JP2001181864A - Etching method for electronic part - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属板のフォトエ
ッチングに関するものであり、特に、シャドウマスク、
リードフレームなど精密な電子部品のエッチング方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to photoetching of a metal plate, and more particularly, to a shadow mask,
The present invention relates to a method for etching a precision electronic component such as a lead frame.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エッチング加工法は金属の腐蝕現象を利
用した加工方法であり、現在ブラウン管のシャドウマス
ク、ＩＣのリードフレームなど精密な電子部品の微細加
工に利用されている。エッチング加工法の概要を示す
と、先ず、薄板状の金属材料にフォトレジスト膜を被覆
し、続いて露光用原版を重ねて紫外線を照射する。ここ
で、フォトレジストとしては紫外線照射により不溶性と
なるネガ型フォトレジストを用いる。次に、現像液で処
理し、紫外線が照射されなかった部分のフォトレジスト
を溶かし金属部分を露出させる。2. Description of the Related Art An etching method is a processing method utilizing a corrosion phenomenon of metal, and is currently used for fine processing of precision electronic components such as a shadow mask of a cathode ray tube and a lead frame of an IC. An outline of the etching method is as follows. First, a thin plate-shaped metal material is coated with a photoresist film, and then an exposure master is overlaid and irradiated with ultraviolet rays. Here, a negative photoresist which becomes insoluble by ultraviolet irradiation is used as the photoresist. Next, the metal part is exposed by dissolving the photoresist in the part that was not irradiated with ultraviolet rays by processing with a developing solution.
【０００３】そこで、この状態の金属材料をエッチング
液で処理して上記露出した金属部分を溶解させる。その
後に残ったレジスト膜を剥離して露光用原版と同一パタ
ーンにエッチング加工された製品を得るものである。な
お、このようなエッチング加工法では銅、鋼（炭素鋼、
ステンレス鋼など）、或いは鉄−ニッケル合金が多用さ
れており、また、エッチング液としては塩化第二鉄液が
最も広く用いられている。[0003] Therefore, the metal material in this state is treated with an etchant to dissolve the exposed metal portion. Thereafter, the remaining resist film is peeled off to obtain a product etched into the same pattern as the original plate for exposure. In such an etching method, copper, steel (carbon steel,
Stainless steel) or an iron-nickel alloy is frequently used, and a ferric chloride solution is most widely used as an etching solution.
【０００４】図３は、このようなエッチング加工法で用
いられるエッチング装置の一例の主要部分を模式的に示
した断面図である。図３には、エッチング装置の主要部
分であるエッチング槽（３１２）と水洗槽（３５２）が
示されている。そして、（３Ａ）はエッチング工程を、
（３Ｃ）は水洗工程を表している。FIG. 3 is a sectional view schematically showing a main part of an example of an etching apparatus used in such an etching method. FIG. 3 shows an etching tank (312) and a washing tank (352) which are main parts of the etching apparatus. (3A) shows the etching step,
(3C) represents a washing step.
【０００５】図３に示すエッチング槽（３１２）は、金
属板（３１１）の上下からエッチング液を噴射するエッ
チングスプレー（３１３）、（３１４）、エッチング液
タンク（３１５）、エッチング液を循環して供給する供
給パイプ（３１６）、液温調節装置（３１７）、及び液
切りロール（Ｒ３１）、（Ｒ３２）などで構成されてい
るものである。The etching tank (312) shown in FIG. 3 circulates the etching sprays (313) and (314) for spraying the etching solution from above and below the metal plate (311), the etching solution tank (315), and the etching solution. It is composed of a supply pipe (316) for supplying, a liquid temperature control device (317), and a draining roll (R31), (R32).
【０００６】金属板（３１１）は、左方より水平にエッ
チング槽（３１２）に搬送され、エッチング後に右方の
水洗槽（３５２）へと搬送され、引き続き乾燥装置（図
示せず）へと矢印方向へ搬送されるようになっている。
図３に示すエッチング装置は、長尺状の金属板を製造す
るエッチング装置を示したものである。[0006] The metal plate (311) is conveyed horizontally from the left to the etching tank (312), conveyed to the right washing tank (352) after the etching, and subsequently directed to a drying device (not shown). It is conveyed in the direction.
The etching apparatus shown in FIG. 3 is an etching apparatus for manufacturing a long metal plate.
【０００７】エッチング液は、エッチング液タンク（３
１５）より供給パイプ（３１６）、液温調節装置（３１
７）、供給パイプ（３１６）を経てエッチングスプレー
（３１３）、（３１４）より金属板（３１１）の上下に
噴射されエッチング液タンク（３１５）へ落下して再び
循環して供給されるようになっている。The etching solution is an etching solution tank (3
15) supply pipe (316), liquid temperature controller (31)
7), is sprayed above and below the metal plate (311) from the etching sprays (313) and (314) via the supply pipe (316), falls into the etching solution tank (315), and is again circulated and supplied. ing.
【０００８】水洗槽（３５２）は、金属板（３１１）の
上下から洗浄水を噴射する洗浄水スプレー（３５３）、
排水タンク（３５５）、洗浄水を供給する供給パイプ
（３５６）、洗浄水液切りロール（Ｒ３３）、（Ｒ３
４）などで構成されているものである。洗浄水は、供給
パイプ（３５６）を経て洗浄水スプレー（３５３）より
金属板（３１１）の上下に噴射され排水タンク（３５
５）へ落下して外部へ排出されるようになっている。The washing tank (352) includes a washing water spray (353) for spraying washing water from above and below the metal plate (311).
Drain tank (355), supply pipe (356) for supplying washing water, washing water draining roll (R33), (R3
4) and the like. The washing water is sprayed from a washing water spray (353) through a supply pipe (356) onto and under the metal plate (311), and is discharged from a drain tank (35).
5) and is discharged outside.
【０００９】上記のように、図３に示すエッチング装置
では、エッチング槽でのエッチング工程に続いて水洗槽
での水洗工程を経るので、金属板の表面には腐蝕の原因
となる塩化物が残留しないように十分な洗浄が行われる
ことになる。すなわち、エッチング槽（３１２）におい
ては、エッチング液を槽外に持ち出さないように、金属
板はエッチング槽内に設置された液切りロール（Ｒ３
２）でエッチング液を絞り取られた後、同じく洗浄水を
槽外に持ち出さないように、水洗槽内に設置された液切
りロール（Ｒ３３）、（Ｒ３４）を経てから乾燥工程へ
搬送するようにしている。As described above, in the etching apparatus shown in FIG. 3, the etching step in the etching tank is followed by the rinsing step in the rinsing tank, so that chloride causing corrosion remains on the surface of the metal plate. Sufficient cleaning will be performed so as not to do so. That is, in the etching tank (312), the metal plate is provided with a liquid removing roll (R3) set in the etching tank so that the etching liquid is not taken out of the tank.
After the etching liquid is squeezed out in 2), the cleaning water is also transferred to the drying step after passing through the draining rolls (R33) and (R34) installed in the washing tank so that the washing water is not taken out of the tank. I have to.
【００１０】ところが、このようなエッチング装置を使
用してエッチング加工を行った場合、エッチングされた
金属板のエッチング面を仔細に観察すると微細な孔蝕
状、或いは溝状の不均一な腐蝕が起きていることが観察
される。このような現象が起こる第一の問題点は、エッ
チング工程後、液切りロール（Ｒ３２）で取りきれない
金属板の表面に付着したエッチング液によってエッチン
グが継続して進むことである。また、第二の問題点は、
局所的に金属板の表面に付着しているエッチング液が水
洗工程で洗浄水と置換されながら濃度が下がり、エッチ
ング液の活性が格段に向上しエッチング液が付着した部
位近辺のエッチングが継続して進むことである。However, when the etching process is performed using such an etching apparatus, when the etched surface of the etched metal plate is closely observed, a fine pit-like or groove-like uneven corrosion occurs. Is observed. The first problem in which such a phenomenon occurs is that after the etching step, the etching is continued by an etching solution attached to the surface of the metal plate that cannot be removed by the liquid removing roll (R32). The second problem is that
The concentration of the etchant locally adhering to the surface of the metal plate is reduced while being replaced with the washing water in the washing step, and the activity of the etchant is remarkably improved. It is to proceed.
【００１１】すなわち、金属板上に形成されたパターン
の表面は凸凹になっており、液切りロールではエッチン
グ液を十分に掃き出すことはできずに、まだらにエッチ
ング液が金属板の表面にのこってしまうものである。そ
して、図３に示す従来のエッチング装置では、エッチン
グ槽の液切りロール（Ｒ３２）から水洗槽の液切りロー
ル（Ｒ３３）までに距離があるので、まだらに分布する
エッチング液によって、まだ温度が高い金属板の表面で
はエッチングが継続して進行し、孔蝕状、或いは溝状の
不均一な腐蝕が起きてしまうことになる。That is, the surface of the pattern formed on the metal plate is uneven, so that the etching solution cannot be sufficiently swept out by the draining roll. It is a mess. In the conventional etching apparatus shown in FIG. 3, since there is a distance from the draining roll (R32) of the etching tank to the draining roll (R33) of the washing tank, the temperature is still high due to the unevenly distributed etching liquid. Etching proceeds continuously on the surface of the metal plate, resulting in pit-like or groove-like uneven corrosion.
【００１２】更に、塩化第二鉄を主成分とするエッチン
グ液は、図４に示すようなエッチングレートと塩化第二
鉄濃度の関係にあり、通常金属板のエッチングに用いる
エッチング液の濃度は図４中の点Ｅで示される高濃度の
ものである。従って、水洗槽の液切りロール（Ｒ３３）
を通過した時点で洗浄水スプレーからの洗浄水を浴び、
エッチングレートが部分的に速くなり孔蝕状、或いは溝
状の不均一な腐蝕が起きてしまうことになる。Further, the etching solution containing ferric chloride as a main component has a relationship between the etching rate and the ferric chloride concentration as shown in FIG. 4, and the concentration of the etching solution usually used for etching a metal plate is as shown in FIG. 4 is of a high concentration indicated by a point E. Therefore, the draining roll of the washing tank (R33)
At the time of passing through the washing water from the washing water spray,
The etching rate is partially increased, resulting in pit-like or groove-like uneven corrosion.
【００１３】その結果、エッチング加工された製品の品
位を低下させることになる。最近では、リードフレーム
の多ピン化、シャドウマスクの高精細化が求められてお
り、こういった不均一な腐蝕では製品として使用できな
くなることが発生する。つまり、製品に孔蝕状、或いは
溝状の不均一な腐蝕が発生すると、単に製品の外観を損
なうばかりでなく、性能上の重大な欠陥となる。As a result, the quality of the etched product is degraded. In recent years, it has been required to increase the number of pins in a lead frame and to increase the definition of a shadow mask. Such uneven corrosion may make it impossible to use the product as a product. In other words, when pit-like or groove-like non-uniform corrosion occurs in a product, it not only impairs the appearance of the product but also becomes a serious defect in performance.
【００１４】例えば、多ピンのリードフレームにおいて
は、一般のリードフレームに比較してピンの幅が小さく
なっているが、ピンに孔蝕が発生してピンの幅が少しで
も変化するとピンの抵抗値にバラツキが生じ、所望する
性能を発揮できなくなる。また、カラーテレビやパーソ
ナルコンピューターなどで使用されるモニターでは大型
画面化、高精細化の傾向にあり、シャドウマスクの孔形
状の均一性が更に求められている。しかし、シャドウマ
スクの孔内に微細な孔蝕が発生すると、孔形状が凸凹に
なり、孔面積にばらつきが生じ画像表示の際にムラとな
ってしまうといった問題がある。For example, in a multi-pin lead frame, the width of the pin is smaller than that of a general lead frame. The values vary, and the desired performance cannot be exhibited. Monitors used in color televisions, personal computers, and the like tend to have larger screens and higher definition, and there is a further demand for uniformity of the hole shape of the shadow mask. However, when fine pitting occurs in the hole of the shadow mask, the hole shape becomes uneven, and there is a problem that the hole area varies and the image is displayed unevenly.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、塩化第二鉄を
主成分とするエッチング液を用い、スプレー方式にて金
属板を水平に搬送させながらエッチングを行うフォトエ
ッチングにおいて、エッチング工程後に金属板の表面に
付着したエッチング液によってエッチングが継続して進
むことなく、また、エッチング工程後に金属板の表面に
付着しているエッチング液の活性が向上しエッチングが
継続して進むことのない、すなわち、製品の品位を低下
させることのない電子部品のエッチング方法を提供する
ことを課題とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a metal plate is horizontally sprayed by using an etching solution containing ferric chloride as a main component. In the photo-etching in which the etching is performed while being transported to the metal plate, the etching does not proceed continuously by the etching liquid attached to the surface of the metal plate after the etching step, and the etching liquid attached to the surface of the metal plate after the etching step is removed. An object of the present invention is to provide a method for etching an electronic component in which the activity is improved and the etching does not continue, that is, the quality of the product is not degraded.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は、塩化第二鉄を
主成分とするエッチング液を用い、スプレー方式にて金
属板を水平に搬送させながらエッチングを行うフォトエ
ッチングにおいて、エッチング工程が、液温６０℃以上
のエッチング液を用いる第一エッチング工程と、液温２
５℃以下のエッチング液を用いる第二エッチング工程と
で構成されていることを特徴とする電子部品のエッチン
グ方法である。According to the present invention, there is provided a photo-etching method in which an etching solution containing ferric chloride as a main component is used to carry out etching while horizontally transporting a metal plate by a spray method. A first etching step using an etching solution having a liquid temperature of 60 ° C. or higher;
A second etching step using an etching solution at a temperature of 5 ° C. or lower.
【００１７】また、本発明は、請求項１記載の電子部品
のエッチング方法において、引き続き主成分が塩化第一
鉄であって液温２５℃以下のエッチング液を用いたエッ
チング液置換工程を経ることを特徴とする電子部品のエ
ッチング方法である。According to the present invention, in the method for etching an electronic component according to the first aspect, an etching solution replacement step using an etching solution having a main component of ferrous chloride and a liquid temperature of 25 ° C. or lower is successively performed. An electronic component etching method characterized by the following.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１は、本発明による電子部品のエッチング方
法において用いられるエッチング装置の一実施例の主要
部分を模式的に示した断面図である。図１には、エッチ
ング装置の主要部分であるエッチング槽（１１２）と水
洗槽（１５２）が示されている。（１Ａ）はエッチング
工程を、（１Ｃ）は水洗工程を表している。そして、エ
ッチング工程（１Ａ）は、エッチング液の液温が６０℃
以上の第一エッチング工程（１Ａ−ａ）と、エッチング
液の液温が２５℃以下の第二エッチング工程（１Ａ−
ｂ）とで構成されている。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a sectional view schematically showing a main part of an embodiment of an etching apparatus used in an electronic component etching method according to the present invention. FIG. 1 shows an etching tank (112) and a washing tank (152) which are main parts of the etching apparatus. (1A) shows an etching step, and (1C) shows a water washing step. Then, in the etching step (1A), the temperature of the etching solution is 60 ° C.
The above first etching step (1A-a) and the second etching step (1A-a) in which the temperature of the etching solution is 25 ° C. or lower.
b).
【００１９】図１に示すエッチング槽（１１２）は、金
属板（１１１）の上下から液温が６０℃以上のエッチン
グ液を噴射するエッチングスプレー（１１３）、液温が
２５℃以下のエッチング液を噴射する第一エッチング停
止スプレー（１１４）、第一エッチング液タンク（１１
５ａ）、第二エッチング液タンク（１１５ｂ）、液温が
６０℃以上のエッチング液を循環して供給する第一供給
パイプ（１１６ａ）、液温が２５℃以下のエッチング液
を循環して供給する第二供給パイプ（１１６ｂ）、第一
液温調節装置（１１７ａ）、第二液温調節装置（１１７
ｂ）、及び液切りロール（Ｒ１１）、（Ｒ１２）などで
構成されているものである。The etching bath (112) shown in FIG. 1 is an etching spray (113) for spraying an etching solution having a liquid temperature of 60 ° C. or more from above and below the metal plate (111), and an etching solution having a liquid temperature of 25 ° C. or less. The first etching stop spray (114) to be sprayed, the first etching liquid tank (11)
5a), a second etchant tank (115b), a first supply pipe (116a) for circulating and supplying an etchant having a liquid temperature of 60 ° C. or higher, and circulating and supplying an etchant having a liquid temperature of 25 ° C. or lower. Second supply pipe (116b), first liquid temperature controller (117a), second liquid temperature controller (117)
b) and the draining rolls (R11) and (R12).
【００２０】金属板（１１１）は、左方より水平にエッ
チング槽（１１２）に搬送され、第一エッチング工程
（１Ａ−ａ）と第二エッチング工程（１Ａ−ｂ）とで構
成されるエッチング工程（１Ａ）を経て、水洗工程（１
Ｃ）である右方の水洗槽（１５２）へと搬送され、引き
続き乾燥装置（図示せず）へと矢印方向へ搬送されるよ
うになっている。図１に示すエッチング装置は、長尺状
の金属板を製造するエッチング装置を示したものであ
る。尚、本発明による電子部品のエッチング方法におい
ては、用いる金属板は長尺状に限定されるものではな
く、枚葉状の金属板においても適用できる電子部品のエ
ッチング方法である。The metal plate (111) is transported horizontally from the left to the etching tank (112), and comprises an etching step comprising a first etching step (1A-a) and a second etching step (1A-b). After (1A), the washing step (1
C), which is conveyed to the right washing tank (152), and subsequently conveyed in the direction of the arrow to a drying device (not shown). The etching apparatus shown in FIG. 1 is an etching apparatus for manufacturing a long metal plate. In the method for etching an electronic component according to the present invention, the metal plate to be used is not limited to a long metal plate, but is an etching method for an electronic component that can be applied to a sheet-like metal plate.
【００２１】液温が６０℃以上のエッチング液は、第一
エッチング液タンク（１１５ａ）より第一供給パイプ
（１１６ａ）、第一液温調節装置（１１７ａ）、第一供
給パイプ（１１６ａ）を経てエッチングスプレー（１１
３）より噴射され第一エッチング液タンク（１１５ａ）
へ落下して再び循環して供給されるようになっている。
また、液温が２５℃以下のエッチング液は、第二エッチ
ング液タンク（１１５ｂ）より第二供給パイプ（１１６
ｂ）、第二液温調節装置（１１７ｂ）、第二供給パイプ
（１１６ｂ）を経て第一エッチング停止スプレー（１１
４）より噴射され第二エッチング液タンク（１１５ｂ）
へ落下して再び循環して供給されるようになっている。The etching liquid having a liquid temperature of 60 ° C. or higher passes from the first etching liquid tank (115a) through the first supply pipe (116a), the first liquid temperature control device (117a), and the first supply pipe (116a). Etching spray (11
3) Injected from the first etching liquid tank (115a)
To be circulated and supplied again.
The etching liquid having a liquid temperature of 25 ° C. or less is supplied from the second etching liquid tank (115b) to the second supply pipe (116).
b), a second liquid temperature controller (117b), and a first etching stop spray (11) through a second supply pipe (116b).
4) Second etching liquid tank (115b) sprayed from
To be circulated and supplied again.
【００２２】水洗槽（１５２）は、金属板（１１１）の
上下から洗浄水を噴射する洗浄水スプレー（１５３）、
排水タンク（１５５）、洗浄水を供給する供給パイプ
（１５６）、洗浄水液切りロール（Ｒ１３）、（Ｒ１
４）などで構成されているものである。洗浄水は、供給
パイプ（１５６）を経て洗浄水スプレー（１５３）より
噴射され排水タンク（１５５）へ落下して外部へ排出さ
れるようになっている。The washing tank (152) includes a washing water spray (153) for spraying washing water from above and below the metal plate (111).
Drain tank (155), supply pipe (156) for supplying washing water, washing water draining roll (R13), (R1
4) and the like. The washing water is injected from a washing water spray (153) through a supply pipe (156), falls into a drain tank (155), and is discharged to the outside.
【００２３】本発明による電子部品のエッチング方法に
おいては、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を用
い、スプレー方式にて金属板を水平に搬送させながらエ
ッチングを行う際に、図１に示すように、エッチング液
の液温が６０℃以上の第一エッチング工程（１Ａ−ａ）
とエッチング液の液温が２５℃以下の第二エッチング工
程（１Ａ−ｂ）とでエッチングを行うことを特徴とする
ものである。In the method for etching an electronic component according to the present invention, when an etching solution containing ferric chloride as a main component is used to carry out etching while horizontally transporting a metal plate by a spray method, as shown in FIG. As described above, the first etching step (1A-a) in which the temperature of the etching solution is 60 ° C. or more
And etching in a second etching step (1A-b) in which the temperature of the etching solution is 25 ° C. or less.
【００２４】すなわち、第一エッチング工程における液
温が６０℃以上のエッチング液での金属板のエッチング
後に、第二エッチング工程にて液温が２５℃以下のエッ
チング液での金属板のエッチングを行うことによって、
金属板、及び金属板に付着するエッチング液の温度を下
げ、エッチングレートを急速に減少させ、液切りロール
で取りきれない金属板の表面に付着したエッチング液に
よってエッチングが継続して進むことを防止し、また、
局所的に金属板の表面に付着しているエッチング液が水
洗工程で水と置換されながら濃度が下がり、エッチング
液の活性が格段に向上しエッチング液が付着した部位近
辺のエッチングが継続して進むことを防止するものであ
る。That is, after the metal plate is etched with an etchant having a liquid temperature of 60 ° C. or higher in the first etching step, the metal plate is etched with an etchant having a liquid temperature of 25 ° C. or lower in the second etching step. By
Reduces the temperature of the metal plate and the etchant attached to the metal plate, rapidly reduces the etching rate, and prevents etching from continuing on due to the etchant attached to the surface of the metal plate that cannot be removed by the drain roll. And also
The concentration of the etchant locally adhering to the surface of the metal plate is reduced while being replaced with water in the washing step, and the activity of the etchant is remarkably improved, so that the etching in the vicinity of the portion where the etchant is attached proceeds continuously. It is to prevent that.
【００２５】液温が２５℃以下のエッチング液による金
属板のエッチング速度は、液温が６０℃以上のエッチン
グ液によるエッチング速度の数分の１であるので、金属
板の水洗前に金属板、及び金属板に付着するエッチング
液の温度を下げておくことは、前記微細な孔蝕状、或い
は溝状の不均一な腐蝕を防止するのに著しい効果がある
ものである。The etching rate of the metal plate by the etching solution having a liquid temperature of 25 ° C. or lower is a fraction of the etching rate of the etching solution having the liquid temperature of 60 ° C. or higher. In addition, lowering the temperature of the etchant adhering to the metal plate has a remarkable effect in preventing the fine pit-like or groove-like uneven corrosion.
【００２６】第一エッチング工程におけるエッチング液
の液温は６０℃以上のものであるが、液温は６０℃〜８
５℃の範囲のものが好ましく、また、第二エッチング工
程におけるエッチング液の液温は２５℃以下のものであ
るが、液温は２０℃〜２５℃の範囲のものが好ましいも
のである。The liquid temperature of the etching solution in the first etching step is 60 ° C. or more, but the liquid temperature is 60 ° C. to 8 ° C.
The temperature is preferably in the range of 5 ° C., and the liquid temperature of the etching solution in the second etching step is 25 ° C. or less, but the liquid temperature is preferably in the range of 20 ° C. to 25 ° C.
【００２７】図２は、請求項２に示す本発明による電子
部品のエッチング方法において用いられるエッチング装
置の一例の主要部分を模式的に示した断面図である。図
２には、エッチング装置の主要部分であるエッチング槽
（２１２）とエッチング液置換槽（２３２）と水洗槽
（２５２）が示されている。（２Ａ）はエッチング工程
を、（２Ｂ）はエッチング液置換工程を、（２Ｃ）は水
洗工程を表している。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a main part of an example of an etching apparatus used in the electronic component etching method according to the present invention. FIG. 2 shows an etching tank (212), an etching solution replacement tank (232), and a washing tank (252) which are main parts of the etching apparatus. (2A) shows an etching step, (2B) shows an etching solution replacement step, and (2C) shows a water washing step.
【００２８】エッチング槽（２１２）は、図１に示すエ
ッチング槽（１１２）と同一のものである。また、エッ
チング工程（２Ａ）は、図１に示すエッチング工程（１
Ａ）と同一のものである。すなわち、エッチング工程
（１Ａ）は、エッチング液の液温が６０℃以上の第一エ
ッチング工程（１Ａ−ａ）と、エッチング液の液温が２
５℃以下の第二エッチング工程（１Ａ−ｂ）とで構成さ
れている。The etching tank (212) is the same as the etching tank (112) shown in FIG. Further, the etching step (2A) includes the etching step (1A) shown in FIG.
It is the same as A). That is, the etching step (1A) includes a first etching step (1A-a) in which the liquid temperature of the etching liquid is 60 ° C. or higher, and a liquid temperature of the etching liquid of 2 ° C.
And a second etching step (1A-b) at 5 ° C. or lower.
【００２９】前記のように、液温が６０℃以上のエッチ
ング液は、第一エッチング液タンク（１１５ａ）より第
一供給パイプ（１１６ａ）、第一液温調節装置（１１７
ａ）、第一供給パイプ（１１６ａ）を経てエッチングス
プレー（１１３）より噴射され第一エッチング液タンク
（１１５ａ）へ落下して再び循環して供給されるように
なっている。また、液温が２５℃以下のエッチング液
は、第二エッチング液タンク（１１５ｂ）より第二供給
パイプ（１１６ｂ）、第二液温調節装置（１１７ｂ）、
第二供給パイプ（１１６ｂ）を経て第一エッチング停止
スプレー（１１４）より噴射され第二エッチング液タン
ク（１１５ｂ）へ落下して再び循環して供給されるよう
になっている。As described above, the etching liquid having a liquid temperature of 60 ° C. or higher is supplied from the first etching liquid tank (115a) to the first supply pipe (116a) and the first liquid temperature controller (117).
a), it is jetted from the etching spray (113) through the first supply pipe (116a), falls into the first etching liquid tank (115a), is circulated again, and is supplied. The etching liquid having a liquid temperature of 25 ° C. or less is supplied from the second etching liquid tank (115b) to the second supply pipe (116b), the second liquid temperature control device (117b),
It is jetted from the first etching stop spray (114) through the second supply pipe (116b), falls into the second etching liquid tank (115b), and is circulated again to be supplied.
【００３０】図２に示すエッチング液置換槽（２３２）
は、金属板（１１１）の上下から塩化第一鉄を主成分と
する液温が２５℃以下のエッチング液を噴射する第二エ
ッチング停止スプレー（２３３）、塩化第一鉄液タンク
（２３５）、塩化第一鉄液を循環して供給する供給パイ
プ（２３６）、液温調節装置（２３７）、及び置換液切
りロール（Ｒ２３）、（Ｒ２４）などで構成されている
ものである。塩化第一鉄液は、塩化第一鉄液タンク（２
３５）より供給パイプ（２３６）、液温調節装置（２３
７）、供給パイプ（２３６）を経て第二エッチング停止
スプレー（２３３）より噴射され塩化第一鉄液タンク
（２３５）へ落下して再び循環して供給されるようにな
っている。An etching solution replacement tank (232) shown in FIG.
A second etching stop spray (233) for injecting an etchant having a temperature of 25 ° C. or less containing ferrous chloride as a main component from above and below the metal plate (111), a ferrous chloride liquid tank (235), It comprises a supply pipe (236) for circulating and supplying the ferrous chloride liquid, a liquid temperature control device (237), and a replacement liquid draining roll (R23), (R24). The ferrous chloride liquid is stored in the ferrous chloride liquid tank (2
35) supply pipe (236), liquid temperature controller (23)
7) The jet is sprayed from the second etching stop spray (233) through the supply pipe (236), dropped into the ferrous chloride liquid tank (235), and circulated again to be supplied.
【００３１】水洗槽（２５２）は、金属板（１１１）の
上下から洗浄水を噴射する洗浄水スプレー（２５３）、
排水タンク（２５５）、洗浄水を供給する供給パイプ
（２５６）、洗浄水液切りロール（Ｒ２５）、（Ｒ２
６）などで構成されているものである。洗浄水は、供給
パイプ（２５６）を経て洗浄水スプレー（２５３）より
噴射され排水タンク（２５５）へ落下して外部へ排出さ
れるようになっている。The washing tank (252) includes a washing water spray (253) for spraying washing water from above and below the metal plate (111).
Drain tank (255), supply pipe (256) for supplying washing water, washing water draining roll (R25), (R2
6) and the like. The washing water is jetted from a washing water spray (253) through a supply pipe (256), falls into a drainage tank (255), and is discharged to the outside.
【００３２】金属板（１１１）は、左方より水平にエッ
チング槽（１１２）に搬送され、第一エッチング工程
（１Ａ−ａ）と第二エッチング工程（１Ａ−ｂ）とで構
成されるエッチング工程（１Ａ）を経て、エッチング液
置換工程（２Ｂ）である右方のエッチング液置換槽（２
３２）へと搬送され、更に右方の水洗槽（２５２）へと
搬送され、引き続き乾燥装置（図示せず）へと矢印方向
へ搬送されるようになっている。図２に示すエッチング
装置は、長尺状の金属板を製造するエッチング装置を示
したものである。The metal plate (111) is conveyed horizontally from the left to the etching tank (112), and comprises an etching step comprising a first etching step (1A-a) and a second etching step (1A-b). After (1A), the etching solution replacement tank (2) on the right in the etching solution replacement step (2B).
32), and further conveyed to the right washing tank (252), and subsequently conveyed in the direction of the arrow to a drying device (not shown). The etching apparatus shown in FIG. 2 is an etching apparatus for manufacturing a long metal plate.
【００３３】本発明による電子部品のエッチング方法に
おいては、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を用
い、スプレー方式にて金属板を水平に搬送させながらエ
ッチングを行う際に、図２に示すように、エッチング液
の液温が６０℃以上の第一エッチング工程（１Ａ−ａ）
とエッチング液の液温が２５℃以下の第二エッチング工
程（１Ａ−ｂ）とで構成されるエッチング工程（１Ａ）
を経て、引き続き主成分が塩化第一鉄であって液温が２
５℃以下のエッチング液を用いたエッチング液置換工程
を経ることを特徴とするものである。In the method of etching an electronic component according to the present invention, when an etching solution containing ferric chloride as a main component is used to carry out etching while horizontally transporting a metal plate by a spray method, as shown in FIG. As described above, the first etching step (1A-a) in which the temperature of the etching solution is 60 ° C. or more
An etching step (1A) composed of a second etching step (1A-b) in which the temperature of the etching solution is 25 ° C. or lower.
After that, the main component is ferrous chloride and the liquid temperature is 2
An etching solution replacement step using an etching solution having a temperature of 5 ° C. or lower is performed.
【００３４】前記のように、図４に示す高濃度な塩化第
二鉄液は水で希釈されると瞬間的にエッチングレートが
向上するものであり、また、通常エッチングに使用して
いる塩化第二鉄液は粘度が高く、金属板の表面に付着し
ている粘度の高いエッチング液は、図３に示す従来のエ
ッチング装置においては、水洗工程に入ると洗浄水との
混ざり具合が不均一となり、孔蝕状、或いは溝状の腐蝕
が起こることになる。As described above, the high-concentration ferric chloride solution shown in FIG. 4 instantaneously increases the etching rate when diluted with water, and the ferric chloride solution usually used for etching is used. The ferrous liquid has a high viscosity, and the high-viscosity etching liquid adhering to the surface of the metal plate, in the conventional etching apparatus shown in FIG. Corrosion-like or groove-like corrosion occurs.
【００３５】一方、本発明において用いる塩化第一鉄液
は、図４に示すように、塩化第二鉄液に比べその酸化還
元電位が非常に低く、水で希釈してもエッチングレート
が急に向上することが無いものである。つまり、金属板
を水洗工程に入れる前に、金属板の表面に付着している
塩化第二鉄液を塩化第一鉄液に置換しておくことによっ
て、金属板の水洗工程で、金属板の表面に付着している
塩化第一鉄液が洗浄水で希釈され、急に部分的な濃度の
ばらつきを生じてもエッチングレートの変化が少なく、
従って、不均一なエッチングが進まないものとなる。On the other hand, as shown in FIG. 4, the ferrous chloride solution used in the present invention has a very low oxidation-reduction potential as compared with the ferric chloride solution, and the etching rate is sharp even when diluted with water. It does not improve. In other words, by replacing the ferric chloride solution adhering to the surface of the metal plate with the ferrous chloride solution before entering the metal plate in the water washing process, the metal plate is washed in the metal plate water washing process. Even if the ferrous chloride solution adhering to the surface is diluted with the washing water and suddenly causes partial concentration variations, the change in the etching rate is small,
Therefore, uneven etching does not proceed.
【００３６】すなわち、エッチング液の液温が６０℃以
上の第一エッチング工程とエッチング液の液温が２５℃
以下の第二エッチング工程とで構成されるエッチング工
程を経た後に、引き続き主成分が塩化第一鉄であって液
温が２５℃以下のエッチング液を用いたエッチング液置
換工程を経ることによって、前記微細な孔蝕状、或いは
溝状の不均一な腐蝕を防止する上で更に著しい効果があ
るものとなる。That is, the first etching step in which the temperature of the etchant is 60 ° C. or higher, and the temperature of the etchant is 25 ° C.
After passing through an etching step composed of the following second etching step, the main component is ferrous chloride and the liquid temperature is passed through an etching liquid replacement step using an etching liquid having a temperature of 25 ° C. or less, This has a further remarkable effect in preventing uneven pitting or groove-like uneven corrosion.
【００３７】前記のように、第一エッチング工程におけ
るエッチング液の液温は６０℃以上のものであるが、液
温は６０℃〜８５℃の範囲のものが好ましく、また、第
二エッチング工程におけるエッチング液の液温は２５℃
以下のものであるが、液温は２０℃〜２５℃の範囲のも
のが好ましいものである。更に、エッチング液置換工程
における塩化第一鉄を主成分とするエッチング液の液温
は２５℃以下のものであるが、液温は２０℃〜２５℃の
範囲のものが好ましいものである。As described above, the liquid temperature of the etching solution in the first etching step is 60 ° C. or higher, but the liquid temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 85 ° C. The temperature of the etchant is 25 ° C
The following is preferred, but the liquid temperature is preferably in the range of 20 ° C to 25 ° C. Further, the temperature of the etching solution containing ferrous chloride as a main component in the etching solution replacement step is 25 ° C. or lower, and the solution temperature is preferably in the range of 20 ° C. to 25 ° C.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明は、塩化第二鉄を主成分とするエ
ッチング液を用い、スプレー方式にて金属板を水平に搬
送させながらエッチングを行うフォトエッチングにおい
て、エッチング工程が、液温６０℃以上のエッチング液
を用いる第一エッチング工程と、液温２５℃以下のエッ
チング液を用いる第二エッチング工程とで構成されてい
るので、エッチング工程後に金属板の表面に付着したエ
ッチング液によってエッチングが継続して進むことな
く、また、エッチング工程後に金属板の表面に付着して
いるエッチング液の活性が向上しエッチングが継続して
進むことのない、従って、微細な孔蝕状、或いは溝状の
不均一な腐蝕を防止した、すなわち、製品の品位を低下
させることのない電子部品のエッチング方法となる。According to the present invention, in a photoetching method in which an etching solution containing ferric chloride as a main component is used to carry out etching while horizontally transporting a metal plate by a spray method, the etching process is performed at a solution temperature of 60 ° C. Since the first etching step using the above-mentioned etching liquid and the second etching step using an etching liquid having a liquid temperature of 25 ° C. or less, the etching is continued by the etching liquid attached to the surface of the metal plate after the etching step. And the activity of the etching solution adhering to the surface of the metal plate is improved after the etching step, so that the etching does not proceed continuously. Therefore, fine pitting or groove-like defects do not occur. It is a method for etching an electronic component that prevents uniform corrosion, that is, does not lower the quality of a product.
【００３９】また、本発明は、上記電子部品のエッチン
グ方法において、引き続き主成分が塩化第一鉄であって
液温２５℃以下のエッチング液を用いたエッチング液置
換工程を経るので、エッチング工程後に金属板の表面に
付着したエッチング液によってエッチングが継続して進
むことなく、また、エッチング工程後に金属板の表面に
付着しているエッチング液の活性が向上しエッチングが
継続して進むことのない、従って、微細な孔蝕状、或い
は溝状の不均一な腐蝕を更に防止した、すなわち、製品
の品位を更に低下させることのない電子部品のエッチン
グ方法となる。Further, according to the present invention, in the above-described method for etching an electronic component, since the main component is ferrous chloride and the etching solution replacement step using an etching solution having a liquid temperature of 25 ° C. or lower is performed, the etching method is performed after the etching step. The etching does not continue by the etching solution attached to the surface of the metal plate, and the activity of the etching solution attached to the surface of the metal plate after the etching step is improved, and the etching does not continue. Therefore, it is possible to provide a method for etching an electronic component in which a fine pit-like or groove-like uneven corrosion is further prevented, that is, the quality of a product is not further reduced.
【図１】本発明による電子部品のエッチング方法におい
て用いられるエッチング装置の一実施例の主要部分を模
式的に示した断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a main part of an embodiment of an etching apparatus used in an electronic component etching method according to the present invention.
【図２】本発明による電子部品のエッチング方法におい
て用いられるエッチング装置の一例の主要部分を模式的
に示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a main part of an example of an etching apparatus used in an electronic component etching method according to the present invention.
【図３】エッチング装置の一例の主要部分を模式的に示
した断面図である。FIG. 3 is a sectional view schematically showing a main part of an example of an etching apparatus.
【図４】塩化第二鉄を主成分とするエッチング液のエッ
チングレートと塩化第二鉄濃度の関係を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between an etching rate of an etching solution containing ferric chloride as a main component and a concentration of ferric chloride.
１Ａ、２Ａ、３Ａ・・・・エッチング工程 １Ａ−ａ・・・・第一エッチング工程 １Ａ−ｂ・・・・第二エッチング工程 １Ｃ、２Ｃ、３Ｃ・・・・水洗工程 ２Ｂ・・・・エッチング液置換工程 １１１・・・・金属板 １１２、２１２、３１２・・・・エッチング槽 １１３、３１３、３１４・・・・エッチングスプレー １１４・・・・第一エッチング停止スプレー １１５ａ・・・・第一エッチング液タンク １１５ｂ・・・・第二エッチング液タンク １１６ａ・・・・第一供給パイプ １１６ｂ・・・・第二供給パイプ １１７ａ・・・・第一液温調節装置 １１７ｂ・・・・第二液温調節装置 １５２、２５２、３５２・・・・水洗槽 １５３、２５３・・・・洗浄水スプレー １５５、２５５・・・・排水タンク １５６、２３６、２５６、３１６・・・・供給パイプ ２３２・・・・エッチング液置換槽 ２３３・・・・第二エッチング停止スプレー ２３５・・・・塩化第一鉄液タンク ２３７、３１７・・・・液温調節装置 ３１５・・・・エッチング液タンク Ｒ１１、Ｒ１２・・・・液切りロール Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ２５、Ｒ２６・・・・洗浄水液切りロー
ル Ｒ２３、Ｒ２４・・・・置換液切りロール Ｒ３１、Ｒ３２・・・・液切りロール Ｒ３３、Ｒ３４・・・・洗浄水液切りロール1A, 2A, 3A... Etching step 1A-a... First etching step 1Ab... Second etching step 1C, 2C, 3C. Liquid replacement step 111: Metal plate 112, 212, 312: Etching tank 113, 313, 314: Etching spray 114: First etching stop spray 115a: First etching Liquid tank 115b ··· Second etching liquid tank 116a ··· First supply pipe 116b ··· Second supply pipe 117a ··· First liquid temperature controller 117b ··· Second liquid temperature Adjustment device 152, 252, 352: washing tank 153, 253: washing water spray 155, 255: drain tank 156, 236, 256, 316・ ・ ・ Supply pipe 232 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Etching liquid replacement tank 233 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Second etching stop spray 235 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrous chloride liquid tank 237, 317 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Liquid temperature controller 315 ・ ・ ・・ Etching liquid tank R11, R12 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Draining roll R13, R14, R25, R26 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Cleaning water draining roll R23, R24 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Replacement draining roll R31, R32 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Draining Roll R33, R34: Cleaning water draining roll
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朝倉 祝治 神奈川県横浜市保土ヶ谷区常磐台79番５号 横浜国立大学工学部内 (72)発明者 中川 英元 神奈川県横浜市保土ヶ谷区常磐台79番５号 横浜国立大学工学部内 (72)発明者 宮田 義一 神奈川県横浜市保土ヶ谷区常磐台79番５号 横浜国立大学工学部内 Ｆターム(参考） 4K057 WA01 WA03 WB01 WD07 WE08 WG02 WK01 WM02 WM09 WM17 WN01 WN03 5C027 HH11 5F067 AA00 DA16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Shoji Asakura 79-5 Jobandai, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside of the Faculty of Engineering, Yokohama National University No. 5 Yokohama National University Faculty of Engineering (72) Inventor Yoshikazu Miyata 79-5 Jobandai, Hodogaya-ku, Yokohama City, Kanagawa Prefecture F-term in the Faculty of Engineering Yokohama National University 4K057 WA01 WA03 WB01 WD07 WE08 WG02 WK01 WM02 WM09 WM17 WN01 WN03 5C027 HH11 5F067 AA00 DA16
Claims (2)
用い、スプレー方式にて金属板を水平に搬送させながら
エッチングを行うフォトエッチングにおいて、エッチン
グ工程が、液温６０℃以上のエッチング液を用いる第一
エッチング工程と、液温２５℃以下のエッチング液を用
いる第二エッチング工程とで構成されていることを特徴
とする電子部品のエッチング方法。In a photo-etching method using an etching solution containing ferric chloride as a main component while horizontally transporting a metal plate by a spray method, the etching process is performed at an etching solution having a solution temperature of 60 ° C. or more. And a second etching step using an etching solution having a liquid temperature of 25 ° C. or lower.
において、引き続き主成分が塩化第一鉄であって液温２
５℃以下のエッチング液を用いたエッチング液置換工程
を経ることを特徴とする電子部品のエッチング方法。2. The method for etching an electronic component according to claim 1, wherein the main component is ferrous chloride and the liquid temperature is 2.
An etching method for an electronic component, which comprises performing an etching solution replacement step using an etching solution at 5 ° C. or lower.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36474899A JP2001181864A (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Etching method for electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36474899A JP2001181864A (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Etching method for electronic part |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001181864A true JP2001181864A (en) | 2001-07-03 |
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2001181864A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103409752A (en) * | 2013-07-18 | 2013-11-27 | 新奥光伏能源有限公司 | Wet etching apparatus and wet etching method |
| CN108885988A (en) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method and the computer readable storage medium for being stored with substrate liquid processing routine |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36474899A patent/JP2001181864A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108885988A (en) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method and the computer readable storage medium for being stored with substrate liquid processing routine |
| CN108885988B (en) * | 2016-03-31 | 2023-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
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