JP2001211061A - Photoelectricity converting circuit - Google Patents
Photoelectricity converting circuitInfo
- Publication number
- JP2001211061A JP2001211061A JP2000016481A JP2000016481A JP2001211061A JP 2001211061 A JP2001211061 A JP 2001211061A JP 2000016481 A JP2000016481 A JP 2000016481A JP 2000016481 A JP2000016481 A JP 2000016481A JP 2001211061 A JP2001211061 A JP 2001211061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- transistor
- circuit
- photoelectric conversion
- source follower
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おける光電気変換回路に係り、特に後段に接続される回
路インターフェースに整合するレファレンス信号レベル
の自動設定を可能にする技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion circuit in a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a technique for enabling automatic setting of a reference signal level matching a circuit interface connected to a subsequent stage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光電気変換回路の回路構成例を図
６に示す。この回路は一端がグランドに接続された抵抗
ＲＬ５と、カソードがその抵抗ＲＬ５の他端に接続され
アノードがバイアス端子１１に接続されたフォトダイオ
ードＰＤ３とからなり、該フォトダイオードＰＤ３のカ
ソードに出力端子１２が接続されたものである。バイア
ス端子１１には負のバイアス電圧Ｖｂが印加される。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a circuit configuration example of a conventional photoelectric conversion circuit. This circuit comprises a resistor RL5 having one end connected to the ground, a photodiode PD3 having a cathode connected to the other end of the resistor RL5 and an anode connected to the bias terminal 11, and an output terminal connected to the cathode of the photodiode PD3. 12 is connected. A negative bias voltage Vb is applied to the bias terminal 11.
【０００３】本回路の動作について図７を用いて説明す
る。図７において横軸は時間であり、縦軸は出力端子１
２での電圧値である。フォトダイオードＰＤ３では入射
された光信号の強度に応じて光電流Ｉｐが生成されるた
め、抵抗ＲＬ５の抵抗値と光電流Ｉｐの電流値の積に対
応する電圧Ｖoutが出力端子１２に出力される。なお、
図７では入力光信号強度に応じて出力電圧、、の
変化の様子を時間軸を少しづつづらせて表している。The operation of this circuit will be described with reference to FIG. 7, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents output terminal 1.
2 is the voltage value. In the photodiode PD3, a photocurrent Ip is generated in accordance with the intensity of the incident optical signal. Therefore, a voltage Vout corresponding to the product of the resistance value of the resistor RL5 and the current value of the photocurrent Ip is output to the output terminal 12. . In addition,
In FIG. 7, the state of the change of the output voltage according to the input optical signal intensity is shown by gradually spelling the time axis.
【０００４】光通信用受信回路においては、入力される
光信号が微弱であるため、出力端子１２の後段には電気
回路による増幅器が接続され、そこで所望のレベルの電
圧まで増幅されるのが一般的である。本回路構成おい
て、広帯域動作を保証するためには抵抗ＲＬ５の値を小
さくする必要があり、一般に低インビーダンス型の光電
気変換回路と呼ばれている（例えば、K.Pederotti,"Hig
h Speed Circuits forLightwave Communication,"Inte
rnational Journal of High Speed Electronicsanｄ Sy
stems,vol.9,no.2,pp.1-34,1998.)。In an optical communication receiving circuit, since an input optical signal is weak, an amplifier by an electric circuit is connected to a stage subsequent to the output terminal 12, and the voltage is amplified to a desired level there. It is a target. In this circuit configuration, it is necessary to reduce the value of the resistor RL5 in order to guarantee a wide band operation, and it is generally called a low impedance type photoelectric conversion circuit (for example, K. Pederotti, "Hig"
h Speed Circuits for Lightwave Communication, "Inte
rnational Journal of High Speed Electronics and Sy
stems, vol. 9, no. 2, pp. 1-34, 1998.).
【０００５】光受信器を構成する場合、光電気変換回路
の後段には電圧信号を増幅する目的で電圧増幅器が接続
されるのが一般的である。また、近年では、高飽和出力
のフォトダイオードを用いて光電気変換回路が高速のデ
ィジタル回路に直結される受信器構成も提案されている
（例えば、Y.Miyamoto,et.al.,"40 Gbit/s high sensit
ivity optical receiver with uni-traveling-carrier
photodiode acting asdecision IC driver,"IEE Electr
on.Lett.,vol.34,no.2,pp.214-215,1998.)。When an optical receiver is configured, a voltage amplifier is generally connected to a stage subsequent to the photoelectric conversion circuit for the purpose of amplifying a voltage signal. In recent years, a receiver configuration in which a photoelectric conversion circuit is directly connected to a high-speed digital circuit using a photodiode having a high saturation output has been proposed (for example, Y. Miyamoto, et.al., "40 Gbit"). / s high sensit
ivity optical receiver with uni-traveling-carrier
photodiode acting asdecision IC driver, "IEE Electr
on. Lett., vol. 34, no. 2, pp. 214-215, 1998.).
【０００６】いずれの構成においても、光受信回路では
広帯域/高感度特性が要求される。この目的のために動
作速度がＧbit/sを超える光受信回路では、光電気変換
回路の後段に接続される増幅器あるいはディジタル回路
に差動回路構成が採用されるのが一般的である。In any of the configurations, the optical receiving circuit is required to have a wide band / high sensitivity characteristic. For this purpose, in an optical receiving circuit having an operation speed exceeding Gbit / s, a differential circuit configuration is generally adopted for an amplifier or a digital circuit connected to the subsequent stage of the photoelectric conversion circuit.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、差動回路を
駆動するためには、光電気変換回路の出力信号の他にレ
ファレンスレベル（「０」、「１」を識別するためのレ
ベル）となるバイアス電圧あるいは出力信号の補信号が
必要となる。従来の光電気変換回路構成においては、単
相信号のみが出力されるため、差動回路を駆動するため
には外部からレファレンス電位を与える必要があった。However, in order to drive the differential circuit, a reference level (a level for discriminating "0" and "1") is required in addition to the output signal of the photoelectric conversion circuit. A bias voltage or a complementary signal of the output signal is required. In the conventional photoelectric conversion circuit configuration, since only a single-phase signal is output, it was necessary to externally apply a reference potential to drive the differential circuit.
【０００８】さらに、図７に示すように、光入力信号の
強度に応じて後段回路に対する最適なレファレンスレベ
ルがＶref１、Ｖref２、Ｖref３と変動するために、独
立に外部から当該電位レベルを調整する必要があった。Further, as shown in FIG. 7, since the optimum reference level for the subsequent circuit fluctuates from Vref1, Vref2, Vref3 according to the intensity of the optical input signal, it is necessary to independently adjust the potential level from the outside. was there.
【０００９】このように、従来の光電気変換回路では、
入力信号強度に応じたレファレンス調整が要求されるた
め、実際の伝送システムヘの適用は困難であった。さら
に、入力光強度の変動に対するマージンが乏しいという
欠点があった。As described above, in the conventional photoelectric conversion circuit,
Since reference adjustment according to the input signal strength is required, application to an actual transmission system has been difficult. Further, there is a disadvantage that a margin for a change in input light intensity is poor.
【００１０】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、光入力強度に依存
せず後段に接続される差動回路に必要とされるレファレ
ンス信号レベルの自動設定が可能な光電気変換回路を提
供することである。The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to reduce the reference signal level required for a differential circuit connected to a subsequent stage without depending on the optical input intensity. An object of the present invention is to provide a photoelectric conversion circuit capable of automatic setting.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに第１の発明は、フォトダイオード、該フォトダイオ
ードのカソードと高電位電源端子との間に接続された第
１の抵抗、前記フォトダイオードのアノードと低電位電
源端子との間に接続された第２の抵抗、前記フォトダイ
オードに並列接続された第３の抵抗、および前記第２の
抵抗に並列接続された容量を有する光電気変換部と、該
光電気変換部の構成から前記容量を取り外した構成を有
するレベル発生部と、ソースフォロアトランジスタおよ
び電流源トランジスタを有する第１、第２のソースフォ
ロア回路とを具備し、前記光電気変換回路の前記フォト
ダイオードのカソードが前記第１のソースフォロア回路
の前記ソースフォロアトランジスタのゲートに接続さ
れ、前記光電気変換回路の前記フォトダイオードのアノ
ードが前記第２のソースフォロア回路の前記電流源トラ
ンジスタのゲートに接続され、前記レベル発生部の前記
フォトダイオードのカソードが前記第２のソースフォロ
ア回路の前記ソースフォロアトランジスタのゲートに接
続され、前記レベル発生部の前記フォトダイオードのア
ノードが前記第１のソースフォロア回路の前記電流源ト
ランジスタのゲートに接続され、前記光電気変換部の前
記フォトダイオードに光信号が入力され、前記第１のソ
ースフォロア回路の前記ソースフォロアトランジスタの
ソースから出力信号を取り出し、前記第２のソースフォ
ロア回路の前記ソースフォロアトランジスタのソースか
らレファレンス信号を取り出すように構成した。According to a first aspect of the present invention, there is provided a photodiode, a first resistor connected between a cathode of the photodiode and a high potential power supply terminal, A second resistor connected between the anode of the diode and the low potential power supply terminal, a third resistor connected in parallel with the photodiode, and a photoelectric converter having a capacitor connected in parallel with the second resistor; A level generating unit having a configuration in which the capacitance is removed from the configuration of the photoelectric conversion unit; and first and second source follower circuits having a source follower transistor and a current source transistor. A cathode of the photodiode of the conversion circuit is connected to a gate of the source follower transistor of the first source follower circuit; The anode of the photodiode of the path is connected to the gate of the current source transistor of the second source follower circuit, and the cathode of the photodiode of the level generator is connected to the source follower transistor of the second source follower circuit. Connected to a gate, an anode of the photodiode of the level generating unit is connected to a gate of the current source transistor of the first source follower circuit, and an optical signal is input to the photodiode of the photoelectric conversion unit; An output signal is extracted from the source of the source follower transistor of the first source follower circuit, and a reference signal is extracted from the source of the source follower transistor of the second source follower circuit.
【００１２】第２の発明は、フォトダイオード、該フォ
トダイオードのカソードと高電位電源端子との間に接続
された第１の抵抗、前記フォトダイオードのアノードと
低電位電源端子との間に接続された第２の抵抗、前記フ
ォトダイオードに並列接続された第３の抵抗、および前
記第２の抵抗に並列接続された容量を有する光電気変換
部と、該光電気変換部の構成から前記容量を取り外した
構成を有するレベル発生部と、一対の差動接続のトラン
ジスタを有する差動増幅器とを有し、前記差動接続の一
方のトランジスタのゲートに前記光電気変換部の前記フ
ォトダイオードのアノードが接続され、該一方のトラン
ジスタのドレインに前記レベル発生部の前記フォトダイ
オードのカソードが接続され、前記前記差動接続の他方
のトランジスタのゲートに前記レベル発生部の前記フォ
トダイオードのアノードが接続され、該他方のトランジ
スタのドレインに前記光電気変換部の前記フォトダイオ
ードのカソードが接続され、前記光電気変換部の前記フ
ォトダイオードに光信号を入力し、前記光電気変換部の
前記フォトダイオードのカソードから出力信号を取り出
し、前記レベル発生部の前記フォトダイオードのカソー
ドからレファレンス信号を取り出すよう構成した。According to a second aspect of the present invention, there is provided a photodiode, a first resistor connected between a cathode of the photodiode and a high potential power supply terminal, and a photodiode connected between an anode of the photodiode and a low potential power supply terminal. A photoelectric converter having a second resistor, a third resistor connected in parallel to the photodiode, and a capacitor connected in parallel to the second resistor; and A level generator having a detached configuration, and a differential amplifier having a pair of differentially connected transistors, wherein the anode of the photodiode of the photoelectric conversion unit is connected to the gate of one of the transistors of the differential connection. Connected to the drain of the one transistor, the cathode of the photodiode of the level generating section is connected, and the other transistor of the differential connection The anode of the photodiode of the level generating unit is connected to the gate, the cathode of the photodiode of the photoelectric conversion unit is connected to the drain of the other transistor, and the photodiode of the photoelectric conversion unit is connected to the photodiode. A signal is input, an output signal is extracted from the cathode of the photodiode of the photoelectric conversion unit, and a reference signal is extracted from the cathode of the photodiode of the level generation unit.
【００１３】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、前記各トランジスタをバイポーラトランジスタとし
た。In a third aspect based on the first or second aspect, each of the transistors is a bipolar transistor.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明では、光受信フォトダイオ
ードの両端に負荷抵抗を接続した光電気変換部と、その
光電気変換部と類似のレベル変換部と、ソースフォロア
回路あるいは差動増幅器からなるレファレンス電位自動
調整部を設ける。そして、光受信することにより光電気
変換部の光受信フォトダイオードの両端に接続された各
抵抗に発生する差動電圧の一方の電圧を信号出力電圧と
し、他方の電圧を積分することによりレファレンス電圧
とし、このレファレンス電圧を後段のソースフォロア回
路あるいは差動増幅器に送り、前記信号出力電圧の中心
の電圧レベルに精度良く変換する。これにより、従来技
術では不可能であったレファレンス電位の自動調整を可
能とする。以下、詳しく説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a photo-electric conversion unit in which a load resistor is connected to both ends of an optical receiving photodiode, a level conversion unit similar to the photo-electric conversion unit, a source follower circuit or a differential amplifier. A reference potential automatic adjustment unit is provided. Then, by receiving light, one of the differential voltages generated at each resistor connected to both ends of the light receiving photodiode of the photoelectric conversion unit is set as a signal output voltage, and the other voltage is integrated to set a reference voltage. The reference voltage is sent to a subsequent source follower circuit or a differential amplifier, and is accurately converted to a voltage level at the center of the signal output voltage. This enables automatic adjustment of the reference potential, which was impossible with the prior art. The details will be described below.
【００１５】［第１の実施形態］図１は本発明による第
１の実施形態の光電気変換回路の回路図である。この回
路において、１光電気変換部、２はレベル発生部、３，
４は第１，第２のソースフォロア回路である。[First Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram of a photoelectric conversion circuit according to a first embodiment of the present invention. In this circuit, 1 photoelectric conversion unit, 2 is a level generation unit,
Reference numeral 4 denotes first and second source follower circuits.
【００１６】光電気変換部１は、受光素子としてのフォ
トダイオードＰＤ１と、そのフォトダイオードＰＤ１の
カソードとグランド（高電位電源端子）との間に接続さ
れた負荷用の第１の抵抗ＲＬ１と、フォトダイオードＰ
Ｄ１のアノードと低電位電源端子５の間に接続された負
荷用の第２の抵抗ＲＬ２と、フォトダイオードＰＤ１に
並列に接続されたフォトダイオードバイアス用の第３の
抵抗Ｒｐｄ１と、抵抗ＲＬ２に並列に接続された積分用
の容量Ｃｐからなる。The photoelectric conversion unit 1 includes a photodiode PD1 as a light receiving element, a load first resistor RL1 connected between the cathode of the photodiode PD1 and ground (high-potential power supply terminal), Photodiode P
A second resistor RL2 for the load connected between the anode of D1 and the low potential power supply terminal 5, a third resistor Rpd1 for the photodiode bias connected in parallel with the photodiode PD1, and a parallel connection with the resistor RL2. Is connected to the integrating capacitor Cp.
【００１７】レベル発生部２は、光を受光させないフォ
トダイオードＰＤ２と、そのフォトダイオードＰＤ２の
カソードとグランドとの間に接続された負荷用の第４の
抵抗ＲＬ３と、フォトダイオードＰＤ２のアノードと低
電位電源端子５の間に接続された負荷用の第５の抵抗Ｒ
Ｌ４と、フォトダイオードＰＤ２に並列に接続されたフ
ォトダイオードバイアス用の第６の抵抗Ｒｐｄ２とから
なる。このレベル発生部２は、光電気変換部１の構成か
ら容量Ｃｐを取り外した構成と同じである。The level generating section 2 includes a photodiode PD2 that does not receive light, a fourth resistor RL3 for load connected between the cathode of the photodiode PD2 and the ground, and a low level resistor connected to the anode of the photodiode PD2. Fifth resistor R for load connected between potential power supply terminals 5
L4, and a sixth photodiode bias resistor Rpd2 connected in parallel with the photodiode PD2. The level generator 2 has the same configuration as that of the photoelectric converter 1 except that the capacitor Cp is removed.
【００１８】第１のソースフォロア回路３はソースフォ
ロアトランジスタＸＦ１と電流源トランジスタＸＦ２か
らなり、第２のソースフォロア回路４はソースフォロア
トランジスタＸＦ３と電流源トランジスタＸＦ４からな
る。７は信号電圧Ｖoutの出力端子、８はレファレンス
信号電圧Ｖrefの出力端子である。The first source follower circuit 3 comprises a source follower transistor XF1 and a current source transistor XF2, and the second source follower circuit 4 comprises a source follower transistor XF3 and a current source transistor XF4. 7 is an output terminal for the signal voltage Vout, and 8 is an output terminal for the reference signal voltage Vref.
【００１９】第１のソースフォロア回路３において、そ
のトランジスタＸＦ１のゲートはフォトダイオードＰＤ
１のカソード（ノードＡ）に接続され、トランジスタＸ
Ｆ２のゲートはフォトダイオードＰＤ２のアノード（ノ
ードＤ）に接続される。また、第２のソースフォロア回
路４において、そのトランジスタＸＦ３のゲートはフォ
トダイオードＰＤ２のカソード（ノードＣ）に接続さ
れ、トランジスタＸＦ４のゲートはフォトダイオードＰ
Ｄ１のカソード（ノードＢ）に接続される。In the first source follower circuit 3, the gate of the transistor XF1 is connected to the photodiode PD.
1 (node A) and the transistor X
The gate of F2 is connected to the anode (node D) of photodiode PD2. In the second source follower circuit 4, the gate of the transistor XF3 is connected to the cathode (node C) of the photodiode PD2, and the gate of the transistor XF4 is connected to the photodiode P2.
Connected to the cathode of D1 (node B).
【００２０】光信号は光電気変換部１のフォトダイオー
ドＰＤ１に照射され、出力電気信号Ｖoutはトランジス
タＸＦ１のソースから出力端子７に出力され、レファレ
ンス信号ＶrefはトランジスタＸＦ３のソースからレフ
ァレンス出力端子８に出力される。The light signal is applied to the photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1, the output electric signal Vout is outputted from the source of the transistor XF1 to the output terminal 7, and the reference signal Vref is sent from the source of the transistor XF3 to the reference output terminal 8. Is output.
【００２１】ここで、レベル発生部２での各ノードＣ，
Ｄの電位Ｖｃ、Ｖｄは、光信号が入力されない場合の光
電気変換部１において、各々対応する各ノードＡ，Ｂの
電位Ｖａ，Ｖｂと一致させ、Ｖｃ＝Ｖａ，Ｖｄ＝Ｖｂと
する必要がある。従って、抵抗ＲＬ１〜ＲＬ４、Ｒｐｄ
１，Ｒｐｄ２の抵抗値は、ＲＬ１＝ＲＬ３，ＲＬ２＝Ｒ
Ｌ４，Ｒｐｄ１＝Ｒｐｄ２に設計しなければならない。
また、レベル発生部２のフォトダイオードＰＤ２は光電
気変換部１のフォトダイオードＰＤ１の光非照射時の抵
抗分を補償するために挿入されるもので、そのサイズは
フォトダイオードＰＤ１と同一である。Here, each node C,
The potentials Vc and Vd of D must be matched with the potentials Va and Vb of the corresponding nodes A and B in the photoelectric conversion unit 1 when no optical signal is input, and Vc = Va and Vd = Vb. is there. Therefore, the resistances RL1 to RL4, Rpd
1, Rpd2 are RL1 = RL3, RL2 = R
L4, Rpd1 = Rpd2.
The photodiode PD2 of the level generator 2 is inserted to compensate for the resistance of the photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1 when light is not irradiated, and has the same size as the photodiode PD1.
【００２２】本回路の動作について図２を用いて説明す
る。図２において横軸は時間、縦軸は図１中の各ノード
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのレベ
ル、出力端子７，８の電圧Ｖout、Ｖrefのレベルであ
る。また、動作の説明を簡単にするために抵抗ＲＬ１、
ＲＬ２、ＲＬ３、ＲＬ４の抵抗値は全て等しいとする。The operation of the circuit will be described with reference to FIG. 2, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the levels of the voltages Va, Vb, Vc, Vd of the nodes A, B, C, D in FIG. 1, and the levels of the voltages Vout, Vref of the output terminals 7, 8. . Further, in order to simplify the description of the operation, the resistors RL1,
It is assumed that the resistance values of RL2, RL3, and RL4 are all equal.
【００２３】まず、光電気変換部１とレベル発生部２の
動作について説明する。光電気変換部１において、フォ
トダイオードＰＤ１では入射された光信号の強度に比例
して光電流Iｐが生成される。これによって、ノードＡ
には、抵抗ＲＬ１の抵抗値と光電流Iｐの電流値の積に
対応する振幅の電圧Ｖａが発生する。First, the operation of the photoelectric conversion unit 1 and the level generation unit 2 will be described. In the photoelectric conversion unit 1, the photodiode PD1 generates a photocurrent Ip in proportion to the intensity of the incident optical signal. As a result, node A
Generates a voltage Va having an amplitude corresponding to the product of the resistance value of the resistor RL1 and the current value of the photocurrent Ip.
【００２４】しかしながらノードＢには、容量Ｃｐが並
列に接続されているために発生する電圧Ｖｂ（電圧Ｖａ
と逆相）が積分されるので、入力信号のマーク率（光信
号が０である確率と１である確率）が1/2の場合には、
その電圧ＶｂはちょうどノードＡで発生された信号電圧
Ｖａの中心レベルに相当する電圧となる。この値の電圧
Ｖｂは光電気変換部１と同一回路構成を有するレベル発
生部２のノードＤの電圧Ｖｄと比較すると、ΔＶだけ高
い電位となる。However, a voltage Vb (voltage Va) generated because the capacitor Cp is connected in parallel is connected to the node B.
When the mark ratio (the probability that the optical signal is 0 and the probability that the optical signal is 1) of the input signal is 1/2,
The voltage Vb is a voltage corresponding to the center level of the signal voltage Va generated at the node A. The voltage Vb of this value becomes higher by ΔV than the voltage Vd of the node D of the level generator 2 having the same circuit configuration as the photoelectric converter 1.
【００２５】ここで、この電位ΔＶは光電流Iｐと抵抗
ＲＬ１の積（＝Ｖａ）の半分の値であり、入力される光
信号の強度に比例することになり、例えばより大きな光
電流Iｐ’（Ｉｐ’＞Ｉｐ）に対しては図中に示すよう
に電位ΔＶ’（ΔＶ’＞ΔＶ）となる。ただし、電位Δ
Ｖ’は光電流Iｐ’と抵抗ＲＬ１の積の半分の値であ
る。ここで注意したいのは、先にも述べた様にマーク率
が1/2である場合には、ΔＶあるいはΔＶ’は常に光電
気変換部１の出力であるノードＡでの電圧Ｖａの振幅の
中心レベルに相当する電圧となるということである。Here, the potential ΔV is half the value of the product (= Va) of the photocurrent Ip and the resistance RL1, and is proportional to the intensity of the input optical signal. For example, a larger photocurrent Ip ′ For (Ip ′> Ip), the potential becomes ΔV ′ (ΔV ′> ΔV) as shown in the figure. Where the potential Δ
V 'is a half value of the product of the photocurrent Ip' and the resistance RL1. It should be noted here that when the mark ratio is 1/2 as described above, ΔV or ΔV ′ is always the amplitude of the voltage Va at the node A which is the output of the photoelectric conversion unit 1. That is, the voltage corresponds to the center level.
【００２６】一方、ノードＣの電圧Ｖｃについては、レ
ベル発生部２と光電気変換部１の回路構成が同一である
ことから、ノードＡに出力される電圧Ｖａのハイレベル
と同一の電圧レベルとなる。On the other hand, the voltage Vc of the node C has the same voltage level as the high level of the voltage Va output to the node A since the level generator 2 and the photoelectric converter 1 have the same circuit configuration. Become.
【００２７】以上まとめると、ノードＡには光電流Ｉｐ
と抵抗ＲＬ１の積に対応する信号電圧Ｖａが出力され、
ノードＣにはノードＡのハイレベルに相当するレベルの
電圧Ｖｃが出力される。またノードＢにはノードＤのレ
ベルの電圧Ｖｄに対してノードＡに出力される信号Ｖａ
の中心レベルに相当する電圧レベルΔＶだけ高い電圧レ
ベルが出力される。In summary, the node A has a photocurrent Ip
And a signal voltage Va corresponding to the product of RL1 and the resistance RL1,
A voltage Vc at a level corresponding to the high level of the node A is output to the node C. Further, a signal Va output to the node A with respect to the voltage Vd at the level of the node D is applied to the node B.
Is output at a voltage level higher by a voltage level ΔV corresponding to the center level of.
【００２８】次にソースフォロア回路３，４の動作につ
いて説明する。第１のソースフォロア回路３では各々の
トランジスタＸＦ１，ＸＦ２のゲートにノードＡ，Ｄの
電圧Ｖａ，Ｖｄが入力される。先にも述べたように、ノ
ードＤの電圧Ｖｄの値は光入力信号とは全く関係のない
定電圧である。いま、トランジスタＸＦ２のソース電圧
とノードＤの電圧Ｖｄが等しい（トランジスタＸＦ２の
ゲート・ソース間接続）とすると、トランジスタＸＦ１
のソース電位とゲート電位とは等しくなり、出力端子７
にはノードＡの電圧Ｖａと同一レベルの信号が出力され
ることとなる。Next, the operation of the source follower circuits 3 and 4 will be described. In the first source follower circuit 3, the voltages Va and Vd of the nodes A and D are input to the gates of the transistors XF1 and XF2. As described above, the value of the voltage Vd at the node D is a constant voltage that has no relation to the optical input signal. Now, assuming that the source voltage of the transistor XF2 is equal to the voltage Vd of the node D (the gate-source connection of the transistor XF2).
Of the output terminal 7 becomes equal to the source potential of the
Output a signal of the same level as the voltage Va of the node A.
【００２９】一方、第２のソースフォロア回路４では各
々のトランジスタＸＦ３，ＸＦ４のゲートにはノード
Ｃ，Ｂの電圧Ｖｃ、Ｖｂが入力される。トランジスタＸ
Ｆ４のゲート電位Ｖｂは先にも述べたようにソース電位
（＝Ｖｄ）よりもΔＶだけ高くなる。ソースフォロア回
路ではトランジスタのゲート・ソース間電位は常に等し
くなるように動作するために、トランジスタＸＦ３のソ
ース電位（Ｖref）はノードＣの電位ＶｃよりもΔＶだ
け低い方にレベルシフトした電圧を出力することにな
る。On the other hand, in the second source follower circuit 4, the voltages Vc and Vb of the nodes C and B are input to the gates of the transistors XF3 and XF4. Transistor X
As described above, the gate potential Vb of F4 is higher than the source potential (= Vd) by ΔV. Since the source follower circuit operates so that the potential between the gate and the source of the transistor always becomes equal, the source potential (Vref) of the transistor XF3 outputs a voltage level-shifted by ΔV lower than the potential Vc of the node C. Will be.
【００３０】従って、出力信号Ｖoutおよびレファレン
ス信号Ｖrefは図２に示すようになり、レファレンス信
号Ｖrefは入力される光信号の強度にかかわらず常に出
力信号Ｖoutの中心レベルを出力することになる。Accordingly, the output signal Vout and the reference signal Vref are as shown in FIG. 2, and the reference signal Vref always outputs the center level of the output signal Vout regardless of the intensity of the input optical signal.
【００３１】本実施形態について、光信号強度変動に対
する耐性ついて考察する。本回路構成において光信号強
度変動に対する耐性は、ΔＶの大きさをどこまで許容で
きるかという問題に置き換えることができる。ソースフ
ォロア回路を使った本実施形態で許容できるΔＶの大き
さは、ＦＥＴの直流特性でほぼ決定されるが、ショット
キゲートを用いたＦＥＴにおいて十分な高周波特性を確
保しようとした場合には、最大約0.4Ｖ程度となる。い
ま、抵抗ＲＬ１を５０Ωとして光電流を計算すると１６
ｍＡ程度となる。つまり、本回路構成によれば、微弱な
光電流から１６ｍＡ程度の大きな光電流に対しても動作
可能であり、光受信器のダイナミックレンジの拡大に大
きく貢献できることがわかる。In this embodiment, consideration will be given to the resistance to fluctuations in optical signal intensity. In this circuit configuration, the resistance to the fluctuation of the optical signal intensity can be replaced by the problem of how much the magnitude of ΔV can be tolerated. The magnitude of ΔV that can be tolerated in the present embodiment using the source follower circuit is substantially determined by the DC characteristics of the FET. However, if an attempt is made to ensure sufficient high-frequency characteristics in the FET using the Schottky gate, the maximum It is about 0.4V. Now, when the photocurrent is calculated by setting the resistance RL1 to 50Ω, 16
mA. That is, according to the present circuit configuration, it is possible to operate even from a small photocurrent to a large photocurrent of about 16 mA, and it can be seen that it can greatly contribute to expansion of the dynamic range of the optical receiver.
【００３２】このように、本実施形態によれば外部から
の調整無しに、入力される光信号の強度にかかわらず常
に光電気変換回路のレファレンス出力レベルを後段の差
動回路に最適なレベルに整合させることが可能である。
また、入力される光信号強度変動に対しても十分大きな
マージンを確保することができ、光受信器のダイナミッ
クレンジの拡大に大きく寄与することが可能となる。As described above, according to the present embodiment, the reference output level of the photoelectric conversion circuit is always adjusted to an optimum level for the subsequent-stage differential circuit regardless of the intensity of the input optical signal without any external adjustment. It is possible to match.
In addition, a sufficiently large margin can be secured for fluctuations in the input optical signal strength, which can greatly contribute to expansion of the dynamic range of the optical receiver.
【００３３】［第２の実施形態］図３は本発明による第
２の実施形態の光電気変換回路の回路図である。この回
路において、光電気変換部１とレベル発生部２は図１に
示したものと同じである。９は差動増幅器であり、差動
接続のトランジスタＸＦ５，ＸＦ６と、電流源トランジ
スタＸＦ７から構成されている。[Second Embodiment] FIG. 3 is a circuit diagram of a photoelectric conversion circuit according to a second embodiment of the present invention. In this circuit, the photoelectric conversion unit 1 and the level generation unit 2 are the same as those shown in FIG. Reference numeral 9 denotes a differential amplifier, which is composed of differentially connected transistors XF5 and XF6 and a current source transistor XF7.
【００３４】光電気変換部１のフォトダイオードＰＤ１
のアノード（ノードＢ）は差動増幅器９のトランジスタ
ＸＦ５のゲートに入力され、当該トランジスタＸＦ５の
ドレインはレベル発生部２のフォトダイオードＰＤ２の
カソード（ノードＣ）に接続される。また、レベル発生
部２のフォトダイオードＰＤ２のアノード（ノードＤ）
は差動増幅器９のトランジスタＸＦ６のゲートに入力さ
れ、当該トランジスタＸＦ６のドレインは光電気変換部
１のフォトダイオードＰＤ１のカソード（ノードＡ）に
接続される。光信号は光電気変換部１のフォトダイオー
ドＰＤ１に照射され、出力電気信号Ｖoutならびにレフ
ァレンス電気信号ＶrefはトランジスタＸＦ６のドレイ
ンおよびＸＦ５のドレインから出力される。The photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1
(Node B) of the differential amplifier 9 is input to the gate of the transistor XF5, and the drain of the transistor XF5 is connected to the cathode (node C) of the photodiode PD2 of the level generator 2. Also, the anode (node D) of the photodiode PD2 of the level generator 2
Is input to the gate of the transistor XF6 of the differential amplifier 9, and the drain of the transistor XF6 is connected to the cathode (node A) of the photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1. The optical signal is applied to the photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1, and the output electric signal Vout and the reference electric signal Vref are output from the drains of the transistors XF6 and XF5.
【００３５】ここで、第１の実施形態と同様にレベル発
生部２での各ノードＣ，Ｄの電位Ｖｃ，Ｖｄは、光信号
が入力されない場合の光電気変換部１において、各々対
応する各ノードＡ，Ｂの電位Ｖａ，Ｖｂと一致する必要
がある。従って、ＲＬ１＝ＲＬ３，ＲＬ２＝ＲＬ４，Ｒ
ｐｄ１＝Ｒｐｄ２に設計しなけれはならない。また、レ
ベル発生部２のフォトダイオードＰＤ２は光電気変換部
１のフォトダイオードＰＤ１の光非照射時の抵抗分を補
償するために挿入されるもので、そのサイズはフォトダ
イオードＰＤ１と同一である。Here, similarly to the first embodiment, the potentials Vc and Vd of the nodes C and D in the level generator 2 correspond to the respective potentials of the photoelectric converter 1 in the case where no optical signal is input. It is necessary to match the potentials Va and Vb of the nodes A and B. Therefore, RL1 = RL3, RL2 = RL4, R
It must be designed that pd1 = Rpd2. The photodiode PD2 of the level generator 2 is inserted to compensate for the resistance of the photodiode PD1 of the photoelectric conversion unit 1 when light is not irradiated, and has the same size as the photodiode PD1.
【００３６】本回路の動作について図４ならびに図５を
用いて説明する。図５において横軸は時間、縦軸は図３
中の各ノードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの電圧Ｖout（＝Ｖａ），
Ｖｂ，Ｖref（＝Ｖｃ），Ｖｄのレベルである。また、
動作の説明を簡単にするために抵抗ＲＬ１、ＲＬ２、Ｒ
Ｌ３、ＲＬ４の抵抗値は全て等しいとする。The operation of this circuit will be described with reference to FIGS. 5, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents FIG.
Vout (= Va) of each of the nodes A, B, C, and D in
Vb, Vref (= Vc), and Vd. Also,
The resistors RL1, RL2, R
It is assumed that the resistance values of L3 and RL4 are all equal.
【００３７】光電気変換部１およびレベル発生部２の動
作ついては、第１の実施形態と同様である。つまり、ノ
ードＤには一定の電圧値の電圧Ｖｄが出力され、ノード
ＢにはノードＤの電圧Ｖｄのレベルに対して出力端子７
に出力される信号の中心レベルに相当する電圧レベルΔ
Ｖ分だけ高いレベルの電圧Ｖｂが、光信号の大きさにか
かわらず出力される。The operations of the photoelectric conversion unit 1 and the level generation unit 2 are the same as in the first embodiment. That is, a voltage Vd having a constant voltage value is output to the node D, and the output terminal 7 is output to the node B with respect to the level of the voltage Vd of the node D.
Voltage level Δ corresponding to the center level of the signal output to
A voltage Vb at a level higher by V is output regardless of the magnitude of the optical signal.
【００３８】第２の実施形態が第１の実施形態と異なる
のは、レベル調整に関して差動増幅器９を用いる点であ
る。本回路構成においては、差動増幅器９のトランジス
タＸＦ５，ＸＦ６は両ゲート間の入力電圧ΔＶに対応し
た電流を生成し、抵抗ＲＬ１、ＲＬ３に電圧を発生させ
ることにより出力信号Ｖoutおよびレファレンス出力Ｖr
efのレベルを調整する。ここで、当該差動増幅器９を、
その直流特性が図４に示すように差動電圧利得が１であ
るような差動増幅器であるとする。The second embodiment differs from the first embodiment in that a differential amplifier 9 is used for level adjustment. In this circuit configuration, the transistors XF5 and XF6 of the differential amplifier 9 generate a current corresponding to the input voltage ΔV between both gates, and generate a voltage at the resistors RL1 and RL3 to output the signal Vout and the reference output Vr.
Adjust the level of ef. Here, the differential amplifier 9 is
It is assumed that the differential amplifier has a DC voltage characteristic of 1 as shown in FIG.
【００３９】次に差動増幅器９の動作について説明す
る。いま、トランジスタＸＦ５，ＸＦ６のゲート間にΔ
Ｖの電圧（ＸＦ５のゲートがΔＶだけ高い。）が印加さ
れると、出力端子７の電位Ｖoutは光電流がゼロの時の
電位よりΔＶ／２だけ上昇し、レファレンス出力端子８
の電位ＶrefはΔＶ／２だけ低下することとなる。つま
り、レファレンス電圧Ｖrefは出力電圧Ｖoutのハイレベ
ルよりちょうどΔＶだけ低い電圧に設定されることにな
る。Next, the operation of the differential amplifier 9 will be described. Now, Δ is applied between the gates of the transistors XF5 and XF6.
When a voltage of V (the gate of XF5 is higher by ΔV) is applied, the potential Vout of the output terminal 7 rises by ΔV / 2 from the potential when the photocurrent is zero, and the reference output terminal 8
Is reduced by ΔV / 2. That is, the reference voltage Vref is set to a voltage that is exactly ΔV lower than the high level of the output voltage Vout.
【００４０】先にも述べたように、ΔＶは光電流Iｐと
抵抗ＲＬ１の積の1/2の電圧であることから、レファレ
ンス電圧Ｖrefのレベルは出力信号Ｖoutの中心レベルに
一致する。これは、入力される光信号の強度が変化した
場合においても同様である。図５ではより大きな光電流
Iｐ’（Ｉｐ’＞Iｐ）の場合について発生される電圧Δ
Ｖ’（ΔＶ’＞ΔＶ）の例についても示している。従っ
て、出力信号Ｖoutおよびレファレンス信号Ｖrefは図５
のようになり、レファレンス信号Ｖrefは入力される光
信号の強度にかかわらず常に出力信号Ｖoutの中心レベ
ルを出力することになる。As described above, since ΔV is a half of the product of the photocurrent Ip and the resistance RL1, the level of the reference voltage Vref matches the center level of the output signal Vout. This is the same even when the intensity of the input optical signal changes. FIG. 5 shows a larger photocurrent
Voltage Δ generated for the case of Ip ′ (Ip ′> Ip)
An example of V ′ (ΔV ′> ΔV) is also shown. Therefore, the output signal Vout and the reference signal Vref are
Thus, the reference signal Vref always outputs the center level of the output signal Vout regardless of the intensity of the input optical signal.
【００４１】本実施形態について、光信号強度変動に対
する耐性ついて考察する。本回路構成においても第１の
実施形態と同様に、光信号強度変動に対する耐性はΔＶ
の大きさをどこまで許容でさるかという問題と等価であ
る。差動増幅回路９を使った本実施形態において許容で
きるΔＶの大きさは、ＦＥＴの直流特性に加えて電流源
トランジスタＸＦ７と差動対を構成するトランジスタＸ
Ｆ５，ＸＦ６のサイズによっても調整可能である。この
ため、第１の実施形態の回路の場合よりも大きなΔＶに
ついても適用可能であり、十分大きな光信号強度に対す
る耐性を実現できる。The present embodiment will be described with respect to the resistance to the fluctuation of the optical signal intensity. Also in the present circuit configuration, as in the first embodiment, the resistance to optical signal intensity fluctuation is ΔV
Is equivalent to the question of how large the size of can be. The magnitude of ΔV that can be tolerated in the present embodiment using the differential amplifier circuit 9 is not only the DC characteristic of the FET but also the current source transistor XF7 and the transistor X forming a differential pair.
It can also be adjusted by the size of F5 and XF6. Therefore, the present invention can be applied to ΔV larger than that of the circuit of the first embodiment, and a sufficiently large resistance to an optical signal intensity can be realized.
【００４２】このように、本実施形態によれば、外部か
らの調整無しに、入力される光信号の強度にかかわらず
常に光電気変換回路のレファレンス出力レベルを後段の
差動回路に最適なレベルに整合させることが可能であ
る。また、入力される光信号強度変動に対しても十分大
きなマージンを確保することができ、光受信器のダイナ
ミックレンジの拡大に大きく寄与することが可能とな
る。As described above, according to the present embodiment, the reference output level of the photoelectric conversion circuit is always adjusted to the optimum level for the subsequent differential circuit without any external adjustment, regardless of the intensity of the input optical signal. Can be matched to In addition, a sufficiently large margin can be secured for fluctuations in the input optical signal strength, which can greatly contribute to expansion of the dynamic range of the optical receiver.
【００４３】［その他の実施形態］なお、以上の第１、
第２の実施形態ではトランジスタとして電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を使用した例で説明したが、パイポー
ラトランジスタを用いた場合においても同様の回路構成
が適用可能であることは言うまでも無い。この場合は、
ベースがゲートに、コレクタがドレインに、エミッタが
ソースに対応する。[Other Embodiments] The first,
In the second embodiment, an example in which a field effect transistor (FET) is used as a transistor has been described. However, needless to say, a similar circuit configuration can be applied to a case where a bipolar transistor is used. in this case,
The base corresponds to the gate, the collector corresponds to the drain, and the emitter corresponds to the source.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上述べてきたように本発明によれば、
光入力強度に依存せず後段に接続される差動回路に必要
とされるレファレンス信号レベルの自動設定が可能とな
る。さらに、光入力強度の変動に対する動作マージンを
大きくでき、光受信器のダイナミックレンジの拡大に大
きく寄与できることから実施効果は大きい。As described above, according to the present invention,
It is possible to automatically set the reference signal level required for the differential circuit connected to the subsequent stage without depending on the light input intensity. Further, the operation margin can be increased with respect to the fluctuation of the optical input intensity, and it can greatly contribute to the expansion of the dynamic range of the optical receiver.
【図１】 本発明の第１の実施形態の光電気変換回路の
回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a photoelectric conversion circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１の光電気変換回路の動作説明用の波形図
である。FIG. 2 is a waveform chart for explaining the operation of the photoelectric conversion circuit of FIG. 1;
【図３】 本発明の第２の実施形態の光電気変換回路の
回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a photoelectric conversion circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 図３の光電気変換回路の差動増幅器の直流特
性図である。FIG. 4 is a DC characteristic diagram of the differential amplifier of the photoelectric conversion circuit of FIG. 3;
【図５】 図３の光電気変換回路の動作説明用の波形図
である。FIG. 5 is a waveform chart for explaining the operation of the photoelectric conversion circuit in FIG. 3;
【図６】 従来の光電気変換回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional photoelectric conversion circuit.
【図７】 図６の光電気変換回路の動作説明用の波形図
である。FIG. 7 is a waveform chart for explaining the operation of the photoelectric conversion circuit of FIG. 6;
１：光電気変換部、２：レベル発生部、３：第１のソー
スフォロア回路、４：第２のソースフォロア回路、５，
６：電源端子、７：信号出力端子、８：レファレンス出
力端子、９：差動増幅器。1: photoelectric conversion unit, 2: level generation unit, 3: first source follower circuit, 4: second source follower circuit, 5,
6: power supply terminal, 7: signal output terminal, 8: reference output terminal, 9: differential amplifier.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｆ 3/45 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｇ ５Ｊ０９２ // Ｈ０４Ｂ 10/28 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｙ ５Ｋ００２ 10/26 10/14 10/04 10/06 Ｆターム(参考） 2G065 AA04 BA09 BC05 BC10 4M118 AA10 AB05 BA02 CA02 DD09 DD10 FC01 FC06 GB09 5F049 MA01 UA20 5J050 AA01 BB21 CC12 DD01 DD18 EE14 EE17 EE31 5J066 AA01 AA12 AA56 CA32 CA98 FA09 HA02 HA09 HA19 HA25 HA29 HA44 KA31 MA02 MA21 MA22 ND01 ND11 ND22 ND23 PD01 TA02 TA06 5J092 AA01 AA12 AA56 CA32 CA98 FA09 HA02 HA09 HA19 HA25 HA29 HA44 KA31 MA02 MA21 MA22 TA02 TA06 UL02 5K002 AA03 CA08 DA06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H03F 3/45 H01L 31/10 G 5J092 // H04B 10/28 H04B 9/00 Y 5K002 10/26 10 / 14 10/04 10/06 F term (reference) 2G065 AA04 BA09 BC05 BC10 4M118 AA10 AB05 BA02 CA02 DD09 DD10 FC01 FC06 GB09 5F049 MA01 UA20 5J050 AA01 BB21 CC12 DD01 DD18 EE14 EE17 EE31 5J066 AA01 HA25 HA32 CA32 HA29 HA44 KA31 MA02 MA21 MA22 ND01 ND11 ND22 ND23 PD01 TA02 TA06 5J092 AA01 AA12 AA56 CA32 CA98 FA09 HA02 HA09 HA19 HA25 HA29 HA44 KA31 MA02 MA21 MA22 TA02 TA06 UL02 5K002 AA03 CA08 DA06
Claims (3)
カソードと高電位電源端子との間に接続された第１の抵
抗、前記フォトダイオードのアノードと低電位電源端子
との間に接続された第２の抵抗、前記フォトダイオード
に並列接続された第３の抵抗、および前記第２の抵抗に
並列接続された容量を有する光電気変換部と、該光電気
変換部の構成から前記容量を取り外した構成を有するレ
ベル発生部と、ソースフォロアトランジスタおよび電流
源トランジスタを有する第１、第２のソースフォロア回
路とを具備し、 前記光電気変換回路の前記フォトダイオードのカソード
が前記第１のソースフォロア回路の前記ソースフォロア
トランジスタのゲートに接続され、前記光電気変換回路
の前記フォトダイオードのアノードが前記第２のソース
フォロア回路の前記電流源トランジスタのゲートに接続
され、前記レベル発生部の前記フォトダイオードのカソ
ードが前記第２のソースフォロア回路の前記ソースフォ
ロアトランジスタのゲートに接続され、前記レベル発生
部の前記フォトダイオードのアノードが前記第１のソー
スフォロア回路の前記電流源トランジスタのゲートに接
続され、前記光電気変換部の前記フォトダイオードに光
信号が入力され、前記第１のソースフォロア回路の前記
ソースフォロアトランジスタのソースから出力信号を取
り出し、前記第２のソースフォロア回路の前記ソースフ
ォロアトランジスタのソースからレファレンス信号を取
り出すようにしたことを特徴とする光電気変換回路。1. A photodiode, a first resistor connected between a cathode of the photodiode and a high-potential power supply terminal, and a second resistor connected between an anode of the photodiode and a low-potential power supply terminal. A photoelectric converter having a resistor, a third resistor connected in parallel to the photodiode, and a capacitor connected in parallel to the second resistor; and a configuration in which the capacitor is removed from the configuration of the photoelectric converter. And a first and a second source follower circuit having a source follower transistor and a current source transistor, wherein the cathode of the photodiode of the photoelectric conversion circuit has the cathode of the first source follower circuit. The anode of the photodiode of the photoelectric conversion circuit is connected to the gate of the source follower transistor, and the anode of the photodiode is connected to the second source transistor. Connected to the gate of the current source transistor of the follower circuit, the cathode of the photodiode of the level generation unit is connected to the gate of the source follower transistor of the second source follower circuit, and the photodiode of the level generation unit Is connected to the gate of the current source transistor of the first source follower circuit, an optical signal is input to the photodiode of the photoelectric conversion unit, and the anode of the source follower transistor of the first source follower circuit is An opto-electrical conversion circuit wherein an output signal is taken out from a source, and a reference signal is taken out from a source of the source follower transistor of the second source follower circuit.
カソードと高電位電源端子との間に接続された第１の抵
抗、前記フォトダイオードのアノードと低電位電源端子
との間に接続された第２の抵抗、前記フォトダイオード
に並列接続された第３の抵抗、および前記第２の抵抗に
並列接続された容量を有する光電気変換部と、該光電気
変換部の構成から前記容量を取り外した構成を有するレ
ベル発生部と、一対の差動接続のトランジスタを有する
差動増幅器とを有し、 前記差動接続の一方のトランジスタのゲートに前記光電
気変換部の前記フォトダイオードのアノードが接続さ
れ、該一方のトランジスタのドレインに前記レベル発生
部の前記フォトダイオードのカソードが接続され、前記
前記差動接続の他方のトランジスタのゲートに前記レベ
ル発生部の前記フォトダイオードのアノードが接続さ
れ、該他方のトランジスタのドレインに前記光電気変換
部の前記フォトダイオードのカソードが接続され、前記
光電気変換部の前記フォトダイオードに光信号を入力
し、前記光電気変換部の前記フォトダイオードのカソー
ドから出力信号を取り出し、前記レベル発生部の前記フ
ォトダイオードのカソードからレファレンス信号を取り
出すことを特徴とする光電気変換回路。2. A photodiode, a first resistor connected between a cathode of the photodiode and a high-potential power supply terminal, and a second resistor connected between an anode of the photodiode and a low-potential power supply terminal. A photoelectric converter having a resistor, a third resistor connected in parallel to the photodiode, and a capacitor connected in parallel to the second resistor; and a configuration in which the capacitor is removed from the configuration of the photoelectric converter. And a differential amplifier having a pair of differentially connected transistors, wherein an anode of the photodiode of the photoelectric conversion unit is connected to a gate of one of the transistors of the differential connection, The cathode of the photodiode of the level generator is connected to the drain of one transistor, and the gate of the other transistor in the differential connection is connected to the gate of the other transistor. The anode of the photodiode of the bell generating unit is connected, the cathode of the photodiode of the photoelectric conversion unit is connected to the drain of the other transistor, and an optical signal is input to the photodiode of the photoelectric conversion unit. An output signal is extracted from a cathode of the photodiode of the photoelectric conversion unit, and a reference signal is extracted from a cathode of the photodiode of the level generation unit.
とを特徴とする光電気変換回路。3. The photoelectric conversion circuit according to claim 1, wherein each of the transistors is a bipolar transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016481A JP3470887B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Photoelectric conversion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016481A JP3470887B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Photoelectric conversion circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001211061A true JP2001211061A (en) | 2001-08-03 |
| JP3470887B2 JP3470887B2 (en) | 2003-11-25 |
Family
ID=18543611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000016481A Expired - Fee Related JP3470887B2 (en) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | Photoelectric conversion circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3470887B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2318983A1 (en) * | 2005-08-05 | 2009-05-01 | DIEHL AKO STIFUNG & CO KG | Measuring signal evaluating circuit for e.g. infrared push-button, has auxiliary power source causing additional current flow in case of irradiation so that switch element operates with favorable signal-to-noise ratio in case of irradiation |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000016481A patent/JP3470887B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2318983A1 (en) * | 2005-08-05 | 2009-05-01 | DIEHL AKO STIFUNG & CO KG | Measuring signal evaluating circuit for e.g. infrared push-button, has auxiliary power source causing additional current flow in case of irradiation so that switch element operates with favorable signal-to-noise ratio in case of irradiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3470887B2 (en) | 2003-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6803825B2 (en) | Pseudo-differential transimpedance amplifier | |
| US6784750B2 (en) | Transimpedance amplifier with selective DC compensation | |
| US6275541B1 (en) | Digital receiver circuit | |
| US20040100317A1 (en) | Optical signal receiving circuit and optical signal receiving semiconductor device | |
| JPH10200342A (en) | Bias voltage supply circuit | |
| US6323734B1 (en) | Trans-impedance amplifier | |
| US6879217B2 (en) | Triode region MOSFET current source to bias a transimpedance amplifier | |
| US20030184370A1 (en) | Reference voltage generating circuit and voltage amplifier using the same | |
| EP1625656B1 (en) | Circuit for improved differential amplifier and other applications | |
| JP2003168933A (en) | Photoreceiving circuit | |
| US5874861A (en) | Amplifier circuit | |
| US20070104493A1 (en) | Optical receiver preamplifier | |
| US20040164232A1 (en) | Photocurrent-to-binary signal conversion apparatus capable of suppressing waveform distortion | |
| US7064585B2 (en) | Detecting peak signals | |
| JPH05136635A (en) | Signal receiver | |
| JP3470887B2 (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| JP3661122B2 (en) | Photoelectric conversion circuit | |
| US6219166B1 (en) | Optical receiver suitable for optical interconnects | |
| JP4083551B2 (en) | Preamplifier | |
| US5304949A (en) | Common base amplifier | |
| JP3673705B2 (en) | Current-voltage converter and printer using the same | |
| WO2022263047A1 (en) | Transimpedance amplifier circuit | |
| JP2005072925A (en) | Photoelectric current and voltage converting circuit | |
| US6356065B1 (en) | Current-voltage converter with changeable threshold based on peak inputted current | |
| JP3217318B2 (en) | Preamplifier for optical reception and peak detector with variable offset voltage |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030826 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100912 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |