JP2001229860A

JP2001229860A - Ｘ線画像検出器

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Publication number: JP2001229860A
Application number: JP2000034206A
Authority: JP
Inventors: Takashi Noji; 隆司野地; Kiyomi No; 紀代美能; Hiroyuki Aida; 博之會田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-02-10
Filing date: 2000-02-10
Publication date: 2001-08-24

Abstract

(57)【要約】【課題】解像度およびコントラストの双方が良好な観測
画像が得られる平面型Ｘ線イメージ管を提供する。【解決手段】この発明のＸ線画像検出器１は、貫通孔４
０が形成されている金属単板４１，４２に関し、深さ方
向に関し、出力蛍光面５１に面する側（テーパ側）の側
から貫通孔４０の概ね中央まで、金属単板４２の材料に
比較して二次電子放出率が高いＭｇＯと重量比で概ねＭ
ｇＯの１０％であるＡｌからなる薄膜４７と、入力蛍光
面３１に面する側の金属単板４１の側から貫通孔４０の
概ね中央まで、金属単板４１の材料に比較して二次電子
放出率が低いＴｉＮ（窒化チタン），ＴｉＮＯ、金属炭
化物あるいは炭素系化合物もしくは窒素系化合物からな
る薄膜４６を有する電子増倍器４を有している。され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、放射線であるＸ
線により得られる画像を光学的または電気的画像信号に
変換するＸ線画像検出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、人体および物体の内部構造を調
べるためにはＸ線が有用であり、人体や物体に照射され
たＸ線の透過濃度分布すなわちＸ線強度分布またはＸ線
画像を可視光像またはＸ線に対応する電気的画像信号に
変換するための装置が広く利用されている。

【０００３】Ｘ線画像を可視光像あるいは電気画像信号
に変換するための装置としては、Ｘ線イメージ管（Ｘ線
像増強管）やＸ線ビジコン（Ｘ線画像検出器）が開発さ
れている。

【０００４】今日、Ｘ線イメージ管の厚さすなわち奥行
きを低減するために、真空容器内に電子増倍器を用いた
例が、報告されている。

【０００５】例えば、米国特許第３，３９４，２６１号
公報には、Ｘ線イメージ管に、電子を増幅する機能を有
するマイクロ・チャンネル・プレート（ＭＣＰ）を付加
した構成が開示されている。なお、ＭＣＰを用いたこの
種の奥行きの少ない薄型のＸ線イメージ管は、平面型Ｘ
線イメージ管と呼ばれている。

【０００６】ＭＣＰすなわち電子増倍器は、複数の貫通
孔が面方向に所定間隔で開けられた所定の厚さの金属板
が絶縁材を介して積層されているもので、入力光電子を
光電変換する際のＳ／Ｎ（信号対ノイズ）比を改善でき
るとされている。なお、特開昭５５−１４６８５４号公
報（特公昭６２−４１３７８号公報）には、二次電子を
得るために、金属板の孔の壁面をＭｇとＡｌの層を酸化
させた酸化膜を用いる例が、開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、米国特許第
３，３９４，２６１号公報に開示されているＭＣＰ構造
や周知の類似した平面型の電子増倍器においては、金属
板の孔の壁面で発生する二次電子が飛び出す角度や放出
エネルギーは不定であり、二次電子が金属板の孔の壁面
以外に衝突することが知られている。この壁面以外に衝
突した二次電子も新たに二次電子を放出するため、電子
の散乱が生じ、電子増倍器から出力蛍光面に向かう電子
である画像出力の分解能が低下する問題がある。

【０００８】一方、特開昭５５―１４６８５４号公報
（特公昭６２−４１３７８号公報）に開示されたよう
に、電子増倍器を構成する金属板の貫通孔の表面をＭｇ
とＡｌの酸化物で覆うと、酸化物があたかもコンデンサ
のように機能して、二次電子放出率が逆に低下すること
が発明者らによって、確認されている。

【０００９】この発明の目的は、解像度が高く、出力画
像中のノイズ成分の低減によりコントラストの高い画像
が得られる平面型Ｘ線イメージ管を提供するものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、真空を保持する真空容器
と、前記真空容器内に設けられ、外部から入射されたＸ
線を蛍光に変換する入力蛍光面と、前記真空容器中に配
置され、前記入力蛍光面により生じた蛍光を光電子に変
化する光電面と、前記真空容器中に配置され、面方向に
複数の孔が開けられた金属板を絶縁材により絶縁しなが
ら複数段積層され、各金属板に所定の電圧が印加される
ことにより、前記光電面から出射された光電子を増幅す
る電子増倍器と、前記真空容器中に配置され、前記電子
増倍器で増幅された光電子を可視光像に変換する出力蛍
光面と、前記出力蛍光面を保持し、前記可視光像を透過
する出力窓と、からなるＸ線画像検出器において、前記
金属板の各孔の光電子入射側内壁には、二次電子放出率
が前記金属板の材料よりも低い低二次電子放出率層が形
成され、上記光電子出射側内壁には、二次電子放出率が
前記金属板の材料よりも高い絶縁層中に導電性物質を添
加した高二次電子放出率層が形成されていることを特徴
とするＸ線画像検出器を提供するものである。

【００１１】なお、光電子入射側内壁とは、孔の深さ方
向でみて入力蛍光面寄りの部分をさし、光電子出射側内
壁とは、孔の深さ方向で見て出力蛍光面寄りの部分をさ
す。また、電子増倍器は、光電子を増幅するための金属
電極板に加えて光電子を集束束させるための集束用金属
電極板を有していてもよい。この集束用金属板は、孔が
増幅用金属板の孔の開口に整列するようにして形成され
た金属単板で構成できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について、詳細に説明する。

【００１３】図１は、この発明の実施の形態が適用され
る平面型Ｘ線画像検出器のＸ線像−可視光像変換部の構
成を示す概略図である。

【００１４】図１において、Ｘ線画像検出器１の図示し
ない真空容器内には、図示しないＸ線源を出射されて、
観測対象物を透過したＸ線が入力される入力窓２、入力
窓２の内側で（真空容器内）の所定位置に設けられ、入
力窓２から入射されたＸ線を電子に変換する入力基板
３、入力基板３から出力された電子が到達することので
きる所定位置に設けられた電子増倍器４および電子増倍
器４により増幅された電子を可視光に変換して出力する
出力基板（出力窓）５が設けられている。なお、電子増
倍器４には、図２を用いて以下に説明する電源装置から
所定の電圧が供給される電力供給部６が形成されてい
る。

【００１５】入力基板３は、例えばＡｌ製の基板３０
に、所定の厚さのＣｓＩ（よう化セシウムにより形成さ
れた入力蛍光膜、以下Ｃｓｌ膜と示す）３１、所定の厚
さのＩＴＯ（酸化インジウム−錫の薄膜）のような透明
導電膜３２、およびＫ（カリウム），Ｃｓ（セシウム）
またはＮａ（ナトリウム）等により構成される光電面３
３を有している。

【００１６】電子増倍器４は、複数の貫通孔４０が面方
向に所定間隔で開けられた所定厚さの金属単板４１およ
び４２が積層され、あるいは一枚の金属単板からなる金
属板４３および金属板４３相互間に位置された複数個の
ビーズ状のセラミック、好ましくは凝集性がガラスビー
ズよりも低度で、絶縁性に優れるジルコニアからなる絶
縁体４４からなる。なお、絶縁体４４は、例えば１列な
いし複数列置きに設けられてもよい。また、絶縁体４４
は、金属板の所定の位置に、低融点のフリットガラス４
５により接合されている。

【００１７】金属単板４１および４２、および金属板４
３には、例えば軟鉄（Ｆｅ）またはアンバー合金等が利
用されている。

【００１８】各金属板相互の間隔は、例えば１〜１００
０μｍの範囲内で、いずれの導体層間でも概ね一定の間
隔になるように設定されている。また、各金属板相互に
は、電源装置１１により、Ｖ_２〜Ｖ_ｎで示される大きさ
の電位差が与えられている。なお、入力基板３のＣｓＩ
膜３１と電子増倍器４の１段目の金属板との間には、電
源装置１１から、Ｖ_１で示される電位差が与えられてい
る。

【００１９】出力基板５は、ガラス板５０とガラス板５
０の電子増倍器４の側に設けられた所定の厚さの出力蛍
光膜５１と出力蛍光膜５１よりも電子増倍器４の側に設
けられ、例えばアルミニウムからなる光反射性金属膜５
２を有している。なお、電子増倍器４のｎ段目の金属板
と、出力基板５の出力蛍光膜５１との間には、電源装置
１１から、Ｖ_ａで示される電位差（加速電圧）が与えら
れている。

【００２０】図２は、図１に示したＸ線画像検出器に接
続される電源装置を説明する概略図である。

【００２１】図２に示されるように、電源装置１０は、
図示しない商用電源を受電して２４Ｖ直流電圧を出力す
る電源トランス１１、電源トランス１１からの直流２４
Ｖ電圧を所定の直流電圧に変換する第１ないし第３のＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ１２〜１４およびＤＣ−ＤＣコンバ
ータ１２〜１４のうちの１つ（ここでは第２のＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ１３とする）からの直流電圧を所定の電圧
に分割して、電子増倍器５の各金属板に供給するための
分割抵抗器１５を有している。なお、第３のＤＣ−ＤＣ
コンバータ１４は、図示しない外囲器内に生じる不純物
（元素）ガスを除去するための詳述しないイオンポンプ
を駆動するための電源装置として、また、第１のＤＣ−
ＤＣコンバータ１２は、加速電圧Ｖ_ａ出力するととも
に、詳述しないカソードへの電源装置として、それぞれ
独立に利用される。

【００２２】分割抵抗器１５は、入力基板３のＣｓＩ膜
３１と電子増倍器４の１段目の金属板との間に印加すべ
き電位差Ｖ_１、電子増倍器４の１段目からｎ−２段目の
それぞれの金属板間に印加すべき電位差Ｖ_２〜Ｖ_ｎ−１
および電子増倍器４のｎ−１段目とｎ段目の金属板との
間に印加すべき電位差Ｖ_ｎを発生するために、複数の抵
抗素子または可変抵抗素子が組み合わせられたものであ
る。

【００２３】なお、電位差Ｖ_１を発生する抵抗素子と電
位差Ｖ_ｎ−１および電位差Ｖ_ｎを発生する抵抗素子に
は、可変抵抗が用いられ、それ以外の電位差Ｖ_２〜Ｖ
_ｎ−２を発生する抵抗素子には、固定抵抗が用いられ
る。

【００２４】この分割抵抗器１５により、電位差Ｖ_２〜
Ｖ_ｎ−２およびＶ_ｎ−１は、いずれも３００Ｖに、電位
差Ｖ_１は２００Ｖ〜１ｋＶに、電位差Ｖ_ｎは、１〜３０
０Ｖに、それぞれに設定される。

【００２５】一方、加速電圧Ｖ_ａは、第１のＤＣ−ＤＣ
コンバータ１２により、０〜２５ｋＶの範囲に設定され
る。

【００２６】図３は、図１に示したＸ線画像検出器の電
子増倍器の個々の導体層の貫通孔について詳細に説明す
るための部分拡大図である。

【００２７】図３に示すように、電子増倍器４のｎ段の
金属板のうち、ｎ−１段目およびｎ段目を除く個々の金
属板は、入力基板３の入力蛍光面３１側に向けられる金
属単板４１と出力基板５の出力蛍光面５１側に向けられ
る金属単板４２からなる。

【００２８】それぞれの金属単板４１，４２は、ダブル
サイドエッチングにより、一方の面の側の貫通孔４０が
テーパ状に、他の一方の面の側の貫通孔４０が半径ｒで
定義される球状に、それぞれエッチングされている。す
なわち、各金属単板４１，４２の貫通孔４０は、深さ方
向に関し、一方の開口部がテーパ状で、他の一方の開口
部が球状の断面形状を有している。なお、この実施の形
態においては、２枚の金属単板４１，４２が、それぞれ
の貫通孔４０のテーパ状の部分が外側を向くように、相
互に積層されて金属板４３を構成している。

【００２９】金属単板４１および４２が積層された金属
板４３の貫通孔４０の内面は、深さ方向に関し、出力蛍
光面５１に面する側（テーパ側）の側から貫通孔４０の
概ね中央まで、金属単板４２の材料に比較して二次電子
放出率が高いＭｇＯ（酸化マグネシウム）に対し、重量
比で概ねＭｇＯの１０％であるＡｌ（アルミニウム）が
添加された薄膜（高二次電子放出率層）４７とにより覆
われている。なお、Ａｌは、好ましくは、ＭｇＯの薄層
の表層部分（貫通孔４０の内径側）寄りに位置される。

【００３０】貫通孔４０の内面は、また、入力蛍光面３
１に面する側の金属単板４１の側から貫通孔４０の概ね
中央まで、金属単板４１の材料に比較して二次電子放出
率が低いＴｉＮ（窒化チタン），ＴｉＮＯ、金属炭化物
あるいは炭素系化合物もしくは窒素系化合物からなる薄
膜（低二次電子放出率層）４６により覆われている。

【００３１】なお、上述した金属板４３は、ダブルサイ
ドエッチングにより、貫通孔４０の深￥さ方向の形状が
球面とテーパとに形成された金属単板４１および４２の
それぞれに、テーパが形成されている側の面からＭｇＯ
とＡｌの薄層４７またはＴｉＮやＴｉＮＯの薄層４６
を、例えばスパッタリング法やＣＶＤ等の手法により深
さ方向に成長させたものを、貫通孔どうしを位置合わせ
して接合することによっても得られる。

【００３２】一方、電子増倍器４のｎ段目およびｎ−１
段目の金属板４３の貫通孔４０の内面には、例えばＴｉ
Ｎのみからなる薄層（低二次電子放出率層）４８が形成
されている。すなわち、ｎ段目およびｎ−１段目の金属
板４３は、出力蛍光面５１に向かう電子を集束して加速
することのできる制御電極として機能する。

【００３３】次に、図１および図４を用いて、Ｘ線画像
検出器１の動作を説明する。なお、図４は、図１に示し
たＸ線画像検出器１の電子増倍器４の一部を拡大して示
した部分拡大図である。

【００３４】図示しないＸ線源から放射されたＸ線Ｒが
観測対象、例えば人体を通過することにより濃度分布が
与えられたＸ線Ｒ_１は、入力窓２を通過して入力面３の
ＣｓＩ膜３１に到達し、ＣｓＩ膜３１により蛍光Ｒ_２に
変換され、透明導電膜３２を通過して光電面３３に到達
し、光電面３３により光電子Ｅに変換されて、真空中に
放出される。

【００３５】このとき、光電子Ｅは、入力基板３のＣｓ
Ｉ膜３１と電子増倍器４の初段の金属板との間に印加さ
れた電位差Ｖ_１により加速されて初段の金属板に到達す
る。

【００３６】電子増倍器４に到達した光電子Ｅは、金属
板の貫通孔４０に導かれ、貫通孔４０の深さ方向で、入
力基板３と反対の側に位置されている金属単板４２の側
の内壁に衝突し、二次電子増幅現象で１個以上の電子Ｅ
_２となり、それぞれの金属板間に印加される電位差Ｖ_２
〜Ｖ_ｎ−１と最終段（ｎ段目）の金属板と出力基板５の
出力蛍光面５１間の加速電圧Ｖ_ａにより、次の段の金属
板または出力基板５の出力蛍光面５１に向けて、順に加
速され、いずれかの金属板の貫通孔４０の内壁に衝突し
て新たに１個以上の電子Ｅ_２となる。

【００３７】なお、貫通孔４０に入射する光電子Ｅおよ
び電子Ｅ_２は、図４に示すように、金属板の入力基板３
側に面する平面部分や、貫通孔４０の深さ方向の金属単
板４１側の貫通孔部分（薄層４６が形成されている領
域）に衝突した場合には、新たに二次電子Ｅ_２が放出さ
れることが確率的に少なく、反対に、貫通孔４０の深さ
方向の金属単板４２の側の貫通孔部分（薄層４７が形成
されている領域）に衝突した場合に、効率よく、新たな
二次電子Ｅ_２が放出されるので、ノイズ成分が生じにく
い条件で、順次増幅される。

【００３８】詳細には、電子増倍器４において、電子の
散乱の影響により出力画像のコントラストを高めるため
には、前段の金属板で放出された電子Ｅ_２が次段の金属
板の貫通孔４０の壁面のＭｇＯとＡｌが被膜された部分
（低二次電子放出率層）４７にのみ、確実に到達するこ
とが望ましいが、実際には、金属板の平面部分（入力蛍
光面側の面）や貫通孔４０の壁面のうちの貫通孔４０の
深さ方向の中途の（２枚の金属単板４１，４２を積層し
た状態で）貫通孔４０の内径が最小となる部分までの間
の領域に衝突した光電子Ｅまたは二次電子Ｅ_２により発
生した二次電子Ｅ_２が次段の金属板の表面に衝突して散
乱電子が発生する確率が４０％程度であることが確認さ
れている。

【００３９】なお、コンピュータシミュレーションによ
れば、金属板の厚さや間隔および貫通孔の径あるいは加
速電圧などを考慮しても、光電子Ｅまたは二次電子Ｅ_２
により発生した二次電子Ｅ_２が次段の金属板の貫通孔４
０の壁面の所定の位置（この実施の形態ではＭｇＯ＋Ａ
ｌ層４７）にのみ到達する確率を、７０％程度よりも高
めることは困難である（散乱電子が発生する確率を３０
％よりも低くすることが困難である）。

【００４０】このため、金属板の表面（ここでは、入力
蛍光面３１に面する側である）に、光電子Ｅもしくは二
次電子Ｅ_２が衝突した場合であっても、二次電子Ｅ_２が
放出されにくい構造とすることで、電子増倍器４から出
力蛍光面５１に向かって出力される画像である二次電子
Ｅ_２が散乱されて出力画像のコントラストが低下するこ
とを抑制できる。

【００４１】以下、光電子Ｅの金属板の貫通孔４０への
電子の衝突と二次電子の発生が繰り返されることで、電
子増倍器４に入射した光電子Ｅは次第に増幅され、電子
増倍器４から出力基板５の出力蛍光面５１に向けて放出
される。

【００４２】このとき、放出される電子Ｅ_２の量は、入
射光電子Ｅの量に比例し、金属板を構成する金属単板４
１，４２および４３の材質、金属単板４１，４２および
４３の厚さ、金属単板４１，４２および貫通孔４０の孔
の形状（曲率ｒ）、薄層４７のＭｇＯとＡｌの混合比に
より決まる二次電子放出係数、絶縁体４４の厚さ（金属
板相互間の距離）、および金属板相互間に印加される電
位差Ｖ_２〜Ｖ_ｎおよび最終段の金属板と出力基板５との
間の加速電圧Ｖ_ａに応じて生じる電界分布に左右され、
かつ金属板が積層されている層数により増幅率が決定さ
れる。

【００４３】なお、電子増倍器４の複数段の金属板のう
ちの最終段（ｎ段目）の金属板と、その前段のｎ−１段
目の金属板は、出力基板５の出力蛍光面５１に向かう電
子Ｅ _２が出力蛍光面５１の面方向に不所望に広がること
を抑制することができ、出力画像のコントラストおよび
解像度をためるために有益である。

【００４４】このようにして、入力窓２に外部から入射
したＸ線（Ｘ線画像）Ｒ_１は、電子増倍器４により増幅
されて、出力基板５の出力面（基板５０）に、可視光像
Ｒ_３として出力される。

【００４５】なお、可視光像Ｒ_３は、不所望に歪まされ
ることなく、外囲器３の入力窓２側の入射面に入射した
倍率と等しい等倍で、電子増倍器４による増幅時の電子
軌道の広がりの影響であるぼけや滲みもなく、出力基板
５に出力される。

【００４６】上記の実施例においては、高二次電子放出
率層にアルミニウム族元素を不純物として微量添加する
ことにより、この二次電子放出率層に光電子が衝突した
際に発生するチャージを分散させて、効率的に二次電子
を生成することができる。このアルミニウム族元素は、
ＭｇＯ層中に均一に含まれている必要はなく、チャージ
のたまりやすい二次電子放出層表面近傍でより高濃度に
形成してもよい。さらには、二次電子放出層の表面に、
ごく薄いＡｌ膜を形成してもよい。このようにすれば、
二次電子放出層に蓄積されたチャージがＡｌ層を介して
速やかに散逸するため、より効率的に二次電子を放出す
ることができる。

【００４７】このＡｌ層は、例えばＭｇＯ材料とＡｌ材
料の同時蒸着終了後に、所定時間Ａｌ材料を単独で蒸着
することにより、容易に形成される。より具体的には、
スパッタリング装置内に設けられたターゲットと成膜室
との間のシャッタの開閉時間を調整し、ＭｇＯターゲッ
ト側のシャッタを閉じて成膜室から隔離後、所定時間Ａ
ｌターゲット側のシャッタをオープンにしておく。この
方法によれば、シャッタの開閉シーケンスのみを変更す
ればよく、プロセス制御が容易になる。

【００４８】Ａｌ層の厚さは、０．１μｍ未満では二次
電子放出層に蓄積されたチャージを散逸させる能力が十
分でなく、また１０μｍを越えると下層のＭｇＯ層への
電子の到達を阻害するために、十分な二次電子放出が得
られなくなることから、０．１ないし１０μｍの範囲が
好適である。なお、Ａｌ層は、以上説明したように、こ
の発明のＸ線画像検出器においては、電子増倍器の出力
側に設けられる導体層の間隔および印加される電位差を
最適に設定することにより、歪みやぼけあるいは滲みの
ない観測対象物の観測画像を得ることのできるＸ線画像
検出器が提供される。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明のＸ線画
像検出器においては、歪みのない観測画像が得られるＸ
線画像検出器が、低コストで小型に形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態に関わるＸ線画像検出
器の一例を示す概略図。

【図２】図１に示した電子増倍器に所定の電圧を供給す
る電源装置を説明する概略図。

【図３】図１に示したＸ線画像検出器の電子増倍器の個
々の導体層の貫通孔について詳細に説明するための部分
拡大図。

【図４】図１および図３に示した電子増倍器の導体層に
より増幅された電子の軌道の変化を説明する概略拡大
図。

【符号の説明】

１・・・Ｘ線画像検出器、２・・・入力窓、３・・・入力基板、４・・・電子増倍器、５・・・出力基板、６・・・電力供給部、１０・・・電源装置、３０・・・基板、３１・・・ＣｓＩ膜（入力蛍光膜）、３２・・・透明導電膜、３３・・・光電面、４０・・・貫通孔、４１・・・金属単板（金属板）、４２・・・金属単板（金属板）、４３・・・金属板（金属単板）、４４・・・ガラスビーズ（絶縁体）、４５・・・フリットガラス、４６・・・低二次電子放出率層、４７・・・高二次電子放出率層、４８・・・低二次電子放出率層、５０・・・ガラス基板、５１・・・出力蛍光膜、５２・・・光反射膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者會田博之栃木県大田原市下石上1385番の１株式会社東芝那須電子管工場内Ｆターム(参考） 5C037 GG05 GH02 GH05 GH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空を保持する真空容器と、前記真空容器
内に設けられ、外部から入射されたＸ線を蛍光に変換す
る入力蛍光面と、前記真空容器中に配置され、前記入力
蛍光面により生じた蛍光を光電子に変化する光電面と、
前記真空容器中に配置され、面方向に複数の孔が開けら
れた金属板を絶縁材により絶縁しながら複数段積層さ
れ、各金属板に所定の電圧が印加されることにより、前
記光電面から出射された光電子を増幅する電子増倍器
と、前記真空容器中に配置され、前記電子増倍器で増幅
された光電子を可視光像に変換する出力蛍光面と、前記
出力蛍光面を保持し、前記可視光像を透過する出力窓
と、からなるＸ線画像検出器において、前記金属板の各孔の光電子入射側内壁には、二次電子放
出率が前記金属板の材料よりも低い低二次電子放出率層
が形成され、上記光電子出射側内壁には、二次電子放出
率が前記金属板の材料よりも高い絶縁層中に導電性物質
を添加した高二次電子放出率層が形成されていることを
特徴とするＸ線画像検出器。
【請求項２】前記低二次電子放出率層は、ＴｉＮ，Ｔｉ
ＮＯ、金属炭化物あるいは炭素系化合物もしくは窒素系
化合物を含むことを特徴とする請求項１記載のＸ線画像
検出器。
【請求項３】前記高二次電子放出率層を構成する絶縁層
は、ＭｇＯ層であることを特徴とする請求項１記載のＸ
線画像検出器。
【請求項４】前記高二次電子放出率層に含まれる導電性
の材質は、アルミニウム族の元素を含むことを特徴とす
る請求項１または３に記載のＸ線画像検出器。
【請求項５】前記高二次電子放出率層のＭｇＯに対する
アルミニウム族元素の混合比率は、１０％以下であるこ
とを特徴とする請求項１または３および４のいずれかに
記載のＸ線画像検出器。
【請求項６】前記高二次電子放出率層の表面近傍で前記
アルミニウム族元素がより高濃度に含有されることを特
徴とする請求項５記載のＸ線画像検出器。
【請求項７】前記高二次電子放出率層の表面に、厚さ
０．１ないし１０μｍのアルミニウム族元素からなる膜
が形成されていることを特徴とする請求項５記載のＸ線
画像検出器。
【請求項８】前記金属板は、それぞれ、貫通孔が形成さ
れ、その開口位置を合わせて重ね合わせられた２枚の金
属単板により構成されることを特徴とする請求項１記載
のＸ線画像検出器。
【請求項９】前記２枚の金属単板のうち光電子入射側の
単板の上記各貫通孔内壁には、二次電子放出率が前記金
属単板の材料よりも低い低二次電子放出率層が形成さ
れ、上記光電子出射側の単板の上記各貫通孔内壁には、
二次電子放出率が前記金属単板の材料よりも高い高二次
電子放出率層が形成されていることを特徴とする請求項
８記載のＸ線画像検出器。