JP2001183699A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴ側走査線の電位の影響によって、カラ
ーフィルタ側基板のブラックマトリックス層が電位を持
ち、表示部への影響を及ぼすの防ぎ、長期残像や表示む
らの程度を低減する。 【解決手段】 走査線１上に共通信号線３または信号線
２の電位を持つシールドパターン６を形成することによ
って、走査線１の電位がカラーフィルタ側基板１のブラ
ックマトリックス層１１へ影響するのを低減する。
ーフィルタ側基板のブラックマトリックス層が電位を持
ち、表示部への影響を及ぼすの防ぎ、長期残像や表示む
らの程度を低減する。 【解決手段】 走査線１上に共通信号線３または信号線
２の電位を持つシールドパターン６を形成することによ
って、走査線１の電位がカラーフィルタ側基板１のブラ
ックマトリックス層１１へ影響するのを低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に横電界方式、すなわちＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードと呼ばれる広視野角液
晶表示装置の電極構成に関する。
し、特に横電界方式、すなわちＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードと呼ばれる広視野角液
晶表示装置の電極構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＰＳモードの液晶表示装置は液
晶分子を基板に対し水平面内で回転させて表示を行う。
従来ＩＰＳモードの駆動はＴＦＴ基板上の信号線に任意
の電位を印加し、走査線の信号により、薄膜トランジス
タを駆動し、画素電極に電位を与える。この画素電極と
共通信号線の電位差により、液晶分子の配列角度を変え
て表示の明暗を変えている。カラーフィルタ側基板は光
源の透過部に各色層を配し、ＴＦＴ側の信号線、薄膜ト
ランジスタ、及び走査線上はカラーフィルタ側基板のブ
ラックマトリックス層により遮光される。
晶分子を基板に対し水平面内で回転させて表示を行う。
従来ＩＰＳモードの駆動はＴＦＴ基板上の信号線に任意
の電位を印加し、走査線の信号により、薄膜トランジス
タを駆動し、画素電極に電位を与える。この画素電極と
共通信号線の電位差により、液晶分子の配列角度を変え
て表示の明暗を変えている。カラーフィルタ側基板は光
源の透過部に各色層を配し、ＴＦＴ側の信号線、薄膜ト
ランジスタ、及び走査線上はカラーフィルタ側基板のブ
ラックマトリックス層により遮光される。
【０００３】ＩＰＳモードの液晶表示装置は通常、カラ
ーフィルタ側基板は電気的に絶縁されている。これに対
し、ＴＦＴ側基板の走査線には、ほぼ常時マイナスの電
位が供給されている。カラーフィルタ基板上のパターン
は電位が固定されておらずフローティング状態にあるた
め、ＴＦＴ基板の走査線からの静電誘導結合によってカ
ラーフィルタ側のブラックマトリックス層が電位を持っ
てしまう。これはブラックマトリックス層が完全な絶縁
物ではなく、ある程度導電性があるためである（その電
気抵抗は約１０-4〜１０-5Ω）。更に、液晶中にイオン
性の不純物があると、このブラックマトリックス層の電
位が徐々に変化し色層に注入される現象がある。これに
より、液晶分子に縦電界がかかり、表示特性の悪化を引
き起こす。
ーフィルタ側基板は電気的に絶縁されている。これに対
し、ＴＦＴ側基板の走査線には、ほぼ常時マイナスの電
位が供給されている。カラーフィルタ基板上のパターン
は電位が固定されておらずフローティング状態にあるた
め、ＴＦＴ基板の走査線からの静電誘導結合によってカ
ラーフィルタ側のブラックマトリックス層が電位を持っ
てしまう。これはブラックマトリックス層が完全な絶縁
物ではなく、ある程度導電性があるためである（その電
気抵抗は約１０-4〜１０-5Ω）。更に、液晶中にイオン
性の不純物があると、このブラックマトリックス層の電
位が徐々に変化し色層に注入される現象がある。これに
より、液晶分子に縦電界がかかり、表示特性の悪化を引
き起こす。
【０００４】この現象を図４を参考に説明する。まず、
前述の走査線１（図４ではゲート絶縁層７中に透視した
状態として点線で表現されている）にはほぼ常時マイナ
スの電位が供給され、この電位がゲート絶縁層７、パッ
シベーション膜８、液晶層１７を介してブラックマトリ
ックス層１１へマイナスの電位を与える。この電位がＲ
ＧＢの三原色を有する染料や顔料の入った樹脂膜である
色層１２に注入されて（矢印１４参照）、ＴＦＴ側の画
素部との電位差が発生し、両基板間に基板面と垂直方向
の電界成分が発生する。本来の液晶分子はＴＦＴ基板９
及びカラーフィルタ側基板１０とほぼ平行な状態で、画
素電極５と共通信号電極３の電位差により横回転し光透
過率を変えている液晶分子１５の状態を示すべきである
が、上記垂直成分の電界により縦方向へ回転した液晶分
子１６も生じてしまう。このことによって、本来液晶層
が透過すべき光の量にばらつきが生じ、表示むらとして
見えてしまう。
前述の走査線１（図４ではゲート絶縁層７中に透視した
状態として点線で表現されている）にはほぼ常時マイナ
スの電位が供給され、この電位がゲート絶縁層７、パッ
シベーション膜８、液晶層１７を介してブラックマトリ
ックス層１１へマイナスの電位を与える。この電位がＲ
ＧＢの三原色を有する染料や顔料の入った樹脂膜である
色層１２に注入されて（矢印１４参照）、ＴＦＴ側の画
素部との電位差が発生し、両基板間に基板面と垂直方向
の電界成分が発生する。本来の液晶分子はＴＦＴ基板９
及びカラーフィルタ側基板１０とほぼ平行な状態で、画
素電極５と共通信号電極３の電位差により横回転し光透
過率を変えている液晶分子１５の状態を示すべきである
が、上記垂直成分の電界により縦方向へ回転した液晶分
子１６も生じてしまう。このことによって、本来液晶層
が透過すべき光の量にばらつきが生じ、表示むらとして
見えてしまう。
【０００５】一方、図４に示すように、信号線２と対向
するブラックマトリクス層１１も同様に液晶層１７、パ
ッシベーション膜８を介して信号線２と容量結合する
（矢印１３参照）。結局、導電体であるフローティング
のブラックマトリクス層１１の電位は、主に、走査線３
と共通電極線１１と信号線４の電位の各々と、ブラック
マトリクス層１１との容量結合とで決まるが、なかで
も、走査線３の電位の影響を最も受けやすい。
するブラックマトリクス層１１も同様に液晶層１７、パ
ッシベーション膜８を介して信号線２と容量結合する
（矢印１３参照）。結局、導電体であるフローティング
のブラックマトリクス層１１の電位は、主に、走査線３
と共通電極線１１と信号線４の電位の各々と、ブラック
マトリクス層１１との容量結合とで決まるが、なかで
も、走査線３の電位の影響を最も受けやすい。
【０００６】このような問題の解決手段の一例が特開平
１１−１４２８８６号公報に開示されている。同公報に
よれば、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶層と対向す
る領域の大半を画素電極の一部で覆うようにして、画素
部における電界の垂直成分を画素電極によって遮蔽する
というものである。
１１−１４２８８６号公報に開示されている。同公報に
よれば、走査線上の絶縁膜のみを介して液晶層と対向す
る領域の大半を画素電極の一部で覆うようにして、画素
部における電界の垂直成分を画素電極によって遮蔽する
というものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、同公報のよう
に画素電極を走査線上に配置すると、画素電極そのもの
が走査線の電位の影響を受けて表示品質を低下させる恐
れがある。また、画素電極の電位は表示状態によって常
に変化するので、安定したシールド状態を維持するのは
困難である。
に画素電極を走査線上に配置すると、画素電極そのもの
が走査線の電位の影響を受けて表示品質を低下させる恐
れがある。また、画素電極の電位は表示状態によって常
に変化するので、安定したシールド状態を維持するのは
困難である。
【０００８】発明の目的は、ＴＦＴ基板の、走査線の電
位の影響を少なくし、安定したシールド状態を維持で
き、表示むらの少ない高い表示特性を可能とする液晶表
示装置を提供することにある。
位の影響を少なくし、安定したシールド状態を維持で
き、表示むらの少ない高い表示特性を可能とする液晶表
示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】まず第１の手段として、
走査線のパターン上に絶縁膜を介して信号線の形成時に
同時にシールドパターンを形成し、絶縁膜を介してシー
ルドパターンと共通信号線とを導通させ共通信号線の電
位によって走査線の電位をシールドする。第２の手段と
して、信号線のパターンを走査線上に延長し信号線の電
位によって走査線の電位をシールドする。
走査線のパターン上に絶縁膜を介して信号線の形成時に
同時にシールドパターンを形成し、絶縁膜を介してシー
ルドパターンと共通信号線とを導通させ共通信号線の電
位によって走査線の電位をシールドする。第２の手段と
して、信号線のパターンを走査線上に延長し信号線の電
位によって走査線の電位をシールドする。
【００１０】とくに本発明によれば、マトリックス状に
配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線又は
前記信号線に平行に延びて基準電位を与える共通信号線
と、画素電極と、前記走査線と前記信号線との交差部に
形成されたスイッチング素子とを有する能動素子側基板
と、ブラックマトリックス層と色層を備えたカラーフィ
ルタ側基板とを液晶層を挟んで対向させ、前記共通信号
線と前記画素電極との間に電界を発生させ、前記液晶層
の液晶分子の分子軸の方向を前記能動素子側基板に平行
な面内で回転させて表示を行う液晶表示装置において、
前記能動素子側基板の共通信号線または信号線と同電位
を有するシールド電極が、前記走査線との間に絶縁層を
挟んで、前記スイッチング素子の形成領域及び信号線と
の交点以外の領域に存在する走査線の少なくとも一部分
を覆っていることを特徴とする液晶表示装置が得られ
る。
配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線又は
前記信号線に平行に延びて基準電位を与える共通信号線
と、画素電極と、前記走査線と前記信号線との交差部に
形成されたスイッチング素子とを有する能動素子側基板
と、ブラックマトリックス層と色層を備えたカラーフィ
ルタ側基板とを液晶層を挟んで対向させ、前記共通信号
線と前記画素電極との間に電界を発生させ、前記液晶層
の液晶分子の分子軸の方向を前記能動素子側基板に平行
な面内で回転させて表示を行う液晶表示装置において、
前記能動素子側基板の共通信号線または信号線と同電位
を有するシールド電極が、前記走査線との間に絶縁層を
挟んで、前記スイッチング素子の形成領域及び信号線と
の交点以外の領域に存在する走査線の少なくとも一部分
を覆っていることを特徴とする液晶表示装置が得られ
る。
【００１１】また、前記シールド電極が前記共通信号線
と同電位となるように前記絶縁層に設けられたコンタク
トホールを介して前記シールド電極と前記共通信号線と
が導通されていることをも特徴とする。
と同電位となるように前記絶縁層に設けられたコンタク
トホールを介して前記シールド電極と前記共通信号線と
が導通されていることをも特徴とする。
【００１２】さらに、前記シールド電極が前記信号線と
同電位であり、かつ前記シールド電極と前記信号線とは
同一平面上に形成されて互いに導通されていることをも
特徴とする。
同電位であり、かつ前記シールド電極と前記信号線とは
同一平面上に形成されて互いに導通されていることをも
特徴とする。
【００１３】さらにまた、本発明は、前記シールド電極
が前記信号線と同一部材により形成されていることをも
特徴とし、さらに前記シールド電極は前記信号線の大半
または全部を覆っていることを特徴とする。
が前記信号線と同一部材により形成されていることをも
特徴とし、さらに前記シールド電極は前記信号線の大半
または全部を覆っていることを特徴とする。
【００１４】このような本発明により、ＴＦＴ基板の走
査線とカラーフィルタ側基板のブラックマトリックス層
との間に、信号線または共通信号線の電位によってシー
ルドすることによって走査線のカラーフィルタ側基板へ
の影響を低減させる。その結果、ブラックマトリックス
層の電位変動が無くなり、表示むらが低減される。
査線とカラーフィルタ側基板のブラックマトリックス層
との間に、信号線または共通信号線の電位によってシー
ルドすることによって走査線のカラーフィルタ側基板へ
の影響を低減させる。その結果、ブラックマトリックス
層の電位変動が無くなり、表示むらが低減される。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照し説明する。図１は本発明の第１の実施形
態であるＴＦＴ側基板の平面図、図２は図１のＡ−Ａの
断面図である。
て図面を参照し説明する。図１は本発明の第１の実施形
態であるＴＦＴ側基板の平面図、図２は図１のＡ−Ａの
断面図である。
【００１６】まず、本発明が適用される広視野角液晶表
示装置の基本的構成を図１および図２を参照して説明す
る。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素
子が形成された、いわゆる能動素子側基板（以下ＴＦＴ
側基板と称す）では、ガラス板等の透明絶縁性基板９上
に走査線用信号が供給される走査線１と、データ信号が
供給される信号線２と、基準電位が供給される共通信号
線３と、表示すべき画素に対応した画素電極５と、薄膜
トランジスタ４とを備えている。共通信号線３は走査線
２の両側近くに形成され、共通信号線３と走査線１とは
並行している。１画素は、前段の走査線１の近くの共通
信号線３と走査線１と信号線２とで囲まれた領域をい
う。また、信号線２は、共通信号線３と走査線１とに直
交する方向に延びている。そして、走査線１と信号線２
との交差部分の近傍の走査線１上に薄膜トランジスタ４
が形成されている。
示装置の基本的構成を図１および図２を参照して説明す
る。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素
子が形成された、いわゆる能動素子側基板（以下ＴＦＴ
側基板と称す）では、ガラス板等の透明絶縁性基板９上
に走査線用信号が供給される走査線１と、データ信号が
供給される信号線２と、基準電位が供給される共通信号
線３と、表示すべき画素に対応した画素電極５と、薄膜
トランジスタ４とを備えている。共通信号線３は走査線
２の両側近くに形成され、共通信号線３と走査線１とは
並行している。１画素は、前段の走査線１の近くの共通
信号線３と走査線１と信号線２とで囲まれた領域をい
う。また、信号線２は、共通信号線３と走査線１とに直
交する方向に延びている。そして、走査線１と信号線２
との交差部分の近傍の走査線１上に薄膜トランジスタ４
が形成されている。
【００１７】ここで、走査線１、信号線２、共通信号線
３、画素電極５は、クロムやアルミ等の金属膜で構成さ
れている。画素電極５と共通信号線３からはストライプ
状の引き出し電極が分岐し、ともに信号線２の方向に延
び、各電極５，３に繋がる引き出し電極が平行に互い違
いに並んで配置されている。電圧を印加することにより
基板９の面に平行で走査線１の延在方向に平行な成分を
主とした電界を発生する。
３、画素電極５は、クロムやアルミ等の金属膜で構成さ
れている。画素電極５と共通信号線３からはストライプ
状の引き出し電極が分岐し、ともに信号線２の方向に延
び、各電極５，３に繋がる引き出し電極が平行に互い違
いに並んで配置されている。電圧を印加することにより
基板９の面に平行で走査線１の延在方向に平行な成分を
主とした電界を発生する。
【００１８】本発明の第１の実施形態として、図１及び
図２に示すように信号線２の成膜前に共通信号線１上の
第１の絶縁層７にコンタクトホール７６を作り、信号線
２の成膜時に走査線１を覆うようにシールドパターン６
を形成し共通信号線３の電位にて走査線１の電位をシー
ルドする。
図２に示すように信号線２の成膜前に共通信号線１上の
第１の絶縁層７にコンタクトホール７６を作り、信号線
２の成膜時に走査線１を覆うようにシールドパターン６
を形成し共通信号線３の電位にて走査線１の電位をシー
ルドする。
【００１９】すなわち、ＴＦＴ側基板９では、基板９上
に走査線１と共通信号線３とが並行し、その上にシリコ
ン酸化膜等のゲート絶縁膜７が形成されている。そし
て、ゲート絶縁膜７上に走査線１の少なくとも一部を被
覆する領域範囲でクロム膜などからなるシールドパター
ン層６が形成されている。さらに、シールドパターン層
６を被覆してＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ）膜等のパッシベーション膜８が形成され
ている。
に走査線１と共通信号線３とが並行し、その上にシリコ
ン酸化膜等のゲート絶縁膜７が形成されている。そし
て、ゲート絶縁膜７上に走査線１の少なくとも一部を被
覆する領域範囲でクロム膜などからなるシールドパター
ン層６が形成されている。さらに、シールドパターン層
６を被覆してＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ）膜等のパッシベーション膜８が形成され
ている。
【００２０】信号線２とシールドパターン６は同時に同
一材料で形成することが製造コスト低減の点で望まし
い。
一材料で形成することが製造コスト低減の点で望まし
い。
【００２１】ＴＦＴ基板の走査線とカラーフィルタ側基
板のブラックマトリックス層との間に、共通信号線の電
位によってシールドすることによって走査線のカラーフ
ィルタ側基板への影響を低減させる。その結果、ブラッ
クマトリックス層の電位変動が無くなり、表示むらが低
減される。とくに共通信号線は一定電位であるため、従
来の画素電極をシールド用に採用する場合に比較して安
定したシールド状態を維持することができる利点があ
る。
板のブラックマトリックス層との間に、共通信号線の電
位によってシールドすることによって走査線のカラーフ
ィルタ側基板への影響を低減させる。その結果、ブラッ
クマトリックス層の電位変動が無くなり、表示むらが低
減される。とくに共通信号線は一定電位であるため、従
来の画素電極をシールド用に採用する場合に比較して安
定したシールド状態を維持することができる利点があ
る。
【００２２】以上のべたように、本発明は、マトリック
ス状に配置された複数の走査線１及び信号線２の他に、
ＩＰＳモードを実現するために、走査線１又は信号線２
と平行方向に延在して基準電位を与える共通信号線３と
画素電極５と、走査線と信号線との交差部に形成された
薄膜トランジスタとを有する薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）側基板と、ブラックマトリックス層と色層を備えた
カラーフィルタ側基板とを液晶層を挟んで対向させ、共
通信号線と画素電極との間に電界を発生させ、液晶層の
液晶分子の分子軸の方向をＴＦＴ側基板に平行な面内で
回転させて表示を行う液晶表示装置全般に適用できる。
ス状に配置された複数の走査線１及び信号線２の他に、
ＩＰＳモードを実現するために、走査線１又は信号線２
と平行方向に延在して基準電位を与える共通信号線３と
画素電極５と、走査線と信号線との交差部に形成された
薄膜トランジスタとを有する薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）側基板と、ブラックマトリックス層と色層を備えた
カラーフィルタ側基板とを液晶層を挟んで対向させ、共
通信号線と画素電極との間に電界を発生させ、液晶層の
液晶分子の分子軸の方向をＴＦＴ側基板に平行な面内で
回転させて表示を行う液晶表示装置全般に適用できる。
【００２３】なお、実際の液晶表示パネルでは、液晶層
の厚みを保持するためのスペーサや、液晶分子を外部に
漏らさないためのシールなどを必要とするが、これらの
要素は、この発明に直接的に関係するものでないため図
示及び説明を省略する。
の厚みを保持するためのスペーサや、液晶分子を外部に
漏らさないためのシールなどを必要とするが、これらの
要素は、この発明に直接的に関係するものでないため図
示及び説明を省略する。
【００２４】本発明の第２の実施形態としてシールドパ
ターンを共通信号線に導通させずに、信号線３と導通し
て同電位となるようにしたものである。すなわち、信号
線３のパターンを図３に示すように、走査線１上の少な
くとも一部分、大半、または全部を覆うように変更する
ことによって、信号線２の電位によって走査線１の電位
をシールドするものである。本例では第１の実施の形態
例に比べて若干シールドの安定性は低下するが、従来例
での画素電極と同電位とする場合には、保持時間しか電
位を維持できないのに対して信号線と同電位とすれば、
より長く電位を固定でき、安定したシールド状態を保つ
ことができる。また、導通用のコンタクトホールが不要
となるので、製造を容易にする付帯的な効果もある。な
お、図３において、図１の構成部分と同一の各部には、
同一の符号を付してその説明を省略する。
ターンを共通信号線に導通させずに、信号線３と導通し
て同電位となるようにしたものである。すなわち、信号
線３のパターンを図３に示すように、走査線１上の少な
くとも一部分、大半、または全部を覆うように変更する
ことによって、信号線２の電位によって走査線１の電位
をシールドするものである。本例では第１の実施の形態
例に比べて若干シールドの安定性は低下するが、従来例
での画素電極と同電位とする場合には、保持時間しか電
位を維持できないのに対して信号線と同電位とすれば、
より長く電位を固定でき、安定したシールド状態を保つ
ことができる。また、導通用のコンタクトホールが不要
となるので、製造を容易にする付帯的な効果もある。な
お、図３において、図１の構成部分と同一の各部には、
同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、走
査線上に共通信号線または信号線の電位によってシール
ドすることや、信号線の電位によってシールドすること
によって、走査線の電位によるカラーフィルタ側基板の
ブラックマトリックス層への影響を低減し、表示むらの
悪化を防ぐことができる。また、ＴＦＴ側電位がブラッ
クマトリックス層へ影響しにくくなることによって、ブ
ラックマトリックス層の低抵抗化が可能となり、チャー
ジアップによるむらを低減できる。
査線上に共通信号線または信号線の電位によってシール
ドすることや、信号線の電位によってシールドすること
によって、走査線の電位によるカラーフィルタ側基板の
ブラックマトリックス層への影響を低減し、表示むらの
悪化を防ぐことができる。また、ＴＦＴ側電位がブラッ
クマトリックス層へ影響しにくくなることによって、ブ
ラックマトリックス層の低抵抗化が可能となり、チャー
ジアップによるむらを低減できる。
【図１】本発明の第１の実施形態であるＴＦＴ側基板に
おける１画素の一部のパターンを説明する平面図であ
る。
おける１画素の一部のパターンを説明する平面図であ
る。
【図２】図１のＡ−Ａの断面を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態であるＴＦＴ側基板に
おける１画素の一部のパターンを説明する平面図であ
る。
おける１画素の一部のパターンを説明する平面図であ
る。
【図４】従来の装置におけるＴＦＴ側基板とカラーフィ
ルタ側基板の１画素部分の構成を説明する断面図であ
る。
ルタ側基板の１画素部分の構成を説明する断面図であ
る。
１ 走査線 ２ 信号線 ３ 共通信号線 ４ 薄膜トランジスタ ５ 画素電極 ６ シールドパターン ７ ゲート絶縁層 ８ パッシベーション膜 ９ ＴＦＴ側基板 １０ カラーフィルタ側基板 １１ ブラックマトリックス層 １２ 色層 １３ 信号線からブラックマトリックス層への電位の
動きを示す矢印 １４ ブラックマトリックス層から色層への電位の動
きを示す矢印 １５ 本来の液晶分子 １６ 色層と画素部に電位差が生じた場合の液晶分子 １７ 液晶層 ７６ コンタクトホール
動きを示す矢印 １４ ブラックマトリックス層から色層への電位の動
きを示す矢印 １５ 本来の液晶分子 １６ 色層と画素部に電位差が生じた場合の液晶分子 １７ 液晶層 ７６ コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H092 GA14 GA64 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 KB24 MA13 MA17 MA35 MA37 NA25 PA08 PA09 QA06 QA18 5C094 AA03 AA37 AA55 BA03 BA44 CA19 CA24 EA04 EA10 ED03 5G435 AA14 AA16 BB12 CC09 CC12 GG32
Claims (7)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置された複数の走査
線及び信号線と、前記走査線又は前記信号線に平行に延
びて基準電位を与える共通信号線と、画素電極と、前記
走査線と前記信号線との交差部に形成されたスイッチン
グ素子とを有する能動素子側基板と、ブラックマトリッ
クス層と色層を備えたカラーフィルタ側基板とを液晶層
を挟んで対向させ、前記共通信号線と前記画素電極との
間に電界を発生させ、前記液晶層の液晶分子の分子軸の
方向を前記能動素子側基板に平行な面内で回転させて表
示を行う液晶表示装置において、前記共通信号線または
前記信号線と同電位を有するシールド電極が、前記走査
線との間に絶縁層を挟んで、前記スイッチング素子の形
成領域及び信号線との交点以外の領域に存在する走査線
の少なくとも一部分を覆っていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 前記シールド電極が前記共通信号線と同
電位となるように前記絶縁層に設けられたコンタクトホ
ールを介して前記シールド電極と前記共通信号線とが導
通されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】 前記シールド電極が前記信号線と同電位
であり、かつ前記シールド電極と前記信号線とは同一平
面上に形成されて互いに導通されていることを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記シールド電極が前記信号線と同一部
材により形成されていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記シールド電極は前記走査線の大半ま
たは全部を覆っていることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記スイッチング素子が薄膜トランジス
タであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項７】 前記ブラックマトリックス層は、導電性
材料からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP36412599A JP3655793B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36412599A JP3655793B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001183699A true JP2001183699A (ja) | 2001-07-06 |
| JP3655793B2 JP3655793B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=18481036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36412599A Expired - Lifetime JP3655793B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3655793B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704084B2 (en) | 2000-03-16 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film |
| US6791651B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-09-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and fabricating method for the same |
| JP2005241923A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100908357B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2009-07-20 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 횡전계 방식의 액정 표시 패널 |
| JP2010145862A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36412599A patent/JP3655793B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704084B2 (en) | 2000-03-16 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film |
| US6791651B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-09-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and fabricating method for the same |
| JP2005241923A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7936428B2 (en) | 2004-02-26 | 2011-05-03 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Liquid crystal display device with an electric-field shielding layer and method of fabricating the same |
| KR100908357B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2009-07-20 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 횡전계 방식의 액정 표시 패널 |
| US7787091B2 (en) | 2006-08-09 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Transverse field type liquid crystal display panel |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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