JP2001201846A - Frame member, mask, and aligner - Google Patents
Frame member, mask, and alignerInfo
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- G03F1/84—Inspecting
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに形成され
たパターン面に異物が付着するのを防止する保護膜をマ
スクに装着するための枠部材、パターンが形成されたマ
スク、及びマスクのパターンの像を基板上に転写する露
光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frame member for mounting a protective film on a mask for preventing foreign substances from adhering to a pattern surface formed on the mask, a mask on which the pattern is formed, and a pattern of the mask. And an exposure apparatus for transferring an image of the image on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子や液晶表示素子あ
るいは薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製
造する場合に種々の露光装置が使用されているが、フォ
トマスクあるいはレチクル（以下、マスクという）に形
成されたパターンの像を、表面にフォトレジスト等の感
光剤を塗布された基板上に投影光学系を介して投影する
露光装置が一般的に使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various exposure apparatuses have been used for manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, and the like by a photolithography process. However, a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a mask) is used. An exposure apparatus which projects an image of a formed pattern onto a substrate having a surface coated with a photosensitive agent such as a photoresist through a projection optical system is generally used.
【０００３】このマスクには、形成されたパターン面に
異物が付着するのを防止するための保護膜（ペリクル）
が装着される場合がある。このペリクルをマスクに装着
する場合には、マスクのパターンの周囲に枠部材（ペリ
クル枠）を設け、このペリクル枠にペリクルを装着する
方法が一般的である。This mask has a protective film (pellicle) for preventing foreign substances from adhering to the formed pattern surface.
May be attached. When the pellicle is mounted on a mask, a method of providing a frame member (pellicle frame) around a pattern of the mask and mounting the pellicle on the pellicle frame is general.
【０００４】このようなマスクを用いて露光処理を行う
場合には、マスクをマスクステージに搭載し、このマス
クに露光光を照射することによって行われる。露光光を
照射されたマスクのパターンの像は、投影光学系を介し
て基板ステージに設置される基板に転写されるようにな
っている。In the case of performing exposure processing using such a mask, the mask is mounted on a mask stage, and this mask is irradiated with exposure light. An image of the mask pattern irradiated with the exposure light is transferred to a substrate set on a substrate stage via a projection optical system.
【０００５】従来において、ペリクルを装着したマスク
は、例えば、図１２に示すようなマスクステージ５０に
搭載される。このマスクステージ５０は、その上面の４
つのコーナー部分に真空吸着部５１を有し、この真空吸
着部５１を介してマスクＭの周縁部Ｍａがマスクステー
ジ５０上に保持される。このマスクステージ５０は、マ
スクＭ上のパターンＰＡが形成された領域に対応した開
口５２を備えており、マスクＭのパターンＰＡ面を透過
した露光光は、この開口５２を介して投影光学系に達す
る。Conventionally, a mask having a pellicle mounted thereon is mounted on, for example, a mask stage 50 as shown in FIG. The mask stage 50 has the upper surface 4
A vacuum suction portion 51 is provided at one corner portion, and a peripheral portion Ma of the mask M is held on the mask stage 50 via the vacuum suction portion 51. The mask stage 50 has an opening 52 corresponding to a region on the mask M where the pattern PA is formed. Exposure light transmitted through the pattern PA surface of the mask M passes through the opening 52 to the projection optical system. Reach.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に、マスクＭの周縁部Ｍａがマスクステージ５０に支持
される構成の場合、このマスクＭは自重によって、図１
２中、鎖線で示すように、重力方向（−Ｚ方向）にたわ
む場合が生じる。この場合、マスクＭはたわんだ状態で
露光処理をなされるため、基板上に形成されるパターン
は所望の精度を得られなくなる等、安定した露光処理を
行うことができない。In the case where the peripheral portion Ma of the mask M is supported by the mask stage 50 as described above, the mask M is caused by its own weight due to its own weight.
2, as shown by a chain line, there is a case where the deflection occurs in the direction of gravity (−Z direction). In this case, since the mask M is subjected to the exposure processing in a bent state, a stable exposure processing cannot be performed, for example, a pattern formed on the substrate cannot have desired accuracy.
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、マスクステージに支持されたマスクをたわま
せること無く、精度良く安定した露光処理を行うことが
できる枠部材、マスクと露光装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and a frame member, a mask, and an exposure apparatus capable of performing an accurate and stable exposure process without sagging a mask supported on a mask stage. It is intended to provide a device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図１１に対応付け
した以下の構成を採用している。本発明の枠部材は、マ
スク（Ｍ）に形成されたパターン（ＰＡ）面に異物が付
着するのを防止する保護膜（２）をマスク（Ｍ）に装着
するための枠部材（３）において、枠部材（３）を支持
するための突起部（４、６、８、９）を設けたことを特
徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 11 shown in the embodiment. The frame member according to the present invention is a frame member (3) for mounting a protective film (2) for preventing foreign substances from adhering to a pattern (PA) surface formed on a mask (M) to the mask (M). And a projection (4, 6, 8, 9) for supporting the frame member (3).
【０００９】本発明によれば、枠部材（３）を支持する
ための突起部（４、６、８、９）を設けたことにより、
この突起部（４、６、８、９）を支持することによっ
て、マスク（Ｍ）は枠部材（３）を介して安定して支持
される。そして、マスク（Ｍ）は、突起部（４、６、
８、９）を介して枠部材（３）に支持される構成となる
ので、周縁部（Ｍａ）を支持されるより板面中心側を支
持されることになる。したがって、マスク（Ｍ）を支持
した際、このマスク（Ｍ）に生じるたわみを低減するこ
とができるので、精度良く安定した露光処理を行うこと
ができる。さらに、従来ではマスク（Ｍ）の周縁部を支
持する構成であったのでマスクステージ側にも高い平面
度が必要であったが、突起部（４、６、８、９）を介し
て枠部材（３）によってマスク（Ｍ）を支持することに
より、マスクステージ側には従来程の精度は要求されな
い。したがって、マスクステージの制作工程の短縮化、
単純化が図れ、作業性等は向上する。According to the present invention, by providing the projections (4, 6, 8, 9) for supporting the frame member (3),
By supporting the projections (4, 6, 8, 9), the mask (M) is stably supported via the frame member (3). Then, the mask (M) includes the projections (4, 6,.
8, 9), the frame member (3) is supported by the frame member (3), so that the center of the plate surface is supported more than the peripheral edge (Ma) is supported. Therefore, when the mask (M) is supported, the deflection generated in the mask (M) can be reduced, so that stable and accurate exposure processing can be performed. Further, conventionally, the mask (M) was configured to support the peripheral portion, so that a high flatness was required also on the mask stage side. However, the frame member was provided via the protrusions (4, 6, 8, 9). Since the mask (M) is supported by the method (3), the accuracy of the mask stage side is not required as in the related art. Therefore, the production process of the mask stage can be shortened,
Simplification is achieved, and workability and the like are improved.
【００１０】このとき、突起部（４、６、８、９）を、
装着されるべき保護膜（２）の平面から、枠部材（３）
のマスク（Ｍ）に取り付けられるべき面とは反対の方向
に突出させることにより、このマスク（Ｍ）をマスクス
テージ（１１１）に支持させる際、保護膜（２）とマス
クステージ（１１１）との干渉を防止することができ
る。したがって、保護膜（２）の損傷を防止することが
できるので、安定した露光処理を行うことができる。At this time, the projections (4, 6, 8, 9) are
From the plane of the protective film (2) to be mounted, the frame member (3)
When the mask (M) is supported by the mask stage (111) by projecting in the direction opposite to the surface to be attached to the mask (M), the protective film (2) and the mask stage (111) are not Interference can be prevented. Therefore, damage to the protective film (2) can be prevented, and stable exposure processing can be performed.
【００１１】この突起部（４、６、８、９）を、保護膜
（２）が装着される面に設けることにより、マスク
（Ｍ）のパターン（ＰＡ）面を保護しながら、保護膜
（２）の損傷を防止しつつ、マスク（Ｍ）を安定して支
持することができる。By providing the projections (4, 6, 8, 9) on the surface on which the protective film (2) is mounted, the pattern (PA) surface of the mask (M) can be protected while protecting the protective film ( The mask (M) can be stably supported while preventing the damage of 2).
【００１２】この場合、枠部材（３７）を、マスク
（Ｍ）に装着されるべき面の反対方向に向かって開口面
積を拡大させることにより、この枠部材（３７）を、よ
りマスク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）形成面に接近させる
ようにマスク（Ｍ）の板面中心側に設置しても、マスク
（Ｍ）に露光光を照射した際に、露光光が枠部材（３
７）の内側面（３７ｂ）に照射されるのを防ぐことがで
きる。すなわち、枠部材（３７）によって、よりマスク
（Ｍ）の板面中心側を支持することができるので、マス
ク（Ｍ）に生じるたわみを低減しつつ、精度良い安定し
た露光処理を行うことができる。In this case, by increasing the opening area of the frame member (37) in the direction opposite to the surface to be mounted on the mask (M), the frame member (37) can be further made more opaque to the mask (M). Even when the mask (M) is installed at the center of the plate surface so as to approach the pattern (PA) forming surface, the exposure light is applied to the frame member (3) when the mask (M) is irradiated with the exposure light.
Irradiation to the inner surface (37b) of 7) can be prevented. In other words, the frame member (37) can further support the center side of the plate surface of the mask (M), so that accurate and stable exposure processing can be performed while reducing the bending generated in the mask (M). .
【００１３】本発明のマスクは、パターン（ＰＡ）が形
成されたマスク（Ｍ）において、マスク（Ｍ）を載置す
るマスク保持装置（５、１１１）で保持するための突起
部（３、４、６、８、９）をパターン（ＰＡ）面側に設
けたことを特徴とする。According to the mask of the present invention, in the mask (M) on which the pattern (PA) is formed, the projections (3, 4) for holding the mask (M) by the mask holding device (5, 111) for mounting the mask (M). , 6, 8, 9) are provided on the pattern (PA) surface side.
【００１４】本発明によれば、マスク（Ｍ）のパターン
（ＰＡ）面側に突起部（３、４、６、８、９）を設け、
この突起部（３、４、６、８、９）をマスク保持装置
（５、１１１）で保持することにより、マスク（Ｍ）は
マスク保持装置（５、１１１）に安定して保持される。
このとき、突起部（３、４、６、８、９）を可能な限り
板面中心側に設けることにより、この突起部（３、４、
６、８、９）を介してマスク（Ｍ）を保持した際、マス
ク（Ｍ）に生じるたわみを低減することができる。した
がって、精度良く安定した露光処理を行うことができ
る。According to the present invention, the projections (3, 4, 6, 8, 9) are provided on the pattern (PA) surface side of the mask (M),
By holding the projections (3, 4, 6, 8, 9) with the mask holding device (5, 111), the mask (M) is stably held by the mask holding device (5, 111).
At this time, by providing the protrusions (3, 4, 6, 8, 9) as close to the center of the plate surface as possible, the protrusions (3, 4,
When the mask (M) is held via (6, 8, 9), the bending generated in the mask (M) can be reduced. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.
【００１５】そして、この突起部（３、４、６、８、
９）を、パターン（ＰＡ）を周回するように設けるとと
もに、この突起部（３、４、６、８、９）にパターン
（ＰＡ）を保護する保護膜（２）を装着することによ
り、マスク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）面を保護しつつ、
マスク（Ｍ）をマスク保持装置（５、１１１）に安定し
て保持させることができる。The projections (3, 4, 6, 8,
9) is provided so as to go around the pattern (PA), and a protective film (2) for protecting the pattern (PA) is attached to the projections (3, 4, 6, 8, 9), thereby providing a mask. While protecting the (M) pattern (PA) surface,
The mask (M) can be stably held by the mask holding device (5, 111).
【００１６】本発明の露光装置は、パターン（ＰＡ）が
形成され、このパターン（ＰＡ）を保護する保護膜付マ
スク（Ｍ）と、パターン（ＰＡ）を感光基板（Ｗ）に転
写する露光装置（１００）において、保護膜付マスク
（Ｍ）を載置する載置部（５、１１１）を備え、保護膜
付マスク（Ｍ）は、保護膜（２）をマスク（Ｍ）に装着
する枠部材（３）を有し、この枠部材（３）には、保護
膜付マスク（Ｍ）を支持するための支持部（４、６、
８、９）を備え、載置部（５、１１１）は、支持部
（４、６、８、９）を支持して保護膜付マスク（Ｍ）を
支持することを特徴とする。The exposure apparatus of the present invention has a pattern (PA) formed thereon, a mask (M) with a protective film for protecting the pattern (PA), and an exposure apparatus for transferring the pattern (PA) to a photosensitive substrate (W). In (100), a mounting portion (5, 111) for mounting the mask with protective film (M) is provided, and the mask with protective film (M) is a frame for mounting the protective film (2) on the mask (M). The frame member (3) includes support members (4, 6,...) For supporting the mask (M) with a protective film.
8, 9), and the mounting portion (5, 111) supports the support portion (4, 6, 8, 9) and supports the mask with protective film (M).
【００１７】本発明によれば、枠部材（３）に保護膜付
マスク（Ｍ）を支持するための支持部（４、６、８、
９）を設けたことにより、載置部（５、１１１）にこの
支持部（４、６、８、９）を支持させることによって、
保護膜付マスク（Ｍ）は支持部（４、６、８、９）及び
枠部材（３）を介して安定して支持される。そして、保
護膜付マスク（Ｍ）は、支持部（４、６、８、９）を介
して枠部材（３）に支持される構成となるので、より板
面中心側を支持されることになる。したがって、保護膜
付マスク（Ｍ）を支持した際、この保護膜付マスク
（Ｍ）に生じるたわみを低減することができるので、精
度良く安定した露光処理を行うことができる。さらに、
従来では保護膜付マスク（Ｍ）の周縁部を支持する構成
であったので載置部側にも高い平面度が必要であった
が、支持部（４、６、８、９）を介して枠部材（３）に
よって保護膜付マスク（Ｍ）を支持することにより、載
置部側には従来程の精度は要求されない。したがって、
載置部の制作工程の短縮化、単純化が図れ、作業性等は
向上する。According to the present invention, the support portions (4, 6, 8, and 9) for supporting the mask with protective film (M) on the frame member (3).
By providing 9), the supporting portions (4, 6, 8, 9) are supported by the mounting portions (5, 111),
The mask with protective film (M) is stably supported via the support portions (4, 6, 8, 9) and the frame member (3). Since the mask with protective film (M) is supported by the frame member (3) via the support portions (4, 6, 8, 9), the center of the plate surface is supported more. Become. Therefore, when the mask with protective film (M) is supported, the deflection generated in the mask with protective film (M) can be reduced, so that stable and accurate exposure processing can be performed. further,
Conventionally, the configuration was such that the peripheral portion of the mask with protective film (M) was supported, so that a high flatness was required also on the mounting portion side, but the support portion (4, 6, 8, 9) Since the mask with protective film (M) is supported by the frame member (3), the mounting portion does not require the same accuracy as in the related art. Therefore,
The production process of the mounting portion can be shortened and simplified, and workability and the like can be improved.
【００１８】また、載置部（５、１１１）に、支持部
（４、６、８、９）と嵌合する嵌合部（７）を設けるこ
とにより、載置部（５、１１１）に支持された保護膜付
マスク（Ｍ）の位置ずれは防止される。したがって、精
度良く安定した露光処理を行うことができる。Further, by providing a fitting portion (7) for fitting with the support portion (4, 6, 8, 9) on the mounting portion (5, 111), the mounting portion (5, 111) is provided. The displacement of the supported mask with protective film (M) is prevented. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.
【００１９】さらに、枠部材（９）の少なくとも一部に
磁性材部（９ａ）を含ませるとともに、載置部（５、１
１１）に磁性材部（９ａ）を磁力で吸着する磁力吸着部
（２０）を設けることにより、枠部材（９）は磁力によ
って載置部（５、１１１）に安定して保持される。した
がって、マスク（Ｍ）の位置ずれは防止されるので、精
度良く安定した露光処理を行うことができる。Further, at least a part of the frame member (9) includes a magnetic material portion (9a), and a mounting portion (5, 1).
By providing a magnetic force attracting portion (20) for attracting the magnetic material portion (9a) with magnetic force in 11), the frame member (9) is stably held on the mounting portions (5, 111) by magnetic force. Therefore, the displacement of the mask (M) is prevented, so that stable and accurate exposure processing can be performed.
【００２０】載置部（１１１）に、パターン（ＰＡ）面
の面形状を計測して、このパターン（ＰＡ）面とは直交
する方向に支持部（４、６、８、９）を支持する支持機
構（５）を制御させることにより、例えば、仮に、マス
ク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）形成面がたわんでいても、
支持機構（５）を制御することにより、このたわみは低
減される。したがって、精度良く安定した露光処理を行
うことができる。The mounting portion (111) measures the surface shape of the pattern (PA) surface, and supports the support portions (4, 6, 8, 9) in a direction orthogonal to the pattern (PA) surface. By controlling the support mechanism (5), for example, even if the pattern (PA) forming surface of the mask (M) is bent,
By controlling the support mechanism (5), this deflection is reduced. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
枠部材、マスクと露光装置を図面を参照しながら説明す
る。図１は、本発明の露光装置の概略構成図である。ま
た、図２は、特に、マスクステージ（マスク保持装置、
載置部）及びマスクに装着された枠部材を説明するため
の斜視図であり、図３は図２の側面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A frame member, a mask and an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus of the present invention. FIG. 2 shows, in particular, a mask stage (mask holding device,
FIG. 3 is a perspective view for explaining a frame member mounted on the mounting portion) and the mask, and FIG. 3 is a side view of FIG. 2.
【００２２】これらの図において、露光装置１００は、
光源１５３からの光束をマスクステージ１１１に保持さ
れるマスクＭに照明する照明光学系１５０と、この照明
光学系１５０内に配され露光用照明光（露光光）ＥＬを
通過させる開口Ｓの面積を調整してこの露光光ＥＬによ
るマスクＭの照明範囲を規定するブラインド部１４０
と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を
感光剤が塗布された基板Ｗ上に投影する投影光学系１２
０と、基板Ｗを保持する基板ホルダ１３２と、この基板
ホルダ１３２を支持する基板ステージ１３０とを備えて
いる。In these figures, the exposure apparatus 100 includes:
The illumination optical system 150 that illuminates the light beam from the light source 153 onto the mask M held by the mask stage 111 and the area of the opening S that is disposed in the illumination optical system 150 and that passes the illumination light for exposure (exposure light) EL are as follows. Blind part 140 which adjusts and defines the illumination range of mask M by this exposure light EL
And a projection optical system 12 for projecting an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate W coated with the photosensitive agent.
0, a substrate holder 132 that holds the substrate W, and a substrate stage 130 that supports the substrate holder 132.
【００２３】照明光学系１５０は、例えば水銀ランプ等
の光源１５３と、この光源１５３から射出された露光光
を集光する楕円鏡１５４と、この集光された露光光をほ
ぼ平行な光束に変換するインプットレンズ１５５と、こ
のインプットレンズ１５５から出力された光束が入射し
て後側（マスクＭ側）焦点面に多数の二次元光源を形成
するフライアイレンズ１５６と、これら二次元光源から
射出された露光光を集光してマスクＭを均一な照度で照
明するコンデンサレンズ系とを備えている。The illumination optical system 150 includes, for example, a light source 153 such as a mercury lamp, an elliptical mirror 154 that collects exposure light emitted from the light source 153, and converts the collected exposure light into a substantially parallel light flux. Input lens 155, a light beam output from the input lens 155, a fly-eye lens 156 for forming a large number of two-dimensional light sources on the rear (mask M side) focal plane upon incidence, and emitted from these two-dimensional light sources. And a condenser lens system for condensing the exposure light and illuminating the mask M with uniform illuminance.
【００２４】なお、光源１５３は、例えば、発振波長１
５７ｎｍのフッ素レーザー（Ｆ2 レーザー）、発振波長
１４６ｎｍのクリプトンダイマーレーザー（Ｋｒ2 レー
ザー）、発振波長１２６ｎｍのアルゴンダイマーレーザ
ー（Ａｒ2 レーザー）などによって構成することも可能
である。また、光源１５３として、発振波長１９３ｎｍ
のＡｒＦレーザーエキシマレーザー等を用いることも可
能である。The light source 153 has, for example, an oscillation wavelength of 1
It is also possible to use a 57 nm fluorine laser (F2 laser), a krypton dimer laser (Kr2 laser) having an oscillation wavelength of 146 nm, and an argon dimer laser (Ar2 laser) having an oscillation wavelength of 126 nm. The light source 153 has an oscillation wavelength of 193 nm.
It is also possible to use an ArF laser excimer laser or the like.
【００２５】ブラインド部１４０は、例えば、平面Ｌ字
状に屈曲し露光光ＥＬの光軸ＡＸと直交する面内で組み
合わせられることによって矩形状の開口Ｓを形成する一
対のブレード１４５Ａ、１４５Ｂと、これらブレード１
４５Ａ、１４５Ｂを制御部９の指示に基づいて光軸ＡＸ
と直交する面内で変位させるブレード変位装置１４３
Ａ、１４３Ｂとを備えている。この可動ブレード１４５
Ａ、１４５Ｂの近傍には、開口形状が固定された固定ブ
ラインド１４６が配置されている。固定ブラインド１４
６は、例えば４つのナイフエッジにより矩形の開口を囲
んだ視野絞りであり、その矩形開口の上下方向の幅がブ
レード１４５Ａ、１４５Ｂによって規定されるようにな
っている。このとき、開口Ｓの大きさはブレード１４５
Ａ、１４５Ｂの変位に伴って変化し、開口Ｓはフライア
イレンズ１５６から入射される露光光ＥＬのうち、通過
させた露光光ＥＬのみを反射ミラー１５１を介してメイ
ンコンデンサレンズ１５２に送る。開口Ｓにより規定さ
れた露光光ＥＬは、メインコンデンサレンズ１５２を介
してマスクホルダ１１１に保持されるマスクＭの特定領
域（パターン領域）ＰＡをほぼ均一な照度で照明する。
これら各光学部材及びブラインド部１４０は所定位置関
係で配置されており、ブラインド部１４０はマスクＭの
パターン面と共役な面に配置されている。The blind portion 140 includes, for example, a pair of blades 145A and 145B which are bent in a plane L shape and are combined in a plane orthogonal to the optical axis AX of the exposure light EL to form a rectangular opening S. These blades 1
45A and 145B are controlled by the optical axis
Displacement device 143 for displacing in a plane perpendicular to the blade
A, 143B. This movable blade 145
In the vicinity of A and 145B, a fixed blind 146 having a fixed opening shape is arranged. Fixed blind 14
Reference numeral 6 denotes a field stop which surrounds a rectangular opening with, for example, four knife edges, and the width of the rectangular opening in the vertical direction is defined by the blades 145A and 145B. At this time, the size of the opening S is
The aperture S changes with the displacement of A and 145B, and the aperture S sends only the passed exposure light EL out of the exposure light EL incident from the fly-eye lens 156 to the main condenser lens 152 via the reflection mirror 151. The exposure light EL defined by the opening S illuminates a specific area (pattern area) PA of the mask M held by the mask holder 111 via the main condenser lens 152 with substantially uniform illuminance.
These optical members and the blind portion 140 are arranged in a predetermined positional relationship, and the blind portion 140 is arranged on a surface conjugate to the pattern surface of the mask M.
【００２６】マスクステージ１１１は露光時に使用され
るマスクＭを搭載するためのものであって、マスクＭに
形成されているパターンＰＡは、投影光学系１２０通し
て基板ステージ１３０に設置される基板Ｗに転写される
ようになっている。The mask stage 111 is for mounting a mask M used at the time of exposure, and a pattern PA formed on the mask M is a substrate W mounted on a substrate stage 130 through a projection optical system 120. Is to be transcribed.
【００２７】マスクステージ１１１は、マスクＭ上のパ
ターンＰＡが形成された領域に対応した開口１１２を有
し、不図示の駆動機構によりＸ方向、Ｙ方向、θ方向
（Ｚ軸回りの回転方向）に微動可能となっている。この
マスクステージ１１１の駆動機構は、例えば２組のボイ
スコイルモータによって構成されており、制御部９の指
示に基づいて駆動する。制御部９は、マスクステージ１
１１を移動することによって、パターンＰＡの領域の中
心（マスクセンター）が投影光学系１２０の光軸ＡＸを
通るようにマスクＭの位置決めをするようになってい
る。The mask stage 111 has an opening 112 corresponding to an area on the mask M where the pattern PA is formed, and is driven by a drive mechanism (not shown) in the X, Y, and θ directions (rotational directions around the Z axis). It can be moved slightly. The drive mechanism of the mask stage 111 is composed of, for example, two sets of voice coil motors, and is driven based on an instruction from the control unit 9. The control unit 9 controls the mask stage 1
By moving the mask 11, the mask M is positioned so that the center of the area of the pattern PA (mask center) passes through the optical axis AX of the projection optical system 120.
【００２８】投影光学系１２０は、開口Ｓによって規定
されたマスクＭの露光光ＥＬによる照明範囲に存在する
パターンＰＡの像を基板Ｗに結像させ、基板Ｗの特定領
域（ショット領域）にパターンＰＡの像を露光するもの
である。この投影光学系１２０は、蛍石、フッ化リチウ
ム等のフッ化物結晶からなるレンズや反射鏡などの複数
の光学部材を投影系ハウジングで密閉したものである。The projection optical system 120 forms an image of the pattern PA existing in the illumination range of the mask M defined by the opening S by the exposure light EL on the substrate W, and forms a pattern on a specific area (shot area) of the substrate W. The PA image is exposed. The projection optical system 120 is obtained by sealing a plurality of optical members such as a lens and a reflector made of a fluoride crystal such as fluorite or lithium fluoride with a projection system housing.
【００２９】基板ステージ１３０は、基板ホルダ１３２
を載置した基板テーブル１３１と、この基板テーブル１
３１をＸ−Ｙ平面の２次元方向に移動可能に支持するＸ
Ｙステージ装置１３３とを備えている。この場合、投影
光学系１２０の光軸ＡＸは、Ｘ−Ｙ平面に直交するＺ方
向と一致している。すなわち、Ｘ−Ｙ平面は、投影光学
系１２０の光軸ＡＸと直交関係にある。基板ステージ１
３０上の基板ホルダ１３２に搬送された基板Ｗは、基板
ホルダ１３２によって真空吸着される。The substrate stage 130 includes a substrate holder 132
And a substrate table 131 on which the
X for supporting the X.31 movably in the two-dimensional direction of the XY plane
A Y stage device 133 is provided. In this case, the optical axis AX of the projection optical system 120 coincides with the Z direction orthogonal to the XY plane. That is, the XY plane is orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system 120. Substrate stage 1
The substrate W conveyed to the substrate holder 132 on 30 is vacuum-sucked by the substrate holder 132.
【００３０】基板ステージ１３０のＸＹ方向の位置はレ
ーザー干渉システムによって調整されるようになってい
る。これを詳述すると、基板ステージ１３０（基板テー
ブル１３１）の−Ｘ側の端部には、平面鏡からなるＸ移
動鏡１３６ＸがＹ方向に延設されている。このＸ移動鏡
１３６Ｘにほぼ垂直にＸ軸レーザー干渉計１３７Ｘから
の測長ビームが投射され、その反射光がＸ軸レーザー干
渉計１３７Ｘ内部のディテクタによって受光され、Ｘ軸
レーザー干渉計１３７Ｘ内部の参照鏡の位置を基準とし
てＸ移動鏡１３６Ｘの位置、すなわち基板ＷのＸ位置が
検出されるようになっている。同様に、図示は省略され
ているが、基板ステージ１３０の＋Ｙ側の端部には平面
鏡からなるＹ移動鏡がＹ方向に延設されている。そし
て、このＹ移動鏡を介してＹ軸レーザー干渉計によって
上記と同様にしてＹ移動鏡の位置、すなわち基板ＷのＹ
位置が検出される。Ｘ軸及びＹ軸それぞれのレーザー干
渉計の検出値（計測値）、すなわち基板ＷのＸＹ方向の
位置情報は制御部９に送られる。The position of the substrate stage 130 in the X and Y directions is adjusted by a laser interference system. More specifically, an X movable mirror 136X, which is a plane mirror, extends in the Y direction at the -X side end of the substrate stage 130 (substrate table 131). The measuring beam from the X-axis laser interferometer 137X is projected almost perpendicularly to the X movable mirror 136X, and the reflected light is received by the detector inside the X-axis laser interferometer 137X, and the reference beam inside the X-axis laser interferometer 137X is referred to. The position of the X movable mirror 136X, that is, the X position of the substrate W is detected based on the position of the mirror. Similarly, although not shown, a Y moving mirror formed of a plane mirror extends in the Y direction at the + Y side end of the substrate stage 130. Then, the position of the Y moving mirror, ie, the position of the Y
The position is detected. The detected values (measured values) of the laser interferometers on the X axis and the Y axis, that is, the position information of the substrate W in the XY directions are sent to the control unit 9.
【００３１】一方、投影光学系１２０の投影領域内に配
置された基板ＷのＺ方向の位置は斜入射方式の焦点検出
系の１つである多点フォーカス位置検出系（図示せず）
によって検出される。この検出値、すなわち基板ＷのＺ
方向の位置情報は制御部９に送られる。On the other hand, the position of the substrate W disposed in the projection area of the projection optical system 120 in the Z direction is a multipoint focus position detection system (not shown) which is one of the oblique incidence type focus detection systems.
Is detected by This detection value, that is, Z of the substrate W
The position information of the direction is sent to the control unit 9.
【００３２】制御部９は、レーザー干渉システム及び多
点フォーカス位置検出系により得られた基板ＷのＸＹ方
向及びＺ方向の位置情報をモニターしつつ、駆動系とし
ての基板ステージ駆動装置１２１を介してＸＹステージ
装置１３３及び基板テーブル１３１を駆動し、マスクＭ
のパターン面と基板Ｗ表面とが投影光学系１２０に関し
て共役となるように、且つ投影光学系１２０の結像面と
基板Ｗとが一致するように、基板ＷのＸＹ方向、Ｚ方向
及び傾斜方向の位置決め動作を行う。このようにして位
置決めがなされた状態で照明光学系１５０から射出され
た露光光ＥＬによりマスクＭのパターンＰＡの領域がほ
ぼ均一な照度で照明されると、マスクＭのパターンの像
が投影光学系１２０を介して表面にフォトレジストを塗
布された基板Ｗ上に結像される。The control unit 9 monitors the positional information of the substrate W in the XY and Z directions obtained by the laser interference system and the multipoint focus position detecting system, and via the substrate stage driving device 121 as a driving system. The XY stage device 133 and the substrate table 131 are driven so that the mask M
The XY direction, the Z direction, and the tilt direction of the substrate W such that the pattern surface of the substrate W and the surface of the substrate W are conjugate with respect to the projection optical system 120, and the imaging plane of the projection optical system 120 coincides with the substrate W. Is performed. When the area of the pattern PA of the mask M is illuminated with substantially uniform illuminance by the exposure light EL emitted from the illumination optical system 150 in the state where the positioning is performed in this manner, the image of the pattern of the mask M is projected. An image is formed on a substrate W having a surface coated with a photoresist through 120.
【００３３】図２、図３に示すように、マスクＭは、基
板Ｗ上に転写すべきパターンＰＡと、このパターンＰＡ
面側に設けられた保護膜（ペリクル）２と、このペリク
ル２を支持する枠部材（ペリクル枠）３とを備えてい
る。As shown in FIGS. 2 and 3, the mask M includes a pattern PA to be transferred onto the substrate W and the pattern PA.
The vehicle includes a protective film (pellicle) 2 provided on the surface side, and a frame member (pellicle frame) 3 that supports the pellicle 2.
【００３４】ペリクル２は、マスクＭに形成されたパタ
ーンＰＡの面を保護するために設けられたものであっ
て、パターンＰＡ面へのゴミ等の異物の付着を防止して
いる。このペリクル２には、露光光を透過可能な透光性
の薄膜が用いられており、通常、ニトロセルロース等を
主成分とする厚さが１〜２μｍ程度の透明な薄膜が用い
られる。なお、波長１２０ｎｍ〜１８０ｎｍの真空紫外
線光の露光光ＥＬを良好に透過させるため、マスクＭ及
びレンズ系と同材質の蛍石、フッ化マグネシウム、フッ
化リチウム等の結晶材料からなるフィルム状部材を用い
ても良い。さらに、このペリクル２としては、例えば１
００〜３００μｍ程度の厚さを有する石英ガラス（フッ
素ドープ石英等）であってもよい。The pellicle 2 is provided to protect the surface of the pattern PA formed on the mask M, and prevents foreign substances such as dust from adhering to the surface of the pattern PA. The pellicle 2 is made of a light-transmitting thin film capable of transmitting exposure light, and is usually a transparent thin film mainly composed of nitrocellulose or the like and having a thickness of about 1 to 2 μm. In order to favorably transmit the exposure light EL of vacuum ultraviolet light having a wavelength of 120 nm to 180 nm, a film-like member made of a crystalline material such as fluorite, magnesium fluoride, and lithium fluoride, which is the same material as the mask M and the lens system, is used. May be used. Further, as the pellicle 2, for example, 1
Quartz glass (fluorine-doped quartz or the like) having a thickness of about 00 to 300 μm may be used.
【００３５】このペリクル２は、マスクＭのパターンＰ
Ａ面に、ペリクル枠３を介して接着されている。ペリク
ル枠３は、平面視矩形状に形成され、マスクＭのパター
ンＰＡ面側に設置されている。そして、ペリクル枠３
は、パターンＰＡの周りを囲むように取り付けられてお
り、枠内部にパターンＰＡを配置させている。このと
き、ペリクル枠３は、マスクＭの端部（側面部）より板
面中心側に位置するように設置されている。すなわち、
マスクＭの下面側（パターンＰＡ形成面側）の周縁はペ
リクル枠３に支持されず、マスクＭには、ペリクル枠３
より外側に位置する周縁部Ｍａが形成される。また、ペ
リクル枠３の内側面３ｂは、露光光の光路に沿うように
Ｚ方向に平行に形成されており、マスクＭの板面と直角
に設けられている。The pellicle 2 has a pattern P of a mask M
It is adhered to the A side via a pellicle frame 3. The pellicle frame 3 is formed in a rectangular shape in plan view, and is installed on the pattern PA surface side of the mask M. And pellicle frame 3
Are attached so as to surround the pattern PA, and the pattern PA is arranged inside the frame. At this time, the pellicle frame 3 is installed so as to be located closer to the center of the plate surface than the end (side surface) of the mask M. That is,
The periphery of the lower surface of the mask M (the surface on which the pattern PA is formed) is not supported by the pellicle frame 3.
A peripheral portion Ma located further outside is formed. The inner surface 3b of the pellicle frame 3 is formed parallel to the Z direction along the optical path of the exposure light, and is provided at right angles to the plate surface of the mask M.
【００３６】ペリクル２は、ペリクル枠３のうち、マス
クＭに取り付けられる位置と反対側の位置に装着されて
いる。すなわち、ペリクル２は、ペリクル枠３の下端面
に沿うように取り付けられ、マスクＭのパターンＰＡ面
との間に空間を形成している。The pellicle 2 is mounted on the pellicle frame 3 at a position opposite to the position where the pellicle is mounted on the mask M. That is, the pellicle 2 is attached along the lower end surface of the pellicle frame 3 and forms a space between the pellicle 2 and the pattern PA surface of the mask M.
【００３７】ペリクル枠３の下端面には、突起部（支持
部）４が設けられている。この突起部４は、ペリクル枠
３のうちペリクル２が装着された面から、ペリクル枠３
のマスクＭに取り付けられる面とは反対の方向（−Ｚ方
向）に突出するように形成されている。この場合、突起
部４は、平坦に形成されたペリクル枠３の四角形状の下
端面の４辺のうち、対向する２辺に沿うように２カ所に
取り付けられている。そして、この突起部４によって、
ペリクル枠３は支持される構造となっている。On the lower end surface of the pellicle frame 3, a projection (support) 4 is provided. The protruding portion 4 is moved from the surface of the pellicle frame 3 on which the pellicle 2 is mounted to the pellicle frame 3.
Is formed so as to protrude in the direction (-Z direction) opposite to the surface attached to the mask M. In this case, the projections 4 are attached at two places along two opposing sides of the four sides of the rectangular lower end surface of the pellicle frame 3 formed flat. And by this projection part 4,
The pellicle frame 3 is structured to be supported.
【００３８】このとき、突起部４は、ペリクル２が形成
する平面（ペリクル枠３の下端面）より、マスクＭと反
対側に突出するように設けられているので、例えば、こ
の突起部４を所定の平面に当接させた際、この所定の平
面とペリクル２とは離間するようになっている。At this time, since the projection 4 is provided so as to protrude from the plane formed by the pellicle 2 (the lower end surface of the pellicle frame 3) on the side opposite to the mask M, for example, the projection 4 is When brought into contact with a predetermined plane, the predetermined plane and the pellicle 2 are separated from each other.
【００３９】マスクステージ１１１は、マスクＭを保持
するマスクホルダ５を備えている。このマスクホルダ５
は、ペリクル枠３に設置された突起部４に対応するよう
に設けられている。この場合、マスクホルダ５は、ペリ
クル枠３の下端面において対向するように２カ所に設け
られたそれぞれの突起部４に対応するように、所定距離
（２つの突起部４の間の距離）だけ離間して設けられて
いる。The mask stage 111 has a mask holder 5 for holding the mask M. This mask holder 5
Are provided so as to correspond to the projections 4 provided on the pellicle frame 3. In this case, the mask holder 5 is moved by a predetermined distance (a distance between the two protrusions 4) so as to correspond to each of the protrusions 4 provided at two places so as to face each other on the lower end surface of the pellicle frame 3. It is provided separately.
【００４０】マスクホルダ５は、突起部４の下端面を真
空吸着するための吸着穴５ａを備えている。吸着穴５ａ
は不図示の真空吸着源と連結されており、マスクホルダ
５に突起部４の下端面が当接された際、真空吸着源を駆
動することによって、マスクホルダ５は、平坦に形成さ
れたそれぞれの突起部４の下端面を吸着保持するように
なっている。The mask holder 5 has a suction hole 5a for vacuum-sucking the lower end surface of the projection 4. Suction hole 5a
Is connected to a vacuum suction source (not shown), and when the lower end surface of the projection 4 abuts on the mask holder 5, the vacuum suction source is driven so that the mask holder 5 is formed flat. The lower end surface of the projection 4 is sucked and held.
【００４１】このような構成を持つペリクル枠３を備え
たマスクＭを用いて、露光装置１００によってマスクＭ
のパターンの像を基板Ｗ上に転写する動作について説明
する。Using the mask M provided with the pellicle frame 3 having such a configuration, the mask M
The operation of transferring the pattern image on the substrate W will be described.
【００４２】ペリクル２を備えたマスクＭが、図示しな
いマスクローダによってマスクステージ１１１に搬送さ
れる。なお、このとき、露光処理されるべき基板Ｗも不
図示の基板ローダによって基板ステージ１３０に搬送さ
れる。The mask M having the pellicle 2 is transferred to the mask stage 111 by a mask loader (not shown). At this time, the substrate W to be exposed is also transferred to the substrate stage 130 by a substrate loader (not shown).
【００４３】マスクＭは、マスクステージ１１１のマス
クホルダ５に載置される。このとき、マスクローダは、
マスクＭに設置されたペリクル枠３の突起部４とマスク
ホルダ５とを当接するように、マスクＭをマスクホルダ
５に搬送する。The mask M is placed on the mask holder 5 of the mask stage 111. At this time, the mask loader
The mask M is transported to the mask holder 5 so that the projection 4 of the pellicle frame 3 installed on the mask M and the mask holder 5 come into contact with each other.
【００４４】突起部４を備えたマスクＭがマスクホルダ
５に載置されたら、制御部９は真空吸着源を駆動し、マ
スクホルダ５に設けられた吸着穴５ａを介して突起部４
をマスクホルダ５に吸着させる。こうして、突起部４を
備えたマスクＭはマスクホルダ５に真空吸着される。When the mask M having the projections 4 is placed on the mask holder 5, the control unit 9 drives the vacuum suction source to move the projections 4 through the suction holes 5 a provided in the mask holder 5.
To the mask holder 5. Thus, the mask M provided with the protrusions 4 is vacuum-sucked to the mask holder 5.
【００４５】このように、突起部４に支持されているペ
リクル枠３は、突起部４がマスクホルダ５に保持された
ことにより、突起部４を介してマスクホルダ５に支持さ
れたことになる。すなわち、マスクホルダ５は、突起部
４を支持することにより、この突起部４を介してペリク
ル付マスクＭを支持する。As described above, the pellicle frame 3 supported by the projection 4 is supported by the mask holder 5 via the projection 4 because the projection 4 is held by the mask holder 5. . That is, the mask holder 5 supports the pellicle-attached mask M via the projections 4 by supporting the projections 4.
【００４６】このとき、突起部４は、装着されたペリク
ル２が形成する平面から、ペリクル枠３のマスクＭに取
り付けられるべき面とは反対の方向（−Ｚ方向）に突出
しているので、マスクＭがマスクホルダ５に保持された
際に、ペリクル２とマスクホルダ５とは干渉しないよう
になっている。At this time, the projections 4 protrude from the plane formed by the mounted pellicle 2 in the direction (-Z direction) opposite to the surface of the pellicle frame 3 to be mounted on the mask M. When M is held by the mask holder 5, the pellicle 2 and the mask holder 5 do not interfere with each other.
【００４７】そして、マスクＭをマスクホルダ５に保持
させたら、制御部９は、各ステージ１１１及び１３０を
駆動し、図示しないアライメント系によって、マスクＭ
及び基板Ｗの、照明光学系１５０及び投影光学系１２０
に対するアライメントを行う。When the mask M is held by the mask holder 5, the controller 9 drives each of the stages 111 and 130, and the mask M is moved by an alignment system (not shown).
Optical system 150 and projection optical system 120
To the alignment.
【００４８】マスクＭ及び基板Ｗのアライメント終了
後、照明光学系１５０からはマスクＭに向かって露光光
が射出される。この露光光はマスクＭ及びペリクル２を
透過し、投影光学系１２０を介して、基板Ｗ上の投影領
域にマスクＭのパターンの像を結像する。こうして、マ
スクＭに形成されたパターンの像は基板Ｗに転写され
る。After the alignment of the mask M and the substrate W is completed, exposure light is emitted from the illumination optical system 150 toward the mask M. The exposure light passes through the mask M and the pellicle 2, and forms an image of the pattern of the mask M on a projection area on the substrate W via the projection optical system 120. Thus, the image of the pattern formed on the mask M is transferred to the substrate W.
【００４９】このように、ペリクル枠３に、このペリク
ル枠３を支持するための突起部４を設けたことにより、
マスクＭはマスクホルダ５によって突起部４及びペリク
ル枠３を介して安定して保持される。As described above, by providing the projection 4 for supporting the pellicle frame 3 on the pellicle frame 3,
The mask M is stably held by the mask holder 5 via the protrusions 4 and the pellicle frame 3.
【００５０】そして、従来では、マスクＭはマスクステ
ージにより周縁部Ｍａを支持される構成であったため、
たわみやすかった。しかしながら、本実施形態のよう
に、突起部４を介してペリクル枠３によりマスクＭを支
持する構成としたことにより、マスクＭは板面中心側を
保持される。したがって、例えば、マスクＭの自重に起
因するたわみを低減することができる。したがって、精
度良い安定した露光処理を行うことができる。Conventionally, the mask M has a configuration in which the peripheral edge Ma is supported by the mask stage.
It was easy to bend. However, since the mask M is supported by the pellicle frame 3 via the protrusions 4 as in the present embodiment, the mask M is held at the center of the plate surface. Therefore, for example, it is possible to reduce the deflection caused by the weight of the mask M. Therefore, accurate and stable exposure processing can be performed.
【００５１】突起部４は、ペリクル２が形成する平面か
ら、ペリクル枠３のマスクＭに取り付けられるべき面と
は反対の方向（−Ｚ方向）に突出するように設けられた
ので、マスクＭをマスクホルダ５に載置した際、ペリク
ル２とマスクホルダ５とは干渉しない。したがって、ペ
リクル２の損傷を防止することができるので、マスクＭ
のパターンＰＡに対する異物の付着を確実に防止しつ
つ、精度良い安定した露光処理を行うことができる。The projection 4 is provided so as to project from the plane formed by the pellicle 2 in the direction (-Z direction) opposite to the surface of the pellicle frame 3 to be attached to the mask M. When placed on the mask holder 5, the pellicle 2 does not interfere with the mask holder 5. Therefore, the pellicle 2 can be prevented from being damaged, so that the mask M
It is possible to perform accurate and stable exposure processing while reliably preventing foreign matter from adhering to the pattern PA.
【００５２】なお、上記実施形態における突起部４は、
平面視四角形状に設けられたペリクル枠３の４辺の下端
面のうち、対向する２辺に沿うように形成されている
が、もちろん、４辺全てに設けてもよい。すなわち、突
起部４をペリクル２が形成する平面よりマスクＭと反対
側に突出するように、且つ、マスクホルダ５に保持可能
な形状であれば、如何なる形状であってもよい。そし
て、所定の形状に形成された突起部４に対応するように
マスクホルダ５の形状を設定することにより、マスクホ
ルダ５は、突起部４を支持してペリクル付マスクＭを安
定して支持することができる。The protrusion 4 in the above embodiment is
Of the four lower end surfaces of the pellicle frame 3 provided in a square shape in plan view, the lower end surface is formed along two opposing sides, but may be provided on all four sides. That is, any shape may be used as long as the protrusion 4 projects from the plane formed by the pellicle 2 to the opposite side of the mask M and can be held by the mask holder 5. By setting the shape of the mask holder 5 so as to correspond to the projection 4 formed in a predetermined shape, the mask holder 5 supports the projection 4 and stably supports the pellicle-attached mask M. be able to.
【００５３】次に、本発明の枠部材及びマスクと露光装
置の第２実施形態について、図４、図５を参照しながら
説明する。ここで、前述した第１実施形態と同一もしく
は同等の構成部分については、同一の符号を用いるとと
もに、その説明を簡略もしくは省略するものとする。Next, a second embodiment of the frame member, the mask and the exposure apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those of the above-described first embodiment, and the description thereof will be simplified or omitted.
【００５４】図４、図５において、マスクＭは、パター
ンＰＡ面側に設けられたペリクル２を支持するペリクル
枠３と、このペリクル枠３を支持するための突起部（支
持部）４と、この支持部４から、マスクＭと反対側に向
かって突出する第２突起部６とを備えている。4 and 5, the mask M includes a pellicle frame 3 for supporting the pellicle 2 provided on the pattern PA surface side, a projection (supporting portion) 4 for supporting the pellicle frame 3, and A second protruding portion 6 protruding from the support portion 4 toward the side opposite to the mask M is provided.
【００５５】この第２突起部６は、支持部４の所定位置
に設けられており、本実施形態においては、２つの支持
部４のそれぞれの両端部に取り付けられ、全部で４つ設
けられている。なお、この第２突起部６は支持部４の両
端部に限らず、支持部４において任意の位置に取り付け
ることが可能である。The second protrusions 6 are provided at predetermined positions on the support 4. In the present embodiment, the second protrusions 6 are attached to both ends of the two support 4, and a total of four are provided. I have. The second protrusions 6 are not limited to the both ends of the support 4 and can be attached to the support 4 at any positions.
【００５６】このとき、マスクホルダ５には、支持部４
に取り付けられた第２突起部６に対応する位置に、この
第２突起部６と嵌合する嵌合部７が形成されている。つ
まり、マスクホルダ５に予め嵌合部７を設け、この嵌合
部７に対応するように、支持部４に第２突起部６が取り
付けられる。At this time, the mask holder 5 has the support 4
At a position corresponding to the second projection 6 attached to the second projection 6, a fitting portion 7 that fits with the second projection 6 is formed. That is, the fitting portion 7 is provided on the mask holder 5 in advance, and the second protrusion 6 is attached to the support portion 4 so as to correspond to the fitting portion 7.
【００５７】このような第２突起部６を有するペリクル
枠３を備えたマスクＭをマスクステージ１１１に搭載す
るために、制御部９は、第２突起部６と嵌合部７との位
置合わせを行いつつ、マスクローダによって、マスクホ
ルダ５にマスクＭを載置する。マスクＭはマスクホルダ
５に載置された際、第２突起部６と嵌合部７とが嵌合す
ることにって位置ずれを防止される。In order to mount the mask M provided with the pellicle frame 3 having the second protrusion 6 on the mask stage 111, the control unit 9 adjusts the position between the second protrusion 6 and the fitting portion 7. Is performed, the mask M is placed on the mask holder 5 by the mask loader. When the mask M is placed on the mask holder 5, the second projection 6 and the fitting portion 7 are fitted to each other, thereby preventing the mask M from being displaced.
【００５８】そして、マスクＭをマスクホルダ５に保持
させたら、制御部９は、各ステージ１１１及び１３０を
駆動し、図示しないアライメント系によりマスクＭ及び
基板Ｗの照明光学系１５０及び投影光学系１２０に対す
るアライメントを行った後、照明光学系１５０によって
マスクＭに露光光を照射する。露光光はマスクＭ及びペ
リクル２を透過し、投影光学系１２０を介して、基板Ｗ
上の投影領域にマスクＭのパターンの像を結像する。こ
うして、マスクＭに形成されたパターンの像は基板Ｗに
転写される。When the mask M is held by the mask holder 5, the control unit 9 drives each of the stages 111 and 130, and the illumination optical system 150 and the projection optical system 120 for the mask M and the substrate W by an alignment system (not shown). Is performed, the mask M is irradiated with exposure light by the illumination optical system 150. Exposure light passes through the mask M and the pellicle 2 and passes through the projection optical system 120 to the substrate W
An image of the pattern of the mask M is formed on the upper projection area. Thus, the image of the pattern formed on the mask M is transferred to the substrate W.
【００５９】このように、ペリクル枠３に第２突起部６
を設けるとともに、マスクホルダ５に嵌合部７を設けた
ことにより、マスクホルダ５に載置されたマスクＭの板
面に沿う方向（Ｙ方向）への位置ずれは防止される。こ
の場合、マスクホルダ５は、マスクＭを真空吸着するた
めの吸着穴を設けられなくても、マスクＭを安定して保
持することができる。As described above, the second protrusion 6 is formed on the pellicle frame 3.
Is provided, and the fitting portion 7 is provided on the mask holder 5, so that the displacement of the mask M placed on the mask holder 5 in the direction (Y direction) along the plate surface is prevented. In this case, the mask holder 5 can stably hold the mask M even if no suction hole for vacuum suction of the mask M is provided.
【００６０】以上のように、マスクホルダ５に支持され
たマスクＭの位置ずれを防止する位置ずれ防止部を設け
ることにより、マスクホルダ５に真空吸着穴を設けるこ
となく、マスクＭは安定してマスクホルダ５に保持され
る。そして、本実施形態においては、この位置ずれ防止
部は、ペリクル枠３の端部よりマスクＭと反対側に突起
する第２突起部６と、マスクホルダ５に設けられ、第２
突起部６を嵌合する嵌合部７とを備えた構成となってい
る。As described above, by providing the position shift preventing portion for preventing the position shift of the mask M supported by the mask holder 5, the mask M can be stably provided without providing a vacuum suction hole in the mask holder 5. It is held by the mask holder 5. In the present embodiment, the misalignment prevention portion is provided on the second protrusion 6 protruding from the end of the pellicle frame 3 to the side opposite to the mask M, and on the mask holder 5.
And a fitting portion 7 into which the projection 6 is fitted.
【００６１】そして、マスクＭをマスクホルダ５に保持
させた際、ペリクル２をマスクホルダ５とは干渉しない
位置に装着することにより、ペリクル２の損傷は防止さ
れる。したがって、精度良く安定した露光処理を行うこ
とができる。When the mask M is held by the mask holder 5, the pellicle 2 is prevented from being damaged by mounting the pellicle 2 at a position where the pellicle 2 does not interfere with the mask holder 5. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.
【００６２】一方、マスクホルダ５に真空吸着穴を設け
ることも可能である。この場合、嵌合部７の内部（底部
あるいは側壁部）に吸着穴５ａを設け、この吸着穴５ａ
によって第２突起部６を真空吸着することも可能であ
る。さらに、第２突起部６の高さを嵌合部７の高さ（深
さ）と同一あるいは若干小さくし、支持部４の下面とマ
スクホルダ５とを当接可能とし、このマスクホルダ５に
真空吸着穴を設け、吸着穴による吸着保持と嵌合部７に
よる保持とを併用することも可能である。On the other hand, it is also possible to provide a vacuum suction hole in the mask holder 5. In this case, a suction hole 5a is provided in the inside (bottom or side wall) of the fitting portion 7, and the suction hole 5a is provided.
Thus, the second protrusion 6 can be vacuum-sucked. Further, the height of the second protrusion 6 is made equal to or slightly smaller than the height (depth) of the fitting portion 7 so that the lower surface of the support portion 4 and the mask holder 5 can be brought into contact with each other. It is also possible to provide a vacuum suction hole, and to use the suction holding by the suction hole and the holding by the fitting portion 7 together.
【００６３】また、本実施形態においては、支持部４の
端部に第２突起部６を設けるとともに、マスクホルダ５
にこの第２突起部６に対応した嵌合部７を設ける構成で
あるが、第２突起部６を設けないとともに、マスクホル
ダ５には支持部４に対応した嵌合部を設け、支持部４を
この嵌合部に嵌合させる構成とすることももちろん可能
である。この場合、ペリクル２とマスクホルダ５とが干
渉しないように、支持部４の高さ及び嵌合部の深さを設
定する。In the present embodiment, the second protrusion 6 is provided at the end of the support 4 and the mask holder 5 is provided.
In this configuration, a fitting portion 7 corresponding to the second protrusion 6 is provided, but the second protrusion 6 is not provided, and a fitting portion corresponding to the support portion 4 is provided on the mask holder 5. Of course, it is also possible to adopt a configuration in which 4 is fitted to this fitting portion. In this case, the height of the support portion 4 and the depth of the fitting portion are set so that the pellicle 2 and the mask holder 5 do not interfere with each other.
【００６４】次に、本発明の枠部材及びマスクと露光装
置の第３実施形態について、図６、図７を参照しながら
説明する。ここで、前述した第１、第２実施形態と同一
もしくは同等の構成部分については、同一の符号を用い
るとともに、その説明を簡略もしくは省略するものとす
る。Next, a third embodiment of the frame member, the mask, and the exposure apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those of the above-described first and second embodiments, and the description thereof will be simplified or omitted.
【００６５】図６、図７において、マスクＭは、パター
ンＰＡ面側に設けられたペリクル２を支持するペリクル
枠３と、このペリクル枠３を支持するための支持部８と
を備えている。このとき、支持部８は、下面（マスクホ
ルダ５と当接されるべき面）の面積を大きく形成された
フランジ状に形成されている。そして、支持部（フラン
ジ部）８は、図７に示すように、ペリクル枠３のマスク
Ｍとは反対側の端部に設けられ、このペリクル枠３の端
部から外側に向かって形成されている。6 and 7, the mask M includes a pellicle frame 3 provided on the pattern PA surface side for supporting the pellicle 2 and a support portion 8 for supporting the pellicle frame 3. At this time, the support portion 8 is formed in a flange shape in which the area of the lower surface (the surface to be brought into contact with the mask holder 5) is increased. As shown in FIG. 7, the support portion (flange portion) 8 is provided at an end of the pellicle frame 3 opposite to the mask M, and is formed outward from the end of the pellicle frame 3. I have.
【００６６】このとき、このマスクＭが載置されるべき
マスクホルダ５には、フランジ部８を真空吸着するため
の吸着穴５ａが設けられている。At this time, the mask holder 5 on which the mask M is to be mounted is provided with a suction hole 5a for sucking the flange portion 8 by vacuum.
【００６７】このようなフランジ部８を有するペリクル
枠３を備えたマスクＭをマスクステージ１１１に搭載す
るために、制御部９は、マスクＭに設けられたフランジ
部８とマスクホルダ５に設けられた吸着穴５ａとの位置
合わせを行いつつ、マスクローダによって、マスクホル
ダ５にマスクＭを載置する。マスクＭのフランジ部８が
真空吸着穴５ａに吸着されることによって、マスクＭは
マスクホルダ５に安定して保持される。In order to mount the mask M provided with the pellicle frame 3 having the flange 8 on the mask stage 111, the control unit 9 is provided on the flange 8 provided on the mask M and the mask holder 5. The mask M is placed on the mask holder 5 by the mask loader while performing the alignment with the suction hole 5a. The mask M is stably held by the mask holder 5 by the suction of the flange portion 8 of the mask M into the vacuum suction hole 5a.
【００６８】そして、マスクＭをマスクホルダ５に保持
させたら、制御部９は、照明光学系１５０によりマスク
Ｍに露光光を照射する。このとき、フランジ部８は、ペ
リクル枠３のマスクＭとは反対側の端部から外側に向か
って形成されているので、マスクＭのパターンＰＡ面に
照射された露光光は、フランジ部８に干渉することな
く、投影光学系１２０に達する。こうして、露光光がマ
スクＭ及びペリクル２を透過し、投影光学系１２０を介
して、基板Ｗ上の投影領域にマスクＭのパターンの像を
結像することにより、マスクＭに形成されたパターンの
像は基板Ｗに転写される。When the mask M is held by the mask holder 5, the control section 9 irradiates the mask M with exposure light by the illumination optical system 150. At this time, since the flange portion 8 is formed outward from the end of the pellicle frame 3 opposite to the mask M, the exposure light applied to the pattern PA surface of the mask M is applied to the flange portion 8. The light reaches the projection optical system 120 without interference. In this way, the exposure light passes through the mask M and the pellicle 2 and forms an image of the pattern of the mask M on the projection area on the substrate W via the projection optical system 120, so that the pattern formed on the mask M The image is transferred to the substrate W.
【００６９】このように、ペリクル枠３を支持するため
の支持部を、マスクホルダ５との当接面を大きく形成し
たフランジ部８とすることにより、マスクホルダ５に設
けられた真空吸着穴５ａによる吸着保持はさらに安定し
たものとなる。そして、この場合も、マスクＭは、ペリ
クル枠３及びフランジ部（支持部）８を介してマスクホ
ルダ５に支持される構成となっており、板面中心側を支
持されることになるので、自重によるたわみは低減され
る。したがって、マスクＭは安定して保持されるので、
精度良い安定した露光処理を行うことができる。As described above, by forming the supporting portion for supporting the pellicle frame 3 by the flange portion 8 having a large contact surface with the mask holder 5, the vacuum suction hole 5a provided in the mask holder 5 is provided. Is more stable. Also in this case, the mask M is configured to be supported by the mask holder 5 via the pellicle frame 3 and the flange portion (support portion) 8, and is supported at the center of the plate surface. Deflection due to its own weight is reduced. Therefore, since the mask M is stably held,
Accurate and stable exposure processing can be performed.
【００７０】次に、本発明の枠部材及びマスクの第４実
施形態について、図８を参照しながら説明する。ここ
で、前述した第１〜第３実施形態と同一もしくは同等の
構成部分については、同一の符号を用いるとともに、そ
の説明を簡略もしくは省略するものとする。Next, a fourth embodiment of the frame member and the mask of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those of the above-described first to third embodiments, and the description thereof will be simplified or omitted.
【００７１】図８において、マスクＭは、パターンＰＡ
面側に設けられたペリクル２を支持するペリクル枠３
と、このペリクル枠３を支持するための支持部（突起
部）９とを備えている。そして、支持部９は、少なくと
も一部に磁性材部９ａを含んでいる。In FIG. 8, the mask M has a pattern PA
Pellicle frame 3 supporting pellicle 2 provided on the surface side
And a support portion (projection) 9 for supporting the pellicle frame 3. And the support part 9 contains the magnetic material part 9a at least partially.
【００７２】一方、マスクホルダ５には、電磁石（磁力
吸着部）２０が所定位置に設けられており、支持部９の
一部に設けられた磁性材部９ａを磁力で吸着可能となっ
ている。このとき、電磁石２０は、磁性材部９ａの下端
面と対向する位置に設けられており、電磁石２０を備え
たマスクホルダ５は、磁性材部９ａを備えた支持部９の
下端面を支持するように設けられている。On the other hand, an electromagnet (magnetic force attracting portion) 20 is provided on the mask holder 5 at a predetermined position, and a magnetic material portion 9a provided on a part of the support portion 9 can be attracted by magnetic force. . At this time, the electromagnet 20 is provided at a position facing the lower end surface of the magnetic material portion 9a, and the mask holder 5 provided with the electromagnet 20 supports the lower end surface of the support portion 9 provided with the magnetic material portion 9a. It is provided as follows.
【００７３】このような一部に磁性材部９ａを含む支持
部９を備えたマスクＭをマスクステージ１１１に搭載す
るために、制御部９は、マスクＭに設けられた支持部９
の磁性材部９ａとマスクホルダ５に設けられた電磁石２
０との位置合わせを行いつつ、マスクローダによって、
マスクホルダ５にマスクＭを載置する。そして、電磁石
２０を駆動し、支持部９の磁性材部９ａを磁力で吸着す
る。磁性材部９ａが電磁石２０に吸着されることによっ
て、マスクＭはマスクホルダ５に安定して保持される。In order to mount the mask M provided with the support portion 9 including the magnetic material portion 9a on a part of the mask stage 111, the control portion 9 controls the support portion 9 provided on the mask M.
Of the magnetic material portion 9a and the electromagnet 2 provided on the mask holder 5
While aligning with 0, the mask loader
The mask M is placed on the mask holder 5. Then, the electromagnet 20 is driven to attract the magnetic material portion 9a of the support portion 9 by magnetic force. The mask M is stably held by the mask holder 5 by the magnetic material portion 9 a being attracted to the electromagnet 20.
【００７４】そして、マスクＭをマスクホルダ５に保持
させたら、制御部９は、照明光学系１５０によってマス
クＭに露光光を照射する。露光光がマスクＭ及びペリク
ル２を透過し、投影光学系１２０を介して、基板Ｗ上の
投影領域にマスクＭのパターンの像を結像することによ
り、マスクＭに形成されたパターンの像は基板Ｗに転写
される。When the mask M is held by the mask holder 5, the control section 9 irradiates the mask M with exposure light by the illumination optical system 150. Exposure light passes through the mask M and the pellicle 2, and forms an image of the pattern of the mask M on the projection area on the substrate W via the projection optical system 120, so that the image of the pattern formed on the mask M becomes The image is transferred to the substrate W.
【００７５】このように、ペリクル枠３を支持する支持
部９の少なくとも一部に磁性材部９ａを設けるととも
に、マスクホルダ５に磁性材部９ａを磁力で吸着可能な
磁力吸着部２０を設けることにより、マスクＭの保持は
磁力によって安定して行われる。したがって、露光処理
は精度良く安定して行われる。As described above, the magnetic material portion 9a is provided on at least a part of the support portion 9 for supporting the pellicle frame 3, and the magnetic force attracting portion 20 capable of attracting the magnetic material portion 9a by magnetic force is provided on the mask holder 5. Accordingly, the mask M is stably held by the magnetic force. Therefore, the exposure processing is performed stably with high accuracy.
【００７６】なお、本実施形態においては、電磁石２０
は、磁性材部９ａの下端面（底面）を吸着する構成であ
るが、磁性材部９ａ（支持部９）の側面を吸着する構成
とすることも可能である。In this embodiment, the electromagnet 20
Has a configuration in which the lower end surface (bottom surface) of the magnetic material portion 9a is attracted, but a configuration in which the side surface of the magnetic material portion 9a (support portion 9) is attracted is also possible.
【００７７】さらに、磁性材部９ａを備える支持部９を
設けずに、ペリクル枠３の少なくとも一部に磁性材部を
含ませ、マスクホルダ５に設けられた電磁石２０によっ
て、ペリクル枠３を磁力によって吸着する構成とするこ
とも可能である。この場合も、磁性材部を含むペリクル
枠３の下端面（底面）を吸着する構成とすることも可能
であるし、側面を吸着する構成とすることも可能であ
る。なお、磁性材部を含むペリクル枠３の下端面を支持
する構成においては、ペリクル２とマスクホルダ５とが
干渉しない位置に、このペリクル２を装着することによ
り、ペリクル２の損傷を防止しつつ精度良い安定した露
光処理を行うことができる。Further, at least a portion of the pellicle frame 3 is made to include the magnetic material portion without providing the support portion 9 having the magnetic material portion 9 a, and the pellicle frame 3 is magnetized by the electromagnet 20 provided on the mask holder 5. Can be adopted. Also in this case, it is possible to adopt a configuration in which the lower end surface (bottom surface) of the pellicle frame 3 including the magnetic material portion is attracted, or a configuration in which the side surface is attracted. In the configuration that supports the lower end surface of the pellicle frame 3 including the magnetic material portion, the pellicle 2 is mounted at a position where the pellicle 2 and the mask holder 5 do not interfere with each other, thereby preventing the pellicle 2 from being damaged. Accurate and stable exposure processing can be performed.
【００７８】次に、本発明の枠部材及びマスクの第５実
施形態について、図９を参照しながら説明する。ここ
で、前述した第１〜第４実施形態と同一もしくは同等の
構成部分については、同一の符号を用いるとともに、そ
の説明を簡略もしくは省略するものとする。Next, a fifth embodiment of the frame member and the mask of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those of the above-described first to fourth embodiments, and the description thereof will be simplified or omitted.
【００７９】図９において、マスクＭは、パターンＰＡ
面側に設けられたペリクル２を支持するペリクル枠３７
と、このペリクル枠３７を支持するための支持部４とを
備えている。このとき、ペリクル枠３７は、マスクＭと
装着された面の反対方向（−Ｚ方向）に向かって開口面
積を拡大するように形成されている。すなわち、ペリク
ル枠３７は、マスクＭに照射される露光光の下流側に向
かって開口面積を拡大するように形成されている。In FIG. 9, the mask M has a pattern PA
Pellicle frame 37 supporting pellicle 2 provided on the surface side
And a support portion 4 for supporting the pellicle frame 37. At this time, the pellicle frame 37 is formed so as to increase the opening area in the direction (-Z direction) opposite to the surface on which the mask M is mounted. That is, the pellicle frame 37 is formed so as to increase the opening area toward the downstream side of the exposure light irradiated on the mask M.
【００８０】このような、ペリクル枠３７を備えたマス
クＭをマスクステージ１１に設置するために、制御部９
は、マスクＭに設けられた支持部４とマスクホルダ５と
の位置合わせを行いつつ、マスクローダによって、マス
クホルダ５にマスクＭを載置する。そして、マスクＭを
マスクホルダ５に保持させたら、制御部９は、照明光学
系１５０によってマスクＭに露光光を照射する。露光光
がマスクＭ及びペリクル２を透過し、投影光学系１２０
を介して、基板Ｗ上の投影領域にマスクＭのパターンの
像を結像することにより、マスクＭに形成されたパター
ンの像は基板Ｗに転写される。In order to set the mask M having the pellicle frame 37 on the mask stage 11, the control unit 9
The mask M is placed on the mask holder 5 by the mask loader while the support unit 4 provided on the mask M is aligned with the mask holder 5. Then, when the mask M is held by the mask holder 5, the control unit 9 irradiates the mask M with exposure light by the illumination optical system 150. Exposure light is transmitted through the mask M and the pellicle 2, and the projection optical system 120
By forming an image of the pattern of the mask M on the projection area on the substrate W through the substrate, the image of the pattern formed on the mask M is transferred to the substrate W.
【００８１】このとき、ペリクル枠３７は、マスクＭに
装着されるべき面の反対方向に向かって開口面積を拡大
しているので、マスクＭを透過した露光光とペリクル枠
３７の内側面３７ｂとの干渉が低減されている。したが
って、ペリクル枠３７のマスクＭに装着されるべき面
を、第１実施形態などに示したペリクル枠３よりパター
ンＰＡ側に接近させつつこのパターンＰＡを周回するよ
うにしてマスクＭに取り付けることができる。すなわ
ち、ペリクル枠３７をよりパターンＰＡに接近させてマ
スクＭに取り付けても、マスクＭを透過した露光光はペ
リクル枠３７の内側面３７ｂと干渉しない。At this time, since the opening area of the pellicle frame 37 is increased in the direction opposite to the surface to be mounted on the mask M, the exposure light transmitted through the mask M and the inner surface 37b of the pellicle frame 37 Interference has been reduced. Therefore, the surface of the pellicle frame 37 to be mounted on the mask M can be attached to the mask M so as to go around the pattern PA while approaching the pattern PA side from the pellicle frame 3 shown in the first embodiment. it can. That is, even if the pellicle frame 37 is attached to the mask M closer to the pattern PA, the exposure light transmitted through the mask M does not interfere with the inner surface 37b of the pellicle frame 37.
【００８２】したがって、ペリクル枠３７を、マスクＭ
のさらに板面中心側に取り付けることが可能となるの
で、マスクＭの自重によるたわみをさらに低減すること
ができる。よって、精度良く安定した露光処理を行うこ
とができる。Therefore, the pellicle frame 37 is
Can be further attached to the center of the plate surface, so that the deflection of the mask M due to its own weight can be further reduced. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.
【００８３】次に、本発明の枠部材及びマスクの第６実
施形態について、図１０を参照しながら説明する。ここ
で、前述した第１〜第５実施形態と同一もしくは同等の
構成部分については、同一の符号を用いるとともに、そ
の説明を簡略もしくは省略するものとする。Next, a sixth embodiment of the frame member and the mask of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the above-described first to fifth embodiments, and the description thereof will be simplified or omitted.
【００８４】図１０において、マスクＭは、パターンＰ
Ａ面側に設けられたペリクル２を支持するペリクル枠３
と、このペリクル枠３を支持するための支持部４とを備
えている。一方、このマスクＭを支持するマスクステー
ジ１１１は、マスクＭのパターンＰＡ面の面形状を計測
する面形状計測装置３０を備えている。In FIG. 10, the mask M is a pattern P
Pellicle frame 3 supporting pellicle 2 provided on side A
And a support portion 4 for supporting the pellicle frame 3. On the other hand, the mask stage 111 that supports the mask M includes a surface shape measuring device 30 that measures the surface shape of the pattern PA surface of the mask M.
【００８５】この面形状計測装置３０は、例えば、マス
クＭのパターンＰＡ形成面にレーザー光を照射し、反射
した光を計測することによって、パターンＰＡ形成面の
傾きやたわみを計測するものである。この面形状計測装
置３０の計測結果は、制御部９に送出されるようになっ
ている。The surface shape measuring device 30 measures the inclination and the deflection of the pattern PA forming surface by irradiating the pattern PA forming surface of the mask M with a laser beam and measuring the reflected light, for example. . The measurement result of the surface shape measuring device 30 is sent to the control unit 9.
【００８６】また、マスクステージ１１１には、マスク
ステージ１１１に載置されたマスクＭの周縁部Ｍａを保
持する周縁保持部３１が設置されている。Further, the mask stage 111 is provided with a peripheral holding portion 31 for holding a peripheral portion Ma of the mask M mounted on the mask stage 111.
【００８７】このような、面形状計測装置３０を備えた
マスクステージ１１１にマスクＭを搭載するために、制
御部９は、マスクＭに設けられた支持部４とマスクホル
ダ５との位置合わせを行いつつ、マスクローダによっ
て、マスクホルダ５にマスクＭを載置する。そして、マ
スクＭをマスクホルダ５に保持させたら、制御部９は、
面形状計測装置３０によって、マスクＭのパターンＰＡ
面の面形状を計測する。マスクＭのパターンＰＡ面は、
面形状計測装置３０によって、たわみや傾きを計測され
る。In order to mount the mask M on the mask stage 111 provided with the surface shape measuring device 30 as described above, the control section 9 adjusts the position of the support section 4 provided on the mask M and the mask holder 5. While performing, the mask M is placed on the mask holder 5 by the mask loader. When the mask M is held by the mask holder 5, the control unit 9
The surface PA of the mask M is measured by the surface shape measuring device 30.
Measure the surface shape of the surface. The pattern PA surface of the mask M
The deflection and inclination are measured by the surface shape measuring device 30.
【００８８】面形状計測装置の計測信号は制御部９に送
られ、制御部９は、この計測結果に基づいて、マスクス
テージ１１１に搭載されたマスクＭのパターンＰＡ面の
面形状が露光処理可能か否かを判別する。すなわち、制
御部９は、マスクＭのパターンＰＡ面のたわみが所定範
囲か否かを判別する。この所定範囲は予め制御部９に記
憶された値であって、たわみの値が所定範囲内であれば
精度良い露光処理を行うことができると予め実験的に求
められた値である。The measurement signal of the surface shape measuring device is sent to the control unit 9, and the control unit 9 can subject the surface shape of the pattern PA of the mask M mounted on the mask stage 111 to exposure processing based on the measurement result. It is determined whether or not. That is, the control unit 9 determines whether the deflection of the surface of the pattern PA of the mask M is within a predetermined range. The predetermined range is a value stored in the control unit 9 in advance, and is a value experimentally determined in advance that accurate exposure processing can be performed if the value of the deflection is within the predetermined range.
【００８９】面形状計測装置３０の計測結果が所定範囲
内であれば、制御部９はこのマスクＭを用いて所定の精
度を有する露光処理が行えると判断し、照明光学系１５
０によってマスクＭに露光光を照射する。露光光がマス
クＭ及びペリクル２を透過し、投影光学系１２０を介し
て、基板Ｗ上の投影領域にマスクＭのパターンの像を結
像することにより、マスクＭに形成されたパターンの像
は基板Ｗに転写される。If the measurement result of the surface shape measuring device 30 is within a predetermined range, the control section 9 determines that exposure processing with predetermined accuracy can be performed using the mask M, and the illumination optical system 15
Exposure light is irradiated to the mask M by 0. Exposure light passes through the mask M and the pellicle 2, and forms an image of the pattern of the mask M on the projection area on the substrate W via the projection optical system 120, so that the image of the pattern formed on the mask M becomes The image is transferred to the substrate W.
【００９０】一方、面形状計測装置の計測結果が所定範
囲外であれば、制御部９はこのマスクＭを用いて所定の
精度を有する露光処理が行えないと判断し、マスクホル
ダ５を制御する。具体的には、制御部９は、周縁保持部
３１によってマスクＭの周縁部Ｍａを保持させた状態
で、マスクホルダ５をパターンＰＡ面とは直交する方向
に制御する。すなわち、制御部９は、パターンＰＡ面が
図１０中、鎖線で示すように−Ｚ方向に凸状にたわんで
いると判断した場合、マスクＭに設けられたペリクル枠
３の支持部４を＋Ｚ方向に移動するようにマスクホルダ
５を制御する。すると、−Ｚ方向に凸状にたわんでいる
マスクＭのパターンＰＡ面は平面に矯正される。一方、
パターンＰＡ面が＋Ｚ方向に凸状にたわんでいると判断
した場合、支持部４を−Ｚ方向に移動するようにマスク
ホルダ５を制御する。すると、＋Ｚ方向に凸状にたわん
でいるマスクＭのパターンＰＡ面は平面に矯正される。On the other hand, if the measurement result of the surface shape measuring device is out of the predetermined range, the control unit 9 determines that the exposure processing with the predetermined accuracy cannot be performed using the mask M, and controls the mask holder 5. . Specifically, the control unit 9 controls the mask holder 5 in a direction orthogonal to the pattern PA surface in a state where the peripheral edge Ma of the mask M is held by the peripheral edge holding unit 31. That is, when the control unit 9 determines that the surface of the pattern PA is bent convexly in the −Z direction as shown by a chain line in FIG. 10, the support unit 4 of the pellicle frame 3 provided on the mask M is changed to + Z. The mask holder 5 is controlled to move in the direction. Then, the pattern PA surface of the mask M bent in a convex shape in the -Z direction is corrected to a flat surface. on the other hand,
If it is determined that the surface of the pattern PA is bent in the + Z direction, the mask holder 5 is controlled so that the support portion 4 is moved in the −Z direction. Then, the pattern PA surface of the mask M bent in a convex shape in the + Z direction is corrected to a flat surface.
【００９１】このように、マスクホルダ５をパターンＰ
Ａとは直交する方向に制御することによって、たわんで
いるマスクＭのパターンＰＡ面を矯正することができ
る。つまり、第１〜第５実施形態に示したように、支持
部４を介して枠部材３によってマスクＭを支持すること
により、マスクＭに生じるたわみは十分に低減すること
ができるが、万が一、マスクＭにたわみが生じた場合で
も、本実施形態の構成を採用することによりマスクＭの
たわみを確実に低減することができる。そして、たわみ
を矯正した状態で、このマスクＭに露光光を照射するこ
とにより、精度良く安定した露光処理を行うことができ
る。As described above, the mask holder 5 is
By controlling in the direction orthogonal to A, the pattern PA surface of the bent mask M can be corrected. That is, as shown in the first to fifth embodiments, the deflection generated in the mask M can be sufficiently reduced by supporting the mask M by the frame member 3 via the support portion 4, Even when the mask M is bent, the configuration of the present embodiment can surely reduce the deflection of the mask M. Then, by irradiating the mask M with exposure light in a state where the deflection is corrected, a stable and accurate exposure process can be performed.
【００９２】なお、この場合、マスクホルダ５を移動す
ることによってマスクＭのたわみを矯正しているが、例
えば、マスクＭの周縁部ＭａにこのマスクＭのたわみを
矯正するように力を作用する装置を設け、面形状計測装
置３０の計測結果に基づいて、この装置を制御してもよ
い。すなわち、マスクＭのパターンＰＡ形成面のたわみ
を矯正するように、マスクＭの一部に力を作用する力作
用装置を備える構成とすることができる。In this case, the deflection of the mask M is corrected by moving the mask holder 5. For example, a force acts on the peripheral edge Ma of the mask M so as to correct the deflection of the mask M. A device may be provided, and the device may be controlled based on the measurement result of the surface shape measuring device 30. That is, it is possible to adopt a configuration including a force application device that applies a force to a part of the mask M so as to correct the deflection of the pattern PA formation surface of the mask M.
【００９３】なお、周縁保持部３１を設け、マスクＭの
たわみを矯正するものを示したが、周縁保持部３１を設
けず、面形状計測装置３０の計測結果に基づいて、パタ
ーンＰＡ面が所定の位置となるようにマスクホルダ５を
Ｚ方向に駆動するようにしてもよい。Although the peripheral edge holding portion 31 is provided to correct the deflection of the mask M, the peripheral edge holding portion 31 is not provided, and the pattern PA surface has a predetermined shape based on the measurement result of the surface shape measuring device 30. The mask holder 5 may be driven in the Z direction so as to be at the position of.
【００９４】なお、上記各実施形態においては、ペリク
ル枠（枠部材）３にペリクル（保護膜）２を装着する構
成であったが、マスクＭにペリクル２を装着しない構成
とする場合には、直接、マスクＭにマスクホルダ５で支
持させるための突起部（支持部）を設ける構成とするこ
とも可能である。この場合、この支持部は、マスクＭに
形成されたパターンＰＡの周囲を周回するように形成さ
れるものであるとは限らない。すなわち、マスクＭのパ
ターンＰＡ面側の所定位置に複数の突起部を設け、この
突起部をマスクホルダで支持することが可能である。こ
のように、パターンが形成されたマスクにおいて、この
マスクを載置するマスクホルダで保持するための突起部
をパターン面側に設ける構成とすることができる。In each of the above embodiments, the pellicle (protective film) 2 is mounted on the pellicle frame (frame member) 3. However, when the pellicle 2 is not mounted on the mask M, It is also possible to adopt a configuration in which a projection (support) for directly supporting the mask M with the mask holder 5 is provided. In this case, the support portion is not always formed so as to go around the pattern PA formed on the mask M. That is, it is possible to provide a plurality of protrusions at predetermined positions on the pattern PA surface side of the mask M, and to support the protrusions with the mask holder. As described above, in the mask on which the pattern is formed, a configuration may be adopted in which the protrusion for holding the mask by the mask holder on which the mask is placed is provided on the pattern surface side.
【００９５】さらに、上記各実施形態は任意に組み合わ
せることが可能であり、それぞれの各実施形態で説明し
た構成を組み合わせることによって、マスクステージ１
１１は、マスクＭをさらに安定して保持することが可能
となる。したがって、露光処理は精度良く安定して行わ
れる。Further, each of the above embodiments can be arbitrarily combined, and by combining the structures described in each embodiment, the mask stage 1
11 makes it possible to hold the mask M more stably. Therefore, the exposure processing is performed stably with high accuracy.
【００９６】本発明に係る基板Ｗとしては、半導体デバ
イス用の半導体ウェーハのみならず、液晶表示デバイス
用のガラスプレートや、薄膜磁気ヘッド用のセラミック
ウェーハであってもよい。The substrate W according to the present invention is not limited to a semiconductor wafer for a semiconductor device, but may be a glass plate for a liquid crystal display device or a ceramic wafer for a thin-film magnetic head.
【００９７】露光装置１００としては、マスクＭと基板
Ｗとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、基
板Ｗを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピ
ート方式の露光装置（ステッパー）に限らず、マスクＭ
と基板Ｗとを同期移動してマスクＭのパターンを基板Ｗ
に露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露
光装置（スキャニング・ステッパー）にも適用すること
ができる。The exposure apparatus 100 is not limited to a step-and-repeat type exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the mask M while the mask M and the substrate W are stationary and sequentially moves the substrate W in steps. , Mask M
And the substrate W are moved synchronously so that the pattern of the mask M is
The present invention can also be applied to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) for exposing to light.
【００９８】露光装置１００の種類としては、上記半導
体製造用のみならず、液晶表示デバイス製造用の露光装
置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはマ
スクＭなどを製造するための露光装置などにも広く適用
できる。The types of the exposure apparatus 100 include not only the semiconductor manufacturing described above, but also an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, an exposure apparatus for manufacturing a thin-film magnetic head, an imaging device (CCD), a mask M, and the like. Can be widely applied.
【００９９】また、照明光学系１５０の光源１５３とし
て、水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎ
ｍ）、ｈ線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ
エキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ2 レーザ（１５７ｎ
ｍ）などを用いることができる。また、ＹＡＧレーザや
半導体レーザなどの高周波などを用いてもよい。Further, as a light source 153 of the illumination optical system 150, a bright line (g-line (436n
m), h-line (404.7 nm), i-line (365n)
m)), KrF excimer laser (248 nm), ArF
Excimer laser (193nm), F2 laser (157n)
m) can be used. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.
【０１００】投影光学系１２０の倍率は、縮小系のみな
らず、等倍系および拡大系のいずれでもよい。The magnification of the projection optical system 120 may be not only a reduction system but also any one of an equal magnification system and an enlargement system.
【０１０１】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。As described above, the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention can be used to convert various subsystems including the components described in the claims of the present application into predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy,
It is manufactured by assembling to maintain optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.
【０１０２】半導体デバイスは、図１１に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この
設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ２０
２、デバイスの基材となる基板（ウェーハ、ガラスプレ
ート）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の
露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する基板
処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイ
シング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含
む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。The semiconductor device, as shown in FIG.
Step 201 for designing the function and performance of the device, Step 20 for manufacturing a mask based on this design step
2. Step 203 of manufacturing a substrate (wafer, glass plate) serving as a base material of the device; substrate processing step 204 of exposing a mask pattern to the substrate by the exposure apparatus of the above-described embodiment; device assembling step (dicing step, bonding) (Including a process and a package process) 205, an inspection step 206, and the like.
【０１０３】[0103]
【発明の効果】本発明によれば、枠部材を支持するため
の突起部（支持部）を設けたことにより、この突起部を
支持することによって、マスクは枠部材を介して安定し
て支持される。そして、マスクは、突起部を介して枠部
材に支持される構成となるので、周縁部を支持されるよ
り板面中心側を支持されることになる。したがって、マ
スクを支持した際、このマスクに生じるたわみを低減す
ることができるので、精度良く安定した露光処理を行う
ことができる。また、枠部材を支持するので、枠部材自
体の自重によるマスクのたわみの影響も少ないので、枠
部材の自重を考慮する必要がなく、材料、形状などの自
由度が増すことになる。According to the present invention, by providing a projection (supporting portion) for supporting the frame member, the mask is stably supported via the frame member by supporting the projection. Is done. Since the mask is supported by the frame member via the protruding portion, the center of the plate surface is supported more than the peripheral portion is supported. Therefore, when the mask is supported, the bending generated in the mask can be reduced, so that a stable and accurate exposure process can be performed. In addition, since the frame member is supported, the influence of the deflection of the mask due to the weight of the frame member itself is small. Therefore, it is not necessary to consider the weight of the frame member, and the degree of freedom of the material and the shape is increased.
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成
図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
【図２】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第１実施
形態を説明するための斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図３】図２の側面図である。FIG. 3 is a side view of FIG. 2;
【図４】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第２実施
形態を説明するための斜視図である。FIG. 4 is a perspective view illustrating a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】図４の要部拡大側面図である。FIG. 5 is an enlarged side view of a main part of FIG. 4;
【図６】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第３実施
形態を説明するための斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図７】図６の側方断面図である。FIG. 7 is a side sectional view of FIG. 6;
【図８】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第４実施
形態を説明するための斜視図である。FIG. 8 is a perspective view illustrating a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第５実施
形態を説明するための側方断面図である。FIG. 9 is a side sectional view illustrating a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の枠部材、マスクと露光装置の第６実
施形態を説明するための構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram for explaining a frame member, a mask, and an exposure apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１１】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロ
ーチャート図である。FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.
【図１２】従来の枠部材、マスクと露光装置を説明する
ための図である。FIG. 12 is a view for explaining a conventional frame member, mask and exposure apparatus.
２ ペリクル（保護膜） ３、９、３７ ペリクル枠（枠部材） ３、４、６、８、９ 突起部（支持部） ３ｂ、３７ｂ （ペリクル枠）内側面 ５ マスクホルダ（載置部） ９ａ 磁性材部 ２０ 電磁石（磁力吸着部） １００ 露光装置 １１１ マスクステージ（載置部） Ｍ マスク Ｍａ （マスク）周縁部 ＰＡ パターン Ｗ 基板 2 Pellicle (Protective Film) 3, 9, 37 Pellicle Frame (Frame Member) 3, 4, 6, 8, 9 Protrusion (Support) 3b, 37b (Pellicle Frame) Inner Surface 5 Mask Holder (Placement) 9a Magnetic material part 20 Electromagnet (magnetic attraction part) 100 Exposure device 111 Mask stage (placement part) M Mask Ma (Mask) peripheral part PA pattern W Substrate
Claims (10)
付着するのを防止する保護膜を前記マスクに装着するた
めの枠部材において、 前記枠部材を支持するための突起部を設けたことを特徴
とする枠部材。1. A frame member for mounting a protective film for preventing a foreign substance from adhering to a pattern surface formed on a mask on the mask, wherein a projection for supporting the frame member is provided. Characteristic frame members.
前記枠部材の前記マスクに取り付けられるべき面とは反
対の方向に突出していることを特徴とする枠部材。2. The frame member according to claim 1, wherein the protrusion is formed from a plane of the protective film to be mounted.
A frame member protruding in a direction opposite to a surface of the frame member to be attached to the mask.
て、 前記突起部は、前記保護膜が装着される面に設けられた
ことを特徴とする枠部材。3. The frame member according to claim 1, wherein the protrusion is provided on a surface on which the protective film is mounted.
向に向かって開口面積を拡大することを特徴とする枠部
材。4. The frame member according to claim 3, wherein the frame member increases an opening area in a direction opposite to a surface to be mounted on the mask.
突起部を前記パターン面側に設けたことを特徴とするマ
スク。5. A mask on which a pattern is formed, wherein a projection for holding the mask by a mask holding device for mounting the mask is provided on the pattern surface side.
れ、前記パターンを保護する保護膜を装着したことを特
徴とするマスク。6. The mask according to claim 5, wherein the projection is provided so as to go around the pattern, and is provided with a protective film for protecting the pattern.
する保護膜付マスクと、前記パターンを感光基板に転写
する露光装置において、 前記保護膜付マスクを載置する載置部を備え、 前記保護膜付マスクは、前記保護膜をマスクに装着する
枠部材を有し、該枠部材には、該保護膜付マスクを支持
するための支持部を備え、 前記載置部は、前記支持部を支持して前記保護膜付マス
クを支持することを特徴とする露光装置。7. An exposure apparatus for forming a pattern and protecting the pattern, the mask having a protective film, and an exposure apparatus for transferring the pattern onto a photosensitive substrate, comprising: a mounting portion for mounting the mask with a protective film; The mask with a film has a frame member for mounting the protective film on the mask, and the frame member includes a support portion for supporting the mask with the protective film. An exposure apparatus that supports and supports the mask with a protective film.
とを特徴とする露光装置。8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the placing section includes a fitting section that fits with the support section.
て、 前記枠部材は少なくとも一部に磁性材部を含み、 前記支持部に設けられ、前記磁性材部を磁力で吸着する
磁力吸着部を備えることを特徴とする露光装置。9. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the frame member includes a magnetic material part at least in part, and is provided on the support part, and the magnetic member attracts the magnetic material part by magnetic force. An exposure apparatus comprising:
装置において、 前記載置部は、前記パターン面の面形状を計測して、該
パターン面とは直交する方向に前記支持部を支持する支
持機構を制御することを特徴とする露光装置。10. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the mounting unit measures a surface shape of the pattern surface, and moves the support unit in a direction orthogonal to the pattern surface. An exposure apparatus characterized by controlling a supporting mechanism to be supported.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013491A JP2001201846A (en) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Frame member, mask, and aligner |
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Publications (1)
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