JP2001189374A - Substrate treatment apparatus and charged particle exposure system - Google Patents
Substrate treatment apparatus and charged particle exposure systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板をチャックに
吸着固定するとともに、伝熱ガスを介して基板からチャ
ックに熱を逃す機能を有する基板処理装置及び荷電粒子
線露光装置に関する。特には、基板の被吸着面の状態が
悪い場合にも、伝熱ガスが基板とチャック間の隙間から
真空室内にリークして真空室の真空度の低下を抑制でき
る基板処理装置等に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a charged particle beam exposure apparatus having a function of adsorbing and fixing a substrate to a chuck and releasing heat from the substrate to the chuck via a heat transfer gas. In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus and the like that can suppress a decrease in the degree of vacuum in a vacuum chamber due to a heat transfer gas leaking into a vacuum chamber from a gap between a substrate and a chuck even when a state of a suction surface of the substrate is poor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】減圧雰囲気中（真空中）でウエハを処理
するウエハ処理装置は、静電チャック等でウエハを吸着
保持する。ところで、パターン形成のための露光等のウ
エハ処理工程においては、高エネルギーがウエハの処理
面に供給されてウエハの温度が上昇する。この温度上昇
により、ウエハの変形等（例えば熱膨張）が生じる。2. Description of the Related Art A wafer processing apparatus for processing a wafer in a reduced-pressure atmosphere (in a vacuum) holds the wafer by suction using an electrostatic chuck or the like. By the way, in a wafer processing step such as exposure for forming a pattern, high energy is supplied to a processing surface of the wafer, and the temperature of the wafer increases. Due to this temperature rise, deformation of the wafer or the like (for example, thermal expansion) occurs.
【０００３】このウエハの変形等を防止するため、ウエ
ハとチャック間に隙間を形成し（例えば、チャックの吸
着面に溝を掘って）、同隙間にＨｅガス等の伝熱ガスを
充填する対策が採られている。この伝熱ガスを介してウ
エハからチャックへ熱を逃すことにより、ウエハの熱膨
張を抑制してウエハの変形等を防止できる。このガスに
よるチャックへの熱の伝達量を決定するパラメータに
は、ガスの熱伝導度、ガス圧力、隙間長さ等がある。例
えば、気体分子の平均自由行程が隙間長さより充分長く
なるほどガス圧が低い場合は、気体の熱伝導度はガス圧
にほぼ比例して増加する。しかし、平均自由行程が隙間
長さより短くなると、熱伝導度はガス圧にあまり依存し
なくなる。一方、この処理装置は減圧雰囲気中であるた
め、チャックとウエハの隙間のガス圧が高くなると、ウ
エハのチャックへの吸着力は弱くなり、最悪の場合、ウ
エハがはずれてしまう。このため、封入ガスの圧力は、
ウエハの吸着力より十分小さくなくてはならない。ここ
で見積もられたガス圧から、分子のｍｆｐが得られる。
したがって、Ｓｉウエハとチャックの隙間長さはここで
得られたｍｆｐを同程度に設計するのが好ましい。In order to prevent the deformation of the wafer, a gap is formed between the wafer and the chuck (for example, a groove is formed in the chucking surface of the chuck), and the gap is filled with a heat transfer gas such as He gas. Is adopted. By releasing heat from the wafer to the chuck through the heat transfer gas, thermal expansion of the wafer can be suppressed, and deformation and the like of the wafer can be prevented. Parameters that determine the amount of heat transferred to the chuck by the gas include the thermal conductivity of the gas, the gas pressure, the gap length, and the like. For example, when the gas pressure is so low that the mean free path of the gas molecule is sufficiently longer than the gap length, the thermal conductivity of the gas increases almost in proportion to the gas pressure. However, when the mean free path is shorter than the gap length, the thermal conductivity becomes less dependent on gas pressure. On the other hand, since this processing apparatus is in a reduced-pressure atmosphere, when the gas pressure in the gap between the chuck and the wafer increases, the attraction force of the wafer to the chuck decreases, and in the worst case, the wafer comes off. For this reason, the pressure of the filling gas is
It must be sufficiently smaller than the suction force of the wafer. From the gas pressure estimated here, the mfp of the molecule is obtained.
Therefore, it is preferable that the gap length between the Si wafer and the chuck is designed to be the same as the mfp obtained here.
【０００４】しかしながら、この対策を行うと、特にウ
エハ裏面に汚れやゴミが付着した場合や、ウエハ自身の
平面度、平坦度がよくない場合に、伝熱ガスがウエハと
チャック間の隙間から真空室内にリークする。この結
果、減圧排気手段の能力が十分でない場合、真空室内の
必要な真空度を保つことができなくなる。However, when this measure is taken, especially when dirt or dust adheres to the back surface of the wafer or when the flatness or flatness of the wafer itself is not good, the heat transfer gas is evacuated from the gap between the wafer and the chuck. Leaks indoors. As a result, if the capacity of the evacuation means is not sufficient, the required degree of vacuum in the vacuum chamber cannot be maintained.
【０００５】そこで、近年のウエハ処理装置において
は、チャックの吸着面の周縁部にシール部を設けるとと
もに、その内側にガス排出用の孔を設けている。これら
により、伝熱ガスがウエハとチャックの間から真空室内
にリークするのを抑制している。これと同時に、シール
部やガス排出孔の内側に設けた隙間内の伝熱ガス圧力が
目標値に保たれるように、同隙間に伝熱ガスを充填する
量を制御する。Therefore, in a recent wafer processing apparatus, a seal portion is provided on a peripheral portion of a suction surface of a chuck, and a hole for gas discharge is provided inside the seal portion. Thus, leakage of the heat transfer gas from between the wafer and the chuck into the vacuum chamber is suppressed. At the same time, the amount of the heat transfer gas charged into the gap is controlled so that the pressure of the heat transfer gas in the gap provided inside the seal portion and the gas discharge hole is maintained at a target value.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
裏面に汚れやゴミが付着した場合や、ウエハ自身の平面
度、平坦度がよくない場合、ウエハとチャック間の隙間
内の圧力が目標値に保たれるように、同隙間に伝熱ガス
を充填する量を制御すると、伝熱ガスがウエハとチャッ
ク間の隙間から真空室内にリークする量が増えてしま
う。However, when dirt or dust adheres to the back surface of the wafer, or when the flatness or flatness of the wafer itself is not good, the pressure in the gap between the wafer and the chuck is maintained at a target value. If the gap is filled with the heat transfer gas so that the heat transfer gas is filled, the amount of the heat transfer gas leaking from the gap between the wafer and the chuck into the vacuum chamber increases.
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、基板の被吸着面の状態が悪い場合にも、伝熱ガス
が基板とチャック間の隙間から真空室内にリークするの
を十分に抑制できる基板処理装置及びそれを具備する荷
電粒子線露光装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is sufficient to prevent a heat transfer gas from leaking into a vacuum chamber from a gap between a substrate and a chuck even when the state of a suction surface of a substrate is poor. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing and a charged particle beam exposure apparatus including the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の基板処理装置は、減圧排気される真空室
と、 該室を減圧排気する手段と、 該室内に配置され
た基板を吸着固定するチャックと、 を具備する基板処
理装置であって； 上記チャックの基板吸着面と基板の
被吸着面との間（隙間）にガスを導入するガス導入手段
と、 該隙間からガスを排出するガス排出手段と、 該
ガスが真空室内に流れるのを抑制するシール手段と、
が設けられており、 上記真空室、及び、上記ガス導入
手段のチャックへの導入部には、圧力検知センサが付設
されており、 ガス導入部の圧力に応じて上記ガス導入
手段の流量を制御し、 上記真空室の真空度に応じて上
記ガス排気手段の流量を制御することを特徴とする。In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a vacuum chamber evacuated and evacuated; a means for evacuating and evacuating the chamber; and adsorbing a substrate disposed in the chamber. A chuck for fixing, comprising: a gas introducing means for introducing a gas between a substrate suction surface of the chuck and a surface to be sucked of the substrate (gap); and discharging the gas from the gap. Gas discharging means, sealing means for suppressing the gas from flowing into the vacuum chamber,
A pressure detection sensor is attached to the vacuum chamber and the introduction part of the gas introduction means to the chuck, and controls the flow rate of the gas introduction means according to the pressure of the gas introduction part. The flow rate of the gas exhaust means is controlled according to the degree of vacuum in the vacuum chamber.
【０００９】本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子
線を感応基板上に結像させる光学系と、 減圧雰囲気中
で基板を処理する基板処理装置と、 を有する荷電粒子
線露光装置であって； 該基板処理装置は、 減圧排気
される真空室と、 該室を減圧排気する手段と、 該室
内に配置された基板を吸着固定するチャックと、 を具
備し、 上記チャックの基板吸着面と基板の被吸着面と
の間（隙間）にガスを導入するガス導入手段と、 該隙
間からガスを排出するガス排出手段と、 該ガスが真空
室内に流れるのを抑制するシール手段と、 が設けられ
ており、 上記真空室、及び、上記ガス導入手段のチャ
ックへの導入部には、圧力検知センサが付設されてお
り、 ガス導入部の圧力に応じて上記ガス導入手段の流
量を制御し、 上記真空室の真空度に応じて上記ガス排
気手段の流量を制御することを特徴とする。A charged particle beam exposure apparatus according to the present invention is a charged particle beam exposure apparatus including: an optical system for forming an image of a charged particle beam on a sensitive substrate; and a substrate processing apparatus for processing the substrate in a reduced-pressure atmosphere. The substrate processing apparatus comprises: a vacuum chamber evacuated and evacuated; a means for evacuating and evacuating the chamber; and a chuck for adsorbing and fixing a substrate disposed in the chamber. Gas introducing means for introducing a gas into the gap (gap) with the surface to be adsorbed of the substrate, gas discharging means for discharging the gas from the gap, and sealing means for suppressing the gas from flowing into the vacuum chamber are provided. A pressure detection sensor is attached to the vacuum chamber and the introduction portion of the gas introduction unit to the chuck, and controls the flow rate of the gas introduction unit according to the pressure of the gas introduction unit. Depending on the degree of vacuum in the vacuum chamber And controlling the flow rate of the gas exhaust means Te.
【００１０】基板の被吸着面の状態が悪い場合には、同
面の状態が良い場合に比べて、伝熱ガスが基板とチャッ
ク間の隙間から真空室内にリークする量が増加する。こ
のため、真空室に付設された圧力検知センサが高い圧力
値を検知する。このとき、このセンサの検知値が目標値
に近づくように、ガス排気手段の流量を制御する。した
がって、基板とチャック間の隙間から伝熱ガスを排出す
る量が増加するので、同ガスが基板とチャック間の隙間
から真空室内にリークするのを十分に抑制できる。この
とき、ガス導入部に付設された圧力検知センサの検知値
が目標値に近づくように、ガス導入手段の流量を制御す
る。When the state of the surface to be sucked of the substrate is poor, the amount of heat transfer gas leaking into the vacuum chamber from the gap between the substrate and the chuck increases as compared with the case where the state of the surface is good. For this reason, the pressure detection sensor attached to the vacuum chamber detects a high pressure value. At this time, the flow rate of the gas exhaust means is controlled so that the detection value of this sensor approaches the target value. Therefore, the amount of heat transfer gas discharged from the gap between the substrate and the chuck increases, so that it is possible to sufficiently suppress the gas from leaking into the vacuum chamber from the gap between the substrate and the chuck. At this time, the flow rate of the gas introduction means is controlled so that the detection value of the pressure detection sensor attached to the gas introduction unit approaches the target value.
【００１１】上記ガス導入手段の流量制御には、ガス排
出部の圧力も考慮することが好ましい。この場合には、
基板とチャック間の隙間内の圧力を見積り易くなる。In controlling the flow rate of the gas introduction means, it is preferable to consider the pressure of the gas discharge section. In this case,
It is easy to estimate the pressure in the gap between the substrate and the chuck.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。まず、荷電粒子線露光装置の一
種である電子線露光装置の全体構成を説明する。図２
は、分割転写方式の電子線投影露光装置の概要を模式的
に示す図である。光学系の最上流に配置されている電子
銃１２１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１
２１の下方にはコンデンサレンズ系１２２が備えられて
いる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, an overall configuration of an electron beam exposure apparatus, which is a kind of a charged particle beam exposure apparatus, will be described. FIG.
FIG. 1 is a view schematically showing an outline of a split transfer type electron beam projection exposure apparatus. The electron gun 121 arranged at the uppermost stream of the optical system emits an electron beam downward. Electron gun 1
A condenser lens system 122 is provided below 21.
【００１３】コンデンサレンズ系１２２の下には、照明
ビーム成形開口１２３が備えられている。この開口１２
３は、マスク（レチクル）１２６の一つのサブフィール
ド（単位露光パターン領域）を照明する照明ビームのみ
を通過させる。この開口１２３の像は、照明レンズ１２
５によってマスク１２６に結像される。An illumination beam shaping aperture 123 is provided below the condenser lens system 122. This opening 12
3 passes only an illumination beam that illuminates one subfield (unit exposure pattern area) of the mask (reticle) 126. The image of the opening 123 is
5 forms an image on the mask 126.
【００１４】ビーム成形開口１２３の下方には、ブラン
キング偏向器やブランキング開口（共に図示せず）、照
明ビーム偏向器１２４等が配置されている。ブランキン
グ偏向器は、照明ビームを偏向させてブランキング開口
の非開口部に当て、ビームがマスク１２６に当たらない
ようにする。照明ビーム偏向器１２４は、主に照明ビー
ムを図２のＸ方向に順次走査して、照明光学系の視野内
にあるマスク１２６の各サブフィールドの照明を行う。
また、ビーム成形開口１２３の下方には、照明レンズ１
２５が配置されている。このレンズ１２５は、電子線を
平行ビーム化してマスク１２６に当て、マスク１２６上
にビーム成形開口１２３を結像させる。Below the beam forming opening 123, a blanking deflector, a blanking opening (both not shown), an illumination beam deflector 124 and the like are arranged. The blanking deflector deflects the illumination beam to strike the non-opening of the blanking aperture so that the beam does not strike the mask 126. The illumination beam deflector 124 mainly scans the illumination beam sequentially in the X direction in FIG. 2 to illuminate each subfield of the mask 126 within the field of view of the illumination optical system.
The illumination lens 1 is located below the beam shaping opening 123.
25 are arranged. The lens 125 converts the electron beam into a parallel beam, impinges the beam on a mask 126, and forms an image of a beam shaping aperture 123 on the mask 126.
【００１５】マスク１２６は、光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ
面）に広がっており多数のサブフィールド（図示せず）
を有する。マスク１２６上には、全体として一個の半導
体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が
形成されている。マスク１２６は、ＸＹ方向に移動可能
なマスクステージ１２７上に載置されている。照明光学
系の視野を越えて各サブフィールドを照明するために
は、マスク１２６を機械的に移動させる。なお、照明光
学系の視野内で各サブフィールドを照明するため、上述
のように偏向器１２４で電子線を偏向することができ
る。The mask 126 is disposed in a plane perpendicular to the optical axis (XY).
Surface) and a large number of subfields (not shown)
Having. On the mask 126, a pattern (chip pattern) forming one semiconductor device chip as a whole is formed. The mask 126 is mounted on a mask stage 127 movable in the X and Y directions. To illuminate each subfield beyond the field of view of the illumination optics, the mask 126 is moved mechanically. Since each subfield is illuminated within the field of view of the illumination optical system, the electron beam can be deflected by the deflector 124 as described above.
【００１６】マスク１２６の下方には投影レンズ１２８
及び１３３並びに偏向器１２９等が設けられている。そ
して、マスク１２６のあるサブフィールドに照明ビーム
が当てられ、マスク１２６のパターン部を通過した電子
線は、投影レンズ１２８、１３３によって縮小されると
ともに、各レンズ及び偏向器１２９により偏向されてウ
エハ１７の処理面１７Ａ（上面）の所定位置に結像され
る。この面１７Ａ上には、適当なレジスト（図示せず）
が塗布されており、このレジストに電子ビームのドーズ
が与えられ、マスク１２６上のパターンが縮小されてウ
エハ１７上に転写される。A projection lens 128 is provided below the mask 126.
133, a deflector 129, and the like. Then, an illumination beam is applied to a certain subfield of the mask 126, and the electron beam that has passed through the pattern portion of the mask 126 is reduced by the projection lenses 128 and 133, and deflected by each lens and the deflector 129 to be deflected by the wafer 17. Is formed at a predetermined position on the processing surface 17A (upper surface). On this surface 17A, an appropriate resist (not shown)
The resist is given a dose of an electron beam, and the pattern on the mask 126 is reduced and transferred onto the wafer 17.
【００１７】ウエハ１７上の第２投影レンズ１３３の側
方の位置には、Ｚセンサ（光軸方向位置検出器）１３
７、１３９が設けられている。これらのセンサ１３７、
１３９は、いわゆる斜入射式の光学位置検出器（特開昭
５６−４２２０５号、特開昭５８−１１３７０６号等参
照）である。図の左側のＺセンサ１３７から斜め下側に
放射された検出光１４１は、ウエハ１７の処理面１７Ａ
に当って斜め上方に反射し、Ｚセンサ１３９に入射す
る。このセンサ１３９に入射するウエハ１７の処理面１
７Ａからの反射光の特性によって、同面１７Ａの高さを
検出できる。A Z sensor (optical axis direction position detector) 13 is provided at a position on the side of the second projection lens 133 on the wafer 17.
7, 139 are provided. These sensors 137,
Reference numeral 139 denotes a so-called oblique incidence type optical position detector (see JP-A-56-42205 and JP-A-58-113706). The detection light 141 emitted obliquely downward from the Z sensor 137 on the left side of FIG.
Then, the light is reflected obliquely upward and enters the Z sensor 139. Processing surface 1 of wafer 17 incident on sensor 139
The height of the same surface 17A can be detected by the characteristics of the reflected light from 7A.
【００１８】ウエハ１７はチャック１１上に吸着固定さ
れている。チャック１１は、ＸＹ方向に移動可能なウエ
ハステージ１５３上に載置されている。マスクステージ
１２７とウエハステージ１５３とを、互いに逆の方向に
同期走査することにより、チップパターン内で多数配列
されたサブフィールドを順次露光することができる。な
お、両ステージ１２７、１５３には、レーザ干渉計を用
いた正確な位置測定システム（図示せず）が装備されて
おり、ステージ位置は正確にコントロールされる。正確
なステージ位置と光学系のコントロールにより、ウエハ
１７上でマスク１２６上のサブフィールドの縮小像が正
確に繋ぎ合わされ、マスク１２６上のチップパターン全
体がウエハ１７上に転写される。The wafer 17 is fixed on the chuck 11 by suction. The chuck 11 is mounted on a wafer stage 153 that can move in the X and Y directions. By synchronously scanning the mask stage 127 and the wafer stage 153 in directions opposite to each other, it is possible to sequentially expose a large number of subfields arranged in the chip pattern. In addition, both stages 127 and 153 are equipped with an accurate position measurement system (not shown) using a laser interferometer, and the stage position is accurately controlled. By controlling the accurate stage position and the optical system, the reduced images of the subfields on the mask 126 are accurately joined on the wafer 17, and the entire chip pattern on the mask 126 is transferred onto the wafer 17.
【００１９】以上の光学系及びステージ等は、鏡筒１１
３及びチャンバー１２内に収められている。鏡筒１１３
の上部には、ダクト１１５を介して真空ポンプ１１７が
接続されている。このポンプ１１７を運転することによ
り、鏡筒１１３内を真空雰囲気とする。また、ターボポ
ンプ１３（図１参照）を運転することにより、チャンバ
ー１２内を減圧排気する。The above optical system, stage, etc.
3 and the chamber 12. Lens barrel 113
Is connected to a vacuum pump 117 via a duct 115. By operating the pump 117, the inside of the lens barrel 113 is brought into a vacuum atmosphere. By operating the turbo pump 13 (see FIG. 1), the inside of the chamber 12 is evacuated and evacuated.
【００２０】次に、図１を参照しつつウエハチャンバー
（ウエハ処理装置）及びチャック１１の詳細を説明す
る。図１は、ウエハチャンバー及びチャックの全体構成
を模式的に示す図である。同図において、チャック１１
やチャンバー１２、ウエハ１７の部分は模式的な断面図
であり、その他の部分は配管係統図である。Next, the details of the wafer chamber (wafer processing apparatus) and the chuck 11 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram schematically showing the entire configuration of the wafer chamber and the chuck. In FIG.
Portions of the chamber 12, the wafer 12, and the wafer 17 are schematic cross-sectional views, and the other portions are piping related diagrams.
【００２１】このウエハ処理装置１０はチャック１１を
中心に構成されている。このチャック１１の吸着面（上
面）１１Ａにウエハ１７の被吸着面（下面）を吸着固定
した後、ウエハ１７の処理面（上面）１７Ａにパターン
を形成する。チャック１１はチャンバー１２内に配置さ
れている。このチャンバー１２にはターボポンプ１３が
連結されている。このポンプ１３により、チャンバー１
２内を高真空（〜１．０×１０-4Ｐａ）に保つ。チャン
バー１２には真空ゲージ１４が付設されており、チャン
バー１２内の真空度をモニターする。このゲージ１４の
モニター値は後述する流量コントローラ２５にフィード
バックされる。The wafer processing apparatus 10 is configured around a chuck 11. After the suction surface (lower surface) of the wafer 17 is suction-fixed to the suction surface (upper surface) 11A of the chuck 11, a pattern is formed on the processing surface (upper surface) 17A of the wafer 17. The chuck 11 is disposed in the chamber 12. A turbo pump 13 is connected to the chamber 12. The pump 13 causes the chamber 1
2 is kept in a high vacuum (真空 1.0 × 10 −4 Pa). The chamber 12 is provided with a vacuum gauge 14 for monitoring the degree of vacuum in the chamber 12. The monitored value of the gauge 14 is fed back to a flow controller 25 described later.
【００２２】チャック１１の吸着面１１Ａには、その周
縁部（シール部）１１Ｂを除き、掘り込まれた通路（隙
間）１８が形成されている。周縁部１１Ｂは、Ｈｅガス
が通路１８からチャンバー１２内にリークするのを抑え
る役割を有している。吸着面１１Ａの中央部には、チャ
ック１１を上下に貫通するガス導入孔１１Ｃが形成され
ている。この孔１１Ｃには、ガス導入配管１９の上端が
挿入連結されている。この管１９を介して、Ｈｅガス
（伝熱ガス）が通路１８に導入充填される。The suction surface 11A of the chuck 11 is formed with a dug passage (gap) 18 excluding its peripheral portion (seal portion) 11B. The peripheral portion 11 </ b> B has a role of preventing the He gas from leaking from the passage 18 into the chamber 12. A gas introduction hole 11C penetrating vertically through the chuck 11 is formed at the center of the suction surface 11A. The upper end of the gas introduction pipe 19 is inserted and connected to the hole 11C. He gas (heat transfer gas) is introduced and filled into the passage 18 through the pipe 19.
【００２３】チャック１１とウエハ１７間の熱伝導性を
決定するパラメータとしては、チャック１１の通路１８
に充填されたＨｅガスの熱伝導度や圧力、通路１８の高
さ等が挙げられる。通路１８に充填されたＨｅガスの圧
力が低いときには、同通路１８におけるＨｅ原子の数密
度が小さいので、Ｈｅ原子の平均自由行程（Ｈｅ原子が
直進できる平均距離）が通路１８の高さより十分長くな
る。このとき、通路１８に充填されたＨｅガスの熱伝導
度は、同ガスの圧力にほぼ比例する。一方、通路１８に
充填されたＨｅガスの圧力が高いときには、同通路１８
におけるＨｅ原子の数密度が大きいので、Ｈｅ原子の平
均自由行程が通路１８の高さより十分短くなる。このと
き、通路１８に充填されたＨｅガスの熱伝導度はほぼ一
定となり、同ガスの圧力にあまり依存しなくなる。The parameters for determining the thermal conductivity between the chuck 11 and the wafer 17 include a passage 18 of the chuck 11.
And the height of the passage 18 and the like. When the pressure of the He gas charged in the passage 18 is low, the number density of He atoms in the passage 18 is low, so that the mean free path of He atoms (the average distance over which He atoms can travel straight) is sufficiently longer than the height of the passage 18. Become. At this time, the thermal conductivity of the He gas filled in the passage 18 is substantially proportional to the pressure of the gas. On the other hand, when the pressure of the He gas filled in the passage 18 is high,
Is large, the mean free path of the He atoms becomes sufficiently shorter than the height of the passage 18. At this time, the thermal conductivity of the He gas filled in the passage 18 becomes substantially constant and does not depend much on the pressure of the gas.
【００２４】ガス導入配管１９の基端は流量コントロー
ラ２４に連結されている。このコントローラ２４は、ガ
ス導入配管２０を介してＨｅガスボンベ２６と連結され
ている。ガス導入配管１９の中途には真空ゲージ１５が
付設されており、同管１９内の圧力をモニターする。こ
のゲージ１５のモニター値は流量コントローラ２４にフ
ィードバックされる。このコントローラ２４により、ガ
ス導入配管１９のＨｅガスの流量を制御する。なお、流
量コントローラ２４の制御内容については、後述する。The base end of the gas introduction pipe 19 is connected to a flow controller 24. The controller 24 is connected to a He gas cylinder 26 via a gas introduction pipe 20. A vacuum gauge 15 is provided in the middle of the gas introduction pipe 19 to monitor the pressure in the pipe 19. The monitored value of the gauge 15 is fed back to the flow controller 24. The controller 24 controls the flow rate of He gas in the gas introduction pipe 19. The control content of the flow controller 24 will be described later.
【００２５】チャック１１の周縁部１１Ｂの内側には、
チャック１１の内部まで延びた２つのガス排出孔１１Ｄ
が形成されている。各孔１１Ｄにはガス排出路２１の一
端が接続されている。この排出路２１を介して、Ｈｅガ
スがチャック１１の通路１８から排出される。Inside the peripheral portion 11B of the chuck 11,
Two gas discharge holes 11D extending to the inside of the chuck 11
Are formed. One end of a gas discharge path 21 is connected to each hole 11D. He gas is discharged from the passage 18 of the chuck 11 through the discharge passage 21.
【００２６】ガス排出路２１に接続されたガス排出配管
２２は、流量コントローラ２５に連結されている。この
コントローラ２５は、ガス排出配管２３を介して真空ポ
ンプ２７と連結されている。このコントローラ２５によ
り、ガス排出路２１のＨｅガスの流量を制御する。な
お、流量コントローラ２５による制御内容については、
後述する。The gas discharge pipe 22 connected to the gas discharge path 21 is connected to a flow controller 25. The controller 25 is connected to a vacuum pump 27 via a gas discharge pipe 23. The controller 25 controls the flow rate of He gas in the gas discharge path 21. In addition, about the control content by the flow controller 25,
It will be described later.
【００２７】ガス排出配管２２の中途には真空ゲージ１
６が付設されており、同管２１、２２内の圧力をモニタ
ーする。このゲージ１６のモニター値は流量コントロー
ラ２４にフィードバックされる。本実施例では、真空ゲ
ージ１５、１６の各モニター値を基にして、チャック１
１の通路１８内の圧力を見積る。なお、この見積りは、
真空ゲージ１５のモニター値を考慮するのみでも可能で
あるが、本実施例のように真空ゲージ１６のモニター値
も考慮すると、通路１８内の圧力の見積もりが容易にな
る。In the middle of the gas discharge pipe 22, a vacuum gauge 1
6 is attached to monitor the pressure in the pipes 21 and 22. The monitored value of the gauge 16 is fed back to the flow controller 24. In this embodiment, based on the monitored values of the vacuum gauges 15 and 16, the chuck 1
Estimate the pressure in one passage 18. Please note that this estimate
Although it is possible to consider only the monitored value of the vacuum gauge 15, it is possible to easily estimate the pressure in the passage 18 by also considering the monitored value of the vacuum gauge 16 as in this embodiment.
【００２８】次に、流量コントローラ２４、２５の各制
御内容を説明する。ウエハ１７の被吸着面１７Ｂの状態
が良い場合には、チャック１１の周縁部１１Ｂにより、
Ｈｅガスがチャック１１の通路１８からチャンバー１２
内にリークするのを十分に抑制できる。このとき、Ｈｅ
ガスのリーク量はターボポンプ１３の排気能力の範囲内
であるので、このポンプ１３のみで、チャンバー１２内
を高真空度（〜１×１０-4Ｐａ）に保つことができる。Next, control contents of the flow controllers 24 and 25 will be described. When the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is good, the peripheral portion 11B of the chuck 11
He gas is supplied from the passage 18 of the chuck 11 to the chamber 12.
Leakage can be sufficiently suppressed. At this time, He
Since the amount of gas leakage is within the range of the exhaust capability of the turbo pump 13, the inside of the chamber 12 can be maintained at a high vacuum (up to 1 × 10 −4 Pa) with only the pump 13.
【００２９】そこで、ウエハ１７の被吸着面１７Ｂの状
態が良い場合には、通路１８内の圧力が目標値（例えば
２．７×１０2Ｐａ〜１．３×１０3Ｐａ（２ｔｏｒｒ〜
１０ｔｏｒｒ））に保たれるように、ガス導入流量コン
トローラ２４がガス導入配管１９のＨｅガスの流量を制
御するとともに、排気流量コントローラ２５がガス排出
路２１、２２のＨｅガスの流量を制御する。この制御に
より、チャック１１とウエハ１７間に良好な熱伝導性を
確保して、ウエハの熱膨張を抑制してウエハの変形等を
防止できる。Therefore, when the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is good, the pressure in the passage 18 is set to a target value (for example, 2.7 × 10 2 Pa to 1.3 × 10 3 Pa ( 2 torr to 2 × 10 3 Pa)).
10 torr)), the gas introduction flow controller 24 controls the flow rate of He gas in the gas introduction pipe 19, and the exhaust flow rate controller 25 controls the flow rate of He gas in the gas discharge paths 21 and 22. With this control, good thermal conductivity between the chuck 11 and the wafer 17 is ensured, thermal expansion of the wafer is suppressed, and deformation or the like of the wafer can be prevented.
【００３０】一方、ウエハ１７の被吸着面１７Ｂの状態
が悪い場合には、チャック１１の周縁部１１Ｂからのガ
スリークが増える。このとき、Ｈｅガスのリーク量がタ
ーボポンプ１３の排気能力を越えて、このポンプ１３だ
けではチャンバー１２内を高真空に保つことができない
場合もありうる。On the other hand, when the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is poor, gas leakage from the peripheral portion 11B of the chuck 11 increases. At this time, the amount of leakage of the He gas may exceed the exhaust capability of the turbo pump 13, and the pump 12 alone may not be able to maintain a high vacuum in the chamber 12.
【００３１】そこで、ウエハ１７の被吸着面１７Ｂの状
態が悪い場合には、チャンバー１２内を高真空（〜１．
３×１０-3Ｐａ）に戻すように、排気流量コントローラ
２５がガス排出路２１、２２のＨｅガスの流量を制御す
る。この制御により、チャック１１の通路１８からＨｅ
ガスを排出する量が増加するので、同ガスが通路１８か
らチャンバー１２内にリークするのを十分に抑制でき
る。Therefore, when the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is poor, the inside of the chamber 12 is subjected to a high vacuum (~ 1.
The exhaust gas flow rate controller 25 controls the flow rate of He gas in the gas discharge paths 21 and 22 so as to return to 3 × 10 −3 Pa). By this control, He passes through passage 18 of chuck 11.
Since the amount of discharged gas increases, it is possible to sufficiently suppress the gas from leaking from the passage 18 into the chamber 12.
【００３２】ところで、チャック１１の通路１８からの
Ｈｅガスの排出量が増加すると、同通路１８内の圧力が
目標値を下回る。そこで、ガス排出路２１、２２のコン
ダクタンスを十分に採っておき、ウエハ１７の被吸着面
１７Ｂの状態が悪い場合には、チャック１１とウエハ１
７間の熱伝導性が許容範囲内に収まるように、ガス導入
流量コントローラ２４がガス導入配管１９のＨｅガスの
流量を制御する。したがって、この制御開始の時間的遅
れが多少あっても、通路１８内の圧力が目標値に戻るま
でのマージンを取ることができ、チャック１１とウエハ
１７間の熱伝導性に悪影響を及ぼさないようできる。具
体例としては、チャック１１の通路１８の高さ＝１００
μｍ、Ｈｅ原子の平均自由行程＝１００μｍ、及び、チ
ャック１１の周辺の雰囲気温度＝３００°Ｋに採った際
には、通路１８内にＨｅガスを充填すると、同通路１８
内の圧力〜２．７×１０2Ｐａ（２ｔｏｒｒ）となる。
そこで、ウエハ１７の被吸着面１７Ｂの状態が悪い場合
には、通路１８内の圧力〜１．３×１０3Ｐａ（１０ｔ
ｏｒｒ）となるように、流量コントローラ２４がガス導
入配管１９のＨｅガスの流量を制御すれば良い。When the amount of He gas discharged from the passage 18 of the chuck 11 increases, the pressure in the passage 18 falls below a target value. Therefore, the conductance of the gas discharge passages 21 and 22 is sufficiently set, and when the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is poor, the chuck 11 and the wafer 1
The gas introduction flow controller 24 controls the flow rate of the He gas in the gas introduction pipe 19 so that the thermal conductivity between the seven falls within an allowable range. Therefore, even if there is a slight delay in the start of the control, a margin can be taken until the pressure in the passage 18 returns to the target value, so that the thermal conductivity between the chuck 11 and the wafer 17 is not adversely affected. it can. As a specific example, the height of the passage 18 of the chuck 11 = 100
μm, the mean free path of He atoms = 100 μm, and the ambient temperature around the chuck 11 = 300 ° K. When the passage 18 is filled with He gas, the passage 18
The internal pressure is 2.7 × 10 2 Pa ( 2 torr).
Therefore, when the state of the suction surface 17B of the wafer 17 is poor, the pressure in the passage 18 is reduced to 1.3 × 10 3 Pa (10 t).
The flow rate controller 24 may control the flow rate of the He gas in the gas introduction pipe 19 so that the flow rate of the gas reaches He.
【００３３】次に、図３を参照しつつ、本発明の第二実
施例に係るウエハ処理装置に具備されるチャックを説明
する。図３（Ａ）は、このチャックの外観を示す平面図
であり、図３（Ｂ）は、同チャックのＡ−Ａ方向の断面
図である。なお、第一実施例との共通箇所には、図１と
同じ符号を付すこととする。Next, a chuck provided in a wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3A is a plan view showing the appearance of the chuck, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the chuck taken along the line AA. In addition, the same reference numerals as those in FIG.
【００３４】このチャックの吸着面には、環状の第一の
周縁部３０と、この周縁部３０より外側に配置された環
状の第二の周縁部３１とが形成されている。これらの周
縁部３０、３１は、第一実施例の周縁部１１Ｂと同様の
役割を果たす。これらの二重の周縁部３０、３１を形成
することにより、Ｈｅガスが通路１８からチャンバー１
２（図１参照）内にリークするのを第一実施例よりも抑
制できる。On the suction surface of the chuck, an annular first peripheral portion 30 and an annular second peripheral portion 31 disposed outside the peripheral edge 30 are formed. These peripheral portions 30, 31 play the same role as the peripheral portion 11B of the first embodiment. By forming these double peripheral portions 30 and 31, He gas flows from the passage 18 to the chamber 1.
2 (see FIG. 1) can be suppressed more than in the first embodiment.
【００３５】第一の周縁部３０と第二の周縁部３１間に
は、８個のガス排出孔１１Ｄ′が等間隔ずつ形成されて
いる。これらの孔１１Ｄ′は、第一実施例のガス排出孔
１１Ｄと同様の役割を果たす。これらの孔１１Ｄ′は環
状通路１１Ｅにより連結されており、通路１８から各孔
１１Ｄ′に流れ込んだＨｅガスは、１個のガス排出孔１
１Ｄ′に集められて排出される。このように、ガス排出
孔１１Ｄ′を複数個形成することにより、Ｈｅガス排出
におけるコンダクタンスが増加するので、通路１８内の
圧力の急激な変化を軽減でき、同通路１８内の目標値を
第一実施例よりも低く設定できる。Eight gas discharge holes 11D 'are formed at regular intervals between the first peripheral portion 30 and the second peripheral portion 31. These holes 11D 'play the same role as the gas discharge holes 11D of the first embodiment. These holes 11D 'are connected by an annular passage 11E, and the He gas flowing into each hole 11D' from the passage 18 is supplied to one gas discharge hole 1D.
Collected in 1D 'and discharged. By forming a plurality of gas discharge holes 11D 'in this manner, the conductance in He gas discharge increases, so that a rapid change in the pressure in the passage 18 can be reduced, and the target value in the passage 18 is set to the first value. It can be set lower than in the embodiment.
【００３６】以上説明してきた両実施例においては、伝
熱ガスとしてＨｅガスを用いているが、その他のガス
（例えばＮ2）を代用することもできる。しかしなが
ら、Ｈｅガスは他のガスに比べて熱伝導性が良く不活性
であることから、伝熱ガスとして好ましい。In both the embodiments described above, He gas is used as the heat transfer gas, but another gas (for example, N 2 ) can be used instead. However, He gas is preferable as a heat transfer gas because it has high thermal conductivity and is inert compared to other gases.
【００３７】次に上記説明した電子線転写露光装置を利
用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図４は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described electron beam transfer exposure apparatus will be described. FIG.
The flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.) is shown.
【００３８】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局所的にリサイズを施す
ことにより近接作用や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ３（ウエハ製造）
では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。In step 1 (circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed. Step 2 (mask fabrication) forms a mask on which the designed circuit pattern is formed. At this time, the pattern may be locally resized to correct the beam blur due to the proximity effect or the space charge effect. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon.
【００３９】ステップ４（酸化）では、ウエハの表面を
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布す
る。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステップ２で
作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によって、マ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。その際、
ウエハを固定するのに上述の基板処理装置を用いる。ス
テップ１０（光露光）では、同じくステップ２で作った
光露光用マスクを用いて、光ステッパーによってマスク
の回路パターンをウエハに焼付露光する。この前又は後
に、電子ビームの後方散乱電子を均一化する近接効果補
正露光を行ってもよい。In step 4 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. Step 5 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 6 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. Step 7 (ion implantation) implants ions into the wafer. In step 8 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 9 (electron beam exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the electron beam transfer device using the mask created in step 2. that time,
The above-described substrate processing apparatus is used to fix the wafer. In step 10 (light exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the optical stepper using the light exposure mask similarly formed in step 2. Before or after this, proximity effect correction exposure for equalizing the backscattered electrons of the electron beam may be performed.
【００４０】ステップ１１（現像）では、露光したウエ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。Step 11 (development) develops the exposed wafer. In step 12 (etching), portions other than the resist image are selectively removed. Step 13
In (resist removal), the unnecessary resist after etching is removed. By repeatedly performing steps 4 to 13, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００４１】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウエハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。Step 14 (assembly), which is called a post-process, is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced by the above process, and includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). And the like. In step 15 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 14 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 16).
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の被吸着面の状態が悪い場合には、真空室に付設さ
れた圧力検知センサの検知値が目標値に近づくように、
ガス排気手段の流量を制御するので、伝熱ガスが基板と
チャック間の隙間から真空室内にリークするのを十分に
抑制できる。As described above, according to the present invention,
When the state of the suction surface of the substrate is poor, the detection value of the pressure detection sensor attached to the vacuum chamber approaches the target value,
Since the flow rate of the gas exhaust unit is controlled, it is possible to sufficiently prevent the heat transfer gas from leaking from the gap between the substrate and the chuck into the vacuum chamber.
【００４３】ガス排出部の圧力も考慮してガス導入手段
の流量制御を行う場合には、基板とチャック間の隙間内
の圧力を簡単に見積れる。When the flow rate of the gas introduction means is controlled in consideration of the pressure of the gas discharge section, the pressure in the gap between the substrate and the chuck can be easily estimated.
【図１】本発明に係る第一実施例のウエハチャンバー及
びチャックの全体構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a wafer chamber and a chuck according to a first embodiment of the present invention.
【図２】分割転写方式の電子線投影露光装置の概要を模
式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing an outline of an electron beam projection exposure apparatus of a division transfer system.
【図３】（Ａ）は、本発明に係る第二実施例のウエハ処
理装置のチャックの外観を示す平面図である。（Ｂ）
は、同チャックのＡ−Ａ方向の断面図である。FIG. 3A is a plan view illustrating an appearance of a chuck of a wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. (B)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the chuck in the AA direction.
【図４】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, or the like).
１０ ウエハ処理装置 １１ チャック １２ チャンバー １３ ターボポ
ンプ １４〜１６ 真空ゲージ １７ ウエハ １８ 通路 １９、２０ ガ
ス導入配管 ２１〜２３ ガス排出路、配管 ２４、２５ 流
量コントローラ ２６ 真空ポンプ ２７ 真空ポン
プ ３０ 第一の周縁部 ３１ 第二の周
縁部 １１Ａ 吸着面 １１Ｂ シール
部（周縁部） １１Ｃ ガス導入孔 １１Ｄ、１１
Ｄ′ ガス排出孔 １１Ｅ 環状通路 １７Ａ 処理面 １７Ｂ 被吸着面DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer processing apparatus 11 Chuck 12 Chamber 13 Turbo pump 14-16 Vacuum gauge 17 Wafer 18 Passage 19, 20 Gas introduction piping 21-23 Gas exhaust passage, piping 24, 25 Flow controller 26 Vacuum pump 27 Vacuum pump 30 First periphery Part 31 Second peripheral part 11A Adsorption surface 11B Seal part (peripheral part) 11C Gas introduction hole 11D, 11
D 'Gas exhaust hole 11E Annular passage 17A Treated surface 17B Adsorbed surface
Claims (4)
吸着面と基板の被吸着面との間（隙間）にガスを導入す
るガス導入手段と、 該隙間からガスを排出するガス排出手段と、 該ガスが真空室内に流れるのを抑制するシール手段と、 が設けられており、 上記真空室、及び、上記ガス導入手段のチャックへの導
入部には、圧力検知センサが付設されており、 ガス導入部の圧力に応じて上記ガス導入手段の流量を制
御し、 上記真空室の真空度に応じて上記ガス排出手段の流量を
制御することを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus comprising: a vacuum chamber evacuated and evacuated; a means for evacuating and evacuating the chamber; and a chuck for adsorbing and fixing a substrate disposed in the chamber; Gas introducing means for introducing gas between the suction surface and the surface to be sucked of the substrate (gap); gas discharging means for discharging gas from the gap; and sealing means for suppressing the gas from flowing into the vacuum chamber. A pressure detection sensor is attached to the vacuum chamber and an introduction portion of the gas introduction unit to the chuck, and a flow rate of the gas introduction unit is adjusted according to a pressure of the gas introduction unit. Controlling the flow rate of said gas discharge means in accordance with the degree of vacuum in said vacuum chamber.
排出部に、圧力検知センサが付設されており、 上記ガス導入手段の流量制御には、上記ガス排出部の圧
力も考慮することを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置。2. A pressure detection sensor is attached to a discharge section from the chuck to the gas discharge means, and the pressure of the gas discharge section is considered in controlling the flow rate of the gas introduction means. The substrate processing apparatus according to claim 1.
学系と、 減圧雰囲気中で基板を保持する基板保持装置と、 を有する荷電粒子線露光装置であって；該基板保持装置
は、 減圧排気される真空室と、 該室を減圧排気する手段と、 該室内に配置された基板を吸着固定するチャックと、 上記チャックの基板吸着面と基板の被吸着面との間（隙
間）にガスを導入するガス導入手段と、 該隙間からガスを排出するガス排出手段と、 該ガスが真空室内に流れるのを防止するシール手段と、 を具備し、 上記真空室、及び、上記ガス導入手段のチャックへの導
入部には、圧力検知センサが付設されており、 ガス導入部の圧力に応じて上記ガス導入手段の流量を制
御し、 上記真空室の真空度に応じて上記ガス排出手段の流量を
制御することを特徴とする荷電粒子線露光装置。3. A charged particle beam exposure apparatus comprising: an optical system that forms an image of a charged particle beam on a sensitive substrate; and a substrate holding device that holds the substrate in a reduced-pressure atmosphere. A vacuum chamber that is evacuated and evacuated, means for evacuating and decompressing the chamber, a chuck that adsorbs and fixes a substrate disposed in the chamber, and a chuck (gap) between the substrate adsorption surface of the chuck and the substrate adsorption surface. A gas introducing means for introducing a gas, a gas discharging means for discharging the gas from the gap, and a sealing means for preventing the gas from flowing into the vacuum chamber, wherein the vacuum chamber and the gas introducing means are provided. A pressure detection sensor is attached to the introduction part of the chuck to control the flow rate of the gas introduction means according to the pressure of the gas introduction part, and the gas discharge means is controlled according to the degree of vacuum of the vacuum chamber. Characterized by controlling the flow rate Charged particle beam exposure equipment.
学系と、減圧雰囲気中で基板を保持する基板保持装置
と、を有する荷電粒子線露光装置を用いてリソグラフィ
ー工程を行うデバイス製造方法であって；該基板保持装
置は、減圧排気される真空室と、該室を減圧排気する手
段と、該室内に配置された基板を吸着固定するチャック
と、上記チャックの基板吸着面と基板の被吸着面との間
（隙間）にガスを導入するガス導入手段と、該隙間から
ガスを排出するガス排出手段と、該ガスが真空室内に流
れるのを防止するシール手段と、を具備し、 上記真空室、及び、上記ガス導入手段のチャックへの導
入部に圧力検知センサを付設しておき、ガス導入部の圧
力に応じて上記ガス導入手段の流量を制御し、上記真空
室の真空度に応じて上記ガス排出手段の流量を制御する
ことを特徴とするデバイス製造方法。4. A device manufacturing method for performing a lithography process using a charged particle beam exposure apparatus having an optical system for forming an image of a charged particle beam on a sensitive substrate and a substrate holding device for holding the substrate in a reduced-pressure atmosphere. A vacuum chamber evacuated and evacuated, means for evacuating and evacuating the chamber, a chuck for adsorbing and fixing a substrate disposed in the chamber, a substrate suction surface of the chuck and a substrate Gas introducing means for introducing gas into the gap (gap) with the surface to be adsorbed, gas discharging means for discharging gas from the gap, and sealing means for preventing the gas from flowing into the vacuum chamber; A pressure detection sensor is attached to the vacuum chamber and the gas introducing unit to the chuck, and the flow rate of the gas introducing unit is controlled according to the pressure of the gas introducing unit. According to the above gas exhaust Device manufacturing method characterized by controlling the flow rate of means.
Priority Applications (2)
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