JP2001196571A - Solid-state image pickup device - Google Patents
Solid-state image pickup deviceInfo
- Publication number
- JP2001196571A JP2001196571A JP2000001160A JP2000001160A JP2001196571A JP 2001196571 A JP2001196571 A JP 2001196571A JP 2000001160 A JP2000001160 A JP 2000001160A JP 2000001160 A JP2000001160 A JP 2000001160A JP 2001196571 A JP2001196571 A JP 2001196571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- imaging region
- solid
- insulating film
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤ等の固体撮
像素子に関し、詳しくは有効撮像領域の周辺に配置され
る配線膜や遮光膜による段差を抑制した固体撮像素子に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device such as a CCD, and more particularly to a solid-state imaging device in which a step caused by a wiring film or a light-shielding film disposed around an effective imaging region is suppressed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、ＣＣＤ固体撮像素子において
は、チップの中央にマトリクス状の撮像画素を配置した
有効撮像領域を有し、その周囲部に非撮像領域を設けて
構成されている。そして、有効撮像領域には、半導体基
板内に撮像画素を構成するフォトセンサや信号電荷を垂
直方向に転送するための垂直転送レジスタ等が形成さ
れ、さらにその上面には、垂直転送用の電極等が設けら
れている。また、非撮像領域には、半導体基板内に垂直
転送レジスタからの信号電荷を水平方向に転送する水平
転送レジスタや隣接する固体撮像素子間を絶縁分離する
素子分離領域が形成され、その上面に水平転送用の電極
等が設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a CCD solid-state imaging device has an effective imaging area in which imaging pixels in a matrix are arranged in the center of a chip, and a non-imaging area is provided around the effective imaging area. In the effective imaging region, a photo sensor constituting an imaging pixel, a vertical transfer register for transferring signal charges in a vertical direction, and the like are formed in a semiconductor substrate, and further, electrodes and the like for vertical transfer are formed on the upper surface thereof. Is provided. In the non-imaging region, a horizontal transfer register for transferring signal charges from the vertical transfer register in the horizontal direction and an element isolation region for insulating and separating adjacent solid-state imaging devices are formed in the semiconductor substrate. A transfer electrode and the like are provided.
【０００３】さらにこの水平転送用電極の上面には、水
平転送レジスタを遮光する遮光膜が設けられ、他の素子
分離領域上には垂直転送レジスタの駆動電圧を供給する
配線膜が設けられている。なお、水平転送レジスタの遮
光膜は、方形状のチップの１つの辺に設けられており、
その他の３つの辺に垂直転送レジスタの駆動電圧供給用
配線膜が設けられている。また、このような固体撮像素
子のさらに上面には、チップのほぼ全体にわたって色分
解フィルタやオンチップレンズが配置されており、各フ
ォトセンサ毎に所定の周波数成分を有する撮像光を入射
させるようになっている。Further, a light-shielding film for shielding the horizontal transfer register is provided on the upper surface of the horizontal transfer electrode, and a wiring film for supplying a drive voltage for the vertical transfer register is provided on another element isolation region. . Note that the light-shielding film of the horizontal transfer register is provided on one side of the rectangular chip.
On the other three sides, wiring films for supplying a driving voltage of the vertical transfer register are provided. Further, on the upper surface of such a solid-state imaging device, a color separation filter and an on-chip lens are arranged almost over the entire chip, and imaging light having a predetermined frequency component is incident on each photosensor. Has become.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な構造を有する固体撮像素子においては、半導体基板の
上面に平坦化膜を配置して平坦化を図り、上層の色分解
フィルタやオンチップレンズを平坦な状態で配置できる
ようにしている。しかしながら、従来の平坦化膜では完
全な平坦度を得ることは困難であり、特に有効撮像領域
と非撮像領域との境界部分において段差を有するものと
なっていた。In a solid-state imaging device having the above-described structure, a planarizing film is arranged on the upper surface of a semiconductor substrate to achieve flattening, and an upper layer color separation filter and an on-chip lens are used. Can be arranged in a flat state. However, it is difficult to obtain perfect flatness with the conventional flattening film, and particularly, there is a step at the boundary between the effective imaging region and the non-imaging region.
【０００５】図６〜図８は、従来の固体撮像素子におけ
る有効撮像領域と非撮像領域との境界部分の構造を示す
断面図であり、図６は垂直転送レジスタの駆動電圧供給
用配線膜を設けた部分を固体撮像素子の水平方向に切断
した状態を示している。また、図７は垂直転送レジスタ
の駆動電圧供給用配線膜を設けた部分を固体撮像素子の
垂直方向に切断した状態を示し、図８は水平転送用の電
極を設けた部分を固体撮像素子の垂直方向に切断した状
態を示している。FIGS. 6 to 8 are sectional views showing a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region in a conventional solid-state imaging device. FIG. 6 shows a wiring film for supplying a driving voltage of a vertical transfer register. The state where the provided portion is cut in the horizontal direction of the solid-state imaging device is shown. FIG. 7 shows a state in which a portion of the vertical transfer register provided with a drive voltage supply wiring film is cut in the vertical direction of the solid-state imaging device. FIG. 8 shows a portion provided with electrodes for horizontal transfer in the solid-state imaging device. It shows a state of being cut in the vertical direction.
【０００６】図６において、半導体基板１０の有効撮像
領域１０Ａには、上述したフォトセンサ１１や絶縁膜
（例えばＳｉＯ２膜等）２１の一部を介して垂直転送電
極１２が設けられており、その上面に絶縁膜２１を介し
て平坦化膜（例えばＳｉＮ等）２２が設けられている。
なお、図６では省略しているが、絶縁膜２１と垂直転送
電極１２の間には、各フォトセンサ１１毎に受光用の開
口部を形成した遮光膜が配置されている。また、半導体
基板１０の非撮像領域１０Ｂには、半導体基板１０の上
面に絶縁膜（例えばＳｉＯ２膜等）２０が形成され、そ
の上面に有効撮像領域１０Ａからの絶縁膜２１が形成さ
れている。そして、この絶縁膜２１の上面に上述した垂
直転送レジスタの駆動電圧供給用配線膜（例えばアルミ
配線膜等）２３が設けられている。そして、この上面に
平坦化膜２２が設けられ、この平坦化膜２２の上面に色
分解フィルタ３０及びオンチップレンズ４０が設けられ
ている。In FIG. 6, a vertical transfer electrode 12 is provided in an effective imaging area 10A of a semiconductor substrate 10 via a part of the photosensor 11 and an insulating film (for example, an SiO 2 film) 21 described above. A flattening film (eg, SiN) 22 is provided on the upper surface with an insulating film 21 interposed therebetween.
Although not shown in FIG. 6, a light-shielding film having a light receiving opening formed for each photosensor 11 is disposed between the insulating film 21 and the vertical transfer electrode 12. In the non-imaging region 10B of the semiconductor substrate 10, an insulating film (for example, an SiO2 film) 20 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 10, and an insulating film 21 from the effective imaging region 10A is formed on the upper surface. On the upper surface of the insulating film 21, a wiring film (for example, an aluminum wiring film or the like) 23 for driving voltage supply of the above-described vertical transfer register is provided. The flattening film 22 is provided on the upper surface, and the color separation filter 30 and the on-chip lens 40 are provided on the upper surface of the flattening film 22.
【０００７】また、図７においても、有効撮像領域１０
Ａには、フォトセンサ１１や絶縁膜２１の一部を介して
垂直転送電極１２が設けられており、その上面に絶縁膜
２１を介して平坦化膜２２が設けられている。なお、図
７でも省略しているが、絶縁膜２１と垂直転送電極１２
の間には、各フォトセンサ１１毎に受光用の開口部を形
成した遮光膜が配置されている。また、非撮像領域１０
Ｂには、半導体基板１０の上面に絶縁膜２０が形成さ
れ、その上面に有効撮像領域１０Ａからの絶縁膜２１が
形成されている。そして、この絶縁膜２１の上面に上述
した垂直転送レジスタの駆動電圧供給用配線膜２３が設
けられている。そして、この上面に平坦化膜２２が設け
られ、この平坦化膜２２の上面に色分解フィルタ３０及
びオンチップレンズ４０が設けられている。[0007] Also, in FIG.
A is provided with a vertical transfer electrode 12 via a part of the photosensor 11 and the insulating film 21, and a flattening film 22 is provided on the upper surface thereof via the insulating film 21. Although not shown in FIG. 7, the insulating film 21 and the vertical transfer electrode 12
Between them, a light-shielding film in which a light-receiving opening is formed for each photosensor 11 is disposed. In addition, the non-imaging area 10
In B, an insulating film 20 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 10, and an insulating film 21 from the effective imaging region 10A is formed on the upper surface. On the upper surface of the insulating film 21, the wiring film 23 for supplying the driving voltage of the vertical transfer register described above is provided. The flattening film 22 is provided on the upper surface, and the color separation filter 30 and the on-chip lens 40 are provided on the upper surface of the flattening film 22.
【０００８】また、図８においても、有効撮像領域１０
Ａには、絶縁膜２１の一部を介してフォトセンサ１１が
設けられており、その上面に絶縁膜２１を介して平坦化
膜２２が設けられている。なお、図８でも省略している
が、絶縁膜２１と垂直転送電極１２の間には、各フォト
センサ１１毎に受光用の開口部を形成した遮光膜が配置
されている。また、非撮像領域１０Ｂには、絶縁膜２１
の一部を介して水平転送電極２４が設けられており、そ
の上面に遮光膜（例えばアルミ配線膜等）２５が設けら
れている。そして、この上面に平坦化膜２２が設けら
れ、この平坦化膜２２の上面に色分解フィルタ３０及び
オンチップレンズ４０が設けられている。[0008] Also in FIG.
In A, the photosensor 11 is provided via a part of the insulating film 21, and a flattening film 22 is provided on the upper surface via the insulating film 21. Although not shown in FIG. 8, a light-shielding film having an opening for receiving light for each photosensor 11 is arranged between the insulating film 21 and the vertical transfer electrode 12. Further, the insulating film 21 is provided in the non-imaging region 10B.
A horizontal transfer electrode 24 is provided through a part of the light-shielding film, and a light-shielding film (for example, an aluminum wiring film) 25 is provided on the upper surface thereof. The flattening film 22 is provided on the upper surface, and the color separation filter 30 and the on-chip lens 40 are provided on the upper surface of the flattening film 22.
【０００９】そして、このような構造を有する従来の固
体撮像素子においては、図６〜図８に示すように、非撮
像領域１０Ｂに設けられる配線膜２３や遮光膜２５によ
って平坦化膜２２が高くなり、有効撮像領域１０Ａとの
間で段差が生じている。このため、有効撮像領域１０Ａ
の周辺部分では、オンチップレンズ４０により集光され
た光がフォトセンサ１１の中央に入射しないという問題
が発生する。つまり、図６〜図８では省略した遮光膜の
各開口部に入射光が適正に入射せず、入射光の一部が遮
光膜の開口部の縁で遮られることで、有効撮像領域１０
Ａの周辺部分の画素が中央部分の画素と比較し、感度が
低下する。この結果、図９に示すように、撮像画面の周
辺部が斜線領域で示すように暗くなるという現象が見ら
れ、程度によっては感度不均一として製品不良となって
しまう。In a conventional solid-state imaging device having such a structure, as shown in FIGS. 6 to 8, the flattening film 22 is high due to the wiring film 23 and the light shielding film 25 provided in the non-imaging region 10B. That is, there is a step with the effective imaging area 10A. Therefore, the effective imaging area 10A
In the peripheral portion, there occurs a problem that the light collected by the on-chip lens 40 does not enter the center of the photosensor 11. That is, the incident light does not properly enter each opening of the light-shielding film omitted in FIGS. 6 to 8 and a part of the incident light is blocked by the edge of the opening of the light-shielding film.
The sensitivity of the pixels at the periphery of A is lower than that of the pixels at the center. As a result, as shown in FIG. 9, a phenomenon in which the peripheral portion of the imaging screen becomes dark as indicated by a hatched area is observed, and depending on the degree, the sensitivity becomes non-uniform, resulting in a product failure.
【００１０】また、有効撮像領域１０Ａと非撮像領域１
０Ｂとの間の段差が大きい場合、カラーフィルタの膜厚
も不均一となってしまうため、やはり、撮像画面の周辺
部が画面の中央部と色が異なって見えることもある。こ
の場合も、程度によっては製品不良となってしまう。こ
のような問題を解決すべく、これまで様々な試みがなさ
れてきたが、有効撮像領域の周辺の段差を十分に低減す
ることはできず、完全には対策が打たれていないのが現
状である。また、上述した配線膜２３や遮光膜２５を有
効撮像領域から後退させることで、段差を低減できそう
にも思える。しかし、現在の固体撮像装置はチップサイ
ズの小型化・多画素化の方向に向かっており、有効撮像
領域の面積をなるべく大きくするように設計されている
ため、配線膜２３や遮光膜２５の影響がなくなる領域ま
で、これらを後退させるのは非常に難しい。The effective imaging area 10A and the non-imaging area 1
In the case where the step difference from 0B is large, the film thickness of the color filter is also non-uniform, so that the peripheral portion of the imaging screen may look different in color from the central portion of the screen. In this case as well, depending on the degree, the product will be defective. Various attempts have been made to solve such a problem, but steps at the periphery of the effective imaging area cannot be sufficiently reduced, and no measures have been taken at present. is there. Also, it seems that the step can be reduced by retracting the wiring film 23 and the light shielding film 25 from the effective imaging region. However, since the current solid-state imaging device is moving toward the miniaturization of the chip size and the increase in the number of pixels, and is designed so that the area of the effective imaging region is as large as possible, the influence of the wiring film 23 and the light-shielding film 25 is affected. It is very difficult to retreat these to the area where there are no more.
【００１１】そこで本発明の目的は、有効撮像領域と非
撮像領域との境界部における段差を有効に低減し、有効
撮像領域の周辺部における画質劣化を有効に防止するこ
とができる固体撮像素子を提供することにある。An object of the present invention is to provide a solid-state imaging device capable of effectively reducing a step at a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region and effectively preventing image quality deterioration in a peripheral portion of the effective imaging region. To provide.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、フォトセンサ部を設けた有効撮像領域と、前
記有効撮像領域の周囲に設けられる非撮像領域とを有
し、前記有効撮像領域から非撮像領域にわたって配置さ
れる絶縁膜と、前記絶縁膜上の前記非撮像領域に配置さ
れる膜厚の大きい金属膜と、前記絶縁膜及び金属膜の上
面に有効撮像領域から非撮像領域にわたって配置される
平坦化膜とを有する固体撮像素子において、前記絶縁膜
に前記金属膜に対応する凹部を形成し、前記凹部に金属
膜を配置することにより、有効撮像領域と非撮像領域と
の境界部における平坦化膜の段差を低減したことを特徴
とする。In order to achieve the above object, the present invention has an effective imaging area provided with a photosensor section and a non-imaging area provided around the effective imaging area. An insulating film disposed from the region to the non-imaging region; a thick metal film disposed on the non-imaging region on the insulating film; and an effective imaging region to a non-imaging region on the upper surface of the insulating film and the metal film. In a solid-state imaging device having a flattening film disposed over the entire surface, a concave portion corresponding to the metal film is formed in the insulating film, and the metal film is disposed in the concave portion. It is characterized in that the step of the flattening film at the boundary is reduced.
【００１３】本発明の固体撮像素子では、非撮像領域に
膜厚の大きい金属膜を配置する場合に、この非撮像領域
に配置される絶縁膜に金属膜に対応する凹部を形成し、
この凹部に金属膜を配置することにより、金属膜の一部
を絶縁膜内に埋め込む状態で配置する。したがって、こ
の絶縁膜と金属膜との段差が低減され、この絶縁膜及び
金属膜の上に配置される平坦化膜をより平坦に形成でき
るので、有効撮像領域と非撮像領域との境界部におい
て、平坦化膜の段差を低減でき、この平坦化膜の上に配
置される色分解フィルタやオンチップレンズを平坦な状
態で配置できる。この結果、オンチップレンズ及び色分
解フィルタを透過して入射する光を適正に撮像画素を構
成するフォトセンサに供給でき、有効撮像領域の周辺部
における画質の低下を防止できる。In the solid-state imaging device of the present invention, when a metal film having a large thickness is arranged in the non-imaging region, a concave portion corresponding to the metal film is formed in the insulating film arranged in the non-imaging region.
By arranging the metal film in the recess, a part of the metal film is buried in the insulating film. Therefore, the step between the insulating film and the metal film is reduced, and the flattening film disposed on the insulating film and the metal film can be formed more flat. The level difference of the flattening film can be reduced, and the color separation filter and the on-chip lens arranged on the flattening film can be arranged in a flat state. As a result, light transmitted through the on-chip lens and the color separation filter can be appropriately supplied to the photosensors constituting the imaging pixels, and the image quality in the peripheral portion of the effective imaging area can be prevented from lowering.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明による固体撮像素子
の実施の形態について説明する。図１〜図３は、本発明
の実施の形態による固体撮像素子の有効撮像領域と非撮
像領域との境界部分の構造を示す断面図であり、図４
は、図１〜図３に示す固体撮像素子の素子配置を模式的
に示す省略平面図である。まず、図４に基づいて本形態
における固体撮像素子の素子配置構造について説明す
る。この固体撮像素子を構成する方形状の半導体チップ
１００の中央には、有効撮像領域１００Ａが設けられ、
ぞの周辺に非撮像領域１００Ｂが設けられている。有効
撮像領域１００Ａには、マトリクス状に複数のフォトセ
ンサ部（図４では省略）が配列され、これらフォトセン
サ部から信号電荷を読み出し、その信号電荷を垂直方向
に転送する複数の垂直転送レジスタ（図４では省略）が
設けられている。そして、図４に示すように、この有効
撮像領域１００Ａには、各垂直転送レジスタに対応して
２種類の垂直転送電極１１２Ａ、１１２Ｂが形成され、
４相駆動（φ１〜４）で信号電荷を垂直方向に転送す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the solid-state imaging device according to the present invention will be described below. 1 to 3 are cross-sectional views showing a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an omitted plan view schematically showing the element arrangement of the solid-state imaging device shown in FIGS. 1 to 3. First, the element arrangement structure of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. An effective imaging area 100A is provided at the center of the rectangular semiconductor chip 100 constituting the solid-state imaging device,
A non-imaging area 100 </ b> B is provided in each periphery. A plurality of photosensor units (omitted in FIG. 4) are arranged in a matrix in the effective imaging area 100A, and a plurality of vertical transfer registers (not shown in FIG. 4) for reading out signal charges from these photosensor units and transferring the signal charges in the vertical direction. (Omitted in FIG. 4). Then, as shown in FIG. 4, two types of vertical transfer electrodes 112A and 112B are formed in the effective imaging area 100A corresponding to the respective vertical transfer registers.
Signal charges are transferred in the vertical direction by four-phase driving (φ1 to φ4).
【００１５】また、非撮像領域１００Ｂの１つの辺に
は、各垂直転送レジスタによって転送された信号電荷を
出力回路１０２へ転送する水平転送レジスタ（図示せ
ず）が設けられており、その上面に水平転送電極１２４
が設けられている。そして、この水平転送電極１２４の
上層に、水平転送レジスタへの光の入射を遮るための幅
広線状の遮光膜１２５が設けられている。この遮光膜１
２５は、例えばアルミ蒸着膜より形成されている。ま
た、非撮像領域１００Ｂの３つの辺には、垂直転送電極
１１２Ａ、１１２Ｂの駆動電圧を供給するための４本の
折れ線状に形成された配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２
３Ｃ、１２３Ｄが設けられている。これらの配線膜１２
３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄは、例えばアルミ
蒸着膜より形成され、垂直転送電極１１２Ａ、１１２Ｂ
に選択的に接続され、上述した４相の駆動電圧を供給す
るようになっている。なお、非撮像領域１００Ｂには、
その他に複数の電極パッド１０４等が設けられている。A horizontal transfer register (not shown) for transferring the signal charges transferred by each vertical transfer register to the output circuit 102 is provided on one side of the non-imaging area 100B. Horizontal transfer electrode 124
Is provided. A wide linear light-shielding film 125 for blocking light from entering the horizontal transfer register is provided above the horizontal transfer electrode 124. This light shielding film 1
25 is formed of, for example, an aluminum vapor-deposited film. Also, on three sides of the non-imaging region 100B, four broken lines of wiring films 123A, 123B, 12 for supplying a drive voltage for the vertical transfer electrodes 112A, 112B are provided.
3C and 123D are provided. These wiring films 12
3A, 123B, 123C, and 123D are formed of, for example, an aluminum vapor-deposited film and have vertical transfer electrodes 112A, 112B.
To selectively supply the above-described four-phase drive voltages. In the non-imaging area 100B,
In addition, a plurality of electrode pads 104 and the like are provided.
【００１６】次に、図１〜図３に基づいて、本形態によ
る固体撮像素子の層構造について説明する。まず、図１
は図４の配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３
Ｄを設けた部分を固体撮像素子の水平方向に切断したＡ
−Ａ線断面図である。この図１において、半導体チップ
（半導体基板）１００の有効撮像領域１００Ａには、上
述したフォトセンサ１１１や絶縁膜（例えばＳｉＯ２膜
等）１２１の一部を介して垂直転送電極１１２が設けら
れており、その上面に絶縁膜１２１を介して平坦化膜
（例えばＳｉＮ等）１２２が設けられている。なお、図
１では省略しているが、絶縁膜１２１と垂直転送電極１
１２の間には、各フォトセンサ１１１毎に受光用の開口
部を形成した遮光膜が配置されている。また、半導体チ
ップ１００の非撮像領域１００Ｂには、半導体チップ１
００の上面に絶縁膜（例えばＳｉＯ２膜等）１２０が形
成され、その上面に有効撮像領域１００Ａからの絶縁膜
１２１が形成されている。Next, the layer structure of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, FIG.
Are the wiring films 123A, 123B, 123C, 123 of FIG.
A obtained by cutting the portion provided with D in the horizontal direction of the solid-state imaging device
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a line A. In FIG. 1, a vertical transfer electrode 112 is provided in the effective imaging area 100A of the semiconductor chip (semiconductor substrate) 100 via the photosensor 111 and a part of the insulating film (for example, SiO 2 film) 121 described above. A flattening film (for example, SiN) 122 is provided on the upper surface thereof with an insulating film 121 interposed therebetween. Although not shown in FIG. 1, the insulating film 121 and the vertical transfer electrode 1
Between 12, a light-shielding film in which an opening for light reception is formed for each photosensor 111 is arranged. The semiconductor chip 1 is located in the non-imaging area 100B of the semiconductor chip 100.
An insulating film (eg, an SiO 2 film) 120 is formed on the upper surface of the substrate 00, and an insulating film 121 from the effective imaging area 100A is formed on the upper surface.
【００１７】そして、この絶縁膜１２１の上面には上述
した配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ
（図１では２つの配線膜１２３Ａ、１２３Ｂだけを示
す）のパターンに対応して線状の凹部１２６が設けられ
ている。これら凹部１２６は、例えば２００ｎｍから６
００ｎｍの深さに形成されており、例えばフォトリソグ
ラフィ技術を用いたエッチングによって絶縁膜１２１に
形成されたものである。そして、この凹部１２６内に上
述した配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ
が設けられている。図示のように配線膜１２３Ａ、１２
３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄは、比較的膜厚の大きいもの
であり、一部が凹部１２６内に埋め込まれる状態で配置
されることにより、有効撮像領域１００Ａ側の絶縁膜１
２１との間で段差が低減されている。そして、このよう
な絶縁膜１２１や配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３
Ｃ、１２３Ｄの上面に平坦化膜１２２が設けられ、この
平坦化膜１２２の上面に色分解フィルタ１３０及びオン
チップレンズ１４０が設けられている。The above-mentioned wiring films 123A, 123B, 123C and 123D are formed on the upper surface of the insulating film 121.
A linear concave portion 126 is provided corresponding to the pattern (only two wiring films 123A and 123B are shown in FIG. 1). These recesses 126 are formed, for example, from 200 nm to 6 nm.
It is formed to a depth of 00 nm and formed on the insulating film 121 by etching using, for example, a photolithography technique. Then, the wiring films 123A, 123B, 123C, 123D described above are
Is provided. As shown, the wiring films 123A, 12A
3B, 123C, and 123D have relatively large film thicknesses, and are disposed so as to be partially embedded in the concave portions 126, so that the insulating film 1 on the effective imaging region 100A side is formed.
21 is reduced. Then, the insulating film 121 and the wiring films 123A, 123B, 123
A flattening film 122 is provided on the upper surfaces of C and 123D, and a color separation filter 130 and an on-chip lens 140 are provided on the upper surface of the flattening film 122.
【００１８】次に、図２は図４の配線膜１２３Ａ、１２
３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄを設けた部分を固体撮像素子
の垂直方向に切断したＢ−Ｂ線断面図である。この図２
においても、半導体チップ１００の有効撮像領域１００
Ａには、上述したフォトセンサ１１１や絶縁膜１２１の
一部を介して垂直転送電極１１２が設けられており、そ
の上面に絶縁膜１２１を介して平坦化膜１２２が設けら
れている。なお、図２では省略しているが、絶縁膜１２
１と垂直転送電極１１２の間には、各フォトセンサ１１
１毎に受光用の開口部を形成した遮光膜が配置されてい
る。また、半導体チップ１００の非撮像領域１００Ｂに
は、半導体チップ１００の上面に絶縁膜１２０が形成さ
れ、その上面に有効撮像領域１００Ａからの絶縁膜１２
１が形成されている。そして、この絶縁膜１２１の上面
には上述した配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１
２３Ｄ（図２では２つの配線膜１２３Ａ、１２３Ｂだけ
を示す）のパターンに対応して線状の凹部１２６が設け
られている。これら凹部１２６は、例えば２００ｎｍか
ら６００ｎｍの深さに形成されており、例えばフォトリ
ソグラフィ技術を用いたエッチングによって絶縁膜１２
１に形成されたものである。Next, FIG. 2 shows the wiring films 123A and 123 shown in FIG.
FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line BB of a portion provided with 3B, 123C, and 123D in a vertical direction of the solid-state imaging device. This figure 2
, The effective imaging area 100 of the semiconductor chip 100
In A, a vertical transfer electrode 112 is provided via a part of the photosensor 111 and the insulating film 121 described above, and a flattening film 122 is provided on the upper surface via the insulating film 121. Although omitted in FIG. 2, the insulating film 12
1 and the vertical transfer electrode 112, each photo sensor 11
A light-shielding film in which an opening for light reception is formed is arranged for each one. In the non-imaging region 100B of the semiconductor chip 100, an insulating film 120 is formed on the upper surface of the semiconductor chip 100, and the insulating film 120 from the effective imaging region 100A is formed on the upper surface.
1 is formed. Then, on the upper surface of the insulating film 121, the above-described wiring films 123A, 123B, 123C, 1
A linear recess 126 is provided corresponding to the pattern of 23D (only two wiring films 123A and 123B are shown in FIG. 2). These recesses 126 are formed at a depth of, for example, 200 nm to 600 nm, and the insulating film 12 is etched by, for example, photolithography.
1 is formed.
【００１９】そして、この凹部１２６内に上述した配線
膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄが設けられ
ている。図示のように配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２
３Ｃ、１２３Ｄは、他の絶縁膜１２１等に比較して膜厚
の大きいものであり、一部が凹部１２６内に埋め込まれ
る状態で配置されることにより、有効撮像領域１００Ａ
側の絶縁膜１２１との間で段差が低減されている。そし
て、このような絶縁膜１２１や配線膜１２３Ａ、１２３
Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄの上面に平坦化膜１２２が設け
られ、この平坦化膜１２２の上面に色分解フィルタ１３
０及びオンチップレンズ１４０が設けられている。The above-described wiring films 123A, 123B, 123C, and 123D are provided in the recess 126. As shown, the wiring films 123A, 123B, 12
3C and 123D have a larger film thickness than the other insulating films 121 and the like.
The level difference between the insulating film 121 on the side is reduced. Then, the insulating film 121 and the wiring films 123A, 123
B, 123C, 123D, a flattening film 122 is provided on the upper surface, and the color separation filter 13
0 and an on-chip lens 140 are provided.
【００２０】次に、図３は図４の遮光膜１２５を設けた
部分を固体撮像素子の垂直方向に切断したＣ−Ｃ線断面
図である。この図３においても、有効撮像領域１００Ａ
には、フォトセンサ１１１や絶縁膜１２１の一部を介し
て垂直転送電極１１２が設けられており、その上面に絶
縁膜１２１を介して平坦化膜１２２が設けられている。
なお、図３でも省略しているが、絶縁膜１２１と垂直転
送電極１１２の間には、各フォトセンサ１１１毎に受光
用の開口部を形成した遮光膜が配置されている。また、
非撮像領域１００Ｂには、絶縁膜１２１の一部を介して
水平転送電極１２４が設けられており、その上面に絶縁
膜１２１を介して遮光膜１２５が設けられている。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 4 in which the portion provided with the light-shielding film 125 is cut in the vertical direction of the solid-state imaging device. Also in FIG. 3, the effective imaging area 100A
, A vertical transfer electrode 112 is provided via a photosensor 111 and a part of the insulating film 121, and a flattening film 122 is provided on the upper surface thereof via the insulating film 121.
Although not shown in FIG. 3, a light-shielding film having a light-receiving opening formed for each photosensor 111 is disposed between the insulating film 121 and the vertical transfer electrode 112. Also,
In the non-imaging region 100B, a horizontal transfer electrode 124 is provided via a part of the insulating film 121, and a light shielding film 125 is provided on the upper surface thereof via the insulating film 121.
【００２１】そして、絶縁膜１２１の上面には、遮光膜
１２５のパターンに対応した凹部１２８が設けられてい
る。これら凹部１２８は、例えば２００ｎｍから６００
ｎｍの深さに形成されており、例えばフォトリソグラフ
ィ技術を用いたエッチングによって絶縁膜１２１に形成
されたものである。なお、各凹部１２６、１２８は、同
時に形成されたものである。そして、この凹部１２８内
に上述した遮光膜１２５が設けられている。図示のよう
に遮光膜１２５は、他の絶縁膜１２１等に比較して膜厚
の大きいものであり、一部が凹部１２８内に埋め込まれ
る状態で配置されることにより、有効撮像領域１００Ａ
側の絶縁膜１２１との間で段差が低減されている。そし
て、このような絶縁膜１２１や遮光膜１２５の上面に平
坦化膜１２２が設けられ、この平坦化膜１２２の上面に
色分解フィルタ１３０及びオンチップレンズ１４０が設
けられている。On the upper surface of the insulating film 121, a concave portion 128 corresponding to the pattern of the light shielding film 125 is provided. These recesses 128 are formed, for example, from 200 nm to 600 nm.
The insulating film 121 is formed at a depth of nm, for example, by etching using a photolithography technique. The recesses 126 and 128 are formed simultaneously. The light shielding film 125 described above is provided in the recess 128. As shown in the drawing, the light-shielding film 125 has a larger thickness than the other insulating films 121 and the like, and is partially embedded in the recess 128 so that the effective imaging area 100A
The level difference between the insulating film 121 on the side is reduced. A flattening film 122 is provided on the upper surface of the insulating film 121 and the light-shielding film 125, and a color separation filter 130 and an on-chip lens 140 are provided on the upper surface of the flattening film 122.
【００２２】以上のように本例の固体撮像素子では、有
効撮像領域１００Ａの周辺部に配置される配線膜１２３
Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ、及び遮光膜１２５
の一部を絶縁膜１２１に凹部１２６、１２８を設けるこ
とにより、絶縁膜１２１内に埋め込んだ状態で配置する
ものである。これにより、有効撮像領域１００Ａの周辺
部での配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ
や遮光膜１２５による段差を低減できるため、従来の構
造に比べ、より平坦化が可能となる。したがって、有効
撮像領域１００Ａの周辺部でも、オンチップレンズ１４
０により集光された光がフォトセンサ１１１の中央に入
射するため、有効撮像領域１００Ａの図示しない遮光膜
の開口部の縁部により入射光が遮られることなく、もし
くは、入射光が遮られる量を減らすことができる。As described above, in the solid-state imaging device of this embodiment, the wiring film 123 disposed around the effective imaging region 100A is provided.
A, 123B, 123C, 123D, and light shielding film 125
Are provided in the insulating film 121 so as to be embedded in the insulating film 121 by providing concave portions 126 and 128. Thereby, the wiring films 123A, 123B, 123C, 123D in the peripheral portion of the effective imaging area 100A.
Since the step caused by the light-shielding film 125 can be reduced, flattening can be achieved as compared with the conventional structure. Therefore, even in the periphery of the effective imaging area 100A, the on-chip lens 14
Since the light condensed by 0 enters the center of the photosensor 111, the incident light is not blocked by the edge of the opening of the light-shielding film (not shown) of the effective imaging area 100A, or the incident light is blocked. Can be reduced.
【００２３】図５は、以上のような平坦化により、感度
の不均一性や色の不均一性の改善状況を疑似的にデバイ
ステストを行った結果を示す説明図であり、図５（Ａ）
が感度の不均一性のテスト結果、図５（Ｂ）が色の不均
一性のテスト結果を示している。なお、これらの図にお
いて、横軸は配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１
２３Ｄや遮光膜１２５を構成するアルミ（ＡＬ）膜厚を
示し、縦軸は感度または色の不均一性の改善状況を従来
を１として示したものである。図５に示すテスト結果
は、単にアルミ膜厚を薄くすることにより、平坦化膜の
上面を平坦化して感度の不均一性や色の不均一性を測定
したものであり、本形態のように、凹部を設けたもので
はないが、平坦化による感度の不均一性や色の不均一性
の改善状況については、このテスト結果から推定し得る
ものである。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the results of a device test in which the above-described flattening is performed to simulate the improvement in sensitivity nonuniformity and color nonuniformity. )
Indicates a test result of sensitivity non-uniformity, and FIG. 5B indicates a test result of color non-uniformity. In these figures, the horizontal axis represents the wiring films 123A, 123B, 123C, 1
23D and the thickness of aluminum (AL) constituting the light-shielding film 125 are shown, and the vertical axis shows the improvement of sensitivity or color non-uniformity as 1 in the related art. The test results shown in FIG. 5 are obtained by measuring the non-uniformity of sensitivity and the non-uniformity of color by flattening the upper surface of the flattening film by simply reducing the thickness of the aluminum film. Although no concave portion is provided, the improvement in nonuniformity in sensitivity and nonuniformity in color due to flattening can be estimated from the test results.
【００２４】図５に示すように、従来のアルミ膜厚１に
対し、その３／４倍、及び１／２倍のアルミ膜厚を用い
てテストした場合、感度の不均一性は、それぞれ０．６
倍、０．２倍に改善することが分かる。一方、色の不均
一性も、それぞれ０．９倍、０．８倍に改善することが
分かる。このように、実際のデバイステストにより、配
線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄや遮光膜
１２５の高さを低減することで、感度や色の不均一性を
改善できる。これは、有効撮像領域１００Ａの周辺部で
の段差を低減できたことが原因であると考えられる。As shown in FIG. 5, when a test was performed using an aluminum film thickness of ／ and 倍 times the conventional aluminum film thickness of 1, the nonuniformity of sensitivity was 0%. .6
It can be seen that it is improved by a factor of 0.2 and 0.2. On the other hand, it can be seen that the color non-uniformity is improved by 0.9 times and 0.8 times, respectively. As described above, by reducing the heights of the wiring films 123A, 123B, 123C, 123D and the light-shielding film 125 in an actual device test, sensitivity and color non-uniformity can be improved. This is considered to be due to the fact that the steps at the periphery of the effective imaging area 100A could be reduced.
【００２５】実際には、配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１
２３Ｃ、１２３Ｄを流れる電流密度や抵抗の問題もある
ので、このデバイステストのように、単にアルミ膜厚を
薄くすることはできない。しかし、本例で説明したよう
に、アルミ膜の一部を絶縁膜１２１に埋め込み、アルミ
膜の高さを低くし、有効撮像領域１００Ａの周辺部にお
ける段差を低減することができれば、上記結果と同等の
改善が見込まれる。通常、絶縁膜１２１の膜厚は５００
ｎｍ〜１５００ｎｍ、配線膜１２３Ａ、１２３Ｂ、１２
３Ｃ、１２３Ｄ及び遮光膜１２５の膜厚は約１０００ｎ
ｍであるが、上記テスト結果により、配線膜１２３Ａ、
１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ及び遮光膜１２５を絶縁
膜１２１に２００〜６００ｎｍだけ埋め込むことで、感
度や色の不均一性は大幅に改善できると予想される。In practice, the wiring films 123A, 123B, 1
Since there are also problems with the current density and resistance flowing through 23C and 123D, the aluminum film thickness cannot be simply reduced as in this device test. However, as described in this example, if a part of the aluminum film is buried in the insulating film 121, the height of the aluminum film can be reduced, and the step in the peripheral portion of the effective imaging region 100A can be reduced, the above result will be obtained. Equivalent improvement is expected. Usually, the thickness of the insulating film 121 is 500
nm to 1500 nm, wiring films 123A, 123B, 12
The film thickness of 3C, 123D and light shielding film 125 is about 1000n
m, but according to the above test results, the wiring film 123A,
It is expected that sensitivity and color non-uniformity can be significantly improved by embedding 123B, 123C, 123D and light-shielding film 125 in insulating film 121 by 200 to 600 nm.
【００２６】なお、以上の例では、配線膜１２３Ａ、１
２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ及び遮光膜１２５をアルミ
膜で形成する例について説明したが、他の金属膜により
形成するものであってもよい。また、非撮像領域１００
Ｂの絶縁膜１２１に凹部１２６、１２８を設けて平坦化
を図る金属膜としては、上述のような配線膜１２３Ａ、
１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ及び遮光膜１２５に限ら
ず、非撮像領域１００Ｂに配置される膜厚の比較的大き
い他の金属膜に適用してもよい。In the above example, the wiring films 123A, 1
Although an example has been described in which 23B, 123C, 123D and the light-shielding film 125 are formed of an aluminum film, they may be formed of another metal film. In addition, the non-imaging area 100
As the metal film for providing the concave portions 126 and 128 in the insulating film 121 of B for planarization, the wiring film 123A as described above,
The present invention is not limited to 123B, 123C, 123D and the light-shielding film 125, and may be applied to other metal films having a relatively large thickness disposed in the non-imaging region 100B.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子では、非撮像領域に膜厚の大きい金属膜を配置する場
合に、この非撮像領域に配置される絶縁膜に金属膜に対
応する凹部を形成し、この凹部に金属膜を配置すること
により、金属膜の一部を絶縁膜内に埋め込む状態で配置
するようにした。したがって、この絶縁膜と金属膜との
段差が低減され、この絶縁膜及び金属膜の上に配置され
る平坦化膜をより平坦に形成できるので、有効撮像領域
と非撮像領域との境界部において、平坦化膜の段差を低
減でき、この平坦化膜の上に配置される色分解フィルタ
やオンチップレンズを平坦な状態で配置できる。この結
果、オンチップレンズ及び色分解フィルタを透過して入
射する光を適正に撮像画素を構成するフォトセンサに供
給でき、有効撮像領域の周辺部における感度や色の不均
一性等を改善でき、画質の低下を防止できる。As described above, in the solid-state imaging device of the present invention, when a metal film having a large thickness is arranged in the non-imaging region, the insulating film arranged in the non-imaging region corresponds to the metal film. By forming a concave portion and disposing a metal film in the concave portion, a portion of the metal film is disposed so as to be embedded in the insulating film. Therefore, the step between the insulating film and the metal film is reduced, and the flattening film disposed on the insulating film and the metal film can be formed more flat. The level difference of the flattening film can be reduced, and the color separation filter and the on-chip lens arranged on the flattening film can be arranged in a flat state. As a result, light transmitted through the on-chip lens and the color separation filter can be appropriately supplied to the photosensor constituting the imaging pixel, and sensitivity and color non-uniformity in the peripheral portion of the effective imaging area can be improved. It is possible to prevent a decrease in image quality.
【図１】本発明の実施の形態による固体撮像素子の有効
撮像領域と非撮像領域との境界部分の構造を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態による固体撮像素子の有効
撮像領域と非撮像領域との境界部分の構造を示す断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態による固体撮像素子の有効
撮像領域と非撮像領域との境界部分の構造を示す断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態による固体撮像素子の素子
配置を模式的に示す省略平面図である。FIG. 4 is an omitted plan view schematically showing an element arrangement of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
【図５】固体撮像素子における平坦化に伴う感度の不均
一性や色の不均一性の改善状況を疑似的なデバイステス
トによって測定した結果を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a result obtained by measuring a state of improvement in non-uniformity of sensitivity and color non-uniformity due to flattening in a solid-state imaging device by a pseudo device test.
【図６】従来の固体撮像素子における有効撮像領域と非
撮像領域との境界部分の構造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region in a conventional solid-state imaging device.
【図７】従来の固体撮像素子における有効撮像領域と非
撮像領域との境界部分の構造を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region in a conventional solid-state imaging device.
【図８】従来の固体撮像素子における有効撮像領域と非
撮像領域との境界部分の構造を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a structure of a boundary portion between an effective imaging region and a non-imaging region in a conventional solid-state imaging device.
【図９】従来の固体撮像素子において不完全な平坦化に
よる有効撮像領域の周辺部での感度劣化を示す説明図で
ある。FIG. 9 is an explanatory diagram showing sensitivity degradation in a peripheral portion of an effective imaging region due to incomplete flattening in a conventional solid-state imaging device.
１００……半導体チップ、１００Ａ……有効撮像領域、
１００Ｂ……非撮像領域、１０２……出力回路、１１１
……フォトセンサ、１１２Ａ、１１２Ｂ……垂直転送電
極、１２０、１２１……絶縁膜、１２２……平坦化膜、
１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ……配線膜、
１２４……水平転送電極、１２５……遮光膜、１２６、
１２８……凹部。100: semiconductor chip, 100A: effective imaging area,
100B ... non-imaging area, 102 ... output circuit, 111
... Photosensors, 112A and 112B... Vertical transfer electrodes, 120 and 121... Insulating films, 122.
123A, 123B, 123C, 123D ... wiring film,
124 horizontal transfer electrode 125 light shielding film 126
128 ... recess.
Claims (5)
と、前記有効撮像領域の周囲に設けられる非撮像領域と
を有し、 前記有効撮像領域から非撮像領域にわたって配置される
絶縁膜と、 前記絶縁膜上の前記非撮像領域に配置される膜厚の大き
い金属膜と、 前記絶縁膜及び金属膜の上面に有効撮像領域から非撮像
領域にわたって配置される平坦化膜とを有する固体撮像
素子において、 前記絶縁膜に前記金属膜に対応する凹部を形成し、前記
凹部に金属膜を配置することにより、有効撮像領域と非
撮像領域との境界部における平坦化膜の段差を低減し
た、 ことを特徴とする固体撮像素子。An insulating film that has an effective imaging region provided with a photosensor unit, a non-imaging region provided around the effective imaging region, and is disposed from the effective imaging region to the non-imaging region; A solid-state imaging device having a metal film having a large thickness disposed in the non-imaging region on an insulating film, and a flattening film disposed on an upper surface of the insulating film and the metal film from the effective imaging region to the non-imaging region. Forming a concave portion corresponding to the metal film in the insulating film, and arranging the metal film in the concave portion, thereby reducing the level difference of the flattening film at the boundary between the effective imaging region and the non-imaging region; Characteristic solid-state imaging device.
フィルタと、前記色分解フィルタの上面に配置されるオ
ンチップレンズとを有することを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子。2. The solid-state imaging device according to claim 1, further comprising: a color separation filter disposed on an upper surface of the flattening film; and an on-chip lens disposed on an upper surface of the color separation filter.
た垂直転送レジスタのための転送電極部へに駆動電圧を
供給するための配線膜であることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像素子。3. The device according to claim 1, wherein the metal film is a wiring film for supplying a driving voltage to a transfer electrode unit for a vertical transfer register provided in the effective imaging area.
20. The solid-state imaging device according to claim 20.
水平転送レジスタのための遮光膜であることを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像素子。4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the metal film is a light-shielding film for a horizontal transfer register provided in the non-imaging region.
徴とする請求項１記載の固体撮像素子。5. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein said metal film is an aluminum film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001160A JP2001196571A (en) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001160A JP2001196571A (en) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | Solid-state image pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196571A true JP2001196571A (en) | 2001-07-19 |
Family
ID=18530414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000001160A Pending JP2001196571A (en) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | Solid-state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001196571A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165403A (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | Solid state imaging element, and method of manufacturing same |
| US8508010B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-08-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera and electronic apparatus using the same |
| US9024405B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
| JP2016171297A (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device, manufacturing method, and electronic device |
| US9559140B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000001160A patent/JP2001196571A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165403A (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | Solid state imaging element, and method of manufacturing same |
| US8508010B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-08-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera and electronic apparatus using the same |
| US9024405B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
| US9559140B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
| JP2016171297A (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device, manufacturing method, and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9508767B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
| US9525000B2 (en) | Solid-state imaging device, solid-state imaging device manufacturing method, electronic device, and lens array | |
| US8829579B2 (en) | Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing the same | |
| US7550813B2 (en) | Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device, and method of producing the same | |
| KR100477911B1 (en) | Solid-state image pickup device, method of manufacturing same and camera | |
| JP4064347B2 (en) | Color image sensor with improved colorimetry and manufacturing method thereof | |
| JP4075669B2 (en) | Solid-state image sensor | |
| US20080029693A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| KR102223515B1 (en) | Solid-state imaging device and electronic device | |
| JP4905760B2 (en) | Color filter manufacturing method, color filter, solid-state image sensor manufacturing method, and solid-state image sensor using the same | |
| US20220320163A1 (en) | Metal grid structure integrated with deep trench isolation structure | |
| JP2001196571A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP2007184311A (en) | Solid state imaging device and its manufacturing method | |
| US20210265411A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2004241495A (en) | Solid-state imaging device | |
| JP2004071790A (en) | Solid state imaging device and its manufacturing method | |
| JP2006319133A (en) | Color filter, manufacturing method thereof, solid-state imaging element, and manufacturing method thereof | |
| KR100802303B1 (en) | Image sensor fabricating method | |
| JPS6286854A (en) | Solid-state image pickup element and manufacture thereof | |
| JP5510053B2 (en) | Manufacturing method of color filter for linear sensor | |
| JP2010232495A (en) | Back-illuminated solid-state image sensor | |
| JP5353356B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
| JPH10209420A (en) | Manufacture of solid-state imaging element | |
| KR20060077149A (en) | Color filter array of image sensor and forming method thereof | |
| KR100749251B1 (en) | Image sensor having passivation layer for increased sensitivity |