JP2001196420A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
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- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】導電性接着剤を用いて半導体装置の電極端子間
を接続するに際して、電極材として在来のCuやAlを
用いても電極端子間の接続抵抗値を著しく低減すること
のできる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する
こと。 【解決手段】試料となる半導体チップ34を、プラズマ
処理室32のカソード電極35の上に設置する。カソー
ド電極35とアノード電極36間で発生するプラズマ3
7により、試料34の電極端子38表面の酸化物39が
除去される。試料は不活性ガスが供給された中間室44
を中継して塗布室33に搬送され、大気圧の不活性ガス
雰囲気中でディスペンサー装置42から導電性接着剤ペ
ースト43が電極端子38表面に塗布される。電極端子
38の酸化物39を除去した後、大気中の酸素に接する
ことなく導電性接着剤ペースト43の形成が可能とな
り、接続抵抗値の小さい半導体装置の製造が行われる。
を接続するに際して、電極材として在来のCuやAlを
用いても電極端子間の接続抵抗値を著しく低減すること
のできる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する
こと。 【解決手段】試料となる半導体チップ34を、プラズマ
処理室32のカソード電極35の上に設置する。カソー
ド電極35とアノード電極36間で発生するプラズマ3
7により、試料34の電極端子38表面の酸化物39が
除去される。試料は不活性ガスが供給された中間室44
を中継して塗布室33に搬送され、大気圧の不活性ガス
雰囲気中でディスペンサー装置42から導電性接着剤ペ
ースト43が電極端子38表面に塗布される。電極端子
38の酸化物39を除去した後、大気中の酸素に接する
ことなく導電性接着剤ペースト43の形成が可能とな
り、接続抵抗値の小さい半導体装置の製造が行われる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の電極端
子間接続に導電性接着剤を用いた半導体製造方法及び製
造装置に関する。
子間接続に導電性接着剤を用いた半導体製造方法及び製
造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の導電性接着剤を用いた半導体装置
の電極端子間接続は、例えば特開平6−224259号
公報、特開平8−227913号公報にみられるよう
に、金もしくは金メッキ電極端子に直接導電性接着剤を
塗布し、硬化して電気的、機械的に接続している。この
導電性接着剤による端子間接続は、はんだ接続などに比
べ低温で接続でき、またフラックスを使わないため、洗
浄工程が不要となり、低コストの製造方法となると言っ
た利点があった。
の電極端子間接続は、例えば特開平6−224259号
公報、特開平8−227913号公報にみられるよう
に、金もしくは金メッキ電極端子に直接導電性接着剤を
塗布し、硬化して電気的、機械的に接続している。この
導電性接着剤による端子間接続は、はんだ接続などに比
べ低温で接続でき、またフラックスを使わないため、洗
浄工程が不要となり、低コストの製造方法となると言っ
た利点があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電極端子に用
いる金属の種類によって導電性接着剤で接続された端子
間の電気的抵抗値が大きくなり電気的な性能を満足でき
ないという問題がある。
いる金属の種類によって導電性接着剤で接続された端子
間の電気的抵抗値が大きくなり電気的な性能を満足でき
ないという問題がある。
【0004】特に銅やアルミニウムと云った通常の安価
な電極材料の場合に抵抗値が大きく、また、接続抵抗値
に大きなバラツキが生じ半導体装置の信頼性を著しく低
下させていた。
な電極材料の場合に抵抗値が大きく、また、接続抵抗値
に大きなバラツキが生じ半導体装置の信頼性を著しく低
下させていた。
【0005】半導体素子が高密度化されるにしたがいこ
の抵抗値の増大とバラツキは実用化を阻む決定的な問題
である。そのため、従来は電極端子金属に金もしくは金
メッキを用い導電性接着剤で接続する方法が行われてい
る。これにより、電極端子接続部の抵抗値の増大はなく
なるが、半導体装置が高価になるという課題が残る。
の抵抗値の増大とバラツキは実用化を阻む決定的な問題
である。そのため、従来は電極端子金属に金もしくは金
メッキを用い導電性接着剤で接続する方法が行われてい
る。これにより、電極端子接続部の抵抗値の増大はなく
なるが、半導体装置が高価になるという課題が残る。
【0006】したがって、本発明の目的は、上記従来の
問題点を解消することにあり、金以外の例えば銅やアル
ミニウム等の在来の安価な金属をも電極材料として使用
可能な、導電性接着剤を用いる半導体装置の製造方法及
び製造装置を提供することにある。これにより、電極端
子接続間の抵抗値特性を向上させた低コストの半導体装
置を容易に得ることができる。
問題点を解消することにあり、金以外の例えば銅やアル
ミニウム等の在来の安価な金属をも電極材料として使用
可能な、導電性接着剤を用いる半導体装置の製造方法及
び製造装置を提供することにある。これにより、電極端
子接続間の抵抗値特性を向上させた低コストの半導体装
置を容易に得ることができる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者等は、導電性接着剤を用いて銅やアルミニウ
ム等の在来の安価な金属を電極端子とした場合の接続抵
抗値について種々実験検討した。
に本発明者等は、導電性接着剤を用いて銅やアルミニウ
ム等の在来の安価な金属を電極端子とした場合の接続抵
抗値について種々実験検討した。
【0008】その結果、導電性接着剤で接続された電極
端子間の電気的抵抗値が大きくなる原因としては、導電
性接着剤の硬化物の体積抵抗率が大きいことと電極端子
表面に汚れ及び表面酸化物が存在することにあると云う
ことがわかった。
端子間の電気的抵抗値が大きくなる原因としては、導電
性接着剤の硬化物の体積抵抗率が大きいことと電極端子
表面に汚れ及び表面酸化物が存在することにあると云う
ことがわかった。
【0009】その中でも特に電極端子表面に形成された
酸化物が最も大きな抵抗値増加を起こし、金属表面は大
気中では数秒間で表面酸化物を生成することが判明し
た。
酸化物が最も大きな抵抗値増加を起こし、金属表面は大
気中では数秒間で表面酸化物を生成することが判明し
た。
【0010】本発明はこれらの知見に基づいてなされた
ものであり、本発明の半導体装置の製造方法の特徴を以
下に述べる。
ものであり、本発明の半導体装置の製造方法の特徴を以
下に述べる。
【0011】製造方法上の特徴は、半導体装置の電極端
子に導電性接着剤を塗布する工程において、電極端子を
構成する金属の表面から酸化物を除去することにある。
酸化物の除去方法には、二つの方法があり、その一つは
例えばArやAr+H2,Xe等の希ガスもしくは窒素
ガスを用いたプラズマ処理方法であり、他の一つは機械
的に削り取る方法である。
子に導電性接着剤を塗布する工程において、電極端子を
構成する金属の表面から酸化物を除去することにある。
酸化物の除去方法には、二つの方法があり、その一つは
例えばArやAr+H2,Xe等の希ガスもしくは窒素
ガスを用いたプラズマ処理方法であり、他の一つは機械
的に削り取る方法である。
【0012】プラズマ処理方法の場合には、イオンエッ
チングによって電極端子表面から酸化物を除去して金属
面を露出させることができる。この露出した金属表面に
導電性接着剤を塗布するに際しては、金属表面が再度酸
化されないように酸素を排除した非酸化性ガス雰囲気中
にて塗布することが重要となる。
チングによって電極端子表面から酸化物を除去して金属
面を露出させることができる。この露出した金属表面に
導電性接着剤を塗布するに際しては、金属表面が再度酸
化されないように酸素を排除した非酸化性ガス雰囲気中
にて塗布することが重要となる。
【0013】塗布する雰囲気のガス圧力は大気圧でよ
く、また、非酸化性ガス雰囲気としては、窒素、周期律
表ゼロ族元素(希ガス)等の不活性ガス、もしくは例え
ば水素等の還元ガス雰囲気中で行うことが望ましい。
く、また、非酸化性ガス雰囲気としては、窒素、周期律
表ゼロ族元素(希ガス)等の不活性ガス、もしくは例え
ば水素等の還元ガス雰囲気中で行うことが望ましい。
【0014】また、電極端子表面から酸化物を機械的に
削り取る方法の場合には、予め電極端子表面に接続に必
要な分量の導電性接着剤を塗布しておき、この導電性接
着剤によって外気から電極端子表面を遮断した状態で、
鋭利な先端構造を有する金属、セラミックス等の治具を
電極端子表面に当てて機械的に削り取る。
削り取る方法の場合には、予め電極端子表面に接続に必
要な分量の導電性接着剤を塗布しておき、この導電性接
着剤によって外気から電極端子表面を遮断した状態で、
鋭利な先端構造を有する金属、セラミックス等の治具を
電極端子表面に当てて機械的に削り取る。
【0015】この方法の場合には、予め電極端子表面に
導電性接着剤を塗布した状態で酸化物を機械的に削り取
るので、酸化物の除去中及び除去後においても電極端子
表面は導電性接着剤で覆われているため再度酸化される
ことはない。したがって、塗布する雰囲気も大気中でよ
く、必ずしも非酸化性ガス雰囲気とする必要はない。
導電性接着剤を塗布した状態で酸化物を機械的に削り取
るので、酸化物の除去中及び除去後においても電極端子
表面は導電性接着剤で覆われているため再度酸化される
ことはない。したがって、塗布する雰囲気も大気中でよ
く、必ずしも非酸化性ガス雰囲気とする必要はない。
【0016】要するに電極端子表面に導電性接着剤を塗
布する工程においては、プラズマ処理方法においては酸
化物を除去した後、もしくは機械的に削り取る方法にお
いては除去中に、電極端子表面を酸素に接触させずに導
電性接着剤を塗布することが重要である。
布する工程においては、プラズマ処理方法においては酸
化物を除去した後、もしくは機械的に削り取る方法にお
いては除去中に、電極端子表面を酸素に接触させずに導
電性接着剤を塗布することが重要である。
【0017】本発明の製造方法においては、導電性接着
剤が塗布された電極端子を実装基板上の電極端子に位置
合わせし、両電極間に導電性接着剤層を形成して電気的
接続を行う工程においても特徴がある。一般にこの種の
導電性接着剤を用いた接続工程は、大気中で接着剤の樹
脂成分を熱硬化して行われているが、本発明では窒素ガ
スや希ガス等の不活性ガス雰囲気中で硬化することが望
ましい。
剤が塗布された電極端子を実装基板上の電極端子に位置
合わせし、両電極間に導電性接着剤層を形成して電気的
接続を行う工程においても特徴がある。一般にこの種の
導電性接着剤を用いた接続工程は、大気中で接着剤の樹
脂成分を熱硬化して行われているが、本発明では窒素ガ
スや希ガス等の不活性ガス雰囲気中で硬化することが望
ましい。
【0018】また、上記本発明の目的を達成することの
できる半導体装置の製造装置の特徴は、半導体装置の
電極端子表面を所定の減圧下でプラズマ処理するプラズ
マ発生手段とガス供給口と排気口とを有するプラズマ処
理室と、前記プラズマ処理室でプラズマ処理された半
導体装置を減圧された非酸化性ガス雰囲気中で中継する
中間室と、前記中間室を中継した半導体装置の電極端
子表面に、常圧下の非酸化性ガス雰囲気中で導電性接着
剤を塗布する手段を有する塗布室と、前記プラズマ処
理室から塗布室まで半導体装置を順次搬送する搬送手段
とを備えている点にある。
できる半導体装置の製造装置の特徴は、半導体装置の
電極端子表面を所定の減圧下でプラズマ処理するプラズ
マ発生手段とガス供給口と排気口とを有するプラズマ処
理室と、前記プラズマ処理室でプラズマ処理された半
導体装置を減圧された非酸化性ガス雰囲気中で中継する
中間室と、前記中間室を中継した半導体装置の電極端
子表面に、常圧下の非酸化性ガス雰囲気中で導電性接着
剤を塗布する手段を有する塗布室と、前記プラズマ処
理室から塗布室まで半導体装置を順次搬送する搬送手段
とを備えている点にある。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明が対象とする半導体装置と
しては、ICチップ,コンデンサーチップ、BGA(Ball Gri
d Array),実装基板などがあり、電極端子としてはチッ
プ、チップ搭載用基板(実装用配線基板)の電極、電極
に後から形成したはんだボールをも含む。また、電極端
子の金属としてはCu,Al,Ag,Sn,Pb,SnPb,AgPt,SnAg,SnBi
などがある。
しては、ICチップ,コンデンサーチップ、BGA(Ball Gri
d Array),実装基板などがあり、電極端子としてはチッ
プ、チップ搭載用基板(実装用配線基板)の電極、電極
に後から形成したはんだボールをも含む。また、電極端
子の金属としてはCu,Al,Ag,Sn,Pb,SnPb,AgPt,SnAg,SnBi
などがある。
【0020】電極端子表面の金属酸化物を除去する方法
の一つとして先に説明したプラズマ処理方法は、例えば
並行平板型の電極を備えた高周波プラズマ処理装置、マ
イクロ波放電プラズマ処理装置等の周知のプラズマ処理
装置によって実施できる。
の一つとして先に説明したプラズマ処理方法は、例えば
並行平板型の電極を備えた高周波プラズマ処理装置、マ
イクロ波放電プラズマ処理装置等の周知のプラズマ処理
装置によって実施できる。
【0021】導電性接着剤の塗布方法としてはディスペ
ンサー法、印刷法、転写法などがある。塗布した後、大
気中に取り出し、加熱硬化する。ペーストが硬化するま
での高温中での酸素の金属表面への接触を防止するた
め、加熱硬化も不活性ガス雰囲気中で行うことが好まし
い。
ンサー法、印刷法、転写法などがある。塗布した後、大
気中に取り出し、加熱硬化する。ペーストが硬化するま
での高温中での酸素の金属表面への接触を防止するた
め、加熱硬化も不活性ガス雰囲気中で行うことが好まし
い。
【0022】電極端子表面の金属酸化物を機械的に除去
する方法としては、鋭利な先端構造を持つ金属、セラミ
ック等により端子表面を削り取る。また、先端が丸状、
平面上の金属、セラミック等の治具で圧力をかけ端子面
を移動することにより酸化膜が除去される。これは、導
電性接着剤中の例えばAg等の金属粒子が圧力により電極
端子表面の酸化膜を破壊するためである。
する方法としては、鋭利な先端構造を持つ金属、セラミ
ック等により端子表面を削り取る。また、先端が丸状、
平面上の金属、セラミック等の治具で圧力をかけ端子面
を移動することにより酸化膜が除去される。これは、導
電性接着剤中の例えばAg等の金属粒子が圧力により電極
端子表面の酸化膜を破壊するためである。
【0023】電極端子表面には導電性接着剤が塗布され
ているため、新たにできた金属表面は酸化膜除去後すぐ
に導電性接着剤で被覆されるため、大気中の酸素に接触
することなく酸化は防止される。
ているため、新たにできた金属表面は酸化膜除去後すぐ
に導電性接着剤で被覆されるため、大気中の酸素に接触
することなく酸化は防止される。
【0024】これらの導電性接着剤の塗布、硬化の工程
は、ICチップの場合、ウェハ上で行ってから個別チップ
に分離してもよい。
は、ICチップの場合、ウェハ上で行ってから個別チップ
に分離してもよい。
【0025】また、本発明の代表的な製造装置は、前述
したように半導体装置における電極端子表面の酸化物を
除去するために半導体装置の電極端子表面を所定の減
圧下でプラズマ処理するプラズマ発生手段とガス供給口
と排気口とを有するプラズマ処理室を備えている。ガス
供給口からは、ArやAr+H2,Xe等の希ガスもし
くは窒素ガスをプラズマ処理室内の供給する。排気口か
らは排気ポンプにより排気し、プラズマ処理室内の圧力
を例えば1〜100Paに設定する。
したように半導体装置における電極端子表面の酸化物を
除去するために半導体装置の電極端子表面を所定の減
圧下でプラズマ処理するプラズマ発生手段とガス供給口
と排気口とを有するプラズマ処理室を備えている。ガス
供給口からは、ArやAr+H2,Xe等の希ガスもし
くは窒素ガスをプラズマ処理室内の供給する。排気口か
らは排気ポンプにより排気し、プラズマ処理室内の圧力
を例えば1〜100Paに設定する。
【0026】プラズマ発生手段は、例えば高周波電源と
並行平板型の電極を備えた高周波プラズマ処理装置、も
しくはマイクロ波電源と放電室を備えたマイクロ波放電
プラズマ処理装置等の周知のプラズマ処理装置で構成さ
れる。
並行平板型の電極を備えた高周波プラズマ処理装置、も
しくはマイクロ波電源と放電室を備えたマイクロ波放電
プラズマ処理装置等の周知のプラズマ処理装置で構成さ
れる。
【0027】上記の中間室は、プラズマ処理室との
導電性接着剤の塗布室との間に設けた中継室であり、プ
ラズマ処理された半導体装置をプラズマ処理室から大気
圧の塗布室内に搬送する際に、プラズマ処理室の圧力が
急上昇しないように緩衝域として設けている。
導電性接着剤の塗布室との間に設けた中継室であり、プ
ラズマ処理された半導体装置をプラズマ処理室から大気
圧の塗布室内に搬送する際に、プラズマ処理室の圧力が
急上昇しないように緩衝域として設けている。
【0028】したがって、中間室には半導体装置を搬
入、搬出させる1組のゲートと、プラズマ処理された半
導体装置の電極端子表面を酸化させないように非酸化性
ガスを供給するガス供給口と排気口とが設けられ、プラ
ズマ処理された半導体装置をプラズマ処理室から大気圧
の塗布室内に搬送する際に、室内を非酸化性ガス雰囲気
に保持するように構成されている。
入、搬出させる1組のゲートと、プラズマ処理された半
導体装置の電極端子表面を酸化させないように非酸化性
ガスを供給するガス供給口と排気口とが設けられ、プラ
ズマ処理された半導体装置をプラズマ処理室から大気圧
の塗布室内に搬送する際に、室内を非酸化性ガス雰囲気
に保持するように構成されている。
【0029】ガス供給口からは、非酸化性ガスとして窒
素ガス、希ガス等の不活性ガス、もしくは場合によって
は酸素を含まない例えば水素ガス等の還元ガスが供給さ
れる。ガス圧はプラズマ処理室内の圧力より高く、例え
ば100〜500Pa程度に設定しておけばよい。
素ガス、希ガス等の不活性ガス、もしくは場合によって
は酸素を含まない例えば水素ガス等の還元ガスが供給さ
れる。ガス圧はプラズマ処理室内の圧力より高く、例え
ば100〜500Pa程度に設定しておけばよい。
【0030】上記の塗布室には、中間室を中継した半
導体装置の電極端子表面に、大気圧の非酸化性ガス雰囲
気中で導電性接着剤を塗布する手段が設けられている。
この塗布する手段としては、例えば塗布液タンクに接続
されたディスペンサーから所定量の導電性接着剤を半導
体装置の電極端子表面に供給する機構を備えており、ま
た、ディスペンサーと半導体装置とを相対的に移動させ
てディスペンサーと塗布すべき電極端子との位置合わせ
が行える機構をも有している。
導体装置の電極端子表面に、大気圧の非酸化性ガス雰囲
気中で導電性接着剤を塗布する手段が設けられている。
この塗布する手段としては、例えば塗布液タンクに接続
されたディスペンサーから所定量の導電性接着剤を半導
体装置の電極端子表面に供給する機構を備えており、ま
た、ディスペンサーと半導体装置とを相対的に移動させ
てディスペンサーと塗布すべき電極端子との位置合わせ
が行える機構をも有している。
【0031】また、中間室と同様に室内を非酸化性ガス
雰囲気とするため、窒素ガス、希ガス等の不活性ガス、
もしくは場合によっては酸素を含まない例えば水素ガス
等の還元ガスを供給するためのガス供給口及び排気口を
有している。
雰囲気とするため、窒素ガス、希ガス等の不活性ガス、
もしくは場合によっては酸素を含まない例えば水素ガス
等の還元ガスを供給するためのガス供給口及び排気口を
有している。
【0032】上記の搬送手段は、半導体装置をプラズ
マ処理室から塗布室まで順次搬送するものであり、各々
の室から室へと間歇的にもしくは連続的に半導体装置を
移動できる構成となっている。
マ処理室から塗布室まで順次搬送するものであり、各々
の室から室へと間歇的にもしくは連続的に半導体装置を
移動できる構成となっている。
【0033】以上説明したように、本発明の製造装置
は、プラズマ処理室で電極端子表面の酸化物を除去して
から塗布室で導電性接着剤が塗布されるまで、電極端子
表面が再度酸化されないように、一貫して酸素ガスを除
去した雰囲気(非酸化性雰囲気)で処理する構成にした
点が特徴の一つとなっている。
は、プラズマ処理室で電極端子表面の酸化物を除去して
から塗布室で導電性接着剤が塗布されるまで、電極端子
表面が再度酸化されないように、一貫して酸素ガスを除
去した雰囲気(非酸化性雰囲気)で処理する構成にした
点が特徴の一つとなっている。
【0034】
【実施例】以下、本発明の代表的な実施例を図面にした
がって説明する。 〈実施例1〉図1〜図5は本発明の第1の実施例を示す
図であり、これにより実施例の製造プロセスを説明す
る。図1は半導体チップ1の断面図であり、半導体チッ
プ1は回路面を下にしており、Cuの電極端子2が形成さ
れている。電極端子2の表面にはCuの酸化膜3が生成し
ている。
がって説明する。 〈実施例1〉図1〜図5は本発明の第1の実施例を示す
図であり、これにより実施例の製造プロセスを説明す
る。図1は半導体チップ1の断面図であり、半導体チッ
プ1は回路面を下にしており、Cuの電極端子2が形成さ
れている。電極端子2の表面にはCuの酸化膜3が生成し
ている。
【0035】図2は、プラズマ処理によりCuの酸化膜3
を除去した断面図である。すなわち、酸化膜3の除去
は、周波数13.56MHz、出力500Wの並行平板
型の高周波プラズマ処理装置(製造装置の詳細は実施例
5で説明する)を用いて、処理圧力10Paの条件のArプ
ラズマで行った。
を除去した断面図である。すなわち、酸化膜3の除去
は、周波数13.56MHz、出力500Wの並行平板
型の高周波プラズマ処理装置(製造装置の詳細は実施例
5で説明する)を用いて、処理圧力10Paの条件のArプ
ラズマで行った。
【0036】図3は、上記プラズマ処理により酸化物が
除去された電極端子2の表面に、市販の導電性接着剤ペ
ースト4を塗布して形成した断面図である。導電性接着
剤ペースト4の塗布に際しては、酸化膜3の除去後、Cu
電極端子2の表面を大気に接触させずN2雰囲気中でCu電
極端子2上に導電性接着剤ペースト4を形成した。
除去された電極端子2の表面に、市販の導電性接着剤ペ
ースト4を塗布して形成した断面図である。導電性接着
剤ペースト4の塗布に際しては、酸化膜3の除去後、Cu
電極端子2の表面を大気に接触させずN2雰囲気中でCu電
極端子2上に導電性接着剤ペースト4を形成した。
【0037】市販の導電性接着剤ペースト4はエポキシ
樹脂とAg粒子からなり、等方性の導電性接着剤である。
導電性接着剤ペースト4の形成はディスペンサーで行っ
た。図4は、半導体チップ1を実装基板5に搭載した断
面図である。導電性接着剤ペースト4を形成後、大気中
に取り出し実装基板5に形成されたAuの電極端子6と位
置合わせを行い、実装基板5に半導体チップ1を搭載し
た。これを、N2雰囲気中で150℃1時間の条件で加熱
硬化した。
樹脂とAg粒子からなり、等方性の導電性接着剤である。
導電性接着剤ペースト4の形成はディスペンサーで行っ
た。図4は、半導体チップ1を実装基板5に搭載した断
面図である。導電性接着剤ペースト4を形成後、大気中
に取り出し実装基板5に形成されたAuの電極端子6と位
置合わせを行い、実装基板5に半導体チップ1を搭載し
た。これを、N2雰囲気中で150℃1時間の条件で加熱
硬化した。
【0038】図5は、アンダーフィル7を形成した断面
図である。上記加熱硬化により半導体チップ1と実装基
板5の端子間を接続した後、半導体チップ1と実装基板
5の間隙にエポキシ樹脂のアンダーフィル7を注入して
150℃1時間で硬化した。
図である。上記加熱硬化により半導体チップ1と実装基
板5の端子間を接続した後、半導体チップ1と実装基板
5の間隙にエポキシ樹脂のアンダーフィル7を注入して
150℃1時間で硬化した。
【0039】このようにして製造した本実施例の半導体
装置の電極端子2−6間の比抵抗を、プラズマ処理を行
わなかった比較例と対比した。その結果、本実施例の比
抵抗は10-3〜10-4Ωcmであるが、比較例の場合
は、10-2〜10+4Ωcmと高く、本発明によって接続
抵抗は著しく低減された。これによって、半導体チップ
の電極端子に金の代わりに銅を使用することが可能とな
った。
装置の電極端子2−6間の比抵抗を、プラズマ処理を行
わなかった比較例と対比した。その結果、本実施例の比
抵抗は10-3〜10-4Ωcmであるが、比較例の場合
は、10-2〜10+4Ωcmと高く、本発明によって接続
抵抗は著しく低減された。これによって、半導体チップ
の電極端子に金の代わりに銅を使用することが可能とな
った。
【0040】〈実施例2〉第2の実施例を図6〜図11
で説明する。図6は半導体チップ8を搭載したボールグ
リッドアレイ基板9の断面図である。基板9の電極10
にPbSnのはんだボール11が形成されおり、その表面に
PbSnの酸化物12が生成されている。
で説明する。図6は半導体チップ8を搭載したボールグ
リッドアレイ基板9の断面図である。基板9の電極10
にPbSnのはんだボール11が形成されおり、その表面に
PbSnの酸化物12が生成されている。
【0041】図7は、はんだボール11表面の酸化物1
2を除去した断面図である。酸化膜12の除去は、実施
例1と同様にプラズマ処理により行った。すなわち、周
波数13.56MHz、出力400Wの並行平板型の高
周波プラズマ処理装置(製造装置の詳細は実施例5で説
明する)を用いて、処理圧力8Paの条件のArプラズマで
行った。
2を除去した断面図である。酸化膜12の除去は、実施
例1と同様にプラズマ処理により行った。すなわち、周
波数13.56MHz、出力400Wの並行平板型の高
周波プラズマ処理装置(製造装置の詳細は実施例5で説
明する)を用いて、処理圧力8Paの条件のArプラズマで
行った。
【0042】図8は、市販のAg充填エポキシ樹脂の等方
性導電性接着剤ペースト13を形成した断面図である。
導電性接着剤ペースト4の形成は、一定の厚さのペース
ト4にはんだボール11を押しつけて付着させる転写法
で行った。
性導電性接着剤ペースト13を形成した断面図である。
導電性接着剤ペースト4の形成は、一定の厚さのペース
ト4にはんだボール11を押しつけて付着させる転写法
で行った。
【0043】図9は、上記半導体チップ8を搭載した基
板9(第1の実装基板となる)を搭載する第2の実装基
板14の断面図である。実装基板14のPbSnの電極15
の表面にPbSnの酸化物16が形成されている。
板9(第1の実装基板となる)を搭載する第2の実装基
板14の断面図である。実装基板14のPbSnの電極15
の表面にPbSnの酸化物16が形成されている。
【0044】図10は、電極15上の酸化物16を除去
した断面図である。上記図7の条件と同様にしてArプラ
ズマで酸化膜16を除去し、その後は再度酸化されない
ようにN2雰囲気中に保持した。
した断面図である。上記図7の条件と同様にしてArプラ
ズマで酸化膜16を除去し、その後は再度酸化されない
ようにN2雰囲気中に保持した。
【0045】図11はボールグリッドアレイ基板9を搭
載した実装基板14の断面図である。位置合わせ、搭載
後、N2雰囲気中で140℃1時間で加熱硬化した。これ
によって接続された第1の実装基板と第2の実装基板の
接続は、実施例1と同様に抵抗値が著しく低減された。
載した実装基板14の断面図である。位置合わせ、搭載
後、N2雰囲気中で140℃1時間で加熱硬化した。これ
によって接続された第1の実装基板と第2の実装基板の
接続は、実施例1と同様に抵抗値が著しく低減された。
【0046】〈実施例3〉第3の実施例を図12〜図1
7で説明する。図12は半導体素子が多数個形成された
ウェハ17の断面図であり、各々の半導体素子にはCuの
電極端子2が形成されており、その表面にはCuの酸化膜
3が生成している。
7で説明する。図12は半導体素子が多数個形成された
ウェハ17の断面図であり、各々の半導体素子にはCuの
電極端子2が形成されており、その表面にはCuの酸化膜
3が生成している。
【0047】図13はCuの酸化膜3を除去した断面図で
ある。酸化膜3の除去は、実施例1と同様に高周波出力
500W,処理圧力10Paの条件のArプラズマで行った。
ある。酸化膜3の除去は、実施例1と同様に高周波出力
500W,処理圧力10Paの条件のArプラズマで行った。
【0048】図14は酸化物を除去した電極端子表面に
導電性接着剤ペースト4を形成した断面図である。この
酸化膜3の除去後はCu電極端子2を大気に接触させずN2
雰囲気中でCu電極端子18上に導電性接着剤ペースト2
0を印刷で形成し、150℃1時間でN2中で硬化した。
導電性接着剤ペースト4を形成した断面図である。この
酸化膜3の除去後はCu電極端子2を大気に接触させずN2
雰囲気中でCu電極端子18上に導電性接着剤ペースト2
0を印刷で形成し、150℃1時間でN2中で硬化した。
【0049】図15は、図14のウェハ17を切断して
得られた半導体チップ1の断面図である。図16は実装
基板5の断面図である。Auの電極端子6の上に導電性接
着剤ペースト24が印刷で形成されている。
得られた半導体チップ1の断面図である。図16は実装
基板5の断面図である。Auの電極端子6の上に導電性接
着剤ペースト24が印刷で形成されている。
【0050】図17半導体チップ1を実装基板5に搭載
してN2中で導電性接着剤24を硬化して、アンダーフィ
ル7を注入して、150℃1時間で加熱硬化した。この
ようにして得られた半導体チップ1と実装基板5の電極
端子2−6間の接続抵抗は実施例1及び2とほぼ同等で
あった。
してN2中で導電性接着剤24を硬化して、アンダーフィ
ル7を注入して、150℃1時間で加熱硬化した。この
ようにして得られた半導体チップ1と実装基板5の電極
端子2−6間の接続抵抗は実施例1及び2とほぼ同等で
あった。
【0051】以上の実施例では、いずれも酸化物除去に
Arガスによるプラズマ処理を行ったが、ガス種をその
他の希ガスもしくはN2ガスに置き換えても同様の効果
が得られる。
Arガスによるプラズマ処理を行ったが、ガス種をその
他の希ガスもしくはN2ガスに置き換えても同様の効果
が得られる。
【0052】〈実施例4〉第4の実施例を図18の断面
工程図で説明する。図18(a)は、半導体チップ1上
のCu電極2の表面に酸化物3が生成している。この酸化
物28の上に流動性はあるが比較的粘性の高い導電性接
着剤ペースト4が塗布形成されている。
工程図で説明する。図18(a)は、半導体チップ1上
のCu電極2の表面に酸化物3が生成している。この酸化
物28の上に流動性はあるが比較的粘性の高い導電性接
着剤ペースト4が塗布形成されている。
【0053】図18(b)に示したように、金属治具3
0でペースト4に接している酸化物3を機械的に削り取
る。電極2の表面が常にペースト4で覆われた状態で酸
化物を削り取るので、酸化物が除去されても露出した金
属面はペースト4で遮断され、大気と接触することはな
い。
0でペースト4に接している酸化物3を機械的に削り取
る。電極2の表面が常にペースト4で覆われた状態で酸
化物を削り取るので、酸化物が除去されても露出した金
属面はペースト4で遮断され、大気と接触することはな
い。
【0054】このようにして図18(c)に示したよう
に、酸化物が除去された電極2のCu金属面とペースト4
が接触する。これらのプロセスは全て大気中で行われ
る。この後、実施例1〜3に示した工程と同様にして、
実装基板との接続を行った。
に、酸化物が除去された電極2のCu金属面とペースト4
が接触する。これらのプロセスは全て大気中で行われ
る。この後、実施例1〜3に示した工程と同様にして、
実装基板との接続を行った。
【0055】〈実施例5〉第5の実施例を図19で説明
する。図19は導電性接着剤接続で抵抗値の小さい半導
体装置を製造するための装置31の概略断面図を示して
いる。
する。図19は導電性接着剤接続で抵抗値の小さい半導
体装置を製造するための装置31の概略断面図を示して
いる。
【0056】先ず、この製造装置の構成から説明する
と、図示のようにこの製造装置31は、プラズマ処理室
32と、導電性接着剤の塗布室33と、これら二つの処
理室を連結する中間室44と、半導体装置及び実装基板
の少なくとも一方をこれら3室内に間歇的にもしくは連
続的に順次搬送する搬送機構45とを備えている。
と、図示のようにこの製造装置31は、プラズマ処理室
32と、導電性接着剤の塗布室33と、これら二つの処
理室を連結する中間室44と、半導体装置及び実装基板
の少なくとも一方をこれら3室内に間歇的にもしくは連
続的に順次搬送する搬送機構45とを備えている。
【0057】プラズマ処理室32には、プラズマ発生手
段が設けられており、この例では並行平板型の高周波放
電プラズマ発生装置の例を示している。すなわち、この
プラズマ発生手段は、高周波電源50、アノード電極3
6、カソード電極35、プラズマ発生用ガスを室内に供
給するガス供給口46a、図示されていない排気ポンプ
に接続された排気口47b、及び被処理試料となる例え
ば半導体チップ34が載置される試料台を兼ねた搬送治
具34を備えている。なお、48aは試料を室内に搬入
する第1のゲートを示している。
段が設けられており、この例では並行平板型の高周波放
電プラズマ発生装置の例を示している。すなわち、この
プラズマ発生手段は、高周波電源50、アノード電極3
6、カソード電極35、プラズマ発生用ガスを室内に供
給するガス供給口46a、図示されていない排気ポンプ
に接続された排気口47b、及び被処理試料となる例え
ば半導体チップ34が載置される試料台を兼ねた搬送治
具34を備えている。なお、48aは試料を室内に搬入
する第1のゲートを示している。
【0058】プラズマ発生手段としては、この高周波放
電プラズマ発生装置に限らず、その他周知の例えば、マ
グネトロンを発振源とするマイクロ波を導波管を通し放
電管内で放電させるマイクロ波放電プラズマ発生装置に
置き換えることもできる。
電プラズマ発生装置に限らず、その他周知の例えば、マ
グネトロンを発振源とするマイクロ波を導波管を通し放
電管内で放電させるマイクロ波放電プラズマ発生装置に
置き換えることもできる。
【0059】中間室44は、プラズマ処理室32と塗布
室33の壁面を隔壁として仕切られた空間であり、これ
ら二つの隔壁は可動仕切板40a、40bで形成されて
いる。46bは、ガス供給口であり、非酸化性ガス(窒
素ガスや希ガス等の不活性ガス、もしくは水素等の還元
ガス)を室内に供給して既にプラズマ処理された試料3
4の電極端子38の再酸化を防止する。
室33の壁面を隔壁として仕切られた空間であり、これ
ら二つの隔壁は可動仕切板40a、40bで形成されて
いる。46bは、ガス供給口であり、非酸化性ガス(窒
素ガスや希ガス等の不活性ガス、もしくは水素等の還元
ガス)を室内に供給して既にプラズマ処理された試料3
4の電極端子38の再酸化を防止する。
【0060】この中間室44は、放電条件を満たすため
に減圧されたプラズマ処理室32の圧力と大気圧で処理
する塗布室33との圧力差が大きいため、直接次の塗布
室33に搬入せず、緩衝域となる中間室44を中継して
段階的に圧力を上昇させるために設けるものである。
に減圧されたプラズマ処理室32の圧力と大気圧で処理
する塗布室33との圧力差が大きいため、直接次の塗布
室33に搬入せず、緩衝域となる中間室44を中継して
段階的に圧力を上昇させるために設けるものである。
【0061】したがって、試料34をプラズマ処理室3
2から塗布室33に搬送する際には、予め可動仕切板4
0a、40bを閉じ中間室44内を所定圧力に減圧して
非酸化性ガス雰囲気に保持した状態で可動仕切板40a
を開いて試料34を中間室44内に搬入し、可動仕切板
40aを閉じてから可動仕切板40bをを開いて塗布室
33に搬送する。
2から塗布室33に搬送する際には、予め可動仕切板4
0a、40bを閉じ中間室44内を所定圧力に減圧して
非酸化性ガス雰囲気に保持した状態で可動仕切板40a
を開いて試料34を中間室44内に搬入し、可動仕切板
40aを閉じてから可動仕切板40bをを開いて塗布室
33に搬送する。
【0062】塗布室33には、導電性接着剤の供給手
段、ガス供給口46c、排気口47c、及び試料取り出
しゲート48bが設けられている。導電性接着剤の供給
手段は、ディスペンサー装置42と導電性接着剤のタン
ク49と位置合わせ手段51とを備えている。この位置
合わせ手段51によって、試料電極端子38とディスペ
ンサー装置42とを位置合わせし、ディスペンサー装置
42から接続に必要とされる導電性接着剤ペースト43
を電極端子38上に供給する。
段、ガス供給口46c、排気口47c、及び試料取り出
しゲート48bが設けられている。導電性接着剤の供給
手段は、ディスペンサー装置42と導電性接着剤のタン
ク49と位置合わせ手段51とを備えている。この位置
合わせ手段51によって、試料電極端子38とディスペ
ンサー装置42とを位置合わせし、ディスペンサー装置
42から接続に必要とされる導電性接着剤ペースト43
を電極端子38上に供給する。
【0063】なお、位置合わせ手段51は、導電性接着
剤の供給手段に設ける代わりに、搬送手段45側に設け
てもよく、ディスペンサー装置42と電極端子38とが
相対的に位置合わせできるものであればいずれを選択し
てもよい。ガス供給口46cからは、中間室44と同様
に非酸化性ガスを供給し、大気圧のガス雰囲気とする。
ガス種としては、安価で取り扱いが容易な窒素ガスが実
用的である。
剤の供給手段に設ける代わりに、搬送手段45側に設け
てもよく、ディスペンサー装置42と電極端子38とが
相対的に位置合わせできるものであればいずれを選択し
てもよい。ガス供給口46cからは、中間室44と同様
に非酸化性ガスを供給し、大気圧のガス雰囲気とする。
ガス種としては、安価で取り扱いが容易な窒素ガスが実
用的である。
【0064】この装置によれば、試料34の電極端子3
8に形成された酸化物39の除去工程から導電性接着剤
ペースト43の塗布工程まで、非酸化性ガス雰囲気中で
実施するので、プラズマ処理された電極端子表面を再酸
化することなしに導電性接着剤ペースト43を塗布する
ことができ、それによって電極端子間の接続抵抗を確実
に低減することができる。
8に形成された酸化物39の除去工程から導電性接着剤
ペースト43の塗布工程まで、非酸化性ガス雰囲気中で
実施するので、プラズマ処理された電極端子表面を再酸
化することなしに導電性接着剤ペースト43を塗布する
ことができ、それによって電極端子間の接続抵抗を確実
に低減することができる。
【0065】次に、この装置を使用した半導体装置の製
造方法の一例を説明する。先ず、半導体チップ34をプ
ラズマ処理室32のゲート48aから搬入し、カソード
電極35の上に設置する。プラズマ処理室32は、不図
示の排気ポンプにより排気口47aから排気すると共
に、ガス供給口46aからAr等の希ガスを供給し、室
内雰囲気を例えば1〜100Paの減圧下に保持する。
造方法の一例を説明する。先ず、半導体チップ34をプ
ラズマ処理室32のゲート48aから搬入し、カソード
電極35の上に設置する。プラズマ処理室32は、不図
示の排気ポンプにより排気口47aから排気すると共
に、ガス供給口46aからAr等の希ガスを供給し、室
内雰囲気を例えば1〜100Paの減圧下に保持する。
【0066】高周波電源50からカソード電極35とア
ノード電極36間に例えば周波数1〜30MHz、40
0〜500Wの電力を供給し、それにより高周波放電を
生じさせプラズマ37を発生させて、半導体チップ34
の電極端子38表面の酸化物39を除去する。
ノード電極36間に例えば周波数1〜30MHz、40
0〜500Wの電力を供給し、それにより高周波放電を
生じさせプラズマ37を発生させて、半導体チップ34
の電極端子38表面の酸化物39を除去する。
【0067】次に中間室44とプラズマ処理室32間の
隔壁を形成する可動仕切板40aを開き、搬送手段45
により試料34を中間室44に搬入し、搬送後、可動仕
切板40aを閉じる。中間室44は、予め排気口47b
から不図示の排気ポンプにより排気されると共に、ガス
供給口46bから例えばAr、N2等の不活性ガスが供
給され、室内雰囲気をプラズマ処理室32の圧力よりも
多少高めの例えば100〜500Pa程度に設定してお
く。
隔壁を形成する可動仕切板40aを開き、搬送手段45
により試料34を中間室44に搬入し、搬送後、可動仕
切板40aを閉じる。中間室44は、予め排気口47b
から不図示の排気ポンプにより排気されると共に、ガス
供給口46bから例えばAr、N2等の不活性ガスが供
給され、室内雰囲気をプラズマ処理室32の圧力よりも
多少高めの例えば100〜500Pa程度に設定してお
く。
【0068】次に中間室44にAr、N2等の不活性ガ
スを導入して圧力が常圧になってから、可動仕切り板4
0bを開き、試料34を搬送治具41で、予めAr、N
2等の不活性ガスがガス供給口46cから充填された塗
布室33に搬入する。塗布室33では、位置合わせ手段
51によりディスペンサー装置42と試料34の電極端
子38とを位置合わせし、ディスペンサー装置42から
接続に必要な所定量の導電性接着剤ペースト43を供給
し電極端子38上に塗布する。
スを導入して圧力が常圧になってから、可動仕切り板4
0bを開き、試料34を搬送治具41で、予めAr、N
2等の不活性ガスがガス供給口46cから充填された塗
布室33に搬入する。塗布室33では、位置合わせ手段
51によりディスペンサー装置42と試料34の電極端
子38とを位置合わせし、ディスペンサー装置42から
接続に必要な所定量の導電性接着剤ペースト43を供給
し電極端子38上に塗布する。
【0069】この装置31により電極端子38の酸化物
39を除去した後、大気中の酸素に接することなく導電
性接着剤ペースト43の形成が可能になり、接続抵抗値
が小さい半導体装置の製造が行われる。
39を除去した後、大気中の酸素に接することなく導電
性接着剤ペースト43の形成が可能になり、接続抵抗値
が小さい半導体装置の製造が行われる。
【0070】
【発明の効果】以上詳述したように本発明により、導電
性接着剤を用いた電極間の接続において、接続抵抗値を
低減すると云う所期の目的を達成することができた。す
なわち、導電性接着剤の接続において電極端子の金属表
面と導電性接着剤が直接接触するため接続抵抗値の小さ
な半導体装置が得られる。
性接着剤を用いた電極間の接続において、接続抵抗値を
低減すると云う所期の目的を達成することができた。す
なわち、導電性接着剤の接続において電極端子の金属表
面と導電性接着剤が直接接触するため接続抵抗値の小さ
な半導体装置が得られる。
【0071】これにより、電極端子に高価なAuもしく
はAuメッキ電極を使用しなくても、在来の安価なC
u、Al等の電極材が使用でき、産業上貢献するところ
多大なものがある。
はAuメッキ電極を使用しなくても、在来の安価なC
u、Al等の電極材が使用でき、産業上貢献するところ
多大なものがある。
【図1】本発明の第1の実施例の半導体チップの断面
図。
図。
【図2】図1の電極端子の酸化膜を除去した断面図。
【図3】図2の電極端子上に導電性接着剤を形成した断
面図。
面図。
【図4】図3の半導体チップを実装基板に搭載した断面
図。
図。
【図5】図4にアンダーフィルを形成した断面図。
【図6】第2の実施例のボールグリッドアレイ基板の断
面図。
面図。
【図7】図6の電極端子の酸化膜を除去した断面図。
【図8】図7の電極端子上に導電性接着剤を形成した断
面図。
面図。
【図9】第2の実施例の実装基板の断面図。
【図10】図10の電極端子の酸化膜を除去した断面
図。
図。
【図11】図7の半導体チップを図10の実装基板に搭
載した断面図。
載した断面図。
【図12】第3の実施例のウェハの断面図。
【図13】図12の電極端子の酸化膜を除去した断面
図。
図。
【図14】図13の電極端子上に導電性接着剤を形成し
た断面図。
た断面図。
【図15】図14のウェハを切断した部分の断面図。
【図16】第3の実施例の実装基板の断面図。
【図17】図14の半導体チップを図16に搭載しアン
ダーフィルを形成した断面図。
ダーフィルを形成した断面図。
【図18】第4の実施例の半導体チップの断面図。
【図19】第5の実施例の半導体製造装置の断面図。
1、8、21、34……半導体チップ、 2、6、10、15、38……電極端子、 3、12、16、39……表面酸化物、 4、24、43……導電性接着剤(ペースト)、 5、14……実装基板、 7……アンダーフィル、 9……ボールグリッドアレイ基板、 11……はんだボール、 17……ウェハ、 30……酸化膜除去治具、 31……製造装置、 32…プラズマ処理室、 33……塗布室、 35……カソード電極、 36……アノード電極、 37……プラズマ、 40a、40b……可動仕切り板、 41……試料搬送治具、 42……ディスペンサー、 44…中間室、 45…搬送手段、 46…ガス供給口、 47a、47b、47c…排気口、 48a、48b…ゲート、 50…高周波電源、 51…位置合わせ手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉見 健二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 坂上 雅一 神奈川県海老名市下今泉810番地 株式会 社日立製作所PC事業部内 (72)発明者 成川 泰弘 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 5F044 KK19 QQ04 RR19
Claims (9)
- 【請求項1】半導体装置の電極端子に導電性接着剤を塗
布する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極端子
を実装基板上の電極端子上に位置合わせする工程と、前
記導電性接着剤を硬化することにより前記位置合わせし
た両電極端子間に導電性接着剤層を形成して電気的接続
を行う工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の電極端子に導電性接着剤を塗布する
工程は、前記半導体装置の電極端子表面をプラズマ処理
することにより、表面に形成されている酸化物を除去す
る工程と、前記プラズマ処理された電極表面を酸素に接
触させることなく非酸化性ガス雰囲気中で、その表面に
導電性接着剤を塗布する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】前記電極端子表面をプラズマ処理するに際
しては、ガス種として窒素もしくは周期律表ゼロ族元素
のガスを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項3】前記導電性接着剤を塗布する工程における
非酸化性ガス雰囲気は、窒素ガス雰囲気、周期律表ゼロ
族元素のガス雰囲気、もしくは還元性元素を含み酸素を
含まないガス雰囲気であることを特徴とする請求項1記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】前記導電性接着剤を硬化することにより前
記両電極端子間に導電性接着剤層を形成して電気的接続
を行う工程においては、前記導電性接着剤の硬化を不活
性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】半導体装置の電極端子に導電性接着剤を塗
布する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極端子
を実装基板上の電極端子上に位置合わせする工程と、前
記導電性接着剤を硬化することにより前記位置合わせさ
れた両電極端子間に導電性接着剤層を形成して電気的接
続を行う工程とを有する半導体装置の製造方法であっ
て、 前記半導体装置の電極端子に導電性接着剤を塗布する工
程は、大気中で半導体装置の電極端子に導電性接着剤を
塗布する工程と、前記導電性接着剤が電極端子上を被覆
し、それによって外気を遮断した状態下で電極端子の表
面から酸化物を機械的に除去する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】前記半導体装置がウェハから分離された半
導体チップであり、前記実装基板が半導体チップを搭載
する第1の基板と、前記半導体チップが搭載された前記
第1の基板を搭載する第2の基板とを有していることを
特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項7】半導体装置の電極端子表面を所定の減圧下
でプラズマ処理するプラズマ発生手段とガス供給口と排
気口とを有するプラズマ処理室と、 前記プラズマ処理室でプラズマ処理された半導体装置を
減圧された非酸化性ガス雰囲気中で中継する中間室と、 前記中間室を中継した半導体装置の電極端子表面に、常
圧下の非酸化性ガス雰囲気中で導電性接着剤を塗布する
手段を有する塗布室と、 前記プラズマ処理室から塗布室まで半導体装置を順次搬
送する搬送手段とを備えたことを特徴とする半導体装置
の製造装置。 - 【請求項8】上記プラズマ発生手段を高周波放電による
プラズマ処理装置で構成したことを特徴とする請求項7
記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項9】上記プラズマ発生手段をマイクロ波放電に
よるプラズマ処理装置で構成したことを特徴とする請求
項7記載の半導体装置の製造装置。
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---|---|---|---|
JP2000009949A JP2001196420A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
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JP2000009949A JP2001196420A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196420A true JP2001196420A (ja) | 2001-07-19 |
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ID=18538029
Family Applications (1)
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JP2000009949A Pending JP2001196420A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
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JP (1) | JP2001196420A (ja) |
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-
2000
- 2000-01-13 JP JP2000009949A patent/JP2001196420A/ja active Pending
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