さの１８μｍ以下であっても構わない。

【００６２】次に、そのレジスト開口部２４ａ及び受け
穴１１ａが形成された基板（テープキャリア）をニッケ
ルめっき液に浸漬して無電解めっきを行い、図８（ｆ）
に示すように、レジスト開口部２４ａがほぼ埋まる厚さ
にレジスト開口部内に配線パターン１１から厚さ２０μ
ｍのニッケルめっき層（めっき突起）１２を施す。この
とき、受け穴１１ａには脱落抑止突起１２ａが形成され
る。

【００６３】次に、図８（ｇ）に示すように、めっき突
起１２が形成された基板を金めっき液中に浸して電解め
っきを行い、無電解で形成されたニッケルのめっき突起
１２の表面に金めっき１３を形成する。

【００６４】次に、図８（ｈ）に示すように、専用剥離
液を用いてレジスト２３を溶解除去し、配線パターン１
１上に金めっき１３を施したニッケルのめっき突起１２
を形成する。このように、作成した基板を所望のサイズ
に切断し、図５に示すように、プローブソケット３０に
設置する検査用プローブ基板１００ａを形成する。

【００６５】このように、めっき突起１２に脱落抑止突
起１２ａを設けることで、レジスト膜に円形の開口部を
設けるだけで（円筒状の開口部を設けなくても）、中心
部分が凹んだめっき突起１２を形成することができ、そ
の凹み部分がボール端子を引き込み、接触面積を増大さ
せるので、接触抵抗が低下し、半導体チップとの位置ず
れが起きた場合でも、検査をより正確に行うことが可能
になる。

【００６６】また、めっき突起１２に脱落抑止突起１２
ａを設けることで、めっき突起１２は配線パターン１１
の側面部分とも結合して水平方向に対する力に強くなる
ので、配線パターン１１とめっき突起１２の全体を被覆
しなくてもめっき突起１２の脱落を抑止でき、耐久性に
より優れた検査用プローブ基板を提供できる。

【００６７】なお、本実施例１の検査用プローブ基板１
００ａに対して、配線パターン１１とめっき突起１２に
金めっきを一括して被覆することによって、さらに接合
強度は高くなり、耐久性により優れた検査用プローブ基
板を提供できる。

【００６８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。

【００６９】

【発明の効果】本発明において開示される発明のうち代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００７０】めっき突起に脱落抑止突起を設けること
で、レジスト膜に円形の開口部を設けるだけで（円筒状
の開口部を設けなくても）、中心部分が凹んだめっき突
起を形成することができ、その凹み部分がボール端子を
引き込み、接触面積を増大させるので、接触抵抗が低下
し、半導体チップとの位置ずれが起きた場合でも、より
正確な検査を行うことが可能になる。

【００７１】また、めっき突起を無電解金属めっきで形
成することにより、めっき突起の硬度が増すので、耐久
性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の検査用プローブ基板の構
成を説明するための平面図である。

【図２】図１に示すＡ−Ａ線で切った断面図である。

【図３】金めっきを施した検査用プローブ基板の構成を
説明するための平面図である。

【図４】本実施形態の検査用プローブ基板１００の製造
方法を説明するための図である。

【図５】検査用プローブ基板を用いるプローブソケット
の構成を説明するための図である。

【図６】めっき突起１２の他の形状について説明するた
めの図である。

【図７】本実施例１の検査用プローブ基板の構成を説明
するための図である。

【図８】本実施例１の検査用プローブ基板の製造方法を
説明するための図である。

【符号の説明】

１０絶縁テープ１１配線パターン１１ａ受け穴１２めっき突起１２ａ脱落抑止突起１３金めっき２１銅箔２２接着剤２３レジスト２４，２４ａ開口部３０プローブソケット３１半導体チップ１００，１００ａ検査用プローブ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性がある基板と、前記基板上に形成さ
れた所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電気
的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは電
子装置の外部端子と接触する金属めっき突起とを備えた
検査用プローブ基板であって、前記金属めっき突起は、
前記外部端子と接触する箇所の中心部分に凹みを有する
ことを特徴とする検査用プローブ基板。
【請求項２】前記請求項１に記載の検査用プローブ基板
において、前記金属めっき突起は、前記外部端子と接触
する箇所の反対側に前記配線パターンまたは前記基板内
に埋め込まれる脱落抑止突起を有し、前記配線パターン
または前記基板は、前記金属めっき突起が形成される箇
所に前記脱落抑止突起を嵌合する穴を有することを特徴
とする検査用プローブ基板。
【請求項３】前記請求項１に記載の検査用プローブ基板
において、前記金属めっき突起の形状は、中心部分が刳
り抜かれた円柱（円筒状）であることを特徴とする検査
用プローブ基板。
【請求項４】前記請求項１に記載の検査用プローブ基板
において、前記金属めっき突起の形状は、中心部分が刳
り抜かれた多角柱であることを特徴とする検査用プロー
ブ基板。
【請求項５】前記請求項１乃至４の何れか１つに記載の
検査用プローブ基板において、前記金属めっき突起は、
無電解めっき法で形成された無電解金属めっき突起であ
ることを特徴とする検査用プローブ基板。
【請求項６】前記請求項１乃至５の何れか１つに記載の
検査用プローブ基板において、前記配線パターン及びそ
の上に形成された前記金属めっき突起を酸化防止金属膜
で一括被覆形成したことを特徴とする検査用プローブ基
板。
【請求項７】前記請求項６に記載の検査用プローブ基板
において、前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきである
ことを特徴とする検査用プローブ基板。
【請求項８】検査する半導体装置もしくは電子装置の外
部端子の位置に合わせて基板に配線パターンを形成し、
前記各配線パターン上に前記外部端子と接触する金属め
っき突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法であ
って、絶縁テープに接着剤を用いて導電性薄膜を貼り付
けた３層構造のテープキャリア材を作成し、そのテープ
キャリア材の導電性薄膜の貼り付け面に、フォトファブ
リケーションを施して配線パターンを形成し、テープキ
ャリア材上の配線パターンが形成された面にレジスト膜
を形成し、配線パターン上の所定位置のレジスト膜に円
筒状、または中心部分が刳り抜かれた多角柱状の開口部
を形成し、前記レジスト膜の開口部が形成されたテープ
キャリア材を金属めっき液に浸漬して無電解めっきを行
い、前記開口部が埋まる厚さに金属めっき層を形成し、
前記レジスト膜を除去し、前記配線パターン上に金属め
っき突起を形成したことを特徴とする検査用プローブ基
板の製造方法。
【請求項９】前記請求項８に記載の検査用プローブ基板
の製造方法において、前記金属めっき突起が形成された
テープキャリア材を貴金属めっき液中に浸して無電解、
または電解めっきを行い、無電解で形成された金属めっ
き突起の表面に前記開口部が埋まる厚さの貴金属めっき
を形成し、前記配線パターン上に貴金属めっきを施した
金属めっき突起を形成したことを特徴とする検査用プロ
ーブ基板の製造方法。
【請求項１０】検査する半導体装置もしくは電子装置の
外部端子の位置に合わせて基板に配線パターンを形成
し、前記各配線パターン上に前記外部端子と接触する金
属めっき突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法
であって、絶縁テープに接着剤を用いて導電性薄膜を貼
り付けた３層構造のテープキャリア材を作成し、そのテ
ープキャリア材の導電性薄膜の貼り付け面に、フォトフ
ァブリケーションを施して配線パターンを形成し、テー
プキャリア材上の配線パターンが形成された面にレジス
ト膜を形成し、配線パターン上の所定位置にレジスト膜
の開口部を形成し、その形成された開口部より小さな開
口径を有する受け穴を該開口部内の前記配線パターンま
たは前記絶縁テープに達する深さで形成し、前記レジス
ト膜の開口部及び受け穴が形成されたテープキャリア材
を金属めっき液に浸漬して無電解めっきを行い、前記開
口部が埋まる厚さに金属めっき層を形成し、前記レジス
ト膜を除去し、前記配線パターン上に金属めっき突起を
形成したことを特徴とする検査用プローブ基板の製造方
法。
【請求項１１】前記請求項１０に記載の検査用プローブ
基板の製造方法において、前記レジスト膜の開口部及び
前記受け穴が形成されたテープキャリア材の無電解めっ
きを前記開口部内の所定の高さの金属めっき層を形成す
るまで行い、その金属めっき層が形成されたテープキャ
リア材を貴金属めっき液中に浸して無電解、または電解
めっきを行い、無電解で形成された金属めっき突起の表
面に前記開口部が埋まる厚さの貴金属めっきを形成し、
前記レジスト膜を除去し、前記配線パターン上に貴金属
めっきを施した金属めっき突起を形成したことを特徴と
する検査用プローブ基板の製造方法。