JP2001194798A - Antireflection film material and pattern forming method - Google Patents
Antireflection film material and pattern forming methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特にフォトレジス
トを用いたフォトリソグラフィーにおいて、凹凸のある
基盤上にも高精度の微細加工を可能にする光反射防止膜
材料及びこれを用いてレジストパターンを形成する方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anti-reflection coating material that enables high-precision microfabrication even on a substrate having irregularities, particularly in photolithography using a photoresist, and a resist pattern using the same. It relates to a method of forming.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの
微細化が求められている中、現在汎用技術として用いら
れている光露光では、光源の波長に由来する本質的な解
像度の限界に近づきつつある。2. Description of the Related Art In recent years,
As the integration and speed of LSIs increase, the pattern rule is required to be finer. With the light exposure currently used as a general-purpose technology, the essential resolution limit derived from the wavelength of the light source is approaching. It is getting.
【０００３】レジストパターン形成の際に使用する露光
光として、水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）もしくはｉ線
（３６５ｎｍ）を光源とする光露光が広く用いられてお
り、更なる微細化のための手段として、露光光を短波長
化する方法が有効とされてきた。このため、６４Ｍビッ
ト（加工寸法が０．２５μｍ以下）ＤＲＡＭ（ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリー）の量産プロセス
には、露光光源としてｉ線（３６５ｎｍ）に代わって短
波長のＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）が利用さ
れるようになった。しかし、更に微細な加工技術（加工
寸法が０．２μｍ以下）を必要とする集積度２５６Ｍ及
び１Ｇ以上のＤＲＡＭの製造には、より短波長の光源が
必要とされ、特にＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）を用いたフォトリソグラフィーが検討されてきてい
る。As exposure light used in forming a resist pattern, light exposure using a g-line (436 nm) or i-line (365 nm) of a mercury lamp as a light source is widely used as a means for further miniaturization. A method of shortening the wavelength of exposure light has been effective. For this reason, in a mass production process of a 64 Mbit (dynamic random access memory) DRAM having a processing size of 0.25 μm or less, a short wavelength KrF excimer laser (248 nm) is used as an exposure light source instead of i-line (365 nm). Has come to be used. However, in order to manufacture a DRAM having an integration degree of 256 M and 1 G or more, which requires a finer processing technique (processing dimension of 0.2 μm or less), a light source having a shorter wavelength is required. In particular, an ArF excimer laser (193n) is required.
Photolithography using m) has been studied.
【０００４】ＫｒＦリソグラフィーの初期の段階におい
て、色消しレンズ、あるいは反射光学系などと、ブロー
ドバンド光との組み合わせのステッパーが開発された。
しかしながら、色消しレンズあるいは非球面の反射光学
系の精度が十分でなかったことから、単色光と屈折光学
系レンズの組み合わせが主流になった。ここで、半−波
長露光において、入射する光と、基盤からの反射光とが
干渉し、定在波を発生することは古くからよく知られた
現象である。定在波は、パターンの線幅などの寸法変動
や、形状の崩れなどを引き起こした。[0004] In the early stage of KrF lithography, a stepper combining an achromatic lens or a reflection optical system with broadband light was developed.
However, since the accuracy of the achromatic lens or the aspherical reflecting optical system was not sufficient, the combination of the monochromatic light and the refractive optical system lens became mainstream. Here, in half-wavelength exposure, it is a well-known phenomenon that the incident light interferes with the reflected light from the substrate to generate a standing wave. The standing wave caused a dimensional change such as a line width of the pattern, a shape collapse, and the like.
【０００５】一方、コヒーレントな単色光の使用は、短
波長化と共に定在波やハレーションを更に増幅させた。On the other hand, the use of coherent monochromatic light further amplifies the standing wave and the halation as the wavelength becomes shorter.
【０００６】従来、定在波を抑える方法として、レジス
ト材料に吸光剤を入れる方法、レジスト層上面（ＡＲＣ
ＯＲ法、特開昭６２−６２５２０号、特開昭６２−６２
５２１号、特開昭６０−３８８２１号公報）や基盤面に
反射防止膜を敷く方法（ＢＡＲＣ法、特開昭６２−１５
９１４３号公報）が提案された。ＡＲＣＯＲ法はレジス
ト層上部に透明な反射防止膜を形成し、露光後剥離する
工程を含む方法であり、その簡便な方法で微細かつ高精
度及び合わせ精度の高いパターンを形成する方法であ
る。反射防止膜として低屈折率材料のパーフルオロアル
キル化合物（パーフルオロアルキルポリエーテル、パー
フルオロアルキルアミン）を用いると、レジスト−反射
防止膜界面の反射光が大幅に低減し、寸法精度が向上す
る。Conventionally, as a method of suppressing the standing wave, a method of adding a light absorbing agent to a resist material, a method of forming an upper surface of a resist layer (ARC
OR method, JP-A-62-62520, JP-A-62-62
No. 521, JP-A-60-38821) and a method of laying an anti-reflection film on a substrate surface (BARC method, JP-A-62-15)
No. 9143). The ARCOR method is a method including a step of forming a transparent anti-reflection film on a resist layer and peeling off after exposure, and is a method of forming a fine pattern with high precision and high alignment precision by a simple method. When a perfluoroalkyl compound (perfluoroalkylpolyether, perfluoroalkylamine) of a low refractive index material is used as the antireflection film, the reflected light at the resist-antireflection film interface is greatly reduced, and the dimensional accuracy is improved.
【０００７】しかし、上記パーフルオロアルキル化合物
は、有機物との相溶性が低いことから、塗布膜厚を制御
するための希釈液にはフロンなどが用いられているが、
周知の通りフロンは現在環境保全の観点からその使用が
問題となっている。また、上記化合物は均一な成膜性に
問題があり、反射防止膜としては十分であるとはいえな
かった。また、フォトレジスト層の現像前に、反射防止
膜をフロンで剥離しなければならなかった。そのため、
従来装置に反射防止膜剥離用のシステムの増設をしなけ
ればならず、フロン系溶剤のコストがかなりかさむなど
と実用面でのデメリットが大きかった。However, since the above-mentioned perfluoroalkyl compounds have low compatibility with organic substances, fluorocarbons or the like are used as a diluent for controlling the coating film thickness.
As is well known, the use of CFCs is a problem at present from the viewpoint of environmental protection. Further, the above compound has a problem in uniform film forming property, and cannot be said to be sufficient as an antireflection film. In addition, before the development of the photoresist layer, the antireflection film had to be peeled off with Freon. for that reason,
A conventional system had to be provided with an additional system for peeling off the antireflection film, and the cost of the fluorocarbon solvent was considerably increased.
【０００８】従来装置に増設なしで反射防止膜の剥離を
行おうとすると、現像ユニットを使って剥離を行うのが
最も望ましい。フォトレジストの現像ユニットで用いら
れる溶液は、現像液であるアルカリ水溶液と、リンス液
である純水であるので、これらの溶液で容易に剥離でき
る反射防止膜材料が望ましいといえる。そのため、数多
くの水溶性の反射防止膜材料及びこれらを用いるパター
ン形成方法が提案された。例えば特開平６−２７３９２
６、６−２８９６２０、７−１６０００２、７−１８１
６８４、７−２３４５１４、７−２９５２１０、７−３
３３８５５、８−４４０６６、８−９５２５３、８−１
７９５０９、８−２９２５６２、８−３２０５６９、９
−５０１２９、９−９０６１５、９−２３６９１５、９
−２５８４５２、９−２５８４５３、９−２９１２２
８、９−３２５５００、１０−３００１、１０−１７６
２３、１０−６９０９１、１１−１２４５３１号公報、
特許第２６４３０５６、２８７８１５０、２８０３５４
９号公報が例示される。When the antireflection film is to be peeled off without adding to the conventional apparatus, it is most preferable to peel it off using a developing unit. Since the solutions used in the photoresist developing unit are an aqueous alkali solution as a developing solution and pure water as a rinsing solution, it can be said that an antireflection film material that can be easily peeled off with these solutions is desirable. Therefore, many water-soluble antireflective coating materials and a pattern forming method using the same have been proposed. For example, JP-A-6-27392
6, 6-289620, 7-160002, 7-181
684, 7-234514, 7-295210, 7-3
33855, 8-44066, 8-95253, 8-1
79509, 8-292562, 8-320569, 9
-50129, 9-90615, 9-236915, 9
-258452, 9-258453, 9-29122
8, 9-325500, 10-3001, 10-176
No. 23, 10-69091, 11-124531,
Patent Nos. 2643056, 2878150, 280354
No. 9 is exemplified.
【０００９】ここで、定在波を０にするための上層反射
防止膜の屈折率は、レジスト層の屈折率の平方根が理想
的である。ＫｒＦで用いられているポリヒドロキシスチ
レン系のレジスト層の屈折率は１．８であるため、理想
値が１．３４である。ＡｒＦに用いられている脂環族系
レジスト層は、芳香環がなくなるため、一般的に芳香族
系ポリマーに比べて屈折率が低下する。例えば、ポリア
クリレートでは１．６となり、理想値が１．２７にまで
低下する。このような低い屈折率を持つ材料は、テフロ
ン（登録商標）系の材料に限定されるが、上層反射防止
膜はアルカリ現像時に剥離が可能な方がプロセス的に有
利であるため、前述の通り、水溶性材料であることが必
要となる。しかし、非常に疎水性の高いパーフルオロ系
材料を水溶性にするために、親水性置換基を導入する
と、屈折率が増加し、従来のものでは、ＫｒＦでは１．
４２前後、ＡｒＦにおいては１．５前後の値が限界であ
った。従って、ＫｒＦリソグラフィーで、０．２０μｍ
以下のパターニングでは、吸光剤と上層反射防止膜の組
み合わせだけでは定在波の影響を抑えて寸法を制御する
ことができなくなってきている。ＡｒＦリソグラフィー
においては、前記理由により、現状では、上層反射防止
膜の効果は殆ど期待できず、ＫｒＦにおいても今後更な
る線幅の縮小により線幅の管理が厳しくなってくると、
更なる屈折率の低下が必要になってくると考えられる。Here, the refractive index of the upper antireflection film for reducing the standing wave to zero is ideally the square root of the refractive index of the resist layer. Since the refractive index of the polyhydroxystyrene-based resist layer used in KrF is 1.8, the ideal value is 1.34. Since the alicyclic resist layer used for ArF has no aromatic ring, the refractive index is generally lower than that of the aromatic polymer. For example, polyacrylate is 1.6, and the ideal value is reduced to 1.27. Materials having such a low refractive index are limited to Teflon (registered trademark) -based materials. However, it is more advantageous for the upper antireflection film to be peelable at the time of alkali development, as described above. Need to be a water-soluble material. However, when a hydrophilic substituent is introduced to make a very hydrophobic perfluoro-based material water-soluble, the refractive index increases.
The limit was about 42, and about 1.5 in ArF. Therefore, with KrF lithography, 0.20 μm
In the following patterning, it is becoming impossible to control the dimensions by suppressing the influence of the standing wave only by combining the light absorbing agent and the upper antireflection film. In ArF lithography, for the above reasons, at present, the effect of the upper antireflection film can hardly be expected, and even in the case of KrF, if the line width becomes stricter due to further reduction of the line width in the future,
It is considered that a further decrease in the refractive index is required.
【００１０】レジスト上層の反射防止膜に対して、下層
に設ける反射防止膜は、高い反射防止効果を得ることが
できる。下地の反射防止膜は、その下がｐ−ＳｉやＡｌ
などの高反射基盤の場合では、最適な屈折率（ｎ値）、
吸光係数（ｋ値）の材料を適切な膜厚に設定することに
よって、基盤からの反射を１％以下に低減でき、極めて
大きな効果を発揮することができる。例えば、レジスト
層の屈折率が１．８として、露光波長２４８ｎｍ、ｎ
１．５、ｋ０．５５、膜厚５５ｎｍに設定すると、反射
率を０．５％以下にできる。しかしながら、下地に段差
がある場合は、段差上で反射防止膜の膜厚が大きく変動
する。下地の反射防止効果は、光の吸収だけでなく、干
渉効果も利用しているため、干渉効果が強い５０〜６０
ｎｍの第一底辺はそれだけ反射防止効果も高いが、膜厚
の変動によって大きく反射率が変動する。反射防止膜材
料に用いるベースポリマーの分子量を上げて段差上での
膜厚変動を抑えたコンフォーマル性を高めた材料も提案
されている（特開平１０−６９０７２号公報）が、ベー
スポリマーの分子量が高くなると、スピンコート後のピ
ンホールが発生し易くなる問題や、濾過できなくなると
いった問題が生じ、また、コンフォーマル性が発揮でき
るのは比較的高さの低い段差に限定されるといったこと
もあり、万能ではない。An anti-reflection film provided in a lower layer with respect to an anti-reflection film in an upper layer of a resist can obtain a high anti-reflection effect. The underlying anti-reflection film is p-Si or Al
In the case of a high-reflection substrate such as, the optimal refractive index (n value),
By setting the material of the extinction coefficient (k value) to an appropriate film thickness, reflection from the substrate can be reduced to 1% or less, and an extremely large effect can be exhibited. For example, assuming that the refractive index of the resist layer is 1.8, the exposure wavelength is 248 nm, n
When the thickness is set to 1.5, k0.55, and the film thickness is set to 55 nm, the reflectance can be reduced to 0.5% or less. However, when there is a step on the base, the thickness of the antireflection film greatly fluctuates on the step. The anti-reflection effect of the base uses not only light absorption but also an interference effect.
Although the first base of nm has a higher antireflection effect, the reflectance greatly varies depending on the film thickness. A material has been proposed in which the molecular weight of the base polymer used for the antireflection film material is increased to improve the conformal property in which the film thickness variation on the step is suppressed (Japanese Patent Laid-Open No. 10-69072). When the height is high, there is a problem that pinholes are easily generated after spin coating and a problem such that filtration cannot be performed.In addition, conformability can be exhibited only in a step having a relatively low height. Yes, not all-purpose.
【００１１】そこで、反射防止膜の膜厚を上げて、膜厚
変動による反射率の変動が比較的小さい膜厚（８０ｎｍ
以上）を採用する方法が一般的に採られる。また、反射
防止膜の下地がシリコン酸化膜や窒化膜などの透明膜
で、更にその透明膜の下に段差がある場合、透明膜の表
面がＣＭＰなどで平坦化されていたとしても、反射が高
くなる部分が出現する。この場合も、反射率を安定化す
るために、前述と同様反射防止膜の膜厚を８０ｎｍ以上
の厚膜にする必要がある。しかしながら、下地の反射防
止膜を８０ｎｍ以上に設定すると、反射率が上昇し、最
大４％の反射が起きる。０．２０μｍ以下の超微細加工
の寸法制御においては反射率を少なくとも２％以下にし
なければならず、下地の反射防止膜だけでは限界が生じ
ている。しかしながら、上層の反射防止膜との併用で更
に低減できると考えられ、上層反射防止膜の屈折率の更
なる低下が要求されているのである。Therefore, the thickness of the antireflection film is increased so that the change in reflectance due to the change in film thickness is relatively small (80 nm).
The above method is generally adopted. In addition, when the underlayer of the antireflection film is a transparent film such as a silicon oxide film or a nitride film, and there is a step under the transparent film, even if the surface of the transparent film is flattened by CMP or the like, the reflection does not occur. Higher parts appear. Also in this case, in order to stabilize the reflectance, the thickness of the antireflection film needs to be 80 nm or more as described above. However, when the underlying anti-reflection film is set to 80 nm or more, the reflectance increases, and reflection of up to 4% occurs. In dimensional control of ultrafine processing of 0.20 μm or less, the reflectance must be at least 2% or less, and there is a limit to the use of the underlying antireflection film alone. However, it is thought that it can be further reduced by the combined use with the upper antireflection film, and further lowering of the refractive index of the upper antireflection film is required.
【００１２】更に、上層反射防止膜は、本来の反射防止
膜としての機能だけでなく、露光後の環境遮断膜として
の機能、あるいは現像液との親和性を上げることによっ
て現像欠陥を防止するといった機能も有しており、今後
ますます重要な材料になってくると思われる。Further, the upper anti-reflection film not only functions as an original anti-reflection film, but also functions as an environmental barrier film after exposure, or prevents development defects by increasing affinity with a developing solution. It also has functions and is expected to become an increasingly important material in the future.
【００１３】ＡｒＦ用の反射防止膜としては、前述の屈
折率の問題だけでなく、透過率の問題がある。本発明者
らが種々検討した結果、ＫｒＦ用に開発された反射防止
膜の殆どがＡｒＦ光に対して強い吸収があることがわか
った。The antireflection film for ArF has a problem of transmittance as well as the problem of refractive index described above. As a result of various studies by the present inventors, it was found that most of the antireflection films developed for KrF have strong absorption for ArF light.
【００１４】上層反射防止膜に強い吸収があれば、下層
レジストに光が到達しないため、感度が低下するという
問題が生じる。フェニル基などの芳香族や、ビニル基な
どの不飽和炭化水素基がＡｒＦ光に対して強い吸収を持
つことは知られているが、カルボン酸アミドなども強い
吸収を持つ。このため、親水性置換基としてカルボン酸
のアミン塩や、カルボン酸アミドを含むフッ素系界面活
性剤あるいはフッ素系ポリマーを添加し屈折率を下げて
いるもの、あるいはポリビニルピロリドンをバインダー
ポリマーとして使っているものはＡｒＦには使えないこ
とを知見した。If there is strong absorption in the upper antireflection film, light does not reach the lower resist, which causes a problem that sensitivity is reduced. It is known that aromatics such as phenyl groups and unsaturated hydrocarbon groups such as vinyl groups have strong absorption for ArF light, but carboxylic acid amides also have strong absorption. For this reason, amine salts of carboxylic acids, fluorinated surfactants or fluorinated polymers containing carboxylic amides are added as hydrophilic substituents to reduce the refractive index, or polyvinylpyrrolidone is used as a binder polymer. It was found that those cannot be used for ArF.
【００１５】また、エチレンオキサイド、プロピレンオ
キサイドや、アルコール、アミンなどを親水性基として
使うことも考えられるが、アミンはレジストから発生し
た酸と中和して、Ｔ−トッププロファイルになり、他の
ものはレジストと混合してミキシングを起してしまっ
た。It is also conceivable to use ethylene oxide, propylene oxide, alcohol, amine, or the like as a hydrophilic group. However, amine is neutralized with an acid generated from a resist to form a T-top profile, and other amines are used. The thing mixed with the resist and caused mixing.
【００１６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便でかつ環境
問題もなく、生産性が高く、再現性よくレジストパター
ンを形成するための光反射防止膜材料及びこれを用いた
レジストパターンの形成方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances,
Provide an anti-reflection coating material for forming a resist pattern that is fine, has high dimensional accuracy and high alignment accuracy, is simple, has no environmental problems, has high productivity, and has good reproducibility, and a method of forming a resist pattern using the same. The purpose is to do.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、側鎖にスルホニル基を持つパーフルオロカーボン
ポリマー、特に下記一般式（１）又は（２）で示される
ポリマーを光反射防止膜として使用することにより、入
射光の損失なしにレジスト層表面での反射光を低減し、
かつレジスト層での光多重反射干渉によるパターン寸法
精度の低下を防止し得、しかも、水、あるいはアルカリ
現像液で剥離も簡便に行うことができることを知見し
た。また、本発明者らの検討によると、スルホンアミ
ド、スルホン酸のアミン塩はＡｒＦ光に吸収を持たず、
特に本発明における、側鎖に親水性基を持つパーフルオ
ロスルホン酸型の反射防止膜材料は、基本的に他の水溶
性のバインダーポリマーを必要としないため、フッ素含
有量が高く、屈折率が低く、ＡｒＦにおいても透明性が
高いことを見出し、本発明をなすに至った。Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have conducted intensive studies in order to achieve the above object, and as a result, have found that a perfluorocarbon polymer having a sulfonyl group in the side chain, especially By using the polymer represented by (1) or (2) as an anti-reflection film, light reflected on the resist layer surface can be reduced without loss of incident light,
In addition, the inventors have found that a reduction in pattern dimensional accuracy due to light multiple reflection interference at the resist layer can be prevented, and that the separation can be easily performed with water or an alkali developing solution. Further, according to the study of the present inventors, sulfonamides and amine salts of sulfonic acids have no absorption in ArF light,
In particular, the perfluorosulfonic acid type antireflection coating material having a hydrophilic group in a side chain according to the present invention basically has no need for another water-soluble binder polymer, and therefore has a high fluorine content and a high refractive index. It was found that the transparency was low and the transparency was high even in ArF, and the present invention was achieved.
【００１８】即ち、本発明は、半導体素子などの製造工
程における微細加工に用いられる反射防止膜材料のベー
ス樹脂として好適な、側鎖にスルホニル基を持つ水溶性
ポリパーフルオロアルキル材料を含む水溶性反射防止膜
材料、及び遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４
８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）な
どの高エネルギー線を露光光源として用いる際に好適な
パターン形成方法に関するもので、（Ｉ）側鎖にスルホ
ニル基を持つパーフルオロカーボンポリマーを含むこと
を特徴とする水溶性反射防止膜材料、（ＩＩ）上記
（Ｉ）のポリマーが下記一般式（１）又は（２）で示さ
れることを特徴とする水溶性反射防止膜材料、That is, the present invention relates to a water-soluble polyperfluoroalkyl material having a sulfonyl group in a side chain, which is suitable as a base resin of an antireflection film material used for microfabrication in a manufacturing process of a semiconductor device or the like. Anti-reflection coating material, far ultraviolet rays, KrF excimer laser light (24
The present invention relates to a pattern forming method suitable for using a high energy ray such as 8 nm) or ArF excimer laser light (193 nm) as an exposure light source, and (I) comprising a perfluorocarbon polymer having a sulfonyl group in a side chain. (II) a water-soluble anti-reflective coating material, wherein the polymer of (I) is represented by the following general formula (1) or (2):
【化２】 （式中、０≦ａ＜１００、ｂ＝１、０≦ｃ＜２０、１≦
ｄ≦２０、０≦ｅ＜１００、ｆ＝１であり、Ｘ+はＨ+又
はＭＨ+で、Ｍはアミン化合物を示す。）（ＩＩＩ）フ
ォトレジスト層の上層として上記（Ｉ）又は（ＩＩ）の
光反射防止膜材料からなる光反射防止層を形成し、この
光反射防止層を介して上記レジスト層を露光した後に上
記光反射防止層を除去することを特徴とするパターン形
成方法（ＩＶ）レジスト層の露光後、アルカリ水溶液に
よるレジスト層の現像と同時に光反射防止層を除去する
上記（ＩＩＩ）記載のパターン形成方法を提供する。Embedded image (Where 0 ≦ a <100, b = 1, 0 ≦ c <20, 1 ≦
d ≦ 20, 0 ≦ e <100, f = 1, X + is H + or MH + , and M is an amine compound. (III) forming an anti-reflection layer made of the anti-reflection film material of the above (I) or (II) as an upper layer of the photoresist layer, and exposing the resist layer through the anti-reflection layer; The pattern forming method according to the above (III), wherein the anti-reflection layer is removed, and after the resist layer is exposed, the resist layer is removed simultaneously with the development of the resist layer with an aqueous alkali solution. provide.
【００１９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の水溶性反射防止膜材料は、側鎖にスルホニル基
を持つパーフルオロカーボンポリマーを主成分とするも
のである。Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The water-soluble anti-reflective coating material of the present invention contains a perfluorocarbon polymer having a sulfonyl group in a side chain as a main component.
【００２０】このポリマーとしては、特に下記一般式
（１）又は（２）で示される繰り返し単位を有するポリ
マーが好ましい。As the polymer, a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) is particularly preferable.
【００２１】[0021]
【化３】 （式中、０≦ａ＜１００、ｂ＝１、０≦ｃ＜２０、１≦
ｄ≦２０、０≦ｅ＜１００、ｆ＝１であり、Ｘ+はＨ+又
はＭＨ+で、Ｍはアミン化合物を示す。）Embedded image (Where 0 ≦ a <100, b = 1, 0 ≦ c <20, 1 ≦
d ≦ 20, 0 ≦ e <100, f = 1, X + is H + or MH + , and M is an amine compound. )
【００２２】ここで、Ｍのアミン成分としては、水溶性
有機アミノ化合物が望ましく、例えば、アンモニア、ト
リス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、ピリジン、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水
酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチル
アンモニウム、コリン、２，２’，２’’−ニトロトリ
エタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．０］オクタン
（ＤＡＢＣＯ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．
０］ノネン−５（ＤＢＮ）、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１−デオキ
シ−１−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−Ｄ−グルシ
トール、１−デオキシ−１−（メチルアミノ）−Ｄ−ガ
ラクチトールなどが例示される。この水溶性有機アミノ
化合物は、一般式（１）又は（２）で示される化合物の
スルホン酸基１モルに対して０．０１〜１０モル添加す
ることが望ましい。Here, the amine component of M is preferably a water-soluble organic amino compound, such as ammonia, tris (hydroxymethyl) aminomethane, pyridine, trimethylamine, triethylamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, Tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, choline, 2,2 ′, 2 ″ -nitrotriethanol, monoethanolamine, diethanolamine, 1,4-diazabicyclo [2.2.0] octane (DABCO), 1,5-diazabicyclo [4.3.
0] nonene-5 (DBN), 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 (DBU), 1-deoxy-1- (2-hydroxyethylamino) -D-glucitol, 1-deoxy- Examples thereof include 1- (methylamino) -D-galactitol. This water-soluble organic amino compound is preferably added in an amount of 0.01 to 10 mol based on 1 mol of the sulfonic acid group of the compound represented by the general formula (1) or (2).
【００２３】また、式（１）において、ｂ＝１であり、
ａ，ｃ，ｄは、０≦ａ＜１００、０≦ｃ＜２０、１≦ｄ
≦２０であり、好ましくは０≦ａ＜５０、０≦ｃ＜１
０、１≦ｄ≦１０、更に好ましくは０≦ａ＜３０、０≦
ｃ＜８、１≦ｄ≦８である。また、ｃ＋ｄは、好ましく
は１〜２０、特に１〜１０である。In the equation (1), b = 1, and
a, c, d are 0 ≦ a <100, 0 ≦ c <20, 1 ≦ d
≦ 20, preferably 0 ≦ a <50, 0 ≦ c <1
0, 1 ≦ d ≦ 10, more preferably 0 ≦ a <30, 0 ≦
c <8, 1 ≦ d ≦ 8. Further, c + d is preferably 1 to 20, particularly 1 to 10.
【００２４】一方、式（２）において、ｆ＝１であり、
ｅは、０≦ｅ＜１００であり、好ましくは０≦ｅ＜５
０、更に好ましくは０≦ｅ＜３０である。On the other hand, in the equation (2), f = 1, and
e is 0 ≦ e <100, preferably 0 ≦ e <5
0, more preferably 0 ≦ e <30.
【００２５】上記式（１）、（２）のポリマーの重量平
均分子量は、１，０００〜１，０００，０００、特に
２，０００〜１００，０００であることが好ましい。The weight average molecular weight of the polymers of the above formulas (1) and (2) is preferably from 1,000 to 1,000,000, particularly preferably from 2,000 to 100,000.
【００２６】本発明の反射防止膜材料は、ポリマー成分
として上記パーフルオロカーボンポリマーのみを使用す
ることもできるが、成膜性を向上させるために各種の水
溶性ポリマー、例えばポリビニルアルコール、ポリアク
リル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポ
リエチレンオキシド、アミロース、デキストラン、セル
ロース、プルランなどを上記パーフルオロカーボンポリ
マー１００重量部に対して０〜３００重量部添加するこ
とは任意である。In the antireflection coating material of the present invention, the above-mentioned perfluorocarbon polymer alone can be used as a polymer component. However, various water-soluble polymers such as polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, It is optional to add 0 to 300 parts by weight of polymethacrylic acid, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, amylose, dextran, cellulose, pullulan and the like based on 100 parts by weight of the perfluorocarbon polymer.
【００２７】本発明の反射防止膜材料には、塗布性を向
上させるために慣用されている界面活性剤を添加するこ
とができる。なお、その添加量は、本発明の効果を妨げ
ない範囲で通常量とすることができる。The antireflective coating material of the present invention may contain a surfactant which is commonly used to improve coating properties. In addition, the addition amount can be made a normal amount within a range not to impair the effects of the present invention.
【００２８】ここで、界面活性剤としては、パーフルオ
ロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化ア
ルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイ
ド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられ
る。例えばフロラード「ＦＣ−４３０」、「ＦＣ−４３
１」（いずれも住友スリーエム（株）製）、サーフロン
「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４５」、「Ｓ−３８１」、
「Ｓ−３８３」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイ
ン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５
１」（いずれもダイキン工業（株）製）、メガファック
「Ｆ−８１５１」、「Ｆ−１７１」、「Ｆ−１７２」、
「Ｆ−１７３」、「Ｆ−１７７」（いずれも大日本イン
キ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０９２」、「Ｘ−７０
−０９３」（いずれも信越化学工業（株）製）等を挙げ
ることができる。好ましくは、フロラード「ＦＣ−４３
０」（住友スリーエム（株）製）、「Ｘ−７０−０９
３」（信越化学工業（株）製）が挙げられる。Here, examples of the surfactant include perfluoroalkylpolyoxyethylene ethanol, fluorinated alkyl ester, perfluoroalkylamine oxide, and fluorine-containing organosiloxane compounds. For example, Florad “FC-430”, “FC-43”
1 "(all manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon" S-141 "," S-145 "," S-381 ",
"S-383" (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Unidyne "DS-401", "DS-403", "DS-45"
1 "(all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), MegaFac" F-8151 "," F-171 "," F-172 ",
"F-173", "F-177" (all manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.), "X-70-092", "X-70"
-093 "(all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like. Preferably, Florad “FC-43
0 "(manufactured by Sumitomo 3M Limited)," X-70-09 "
3 "(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
【００２９】また、水溶性反射防止膜材料は、泡を発生
し易く、マイクロバブルと呼ばれるミクロン単位の微細
な泡がパタ−ン欠陥を発生させるといわれている。マイ
クロバブルを低減させるためには、消泡剤を添加する方
法が一般的である。水溶液用の消泡剤としては、大豆
油、コーン油、オリーブ油、アマニ油、ヒマシ油、ラー
ド油などの天然油脂類、アミルアルコール、オクチルア
ルコールなどの長鎖アルコール類、シリコーン樹脂類な
どが一般的に知られているが、これらのものは、水和性
が低い、あるいは全く水和しない材料である。前記材料
は、消泡性に優れるが、水溶性材料に添加して、スピン
コーティングで成膜するときに、塗りムラが生じ、均一
に成膜できない。スピンコーティングにより均一に成膜
するためには、水和性が高い消泡剤が必要である。本発
明において、水和性の高い消泡剤として、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアル
コール、ｎ−ヘキシルアルコール、エチレングリコール
などのアルコール類、又は下記一般式（３）、（４）で
示されるアセチレン系消泡剤を効果量用いることができ
る。The water-soluble anti-reflection coating material is liable to generate bubbles, and it is said that microbubbles in the order of microns called microbubbles generate pattern defects. In order to reduce microbubbles, a method of adding an antifoaming agent is generally used. As antifoaming agents for aqueous solutions, natural oils and fats such as soybean oil, corn oil, olive oil, linseed oil, castor oil, lard oil, long-chain alcohols such as amyl alcohol and octyl alcohol, and silicone resins are common. These are materials which have low or no hydration properties. Although the above-mentioned material has excellent defoaming properties, when it is added to a water-soluble material to form a film by spin coating, coating unevenness occurs and a uniform film cannot be formed. In order to form a uniform film by spin coating, an antifoaming agent having high hydration property is required. In the present invention, methanol,
Alcohols such as ethanol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, n-hexyl alcohol, and ethylene glycol, or acetylene-based defoamers represented by the following general formulas (3) and (4) can be used in an effective amount.
【００３０】[0030]
【化４】 Embedded image
【００３１】ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ7，Ｒ8は
それぞれ同一又は異種の水素原子あるいは炭素数１〜２
０のアルキル基、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ10は炭素数１〜１０のア
ルキレン基、ｍ，ｎ，ｏは０〜２０の整数である。Here, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 7 , and R 8 are the same or different hydrogen atoms or C 1 -C 2, respectively.
An alkyl group of 0, R 5 , R 6 , and R 10 are alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms, and m, n, and o are integers of 0 to 20.
【００３２】本発明の光反射防止膜材料を用いてレジス
トパターンを形成するためには、公知の方法を採用し
得、例えば図１に示すリソグラフィー工程により行うこ
とができる。まず、基盤１上層上にスピンコート等の方
法でフォトレジスト層２を形成し（Ａ）、場合によって
はプリベークを行い、このフォトレジスト層２の上に本
発明の光反射防止膜材料をスピンコート等の方法で塗布
して、場合によっては更にプリベークを行い、光反射防
止層３を形成する（Ｂ）。光反射防止層３に波長１８０
〜５００ｎｍの紫外線４を縮小投影露光法によりパター
ン形状に露光し、即ち図１（Ｃ）においてＡ部分を露光
し、次いで光反射防止層３を除去し、現像液を用いて現
像する方法によりレジストパターン５を形成することが
できる（Ｄ）。露光後、場合によってはポストエクスポ
ジュアーベーク（ＰＥＢ）を行ってもよいが、レジスト
層が化学増幅型レジスト層である場合は、ＰＥＢ工程が
必須となる。この場合、光反射防止層を除去後、ＰＥＢ
を行ってもよく、ＰＥＢ後、光反射防止層を除去しても
よい。In order to form a resist pattern using the anti-reflection coating material of the present invention, a known method can be employed, for example, by a lithography process shown in FIG. First, a photoresist layer 2 is formed on the upper layer of the substrate 1 by a method such as spin coating (A), and in some cases, prebaking is performed, and the anti-reflection coating material of the present invention is spin-coated on the photoresist layer 2. The anti-reflection layer 3 is formed by applying such a method as described above and, if necessary, further performing prebaking (B). The light reflection preventing layer 3 has a wavelength of 180
Exposure of ultraviolet rays 4 of up to 500 nm in a pattern shape by a reduced projection exposure method, that is, exposure of the portion A in FIG. 1C, removal of the antireflection layer 3 and development of the resist using a developing solution. A pattern 5 can be formed (D). After exposure, post-exposure bake (PEB) may be performed in some cases, but if the resist layer is a chemically amplified resist layer, a PEB step is essential. In this case, after removing the light reflection preventing layer, PEB
After PEB, the anti-reflection layer may be removed.
【００３３】なお、光反射防止膜材料の希釈液として
は、純水を使うことができる。更に、光反射防止層の除
去は、通常のフォトレジスト現像ユニットの利用が可能
であり、純水でリンスすることができるし、ＰＥＢ後の
剥離であれば現像と同時に剥離することができる。In addition, pure water can be used as the diluting liquid for the anti-reflection film material. Further, the removal of the anti-reflection layer can be carried out by using a normal photoresist developing unit, which can be rinsed with pure water, and can be peeled off simultaneously with development if it is peeled off after PEB.
【００３４】ここで、本発明の光反射防止膜の光低減効
果について図２，３を参照して説明すると、図２に示す
ように、基盤１にレジスト層２を形成しただけでは、入
射光Ｉ0が空気−レジスト界面でかなりの反射Ｉｒ1が起
こり、入射光量が損失すると共に、レジスト層２内に入
った光がレジスト層−基盤界面で反射Ｉｒ2し、この反
射光Ｉｒ2がレジスト層−空気界面で再度反射Ｉｒ3する
ことが繰り返されるため、レジスト層で光多重反射干渉
が生じる。Here, the light reducing effect of the anti-reflection film of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3. If the resist layer 2 is simply formed on the substrate 1 as shown in FIG. I 0 is the air - resist interface at occur considerable reflection Ir 1, with the amount of incident light is lost, light resist layer containing the resist layer 2 - reflected Ir 2 on the base surface, the reflected light Ir 2 resist layer - for repeated that again reflected Ir 3 at the air interface, the light multiple reflection interference occurs in the resist layer.
【００３５】これに対して、図３に示すように、レジス
ト層２上に本発明の光反射防止層３を形成することによ
り、入射光Ｉ0の空気−光反射防止膜界面での反射Ｉ
ｒ4、光反射防止膜−レジスト層界面での反射Ｉｒ5を低
減し得るので入射光量の損失が減少し、またＩｒ6とＩ
ｒ7は光の位相が逆になるように光反射防止層３の膜厚
が設定されているので、互いに弱め合い、レジスト層２
内での光多重干渉が抑制される。On the other hand, as shown in FIG. 3, by forming the anti-reflection layer 3 of the present invention on the resist layer 2, the reflection I of the incident light I 0 at the interface between the air and the anti-reflection film is obtained.
r 4 , the reflection Ir 5 at the interface between the antireflection film and the resist layer can be reduced, so that the loss of the incident light amount is reduced, and Ir 6 and I
Since the thickness of the anti-reflection layer 3 is set so that the phase of light is reversed, r 7 weakens each other and the resist layer 2
Optical multiplex interference in the optical fiber is suppressed.
【００３６】反射防止の原理から、レジストの露光光に
対する屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、光反射
防止膜の屈折率ｎ’を√ｎ、その膜厚をλ／４ｎ’の奇
数倍に近づけるほど、反射率が低減し、定在波の影響を
低減できる。From the principle of anti-reflection, assuming that the refractive index of the resist to the exposure light is n and the wavelength of the exposure light is λ, the refractive index n ′ of the anti-reflection film is Δn and the film thickness is λ / 4n ′. As the number approaches an odd number, the reflectance decreases, and the effect of the standing wave can be reduced.
【００３７】[0037]
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。 ［実施例］下記ポリマー１，２，３の１ｇを純水４０ｇ
に十分溶解し、０．１μｍサイズのフィルターで濾過し
て反射防止膜溶液（サンプル１〜３）を作成した。The present invention will be described below in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. [Example] 1 g of the following polymers 1, 2 and 3 were mixed with 40 g of pure water.
, And filtered through a 0.1 μm size filter to prepare an antireflection coating solution (samples 1 to 3).
【００３８】[0038]
【化５】 Embedded image
【００３９】次に、上記反射防止膜溶液を８インチシリ
コンウェハー上にディスペンスし、はじめに３００ｒｐ
ｍで３秒間、その後４，０００ｒｐｍで２０秒間ウェハ
ーを回転させ、膜厚４６ｎｍの反射防止膜を形成し、分
光エリプソメトリで膜厚と屈折率、分光光度計で透過率
を測定した。結果を表１に示す。この結果より、ＫｒＦ
だけでなく、ＡｒＦにおいても高い透過率と、低い屈折
率が確認できた。Next, the antireflection film solution was dispensed on an 8-inch silicon wafer, and firstly 300 rpm
The wafer was rotated at m for 3 seconds and then at 4,000 rpm for 20 seconds to form an antireflection film having a thickness of 46 nm, and the film thickness and refractive index were measured by spectroscopic ellipsometry, and the transmittance was measured by a spectrophotometer. Table 1 shows the results. From this result, KrF
Not only that, but also for ArF, a high transmittance and a low refractive index could be confirmed.
【００４０】[0040]
【表１】 [Table 1]
【００４１】次いで、ＫｒＦリソグラフィー用フォトレ
ジストＳＥＰＲ４０１（信越化学工業（株）製、膜透過
率３０％／μｍ）を、８インチのＳｉ基盤上に回転数を
変えながらスピンコートし、温度１００℃、時間９０秒
の条件でプリベークした。その上にサンプル１〜３の反
射防止膜溶液をディスペンスし、はじめに３００ｒｐｍ
で３秒間、その後４，０００ｒｐｍで２０秒間ウェハー
を回転させ、反射防止膜を形成した。Next, a photoresist SEPR401 for KrF lithography (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., membrane transmittance 30% / μm) was spin-coated on an 8-inch Si substrate while changing the rotation speed, and the temperature was 100 ° C. Prebaking was performed under the condition of a time of 90 seconds. The anti-reflective coating solutions of Samples 1 to 3 were dispensed thereon, and firstly 300 rpm
For 3 seconds and then at 4,000 rpm for 20 seconds to form an anti-reflection film.
【００４２】ＫｒＦエキエシマレーザーステッパーでラ
インとスペース幅がそれぞれ０．２０μｍになるパター
ンを露光し、その後温度１１０℃、時間９０秒でポスト
エクスポジュアーベークし、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド２．３８重量％の現像液で温度２３
℃、時間６０秒で静止パドル現像を行い、純水リンスを
行った。結果を図４に示す。図４の結果より、本発明の
反射防止膜材料を使うことにより、定在波による線幅の
振幅を抑えることが可能であることが確認できた。A pattern having a line and space width of 0.20 μm each was exposed with a KrF excimer laser stepper, and then post-exposure baked at a temperature of 110 ° C. for a time of 90 seconds to obtain tetramethylammonium hydroxide 2.38. 23% by weight in developer
Static paddle development was performed at 60 ° C. for 60 seconds, and pure water rinsing was performed. FIG. 4 shows the results. From the results of FIG. 4, it was confirmed that the use of the antireflection coating material of the present invention can suppress the amplitude of the line width due to the standing wave.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明の光反射防止膜材料は、微細で寸
法精度及び合わせ精度が高く、再現性よくレジストパタ
ーンを形成し得る。The anti-reflection coating material of the present invention is fine, has high dimensional accuracy and alignment accuracy, and can form a resist pattern with good reproducibility.
【図１】光反射防止膜を利用したリソグラフィー工程の
一説明図である。FIG. 1 is an explanatory view of a lithography process using an anti-reflection film.
【図２】光反射防止膜を用いない場合の入射光の反射状
態の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a reflection state of incident light when a light reflection preventing film is not used.
【図３】光反射防止膜を用いた場合の入射光の反射状態
の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a reflection state of incident light when an anti-reflection film is used.
【図４】光反射防止膜を用いた場合と用いない場合にお
けるレジスト層膜厚とレジスト線幅との関係を示すグラ
フである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a resist layer thickness and a resist line width when an anti-reflection film is used and when it is not used.
１ 基盤 ２ フォトレジスト層 ３ 光反射防止層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン Reference Signs List 1 base 2 photoresist layer 3 antireflection layer 4 ultraviolet ray 5 resist pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 淳 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AB16 AC04 AC08 DA02 DA03 FA17 4F006 AA11 AB19 BA14 CA03 DA04 5F046 PA07 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Atsushi Watanabe, Inventor 28-1 Nishifukushima, Kushiro-mura, Nakakubijo-gun, Niigata Prefecture F-term in Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd. Synthetic Technology Research Laboratories 2H025 AA03 AA04 AB16 AC04 AC08 DA02 DA03 FA17 4F006 AA11 AB19 BA14 CA03 DA04 5F046 PA07
Claims (4)
カーボンポリマーを含むことを特徴とする水溶性反射防
止膜材料。1. A water-soluble anti-reflective coating material comprising a perfluorocarbon polymer having a sulfonyl group in a side chain.
（１）又は（２）で示されることを特徴とする水溶性反
射防止膜材料。 【化１】 （式中、０≦ａ＜１００、ｂ＝１、０≦ｃ＜２０、１≦
ｄ≦２０、０≦ｅ＜１００、ｆ＝１であり、Ｘ+はＨ+又
はＭＨ+で、Ｍはアミン化合物を示す。）2. A water-soluble anti-reflective coating material, wherein the polymer according to claim 1 is represented by the following general formula (1) or (2). Embedded image (Where 0 ≦ a <100, b = 1, 0 ≦ c <20, 1 ≦
d ≦ 20, 0 ≦ e <100, f = 1, X + is H + or MH + , and M is an amine compound. )
又は２記載の光反射防止膜材料からなる光反射防止層を
形成し、この光反射防止層を介して上記レジスト層を露
光した後に上記光反射防止層を除去することを特徴とす
るパターン形成方法。3. The method according to claim 1, wherein the photoresist layer is an upper layer.
Or forming a light anti-reflection layer made of the light anti-reflection film material according to 2, and exposing the resist layer through the light anti-reflection layer, and then removing the light anti-reflection layer. .
よるレジスト層の現像と同時に光反射防止層を除去する
請求項３記載のパターン形成方法。4. The pattern forming method according to claim 3, wherein after the exposure of the resist layer, the anti-reflection layer is removed simultaneously with the development of the resist layer with an aqueous alkali solution.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004067655A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Asahi Glass Company, Limited | Coating composition, antireflective film, photoresist and pattern forming method using same |
| JP2006039129A (en) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sony Corp | Laminated structure for liquid immersion exposure, liquid immersion exposure method, manufacturing method of electronic device, and electronic device |
| US7455952B2 (en) | 2004-04-16 | 2008-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist overcoat material |
| US7771918B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004067655A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Asahi Glass Company, Limited | Coating composition, antireflective film, photoresist and pattern forming method using same |
| JPWO2004067655A1 (en) * | 2003-01-29 | 2006-05-18 | 旭硝子株式会社 | Coating composition, antireflection film, photoresist, and pattern forming method using the same |
| US7262243B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-08-28 | Asahi Glass Company, Limited | Coating composition, antireflection film, photoresist and pattern formation method using it |
| US7455952B2 (en) | 2004-04-16 | 2008-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist overcoat material |
| US7771918B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| JP2006039129A (en) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sony Corp | Laminated structure for liquid immersion exposure, liquid immersion exposure method, manufacturing method of electronic device, and electronic device |
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