JP2001229515A - Magneto-resistive magnetic head and magnetic reproducing device using the same - Google Patents
Magneto-resistive magnetic head and magnetic reproducing device using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を用いる磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに関し、より詳し
くは磁気抵抗効果素子面に対して垂直方向に検出電流を
流して、磁気記録媒体からの信号磁界を精度良く再生す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-resistance effect type magnetic head using a magneto-resistance effect element, and more particularly, to a detection current flowing in a direction perpendicular to the surface of the magneto-resistance effect element so that a magnetic recording medium can be detected. The present invention relates to a magnetoresistive magnetic head for reproducing a signal magnetic field with high precision.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えば図１に示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下単に、磁気ヘッドと称す）１００が知
られている。図１は、図示せぬ磁気記録媒体側から見た
磁気ヘッド１００の概要構成を示す図である。図１にお
いて、磁気ヘッド１００の中央部に示されているのがハ
ードディスク等の磁気記録媒体からの信号磁界を検出す
るための磁気抵抗効果素子１０１である。この磁気抵抗
効果（ＭＲ）素子１０１としては、スピンバルブ型の磁
気抵抗効果（ＳＶＭＲ）素子がよく知られている。この
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子は複数の薄膜を積層し
て形成されており、一般に第１磁性層、非磁性層、第２
磁性層及び反強磁性層からなる基本構成を有している。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a magnetoresistance effect type magnetic head (hereinafter simply referred to as a magnetic head) 100 shown in FIG. 1 has been known. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a magnetic head 100 viewed from a magnetic recording medium (not shown). In FIG. 1, what is shown at the center of the magnetic head 100 is a magnetoresistive element 101 for detecting a signal magnetic field from a magnetic recording medium such as a hard disk. As the magnetoresistance effect (MR) element 101, a spin valve type magnetoresistance effect (SVMR) element is well known. The spin-valve magnetoresistive element is formed by laminating a plurality of thin films, and generally includes a first magnetic layer, a non-magnetic layer, and a second magnetic layer.
It has a basic configuration including a magnetic layer and an antiferromagnetic layer.
【０００３】上記磁気抵抗効果素子１０１は、その両端
で導電性の端子１０２Ａ、１０２Ｂに接続される。ま
た、それぞれの端子１０２Ａ、１０２Ｂの下には磁気抵
抗効果素子１０１に接して、ハード膜１０３Ａ、１０３
Ｂが配設されている。これら磁気抵抗効果素子１０１、
端子１０２Ａ、１０２Ｂ及びハード膜１０３Ａ、１０３
Ｂは、その上下両側を絶縁性の上部ギャップ部材１０４
及び下部ギャップ部材１０５によって電気的に絶縁され
ている。そしてさらに、上部ギャップ部材１０４及び下
部ギャップ部材１０５は、その上下を軟磁性のシールド
部材１０６、１０７によりシールドされている。The magnetoresistive element 101 is connected at both ends to conductive terminals 102A and 102B. Under the terminals 102A and 102B, the hard films 103A and 103B are in contact with the magnetoresistive element 101, respectively.
B is provided. These magnetoresistance effect elements 101,
Terminals 102A and 102B and hard films 103A and 103
B is an upper gap member 104 having insulating upper and lower sides.
And is electrically insulated by the lower gap member 105. Further, the upper gap member 104 and the lower gap member 105 are shielded above and below by soft magnetic shield members 106 and 107.
【０００４】ところで、近年における磁気記録再生装置
に対する高記録密度化への要請は著しい。上記抵抗効果
型磁気ヘッド１００では、高密度な磁気記録情報（信号
磁界）を感度良く検出するために、上記シールド部材１
０６、１０７間のギャップ幅を狭めて磁気ヘッド１００
全体の膜厚を薄くすように対応してきた。しかし、絶縁
性確保のためには、ギャップ部材１０４及び１０５は所
定の膜厚を確保することが必要であり、これまで以上に
ギャップ部材１０４、１０５を薄く形成することは困難
となっている。[0004] In recent years, there has been a remarkable demand for higher recording densities for magnetic recording and reproducing devices. In the resistance effect type magnetic head 100, in order to detect high density magnetic recording information (signal magnetic field) with high sensitivity, the shield member 1 is used.
06, 107 and the magnetic head 100
It has responded to reduce the overall film thickness. However, in order to ensure insulation, the gap members 104 and 105 need to have a predetermined thickness, and it is difficult to form the gap members 104 and 105 thinner than ever.
【０００５】そこで、従来においては、ギャップ幅をよ
り狭めるために、例えば特開平９−２８８０７号公報に
示されるような、磁気ヘッドが提案されている。この磁
気ヘッド２００の概要構成は図２に示される。図２は、
図１と同様に、図示せぬ磁気記録媒体側から見た磁気ヘ
ッド２００の概要構成を示す図である。この磁気ヘッド
２００は、ギャップ幅をより狭めるために磁気抵抗効果
素子２０１が上部シールド部材２０６及び下部シールド
部材２０７に電気的に接続されるようになっている。こ
のように上下のシールド部材２０６及び２０７を端子を
兼用する構造とすることで、更なる狭ギャップ化を可能
としている。Therefore, in order to further reduce the gap width, a magnetic head as disclosed in, for example, JP-A-9-28807 has been proposed. A schematic configuration of the magnetic head 200 is shown in FIG. FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a magnetic head 200 viewed from a magnetic recording medium (not shown), as in FIG. 1. In the magnetic head 200, the magnetoresistive element 201 is electrically connected to the upper shield member 206 and the lower shield member 207 to further reduce the gap width. In this way, the upper and lower shield members 206 and 207 are configured to also serve as terminals, so that the gap can be further reduced.
【０００６】なお、磁気抵抗効果素子２０１の上下に配
されている上下ギャップ部材２０４、２０５は導電性の
材料で形成され、磁気抵抗効果素子２０１両端部側には
絶縁膜２０２Ａ、２０２Ｂが設けられる。The upper and lower gap members 204 and 205 disposed above and below the magnetoresistive element 201 are formed of a conductive material, and insulating films 202A and 202B are provided on both ends of the magnetoresistive element 201. .
【０００７】ここで、前述した図１で示した磁気ヘッド
１００及び図２で示した磁気ヘッド２００の検出電流の
流れる方向について着目すると、磁気ヘッド１００と磁
気ヘッド２００とでは、異なっている。すなわち、磁気
ヘッド１００では端子１０２Ａから磁気抵抗効果素子１
０１そして端子１０２Ｂへと（又はこの逆の順で）検出
電流が面内方向に流れる。また、磁気ヘッド２００では
上部シールド部材２０６から磁気抵抗効果素子２０１そ
して下部シールド部材２０７へと（又はこの逆の順で）
検出電流が垂直方向に流れるようになる。Here, when focusing on the direction in which the detected current flows in the magnetic head 100 shown in FIG. 1 and the magnetic head 200 shown in FIG. 2, the magnetic head 100 and the magnetic head 200 are different. That is, in the magnetic head 100, the magnetoresistive element 1
01, and the detected current flows in the in-plane direction to the terminal 102B (or in the reverse order). Further, in the magnetic head 200, from the upper shield member 206 to the magnetoresistive element 201 and the lower shield member 207 (or vice versa).
The detection current flows in the vertical direction.
【０００８】検出電流が面内方向に流れる磁気ヘッド１
００に類するタイプの磁気ヘッドをＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅ
ｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｉｎ）タイプの磁気ヘッド、検出電
流が垂直方向に流れる磁気ヘッド２００に類するタイプ
の磁気ヘッドはＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎ
ｄｉｃｕｌａｒ）タイプの磁気ヘッドと称される。A magnetic head 1 in which a detection current flows in an in-plane direction.
A magnetic head of a type similar to 00 is a CIP (Curre
The magnetic head of the type similar to the magnetic head 200 of the nt In Plain type and the magnetic head 200 in which the detection current flows in the vertical direction is a CPP (Current Perpen).
(Digital) type magnetic head.
【０００９】さて、上記ＣＩＰタイプの磁気ヘッド１０
０では検出電流が面内方向にが流れるので、例えばトン
ネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子のように検出電流を
垂直方向に流すことが必要なＭＲ素子を用いることがで
きない。The CIP type magnetic head 10 will now be described.
When the value is 0, the detection current flows in the in-plane direction, so that an MR element that requires the detection current to flow in the vertical direction, such as a tunneling magnetoresistance (TMR) element, cannot be used.
【００１０】一方、上記磁気ヘッド２００はＴＭＲ素子
を用いることが可能であり、さらに前述したように狭ギ
ャップ化が可能である点と合わせて、将来においてこの
ＣＰＰタイプの磁気ヘッドの利用が促進されると予想さ
れる。On the other hand, the magnetic head 200 can use a TMR element, and the use of this CPP type magnetic head will be promoted in the future in addition to the fact that the gap can be narrowed as described above. Is expected.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記磁
気ヘッド２００では磁気抵抗効果素子２０１の両端部側
でリーク電流が発生し易く、磁気ヘッド２００に対して
垂直方向に効率よく検出電流を流すことが困難である。However, in the magnetic head 200, a leak current is likely to occur at both ends of the magnetoresistive element 201, and it is necessary to efficiently supply a detection current to the magnetic head 200 in the vertical direction. Have difficulty.
【００１２】また、磁気抵抗効果素子２０１の磁区制御
を行うために、磁気抵抗効果素子２０１の両端部にハー
ド膜２０９Ａ、２０９Ｂを形成して縦バイアス磁界を印
加する提案もある。しかし、この場合ハード膜２０９
Ａ、２０９ＢにはＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ等の導電性部
材を用いることが一般的であり上部ギャップ部材２０４
との間で電気的にショートを起こし、電流利用効率の著
しい低下を招き十分な磁気抵抗効果を発揮させることが
できない。或いは、製造の歩留まりが低下するという問
題となる。Further, in order to control the magnetic domain of the magnetoresistive element 201, there is also a proposal in which hard films 209A and 209B are formed at both ends of the magnetoresistive element 201 and a longitudinal bias magnetic field is applied. However, in this case, the hard film 209
A and 209B generally use a conductive member such as CoPt or CoCrPt.
And a short circuit is caused electrically between them, and the current utilization efficiency is remarkably reduced, so that a sufficient magnetoresistance effect cannot be exhibited. Alternatively, there is a problem that the production yield is reduced.
【００１３】さらに、磁気抵抗効果素子とハード膜との
間にアルミナ等の絶縁膜を挟むことについての提案もあ
るが、この提案によっても十分な絶縁を確保することが
困難である。この提案の場合、磁気抵抗効果素子とハー
ド膜とが磁気的に分離されてしまうので磁気抵抗効果素
子へ印加される縦バイアスが減衰する。そのため、磁区
制御が不十分となり、ノイズを誘発するという問題があ
る。Further, although there is a proposal for interposing an insulating film such as alumina between the magnetoresistive element and the hard film, it is difficult to secure sufficient insulation by this proposal. In the case of this proposal, since the magnetoresistive element and the hard film are magnetically separated, the longitudinal bias applied to the magnetoresistive element is attenuated. Therefore, there is a problem that the magnetic domain control becomes insufficient and noise is induced.
【００１４】したがって、本発明の目的は、磁気抵抗効
果素子の両端でのリーク電流の問題がなく、さらに磁気
抵抗効果素子に対して安定的に十分な縦バイアス磁界を
印加することが可能なＣＰＰタイプの磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a CPP capable of stably applying a sufficient vertical bias magnetic field to a magnetoresistive element without the problem of leakage current at both ends of the magnetoresistive element. It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive magnetic head of the type.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１に
記載される如く、磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効
果素子の上下それぞれで接する導電性材料で形成された
上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材と、上記上部ギ
ャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれに上記磁気
抵抗効果素子側とは反体側で接する、導電性材料で形成
された上部シールド部材及び下部シールド部材と、上記
磁気抵抗効果素子の左右両端部側に、該磁気抵抗効果素
子に縦バイアス磁界を印加するための絶縁性のバイアス
印加層とを有する、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、により
達成される。An object of the present invention is to provide a magnetoresistive element, and an upper gap member and a lower part formed of a conductive material which are in contact with each other above and below the magnetoresistive effect element. A gap member, an upper shield member and a lower shield member formed of a conductive material, each of which is in contact with the upper gap member and the lower gap member on the opposite side of the magnetoresistive element, and of the magnetoresistive element; This is achieved by a magnetoresistive magnetic head having, on both left and right end sides, an insulating bias applying layer for applying a longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element.
【００１６】請求項１記載の発明によれば、バイアス印
加層自体が絶縁性を有しているので、磁気抵抗効果素子
に対して必要な縦バイアス磁界を印加しつつ磁気抵抗効
果素子両端部側でのリーク電流を抑制できる。よって、
本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体か
らの信号磁界を精度よく再生することができる。According to the first aspect of the present invention, since the bias applying layer itself has insulating properties, both ends of the magnetoresistive element are applied while applying a necessary longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element. Leakage current can be suppressed. Therefore,
The magnetoresistive head of the present invention can accurately reproduce a signal magnetic field from a magnetic recording medium.
【００１７】また、請求項２に記載されるように、請求
項１記載の発明において、前記バイアス印加層は絶縁性
の反強磁性層と、該反強磁性層に接する磁性層とを含
む、構成としてもよい。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the bias applying layer includes an insulating antiferromagnetic layer and a magnetic layer in contact with the antiferromagnetic layer. It may be configured.
【００１８】請求項２記載の発明によれば、反強磁性層
が絶縁性を有しているので磁気抵抗効果素子両端部側で
のリーク電流を抑制できる。さらに、磁性層はこの反強
磁性層に接して配置されているので交換結合作用により
一方向異方性磁界を生じる。この磁性層は安定した縦バ
イアス磁界を磁気抵抗効果素子に印加する。すなわち、
２層で形成される本バイアス印加層は絶縁性を確保しつ
つ必要な縦バイアス磁界を磁気抵抗効果素子に印加でき
る。よって、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記
録媒体からの信号磁界を精度よく再生することができ
る。According to the second aspect of the present invention, since the antiferromagnetic layer has insulating properties, it is possible to suppress a leakage current at both ends of the magnetoresistive element. Further, since the magnetic layer is disposed in contact with the antiferromagnetic layer, a unidirectional anisotropic magnetic field is generated by the exchange coupling action. This magnetic layer applies a stable longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element. That is,
This bias application layer formed of two layers can apply a necessary longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element while ensuring insulation. Therefore, this magnetoresistive head can accurately reproduce the signal magnetic field from the magnetic recording medium.
【００１９】また、請求項３に記載されるように、請求
項２記載の発明において、前記前記反強磁性層は単層体
又は複数の層を積層した積層体である、構成としてもよ
い。According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the antiferromagnetic layer may be a single layer or a laminate of a plurality of layers.
【００２０】請求項３に記載の発明で、反強磁性層は上
記磁性層に接し、安定した一方向異方性を付与できるも
のであればよい。反強磁性層を単層体とする場合は、例
えば絶縁性の酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化鉄（α−Ｆ
ｅ2Ｏ3）等を用いることができる。In the third aspect of the present invention, the antiferromagnetic layer may be any as long as it is in contact with the magnetic layer and can provide stable one-way anisotropy. When the antiferromagnetic layer is a single layer, for example, insulating nickel oxide (NiO), iron oxide (α-F
e 2 O 3 ) can be used.
【００２１】また、上記磁性層の上下に単層体の反強磁
性層を設け、サンドイッチ構造としてもよい。この場合
磁性層を絶縁性の反強磁性層により上下から挟むので、
磁性層に、より強い一方向異方性磁界と高い絶縁性が付
与できる。Further, a monolayer antiferromagnetic layer may be provided above and below the magnetic layer to form a sandwich structure. In this case, the magnetic layer is sandwiched from above and below by the insulating antiferromagnetic layer,
A stronger unidirectional anisotropic magnetic field and higher insulation can be imparted to the magnetic layer.
【００２２】また、反強磁性層を積層体とする場合は、
例えば絶縁性の酸化コバルト−酸化ニッケル（ＣｏＯ−
ＮｉＯ）、酸化鉄−酸化ニッケル（α−Ｆｅ2Ｏ3−Ｎｉ
Ｏ）等を用いることができる。この場合、酸化コバルト
側、酸化鉄側が磁性層と接するように配置することが好
ましい。When the antiferromagnetic layer is formed as a laminate,
For example, insulating cobalt oxide-nickel oxide (CoO-
NiO), iron oxide-nickel oxide (α-Fe 2 O 3 —Ni)
O) and the like can be used. In this case, it is preferable to arrange so that the cobalt oxide side and the iron oxide side are in contact with the magnetic layer.
【００２３】また、請求項４に記載されるように、請求
項２又は３記載の発明において、前記磁性層は導電性部
材である、構成としてもよい。According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect, the magnetic layer may be a conductive member.
【００２４】請求項４記載の発明では反強磁性層に絶縁
性材料を用いているので、磁気抵抗効果素子両端部側で
のリーク電流を抑制できる。よって、磁性層に導電性材
料を使用することが可能となる。この導電性磁性材料と
して、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、コバルト−鉄（ＣｏＦｅ）等を用いることができ
る。According to the fourth aspect of the invention, since an insulating material is used for the antiferromagnetic layer, it is possible to suppress a leakage current at both ends of the magnetoresistive element. Therefore, it is possible to use a conductive material for the magnetic layer. As this conductive magnetic material, for example, permalloy (NiFe), cobalt (C
o), cobalt-iron (CoFe) or the like can be used.
【００２５】また、請求項５に記載されるように、請求
項２又は３記載の発明において、前記磁性層は絶縁性部
材である、構成としてもよい。According to a fifth aspect of the present invention, in the second or third aspect, the magnetic layer may be an insulating member.
【００２６】請求項５記載の発明によれば、絶縁性のあ
る反強磁性層と共に磁性層も絶縁性部材となるので、更
に確実に磁気抵抗効果素子両端部側でのリーク電流を抑
制できる。この絶縁性の磁性材料には硬磁性系材料及び
軟磁性系材料のどちらを用いてもよい。According to the fifth aspect of the present invention, since the magnetic layer is also an insulating member together with the insulating antiferromagnetic layer, it is possible to more reliably suppress the leakage current at both ends of the magnetoresistive element. Either a hard magnetic material or a soft magnetic material may be used as the insulating magnetic material.
【００２７】上記軟磁性系材料としては、例えばマンガ
ン−亜鉛−フェライト（ＭｎＺｎＦｅ2Ｏ4）、ニッケル
−亜鉛−フェライト（ＮｉＺｎＦｅ2Ｏ4）等を用いるこ
とができる。As the soft magnetic material, for example, manganese-zinc-ferrite (MnZnFe 2 O 4 ), nickel-zinc-ferrite (NiZnFe 2 O 4 ) or the like can be used.
【００２８】また、請求項６に記載されるように、請求
項５記載の発明において、コバルト−フェライト（Ｃｏ
Ｆｅ2Ｏ4）、バリウムフェライト（ＢａＯ・６Ｆｅ
2Ｏ3）、コバルト−白金−酸化ケイ素（ＣｏＰｔ−Ｓｉ
Ｏ2）及びフェライト系金属（ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3、ＭＯは
酸化金属を示し、Ｍは任意の金属である）からなる群か
ら選択されたいずれか１つの酸化物系金属硬磁性膜であ
る、構成としてもよい。According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the invention, cobalt-ferrite (Co-ferrite) is used.
Fe 2 O 4 ), barium ferrite (BaO · 6Fe)
2 O 3 ), cobalt-platinum-silicon oxide (CoPt-Si)
O 2) and ferritic metal (MO · Fe 2 O 3, MO represents a metal oxide, M is either one oxide-based metal hard magnetic film selected from the group consisting of a is) any metal It is good also as composition.
【００２９】請求項６記載の発明によれば、より効果的
に磁気抵抗効果素子両端部側でのリーク電流を抑制しつ
つ、必要な縦バイアス磁界を磁気抵抗効果素子に印加で
きる。According to the sixth aspect of the present invention, a necessary longitudinal bias magnetic field can be applied to the magnetoresistive element while effectively suppressing a leakage current at both ends of the magnetoresistive element.
【００３０】また、請求項７に記載されるように、請求
項１記載の発明において、前記バイアス印加層は酸化物
系金属硬磁性膜である、構成としてもよい。According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect, the bias applying layer may be an oxide-based metal hard magnetic film.
【００３１】請求項７記載の発明によれば、１層の絶縁
性の酸化物系金属硬磁性膜により磁気抵抗効果素子に対
して必要な縦バイアス磁界を印加しつつ磁気抵抗効果素
子両端部側でのリーク電流を抑制できるので構成が簡単
であり、製造工程を簡素化できる。According to the seventh aspect of the present invention, both ends of the magnetoresistive element are applied while applying a necessary longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element by a single insulating oxide-based metal hard magnetic film. Therefore, the configuration is simple and the manufacturing process can be simplified.
【００３２】また、請求項８に記載されるように、請求
項７記載の発明において、前記酸化物系金属硬磁性膜
は、コバルトＸフェライト（ＣｏＸＦｅ2Ｏ4、ＸはＣ
ｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＧａからなる群から選択されるいず
れか１つ）である、構成としてもよい。Further, as described in claim 8, in the invention according to claim 7, the oxide-based metal hard magnetic film is made of cobalt X ferrite (CoXFe 2 O 4 , where X is C
u, Zn, Sn, and Ga).
【００３３】請求項８記載の発明によれば、効果的な磁
気抵抗効果素子への磁界の印加とリーク電流の抑制を実
現できる。According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to effectively apply a magnetic field to the magnetoresistive element and to suppress a leak current.
【００３４】また、請求項９に記載されるように、１か
ら８のいずれかに記載の発明において、前記磁気抵抗効
果素子は、スピンバルブ型の磁気抵抗効果（ＳＶＭＲ）
素子又はトンネル型の磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子であ
る、構成としてもよい。According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to eighth aspects, the magnetoresistance effect element is a spin valve type magnetoresistance effect (SVMR).
The structure may be an element or a tunnel type magnetoresistive effect (TMR) element.
【００３５】請求項９記載の発明によれば、従来の製造
ラインを用いて高感度な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得
ることができる。According to the ninth aspect of the present invention, a highly sensitive magnetoresistive head can be obtained using a conventional production line.
【００３６】そして、このＳＶＭＲ素子には前述した、
第１磁性層、非磁性層、第２磁性層及び反強磁性層から
なる一般型の他、第１磁性層、非磁性層及び第２磁性層
から成るいわゆる保磁力差型も含まれる。The SVMR element has
In addition to the general type including the first magnetic layer, the nonmagnetic layer, the second magnetic layer, and the antiferromagnetic layer, the so-called coercive force difference type including the first magnetic layer, the nonmagnetic layer, and the second magnetic layer is also included.
【００３７】また、ＴＭＲ素子には、第１磁性層、絶縁
層、第２磁性層及び反強磁性層からなるタイプの他、第
１磁性層、絶縁層及び第２磁性層から成るタイプも含ま
れる。The TMR element includes a type including a first magnetic layer, an insulating layer, a second magnetic layer, and a type including a first magnetic layer, an insulating layer, and a second magnetic layer. It is.
【００３８】さらに、請求項１０に記載されるように、
請求項１から９のいずれかに記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを有する、磁気再生装置についても本発明の範疇
に含まれる。Further, as described in claim 10,
A magnetic reproducing apparatus having the magnetoresistive head according to any one of claims 1 to 9 is also included in the scope of the present invention.
【００３９】請求項１０記載の発明によれば、磁気記録
媒体からの信号磁界を精度よく再生することができる磁
気再生装置となる。なお、再生用の本磁気ヘッドと記録
ヘッドとを一体化させれば磁気記録再生装置を構成する
こともできる。According to the tenth aspect of the present invention, there is provided a magnetic reproducing apparatus capable of accurately reproducing a signal magnetic field from a magnetic recording medium. It should be noted that a magnetic recording / reproducing apparatus can be configured by integrating the reproducing magnetic head with the recording head.
【００４０】[0040]
【発明の実施の形態】さらに、図３及び図４に基づき本
発明の第１実施例について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００４１】図３に第１実施例に係るＣＰＰタイプの磁
気ヘッド１０の概要構成が示されている。同図では図示
せぬ外部の磁気記録媒体側から見た磁気ヘッド１０の概
要構成を示しており、図３で左右方向が素子幅方向、す
なわち磁気記録媒体のトラックの幅方向である。FIG. 3 shows a schematic configuration of a CPP type magnetic head 10 according to the first embodiment. 3 shows a schematic configuration of the magnetic head 10 as viewed from an external magnetic recording medium (not shown). In FIG. 3, the horizontal direction is the element width direction, that is, the track width direction of the magnetic recording medium.
【００４２】同図において、磁気ヘッド１０は上部シー
ルド部材１１と下部シールド部材１２を有している。こ
れら２つの磁気シールド部材１１、１２は、例えばＦｅ
ＺｒＮ等の軟磁性体で形成され、約１から２μｍ程度の
膜厚に形成される。これらシールド部材１１、１２は導
電性であり端子を兼ねている。In FIG. 1, the magnetic head 10 has an upper shield member 11 and a lower shield member 12. These two magnetic shield members 11 and 12 are made of, for example, Fe
It is formed of a soft magnetic material such as ZrN and has a thickness of about 1 to 2 μm. These shield members 11 and 12 are conductive and also serve as terminals.
【００４３】上記シールド部材１１、１２の間にギャッ
プ空間が形成される。このギャップ内にＭＲ素子１５が
導電性の上部ギャップ部材１３及び下部ギャップ部材１
４のそれぞれを介して、上部シールド部材１１と下部シ
ールド部材１２に電気的に接続される。よって、検出電
流は、上部シールド部材１１（又は下部シールド部材１
２）から上部ギャップ部材１３（又は下部ギャップ部材
１４）を介してＭＲ素子１５に入り、さらに下部ギャッ
プ部材１４（又は上部ギャップ部材１３）を介して下部
シールド部材１２（又は上部シールド部材１１）側へと
垂直的に流れるようになる。A gap space is formed between the shield members 11 and 12. In this gap, the MR element 15 is electrically connected to the upper gap member 13 and the lower gap member 1.
4, are electrically connected to the upper shield member 11 and the lower shield member 12. Therefore, the detected current is transmitted to the upper shield member 11 (or the lower shield member 1).
2), enters the MR element 15 via the upper gap member 13 (or the lower gap member 14), and further passes through the lower gap member 14 (or the upper gap member 13) to the lower shield member 12 (or the upper shield member 11). To flow vertically to
【００４４】上記ＭＲ素子１５として、ＴＭＲ素子或い
はＳＶＭＲ素子等を用いることができる。ＴＭＲ素子と
しては、例えば絶縁層にＡｌ2Ｏ3を用いたＰｄＰｔＭｎ
（２０）／Ｃｏ（２）／Ａｌ2Ｏ3（５）／Ｃｏ（１）／
ＮｉＦｅ（２）を下から順次積層した積層膜を用いるこ
とができる。また、ＳＶＭＲ素子として、例えば非磁性
層にＣｕを用いたＮｉＦｅ（２）／ＣｏＦｅＢ（４）／
Ｃｕ（３）／ＣｏＦｅＢ（２．２）／ＰｄＰｔＭｎ（２
５）を下から順次積層した積層膜を用いることができ
る。なおカッコ内の数字は各層の厚さをナノメータ（ｎ
ｍ）で示している。また、これらＴＭＲ素子、ＳＶＭＲ
素子は同様に逆順に積層した、積層膜としてもよい。As the MR element 15, a TMR element or an SVMR element can be used. As a TMR element, for example, PdPtMn using Al 2 O 3 for an insulating layer
(20) / Co (2) / Al 2 O 3 (5) / Co (1) /
A laminated film in which NiFe (2) is sequentially laminated from below can be used. Further, as an SVMR element, for example, NiFe (2) / CoFeB (4) /
Cu (3) / CoFeB (2.2) / PdPtMn (2
5) can be used as a laminated film in which layers are sequentially laminated from the bottom. The numbers in parentheses indicate the thickness of each layer in nanometers (n
m). In addition, these TMR elements, SVMR
The elements may be similarly formed as a stacked film which is stacked in reverse order.
【００４５】また、上部ギャップ部材１３は導電性の
銅、金、銀、白金、又はこれらからの合金を使用できる
が、銅が好ましく例えば約２０ｎｍの膜厚に形成され
る。また、下部ギャップ部材１４についても同様であ
り、例えば銅を２０ｎｍの膜厚で形成すればよいが、好
ましい膜形成制御のために下部ギャップ下地１６として
タンタル（Ｔａ）を例えば約５ｎｍ、下部ギャップ部材
１４の下に形成する。上述した各層の形成は、従来の薄
膜形成技術を用い順次積層して形成できる。The upper gap member 13 can be made of conductive copper, gold, silver, platinum or an alloy thereof, but is preferably made of copper to a thickness of, for example, about 20 nm. The same applies to the lower gap member 14. For example, copper may be formed with a thickness of 20 nm. However, for the purpose of preferable film formation control, tantalum (Ta) is used as the lower gap base 16 with, for example, about 5 nm. 14 below. Each of the above-described layers can be formed by sequentially laminating the layers using a conventional thin film forming technique.
【００４６】そして、上記ＭＲ素子１５の両端部側には
バイアス印加層が設けられている。図３においては、Ｍ
Ｒ素子１５の両端部側で左右対称的に、上から順に、絶
縁性の反強磁性層１７Ａ、１７Ｂ、磁性層１８Ａ、１８
Ｂ及び絶縁層１９Ａ、１９Ｂが設けられている。A bias applying layer is provided on both ends of the MR element 15. In FIG. 3, M
The insulating antiferromagnetic layers 17A and 17B and the magnetic layers 18A and 18 are arranged symmetrically at both ends of the R element 15 in order from the top.
B and insulating layers 19A and 19B are provided.
【００４７】反強磁性層１７Ａ、１７Ｂ及び磁性層１８
Ａ、１８Ｂがバイアス印加層となる。バイアス印加層１
７、１８は、反強磁性層１７Ａ、１７Ｂとして例えばＮ
ｉＯを３０ｎｍ、磁性層１８Ａ、１８Ｂとして例えば絶
縁性の軟磁性材料としてニッケル−亜鉛―フェライトを
２０ｎｍ積層して形成できる。磁性層１８Ａ、１８Ｂに
ついては同様に、コバルト−フェライト（ＣｏＦｅ
2Ｏ4）、バリウムフェライト（ＢａＯ・６Ｆｅ2Ｏ3）、
コバルト−白金−酸化ケイ素（ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2）及
びフェライト系金属（ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3）から選択される
酸化物系金属硬磁性膜を用いることができる。ここでＭ
Ｏは酸化金属を示し、Ｍは任意の金属である。Ｍとして
は例えばＭｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，（ＬｉＦｅ），Ｔｉ
等を用いることができる。Antiferromagnetic layers 17A and 17B and magnetic layer 18
A and 18B become the bias application layers. Bias application layer 1
7 and 18 are, for example, N antiferromagnetic layers 17A and 17B.
The magnetic layers 18A and 18B can be formed by laminating, for example, 20 nm of nickel-zinc-ferrite as an insulating soft magnetic material as the magnetic layers 18A and 18B. Similarly, for the magnetic layers 18A and 18B, cobalt-ferrite (CoFe) is used.
2 O 4 ), barium ferrite (BaO · 6Fe 2 O 3 ),
Cobalt - platinum - may be an oxide-based metal hard magnetic film selected from a silicon oxide (CoPt-SiO 2) and ferritic metal (MO · Fe 2 O 3) . Where M
O represents a metal oxide, and M is any metal. Examples of M include Mn, Ni, Fe, Cu, (LiFe), Ti
Etc. can be used.
【００４８】磁性層１８Ａ、１８Ｂは、反強磁性層１７
Ａ、１７Ｂに接して配される共にＭＲ素子１５の両端部
に接して配置される。磁性層１８Ａ、１８Ｂは、反強磁
性層１７Ａ、１７Ｂとの交換結合作用によりＢ−Ｈルー
プがシフトして磁化方向が固定される。その結果、磁性
層１８Ａ、１８に一方向異方性磁界を生じるので、磁性
層１８Ａ、１８ＢからＭＲ素子１５に対して安定な縦バ
イアス磁界を印加できる。The magnetic layers 18A and 18B are made of the antiferromagnetic layer 17
A and 17B are arranged in contact with both ends of the MR element 15. In the magnetic layers 18A and 18B, the BH loop is shifted by the exchange coupling action with the antiferromagnetic layers 17A and 17B, and the magnetization direction is fixed. As a result, a unidirectional anisotropic magnetic field is generated in the magnetic layers 18A and 18 so that a stable longitudinal bias magnetic field can be applied to the MR element 15 from the magnetic layers 18A and 18B.
【００４９】なお、絶縁層１９Ａ、１９Ｂはアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁性材料を３０ｎｍ程度に形成する
と、良好な絶縁特性を有する。また、絶縁層１９として
絶縁性の反強磁性材料、例えば３０ｎｍのＮｉＯを用い
て、上記両端部に反強磁性層、磁性層、反強磁性層（Ｎ
ｉＯ／ニッケル−亜鉛−フェライト／ＮｉＯ）のサンド
イッチ構造のバイアス印加層を形成してもよい。この場
合には絶縁特性を高めつつ、さらに磁性層１８Ａ、１８
Ｂからの縦バイアス磁界が安定化する。The insulating layers 19A and 19B have good insulating properties when an insulating material such as alumina (Al 2 O 3 ) is formed to a thickness of about 30 nm. Further, an insulating antiferromagnetic material, for example, NiO of 30 nm is used as the insulating layer 19, and an antiferromagnetic layer, a magnetic layer, an antiferromagnetic layer (N
A bias applying layer having a sandwich structure of (iO / nickel-zinc-ferrite / NiO) may be formed. In this case, while improving the insulation properties, the magnetic layers 18A, 18A
The longitudinal bias magnetic field from B is stabilized.
【００５０】上述構成の磁気ヘッド１０は、このＭＲ素
子１５の面に垂直に電流を流しながら、その電圧を監視
すれば電圧変化として磁気抵抗変化を検知できる。In the magnetic head 10 having the above-described structure, a change in magnetic resistance can be detected as a change in voltage by monitoring the voltage while flowing a current perpendicular to the surface of the MR element 15.
【００５１】その際、磁性層１８Ａ、１８Ｂからの縦バ
イアス磁界によりＭＲ素子１５内の自由磁性層を好まし
い状態に磁区制御しているので、バルクハウゼンノイズ
等の障害はなく磁気抵抗効果を効率的に利用できる。さ
らに、ＭＲ素子１５の両端部側は絶縁性の反強磁性層１
７Ａ、１７Ｂを有しているので、リーク電流の発生を抑
制している。よって、検出電流はＭＲ素子１５に対して
垂直方向に効率良く流れ、磁気記録媒体からの信号磁界
を高感度に検出できる。At this time, since the magnetic domain of the free magnetic layer in the MR element 15 is controlled to a preferable state by the longitudinal bias magnetic field from the magnetic layers 18A and 18B, there is no obstacle such as Barkhausen noise and the magnetoresistance effect is efficiently reduced. Available to Further, both ends of the MR element 15 are provided with an insulating antiferromagnetic layer 1.
7A and 17B, the generation of leakage current is suppressed. Therefore, the detection current efficiently flows in the direction perpendicular to the MR element 15, and the signal magnetic field from the magnetic recording medium can be detected with high sensitivity.
【００５２】次に、上記磁気ヘッド１０製造法につい
て、図４に基づいて説明をする。図４は磁気ヘッド１０
の成膜工程を示す図である。Next, a method of manufacturing the magnetic head 10 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the magnetic head 10.
FIG. 4 is a view showing a film forming process of FIG.
【００５３】図４（Ａ）で、アルチック基板（Ａｌ2Ｏ3
−ＴｉＣ）２上にスパッタ法により、下部シールド部材
１２としてＦｅＺｒＮを約２μｍ形成する。この上に下
部ギャップ下地１６としてタンタルを約５ｎｍ、下部ギ
ャップ部材１４として銅を約２０ｎｍ成膜する。In FIG. 4A, an Altic substrate (Al 2 O 3
-FeCrN is formed about 2 μm as the lower shield member 12 on the (TiC) 2 by sputtering. On this, about 5 nm of tantalum is formed as a lower gap base 16 and about 20 nm of copper is formed as a lower gap member 14.
【００５４】上記下部ギャップ部材１４上に、用いるＭ
Ｒ素子１５に対応した材料をスパッタ法で下から順次成
膜して積層膜とする。ＳＶＭＲ素子及びＴＭＲ素子の各
層の構成は前述した通りである。さらに、ＭＲ素子１５
上に上部ギャップ部材１３として銅を約２０ｎｍ形成す
る。上記成膜の工程は連続或いは不連続によっても実施
できる。On the lower gap member 14, the M
A material corresponding to the R element 15 is sequentially formed from below by a sputtering method to form a laminated film. The configuration of each layer of the SVMR element and the TMR element is as described above. Further, the MR element 15
Copper of about 20 nm is formed thereon as the upper gap member 13. The film forming process can be performed continuously or discontinuously.
【００５５】図４（Ｂ）で、上部ギャップ部材１３上
に、例えば幅約１μｍ、高さ約３μｍのレジスト５をパ
ターニングし、イオンミリング法にて下部ギャップ部材
１４のＣｕ又は下部ギャップ下地１６のタンタルが検出
されるまでエッチングを行う。図４（Ｃ）で、上記イオ
ンミリングに続いて、ＭＲ素子１５両端部側に形成する
縦バイアス印加層の成膜を行う。下から絶縁層１９Ａ、
１９Ｂとしてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又はＮｉＯ、磁性層
１８Ａ、１８Ｂとしてニッケル−亜鉛−フェライト、そ
して反強磁性層１７Ａ、１７ＢとしてＮｉＯを順次スパ
ッタ法で成膜する。各層の層厚は、例えばそれそれ約３
０ｎｍ、約２０ｎｍ、約３０ｎｍとする。この後、レジ
スト５をリフトオフし、最後にＭＲ素子１５上に上部シ
ールド部材１１としてＦｅＺｒＮ膜を成膜すれば上述し
た図３の磁気ヘッド１０となる。In FIG. 4B, a resist 5 having a width of about 1 μm and a height of about 3 μm is patterned on the upper gap member 13, and the Cu of the lower gap member 14 or the lower gap base 16 is patterned by ion milling. Etching is performed until tantalum is detected. In FIG. 4C, subsequent to the above-described ion milling, a vertical bias application layer formed on both ends of the MR element 15 is formed. The insulating layer 19A from below,
Alumina (Al 2 O 3 ) or NiO as 19B, nickel-zinc-ferrite as magnetic layers 18A and 18B, and NiO as antiferromagnetic layers 17A and 17B are sequentially formed by sputtering. The thickness of each layer is, for example, about 3
0 nm, about 20 nm, and about 30 nm. Thereafter, the resist 5 is lifted off, and finally, an FeZrN film is formed as the upper shield member 11 on the MR element 15 to obtain the magnetic head 10 shown in FIG.
【００５６】本実施例でＭＲ素子１５両端部側に形成さ
れる縦バイアス印加層は、従来において製造が困難とさ
れた絶縁性が高くかつ所望の保磁力を有するハード膜と
同様の機能を有すのものであり、その歩留まりも向上す
る。The longitudinal bias application layers formed on both ends of the MR element 15 in this embodiment have the same function as a hard film having a high insulating property and a desired coercive force, which has been conventionally difficult to manufacture. And the yield is also improved.
【００５７】次に、図５に基づき、本発明の第２実施例
を説明する。ここでは重複した説明を避けるため、同一
の部材には前述の図３と同一の符号を付している。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, in order to avoid repetition, the same members are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
【００５８】第１実施例の磁気ヘッド１０と比較して、
本第２実施例の磁気ヘッド２０の縦バイアス印加層は２
層で構成されている。絶縁性の反強磁性層２７とこの反
強磁性層２７に接する導電性の磁性層２８で形成されて
いる。As compared with the magnetic head 10 of the first embodiment,
The longitudinal bias application layer of the magnetic head 20 of the second embodiment has two layers.
It is composed of layers. It is formed of an insulating antiferromagnetic layer 27 and a conductive magnetic layer 28 in contact with the antiferromagnetic layer 27.
【００５９】反強磁性層２７として、例えば絶縁性のＮ
ｉＯを用いることができる。また、磁性層２８として、
例えば導電性のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の磁性体を用いる
ことができる。As the antiferromagnetic layer 27, for example, insulating N
iO can be used. Further, as the magnetic layer 28,
For example, a magnetic material such as conductive NiFe or CoFe can be used.
【００６０】本実施例の磁気ヘッド２０はＭＲ素子２５
を形成している層を両端部側に残し、その上に磁性層２
８Ａ、２８Ｂ及びこれに接して絶縁性を有する反強磁性
層２７Ａ、２７Ｂを設けている。したがって、層構成で
は端子部側においてもＭＲ素子２５と同じ層が存在する
ことになってはいるが、縦バイアス印加層２７Ａ、２７
Ｂ及び２８Ａ、２８Ｂで挟まれた領域のみが本来のＭＲ
素子２５として機能する。したがって、本実施例でもＭ
Ｒ素子２５の両端部側に絶縁性を有した縦バイアス印加
層が形成されている構成となる。The magnetic head 20 of the present embodiment has an MR element 25
Are formed on both ends, and the magnetic layer 2 is formed thereon.
8A and 28B and antiferromagnetic layers 27A and 27B having an insulating property in contact with them. Therefore, although the same layer as the MR element 25 exists on the terminal portion side in the layer configuration, the vertical bias applying layers 27A and 27
B and only the region sandwiched between 28A and 28B is the original MR
It functions as the element 25. Therefore, in this embodiment, M
The configuration is such that a longitudinal bias applying layer having an insulating property is formed on both ends of the R element 25.
【００６１】本実施例の磁気ヘッド２０は、第１実施例
の磁気ヘッド１０の製造方法について示した図４と同様
に製造することができる。但し、本実施例では両端部を
エッチングする際に、エッチング量を少なくして製造で
きるというメリットがある。具体的には、ＭＲ素子２５
として、ＳＶＭＲ素子を用い例えばＮｉＦｅ（２）／Ｃ
ｏＦｅＢ（１）／Ｃｕ（３）／ＣｏＦｅＢ（２）／Ｐｄ
ＰｔＭｎ（２０）／ＮｉＦｅ（２）を下から順次積層す
るか、またＴＭＲ素子を用い例えばＮｉＦｅ（２）／Ｐ
ｄＰｔＭｎ（２０）／Ｃｏ（２）／Ａｌ2Ｏ3（５）／Ｃ
ｏ（１）／ＮｉＦｅ（２）を下から順次積層した積層膜
を用いることができる。本第２実施例で示した縦バイア
ス印加層の場合は、リーク電流の影響を抑制する観点か
らＳＶＭＲ素子を用いることが好ましい。The magnetic head 20 of this embodiment can be manufactured in the same manner as in FIG. 4 showing the method of manufacturing the magnetic head 10 of the first embodiment. However, in this embodiment, there is an advantage that the etching can be performed with a small amount of etching when etching both end portions. Specifically, the MR element 25
For example, using an SVMR element, for example, NiFe (2) / C
oFeB (1) / Cu (3) / CoFeB (2) / Pd
PtMn (20) / NiFe (2) may be sequentially laminated from the bottom or a TMR element may be used to form NiFe (2) / P
dPtMn (20) / Co (2) / Al 2 O 3 (5) / C
A laminated film in which o (1) / NiFe (2) is sequentially laminated from below can be used. In the case of the vertical bias application layer shown in the second embodiment, it is preferable to use the SVMR element from the viewpoint of suppressing the influence of the leak current.
【００６２】両端部側のエッチングはＭＲ素子２５の最
上層ＮｉＦｅが検出されるまでイオンミリングを行う。
その後、磁性層２８としてＮｉＦｅ、反強磁性層２７と
して絶縁性のＮｉＯをそれぞれ約１０ｎｍ、４０ｎｍを
それぞれ積層して縦バイアス印加層を形成する。In the etching of both ends, ion milling is performed until the uppermost layer NiFe of the MR element 25 is detected.
Thereafter, a vertical bias applying layer is formed by laminating NiFe as the magnetic layer 28 and insulating NiO as the antiferromagnetic layer 27 with a thickness of about 10 nm and 40 nm, respectively.
【００６３】本第２実施例の磁気ヘッド２０によって
も、反強磁性層２７Ａ、２７Ｂと接する、磁性層２８
Ａ、２８Ｂからの縦バイアス磁界によりＭＲ素子２５内
の自由磁性層を好ましい状態に磁区制御しているので、
バルクハウゼンノイズ等の障害はなく磁気抵抗効果を効
率的に利用できる。さらに、ＭＲ素子２５の両端部は絶
縁性の反強磁性層２７Ａ、２７Ｂを有しているので、リ
ーク電流の発生を抑制している。よって、検出電流はＭ
Ｒ素子２５に対して垂直方向に効率良く流れ、磁気記録
媒体からの信号磁界を高感度に検出できる。According to the magnetic head 20 of the second embodiment, the magnetic layer 28 in contact with the antiferromagnetic layers 27A and 27B
Since the magnetic domain of the free magnetic layer in the MR element 25 is controlled to a preferable state by the longitudinal bias magnetic field from A and 28B,
There is no obstacle such as Barkhausen noise, and the magnetoresistance effect can be used efficiently. Furthermore, since both ends of the MR element 25 have the insulating antiferromagnetic layers 27A and 27B, the occurrence of a leak current is suppressed. Therefore, the detection current is M
It flows efficiently in the direction perpendicular to the R element 25, and the signal magnetic field from the magnetic recording medium can be detected with high sensitivity.
【００６４】次に、図６に基づき、本発明の第３実施例
を説明する。本実施は前述した第１及び第２実施例とは
異なり、縦バイアス印加層を一層で形成し、ＭＲ素子と
してＴＭＲ素子を採用した例である。所定の酸化物系金
属硬磁性膜を用いて、縦バイアス印加層を形成すると１
層とすることができる。このような構成は従来ＳＶＭＲ
素子の磁区制御に用いられていたハード膜と同様であ
り、前述した実施例よりも構成が簡素化できる。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment differs from the first and second embodiments described above in that the vertical bias application layer is formed in one layer and a TMR element is employed as the MR element. When a vertical bias applying layer is formed using a predetermined oxide-based metal hard magnetic film,
It can be a layer. Such a configuration is conventionally known as an SVMR
This is the same as the hard film used for controlling the magnetic domain of the element, and the configuration can be simplified as compared with the above-described embodiment.
【００６５】本実施例の磁気ヘッド３０の構成例を示
す。図示せぬ基板上にＮｉＦｅからなる下部シールド部
材３２が２μｍの膜厚に形成する。この上に導電性であ
り下部電極端子を兼ねる下部ギャップ部材３４が形成さ
れている。この下部ギャップ部材３４で下部シールド部
材３２を兼用するようにしてもよい。An example of the configuration of the magnetic head 30 of this embodiment is shown. A lower shield member 32 made of NiFe is formed on a substrate (not shown) to a thickness of 2 μm. A lower gap member 34 which is conductive and also serves as a lower electrode terminal is formed thereon. The lower gap member 34 may also serve as the lower shield member 32.
【００６６】下部ギャップ部材３４の上にＭＲ素子とし
てＴＭＲ３５素子を形成する。ＴＭＲ素子３５は下から
自由磁性層３５−１、絶縁層（トンネルバリア層）３５
−２、固定磁性層３５−３、反強磁性層３５−４の順で
積層されている。例えば自由磁性層３５−１として３ｎ
ｍのＣｏＦｅ若しくはＣｏＦｅＢ、又は２ｎｍのＮｉＦ
ｅ／１ｎｍのＣｏＦｅ（或いはＣｏＦｅに代えて１ｎｍ
のＣｏＦｅＢ）を形成し、トンネルバリア層３５−２と
して２ｎｍのＡｌ２Ｏ３を形成し、固定磁性層３５−３
として２ｎｍのＣｏＦｅ又はＣｏＦｅＢを形成し、反強
磁性層３５−４として２０ｎｍのＰｄＰｔＭｎを形成し
た積層体とする。On the lower gap member 34, a TMR 35 element is formed as an MR element. The TMR element 35 includes a free magnetic layer 35-1, an insulating layer (tunnel barrier layer) 35 from below.
-2, a pinned magnetic layer 35-3, and an antiferromagnetic layer 35-4. For example, as the free magnetic layer 35-1, 3n
m of CoFe or CoFeB, or 2 nm of NiF
e / 1 nm CoFe (or 1 nm instead of CoFe)
CoFeB), 2 nm of Al 2 O 3 is formed as the tunnel barrier layer 35-2, and the pinned magnetic layer 35-3 is formed.
To form a laminate in which 2 nm of CoFe or CoFeB is formed and 20 nm of PdPtMn is formed as the antiferromagnetic layer 35-4.
【００６７】さらに、ＴＭＲ３５素子の両端に接し、こ
れを挟むようにバイアス印加層３７が設けられる。この
バイアス印加層３７として酸化物系金属硬磁性膜である
コバルトＸフェライト（ＣｏＸＦｅ2Ｏ4、ＸはＣｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ及びＧａからなる群から選択されるいずれか１
つ）を用いると１層で縦バイアスの印加と絶縁機能を果
たす優れた膜となる。このバイアス印加層３７はバイア
ス膜として必要な所定の保磁力（Ｈｃ）、例えば５００
Ｏｅ（エルステッド）以上でとなるのでＴＭＲ３５素子
の自由磁性層３５−１を十分に磁区制御できる。Further, a bias applying layer 37 is provided so as to be in contact with both ends of the TMR element and sandwich the element. Cobalt X ferrite (CoXFe 2 O 4 , where X is Cu, Z
Any one selected from the group consisting of n, Sn and Ga
The use of (1) results in an excellent film that performs the application of a vertical bias and the insulating function in one layer. The bias application layer 37 has a predetermined coercive force (Hc) required as a bias film, for example, 500
Since it is Oe (Oersted) or more, the magnetic domain of the free magnetic layer 35-1 of the TMR35 element can be sufficiently controlled.
【００６８】本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドも前
述した第１実施例と同様に、従来の薄膜形成技術を用い
て製造することができる。バイアス印加層３７は例えば
図６で矢印４１方向に着磁させることにより、自由磁性
層３５−１に縦バイアス磁界を印加してその方向に一方
向異方性を付与する。また、固定磁性層３５−３は反強
磁性層３５−４との間で交換結合作用により矢印４２の
方向（紙面に垂直な方向）に一方向異方性を付与する。
このような層構成とすることにより、自由磁性層３５−
１と固定磁性層３５−３の磁化方向を直交させると共
に、固定磁性層３５−３は外部磁界に対して応答せず常
に４２の方向に磁化が向いたまで動かない状態（ピン止
め状態）を実現できる。The magneto-resistance effect type magnetic head of this embodiment can be manufactured by using the conventional thin film forming technique, similarly to the first embodiment. For example, the bias applying layer 37 is magnetized in the direction of the arrow 41 in FIG. 6 to apply a longitudinal bias magnetic field to the free magnetic layer 35-1 to impart unidirectional anisotropy in that direction. The pinned magnetic layer 35-3 gives unidirectional anisotropy to the antiferromagnetic layer 35-4 in the direction of the arrow 42 (the direction perpendicular to the paper) by exchange coupling.
With such a layer configuration, the free magnetic layer 35-
1 and the magnetization direction of the pinned magnetic layer 35-3 are made orthogonal to each other, and the pinned magnetic layer 35-3 does not respond to an external magnetic field and always does not move until the magnetization is oriented in the direction of 42 (pinning state). realizable.
【００６９】なお、上記バイアス印加層３７の層厚は所
望の縦バイアス磁界を印加できるよう適宜調整する。バ
イアス印加層３７上にはＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層を
形成すればよい。The thickness of the bias applying layer 37 is appropriately adjusted so that a desired vertical bias magnetic field can be applied. An insulating layer made of Al 2 O 3 or the like may be formed on the bias applying layer 37.
【００７０】また、図６に示されるよに上部ギャップ部
材３３は所望の形状にパターニングされていることが望
ましく、ここでは両側に形成されているバイアス印加層
３７の間隔と略等しい長さとなるように形成した。この
上部ギャップ部材３３上に上部シールド部材３１とした
ＮｉＦｅを３μｍの膜厚で形成した。なお、上部ギャッ
プ部材３３が上部シールド部材３１を兼用する様にして
もよい。本実施例で特に説明を加えない事項は、前述し
た第１実施例と同じ条件を適用することができる。As shown in FIG. 6, the upper gap member 33 is desirably patterned into a desired shape, and has a length substantially equal to the interval between the bias applying layers 37 formed on both sides. Formed. On the upper gap member 33, NiFe as the upper shield member 31 was formed with a thickness of 3 μm. Note that the upper gap member 33 may also serve as the upper shield member 31. In the present embodiment, the same conditions as those in the above-described first embodiment can be applied to items that are not particularly described.
【００７１】次に、図７に本発明の第４実施例を示す。
本実施は前述した第３実施例の変形例である。縦バイア
ス印加層を一層で形成し、ＭＲ素子としてＴＭＲ素子を
採用した点は同様であるが、ＴＭＲ素子３９の積層順を
第３実施例とは逆順に形成している。すなわち、ＴＭＲ
素子３９は下から反強磁性層３９−１、固定磁性層３９
−２、絶縁層（トンネルバリア層）３９−３、自由磁性
層３９−４となっている。このよに逆順に形成したＴＭ
Ｒ素子でも上記第３実施例と同様の効果を得ることがで
きる。Next, FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention.
This embodiment is a modification of the third embodiment. Although the vertical bias application layer is formed in one layer and the TMR element is adopted as the MR element, the TMR element 39 is formed in the reverse order of the third embodiment. That is, TMR
The element 39 includes an antiferromagnetic layer 39-1 and a fixed magnetic layer 39 from below.
-2, an insulating layer (tunnel barrier layer) 39-3, and a free magnetic layer 39-4. TM thus formed in reverse order
The same effect as in the third embodiment can be obtained with the R element.
【００７２】上記第３、第４実施例では一般に製造が困
難であるとされるＴＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを従来
から実績のあるＳＶＭＲで広く採用されてきたアバンテ
ッド型のハード膜方式を応用する形態で実現できるので
従来製造技術を応用して製造できる。In the third and fourth embodiments, a magnetic head using a TMR element, which is generally considered to be difficult to manufacture, is applied to an avanted-type hard film system widely used in SVMR which has been used in the past. Since it can be realized in the form, it can be manufactured by applying the conventional manufacturing technology.
【００７３】上記第３、４実施例の磁気ヘッド３０によ
れば、バイアス印加層３７がリーク電流の発生を抑制し
つつＭＲ素子３５、３９内の自由磁性層へ縦バイアス磁
界を印加して好ましい状態に磁区制御している。したが
って、バルクハウゼンノイズ等の障害はなく磁気抵抗効
果を効率的に利用できる。よって、検出電流はＭＲ素子
３５，３９に対して垂直方向（矢印４３の方向）に効率
良く流れ、磁気記録媒体からの信号磁界を高感度に検出
できる。According to the magnetic heads 30 of the third and fourth embodiments, it is preferable that the bias applying layer 37 applies the longitudinal bias magnetic field to the free magnetic layers in the MR elements 35 and 39 while suppressing the generation of the leak current. Magnetic domain control to state. Therefore, there is no obstacle such as Barkhausen noise and the magnetoresistance effect can be used efficiently. Therefore, the detection current efficiently flows in the direction perpendicular to the MR elements 35 and 39 (the direction of arrow 43), and the signal magnetic field from the magnetic recording medium can be detected with high sensitivity.
【００７４】なお、上記第３、第４実施例ではＴＭＲ素
子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示したが、より
一般的なＳＶＭＲ素子について同様に実現可能であるこ
とは言うまでもない。ＳＶＭＲ素子を採用するときの層
構成は第１実施例に示したものを同様に用いることがで
きる。In the third and fourth embodiments, the magnetoresistive head using the TMR element has been described. However, it goes without saying that a more general SVMR element can be similarly realized. As the layer configuration when the SVMR element is adopted, the layer configuration shown in the first embodiment can be used in the same manner.
【００７５】上述した実施例は磁気記録媒体からの信号
磁界を高感度に再生する磁気ヘッドとして説明したが、
本実施例の磁気ヘッドと従来のインダクティブ型の薄膜
ヘッドを併設すれば記録・再生ヘッドとすることができ
るのは明らかである。In the above embodiment, the magnetic head for reproducing the signal magnetic field from the magnetic recording medium with high sensitivity has been described.
It is obvious that a recording / reproducing head can be obtained by providing the magnetic head of this embodiment and the conventional inductive type thin film head together.
【００７６】ここで、実施例で示した磁気ヘッドを搭載
した磁気記録媒記録再生装置について簡単に説明する。
図８は磁気記録記録再生装置の要部を示す図である。磁
気記録記録再生装置５０には磁気記録媒体としてのハー
ドディスク５１が搭載され、回転駆動されるようになっ
ている。このハードディスク５１の表面に対向して所定
の浮上量で、例えば第１実施例のＭＲ型素子１５を読取
り側に有する複合型磁気ヘッド６０で磁気再生動作が行
われる。なお、複合型磁気ヘッド６０はアーム７０の先
端にあるスライダ７１の前端部に固定されている。複合
型磁気ヘッド６０の位置決めは、通常のアクチュエータ
と電磁式微動アクチュエータを組合せた２段式アクチュ
エータを採用できる。Here, a magnetic recording medium recording / reproducing apparatus equipped with the magnetic head shown in the embodiment will be briefly described.
FIG. 8 is a diagram showing a main part of the magnetic recording / reproducing apparatus. A hard disk 51 as a magnetic recording medium is mounted on the magnetic recording / reproducing apparatus 50 and is driven to rotate. A magnetic reproducing operation is performed by a composite magnetic head 60 having a predetermined flying height facing the surface of the hard disk 51 and having the MR element 15 of the first embodiment on the reading side, for example. The composite magnetic head 60 is fixed to the front end of a slider 71 at the end of the arm 70. For positioning of the composite magnetic head 60, a two-stage actuator combining a normal actuator and an electromagnetic fine actuator can be adopted.
【００７７】なお、本実施例の磁気ヘッドのみを用いた
磁気再生装置を形成できることは言うまでもない。It goes without saying that a magnetic reproducing apparatus using only the magnetic head of this embodiment can be formed.
【００７８】以上、本発明の好ましい例について説明を
したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるもので
はなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範
囲内において、様々な変形・変更が可能である。Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the specific embodiments, and various modifications may be made within the scope of the present invention described in the appended claims. Various modifications and changes are possible.
【００７９】[0079]
【発明の効果】以上詳述したところから明らかなよう
に、請求項１記載の発明によれば、バイアス印加層自体
が絶縁性を有しているので、磁気抵抗効果素子に対して
必要な縦バイアス磁界を印加しつつ磁気抵抗効果素子両
端部側でのリーク電流を抑制できる。よって、本発明の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体からの信号
磁界を精度よく再生することができる。As is clear from the above description, according to the first aspect of the present invention, since the bias applying layer itself has an insulating property, the necessary vertical length for the magnetoresistive effect element is obtained. It is possible to suppress a leak current at both ends of the magnetoresistive element while applying a bias magnetic field. Therefore, the magnetoresistive head of the present invention can accurately reproduce the signal magnetic field from the magnetic recording medium.
【００８０】また、請求項２記載の発明によれば、反強
磁性層が絶縁性を有しているので磁気抵抗効果素子両端
部側でのリーク電流を抑制できる。さらに、磁性層はこ
の反強磁性層に接して配置されているので交換結合作用
により一方向異方性磁界を生じる。この磁性層は安定し
た縦バイアス磁界を磁気抵抗効果素子に印加する。すな
わち、２層で形成される本バイアス印加層は絶縁性を確
保しつつ必要な縦バイアス磁界を磁気抵抗効果素子に印
加できる。According to the second aspect of the present invention, since the antiferromagnetic layer has an insulating property, it is possible to suppress a leakage current at both ends of the magnetoresistive element. Further, since the magnetic layer is disposed in contact with the antiferromagnetic layer, a unidirectional anisotropic magnetic field is generated by the exchange coupling action. This magnetic layer applies a stable longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element. That is, the main bias application layer formed of two layers can apply a necessary longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element while ensuring insulation.
【００８１】また、請求項３及び４記載の発明では反強
磁性層に絶縁性材料を用いているので、磁気抵抗効果素
子両端部側でのリーク電流を抑制できる。よって、磁性
層に導電性材料を使用することが可能となる。In the third and fourth aspects of the present invention, since the insulating material is used for the antiferromagnetic layer, the leakage current at both ends of the magnetoresistive element can be suppressed. Therefore, it is possible to use a conductive material for the magnetic layer.
【００８２】また、請求項５記載の発明によれば、絶縁
性のある反強磁性層と共に磁性層も絶縁性部材となるの
で、更に確実に磁気抵抗効果素子両端部側でのリーク電
流を抑制できる。According to the fifth aspect of the present invention, since the magnetic layer becomes an insulating member together with the insulating antiferromagnetic layer, the leakage current at both ends of the magnetoresistive element is more reliably suppressed. it can.
【００８３】また、請求項６記載の発明によれば、より
効果的に磁気抵抗効果素子両端部側でのリーク電流を抑
制しつつ、必要な縦バイアス磁界を磁気抵抗効果素子に
印加できる。According to the sixth aspect of the present invention, a necessary longitudinal bias magnetic field can be applied to the magnetoresistive element while suppressing the leak current at both ends of the magnetoresistive element more effectively.
【００８４】また、請求項７記載の発明によれば、１層
の絶縁性の酸化物系金属硬磁性膜により磁気抵抗効果素
子に対して必要な縦バイアス磁界を印加しつつ磁気抵抗
効果素子両端部側でのリーク電流を抑制できるので構成
が簡単であり、製造工程を簡素化できる。According to the seventh aspect of the present invention, both ends of the magnetoresistive element are applied while applying a necessary longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive element by a single layer of an insulating oxide-based metal hard magnetic film. Since the leakage current on the part side can be suppressed, the configuration is simple and the manufacturing process can be simplified.
【００８５】また、請求項８記載の発明によれば、効果
的な磁気抵抗効果素子への磁界の印加とリーク電流の抑
制を実現できる。According to the eighth aspect of the invention, it is possible to effectively apply a magnetic field to the magnetoresistive effect element and to suppress the leakage current.
【００８６】また、請求項９記載の発明によれば、従来
の製造ラインを用いて高感度な磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを得ることができる。According to the ninth aspect of the present invention, a high-sensitivity magnetoresistive head can be obtained using a conventional manufacturing line.
【００８７】また、請求項１０記載の発明によれば、磁
気記録媒体からの信号磁界を精度よく再生することがで
きる磁気再生装置として提供することができる。According to the tenth aspect of the present invention, it is possible to provide a magnetic reproducing apparatus capable of reproducing a signal magnetic field from a magnetic recording medium with high accuracy.
【図１】図１は磁気記録媒体側から見た、従来の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの概要構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional magnetoresistive head as viewed from a magnetic recording medium side.
【図２】図２は磁気記録媒体側から見た、従来あった他
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの概要構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of another conventional magnetoresistance effect type magnetic head as viewed from the magnetic recording medium side.
【図３】図３は、磁気記録媒体側から見た、第１実施例
の磁気ヘッドの概要構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of a magnetic head according to a first embodiment as viewed from a magnetic recording medium side;
【図４】図４は、図３に示した磁気ヘッド１０を製造す
るめの成膜工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a film forming process for manufacturing the magnetic head 10 shown in FIG.
【図５】図５は、磁気記録媒体側から見た、第２実施例
の磁気ヘッドの概要構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a schematic configuration of a magnetic head according to a second embodiment as viewed from a magnetic recording medium side;
【図６】図６は、磁気記録媒体側から見た、第３実施例
の磁気ヘッドの概要構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a schematic configuration of a magnetic head according to a third embodiment, as viewed from a magnetic recording medium side;
【図７】図７は、磁気記録媒体側から見た、第４実施例
の磁気ヘッドの概要構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a schematic configuration of a magnetic head according to a fourth embodiment as viewed from a magnetic recording medium side;
【図８】図８は本発明の磁気ヘッドを採用した磁気記録
記録再生装置の要部を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a main part of a magnetic recording / reproducing apparatus employing the magnetic head of the present invention.
１０ 磁気ヘッド １１ 上部シールド部材 １２ 下部シールド部材 １３ 上部ギャップ部材 １４ 下部ギャップ部材 １５ ＭＲ素子 １７、１８ 縦バイアス印加層 １７ 反強磁性層 １８ 磁性層 ３０ 磁気ヘッド ３１ 上部シールド部材 ３２ 下部シールド部材 ３３ 上部ギャップ部材 ３４ 下部ギャップ部材 ３５ ＭＲ素子（ＴＭＲ素子） ３７ 縦バイアス印加層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Magnetic head 11 Upper shield member 12 Lower shield member 13 Upper gap member 14 Lower gap member 15 MR element 17, 18 Vertical bias application layer 17 Antiferromagnetic layer 18 Magnetic layer 30 Magnetic head 31 Upper shield member 32 Lower shield member 33 Upper part Gap member 34 Lower gap member 35 MR element (TMR element) 37 Vertical bias applying layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 順一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AB07 AD54 5D034 BA03 BA04 BA12 BA15 BB08 CA08 5E049 AB03 AB09 AB10 BA12 CB01 CC08 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Ito 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (reference) 2G017 AA01 AB07 AD54 5D034 BA03 BA04 BA12 BA15 BB08 CA08 5E049 AB03 AB09 AB10 BA12 CB01 CC08
Claims (10)
料で形成された上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材
と、 上記上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれ
に上記磁気抵抗効果素子側とは反体側で接する、導電性
材料で形成された上部シールド部材及び下部シールド部
材と、 上記磁気抵抗効果素子の左右両端部側に、該磁気抵抗効
果素子に縦バイアス磁界を印加するための絶縁性のバイ
アス印加層とを有する、 磁気抵抗効果型磁気ヘッド。A magnetoresistive element; an upper gap member and a lower gap member formed of a conductive material in contact with upper and lower sides of the magnetoresistive effect element; An upper shield member and a lower shield member made of a conductive material, which are in contact with the resistance effect element side on the opposite side, and apply a longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistance effect element on both left and right end sides of the magnetoresistance effect element A magnetoresistive magnetic head having an insulating bias application layer for performing the operation.
層と、該反強磁性層に接する磁性層とを含む、 ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。2. The magnetoresistive head according to claim 1, wherein the bias applying layer includes an insulating antiferromagnetic layer and a magnetic layer in contact with the antiferromagnetic layer.
積層した積層体である、 ことを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。3. The magnetoresistive head according to claim 2, wherein the antiferromagnetic layer is a single-layer body or a stacked body in which a plurality of layers are stacked.
型磁気ヘッド。4. The magnetoresistive magnetic head according to claim 2, wherein the magnetic layer is a conductive member.
型磁気ヘッド。5. The magnetoresistive head according to claim 2, wherein the magnetic layer is an insulating member.
ト（ＣｏＦｅ2Ｏ4）、バリウムフェライト（ＢａＯ・６
Ｆｅ2Ｏ3）、コバルト−白金−酸化ケイ素（ＣｏＰｔ−
ＳｉＯ2）及びフェライト系金属（ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3、Ｍ
Ｏは酸化金属を示し、Ｍは任意の金属である）からなる
群から選択されたいずれか１つの酸化物系金属硬磁性膜
である、 ことを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。6. The insulating member is made of cobalt ferrite (CoFe 2 O 4 ), barium ferrite (BaO · 6).
Fe 2 O 3 ), cobalt-platinum-silicon oxide (CoPt-
SiO 2 ) and ferritic metals (MO.Fe 2 O 3 , M
O is a metal oxide, and M is any metal), and is any one of oxide-based metal hard magnetic films selected from the group consisting of: Type magnetic head.
性膜である、 ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。7. The magnetoresistive head according to claim 1, wherein the bias applying layer is an oxide-based metal hard magnetic film.
Ｘフェライト（ＣｏＸＦｅ2Ｏ4、ＸはＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ
及びＧａからなる群から選択されるいずれか１つ）であ
る、 ことを特徴とする請求項７に記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。8. The oxide-based metal hard magnetic film is made of cobalt X ferrite (CoXFe 2 O 4 , where X is Cu, Zn, Sn
And any one selected from the group consisting of Ga and Ga). The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 7, wherein
型の磁気抵抗効果素子又はトンネル型の磁気抵抗効果素
子である、 ことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。9. The magnetoresistive element according to claim 1, wherein the magnetoresistive element is a spin-valve magnetoresistive element or a tunnel magnetoresistive element. Type magnetic head.
気抵抗効果型磁気ヘッドを有する、磁気再生装置。10. A magnetic reproducing apparatus comprising the magneto-resistance effect type magnetic head according to claim 1.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000247058A JP2001229515A (en) | 1999-12-07 | 2000-08-16 | Magneto-resistive magnetic head and magnetic reproducing device using the same |
| US09/826,053 US6721147B2 (en) | 1999-12-07 | 2001-04-04 | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34814999 | 1999-12-07 | ||
| JP11-348149 | 1999-12-07 | ||
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Publications (1)
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|---|---|
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ID=26578689
Family Applications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2001229515A (en) |
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