JP2001176996A - Package for housing electronic component - Google Patents
Package for housing electronic componentInfo
- Publication number
- JP2001176996A JP2001176996A JP36340299A JP36340299A JP2001176996A JP 2001176996 A JP2001176996 A JP 2001176996A JP 36340299 A JP36340299 A JP 36340299A JP 36340299 A JP36340299 A JP 36340299A JP 2001176996 A JP2001176996 A JP 2001176996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- electronic component
- outer peripheral
- package
- ceramic frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、内部に電子部品を
収容するための電子部品収納用パッケージに関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for accommodating electronic components therein.
【０００２】[0002]
【従来の技術】圧電振動子や半導体素子等の電子部品
は、これらの電子部品を気密に収容するための電子部品
収納用パッケージ内に収容されて使用される。2. Description of the Related Art Electronic components such as a piezoelectric vibrator and a semiconductor element are used by being housed in an electronic component housing package for hermetically housing these electronic components.
【０００３】このような電子部品収納用パッケージにお
いて、最も信頼性の高いとされるものは、略平板状の基
板の上面に電子部品が搭載される搭載部およびこの搭載
部を取り囲むセラミック枠体を有し、このセラミック枠
体の上面に封止用の金属枠体がろう付けされて成る略箱
状のパッケージ基体と、このパッケージ基体の金属枠体
に直接、シーム溶接される金属蓋体とから構成されるタ
イプのものである。この電子部品収納用パッケージにお
いては、例えばパッケージ基体の内側から下面にかけて
複数のメタライズ配線導体が配設されており、搭載部に
電子部品を搭載するとともに電子部品の電極とメタライ
ズ配線導体とを電気的に接続した後、封止用の金属枠体
に金属蓋体を載置し、この金属蓋体の外周縁にシーム溶
接機の一対のローラー電極を接触させながら転動させる
とともに、このローラー電極間に溶接のための大電流を
流して金属枠体と金属蓋体とを直接、シーム溶接するこ
とによってパッケージ基体と金属蓋体とから成る容器内
部に電子部品が気密に収容されて製品としての電子装置
となる。[0003] Among such electronic component storage packages, the most reliable one is a mounting portion on which an electronic component is mounted on the upper surface of a substantially flat substrate and a ceramic frame surrounding the mounting portion. And a substantially box-shaped package base formed by brazing a metal frame for sealing onto the upper surface of the ceramic frame, and a metal lid directly seam-welded to the metal frame of the package base. It is of a structured type. In this electronic component storage package, for example, a plurality of metallized wiring conductors are disposed from the inside to the lower surface of the package base, and the electronic component is mounted on the mounting portion and the electrodes of the electronic component and the metallized wiring conductor are electrically connected. After being connected to a metal frame for sealing, a metal lid is placed on the metal frame for sealing, and a pair of roller electrodes of a seam welding machine are rolled while being brought into contact with the outer peripheral edge of the metal lid. A large current for welding is applied to the metal frame and the metal lid directly by seam welding, so that the electronic components are hermetically accommodated inside the container consisting of the package base and the metal lid, and the Device.
【０００４】なお、セラミック枠体に金属枠体をろう付
けするには、セラミック枠体の上面にろう付け用の下地
金属としての枠状のメタライズ層を被着させておくとと
もに、このメタライズ層に金属枠体を銀ろう等のろう材
を介してろう付けする方法が採用されている。In order to braze a metal frame to a ceramic frame, a frame-shaped metallized layer as a base metal for brazing is adhered to the upper surface of the ceramic frame, and the metallized layer is formed on the metallized layer. A method of brazing a metal frame via a brazing material such as silver brazing has been adopted.
【０００５】しかしながら、このタイプの電子部品収納
用パッケージでは、パッケージ基体に金属蓋体をシーム
溶接するための下地金属として封止用の金属枠体をろう
付けしておく必要があり、そのため金属枠体の分だけ電
子装置の高さが高いものとなってしまい、近時の電子装
置に要求される薄型化が困難であった。また、金属枠体
の分だけ高価なものとなってしまうという問題点も有し
ていた。However, in this type of electronic component storage package, it is necessary to braze a metal frame for sealing as a base metal for seam welding a metal cover to a package base. The height of the electronic device is increased by the size of the body, making it difficult to reduce the thickness of electronic devices required in recent years. In addition, there is a problem that the metal frame is expensive only.
【０００６】そこで、上述のような問題点を解消するた
めに、略平板状の基板の上面に電子部品を搭載する搭載
部およびこの搭載部を取り囲むセラミック枠体を有し、
このセラミック枠体の上面に封止用のメタライズ層が被
着されたパッケージ基体と、金属蓋体とから構成され、
基板の搭載部に電子部品を搭載した後、封止用のメタラ
イズ層に金属蓋体を銀ろう等のろう材を介してシーム溶
接やエレクトロンビーム溶接により溶接することにより
パッケージ基体と金属蓋体とを接合し、このパッケージ
基体と金属蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密
に封止するようになした電子部品収納用パッケージが提
案されている。In order to solve the above-mentioned problems, a mounting portion for mounting electronic components on a top surface of a substantially flat substrate and a ceramic frame surrounding the mounting portion are provided.
A package base in which a metallizing layer for sealing is adhered to the upper surface of the ceramic frame, and a metal lid,
After mounting the electronic components on the mounting part of the board, the package base and the metal lid are welded to the metallization layer for sealing by seam welding or electron beam welding via a brazing material such as silver braze. There has been proposed an electronic component storage package in which an electronic component is hermetically sealed inside a container comprising the package base and a metal lid.
【０００７】このセラミック枠体上面に被着させた封止
用のメタライズ層に金属蓋体を銀ろう等のろう材を介し
てシーム溶接やエレクトロンビーム溶接により接合させ
ることによってパッケージ基体と金属蓋体との内部に電
子部品を気密に収容するようになした電子部品収納用パ
ッケージによれば、セラミック枠体に被着させた封止用
メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介してシーム溶接
やエレクトロンビーム溶接により接合させることから溶
接のための下地金属としての金属枠体をセラミック枠体
にろう付けする必要がなく、その分、高さを低くするこ
とができ、かつ安価である。The package base and the metal lid are joined to the metallization layer for sealing, which is attached to the upper surface of the ceramic frame, by seam welding or electron beam welding via a brazing material such as silver solder. According to the electronic component housing package in which the electronic component is airtightly housed inside, the metallization layer for sealing and the metal cover attached to the ceramic frame are seam-welded through the brazing material. Or by electron beam welding, there is no need to braze a metal frame as a base metal for welding to a ceramic frame, and accordingly, the height can be reduced and the cost is low.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにセラミック枠体に被着させた封止用メタライズ層
に金属蓋体をろう材を介在させてシーム溶接やエレクト
ロンビーム溶接により溶接するようになした電子部品収
納用パッケージによれば、シーム溶接やエレクトロンビ
ーム溶接の際、溶接の熱が主として金属蓋体に大きく印
加されるため、溶接時に金属蓋体がパッケージ基体より
も大きく熱膨張するとともにこの金属蓋体が溶接後に大
きく熱収縮するため、溶接後、封止用メタライズ層の外
周縁を内側に引っ張る大きな引張り応力が残留してしま
い、この応力により封止用メタライズ層がその外周縁か
ら剥離して容器の気密信頼性が著しく低下してしまうこ
とがあるという問題点を有していた。However, as described above, the metal lid is welded to the metallized layer for sealing by the seam welding or the electron beam welding with the brazing material interposed therebetween. According to the package for storing electronic components, the heat of welding is mainly applied largely to the metal lid during seam welding or electron beam welding, so that the metal lid expands more thermally than the package base during welding. Since this metal lid body undergoes a large thermal contraction after welding, a large tensile stress that pulls the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing inward remains after welding, and this stress causes the metallizing layer for sealing to move from the outer peripheral edge thereof. There has been a problem that the airtight reliability of the container may be significantly reduced due to peeling.
【０００９】本発明は、かかる問題点に鑑み案出された
ものであり、その目的は金属蓋体を封止用メタライズ層
にろう材を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接
により溶接した後、封止用メタライズ金属層の外周縁を
内側に引っ張る残留応力により封止用メタライズ層の外
周縁がセラミック枠体から剥離することがなく、容器の
気密封止を完全とし、内部に収容する電子部品を長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させるのを可能とした気
密信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供するこ
とにある。The present invention has been devised in view of the above problems, and has as its object to weld a metal lid to a metallization layer for sealing by seam welding or electron beam welding via a brazing material and then seal the metal lid. The outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing does not peel off from the ceramic frame due to the residual stress that pulls the outer peripheral edge of the metallizing metal layer for inward. It is an object of the present invention to provide an airtight and highly reliable package for storing electronic components, which enables normal and stable operation for a long period of time.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、略平板状の基板上面に電子部品を搭載す
る搭載部およびこの搭載部を取り囲むセラミック枠体を
有し、このセラミック枠体の上面に封止用メタライズ層
が被着されて成るパッケージ基体と、封止用メタライズ
層にろう材を介して溶接される金属蓋体とから成る電子
部品収納用パッケージであって、セラミック枠体はその
上面から外周側面にかけて半径が略５〜50μｍの丸み部
を有しており、封止用メタライズ層はその外周縁が少な
くとも丸み部の途中まで延出していることを特徴とする
ものである。According to the present invention, there is provided an electronic component housing package having a mounting portion for mounting an electronic component on an upper surface of a substantially flat substrate and a ceramic frame surrounding the mounting portion. An electronic component storage package comprising: a package base having a metallization layer for sealing adhered to an upper surface of the substrate; and a metal lid welded to the metallization layer for sealing via a brazing material. Has a rounded portion having a radius of approximately 5 to 50 μm from its upper surface to its outer peripheral side surface, and the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing extends at least halfway through the rounded portion. .
【００１１】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、セラミック枠体の上面から外周側面にかけて半径が
略５〜50μｍの丸み部が形成されているとともに、封止
用メタライズ層の外周縁が少なくともこの丸み部の途中
まで延出していることから、金属蓋体を封止用メタライ
ズ層にろう材を介してシーム溶接やエレクトロンビーム
溶接により溶接した後、封止用メタライズ層の外周縁を
内側に引っ張る応力が残留したとしても、その応力はセ
ラミック枠体の上面から外周側面にかけて形成された半
径が略５〜50μｍの丸み部により良好に分散され、その
結果、封止用メタライズ層がセラミック枠体から剥離す
ることが有効に防止される。According to the electronic component housing package of the present invention, a round portion having a radius of approximately 5 to 50 μm is formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame, and at least the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is formed. Since the metal cover extends to the middle of the rounded portion, the metal lid is welded to the metallizing layer for sealing by seam welding or electron beam welding via a brazing material, and then the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is turned inward. Even if the tensile stress remains, the stress is satisfactorily dispersed by the rounded portion having a radius of about 5 to 50 μm formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame. Is effectively prevented from being peeled off.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】次に、本発明の電子部品収納用パ
ッケージを添付の図面を基に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an electronic component storage package according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【００１３】図１は、本発明の電子部品収納用パッケー
ジの実施の形態の一例を示した断面図であり、同図にお
いて１はパッケージ基体、２は金属蓋体、３は電子部品
である。そして、パッケージ基体１と金属蓋体２とで電
子部品３を収容する容器が構成される。FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a package base, 2 denotes a metal cover, and 3 denotes an electronic component. The package base 1 and the metal lid 2 constitute a container for housing the electronic component 3.
【００１４】パッケージ基体１は、大きさが数ｍｍ角で
あり、例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニ
ウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・
窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等のセラミック
ス材料から成り、その上面中央部に電子部品３を搭載す
るための搭載部４を有する略四角平板状の基板５の上面
に、同じく例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アル
ミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結
体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等のセラミ
ックス材料から成り、搭載部４を取り囲む略四角枠状の
セラミック枠体６が取着されて成る。The package base 1 has a size of several mm square, and is, for example, a sintered body of aluminum oxide, a sintered body of aluminum nitride, a sintered body of mullite, a sintered body of silicon carbide,
Similarly, for example, aluminum oxide is formed on the upper surface of a substantially square plate-shaped substrate 5 made of a ceramic material such as a silicon nitride sintered body or glass ceramic and having a mounting portion 4 for mounting the electronic component 3 at the center of the upper surface. It is made of a ceramic material such as a sintered body, an aluminum nitride-based sintered body, a mullite-based sintered body, a silicon carbide-based sintered body, a silicon nitride-based sintered body, and a glass ceramic. A ceramic frame 6 is attached.
【００１５】パッケージ基体１を構成する基板５は、電
子部品３を支持するための支持部材として機能し、その
搭載部４上には圧電振動子や半導体素子等の電子部品３
が搭載される。また、基板５はその搭載部４上面から下
面にかけて、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金
属粉末メタライズから成るメタライズ配線導体７が被着
されている。このメタライズ配線導体７は、搭載部４に
搭載される電子部品３の各電極を外部に電気的に導出す
るための導電路として機能し、その搭載部４上面部位に
は電子部品３の電極が例えば半田バンプや導電性接着剤
等の電気的接続手段８を介して電気的に接続され、基体
５の下面に導出した部位は、外部電気回路基板（図示せ
ず）の配線導体に例えば半田を介して電気的に接続され
る。なお、メタライズ配線導体７は、その露出する表面
にニッケル・金等の耐食性に優れ、かつ半田との濡れ性
に優れる金属をめっき法により1.0 〜20.0μｍの厚みに
被着させておくと、メタライズ配線導体７の酸化腐食を
有効に防止することができるとともに、メタライズ配線
導体７と電子部品３の各電極との接続および外部電気回
路基板の配線導体との接続を強固なものとなすことがで
きる。従って通常であれば、メタライズ配線導体７の表
面にはニッケル・金等の耐食性に優れ、かつ半田との濡
れ性に優れる金属がめっき法により1.0 〜20.0μｍの厚
みに被着される。A substrate 5 constituting the package base 1 functions as a support member for supporting the electronic component 3, and the electronic component 3 such as a piezoelectric vibrator or a semiconductor element is mounted on the mounting portion 4.
Is mounted. A metallized wiring conductor 7 made of metal powder of metal such as tungsten, molybdenum, copper, silver or the like is applied to the substrate 5 from the upper surface to the lower surface of the mounting portion 4. The metallized wiring conductor 7 functions as a conductive path for electrically leading each electrode of the electronic component 3 mounted on the mounting portion 4 to the outside. The electrode of the electronic component 3 is provided on the upper surface portion of the mounting portion 4. For example, a portion that is electrically connected through an electrical connection means 8 such as a solder bump or a conductive adhesive and is led out to the lower surface of the base 5 is provided with, for example, solder on a wiring conductor of an external electric circuit board (not shown). Electrically connected via the If the metallized wiring conductor 7 is coated with a metal having excellent corrosion resistance such as nickel and gold and excellent wettability with solder by a plating method to a thickness of 1.0 to 20.0 μm, the metallized wiring conductor 7 is metallized. Oxidation and corrosion of the wiring conductor 7 can be effectively prevented, and the connection between the metallized wiring conductor 7 and each electrode of the electronic component 3 and the connection with the wiring conductor of the external electric circuit board can be made strong. . Therefore, normally, a metal having excellent corrosion resistance and excellent wettability with solder, such as nickel and gold, is applied to the surface of the metallized wiring conductor 7 by a plating method to a thickness of 1.0 to 20.0 μm.
【００１６】また、基板５の上面に取着されたセラミッ
ク枠体６は、外寸が基板５と実質的に同じ大きさで幅が
例えば0.4 〜0.5 ｍｍ程度の枠状であり、基板５の上面
に電子部品３を収容するための空所を形成するものであ
り、その上面には封止用メタライズ層９が被着されれて
いる。セラミック枠体６の上面に被着された封止用メタ
ライズ層９は、金属蓋体２をパッケージ基体１に接合す
るための下地金属として機能し、厚みが10〜50μｍ程度
であり、通常であれば、その露出する表面に1.0 〜20.0
μｍ程度の厚みのニッケルめっきと0.1 〜3.0 μｍ程度
の厚みの金めっきとが施されている。そして、この封止
用メタライズ層９には金属蓋体２が銀−銅ろう等のろう
材10を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接によ
り溶接される。なお、封止用メタライズ層９と金属蓋体
２とのろう材10を介した溶接は、その溶接がシーム溶接
よる場合であれば、図２に断面図で示すように、金属蓋
体２を封止用メタライズ層９上に間にろう材10を挟んで
載置し、この金属蓋体２の外周縁にシーム溶接機の一対
のローラー電極Ｒを接触させながら転動させるととも
に、このローラー電極Ｒ間に溶接のための大電流を流
し、ローラー電極Ｒと金属蓋体２との接触部をジュール
発熱させ、この熱を金属蓋体２の下面側に伝達させてろ
う材10の一部を溶融させることによって行われ、他方、
エレクトロンビーム溶接による場合であれば、図３に断
面図で示すように、金属蓋体２を封止用メタライズ層９
の上に間にろう材10を挟んで載置するとともに、金属蓋
体２の上面に直径が 0.2ｍｍ程度のエレクトロンビーム
Ｂを封止用メタライズ層９に沿って移動させながら照射
し、このエレクトロンビームＢによる熱を金属蓋体２の
下面側に伝達させてろう材10の一部を溶融させることに
よって行われる。なお、封止用メタライズ層９に施され
るニッケルめっきは、その厚みが５μｍ以上であると、
封止用メタライズ層９に金属蓋体２をろう材10を介して
シーム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶接する際
に、シーム溶接やエレクトロンビーム溶接の熱によセラ
ミック枠体６に印加される熱衝撃をニッケルめっきによ
り良好に吸収してセラミック枠体６に熱衝撃による割れ
やクラックが発生するのを有効に防止することができ
る。したがって、封止用メタライズ層９に施されるニッ
ケルめっきはその厚みを好ましくは５μｍ以上、更に好
ましくは８μｍとしておくことが望ましい。The ceramic frame 6 attached to the upper surface of the substrate 5 has a frame shape having substantially the same outer dimensions as the substrate 5 and a width of, for example, about 0.4 to 0.5 mm. A space for accommodating the electronic component 3 is formed on the upper surface, and a metallizing layer 9 for sealing is adhered on the upper surface. The sealing metallization layer 9 applied to the upper surface of the ceramic frame 6 functions as a base metal for joining the metal lid 2 to the package base 1 and has a thickness of about 10 to 50 μm, which is normal. 1.0 to 20.0 on the exposed surface
Nickel plating with a thickness of about μm and gold plating with a thickness of about 0.1 to 3.0 μm are applied. Then, the metal lid 2 is welded to the sealing metallization layer 9 by seam welding or electron beam welding via a brazing material 10 such as silver-copper brazing. The welding of the metallization layer 9 for sealing and the metal lid 2 via the brazing filler metal 10 may be performed by welding the metal lid 2 as shown in the sectional view of FIG. A brazing material 10 is placed on the metallizing layer 9 for sealing, and the metal lid 2 is rolled while a pair of roller electrodes R of a seam welding machine is brought into contact with the outer peripheral edge of the metal lid 2. A large current for welding is passed between R and the contact portion between the roller electrode R and the metal lid 2 generates Joule heat, and this heat is transmitted to the lower surface side of the metal lid 2 to remove a part of the brazing material 10. Done by melting, while
In the case of the electron beam welding, as shown in the sectional view of FIG.
And an electron beam B having a diameter of about 0.2 mm is irradiated on the upper surface of the metal lid 2 while moving along the metallizing layer 9 for sealing. The heat generated by the beam B is transmitted to the lower surface of the metal lid 2 to melt a part of the brazing material 10. The nickel plating applied to the metallization layer 9 for sealing has a thickness of 5 μm or more.
When the metal lid 2 is welded to the metallization layer 9 for sealing by brazing material 10 by seam welding or electron beam welding, thermal shock applied to the ceramic frame 6 by heat of seam welding or electron beam welding. And the generation of cracks and cracks in the ceramic frame 6 due to thermal shock can be effectively prevented. Therefore, it is desirable that the thickness of the nickel plating applied to the metallization layer 9 for sealing is preferably 5 μm or more, more preferably 8 μm.
【００１７】さらに、本発明においては、図４に要部拡
大断面図で示すように、セラミック枠体６の上面から外
周側面にかけて半径が略５〜50μｍの丸み部11が形成さ
れており、封止用メタライズ層９の外周縁がこの丸み部
11まで延出している。このように、セラミック枠体６の
上面から外周側面にかけて半径が略５〜50μｍの丸み部
11が形成されており、封止用メタライズ層９の外周縁が
この丸み部11まで延出していることから、封止用メタラ
イズ層９に金属蓋体２をろう材10を介してシーム溶接や
エレクトロンビーム溶接により溶接した後、封止用メタ
ライズ層９の外周縁を内側に引っ張る大きな引張り応力
が残留したとしても、その応力は、セラミック枠体６の
上面から外周側面にかけて設けられた半径が略５〜50μ
ｍの丸み部11により良好に分散され、その結果、封止用
メタライズ層９がその外周縁から剥離することを有効に
防止することができる。Further, in the present invention, as shown in an enlarged sectional view of a main part in FIG. 4, a rounded portion 11 having a radius of approximately 5 to 50 μm is formed from the upper surface of the ceramic frame 6 to the outer peripheral side surface. The outer peripheral edge of the metallization layer 9 for stopping is rounded.
Extends to 11. In this manner, the rounded portion having a radius of approximately 5 to 50 μm from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame 6.
11 is formed and the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing extends to the rounded portion 11, so that the metal lid 2 is welded to the metallizing layer 9 for sealing via the brazing material 10, Even after a large tensile stress that pulls the outer peripheral edge of the sealing metallized layer 9 inward after welding by electron beam welding, the stress is substantially equal to the radius provided from the upper surface of the ceramic frame 6 to the outer peripheral side surface. 5-50μ
Therefore, the metallized layer 9 for sealing can be effectively prevented from peeling off from the outer peripheral edge thereof.
【００１８】なお、セラミック枠体６の上面から外周側
面にかけて形成された丸み部11は、その半径が５μｍ未
満であると、封止用メタライズ層９に金属蓋体２をろう
材10を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接によ
り溶接した後、封止用メタライズ層９の外周縁を内側に
引っ張る残留応力を良好に分散することができず、封止
用メタライズ層９に剥離が発生しやすくなる傾向にあ
り、他方、50μｍを超えると、そのような大きな半径の
丸みを設けるために封止用メタライズ層９の上面に金属
蓋体２を溶接するための十分な幅を設けることが困難と
なる傾向にある。If the radius of the round portion 11 formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame 6 is less than 5 μm, the metal cover 2 is attached to the metallization layer 9 for sealing via the brazing material 10. After welding by seam welding or electron beam welding, the residual stress that pulls the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing inward cannot be satisfactorily dispersed, and the metallizing layer 9 for sealing tends to peel easily. On the other hand, if it exceeds 50 μm, it tends to be difficult to provide a sufficient width for welding the metal lid 2 on the upper surface of the sealing metallization layer 9 in order to provide such a large radius roundness. It is in.
【００１９】したがって、セラミック枠体６の上面から
外周側面にかけて形成される丸み部11は、その半径が略
５〜50μｍの範囲に特定される。Therefore, the radius of the rounded portion 11 formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame 6 is specified in a range of approximately 5 to 50 μm.
【００２０】さらに、封止用メタライズ層９の外周縁か
らセラミック枠体６の上面までの高さは、５μｍ以上が
好ましい。セラミック枠体６の上面から封止用メタライ
ズ層９の外周縁までの高さが５μｍ未満であると、封止
用メタライズ層９に金属蓋体２をろう材10を介してシー
ム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶接した後、封
止用メタライズ層９の外周縁を内側に引っ張る残留応力
を良好に分散することができず、封止用メタライズ層９
に剥離が発生しやすくなる傾向にある。Further, the height from the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing to the upper surface of the ceramic frame 6 is preferably 5 μm or more. When the height from the upper surface of the ceramic frame 6 to the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing is less than 5 μm, the metal lid 2 is attached to the metallizing layer 9 for sealing via a brazing material 10 by seam welding or electron beam. After welding, the residual stress that pulls the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing inward cannot be satisfactorily dispersed, and the metallizing layer 9 for sealing is not satisfactorily dispersed.
Tends to cause peeling.
【００２１】また、丸み部11に延出した封止用メタライ
ズ層９の外周部は、その外周縁に向けて厚みが徐々に薄
くなっていることが好ましい。丸み部11に延出した封止
用メタライズ層９の外周部がその外周縁に向けて厚みが
徐々に薄くなっていることによって、封止用メタライズ
層９の外周縁に印加される引張り応力がより効果的に分
散される。It is preferable that the outer peripheral portion of the sealing metallized layer 9 extending to the rounded portion 11 is gradually reduced in thickness toward the outer peripheral edge. Since the thickness of the outer peripheral portion of the metallizing layer 9 for sealing extending to the rounded portion 11 is gradually reduced toward the outer peripheral edge, the tensile stress applied to the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing is reduced. More effectively distributed.
【００２２】このようなパッケージ基体１は、セラミッ
クグリーンシート積層法によって多数個が集約的に製作
され、具体的には、まず、図５（ａ）に断面図で示すよ
うに、基板５となる多数の領域25が縦横に配列形成され
るとともに各領域25の境界線23にメタライズ配線導体７
を基板５の上面から下面に導出させるための貫通孔21ａ
が形成された基板用セラミックグリーンシート21と、セ
ラミック枠体６となる多数の領域26が前記領域25と対応
するように縦横に配列形成されるとともに各領域26にセ
ラミック枠体６の開口となる貫通孔22ａが形成されたセ
ラミック枠体用セラミックグリーンシート22を準備し、
次に図５（ｂ）に断面図で示すように、セラミックグリ
ーンシート21の各領域25の上面から貫通孔21ａ内壁を介
して下面にかけてメタライズ配線導体７となる金属ペー
スト27を所定のパターンに印刷塗布するとともに、セラ
ミックグリーンシート22の各領域26の上面全面に封止用
メタライズ層９となる金属ペースト29を印刷塗布した
後、図５（ｃ）に断面図で示すように、セラミックグリ
ーンシート21上にセラミックグリーンシート22を積層し
て積層体20を得、しかる後、図５（ｄ）に示すように、
積層体20の上面側に各領域24・26の境界線23上に金型Ｄ
により切込みを入れ、最後にこの積層体20を焼成した
後、切込みに沿って分割することによって製作される。A large number of such package bases 1 are manufactured collectively by a ceramic green sheet laminating method. Specifically, first, as shown in a sectional view of FIG. A large number of regions 25 are vertically and horizontally arranged and a metallized wiring conductor 7 is formed on a boundary 23 of each region 25.
Hole 21a for leading the substrate 5 from the upper surface to the lower surface of the substrate 5
Are formed on the substrate ceramic green sheet 21 and a plurality of regions 26 to be the ceramic frame 6 are arranged vertically and horizontally so as to correspond to the regions 25, and each region 26 becomes an opening of the ceramic frame 6. Prepare a ceramic green sheet 22 for a ceramic frame in which a through hole 22a is formed,
Next, as shown in the cross-sectional view of FIG. 5B, a metal paste 27 serving as the metallized wiring conductor 7 is printed in a predetermined pattern from the upper surface of each region 25 of the ceramic green sheet 21 to the lower surface via the inner wall of the through hole 21a. After coating, a metal paste 29 serving as the metallization layer 9 for sealing is printed and applied over the entire upper surface of each region 26 of the ceramic green sheet 22. Then, as shown in a sectional view of FIG. The laminated body 20 is obtained by laminating the ceramic green sheets 22 thereon, and thereafter, as shown in FIG.
A mold D is placed on the boundary line 23 between the regions 24 and 26 on the upper surface side of the laminate 20.
The laminated body 20 is manufactured by baking the laminate 20 and then dividing the laminate 20 along the cut.
【００２３】なお、セラミックグリーンシート21・22
は、例えば基板５およびセラミック枠体６が酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の
原料粉末に適当な有機バンイダ・溶剤・可塑剤等を添加
混合して泥漿状となすとともに、これを例えばドクタブ
レード法等のシート成形法によりシート状となした後、
これに打ち抜き加工を施すことにより製作される。ま
た、メタライズ配線導体７および封止用メタライズ層９
となる金属ペースト27・29は、例えばメタライズ配線導
体７および封止用メタライズ層９がタングステンメタラ
イズから成る場合であれば、タングステン粉末に適当な
有機バインダ・溶剤・可塑剤等を添加混合してペースト
状となすことによって製作され、セラミックグリーンシ
ート21・22への印刷塗布はスクリーン印刷法によって行
われる。このとき、封止用メタライズ層９となる金属ペ
ースト29の一部がセラミックグリーンシート22の上面か
ら貫通孔22ａ内壁に５〜50μｍ程度、垂れ込むように印
刷塗布されてもよい。The ceramic green sheets 21 and 22
For example, when the substrate 5 and the ceramic frame 6 are made of an aluminum oxide-based sintered body, an organic vanadium, a solvent, a plasticizer, etc. suitable for a raw material powder of aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, calcium oxide, etc. Is added and mixed to form a slurry, and this is formed into a sheet by a sheet forming method such as a doctor blade method.
It is manufactured by punching this. The metallized wiring conductor 7 and the metallized layer 9 for sealing
For example, if the metallized wiring conductor 7 and the encapsulating metallized layer 9 are made of tungsten metallized, the metal pastes 27 and 29 are prepared by adding an appropriate organic binder, solvent, plasticizer and the like to tungsten powder and mixing. The ceramic green sheets 21 and 22 are printed and applied by screen printing. At this time, a part of the metal paste 29 serving as the metallization layer 9 for sealing may be printed and applied so as to hang from the upper surface of the ceramic green sheet 22 to the inner wall of the through hole 22a by about 5 to 50 μm.
【００２４】また、セラミック枠体６の上面から外周側
面にかけて半径が５〜50μｍの丸み部11を形成するとと
もに封止用メタライズ層９の外周縁を丸み部11まで延出
させるには、図６に要部拡大断面図で示すように、セラ
ミックグリーンシート21と22との積層体20の上面側に金
型Ｄにより切込みを形成する際に、金型Ｄとの摩擦力に
より積層体20の上面と切込みの側面との間を丸みを有す
るように変形させるとともに、金属ペースト29の一部を
この分割溝Ｇ内に引き摺り込む方法が採用される。この
場合、丸み部11の大きさや封止用メタライズ層９の外周
縁からセラミック枠体６上面までの高さは、セラミック
グリーンシート21・22や金属ペースト29の可塑性を調整
したり、金型Ｄの刃先の鋭さや形状を変更することによ
って所定の大きさや高さにすることができる。To form a rounded portion 11 having a radius of 5 to 50 μm from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame 6 and to extend the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing to the rounded portion 11, FIG. As shown in the main part enlarged sectional view, when a notch is formed on the upper surface side of the laminate 20 of the ceramic green sheets 21 and 22 by the mold D, the upper surface of the laminate 20 is A method is adopted in which a portion between the metal paste 29 and the side surface of the cut is deformed so as to have a roundness, and a part of the metal paste 29 is dragged into the divided groove G. In this case, the size of the rounded portion 11 and the height from the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing to the upper surface of the ceramic frame 6 are adjusted by adjusting the plasticity of the ceramic green sheets 21 and 22 and the metal paste 29, or by adjusting the mold D. By changing the sharpness and shape of the cutting edge, the size and height can be set to predetermined values.
【００２５】他方、金属蓋体２は、鉄−ニッケル合金板
あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金板から成る厚みが
0.1 ｍｍ程度の平板であり、その下面の全面には、銀−
銅共晶ろう等のろう材10が10〜20μｍ程度の厚みに被着
されている。そして、パッケージ基体１の封止用メタラ
イズ層９にろう材10を介してシーム溶接またはエレクト
ロンビーム溶接により溶接されることによりパッケージ
基体１との間で電子部品３を気密に封止する。On the other hand, the metal lid 2 is made of an iron-nickel alloy plate or an iron-nickel-cobalt alloy plate.
It is a flat plate with a thickness of about 0.1 mm.
A brazing material 10 such as copper eutectic brazing is applied to a thickness of about 10 to 20 μm. Then, the electronic component 3 is hermetically sealed with the package base 1 by being welded to the sealing metallization layer 9 of the package base 1 through the brazing material 10 by seam welding or electron beam welding.
【００２６】このような金属蓋体２は、鉄−ニッケル合
金板あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金板の下面に銀
−銅ろう等のろう材箔を重ねて圧延することによって鉄
−ニッケル合金板あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金
板の下面にろう材が圧着された複合金属板を得るととも
に、この複合金属板を打ち抜き金型により所定の形状に
打ち抜くことによって製作される。Such a metal lid 2 is formed by rolling a brazing material foil such as silver-copper brazing on the lower surface of an iron-nickel alloy plate or an iron-nickel-cobalt alloy plate and rolling it. A composite metal plate is obtained by pressing a brazing material onto the lower surface of an iron-nickel-cobalt alloy plate and punching the composite metal plate into a predetermined shape using a punching die.
【００２７】かくして、本発明の電子部品収納用パッケ
ージによれば、基板５の搭載部４に電子部品３を搭載し
た後、金属蓋体２を封止用メタライズ層９にろう材10を
介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶接
することによって気密信頼性に優れる電子装置が得られ
る。Thus, according to the electronic component storage package of the present invention, after the electronic component 3 is mounted on the mounting portion 4 of the substrate 5, the metal cover 2 is attached to the sealing metallization layer 9 via the brazing material 10. By welding by seam welding or electron beam welding, an electronic device having excellent airtight reliability can be obtained.
【００２８】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。例
えば、セラミック枠体の丸み部は、その半径が一定でな
く上記範囲で連続的に変化させたものであってもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the radius of the round portion of the ceramic frame may not be constant but may be changed continuously in the above range.
【００２９】また、封止用メタライズ層は、セラミック
枠体の丸み部を覆って外周側面まで延出させても構わな
い。The metallizing layer for sealing may extend to the outer peripheral side surface so as to cover the rounded portion of the ceramic frame.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、セラミック枠体の上面から外周側面にかけて半径
が略５〜50μｍの丸み部が形成されているとともに、封
止用メタライズ層の外周縁がこの丸み部まで延出してい
ることから、金属蓋体を封止用メタライズ層にろう材を
介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶接
した後、封止用メタライズ層の外周縁を内側に引っ張る
応力が残留したとしても、その応力はセラミック枠体の
上面から外周側面にかけて形成された半径が略５〜50μ
ｍの丸み部により良好に分散され、その結果、封止用メ
タライズ層がセラミック枠体から剥離することが有効に
防止され、容器の気密封止を完全とし、内部に収容する
電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
のを可能とした気密信頼性の高い電子部品収納用パッケ
ージを提供することができる。According to the electronic component housing package of the present invention, a round portion having a radius of approximately 5 to 50 μm is formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame, and the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is formed. Since the metal lid extends to the rounded portion, the metal lid is welded to the metallizing layer for sealing by seam welding or electron beam welding via a brazing material, and then the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is pulled inward. Even if the stress remains, the stress has a radius formed from the upper surface of the ceramic frame to the outer peripheral side surface of about 5 to 50 μm.
m, so that the metallizing layer for sealing is effectively prevented from peeling off from the ceramic frame, the hermetic sealing of the container is completed, and the electronic components housed therein are kept for a long time. Thus, it is possible to provide an airtight and highly reliable electronic component housing package that can be operated normally and stably.
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention.
【図２】図１に示す電子部品収納用パッケージのパッケ
ージ基体１に金属蓋体２をシーム溶接により溶接する方
法を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of welding a metal lid 2 to the package base 1 of the electronic component storage package shown in FIG. 1 by seam welding.
【図３】図１に示す電子部品収納用パッケージのパッケ
ージ基体１に金属蓋体２をエレクトロンビーム溶接によ
り溶接する方法を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of welding a metal lid 2 to a package base 1 of the electronic component storage package shown in FIG. 1 by electron beam welding.
【図４】図１に示す電子部品収納用パッケージの要部拡
大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of the electronic component storage package shown in FIG. 1;
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す電子部品収納用
パッケージのパッケージ基体１を製作する方法を説明す
るための工程毎の断面図である。5 (a) to 5 (d) are cross-sectional views for each step for explaining a method of manufacturing the package base 1 of the electronic component storage package shown in FIG.
【図６】図５（ｄ）における要部拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part in FIG. 5 (d).
１・・・・・パッケージ基体 ２・・・・・金属蓋体 ３・・・・・電子部品 ４・・・・・搭載部 ５・・・・・基板 ６・・・・・セラミック枠体 ９・・・・・封止用メタライズ層 10・・・・・ろう材 11・・・・・丸み部 1. Package base 2. Metal cover 3. Electronic components 4. Mounting part 5. Substrate 6. Ceramic frame 9 ..... metallized layer for sealing 10 ......... brazing material 11 ...... rounded part
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１３年１月９日（２００１．１．９）[Submission date] January 9, 2001 (2001.1.9)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、略平板状の基板上面に電子部品を搭載す
る搭載部およびこの搭載部を取り囲むセラミック枠体を
有し、このセラミック枠体の上面に封止用メタライズ層
が被着されて成るパッケージ基体と、封止用メタライズ
層にろう材を介して溶接される、外形寸法が封止用メタ
ライズ層の外周縁より小さい金属蓋体とから成る電子部
品収納用パッケージであって、セラミック枠体はその上
面から外周側面にかけて半径が略５〜50μｍの丸み部を
有しており、封止用メタライズ層はその外周縁が少なく
とも丸み部の途中まで延出しているとともに外周部の厚
みが外周縁に向けて薄くなっていることを特徴とするも
のである。According to the present invention, there is provided an electronic component housing package having a mounting portion for mounting an electronic component on an upper surface of a substantially flat substrate and a ceramic frame surrounding the mounting portion. A package base having a metallizing layer for sealing adhered to the upper surface of the metallized layer; and a metal lid body whose outer dimensions are smaller than the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing, which are welded to the metallizing layer for sealing via a brazing material. Wherein the ceramic frame has a rounded portion having a radius of approximately 5 to 50 μm from the upper surface to the outer peripheral side surface, and the outer peripheral edge of the sealing metallized layer has at least a rounded portion. It is characterized in that it extends halfway and the thickness of the outer peripheral portion decreases toward the outer peripheral edge.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１１】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、セラミック枠体の上面から外周側面にかけて半径が
略５〜50μｍの丸み部が形成されているとともに、封止
用メタライズ層の外周縁が少なくともこの丸み部の途中
まで延出しているとともに外周部の厚みが外周縁に向け
て薄くなっていることから、外形寸法が封止用メタライ
ズ層の外周縁より小さい金属蓋体を封止用メタライズ層
にろう材を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接
により溶接した後、封止用メタライズ層の外周縁を内側
に引っ張る応力が残留したとしても、その応力はセラミ
ック枠体の上面から外周側面にかけて形成された半径が
略５〜50μｍの丸み部により良好に分散され、その結
果、封止用メタライズ層がセラミック枠体から剥離する
ことが有効に防止される。According to the electronic component housing package of the present invention, a round portion having a radius of approximately 5 to 50 μm is formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame, and at least the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is formed. Since the metal part extends outside the middle of the rounded part and the thickness of the outer peripheral part is reduced toward the outer peripheral edge, the outer dimensions of the metal lid are smaller than the outer peripheral edge of the metallized layer for sealing. After welding by seam welding or electron beam welding through a brazing material, even if a stress that pulls the outer peripheral edge of the sealing metallized layer inward remains, the stress is formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame. The radius is approximately 5 to 50 μm and is well dispersed by the rounded portion. As a result, the sealing metallization layer is effectively prevented from peeling from the ceramic frame. .
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１６】また、基板５の上面に取着されたセラミッ
ク枠体６は、外寸が基板５と実質的に同じ大きさで幅が
例えば0.4〜0.5ｍｍ程度の枠状であり、基板５の上面に
電子部品３を収容するための空所を形成するものであ
り、その上面には封止用メタライズ層９が被着されてい
る。セラミック枠体６の上面に被着された封止用メタラ
イズ層９は、金属蓋体２をパッケージ基体１に接合する
ための下地金属として機能し、厚みが10〜50μｍ程度で
あり、通常であれば、その露出する表面に1.0〜20.0μ
ｍ程度の厚みのニッケルめっきと0.1〜3.0μｍ程度の厚
みの金めっきとが施されている。そして、この封止用メ
タライズ層９には金属蓋体２が銀−銅ろう等のろう材10
を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶
接される。なお、封止用メタライズ層９と金属蓋体２と
のろう材10を介した溶接は、その溶接がシーム溶接によ
る場合であれば、図２に断面図で示すように、金属蓋体
２を封止用メタライズ層９上に間にろう材10を挟んで載
置し、この金属蓋体２の外周縁にシーム溶接機の一対の
ローラー電極Ｒを接触させながら転動させるとともに、
このローラー電極Ｒ間に溶接のための大電流を流し、ロ
ーラー電極Ｒと金属蓋体２との接触部をジュール発熱さ
せ、この熱を金属蓋体２の下面側に伝達させてろう材10
の一部を溶融させることによって行われ、他方、エレク
トロンビーム溶接による場合であれば、図３に断面図で
示すように、金属蓋体２を封止用メタライズ層９の上に
間にろう材10を挟んで載置するとともに、金属蓋体２の
上面に直径が0.2ｍｍ程度のエレクトロンビームＢを封
じようメタライズ層９に沿って異動させながら照射し、
このエレクトロンビームＢによる熱を金属蓋体２の下面
側に伝達させてろう材10の一部を溶融させることによっ
て行われる。なお、封止用メタライズ層９に施されるニ
ッケルめっきは、その厚みが５μｍ以上であると、封止
用メタライズ層９に金属蓋体２をろう材10を介してシー
ム溶接やエレクトロンビーム溶接により溶接する際に、
シーム溶接やエレクトロンビーム溶接の熱によりセラミ
ック枠体６に印加される熱衝撃をニッケルめっきにより
良好に吸収してセラミック枠体６に熱衝撃による割れや
クラックが発生するのを有効に防止することができる。
したがって、封止用メタライズ層９に施されるニッケル
めっきはその厚みを好ましくは５μｍ以上、更に好まし
くは８μｍとしておくことが望ましい。The ceramic frame 6 attached to the upper surface of the substrate 5 has a frame shape having substantially the same outer dimensions as the substrate 5 and a width of, for example, about 0.4 to 0.5 mm. A space for accommodating the electronic component 3 is formed on the upper surface, and a metallization layer 9 for sealing is adhered on the upper surface. The sealing metallization layer 9 applied to the upper surface of the ceramic frame 6 functions as a base metal for joining the metal lid 2 to the package base 1 and has a thickness of about 10 to 50 μm, which is normal. 1.0 ~ 20.0μ on the exposed surface
Nickel plating having a thickness of about m and gold plating having a thickness of about 0.1 to 3.0 μm are applied. In addition, the metal cover 2 is formed of a brazing material 10 such as silver-copper brazing on the metallizing layer 9 for sealing.
Through seam welding or electron beam welding. The welding of the metallization layer 9 for sealing and the metal lid 2 through the brazing material 10 is performed by seam welding as shown in the sectional view of FIG. A brazing material 10 is placed on the metallizing layer 9 for sealing, and the metal lid 2 is rolled while a pair of roller electrodes R of a seam welding machine is brought into contact with the outer peripheral edge of the metal lid 2.
A large current for welding is passed between the roller electrodes R to generate Joule heat at a contact portion between the roller electrode R and the metal cover 2, and this heat is transmitted to the lower surface side of the metal cover 2 to form a brazing material 10.
In the case of electron beam welding, on the other hand, as shown in the sectional view of FIG. 3, the metal cover 2 is placed on the metallizing layer 9 for sealing with a brazing material. 10 and placed on the upper surface of the metal lid 2, while irradiating the electron beam B having a diameter of about 0.2 mm along the metallized layer 9 so as to seal it.
The heat generated by the electron beam B is transmitted to the lower surface of the metal lid 2 to melt a part of the brazing material 10. When the thickness of the nickel plating applied to the metallizing layer 9 for sealing is 5 μm or more, the metal lid 2 is welded to the metallizing layer 9 for sealing by seam welding or electron beam welding via a brazing material 10. When welding,
The thermal shock applied to the ceramic frame 6 by the heat of seam welding or electron beam welding is favorably absorbed by nickel plating to effectively prevent the ceramic frame 6 from being cracked or cracked by the thermal shock. it can.
Therefore, it is desirable that the thickness of the nickel plating applied to the metallization layer 9 for sealing is preferably 5 μm or more, more preferably 8 μm.
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２５[Correction target item name] 0025
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２５】他方、金属蓋体２は、鉄−ニッケル合金板
あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金板から成る厚みが
0.1ｍｍ程度で外形寸法が封止用メタライズ層９の外周
縁より小さい平板であり、その下面の全面には、銀−銅
共晶ろう等のろう材10が10〜20μｍ程度の厚みに被着さ
れている。そして、パッケージ基体１の封止用メタライ
ズ層９にろう材10を介してシーム溶接またはエレクトロ
ンビーム溶接により溶接されることによりパッケージ基
体１との間で電子部品３を気密に封止する。On the other hand, the metal lid 2 is made of an iron-nickel alloy plate or an iron-nickel-cobalt alloy plate.
It is a flat plate having a thickness of about 0.1 mm and an outer dimension smaller than the outer peripheral edge of the metallizing layer 9 for sealing, and a brazing material 10 such as a silver-copper eutectic solder is deposited on the entire lower surface to a thickness of about 10 to 20 μm. Have been. Then, the electronic component 3 is hermetically sealed with the package base 1 by being welded to the sealing metallization layer 9 of the package base 1 through the brazing material 10 by seam welding or electron beam welding.
【手続補正６】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３０[Correction target item name] 0030
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、セラミック枠体の上面から外周側面にかけて半径
が略５〜50μｍの丸み部が形成されているとともに、封
止用メタライズ層の外周縁が少なくともこの丸み部の途
中まで延出しているとともに外周部の厚みが外周縁に向
けて薄くなっていることから、外形寸法が封止用メタラ
イズ層の外周縁より小さい金属蓋体を封止用メタライズ
層にろう材を介してシーム溶接やエレクトロンビーム溶
接により溶接した後、封止用メタライズ層の外周縁を内
側に引っ張る応力が残留したとしても、その応力はセラ
ミック枠体の上面から外周側面にかけて形成された半径
が略５〜50μｍの丸み部により良好に分散され、その結
果、封止用メタライズ層がセラミック枠体から剥離する
ことが有効に防止され、容器の気密封止を完全とし、内
部に収容する電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させるのを可能とした気密信頼性の高い電子部品
収納用パッケージを提供することができる。According to the electronic component housing package of the present invention, a round portion having a radius of approximately 5 to 50 μm is formed from the upper surface to the outer peripheral side surface of the ceramic frame, and the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing is formed. Since at least part of the rounded portion extends and the thickness of the outer peripheral portion decreases toward the outer peripheral edge, the outer dimensions are smaller than the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing. After welding to the metallized layer by seam welding or electron beam welding via brazing material, even if the stress that pulls the outer peripheral edge of the sealing metallized layer inward remains, the stress extends from the upper surface of the ceramic frame to the outer peripheral side. The formed radius is well dispersed by the round portion of about 5 to 50 μm, and as a result, the sealing metallization layer is effectively prevented from peeling from the ceramic frame. The hermetic seal of the container is complete, it is possible to provide a possibility as the airtight reliable electronic component storing package actuate normally and stably for a long period of time an electronic component accommodated therein.
Claims (1)
る搭載部および該搭載部を取り囲むセラミック枠体を有
し、該セラミック枠体の上面に封止用メタライズ層が被
着されて成るパッケージ基体と、前記封止用メタライズ
層にろう材を介して溶接される金属蓋体とから成る電子
部品収納用パッケージであって、前記セラミック枠体は
その上面から外周側面にかけて半径が略５〜５０μｍの
丸み部を有しており、前記封止用メタライズ層はその外
周縁が少なくとも前記丸み部の途中まで延出しているこ
とを特徴とする電子部品収納用パッケージ。1. An electronic device comprising: a mounting portion for mounting an electronic component on an upper surface of a substantially flat substrate; and a ceramic frame surrounding the mounting portion, wherein a metallizing layer for sealing is applied on the upper surface of the ceramic frame. An electronic component storage package comprising a package base and a metal lid welded to the sealing metallization layer via a brazing filler metal, wherein the ceramic frame has a radius of approximately 5 from an upper surface to an outer peripheral side surface. An electronic component storage package, having a rounded portion of 50 μm, wherein the outer peripheral edge of the metallizing layer for sealing extends at least halfway through the rounded portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36340299A JP3164802B1 (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Electronic component storage package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36340299A JP3164802B1 (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Electronic component storage package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3164802B1 JP3164802B1 (en) | 2001-05-14 |
| JP2001176996A true JP2001176996A (en) | 2001-06-29 |
Family
ID=18479226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36340299A Ceased JP3164802B1 (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Electronic component storage package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3164802B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156432A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Kyocera Corp | Package for housing element and mounting structure |
| WO2016152733A1 (en) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | 京セラ株式会社 | Electronic component accommodating substrate and electronic component mounting package |
-
1999
- 1999-12-21 JP JP36340299A patent/JP3164802B1/en not_active Ceased
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156432A (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Kyocera Corp | Package for housing element and mounting structure |
| WO2016152733A1 (en) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | 京セラ株式会社 | Electronic component accommodating substrate and electronic component mounting package |
| CN107408537A (en) * | 2015-03-24 | 2017-11-28 | 京瓷株式会社 | Electronic unit storage substrate and electronic unit installation packaging part |
| JPWO2016152733A1 (en) * | 2015-03-24 | 2018-01-25 | 京セラ株式会社 | Electronic component storage board and electronic component mounting package |
| US20180090405A1 (en) * | 2015-03-24 | 2018-03-29 | Kyocera Corporation | Electronic component storage substrate and housing package |
| US10396002B2 (en) * | 2015-03-24 | 2019-08-27 | Kyocera Corporation | Electronic component storage substrate and housing package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3164802B1 (en) | 2001-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000106408A (en) | Package for housing electronic component and metallic cover body used for the same | |
| JPH11126847A (en) | Package for electronic component | |
| JP3164802B1 (en) | Electronic component storage package | |
| JP3556567B2 (en) | Electronic component storage package | |
| JP2004288737A (en) | Substrate for mounting electronic component and electronic device employing it | |
| JP3158110B2 (en) | Electronic device manufacturing method | |
| JP2003110037A (en) | Package for containing electronic part | |
| JP2003133449A (en) | Seal ring having brazing material and manufacturing method of package for accommodating electronic component using the seal ring | |
| JP4355097B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
| JP3199672B2 (en) | Electronic component storage package | |
| JP4105968B2 (en) | Electronic component mounting substrate and electronic device using the same | |
| JP4284168B2 (en) | Electronic component storage package and electronic device | |
| JP3140439B1 (en) | Electronic component storage package | |
| JP3427053B2 (en) | Electronic component storage package | |
| JPH11126836A (en) | Piezoelectric vibrator housing package | |
| JP3232045B2 (en) | Electronic equipment | |
| JP2003338571A (en) | Substrate for mounting electronic component, and electronic device using the same | |
| JP3652320B2 (en) | Electronic component storage package and electronic device | |
| JP4028808B2 (en) | Electronic component storage package | |
| JP3164800B2 (en) | Electronic component storage package | |
| JP2001308212A (en) | Electronic component storing package and its manufacturing method | |
| JP2001068579A (en) | Package for accommodating electronic component | |
| JP2002246491A (en) | Package for electronic component and its manufacturing method | |
| JP2002164456A (en) | Electronic part storing package | |
| JP3236836B2 (en) | Electronic equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |