JP2001235696A - Multi-beam scanner and image forming device - Google Patents

Multi-beam scanner and image forming device

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JP2001235696A
JP2001235696A JP2000378264A JP2000378264A JP2001235696A JP 2001235696 A JP2001235696 A JP 2001235696A JP 2000378264 A JP2000378264 A JP 2000378264A JP 2000378264 A JP2000378264 A JP 2000378264A JP 2001235696 A JP2001235696 A JP 2001235696A
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智宏 中島
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    • B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
    • B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
    • B41J2/473—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror using multiple light beams, wavelengths or colours

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-beam scanner by which a light emitting point interval is not made to approach, but the light quantity variation by heat crosstalk is suppressed, without performing the interlaced scanning by employing efficiently an advantage of a system using a multi-beam light source device for combining a plurality of semiconductor laser arrays and by which a high- density and high-definition image is obtained. SOLUTION: In the multi-beam scanner using the multi-beam light source device in which two or more pairs of the semiconductor laser arrays 1 and 2 and collimating lenses 3 and 4 arraying a plurality of light emitting points on a straight line are disposed as a pair, by setting suitably a value of array number (n) or integer (k) so that geometric lateral magnification β of the subscanning direction of a scanning optical system 19 whole system from the light emitting point to an image-formation point may satisfy the β=P.n.k/ds ((k) is the positive integer here), recording density can be enhanced without narrowing the interval of the light emitting point of the semiconductor laser arrays 1 and 2, the stable light quantity control can be performed without the influence of the heat crosstalk, and the high-definition image output can be performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル複写機や
レーザプリンタ等の画像形成装置及びこの画像形成装置
の光書込走査装置に適用され、特に、複数のレーザビー
ムにより感光体等の被走査面上を同時に走査させるため
に用いられるマルチビーム走査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to an image forming apparatus such as a digital copying machine or a laser printer and an optical writing scanning apparatus of the image forming apparatus. The present invention relates to a multi-beam scanning device used for scanning a surface simultaneously.

【０００２】[0002]

【従来の技術】レーザプリンタ等の画像形成装置に関し
ては、年々、画像品質への要求が厳しくなり高密度記録
化が進んでいる。高密度記録化に伴い光書込系に用いら
れる光走査装置はその記録速度の向上が必要となるが、
その手段として偏向手段としてのポリゴンミラーの回転
速度を上げる方法がある。しかし、この方法ではモータ
の耐久性や騒音、振動、及び、レーザの変調速度等が問
題となり、かつ、記録速度の向上にも限界がある。2. Description of the Related Art With respect to image forming apparatuses such as laser printers, the requirements for image quality are becoming stricter year by year, and high density recording is progressing. The optical scanning device used in the optical writing system needs to improve the recording speed with the increase in the recording density.
As a means therefor, there is a method of increasing the rotation speed of a polygon mirror as a deflecting means. However, in this method, the durability, noise and vibration of the motor, the modulation speed of the laser, and the like become problems, and the improvement of the recording speed is limited.

【０００３】このようなことから、古くは、例えば、特
開昭５６−４２２４８号公報に示されるように複数の発
光点がモノリシックにアレイ状に配列された半導体レー
ザアレイを用い、一度に複数のレーザビームを走査して
複数ラインを同時に記録するマルチビーム走査装置が提
案されている。[0003] For this reason, for example, a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting points are monolithically arranged in an array as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 56-42248 has been used for a long time. A multi-beam scanning device that scans a laser beam to record a plurality of lines simultaneously has been proposed.

【０００４】また、特許掲載公報第２５０８８７１号や
特開平５−５３０６８号公報等に示されるように、１個
の半導体レーザアレイの発光点を副走査方向に配列して
飛び越し走査を行わせるが、この場合の飛び越し次数と
走査線間隔との関係を適正化させることにより画像再現
性を向上させる提案例がある。Further, as shown in Japanese Patent Publication No. 2508871 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-53068, the light emitting points of one semiconductor laser array are arranged in the sub-scanning direction to perform interlaced scanning. There is a proposal for improving the image reproducibility by optimizing the relationship between the interlace order and the scanning line interval in this case.

【０００５】通常、半導体レーザの光出力は１走査ライ
ン毎に画像領域外の走査時間を利用して、その光出力を
検出し、フィードバック制御により印加電流量の設定が
行われる。ここに、前者の特開昭５６−４２２４８号公
報例のような半導体レーザアレイでは発光源（発光点）
は複数であるものの、光出力を検出するセンサは共通で
あるため、光出力の検出〜フィードバックによる出力設
定を時系列的に行なわざるを得ない。従って、半導体レ
ーザアレイにおける光源数が多くなるに従い、この処理
に要する時間が増加し、１走査毎の画像領域外の走査時
間では間に合わなくなる可能性が大きい。間に合わない
場合には、ページ間の走査時間を利用して上記の処理を
行なうが、これでは、設定した印加電流量を長時間に渡
って保持しなければならず、その間にレーザ出力が変動
し画像濃度が変化してしまう可能性がある。Normally, the light output of the semiconductor laser is detected by utilizing the scanning time outside the image area for each scanning line, and the amount of applied current is set by feedback control. Here, in the former semiconductor laser array as disclosed in JP-A-56-42248, a light emitting source (light emitting point) is used.
Although there are a plurality of sensors, the sensor for detecting the optical output is common, so that the output setting from the detection of the optical output to the feedback has to be performed in chronological order. Therefore, as the number of light sources in the semiconductor laser array increases, the time required for this processing increases, and there is a high possibility that the scanning time outside the image area for each scan will not be enough. If not, the above processing is performed using the scanning time between pages. However, in this case, the set applied current amount must be held for a long time, during which the laser output fluctuates. The image density may change.

【０００６】この点、例えば特開平７−７２４０７号公
報や本出願人既提案例によれば、複数個の半導体レーザ
アレイの複数の発光点から射出されるレーザ光をプリズ
ム等のビーム合成手段を用いて合成させ、恰も１つの光
源から複数本のレーザ光が射出される如く構成したマル
チビーム光源ユニットが提案されている。これによれ
ば、１個の半導体レーザアレイに要求される発光点の数
を半減させることができるので、これらの発光点の光出
力の検出〜フィードバック制御による光出力の設定処理
に要する処理時間も半減させることができる。よって、
画像濃度の変動を最小限に抑えて、高品質な画像を得る
ことができる。In this regard, according to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-72407 and the example proposed by the present applicant, laser beams emitted from a plurality of light emitting points of a plurality of semiconductor laser arrays are combined with a beam combining means such as a prism. A multi-beam light source unit has been proposed in which a plurality of laser beams are emitted from a single light source. According to this, since the number of light emitting points required for one semiconductor laser array can be halved, the processing time required for detecting the light output of these light emitting points and setting the light output by feedback control is also reduced. Can be halved. Therefore,
High-quality images can be obtained while minimizing fluctuations in image density.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、ここ数年で記録密度は１２dot／mm→２４dot／mm
→４８dot／mmというように倍々で向上しており、光書
込系に半導体レーザアレイを用いる手法は基本的に有効
といえる。By the way, as described above, the recording density has been increased from 12 dot / mm to 24 dot / mm in recent years.
→ It has doubled to 48 dots / mm, and it can be said that the method of using the semiconductor laser array in the optical writing system is basically effective.

【０００８】しかしながら、高密度化に伴って走査線間
隔もそれに応じて縮小するのに対し、半導体レーザアレ
イの発光点間隔は隣接する発光点の熱クロストークを抑
えるため数十μｍまでしか近接できないという構造的制
約を受ける。However, while the spacing between scanning lines is correspondingly reduced with the increase in density, the spacing between the light emitting points of the semiconductor laser array can be approached only up to several tens of μm in order to suppress thermal crosstalk between adjacent light emitting points. Subject to the structural constraint.

【０００９】また、半導体レーザアレイの発光点を副走
査方向に配列した場合、感光体上に投影される走査線間
隔Ｐは発光点間隔ｒと発光点から結像点に至る走査光学
系の副走査方向の幾何学的な横倍率βとの積で表される
が、この倍率βを小さくするにはポリゴンミラー前段に
位置するシリンダレンズをポリゴンミラーに近接させて
配設する必要があり、レイアウト的にβ＝１程度が限界
とされ（通常は３〜７倍程度）、同一のポリゴンミラー
面で隣接する走査線までをも走査させることは困難とな
りつつある。When the light emitting points of the semiconductor laser array are arranged in the sub-scanning direction, the scanning line interval P projected on the photoreceptor is equal to the light emitting point interval r and the sub-scanning optical system from the light emitting point to the image forming point. It is expressed as the product of the geometrical lateral magnification β in the scanning direction. To reduce this magnification β, it is necessary to arrange a cylinder lens located in front of the polygon mirror close to the polygon mirror. The limit is typically about β = 1 (usually about 3 to 7 times), and it is becoming difficult to scan even the adjacent scanning lines on the same polygon mirror surface.

【００１０】そこで、特許掲載公報第２５０８８７１号
や特開平５−５３０６８号公報等に示されるように、同
一のポリゴンミラー面では数行空けた走査線を走査し、
次のポリゴンミラー面で隣接する走査線を走査する飛び
越し走査によるしかない。Therefore, as shown in Japanese Patent Publication No. 2508871 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-53068, scanning lines separated by several lines are scanned on the same polygon mirror surface.
There is no other way than interlaced scanning that scans adjacent scanning lines on the next polygon mirror surface.

【００１１】このようなことから、本発明は、例えば特
開平７−７２４０７号公報や本出願人既提案例に示され
るような複数個の半導体レーザアレイを組合せるマルチ
ビーム光源装置を用いる方式の利点を活かし、必ずしも
飛び越し走査を必要とせずに、発光点間隔を近接させる
ことなく、熱クロストークによる光量変動を抑えて高密
度・高品位な画像を得ることができるマルチビーム走査
装置及びこのマルチビーム走査装置を備えた画像形成装
置を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention relates to a system using a multi-beam light source device combining a plurality of semiconductor laser arrays as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-72407 and an example already proposed by the present applicant. A multi-beam scanning apparatus and a multi-beam scanning apparatus capable of obtaining a high-density and high-quality image by taking advantage of the advantages, not necessarily requiring interlaced scanning, and reducing the light quantity fluctuation due to thermal crosstalk without making the light emitting point intervals close to each other. It is an object to provide an image forming apparatus provided with a beam scanning device.

【００１２】また、ポリゴンミラーは高速回転に伴い風
損が大きくなるため、ポリゴンミラーをカバーリングし
密閉空間とすることで負荷を軽減し安定した回転性能を
得ることがよく知られているが、このようなポリゴンミ
ラーのカバーリングを行う場合においても走査光学系の
レイアウトを無理なく行なえるマルチビーム走査装置及
びこのマルチビーム走査装置を備えた画像形成装置を提
供することを目的とする。It is well known that the polygon mirror has large windage loss due to high-speed rotation. Therefore, it is well known that the polygon mirror is covered to form a closed space to reduce the load and obtain stable rotation performance. It is an object of the present invention to provide a multi-beam scanning device capable of easily laying out a scanning optical system even when such a polygon mirror is covered, and an image forming apparatus including the multi-beam scanning device.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
直線上に複数個の発光点を配列してなる半導体レーザア
レイとこの半導体レーザアレイから射出される複数本の
光ビームをカップリングする１つのコリメートレンズと
を対として複数対配設させたマルチビーム光源装置を用
いるマルチビーム走査装置において、前記半導体レーザ
アレイの個数をｎ（ｎ≧２）、発光点の副走査方向ピッ
チをｄｓ、走査線間隔をＰとしたとき、前記発光点から
被走査面上の結像点に至る走査光学系全系の副走査方向
の幾何学的な横倍率βが β＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ （ここで、ｋは正の整数） なる式を満たす。According to the first aspect of the present invention,
A multi-beam in which a plurality of pairs of a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting points are arranged on a straight line and one collimating lens for coupling a plurality of light beams emitted from the semiconductor laser array are paired. In a multi-beam scanning apparatus using a light source device, when the number of the semiconductor laser arrays is n (n ≧ 2), the pitch of the light emitting points in the sub-scanning direction is ds, and the scanning line interval is P, the surface to be scanned from the light emitting points The geometrical lateral magnification β in the sub-scanning direction of the entire scanning optical system up to the image forming point satisfies the following expression: β = P · n · k / ds (where k is a positive integer).

【００１４】従って、発光点から結像点に至るまでの走
査光学系全系の副走査方向の幾何学的な横倍率βが、β
＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ（ここで、ｋは正の整数）を満たす
ことにより、例えば走査線間隔Ｐが目標値で固定された
条件下であってもアレイ数ｎ又は整数ｋの値を適宜設定
するだけで、半導体レーザアレイの発光点の間隔を狭め
ずに記録密度を向上させることができるので、熱クロス
トークの影響を受けずに安定した光量制御が行なえ高品
位な画像出力が可能となる。また、半導体レーザアレイ
の製造も容易となり、コストを低減できる。Therefore, the geometrical lateral magnification β in the sub-scanning direction of the entire scanning optical system from the light emitting point to the image forming point is β
= P · n · k / ds (where k is a positive integer), for example, the number of arrays n or the value of the integer k can be reduced even under the condition that the scanning line interval P is fixed at the target value. The recording density can be improved without narrowing the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array by simply setting it appropriately, so that stable light quantity control can be performed without being affected by thermal crosstalk and high quality image output is possible. Becomes Further, the manufacture of the semiconductor laser array becomes easy, and the cost can be reduced.

【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１又は２記
載のマルチビーム走査装置において、前記走査線間隔Ｐ
と前記発光点の副走査方向ピッチｄｓとが、ｄｓ≧Ｐな
る関係を満たす。According to a second aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first or second aspect, the scanning line interval P
And the pitch ds in the sub-scanning direction of the light emitting point satisfies the relationship ds ≧ P.

【００１６】従って、走査線間隔Ｐと発光点の副走査方
向ピッチｄｓとが、ｄｓ≧Ｐなる関係を満たすよう設定
することにより、走査光学系の副走査方向の幾何学的な
横倍率βが通常用いられる範囲（３〜７倍程度）であっ
ても記録密度を向上させることができるので、光利用効
率や面倒れ補正倍率など他の性能を犠牲にすることなく
高品位な画像出力が可能な走査光学系が実現できる。Therefore, by setting the scanning line interval P and the pitch ds of the light emitting points in the sub-scanning direction so as to satisfy the relationship of ds ≧ P, the geometrical lateral magnification β of the scanning optical system in the sub-scanning direction is increased. Since the recording density can be improved even in the range normally used (approximately 3 to 7 times), high-quality image output is possible without sacrificing other performances such as light use efficiency and magnification for correcting tilting. Scanning optical system can be realized.

【００１７】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載のマルチビーム走査装置において、前記正の整数ｋ
が、ｋ≧２である。According to a third aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first or second aspect, the positive integer k
Is k ≧ 2.

【００１８】従って、正の整数ｋがｋ≧２となるように
設定し、いわゆる飛び越し走査を行わせることにより、
半導体レーザアレイの発光点の間隔、走査光学系の副走
査倍率に負担を強いることなくさらに記録密度を向上さ
せることができ、高品位な画像出力が可能となる。Therefore, by setting the positive integer k so as to satisfy k ≧ 2 and performing a so-called interlaced scan,
The recording density can be further improved without imposing a load on the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array and the sub-scanning magnification of the scanning optical system, and high-quality image output can be achieved.

【００１９】請求項４記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム走査装置において、前記正の整数ｋが、ｋ＝
１である。According to a fourth aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first aspect, the positive integer k is k =
It is one.

【００２０】従って、正の整数ｋがｋ＝１となるように
設定することで、ポリゴンミラーの1１面で走査する分
だけの印字データを蓄えておけばよいので、バッファメ
モリ容量を低減でき、低コストで、かつ、半導体レーザ
アレイの発光点の間隔に負担を強いることなく記録密度
を向上させることができる。Therefore, by setting the positive integer k so that k = 1, it is sufficient to store print data for scanning on the 11th surface of the polygon mirror, so that the buffer memory capacity can be reduced. The recording density can be improved at low cost and without imposing a burden on the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array.

【００２１】請求項５記載の発明は、請求項１記載のマ
ルチビーム走査装置において、前記走査光学系は、前記
発光点からポリゴンミラーの偏向点に至るまでの第１の
走査光学系と前記偏向点から前記結像点に至るまでの第
２の走査光学系とからなり、前記偏向点から前記結像点
までの光路長をＬｍ、前記第１の走査光学系全系におけ
る副走査倍率をβ１、前記第２の走査光学系全系におけ
る主走査倍率をβｍとしたとき、前記第１の走査光学系
には、前記ポリゴンミラー近傍に配設され、副走査にお
いて前記ポリゴンミラー上に光ビームを集束する光学素
子を有し、この光学素子の副走査方向焦点距離ｆｙが、 Ｌｍ／ｆｙ−βｍ／β１≦１ なる関係を満たす。According to a fifth aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first aspect, the scanning optical system includes a first scanning optical system from the light emitting point to a deflection point of a polygon mirror and the deflection optical system. A second scanning optical system from the point to the image forming point, an optical path length from the deflection point to the image forming point is Lm, and a sub-scanning magnification in the entire first scanning optical system is β1. When the main scanning magnification in the entire second scanning optical system is βm, the first scanning optical system is disposed near the polygon mirror, and a light beam is applied to the polygon mirror in the sub scanning. The optical device has a focusing optical element, and the focal length fy of the optical element in the sub-scanning direction satisfies the following relationship: Lm / fy−βm / β1 ≦ 1.

【００２２】一般に、第１の走査光学系は光源からの射
出光を平行光束となすコリメートレンズと副走査におい
てポリゴンミラー上に光束を集束するシリンダレンズと
から構成され、シリンダレンズの焦点距離をｆｙ、コリ
メートレンズの焦点距離をｆｃとすると、第１の走査光
学系の副走査倍率β１はβ１＝ｆｙ／ｆｃで表され、シ
リンダレンズはポリゴンミラーの偏向点から概略焦点距
離ｆｙだけ離れた位置に配置される。また、第２の走査
光学系を構成するｆθレンズの副走査倍率β２はβ２＝
β／β１で表される。一方、第２の走査光学系の主走査
倍率をβｍとすると、ポリゴンミラーの偏向点からｆθ
レンズまでの距離は概略Ｌ＝Ｌｍ−βｍ・ｆｃで表さ
れ、副走査倍率βを低減させるためには、シリンダレン
ズの焦点距離ｆｙを短くしてポリゴンミラーに近接さ
せ、上記の距離Ｌに近づける、即ち、Ｌ／ｆｙ≦１とす
ることが必要となるが、上記の距離Ｌに関する式を変形
して、焦点距離ｆｙが、Ｌｍ／ｆｙ−βｍ／β１≦１と
なる関係を満たすように正の整数ｋ又はアレイ数ｎの値
を適宜設定することにより、ポリゴンミラーとポリゴン
ミラーに近接配置されるレンズとの距離を確保すること
ができる。よって、ポリゴンミラーのカバーリングが可
能となる上、モータハウジングの補強も可能となり、ポ
リゴンモータの振動を低減させて安定した回転性能が得
られるので、高品位な画像出力が可能となる。In general, the first scanning optical system is composed of a collimating lens for converting light emitted from a light source into a parallel light beam and a cylinder lens for converging a light beam on a polygon mirror in sub-scanning. When the focal length of the collimating lens is fc, the sub-scanning magnification β1 of the first scanning optical system is represented by β1 = fy / fc, and the cylinder lens is located at a position separated from the deflection point of the polygon mirror by the approximate focal length fy. Be placed. The sub-scanning magnification β2 of the fθ lens constituting the second scanning optical system is β2 =
It is represented by β / β1. On the other hand, if the main scanning magnification of the second scanning optical system is βm, then fθ
The distance to the lens is approximately represented by L = Lm−βm · fc. In order to reduce the sub-scanning magnification β, the focal length fy of the cylinder lens is shortened so as to approach the polygon mirror and approach the above-described distance L. That is, it is necessary to satisfy L / fy ≦ 1. However, by modifying the above formula regarding the distance L, the focal length fy is positively adjusted so as to satisfy the relationship of Lm / fy−βm / β1 ≦ 1. By appropriately setting the value of the integer k or the number n of the arrays, the distance between the polygon mirror and the lens arranged close to the polygon mirror can be secured. Therefore, the polygon mirror can be covered, the motor housing can be reinforced, and the rotation of the polygon motor can be reduced and stable rotation performance can be obtained, so that high-quality image output can be achieved.

【００２３】請求項６記載の発明の画像形成装置は、電
子写真方式により静電潜像が形成される像担持体表面を
被走査面として光書込みを行なう請求項１ないし５の何
れか一記載のマルチビーム走査装置を備える。According to a sixth aspect of the present invention, in the image forming apparatus according to any one of the first to fifth aspects, optical writing is performed using a surface of an image carrier on which an electrostatic latent image is formed by an electrophotographic method as a surface to be scanned. Is provided.

【００２４】従って、請求項１ないし５の何れか一記載
のマルチビーム走査装置を備えることで半導体レーザア
レイの発光点の間隔を狭めずに記録密度を向上させるこ
とができるので、熱クロストークの影響を受けずに安定
した光量制御が行なえ高品位な画像出力が可能な画像形
成装置を提供できる。Therefore, by providing the multi-beam scanning device according to any one of claims 1 to 5, it is possible to improve the recording density without reducing the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array. It is possible to provide an image forming apparatus capable of performing stable light amount control without being affected and outputting high-quality images.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図７に基づいて説明する。図１は例えばレーザプ
リンタに適用したマルチビーム走査装置の概略を示す斜
視図、図２は走査光学系を展開して示す光学系等価図、
図３はマルチビーム光源装置の模式的斜視図である。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
7 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a multi-beam scanning device applied to a laser printer, for example, and FIG.
FIG. 3 is a schematic perspective view of the multi-beam light source device.

【００２６】本実施の形態では、２個（ｎ＝２）の半導
体レーザアレイ１，２と２個のコリメートレンズ３，４
との組合せよりなるマルチビーム光源装置５が用いられ
ている。これらの半導体レーザアレイ１，２は同一構造
のもので、図３に示すように、２個の発光点１ａ，１
ｂ、２ａ，２ｂが間隔（副走査方向ピッチ）ｄｓ＝５０
μｍで配列されており、このような半導体レーザアレイ
１，２の発光点１ａ，１ｂ、２ａ，２ｂをコリメートレ
ンズ３，４の光軸を対称として副走査方向に配置させて
なる。In this embodiment, two (n = 2) semiconductor laser arrays 1 and 2 and two collimating lenses 3 and 4 are used.
Is used. These semiconductor laser arrays 1 and 2 have the same structure, and as shown in FIG.
b, 2a, 2b are intervals (pitch in the sub-scanning direction) ds = 50
The light emitting points 1a, 1b, 2a, 2b of the semiconductor laser arrays 1, 2 are arranged in the sub-scanning direction with the optical axes of the collimating lenses 3, 4 being symmetrical.

【００２７】全体的には、図１に示すように、半導体レ
ーザアレイ１，２はコリメートレンズ３，４との光軸ａ
１，ａ２を一致させて主走査方向に対称に例えば１．５
°の射出角度を持たせ、ポリゴンミラー６の反射点で射
出軸（光軸ａ１，ａ２）が交差するように配設されてい
る。各半導体レーザアレイ１，２より射出した複数のレ
ーザビームは光学素子としてのシリンダレンズ７を介し
てポリゴンミラー６で一括して偏向走査され、ｆθレン
ズ８、反射ミラー９、トロイダルレンズ１０により被走
査面としての感光体１１上に結像される。As a whole, as shown in FIG. 1, the semiconductor laser arrays 1 and 2 have an optical axis a with collimating lenses 3 and 4.
1 and a2 are made to coincide with each other and symmetrically in the main scanning direction, for example, 1.5
It is arranged so that the emission axes (optical axes a1 and a2) intersect at the reflection point of the polygon mirror 6. A plurality of laser beams emitted from the semiconductor laser arrays 1 and 2 are collectively deflected and scanned by a polygon mirror 6 via a cylinder lens 7 as an optical element, and scanned by an fθ lens 8, a reflection mirror 9 and a toroidal lens 10. An image is formed on the photoconductor 11 as a surface.

【００２８】なお、ポリゴンモータ（図示せず）により
回転駆動されるポリゴンミラー６はカバーケース１２内
に収納され、ｆθレンズ８側に対する出射部にはカバー
ガラス１３が設けられている。The polygon mirror 6, which is driven to rotate by a polygon motor (not shown), is housed in a cover case 12, and a cover glass 13 is provided at an emission part for the fθ lens 8 side.

【００２９】バッファメモリ１４には後述するような飛
び越し走査分を含めた印字データが蓄えられ、ポリゴン
ミラー６の１面毎に記録されるライン分の印字データが
書込制御部１５によりバッファメモリ１４から読出され
て各半導体レーザアレイ１，２の各発光点１ａ，１ｂ、
２ａ，２ｂはＬＤ駆動部１６により各々変調され複数ラ
イン分の書込み記録が同時に行われる。The buffer memory 14 stores print data including the amount of interlaced scanning as described later, and print data for the lines recorded for each surface of the polygon mirror 6 is written by the write control unit 15 to the buffer memory 14. , The light emitting points 1a, 1b of the semiconductor laser arrays 1, 2
2a and 2b are respectively modulated by the LD drive unit 16 and writing and recording for a plurality of lines are performed simultaneously.

【００３０】ここで、図２を参照し、各半導体レーザア
レイ１，２の各発光点１ａ，１ｂ、２ａ，２ｂからポリ
ゴンミラー６の偏向点に至るコリメートレンズ３，４、
シリンダレンズ７を第１の走査光学系１７、ポリゴンミ
ラー６の偏向点から感光体１１の結像点に至るｆθレン
ズ８、反射ミラー９、トロイダルレンズ１０を第２の走
査光学系１８とすると走査光学系１９全系の副走査倍率
（副走査方向の幾何学的な横倍率）βは、第１の走査光
学系１７の副走査倍率β１、第２の走査光学系１８の副
走査倍率β２を用いるとβ＝β１×β２で表される。ま
た、元々ビームスポット間隔Ｐｓは、半導体レーザにお
ける発光点の副走査方向ピッチをｄｓとしたとき、 Ｐｓ＝β・ｄｓ で示されるものであり、ビームスポット間隔Ｐｓは走査
線間隔をＰ、発光点の飛び越し次数をｉとすると Ｐｓ＝Ｐ・ｉ で示され、飛び越し次数ｉは半導体レーザのアレイ数を
ｎとすると、 ｉ＝ｎ・ｋ (ここで、ｋは正の整数) で示されることから、ビームスポット間隔Ｐｓは Ｐｓ＝Ｐ・ｎ・ｋ で示される。従って、副走査倍率βは、 β＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ で示される。Here, referring to FIG. 2, the collimating lenses 3, 4 from the light emitting points 1a, 1b, 2a, 2b of the semiconductor laser arrays 1, 2 to the deflection points of the polygon mirror 6, respectively.
When the cylinder lens 7 is the first scanning optical system 17, and the fθ lens 8 from the deflection point of the polygon mirror 6 to the image forming point of the photoconductor 11 is the second scanning optical system 18, the reflecting mirror 9 and the toroidal lens 10 are the second scanning optical system 18. The sub-scanning magnification (geometric lateral magnification in the sub-scanning direction) β of the entire optical system 19 is the sub-scanning magnification β1 of the first scanning optical system 17 and the sub-scanning magnification β2 of the second scanning optical system 18. When used, it is represented by β = β1 × β2. Originally, the beam spot interval Ps is represented by Ps = β · ds, where ds is the pitch in the sub-scanning direction of the light emitting point in the semiconductor laser. The beam spot interval Ps is P for the scanning line interval, Is represented by Ps = P · i where i is the jump order, and i = n · k (where k is a positive integer) when the number of semiconductor laser arrays is n. , The beam spot interval Ps is represented by Ps = P · nk. Accordingly, the sub-scanning magnification β is represented by β = P · nk · ds.

【００３１】また、第１の走査光学系１７の副走査倍率
β１はコリメートレンズ３，４の焦点距離ｆｃ、シリン
ダレンズ７の焦点距離ｆｙを用いて書き換えると、β１
＝ｆｙ／ｆｃとなるので、 β＝β１・β２ ＝（ｆｙ／ｆｃ）・β２ ＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ (ここで、ｋは正の整数) となるようにシリンダレンズ７の焦点距離ｆｙを設定す
ることで対処することができる。When the sub-scanning magnification β1 of the first scanning optical system 17 is rewritten using the focal length fc of the collimating lenses 3 and 4 and the focal length fy of the cylinder lens 7,
= Fy / fc, so that β = β1 · β2 = (fy / fc) · β2 = P · n · k / ds (where k is a positive integer) so that the focal length fy of the cylinder lens 7 is Can be dealt with by setting.

【００３２】即ち、走査線間隔Ｐが目標値で固定された
条件下であっても、副走査倍率βを小さくするために
は、発光点の副走査方向ピッチｄｓを小さくしなくて
も、半導体レーザアレイの個数（アレイ数）ｎ又は正の
整数ｋの値を適宜大きくすることで対応することができ
る。つまり、複数個の半導体レーザアレイを用いて飛び
越し次数ｉ（＝ｎ・ｋ）を適宜設定することにより、副
走査方向ピッチｄｓを小さくしなくても副走査倍率βを
小さくできることを意味する。That is, even under the condition that the scanning line interval P is fixed at the target value, it is possible to reduce the sub-scanning magnification β without reducing the pitch ds of the light emitting points in the sub-scanning direction. This can be dealt with by appropriately increasing the number n of laser arrays (the number of arrays) or the value of a positive integer k. This means that the sub-scanning magnification β can be reduced without reducing the sub-scanning direction pitch ds by appropriately setting the jump order i (= n · k) using a plurality of semiconductor laser arrays.

【００３３】ここに、上述した如くシリンダレンズ７の
位置を決定する焦点距離ｆｙは副走査倍率βにより設定
されるため、ポリゴンミラー６との間隔を適度に保つよ
うに第１の走査光学系１７の副走査倍率β１を決定する
必要がある。Here, since the focal length fy for determining the position of the cylinder lens 7 is set by the sub-scanning magnification β as described above, the first scanning optical system 17 is set so as to keep an appropriate distance from the polygon mirror 6. Needs to be determined.

【００３４】いま、ポリゴンミラー６の偏向点から感光
体１１上の結像点までの光路長をＬｍとすると、ポリゴ
ンミラー６の偏向点からｆθレンズ８までの距離Ｌ（正
確には、走査光学系全系の前側主点までの距離）は、主
走査倍率βｍを用いて概略 Ｌ＝Ｌｍ−βｍ・ｆｃ で表される。Now, assuming that the optical path length from the deflection point of the polygon mirror 6 to the image forming point on the photosensitive member 11 is Lm, the distance L from the deflection point of the polygon mirror 6 to the fθ lens 8 (more precisely, the scanning optical The distance to the front principal point of the entire system) is approximately represented by L = Lm−βm · fc using the main scanning magnification βm.

【００３５】前述したように、副走査倍率βを低減する
ためには、通常、シリンダレンズ７をポリゴンミラー６
に近づける（Ｌ／ｆｙ≦１）ことが必要となるが、前述
したβ１＝ｆｙ／ｆｃを利用して上式Ｌ＝Ｌｍ−βｍ・
ｆｃを変形し、 となるように上述した下記の条件式 β＝β１・β２＝（ｆｙ／ｆｃ）・β２＝Ｐ・ｎ・ｋ／
ｄｓ (Ｐ：走査線間隔、ｄｓ：発光点の副走査方向ピ
ッチ)中の正の整数ｋ又はアレイ数ｎを設定すること
で、シリンダレンズ７をポリゴンミラー６からｆθレン
ズ８と同程度以上離すことができ、ポリゴンミラー６の
カバーリングを行うためのカバーガラス１３を無理なく
レイアウトすることができる。As described above, in order to reduce the sub-scanning magnification β, the cylinder lens 7 is usually
(L / fy ≦ 1), but using the above-mentioned β1 = fy / fc, the above equation L = Lm−βm ·
transform fc, The following conditional expression β = β1 · β2 = (fy / fc) · β2 = P · nk ·
By setting a positive integer k or the number n of arrays in ds (P: scanning line interval, ds: pitch of light emitting points in the sub-scanning direction), the cylinder lens 7 is separated from the polygon mirror 6 by the same degree or more as the fθ lens 8. The cover glass 13 for covering the polygon mirror 6 can be laid out without difficulty.

【００３６】ところで、本実施の形態において、感光体
１１上でのビーム配列は図４に示すように各発光点のビ
ームスポット間隔ＰｓはＰｓ＝β・ｄｓとして投影され
る。各半導体レーザアレイ１，２のビームスポット列を
記録密度に応じた走査線間隔Ｐだけシフトして配置す
る。飛び越し次数ｉ＝４（ｉ＝ｎ・ｋ）とすると、半導
体レーザアレイ１の発光点１ｂが第１行目、半導体レー
ザアレイ２の発光点１ｂ２ｂが第２行目をポリゴンミラ
ー６の同一のポリゴン面ｊ＝１により走査する。第３行
目、第４行目は次の次のポリゴン面ｊ＝３により発光点
１ａ，２ａが走査し（このとき、第９行目、第１０行目
も発光点１ｂ，２ｂにより同時に走査される）、第５行
目、第６行目はポリゴン面ｊ＝２において発光点１ｂ，
２ｂが走査し、第７行目、第８行目はポリゴン面ｊ＝４
により発光点１ａ，２ａが走査する（このとき、第１３
行目、第１４行目も発光点１ｂ，２ｂにより同時に走査
される）。以下、同様に走査が繰返される。In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the beam arrangement on the photosensitive member 11 is such that the beam spot interval Ps of each light emitting point is Ps = β · ds. The beam spot arrays of the respective semiconductor laser arrays 1 and 2 are arranged shifted by the scanning line interval P according to the recording density. Assuming that the jump order is i = 4 (i = nk), the light emitting point 1b of the semiconductor laser array 1 is in the first row, the light emitting point 1b2b of the semiconductor laser array 2 is in the second row, and the same polygon of the polygon mirror 6 is in the second row. Scan by plane j = 1. In the third and fourth rows, the light emitting points 1a and 2a are scanned by the next polygon surface j = 3 (at this time, the ninth and tenth rows are simultaneously scanned by the light emitting points 1b and 2b). ), The fifth and sixth rows are light-emitting points 1b,
2b is scanned, and the seventh and eighth rows are polygon surfaces j = 4
Scans the light emitting points 1a and 2a (at this time, the thirteenth
The rows and the fourteenth row are simultaneously scanned by the light emitting points 1b and 2b). Hereinafter, the scanning is similarly repeated.

【００３７】本実施の形態では、上述した条件式 β＝β１・β２ ＝（ｆｙ／ｆｃ）・β２ ＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ (ここで、ｋは正の整数) Ｌｍ／ｆｙ−βｍ／β１≦１ に関与する事項として、具体的には、 第１の走査光学系１７の副走査倍率β１：４．２倍 第２の走査光学系１８の副走査倍率β２：０．６倍 主走査倍率βｍ：１１．２倍 走査線間隔Ｐ：２１．２μｍ(４８dot／mm) ビームスポット間隔ｄｓ：１２７．２μｍ（＝ｉ・Ｐ） シリンダレンズ７の焦点距離ｆｙ：８４ｍｍ 第２の走査光学系１８の光路長Ｌｍ：３０８ｍｍ としており、高密度記録にも関わらず発光点１ａ・１ｂ
（２ａ・２ｂ）の間隔ｒ＝ｄｓ＝５０μｍの半導体レー
ザアレイ１，２を用いることができる。In this embodiment, the above-mentioned conditional expression β = β1 · β2 = (fy / fc) · β2 = P · n · k / ds (where k is a positive integer) Lm / fy−βm / As a matter relating to β1 ≦ 1, specifically, the sub-scanning magnification β1: 4.2 times of the first scanning optical system 17 The sub-scanning magnification β2: 0.6 times of the second scanning optical system 18 Main scanning Magnification βm: 11.2 times Scanning line interval P: 21.2 μm (48 dot / mm) Beam spot interval ds: 127.2 μm (= i · P) Focal length fy of cylinder lens 7: 84 mm Second scanning optical system 18 The optical path length Lm: 308 mm of the light emitting points 1a and 1b despite the high density recording
Semiconductor laser arrays 1 and 2 having an interval r = ds = 50 μm between (2a and 2b) can be used.

【００３８】なお、本実施の形態では、半導体レーザア
レイ１，２の発光点１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂを副走査方
向に配列したが、図５に示すように、副走査方向に対し
て角度φだけ傾けて用いるようにしてもよく、この場合
には発光点間隔ｒに対して副走査方向ピッチｄｓ＝ｒ・
cosφとすれば同様である。In this embodiment, the light emitting points 1a, 1b, 2a and 2b of the semiconductor laser arrays 1 and 2 are arranged in the sub-scanning direction. However, as shown in FIG. It may be used by being inclined by φ. In this case, the pitch ds = r ·
The same is true for cosφ.

【００３９】ところで、このような角度φの調整自在な
機構を含む本実施の形態のマルチビーム光源装置５の構
成例を図６及び図７を参照して説明する。まず、半導体
レーザアレイ１，２は各々主走査方向に微小に傾斜させ
た（本実施の形態では約１．５°…図１参照）ベース部
材２１の背面側に形成された嵌合穴２１ａ，２１ｂに個
別に円筒状ヒートシンク部２２，２３の半分厚を嵌合さ
せて押え部材２４，２５の突起２４ａ，２５ａをヒート
シンク部２２，２３の切り欠き部２２ａ，２３ａに合わ
せて背面側からねじ２６により固定される。Now, an example of the configuration of the multi-beam light source device 5 of the present embodiment including such a mechanism capable of adjusting the angle φ will be described with reference to FIGS. 6 and 7. First, each of the semiconductor laser arrays 1 and 2 is slightly inclined in the main scanning direction (about 1.5 ° in this embodiment, see FIG. 1). The half thickness of the cylindrical heat sink portions 22 and 23 is individually fitted into the heat sink portions 21b, and the projections 24a and 25a of the holding members 24 and 25 are aligned with the cutout portions 22a and 23a of the heat sink portions 22 and 23, and the screws 26 are inserted from the rear side. Is fixed by

【００４０】また、ベース部材２１はホルダ部材２７に
円筒状係合部２１ｃを係合させて、ねじ２８を長穴２７
ａ，２７ｂを介してねじ穴２１ｄ，２１ｅにねじ止めす
ることにより固定され、マルチビーム光源装置５が構成
されている。このとき、各半導体レーザアレイ１，２の
発光点同士の位置合せを行うためベース部材２１をホル
ダ部材２７に対して円筒状係合部２１ａの中心を回転軸
としてγ方向の角度調整を行うと同時に、この角度調整
によっても発光点の配列方向が常に副走査方向との平行
を保てるようにヒートシンク部２２，２３の中心を回転
軸として押え部材２４，２５を各々回転させα方向の角
度を補正し得るように構成されている。Further, the base member 21 engages the holder member 27 with the cylindrical engagement portion 21c, and the screw 28 is inserted into the elongated hole 27.
The multi-beam light source device 5 is fixed by being screwed into the screw holes 21d and 21e via the holes 27a and 27b. At this time, in order to align the light emitting points of the semiconductor laser arrays 1 and 2, the angle of the base member 21 is adjusted with respect to the holder member 27 in the γ direction with the center of the cylindrical engaging portion 21a as the rotation axis. At the same time, the holding members 24 and 25 are respectively rotated about the centers of the heat sink portions 22 and 23 as rotation axes so that the arrangement direction of the light emitting points can always be kept parallel to the sub-scanning direction by this angle adjustment to correct the angle in the α direction. It is configured to be able to.

【００４１】コリメートレンズ３，４は各々その外周を
ベース部材２１の半円状の取付面２１ｆ，２１ｇに沿わ
せて発光点から射出された発散ビームが平行光束となる
よう位置決めされ接着される。The collimating lenses 3 and 4 are positioned and adhered so that the divergent beams emitted from the light emitting points become parallel luminous flux along the semicircular mounting surfaces 21f and 21g of the base member 21, respectively.

【００４２】光学ハウジングへは取付壁２９に形成され
た基準穴２９ａにホルダ部材２７の円筒部２７ｃを係合
させねじ３０により固定されている。The cylindrical portion 27 c of the holder member 27 is engaged with a reference hole 29 a formed in the mounting wall 29 and fixed to the optical housing by screws 30.

【００４３】本発明の第二の実施の形態を図８及び図９
に基づいて説明する。全体的な構成例については、第一
の実施の形態と同様であり、同一符号を用いて説明す
る。本実施の形態では、各々２個ずつの発光点４１ａ，
４１ｂ、４２ａ，４２ｂ、４３ａ，４３ｂ、４４ａ，４
４ｂの間隔ｒが５０μｍで配列された４個（ｎ＝４）の
半導体レーザアレイ４１〜４４を有して８本のレーザビ
ームを出射するマルチビーム光源装置４５を用いるよう
にしたものである。FIGS. 8 and 9 show a second embodiment of the present invention.
It will be described based on. The overall configuration example is the same as in the first embodiment, and will be described using the same reference numerals. In the present embodiment, two light emitting points 41a,
41b, 42a, 42b, 43a, 43b, 44a, 4
A multi-beam light source device 45 that has four (n = 4) semiconductor laser arrays 41 to 44 arranged at intervals r of 50 μm and emits eight laser beams is used.

【００４４】感光体１１上でのビーム配列は図９に示す
ように各半導体レーザアレイ４１〜４４のビームスポッ
ト列を記録密度に応じた走査線間隔Ｐずつシフトさせて
設定される。飛び越し次数ｉ＝１２（ｉ＝ｎ・ｋ）とす
ると、半導体レーザアレイ４１の発光点４１ｂが第１行
目、半導体レーザアレイ４３の発光点４３ｂが第２行
目、半導体レーザ４２の発光点４２ｂが第３行目、半導
体レーザアレイ４４の発光点４４ｂが第４行目をポリゴ
ンミラー６の同一のポリゴン面ｊ＝１により走査する。
第５行目ないし第８行目は次の次のポリゴン面ｊ＝３に
より発光点４１ａ，４３ａ，４２ａ，４４ａが走査し
（このとき、第１７行目ないし第２０行目も発光点４１
ｂ，４３ｂ，４２ｂ，４４ｂにより同時に走査され
る）、第９行目ないし第１２行目はポリゴン面ｊ＝２に
おいて発光点４１ｂ，４３ｂ，４２ｂ，４４ｂが走査
し、第１３行目ないし第１６行目はポリゴン面ｊ＝４に
より発光点４１ａ，４３ａ，４２ａ，４４ａが走査する
（このとき、第２５行目ないし第２８行目も発光点４１
ｂ，４３ｂ，４２ｂ，４４ｂにより同時に走査され
る）。以下、同様に走査が繰返される。The beam arrangement on the photoreceptor 11 is set by shifting the beam spot arrays of the semiconductor laser arrays 41 to 44 by scanning line intervals P according to the recording density, as shown in FIG. Assuming that the jump order is i = 12 (i = nk), the light emitting point 41b of the semiconductor laser array 41 is in the first row, the light emitting point 43b of the semiconductor laser array 43 is in the second row, and the light emitting point 42b of the semiconductor laser 42. Is the third row, and the light emitting point 44b of the semiconductor laser array 44 scans the fourth row by the same polygon surface j = 1 of the polygon mirror 6.
In the fifth to eighth rows, the light emitting points 41a, 43a, 42a, and 44a are scanned by the next polygon surface j = 3 (at this time, the light emitting points 41 are also in the 17th to 20th rows).
b, 43b, 42b, and 44b), the ninth to twelfth rows are scanned by the light emitting points 41b, 43b, 42b, and 44b on the polygon surface j = 2, and the thirteenth to sixteenth rows are scanned. In the line, the light emitting points 41a, 43a, 42a, and 44a are scanned by the polygon surface j = 4 (at this time, the light emitting points 41 are also in the 25th to 28th lines).
b, 43b, 42b, and 44b are scanned simultaneously). Hereinafter, the scanning is similarly repeated.

【００４５】本実施の形態では、上述した条件式 β＝β１・β２ ＝（ｆｙ／ｆｃ）・β２ ＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ (ここで、ｋは正の整数) に関与する事項として、具体的には、 第１の走査光学系１７の副走査倍率β１：８．５倍 第２の走査光学系１８の副走査倍率β２：０．６倍 走査線間隔Ｐ：２１．２μｍ（４８dot／mm） ビームスポット間隔ｄｓ：２５４．４μｍ（＝ｉ・Ｐ） シリンダレンズ７の焦点距離ｆｙ：１７０ｍｍ としている。In the present embodiment, as the items related to the above-mentioned conditional expression β = β1 · β2 = (fy / fc) · β2 = P · n · k / ds (where k is a positive integer), Specifically, the sub-scanning magnification β1 of the first scanning optical system 17 is 8.5 times, and the sub-scanning magnification β2 of the second scanning optical system 18 is 0.6 times. Scan line interval P: 21.2 μm (48 dots / mm) Beam spot interval ds: 254.4 μm (= i · P) The focal length fy of the cylinder lens 7 is 170 mm.

【００４６】図８はマルチビーム光源装置４５の構成を
示す分解斜視図である。半導体レーザアレイ４１，４２
及びコリメートレンズ４６，４７を一体的に支持したベ
ース部材４８の構成は形状的には異なるものの、第一の
実施の形態におけるベース部材２１と同様である。本実
施の形態では、このベース部材４８を第１のベース部材
とし、半導体レーザアレイ４３，４４及びコリメートレ
ンズ４９，５０を一体的に支持する同一構造のベース部
材５１を第２のベース部材として対で設けられている。
これらのベース部材４８，５１を同一のフランジ部材５
２に形成された穴５２ａ，５２ｂに前述の実施の形態の
場合と同様に円筒状係合部４８ａ，５１ａを係合し、こ
の中心を回転軸としてγ方向の角度調整を行ってねじに
より固定される。この際、フランジ部材５２の各ベース
部材４８，５１の裏側取付け面はベース部材４８に対し
てベース部材５１が主走査方向に若干（０．２°程度）
だけ傾くように形成され、各ベース部材４８，５１の２
対のビームスポット列の中心位置ａ１，ａ２は主走査方
向に分離して配置されるように設定されている（図９参
照）。FIG. 8 is an exploded perspective view showing the structure of the multi-beam light source device 45. Semiconductor laser arrays 41 and 42
Although the configuration of the base member 48 integrally supporting the collimating lenses 46 and 47 is different in shape, it is the same as the base member 21 in the first embodiment. In the present embodiment, the base member 48 is used as a first base member, and the base member 51 having the same structure integrally supporting the semiconductor laser arrays 43 and 44 and the collimating lenses 49 and 50 is used as a second base member. It is provided in.
These base members 48 and 51 are connected to the same flange member 5.
The cylindrical engaging portions 48a and 51a are engaged with the holes 52a and 52b formed in the second embodiment in the same manner as in the above-described embodiment, and the center thereof is used as a rotation axis to perform angle adjustment in the γ direction and fixed with screws. Is done. At this time, the mounting surface on the back side of each of the base members 48, 51 of the flange member 52 is slightly (about 0.2 °) in the main scanning direction with respect to the base member 48.
And each base member 48, 51
The center positions a1 and a2 of the pair of beam spot rows are set so as to be separated from each other in the main scanning direction (see FIG. 9).

【００４７】フランジ部材５２の前方に配設される平行
四辺形柱部５３ａと三角柱部５３ｂとからなるプリズム
５３は、第２の光源部（半導体レーザアレイ４３，４
４）の各ビームを波長板５３ｅを介して入射させて斜面
５３ｃで反射させ、さらにビームスプリッタ面５３ｄで
反射させて、ビームスプリッタ面５３ｄを直接透過する
第１の光源部（半導体レーザアレイ４１，４２）の各ビ
ームに近接させて射出する。近接された複数のビームは
ポリゴンミラー６で一度に偏向走査され、感光体１１上
に各々ビームスポットを結像する。このとき、ベース部
材４８に搭載された半導体レーザアレイ４１，４２のビ
ームスポット対の中心位置ａ１を第６行目に、ベース部
材５１に搭載された半導体レーザアレイ４３，４４のビ
ームスポット対の中心位置ａ２を７行目に合わせて配置
させることで、図９中に示すような配列となる。フラン
ジ部材５２はホルダ部材５４に保持される。The prism 53 composed of a parallelogram column 53a and a triangular column 53b disposed in front of the flange member 52 is connected to a second light source (the semiconductor laser arrays 43 and 4).
The first light source unit (semiconductor laser array 41, 4) that causes each beam of 4) to be incident via the wave plate 53e, reflected by the inclined surface 53c, further reflected by the beam splitter surface 53d, and directly transmitted through the beam splitter surface 53d. The beam is emitted in the vicinity of each beam of 42). The plurality of beams that have been brought close are deflected and scanned by the polygon mirror 6 at one time, and form beam spots on the photoconductor 11 respectively. At this time, the center position a1 of the beam spot pair of the semiconductor laser arrays 41 and 42 mounted on the base member 48 is set to the sixth row, and the center of the beam spot pair of the semiconductor laser arrays 43 and 44 mounted on the base member 51 is set. By arranging the position a2 so as to match the seventh line, an arrangement as shown in FIG. 9 is obtained. The flange member 52 is held by the holder member 54.

【００４８】さらに、ねじりスプリング５５は光学ハウ
ジング取付壁５６に形成された基準穴５６ａから突出さ
せたホルダ部材５４の円筒部５４ａに挿入されその一端
５５ａが止輪５７の穴５７ａに挿入されるとともにスプ
リング自身を圧縮させることにより止輪５７を円筒部５
４ａ外周に形成された突起部５４ｂに引っ掛け、他端５
５ｂが光学ハウジング取付壁５６の係止部５６ｂに引っ
掛けられている。これにより、ホルダ部材５４はねじり
スプリング５５の付勢力により光学ハウジング取付壁５
６に密着するように取付けられている。また、止輪５７
の立ち上げ部５７ｂがホルダ部材５４の突起部５４ｂに
係止することにより、時計方向の回転付勢力が付与され
ており、この付勢力に抗して調整ねじ５８がハウジング
に固定され、ホルダ部材５４の一側に形成されたレバー
片５４ｃに突き当てることにより、調整ねじ５８の送り
により円筒部５４ａの中心を回転軸としてベース部材４
８，５１のビームスポット対の中心位置のなす角度θを
調整することができる。Further, the torsion spring 55 is inserted into the cylindrical portion 54a of the holder member 54 projected from the reference hole 56a formed in the optical housing mounting wall 56, and one end 55a thereof is inserted into the hole 57a of the retaining ring 57. By compressing the spring itself, the retaining ring 57 is connected to the cylindrical portion 5.
4a is hooked on a protrusion 54b formed on the outer periphery,
5b is hooked on the locking portion 56b of the optical housing mounting wall 56. As a result, the holder member 54 is moved by the urging force of the torsion spring 55 to the optical housing mounting wall 5.
6 so as to be in close contact therewith. Also, the retaining ring 57
The rising portion 57b is locked to the projection 54b of the holder member 54, so that a clockwise rotational urging force is applied. The adjusting screw 58 is fixed to the housing against the urging force, and the holder member By contacting a lever piece 54c formed on one side of the base member 54, the adjustment screw 58 is fed so that the center of the cylindrical portion 54a becomes a rotation axis and the base member 4
The angle θ between the center positions of the 8, 51 beam spot pairs can be adjusted.

【００４９】このように、これらの実施の形態によれ
ば、整数ｋがｋ≧２となるように設定し、いわゆる飛び
越し走査を行わせることにより、半導体レーザアレイの
発光点の間隔ｒ、走査光学系１９の副走査倍率βに負担
を強いることなくさらに記録密度を向上させることがで
き、高品位な画像出力が可能となる。As described above, according to these embodiments, the integer k is set so that k ≧ 2, and the so-called interlaced scanning is performed, so that the interval r between the light emitting points of the semiconductor laser array and the scanning optical The recording density can be further improved without imposing a burden on the sub-scanning magnification β of the system 19, and high-quality image output can be achieved.

【００５０】なお、これらの実施の形態ではｋ＝２、発
光点数＝２の場合を示したが、これに限らず、ｋは１以
上、発光点数は２以上であれば、同様である。特に、正
の整数ｋがｋ＝１となるように設定することで、ポリゴ
ンミラー６の１面で走査する分だけの印字データを蓄え
ておけばよいので、バッファメモリ１４の容量を低減で
き、低コストで、かつ、半導体レーザアレイの発光点の
間隔に負担を強いることなく記録密度を向上させること
ができる。In these embodiments, the case where k = 2 and the number of light emitting points = 2 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same applies if k is 1 or more and the number of light emitting points is 2 or more. In particular, by setting the positive integer k to be k = 1, it is sufficient to store print data for scanning on one surface of the polygon mirror 6, so that the capacity of the buffer memory 14 can be reduced. The recording density can be improved at low cost and without imposing a burden on the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array.

【００５１】本発明の第三の実施の形態を図１０に基づ
いて説明する。本実施の形態は、前述した第一又は第二
の実施の形態で説明したようなマルチビーム走査装置６
１を像担持体である感光体１１に対する光書込み装置と
して備えた電子写真方式の画像形成装置としてのレーザ
プリンタへの適用例を示す。A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the multi-beam scanning device 6 described in the first or second embodiment is used.
An example in which the present invention is applied to a laser printer as an electrophotographic image forming apparatus provided with an image forming apparatus 1 as an optical writing apparatus for a photoconductor 11 as an image carrier will be described.

【００５２】図において、電子写真プロセスは周知であ
るため、その構成要素のみ簡単に説明すると、６２は用
紙Ｐを収容する給紙カセット、６３はこの給紙カセット
６２から用紙Ｐを１枚ずつ給紙させる給紙ローラ、６４
は感光体１１の転写位置に対する用紙Ｐの搬送タイミン
グをコントロールするレジストローラ、６５は転写位置
に配設された転写帯電器である。また、感光体１１はそ
の周囲に配設された帯電ローラ６６、現像ローラ６７等
と一体化されてプロセスカートリッジ６８とされてい
る。転写位置よりも用紙搬送方向下流側には、ハロゲン
ヒータが内蔵された定着ローラ６９と加圧ローラ７０と
のローラ対による定着器７１、排紙経路７２、排紙ロー
ラ７３等が設けられ、排紙トレイ７４側に連続してい
る。In the figure, since the electrophotographic process is well known, only its constituent elements will be described briefly. Reference numeral 62 denotes a paper feed cassette for accommodating paper P, and 63 denotes a paper feed cassette which feeds the paper P one by one. Paper feed roller for making paper, 64
Reference numeral 65 denotes a registration roller for controlling the timing of conveying the sheet P with respect to the transfer position of the photoconductor 11, and reference numeral 65 denotes a transfer charger disposed at the transfer position. The photoreceptor 11 is integrated with a charging roller 66, a developing roller 67, and the like disposed therearound to form a process cartridge 68. On the downstream side of the transfer position in the sheet transport direction, a fixing unit 71 including a pair of a fixing roller 69 and a pressure roller 70 having a built-in halogen heater, a paper discharge path 72, a paper discharge roller 73, and the like are provided. It continues to the paper tray 74 side.

【００５３】このような構成のレーザプリンタにおい
て、マルチビーム走査装置６１の半導体レーザアレイ
１，２（又は、４１〜４４）の各発光点が画像信号に応
じて変調駆動されて感光体１１面上を被走査面としてマ
ルチビームなるレーザ光を照射することにより、帯電ロ
ーラ６６により一様帯電済みの感光体１１の表面に静電
潜像が形成される。この静電潜像は現像ローラ６７によ
りトナー現像することによりトナー像として顕像化され
る。一方、給紙ローラ６３により給紙された用紙Ｐは、
レジストローラ６４によりマルチビーム走査装置６１の
画像書き出しのタイミングに合わせて転写位置に搬送さ
れるので、転写帯電器６５による転写作用で感光体１１
上のトナー像が用紙Ｐ上に転写される。転写された画像
は定着器７１により用紙Ｐ上に定着され、排紙ローラ７
３により排紙トレイ７４上に排紙さる。In the laser printer having such a configuration, each light emitting point of the semiconductor laser arrays 1 and 2 (or 41 to 44) of the multi-beam scanning device 61 is modulated and driven in accordance with an image signal, so that the light is emitted on the surface of the photoconductor 11. By irradiating a multi-beam laser beam with the surface as a scanning surface, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photoconductor 11 that has been uniformly charged by the charging roller 66. This electrostatic latent image is developed as a toner image by developing the toner with the developing roller 67. On the other hand, the paper P fed by the feed roller 63 is
Since the toner is conveyed to the transfer position by the registration roller 64 in accordance with the timing of writing the image of the multi-beam scanning device 61, the photoconductor 11 is transferred by the transfer charger 65.
The upper toner image is transferred onto the paper P. The transferred image is fixed on the sheet P by the fixing device 71,
3, the paper is discharged onto the paper discharge tray 74.

【００５４】ここに、本実施の形態のレーザプリンタで
は、第一、第二の実施の形態で前述したようなマルチビ
ーム走査装置６１を光書込み装置として用いているの
で、半導体レーザアレイ１，２（又は、４１〜４４）の
発光点の間隔を狭めずに記録密度を向上させることがで
き、熱クロストークの影響を受けずに安定した光量制御
が行なえ高品位な画像出力が可能なレーザプリンタを提
供することができる。Here, in the laser printer of this embodiment, since the multi-beam scanning device 61 as described in the first and second embodiments is used as an optical writing device, the semiconductor laser arrays 1 and 2 are used. (Or 41-44) A laser printer capable of improving the recording density without narrowing the interval between the light-emitting points, performing stable light quantity control without being affected by thermal crosstalk, and capable of outputting high-quality images. Can be provided.

【００５５】なお、本実施の形態では、画像形成装置と
してレーザプリンタへの適用例で説明したが、これに限
らず、例えば図１１に示すようなデジタル複写機、図１
２に示すような普通紙レーザファクシミリ装置等でも同
様に適用できる。図１１、図１２において、電子写真プ
ロセス自体の構成には大差がないので、図１０で示した
符号をそのまま用いて示す。In this embodiment, an example in which the image forming apparatus is applied to a laser printer has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a digital copying machine as shown in FIG.
The same can be applied to a plain paper laser facsimile apparatus as shown in FIG. 11 and 12, since there is no great difference in the configuration of the electrophotographic process itself, the reference numerals shown in FIG. 10 are used as they are.

【００５６】図１１に示すデジタル複写機においては、
レーザプリンタと同等なプリンタ部７５に加えて、原稿
画像を光学的に読み取るスキャナ部７６が付加されてい
る。このスキャナ部７６は原稿台７７上に固定された原
稿(図示せず)を露光走査するランプ、ミラー等による走
査光学系７８によりスキャニングし、原稿画像対応の光
像を結像レンズ７９を介してＣＣＤ等の光電変換素子８
０上に結像させることにより電気信号に変換させて読み
取る。In the digital copying machine shown in FIG.
In addition to a printer unit 75 equivalent to a laser printer, a scanner unit 76 for optically reading a document image is added. The scanner unit 76 scans a document (not shown) fixed on a document table 77 by a scanning optical system 78 including a lamp, a mirror, and the like for exposing and scanning, and outputs a light image corresponding to the document image via an imaging lens 79. Photoelectric conversion element 8 such as CCD
The image is converted into an electric signal by forming an image on 0 and read.

【００５７】この他、プリンタ部７５側にあっては、給
紙カセット６２及び給紙ローラ６４が複数とされ、ま
た、直線的な排紙トレイ８１も付加されている。In addition, on the printer unit 75 side, a plurality of paper feed cassettes 62 and paper feed rollers 64 are provided, and a linear discharge tray 81 is also added.

【００５８】図１２に示す普通紙レーザファクシミリ装
置においては、原稿画像を光学的に読み取るスキャナ部
８２が付加されている。このスキャナ部８２は原稿台８
３上から給紙ローラ８４より送り出され、２対の搬送ロ
ーラ対８５，８６により所定速度で搬送される原稿を照
明しながら、密着型のＣＣＤ等の光電変換素子８７で電
気信号に変換させて読み取る。In the plain paper laser facsimile apparatus shown in FIG. 12, a scanner section 82 for optically reading an original image is added. The scanner unit 82 includes the document table 8
3, while illuminating the original conveyed from the paper feed roller 84 and conveyed at a predetermined speed by the pair of conveying rollers 85 and 86, the original is converted into an electric signal by a photoelectric conversion element 87 such as a close-contact CCD. read.

【００５９】このようなデジタル複写機や普通紙レーザ
ファクシミリ装置においても、図１０で説明したよう
に、第一、第二の実施の形態で前述したようなマルチビ
ーム走査装置６１を光書込み装置として用いているの
で、半導体レーザアレイ１，２（又は、４１〜４４）の
発光点の間隔を狭めずに記録密度を向上させることがで
き、熱クロストークの影響を受けずに安定した光量制御
が行なえ高品位な画像出力が可能なデジタル複写機や普
通紙レーザファクシミリ装置を提供することができる。In such a digital copying machine or a plain paper laser facsimile apparatus, as described with reference to FIG. 10, the multi-beam scanning device 61 as described in the first and second embodiments is used as an optical writing device. Since the recording density is used, the recording density can be improved without narrowing the interval between the light emitting points of the semiconductor laser arrays 1 and 2 (or 41 to 44), and stable light quantity control can be performed without being affected by thermal crosstalk. It is possible to provide a digital copying machine or a plain paper laser facsimile machine capable of performing high-quality image output.

【００６０】[0060]

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、直線上に
複数個の発光点を配列してなる半導体レーザアレイとこ
の半導体レーザアレイから射出される複数本の光ビーム
をカップリングする単一のコリメートレンズとを対とし
て複数対配設させたマルチビーム光源装置を用いるマル
チビーム走査装置において、半導体レーザアレイの個数
をｎ（ｎ≧２）、発光点の副走査方向ピッチをｄｓ、走
査線間隔をＰとしたとき、発光点から結像点に至るまで
の走査光学系全系の副走査方向の幾何学的な横倍率β
が、β＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ（ここで、ｋは正の整数）を
満たすようにしたので、例えば走査線間隔Ｐが目標値で
固定された条件下であってもアレイ数ｎ又は整数ｋの値
を適宜設定することで、半導体レーザアレイの発光点の
間隔を狭めずに記録密度を向上させることができ、熱ク
ロストークの影響を受けずに安定した光量制御が行なえ
高品位な画像出力が可能となり、また、半導体レーザア
レイの製造も容易となり、コストを低減できる。According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser array having a plurality of light emitting points arranged on a straight line, and a single light beam for coupling a plurality of light beams emitted from the semiconductor laser array. In a multi-beam scanning device using a multi-beam light source device in which a plurality of pairs of one collimating lens are arranged, the number of semiconductor laser arrays is n (n ≧ 2), the pitch of light emitting points in the sub-scanning direction is ds, and scanning is performed. Assuming that the line interval is P, the geometrical lateral magnification β in the sub-scanning direction of the entire scanning optical system from the light emitting point to the image forming point
Satisfies β = P · n · k / ds (where k is a positive integer). For example, even if the scan line interval P is fixed at a target value, the number of arrays n or By appropriately setting the value of the integer k, it is possible to improve the recording density without reducing the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array, to perform stable light quantity control without being affected by thermal crosstalk, and to achieve high quality. An image can be output, and the production of the semiconductor laser array is facilitated, so that the cost can be reduced.

【００６１】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム走査装置において、走査線間隔Ｐと発
光点の副走査方向ピッチｄｓとが、ｄｓ≧Ｐなる関係を
満たすよう設定したので、走査光学系の副走査方向の幾
何学的な横倍率βが通常用いられる範囲（３〜７倍程
度）であっても記録密度を向上させることができ、光利
用効率や面倒れ補正倍率など他の性能を犠牲にすること
なく高品位な画像出力が可能な走査光学系が実現でき
る。According to the second aspect of the present invention, in the multi-beam scanning apparatus according to the first aspect, the scanning line interval P and the pitch ds of the light emitting points in the sub-scanning direction are set so as to satisfy a relationship of ds ≧ P. Therefore, the recording density can be improved even if the geometrical lateral magnification β in the sub-scanning direction of the scanning optical system is in the range normally used (about 3 to 7 times), and the light use efficiency and the surface tilt correction magnification can be improved. For example, a scanning optical system capable of outputting high-quality images without sacrificing other performances can be realized.

【００６２】請求項３記載の発明によれば、請求項１又
は２記載のマルチビーム走査装置において、正の整数ｋ
をｋ≧２となるように設定し、いわゆる飛び越し走査を
行わせるようにしたので、半導体レーザアレイの発光点
の間隔、走査光学系の副走査倍率に負担を強いることな
くさらに記録密度を向上させることができ、高品位な画
像出力が可能となる。According to the third aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first or second aspect, the positive integer k
Is set so as to satisfy k ≧ 2, and so-called interlaced scanning is performed, so that the recording density can be further improved without imposing a load on the interval between the light emitting points of the semiconductor laser array and the sub-scanning magnification of the scanning optical system. And high-quality image output is possible.

【００６３】請求項４記載の発明によれば、請求項１又
は２記載のマルチビーム走査装置において、正の整数ｋ
をｋ＝１となるように設定したので、ポリゴンミラーの
１面で走査する分だけの印字データを蓄えておけばよ
く、バッファメモリ容量を低減でき、低コストで、か
つ、半導体レーザアレイの発光点の間隔に負担を強いる
ことなく記録密度を向上させることができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first or second aspect, the positive integer k
Is set so that k = 1, it is sufficient to store print data for scanning on one surface of the polygon mirror, the buffer memory capacity can be reduced, the light emission of the semiconductor laser array can be reduced, and the cost can be reduced. The recording density can be improved without imposing a burden on the interval between points.

【００６４】請求項５記載の発明によれば、請求項１記
載のマルチビーム走査装置において、偏向点から前記結
像点までの光路長をＬｍ、第１の走査光学系全系におけ
る副走査倍率をβ１、第２の走査光学系全系における主
走査倍率をβｍとしたとき、前記第１の走査光学系に
は、前記ポリゴンミラー近傍に配設され、副走査におい
て前記ポリゴンミラー上に光ビームを集束する光学素子
を有し、この光学素子の副走査方向焦点距離ｆｙが、Ｌ
ｍ／ｆｙ−βｍ／β１≦１となる関係を満たすように整
数ｋ又はアレイ数ｎを設定したので、ポリゴンミラーと
ポリゴンミラーに近接配置されるレンズとの距離を確保
することができ、よって、ポリゴンミラーのカバーリン
グが可能となる上、モータハウジングの補強も可能とな
り、ポリゴンモータの振動を低減させて安定した回転性
能が得られるので、高品位な画像出力が可能となる。According to a fifth aspect of the present invention, in the multi-beam scanning device according to the first aspect, the optical path length from the deflection point to the image forming point is Lm, and the sub-scanning magnification in the entire first scanning optical system. Is β1, and the main scanning magnification in the entire second scanning optical system is βm. The first scanning optical system is disposed near the polygon mirror, and a light beam is placed on the polygon mirror in the sub scanning. Are focused, and the focal length fy of the optical element in the sub-scanning direction is L
Since the integer k or the number n of arrays is set so as to satisfy the relationship of m / fy-βm / β1 ≦ 1, the distance between the polygon mirror and the lens disposed close to the polygon mirror can be ensured. In addition to enabling the polygon mirror to be covered, the motor housing can be reinforced, and the rotation of the polygon motor can be reduced and stable rotation performance can be obtained, so that high-quality image output can be achieved.

【００６５】請求項６記載の発明の画像形成装置によれ
ば、請求項１ないし５の何れか一記載のマルチビーム走
査装置を備えているので、半導体レーザアレイの発光点
の間隔を狭めずに記録密度を向上させることができ、熱
クロストークの影響を受けずに安定した光量制御が行な
え高品位な画像出力が可能な画像形成装置を提供するこ
とができる。According to the image forming apparatus of the present invention, since the multi-beam scanning device according to any one of the first to fifth aspects is provided, the distance between the light emitting points of the semiconductor laser array is not reduced. It is possible to provide an image forming apparatus that can improve the recording density, perform stable light amount control without being affected by thermal crosstalk, and can output high-quality images.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】レーザプリンタに適用した本発明の第一の実施
の形態のマルチビーム走査装置の概略を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a multi-beam scanning device according to a first embodiment of the present invention applied to a laser printer.

【図２】その走査光学系を展開して示す光学系等価図で
ある。FIG. 2 is an optical system equivalent diagram showing the scanning optical system in an expanded manner.

【図３】マルチビーム光源装置の模式的斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of a multi-beam light source device.

【図４】ポリゴン面と関連付けて感光体面上でのビーム
スポット配列を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a beam spot arrangement on a photoconductor surface in association with a polygon surface.

【図５】変形的なマルチビーム光源装置の模式的斜視図
である。FIG. 5 is a schematic perspective view of a modified multi-beam light source device.

【図６】マルチビーム光源装置を示す分解斜視図であ
る。FIG. 6 is an exploded perspective view showing the multi-beam light source device.

【図７】その組立状態における縦断側面図である。FIG. 7 is a vertical sectional side view in the assembled state.

【図８】本発明の第二の実施の形態のマルチビーム光源
装置を示す分解斜視図である。FIG. 8 is an exploded perspective view showing a multi-beam light source device according to a second embodiment of the present invention.

【図９】ポリゴン面と関連付けて感光体面上でのビーム
スポット配列を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a beam spot array on a photoconductor surface in association with a polygon surface.

【図１０】本発明の第三の実施の形態のレーザプリンタ
を示す概略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram illustrating a laser printer according to a third embodiment of the present invention.

【図１１】画像形成装置としてデジタル複写機への適用
例を示す概略構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram illustrating an example of application to a digital copying machine as an image forming apparatus.

【図１２】画像形成装置として普通紙レーザファクシミ
リへの適用例を示す概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing an example of application to a plain paper laser facsimile as an image forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，２ 半導体レーザアレイ １ａ〜２ｂ 発光点 ３，４ コリメートレンズ ５ マルチビーム光源装置 ６ ポリゴンミラー ７ 光学素子 １１ 像担持体 １７ 第１の走査光学系 １８ 第２の走査光学系 １９ 走査光学系 ４１〜４４ 半導体レーザアレイ ４１ａ〜４４ｂ 発光点 ４５ マルチビーム光源装置 ４６，４７ コリメートレンズ ４９，５０ コリメートレンズ Reference Signs List 1, 2 Semiconductor laser array 1a-2b Light emitting point 3, 4 Collimating lens 5 Multi-beam light source device 6 Polygon mirror 7 Optical element 11 Image carrier 17 First scanning optical system 18 Second scanning optical system 19 Scanning optical system 41 -44 Semiconductor laser array 41a-44b Light emitting point 45 Multi-beam light source device 46,47 Collimating lens 49,50 Collimating lens

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/23 １０３ Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４Ａ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04N 1/23 103 H04N 1/04 104A

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 直線上に複数個の発光点を配列してなる
半導体レーザアレイとこの半導体レーザアレイから射出
される複数本の光ビームをカップリングする１つのコリ
メートレンズとを対として複数対配設させたマルチビー
ム光源装置を用いるマルチビーム走査装置において、 前記半導体レーザアレイの個数をｎ（ｎ≧２）、発光点
の副走査方向ピッチをｄｓ、走査線間隔をＰとしたと
き、前記発光点から被走査面上の結像点に至る走査光学
系全系の副走査方向の幾何学的な横倍率βが β＝Ｐ・ｎ・ｋ／ｄｓ （ここで、ｋは正の整数） なる式を満たすことを特徴とするマルチビーム走査装
置。1. A plurality of pairs of a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting points are arranged on a straight line and one collimating lens for coupling a plurality of light beams emitted from the semiconductor laser array. In the multi-beam scanning apparatus using the provided multi-beam light source device, when the number of the semiconductor laser arrays is n (n ≧ 2), the pitch of the light emitting points in the sub-scanning direction is ds, and the scanning line interval is P, The geometrical lateral magnification β in the sub-scanning direction of the entire scanning optical system from the point to the imaging point on the surface to be scanned is β = P · nk · ds (where k is a positive integer). A multi-beam scanning device characterized by satisfying the following formula: 【請求項２】 前記走査線間隔Ｐと前記発光点の副走査
方向ピッチｄｓとが、ｄｓ≧Ｐなる関係を満たすことを
特徴とする請求項１記載のマルチビーム走査装置。2. The multi-beam scanning device according to claim 1, wherein the scanning line interval P and the pitch ds of the light emitting points in the sub-scanning direction satisfy a relationship of ds ≧ P. 【請求項３】 前記正の整数ｋが、ｋ≧２であることを
特徴とする請求項１又は２記載のマルチビーム走査装
置。3. The multi-beam scanning device according to claim 1, wherein the positive integer k satisfies k ≧ 2. 【請求項４】 前記正の整数ｋが、ｋ＝１であることを
特徴とする請求項１又は２記載のマルチビーム走査装
置。4. The multi-beam scanning device according to claim 1, wherein the positive integer k is k = 1. 【請求項５】 前記走査光学系は、前記発光点からポリ
ゴンミラーの偏向点に至るまでの第１の走査光学系と前
記偏向点から前記結像点に至るまでの第２の走査光学系
とからなり、前記偏向点から前記結像点までの光路長を
Ｌｍ、前記第１の走査光学系全系における副走査倍率を
β１、前記第２の走査光学系全系における主走査倍率を
βｍとしたとき、前記第１の走査光学系には、前記ポリ
ゴンミラー近傍に配設され、副走査において前記ポリゴ
ンミラー上に光ビームを集束する光学素子を有し、この
光学素子の副走査方向焦点距離ｆｙが、 Ｌｍ／ｆｙ−βｍ／β１≦１ なる関係を満たすことを特徴とする請求項１記載のマル
チビーム走査装置。5. A scanning optical system comprising: a first scanning optical system from the light emitting point to a deflection point of a polygon mirror; and a second scanning optical system from the deflection point to the imaging point. The optical path length from the deflection point to the imaging point is Lm, the sub-scanning magnification in the first scanning optical system as a whole is β1, and the main scanning magnification in the second scanning optical system as a whole is βm. In this case, the first scanning optical system has an optical element disposed near the polygon mirror and for focusing a light beam on the polygon mirror in sub-scanning, and a focal length of the optical element in the sub-scanning direction. 2. The multi-beam scanning apparatus according to claim 1, wherein fy satisfies a relationship of Lm / fy-βm / β1 ≦ 1. 【請求項６】 電子写真方式により静電潜像が形成され
る像担持体表面を被走査面として光書込みを行なう請求
項１ないし５の何れか一記載のマルチビーム走査装置を
備えることを特徴とする画像形成装置。6. A multi-beam scanning device according to claim 1, wherein optical writing is performed using a surface of an image carrier on which an electrostatic latent image is formed by an electrophotographic method as a surface to be scanned. Image forming apparatus.
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