JP2001192837A - Plasma cvd system - Google Patents
Plasma cvd systemInfo
- Publication number
- JP2001192837A JP2001192837A JP2000005469A JP2000005469A JP2001192837A JP 2001192837 A JP2001192837 A JP 2001192837A JP 2000005469 A JP2000005469 A JP 2000005469A JP 2000005469 A JP2000005469 A JP 2000005469A JP 2001192837 A JP2001192837 A JP 2001192837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- magnetic field
- substrate
- magnet
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤを
用いて薄膜を形成するための装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an apparatus for forming a thin film using plasma CVD.
【０００２】[0002]
【従来の技術】Ｓｉ薄膜やＤＬＣ（Diamond Like Carbo
n）薄膜の形成には、プラズマＣＶＤが利用されてい
る。また、半導体素子等の製造に必要とされる微細パタ
ーンの形成には、プラズマエッチングが利用されてい
る。プラズマＣＶＤは、反応ガスをプラズマ化し、この
プラズマ中のイオン、ラジカル等の電離・解離種を、基
板の表面に堆積させることにより薄膜形成を行う方法で
ある。2. Description of the Related Art Si thin films and DLC (Diamond Like Carbo)
n) Plasma CVD is used to form a thin film. In addition, plasma etching is used to form a fine pattern required for manufacturing a semiconductor element or the like. Plasma CVD is a method of forming a thin film by converting a reaction gas into plasma and depositing ionized and dissociated species such as ions and radicals in the plasma on the surface of a substrate.
【０００３】プラズマＣＶＤに用いるプラズマ発生源と
しては、例えば、１００kHz〜２００MHzの周波数を用い
た容量結合型高周波プラズマ源や、特開昭６４−６５８
４３号公報に開示されているようなエレクトロン・サイ
クロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）を利用したものがあ
る。このうち容量結合型高周波プラズマ源は、大面積処
理および安定放電が可能で、かつ、ＥＣＲプラズマ発生
源に比べ安価に製造できる。As a plasma generation source used for plasma CVD, for example, a capacitively-coupled high-frequency plasma source using a frequency of 100 kHz to 200 MHz or JP-A-64-658 is known.
There is a device utilizing electron cyclotron resonance (ECR) as disclosed in Japanese Patent Publication No. 43-43. Among them, the capacitively-coupled high-frequency plasma source can perform large-area processing and stable discharge, and can be manufactured at a lower cost than an ECR plasma source.
【０００４】容量結合型高周波プラズマ処理装置は、高
周波電極と接地電極との間にプラズマを発生させる方式
であり、結合コンデンサを介して高周波電極に高周波電
圧を印加する。このとき、自己バイアス効果により平均
的に負の深いバイアスが形成されるので、高周波電極は
陰極として機能する。そして、高周波電極と接地電極と
の間には、グロー領域が生じる。本明細書では、高周波
電極を陰極と呼び、接地電極を陽極と呼ぶ。The capacitively coupled high-frequency plasma processing apparatus generates plasma between a high-frequency electrode and a ground electrode, and applies a high-frequency voltage to the high-frequency electrode via a coupling capacitor. At this time, a deep negative bias is formed on average by the self-bias effect, so that the high-frequency electrode functions as a cathode. Then, a glow region is generated between the high-frequency electrode and the ground electrode. In this specification, the high-frequency electrode is called a cathode, and the ground electrode is called an anode.
【０００５】図６に、容量結合型プラズマ処理装置の主
要部断面図を示す。図６に示す装置では、陰極２と、陽
極として機能する基板ホルダ３１とが対向して配置さ
れ、陰極２には、結合コンデンサ４を介して高周波電源
５が接続され、基板ホルダ３１は接地されている。陰極
２に高周波電圧が印加されると、両電極の間にはプラズ
マが生成し、プラズマ生成領域６が形成される。FIG. 6 is a sectional view of a main part of a capacitively coupled plasma processing apparatus. In the apparatus shown in FIG. 6, a cathode 2 and a substrate holder 31 functioning as an anode are arranged to face each other, a high frequency power supply 5 is connected to the cathode 2 via a coupling capacitor 4, and the substrate holder 31 is grounded. ing. When a high-frequency voltage is applied to the cathode 2, plasma is generated between the two electrodes, and a plasma generation region 6 is formed.
【０００６】プラズマＣＶＤ法では、薄膜の前駆体とな
る活性種がプラズマ生成領域で形成され、これが基板３
の表面に付着することにより、基板３表面に薄膜が形成
される。しかし、この活性種は、基板表面に付着するに
とどまらず、プラズマ生成領域近傍の電極、その支持部
材、反応室（真空槽）の壁面などにも付着して膜化す
る。そして、長時間あるいは繰り返しプラズマＣＶＤを
行うと、基板表面以外の領域で膜化した部分が厚くな
り、ある程度の厚さになると剥離してフレーク状とな
り、その一部が基板表面に付着する。そのため、基板表
面に形成されるプラズマＣＶＤ膜にピンホール等の欠陥
が生じてしまう。[0006] In the plasma CVD method, active species to be a precursor of a thin film are formed in a plasma generation region, and this is formed on a substrate 3.
A thin film is formed on the surface of the substrate 3 by adhering to the surface of the substrate 3. However, the active species adhere not only to the substrate surface, but also to the electrode near the plasma generation region, its support member, the wall surface of the reaction chamber (vacuum tank), etc. to form a film. Then, when plasma CVD is performed for a long time or repeatedly, a portion formed into a film in a region other than the surface of the substrate becomes thicker. Therefore, a defect such as a pinhole occurs in the plasma CVD film formed on the substrate surface.
【０００７】このような欠陥の発生を防ぐために、反応
室内を定期的にクリーニングする必要がある。Ｓｉ薄膜
の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置では、四フッ化炭素
や三フッ化窒素等のガスを用いてプラズマを発生させ、
いわゆるドライエッチングによりクリーニングすること
が一般的である。また、反応室の壁面を覆う防着板をあ
らかじめ設けておき、この防着板と電極とを定期的に取
り外してクリーニングする方法も利用されている。In order to prevent such defects from occurring, it is necessary to periodically clean the reaction chamber. In a plasma CVD apparatus used for forming a Si thin film, plasma is generated using a gas such as carbon tetrafluoride or nitrogen trifluoride,
Generally, cleaning is performed by so-called dry etching. Further, a method is also used in which a deposition-preventing plate that covers the wall surface of the reaction chamber is provided in advance, and the deposition-preventing plate and the electrode are periodically removed for cleaning.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような定
期的なクリーニングは、プラズマＣＶＤ装置の稼働率を
著しく低下させる。However, such periodic cleaning significantly lowers the operation rate of the plasma CVD apparatus.
【０００９】本発明の目的は、プラズマＣＶＤ装置にお
いて、基板表面以外への膜付着を抑制することにより、
稼働率を向上させることである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to suppress film deposition on a surface other than a substrate in a plasma CVD apparatus.
It is to improve the operation rate.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。 （１） 陰極と基板との間にプラズマを発生させ、この
プラズマにより反応ガスを分解して基板表面に薄膜を形
成する装置であって、磁場発生手段を有し、この磁場発
生手段が発生する磁場を少なくとも利用して、基板近傍
に限定してプラズマが存在するようにプラズマを閉じ込
めるプラズマＣＶＤ装置。 （２） 前記磁場発生手段の少なくとも一部として筒状
磁石を設け、この筒状磁石をその中心軸が基板表面とほ
ぼ直交するように配置し、この筒状磁石と基板との間お
よび／または筒状磁石の周壁内にギャップを設け、筒状
磁石から発生する磁場を前記ギャップ中に存在させ、こ
の磁場によって前記ギャップからのプラズマの漏出を防
ぐことにより、プラズマを基板近傍および前記筒状磁石
の内部に限定して存在させる上記（１）のプラズマＣＶ
Ｄ装置。 （３） 前記ギャップ内に、プラズマ漏出方向にほぼ直
交する向きの磁場が存在する上記（２）のプラズマＣＶ
Ｄ装置。 （４） 前記磁場発生手段の一部として、基板の裏面側
に対向磁石を設け、この対向磁石と前記筒状磁石とを、
互いに異極同士が対向するように配置した上記（２）ま
たは（３）のプラズマＣＶＤ装置。 （５） 前記筒状磁石の一端と前記基板との間に前記ギ
ャップが存在し、前記筒状磁石の他端側に陰極が存在
し、プラズマに曝されたときに単体で膜を形成するガス
を前記ギャップから導入し、プラズマに曝されたときに
単体では膜を形成しないガスを前記陰極側から導入する
よう構成した上記（４）のプラズマＣＶＤ装置。 （６） 前記筒状磁石の構成要素として少なくとも１つ
のソレノイドコイルを用い、このソレノイドコイルをそ
の中心軸が基板表面とほぼ直交するように配置し、前記
ソレノイドコイル中において隣り合う巻線間に存在する
空間を、前記ギャップとして利用する上記（２）または
（３）のプラズマＣＶＤ装置。 （７） 前記ソレノイドコイルが複数存在し、これらの
ソレノイドコイルが筒状に配置されて前記筒状磁石の周
壁となっている上記（６）のプラズマＣＶＤ装置。 （８） 前記ソレノイドコイルが１つ存在し、このソレ
ノイドコイルが前記筒状磁石の周壁となっている上記
（６）のプラズマＣＶＤ装置。This and other objects are achieved by the present invention which is defined below as (1) to (8). (1) An apparatus for generating a plasma between a cathode and a substrate and decomposing a reaction gas by the plasma to form a thin film on the substrate surface, the apparatus having a magnetic field generating means, and the magnetic field generating means generates the magnetic field. A plasma CVD apparatus for confining plasma so that plasma exists only in the vicinity of a substrate by using at least a magnetic field. (2) A cylindrical magnet is provided as at least a part of the magnetic field generating means, and the cylindrical magnet is arranged so that its central axis is substantially perpendicular to the surface of the substrate, and between the cylindrical magnet and the substrate and / or A gap is provided in the peripheral wall of the cylindrical magnet, a magnetic field generated from the cylindrical magnet is present in the gap, and the magnetic field prevents plasma from leaking from the gap, thereby causing plasma to be generated near the substrate and the cylindrical magnet. The plasma CV according to the above (1), which exists only inside the
D device. (3) The plasma CV according to the above (2), wherein a magnetic field substantially perpendicular to the plasma leakage direction exists in the gap.
D device. (4) As a part of the magnetic field generating means, an opposing magnet is provided on the back side of the substrate, and the opposing magnet and the cylindrical magnet are
The plasma CVD apparatus according to the above (2) or (3), wherein different polarities are opposed to each other. (5) A gas that has the gap between one end of the cylindrical magnet and the substrate, has a cathode at the other end of the cylindrical magnet, and forms a film alone when exposed to plasma. Is introduced from the gap, and a gas that does not form a film alone when exposed to plasma is introduced from the cathode side. (6) At least one solenoid coil is used as a component of the cylindrical magnet, and the solenoid coil is arranged so that its central axis is substantially perpendicular to the substrate surface, and is provided between adjacent windings in the solenoid coil. The plasma CVD apparatus according to the above (2) or (3), wherein a space formed is used as the gap. (7) The plasma CVD apparatus according to the above (6), wherein a plurality of the solenoid coils are present, and these solenoid coils are arranged in a cylindrical shape to form a peripheral wall of the cylindrical magnet. (8) The plasma CVD apparatus according to (6), wherein there is one solenoid coil, and this solenoid coil serves as a peripheral wall of the cylindrical magnet.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明ではプラズマＣＶＤ装置に
おいて、表面にプラズマＣＶＤ薄膜が形成される基板近
傍に磁場発生手段を設け、この磁場発生手段が発生する
磁場を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズ
マが存在するようにプラズマを閉じ込める。そのため、
基板表面以外の領域、例えば基板ホルダや反応室の壁
面、に反応生成物が付着しにくい。したがって、反応室
の壁面および反応室内に設置された部材をクリーニング
する頻度を著しく低くすることができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, in a plasma CVD apparatus, a magnetic field generating means is provided near a substrate on which a plasma CVD thin film is formed, and at least a magnetic field generated by the magnetic field generating means is used near a substrate. The plasma is confined so that the plasma is limited. for that reason,
Reaction products are less likely to adhere to regions other than the substrate surface, such as the substrate holder and the wall surfaces of the reaction chamber. Therefore, the frequency of cleaning the wall surface of the reaction chamber and the members installed in the reaction chamber can be significantly reduced.
【００１２】次に、本発明の好ましい態様を説明する。
本発明では、前記磁場発生手段の少なくとも一部とし
て、基板表面とほぼ直交する向きの中心軸を有する筒状
磁石を用いることが好ましい。そして、この筒状磁石と
基板との間および／または筒状磁石内にギャップを設
け、このギャップ内に、プラズマ漏出方向にほぼ直交す
る向きの磁場を存在させることが好ましい。これによ
り、プラズマを基板近傍および筒状磁石内部に閉じ込め
ることができる。Next, a preferred embodiment of the present invention will be described.
In the present invention, it is preferable to use, as at least a part of the magnetic field generating means, a cylindrical magnet having a central axis substantially perpendicular to the substrate surface. Preferably, a gap is provided between the cylindrical magnet and the substrate and / or in the cylindrical magnet, and a magnetic field in a direction substantially perpendicular to the plasma leakage direction is preferably provided in the gap. This makes it possible to confine the plasma near the substrate and inside the cylindrical magnet.
【００１３】以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置の構成
例を具体的に説明する。Hereinafter, a configuration example of the plasma CVD apparatus of the present invention will be described in detail.
【００１４】図１に、本発明のプラズマＣＶＤ装置の第
１の態様における構成例を示す。第１の態様では、前記
磁場発生手段として、前記筒状磁石に加え対向磁石を設
ける。この対向磁石は、基板３の裏面側に設けられる。
この対向磁石と前記筒状磁石とは、互いに異極同士が対
向するように配置される。FIG. 1 shows an example of the configuration of a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the first aspect, an opposing magnet is provided as the magnetic field generating means in addition to the cylindrical magnet. This opposed magnet is provided on the back surface side of the substrate 3.
The opposite magnet and the cylindrical magnet are arranged such that different poles face each other.
【００１５】図１には、プラズマＣＶＤ装置の反応室
（真空槽）内部を示してあり、反応室の壁面は図示を省
略してある。この装置では、陰極２と、陽極として機能
する基板ホルダ３１とが対向して配置され、基板ホルダ
３１の表面には基板３が設置されている。陰極２には、
結合コンデンサ４を介して高周波電源５が接続され、基
板ホルダ３１は接地されている。陰極２の裏面側（図中
下側）には、ステンレス等の導電性材料から構成される
シールド部材２１が、テフロン等から構成される絶縁部
材２２を介して設けられている。FIG. 1 shows the inside of a reaction chamber (vacuum tank) of a plasma CVD apparatus, and the wall surface of the reaction chamber is not shown. In this apparatus, a cathode 2 and a substrate holder 31 functioning as an anode are arranged to face each other, and a substrate 3 is placed on the surface of the substrate holder 31. On the cathode 2,
The high frequency power supply 5 is connected via the coupling capacitor 4, and the substrate holder 31 is grounded. A shield member 21 made of a conductive material such as stainless steel is provided on the back surface side (the lower side in the figure) of the cathode 2 via an insulating member 22 made of Teflon or the like.
【００１６】図１における磁場発生手段は、前記筒状磁
石として機能する第１の磁石１１と、前記対向磁石とし
て機能する第２の磁石１２とを有する。第１の磁石１１
の下端は陰極２の外周付近に密着し、その上端はギャッ
プを介して基板３表面と対向している。第２の磁石１２
は筒状体であり、基板ホルダ３１の裏面に密着して存在
し、その中心孔内には基板ホルダ３１を支持する棒状体
が挿入されている。これら両磁石は、いずれも両端面が
磁極となっており、互いに異極同士が対向するように配
置されている。したがって前記ギャップ中には、ギャッ
プの長さ方向にほぼ平行な向きの磁場が存在する。The magnetic field generating means in FIG. 1 has a first magnet 11 functioning as the cylindrical magnet and a second magnet 12 functioning as the counter magnet. First magnet 11
Is in close contact with the outer periphery of the cathode 2 and its upper end faces the surface of the substrate 3 via a gap. Second magnet 12
Is a cylindrical body, which is in close contact with the back surface of the substrate holder 31, and a rod-like body that supports the substrate holder 31 is inserted into the center hole thereof. Both of these magnets have magnetic poles at both end faces, and are arranged so that different poles face each other. Therefore, a magnetic field exists in the gap in a direction substantially parallel to the length direction of the gap.
【００１７】この装置において陰極２に高周波電圧が印
加され、反応室内に反応ガスが導入されると、陰極２と
基板ホルダ３１との間の空間にはプラズマが生成する。
磁場発生手段を設けない従来の装置では、図６に示すよ
うにプラズマが広がってしまう。これに対し図１に示す
装置では、前記空間下部におけるプラズマの広がりは、
第１の磁石１１の内周面およびその近傍に存在する磁場
により阻まれ、前記空間上部におけるプラズマの広がり
は、前記ギャップ中に存在する磁場により阻まれる。す
なわち、プラズマを構成する荷電粒子が前記ギャップ中
に侵入すると、侵入方向とほぼ直交する向きの磁場中に
飛び込むことになり、その結果、荷電粒子は螺旋状に運
動する力を受け、ギャップを通過することができない。
したがって、図１の装置では、プラズマ生成領域６の存
在範囲が図示するように制限される。In this apparatus, when a high-frequency voltage is applied to the cathode 2 and a reaction gas is introduced into the reaction chamber, plasma is generated in the space between the cathode 2 and the substrate holder 31.
In the conventional device without the magnetic field generating means, the plasma spreads as shown in FIG. On the other hand, in the apparatus shown in FIG.
The magnetic field existing on the inner peripheral surface of the first magnet 11 and its vicinity is blocked by the magnetic field, and the spread of the plasma in the upper part of the space is blocked by the magnetic field existing in the gap. That is, when the charged particles constituting the plasma enter the gap, the charged particles jump into the magnetic field in a direction substantially perpendicular to the entry direction, and as a result, the charged particles receive the force of spiral movement and pass through the gap. Can not do it.
Therefore, in the apparatus shown in FIG. 1, the existence range of the plasma generation region 6 is limited as shown.
【００１８】反応ガスはプラズマ生成領域６において分
解され、活性種等の反応生成物が生成する。この反応生
成物が基板３の表面に付着することにより、基板３表面
に薄膜が形成される。図６に示す従来の装置では、プラ
ズマ生成領域６が基板ホルダ３１を超えて広がっている
ため、反応生成物が基板ホルダや反応室の壁面にも付着
する。そのため、前述したように、頻繁にクリーニング
を行わないと膜欠陥が生じやすい。これに対し図１に示
す装置では、プラズマ生成領域６が基板３近傍に限定し
て存在するため、反応生成物が基板３表面以外に付着し
にくい。The reaction gas is decomposed in the plasma generation region 6 to generate a reaction product such as an active species. When the reaction product adheres to the surface of the substrate 3, a thin film is formed on the surface of the substrate 3. In the conventional apparatus shown in FIG. 6, since the plasma generation region 6 extends beyond the substrate holder 31, the reaction product also adheres to the substrate holder and the wall surface of the reaction chamber. Therefore, as described above, if cleaning is not performed frequently, film defects are likely to occur. On the other hand, in the apparatus shown in FIG. 1, since the plasma generation region 6 exists only in the vicinity of the substrate 3, the reaction product hardly adheres to a portion other than the surface of the substrate 3.
【００１９】図示例では、Ｓｉ薄膜を形成するための反
応ガスとして、水素（Ｈ2）とモノシラン（ＳｉＨ4）と
を導入する構成としてある。活性種の供給源となるモノ
シランは、第１の磁石１１と基板３表面との間のギャッ
プからプラズマ生成領域６内に導入される。反応ガスは
中性であるため、ギャップ中に存在する磁場によって導
入が阻害されることはない。図示するギャップを通して
反応ガスの流入および流出を行えば、基板近傍において
一方向性のガス流が形成される。そのため、プラズマ生
成領域６中において活性種同士の反応により生成したパ
ーティクルを、速やかにプラズマ生成領域６外に排出す
ることができる。プラズマ生成領域６内において生成し
たパーティクルはパーティクル同士が衝突して成長し、
基板上に堆積中の薄膜に付着して欠陥を生じさせるが、
パーティクルを成長前にプラズマ生成領域から排出して
しまうことにより、膜欠陥の発生を防ぐことができる。
また、本発明では、プラズマ生成領域６が狭くなる結
果、パーティクルの発生量が少なくなるので、この点か
らも膜欠陥の発生が抑えられる。In the illustrated example, hydrogen (H 2 ) and monosilane (SiH 4 ) are introduced as a reaction gas for forming a Si thin film. Monosilane, which serves as a supply source of the active species, is introduced into the plasma generation region 6 from a gap between the first magnet 11 and the surface of the substrate 3. Since the reaction gas is neutral, the introduction is not hindered by the magnetic field existing in the gap. When the reaction gas flows in and out through the illustrated gap, a unidirectional gas flow is formed near the substrate. Therefore, particles generated by a reaction between active species in the plasma generation region 6 can be quickly discharged out of the plasma generation region 6. Particles generated in the plasma generation region 6 collide with each other and grow,
Adhering to the thin film being deposited on the substrate, causing defects,
By discharging particles from the plasma generation region before growth, film defects can be prevented.
Further, in the present invention, as the plasma generation region 6 is narrowed, the amount of generated particles is reduced, and the generation of film defects is suppressed from this point as well.
【００２０】また、図１においてＨ2は、陰極２に設け
られた中心孔を通って反応室内に導入される。このよう
に、プラズマに曝されたときに単体で膜を形成するガス
（ＳｉＨ4）を前記ギャップからプラズマ生成領域６に
導入し、プラズマに曝されたときに単体では膜を形成し
ないガス（Ｈ2）を陰極側からプラズマ生成領域６に導
入することにより、単体では膜を形成しないガス
（Ｈ2）の濃度を基板３近傍で低く陰極２近傍で高くで
き、逆に、単体で膜を形成するガス（ＳｉＨ4）の濃度
を基板３近傍で高く陰極２近傍で低くできるので、陰極
２およびその近傍における膜付着量を減らすことができ
る。In FIG. 1, H 2 is introduced into the reaction chamber through a center hole provided in the cathode 2. Thus, the gas (SiH 4 ) that forms a film alone when exposed to plasma is introduced from the gap into the plasma generation region 6, and the gas (H) that does not form a film alone when exposed to plasma By introducing 2 ) into the plasma generation region 6 from the cathode side, the concentration of the gas (H 2 ) that does not form a film by itself can be lowered near the substrate 3 and increased near the cathode 2, and conversely, a film can be formed by itself Since the concentration of the gas (SiH 4 ) to be formed can be increased near the substrate 3 and decreased near the cathode 2, the amount of film deposition on the cathode 2 and the vicinity thereof can be reduced.
【００２１】一方、図２に示す装置は、陰極２の中心孔
からすべての反応ガスを導入する構成であり、前記ギャ
ップからはガスの流出だけを行う。そのほかは図１に示
す構成と同様である。図２に示す構成では、図１に比べ
ガスの流れがスムーズでなくなるため、効果はやや低く
なるが、ギャップを通してのパーティクル排出は可能で
ある。On the other hand, the apparatus shown in FIG. 2 has a configuration in which all the reaction gases are introduced from the central hole of the cathode 2, and only the gas flows out from the gap. The rest is the same as the configuration shown in FIG. In the configuration shown in FIG. 2, the gas flow is not as smooth as in FIG. 1, so the effect is slightly lower, but particles can be discharged through the gap.
【００２２】なお、図１に示す装置では、第１の磁石１
１の内周面近傍にも磁場が存在するため、プラズマは前
記内周面から離れて存在する。そのため前記内周面に膜
が付着しにくく、付着したとしても、その堆積速度は極
めて遅くなるので、クリーニングの頻度は低くて済む。
また、前記内周面に堆積した膜がその厚さの増大による
内部応力増大などによって剥離して粉状となった場合で
も、この剥離粉は反応ガス流によって第１の磁石１１と
基板３との間のギャップから速やかに排出される。した
がって、剥離粉が基板３の表面に付着して欠陥を生じさ
せる心配はほとんどない。In the apparatus shown in FIG. 1, the first magnet 1
Since the magnetic field also exists in the vicinity of the inner peripheral surface of No. 1, the plasma exists apart from the inner peripheral surface. Therefore, the film hardly adheres to the inner peripheral surface, and even if it adheres, the deposition rate becomes extremely slow, so that the frequency of cleaning is low.
Further, even when the film deposited on the inner peripheral surface is separated into powder due to an increase in internal stress due to an increase in the thickness thereof, the separated powder is separated from the first magnet 11 and the substrate 3 by the reaction gas flow. Is quickly discharged from the gap between Therefore, there is almost no fear that the peeling powder adheres to the surface of the substrate 3 to cause a defect.
【００２３】図１において、第１の磁石１１および第２
の磁石１２は、前記ギャップ中に前述した向きの磁場を
存在させることができれば、永久磁石および電磁石のい
ずれであってもよく、これらを組み合わせて用いてもよ
い。In FIG. 1, the first magnet 11 and the second magnet 11
The magnet 12 may be a permanent magnet or an electromagnet as long as a magnetic field in the above-described direction can be present in the gap, and may be used in combination.
【００２４】図３および図４に、本発明のプラズマＣＶ
Ｄ装置の第２の態様の構成例をそれぞれ示す。第２の態
様の装置は、前記筒状磁石の構成要素として少なくとも
１つのソレノイドコイル１３を用い、このソレノイドコ
イル１３をその中心軸が基板３表面とほぼ直交するよう
に配置したものである。これらの装置では、ソレノイド
コイル１３中において隣り合う巻線間に存在する空間
を、図１において基板３と筒状磁石との間に設けたギャ
ップと同様にガスの流出入に利用する。FIGS. 3 and 4 show the plasma CV of the present invention.
Each configuration example of the second embodiment of the D device is shown. The device according to the second aspect uses at least one solenoid coil 13 as a component of the cylindrical magnet, and arranges the solenoid coil 13 so that its central axis is substantially orthogonal to the surface of the substrate 3. In these devices, a space existing between adjacent windings in the solenoid coil 13 is used for gas inflow and outflow similarly to the gap provided between the substrate 3 and the cylindrical magnet in FIG.
【００２５】図３に示す装置では、ソレノイドコイル１
３が複数存在し、これらのソレノイドコイルが筒状に配
置されいる。これらのソレノイドコイルは、本発明にお
ける筒状磁石の周壁を構成することになる。電磁石とし
て働くそれぞれのソレノイドコイル１３は、異極同士が
互いに隣り合うようにほぼ密着して配置されている。こ
れらのソレノイドコイル１３の内部には、コイル中心軸
方向の磁場が存在するため、プラズマはソレノイドコイ
ル１３の巻線間に存在する空間を通過することができ
ず、図示するようにプラズマ生成領域６の存在範囲が限
定される。In the device shown in FIG.
3, and these solenoid coils are arranged in a cylindrical shape. These solenoid coils constitute the peripheral wall of the cylindrical magnet in the present invention. Each solenoid coil 13 acting as an electromagnet is arranged in close contact so that different poles are adjacent to each other. Since a magnetic field in the direction of the center axis of the coil exists inside these solenoid coils 13, the plasma cannot pass through the space existing between the windings of the solenoid coils 13, and as shown in FIG. Is limited.
【００２６】なお、図３に示す構成では、隣り合うソレ
ノイドコイルにおいて、互いの間に空間を設けると共に
同極同士が隣り合うように配置してもよい。この構成で
あっても、プラズマ生成領域の規制およびガスの流出入
については、図３に示す装置と同様な効果が得られる。
ただし、この場合、各ソレノイドにおける巻線間の空間
に加え、隣り合うソレノイドコイルの間の空間も前記ギ
ャップとして機能する。In the configuration shown in FIG. 3, adjacent solenoid coils may be provided with a space between each other and arranged so that the same poles are adjacent to each other. Even with this configuration, effects similar to those of the apparatus shown in FIG. 3 can be obtained with respect to the regulation of the plasma generation region and the inflow and outflow of gas.
However, in this case, in addition to the space between the windings of each solenoid, the space between adjacent solenoid coils also functions as the gap.
【００２７】図４に示す装置では、ソレノイドコイル１
３が１つ存在し、このソレノイドコイルが本発明におけ
る筒状磁石の周壁を構成することになる。この構成で
は、ソレノイドコイル１３の巻線近傍には、コイル中心
軸方向の磁場が存在するため、プラズマはソレノイドコ
イル１３の巻線間に存在する空間を通過することができ
ず、図示するようにプラズマ生成領域６の存在範囲が限
定される。In the device shown in FIG.
3, one solenoid coil constitutes the peripheral wall of the cylindrical magnet in the present invention. In this configuration, since a magnetic field in the direction of the center axis of the coil exists near the winding of the solenoid coil 13, the plasma cannot pass through the space existing between the windings of the solenoid coil 13 as shown in the figure. The range in which the plasma generation region 6 exists is limited.
【００２８】図３および図４にそれぞれ示す装置におい
て、磁場発生手段以外の構成は図１に示す装置と同様で
ある。In each of the devices shown in FIGS. 3 and 4, the structure other than the magnetic field generating means is the same as the device shown in FIG.
【００２９】図５に、第１の態様の他の構成例を示す。
同図に示される装置は、陰極２と第１の磁石１１との間
に、中心孔を有する板状の陽極３２を設け、この陽極３
２と陰極２との間の空間を絶縁部材２２で包囲し、この
空間をプラズマ生成室としたものである。プラズマ生成
室内で生成したプラズマは、陽極３２の中心孔を通って
第１の磁石１１で包囲された空間内に吹き出す。図５に
示す装置は、プラズマ生成室を独立して設けたほかは図
１に示す装置と同様である。このようにプラズマ生成室
を独立して設けることにより、プラズマ電圧および陰極
シース電圧が陰極２と陽極３２とによって一義的に決定
されることになる。そのため、基板３への膜付着に伴う
プラズマ状態のドリフトが起こらず、安定した成膜が可
能となる。さらに、図５に示す構成では、プラズマ生成
室内に導入されるガスがＨ2であるため、陰極２と陽極
３２への膜付着が生じにくく、その結果、プラズマ電圧
および陰極シース電圧が変動しにくいという利点もあ
る。FIG. 5 shows another configuration example of the first embodiment.
The apparatus shown in FIG. 1 has a plate-shaped anode 32 having a center hole between the cathode 2 and the first magnet 11.
A space between the cathode 2 and the cathode 2 is surrounded by an insulating member 22, and this space is used as a plasma generation chamber. The plasma generated in the plasma generation chamber blows out through the center hole of the anode 32 into the space surrounded by the first magnet 11. The apparatus shown in FIG. 5 is the same as the apparatus shown in FIG. 1 except that the plasma generation chamber is provided independently. By independently providing the plasma generation chambers as described above, the plasma voltage and the cathode sheath voltage are uniquely determined by the cathode 2 and the anode 32. Therefore, drift of the plasma state due to the film adhesion to the substrate 3 does not occur, and stable film formation is possible. Further, in the configuration shown in FIG. 5, since the gas introduced into the plasma generation chamber is H 2, it is difficult for the film to adhere to the cathode 2 and the anode 32, and as a result, the plasma voltage and the cathode sheath voltage are not easily changed. There is also an advantage.
【００３０】本発明において、プラズマ閉じ込めに利用
する磁場の強度は特に限定されない。すなわち、プラズ
マの閉じ込めが可能である強度であればよい。この磁場
強度は、プラズマ生成条件や装置各部の寸法などの各種
条件に依存して異なるが、通常、ギャップ内において好
ましくは５mT以上、より好ましくは１０mT以上とする。
また、ギャップ内の磁場強度の上限は特にないが、ギャ
ップ内に著しく強力な磁場を存在させるように構成する
と、ギャップ周辺の磁場強度も高くなってしまってプラ
ズマＣＶＤ自体に悪影響を与えるおそれがあるので、ギ
ャップ内の磁場強度は１T以下とすることが好ましい。In the present invention, the strength of the magnetic field used for confining the plasma is not particularly limited. In other words, it is sufficient that the strength is such that plasma can be confined. The magnetic field strength varies depending on various conditions such as plasma generation conditions and dimensions of each part of the apparatus, but is usually preferably 5 mT or more, more preferably 10 mT or more in the gap.
Further, there is no particular upper limit of the magnetic field strength in the gap, but if a remarkably strong magnetic field is present in the gap, the magnetic field strength around the gap also increases, which may adversely affect the plasma CVD itself. Therefore, it is preferable that the magnetic field strength in the gap be 1 T or less.
【００３１】本発明において、磁場発生手段の寸法は特
に限定されない。すなわち、本発明の装置は、従来の通
常のプラズマＣＶＤ装置に磁場発生手段を付加すること
により実現できるので、例えば従来のプラズマＣＶＤ装
置に適合するように磁場発生手段の寸法を適宜決定すれ
ばよい。In the present invention, the size of the magnetic field generating means is not particularly limited. That is, since the apparatus of the present invention can be realized by adding a magnetic field generating means to a conventional ordinary plasma CVD apparatus, for example, the dimensions of the magnetic field generating means may be appropriately determined so as to be compatible with the conventional plasma CVD apparatus. .
【００３２】磁場発生手段と基板との間および／または
磁場発生手段内に設けられるギャップの寸法は特に限定
されない。ガス流が阻害されず、かつ、ギャップ間に所
要強度の磁場が存在するように磁場発生手段の構成に応
じて適宜決定すればよい。具体的には、例えば図１に示
す構成の装置におけるギャップ間距離は、通常、５〜４
０mm程度の範囲内で設定すればよい。The size of the gap provided between the magnetic field generating means and the substrate and / or in the magnetic field generating means is not particularly limited. What is necessary is just to determine suitably according to the structure of a magnetic field generation means so that a gas flow is not obstructed and a magnetic field of required intensity exists between gaps. Specifically, for example, the distance between the gaps in the apparatus having the configuration shown in FIG.
It may be set within a range of about 0 mm.
【００３３】磁場発生手段として用いる永久磁石の種類
は特に限定されず、例えばフェライト磁石や希土類磁石
等のいずれであってもよい。なお、永久磁石に、磁性材
料または非磁性材料からなるカバーを設け、このカバー
だけをクリーニングするようにしてもよい。このような
カバーは、例えばステンレス、Ａｌ、Ｎｉ合金などから
構成すればよい。The type of the permanent magnet used as the magnetic field generating means is not particularly limited, and may be, for example, any of a ferrite magnet and a rare earth magnet. The permanent magnet may be provided with a cover made of a magnetic material or a non-magnetic material, and only this cover may be cleaned. Such a cover may be made of, for example, stainless steel, Al, Ni alloy, or the like.
【００３４】筒状磁石の具体的形状は特に限定されない
が、通常、その開口部は基板の形状に対応していること
が好ましい。例えば図１〜図５に示す装置において、基
板３は樹脂からなる長尺フィルムであり、紙面に垂直な
方向に搬送される構成となっている。そのため、筒状磁
石として機能する第１の磁石１１は、開口部を矩形とし
てあり、その幅を基板３の幅と同等としてある。なお、
開口部の幅は基板３の幅よりもやや大きくしてもよい
が、通常、基板３の一方の側において基板３よりも２０
mmを超えて大きくしないことが好ましい。Although the specific shape of the cylindrical magnet is not particularly limited, it is usually preferable that the opening thereof corresponds to the shape of the substrate. For example, in the apparatus shown in FIGS. 1 to 5, the substrate 3 is a long film made of resin and is configured to be conveyed in a direction perpendicular to the paper surface. Therefore, the opening of the first magnet 11 functioning as a cylindrical magnet is rectangular, and the width thereof is equal to the width of the substrate 3. In addition,
The width of the opening may be slightly larger than the width of the substrate 3, but usually the width of the opening is 20 times larger than the width of the substrate 3 on one side of the substrate 3.
It is preferred that it does not exceed mm.
【００３５】本発明は、様々なＣＶＤ膜の形成に適用で
きる。例えば、多結晶や単結晶のダイヤモンド、Ｓｉ、
ＳｉＣ、ＢＮ、Ｃ、ＳｉＮx、ＳｉＯx等からなるアモル
ファス膜、Ｓｉ、ＳｉＣ、ｃ−ＢＮ等からなる多結晶
膜、Ｓｉ、ＳｉＣ、ｃ−ＢＮ等からなる単結晶膜などの
いずれの製造にも本発明は適用できる。The present invention can be applied to the formation of various CVD films. For example, polycrystalline or single crystal diamond, Si,
SiC, BN, C, SiN x , amorphous film made of SiO x or the like, Si, SiC, polycrystalline film composed of c-BN and the like, Si, SiC, in any production, such as single crystal film composed of c-BN and the like The present invention can also be applied.
【００３６】プラズマＣＶＤの際に用いる反応ガスは、
目的とする膜組成に応じて従来と同様に適宜選択すれば
よく、特に限定されない。The reaction gas used in the plasma CVD is as follows:
What is necessary is just to select suitably similarly to the conventional according to the objective film composition, and it does not specifically limit.
【００３７】なお、図示例は容量結合型プラズマ処理装
置であるが、本発明は直流プラズマを利用する装置にも
適用することができ、また、ＥＣＲプラズマを利用する
装置にも適用できる。Although the illustrated example is a capacitively-coupled plasma processing apparatus, the present invention can be applied to an apparatus using DC plasma, and can also be applied to an apparatus using ECR plasma.
【００３８】以下、本発明の作用効果を確認するために
行った実験について説明する。Hereinafter, an experiment performed to confirm the operation and effect of the present invention will be described.
【００３９】この実験では、図１に示すように第１の磁
石１１と第２の磁石１２とを配置したときの、両磁石付
近における磁場強度分布をシミュレーションにより調べ
た。第１の磁石１１および第２の磁石１２には、フェラ
イト永久磁石を用いた。第１の磁石１１は、軸方向長さ
ＬMを４５mm、外径を１００mm、内径を８０mmとした。
第２の磁石１２は、軸方向長さを１５mm、直径を１００
mmとした。両磁石の距離ＬGは、４０mmとした。In this experiment, when the first magnet 11 and the second magnet 12 were arranged as shown in FIG. 1, the magnetic field intensity distribution near both magnets was examined by simulation. As the first magnet 11 and the second magnet 12, a ferrite permanent magnet was used. The first magnet 11 has a axial length L M 45 mm, an outer diameter 100 mm, an inner diameter and 80 mm.
The second magnet 12 has an axial length of 15 mm and a diameter of 100 mm.
mm. Distance L G of the magnets was set to 40 mm.
【００４０】このシミュレーションの結果を、図７に示
す。図７において、第１の磁石１１と第２の磁石１２と
の間のギャップには、両磁石を結ぶ方向の磁場が存在
し、その強度は最大で５０mT程度となっている。FIG. 7 shows the result of this simulation. In FIG. 7, a magnetic field exists in the gap between the first magnet 11 and the second magnet 12 in a direction connecting the two magnets, and the intensity thereof is about 50 mT at the maximum.
【００４１】次に、これらの磁石を設けた装置において
実際に放電させたときのプラズマの生成状況を調べた。
また、比較のために、磁石に替えて同形状および同寸法
のアルミニウム製部材を設けた装置においても、同様に
プラズマの生成状況を調べた。放電条件は、圧力を８０
Pa、投入ＲＦパワーを５０W（周波数１３．５６MHz）、
モノシランと水素との混合ガス（モノシラン濃度５％）
の流量を５００sccmとした。その結果、本発明の装置で
は、プラズマが磁石間のギャップから漏れないことが確
認された。これに対し比較のための装置では、アルミニ
ウム製部材間のギャップからプラズマが漏れだしている
ことが確認された。Next, the state of plasma generation when an actual discharge was carried out in the apparatus provided with these magnets was examined.
For comparison, a plasma generation state was similarly examined in an apparatus provided with an aluminum member having the same shape and the same dimensions in place of the magnet. The discharge conditions were as follows:
Pa, input RF power 50W (frequency 13.56MHz),
Mixed gas of monosilane and hydrogen (monosilane concentration 5%)
Was set to 500 sccm. As a result, it was confirmed that in the apparatus of the present invention, plasma did not leak from the gap between the magnets. On the other hand, in the device for comparison, it was confirmed that the plasma leaked from the gap between the aluminum members.
【図１】本発明の第１の態様におけるプラズマＣＶＤ装
置の主要部を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の態様におけるプラズマＣＶＤ装
置の主要部を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a main part of the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の態様におけるプラズマＣＶＤ装
置の主要部を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a main part of a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の態様におけるプラズマＣＶＤ装
置の主要部を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の態様におけるプラズマＣＶＤ装
置の主要部を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a main part of the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の主要部を示す断面
図である。FIG. 6 is a sectional view showing a main part of a conventional plasma CVD apparatus.
【図７】磁場発生手段付近の磁場強度分布を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing a magnetic field intensity distribution near a magnetic field generating means.
２ 陰極 ２１ シールド板 ２２ 絶縁部材 ３ 基板 ３１ 基板ホルダ ３２ 陽極 ４ 結合コンデンサ ５ 高周波電源 ６ グロー領域 １１ 第１の磁石 １２ 第２の磁石 １３ ソレノイド 2 Cathode 21 Shield plate 22 Insulating member 3 Substrate 31 Substrate holder 32 Anode 4 Coupling capacitor 5 High frequency power supply 6 Glow area 11 First magnet 12 Second magnet 13 Solenoid
フロントページの続き (72)発明者 篠原 久人 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 FA03 HA06 KA30 KA34 5F045 AA08 AA10 AB02 AB03 AB04 AB06 AB07 AB32 AB33 AC01 BB08 BB10 BB14 DP03 DP04 EH05 EH14 EH16 EH19 Continued on the front page (72) Inventor Hisato Shinohara 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation F term (reference) 4K030 AA06 AA17 BA29 FA03 HA06 KA30 KA34 5F045 AA08 AA10 AB02 AB03 AB04 AB06 AB07 AB32 AB33 AC01 BB08 BB10 BB14 DP03 DP04 EH05 EH14 EH16 EH19
Claims (8)
せ、このプラズマにより反応ガスを分解して基板表面に
薄膜を形成する装置であって、 磁場発生手段を有し、この磁場発生手段が発生する磁場
を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズマが
存在するようにプラズマを閉じ込めるプラズマＣＶＤ装
置。An apparatus for generating a plasma between a cathode and a substrate and decomposing a reaction gas by the plasma to form a thin film on a substrate surface, comprising a magnetic field generating means, wherein the magnetic field generating means is A plasma CVD apparatus for confining plasma such that plasma exists only in the vicinity of a substrate by using at least a generated magnetic field.
て筒状磁石を設け、この筒状磁石をその中心軸が基板表
面とほぼ直交するように配置し、この筒状磁石と基板と
の間および／または筒状磁石の周壁内にギャップを設
け、筒状磁石から発生する磁場を前記ギャップ中に存在
させ、この磁場によって前記ギャップからのプラズマの
漏出を防ぐことにより、プラズマを基板近傍および前記
筒状磁石の内部に限定して存在させる請求項１のプラズ
マＣＶＤ装置。2. A cylindrical magnet is provided as at least a part of the magnetic field generating means, and the cylindrical magnet is arranged so that its central axis is substantially perpendicular to the substrate surface. A gap is provided in the peripheral wall of the cylindrical magnet, and a magnetic field generated from the cylindrical magnet is present in the gap. By preventing the plasma from leaking from the gap by the magnetic field, the plasma is generated in the vicinity of the substrate and the cylinder. 2. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein the plasma CVD apparatus exists only inside the magnet.
ほぼ直交する向きの磁場が存在する請求項２のプラズマ
ＣＶＤ装置。3. The plasma CVD apparatus according to claim 2, wherein a magnetic field substantially perpendicular to a plasma leakage direction exists in the gap.
裏面側に対向磁石を設け、この対向磁石と前記筒状磁石
とを、互いに異極同士が対向するように配置した請求項
２または３のプラズマＣＶＤ装置。4. An opposing magnet is provided as a part of the magnetic field generating means on the back side of the substrate, and the opposing magnet and the cylindrical magnet are arranged so that different poles face each other. 3. A plasma CVD apparatus.
前記ギャップが存在し、前記筒状磁石の他端側に陰極が
存在し、プラズマに曝されたときに単体で膜を形成する
ガスを前記ギャップから導入し、プラズマに曝されたと
きに単体では膜を形成しないガスを前記陰極側から導入
するよう構成した請求項４のプラズマＣＶＤ装置。5. The gap exists between one end of the cylindrical magnet and the substrate, a cathode exists on the other end side of the cylindrical magnet, and a single film is formed when exposed to plasma. 5. The plasma CVD apparatus according to claim 4, wherein a gas to be formed is introduced from said gap, and a gas which does not form a film by itself when exposed to plasma is introduced from said cathode side.
も１つのソレノイドコイルを用い、このソレノイドコイ
ルをその中心軸が基板表面とほぼ直交するように配置
し、前記ソレノイドコイル中において隣り合う巻線間に
存在する空間を、前記ギャップとして利用する請求項２
または３のプラズマＣＶＤ装置。6. At least one solenoid coil is used as a component of the cylindrical magnet, and the solenoid coil is arranged so that a center axis thereof is substantially orthogonal to a substrate surface. 3. A space existing in a space is used as the gap.
Or the plasma CVD apparatus of 3.
れらのソレノイドコイルが筒状に配置されて前記筒状磁
石の周壁となっている請求項６のプラズマＣＶＤ装置。7. The plasma CVD apparatus according to claim 6, wherein there are a plurality of said solenoid coils, and these solenoid coils are arranged in a cylindrical shape to form a peripheral wall of said cylindrical magnet.
のソレノイドコイルが前記筒状磁石の周壁となっている
請求項６のプラズマＣＶＤ装置。8. The plasma CVD apparatus according to claim 6, wherein there is one solenoid coil, and the solenoid coil forms a peripheral wall of the cylindrical magnet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000005469A JP2001192837A (en) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | Plasma cvd system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000005469A JP2001192837A (en) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | Plasma cvd system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001192837A true JP2001192837A (en) | 2001-07-17 |
Family
ID=18534134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000005469A Withdrawn JP2001192837A (en) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | Plasma cvd system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001192837A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059924A (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Multistage discharge plasma treatment method and apparatus thereof |
| JP2005220366A (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Sony Corp | Film deposition system, film deposition method and tubular reactor for film deposition |
| WO2008092485A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and process for coating plate-shaped or band-shaped metallic substrates |
| JP2011236116A (en) * | 2010-04-14 | 2011-11-24 | Canon Inc | Method of producing optical element forming die, and optical element forming die |
| JP2013177270A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Kurita Seisakusho:Kk | Method and apparatus for producing single crystal diamond |
-
2000
- 2000-01-14 JP JP2000005469A patent/JP2001192837A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059924A (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Multistage discharge plasma treatment method and apparatus thereof |
| JP4546675B2 (en) * | 2001-08-17 | 2010-09-15 | 積水化学工業株式会社 | Multistage discharge plasma processing method and apparatus |
| JP2005220366A (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Sony Corp | Film deposition system, film deposition method and tubular reactor for film deposition |
| WO2008092485A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and process for coating plate-shaped or band-shaped metallic substrates |
| JP2011236116A (en) * | 2010-04-14 | 2011-11-24 | Canon Inc | Method of producing optical element forming die, and optical element forming die |
| JP2013177270A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Kurita Seisakusho:Kk | Method and apparatus for producing single crystal diamond |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6239553B1 (en) | RF plasma source for material processing | |
| JP3438696B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| TWI391518B (en) | Ion source and plasma processing device | |
| US8591711B2 (en) | Method and chamber for inductively coupled plasma processing for cylinderical material with three-dimensional surface | |
| US5556474A (en) | Plasma processing apparatus | |
| EP0507885A1 (en) | A low frequency inductive rf plasma reactor | |
| US20040097090A1 (en) | Silicon etching method | |
| US8529730B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20130220548A1 (en) | Plasma processing device | |
| US20060121195A1 (en) | Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck | |
| US20050126711A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2001192837A (en) | Plasma cvd system | |
| JP2774367B2 (en) | Apparatus and method for plasma process | |
| JP3417328B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP3360090B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR100914398B1 (en) | Appartus of plasma processing for substrate | |
| JP2003077904A (en) | Apparatus and method for plasma processing | |
| JP3519066B2 (en) | Equipment for plasma processing | |
| JPH0758083A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP3399467B2 (en) | Plasma processing apparatus and cleaning method | |
| JPH02183533A (en) | Contamination preventing method for plasma vapor growth apparatus | |
| JP3220528B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
| JP2001220680A (en) | Plasma cvd system | |
| JP2001279449A (en) | Plasma enhanced cvd system and plasma enhanced cvd film depositing method | |
| JP4223143B2 (en) | Plasma processing equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040531 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |