JP2001237202A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスパ
ターンが形成された半導体ウェハの表面を高度に平坦化
処理する半導体装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device for highly planarizing a surface of a semiconductor wafer having a semiconductor device pattern formed thereon.
【０００２】[0002]
【従来の技術】特開昭６２−１０２５４３に記載されて
いるウェハに配線構造を形成する製造方法を図１７
（ａ），（ｂ）に示す。この方法は、シリコン基板５０
上の表面の平坦な層間絶縁膜５１に配線溝５２を形成
し、配線溝５２を埋め込むように金属膜５３を成長し
（図１７（ａ））、さらに層間絶縁膜５１上の金属膜５
３を化学機械研磨法（以後、ＣＭＰ法と呼ぶ）により選
択的に除去することで、配線溝５２に選択的に金属を埋
め込む配線５３ａを製造するものである（図１７
（ｂ））。このような配線の製造方法の場合には、いか
に精度良く金属膜を薄膜化し、研磨していくかが非常に
重要である。2. Description of the Related Art A manufacturing method for forming a wiring structure on a wafer described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-102543 is shown in FIG.
(A) and (b) show. This method uses a silicon substrate 50.
A wiring groove 52 is formed in an interlayer insulating film 51 having a flat upper surface, and a metal film 53 is grown so as to fill the wiring groove 52 (FIG. 17A).
17 is selectively removed by a chemical mechanical polishing method (hereinafter, referred to as a CMP method) to manufacture a wiring 53a for selectively embedding a metal in the wiring groove 52 (FIG. 17).
(B)). In the case of such a wiring manufacturing method, it is very important how accurately the metal film is thinned and polished.
【０００３】図１８は、従来の配線構造の研磨装置（Ｃ
ＭＰ装置）の一例を示す。従来のＣＭＰ装置は、半導
体デバイスパターンの形成された半導体ウェハをＣＭＰ
装置に搬入・搬出するためのウェハ搬送系６１，ポリ
ウェレタンシート等の研磨パッド６３が張られた回転大
口径研磨定盤６２，ウェハ搬送系６１からウェハＷを
受け取り、研磨パッド６３上にウェハ面を押し付ける回
転ウェハ保持ヘッド６４，研磨パッド６３に１００〜
５００μｍ程度のダイヤモンド微粒子を電着させた回転
円盤を用いて研磨パッド６３の表面を目立てする研磨パ
ッドコンディショナ６５，純水にシリカ粒子を分散さ
せたスラリ（研磨液）の供給部６６からなる。このＣＭ
Ｐ装置では、ウェハ直径の２倍以上の研磨定盤６２に張
られた研磨パッド６３が上向面であり、ウェハの研磨面
が下向面となっている。研磨スラリはパイプ６６ａを通
じて研磨パッド６３上に直接滴下され、上向きとなって
いる研磨パッド６３上に液膜となって保持されてウェハ
表面に至る。また、下向きとなっている研磨パッドコン
ディショナが、研磨パッド面に下降することで研磨パッ
ド表面を目立てする方式となっている。FIG. 18 shows a conventional wiring structure polishing apparatus (C).
(MP device) is shown. A conventional CMP apparatus performs a CMP process on a semiconductor wafer on which a semiconductor device pattern is formed.
The wafer W is received from a wafer transfer system 61 for carrying in and out of the apparatus, a rotating large-diameter polishing platen 62 on which a polishing pad 63 such as a polyurethane sheet is stretched, and a wafer W is transferred onto the polishing pad 63. The rotating wafer holding head 64 pressing the surface and the polishing pad 63
The polishing pad 63 includes a polishing pad conditioner 65 for sharpening the surface of the polishing pad 63 using a rotating disk on which diamond fine particles of about 500 μm are electrodeposited, and a supply unit 66 for a slurry (polishing liquid) in which silica particles are dispersed in pure water. This CM
In the P apparatus, a polishing pad 63 attached to a polishing platen 62 having a diameter twice or more the diameter of the wafer is an upward surface, and a polished surface of the wafer is a downward surface. The polishing slurry is directly dropped on the polishing pad 63 through the pipe 66a, is held as a liquid film on the polishing pad 63 facing upward, and reaches the wafer surface. In addition, the polishing pad conditioner that is directed downward descends to the polishing pad surface to sharpen the polishing pad surface.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前記ＣＭＰ装置による
ときにはウェハおよび研磨定盤の回転速度の増加と研磨
圧力の増加により、金属膜の研磨速度を大きくすること
ができるが、金属膜表面への傷の発生を抑制するには低
圧力・高速回転が望ましい。しかしながら、このＣＭＰ
装置では大口径の研磨定盤を回転する必要があり、低圧
力・高速回転の研磨条件（例えば、定盤回転速度＝３０
０ｒｐｍ，研磨圧力＝０．１ｋｇ／ｃｍ2）を達成する
ことは不可能であった。また、研磨パッドが上向きとな
っているため研磨パッド上に研磨パッドコンディショナ
からのダイヤモンド粒子が脱落しやすい構造となってお
り、滑落ダイヤモンド粒子により金属膜に傷を発生させ
る場合があった。When the CMP apparatus is used, the polishing rate of the metal film can be increased by increasing the rotation speed of the wafer and the polishing platen and increasing the polishing pressure. Low pressure and high speed rotation are desirable in order to suppress the generation of the gas. However, this CMP
In the apparatus, it is necessary to rotate a large-diameter polishing platen, and polishing conditions of low pressure and high speed rotation (for example, platen rotation speed = 30)
0 rpm, polishing pressure = 0.1 kg / cm 2 ) could not be achieved. In addition, since the polishing pad is directed upward, the structure is such that diamond particles from the polishing pad conditioner easily fall on the polishing pad, and the metal film may be damaged by the slipping diamond particles.
【０００５】また、ウェハ表面を平坦化処理する場合
に、従来は、第１の研磨定盤と、第２の研磨定盤との２
基の研磨定盤を用いて２段処理により行われていた。す
なわち、第１の研磨定盤は硬質の研磨布が貼られたもの
であり、粗研磨による平坦化処理に用いられ、第２の研
磨定盤は軟質の研磨布が貼られたものであり、仕上げ処
理に用いられる。実際の研磨に際しては、両研磨定盤を
回転駆動しつつ、まず第１の研磨定盤にウェハを押付
け、ウェハの銅薄膜表面を粗研磨して平坦化した後、第
２の研磨定盤に平坦化されたウェハの表面を押し付けて
仕上げ処理を行っていた。Conventionally, when a wafer surface is flattened, a first polishing platen and a second polishing platen are used.
This was performed by a two-stage process using a base polishing platen. That is, the first polishing platen is a plate to which a hard polishing cloth is pasted, and is used for flattening treatment by rough polishing, and the second polishing platen is a plate to which a soft polishing cloth is pasted, Used for finishing. In actual polishing, while rotating both polishing plates, the wafer is first pressed against the first polishing plate, the copper thin film surface of the wafer is roughly polished and flattened, and then the second polishing plate is formed. The finishing process is performed by pressing the surface of the flattened wafer.
【０００６】第１及び第２の研磨定盤は、前述のように
研磨するウェハの大きさに比してはるかに大型であり、
ウェハの平坦化並びに仕上げ処理に２基の大型の研磨定
盤を用いたのでは、限られた工場内のスペースを大きく
専有することとなって、空間の利用効率が低下する。殊
に、最近のウェハの大型化に伴い研磨定盤も益々大型化
に向かう傾向にあり、研磨定盤の設置スペース確保の問
題は、いずれ深刻な問題になってくることが予想され
る。さらには、大型の研磨定盤の全体に研磨液をゆき渡
らせる必要から大量の研磨液を要し、これがランニング
コストを上昇させ、使用済の研磨液の処分が大きな環境
問題となっていた。また、２基の研磨定盤を用いること
の今一つの問題は、両研磨定盤間にウェハを移し替える
ための時間的ロスの問題である。[0006] The first and second polishing plates are much larger than the size of the wafer to be polished as described above.
If two large polishing plates are used for the flattening and finishing of the wafer, the limited space in the factory is occupied greatly, and the space utilization efficiency is reduced. In particular, with the recent increase in size of wafers, the size of the polishing table also tends to increase, and it is expected that the problem of securing the installation space for the polishing table will eventually become a serious problem. Further, a large amount of the polishing liquid is required because the polishing liquid needs to spread over the entire large polishing platen, which increases the running cost, and disposal of the used polishing liquid has become a major environmental problem. Another problem of using two polishing plates is a problem of time loss for transferring a wafer between both polishing plates.
【０００７】すなわち、ウェハの研磨には研磨液（スラ
リ）を用い、研磨液を供給しつつチャックに加えたウェ
ハを研磨定盤に押し付けて研磨が行われるが、第１研磨
定盤から第２研磨定盤に移行させるためにはウェハを第
１研磨定盤側のチャックから外し、さらに第２研磨定盤
側のチャックに付け替えなければならない。この付け替
えに時間がかかると半導体ウェハに付着した研磨液が乾
燥し、これがウェハ上の傷となり、また、ウェハがエッ
チングされるという問題を生ずる。さらに、従来はチャ
ッキングしたウェハを下向きにして大径の研磨定盤に押
し付けるという方式であったため、ウェハの研磨面を全
く観察することができず、研磨状況を把握することがで
きなかった。That is, a polishing liquid (slurry) is used for polishing the wafer, and the wafer added to the chuck is pressed against the polishing platen while the polishing liquid is supplied to perform polishing. In order to shift to the polishing table, the wafer must be removed from the chuck on the first polishing table, and further replaced with the chuck on the second polishing table. If the replacement takes a long time, the polishing liquid attached to the semiconductor wafer dries, which causes a scratch on the wafer and causes a problem that the wafer is etched. Further, conventionally, the chucked wafer is pressed downward on a large-diameter polishing plate, so that the polished surface of the wafer cannot be observed at all, and the polishing state cannot be grasped.
【０００８】本発明の目的は、インデックステーブルを
用い、ウェハ搬入，研磨並びに搬出を同時並行に行い、
あわせて上記、従来のＣＭＰ装置の保有する問題点を一
挙に解消しうる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。An object of the present invention is to simultaneously carry in, carry in, polish and carry out wafers using an index table.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can solve the problems of the conventional CMP apparatus at a glance.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板
上の埋め込み膜を平坦化する半導体装置の製造方法にお
いて、前記半導体基板の埋め込み膜を上向きにして前記
半導体基板をインデックステーブル上のホルダに保持
し、前記ホルダを回転させて前記基板を一定方向に回転
し、前記回転する基板の上方より、前記基板の直径と同
等以下の研磨布が張られたポリッシングヘッドを半径方
向に揺動させて、前記半導体基板基板上の前記埋め込み
膜を平坦化研磨するものである。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is directed to a method of manufacturing a semiconductor device for planarizing a buried film on a semiconductor substrate. Holding the semiconductor substrate in a holder on an index table with the substrate facing upward, rotating the holder to rotate the substrate in a fixed direction, and from above the rotating substrate, a polishing cloth equal to or less than the diameter of the substrate. The polishing head with the tension is swung in the radial direction to flatten and polish the buried film on the semiconductor substrate.
【００１０】また平坦化研磨後、インデックステーブル
を所定角度回転させて半導体基板を搬送するものであ
る。また前記埋め込み膜が導電体金属である。また前記
埋め込み膜が銅膜と導電性密着膜からなるものである。
また銅膜と導電性密着膜である前記埋め込み膜を、少な
くとも２つ以上の前記ポリッシングヘッドで平坦化研磨
するものである。また銅膜と導電性密着膜である前記埋
め込み膜を平坦化研磨する際、異なる種類の研磨液を用
いるものである。After flattening and polishing, the semiconductor substrate is transported by rotating the index table by a predetermined angle. The buried film is a conductive metal. Further, the buried film comprises a copper film and a conductive adhesive film.
Further, the copper film and the buried film, which is a conductive adhesion film, are polished and flattened by at least two or more of the polishing heads. When the copper film and the buried film, which is a conductive adhesive film, are planarized and polished, different types of polishing liquids are used.
【００１１】また前記ポリシングヘッドから研磨液を供
給するものである。また研磨終了時に前記ポリッシンン
グヘッドから供給される研磨液を洗浄水に切替て研磨液
を取り除くものである。[0011] A polishing liquid is supplied from the polishing head. At the end of polishing, the polishing liquid supplied from the polishing head is switched to cleaning water to remove the polishing liquid.
【００１２】また半導体ウエハ上の埋め込み膜を上向き
にして前記半導体ウエハをホルダ上に保持して研磨する
際、該ホルダの周辺部に設けられた水シール室よりウエ
ハ裏面周辺部へ純水を供給することでウエハ裏面への研
磨液回り込みを防ぐものである。Further, when polishing the semiconductor wafer by holding the semiconductor wafer on a holder with the buried film on the semiconductor wafer facing upward, pure water is supplied from a water seal chamber provided in the periphery of the holder to the periphery of the back surface of the wafer. By doing so, it is possible to prevent the polishing liquid from flowing to the back surface of the wafer.
【００１３】また上向きに保持されたウエハ上の前記埋
め込み膜の研磨中に、直接光を照射し、その直接反射光
を受光して研磨終点を検出するものである。Further, during polishing of the buried film on the wafer held upward, direct light is irradiated, and the directly reflected light is received to detect the polishing end point.
【００１４】また上向きに保持されたウエハ上の前記埋
め込み膜の研磨中に、直接光を照射し、その直接反射光
を受光してその反射率連続的変化から研磨終点を検出す
るものである。Further, during polishing of the buried film on the wafer held upward, direct light is irradiated, the directly reflected light is received, and the polishing end point is detected from the continuous change of the reflectance.
【００１５】また上向きに保持されたウエハ上の前記埋
め込み膜の研磨中に、気体あるいは液体の吹き付けによ
り、前記埋め込み膜表面の光直接照射領域に付着する研
磨液を部分的に除去して研磨終点検出を行うものであ
る。また上向きに保持されたウエハ上の前記埋め込み膜
の研磨中に、前記ポリッシングヘッドの揺動に同期させ
て揺動されている光を照射させるものである。Further, during polishing of the buried film on the wafer held upward, a polishing liquid adhering to a direct light irradiation area on the surface of the buried film is partially removed by spraying a gas or a liquid to finish the polishing. It performs detection. Further, during the polishing of the buried film on the wafer held upward, the oscillating light is irradiated in synchronization with the oscillation of the polishing head.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下に本発明による自動研磨装置
を、半導体ウェハの一次研磨と、二次研磨との二段階研
磨によって表面を平坦化処理する装置に適用した例につ
いてその実施形態を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which an automatic polishing apparatus according to the present invention is applied to an apparatus for flattening a surface by two-stage polishing of primary polishing and secondary polishing of a semiconductor wafer will be described below. I do.
【００１７】図１，２において、本発明による研磨装置
においては、インデックステーブル１を有し、インデッ
クステーブル１の周上にローディングステーションＳ1
と、一次研磨ステーションＳ2と、二次研磨ステーショ
ンＳ3と、アンローディングステーションＳ4とが設定さ
れたものである。インデックステーブル１は、ウェハを
保持させる複数のホルダ２を同心上に有し、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4に順次転回送りが与えられ、各ステーショ
ンＳ1〜Ｓ4は、インデックステーブル１の停止位置に割
り付けられたものである。1 and 2, the polishing apparatus according to the present invention has an index table 1 and a loading station S 1 on the periphery of the index table 1.
When a primary polishing station S 2, the secondary polishing station S 3, in which the unloading station S 4 are set. The index table 1 has a plurality of holders 2 for holding wafers concentrically, and each station S 1 to S 4 is sequentially fed with revolving feed. Each of the stations S 1 to S 4 has a stop position of the index table 1. It is assigned to
【００１８】ローディングステーションＳ1は、インデ
ックステーブル１上にウェハを搬入する領域であり、ア
ンローディングステーションＳ4は、テーブル１上から
ウェハを搬出する領域である。この実施形態において、
一次研磨ステーションＳ2は、インデックステーブル１
上に搬入されたウェハの表面を平坦化処理する領域であ
り、二次研磨ステーションＳ3は、平坦化処理後のウェ
ハの表面を仕上げ処理する領域である。The loading station S 1 is an area for loading wafers onto the index table 1, and the unloading station S 4 is an area for loading wafers from the table 1. In this embodiment,
The primary polishing station S 2 has an index table 1
An area where the surface is flattened in the loaded wafer above, the secondary polishing station S 3 is a region that handles finishing the surface of the wafer after planarization.
【００１９】インデックステーブル１の上面は、回転中
心を含んで９０°の間隔で隔壁１ａより４区画され、そ
れぞれの区画にホルダ２を装備したものである。図３に
おいて、インデックステーブル１はステッピングモータ
３で駆動されて回転角９０°ずつ転回し、インデックス
テーブル１の停止位置に割付けられたステーションに順
次ホルダ２を移送する。ホルダ２は、ウェハを保持する
ものであり、この実施形態ではウェハを吸着するバキュ
ームチャック４を上面に有している。一方、各ステーシ
ョンＳ1〜Ｓ4には、それぞれホルダ２を駆動するモータ
５が設置されている。ホルダ２は、ベアリング１ａを介
してインデックステーブル１に支持されており、電磁ク
ラッチ６を有し、電磁クラッチ６でモータ５に接続する
ことによって、モータ５と連動し、各ステーションに移
送されてきたホルダ２は、それぞれのモータ５の回転速
度で一方向に回転駆動される。The upper surface of the index table 1 is divided into four sections from the partition wall 1a at 90 ° intervals including the center of rotation, and each section is provided with a holder 2. In FIG. 3, the index table 1 is driven by a stepping motor 3 to rotate by a rotation angle of 90 °, and sequentially transfers the holder 2 to a station assigned to a stop position of the index table 1. The holder 2 holds a wafer, and in this embodiment, has a vacuum chuck 4 on its upper surface for sucking the wafer. On the other hand, a motor 5 for driving the holder 2 is installed at each of the stations S 1 to S 4 . The holder 2 is supported by the index table 1 via a bearing 1a, has an electromagnetic clutch 6, and is connected to the motor 5 by the electromagnetic clutch 6, so that the holder 2 is transferred to each station in conjunction with the motor 5. The holder 2 is driven to rotate in one direction at the rotation speed of each motor 5.
【００２０】ホルダ２には、インデックステーブル１と
一体となったスリーブ１ｂが外装されている。バキュー
ムチャック４の真空引きの経路は、ホルダ２内に形成さ
れ、ホルダ２の胴部に環状に開口し、開口は、スリーブ
１ｂにシールされるとともに、スリーブ１ｂのポート１
ｃで外部配管４ａに受けられる。配管４ａは、真空ポン
プ（図示略）に通じ、配管４ａには切替バルブ１ｅが介
装されている。なお、ポート１ｃは電磁チャックの機能
を有し、ポート１ｃの電磁チャックは、ホルダ２が研磨
ステーションＳ2又はＳ3に達したときに動作し、外部配
管４ａをバキュームチャック４に連通させ、真空ポンプ
の駆動により、外部配管４ａを通じてバキュームチャッ
ク４を脱気させる。なお、インデックステーブル１の転
回移動中は、ポート１ｃは閉じられ、ホルダ２側のバキ
ュームチャック４の真空引き経路は、外部配管４ａから
隔離される。なお、後に説明するように、バキュームチ
ャック４の逆洗を行うときには、切替バルブ１ｅを純水
等の洗浄液供給配管に接続し、洗浄液をバキュームチャ
ック４に給水して逆噴射させる。The holder 2 is provided with a sleeve 1b integral with the index table 1. A path for evacuation of the vacuum chuck 4 is formed in the holder 2 and opens in a ring shape in the body of the holder 2. The opening is sealed by the sleeve 1 b and the port 1 of the sleeve 1 b is opened.
At c, it is received by the external pipe 4a. The pipe 4a communicates with a vacuum pump (not shown), and the pipe 4a is provided with a switching valve 1e. Incidentally, the port 1c has the function of electromagnetic chuck, electromagnetic chuck port 1c operates when the holder 2 has reached the polishing station S 2 or S 3, communicates the external pipe 4a to the vacuum chuck 4, vacuum By driving the pump, the vacuum chuck 4 is evacuated through the external pipe 4a. During the revolving movement of the index table 1, the port 1c is closed, and the evacuation path of the vacuum chuck 4 on the holder 2 side is isolated from the external pipe 4a. As will be described later, when performing backwashing of the vacuum chuck 4, the switching valve 1e is connected to a cleaning liquid supply pipe such as pure water, and the cleaning liquid is supplied to the vacuum chuck 4 and injected reversely.
【００２１】さらにバキュームチャック４には、その外
周のシールリング２９から、純水が供給される。ホルダ
２内には、純水の供給経路を有し、純水の供給経路に
は、ポンプ１ｆに汲み上げられて外部配管４ｂから供給
された純水がスリーブ１ｂのポート１ｄを通じて給水さ
れる。ポート１ｄは、電磁クラッチの機能を有し、ポー
ト１ｄの電磁クラッチは、先のポート１ｃの電磁クラッ
チと同じようにホルダ２がステーションＳ2又はＳ3に達
したときにのみ動作して外部配管４ｂをホルダ２内の純
水供給経路に連通させるものである。Further, pure water is supplied to the vacuum chuck 4 from a seal ring 29 on the outer periphery thereof. The holder 2 has a supply path of pure water, and pure water supplied by the pump 1f and supplied from the external pipe 4b is supplied to the supply path of pure water through the port 1d of the sleeve 1b. Port 1d has a function of the electromagnetic clutch, the electromagnetic clutch port 1d is external pipe operates only when the same way the holder 2 and the electromagnetic clutch of the previous port 1c reaches the station S 2 or S 3 4b communicates with the pure water supply path in the holder 2.
【００２２】以下に各ステーションＳ1〜Ｓ4の構成を説
明する。 （１）ローディングステーションＳ1 ローディングステーションＳ1には、ロボットアーム７
と、ウェハ裏面洗浄手段８とチャック洗浄手段９とを装
備している。ロボットアーム７は、ウェハキャリア１０
からウェハＷを一枚ずつ取り出し、これをピンクランプ
１１下に搬送する。ピンクランプ１１は、クランプのウ
ェハ裏面洗浄処理後、インデックステーブル１上にウェ
ハＷを搬入するものであり、ウェハＷの周縁を保持する
ために、数本のピンを同一円周上の位置で拡縮可能に配
列している。ウェハ裏面洗浄手段８は、ピンクランプ１
１に保持されたウェハＷの裏面を洗浄するものである。
ウェハ裏面洗浄手段８は、例えばブラシである。その構
造を図４に示す。The configuration of each of the stations S 1 to S 4 will be described below. (1) Loading station S 1 Loading station S 1 has a robot arm 7
And a wafer back surface cleaning means 8 and a chuck cleaning means 9. The robot arm 7 includes a wafer carrier 10
The wafers W are taken out one by one from the substrate and transported under the pin clamp 11. The pink lamp 11 carries the wafer W onto the index table 1 after cleaning the back surface of the wafer of the clamp. In order to hold the periphery of the wafer W, several pins are enlarged and reduced at the same circumferential position. They are arranged as possible. The wafer back surface cleaning means 8 includes the pin clamp 1
This is for cleaning the back surface of the wafer W held in 1.
The wafer back surface cleaning means 8 is, for example, a brush. The structure is shown in FIG.
【００２３】図４において、ブラシ８ａ，８ｂの対がブ
ラシホルダ１２の両端に上向きに取付けられ、各々のブ
ラシ軸に装着された遊星歯車１３を中心歯車１４に噛合
させ、ブラシホルダ１２を中心歯車１４にて回転駆動す
ることにより、各々のブラシ８ａ，８ｂを自転させなが
ら公転させるようにしたものである。このブラシ８ａ，
８ｂをピンクランプ１１に保持させたウェハＷの裏面に
押し当て、洗浄水を供給しながら回転させてウェハ裏面
の異物を除去する。In FIG. 4, a pair of brushes 8a and 8b is mounted on both ends of a brush holder 12 in an upward direction, and a planetary gear 13 mounted on each brush shaft meshes with a central gear 14, and the brush holder 12 is connected to the central gear. By rotating at 14, the brushes 8a and 8b are revolved while rotating. This brush 8a,
8b is pressed against the back surface of the wafer W held by the pin clamp 11, and rotated while supplying cleaning water to remove foreign matter on the back surface of the wafer.
【００２４】チャック洗浄手段９は、ウェハＷを吸着保
持させるホルダ２のバキュームチャック４を洗浄するも
のである。チャック洗浄手段９は、ウェハＷの搬入に先
立って、ホルダ２上に進出し、ホルダ２上に下降してバ
キュームチャック４の吸着面を払拭する。The chuck cleaning means 9 is for cleaning the vacuum chuck 4 of the holder 2 for holding the wafer W by suction. Prior to carrying in the wafer W, the chuck cleaning means 9 advances onto the holder 2 and descends onto the holder 2 to wipe the suction surface of the vacuum chuck 4.
【００２５】図５にチャック洗浄手段９の一例を示す。
図５において、チャック洗浄手段９は、例えば、回転軸
１５の軸端に円盤状のチャック洗浄部１６を有するもの
である。チャック洗浄部１６は、円形のセラミックリン
グであり、ウェブ面には洗浄水の供給孔１７が開口され
ている。チャック洗浄部１６を回転駆動し、供給孔１７
を通して洗浄水を注水しながらチャック洗浄部１６をバ
キュームチャック４の吸着面に押し付けてバキュームチ
ャック４の吸着面を洗浄する。この洗浄によって、チャ
ック４の保持面上にスラッジがあれば、これを破断，洗
浄し、ウェハＷにデンプルの発生を防止する。FIG. 5 shows an example of the chuck cleaning means 9.
In FIG. 5, the chuck cleaning means 9 has, for example, a disk-shaped chuck cleaning section 16 at the shaft end of the rotating shaft 15. The chuck cleaning unit 16 is a circular ceramic ring, and a cleaning water supply hole 17 is opened on the web surface. The chuck cleaning unit 16 is driven to rotate and the supply hole 17 is rotated.
The chuck cleaning unit 16 is pressed against the suction surface of the vacuum chuck 4 while cleaning water is being injected through the through hole to wash the suction surface of the vacuum chuck 4. By this cleaning, if there is sludge on the holding surface of the chuck 4, the sludge is broken and cleaned, thereby preventing the generation of dimples on the wafer W.
【００２６】バキュームチャック４の吸着面及びウェハ
Ｗの裏面を洗浄した後、ピンクランプ１１上のウェハＷ
をローディングステーションＳ1のホルダ２上に搬入
し、バキュームチャック４の吸着面にウェハＷを吸着さ
せる。ウェハＷの搬入後、インデックステーブル１を一
定の回転角度（９０°）転回させ、搬入されたウェハＷ
をまず、一次研磨ステーションＳ2へ移行させ、ローデ
ィングステーションＳ1に移行してきた次のホルダ２に
対しては、新たなウェハの搬入に備える。After cleaning the suction surface of the vacuum chuck 4 and the back surface of the wafer W, the wafer W on the pin clamp 11 is cleaned.
Is loaded onto the holder 2 of the loading station S 1 , and the wafer W is sucked on the suction surface of the vacuum chuck 4. After the wafer W is loaded, the index table 1 is turned at a fixed rotation angle (90 °), and the loaded wafer W is rotated.
First, is shifted to the primary polishing station S 2, with respect to the following holder 2 has moved to the loading station S 1, a preparation for receiving a new wafer.
【００２７】（２）一次研磨ステーションＳ2 一次研磨ステーションＳ2には、図６に示すようにポリ
ッシングヘッド１８と、パッドコンディショナ手段１９
と、パッドクリーニング手段２０とを装備している。ポ
リッシングヘッド１８は、図７に示すように、加圧シリ
ンダ２１と、ベースプレート２２と、研磨布張り付板２
３との組立体からなり、研磨面に硬質の研磨布２４を有
している。加圧シリンダ２１を支えるスピンドル２５に
よって上方から垂下され、図６に示すように退避位置か
ら一次研磨ステーションＳ2のバキュームチャック４上
に進出し、バキュームチャック４上に吸着されたウェハ
Ｗ上に下降し、研磨布２４をウェハＷの表面に押し付
け、粗研磨によって平坦化処理する。粗研削工程は、ウ
ェハＷを保持するホルダ２を高速で回転させ、ポリッシ
ングヘッド１８を一方向に回転駆動し、その回転中心の
給液孔１８ａより、研磨液（スラリ）を研磨布２４に供
給しつつ行う。これによって研磨液は、研磨布２４の外
周方向に一様に分散し、ホルダ２の高速回転が可能とな
る。(2) Primary polishing station S 2 The primary polishing station S 2 has a polishing head 18 and pad conditioner means 19 as shown in FIG.
And pad cleaning means 20. As shown in FIG. 7, the polishing head 18 includes a pressure cylinder 21, a base plate 22, and a plate 2 with a polishing cloth.
3 and has a hard polishing cloth 24 on the polishing surface. It is hung from above by a spindle 25 supporting the pressurizing cylinder 21, advances from the retreat position onto the vacuum chuck 4 of the primary polishing station S 2 , and descends onto the wafer W sucked on the vacuum chuck 4 as shown in FIG. Then, the polishing pad 24 is pressed against the surface of the wafer W, and a flattening process is performed by rough polishing. In the rough grinding step, the holder 2 holding the wafer W is rotated at a high speed, the polishing head 18 is driven to rotate in one direction, and the polishing liquid (slurry) is supplied to the polishing cloth 24 from the liquid supply hole 18a at the center of rotation. Perform while doing. As a result, the polishing liquid is uniformly dispersed in the outer peripheral direction of the polishing pad 24, and the holder 2 can be rotated at a high speed.
【００２８】なお、ウェハＷは、図８に示すようにバキ
ュームチャック４の吸着孔２６にクランプされている
が、バキュームチャック４には、吸着孔２６の開口領域
の外側に、環状溝として上面に開口された水シール室２
７を有し、水シール室２７は、バキュームチャック４の
側面に開口した通水溝２８に通じ、通水溝２８は、固定
側であるシールリング２９の内壁に開口した給水孔３０
に連通させ、給水孔３０内に洗浄水を圧入し、これを水
シール室２７より溢流させている。これによって研磨液
がウェハＷの下面に回り込んで研磨中にウェハ保持面に
固着するのを防いでいる。あわせて、バキュームチャッ
ク４の吸着孔２６への研磨液の進入は防止される。Although the wafer W is clamped in the suction hole 26 of the vacuum chuck 4 as shown in FIG. 8, the vacuum chuck 4 has an annular groove on the upper surface outside the opening area of the suction hole 26. Opened water seal chamber 2
7, the water seal chamber 27 communicates with a water passage groove 28 opened on the side surface of the vacuum chuck 4, and the water passage groove 28 has a water supply hole 30 opened on the inner wall of the seal ring 29 on the fixed side.
The cleaning water is pressed into the water supply hole 30 and overflows from the water seal chamber 27. This prevents the polishing liquid from flowing around the lower surface of the wafer W and sticking to the wafer holding surface during polishing. At the same time, the polishing liquid is prevented from entering the suction holes 26 of the vacuum chuck 4.
【００２９】図７において、ポリッシングヘッド１８
は、ベースプレート２２の張出し縁２２ａが加圧シリン
ダ２１の鍔部分２１ａに支えられ、研磨布２４は、研磨
布張り付板２３を介してベースプレート２２に保持され
ているものである。加圧シリンダ２１内の加圧室３１内
にはダイヤフラム３２が張り渡され、スピンドル２５内
を通じて加圧室３１内に高圧空気が圧入され、その圧力
によってベースプレート２２は、三次元方向に揺動可能
に支えられ、下面の研磨布２４は、ウェハＷの表面に対
して平行の姿勢に保持される。In FIG. 7, the polishing head 18
The overhanging edge 22a of the base plate 22 is supported by the flange portion 21a of the pressure cylinder 21, and the polishing pad 24 is held on the base plate 22 via the polishing pad 23. A diaphragm 32 is stretched in a pressurizing chamber 31 in the pressurizing cylinder 21, and high-pressure air is pressed into the pressurizing chamber 31 through a spindle 25, and the base plate 22 can swing in a three-dimensional direction by the pressure. The polishing cloth 24 on the lower surface is held in a posture parallel to the surface of the wafer W.
【００３０】ポリッシングヘッドの揺動による微動機能
は本発明の自動研磨装置において極めて重要である。す
なわち、ポリッシングヘッドはインデックステーブル上
に設置されたレールをガイドとして往復運動するわけで
あるが、ポリッシングヘッド部が完全剛体で形成されて
いた場合、レールとウェハ表面との完全平行性が要求さ
れる。この平行性が崩れていた場合、ポリッシングヘッ
ドの送りとともに研磨圧力が変化し、ウェハ面内で研磨
が不均一となってしまう。本発明では、高圧空気による
研磨布への加圧で研磨布面が微動に揺動する機構を具備
していることで構造的遊びを持たせているのである。回
転トルクは、加圧シリンダ２１からベースプレート２２
に伝えられる。なお、図９に示すようにポリッシングヘ
ッド１８の周囲をフード３３で覆い、ウェハの研磨加工
中及び加工完了後は、フード３３の内面に沿って洗浄水
ｆを流しつづけることにより、飛散した研磨液の固化、
ひいては研磨液の固形物の落下によるウェハＷの破損を
防止できる。The fine movement function by the swing of the polishing head is extremely important in the automatic polishing apparatus of the present invention. In other words, the polishing head reciprocates using the rail set on the index table as a guide. If the polishing head is formed of a completely rigid body, complete parallelism between the rail and the wafer surface is required. . If the parallelism is lost, the polishing pressure changes with the feed of the polishing head, and the polishing becomes non-uniform in the wafer surface. In the present invention, structural play is provided by providing a mechanism in which the polishing cloth surface swings slightly by pressurizing the polishing cloth with high-pressure air. The rotation torque is applied from the pressurizing cylinder 21 to the base plate 22.
Conveyed to. As shown in FIG. 9, the periphery of the polishing head 18 is covered with a hood 33, and during and after the polishing of the wafer, the cleaning water f is continuously flown along the inner surface of the hood 33, thereby causing the scattered polishing liquid. Solidification,
Consequently, it is possible to prevent the wafer W from being damaged due to the drop of the solid of the polishing liquid.
【００３１】一方、図６において、ウェハＷの研磨によ
ってポリッシングヘッド１８の研磨布２４に生ずる目づ
まり，目の不揃いは、パッドコンディショナ手段１９に
よって修正する。パッドコンディショナ手段１９は、回
転するパッドコンディショニングディスク３４を有し、
このディスク３４を回転させながらポリッシングヘッド
１８の研磨布２４に押し付けて目立て（ドレスアップ）
を行う。On the other hand, in FIG. 6, clogging and irregularities in the polishing cloth 24 of the polishing head 18 due to the polishing of the wafer W are corrected by the pad conditioner 19. The pad conditioner means 19 has a rotating pad conditioning disc 34,
The disk 34 is pressed against the polishing pad 24 of the polishing head 18 while rotating to dress (dress up).
I do.
【００３２】なお、研磨布２４を目立てするときには、
図７において、加圧シリンダ２１内にさらに高圧空気を
圧入し、ダイヤフラム３２を通じてベースプレート２２
の張出し縁２２ａを加圧シリンダ２１の鍔部分２１ａに
ポリシング圧力より強い所定圧で圧着すれば、研磨布２
４を取り付けたベースプレート２２は、加圧シリンダ２
１に固定して研磨布２４が安定する。研磨布２４の目立
て後は、パットクリーニング手段２０としてのブラシを
回転しつつ進退動させ、研磨布２４の表面に付着してい
る脱落砥粒や研磨粉などを除去して次のウェハの粗研磨
に備え、インデックステーブル１を一定角度（９０°）
転回させて粗研磨による平坦化処理が終了したウェハＷ
を二次研磨ステーションＳ3に移行させる。When sharpening the polishing pad 24,
In FIG. 7, high-pressure air is further injected into the pressurizing cylinder 21, and the base plate 22 is moved through the diaphragm 32.
Is pressed against the flange portion 21a of the pressure cylinder 21 with a predetermined pressure stronger than the polishing pressure.
4 is mounted on the pressure cylinder 2
1 and the polishing pad 24 is stabilized. After the dressing of the polishing cloth 24, the brush as the pad cleaning means 20 is moved forward and backward while rotating, to remove abrasive particles, polishing powder, and the like adhering to the surface of the polishing cloth 24, thereby roughly polishing the next wafer. In order to prepare for, the angle of the index table 1 is fixed (90 °)
The wafer W that has been turned and has been subjected to the flattening process by the rough polishing.
The shifting to the secondary polishing station S 3.
【００３３】（３）二次研磨ステーションＳ3 図１，２において、二次研磨ステーションＳ3において
は、一次研磨による平坦化処理されたウェハ表面の面粗
度をさらに小さくすることを目的として研磨処理が行わ
れる。研磨液は、一次研磨処理に用いた研磨液とは異な
り、仕上げ研磨処理に適したものを用いるのが一般的で
ある。二次研磨ステーションＳ3においても一次研磨ス
テーションＳ2と同様にポリッシングヘッド３５のほか
にパッドコンディショナ手段３６及びパットクリーニン
グ手段３７を備えている。二次研磨ステーションＳ3に
移送されてきたウェハＷは、ポリッシングヘッド３５に
て表面仕上げ処理が行われるほか、パッドコンディショ
ナ手段３６及びパットクリーニング手段３７によるポリ
ッシングヘッド３５の研磨布のコンディショニング並び
にクリーニングの処理を行う点は、一次研磨ステーショ
ンＳ2での処理と、処理の操作としては全く同じであ
る。(3) Secondary polishing station S 3 In FIGS. 1 and 2, the secondary polishing station S 3 is polished for the purpose of further reducing the surface roughness of the wafer surface which has been planarized by the primary polishing. Processing is performed. The polishing liquid is generally different from the polishing liquid used for the primary polishing processing and is suitable for the final polishing processing. And a addition to pad conditioner unit 36 and the pad cleaning means 37 similarly polishing head 35 and the primary polishing station S 2 is also in the secondary polishing station S 3. The wafer W transferred to the secondary polishing station S 3 is subjected to surface finishing processing by the polishing head 35, conditioning of the polishing cloth of the polishing head 35 by the pad conditioner means 36 and the pad cleaning means 37, and cleaning. that performs processing, and for primary polishing station S 2, as the operation of the process is exactly the same.
【００３４】二次研磨ステーションＳ3に設置されたポ
リッシングヘッド３５に用いられる研磨布は、一次研磨
ステーションＳ2のポリッシングヘッド１８に用いられ
た研磨布の硬度に比して軟質であり、仕上げ処理は、平
坦化処理よりも長い時間をかけて研磨加工が行われる場
合が一般的である。仕上げ処理が完了すると、インデッ
クステーブル１は一定角度転回し、ウェハＷはアンロー
ディングステーションＳ4に移送される。The polishing cloth used for the polishing head 35 installed in the secondary polishing station S 3 is softer than the polishing cloth used for the polishing head 18 in the primary polishing station S 2 , and the finishing treatment is performed. In general, the polishing process is performed over a longer time than the flattening process. When finishing the process is complete, the index table 1 is a predetermined angle to turn, the wafer W is transferred to the unloading station S 4.
【００３５】（４）アンローディングステーションＳ4 図１，２において、アンローディングステーションＳ4
には、ウェハ表面洗浄手段３８と、ロボットアーム３９
とを装備している。ウェハ表面洗浄手段３８は、例えば
ウェハＷの表面を洗浄するブラシである。(4) Unloading station S 4 In FIGS. 1 and 2, the unloading station S 4
Includes a wafer surface cleaning means 38 and a robot arm 39
And is equipped with. The wafer surface cleaning means 38 is, for example, a brush for cleaning the surface of the wafer W.
【００３６】洗浄時にはウェハＷを保持するホルダ２を
回転させ、回転するウェハＷ上にウェハ表面洗浄手段３
８を押し付けて洗浄する。ウェハ表面洗浄手段３８は、
図１０に示すような回転する円板状のブラシを用いるこ
とができ、ブラシの使用時に退避位置からホルダ２の上
方に移動させてウェハＷの洗浄を行う。洗浄後、逆圧力
をかけてバキュームチャック４内から水とエアを噴出
し、ホルダ２上からウェハを脱着する。ロボットアーム
３９は、ホルダ２上からピンクランプ４０により取り出
されたウェハＷをコンベア４１上に移すものであり、コ
ンベア４１は、研磨されたウェハＷを次工程へ搬出させ
る。一方、インデックステーブル１は一定角度（９０
°）転回し、ウェハＷが取外されたホルダ２をローディ
ングステーションＳ1に移し、次のウェハの搬入に備え
る。At the time of cleaning, the holder 2 for holding the wafer W is rotated, and the wafer surface cleaning means 3 is placed on the rotating wafer W.
Press 8 to wash. The wafer surface cleaning means 38 includes:
A rotating disk-shaped brush as shown in FIG. 10 can be used, and the wafer W is cleaned by moving it from the retracted position to above the holder 2 when using the brush. After the cleaning, water and air are ejected from the inside of the vacuum chuck 4 by applying a reverse pressure to detach the wafer from the holder 2. The robot arm 39 transfers the wafer W taken out from the holder 2 by the pin clamp 40 onto the conveyor 41. The conveyor 41 carries the polished wafer W to the next step. On the other hand, the index table 1 has a fixed angle (90
°) and turn, transferred to the holder 2 in which the wafer W is removed in the loading station S 1, comprising the loading of the next wafer.
【００３７】以上の実施形態においては、ローディング
ステーションＳ1にウェハを搬入し、以後、インデック
ステーブルを一定角度（９０°）づつ転回させてウェハ
を順次一次研磨ステーションＳ2，二次研磨ステーショ
ンＳ3を経由させて平坦化処理，仕上げ処理を行い、ア
ンローディングステーションＳ4から外部へ搬出しつつ
次々に搬入されたウェハの平坦化処理と仕上げ処理を同
じインデックステーブル１上で行うものである。本発明
においては、インデックステーブル１に備えたホルダ２
のバキュームチャック４にウェハＷを吸着させ、その上
方からポリッシングヘッド１８，３５を圧下して平坦化
処理並びに仕上げ処理を行うため、ウェハの直径よりも
小さいポリッシングヘッドを用いることによりウェハの
研磨面は常に観測可能であり、ウェハ表面の性状，研磨
厚みを計測しつつ、ホルダ２の回転速度，ポリシング圧
を自由に設定することができ、ひいてはウェハＷの１つ
づつについて、最適の加工条件を設定して研磨加工を行
うことができる。In the above embodiment, the wafer is carried into the loading station S 1 , and thereafter, the index table is turned by a predetermined angle (90 °), and the wafers are sequentially turned into the primary polishing station S 2 and the secondary polishing station S 3. flattening treatment by way of, performs finishing processing, and performs planarization treatment and finishing process of a wafer is carried one after another while unloaded from the unloading station S 4 to the outside on the same index table 1. In the present invention, the holder 2 provided on the index table 1
The wafer W is attracted to the vacuum chuck 4 and the polishing heads 18 and 35 are pressed down from above to perform the flattening process and the finishing process. Therefore, the polishing surface of the wafer is reduced by using a polishing head smaller than the diameter of the wafer. Observation is always possible, and the rotation speed and polishing pressure of the holder 2 can be freely set while measuring the properties of the wafer surface and the polishing thickness, thereby setting the optimum processing conditions for each of the wafers W. And can be polished.
【００３８】さらに、一次研磨ステーションＳ2での平
坦化処理と、二次研磨ステーションＳ3での仕上げ処理
との処理時間に長短があったとしても、両処理の研磨開
始時間をずらせて処理終了時間を合致させることによっ
て、研磨後，洗浄までの時間を短縮し、また、研磨後，
研磨液のウェハへの乾燥固着を防ぐことが可能となる。[0038] Further, a planarization process in the primary polishing station S 2, even if the length in the processing time of the finishing process in the secondary polishing station S 3, the process ends by shifting the polishing start time for both treatments By matching the time, the time from polishing to cleaning can be shortened.
It becomes possible to prevent the polishing liquid from sticking to the wafer by drying.
【００３９】本発明において、図８に示すように、ウェ
ハを吸着保持するホルダ２の吸着保持面の大きさは、少
なくともウェハの外径よりも小さく設定されている。し
たがって、ローディングステーションＳ1へのウェハの
搬入およびアンローディングステーションＳ4からのウ
ェハの搬出は、ピンクランプによって行われるが、ホル
ダの吸着保持面の外径がウェハの外径よりも小さいと、
ウェハは、ホルダの外縁に張り出して保持されることに
なるため、ローディングステーションのホルダ上にウェ
ハを搬入するとき、あるいは、アンローディングステー
ションからウェハを搬出するときにも、ウェハの張り出
し部分をピンクランプで保持してホルダへの搬出並びに
ホルダからの搬出を無理なくできる。In the present invention, as shown in FIG. 8, the size of the suction holding surface of the holder 2 for holding the wafer by suction is set at least smaller than the outer diameter of the wafer. Therefore, unloading of the wafer from the loading and unloading station S 4 of the wafer to the loading station S 1 is carried out by the pin clamp, the outer diameter of the suction holding surface of the holder is smaller than the outer diameter of the wafer,
Since the wafer is extended and held on the outer edge of the holder, the extended portion of the wafer is pin clamped when loading the wafer onto the holder of the loading station or unloading the wafer from the unloading station. To carry out to and from the holder without difficulty.
【００４０】図１１は、ウェハの表面平坦化処理の仕上
げ完了を検知するウェハ表面検知手段４２を装備した例
を示す図である。ウェハ表面検知手段４２は、光源４３
と、光度計４４とを有している。光源４３より発した一
定強度のレーザ光をハーフミラー４５で反射させて研磨
処理中のウェハ表面に垂直に入射し、その反射光の強度
を光度計４４で連続的に検出する。ウェハＷ上に形成さ
れている金属膜がすべて研磨除去されて地膜（例えばシ
リコン酸化膜）が表面に露出すると、金属の反射から下
地膜の反射へと変化する。このウェハ上の反射率の変化
による反射光の強度を検出することで、金属膜研磨の完
了を検知することができる。この実施形態においては、
ウェハに対して光源を垂直に入射する例を示したが、ウ
ェハ面に対して任意の角度で入射してもよく、また、光
の反射に限らず、ウェハの表面の温度変化を測定して仕
上げ研磨の完了時点を知ることができる。FIG. 11 is a view showing an example in which a wafer surface detecting means 42 for detecting the completion of the finish of the wafer surface flattening process is provided. The wafer surface detecting means 42 includes a light source 43
And a photometer 44. The laser light of a constant intensity emitted from the light source 43 is reflected by the half mirror 45 and vertically incident on the surface of the wafer being polished, and the intensity of the reflected light is continuously detected by the photometer 44. When the metal film formed on the wafer W is polished and removed, and the ground film (for example, a silicon oxide film) is exposed on the surface, the reflection changes from the reflection of the metal to the reflection of the underlying film. The completion of the metal film polishing can be detected by detecting the intensity of the reflected light due to the change in the reflectance on the wafer. In this embodiment,
Although the example in which the light source is made incident perpendicularly to the wafer has been described, the light source may be made incident at an arbitrary angle to the wafer surface. It is possible to know the completion point of the finish polishing.
【００４１】以上実施形態においては、インデックステ
ーブル上で、研磨処理として粗研磨と、仕上げ研磨を行
う例を説明したが、本発明において粗研磨と、仕上げ研
磨とは必ずしも１度ずつの研磨処理を行う場合に限ら
ず、研磨処理に３以上のステーションを割り当てて２回
以上の粗研磨又は２回以上の仕上げ研磨を行うことがで
きる。もっとも、本発明は、少くとも１回の粗研磨処理
又は仕上げ研磨処理にのみ用いることもできる。ローデ
ィングステーションとアンローディングステーションは
共用でき、また、ステーションの区画は、２つ以上であ
ればよい。また、インデックステーブルは、９０°毎の
転回送りに限るものではない。In the embodiment described above, the example in which the rough polishing and the finish polishing are performed as the polishing process on the index table has been described. However, in the present invention, the rough polishing and the finish polishing are not necessarily performed once. Not limited to the case where the polishing is performed, three or more stations can be allocated to the polishing process, and two or more rough polishings or two or more finish polishings can be performed. However, the present invention can be used only for at least one rough polishing process or finish polishing process. The loading station and the unloading station can be shared, and the number of stations may be two or more. Further, the index table is not limited to the reversal feed at every 90 °.
【００４２】〔実施例〕以下に本発明の実施例を示す。
図１２は、ＭＯＳＦＥＴが形成されたシリコン基板１０
１上の多層配線構造を示す。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below.
FIG. 12 shows a silicon substrate 10 on which a MOSFET is formed.
1 shows a multi-layer wiring structure on No. 1.
【００４３】多層配線は、（１）ＭＯＳＦＥＴと上層配
線を接続するためのタングステン・コンタクトプラグ部
１０２、（２）ＣＭＯＳ回路ブロック内を接続するアル
ミ・ローカル配線部１０３、（３）低誘電率有機膜に銅
を埋め込んだ銅・グローバル配線部１０４から構成され
る。ここでは、まずＭＯＳＦＥＴ間の素子分離には、Ｃ
ＭＰ法を利用してシリコン基板１０１に形成された溝に
シリコン酸化膜を埋め込んだ平坦化素子分離構造が採用
されている。さらに、ＭＯＳＦＥＴ上にはＢＰＳＧ膜１
０５を成長するが、このＢＰＳＧ膜１０５もＣＭＰ法で
平坦化されている。この平坦化されたＢＰＳＧ膜１０５
にはＭＯＳＦＥＴの拡散層およびゲート電極に至るコン
タクトホールが形成されており、ここではシリカ粒子を
酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い、Ｗ−ＣＭＰ法
を利用したタングステン・コンタクトプラグが形成され
ている。このタングステンコンタクトプラグ上には、第
１シリコン酸化膜１０６に形成された第１配線溝にアル
ミの埋め込まれた第１埋め込みアルミ配線が形成されて
いる。さらに、その上層の第２シリコン酸化膜１０７に
形成された第１スルーホールと第２配線溝に一括してア
ルミの埋め込まれた第２埋め込みアルミ配線が形成され
ている。これら埋め込みアルミ配線は、配線溝あるいは
配線溝とスルーホールとに高温スパッタ法でアルミの埋
め込み成膜を行い、シリカ粒子やアルミナ粒子を酸化剤
水溶液に分散させたスラリを用いたＡｌ−ＣＭＰ法で埋
め込み平坦化を行う。さらに、第２シリコン酸化膜１０
７上の低誘電率有機膜１０８に形成された第２スルーホ
ールと第３配線溝に銅の埋め込まれた第３埋め込み銅配
線と、第３スルーホールと第４配線溝に銅の埋め込まれ
た第４埋め込み銅配線が形成されている。これら埋め込
み銅配線は、配線溝あるいは配線溝とスルーホールとに
ＭＯＣＶＤ法で銅の埋め込み成膜を行い、シリカ粒子や
アルミナ粒子を酸化剤水溶液に分散させたスラリを用い
たＣｕ−ＣＭＰ法で埋め込み平坦化を行う。The multilayer wiring includes (1) a tungsten contact plug section 102 for connecting a MOSFET and an upper layer wiring, (2) an aluminum local wiring section 103 for connecting inside a CMOS circuit block, and (3) a low dielectric constant organic. It is composed of a copper global wiring section 104 in which copper is embedded in a film. In this case, first, C
A planarization element isolation structure in which a silicon oxide film is buried in a groove formed in the silicon substrate 101 by using the MP method is employed. Further, a BPSG film 1 is formed on the MOSFET.
5, the BPSG film 105 is also planarized by the CMP method. This flattened BPSG film 105
Is formed with a contact hole extending to a diffusion layer and a gate electrode of a MOSFET. Here, a tungsten contact plug is formed using a slurry in which silica particles are dispersed in an oxidizing agent aqueous solution and using a W-CMP method. I have. On this tungsten contact plug, a first buried aluminum wiring in which aluminum is buried in a first wiring groove formed in the first silicon oxide film 106 is formed. Further, a second buried aluminum wiring in which aluminum is buried in the first through-hole and the second wiring groove formed in the second silicon oxide film 107 as an upper layer is formed. These embedded aluminum wirings are formed by embedding aluminum in a wiring groove or a wiring groove and a through hole by a high-temperature sputtering method, and by an Al-CMP method using a slurry in which silica particles or alumina particles are dispersed in an oxidizing agent aqueous solution. An embedded flattening is performed. Further, the second silicon oxide film 10
7, a third buried copper wiring in which copper is buried in the second through-hole and the third wiring groove formed in the low dielectric constant organic film 108, and a copper buried in the third through-hole and the fourth wiring groove. A fourth buried copper wiring is formed. These buried copper wirings are formed by burying copper in a wiring groove or a wiring groove and a through hole by MOCVD, and burying by a Cu-CMP method using a slurry in which silica particles or alumina particles are dispersed in an oxidizing agent aqueous solution. Perform planarization.
【００４４】このように、ＭＯＳＦＥＴの形成されたシ
リコン基板１０１上の多層配線の形成には、メタルＣＭ
Ｐ法を用いたＷ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＷＳ
ｉX，ＴｉＳｉX等の金属の埋め込み平坦化が多用されて
いるわけである。また、平坦化素子分離形成やＢＰＳＧ
膜表面の表面平坦化にも、酸化膜ＣＭＰ法が適用されて
いるわけである。ここでは、本発明による自動研磨装置
を用いて、低誘電率有機膜１０８に埋め込み銅配線形成
する場合の実施例を詳細に説明する。As described above, the formation of the multilayer wiring on the silicon substrate 101 on which the MOSFET is formed requires the use of the metal CM.
W, Al, Cu, Ti, TiN, WS using P method
i X, embedding planarization of metal such as TiSi X is not being frequently used. In addition, planarization element isolation formation and BPSG
The oxide film CMP method is also applied to the surface flattening of the film surface. Here, an embodiment in which copper wiring is buried in the low dielectric constant organic film 108 using the automatic polishing apparatus according to the present invention will be described in detail.
【００４５】まず、図１３に示すように下地配線上の厚
さ１μｍ程度の低誘電率有機膜１０８、たとえばポリイ
ミドやベンゾシクロブテンに深さ０．５μｍの配線溝と
その底部から下地配線層に至る深さ０．５μｍ程度のス
ルーホールに、厚さ１０〜３０ｎｍ程度のＴｉＮやＴｉ
の導電性密着膜１０９をコリメートスパッタ法で成膜し
た。次に、図１４に示すように、成長基板温度を１７０
℃〜２５０℃としたＭＯＣＶＤ法で０．８μｍ厚の銅膜
１１０を成長し、銅膜／導電性密着膜／低誘電率有機膜
間の密着性向上と銅膜の結晶成長を目的とした２５０℃
〜４００℃、１０分間程度の真空結晶化アニールを行っ
た。この真空結晶化アニールにより銅膜１１０の比抵抗
は２．２μΩｃｍから１．８−１．９μΩｃｍにまで低
減した。かかる銅膜１１０には、図１３のような下地配
線溝の粗密度に対応した表面凹凸がある。すなわち、配
線溝幅が銅の成長膜厚の半分倍以下（ここでは、０．４
μｍ）の幅の狭い配線溝Ｈ1には、両側の配線溝側壁か
らの銅膜の成長が合わさることで、配線溝が完全に埋め
込まれる。一方、幅の広い配線溝Ｈ2の場合、両側の配
線溝側壁からの銅膜の成長が合わさらないため、銅膜表
面は凹状となる。このような下地配線溝幅に依存した表
面段差が銅膜表面に存在する。First, as shown in FIG. 13, a low-dielectric-constant organic film 108 having a thickness of about 1 μm on the underlying wiring, for example, a polyimide or benzocyclobutene wiring groove having a depth of 0.5 μm and a bottom portion formed from the bottom to the underlying wiring layer. In a through hole having a depth of about 0.5 μm, TiN or Ti having a thickness of about 10 to 30 nm is provided.
Was formed by a collimated sputtering method. Next, as shown in FIG.
A copper film 110 having a thickness of 0.8 μm is grown by MOCVD at a temperature of 250 ° C. to 250 ° C. The purpose of this method is to improve the adhesion between the copper film / conductive adhesion film / low-k organic film and to grow the crystal of the copper film. ° C
Vacuum crystallization annealing was performed at about 400 ° C. for about 10 minutes. This vacuum crystallization annealing reduced the specific resistance of the copper film 110 from 2.2 μΩcm to 1.8-1.9 μΩcm. The copper film 110 has surface irregularities corresponding to the coarse density of the underlying wiring groove as shown in FIG. That is, the width of the wiring groove is not more than half the thickness of the grown copper film (here, 0.4 mm).
The narrow wiring groove H 1 width of [mu] m), that the growth of the copper film from both sides of the wiring groove sidewalls come together, wiring trenches are completely filled. On the other hand, if a wide wiring trench H 2 width, the growth of the copper film from both sides of the wiring trench sidewall is not Awasara, copper surface is concave. Such a surface step depending on the width of the underlying wiring groove exists on the surface of the copper film.
【００４６】かかる銅膜を本発明による自動研磨装置で
研磨する。まず、ローディングステーションＳ1では、
銅膜１１０の成長面を上向きに２４枚程度の８インチ・
シリコンウェハが収納されたウェハキャリアからウェハ
を一枚ずつ取り出し、ピンクランプ下に搬送する。ピン
クランプでウェハの周縁を保持し、ウェハ裏面洗浄ブラ
シでウェハ裏面を洗浄する。このウェハ裏面洗浄と同時
に、多孔質アルミナからなるバキュームチャックの吸着
面の洗浄がチャック洗浄部により行われている。チャッ
ク洗浄手段では、吸着面上のスラッジを除去して吸着面
の平坦性を確保する。このバキュームチャック洗浄時に
はチャック洗浄部から洗浄液が供給されるが、バキュー
ムチャックから吸着面への逆洗を同時に行って多孔質ア
ルミナの微細孔壁に析出した研磨剤等の固体微粒子（ス
ラッジ）も取り除くことができる。The copper film is polished by the automatic polishing apparatus according to the present invention. First, in the loading station S 1,
With the growth surface of the copper film 110 facing upward, about 24 sheets of 8 inch
The wafers are taken out one by one from the wafer carrier in which the silicon wafers are stored, and transported under a pin clamp. The peripheral edge of the wafer is held by a pink lamp, and the back surface of the wafer is cleaned by a back surface cleaning brush. At the same time as the cleaning of the back surface of the wafer, the suction surface of the vacuum chuck made of porous alumina is cleaned by the chuck cleaning unit. In the chuck cleaning means, sludge on the suction surface is removed to ensure flatness of the suction surface. During the vacuum chuck cleaning, a cleaning liquid is supplied from the chuck cleaning unit, and backwashing from the vacuum chuck to the adsorption surface is also performed at the same time to remove solid fine particles (sludge) such as an abrasive deposited on the pore walls of the porous alumina. be able to.
【００４７】かかるウェハ裏面洗浄とバキュームチャッ
ク面洗浄により固体微粒子を完全に除去することは非常
に重要である。すなわち、ウェハとバキュームチャック
間に固体異物が存在すると、吸着されたウェハの表面が
局部的に凸状に変形する。このウェハを平坦化研磨する
と局所的凸部も平坦化されるが、ウェハをバキュームチ
ャックから外した際にディンプル（局所的凹部）となっ
てしまうからである。バキュームチャックの吸着面およ
びウェハの裏面の洗浄時間は３０秒から６０秒程度であ
るが、この洗浄時間に制限はない。洗浄液としては純水
あるいは純水を電気分解した電解イオン水を用いるが洗
浄液種に限定はなく、例えば、純水にセルロース等の水
溶性有機高分子分散水溶液を用いて、ウェハ裏面に有機
高分子層を吸着させて親水性処理してもよい。この基板
裏面の親水性処理によりスラッジの乾燥固着を抑制でき
る効果もある。また、アルコール，メチルエチルケト
ン，有機アミンを用いることもできる。It is very important to completely remove solid fine particles by cleaning the back surface of the wafer and cleaning the surface of the vacuum chuck. That is, when solid foreign matter is present between the wafer and the vacuum chuck, the surface of the sucked wafer is locally deformed into a convex shape. When the wafer is flattened and polished, the local projections are also flattened, but when the wafer is removed from the vacuum chuck, dimples (local depressions) occur. The cleaning time of the suction surface of the vacuum chuck and the back surface of the wafer is about 30 seconds to 60 seconds, but the cleaning time is not limited. As the cleaning liquid, pure water or electrolytic ionized water obtained by electrolyzing pure water is used. However, the type of the cleaning liquid is not limited. For example, an aqueous solution of a water-soluble organic polymer such as cellulose is used in pure water, and an organic polymer is applied to the back of the wafer. The layer may be adsorbed and subjected to a hydrophilic treatment. The hydrophilic treatment of the back surface of the substrate also has an effect of suppressing drying and fixing of sludge. Also, alcohol, methyl ethyl ketone, and organic amine can be used.
【００４８】ウェハ裏面洗浄とバキュームチャックの吸
着面の洗浄後、ピンクランプ上のウェハをローディング
ステーションＳ1のホルダ上に搬入し、バキュームチャ
ックの吸着面にウェハを銅膜形成面を上向きに吸着させ
る。ウェハの搬入後、インデックステーブルを一角度
（９０°）回転させ、搬入されたウェハをまず一次研磨
ステーションＳ2へ移動させる。ポリッシングヘッド
は、研磨布をウェハ上の銅膜表面に０．０１〜０．４ｋ
ｇ／ｃｍ2程度の圧力で押しつけて平坦化処理を行う。[0048] After washing the suction surface of the wafer back surface cleaning and vacuum chuck, carries the wafer on the pin clamp on the loading station S 1 holder, is upwardly attracted a copper film forming surface of the wafer on the attracting surface of the vacuum chuck . After loading of the wafer, one angle (90 °) to the index table rotates to move the conveyed wafer first to primary polishing station S 2. The polishing head applies a polishing cloth to the copper film surface on the wafer at 0.01 to 0.4k.
The flattening process is performed by pressing with a pressure of about g / cm 2 .
【００４９】この一次研磨工程による粗研磨では、ウェ
ハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ程度の速度で
回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転するポリッシン
グヘッドをウェハ上に０．１〜５ｃｍ／秒の速度で往復
させる。この際、研磨布の中心より研磨液（スラリ）を
ウェハ上に供給しつつ行う。この際、往復速度は常に一
定とする必要はなく、ウェハ中心部に長く研磨布が存在
するように可変速移動させることも可能である。研磨布
の直径はウェハの直径と同程度以下である。下限値はな
いがあまり小さくなると研磨布とウェハとの接触面積が
小さくなり、また研磨布の周速が小さくなることから銅
膜の研磨速度が著しく遅く実用的でない。従って、研磨
布の直径として少なくともウェハの半径以上が望まし
い。研磨布としては、発泡ポリウレタンやポリプロピレ
ン等の高分子シートに溝を形成したものを用いた。研磨
布に形成された溝は研磨液の給液孔１８ａのある中心か
ら螺旋状あるいは放射状に形成されており、研磨布中心
から外周部に向って効率よく研磨液が供給されるよう工
夫されている。なお、溝の断面形状に制限はないがＶ字
型が望ましく、溝縁が丸め加工されているとさらに望ま
しい。In the rough polishing in the primary polishing step, a holder for holding a wafer is rotated at a speed of about 50 to 300 rpm, and a polishing head rotating at a speed of 50 to 1000 rpm is placed on the wafer at a speed of 0.1 to 5 cm / sec. Reciprocate. At this time, the polishing is performed while the polishing liquid (slurry) is supplied onto the wafer from the center of the polishing cloth. At this time, the reciprocating speed does not need to be always constant, and the wafer can be moved at a variable speed so that the polishing pad is long at the center of the wafer. The diameter of the polishing cloth is less than or equal to the diameter of the wafer. There is no lower limit, but if the value is too small, the contact area between the polishing pad and the wafer becomes small, and the peripheral speed of the polishing pad becomes small. Therefore, it is desirable that the diameter of the polishing pad be at least the radius of the wafer. As the polishing cloth, a cloth in which grooves were formed in a polymer sheet such as foamed polyurethane or polypropylene was used. The groove formed in the polishing cloth is spirally or radially formed from the center of the polishing liquid supply hole 18a, and is designed so that the polishing liquid is efficiently supplied from the center of the polishing cloth toward the outer peripheral portion. I have. Although the cross-sectional shape of the groove is not limited, a V-shape is desirable, and it is more desirable that the groove edge is rounded.
【００５０】銅膜の研磨液としては、１０〜１００ｎｍ
のシリカ粒子を１０〜２０ｗｔ％程度酸化剤水溶液に分
散させたものを用いた。研磨液にはアンモニアを微量添
加して弱アルカリ性としたが、ＨＮＯ3，燐酸，クエン
酸，酢酸やシュウ酸を微量添加した酸性研磨液を用いて
もよい。酸化剤としては、過酸化水素水やヨウ化カリウ
ム水溶液であるが、その種類に限定はない。また、研磨
剤としてアルミナ粒子，過酸化マンガン粒子，酸化セリ
ウム粒子等を用いてもよい。本発明による自動研磨装置
では、研磨液供給管内壁や研磨液廃液管内壁にはテフロ
ン（登録商標）コーティング等の酸・アルカリ耐性処理
が施されている。さらに、各ステーションＳ1〜Ｓ4はア
クリル等の衝壁で仕切られており、少なくともステーシ
ョンＳ2とＳ3には局所排気がなされ、酸あるいはアルカ
リ性研磨液の蒸気が滞留しない構造となっている。さら
に、研磨中にはポリッシングヘッドの周囲をフードで覆
い、ウェハの研磨加工中および加工完了後は、フードの
内壁に洗浄水を流し続けることで、飛散した研磨液の固
化や研磨液の液体成分の蒸発を防いでいる。洗浄水とし
ては純水を用いるのが一般的であるが、研磨液自体をフ
ード内壁に流すことも可能である。さらに、水シール室
からの洗浄水をバキュームチャック外側から供給するこ
とで、研磨中にウェハ裏面に研磨液が侵入することを防
いでいる。The polishing liquid for the copper film is 10 to 100 nm.
Obtained by dispersing about 10 to 20% by weight of an oxidizing agent aqueous solution. Although the polishing liquid is made weakly alkaline by adding a small amount of ammonia, an acidic polishing liquid to which a small amount of HNO 3 , phosphoric acid, citric acid, acetic acid or oxalic acid is added may be used. Examples of the oxidizing agent include aqueous hydrogen peroxide and an aqueous solution of potassium iodide, but the type thereof is not limited. Further, alumina particles, manganese peroxide particles, cerium oxide particles, or the like may be used as the abrasive. In the automatic polishing apparatus according to the present invention, the inner wall of the polishing liquid supply pipe and the inner wall of the polishing liquid waste liquid pipe are subjected to an acid / alkali resistance treatment such as Teflon (registered trademark) coating. Further, each of the stations S 1 to S 4 is partitioned by a wall made of acrylic or the like, and at least the stations S 2 and S 3 are locally evacuated, so that the vapor of the acid or alkaline polishing liquid does not stay. . In addition, the polishing head is covered with a hood during polishing, and during the polishing of the wafer and after the completion of the processing, the washing water is continuously supplied to the inner wall of the hood to solidify the scattered polishing liquid and the liquid component of the polishing liquid. To prevent evaporation. Although pure water is generally used as the cleaning water, it is also possible to flow the polishing liquid itself on the inner wall of the hood. Further, by supplying the cleaning water from the water seal chamber from outside the vacuum chuck, it is possible to prevent the polishing liquid from entering the back surface of the wafer during polishing.
【００５１】かかる一次研磨ステーションでの研磨処理
によって、図１５に示すように銅膜１１０の表面段差が
なくなり平坦となる。一例として、低誘電率有機膜上に
成長した０．８μｍ厚の銅膜を０．２μｍ程度にまで、
研磨することで表面を平坦化した。一次研磨ステーショ
ンでの研磨時間の研磨が終了すると、まずポリッシング
ヘッドの圧力を無加重とし、さらに研磨布の中心部から
供給されている研磨液を純水に切り替えて銅膜上から研
磨液を素早く取り除く。研磨液には銅をエッチングする
作用もあるため、この純水供給処理は重要である。な
お、この際洗浄液である純水も研磨布中心から供給され
るため、効率良くウェハ上の銅膜から研磨液を除去する
ことを可能としている。この純水洗浄工程は１０〜３０
秒程度である。By the polishing treatment in the primary polishing station, as shown in FIG. 15, the surface of the copper film 110 has no surface steps and becomes flat. As an example, a 0.8 μm thick copper film grown on a low dielectric constant organic film is reduced to about 0.2 μm.
The surface was flattened by polishing. When the polishing for the polishing time at the primary polishing station is completed, the pressure of the polishing head is first unloaded, and the polishing liquid supplied from the center of the polishing cloth is switched to pure water to quickly remove the polishing liquid from the copper film. remove. This pure water supply treatment is important because the polishing liquid also has an effect of etching copper. At this time, since pure water as a cleaning liquid is also supplied from the center of the polishing cloth, the polishing liquid can be efficiently removed from the copper film on the wafer. This pure water washing step is 10-30.
On the order of seconds.
【００５２】その後、ポリッシングヘッドはウェハから
引き離され、ポリッシングヘッドはパッドコンディショ
ナ手段により、研磨布表面の目立てを行う。パッドコン
ディショナは、回転するパッドコンディショニングディ
スクを有し、このディスクを回転させながら研磨布に押
しあてる。パッドコンディショニングディスクの表面に
は、５０〜５００μｍ径のダイヤモンド微粒子が電着さ
れ、あるいはガラス中に埋め込まれており、このダイヤ
モンドヤスリで研磨布の目立てを行う。この際、研磨布
の中心部から研磨液あるいは純水を供給する。今回、ダ
イヤモンド微粒子はパッドコンディショニングディスク
の外周１ｃｍ幅の帯状に形成されているものを用いた
が、全面に形成されているものを用いてもよい。ここで
の特徴は研磨布が下向きでダイヤモンド電着面が上向き
となっていることで、仮にダイヤモンド粒子がディスク
より脱落したとしても研磨布上に残留しにくい。さら
に、パッドコンディショニング終了後、パッドクリーニ
ング手段で研磨布表面を自動洗浄することで、研磨布表
面の清浄度を保つ。Thereafter, the polishing head is separated from the wafer, and the polishing head sharpens the polishing cloth surface by means of a pad conditioner. The pad conditioner has a rotating pad conditioning disc, and the disc is rotated and pressed against the polishing cloth. Fine diamond particles having a diameter of 50 to 500 μm are electrodeposited or embedded in glass on the surface of the pad conditioning disk, and the polishing cloth is dressed with the diamond file. At this time, a polishing liquid or pure water is supplied from the center of the polishing cloth. In this case, the diamond fine particles used are formed in a band shape having a width of 1 cm on the outer periphery of the pad conditioning disk, but those formed on the entire surface may be used. The feature here is that the polishing cloth faces downward and the diamond electrodeposited surface faces upward, so that even if diamond particles fall off the disk, they hardly remain on the polishing cloth. Further, after the pad conditioning, the surface of the polishing pad is automatically cleaned by the pad cleaning means to maintain the cleanness of the surface of the polishing pad.
【００５３】このパッドコンディショニング処理を行っ
ている際、インデックステーブルは９０°回転されて、
ウェハＷは二次研磨ステーションＳ3に移行される。こ
の回転より、ローディングステーションからは一次研磨
ステーションＳ2に新たなウェハが供給されてくる。During the pad conditioning process, the index table is rotated by 90 °,
Wafer W is transferred to the secondary polishing station S 3. From this rotation, comes a new wafer is supplied to the primary polishing station S 2 from the loading station.
【００５４】二次研磨ステーションＳ3においても、一
次研磨ステーションと同様に、研磨中にはポリッシング
ヘッド周囲をフードで覆い、ウェハの研磨加工中フード
の内壁に洗浄水を流し続けることで、飛散した研磨液の
固化や研磨液の液体成分の蒸発を防いでいる。さらに、
水シール室からの洗浄水をバキュームチャック外側から
供給することで、研磨中にウェハ裏面に研磨液が侵入す
ることを防いでいる。In the secondary polishing station S 3 , like the primary polishing station, the polishing head is covered with a hood during polishing, and the wafer is scattered by continuously flowing cleaning water on the inner wall of the hood during polishing of the wafer. This prevents solidification of the polishing liquid and evaporation of the liquid component of the polishing liquid. further,
By supplying the cleaning water from the water seal chamber from outside the vacuum chuck, it is possible to prevent the polishing liquid from entering the back surface of the wafer during polishing.
【００５５】二次研磨ステーションＳ3のポリッシング
ヘッドには、軟質の研磨布が張られている。例えば、気
泡密度の高い発泡ポリウレタンシートやポリエステル等
の化学繊維型の研磨布を用いる。この二次研磨工程にお
いても、ウェハを保持するホルダを５０〜３００ｒｐｍ
程度の速度で回転させ、５０〜１０００ｒｐｍで回転す
るポリッシングヘッドをウェハ上に０．１〜５ｃｍ／秒
の速度で往復させて、銅膜１１０を研磨により薄膜化し
てゆく。ポリッシングヘッドの中心から供給される研磨
液には、０．１〜１ｗｔ％のセルロース等の水溶性有機
高分子と５〜１０Ｗｔ％のシリカ粒子を溶解させた酸化
剤水溶液を用いた。水溶性有機高分子は研磨後銅膜表面
に吸着して銅表面を親水性化することで、研磨剤粒子の
乾燥・固着を抑制する効果を有している。ここでは、二
次研磨ステーションＳ3で研磨布と研磨液種を一次研磨
ステーションと変える場合を示したが、これらの研磨部
材を変更せずに、研磨圧力をさらに低下させポリッシン
グヘッドの回転速度を上げる等の研磨条件の変更を行う
こともできる。The polishing head of the secondary polishing station S 3 is covered with a soft polishing cloth. For example, a polishing cloth of a chemical fiber type such as a foamed polyurethane sheet or polyester having a high cell density is used. Also in this secondary polishing step, the holder holding the wafer is set at 50 to 300 rpm.
By rotating the polishing head at a speed of about 50 to 1000 rpm and reciprocating on the wafer at a rate of 0.1 to 5 cm / sec, the copper film 110 is thinned by polishing. As the polishing liquid supplied from the center of the polishing head, an aqueous oxidizing agent in which 0.1 to 1 wt% of a water-soluble organic polymer such as cellulose and 5 to 10 Wt% of silica particles were dissolved was used. The water-soluble organic polymer is adsorbed on the surface of the copper film after polishing to make the copper surface hydrophilic, thereby suppressing the drying and fixing of the abrasive particles. Here, the case of changing the polishing liquid type and the polishing pad and the first polishing station with the secondary polishing station S 3, without changing these polishing member, the rotation speed of the polishing head further reduce the polishing pressure It is also possible to change the polishing conditions such as raising the polishing conditions.
【００５６】二次研磨ステーションＳ3には、ウェハ表
面のレーザ光の反射率の変化を検出する光度計が具備さ
れている。なお、ウェハ上のレーザ光入射位置には高圧
窒素ガス，高圧空気あるいは純水が吹きつけられてお
り、ウェハ上の研磨液を押しのけるように工夫がなされ
ている。ここでは、配線溝領域以外の低誘電率有機膜上
の銅膜が完全に研磨されて反射率が低下した時点を研磨
終了点とした。このように、本発明による自動研磨装置
では、ポリッシングヘッドがウェハ径よりも小さくかつ
ウェハ上を揺動運動することから、ウェハの表面性状を
常にモニタすることで研磨の終点検出を可能ならしめて
いるのである。なお、パッドコンディショナ手段及びパ
ッドクリーニング手段によるポリッシングヘッドの研磨
布のコンディショニング並びにクリーニングの処理を行
う点は、一次研磨ステーションでの処理と同じである。The secondary polishing station S 3 is provided with a photometer for detecting a change in the reflectance of the laser light on the wafer surface. Note that high pressure nitrogen gas, high pressure air or pure water is blown onto the laser beam incident position on the wafer, so that the polishing liquid on the wafer is pushed away. Here, the point where the copper film on the low-dielectric-constant organic film other than the wiring groove region was completely polished and the reflectance was lowered was defined as the polishing end point. Thus, in the automatic polishing apparatus according to the present invention, since the polishing head is smaller than the wafer diameter and swings on the wafer, the end point of polishing can be detected by constantly monitoring the surface properties of the wafer. It is. The processing of conditioning and cleaning of the polishing cloth of the polishing head by the pad conditioner means and the pad cleaning means is the same as the processing in the primary polishing station.
【００５７】二次研磨ステーションでの研磨処理によ
り、図１６に示すように有機膜１０８の配線溝に銅の埋
め込まれた銅配線１１１が得られる。By the polishing treatment in the secondary polishing station, a copper wiring 111 in which copper is embedded in the wiring groove of the organic film 108 is obtained as shown in FIG.
【００５８】アンローディングステーションＳ4におい
ては、ウェハを保持するバキュームチャックからなるホ
ルダを５０ｒｐｍ程度の速度で回転させ、回転するウェ
ハに同じく５０ｒｐｍ程度で回転するウェハ表面洗浄手
段のブラシを押しつけて洗浄する。洗浄液としては、純
水あるいはそれを電気分解した電解イオン水を用いる。
洗浄後、バキュームチャックの吸着面に空気と純水との
逆圧力をかけてウェハを解放する。ロボットアームでウ
ェハをコンベア上に移し、コンベアは銅膜の研磨された
ウェハを次工程であるスクラブ洗浄装置へと速やかに移
送する。[0058] In the unloading station S 4, the holder comprising a vacuum chuck for holding the wafer is rotated at 50rpm speed of about, likewise washed against the brush of the wafer surface cleaning means for rotating at about 50rpm in spinning wafer . As the cleaning liquid, pure water or electrolytic ionized water obtained by electrolyzing the pure water is used.
After cleaning, the wafer is released by applying a reverse pressure of air and pure water to the suction surface of the vacuum chuck. The wafer is transferred onto a conveyor by a robot arm, and the conveyor quickly transfers the wafer having the polished copper film to a scrub cleaning apparatus which is the next step.
【００５９】以上、実施例に示した自動研磨装置におい
ては、ウェハのローディングステーションＳ1における
ウェハ搬入処理、一次研磨ステーションＳ2における銅
膜の平坦化研磨処理、二次研磨ステーションＳ3におけ
る銅膜の除去仕上げ処理、アンローディングステーショ
ンＳ4でのウェハ搬出処理を同時並行に行い、かつイン
デックステーブルの一定方向への回転で複数のウェハを
同時に次段の工程に速やかに送ることを可能としてい
る。最も効率良く本発明の自動研磨装置を運転するに
は、一次研磨ステーションと二次研磨ステーションの研
磨時間がほぼ同じになるようにそれぞれの研磨条件を設
定することが望ましい。少なくとも、一次研磨処理の終
了時と二次研磨処理との終了時とが一致するよう各々の
研磨処理開始時のタイミング調整をする必要がある。[0059] above, in the automatic grinding apparatus shown in the examples, the wafer loading process in the loading station S 1 of the wafer, the planarization polishing of the copper film in the first polishing station S 2, the copper film in the secondary polishing station S 3 removing finishing treatment, thereby enabling to send a wafer unloading process in the unloading station S 4 performs concurrently and quickly at the same time next step a plurality of wafers in rotation in a fixed direction of the index table. In order to operate the automatic polishing apparatus of the present invention most efficiently, it is desirable to set the respective polishing conditions so that the polishing times of the primary polishing station and the secondary polishing station are almost the same. At least, it is necessary to adjust the timing at the start of each polishing process so that the end of the primary polishing process and the end of the secondary polishing process coincide.
【００６０】本実施例では、低誘電率有機膜上の銅膜を
研磨する場合について述べたが、シリコン酸化膜上のア
ルミ膜やタングステン膜の研磨に適用できることも自明
である。さらに、ＢＰＳＧ膜やシリコン酸化膜の表面平
坦化にも適用できる。この場合には、一次研磨ステーシ
ョンと二次研磨ステーションとに硬質研磨布とシリカ粒
子分散研磨液を用い、両ステーションで同時並行に平坦
化研磨を行うことも可能である。In this embodiment, the case where the copper film on the low dielectric constant organic film is polished has been described. However, it is obvious that the present invention can be applied to the polishing of an aluminum film or a tungsten film on a silicon oxide film. Further, the present invention can be applied to flattening the surface of a BPSG film or a silicon oxide film. In this case, it is also possible to use a hard polishing cloth and a silica particle-dispersed polishing liquid for the primary polishing station and the secondary polishing station, and to perform flattening polishing simultaneously in both stations.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上のように本発明によるときには、イ
ンデックステーブルに割り付けられた各ステーションに
て同時並行にウェハの研磨，インデックステーブル上へ
のウェハの搬入並びにインデックステーブルからのウェ
ハの搬出を行って、ウェハの研磨作業を能率よく行うこ
とができ、また、ウェハの研磨による性状変化を常時監
視しつつ研磨することができるため、粗研磨と仕上げ研
磨とを同じインデックステーブル上で順次に行う場合に
おいて、粗研磨と仕上げ研磨との研磨終了の時機を一致
させることができ、これによって、研磨処理後、ウェハ
を待機されることがなく、ひいては、研磨液の乾燥固化
によってウェハの品質を低下させることがない。本発明
によれば、研磨装置の設置に広いスペースを必要とせ
ず、各ウェハに対して全く同じ条件で研磨処理を行うこ
とができ、高品質で均一な製品に仕上げることができ
る。本発明によれば、各種ガラス，Ｓｉ，ＳｉＯ2，各
種セラミックス，アルチック，ガリウムヒ素，インジウ
ムリン，サファイアなどの研磨処理に広く適用すること
ができる。As described above, according to the present invention, at each station assigned to the index table, polishing of the wafer, loading of the wafer onto the index table, and unloading of the wafer from the index table are performed at the same time. Since the wafer polishing operation can be performed efficiently and the polishing can be performed while constantly monitoring the property change due to the wafer polishing, when the rough polishing and the finish polishing are sequentially performed on the same index table, The timing of the end of the polishing can be made coincident with that of the rough polishing and the finishing polishing, so that the wafer is not waited after the polishing process, and the quality of the wafer is deteriorated by drying and solidifying the polishing liquid. There is no. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a large space is not required for installation of a grinding | polishing apparatus, a grinding | polishing process can be performed on each wafer on exactly the same conditions, and it can finish to a high quality and uniform product. According to the present invention, it can be widely applied to polishing of various glasses, Si, SiO 2 , various ceramics, altic, gallium arsenide, indium phosphorus, sapphire and the like.
【図１】本発明の一実施形態を略示的に示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view schematically showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing one embodiment of the present invention.
【図３】インデックステーブルの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an index table.
【図４】ウェハ裏面洗浄手段を示す図である。FIG. 4 is a view showing a wafer back surface cleaning means.
【図５】チャック洗浄手段を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing chuck cleaning means.
【図６】一次研磨ステーションの設備を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing equipment of a primary polishing station.
【図７】ポリッシングヘッドを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a polishing head.
【図８】バキュームチャックの構造を示す図である。FIG. 8 is a view showing a structure of a vacuum chuck.
【図９】ポリッシングヘッドを覆うフードを設けた例で
ある。FIG. 9 is an example in which a hood for covering the polishing head is provided.
【図１０】ウェハ表面洗浄手段を示す図である。FIG. 10 is a view showing a wafer surface cleaning means.
【図１１】ウェハ表面洗浄手段を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a wafer surface cleaning means.
【図１２】本発明の一実施例による半導体ウェハの研磨
処理工程を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の一実施例による半導体ウェハの研磨
処理工程を示す図である。FIG. 13 is a view showing a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の一実施例による半導体ウェハの研磨
処理工程を示す図である。FIG. 14 is a view showing a polishing process of a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の一実施例による半導体ウェハの研磨
処理工程を示す図である。FIG. 15 is a view showing a polishing process of a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の一実施例による半導体ウェハの研磨
処理工程を示す図である。FIG. 16 is a view showing a polishing process of a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention.
【図１７】（ａ），（ｂ）は、ウェハの配線構造を示す
図である。17A and 17B are diagrams showing a wiring structure of a wafer.
【図１８】図１７のウェハを平坦化処理する従来の研磨
処理の一例を示す図である。18 is a diagram showing an example of a conventional polishing process for flattening the wafer of FIG.
１ インデックステーブル １ａ 衝壁 ２ ホルダ ３ ステッピングモータ ４ バキュームチャック ４ａ，４ｂ 外部配管 ５ モータ ６ 電磁クラッチ ７ ロボットアーム ８ ウェハ裏面洗浄手段 ８ａ，８ｂ ブラシ ９ チャック洗浄手段 １０ ウェハキャリア １１ ピンクランプ １２ ブラシホルダ １３ 遊星歯車 １４ 中心歯車 １５ 回転軸 １６ チャック洗浄部 １７ 供給孔 １８ ポリッシングヘッド １８ａ 給液孔 １９ パッドコンディショナ手段 ２０ パッドクリーニング手段 ２１ 加圧シリンダ ２１ａ 鍔部分 ２２ ベースプレート ２２ａ 張出し縁 ２３ 研磨布張り付板 ２４ 研磨布 ２５ スピンドル ２６ 吸着孔 ２７ 水シール室 ２８ 通水溝 ２９ シールリング ３０ 給水孔 ３１ 加圧室 ３２ ダイヤフラム ３３ フード ３４ パッドコンディショニングディスク ３５ ポリッシングヘッド ３６ パッドコンディショナ手段 ３７ パッドクリーニング手段 ３８ ウェハ表面洗浄手段 ３９ ロボットアーム ４０ ピンクランプ ４１ コンベア ４２ ウェハ表面検知手段 ４３ 光源 ４４ 光度計 ４５ ハーフミラー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Index table 1a Impact wall 2 Holder 3 Stepping motor 4 Vacuum chuck 4a, 4b External piping 5 Motor 6 Electromagnetic clutch 7 Robot arm 8 Wafer back surface cleaning means 8a, 8b Brush 9 Chuck cleaning means 10 Wafer carrier 11 Pink lamp 12 Brush holder 13 Planetary gear 14 Center gear 15 Rotating shaft 16 Chuck cleaning unit 17 Supply hole 18 Polishing head 18a Liquid supply hole 19 Pad conditioner means 20 Pad cleaning means 21 Pressurizing cylinder 21a Flange part 22 Base plate 22a Overhanging edge 23 Polishing cloth attaching plate 24 Polishing cloth 25 Spindle 26 Suction hole 27 Water seal chamber 28 Water passage groove 29 Seal ring 30 Water supply hole 31 Pressurization chamber 32 Diaphragm 33 Hood 34 Pad conditioning Disk 35 Polishing head 36 Pad conditioner means 37 Pad cleaning means 38 Wafer surface cleaning means 39 Robot arm 40 Pink lamp 41 Conveyor 42 Wafer surface detecting means 43 Light source 44 Photometer 45 Half mirror
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｋ Ｚ Ｇ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B24B 37/04 B24B 37/04 KZG
Claims (13)
半導体装置の製造方法において、 前記半導体基板の埋め込み膜を上向きにして前記半導体
基板をインデックステーブル上のホルダに保持し、前記
ホルダを回転させて前記基板を一定方向に回転し、 前記回転する基板の上方より、前記基板の直径と同等以
下の研磨布が張られたポリッシングヘッドを半径方向に
揺動させて、前記半導体基板基板上の前記埋め込み膜を
平坦化研磨することを特徴とする半導体装置の製造方
法。1. A method of manufacturing a semiconductor device for flattening a buried film on a semiconductor substrate, comprising: holding the semiconductor substrate on a holder on an index table with the buried film of the semiconductor substrate facing upward; and rotating the holder. The substrate is rotated in a certain direction, and a polishing head on which a polishing cloth having a diameter equal to or smaller than the diameter of the substrate is swung in a radial direction from above the rotating substrate, and the polishing head on the semiconductor substrate is rotated. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a buried film is planarized and polished.
所定角度回転させて半導体基板を搬送することを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein after flattening and polishing, the index table is rotated by a predetermined angle to transport the semiconductor substrate.
を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造
方法。3. The method according to claim 1, wherein said buried film is made of a conductive metal.
らなるものであることを特徴とする請求項１、２又は３
に記載された半導体装置の製造方法。4. The buried film according to claim 1, wherein the buried film comprises a copper film and a conductive adhesive film.
3. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
膜を、少なくとも２つ以上の前記ポリッシングヘッドで
平坦化研磨することを特徴とする請求項１，２又は４に
記載された半導体装置の製造方法。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the copper film and the buried film, which is a conductive adhesive film, are polished and flattened by at least two or more of the polishing heads. Manufacturing method.
膜を平坦化研磨する際、異なる種類の研磨液を用いるこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に記載の半
導体装置の製造方法。6. The polishing method according to claim 1, wherein different types of polishing liquids are used for flattening and polishing the copper film and the buried film which is a conductive adhesive film. A method for manufacturing a semiconductor device.
することを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６
に記載の半導体装置の製造方法。7. A polishing liquid is supplied from said polishing head.
13. The method for manufacturing a semiconductor device according to item 5.
から供給される研磨液を洗浄水に切替て研磨液を取り除
くことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６又は
７に記載の半導体装置の製造方法。8. The method according to claim 1, wherein the polishing liquid supplied from the polishing head is switched to cleaning water at the end of polishing to remove the polishing liquid. The manufacturing method of the semiconductor device described in the above.
して前記半導体ウエハをホルダ上に保持して研磨する
際、該ホルダの周辺部に設けられた水シール室よりウエ
ハ裏面周辺部へ純水を供給することでウエハ裏面への研
磨液回り込みを防ぐことを特徴とする請求項１，２，
３，４、５，６，７又は８に記載の半導体装置の製造方
法9. When polishing the semiconductor wafer by holding the semiconductor wafer on a holder with the buried film on the semiconductor wafer facing upward, pure water is supplied from a water seal chamber provided in a peripheral portion of the holder to a peripheral portion of the back surface of the wafer. 4. The supply of the polishing liquid to prevent the polishing liquid from flowing to the back surface of the wafer.
A method for manufacturing a semiconductor device according to 3, 4, 5, 6, 7, or 8
め込み膜の研磨中に、直接光を照射し、その直接反射光
を受光して研磨終点を検出することを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６，７，８又は９に記載の半導体
装置の製造方法。10. A polishing method according to claim 1, wherein the polishing is performed by directly irradiating the light while polishing the buried film on the wafer held upward, and receiving the directly reflected light to detect the polishing end point. , 3, 4, 5, 6, 7, 8 or 9.
め込み膜の研磨中に、直接光を照射し、その直接反射光
を受光してその反射率連続的変化から研磨終点を検出す
ることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製
造方法。11. A polishing method, wherein during polishing of the buried film on the wafer held upward, direct light is irradiated, the directly reflected light is received, and the polishing end point is detected from the continuous change in the reflectance. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10.
め込み膜の研磨中に、気体あるいは液体の吹き付けによ
り、前記埋め込み膜表面の光直接照射領域に付着する研
磨液を部分的に除去して研磨終点検出を行うことを特徴
とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方
法。12. During polishing of the buried film on an upwardly held wafer, polishing is performed by spraying a gas or a liquid to partially remove a polishing liquid adhering to a directly irradiated area of the surface of the buried film. The method according to claim 10, wherein an end point is detected.
め込み膜の研磨中に、前記ポリッシングヘッドの揺動に
同期させて揺動されている光を照射させることを特徴と
する請求項１０，１１，１２に記載の半導体装置の製造
方法。13. The polishing apparatus according to claim 10, wherein the oscillating light is irradiated in synchronization with the oscillation of the polishing head during polishing of the buried film on the wafer held upward. 13. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12.
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007500943A (en) * | 2003-07-30 | 2007-01-18 | クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー | Slurries and methods for chemically and mechanically smoothing copper |
| JP2016055398A (en) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社荏原製作所 | Buff processing module, substrate processing apparatus, and buff pad cleaning method |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500943A (en) * | 2003-07-30 | 2007-01-18 | クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー | Slurries and methods for chemically and mechanically smoothing copper |
| JP2006135113A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Vacuum chuck system for device wafer and method of polishing rear face of device wafer using the same |
| JP4732736B2 (en) * | 2004-11-08 | 2011-07-27 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Device wafer vacuum chuck system and method for polishing back surface of device wafer using the same |
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