JP2001176777A - Heating device - Google Patents
Heating deviceInfo
- Publication number
- JP2001176777A JP2001176777A JP35760099A JP35760099A JP2001176777A JP 2001176777 A JP2001176777 A JP 2001176777A JP 35760099 A JP35760099 A JP 35760099A JP 35760099 A JP35760099 A JP 35760099A JP 2001176777 A JP2001176777 A JP 2001176777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heating plate
- wafer
- temperature
- heat capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製
造する際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating a substrate, which is used when manufacturing a semiconductor device by applying and developing a substrate such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。2. Description of the Related Art In a photolithography process of a semiconductor device, a resist is applied to a semiconductor wafer, a resist film formed by the resist is exposed according to a predetermined circuit pattern, and the exposed pattern is developed to develop a resist. A circuit pattern is formed on the film.
【０００３】このようなフォトリソグラフィー工程にお
いては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露
光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現
像後の加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が
行われている。In such a photolithography process, various heat treatments such as a heat treatment after resist application (pre-bake), a heat treatment after exposure (post-exposure bake), and a heat treatment after development (post-bake) are performed. Have been done.
【０００４】これらの加熱処理は、通常、筐体内にヒー
ターによって加熱される加熱プレート（ホットプレー
ト）を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。加熱処理に際しては、加熱プレートの表面に半導
体ウエハが近接あるいは載置されるが、その際にウエハ
の全面にわたって均一な温度で加熱処理できるように、
加熱プレートには、その載置面の全面にわたって温度が
均一であること（面内均一性）が要求されている。[0004] These heat treatments are usually performed by a hot plate unit in which a heating plate (hot plate) heated by a heater is arranged in a housing. During the heat treatment, the semiconductor wafer is placed close to or placed on the surface of the heating plate.
The heating plate is required to have a uniform temperature (in-plane uniformity) over the entire mounting surface.
【０００５】また、半導体デバイスの種類やレジスト液
の種類等を変更する際には、このようなホットプレート
ユニットにおける加熱プレートの温度を変更する必要が
あり、例えば加熱プレートの温度を高い設定温度から低
い設定温度に変更する際には、従来、なんらコントロー
ルすることなく自然放冷により加熱プレートを降温して
いる。Further, when changing the type of semiconductor device, the type of resist solution, and the like, it is necessary to change the temperature of the heating plate in such a hot plate unit. Conventionally, when changing to a low set temperature, the temperature of the heating plate is lowered by natural cooling without any control.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに自然放冷する際には、温度変更を行うのに長時間を
必要とする。また、加熱プレートの温度を何等コントロ
ールせずに自然放冷を行う場合には、加熱プレートの載
置面は均一には降温されず、降温後の加熱プレートの温
度分布が不均一になってしまう。However, such natural cooling requires a long time to change the temperature. In addition, when performing natural cooling without controlling the temperature of the heating plate at all, the mounting surface of the heating plate is not uniformly cooled, and the temperature distribution of the heated plate after the temperature cooling becomes non-uniform. .
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、加熱プレートの降温を迅速に行うことがで
き、降温の際の加熱プレートの温度分布をコントロール
することができる加熱処理装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a heat treatment apparatus capable of rapidly lowering the temperature of a heating plate and controlling the temperature distribution of the heating plate at the time of cooling. The purpose is to do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板を所定温度に加熱処理する加
熱処理装置であって、その表面に基板を近接させまたは
載置させて、加熱処理する加熱プレートと、この加熱プ
レートを加熱する加熱手段と、前記加熱プレートの下方
に配置された熱容量体とを具備することを特徴とする加
熱処理装置が提供される。According to the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for heating a substrate to a predetermined temperature, wherein the substrate is brought close to or placed on the surface thereof. A heating plate for heating, a heating means for heating the heating plate, and a heat capacity member disposed below the heating plate.
【０００９】本発明においては、このように基板を加熱
する加熱プレートの下方に熱容量体を配置するので、降
温の際に熱容量体が加熱プレートの熱を吸収することが
でき、加熱プレートの温度変更の時間を短くすることが
できる。また、このように熱容量体を設けることによ
り、この熱容量体によって吸収された熱が加熱プレート
に作用して、加熱プレートの高温部分と低温部分とをな
らすように作用するので、降温の際の加熱プレートの面
内温度均一性が良好となる。また、熱容量体の取り付け
位置や熱容量等を調整することにより、加熱プレートの
所望の部位の温度調整を行うことができるので、降温の
際の加熱プレートの温度分布をコントロールすることが
できる。In the present invention, since the heat capacitor is disposed below the heating plate for heating the substrate, the heat capacitor can absorb the heat of the heating plate when the temperature drops, and the temperature of the heating plate can be changed. Can be shortened. Further, by providing the heat capacity body in this manner, the heat absorbed by the heat capacity body acts on the heating plate to act to equalize the high temperature portion and the low temperature portion of the heating plate. The in-plane temperature uniformity of the plate is improved. In addition, by adjusting the mounting position of the heat capacity body, the heat capacity, and the like, the temperature of a desired portion of the heating plate can be adjusted, so that the temperature distribution of the heating plate at the time of cooling can be controlled.
【００１０】本発明において、前記加熱プレートを支持
する支持体を有し、前記熱容量体がこの支持体内に前記
加熱プレートに対向するように配置されるように構成す
ることができる。[0010] In the present invention, it is possible to have a support for supporting the heating plate, wherein the heat capacity body is arranged in the support so as to face the heating plate.
【００１１】また、前記支持体に、前記加熱プレートを
降温する際に冷却媒体を流すための冷却媒体路を設ける
ことができる。これにより、加熱プレートの降温時間を
一層短縮することができる。熱容量体は高放熱性の形状
を有していることが好ましい。これにより、熱容量体が
吸収した熱を速やかに放出することができ、加熱プレー
トの降温時間を一層短縮することができる。Further, a cooling medium passage for flowing a cooling medium when the temperature of the heating plate is lowered can be provided in the support. Thereby, the temperature falling time of the heating plate can be further reduced. It is preferable that the heat capacity body has a shape with high heat dissipation. Thereby, the heat absorbed by the heat capacity body can be quickly released, and the temperature lowering time of the heating plate can be further reduced.
【００１２】前記熱容量体は複数配置することができ
る。これにより、各熱容量体を調整することにより加熱
プレートの温度分布を一層きめ細かくコントロールする
ことが可能となる。A plurality of the heat capacitors can be arranged. This makes it possible to control the temperature distribution of the heating plate more finely by adjusting each heat capacitor.
【００１３】また、前記熱容量体は、基板が均一に降温
または昇温されることが可能なように、その配置または
熱容量が調整されるようにすることもできるし、また、
前記熱容量体の配置または熱容量を調整することによ
り、基板の温度分布をコントロールするようにすること
もできる。Further, the arrangement or the heat capacity of the heat capacity body can be adjusted so that the temperature of the substrate can be uniformly lowered or raised.
By adjusting the arrangement or the heat capacity of the heat capacitor, the temperature distribution of the substrate can be controlled.
【００１４】さらに、前記熱容量体は、その表面の色彩
（例えばＪＩＳ明度０〜４Ｖの色）によりその熱吸収量
を調整するようにすることができる。すなわち、物体の
熱吸収量は色彩によって異なるから、熱容量体の色彩を
所望の熱吸収を有するものにすることにより、加熱プレ
ートの温度調整に寄与することができる。Further, the heat absorption amount of the heat capacitor can be adjusted according to the color of the surface (for example, a color having a JIS lightness of 0 to 4 V). That is, since the heat absorption amount of the object differs depending on the color, it is possible to contribute to the temperature adjustment of the heating plate by setting the color of the heat capacitor to have a desired heat absorption.
【００１５】さらにまた、熱容量体は、金属またはセラ
ミックスで構成することができる。金属やセラミックス
は熱容量が比較的大きいので、本発明の熱容量体として
適している。Furthermore, the heat capacity body can be made of metal or ceramic. Since metals and ceramics have a relatively large heat capacity, they are suitable as the heat capacity body of the present invention.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の加熱処理装置の一実施形態であるホットプレートユニ
ットを備えたレジスト塗布・現像処理システムを示す概
略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図であ
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating / developing processing system provided with a hot plate unit which is an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.
【００１７】この処理システム１は、搬送ステーション
であるカセットステーション１０と、複数の処理ユニッ
トを有する処理ステーション１１と、処理ステーション
１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間
でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２と
を具備している。The processing system 1 includes a cassette station 10 as a transfer station, a processing station 11 having a plurality of processing units, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11. And an interface unit 12 for delivering W.
【００１８】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗ
を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷ
の搬送を行うためのものである。The cassette station 10 includes a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W as an object to be processed.
In a state where a plurality of wafers are loaded in the wafer cassette CR in units of, for example, 25 wafers, the wafer W is loaded into or out of this system from another system, or the wafer W is transferred between the wafer cassette CR and the processing station 11
Is to be transported.
【００１９】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ
方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａ
が形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との
間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウ
エハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動
可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬
送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理
部Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およ
びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスで
きるようになっている。In the cassette station 10, as shown in FIG.
A plurality of (four in the figure) positioning projections 20a along the direction
The wafer cassette CR can be placed at a position of the projection 20a in a line with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). Also, the cassette station 10
A wafer transfer mechanism 21 is provided between the wafer cassette mounting table 20 and the processing station 11. The wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21a that is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W therein (Z direction). Of the wafer cassette CR can be selectively accessed. Further, the wafer transfer arm 21a is configured to be rotatable in the θ direction, and has access to an alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT) belonging to a third processing unit G3 on the processing station 11 side described later. I can do it.
【００２０】上記処理ステーション１１は、半導体ウエ
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、
図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この
中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２
２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。The processing station 11 is provided with a plurality of processing units for performing a series of steps for performing a coating / phenomenon on the semiconductor wafer W, and these are arranged at predetermined positions in multiple stages. The semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 11
As shown in FIG. 1, a transfer path 22a is provided at the center, and a main wafer transfer mechanism 22 is provided therein.
All processing units are arranged around 2a. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along a vertical direction.
【００２１】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a cylindrical support 49 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 49 is rotatable by the rotational driving force of a motor (not shown), and accordingly, the wafer transfer device 4
6 is also rotatable integrally.
【００２２】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .
【００２３】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理部Ｇ１，Ｇ ２，Ｇ３，Ｇ４がウ
エハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理
部Ｇ ５は必要に応じて配置可能となっている。Further, as shown in FIG.
, Four processing units G1, G 2, G3, G4But
It is actually arranged around the EHA transport path 22a,
Part G 5Can be arranged as needed.
【００２４】これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ
１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列
に配置され、第３の処理部Ｇ３はカセットステーション
１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ４はインター
フェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５
の処理部Ｇ５は背面部に配置可能となっている。Of these, the first and second processing units G
1 and G 2 are arranged in parallel on the front side of the system (front side in FIG. 1), the third processing unit G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit G 4 is connected to the interface unit 12. They are located adjacent to each other. In addition, the fifth
The processing unit G 5 of which is capable disposed on the rear portion.
【００２５】第１の処理部Ｇ１では、ウエハＷにレジス
トを塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレ
ジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も
同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。[0025] In the first processing unit G 1, of the resist coating unit (COT) and the resist developing unit for developing a pattern of applying a resist on the wafer W (DEV) are two-tiered from the bottom in order. Similarly, the second processing section G 2, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are two-tiered in order from the bottom as two spinner-type processing units.
【００２６】第３の処理部Ｇ３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わ
せを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷ
の搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリン
グユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。[0026] In the third processing unit G 3 are, as shown in FIG. 3, the oven-type processing units of the wafer W is placed on a mounting table SP performs predetermined processing are multi-tiered.
That is, a cooling unit (CO
L), an adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, and a wafer W
Extension unit (EXT) for loading and unloading
Four hot plate units (HP) for performing a heating process on the wafer W before and after the exposure process and after the development process are stacked in eight stages from the bottom. In addition,
A cooling unit (COL) is provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (C
OL) may have an alignment function.
【００２７】第４の処理部Ｇ４も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。[0027] The fourth processing unit G 4 also, the oven-type processing units are multi-tiered. That is, a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL) which is a wafer loading / unloading section provided with a cooling plate, and an extension unit (EX
T), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are stacked in eight stages from the bottom.
【００２８】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理部Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主
ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第５の処理部Ｇ５を設けた場合
でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。If the [0028] providing a fifth processing unit G 5 on the rear side of the main wafer transfer mechanism 22 is adapted to be movable laterally relative to the main wafer transfer mechanism 22 along the guide rail 25. Therefore, even in the case where the processing section G 5 of the fifth, the space portion by sliding along this guide rail 25 is secured, the main wafer transfer mechanism 22
Maintenance work can be easily performed from behind.
【００２９】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、
Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光
装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション１１の第４の処理部Ｇ４に属するエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス
可能となっている。The interface section 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface section 12, and a peripheral exposure device 23 is arranged at the rear. The wafer transfer mechanism 24 is provided at the center. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a, and the wafer transfer arm 24a
By moving in the Z direction, both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23 can be accessed. Further, the wafer transfer arm 24a is rotatable in θ direction, the fourth processing unit G extension unit (EXT) and belonging to the 4, further wafer delivery of the adjacent exposure device side stand of the process station 11 ( (Not shown) can also be accessed.
【００３０】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、まず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣ
Ｒから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ３の
エクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。In such a resist coating and developing system, first, in the cassette station 10, the wafer transfer arm 21 a of the wafer transfer mechanism 21 has a wafer cassette in which an unprocessed wafer W on the cassette mounting table 20 is stored. Access the CR and access the cassette C
Taking out one wafer W from R, it is transported to the third processing section G 3 of the extension unit (EXT).
【００３１】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。The wafer W is loaded from the extension unit (EXT) into the processing station 11 by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22.
Then, the alignment unit (A) of the third processing unit G3
After alignment by LIM), the wafer is transported to an adhesion processing unit (AD), where a hydrophobizing process (HMDS process) for improving the fixability of the resist is performed. Since this process involves heating, the wafer W is then
The cooling unit (CO)
L) and cooled.
【００３２】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で冷却さたウエハＷは、引き続き、
ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハＷは処理部Ｇ ３，Ｇ４のいずれかのホッ
トプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、
その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷
却される。After the adhesion processing is completed, the cooling
The wafer W cooled by the unit (COL) is continuously
A resist coating unit (CO
T), where a coating film is formed. Coating treatment
After the completion, the wafer W is transferred to the processing unit G. 3, G4One of the hot
Pre-baked in the plate unit (HP)
Then cool in one of the cooling units (COL)
Be rejected.
【００３３】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部群Ｇ４のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイ
ス部１２に搬送される。The cooled wafer W is supplied to a third processing unit G 3
Is conveyed to the alignment unit (ALIM), where it is aligned, it is conveyed to the interface section 12 via the fourth processing unit group G 4 of the extension units (EXT).
【００３４】インターフェイス部１２では、周辺露光装
置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去され
た後、インターフェイス部１２に隣接して設けられた露
光装置（図示せず）により所定のパターンに従ってウエ
ハＷのレジスト膜に露光処理が施される。In the interface section 12, after peripheral exposure is performed by a peripheral exposure apparatus 23 to remove an excess resist, the wafer W is exposed according to a predetermined pattern by an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the interface section 12. Is subjected to an exposure process.
【００３５】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、第４の処
理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４
６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）
に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。The wafer W after the exposure is again returned to the interface unit 12, by the wafer transfer body 24, an extension unit included in the fourth processing unit G 4 (EXT)
Transported to Then, the wafer W is transferred to the wafer transfer device 4
6, any hot plate unit (HP)
And subjected to a post-exposure bake treatment, and then cooled by a cooling unit (COL).
【００３６】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３処理
ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）
を介してカセットステーション１０に戻され、いずれか
のウエハカセットＣＲに収容される。Thereafter, the wafer W is transferred to the developing unit (DE).
V), where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP) and subjected to post-baking, and then cooled by the cooling unit (COL). After such a series of processing is completed, the third processing unit group G 3 of the extension unit (EXT)
And is returned to the cassette station 10 via one of the wafer cassettes CR.
【００３７】次に、図４を参照して、本発明の加熱処理
装置の一実施形態であるホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）について説明する。図４は、そのホットプレートユ
ニット（ＨＰ）を示す断面図である。Next, referring to FIG. 4, a hot plate unit (H) which is an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention will be described.
P) will be described. FIG. 4 is a sectional view showing the hot plate unit (HP).
【００３８】ホットプレートユニット（ＨＰ）は、ケー
シング５０を有し、その内部の下側には円盤状をなす加
熱プレート５１が配置されている。加熱プレート５１は
例えばアルミニウムで構成されており、その表面にはプ
ロキシミティピン５２が設けられている。そして、この
プロキシミティピン５２上に加熱プレート５１に近接し
た状態でウエハＷが載置されるようになっている。加熱
プレート５１の裏面には所定パターンを有する電気ヒー
ター５３が配設されている。The hot plate unit (HP) has a casing 50, and a disk-shaped heating plate 51 is disposed below the casing 50. The heating plate 51 is made of, for example, aluminum, and a proximity pin 52 is provided on a surface thereof. Then, the wafer W is mounted on the proximity pins 52 in a state of being close to the heating plate 51. An electric heater 53 having a predetermined pattern is provided on the back surface of the heating plate 51.
【００３９】加熱プレート５１は支持部材５４に支持さ
れており、支持部材５４内は空洞となっている。加熱プ
レート５１には、その中央部に３つ（２つのみ図示）の
貫通孔５５が形成されており、これら貫通孔５５にはウ
エハＷを昇降させるための３本（２本のみ図示）の昇降
ピン５６が昇降自在に設けられている。そして、加熱プ
レート５１と支持部材５４の底板５４ａとの間に貫通孔
５５に連続する筒状のガイド部材５７が設けられてい
る。これらガイド部材５７によって加熱プレート５１の
下のヒーター配線等に妨げられることなく昇降ピン５６
を移動させることが可能となる。これら昇降ピン５６は
支持板５８に支持されており、この支持板５８を介して
支持部材５４の側方に設けられたシリンダー５９により
昇降されるようになっている。The heating plate 51 is supported by a support member 54, and the inside of the support member 54 is hollow. The heating plate 51 has three (two shown) through-holes 55 formed in the center thereof. Three (two only) shown in FIG. An elevating pin 56 is provided to be able to move up and down. Further, a cylindrical guide member 57 which is continuous with the through hole 55 is provided between the heating plate 51 and the bottom plate 54 a of the support member 54. The lift pins 56 are not hindered by the heater wiring under the heating plate 51 by these guide members 57.
Can be moved. These elevating pins 56 are supported by a support plate 58, and are moved up and down by a cylinder 59 provided on the side of the support member 54 via the support plate 58.
【００４０】加熱プレート５１および支持部材５４の周
囲にはそれらを包囲支持するサポートリング６１が設け
られており、このサポートリング６１の上には上下動自
在の蓋体６２が設けられている。そして、この蓋体６２
がサポートリング６１の上面まで降下した状態でウエハ
Ｗの加熱処理空間Ｓが形成される。A support ring 61 that surrounds and supports the heating plate 51 and the support member 54 is provided. A cover 62 that can move up and down is provided on the support ring 61. And this lid 62
Is lowered to the upper surface of the support ring 61 to form a heat treatment space S for the wafer W.
【００４１】蓋体６２は、外側から中心部に向かって次
第に高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排
気管６４が接続された排気口６３を有しており、これら
排気口６３および排気管６４を介して排気される。The lid 62 has a conical shape that gradually increases from the outside toward the center, and has an exhaust port 63 connected to an exhaust pipe 64 at the top of the center. Air is exhausted through 63 and the exhaust pipe 64.
【００４２】支持部材５４の底板５４ａには、熱容量が
大きい金属またはセラミックスからなる複数個の熱容量
体７０が加熱プレート５１の裏面と対向するように配置
されている。この熱容量体７０は略円錐形状をなしてい
る。この熱容量体７０は、後述するように降温速度を大
きくする機能および加熱プレート５１の温度分布を調節
する機能を有する。また、熱容量体７０の配置位置も輻
射熱をよりよく吸収する位置とし、さらには、例えばヒ
ーターに対応する位置では熱容量体７０の大きさを変え
る場合もある。A plurality of heat capacitors 70 made of metal or ceramics having a large heat capacity are arranged on the bottom plate 54 a of the support member 54 so as to face the back surface of the heating plate 51. This heat capacity body 70 has a substantially conical shape. The heat capacitor 70 has a function of increasing the temperature drop rate and a function of adjusting the temperature distribution of the heating plate 51 as described later. In addition, the position of the heat capacitor 70 may be a position at which the radiant heat is better absorbed, and the size of the heat capacitor 70 may be changed at a position corresponding to, for example, a heater.
【００４３】このように構成されるホットプレートユニ
ット（ＨＰ）においては、まず、ケーシング５０内にウ
エハＷを搬入し、突出させた状態で待機している昇降ピ
ン５６上にウエハＷを載置し、昇降ピン５６を降下させ
てプロキシミティピン５２上にウエハを載置する。次い
で、蓋体６２を降下させて、排気口６３および排気管６
４を介して溶媒蒸気を排気しながら加熱処理空間Ｓにお
いて所定温度でウエハＷに加熱処理を施す。In the hot plate unit (HP) configured as described above, first, the wafer W is loaded into the casing 50, and is placed on the elevating pins 56 which are in a protruding state and stand by. The wafer is placed on the proximity pins 52 by lowering the elevating pins 56. Next, the lid 62 is lowered, and the exhaust port 63 and the exhaust pipe 6 are lowered.
The wafer W is subjected to a heat treatment at a predetermined temperature in the heat treatment space S while exhausting the solvent vapor through 4.
【００４４】このような処理を１ロット分のウエハにつ
いて行った後、半導体デバイスの種類やレジスト液の種
類等を変更する等の理由により加熱プレート５１の設定
温度を低くする場合には、加熱プレート５１を自然放冷
により降温する。When the set temperature of the heating plate 51 is lowered after performing such processing for one lot of wafers, for example, by changing the type of semiconductor device or the type of resist solution, the heating plate 51 is cooled by natural cooling.
【００４５】この場合に、本実施形態では、加熱プレー
ト５１の裏面に対向するように熱容量が比較的大きい複
数個の熱容量体７０が配置されているため、加熱プレー
ト５１の熱を熱容量体７０が吸収することができる。し
たがって、加熱プレート５１の降温時間を短くすること
ができる。また、このように熱容量体７０を設けること
により、この熱容量体７０によって吸収された熱が加熱
プレート５１に作用して、加熱プレート５１の高温部分
と低温部分とをならすように作用するので、降温の際の
加熱プレート５１の面内温度均一性が良好となる。すな
わち、図５に模式的に示す降温途中のある時点ｔにおけ
る加熱プレート５１の面内温度のばらつきΔＴを従来よ
りも格段に小さくすることができる。また、熱容量体７
０の取り付け位置や熱容量等を調整することにより、加
熱プレート５１の所望の部位の温度調整を行うことがで
きるので、降温の際の加熱プレート５１の温度分布をコ
ントロールすることができる。この場合に、複数の熱容
量体７０の位置や大きさ等を調整することによりウエハ
Ｗの温度分布をきめ細かくコントロールすることが可能
となる。In this case, in the present embodiment, since the plurality of heat capacitors 70 having a relatively large heat capacity are arranged so as to face the back surface of the heating plate 51, the heat of the heating plate 51 is Can be absorbed. Therefore, the temperature falling time of the heating plate 51 can be shortened. Further, by providing the heat capacity member 70 in this way, the heat absorbed by the heat capacity member 70 acts on the heating plate 51 to act to equalize the high temperature part and the low temperature part of the heating plate 51. In this case, the in-plane temperature uniformity of the heating plate 51 is improved. That is, the variation ΔT of the in-plane temperature of the heating plate 51 at a certain time point t during the temperature drop schematically shown in FIG. 5 can be made much smaller than in the past. In addition, heat capacity 7
By adjusting the mounting position of 0, the heat capacity, and the like, the temperature of a desired portion of the heating plate 51 can be adjusted, so that the temperature distribution of the heating plate 51 at the time of cooling can be controlled. In this case, the temperature distribution of the wafer W can be finely controlled by adjusting the position, size, and the like of the plurality of heat capacitors 70.
【００４６】このように加熱プレート５１の温度分布を
コントロールする態様としては、ウエハＷが均一に降温
されることが可能なように、熱容量体７０の配置または
熱容量を調整するようにすることが挙げられる。また、
熱容量体７０の配置または熱容量を調整することによ
り、ウエハＷの温度分布をコントロールするようにする
こともできる。As a mode for controlling the temperature distribution of the heating plate 51 in this manner, the arrangement of the heat capacity members 70 or the heat capacity is adjusted so that the temperature of the wafer W can be uniformly lowered. Can be Also,
The temperature distribution of the wafer W can be controlled by adjusting the arrangement or the heat capacity of the heat capacitor 70.
【００４７】熱容量体７０は、その表面の色彩により熱
吸収量を調整することができる。すなわち、物体の熱吸
収量は色彩によって異なるから、熱容量体７０の色彩、
例えばＪＩＳ明度０〜４Ｖの色を所望の熱吸収を有する
ものにすることにより、加熱プレートの温度調整に寄与
することができる。例えば、無彩色の場合、黒の度合い
が強いほど吸収する放射熱量が多く、黒の度合いが弱い
ほど吸収する放射熱量が少ない。また、赤や青などの有
彩色は、それぞれ特定波長の放射線を吸収するため、吸
収したい放射線の波長に応じてこれらの色彩を適宜使い
分けてもよい。また、熱容量体７０の部位によって色彩
を使い分けることもできる。The heat absorption of the heat capacitor 70 can be adjusted by the color of its surface. That is, since the amount of heat absorption of the object differs depending on the color, the color of the heat capacitor 70,
For example, by making a color having a JIS lightness of 0 to 4 V having a desired heat absorption, it is possible to contribute to the temperature adjustment of the heating plate. For example, in the case of an achromatic color, the higher the degree of black, the greater the amount of radiant heat absorbed, and the lower the degree of black, the smaller the amount of radiant heat absorbed. In addition, since chromatic colors such as red and blue absorb radiation of specific wavelengths, these colors may be appropriately used depending on the wavelength of the radiation to be absorbed. Further, the color can be properly used depending on the portion of the heat capacitor 70.
【００４８】熱容量体７０の熱容量は材質によって変化
するので、材質を調整することにより熱容量体７０の熱
容量を変化させることができる。例えば、熱吸収量を多
くしたい部位に、熱容量の大きいセラミックスを配置す
ることが考えられる。Since the heat capacity of the heat capacitor 70 varies depending on the material, the heat capacity of the heat capacitor 70 can be changed by adjusting the material. For example, it is conceivable to dispose a ceramic having a large heat capacity at a site where the amount of heat absorption is to be increased.
【００４９】このように、加熱プレート５１に対向して
熱容量の大きい熱容量体７０が配置されているため、加
熱プレート５１の降温時だけでなく、昇温時にも、加熱
プレート５１の温度を均一化することができる。As described above, since the heat capacity member 70 having a large heat capacity is disposed opposite to the heating plate 51, the temperature of the heating plate 51 is made uniform not only when the temperature of the heating plate 51 is lowered but also when the temperature is raised. can do.
【００５０】次に、他の実施形態について説明する。図
６は他の実施形態に係るホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）を示す断面図である。本実施形態では、支持部材５
４の底板５４ａに、加熱プレート５１を降温する際に冷
却媒体を流すための冷却媒体路８０が設けられている。
冷却媒体としては、純水、市水などの液体、空気、不活
性ガスなどの気体を用いることができる。加熱プレート
５２の降温時に、これら冷却媒体を適宜流量・流速で流
すことにより、降温速度を速くすることができるととも
に、冷却媒体路８０を加熱プレート面内をくまなく冷却
媒体を通流することができるような構造、例えば蛇行配
管経路にするなど、冷却媒体路８０のレイアウトを適宜
行うことにより、熱容量体７０と相俟って、加熱プレー
ト５１の温度分布を一層高精度でコントロールすること
ができる。Next, another embodiment will be described. FIG. 6 shows a hot plate unit (H) according to another embodiment.
It is sectional drawing which shows P). In the present embodiment, the support member 5
A cooling medium passage 80 for flowing a cooling medium when the temperature of the heating plate 51 is lowered is provided in the bottom plate 54 a of the fourth plate 4.
As a cooling medium, a liquid such as pure water or city water, a gas such as air, or an inert gas can be used. When the temperature of the heating plate 52 is lowered, the cooling medium can be made to flow at an appropriate flow rate and flow rate, thereby increasing the cooling rate, and allowing the cooling medium to flow through the cooling medium passage 80 all over the surface of the heating plate. By appropriately laying out the cooling medium passage 80 such as to have a structure that can be provided, for example, a meandering pipe passage, the temperature distribution of the heating plate 51 can be controlled with higher accuracy in combination with the heat capacity body 70. .
【００５１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。上記実施形態では熱容量
体を複数配置したが、熱容量体は一つであってもよい。
ただし、一個の熱容量体の場合には、加熱プレートの温
度分布を制御しにくいので複数のほうが好ましい。ま
た、熱容量体として円錐状のものを用いたがこれに限る
ものではなく、図７の（ａ），（ｂ），（ｃ）にそれぞ
れ示すようなＴ字状、円柱状、角錐状等、種々の形状の
ものを用いることができる。放熱性を良好にする観点か
らは比表面積を大きくした適宜の形状のものを採用すれ
ばよい。さらに、熱容量体の材質も金属、セラミックス
に限るものではない。さらにまた、上記実施形態ではウ
エハをプロキシミティピン上に載置して間接的に加熱を
行った場合について示したが、ウエハを加熱プレート上
に直接載置して加熱してもよい。さらにまた、上記実施
形態では基板として半導体ウエハを用いた場合について
説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例え
ばＬＣＤ基板を処理する加熱処理装置に対しても有効で
ある。Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible. In the above embodiment, a plurality of heat capacitors are arranged, but one heat capacitor may be provided.
However, in the case of one heat capacity body, a plurality of heat capacity bodies are preferable because it is difficult to control the temperature distribution of the heating plate. Also, a conical heat-capacitor was used, but the present invention is not limited to this, and a T-shape, a columnar shape, a pyramid-like shape, etc. as shown in FIGS. Various shapes can be used. From the viewpoint of improving heat dissipation, a material having an appropriate shape with a large specific surface area may be used. Further, the material of the heat capacitor is not limited to metal or ceramic. Furthermore, in the above embodiment, the case where the wafer is placed on the proximity pins and the heating is performed indirectly is described. However, the wafer may be placed directly on the heating plate and heated. Furthermore, in the above embodiment, the case where a semiconductor wafer is used as a substrate has been described. However, the present invention is also effective for a heat treatment apparatus that processes a substrate to be processed other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を加熱する加熱プレートの下方に熱容量体を配置す
るので、降温の際に熱容量体が加熱プレートの熱を吸収
することができ、加熱プレートの温度変更の時間を短く
することができる。また、このように熱容量体を設ける
ことにより、この熱容量体によって吸収された熱が加熱
プレートに作用して、加熱プレートの高温部分と低温部
分とをならすように作用するので、降温の際の加熱プレ
ートの面内温度均一性が良好となる。また、熱容量体の
取り付け位置や熱容量等を調整することにより、加熱プ
レートの所望の部位の温度調整を行うことができるの
で、降温の際の加熱プレートの度分布をコントロールす
ることができる。As described above, according to the present invention,
Since the heat capacity body is arranged below the heating plate for heating the substrate, the heat capacity body can absorb the heat of the heating plate when the temperature falls, and the time for changing the temperature of the heating plate can be shortened. Further, by providing the heat capacity body in this manner, the heat absorbed by the heat capacity body acts on the heating plate to act to equalize the high temperature portion and the low temperature portion of the heating plate. The in-plane temperature uniformity of the plate is improved. Further, by adjusting the mounting position of the heat capacity body, the heat capacity, and the like, the temperature of a desired portion of the heating plate can be adjusted, so that the temperature distribution of the heating plate at the time of cooling can be controlled.
【図１】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理シ
ステムを示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / developing processing system including a hot plate unit which is an embodiment of a heat treatment apparatus according to the present invention.
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理シ
ステムを示す正面図。FIG. 2 is a front view showing a resist coating / developing system including a hot plate unit which is an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.
【図３】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理シ
ステムを示す背面図。FIG. 3 is a rear view showing a resist coating / developing processing system including a hot plate unit which is an embodiment of the heat processing apparatus of the present invention.
【図４】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a hot plate unit as one embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.
【図５】降温時におけるウエハの温度分布を示す模式
図。FIG. 5 is a schematic diagram showing a temperature distribution of a wafer when the temperature is lowered.
【図６】本発明の加熱処理装置の他の実施形態であるホ
ットプレートユニットを示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing a hot plate unit according to another embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.
【図７】熱容量体の他の形状例を示す図。FIG. 7 is a diagram showing another example of the shape of the heat capacitor.
５０；ケーシング ５１；加熱プレート ５３；ヒータ（加熱手段） ５４；支持部材（支持体） ７０；熱容量体 ８０；冷却媒体路 ＨＰ；ホットプレートユニット（加熱処理装置） Ｗ；ウエハ（基板） 50; casing 51; heating plate 53; heater (heating means) 54; support member (support) 70; heat capacity body 80; cooling medium passage HP; hot plate unit (heat processing device) W; wafer (substrate)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田上 光広 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 DA01 FA01 GB00 GB03 HA01 3K092 PP20 QA05 SS11 SS15 SS17 SS18 SS19 TT30 VV21 VV40 5F045 BB08 DP02 DQ17 EB19 EM06 EM10 EN04 EN05 EN06 HA06 HA16 HA18 HA25 5F046 KA04 KA07 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Mitsuhiro Tagami 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Pref. SS17 SS18 SS19 TT30 VV21 VV40 5F045 BB08 DP02 DQ17 EB19 EM06 EM10 EN04 EN05 EN06 HA06 HA16 HA18 HA25 5F046 KA04 KA07
Claims (9)
装置であって、 その表面に基板を近接させまたは載置して、加熱処理す
る加熱プレートと、 この加熱プレートを加熱する加熱手段と、 前記加熱プレートの下方に配置された熱容量体とを具備
することを特徴とする加熱処理装置。1. A heat treatment apparatus for heating a substrate to a predetermined temperature, wherein the heating plate heats the heating plate by bringing the substrate close to or placed on a surface of the substrate, and heating means for heating the heating plate. A heat capacity device disposed below the heating plate.
し、前記熱容量体は、この支持体内に前記加熱プレート
に対向するように配置されていることを特徴とする請求
項１に記載の加熱処理装置。2. The heating device according to claim 1, further comprising a support for supporting the heating plate, wherein the heat capacity body is disposed in the support so as to face the heating plate. Processing equipment.
温する際に冷却媒体を流すための冷却媒体路が設けられ
ていることを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装
置。3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the support is provided with a cooling medium passage through which a cooling medium flows when the temperature of the heating plate is lowered.
ていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれ
か１項に記載の加熱処理装置。4. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat capacity body has a shape with high heat dissipation.
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記
載の加熱処理装置。5. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the heat capacitors are arranged.
は昇温されることが可能なように、その配置または熱容
量が調整されることを特徴とする請求項１から請求項５
のいずれか１項に記載の加熱処理装置。6. The heat capacity body according to claim 1, wherein an arrangement or a heat capacity of the heat capacity body is adjusted so that the temperature of the substrate can be uniformly lowered or raised.
The heat treatment apparatus according to any one of the above.
することにより、基板の温度分布をコントロールするこ
とを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に
記載の加熱処理装置。7. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a temperature distribution of the substrate is controlled by adjusting an arrangement or a heat capacity of the heat capacitor.
熱吸収量が調整されることを特徴とする請求項１から請
求項７のいずれか１項に記載の加熱処理装置。8. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat absorption amount of the heat capacity body is adjusted by a color of a surface of the heat capacity body.
スで構成されていることを特徴とする請求項１から請求
項８のいずれか１項に記載の加熱処理装置。9. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat capacitor is made of metal or ceramic.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35760099A JP2001176777A (en) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | Heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35760099A JP2001176777A (en) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | Heating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176777A true JP2001176777A (en) | 2001-06-29 |
Family
ID=18454959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35760099A Pending JP2001176777A (en) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | Heating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001176777A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008115477A (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Shigeko Ohara | Sock |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349722A (en) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heating device |
| JPH10284382A (en) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Komatsu Ltd | Temperature control equipment |
| WO1999041778A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-19 | Komatsu Ltd. | Apparatus for controlling temperature of substrate |
| WO1999045745A1 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Fsi International, Inc. | Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate |
| JPH11283729A (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Ibiden Co Ltd | Hot plate unit |
| JP2000353707A (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment device |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35760099A patent/JP2001176777A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349722A (en) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heating device |
| JPH10284382A (en) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Komatsu Ltd | Temperature control equipment |
| WO1999041778A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-19 | Komatsu Ltd. | Apparatus for controlling temperature of substrate |
| WO1999045745A1 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Fsi International, Inc. | Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate |
| JPH11283729A (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Ibiden Co Ltd | Hot plate unit |
| JP2000353707A (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Heat treatment device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008115477A (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Shigeko Ohara | Sock |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100567521B1 (en) | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system | |
| JP3845647B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3811103B2 (en) | Thermal processing apparatus and thermal processing method | |
| JP3910791B2 (en) | Substrate heat treatment method and substrate heat treatment apparatus | |
| JP2001237157A (en) | Heat treatment device | |
| JP3649127B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP4053728B2 (en) | Heating / cooling processing apparatus and substrate processing apparatus | |
| JP2001176777A (en) | Heating device | |
| JP2002270484A (en) | Cooling apparatus and method therefor | |
| JP3266844B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2001274051A (en) | Thermal processing device | |
| JP2001189250A (en) | Heat treatment apparatus and method thereof | |
| JP4302646B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3589939B2 (en) | Heat treatment method | |
| JP3966664B2 (en) | Heat treatment device | |
| JP3246890B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP4021140B2 (en) | Heat treatment device | |
| JP4066255B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2002203778A (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2001307978A (en) | Substrate mounting table | |
| JP3266843B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3639150B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2883874B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP3982672B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JP3673724B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041221 |