JP2001196100A - Memory effect measuring device and residual capacity detector for secondary battery - Google Patents

Memory effect measuring device and residual capacity detector for secondary battery

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JP2001196100A
JP2001196100A JP2000004201A JP2000004201A JP2001196100A JP 2001196100 A JP2001196100 A JP 2001196100A JP 2000004201 A JP2000004201 A JP 2000004201A JP 2000004201 A JP2000004201 A JP 2000004201A JP 2001196100 A JP2001196100 A JP 2001196100A
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JP
Japan
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secondary battery
memory effect
value
output
remaining capacity
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JP2000004201A
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Japanese (ja)
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Masatoshi Uchida
昌利 内田
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Toyota Motor Corp
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Toyota Motor Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To measure the degree of the memory effect produced in a secondary battery. SOLUTION: In measuring the degree of the memory effect in a secondary battery 20 in a circuit 10, detected signals form a current sensor 40, a voltage sensor 45 and a temperature sensor 25 are inputted to a control section 50. The control section 50 stores previously as a map information the resistance and temperature of the secondary battery 20 and correlation between this information and the degree of the memory effect. Upon receipt of detected signals from the above sensors, the control section 50 measures the resistance of the secondary battery 20 and judges the degree of the memory effect produced in the secondary battery 20 referencing the above.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、二次電池のメモリ
効果判定装置および二次電池の残存容量検出装置に関
し、詳しくは、二次電池を使用することで次第に生じる
メモリ効果の程度を判定するメモリ効果判定装置と、メ
モリ効果を生じうる二次電池の残存容量を検出する残存
容量検出装置とに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for determining the memory effect of a secondary battery and a device for detecting the remaining capacity of a secondary battery, and more particularly to determining the degree of a memory effect that gradually occurs by using a secondary battery. The present invention relates to a memory effect determination device and a remaining capacity detection device that detects a remaining capacity of a secondary battery that can cause a memory effect.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ニッケル・水素電池やニッケル・カドミ
ウム電池では、充分に放電することなく充電するという
動作を繰り返すと、次第に、放電可能な電力量が減少し
てしまう。このような現象はメモリ効果と呼ばれ、従来
から知られていた。メモリ効果が生じた場合には、リフ
レッシュ充電（強制的に充分に放電させた後、再び充電
する）を行なうことにより、これを解消することが可能
である。したがって、メモリ効果の発生を検出し、メモ
リ効果が生じた場合にはリフレッシュ充電を行なうこと
により、二次電池を効率良く利用することができる。2. Description of the Related Art In a nickel-hydrogen battery or a nickel-cadmium battery, when the operation of charging without sufficiently discharging is repeated, the amount of power that can be discharged gradually decreases. Such a phenomenon is called a memory effect and has been conventionally known. When the memory effect occurs, it is possible to eliminate this by performing refresh charging (forcibly sufficiently discharging and then charging again). Therefore, by detecting the occurrence of the memory effect and performing refresh charging when the memory effect occurs, the secondary battery can be used efficiently.

【０００３】メモリ効果の発生を検出する方法として
は、二次電池の放電量と出力電圧値とを検出し、検出さ
れた出力電圧値と二次電池の仕様とに基づいて求められ
る基準放電量と、検出された二次電池の実際の放電量と
を比較することにより、メモリ効果の有無を判定する方
法が知られている（例えば、特開平７−１７７６６６号
公報等）。すなわち、二次電池の出力電圧値と二次電池
の仕様とに基づいて求められる基準放電量と、二次電池
の実際の放電量との差が、所定値以上になったときに
は、メモリ効果が生じたと判断できる。このようにして
メモリ効果が検出されたときには、二次電池を充電する
際にリフレッシュ充電を行ない、メモリ効果を解消する
ことができる。[0003] As a method of detecting the occurrence of the memory effect, a discharge amount and an output voltage value of a secondary battery are detected, and a reference discharge amount obtained based on the detected output voltage value and the specifications of the secondary battery. A method of determining the presence or absence of a memory effect by comparing the detected discharge amount with the actual discharge amount of the secondary battery is known (for example, JP-A-7-177666). That is, when the difference between the reference discharge amount obtained based on the output voltage value of the secondary battery and the specifications of the secondary battery and the actual discharge amount of the secondary battery is equal to or greater than a predetermined value, the memory effect is reduced. It can be determined that it has occurred. When the memory effect is detected in this way, refresh charging is performed when charging the secondary battery, and the memory effect can be eliminated.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように二次電池の実際の放電量と、二次電池の仕様に
基づく基準放電量とを比較する方法では、メモリ効果の
有無の判定はできるものの、メモリ効果が生じていると
きに、生じているメモリ効果の程度を知ることはできな
い。メモリ効果が生じると、上記したように放電可能な
電力量が減少してしまうほかに、メモリ効果の程度に応
じて、出力電流値に対応する出力電圧値が低下してしま
うという問題を生じる。このように、メモリ効果の程度
に応じて出力電圧値の低下が起きたときに不都合が生じ
る場合としては、例えば、二次電池の残存容量（以下、
ＳＯＣと呼ぶ）を検出するために二次電池の出力電圧値
を利用する場合を挙げることができる。すなわち、二次
電池から所定量の電流が出力されているときには、その
出力電圧値はＳＯＣが低下するのに従って低くなるた
め、出力電圧値を測定することによってＳＯＣを求める
ことができるが、このような構成では、メモリ効果に起
因する出力電圧の低下が起こったときには、ＳＯＣを充
分に精度良く検出できなくなってしまう。上記したよう
にメモり効果の有無を検出するだけでは、二次電池の出
力電圧値を利用してＳＯＣなどの検出を行なう際に、メ
モリ効果による電圧低下の影響がどの程度現われている
のかを知ることができず、メモリ効果が大きくなるほど
ＳＯＣを検出する際の誤差が大きくなってしまう。メモ
リ効果の有無だけでなく、メモリ効果の程度を定量する
方法は従来知られていなかった。However, in the method of comparing the actual discharge amount of the secondary battery with the reference discharge amount based on the specifications of the secondary battery as described above, it is possible to determine the presence or absence of the memory effect. However, when the memory effect is occurring, the degree of the memory effect occurring cannot be known. When the memory effect occurs, the amount of power that can be discharged is reduced as described above, and in addition, the output voltage value corresponding to the output current value is reduced according to the degree of the memory effect. As described above, when a problem occurs when the output voltage value decreases in accordance with the degree of the memory effect, for example, the remaining capacity of the secondary battery (hereinafter, referred to as the remaining capacity)
(Referred to as SOC) is used to detect the output voltage value of the secondary battery. That is, when a predetermined amount of current is output from the secondary battery, the output voltage value decreases as the SOC decreases. Therefore, the SOC can be obtained by measuring the output voltage value. In such a configuration, when the output voltage decreases due to the memory effect, the SOC cannot be detected with sufficient accuracy. As described above, by simply detecting the presence or absence of the memory effect, when detecting the SOC using the output voltage value of the secondary battery, it is necessary to determine how much the effect of the voltage drop due to the memory effect appears. It cannot be known, and the error in detecting the SOC increases as the memory effect increases. A method for quantifying the degree of the memory effect as well as the presence / absence of the memory effect has not been conventionally known.

【０００５】本発明の二次電池のメモリ効果判定装置お
よび二次電池の残存容量検出装置は、こうした問題を解
決し、二次電池で生じたメモリ効果の程度を定量すると
共に、定量したメモリ効果の程度を利用して、より正確
に二次電池のＳＯＣを検出することを目的としてなさ
れ、次の構成を採った。[0005] The memory effect determination device for a secondary battery and the device for detecting the remaining capacity of the secondary battery according to the present invention solve the above problems, and quantify the degree of the memory effect generated in the secondary battery. The purpose of the present invention is to detect the SOC of the secondary battery more accurately by utilizing the degree, and employs the following configuration.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】本
発明のメモリ効果判定装置は、充放電可能な二次電池に
おいて生じたメモリ効果の程度を判定するメモリ効果判
定装置であって、前記二次電池の出力電圧値を検出する
電圧検出手段と、前記二次電池の出力電流値を検出する
電流検出手段と、前記二次電池の温度を検出する温度検
出手段と、前記二次電池の出力状態を検出する出力状態
検出手段と、前記出力状態検出手段が検出した前記出力
状態が、予め定めた所定の状態であるかどうかを判別す
る判別手段と、前記二次電池の出力電圧値と、前記二次
電池の出力電流値と、前記二次電池の温度とに基づく情
報と、前記二次電池で発生するメモリ効果の程度との間
の関係を、予めマップとして記憶する記憶手段と、前記
判別手段が、前記所定の状態であると判別したときに、
前記電圧検出手段が検出した前記出力電圧値と、前記電
流検出手段が検出した前記出力電流値と、前記温度検出
手段が検出した前記温度とに基づいて、前記記憶手段に
記憶したマップを参照することによって、前記二次電池
で発生するメモリ効果の程度を判定するメモリ効果程度
判定手段とを備えることを要旨とする。Means for Solving the Problems and Action / Effect Thereof A memory effect judging device according to the present invention is a memory effect judging device for judging a degree of a memory effect generated in a chargeable / dischargeable secondary battery. Voltage detecting means for detecting the output voltage value of the secondary battery, current detecting means for detecting the output current value of the secondary battery, temperature detecting means for detecting the temperature of the secondary battery, and the output of the secondary battery Output state detection means for detecting a state, determination means for determining whether the output state detected by the output state detection means is a predetermined state, output voltage value of the secondary battery, A storage unit that stores in advance a relationship between an output current value of the secondary battery, information based on the temperature of the secondary battery, and a degree of a memory effect generated in the secondary battery as a map, Determining means, When it is determined that the fixed state,
A map stored in the storage unit is referred to based on the output voltage value detected by the voltage detection unit, the output current value detected by the current detection unit, and the temperature detected by the temperature detection unit. Accordingly, the gist of the present invention is to include a memory effect degree determination unit that determines a degree of a memory effect generated in the secondary battery.

【０００７】以上のように構成された本発明のメモリ効
果判定装置は、充放電可能な二次電池の出力電圧値と、
前記二次電池の出力電流値と、前記二次電池の温度と、
前記二次電池の出力状態とを検出する。また、このメモ
リ効果判定装置は、前記二次電池の出力電圧値と、前記
二次電池の出力電流値と、前記二次電池の温度とに基づ
く情報と、前記二次電池で発生するメモリ効果の程度と
の間の関係を、予めマップとして記憶している。検出し
た前記出力状態が、予め定めた所定の状態であるかどう
かを判別し、所定の状態であると判別したときには、検
出した前記出力電圧値と、前記出力電流値と、前記温度
とに基づいて、記憶した前記マップを参照することによ
って、前記二次電池で発生するメモリ効果の程度を判定
する。The memory effect judging device according to the present invention having the above-described structure is provided with an output voltage value of a chargeable / dischargeable secondary battery,
The output current value of the secondary battery, the temperature of the secondary battery,
The output state of the secondary battery is detected. Also, the memory effect determination device may include information based on an output voltage value of the secondary battery, an output current value of the secondary battery, and a temperature of the secondary battery, and a memory effect generated in the secondary battery. Is stored as a map in advance. It is determined whether the detected output state is a predetermined state, and when it is determined that the output state is the predetermined state, based on the detected output voltage value, the output current value, and the temperature, Then, by referring to the stored map, the degree of the memory effect generated in the secondary battery is determined.

【０００８】このようなメモリ効果判定装置によれば、
二次電池の出力電圧値と出力電流値と温度とに基づく情
報と、二次電池で発生するメモリ効果の程度との間の関
係を、予めマップとして記憶しているため、二次電池で
発生するメモリ効果の有無だけでなく、メモリ効果の程
度をも判定することができる。なお、本発明のメモリ効
果判定装置がメモリ効果の程度を判定する二次電池にお
いて、その出力状態が略一定であり、常に、メモリ効果
の程度の判定を行なうことができる状態であるならば、
上記判定手段による判定の動作は省略できる。According to such a memory effect determination device,
Since the relationship between the information based on the output voltage value, the output current value, and the temperature of the secondary battery and the degree of the memory effect generated in the secondary battery is stored in advance as a map, the relationship is generated in the secondary battery. It is possible to determine not only the presence or absence of the memory effect, but also the degree of the memory effect. Incidentally, in the secondary battery in which the memory effect determination device of the present invention determines the degree of the memory effect, if the output state thereof is substantially constant and it is always possible to determine the degree of the memory effect,
The operation of the determination by the determination means can be omitted.

【０００９】本発明のメモリ効果判定装置において、前
記マップは、前記情報として、前記二次電池の出力電圧
値および出力電流値から算出される前記二次電池の抵抗
値に基づく情報と、前記二次電池の温度に基づく情報と
を用いることとしてもよい。In the memory effect judging device according to the present invention, the map includes, as the information, information based on a resistance value of the secondary battery calculated from an output voltage value and an output current value of the secondary battery; Information based on the temperature of the next battery may be used.

【００１０】また、このようなメモリ効果判定装置にお
いて、前記マップは、前記二次電池の抵抗値に基づく情
報として、前記二次電池において前記メモリ効果が生じ
ていないと規定される状態における前記二次電池の前記
抵抗値と、前記二次電池において種々の程度で前記メモ
リ効果が生じた状態における前記二次電池の前記抵抗値
との間の差に基づく情報を用いることとしてもよい。Further, in such a memory effect determining device, the map may include, as information based on a resistance value of the secondary battery, the secondary battery in a state where the memory effect is not generated in the secondary battery. Information based on a difference between the resistance value of the secondary battery and the resistance value of the secondary battery in a state where the memory effect occurs to various degrees in the secondary battery may be used.

【００１１】このように、上記二次電池の抵抗値に基づ
く情報として、上記差に基づく情報を用いることとすれ
ば、所定の二次電池の性質に基づいた上記マップを記憶
しておくことにより、メモリ効果の程度を判定する対象
となる二次電池を、同規格の他の二次電池に交換した場
合にも、同じマップを利用してメモリ効果の程度を判定
することができる。As described above, if the information based on the difference is used as the information based on the resistance value of the secondary battery, it is possible to store the map based on the characteristics of a predetermined secondary battery. Also, when the secondary battery for which the degree of the memory effect is to be determined is replaced with another secondary battery of the same standard, the degree of the memory effect can be determined using the same map.

【００１２】このようなメモリ効果判定装置において、
前記二次電池の残存容量を検出する残存容量検出手段を
さらに備え、前記記憶手段は、前記二次電池の残存容量
に応じて複数の前記マップを記憶し、前記メモリ効果程
度判定手段は、前記残存容量検出手段の検出結果に応じ
て、前記記憶手段に記憶された複数のマップの中から参
照すべきマップを選択し、選択したマップを参照して前
記メモリ効果の程度を判定することとしてもよい。In such a memory effect determination device,
The apparatus further includes a remaining capacity detection unit configured to detect a remaining capacity of the secondary battery, wherein the storage unit stores a plurality of maps according to a remaining capacity of the secondary battery, and the memory effect degree determination unit includes: According to the detection result of the remaining capacity detection unit, a map to be referred to is selected from the plurality of maps stored in the storage unit, and the degree of the memory effect may be determined with reference to the selected map. Good.

【００１３】このような構成とすれば、メモリ効果の程
度を判定する対象となる二次電池の残存容量が種々の値
であっても、より正確にメモリ効果の程度を判定するこ
とができる。ここで、二次電池の残存容量に応じて記憶
しておく上記マップの数が多いほど、二次電池の残存容
量に関わらず、メモリ効果の程度を判定する精度を向上
させることができる。With this configuration, the degree of the memory effect can be more accurately determined even if the remaining capacity of the secondary battery for which the degree of the memory effect is to be determined is various values. Here, as the number of the maps stored according to the remaining capacity of the secondary battery increases, the accuracy of determining the degree of the memory effect can be improved regardless of the remaining capacity of the secondary battery.

【００１４】本発明のメモリ効果判定装置において、前
記マップは、前記情報と、前記メモリ効果の程度との間
の関係を、実験的に調べることによって作成されたこと
としてもよい。In the memory effect determining apparatus according to the present invention, the map may be created by experimentally examining a relationship between the information and a degree of the memory effect.

【００１５】また、本発明のメモリ効果判定装置におい
て、前記マップは、前記二次電池からの出力電流値が一
定であるとき、前記二次電池からの出力電圧値は、前記
二次電池で生じているメモリ効果の程度に応じて変化す
るという性質に基づいて、前記二次電池からの出力電圧
値を前記メモリ効果の程度に対応させて、作成されたこ
ととしても良い。Further, in the memory effect judging device of the present invention, the map is such that when the output current value from the secondary battery is constant, the output voltage value from the secondary battery is generated in the secondary battery. The output voltage value from the secondary battery may be made to correspond to the degree of the memory effect, based on the property of changing according to the degree of the memory effect.

【００１６】本発明の残存容量検出装置は、充放電可能
な二次電池における残存容量を検出する残存容量検出装
置であって、請求項１ないし６いずれか記載のメモリ効
果判定装置と、前記電圧検出手段が検出した前記出力電
圧値と、前記電流検出手段が検出した前記出力電流値と
を利用して、前記二次電池からの出力電流値が一定であ
るとき、前記二次電池からの出力電圧値は、前記二次電
池の残存容量が低下するのに応じて低下するという性質
に基づいて、前記二次電池の残存容量を検出する残存容
量検出手段と、前記メモリ効果判定装置が判定した前記
メモリ効果の程度に基づいて、前記電圧検出手段が検出
した前記出力電圧値を補正する電圧値補正手段とを備
え、前記残存容量検出手段は、前記電圧値補正手段が補
正した電圧値に基づいて前記残存容量を検出することを
要旨とする。A remaining capacity detecting device according to the present invention is a remaining capacity detecting device for detecting a remaining capacity of a chargeable / dischargeable secondary battery, wherein the memory effect judging device according to any one of claims 1 to 6, Utilizing the output voltage value detected by the detection means and the output current value detected by the current detection means, when the output current value from the secondary battery is constant, the output from the secondary battery The voltage value is determined by the remaining capacity detection unit that detects the remaining capacity of the secondary battery and the memory effect determination device based on the property that the voltage value decreases as the remaining capacity of the secondary battery decreases. Voltage value correction means for correcting the output voltage value detected by the voltage detection means on the basis of the degree of the memory effect, wherein the remaining capacity detection means is based on the voltage value corrected by the voltage value correction means. Zu And summarized in that detecting the residual capacity Te.

【００１７】以上のように構成された本発明の残存容量
検出装置は、本発明のメモリ効果判定装置を備えてお
り、充放電可能な前記二次電池からの出力電流値が一定
であるとき、前記二次電池からの出力電圧値は、前記二
次電池の残存容量が低下するのに応じて低下するという
性質に基づいて、検出した前記出力電圧値と出力電流値
とを利用して、前記二次電池の残存容量を検出する。そ
の際、上記メモリ効果判定装置が判定したメモリ効果の
程度に基づいて、検出した上記出力電圧値を補正し、こ
の補正した電圧値に基づいて、上記残存容量の検出を行
なう。The remaining capacity detecting device of the present invention configured as described above includes the memory effect determining device of the present invention. When the output current value from the chargeable / dischargeable secondary battery is constant, The output voltage value from the secondary battery, based on the property of decreasing as the remaining capacity of the secondary battery decreases, utilizing the detected output voltage value and output current value, The remaining capacity of the secondary battery is detected. At this time, the detected output voltage value is corrected based on the degree of the memory effect determined by the memory effect determination device, and the remaining capacity is detected based on the corrected voltage value.

【００１８】このような残存容量検出装置によれば、残
存容量を検出する際に利用する二次電池の出力電圧値
を、二次電池で生じているメモリ効果の程度に基づいて
補正するため、残存容量を検出する精度を向上させるこ
とができる。前記二次電池からの出力電流値が一定であ
るとき、前記二次電池からの出力電圧値は、前記二次電
池の残存容量が低下するのに応じて低下するという性質
に基づいて、検出した二次電池の出力電圧値と出力電流
値とを利用して残存容量を検出する方法は、二次電池か
らの出力電力量を積算するといった従来知られる他の方
法に比べて精度の高い方法であるが、判定したメモリ効
果の程度を利用して出力電圧値を補正することにより、
残存容量検出の精度をさらに向上させることができる。
二次電池の残存容量を検出する精度が向上することによ
って、検出した残存容量に基づいて二次電池の出力状態
を制御する際に、非所望の制御を行なうのを防ぐことが
できる。According to such a remaining capacity detecting device, the output voltage value of the secondary battery used for detecting the remaining capacity is corrected based on the degree of the memory effect generated in the secondary battery. The accuracy of detecting the remaining capacity can be improved. When the output current value from the secondary battery is constant, the output voltage value from the secondary battery is detected based on the property of decreasing as the remaining capacity of the secondary battery decreases. The method of detecting the remaining capacity using the output voltage value and the output current value of the secondary battery is a method with higher accuracy than other conventionally known methods such as integrating the output power amount from the secondary battery. However, by correcting the output voltage value using the determined degree of the memory effect,
The accuracy of the remaining capacity detection can be further improved.
By improving the accuracy of detecting the remaining capacity of the secondary battery, it is possible to prevent undesired control when controlling the output state of the secondary battery based on the detected remaining capacity.

【００１９】なお、本発明のメモリ効果判定装置が備え
る本発明のメモリ効果判定装置を、請求項６記載のメモ
リ効果判定装置とすれば、検出した出力電圧値と出力電
流値とに基づいて二次電池の残存容量を検出する動作
を、特に精度良く行なうことができる。If the memory effect judging device of the present invention provided in the memory effect judging device of the present invention is the memory effect judging device according to the sixth aspect, the memory effect judging device according to the present invention is based on the detected output voltage and output current values. The operation of detecting the remaining capacity of the secondary battery can be performed particularly accurately.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】以上説明した本発明の構成・作用
を一層明らかにするために、以下本発明の実施の形態を
実施例に基づき説明する。 （１）装置の全体構成：図１は、本発明の好適な一実施
例である電気回路１０の構成を表わす説明図である。本
実施例の電気回路１０は、二次電池２０と、この二次電
池２０から電力の供給を受ける負荷３０と、二次電池２
０の内部温度を検出する温度センサ２５と、二次電池２
０の出力電圧値を検出する電圧センサ４０と、二次電池
２０の出力電流値を検出する電流センサ４５と、制御部
５０とを主な構成要素とする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to further clarify the structure and operation of the present invention described above, embodiments of the present invention will be described below based on examples. (1) Overall Configuration of Apparatus FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of an electric circuit 10 which is a preferred embodiment of the present invention. The electric circuit 10 of the present embodiment includes a rechargeable battery 20, a load 30 that is supplied with power from the rechargeable battery 20, a rechargeable battery 2
Temperature sensor 25 that detects the internal temperature of the secondary battery 2 and the secondary battery 2
A voltage sensor 40 that detects an output voltage value of 0, a current sensor 45 that detects an output current value of the secondary battery 20, and a control unit 50 are main components.

【００２１】二次電池２０は、ニッケル・水素二次電池
である。負荷３０は、値が変動する負荷とし、負荷の要
求に応じた電力が二次電池２０から供給される。この負
荷３０の大きさは、制御部５０によって制御されると共
に、負荷３０の動作に関する情報は、制御部５０に入力
される。電圧センサ４０，電流センサ４５，温度センサ
２５の出力信号も、制御部５０に入力される。The secondary battery 20 is a nickel-metal hydride secondary battery. The load 30 is a load whose value fluctuates, and electric power corresponding to a load request is supplied from the secondary battery 20. The size of the load 30 is controlled by the control unit 50, and information on the operation of the load 30 is input to the control unit 50. Output signals of the voltage sensor 40, the current sensor 45, and the temperature sensor 25 are also input to the control unit 50.

【００２２】制御部５０は、マイクロコンピュータを中
心とした論理回路として構成され、詳しくは、予め設定
された制御プログラムに従って所定の演算などを実行す
るＣＰＵ５４と、ＣＰＵ５４で各種演算処理を実行する
のに必要な制御プログラムや制御データ等が予め格納さ
れたＲＯＭ５６と、同じくＣＰＵ５４で各種演算処理を
するのに必要な各種データが一時的に読み書きされるＲ
ＡＭ５８と、既述した各種センサからの検出信号を入力
すると共にＣＰＵ５４での演算結果に応じて信号を出力
する入出力ポート５２等を備える。The control unit 50 is configured as a logic circuit centered on a microcomputer. More specifically, the control unit 50 executes a predetermined operation or the like in accordance with a preset control program. A ROM 56 in which necessary control programs, control data, and the like are stored in advance, and an R for temporarily reading and writing various data necessary for performing various arithmetic processing by the CPU 54.
An AM 58, an input / output port 52 for inputting detection signals from the various sensors described above, and outputting a signal in accordance with the result of calculation by the CPU 54 are provided.

【００２３】また、電気回路１０は、リレー６０とアク
チュエータ６５とを備えている。アクチュエータ６５
は、上記制御部５０からの駆動信号を受けてリレー６０
を入り切りし、リレー６０によって電気回路１０が接続
されると、二次電池２０から負荷３０への電力供給が行
なわれるようになる。The electric circuit 10 includes a relay 60 and an actuator 65. Actuator 65
Receives the drive signal from the control unit 50 and
Is turned on and off, and the electric circuit 10 is connected by the relay 60, power is supplied from the secondary battery 20 to the load 30.

【００２４】（２）メモリ効果定量の原理：本実施例の
電気回路１０は、二次電池２０における正極側の抵抗で
あって、メモリ効果の発生と共に増大する移動抵抗Ｒに
基づいて、二次電池２０で生じるメモリ効果の程度を検
出することを特徴とする。以下に、メモリ効果の程度の
検出方法について説明する。図２は、二次電池２０の正
極の様子を表わす等価回路である。二次電池２０で生じ
るメモリ効果は、電気化学反応の進行に伴って、正極側
の電極表面上にこの電極表面を覆う被膜が生じ、電極の
実質的な表面積が減少することによって引き起こされる
と言われている。このようにメモリ効果は、二次電池の
正極側における反応に起因するものであり、メモリ効果
に伴って二次電池に生じる現象は、二次電池の正極側に
おける現象を対象とすることで解析することができるた
め、以下の説明は、図２に示した二次電池２０の正極の
等価回路に基づいて行なう。上記したように、メモリ効
果が生じるときには、二次電池２０の正極の実質的な表
面積が減少することで二次電池２０の内部抵抗が変化す
るため、このようなメモリ効果に伴って変化する抵抗
を、正極側の移動抵抗として、図２では移動抵抗Ｒと表
わした。また、二次電池２０から取り出される（あるい
は二次電池２０に与えられる）電気量、すなわち、二次
電池２０における電子の移動量（単位はＦ）を、図２で
は電荷移動Ｃと表わした。(2) Principle of Quantification of Memory Effect: The electric circuit 10 according to the present embodiment is based on the resistance on the positive electrode side of the secondary battery 20 and the secondary resistance based on the moving resistance R that increases as the memory effect occurs. It is characterized in that the degree of the memory effect generated in the battery 20 is detected. Hereinafter, a method of detecting the degree of the memory effect will be described. FIG. 2 is an equivalent circuit showing a state of the positive electrode of the secondary battery 20. It can be said that the memory effect generated in the secondary battery 20 is caused by the fact that a coating covering the electrode surface is formed on the electrode surface on the positive electrode side with the progress of the electrochemical reaction, and the substantial surface area of the electrode is reduced. Have been done. As described above, the memory effect is caused by the reaction on the positive electrode side of the secondary battery, and the phenomenon occurring in the secondary battery due to the memory effect is analyzed by targeting the phenomenon on the positive electrode side of the secondary battery. Therefore, the following description will be made based on the equivalent circuit of the positive electrode of the secondary battery 20 shown in FIG. As described above, when the memory effect occurs, the internal surface resistance of the secondary battery 20 changes due to the decrease in the substantial surface area of the positive electrode of the secondary battery 20. Is represented as the moving resistance R in FIG. 2 as the moving resistance on the positive electrode side. In addition, the amount of electricity extracted from (or given to) the secondary battery 20, that is, the amount of electron movement (unit: F) in the secondary battery 20 is represented as charge transfer C in FIG.

【００２５】図２に示した構成の回路は、定電流ＩM を
ｔM 時間流した（二次電池２０を定電流で放電した）後
に電流を停止すると、所定の関係式に従って電圧が経時
的に低下するという性質を有している。図３（Ａ）は、
図２に示した等価回路に上記定電流を流した（二次電池
２０の放電を行なった）様子を表わし、図３（Ｂ）は、
このような定電流ＩM で放電した際の電圧（二次電池２
０の起電力）および電流停止後の電圧の変化の様子を表
わす。In the circuit having the structure shown in FIG. 2, when the current is stopped after the constant current I M has flowed for the time t M (the secondary battery 20 has been discharged at a constant current), the voltage changes with time according to a predetermined relational expression. It has the property of decreasing to FIG. 3 (A)
FIG. 3B shows a state in which the above constant current is applied to the equivalent circuit shown in FIG. 2 (discharge of the secondary battery 20 is performed).
The voltage at the time of discharging with such a constant current I M (the secondary battery 2
(Electromotive force of 0) and changes in voltage after the current is stopped.

【００２６】電流の停止時には、電圧は、所定の値だけ
急激に低下する。このときの電圧降下量は、それまでに
流していた電流値ＩM と、二次電池固有の内部抵抗Ｒ’
との積として求められ、図３（Ｂ）では、ＩＲ’ドロッ
プと表わした。すなわち、このＩＲ’ドロップの大きさ
は、二次電池２０においてメモリ効果が発生した場合に
もその影響を受けない値である。出力電圧値がＶM であ
る状態から、上記ＩＲ’ドロップと表わした電圧降下を
起こすことによって、電流停止時における出力電圧は、
出力電圧値ＶM とＩＲ’ドロップとの差分であるΔＥと
なる（図３（Ｂ）参照）。電流停止時に、図３（Ｂ）で
ＩＲ’ドロップと表わした急激な電圧降下を起こすと、
その後の電圧値は、ΔＥから所定の値Ｖｎに向かって緩
やかに低下する。上記Ｖｎとは、二次電池２０における
開放電圧に相当する値である。この、電流停止後に次第
に低下する電圧値Ｅ（以後、減衰時電圧値Ｅと呼ぶ）
は、上記電流停止時からの経過時間ｔ（すなわち、電流
停止時の時間を値０としたときのその後の経過時間ｔ）
の関数として、以下の式で表わされる。When the current stops, the voltage drops sharply by a predetermined value. The amount of voltage drop at this time is determined by the current value I M flowing up to that point and the internal resistance R ′ unique to the secondary battery.
This is expressed as IR ′ drop in FIG. 3 (B). That is, the magnitude of the IR ′ drop is a value that is not affected even when a memory effect occurs in the secondary battery 20. From the state where the output voltage value is V M , by causing a voltage drop represented by the above IR ′ drop, the output voltage at the time of stopping the current becomes
The ΔE is a difference between the output voltage value V M and IR 'dropped (see FIG. 3 (B)). When the current stops, a sharp voltage drop represented by IR ′ drop in FIG.
Thereafter, the voltage value gradually decreases from ΔE toward a predetermined value Vn. Vn is a value corresponding to the open circuit voltage of the secondary battery 20. The voltage value E that gradually decreases after the current stops (hereinafter, referred to as a voltage value E at the time of decay).
Is the elapsed time t from the current stop (that is, the elapsed time t when the time at the time of the current stop is set to 0).
Is expressed by the following equation.

【００２７】 Ｅ＝ΔＥ・ｅ-t/CR …（１）E = ΔE · e −t / CR (1)

【００２８】ここで、上記した減衰時電圧値Ｅの挙動、
すなわち減衰時電圧値Ｅの値は、二次電池２０に発生す
るメモリ効果の程度に応じて定まることが知られている
が、経過時間ｔやΔＥの値はメモリ効果に応じて変動す
る値ではない。したがって、上記（１）式においては、
メモリ効果の程度によって定まる減衰時電圧値Ｅの値
は、ＣＲの値によって一義的に定まるということができ
る。ここで、電荷移動Ｃの値と、二次電池２０の正極側
において正極と電解液とが接している面積Ｓとの間の関
係を、実験的に調べると、以下の（２）式で表わす関係
が成立することが判った。Here, the behavior of the above-described voltage value E at the time of decay,
That is, it is known that the value of the voltage value E at the time of decay is determined according to the degree of the memory effect generated in the secondary battery 20, but the values of the elapsed time t and ΔE are values that vary according to the memory effect. Absent. Therefore, in the above equation (1),
It can be said that the value of the voltage value E during decay determined by the degree of the memory effect is uniquely determined by the value of CR. Here, when the relationship between the value of the charge transfer C and the area S where the cathode and the electrolyte are in contact with each other on the cathode side of the secondary battery 20 is experimentally examined, it is expressed by the following equation (2). It turned out that the relationship was established.

【００２９】 Ｃ＝Ｓ×Ｋ1 * …（２） Ｓ：正極が電解液と接触する面積 Ｋ1 *：補正定数C = S × K 1 * ... (2) S: area where positive electrode contacts electrolyte solution K 1 * : correction constant

【００３０】ここで、上記（２）式における電荷移動Ｃ
は、二次電池２０から取り出される電気量として電気回
路１０において実測し、このＣの値とＳの値との関係を
実験的に求めると、（２）式の補正定数Ｋ1 *の値は、バ
ッテリインピーダンスＲB と二次電池２０の使用時間ｔ
B によって定まる値であることが判った。ここで、二次
電池２０の使用時間ｔB とは、二次電池２０を充電して
満充電とした後に放電を開始してからの経過時間を表わ
す。また、バッテリインピーダンスＲB とは、既述した
二次電池２０の固有の内部抵抗値Ｒ’および移動抵抗Ｒ
を含む二次電池２０全体の抵抗値を表わす。Here, the charge transfer C in the above equation (2)
Is measured in the electric circuit 10 as the amount of electricity extracted from the secondary battery 20, and the relationship between the value of C and the value of S is experimentally obtained . The value of the correction constant K 1 * in the equation (2) is the usage time of the battery impedance R B and the secondary battery 20 t
It was found that the value was determined by B. Here, the usage time t B of the secondary battery 20 indicates the elapsed time from the start of discharging after the secondary battery 20 has been charged and fully charged. The battery impedance is R B, unique internal resistance R 'and transfer resistance R of the already described secondary battery 20
Represents the resistance value of the entire secondary battery 20 including.

【００３１】（２）式の補正定数Ｋ1 *の値と、バッテリ
インピーダンスＲB および二次電池２０の使用時間ｔB
と関係を、図４に示す。図４に示すマップは、二次電池
２０が初期状態（バッテリ使用時間ｔB が値０であっ
て、二次電池２０が満充電となっている状態）のときの
Ｋ1 *の値を１、二次電池２０の状態として許容できる範
囲内の最大劣化状態として予め設定される状態における
Ｋ1 *の値を０．０１と規定して、補正定数Ｋ1 *と、バッ
テリインピーダンスＲB およびバッテリ使用時間ｔB と
の関係を実験的に調べた結果を表わす。なお、図４のマ
ップを上記（２）式に適用すると、二次電池２０が初期
状態のときの移動電荷ＣはＣ＝Ｓとなり、二次電池２０
が最大劣化状態として設定される状態になったときの移
動電荷ＣはＣ＝０．０１Ｓとなるが、これらの値は、移
動電荷Ｃの値そのものを表わすのではなく、単に、電荷
移動Ｃの値を相対値として表わすものである。あるい
は、（２）式においてＳは、正極と電解液とが接触して
いる面積そのものではなく、面積に比例する定数であっ
て、この（２）式を成立させる特定の定数と考えること
もできる。[0031] (2) of the correction and the constant K 1 * value, the battery impedance R B and the secondary battery 20 using the time t B of
FIG. 4 shows the relationship. The map shown in FIG. 4 indicates that the value of K 1 * is 1 when the secondary battery 20 is in the initial state (the battery use time t B is 0 and the secondary battery 20 is fully charged). , defines the value of K 1 * in a state in which pre-set as the maximum degradation state within an acceptable range of state of the secondary battery 20 and 0.01, and the correction constant K 1 *, battery impedance R B and the battery The result of experimentally examining the relationship with the use time t B is shown. When the map of FIG. 4 is applied to the above equation (2), the moving charge C when the secondary battery 20 is in the initial state becomes C = S, and the secondary battery 20
Is in the state set as the maximum deterioration state, the transfer charge C is C = 0.01 S. However, these values do not represent the value of the transfer charge C itself, but simply represent the charge transfer C. The values are expressed as relative values. Alternatively, in the equation (2), S is not the area where the positive electrode and the electrolytic solution are in contact, but a constant proportional to the area, and can be considered as a specific constant that satisfies the equation (2). .

【００３２】なお、二次電池２０の出力電圧値は、既述
したように、二次電池２０のＳＯＣと二次電池２０に生
じるメモリ効果との影響を受ける。すなわち、二次電池
２０の出力電流値が一定のとき、二次電池２０のＳＯＣ
が低下するほど、また、二次電池で生じるメモリ効果が
大きくなるほど、二次電池２０の出力電圧値は低下す
る。したがって、バッテリインピーダンスＲB もまた、
二次電池２０のＳＯＣと二次電池２０に生じるメモリ効
果との影響を受ける。しかしながら、二次電池２０にお
いてメモリ効果に起因した電圧低下が発生する速度は、
ＳＯＣの低下に起因した電圧降下が発生する速度に比べ
て非常に遅い。すなわち、ＳＯＣの低下に起因する電圧
低下とメモリ効果に起因する電圧低下との時間当たりの
発生量を比較すると、ＳＯＣに起因する電圧低下量に比
べて、メモリ効果に起因した電圧低下量は無視できる程
度に充分に小さい。したがって、上記補正定数Ｋ1 *の値
を定めるバッテリインピーダンスＲB は、二次電池２０
のＳＯＣによって定まる値として取り扱うことができ
る。The output voltage value of the secondary battery 20 is affected by the SOC of the secondary battery 20 and the memory effect generated in the secondary battery 20, as described above. That is, when the output current value of the secondary battery 20 is constant, the SOC of the secondary battery 20
The output voltage value of the secondary battery 20 decreases as the value decreases and the memory effect generated in the secondary battery increases. Therefore, the battery impedance R B also
It is affected by the SOC of the secondary battery 20 and the memory effect generated in the secondary battery 20. However, the speed at which the voltage drop due to the memory effect occurs in the secondary battery 20 is:
It is much slower than the speed at which the voltage drop due to the decrease in SOC occurs. That is, when comparing the amount of voltage drop due to the SOC decrease and the voltage drop due to the memory effect per time, the voltage drop due to the memory effect is ignored compared to the voltage drop due to the SOC. Small enough to be possible. Thus, the correction constant K 1 * battery impedance R B defining the value of the secondary battery 20
Can be handled as a value determined by the SOC.

【００３３】以上説明したように、電荷移動Ｃは、バッ
テリインピーダンスＲB およびバッテリ使用時間ｔB と
によって定まる値であって、メモリ効果の影響を受けな
い値と見なすことができるため、（１）式においては、
メモリ効果の影響は移動抵抗Ｒによってのみ現われると
考えることができる。すなわち、メモリ効果の程度は、
移動抵抗Ｒによって一義的に定めることができると言え
る。As described above, the charge transfer C is a value determined by the battery impedance R B and the battery usage time t B and can be regarded as a value which is not affected by the memory effect. In the formula:
It can be considered that the effect of the memory effect appears only by the movement resistance R. That is, the degree of the memory effect is
It can be said that it can be uniquely determined by the movement resistance R.

【００３４】このように、メモリ効果の程度は移動抵抗
Ｒによって一義的に定めることができると考えられるこ
とから、本実施例では、移動抵抗Ｒに基づいて、二次電
池２０で生じたメモリ効果の程度を、値０〜値１００の
間の数値をとり得るメモリ効果値Ｍで表わすこととし
た。メモリ効果値Ｍが値０とは、二次電池２０において
メモリ効果が生じていない状態、すなわち二次電池２０
が初期状態である様子を表わし、メモリ効果値Ｍが値１
００とは、二次電池２０の状態が、メモリ効果が最大限
に生じている状態として予め設定された状態となってい
ることを表わす。例えば、メモリ効果によって、二次電
池２０からその規格容量の半分の電力しか取り出せなく
なったときの状態を、メモリ効果値Ｍが値１００の状態
とする、といったように規定することができる。As described above, it is considered that the degree of the memory effect can be uniquely determined by the moving resistance R. Therefore, in this embodiment, the memory effect generated in the secondary battery 20 is determined based on the moving resistance R. Is expressed by a memory effect value M which can take a numerical value between the value 0 and the value 100. The memory effect value M is a value of 0 when the memory effect is not generated in the secondary battery 20, that is, when the secondary battery 20
Represents the initial state, and the memory effect value M is the value 1
00 indicates that the state of the secondary battery 20 is set in advance as a state where the memory effect is maximized. For example, the state when only half of the standard capacity of the secondary battery 20 can be extracted from the secondary battery 20 due to the memory effect can be defined as a state where the memory effect value M is a value of 100.

【００３５】なお、本実施例においてメモリ効果値Ｍを
求める際には、実際には、上記した移動抵抗Ｒそのもの
に基づくのではなく、二次電池２０の抵抗値に基づくこ
ととした。すなわち、二次電池２０の抵抗値は、二次電
池２０の固有の内部抵抗値Ｒ’および移動抵抗Ｒを含む
二次電池２０全体の抵抗値であるが、上記内部抵抗値
Ｒ’はメモリ効果の影響を受けない値であるため、ＳＯ
Ｃが一定であるという条件のときには、メモリ効果を反
映する値として、移動抵抗Ｒに代えて、二次電池２０全
体の抵抗値を用いることとした。実際の動作としては、
二次電池２０の出力電流値が一定のときに、その出力電
圧値をさらに測定してオームの法則「Ｒ＝Ｖ／Ｉ」に基
づいて二次電池２０の抵抗値を算出し、上記移動抵抗Ｒ
に代えてこのようにして算出した抵抗値に基づいて、メ
モリ効果値Ｍを求めた。When the memory effect value M is obtained in this embodiment, the memory effect value M is not actually based on the above-described moving resistance R itself, but based on the resistance value of the secondary battery 20. That is, the resistance value of the secondary battery 20 is the resistance value of the entire secondary battery 20 including the internal resistance value R ′ unique to the secondary battery 20 and the moving resistance R, and the internal resistance value R ′ is a memory effect. Since the value is not affected by
Under the condition that C is constant, the resistance value of the entire secondary battery 20 is used instead of the moving resistance R as the value reflecting the memory effect. As an actual operation,
When the output current value of the secondary battery 20 is constant, the output voltage value is further measured, and the resistance value of the secondary battery 20 is calculated based on Ohm's law “R = V / I”. R
Instead, the memory effect value M was obtained based on the resistance value calculated in this manner.

【００３６】既述したように、出力電圧値がＳＯＣとメ
モリ効果との両方の影響を受けるときには、メモリ効果
に起因する電圧低下とＳＯＣの低下に起因する電圧低下
との時間当たりの発生量を比較すると、メモリ効果に起
因する電圧低下量は非常に小さいが、ＳＯＣが所定の値
であるという条件下では、二次電池２０の抵抗値（バッ
テリインピーダンスＲB ）は、主として生じているメモ
リ効果の影響を受けると考えることができる。また、二
次電池２０の出力電流が一定とは、図２に示した等価回
路で電荷移動Ｃが一定であるということである。したが
って、本実施例では、二次電池２０のＳＯＣが所定の値
であるという条件下で、二次電池２０が所定値の電流を
出力するときの二次電池２０の抵抗値ＲB と、メモリ効
果値Ｍとの関係を実験的に調べ、二次電池２０の抵抗値
ＲB に基づいてメモリ効果値Ｍを求めるためのマップを
作成した。As described above, when the output voltage value is affected by both the SOC and the memory effect, the amount of the voltage drop caused by the memory effect and the voltage drop caused by the decrease of the SOC per hour is calculated. By comparison, the amount of voltage drop due to the memory effect is very small, but under the condition that the SOC is a predetermined value, the resistance value (battery impedance R B ) of the secondary battery 20 mainly depends on the memory effect that occurs. Can be considered to be affected. The constant output current of the secondary battery 20 means that the charge transfer C is constant in the equivalent circuit shown in FIG. Thus, in this embodiment, under the condition that the SOC of the secondary battery 20 is a predetermined value, the resistance value of the secondary battery 20 R B when the secondary battery 20 outputs a current of a predetermined value, the memory relationship between the effective value M experimentally investigated to prepare a map for obtaining the memory effect value M based on the resistance value R B of the secondary battery 20.

【００３７】なお、メモリ効果値Ｍを求めるためのこの
ようなマップは、二次電池２０の出力電流値および二次
電池２０のＳＯＣが所定の一定値のときに、二次電池２
０の出力電圧値が、メモリ効果の程度に応じて低下する
ことに基づいて作成した。すなわち、二次電池２０の出
力電流値および二次電池２０のＳＯＣが所定の一定値の
ときに、メモリ効果値Ｍが値０と設定された状態におけ
る二次電池２０の出力電圧値と、メモリ効果値Ｍが値１
００と設定された状態における二次電池２０の出力電圧
値との間を１００等分し、メモリ効果の程度に応じて二
次電池２０の抵抗値が種々の値をとるときに、その出力
電圧値が上記１００等分した値のどの位置に対応するか
によって、二次電池２０の抵抗値に対応するメモリ効果
値Ｍを設定した。It should be noted that such a map for obtaining the memory effect value M is such that when the output current value of the secondary battery 20 and the SOC of the secondary battery 20 are a predetermined constant value, the secondary battery 2
It was created based on the fact that the output voltage value of 0 decreased according to the degree of the memory effect. That is, when the output current value of the secondary battery 20 and the SOC of the secondary battery 20 are a predetermined constant value, the output voltage value of the secondary battery 20 in a state where the memory effect value M is set to the value 0, Effect value M is value 1
00 and the output voltage value of the secondary battery 20 in the set state, when the resistance value of the secondary battery 20 takes various values in accordance with the degree of the memory effect, The memory effect value M corresponding to the resistance value of the secondary battery 20 was set according to the position of the value obtained by equally dividing the value by 100.

【００３８】なお、二次電池２０の出力電流値と出力電
圧値とから算出される抵抗値は、既述したようにバッテ
リインピーダンスＲB に相当するが、メモリ効果値Ｍを
求める動作では、上記したようにメモリ効果に一義的に
対応する移動抵抗を反映する値として取り扱うため、以
下の説明では、この二次電池２０の抵抗値は、抵抗値Ｒ
と表わす。また、上記したように二次電池２０の出力電
流値および二次電池２０のＳＯＣが所定の値（一定の
値）であるという条件下では、メモリ効果値Ｍは抵抗値
Ｒによって定まる値であるが、実験的に上記マップを作
成する工程で、メモリ効果値Ｍは二次電池２０の温度Ｔ
の影響をも受けることが判明した。また、後述するよう
に、メモリ効果値Ｍを判定する動作は、電気回路１０の
運転モードが、二次電池２０の出力状態が一定となるよ
うな運転モードとして予め定められた運転モードにある
と判断されたときに実行されるが、このような運転モー
ドにある時にも出力電流値の若干の変動はあるため、メ
モリ効果値Ｍを検出するためのマップとしては、抵抗値
Ｒと二次電池温度Ｔと二次電池の出力電流値Ｉとを変数
とする三次元マップを作成した。このようなマップを表
わす説明図を図５に示す。図５に示すマップは、メモリ
効果値Ｍの判定をすべき運転モードにおいて、二次電池
２０が取りうる運転状態として予め予想される範囲全体
について設けられている。このような範囲内で、抵抗値
Ｒ（移動抵抗Ｒ）が最も大きく、二次電池の運転温度Ｔ
が最も高く、最も高い電流値で放電した状態が、既述し
たメモリ効果値Ｍが値１００になる場合として設定され
た条件に対応する二次電池２０の状態である。[0038] The resistance value calculated from the output current value and the output voltage value of the secondary battery 20 is equivalent to the battery impedance R B as previously described, in the operation to obtain the memory effect value M, the As described above, the resistance value of the secondary battery 20 is treated as a value reflecting the moving resistance that uniquely corresponds to the memory effect.
It is expressed as Further, under the condition that the output current value of the secondary battery 20 and the SOC of the secondary battery 20 are predetermined values (constant values) as described above, the memory effect value M is a value determined by the resistance value R. However, in the process of creating the map experimentally, the memory effect value M is the temperature T of the secondary battery 20.
Has also been found to be affected. Further, as described later, the operation of determining the memory effect value M is based on the assumption that the operation mode of the electric circuit 10 is an operation mode predetermined as an operation mode in which the output state of the secondary battery 20 is constant. This is executed when it is determined. Since the output current value slightly fluctuates even in such an operation mode, the map for detecting the memory effect value M includes the resistance value R and the secondary battery. A three-dimensional map was created using the temperature T and the output current value I of the secondary battery as variables. FIG. 5 is an explanatory diagram showing such a map. The map shown in FIG. 5 is provided for the entire range that is predicted in advance as the possible operating state of the secondary battery 20 in the operating mode in which the memory effect value M should be determined. Within such a range, the resistance value R (moving resistance R) is the largest, and the operating temperature T of the secondary battery is
Is the state of the secondary battery 20 corresponding to the condition set as the case where the memory effect value M has a value of 100 as described above.

【００３９】（３）メモリ効果定量の動作：以下に、図
５に示したような抵抗値Ｒに基づくマップを用いて、メ
モリ効果値Ｍを求める動作を、第１実施例として説明す
る。既述したように、メモリ効果値Ｍを求めるためのマ
ップは、二次電池２０のＳＯＣの値が、このマップに対
応する所定の値であるときに用いることができる。した
がって、本実施例では、図５に示したメモリ効果値Ｍを
求めるためのマップは、二次電池２０が取り得るＳＯＣ
の値に対応して複数用意した。メモリ効果値Ｍを求める
際には、まず二次電池２０のＳＯＣを検出し、そのとき
の二次電池２０のＳＯＣの値に応じたマップを選択して
利用すれば良く、ＳＯＣに対応して用意するマップの数
が多いほど、メモリ効果値Ｍを検出する精度を向上させ
ることができる。また、二次電池２０の出力電流値が所
定の一定値となる条件としては、電気回路１０が備える
負荷の大きさが略一定となるような電気回路１０の動作
条件を予め選択しておき、この動作条件下での二次電池
２０の出力電流値に応じたマップを予め作成し、電気回
路１０の動作条件がこの条件に一致したときに、メモリ
効果値Ｍを求めることとした。(3) Operation for Quantifying Memory Effect: The operation for obtaining the memory effect value M using a map based on the resistance value R as shown in FIG. 5 will be described below as a first embodiment. As described above, the map for obtaining the memory effect value M can be used when the SOC value of the secondary battery 20 is a predetermined value corresponding to this map. Therefore, in this embodiment, the map for obtaining the memory effect value M shown in FIG.
Were prepared corresponding to the value of. When obtaining the memory effect value M, first, the SOC of the secondary battery 20 is detected, and a map corresponding to the SOC value of the secondary battery 20 at that time may be selected and used. As the number of prepared maps increases, the accuracy of detecting the memory effect value M can be improved. In addition, as a condition under which the output current value of the secondary battery 20 becomes a predetermined constant value, an operation condition of the electric circuit 10 is selected in advance such that the load of the electric circuit 10 becomes substantially constant, A map corresponding to the output current value of the secondary battery 20 under this operating condition is created in advance, and when the operating condition of the electric circuit 10 matches this condition, the memory effect value M is determined.

【００４０】また、電気回路１０において、二次電池２
０のＳＯＣの検出は、二次電池２０からの出力電力量を
積算するという周知の方法を利用した。すなわち、電気
回路１０において電圧センサ４０および電流センサ４５
が検出する電圧値および電流値に関わる信号を制御部５
０に入力し、制御部５０では、これら入力した電圧値と
電流値とに基づいて二次電池２０が出力した電力量を積
算することによって、二次電池２０の残存容量を算出し
ている。なお、以下の説明では、二次電池２０のＳＯＣ
は、二次電池２０が満充電時の容量に対するその時点で
の残存容量の割合として表わしており、例えば、ＳＯＣ
１００といえば満充電である状態を表わし、ＳＯＣ５０
といえば、残存容量が満充電時の５０％になった状態を
表わす。In the electric circuit 10, the secondary battery 2
The detection of the SOC of 0 utilizes a well-known method of integrating the output electric energy from the secondary battery 20. That is, in the electric circuit 10, the voltage sensor 40 and the current sensor 45
The control unit 5 sends a signal relating to the voltage value and the current value detected by the
0, and the control unit 50 calculates the remaining capacity of the secondary battery 20 by integrating the amount of power output by the secondary battery 20 based on the input voltage value and current value. In the following description, the SOC of the secondary battery 20 will be described.
Is expressed as a ratio of the remaining capacity at that time to the capacity when the secondary battery 20 is fully charged.
100 indicates a fully charged state, and the SOC 50
This means that the state of charge is 50% of the full charge.

【００４１】なお、上記したマップに基づいてメモリ効
果値Ｍを求める際に、二次電池２０の抵抗値Ｒとメモリ
効果値Ｍとの対応は、実際には使用する二次電池毎にば
らついてしまうため、実験的に抵抗値Ｒとメモリ効果の
程度との関係からマップを作成しても、用いる二次電池
が異なれば、このマップに基づいて求めたメモリ効果値
Ｍは必ずしも正確ではないおそれがある。そこで本実施
例では、実験結果に基づいて作成したマップが、異なる
二次電池を用いる場合にも適用可能となるように、抵抗
値Ｒそのものではなく、メモリ効果が生じていないとき
の二次電池の抵抗値と、メモリ効果の程度を検出したい
ときの二次電池の抵抗値との差に基づいて、メモリ効果
値Ｍを求めることとした。すなわち、メモリ効果が現わ
れていないとき（初期状態）の抵抗値Ｒ0 を予め求めて
おき、測定した抵抗値Ｒと初期状態の抵抗値Ｒ0 との差
（以下、抵抗差Ｒd と呼ぶ）に基づいて、メモリ効果値
Ｍを求めることとした。したがって、図５に示したマッ
プに代えて、抵抗値Ｒの代わりに上記抵抗差Ｒd に基づ
いたマップを作成し（図６参照）、このマップを参照す
ることによって、同一の規格の二次電池であれば異なる
二次電池を用いても同一のマップを使用可能とした。When the memory effect value M is obtained based on the above-described map, the correspondence between the resistance value R of the secondary battery 20 and the memory effect value M varies depending on the secondary battery actually used. Therefore, even if a map is created experimentally from the relationship between the resistance value R and the degree of the memory effect, if the secondary battery used is different, the memory effect value M obtained based on this map may not always be accurate. There is. Therefore, in this embodiment, the resistance value R itself is used instead of the resistance value R itself, so that the map created based on the experimental results can be applied even when a different secondary battery is used. Is determined based on a difference between the resistance value of the secondary battery and the resistance value of the secondary battery when the degree of the memory effect is to be detected. That is, the resistance value R 0 when the memory effect does not appear (initial state) is obtained in advance, and the difference between the measured resistance value R and the resistance value R 0 in the initial state (hereinafter referred to as resistance difference Rd) is obtained. Based on this, the memory effect value M was determined. Therefore, instead of the map shown in FIG. 5, a map based on the resistance difference Rd is created instead of the resistance value R (see FIG. 6), and by referring to this map, a secondary battery of the same standard is created. Then, the same map can be used even if different secondary batteries are used.

【００４２】図７は、電気回路１０において、二次電池
２０で生じたメモリ効果の程度を検出するために実行す
るメモリ効果程度検出処理ルーチンを表わすフローチャ
ートである。本ルーチンは、電気回路１０において負荷
３０への電力供給が行なわれ始めると（すなわち、リレ
ー６０によって回路が接続されると）、制御部５０によ
って所定の時間毎に実行される。FIG. 7 is a flowchart showing a memory effect degree detection processing routine executed in the electric circuit 10 to detect the degree of the memory effect generated in the secondary battery 20. This routine is executed by the control unit 50 at predetermined time intervals when power supply to the load 30 starts to be performed in the electric circuit 10 (that is, when the circuit is connected by the relay 60).

【００４３】本ルーチンが実行されると、ＣＰＵ５４
は、まず、二次電池２０の出力状態が、メモリ効果値Ｍ
を求めるための条件として予め設定した条件に当てはま
るかどうかを判断する（ステップＳ１００）。すなわ
ち、二次電池２０の出力電流値が、予め定めた所定の値
（の範囲内）で一定しているかどうかを判断する。ステ
ップＳ１００において、メモリ効果値Ｍを求めるために
予め設定した条件に当てはまらないと判断したときに
は、メモリ効果値Ｍを求める動作を行なうことなくその
まま本ルーチンを終了する。When this routine is executed, the CPU 54
First, the output state of the secondary battery 20 is changed to the memory effect value M
It is determined whether or not a condition set in advance is satisfied as a condition for obtaining (step S100). That is, it is determined whether or not the output current value of the secondary battery 20 is constant at (within) a predetermined value. If it is determined in step S100 that the condition set in advance for obtaining the memory effect value M is not satisfied, the routine ends without performing the operation for obtaining the memory effect value M.

【００４４】ステップＳ１００において、メモリ効果値
Ｍを求めるために予め設定した条件に当てはまると判断
したときには、次に、二次電池２０のＳＯＣの検出（ス
テップＳ１１０）、二次電池２０の温度Ｔの検出（ステ
ップＳ１２０）、二次電池２０の出力電流値Ｉおよび出
力電圧値Ｖの検出（ステップＳ１３０）を行なう。ＳＯ
Ｃの検出の動作は、既述したように、制御部５０におい
て二次電池２０からの出力電力量を積算することによっ
て求めた値を呼び出すことによって行なう。二次電池２
０の温度Ｔは、温度センサ２５からの信号を入力するこ
とで検出される。同様に、二次電池２０の出力電流値Ｉ
および出力電圧値Ｖは、電流センサ４５および電圧セン
サ４０からの信号をそれぞれ入力することによって検出
する。なお、二次電池２０の出力電流値は、ステップＳ
１００において二次電池２０の出力状態を判定するため
に検出しているため、ステップＳ１３０では改めて検出
しないこととしても良い。If it is determined in step S100 that the condition set in advance for obtaining the memory effect value M is satisfied, then the SOC of the secondary battery 20 is detected (step S110), and the temperature T of the secondary battery 20 is determined. Detection (step S120), detection of output current value I and output voltage value V of secondary battery 20 (step S130). SO
As described above, the operation of detecting C is performed by calling the value obtained by integrating the output power amount from the secondary battery 20 in the control unit 50. Secondary battery 2
The temperature T of 0 is detected by inputting a signal from the temperature sensor 25. Similarly, the output current value I of the secondary battery 20
The output voltage value V is detected by inputting signals from the current sensor 45 and the voltage sensor 40, respectively. Note that the output current value of the secondary battery 20 is determined in step S
Since the detection is performed to determine the output state of the secondary battery 20 in 100, the detection may not be performed again in step S130.

【００４５】次に、ステップＳ１３０で検出した出力電
流値Ｉおよび出力電圧値Ｖに基づいて、オームの法則か
ら抵抗値Ｒを算出する（ステップＳ１４０）。抵抗値Ｒ
を算出すると、この抵抗値Ｒが、二次電池２０について
前回リフレッシュ充電を行なった後、最初に求める抵抗
値であるかどうか、あるいは、新しい二次電池２０を用
いて最初に求める抵抗値であるかどうかを判断する（ス
テップＳ１５０）。リフレッシュ充電後、あるいは新し
い二次電池２０を用いて最初に求めた抵抗値であると判
断したときには、この抵抗値Ｒを、メモリ効果が全く生
じていない状態の初期抵抗値Ｒ0 として制御部５０内に
記憶し（ステップＳ１５５）、本ルーチンを終了する。Next, based on the output current value I and the output voltage value V detected in step S130, a resistance value R is calculated from Ohm's law (step S140). Resistance value R
Is calculated, the resistance value R is the resistance value that is determined first after the previous refresh charge of the secondary battery 20 or the resistance value that is initially determined using a new secondary battery 20. It is determined whether or not (step S150). After the refresh charge or when it is determined that the resistance value is the first resistance value obtained by using a new secondary battery 20, this resistance value R is set as an initial resistance value R0 in a state where no memory effect is generated in the control unit 50. (Step S155), and this routine ends.

【００４６】ステップＳ１５０において、ステップＳ１
４０で算出する抵抗値Ｒが、最初に求める抵抗値ではな
いと判断されたときには、ステップＳ１４０で算出した
抵抗値Ｒから、以前に本ルーチンを実行したときに制御
部５０内に記憶しておいた初期抵抗値Ｒ0 を減ずること
により、既述した抵抗差Ｒd を算出する（ステップＳ１
６０）。抵抗差Ｒd を算出すると、ステップＳ１１０で
検出したＳＯＣの値に基づいて、メモリ効果値Ｍを求め
るときに用いるべきマップを選択する（ステップＳ１７
０）。既述したように、制御部５０内には、二次電池２
０が取りうるＳＯＣの値に応じて、図６に示したマップ
と同様の複数のマップが記憶されているが、ステップＳ
１７０では、これら複数のマップの中から、検出したＳ
ＯＣの値に応じて最もふさわしいマップ（例えば、二次
電池２０のＳＯＣが、ステップＳ１１０で検出したＳＯ
Ｃに最も近いＳＯＣであるような条件下での実験結果に
基づいて作成したマップ）を選択する。次に、ステップ
Ｓ１７０で選択したマップを用いて、上記抵抗差Ｒd と
二次電池２０の温度Ｔと出力電流値Ｉとに基づいて、メ
モリ効果値Ｍを求め（ステップＳ１８０）、求めたメモ
リ効果値Ｍを制御部５０内に記憶して（ステップＳ１９
０）、本ルーチンを終了する。In step S150, step S1
When it is determined that the resistance value R calculated in step 40 is not the resistance value to be obtained first, the resistance value R calculated in step S140 is stored in the control unit 50 when this routine was previously executed. The aforementioned resistance difference Rd is calculated by subtracting the initial resistance value R0 (step S1).
60). After calculating the resistance difference Rd, a map to be used when obtaining the memory effect value M is selected based on the SOC value detected in step S110 (step S17).
0). As described above, the control unit 50 includes the secondary battery 2
A plurality of maps similar to the map shown in FIG. 6 are stored in accordance with the value of the SOC that can be taken by 0.
At 170, the detected S is detected from among the plurality of maps.
The most appropriate map according to the value of OC (for example, the SOC of the secondary battery 20
C) is selected based on the experimental result under the condition that the SOC is closest to C. Next, using the map selected in step S170, a memory effect value M is obtained based on the resistance difference Rd, the temperature T of the secondary battery 20, and the output current value I (step S180), and the obtained memory effect is obtained. The value M is stored in the control unit 50 (step S19)
0), end this routine.

【００４７】上記説明では、ステップＳ１１０におい
て、二次電池２０の出力状態が、メモリ効果値Ｍを求め
るための条件として予め設定した条件に当てはまるかど
うか、すなわち、二次電池２０の出力電流値が予め定め
た所定の値（の範囲内）で一定しているかどうか、を判
断している。ここで、このようなメモリ効果を求めるた
めの条件を複数設定しておき、それぞれの条件下での二
次電池２０の出力電流値毎に、マップを作成して記憶し
ておくこととしてもよい。このような構成とすれば、単
一の出力状態だけでなく、二次電池２０が他の出力状態
にあるときにもメモリ効果値Ｍを求めることができ、メ
モリ効果値Ｍが上記動作によって実際に検出される期間
を長くすることができる。In the above description, in step S110, it is determined whether or not the output state of the secondary battery 20 satisfies a condition set in advance as a condition for obtaining the memory effect value M, that is, the output current value of the secondary battery 20 It is determined whether it is constant at (within) a predetermined value. Here, a plurality of conditions for obtaining such a memory effect may be set, and a map may be created and stored for each output current value of the secondary battery 20 under each condition. . With such a configuration, the memory effect value M can be obtained not only in a single output state but also when the secondary battery 20 is in another output state. Can be extended.

【００４８】以上のように構成された第１実施例の電気
回路１０によれば、二次電池２０の抵抗値Ｒ（抵抗差Ｒ
d ）とメモリ効果の程度の関係を実験的に調べて作成し
たマップを用いるため、メモリ効果発生の有無だけでな
く、メモリ効果の程度を定量化して検出することができ
る。このようにメモリ効果値Ｍを求めたときには、例え
ば、このメモリ効果値Ｍが予め定めた所定の値を超えた
ときにはリフレッシュ充電を行なうこととすればよい。
リフレッシュ充電とは、既述したように、二次電池に負
荷を接続して強制的に一旦充分に放電させた後に改めて
充電を行なうことであり、これによって、ニッケル・水
素二次電池ではメモリ効果が解消される。図１には、二
次電池２０の充電手段は示していないが、二次電池２０
に対してさらに所定の充電手段（他の電池や内燃機関な
ど）を負荷３０と並列に接続し、負荷３０を用いて強制
的に充分に放電させると共に、その後、上記充電手段に
よって充分に二次電池２０の充電を行なえば、二次電池
２０におけるメモリ効果を解消することができる。この
ようにリフレッシュ充電を行なう構成とするとき、本実
施例の電気回路１０では、メモリ効果を定量化した上で
リフレッシュ充電の時期を判断できるため、所定量のメ
モリ効果が生じたときにリフレッシュ充電を行なうこと
ができ、メモリ効果の程度が非所望の程度に大きくなる
まで放置することによって不都合が生じるのを防ぐこと
ができる。さらに、メモリ効果があまり大きくない時点
でリフレッシュ充電を行なってしまうという無駄が無
く、非所望の充放電を繰り返すことによって二次電池を
短寿命化してしまうおそれがない。According to the electric circuit 10 of the first embodiment configured as described above, the resistance R of the secondary battery 20 (the resistance difference R
Since a map created by experimentally examining the relationship between d) and the degree of the memory effect is used, not only the presence / absence of the memory effect but also the degree of the memory effect can be quantified and detected. When the memory effect value M is obtained in this manner, for example, when the memory effect value M exceeds a predetermined value, refresh charging may be performed.
As described above, the refresh charge is to connect a load to the secondary battery and forcibly discharge the battery once and then recharge the battery. This allows the nickel-hydrogen secondary battery to have a memory effect. Is eliminated. FIG. 1 does not show the charging means of the secondary battery 20,
In addition, a predetermined charging means (such as another battery or an internal combustion engine) is connected in parallel with the load 30, and the load 30 is forcibly and sufficiently discharged. If the battery 20 is charged, the memory effect in the secondary battery 20 can be eliminated. When the refresh charge is performed in this manner, the electric circuit 10 of the present embodiment can determine the timing of the refresh charge after quantifying the memory effect. Can be performed, and it is possible to prevent inconvenience from being caused by leaving the memory effect undesirably large. Further, there is no waste that refresh charging is performed when the memory effect is not so large, and there is no possibility that the life of the secondary battery is shortened by repeating undesired charging and discharging.

【００４９】なお、上記した説明では、二次電池２０が
定電流を放電するときに、図７に示したメモリ効果程度
検出処理ルーチンを実行してメモリ効果値Ｍを求めた
が、二次電池２０が定電流で充電されるときに同様の処
理を行ない、メモリ効果値Ｍを求めることとしても良
い。この場合には、図７のステップＳ１００において、
二次電池２０のＳＯＣなどに基づいて、二次電池２０を
定電流で充電すべき条件かどうかを判断することとすれ
ばよい。In the above description, when the secondary battery 20 discharges a constant current, the memory effect value detection processing routine shown in FIG. 7 is executed to determine the memory effect value M. Similar processing may be performed when the battery 20 is charged with a constant current, and the memory effect value M may be obtained. In this case, in step S100 of FIG.
It may be determined whether the condition for charging the secondary battery 20 with a constant current is based on the SOC of the secondary battery 20 or the like.

【００５０】さらに、本実施例によれば、二次電池２０
の抵抗値の差に基づいてメモリ効果値Ｍを求めるため、
二次電池２０を同規格の他の二次電池に取り替えても、
同じマップを用いてメモリ効果値を求めることができ
る。なお、同じ二次電池を用いる限りは、必ずしも満充
電にする度にＲ0 を求める必要はないが、このようにＲ
0 を求める構成とすることで、二次電池が次第に劣化し
て満充電時の出力電圧が低下したときにも、劣化の状態
が許容範囲である限り、同じマップを用いてメモリ効果
値を求める動作を、充分な精度で行なうことが可能とな
る。Further, according to the present embodiment, the secondary battery 20
To determine the memory effect value M based on the difference between the resistance values of
Even if the secondary battery 20 is replaced with another secondary battery of the same standard,
The same map can be used to determine the memory effect value
You. Note that as long as the same secondary battery is used,
R every time you turn on electricity0It is not necessary to ask for
0, The secondary battery gradually deteriorates
When the output voltage at full charge drops,
Memory effect using the same map as long as
The operation to find the value can be performed with sufficient accuracy.
You.

【００５１】また、上記実施例では、負荷３０は、その
大きさが変動する負荷としたが、大きさが変動せず略一
定である負荷を備える電気回路では、その所定の大きさ
の負荷に対応したマップを備えておくことによって、常
にメモリ効果値Ｍを求めることができる。この場合に
は、図７に示したメモリ効果程度検出処理ルーチンのス
テップＳ１００において、二次電池２０からの出力電流
値が所定の一定値であるかどうかを判断する工程を省略
することができる。In the above-described embodiment, the load 30 is a load whose magnitude varies. However, in an electric circuit including a load whose magnitude does not vary and which is substantially constant, the load 30 has a predetermined magnitude. By providing a corresponding map, the memory effect value M can always be obtained. In this case, in step S100 of the memory effect degree detection processing routine shown in FIG. 7, the step of determining whether the output current value from the secondary battery 20 is a predetermined constant value can be omitted.

【００５２】また、上記実施例では、二次電池２０から
の出力電流値Ｉが略一定となる所定の条件下でメモリ効
果値Ｍを求めることとし、その所定の条件下における電
流値の変動に対応するためにマップは三次元としたが、
電気回路１０において、出力電流値Ｉが充分に変動の少
ない所定の一定値となる再現性の良い条件を設定するこ
とができるならば、マップはその出力電流値に応じたも
のを作成すれば良く、抵抗差Ｒd と温度Ｔに基づく二次
元のマップとすることができる。In the above embodiment, the memory effect value M is determined under a predetermined condition where the output current value I from the secondary battery 20 is substantially constant. The map was three-dimensional to accommodate this,
In the electric circuit 10, if it is possible to set a condition with good reproducibility in which the output current value I becomes a predetermined constant value with a sufficiently small variation, a map may be created according to the output current value. , A two-dimensional map based on the resistance difference Rd and the temperature T.

【００５３】（４）定量したメモリ効果の量を利用した
ＳＯＣ算出の動作：上記実施例の電気回路１０のように
二次電池を備える電気回路では、二次電池の充放電状態
を制御するために、通常は二次電池のＳＯＣ（残存容
量）の検出が行なわれる。二次電池のＳＯＣを検出する
方法としては、既述したように二次電池の出力電力量を
積算する方法の他に、二次電池の電流−電圧特性に基づ
いてＳＯＣを検出する方法が、知られている。図９に、
二次電池のＳＯＣと、二次電池の電流ー電圧特性との関
係を表わす説明図を示す。このように二次電池は、放電
と共に（残存容量の低下と共に）、次第に出力電圧値が
低下するという性質を有している。そのため、二次電池
の出力電流値と出力電圧値とを検出し、図９に示した電
流−電圧特性を参照して、検出した電圧値および電流値
がいずれのＳＯＣ値に対応するかを調べることによっ
て、二次電池のＳＯＣを求めることができる。上記した
二次電池の出力電力量を積算する方法に比べて、このよ
うに二次電池の電流−電圧特性に基づく方法は、積算に
よる誤差が生じるおそれが無く、信頼性の高い方法とし
て知られている。(4) Operation of SOC Calculation Using Quantified Memory Effect Amount: In an electric circuit including a secondary battery as in the electric circuit 10 of the above embodiment, the charge / discharge state of the secondary battery is controlled. Then, the SOC (remaining capacity) of the secondary battery is normally detected. As a method of detecting the SOC of the secondary battery, in addition to the method of integrating the output power amount of the secondary battery as described above, a method of detecting the SOC based on the current-voltage characteristics of the secondary battery includes: Are known. In FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between the SOC of the secondary battery and the current-voltage characteristics of the secondary battery. As described above, the secondary battery has a property that the output voltage value gradually decreases with discharge (with a decrease in the remaining capacity). Therefore, the output current value and the output voltage value of the secondary battery are detected, and referring to the current-voltage characteristics shown in FIG. 9, it is checked which SOC value the detected voltage value and current value correspond to. Thus, the SOC of the secondary battery can be obtained. Compared with the above-described method of integrating the output power amount of the secondary battery, the method based on the current-voltage characteristics of the secondary battery as described above is known as a highly reliable method without an error due to the integration. ing.

【００５４】しかしながら、既述したように、メモリ効
果が生じることによって出力電圧値が低下してしまう
と、上記した方法では正しくＳＯＣを検出することはで
きない。すなわち、メモリ効果が生じると、上記したよ
うなＳＯＣの低下を反映する電圧低下以上の電圧低下が
起こり、検出した出力電圧値および出力電流値に基づい
て求めたＳＯＣは、実際よりも低い値となってしまう。
以下に、電気回路１０において二次電池２０のＳＯＣを
検出する動作を行なう際に、既述した第１実施例に従っ
て定量したメモリ効果の程度に基づいて出力電圧値の補
正を行ない、ＳＯＣ検出の精度を向上させる構成を、第
２実施例として説明する。However, as described above, if the output voltage value decreases due to the memory effect, the SOC cannot be correctly detected by the above-described method. That is, when the memory effect occurs, a voltage drop equal to or higher than the voltage drop reflecting the decrease in the SOC as described above occurs, and the SOC obtained based on the detected output voltage value and output current value becomes a lower value than the actual value. turn into.
Hereinafter, when the operation of detecting the SOC of the secondary battery 20 is performed in the electric circuit 10, the output voltage value is corrected based on the degree of the memory effect quantified according to the first embodiment described above, and the SOC detection is performed. A configuration for improving the accuracy will be described as a second embodiment.

【００５５】図８は、電気回路１０において、検出した
メモリ効果値Ｍを利用してＳＯＣを求めるために実行す
るＳＯＣ補正処理ルーチンを表わすフローチャートであ
る。本ルーチンは、電気回路１０において負荷３０への
電力供給が行なわれ始めると（例えば、リレー６０によ
って回路が接続されると）、制御部５０によって所定の
時間毎に実行される。FIG. 8 is a flowchart showing an SOC correction processing routine executed in the electric circuit 10 to obtain the SOC using the detected memory effect value M. This routine is executed by the control unit 50 at predetermined time intervals when power supply to the load 30 starts to be performed in the electric circuit 10 (for example, when the circuit is connected by the relay 60).

【００５６】本ルーチンが実行されると、ＣＰＵ５４
は、まず、図７に示したメモリ効果程度検出処理ルーチ
ンを実行する（ステップＳ２００）。既述したように、
メモリ効果値Ｍは、二次電池２０の出力状態が、メモリ
効果値Ｍを求めるための条件として予め設定した条件に
当てはまるときに求められる値であり、二次電池２０の
出力電流値が、予め定めた所定の値（の範囲内）で一定
していないときには、このステップＳ２００を実行して
も、メモリ効果値Ｍは設定されない。また、二次電池２
０の出力状態が上記条件に当てはまる場合であっても、
二次電池２０について前回リフレッシュ充電を行なった
後、最初に本ルーチンを実行するとき、あるいは、新し
い二次電池２０を用いて最初に本ルーチンを実行すると
きには、ステップＳ２００を実行してもメモリ効果値Ｍ
は設定されない。When this routine is executed, the CPU 54
First, the memory effect degree detection processing routine shown in FIG. 7 is executed (step S200). As already mentioned,
The memory effect value M is a value obtained when the output state of the secondary battery 20 satisfies a condition set in advance as a condition for obtaining the memory effect value M, and the output current value of the secondary battery 20 is If the value is not constant (within the range), the memory effect value M is not set even if step S200 is executed. Also, the secondary battery 2
Even if the output state of 0 satisfies the above condition,
When executing this routine for the first time after the previous refresh charging of the secondary battery 20 or when initially executing this routine using a new secondary battery 20, the memory effect can be obtained even if step S200 is executed. Value M
Is not set.

【００５７】次に、このステップＳ２００においてメモ
リ効果値Ｍが設定され記憶されているかどうかを判断す
る（ステップＳ２１０）。メモリ効果値Ｍが記憶されて
いないときには、そのまま本ルーチンを終了する。メモ
リ効果値Ｍが記憶されているときには、以下の（３）式
に従い、補正電圧値Ｖ0 を求める（ステップＳ２２
０）。Next, it is determined whether or not the memory effect value M is set and stored in step S200 (step S210). If the memory effect value M has not been stored, this routine is terminated. When the memory effect value M is stored, the correction voltage value V0 is obtained according to the following equation (3) (step S22).
0).

【００５８】 Ｖ0 ＝Ｖ＋（Ｖ×Ｍ／１００） …（３）V 0 = V + (V × M / 100) (3)

【００５９】上記（３）式において、Ｖは、図７のメモ
リ効果程度検出処理ルーチンのステップＳ１３０で検出
した出力電圧値Ｖであり、Ｍは、同じくメモリ効果程度
検出処理ルーチンで求めたメモリ効果値Ｍである。既述
したように、メモリ効果値Ｍは、メモリ効果が生じてい
ない状態をメモリ効果値Ｍが値０であるとし、メモリ効
果が最大限に生じた状態として予め設定した状態をメモ
リ効果値Ｍが値１００となることとして、メモリ効果の
程度に応じて二次電池で起こる電圧降下に基づいて設定
した値である（本実施例では、メモリ効果値Ｍが値１０
０となる状態は、メモリ効果によって出力電圧が本来の
半分になる状態として設定されている）。従って、上記
（３）式によって、メモリ効果による電圧降下分を補正
して、ＳＯＣだけを反映する電圧値としての補正電圧値
Ｖ0 を求めることができる。In the above equation (3), V is the output voltage value V detected in step S130 of the memory effect degree detection processing routine in FIG. 7, and M is the memory effect degree obtained in the memory effect degree detection processing routine. The value is M. As described above, the memory effect value M is defined as a state in which the memory effect is not generated, the memory effect value M is 0, and a state in which the memory effect is maximized is defined as the memory effect value M. Is a value set based on the voltage drop occurring in the secondary battery according to the degree of the memory effect (in the present embodiment, the memory effect value M is 10
The state in which the output voltage becomes 0 is set as a state in which the output voltage becomes half of the original voltage due to the memory effect.) Therefore, the voltage drop due to the memory effect can be corrected by the above equation (3), and the corrected voltage value V0 as a voltage value reflecting only the SOC can be obtained.

【００６０】補正電圧値Ｖ0 を求めると、次に、この補
正電圧値Ｖ0 および出力電流値Ｉと、図９に示した電流
−電圧特性に基づいて、二次電池２０のＳＯＣを判定す
る（ステップＳ２３０）。なお、上記ステップＳ２００
においてメモリ効果程度検出処理ルーチンを実行する際
には、そのステップＳ１１０において、二次電池２０の
出力電力量を積算することによって求めたＳＯＣ値を参
照している。すなわち、本実施例の電気回路１０は、電
流−電圧特性に基づいたＳＯＣの判定とは別に、出力電
力量を積算することによってもＳＯＣを求めている。そ
こで、ステップＳ２３０で電流−電圧特性に基づいてＳ
ＯＣを判定すると、次に、このステップＳ２３０で判定
したＳＯＣ値と、出力電力量を積算することによって求
めたＳＯＣ値とを比較する（ステップＳ２４０）。After the correction voltage value V0 is obtained, the SOC of the secondary battery 20 is determined based on the correction voltage value V0 and the output current value I, and the current-voltage characteristics shown in FIG. S230). Note that the above step S200
When the memory effect degree detection processing routine is executed in step S110, the SOC value obtained by integrating the output power amount of the secondary battery 20 is referred to in step S110. That is, the electric circuit 10 of the present embodiment also obtains the SOC by integrating the output electric energy separately from the determination of the SOC based on the current-voltage characteristics. Therefore, in step S230, S is determined based on the current-voltage characteristics.
When the OC is determined, the SOC value determined in step S230 is compared with the SOC value obtained by integrating the output power amount (step S240).

【００６１】ステップＳ２４０において両者が一致した
ときには、この一致した値を、二次電池２０のＳＯＣ値
として設定し（ステップＳ２６０）、本ルーチンを終了
する。ステップＳ２４０において両者が一致しなかった
ときには、出力電力量の積算によって求めたＳＯＣ値
を、電流−電圧特性によって求めたＳＯＣ値に補正して
（ステップＳ２５０）、出力電力量の積算によってＳＯ
Ｃを求める以後の動作はこの補正したＳＯＣ値に基づく
こととすると共に、電流−電圧特性によって求めたＳＯ
Ｃ値を、二次電池２０のＳＯＣ値として設定し（ステッ
プＳ２６０）、本ルーチンを終了する。If the two coincide in step S240, the coincident value is set as the SOC value of the secondary battery 20 (step S260), and the routine ends. If the two do not match in step S240, the SOC value obtained by integrating the output power amount is corrected to the SOC value obtained by the current-voltage characteristic (step S250), and the SO value is obtained by integrating the output power amount.
The subsequent operations for obtaining C are based on this corrected SOC value, and the SO obtained by the current-voltage characteristics
The C value is set as the SOC value of the secondary battery 20 (step S260), and this routine ends.

【００６２】以上説明した第２実施例によれば、二次電
池２０の出力電圧値を、設定したメモリ効果値Ｍを用い
て補正してＳＯＣ値を求めているため、生じたメモリ効
果の影響を受けることなく、精度良くＳＯＣ値を求める
ことができる。このように、メモリ効果によってＳＯＣ
値を実際よりも低く判定してしまうのを抑えることがで
きるため、求めたＳＯＣ値に基づいて二次電池２０の出
力に関わる制御を行なう際に、非所望の制御を行なうの
を防ぐことができる。According to the above-described second embodiment, the output voltage value of the secondary battery 20 is corrected using the set memory effect value M to determine the SOC value. The SOC value can be obtained with high accuracy without receiving the error. Thus, the SOC effect due to the memory effect
Since it is possible to prevent the value from being determined lower than the actual value, it is possible to prevent undesired control from being performed when controlling the output of the secondary battery 20 based on the obtained SOC value. it can.

【００６３】なお、上記した電流−電圧特性に基づいて
ＳＯＣを求める際に、メモリ効果値Ｍに基づいて補正を
行なう動作は、二次電池２０の出力状態が所定の状態と
なっている期間に限って実行可能である。したがって、
電気回路１０を搭載する装置によっては、メモリ効果値
Ｍに基づく補正が行なわれない状態が所定時間継続する
可能性がある。すなわち、二次電池２０において、所定
の定電流での充電あるいは放電が行なわれない状態が所
定時間継続する可能性がある。このような場合にも、本
実施例の電気回路１０では、２次電池２０の出力電力量
の積算によるＳＯＣの検出も行なわれているため、二次
電池２０の出力状態が次回に上記所定の状態となったと
きにＳＯＣの補正を行なえばよく、これによって常に正
しいＳＯＣの値を求めることが可能となる。When the SOC is obtained based on the current-voltage characteristics described above, the operation of performing the correction based on the memory effect value M is performed while the output state of the secondary battery 20 is in a predetermined state. It is feasible only. Therefore,
Depending on the device on which the electric circuit 10 is mounted, there is a possibility that a state in which the correction based on the memory effect value M is not performed for a predetermined time. That is, in the secondary battery 20, there is a possibility that a state in which charging or discharging with a predetermined constant current is not performed continues for a predetermined time. Also in such a case, in the electric circuit 10 of the present embodiment, the SOC is detected by integrating the output power amount of the secondary battery 20, so that the output state of the secondary battery 20 is changed to the predetermined value next time. It is only necessary to correct the SOC when the state is reached, so that a correct SOC value can always be obtained.

【００６４】これに対し、電流−電圧特性に基づく方法
だけでＳＯＣを検出する場合には、メモリ効果値Ｍを求
めてＳＯＣ値を補正する動作が行なわれない状態が継続
する間にメモリ効果が生じると、求められるＳＯＣ値が
次第に正しい値からずれを生じてしまう。すなわち、Ｓ
ＯＣ値を補正する動作が行なわれない状態が継続する間
にメモリ効果が生じると、メモリ効果を反映したより低
い電圧値に基づいてＳＯＣを求めることになり、このよ
うな場合には、二次電池２０の出力状態が上記所定の状
態となってＳＯＣ補正処理ルーチンを実行しても、図７
のステップＳ１１０検出するＳＯＣ値がずれた値となっ
てしまうため、図７のステップＳ１７０で参照するマッ
プの選択を誤り、正しいメモリ効果値Ｍを求められなく
なるおそれがある。On the other hand, when the SOC is detected only by the method based on the current-voltage characteristic, the memory effect is obtained while the operation of obtaining the memory effect value M and correcting the SOC value is not performed. When this occurs, the required SOC value gradually deviates from the correct value. That is, S
If the memory effect occurs while the state in which the operation for correcting the OC value is not performed continues, the SOC is determined based on a lower voltage value reflecting the memory effect. Even if the output state of the battery 20 becomes the above-mentioned predetermined state and the SOC correction processing routine is executed, FIG.
Since the SOC value detected in step S110 of FIG. 7 is shifted, the selection of the map referred to in step S170 of FIG. 7 may be erroneous, and the correct memory effect value M may not be obtained.

【００６５】本実施例では、メモリ効果値Ｍによる補正
を行なわないときには、メモリ効果値Ｍの影響が少ない
他の方法（出力電力量の積算による方法）に基づいてＳ
ＯＣ値を求めているため、上記補正の動作が行なわれな
い時間が継続しても、次回に上記補正の動作を行なう際
には、正しくメモリ効果値Ｍを求めることができる。す
なわち、誤差の原因が異なる２つの方法（出力電力量の
積算という、積算誤差が大きく影響する方法と、電流−
電圧特性に基づくという、メモリ効果による電圧降下が
大きく影響する方法）を組み合わせて用い、補正した値
を相互に用いることによって、ＳＯＣ値を求める動作全
体の誤差をより小さくすることができる。In the present embodiment, when the correction based on the memory effect value M is not performed, S is determined based on another method (a method based on the integration of the output power amount) in which the effect of the memory effect value M is small.
Since the OC value is obtained, the memory effect value M can be obtained correctly the next time the correction operation is performed, even if the time during which the correction operation is not performed continues. That is, two methods having different causes of error (a method in which the integration error has a large effect, namely, the integration of the output power amount) and a method in which the current-
By using the corrected values in combination with each other (based on the voltage characteristics, a method in which the voltage drop due to the memory effect greatly affects), it is possible to further reduce the error of the entire operation for obtaining the SOC value.

【００６６】（５）ＳＯＣ検出に関わる他の実施例：な
お、電気回路１０を備える装置において、メモリ効果値
Ｍが検出されない時間（二次電池２０の出力電流値が所
定の一定値とならない時間）が充分に短い場合には、二
次電池の出力電力量の積算によるＳＯＣ値の検出は行な
わず、電流−電圧特性に基づく方法のみによってＳＯＣ
値の検出を行ない、その際に上記補正の動作を行なうこ
ととしてもよい。このような動作を、以下に第３実施例
として説明する。この第３実施例では、二次電池２０の
出力状態は、常に所定の一定値（の範囲）であり、常に
メモリ効果値Ｍを求めることができるものとした。(5) Another embodiment related to SOC detection: In a device provided with the electric circuit 10, a time during which the memory effect value M is not detected (a time during which the output current value of the secondary battery 20 does not reach a predetermined constant value) ) Is sufficiently short, the SOC value is not detected by integrating the output power of the secondary battery, and the SOC is determined only by the method based on the current-voltage characteristic.
The value may be detected, and the correction operation may be performed at that time. Such an operation will be described below as a third embodiment. In the third embodiment, the output state of the secondary battery 20 is always a predetermined constant value (range), and the memory effect value M can always be obtained.

【００６７】図１０は、電気回路１０において、電流−
電圧特性に基づく方法だけによってＳＯＣ値を求める際
に実行するＳＯＣ検出処理ルーチンを表わすフローチャ
ートである。本ルーチンは、電気回路１０において負荷
３０への電力供給が行なわれ始めると（例えば、リレー
６０によって回路が接続されると）、制御部５０によっ
て所定の時間毎に実行される。FIG. 10 shows that the electric circuit 10
9 is a flowchart illustrating an SOC detection processing routine executed when an SOC value is obtained only by a method based on voltage characteristics. This routine is executed by the control unit 50 at predetermined time intervals when power supply to the load 30 starts to be performed in the electric circuit 10 (for example, when the circuit is connected by the relay 60).

【００６８】本ルーチンが実行されると、ＣＰＵ５４
は、まず、今回本ルーチンを実行する動作が、二次電池
２０が初期状態となってから最初に実行するものである
かどうかを判定する（ステップＳ３００）。すなわち、
リフレッシュ充電後、あるいは新しい二次電池２０を用
いて最初に本ルーチンを実行するのかどうかを判定す
る。ステップＳ３００で、今回の実行が上記最初の実行
であると判定したときには、ＳＯＣを値１００と設定す
る（ステップＳ４２０）。また、ステップＳ３００で最
初ではないと判定したときには、前回本ルーチンを実行
した際に、後述するステップＳ４１０で記憶しておいた
ＳＯＣ値を呼び出して、これをＳＯＣ値として設定する
（ステップＳ３１０）。When this routine is executed, the CPU 54
First, it is determined whether or not the operation for executing the present routine this time is the first operation to be executed after the secondary battery 20 has been initialized (step S300). That is,
It is determined whether or not this routine is first executed after the refresh charge or using a new secondary battery 20. When it is determined in step S300 that the current execution is the first execution, the SOC is set to a value of 100 (step S420). If it is determined in step S300 that it is not the first time, the SOC value stored in step S410, which will be described later, is called and the SOC value is set as the SOC value the last time this routine was executed (step S310).

【００６９】ステップＳ４２０あるいはステップＳ３１
０でＳＯＣ値を設定すると、次に、図７におけるステッ
プＳ１２０〜ステップＳ１４０と同様に、二次電池２０
の温度Ｔ、出力電流値および出力電圧値Ｖを検出すると
共に、抵抗値Ｒを算出する（ステップＳ３２０〜ステッ
プＳ３４０）。次に、図７のステップＳ１５０と同様
に、この抵抗値Ｒが、二次電池２０について前回リフレ
ッシュ充電を行なった後、最初に求める抵抗値であるか
どうか、あるいは、新しい二次電池２０を用いて最初に
求める抵抗値であるかどうかを判断する（ステップＳ３
５０）。最初に求めた抵抗値ではないと判断したときに
は、引き続き、図７におけるステップＳ１６０〜ステッ
プＳ１８０と同様に、抵抗値差Ｒd を求め、設定したＳ
ＯＣ値を基にマップを選択し、抵抗値差Ｒd 、電池温度
Ｔ、出力電流値Ｉを基にマップを参照して、メモリ効果
値Ｍを選定する（ステップＳ３６０〜ステップＳ３８
０）。Step S420 or step S31
When the SOC value is set to 0, next, as in steps S120 to S140 in FIG.
, The output current value and the output voltage value V are detected, and the resistance value R is calculated (steps S320 to S340). Next, similarly to step S150 in FIG. 7, whether the resistance value R is the resistance value first obtained after the previous refresh charge of the secondary battery 20 or whether a new secondary battery 20 is used. To determine whether the resistance value is the first resistance value to be determined (step S3).
50). When it is determined that the resistance value is not the initially determined resistance value, the resistance value difference Rd is determined and set in the same manner as in steps S160 to S180 in FIG.
A map is selected based on the OC value, and a memory effect value M is selected with reference to the map based on the resistance value difference Rd, the battery temperature T, and the output current value I (steps S360 to S38).
0).

【００７０】次に、図８のステップＳ２２０〜ステップ
Ｓ２３０と同様に、補正電圧値Ｖ0を求め、出力電流値
Ｉおよび補正電圧値Ｖ0 と、電流−電圧特性とに基づい
て、ＳＯＣ値を求める（ステップＳ３９０〜ステップＳ
４００）。求めたＳＯＣ値を記憶して（ステップＳ４１
０）、本ルーチンを終了する。Next, similarly to steps S220 to S230 in FIG. 8, the correction voltage value V0 is determined, and the SOC value is determined based on the output current value I, the correction voltage value V0, and the current-voltage characteristics ( Step S390 to Step S
400). The obtained SOC value is stored (step S41).
0), end this routine.

【００７１】ステップＳ３５０において、ステップＳ３
５０で算出した抵抗値Ｒが、最初に求めた抵抗値である
と判断されたときには、図７のステップＳ１５５と同様
に、この抵抗値を初期抵抗値Ｒ0 として記憶する（ステ
ップＳ４３０）。さらに、メモリ効果値Ｍを値０と設定
し（ステップＳ４４０）、以下、上記したステップＳ３
９０〜ステップＳ４１０の動作を実行する。なお、ステ
ップＳ３５０で抵抗値Ｒが最初に求めた抵抗値であると
判断されるときには、先のステップＳ３００でも最初に
実行すると判断されている。したがって、二次電池２０
が初期状態であるときに最初に本ルーチンを実行したと
きには、ステップＳ４１０では、ＳＯＣは値１００であ
ると判断されることになる。In step S350, step S3
When it is determined that the resistance value R calculated in step 50 is the resistance value obtained first, this resistance value is stored as an initial resistance value R 0, as in step S155 in FIG. 7 (step S430). Further, the memory effect value M is set to a value of 0 (step S440).
The operation from 90 to step S410 is executed. When it is determined in step S350 that the resistance value R is the resistance value obtained first, it is also determined in step S300 that the resistance value R is firstly executed. Therefore, the secondary battery 20
When this routine is first executed when is in the initial state, it is determined in step S410 that the SOC is 100.

【００７２】上記第３実施例によれば、常にメモリ効果
値Ｍを求めてＳＯＣ値を補正することにより、二次電池
の出力電力量を積算するなどの他の方法を用いることな
く、電流−電圧特性に基づく方法によって、充分な精度
でＳＯＣの検出を行なうことができる。なお、上記した
実施例では、二次電池の出力電流値は常に所定の一定値
であることとしたが、二次電池の出力電流値が変動する
場合であっても、メモリ効果値を検出しない運転状態と
なる個々の期間が充分に短い場合には、上記第３実施例
の構成によって、充分な精度でＳＯＣを求めることがで
きる。According to the third embodiment, the memory effect value M is always obtained and the SOC value is corrected, so that the current-power can be reduced without using another method such as integrating the output power of the secondary battery. By the method based on the voltage characteristics, the SOC can be detected with sufficient accuracy. In the above-described embodiment, the output current value of the secondary battery is always a predetermined constant value. However, even when the output current value of the secondary battery fluctuates, the memory effect value is not detected. When the individual periods during which the operation is performed are sufficiently short, the SOC of the third embodiment can be obtained with sufficient accuracy.

【００７３】（６）電気自動車への適用：上記実施例の
電気回路１０は、二次電池から電力の供給を要する種々
の装置に適用することができる。このような例として、
本実施例の電気回路１０を車両に搭載し、二次電池を車
両駆動用電源とすることとしても良い。車両に適用する
には、例えば、車両の運転モードとして、所定の条件下
で二次電池からの出力電流値あるいは充電電流値が一定
となる運転モードを予め設定しておき、車両がこのよう
な運転モードとなったときに、既述した図７あるいは図
８に示した処理ルーチンを実行することとすればよい。(6) Application to Electric Vehicle: The electric circuit 10 of the above embodiment can be applied to various devices that require power supply from a secondary battery. In such an example,
The electric circuit 10 of this embodiment may be mounted on a vehicle, and the secondary battery may be used as a vehicle driving power source. In order to apply the present invention to a vehicle, for example, an operation mode in which the output current value or the charging current value from the secondary battery is constant under predetermined conditions is set in advance as the operation mode of the vehicle. When the operation mode is set, the above-described processing routine shown in FIG. 7 or FIG. 8 may be executed.

【００７４】例えば、第２実施例の電気回路１０を搭載
する車両が、車両の駆動エネルギ源として二次電池２０
と共にエンジンを搭載するハイブリッド車両であれば、
このハイブリッド自動車が一時停止している状態に、上
記処理を行なうことができる。すなわち、車両を駆動す
るモータは停止しているものの、（イグニションスイッ
チに対応する）所定のスタートスイッチは停止していな
い状態では、車両を走行可能な状態に維持するためのほ
ぼ一定の低電流のみが二次電池２０から出力されること
になり、この電流値に基づくマップを作成し記憶してお
くことにより、メモリ効果値Ｍを求める処理を行なうこ
とができる。また、二次電池２０のＳＯＣが低下したと
きにエンジンの出力を利用して二次電池２０を充電する
ような運転モードを、上記した二次電池の充電電流値が
一定となる運転モードとして設定することができる。ま
た、二次電池２０のＳＯＣが充分に大きいときに二次電
池２０のみを駆動エネルギ源として用いる様な運転モー
ドを、上記した二次電池の放電電流値が一定となる運転
モードとして設定することができる。あるいは、上記実
施例の電気回路１０を搭載する車両を、上記ハイブリッ
ド車両に代えて、車両の駆動エネルギ源として二次電池
２０と共に燃料電池を搭載する電気自動車としても、同
様の運転モードを設定することができる。For example, a vehicle equipped with the electric circuit 10 of the second embodiment may be used as a driving energy source for the vehicle.
If it is a hybrid vehicle equipped with an engine,
The above processing can be performed while the hybrid vehicle is temporarily stopped. That is, when the motor for driving the vehicle is stopped, but the predetermined start switch (corresponding to the ignition switch) is not stopped, only a substantially constant low current for maintaining the vehicle in a running state is provided. Is output from the secondary battery 20. By creating and storing a map based on this current value, a process for obtaining the memory effect value M can be performed. Further, an operation mode in which the output of the engine is used to charge the secondary battery 20 when the SOC of the secondary battery 20 decreases is set as the above-described operation mode in which the charge current value of the secondary battery is constant. can do. Further, an operation mode in which only the secondary battery 20 is used as a drive energy source when the SOC of the secondary battery 20 is sufficiently large is set as the above-described operation mode in which the discharge current value of the secondary battery is constant. Can be. Alternatively, a similar operation mode is set for an electric vehicle equipped with a fuel cell together with a secondary battery 20 as a driving energy source for the vehicle, instead of the vehicle equipped with the electric circuit 10 of the above-described embodiment instead of the hybrid vehicle. be able to.

【００７５】このような場合には、図７におけるステッ
プＳ１００の動作に代えて、車両の走行状態を検知する
動作と、検知された車両の走行状態が、二次電池の充電
電流値あるいは放電電流値が一定となるとして予め設定
した走行状態であるかどうかを判定する動作を行ない、
充電電流値あるいは放電電流値が一定となる所定の走行
状態であると判定されたときには、ステップＳ１１０以
下の処理を実行することとすればよい。これによって、
上記ハイブリッド自動車あるいは電気自動車に搭載され
た電気回路１０において、既述したメモリ効果値Ｍの測
定を行なうことができる。In such a case, instead of the operation of step S100 in FIG. 7, the operation of detecting the running state of the vehicle and the detected running state of the vehicle are determined by the charging current value or discharging current of the secondary battery. Perform an operation to determine whether or not the traveling state is set in advance as a constant value,
When it is determined that the vehicle is in a predetermined traveling state in which the charging current value or the discharging current value is constant, the processing of step S110 and subsequent steps may be performed. by this,
In the electric circuit 10 mounted on the hybrid vehicle or the electric vehicle, the memory effect value M described above can be measured.

【００７６】なお、上記実施例では、二次電池はニッケ
ル・水素電池としたが、上記構成を適用することによ
り、ニッケル・カドミウム電池においても、メモリ効果
の程度を定量することが可能であり、求めたメモリ効果
値に基づいてＳＯＣを求めることができる。Although the secondary battery is a nickel-metal hydride battery in the above embodiment, the degree of the memory effect can be quantified also in a nickel-cadmium battery by applying the above configuration. The SOC can be obtained based on the obtained memory effect value.

【００７７】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこうした実施例に何等限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる
様態で実施し得ることは勿論である。The embodiments of the present invention have been described above.
The present invention is not limited to such embodiments at all, and it goes without saying that the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の好適な一実施例である電気回路１０の
構成を表わす説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an electric circuit 10 according to a preferred embodiment of the present invention.

【図２】二次電池２０の正極の様子を表わす説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a state of a positive electrode of a secondary battery 20.

【図３】定電流を放電する様子およびそのときの電圧変
化を表わす説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state of discharging a constant current and a voltage change at that time.

【図４】（２）式における補正定数Ｋ1 *を求めるための
マップを表わす説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a map for obtaining a correction constant K 1 * in equation (2).

【図５】抵抗値Ｒと二次電池温度Ｔと二次電池の出力電
流値Ｉとを変数としてメモリ効果値Ｍを求める三次元マ
ップを表わす説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a three-dimensional map for obtaining a memory effect value M by using a resistance value R, a secondary battery temperature T, and an output current value I of the secondary battery as variables.

【図６】抵抗差Ｒd と二次電池温度Ｔと二次電池の出力
電流値Ｉとを変数としてメモリ効果値Ｍを求める三次元
マップを表わす説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a three-dimensional map for obtaining a memory effect value M by using a resistance difference Rd, a secondary battery temperature T, and an output current value I of the secondary battery as variables.

【図７】メモリ効果程度検出処理ルーチンを表わすフロ
ーチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a memory effect degree detection processing routine.

【図８】ＳＯＣ補正処理ルーチンを表わすフローチャー
トである。FIG. 8 is a flowchart illustrating an SOC correction processing routine.

【図９】二次電池２０の出力特性とＳＯＣとの関係を表
わす説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a relationship between output characteristics of the secondary battery 20 and SOC.

【図１０】ＳＯＣ検出処理ルーチンを表わすフローチャ
ートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating an SOC detection processing routine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…電気回路 ２０…二次電池 ２５…温度センサ ３０…負荷 ４０…電圧センサ ４５…電流センサ ５０…制御部 ５２…入出力ポート ５４…ＣＰＵ ５６…ＲＯＭ ５８…ＲＡＭ ６０…リレー ６５…アクチュエータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electric circuit 20 ... Rechargeable battery 25 ... Temperature sensor 30 ... Load 40 ... Voltage sensor 45 ... Current sensor 50 ... Control part 52 ... Input / output port 54 ... CPU 56 ... ROM 58 ... RAM 60 ... Relay 65 ... Actuator

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 充放電可能な二次電池において生じたメ
モリ効果の程度を判定するメモリ効果判定装置であっ
て、 前記二次電池の出力電圧値を検出する電圧検出手段と、 前記二次電池の出力電流値を検出する電流検出手段と、 前記二次電池の温度を検出する温度検出手段と、 前記二次電池の出力状態を検出する出力状態検出手段
と、 前記出力状態検出手段が検出した前記出力状態が、予め
定めた所定の状態であるかどうかを判別する判別手段
と、 前記二次電池の出力電圧値と、前記二次電池の出力電流
値と、前記二次電池の温度とに基づく情報と、前記二次
電池で発生するメモリ効果の程度との間の関係を、予め
マップとして記憶する記憶手段と、 前記判別手段が、前記所定の状態であると判別したとき
に、前記電圧検出手段が検出した前記出力電圧値と、前
記電流検出手段が検出した前記出力電流値と、前記温度
検出手段が検出した前記温度とに基づいて、前記記憶手
段に記憶したマップを参照することによって、前記二次
電池で発生するメモリ効果の程度を判定するメモリ効果
程度判定手段とを備えるメモリ効果判定装置。1. A memory effect determination device for determining a degree of a memory effect generated in a chargeable / dischargeable secondary battery, comprising: voltage detection means for detecting an output voltage value of the secondary battery; Current detecting means for detecting the output current value of the secondary battery; temperature detecting means for detecting the temperature of the secondary battery; output state detecting means for detecting the output state of the secondary battery; Determining means for determining whether the output state is a predetermined state, an output voltage value of the secondary battery, an output current value of the secondary battery, and a temperature of the secondary battery. Storage means for storing in advance a relationship between the information based on the information and the degree of the memory effect generated in the secondary battery as a map; and Detection means detected The secondary battery is referred to by referring to a map stored in the storage unit based on the output voltage value, the output current value detected by the current detection unit, and the temperature detected by the temperature detection unit. And a memory effect degree determining means for determining a degree of the memory effect generated in the memory effect determination device. 【請求項２】 前記マップは、前記情報として、前記二
次電池の出力電圧値および出力電流値から算出される前
記二次電池の抵抗値に基づく情報と、前記二次電池の温
度に基づく情報とを用いることを特徴とする請求項１記
載のメモリ効果判定装置。2. The map includes, as the information, information based on a resistance value of the secondary battery calculated from an output voltage value and an output current value of the secondary battery, and information based on a temperature of the secondary battery. 2. The memory effect judging device according to claim 1, wherein: 【請求項３】 前記マップは、前記二次電池の抵抗値に
基づく情報として、前記二次電池において前記メモリ効
果が生じていないと規定される状態における前記二次電
池の前記抵抗値と、前記二次電池において種々の程度で
前記メモリ効果が生じた状態における前記二次電池の前
記抵抗値との間の差に基づく情報を用いることを特徴と
する請求項２記載のメモリ効果判定装置。3. The resistance value of the secondary battery in a state where the memory effect is not generated in the secondary battery, as the information based on the resistance value of the secondary battery, 3. The memory effect determination device according to claim 2, wherein information based on a difference between the resistance value of the secondary battery and a state where the memory effect occurs to various degrees in the secondary battery is used. 【請求項４】 請求項１ないし３いずれか記載のメモリ
効果判定装置であって、 前記二次電池の残存容量を検出する残存容量検出手段を
さらに備え、 前記記憶手段は、前記二次電池の残存容量に応じて複数
の前記マップを記憶し、 前記メモリ効果程度判定手段は、前記残存容量検出手段
の検出結果に応じて、前記記憶手段に記憶された複数の
マップの中から参照すべきマップを選択し、選択したマ
ップを参照して前記メモリ効果の程度を判定することを
特徴とするメモリ効果判定装置。4. The memory effect judging device according to claim 1, further comprising: a remaining capacity detecting unit configured to detect a remaining capacity of the secondary battery, wherein the storage unit is configured to store the remaining capacity of the secondary battery. A plurality of the maps are stored according to the remaining capacity, and the memory effect degree determining means is a map to be referred from among the plurality of maps stored in the storage means according to a detection result of the remaining capacity detecting means. And determining the degree of the memory effect with reference to the selected map. 【請求項５】 前記マップは、前記情報と、前記メモリ
効果の程度との間の関係を、実験的に調べることによっ
て作成されたことを特徴とする請求項１ないし４いずれ
か記載のメモリ効果判定装置。5. The memory effect according to claim 1, wherein the map is created by experimentally examining a relationship between the information and the degree of the memory effect. Judgment device. 【請求項６】 前記マップは、前記二次電池からの出力
電流値が一定であるとき、前記二次電池からの出力電圧
値は、前記二次電池で生じているメモリ効果の程度に応
じて変化するという性質に基づいて、前記二次電池から
の出力電圧値を前記メモリ効果の程度に対応させて、作
成されたことを特徴とする請求項１ないし５いずれか記
載のメモリ効果判定装置。6. The map indicates that when an output current value from the secondary battery is constant, an output voltage value from the secondary battery depends on a degree of a memory effect generated in the secondary battery. 6. The memory effect judging device according to claim 1, wherein an output voltage value from the secondary battery is made to correspond to the degree of the memory effect based on a property of change. 【請求項７】 充放電可能な二次電池における残存容量
を検出する残存容量検出装置であって、 請求項１ないし６いずれか記載のメモリ効果判定装置
と、 前記電圧検出手段が検出した前記出力電圧値と、前記電
流検出手段が検出した前記出力電流値とを利用して、前
記二次電池からの出力電流値が一定であるとき、前記二
次電池からの出力電圧値は、前記二次電池の残存容量が
低下するのに応じて低下するという性質に基づいて、前
記二次電池の残存容量を検出する残存容量検出手段と、 前記メモリ効果判定装置が判定した前記メモリ効果の程
度に基づいて、前記電圧検出手段が検出した前記出力電
圧値を補正する電圧値補正手段とを備え、 前記残存容量検出手段は、前記電圧値補正手段が補正し
た電圧値に基づいて前記残存容量を検出することを特徴
とする残存容量検出装置。7. A remaining capacity detecting device for detecting a remaining capacity of a chargeable / dischargeable secondary battery, wherein the memory effect determining device according to claim 1 and the output detected by the voltage detecting means. Using the voltage value and the output current value detected by the current detection means, when the output current value from the secondary battery is constant, the output voltage value from the secondary battery is Based on a property that the remaining capacity of the battery decreases as the remaining capacity decreases, based on a remaining capacity detection unit that detects the remaining capacity of the secondary battery, based on the degree of the memory effect determined by the memory effect determination device. Voltage value correcting means for correcting the output voltage value detected by the voltage detecting means, wherein the remaining capacity detecting means detects the remaining capacity based on the voltage value corrected by the voltage value correcting means. Remaining capacity detecting apparatus characterized by.
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