JP2001189028A - Optical pickup device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
記録媒体に情報を記録し、または記録された情報を再生
する光ピックアップ装置に関する。The present invention relates to an optical pickup device for recording information on an optical recording medium such as an optical disk or reproducing the recorded information.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の光ピックアップ装置とし
て、例えば図3に示すようなものが知られている。この
光ピックアップ装置は、レーザ光源1と、コリメートレ
ンズ2と、偏光ビームスプリッター3と、1/4波長板
4と、対物レンズ5と、ディテクターレンズ(集光レン
ズ)7と、受光素子8とを備えている。2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of optical pickup device, for example, the one shown in FIG. 3 is known. This optical pickup device includes a laser light source 1, a collimating lens 2, a polarizing beam splitter 3, a quarter-wave plate 4, an objective lens 5, a detector lens (condensing lens) 7, and a light receiving element 8. Have.
【0003】この光ピックアップ装置において、レーザ
光源1からの出射光(往路光9)は、コリメートレンズ
2により平行光線とされ、偏光ビームスプリッター3を
透過する。そして、1/4波長板4によって偏光方向が
45゜変化され、対物レンズ5によって光記録媒体6に
集束される。光記録媒体6により反射された光信号(復
路光10)は、1/4波長板4によって偏光方向が再度
45゜変化されて元の光から90゜変化する。そして、
偏光ビームスプリッター3によって反射され、ディテク
ターレンズ7によって受光素子8に集束される。この受
光素子8により光信号が電気信号に変換されて記録が再
生される。In this optical pickup device, light emitted from the laser light source 1 (outgoing light 9) is converted into a parallel light by the collimating lens 2, and passes through the polarizing beam splitter 3. Then, the polarization direction is changed by 45 ° by the 波長 wavelength plate 4 and focused on the optical recording medium 6 by the objective lens 5. The polarization direction of the optical signal (return light 10) reflected by the optical recording medium 6 is again changed by 45 ° by the 波長 wavelength plate 4 and changed by 90 ° from the original light. And
The light is reflected by the polarization beam splitter 3 and focused on the light receiving element 8 by the detector lens 7. The light signal is converted into an electric signal by the light receiving element 8, and the recording is reproduced.
【0004】さらに、従来技術として、図4に示すよう
なものも知られている。この光ピックアップ装置は、レ
ーザ光源1と、コリメートレンズ2と、対物レンズ5
と、受光素子8と、回折格子11、12とを備えてい
る。[0004] Further, as a prior art, there is also known one as shown in FIG. This optical pickup device includes a laser light source 1, a collimating lens 2, an objective lens 5,
, A light receiving element 8, and diffraction gratings 11 and 12.
【0005】この光ピックアップ装置において、光源1
からの出射光(往路光9)は、回折格子12によって記
録、再生信号用の0次光とトラッキング誤差検出用の±
1次光に分離される。また、光記録媒体6から反射され
た光信号(復路光10)は、回折格子11によって受光
素子8に集束される。そして、受光素子8により光信号
が電気信号に変換されて記録が再生されるときに、フォ
ーカス誤差とトラッキング誤差が修正される。In this optical pickup device, a light source 1
Outgoing light (outgoing light 9) from the diffraction grating 12 is a zero-order light for recording and reproduction signals and ± 0 for tracking error detection.
It is separated into primary light. The optical signal (return light 10) reflected from the optical recording medium 6 is focused on the light receiving element 8 by the diffraction grating 11. Then, when the light signal is converted into an electric signal by the light receiving element 8 and the recording is reproduced, the focus error and the tracking error are corrected.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図3に示した従来の光
ピックアップ装置においては、光記録媒体6からの反射
光をレーザ光源1に戻り難くするために、1/4波長板
4と偏光ビームスプリッター3とディテクターレンズ7
といった部品が必要になる。このように部品点数が増え
ると、光ピックアップ装置の組み立て調整が困難とな
り、装置の小型化および軽量化を図ることができないと
いう問題がある。In the conventional optical pickup device shown in FIG. 3, in order to make it difficult for reflected light from the optical recording medium 6 to return to the laser light source 1, a quarter-wave plate 4 and a polarized beam are used. Splitter 3 and detector lens 7
Such parts are required. When the number of components increases in this manner, it becomes difficult to assemble and adjust the optical pickup device, and there is a problem that the size and weight of the device cannot be reduced.
【0007】また、図4に示した従来の光ピックアップ
装置においては、光記録媒体6から反射された光信号が
レーザ光源1に戻ってくる構造を取っている。よって、
光記録媒体6に情報を記録するために、レーザ端面反射
率が低い高出力のレーザ光源1を用いた場合、光記録媒
体6から反射された光信号がレーザ光源1の内部に入っ
てレーザ内部で増幅されるため、ノイズやスクープ等の
悪影響が生じる。なお、スクープは、光記録媒体6から
の戻り光が無い状態でのレーザ光源1による光出力をP
1、光記録媒体6からの戻り光がある状態でのレーザ光
源1による光出力をP2とした場合、スクープ=P2/
P1(%)で表される。Further, the conventional optical pickup device shown in FIG. 4 has a structure in which the optical signal reflected from the optical recording medium 6 returns to the laser light source 1. Therefore,
When a high power laser light source 1 having a low laser end face reflectance is used to record information on the optical recording medium 6, an optical signal reflected from the optical recording medium 6 enters the inside of the laser light source 1 and Therefore, adverse effects such as noise and scoop occur. Note that the scoop changes the light output from the laser light source 1 in a state where there is no return light from the optical recording medium 6 to P.
1. When the light output from the laser light source 1 in a state where there is return light from the optical recording medium 6 is P2, scoop = P2 /
It is represented by P1 (%).
【0008】さらに、図3および図4に示した従来の光
ピックアップ装置においては、いずれの構成でも、レー
ザ光源1をパルス電流で駆動し、レーザ光源1が光って
いない状態のときに光記録媒体6からの反射光が戻って
くるように、重畳パルスの形状と光ピックアップ装置の
光路長とを調整するため、これらの設定が困難であっ
た。Further, in the conventional optical pickup device shown in FIGS. 3 and 4, the laser light source 1 is driven by a pulse current and the optical recording medium is not illuminated when the laser light source 1 is not illuminated. Since the shape of the superimposed pulse and the optical path length of the optical pickup device are adjusted so that the reflected light from 6 returns, it is difficult to set these.
【0009】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、光ディスク等の光記録
媒体から反射光が半導体レーザに戻ってくる光ピックア
ップ装置において、レーザ内部への光の進入を緩和して
ノイズやスクープを減らすことができ、部品点数を減ら
して小型化および軽量化を図ることができ、さらに、重
畳パルス条件や光路長の調整が容易な光ピックアップ装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve such problems of the prior art. In an optical pickup device in which reflected light from an optical recording medium such as an optical disk returns to a semiconductor laser, the light inside the laser is emitted. To provide an optical pickup device that can reduce noise and scoop by reducing the number of components, reduce the number of parts, reduce the size and weight, and easily adjust the superimposed pulse condition and the optical path length. The purpose is to:
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、半導体レーザをパルス電流で駆動してレーザ光
を出射させて光記録媒体に照射し、該光記録媒体により
反射された光を受光して信号を再生する光ピックアップ
装置において、該パルス電流が継続している間に該光記
録媒体で反射された光が該半導体レーザに戻ってくるよ
うに構成され、該半導体レーザの主出射面側の反射率を
緩和振動数、装置の光路長、パルス電流の周波数、パル
ス電流の幅およびパルス電流の振幅に応じて、スクープ
が200%以下になるように設定してあり、そのことに
より上記目的が達成される。An optical pickup device according to the present invention drives a semiconductor laser with a pulse current to emit a laser beam to irradiate an optical recording medium, and receives light reflected by the optical recording medium. And an optical pickup device for reproducing a signal, wherein light reflected by the optical recording medium returns to the semiconductor laser while the pulse current continues, and a main emission surface of the semiconductor laser. The reflectivity on the side is set so that the scoop is 200% or less according to the relaxation frequency, the optical path length of the device, the frequency of the pulse current, the width of the pulse current, and the amplitude of the pulse current. Objective is achieved.
【0011】前記半導体レーザがダブルヘテロ構造で、
共振器長が500μm、装置の光路長が20mm以上、
パルス電流の周波数が150MHz以上である場合に、
半導体レーザの主出射面側の反射率を6%以上21%以
下とすることができる。The semiconductor laser has a double hetero structure,
The cavity length is 500 μm, the optical path length of the device is 20 mm or more,
When the frequency of the pulse current is 150 MHz or more,
The reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser can be 6% or more and 21% or less.
【0012】前記半導体レーザがマルチカンタムウェル
構造で、共振器長が800μm、装置の光路長が20m
m以上、パルス電流の周波数が150MHz以上である
場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を10%以
上15%以下とすることができる。The semiconductor laser has a multiquantum well structure, a cavity length of 800 μm, and an optical path length of the device of 20 m.
When the pulse current is 150 m or more and the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser can be 10% or more and 15% or less.
【0013】前記半導体レーザがマルチカンタムウェル
構造で、共振器長が600μm、装置の光路長が20m
m以上、パルス電流の周波数が150MHz以上である
場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を10%以
上15%以下とすることができる。The semiconductor laser has a multiquantum well structure, a cavity length is 600 μm, and an optical path length of the device is 20 m.
When the pulse current is 150 m or more and the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser can be 10% or more and 15% or less.
【0014】以下に、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.
【0015】本発明にあっては、半導体レーザより出射
された光が光記録媒体に照射され、光記録媒体に反射さ
れた光が半導体レーザに戻ってくる構成の光ピックアッ
プ装置において、レーザ出射面側の反射率を高くして、
半導体レーザ内部に光が入り難くする。よって、光ディ
スク等の光記録媒体に情報を記録するために用いられる
ような高出力レーザにおいて、図4に示した従来例と同
様に、半導体レーザに光が戻ってくる構成としても、ス
クープ率を低減可能である。According to the present invention, there is provided an optical pickup device having a structure in which light emitted from a semiconductor laser is irradiated on an optical recording medium and light reflected on the optical recording medium returns to the semiconductor laser. Side reflectivity,
Light hardly enters the semiconductor laser. Therefore, in a high-power laser used for recording information on an optical recording medium such as an optical disk, the scoop rate is reduced even when the light is returned to the semiconductor laser as in the conventional example shown in FIG. It can be reduced.
【0016】半導体レーザの主出射面側の反射率は、レ
ーザチップの構造および共振器長から決まる緩和振動数
と、光ピックアップ装置の光路長と、重畳パルス電流の
周波数、幅および振幅に応じて、スクープが200%以
下になるように設定することができる。スクープが20
0%を超えると、光記憶媒体に合焦した時の戻り光量が
増大し、レーザノイズが発生しやすく、LDパワーも増
大するため、3T〜11Tの信号振幅比率が崩れる等の
問題が発生するからである。The reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side depends on the relaxation frequency determined by the structure of the laser chip and the resonator length, the optical path length of the optical pickup device, and the frequency, width and amplitude of the superimposed pulse current. , The scoop can be set to be 200% or less. 20 scoops
If it exceeds 0%, the amount of return light upon focusing on the optical storage medium increases, so that laser noise is likely to occur and the LD power also increases, so that problems such as collapse of the signal amplitude ratio of 3T to 11T occur. Because.
【0017】このように、光記録媒体に反射された光が
半導体レーザに戻ってくる構成では、図3に示した従来
例のように1/4波長板や偏光ビームスプリッタ、ディ
テクターレンズ等の部品が不要であるので、組立調整が
容易で装置の小型化および軽量化を図ることが可能であ
る。As described above, in the configuration in which the light reflected on the optical recording medium returns to the semiconductor laser, components such as a quarter-wave plate, a polarizing beam splitter, and a detector lens are used as in the conventional example shown in FIG. Is unnecessary, so that assembly adjustment is easy and the device can be reduced in size and weight.
【0018】さらに、パルス電流が継続して半導体レー
ザが光っている状態で光記録媒体から反射光が戻ってき
ても、光を内部に入り難くすることができる。よって、
図3および図4に示した従来例のように、レーザ光源が
光っていない状態のときに光記録媒体から反射光が戻っ
てくるように重畳パルスの形状や光路長の調整を行う必
要がなく、重畳パルス条件や光路長の調整が容易であ
る。Furthermore, even if reflected light returns from the optical recording medium while the pulse current continues and the semiconductor laser is shining, it is possible to make light hard to enter inside. Therefore,
As in the conventional example shown in FIGS. 3 and 4, there is no need to adjust the shape of the superimposed pulse and the optical path length so that the reflected light returns from the optical recording medium when the laser light source is not emitting light. It is easy to adjust the superimposed pulse condition and the optical path length.
【0019】例えば、半導体レーザがダブルヘテロ構造
で、共振器長が500μm、装置の光路長が20mm以
上、パルス電流の周波数が150MHz以上である場
合、半導体レーザの主出射面側の反射率を6%以上21
%以下とする。半導体レーザの主出射面側の反射率が6
%未満の場合には、スクープが200%を超えるからで
ある。For example, if the semiconductor laser has a double heterostructure, the resonator length is 500 μm, the optical path length of the device is 20 mm or more, and the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side is 6 μm. % Or more 21
% Or less. The reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side is 6
If the percentage is less than 200%, the scoop exceeds 200%.
【0020】また、半導体レーザがマルチカンタムウェ
ル構造で、共振器長が800μm、装置の光路長が20
mm以上、パルス電流の周波数が150MHz以上であ
る場合、半導体レーザの主出射面側の反射率を10%以
上15%以下とする。半導体レーザの主出射面側の反射
率が10%未満の場合には、スクープが200%を超え
るからである。The semiconductor laser has a multiquantum well structure, the cavity length is 800 μm, and the optical path length of the device is 20 μm.
mm or more and the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser is 10% or more and 15% or less. This is because the scoop exceeds 200% when the reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser is less than 10%.
【0021】さらに、半導体レーザがマルチカンタムウ
ェル構造で、共振器長が600μm、装置の光路長が2
0mm以上、パルス電流の周波数が150MHz以上で
ある場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を10
%以上15%以下とする。半導体レーザ素子の主出射面
側の反射率が10%未満の場合には、スクープが200
%を超えるからである。Further, the semiconductor laser has a multiquantum well structure, the cavity length is 600 μm, and the optical path length of the device is 2 μm.
0 mm or more, and when the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side is 10
% To 15% or less. When the reflectance on the main emission surface side of the semiconductor laser device is less than 10%, the scoop is 200
%.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0023】図1は本発明の一実施形態である光ピック
アップ装置である。FIG. 1 shows an optical pickup device according to an embodiment of the present invention.
【0024】この光ピックアップ装置は、レーザ光源1
と、レーザ光源1からトラッキング誤差検出信号を発生
させるための回折格子12と、レーザ光源1から出射さ
れた光9を平行光にするためのコリメートレンズ2と、
この平行光を光ディスク等の光記録媒体6に集束させる
ための対物レンズ5と、光記録媒体6により反射された
光信号を受光素子8に回折するための回折格子11と、
回折格子11により回折された光信号を電気信号に変換
するための受光素子8を備えている。この構成では、図
4に示した従来の光ピックアップ装置と同様に、光記録
媒体6により反射された光がレーザ光源1に戻ってく
る。This optical pickup device comprises a laser light source 1
A diffraction grating 12 for generating a tracking error detection signal from the laser light source 1, a collimating lens 2 for converting the light 9 emitted from the laser light source 1 into parallel light,
An objective lens 5 for converging the parallel light on an optical recording medium 6 such as an optical disk, a diffraction grating 11 for diffracting an optical signal reflected by the optical recording medium 6 to a light receiving element 8,
A light receiving element 8 for converting an optical signal diffracted by the diffraction grating 11 into an electric signal is provided. In this configuration, the light reflected by the optical recording medium 6 returns to the laser light source 1 as in the conventional optical pickup device shown in FIG.
【0025】この光ピックアップ装置は、図2に示すよ
うにしてスクープを測定することができる。This optical pickup device can measure a scoop as shown in FIG.
【0026】ここでは、レーザ光源1から出射された光
を回折する回折格子15と、回折格子15によって回折
された光13を受光素子16に反射させるための反射鏡
14と、回折光13の光信号を電気信号に変換するため
の受光素子16が設けられている。Here, a diffraction grating 15 for diffracting light emitted from the laser light source 1, a reflecting mirror 14 for reflecting the light 13 diffracted by the diffraction grating 15 to a light receiving element 16, and a light of the diffracted light 13 A light receiving element 16 for converting a signal into an electric signal is provided.
【0027】そして、光記録媒体6からの戻り光が無い
状態でのレーザ光源1による光出力P1、および光記録
媒体6からの戻り光がある状態でのレーザ光源1による
光出力P2から、 スクープ=P2/P1(%) によってスクープを求めることができる。The light output P1 from the laser light source 1 when there is no return light from the optical recording medium 6 and the light output P2 from the laser light source 1 when there is return light from the optical recording medium 6 are scooped. = P2 / P1 (%) to obtain the scoop.
【0028】本実施形態の光ピックアップ装置において
は、光路長を20mm以上に設定し、周波数150〜2
50MHz、Duty50%以下、および振幅60mA
以上の重畳パルスを用いて、レーザ光源1の構造、共振
器長Lおよび主出射面の反射率Rfを下記表1に示すよ
うに設定することにより、スクープを200%以下にす
ることが可能である。In the optical pickup device of this embodiment, the optical path length is set to 20 mm or more, and the frequency
50 MHz, Duty 50% or less, and amplitude 60 mA
The scoop can be reduced to 200% or less by setting the structure of the laser light source 1, the cavity length L and the reflectance Rf of the main emission surface as shown in Table 1 below using the above superimposed pulses. is there.
【0029】[0029]
【表1】 [Table 1]
【0030】[0030]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体レーザをパルス電流で駆動して出射させたレーザ
光を光記録媒体に照射し、光記録媒体により反射された
光が半導体レーザに戻ってくる構成の光ピックアップに
おいて、半導体レーザの主出射面側の反射率を高くする
ことにより、レーザ内部への戻り光の進入を緩和するこ
とができるので、レーザノイズおよびスクープ現象を低
減することができる。また、従来の光ピックアップ装置
に比べて部品点数を削減することができるので、組立調
整が容易で低コスト化を図ることができ、しかも光ピッ
クアップ装置の小型化および軽量化を図ることができ
る。さらに、パルス電流が継続している間に半導体レー
ザに光が戻ってきてもよいので、従来の光ピックアップ
装置に比べて重畳パルスの条件や光路長の調整を容易に
行うことができる。As described in detail above, according to the present invention,
In an optical pickup configured to irradiate an optical recording medium with laser light emitted by driving a semiconductor laser with a pulse current, and the light reflected by the optical recording medium to return to the semiconductor laser, the main emission surface side of the semiconductor laser By increasing the reflectance of the laser beam, it is possible to reduce the penetration of the return light into the laser, so that the laser noise and the scoop phenomenon can be reduced. Further, since the number of parts can be reduced as compared with the conventional optical pickup device, assembly adjustment is easy, cost can be reduced, and furthermore, the optical pickup device can be reduced in size and weight. Further, since the light may return to the semiconductor laser while the pulse current continues, the condition of the superimposed pulse and the optical path length can be easily adjusted as compared with the conventional optical pickup device.
【図1】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical pickup device according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置
において、スクープを測定する場合の構成を示す断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration for measuring a scoop in the optical pickup device according to one embodiment of the present invention.
【図3】従来の光ピックアップ装置の構成を示す断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional optical pickup device.
【図4】従来の他の光ピックアップ装置の構成を示す断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another conventional optical pickup device.
1 レーザ光源 2 コリメートレンズ 3 偏光ビームスプリッター 4 1/4波長板 5 対物レンズ 6 光記録媒体 7 集光レンズ 8、16 信号検出用受光素子 9 往路光 10 復路光 11 回折格子 12 回折格子(3ビーム生成用) 13 回折光 14 反射鏡 15 回折格子(スクープ測定用) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser light source 2 Collimating lens 3 Polarization beam splitter 4 1/4 wavelength plate 5 Objective lens 6 Optical recording medium 7 Condensing lens 8, 16 Light detecting element for signal detection 9 Outgoing light 10 Return light 11 Diffraction grating 12 Diffraction grating (3 beams 13) Diffracted light 14 Reflector 15 Diffraction grating (for scoop measurement)
Claims (4)
ーザ光を出射させて光記録媒体に照射し、該光記録媒体
により反射された光を受光して信号を再生する光ピック
アップ装置であって、 該パルス電流が継続している間に該光記録媒体で反射さ
れた光が該半導体レーザに戻ってくるように構成され、 該半導体レーザの主出射面側の反射率を、緩和振動数、
装置の光路長、パルス電流の周波数、パルス電流の幅お
よびパルス電流の振幅に応じて、スクープが200%以
下になるように設定してある光ピックアップ装置。1. An optical pickup device for driving a semiconductor laser with a pulse current to emit a laser beam, irradiate the optical recording medium, receive light reflected by the optical recording medium, and reproduce a signal. Light reflected by the optical recording medium is returned to the semiconductor laser while the pulse current is continued, and the reflectance of the semiconductor laser on the main emission surface side is changed to a relaxation frequency,
An optical pickup device in which a scoop is set to be 200% or less according to an optical path length of the device, a pulse current frequency, a pulse current width, and a pulse current amplitude.
で、共振器長が500μm、装置の光路長が20mm以
上、パルス電流の周波数が150MHz以上である場合
に、半導体レーザの主出射面側の反射率を6%以上21
%以下とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。2. When the semiconductor laser has a double hetero structure, the cavity length is 500 μm, the optical path length of the device is 20 mm or more, and the frequency of the pulse current is 150 MHz or more, the reflectance of the semiconductor laser on the main emission surface side. 6% or more 21
%.
ル構造で、共振器長が800μm、装置の光路長が20
mm以上、パルス電流の周波数が150MHz以上であ
る場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を10%
以上15%以下とする請求項1に記載の光ピックアップ
装置。3. The semiconductor laser has a multiquantum well structure, a cavity length of 800 μm, and a device optical path length of 20 μm.
mm or more and the pulse current frequency is 150 MHz or more, the reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side is 10%.
2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the content is not less than 15%.
ル構造で、共振器長が600μm、装置の光路長が20
mm以上、パルス電流の周波数が150MHz以上であ
る場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を10%
以上15%以下とする請求項1に記載の光ピックアップ
装置。4. The semiconductor laser has a multiquantum well structure, a cavity length of 600 μm, and an optical path length of the device of 20 μm.
mm or more and the pulse current frequency is 150 MHz or more, the reflectivity of the semiconductor laser on the main emission surface side is 10%.
2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the content is not less than 15%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37549399A JP3620822B2 (en) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
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