JP2001175200A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光素子を備え
た表示装置に関するものであり、特にエレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えた表示装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device having a self-luminous element, and more particularly to a display device having an electroluminescence element and a thin film transistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。2. Description of the Related Art In recent years, electroluminescence (Elec)
tro Luminescence: Hereinafter, referred to as “EL”. An EL display device using an element has attracted attention as a display device replacing a CRT or an LCD. For example, a thin film transistor (Th) is used as a switching element for driving the EL element.
in Film Transistor: Hereinafter, referred to as “TFT”. Research and development of an EL display device having ()) are also in progress.
【０００３】図６に従来のＥＬ表示装置の平面図を示
し、図７に図６中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。FIG. 6 is a plan view of a conventional EL display device, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
【０００４】図６に示すように、ゲート電極１１を備え
たゲート信号線５１と、ドレイン信号線５２との交点付
近にＴＦＴを備えている。そのＴＦＴのドレインはドレ
イン信号線５２に接続されており、またゲートはゲート
信号線５１に接続されており、更にソースはＥＬ素子の
陽極６１に接続されている。As shown in FIG. 6, a TFT is provided near an intersection of a gate signal line 51 having a gate electrode 11 and a drain signal line 52. The drain of the TFT is connected to the drain signal line 52, the gate is connected to the gate signal line 51, and the source is connected to the anode 61 of the EL element.
【０００５】図７に示すように、表示画素１１０は、ガ
ラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基
板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有
機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０
として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合
には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶
縁膜を形成した上にＴＦＴを形成する。As shown in FIG. 7, a display pixel 110 is formed by sequentially laminating a TFT and an organic EL element on a substrate 10 made of glass, synthetic resin, or the like, a conductive substrate, or a semiconductor substrate. Become. However, the substrate 10
When a conductive substrate and a semiconductor substrate are used, a TFT is formed on an insulating film such as SiO 2 or SiN formed on the substrate 10.
【０００６】まず、絶縁性基板１０上にクロム（Ｃｒ）
等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成し、その
上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層
１３を順に形成する。First, chromium (Cr) is placed on the insulating substrate 10.
A gate electrode 11 made of a metal having a high melting point is formed, and a gate insulating film 12 and an active layer 13 made of a p-Si film are sequentially formed thereon.
【０００７】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域１３ＬＤとその外側に高濃度領域のソ
ース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即
ち、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造であ
る。The active layer 13 is ion-doped on the channel 13c above the gate electrode 11 and on both sides of the channel 13c using the stopper insulating film 14 on the channel 13c as a mask. A low-concentration region 13LD is provided on both sides of the gate electrode 11 and a source 13s and a drain 13d of a high-concentration region are provided outside the low concentration region 13LD. That is, it has a so-called LDD (Lightly Doped Drain) structure.
【０００８】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶
縁膜１７のソース１３ｓに対応した位置にコンタクトホ
ールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１
３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
成るソース電極を兼ねた、ＥＬ素子の陽極６１を平坦化
絶縁膜１７上に形成する。Then, an SiO 2 film, a SiN film, and the like are formed on the entire surface of the gate insulating film 12, the active layer 13 and the stopper insulating film 14.
An interlayer insulating film 15 is formed by laminating a film and an SiO 2 film in this order, and a contact hole provided corresponding to the drain 13 d is filled with a metal such as Al to form a drain electrode 16. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is formed on the entire surface. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 13s of the planarization insulating film 17, and the source 1 is formed through the contact hole.
An anode 61 of an EL element, which also serves as a source electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) in contact with 3s, is formed on the flattening insulating film 17.
【０００９】そして、この陽極６１の上にＥＬ素子６０
を形成する。The EL element 60 is placed on the anode 61.
To form
【００１０】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であ
り、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成
る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylph
enylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、ＴＰ
Ｄ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl
anine）からなる第２ホール輸送層、キナクリドン（Qui
nacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層及びＢ
ｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６６、
マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６７がこの
順番で積層形成された構造である。The organic EL element 60 has a general structure, and includes an anode 61 made of a transparent electrode such as ITO (Indium Thin Oxide), an MTDATA (4,4-bis (3-methylphenylph)).
1st hole transport layer composed of enylamino) biphenyl), TP
D (4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenyl
quinacridone (Qui)
Bebq2 (10-benzo [h]) containing nacridone) derivatives
Luminescent layer comprising quinolinol-beryllium complex) and B
a light-emitting element layer 66 composed of an electron transport layer composed of ebq2,
This is a structure in which a cathode 67 made of a magnesium-indium alloy is laminated in this order.
【００１１】また有機ＥＬ素子６０は、陽極から注入さ
れたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内
部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励
起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層
から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板
を介して外部へ放出されて発光する。In the organic EL element 60, the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode are recombined inside the light emitting layer, and excite the organic molecules forming the light emitting layer to generate excitons. . Light is emitted from the light emitting layer during the process of radiation deactivation of the excitons, and the light is emitted from the transparent anode to the outside through the transparent insulating substrate to emit light.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ＥＬ素子６０を形成する際に、陽極６１の上に形成する
発光素子層６６はその厚みが一般に約２０００Å以下と
非常に薄いため、陽極６１の端部（矢印で示す箇所）の
平坦化絶縁膜１７との段差、及びＴＦＴの凹凸例えばＡ
ｌ配線の厚みによってカバレッジが悪くなり、発光素子
層６６が断線してしまい、その断線箇所において、上層
に設けた陰極６７が陽極６１と短絡してしまうことにな
り、そうなるとこの表示画素は表示欠陥となってしまう
という欠点があった。However, when the EL element 60 is formed as described above, the light emitting element layer 66 formed on the anode 61 has a very small thickness of generally about 2000 ° or less. Of the TFT (the portion indicated by the arrow) from the flattening insulating film 17 and the unevenness of the TFT, for example, A
(1) Coverage is deteriorated due to the thickness of the wiring, the light emitting element layer 66 is disconnected, and the cathode 67 provided in the upper layer is short-circuited to the anode 61 at the disconnection point. There was a disadvantage that it would be.
【００１３】また、陽極６１の厚みによる段差部、特に
陽極６１周辺部のエッジに電界が集中してしまい、発光
層の劣化が促進されてしまうという欠点もあった。In addition, the electric field is concentrated on the step due to the thickness of the anode 61, particularly on the edge of the periphery of the anode 61, and the deterioration of the light emitting layer is promoted.
【００１４】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、陽極の厚みによる発光素子層の
断線に起因して陰極が陽極と短絡することを防止すると
ともに、陽極エッジの電界集中による発光層の劣化を抑
制するＥＬ表示装置を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional drawbacks, and prevents the cathode from being short-circuited to the anode due to disconnection of the light emitting element layer due to the thickness of the anode. It is an object of the present invention to provide an EL display device that suppresses deterioration of a light emitting layer due to electric field concentration.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、第
１の電極、発光素子層及び第２の電極を積層して発光領
域を形成する表示装置であって、前記第１の電極の端部
において前記第１の電極と、発光素子層又は第２の電極
とを離間する絶縁膜を備えたものである。A display device according to the present invention is a display device in which a first electrode, a light emitting element layer and a second electrode are laminated to form a light emitting region, wherein the first electrode has a light emitting region. An insulating film is provided at an end to separate the first electrode from the light emitting element layer or the second electrode.
【００１６】また、上述の表示装置は、前記第１の電極
と前記発光素子層との間に絶縁膜を備えた表示装置であ
る。Further, the above-described display device is a display device provided with an insulating film between the first electrode and the light emitting element layer.
【００１７】また、前記絶縁膜が前記第１の電極上に端
部を有し、該端部が傾斜を有する表示装置である。Further, in the display device, the insulating film has an end on the first electrode, and the end has an inclination.
【００１８】また、前記傾斜部の角度は、前記第１の電
極の表面に対する仰角が２０°乃至８０°であることを
特徴とする請求項３に記載の表示装置。4. The display device according to claim 3, wherein the angle of the inclined portion has an elevation angle of 20 ° to 80 ° with respect to the surface of the first electrode.
【００１９】また、前記絶縁膜は前記第１の電極の全周
辺で前記第１の電極と重畳している表示装置である。Further, in the display device, the insulating film overlaps the first electrode around the entire periphery of the first electrode.
【００２０】更に、前記第１の電極、発光素子層及び第
２の電極の積層構造はエレクトロルミネッセンス素子で
ある表示装置である。Further, in the display device, the laminated structure of the first electrode, the light emitting element layer, and the second electrode is an electroluminescence element.
【００２１】また、前記第１の電極は、各画素ごとに分
離形成されており、前記第１の電極は薄膜トランジスタ
に接続されている表示装置である。Further, in the display device, the first electrode is formed separately for each pixel, and the first electrode is connected to a thin film transistor.
【００２２】更にまた、前記薄膜トランジスタの上層に
平坦化絶縁膜を有し、該平坦化絶縁膜上に第１の電極を
備えた表示装置である。Further, there is provided a display device having a flattening insulating film on the thin film transistor, and a first electrode on the flattening insulating film.
【００２３】また、前記絶縁膜は平坦化絶縁膜である表
示装置である。Further, in the display device, the insulating film is a planarizing insulating film.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】本発明の表示装置を有機ＥＬ表示
装置に応用した場合について以下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に有機ＥＬ表示装置の表示画
素付近を示す平面図を示し、図２（ａ）に図１中のＡ−
Ａ線に沿った断面図を示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−
Ｂ線に沿った断面図を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The case where the display device of the present invention is applied to an organic EL display device will be described below. <First Embodiment> FIG. 1 is a plan view showing the vicinity of a display pixel of an organic EL display device, and FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along the line A, and FIG.
FIG. 3 shows a cross-sectional view along line B.
【００２５】図１及び図２に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１０が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。As shown in FIGS. 1 and 2, display pixels 110 are formed in a region surrounded by a gate signal line 51 and a drain signal line 52, and are arranged in a matrix.
【００２６】この表示画素１１０には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層６６と、第２の電極である陰極６７とか
ら成っている。The display pixel 110 includes an organic EL element 60 which is a self-luminous element, and a switching TFT 3 for controlling the timing of supplying a current to the organic EL element 60.
0, a driving TFT for supplying a current to the organic EL element 60
40 and a storage capacitor are arranged. In addition, organic EL
The element 60 includes an anode 61 serving as a first electrode, a light emitting element layer 66 made of a light emitting material, and a cathode 67 serving as a second electrode.
【００２７】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。That is, a first TFT 30 serving as a switching TFT is provided near the intersection of the two signal lines 51 and 52, and the source 33 s of the TFT 30 has a capacitance forming a capacitance with the storage capacitor electrode line 54. The electrode also serves as the electrode 55 and is connected to the gate 41 of the second TFT 40 which is a TFT for driving the EL element.
3s is connected to the anode 61 of the organic EL element 60, and the other drain 43d is connected to the drive power supply line 53 which is a current source supplied to the organic EL element 60.
【００２８】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量は、
第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を
保持するために設けられている。Further, a storage capacitor electrode line 54 is arranged in parallel with the gate signal line 51. This storage capacitor electrode line 54
Is made of chromium or the like, and forms a capacitor by storing charges between the capacitor 33 and the source 33 s of the TFT via the gate insulating film 12. This storage capacity
It is provided to hold a voltage applied to the gate electrode 41 of the second TFT 40.
【００２９】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。As shown in FIG. 2, the organic EL display device comprises:
A TFT and an organic EL element are sequentially laminated on a substrate 10 such as a substrate made of glass or synthetic resin, a conductive substrate, or a semiconductor substrate. However, substrate 1
When a substrate having conductivity and a semiconductor substrate are used as 0, an insulating film such as SiO 2 or SiN is formed on the substrate 10 and the first and second TFTs and the organic EL are formed.
An element is formed. Each of the TFTs has a so-called top gate structure in which a gate electrode is located above an active layer via a gate insulating film.
【００３０】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。First, the first TFT 30, which is a switching TFT, will be described.
【００３１】図２（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１、及びＡｌから成りドレイン電極
１６を兼ねたドレイン信号線５２を備えており、有機Ｅ
Ｌ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が
配置されている。ゲート電極３１は、２つのゲート電極
から成るいわゆるダブルゲート構造である。第１のＴＦ
Ｔ３０はスイッチング機能を有するため、オフ電流を抑
制するためにこの構造を採る。As shown in FIG. 2A, an amorphous silicon film (hereinafter, referred to as "a-Si film") is formed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass, or the like.
The a-Si film is irradiated with a laser beam and melted and recrystallized to form a polycrystalline silicon film (hereinafter referred to as “p-
It is referred to as “Si film”. ), And this is the active layer 33.
A single layer or a stack of a SiO 2 film and a SiN film is formed thereon as the gate insulating film 12. In addition, C
A gate signal line 51 also serving as a gate electrode 31 made of a high melting point metal such as r and Mo, and a drain signal line 52 made of Al and serving as a drain electrode 16 are provided.
A drive power supply line 53 made of Al, which is a drive power supply for the L element, is provided. The gate electrode 31 has a so-called double gate structure including two gate electrodes. First TF
Since T30 has a switching function, this structure is employed to suppress off-state current.
【００３２】その能動層３３には、ゲート電極３１下方
のチャネル３３ｃと、このチャネル３３ｃの両側に、チ
ャネル３３ｃ上のゲート電極３１をマスクにしてイオン
ドーピングし更にゲート電極３１の両側をレジストにて
カバーしてイオンドーピングしてゲート電極３１の両側
に低濃度領域３３ＬＤとその外側に高濃度領域のソース
３３ｓ及びドレイン３３ｄが設けられている。即ち、い
わゆるＬＤＤ構造である。In the active layer 33, a channel 33c below the gate electrode 31 and both sides of the channel 33c are ion-doped using the gate electrode 31 on the channel 33c as a mask. A low-concentration region 33LD is provided on both sides of the gate electrode 31 by ion doping while being covered, and a source 33s and a drain 33d of a high-concentration region are provided outside the low concentration region 33LD. That is, it is a so-called LDD structure.
【００３３】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極１６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。Then, the gate insulating film 32 and the active layer 33
On the entire upper surface, an interlayer insulating film 15 laminated in the order of a SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film is formed, and a contact hole provided corresponding to the drain 33d is filled with a metal such as Al. An electrode 16 is provided, and a planarizing insulating film 17 made of an organic resin is provided on the entire surface to planarize the surface.
Are formed.
【００３４】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。Next, the second TFT 40 which is a driving TFT of the organic EL element will be described.
【００３５】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓ
ｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化したｐ−Ｓｉ膜から
成る能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏな
どの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成され
ており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、この
チャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３
ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２及び能
動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2
膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン
４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金
属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配
置されている。ゲート電極４１はダブルゲート構造の場
合を示したが、ＥＬ素子６０に電流を供給する機能を有
する駆動用ＴＦＴ４０であるから、ゲート電極が１つの
シングルゲート構造でも良い。更に全面に例えば有機樹
脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えて
いる。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに
対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタ
クトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴ
Ｏから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平
坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示
画素ごとに島状に分離形成されている。As shown in FIG. 2B, a-S is placed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, non-alkali glass or the like.
An active layer 43 made of a p-Si film that is polycrystallized by irradiating a laser beam to the i film, a gate insulating film 12, and a gate electrode 41 made of a high melting point metal such as Cr and Mo are formed in this order. The active layer 43 includes a channel 43c and a source 43s and a drain 43 on both sides of the channel 43c.
d is provided. Then, the entire surface of the gate insulating film 12 and the active layer 43 is covered with a SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film.
A drive power supply line 53 connected to a drive power supply is formed by forming an interlayer insulating film 15 laminated in the order of the films, filling a contact hole provided corresponding to the drain 43d with a metal such as Al, and connecting to a drive power supply. Although the case where the gate electrode 41 has a double gate structure is shown, since the driving TFT 40 has a function of supplying a current to the EL element 60, the gate electrode 41 may have a single gate structure with one gate electrode. Further, a flattening insulating film 17 made of, for example, an organic resin and flattening the surface is provided on the entire surface. Then, a contact hole is formed at a position corresponding to the source 43s of the planarization insulating film 17, and the IT contacted with the source 43s through the contact hole.
A transparent electrode made of O, that is, an anode 61 of an organic EL element is provided on the planarizing insulating film 17. The anode 61 is formed in an island shape for each display pixel.
【００３６】そして、図１の斜線で示すように、陽極６
１の周辺部にその端部が位置するように絶縁膜１９を配
置する。即ち、陽極６１の全周辺で絶縁膜１９は陽極６
１と重畳しており、言い換えれば陽極６１の一部に対応
した領域、即ち図１中の斜線部以外の領域に開口部６８
を持つ絶縁膜１９を陽極及び平坦化絶縁膜１７上に形成
する。従って、陽極６１の端部において、陽極６１の端
部と発光素子層６６及び陰極６７とは、この絶縁膜１９
によって離間されている。なお、絶縁膜１９は、陽極６
１の厚みによる段差によって発光層の断線したり、陽極
周縁の角部に電界集中が発生しないように形成されてい
れば良く、陽極６１の端部とは絶縁膜１９によって発光
素子層６６及び陰極６７のいずれか一方のみが離間して
いていればよい。また、絶縁膜１９はＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎ膜単層もしくはそれらの積層体から成る絶縁膜でも良
く、ＳＯＧ膜から成る平坦化膜であってもよく、また感
光性樹脂から成る平坦化絶縁膜であっても良い。平坦化
絶縁膜とすることによりその上方に形成する陰極６７を
平坦に形成することができ断線が防止できるのでそれが
好ましい。Then, as shown by oblique lines in FIG.
The insulating film 19 is arranged so that its end is located in the peripheral portion of the device 1. That is, the insulating film 19 covers the entire area around the anode 61.
1. In other words, the opening 68 is formed in a region corresponding to a part of the anode 61, that is, in a region other than the hatched portion in FIG.
Is formed on the anode and the planarizing insulating film 17. Therefore, at the end of the anode 61, the end of the anode 61 and the light emitting element layer 66 and the cathode 67 are separated by the insulating film 19.
Are separated by The insulating film 19 is formed on the anode 6
It is sufficient that the light emitting layer is not broken by the step due to the thickness of 1 and that the electric field concentration does not occur at the corners of the anode periphery. It is sufficient that only one of the 67 is separated. The insulating film 19 is made of SiO 2 film, Si
It may be an insulating film composed of a single layer of N film or a laminate thereof, a planarizing film composed of an SOG film, or a planarizing insulating film composed of a photosensitive resin. The flattened insulating film is preferable because the cathode 67 formed thereon can be formed flat and the disconnection can be prevented.
【００３７】また、この絶縁膜１９は、陽極６１の端部
にて、陽極６１の表面に対して傾斜している。この仰角
（θ１）は、陽極６１上に形成する発光素子層６６が断
線しない角度であることが好ましい。仰角を小さくしす
ぎると陽極６１を覆う面積が大きくなって発光する面積
が小さくなってしまい、また仰角が大きすぎると発光素
子層６６が断線してしまうことになるので、この仰角
（θ１）は２０°乃至８０°に設定されている。その仰
角θ１は、好ましくは３０°乃至７０°、更に好ましく
は３０°乃至６０°、更に好ましくは４０°乃至５０°
である。仰角を小さくしすぎると陽極６１を覆う面積が
大きくなってしまい、仰角が大きすぎると発光素子層６
６が断線してしまうことになる。The insulating film 19 is inclined at the end of the anode 61 with respect to the surface of the anode 61. This elevation angle (θ1) is preferably an angle at which the light emitting element layer 66 formed on the anode 61 does not break. If the elevation angle is too small, the area covering the anode 61 becomes large and the light emitting area becomes small, and if the elevation angle is too large, the light emitting element layer 66 will be disconnected. It is set at 20 ° to 80 °. The elevation angle θ1 is preferably 30 ° to 70 °, more preferably 30 ° to 60 °, and still more preferably 40 ° to 50 °.
It is. If the elevation angle is too small, the area covering the anode 61 becomes large, and if the elevation angle is too large, the light emitting element layer 6
6 will be disconnected.
【００３８】この絶縁膜の傾斜は、ウェットチングある
いは塩素系のエッチャントガスを用いてドライエッチン
グすることにより形成できる。The inclination of the insulating film can be formed by wet etching or dry etching using a chlorine-based etchant gas.
【００３９】更に、絶縁膜１９から露出した陽極６１、
及び絶縁膜１９上に発光素子層６６及び第２の陰極６７
を積層している。Further, the anode 61 exposed from the insulating film 19,
And a light emitting element layer 66 and a second cathode 67 on the insulating film 19.
Are laminated.
【００４０】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡなどから成る第１ホー
ル輸送層６２、及びＴＰＤなどからなる第２ホール輸送
層６３、キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2などから
成る島状の発光層６４及びＢｅｂｑ2などから成る電子
輸送層６５からなる発光素子層６６、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）とＡｌとの積層体、又はＡｌとＬｉとの合
金、あるいはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合
金などから成る陰極６７がこの順番で積層形成された構
造である。これらの各層の積層領域が発光領域である。
その発光素子層６６の発光材料を所定の色を発光する材
料を選択することにより、それぞれの色を発光する表示
画素が構成され、各色の表示画素をマトリクス状に配置
することで有機ＥＬ表示装置ができている。発光素子層
からの光は、図２（ｂ）中において下方向に出射する。The organic EL element 60 includes an anode 61 made of a transparent electrode such as ITO, a first hole transport layer 62 made of MTDATA, a second hole transport layer 63 made of TPD, etc., and Bebq 2 containing a quinacridone derivative. A light-emitting element layer 66 including an island-shaped light-emitting layer 64 and an electron transport layer 65 made of Bebq2 or the like, a laminate of lithium fluoride (LiF) and Al, an alloy of Al and Li, or magnesium (Mg) and silver This is a structure in which a cathode 67 made of an alloy with (Ag) or the like is laminated in this order. The stacked region of each of these layers is a light emitting region.
By selecting a light-emitting material of the light-emitting element layer 66 from a material that emits a predetermined color, display pixels that emit light of each color are formed, and the display pixels of each color are arranged in a matrix to form an organic EL display device. Has been made. Light from the light emitting element layer is emitted downward in FIG.
【００４１】ゲート信号線５１からのゲート信号がゲー
ト電極３１に印加されると、スイッチング用ＴＦＴ３０
がオンになる。そのため、ドレイン信号線５２からスイ
ッチング用ＴＦＴ３０を介してドレイン信号が駆動用Ｔ
ＦＴ４０のゲート電極４１に供給され、そのゲート電極
４１の電位がドレイン信号線５２の電位と同電位にな
る。そしてゲート電極４１に供給された電流値に相当す
る電流が駆動電源に接続された駆動電源線５３からＥＬ
素子６０に供給される。それによってＥＬ素子６０は発
光する。When a gate signal from the gate signal line 51 is applied to the gate electrode 31, the switching TFT 30
Turns on. Therefore, the drain signal is supplied from the drain signal line 52 via the switching TFT 30 to the driving T
The potential is supplied to the gate electrode 41 of the FT 40, and the potential of the gate electrode 41 becomes the same as the potential of the drain signal line 52. Then, a current corresponding to the current value supplied to the gate electrode 41 is supplied from the drive power supply line 53 connected to the drive power supply to the EL.
It is supplied to the element 60. Thereby, the EL element 60 emits light.
【００４２】以上のように、陽極６１の端部に絶縁膜１
９を形成することにより、陽極６１の厚みによる段差に
起因して発光素子層６６が断線して陽極６１と陰極６７
とが短絡してしまうことを防止できる。また、陽極６１
のエッジに電界集中が生じそれによって発光素子層６６
が早期に劣化してしまうことを抑制することができる。 ＜第２の実施の形態＞図３に本発明の実施の形態の有機
ＥＬ素子及びＴＦＴを備えたＥＬ表示装置の１つの画素
を示す平面図を示し、図４に図１中のＡ−Ａ線に沿った
断面図を示す。As described above, the insulating film 1 is formed on the end of the anode 61.
9, the light emitting element layer 66 is disconnected due to a step due to the thickness of the anode 61, and the anode 61 and the cathode 67 are disconnected.
Can be prevented from being short-circuited. The anode 61
Electric field concentration occurs at the edge of the light emitting element layer 66.
Can be prevented from being deteriorated early. <Second Embodiment> FIG. 3 is a plan view showing one pixel of an EL display device provided with an organic EL element and a TFT according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 shows a sectional view along the line.
【００４３】本実施形態が第１の実施の形態と異なる点
は、ＥＬ素子６０を駆動するＴＦＴが１つである点、い
わゆるボトムゲート構造のＴＦＴとした点、陽極６１を
層間絶縁膜１５上に形成した点である。This embodiment is different from the first embodiment in that only one TFT drives the EL element 60, that is, a TFT having a so-called bottom gate structure, and the anode 61 is formed on the interlayer insulating film 15. This is the point formed.
【００４４】図３及び図４に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２との交点付近にＴＦＴ３０を
形成し、そのＴＦＴ３０のソース１３ｓは有機ＥＬ素子
６０の陽極６１に接続されている。As shown in FIGS. 3 and 4, a TFT 30 is formed near an intersection of a gate signal line 51 and a drain signal line 52, and the source 13 s of the TFT 30 is connected to the anode 61 of the organic EL element 60. .
【００４５】図４に示すように、表示画素１１０は、ガ
ラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基
板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有
機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０
として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合
には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶
縁膜を形成した上にＴＦＴを形成する。As shown in FIG. 4, a display pixel 110 is formed by sequentially forming a TFT and an organic EL element on a substrate 10 made of glass, synthetic resin, or the like, a conductive substrate, or a semiconductor substrate. Become. However, the substrate 10
When a conductive substrate and a semiconductor substrate are used, a TFT is formed on an insulating film such as SiO 2 or SiN formed on the substrate 10.
【００４６】図４に示すように、石英ガラス、無アルカ
リガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍｏな
どの高融点金属からなるゲート電極１１及びゲート電極
１１を備えたゲート信号線５１を形成する。As shown in FIG. 4, a gate electrode 11 made of a refractory metal such as Cr and Mo and a gate signal line 51 provided with the gate electrode 11 are formed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, alkali-free glass or the like. To form
【００４７】そして、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ
膜からなる能動層１３を順に形成する。Then, the gate insulating film 12 and the p-Si
An active layer 13 made of a film is formed in order.
【００４８】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域１３ＬＤとその外側に高濃度領域のソ
ース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即
ち、いわゆるＬＤＤ構造である。The active layer 13 is ion-doped on the channel 13c above the gate electrode 11 and on both sides of the channel 13c using the stopper insulating film 14 on the channel 13c as a mask. A low-concentration region 13LD is provided on both sides of the gate electrode 11 and a source 13s and a drain 13d of a high-concentration region are provided outside the low concentration region 13LD. That is, it is a so-called LDD structure.
【００４９】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成する。Then, the entire surface of the gate insulating film 12, the active layer 13, and the stopper insulating film 14 is covered with a SiO 2 film, a SiN
An interlayer insulating film 15 is formed by stacking a film and a SiO 2 film in this order.
【００５０】この層間絶縁膜１５上にＩＴＯ等の透明導
電性材料から成る透明電極である陽極６１を形成する。
そしてドレイン１３ｄ及びソース１３ｓに対応して設け
たコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン
電極１６及びソース電極１８を形成する。このときソー
ス電極１８は透明電極である陽極６１とコンタクトして
いる。An anode 61 which is a transparent electrode made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the interlayer insulating film 15.
Then, a metal such as Al is filled in contact holes provided corresponding to the drain 13d and the source 13s to form a drain electrode 16 and a source electrode 18. At this time, the source electrode 18 is in contact with the anode 61 which is a transparent electrode.
【００５１】そして、これらの陽極６１、ソース電極１
８、ドレイン電極１６及び層間絶縁膜１５の全面を覆う
ように樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
を形成する。この平坦化絶縁膜１７には、陽極６１に対
応した位置にコンタクトホールを形成する。このとき、
そのコンタクトホールは、図３の斜線部で示すように陽
極６１の周辺部と重畳して形成している。The anode 61 and the source electrode 1
8, a planarizing insulating film 17 made of resin so as to cover the entire surface of the drain electrode 16 and the interlayer insulating film 15 and flattening the surface.
To form A contact hole is formed in the flattening insulating film 17 at a position corresponding to the anode 61. At this time,
The contact hole is formed so as to overlap with the peripheral portion of the anode 61 as shown by the hatched portion in FIG.
【００５２】即ち、平坦化絶縁膜１７のコンタクトホー
ルである開口部６８は、図３中の斜線部以外の白い部分
である。陽極６１と平坦化絶縁膜１７とは、陽極６１の
周辺部にて重畳している形状である。That is, the opening 68 which is a contact hole of the flattening insulating film 17 is a white portion other than the hatched portion in FIG. The anode 61 and the planarization insulating film 17 have a shape overlapping with each other around the anode 61.
【００５３】また、ここで平坦化絶縁膜１７は、陽極６
１の端部において、陽極６１の表面に対して傾斜してい
る。即ち、陽極６１に対して仰角θ２を成すように傾斜
している。Here, the flattening insulating film 17 is
At one end, it is inclined with respect to the surface of the anode 61. That is, it is inclined so as to form an elevation angle θ2 with respect to the anode 61.
【００５４】この仰角は、陽極６１上に形成する発光素
子層６６が断線しない角度であることが好ましい。仰角
を小さくしすぎると陽極６１を覆う面積が大きくなって
発光する面積が小さくなってしまい、また仰角が大きす
ぎると発光素子層６６が断線してしまうことになるの
で、この仰角（θ１）は２０°乃至８０°に設定されて
いる。その仰角θ１は、好ましくは３０°乃至７０°、
更に好ましくは３０°乃至６０°、更に好ましくは４０
°乃至５０°である。仰角を小さくしすぎると陽極６１
を覆う面積が大きくなってしまい、仰角が大きすぎると
発光素子層６６が断線してしまうことになる。This elevation angle is preferably an angle at which the light emitting element layer 66 formed on the anode 61 does not break. If the elevation angle is too small, the area covering the anode 61 becomes large and the light emitting area becomes small, and if the elevation angle is too large, the light emitting element layer 66 will be disconnected. It is set at 20 ° to 80 °. The elevation angle θ1 is preferably 30 ° to 70 °,
More preferably 30 ° to 60 °, more preferably 40 °
° to 50 °. If the elevation angle is too small, the anode 61
If the elevation angle is too large, the light emitting element layer 66 will be disconnected.
【００５５】この絶縁膜の傾斜は、ウェットチングある
いは塩素系のエッチャントガスを用いてドライエッチン
グすることにより形成できる。The inclination of the insulating film can be formed by wet etching or dry etching using a chlorine-based etchant gas.
【００５６】また、有機ＥＬ素子６０は、平坦化絶縁膜
１７の下層に形成したＩＴＯ等の透明電極から成る陽極
６１、ＭＴＤＡＴＡから成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ
からなる第２ホール輸送層、キナクリドン誘導体を含む
Ｂｅｂｑ2から成る発光層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸
送層からなり平坦化絶縁膜１７に設けたコンタクトホー
ルを介して陽極６１に接続される発光素子層６６、マグ
ネシウム・インジウム合金から成る陰極６７がこの順番
で積層形成された構造である。The organic EL element 60 includes an anode 61 made of a transparent electrode such as ITO formed under the planarization insulating film 17, a first hole transport layer made of MTDATA, and a TPD.
A light-emitting element layer 66 composed of a second hole transporting layer made of Bebq2 containing a quinacridone derivative and an electron transporting layer made of Bebq2 and connected to the anode 61 via a contact hole provided in the planarizing insulating film 17; This is a structure in which a cathode 67 made of a magnesium-indium alloy is laminated in this order.
【００５７】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。本実施形態の場合、Ｅ
Ｌ素子の発光光は図面の下方向に出射する。In the organic EL device, the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode are recombined inside the light emitting layer, and excite the organic molecules forming the light emitting layer to generate excitons. Light is emitted from the light emitting layer during the process of radiation deactivation of the excitons, and the light is emitted from the transparent anode to the outside through the transparent insulating substrate to emit light. In the case of this embodiment, E
Light emitted from the L element is emitted downward in the drawing.
【００５８】以上のように、陽極６１の端部に平坦化絶
縁膜１７を形成することにより、陽極６１の厚みによる
段差に起因して発光素子層６６が断線して陽極６１と陰
極６７とが短絡してしまうことを防止できる。また、陽
極６１のエッジに電界集中が生じそれによって発光素子
層６６が早期に劣化してしまうことを抑制することがで
きる。 ＜第３の実施の形態＞図５に、本発明の第３の実施の形
態であるＥＬ表示装置の断面図を示す。なお、この断面
図は図３のＡ−Ａ線に沿ったものである。As described above, by forming the flattening insulating film 17 at the end of the anode 61, the light emitting element layer 66 is disconnected due to a step due to the thickness of the anode 61, and the anode 61 and the cathode 67 are separated. Short circuit can be prevented. In addition, it is possible to suppress the occurrence of the electric field concentration at the edge of the anode 61 and the early deterioration of the light emitting element layer 66 due to the electric field concentration. <Third Embodiment> FIG. 5 is a sectional view of an EL display device according to a third embodiment of the present invention. Note that this cross-sectional view is taken along the line AA in FIG.
【００５９】同図において、第２の実施の形態と異なる
点は、層間絶縁膜１５に設けたコンタクトホールにＡｌ
等の金属を充填して、ドレイン電極１６及びソース電極
１８を形成した後に、表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７を形成し、ソース電極に対応した位置の平坦化絶縁膜
１７にコンタクトホールを設けてＩＴＯ等の透明導電材
料から成る透明電極６１を形成し、更に透明電極の周辺
部に重畳して全面に絶縁膜１９を設けた点である。即
ち、陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成して、その陽
極６１の端部にまで及ぶ絶縁膜を形成した点である。更
に言い換えると、平坦化絶縁膜１７を介してドレイン電
極１６及びソース電極１８と異なる上層に透明電極６１
を設けた点が第２の実施の形態と異なる点である。In the figure, the difference from the second embodiment is that the contact hole provided in the interlayer insulating film 15
After forming a drain electrode 16 and a source electrode 18 by filling a metal such as
7 and a contact hole is provided in the planarizing insulating film 17 at a position corresponding to the source electrode to form a transparent electrode 61 made of a transparent conductive material such as ITO. The point is that an insulating film 19 is provided. That is, the point is that the anode 61 is formed on the planarizing insulating film 17 and the insulating film reaching the end of the anode 61 is formed. In other words, the transparent electrode 61 is formed on the upper layer different from the drain electrode 16 and the source electrode 18 via the planarization insulating film 17.
Is different from the second embodiment.
【００６０】また、この絶縁膜１９は、陽極６１の端部
にて、陽極６１の表面に対して傾斜している。この仰角
は、陽極６１上に形成する発光素子層６６が断線しない
角度であることが好ましい。仰角を小さくしすぎると陽
極６１を覆う面積が大きくなって発光する面積が小さく
なってしまい、また仰角が大きすぎると発光素子層６６
が断線してしまうことになるので、この仰角（θ３）は
２０°乃至８０°に設定されている。その仰角θ１は、
好ましくは３０°乃至７０°、更に好ましくは３０°乃
至６０°、更に好ましくは４０°乃至５０°である。仰
角を小さくしすぎると陽極６１を覆う面積が大きくなっ
てしまい、仰角が大きすぎると発光素子層６６が断線し
てしまうことになる。The insulating film 19 is inclined at the end of the anode 61 with respect to the surface of the anode 61. This elevation angle is preferably an angle at which the light emitting element layer 66 formed on the anode 61 does not break. If the elevation angle is too small, the area covering the anode 61 becomes large and the light emitting area becomes small, and if the elevation angle is too large, the light emitting element layer 66 becomes too small.
Is disconnected, the elevation angle (θ3) is set to 20 ° to 80 °. The elevation angle θ1 is
It is preferably 30 ° to 70 °, more preferably 30 ° to 60 °, and even more preferably 40 ° to 50 °. If the elevation angle is too small, the area covering the anode 61 will be large, and if the elevation angle is too large, the light emitting element layer 66 will be disconnected.
【００６１】なお、絶縁膜１９はＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
単層もしくはそれらの積層体から成る絶縁膜でも良く、
ＳＯＧ膜から成る平坦化膜であってもよく、また感光性
樹脂から成る平坦化絶縁膜であっても良い。平坦化絶縁
膜とすることによりその上方に形成する陰極６７を平坦
に形成することができ断線が防止できるのでそれが好ま
しい。Incidentally, the insulating film 19 may be an insulating film composed of a single layer of SiO 2 film, SiN film or a laminate thereof.
It may be a flattening film made of an SOG film or a flattening insulating film made of a photosensitive resin. The flattened insulating film is preferable because the cathode 67 formed thereon can be formed flat and the disconnection can be prevented.
【００６２】本実施の形態においても、第２の実施の形
態と同様に、ＥＬ素子の陽極である透明電極６１の厚み
による発光素子層６６の断線に起因する、陰極６７と陽
極６１との短絡が防止できる。また、本実施の形態によ
れば、ＴＦＴ上も平坦にすることができるため、透明電
極６１をＴＦＴ上にも形成することが可能となる。ま
た、陽極６１のエッジに電界集中が生じそれによって発
光素子層６６が早期に劣化してしまうことを抑制するこ
とができる。In the present embodiment, similarly to the second embodiment, a short circuit between the cathode 67 and the anode 61 due to disconnection of the light emitting element layer 66 due to the thickness of the transparent electrode 61 which is the anode of the EL element. Can be prevented. Further, according to the present embodiment, since the TFT can be flattened, the transparent electrode 61 can be formed also on the TFT. In addition, it is possible to suppress the occurrence of the electric field concentration at the edge of the anode 61 and the early deterioration of the light emitting element layer 66 due to the electric field concentration.
【００６３】なお、上述の各実施の形態においては、各
ＴＦＴは、ゲート電極を能動層の下に設けたいわゆるボ
トムゲート型のＴＦＴの場合、及びトップゲート構造の
場合について説明したが、本発明はいずれの構造を採用
しても同様の効果が得られるものである。また、能動層
としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は非
晶質シリコンを用いても良い。In each of the embodiments described above, each TFT has been described as a so-called bottom gate type TFT in which a gate electrode is provided below an active layer, and in a case of a top gate structure. The same effect can be obtained by adopting either structure. Further, although the p-Si film is used as the active layer, a microcrystalline silicon film or amorphous silicon may be used.
【００６４】[0064]
【発明の効果】本発明によれば、陽極の厚みによる発光
素子層の断線に起因して陰極が陽極と短絡することを防
止するとともに、陽極エッジの電界集中による発光層の
劣化を抑制できるＥＬ表示装置を得ることができる。According to the present invention, it is possible to prevent the cathode from being short-circuited to the anode due to the disconnection of the light emitting element layer due to the thickness of the anode and to suppress the deterioration of the light emitting layer due to the electric field concentration at the anode edge. A display device can be obtained.
【図１】本発明の第１の実施形態を示すＥＬ表示装置の
平面図である。FIG. 1 is a plan view of an EL display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施形態を示すＥＬ表示装置の
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the EL display device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施形態を示すＥＬ表示装置の
平面図である。FIG. 3 is a plan view of an EL display device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施形態を示すＥＬ表示装置の
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of an EL display device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施形態を示すＥＬ表示装置の
断面図である。FIG. 5 is a sectional view of an EL display device according to a third embodiment of the present invention.
【図６】従来のＥＬ表示装置の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a conventional EL display device.
【図７】従来のＥＬ表示装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional EL display device.
１１０ 表示画素 １１，３１，４１ ゲート １２ ゲート絶縁膜 １３ｓ，３３ｓ ソース １３ｄ，３３ｄ ドレイン １３ｃ，３３ｃ チャネル １６，３６ ドレイン電極 １７ 平坦化絶縁膜 １８ ソース電極 １９ 絶縁膜 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴＦＴ ５２ ドレイン信号線 ５３ 駆動電源線 ６０ 有機ＥＬ素子 ６１ 陽極（透明電極） ６６ 発光素子層 ６７ 陰極 ６８ 開口部 Reference Signs List 110 display pixel 11, 31, 41 gate 12 gate insulating film 13s, 33s source 13d, 33d drain 13c, 33c channel 16, 36 drain electrode 17 flattening insulating film 18 source electrode 19 insulating film 30 first TFT 40 second TFT 52 Drain signal line 53 Driving power supply line 60 Organic EL element 61 Anode (transparent electrode) 66 Light emitting element layer 67 Cathode 68 Opening
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｚ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/26 H05B 33/26 Z
Claims (9)
を積層して発光領域を形成する表示装置であって、前記
第１の電極の端部において前記第１の電極と、発光素子
層又は第２の電極とを離間する絶縁膜を備えたことを特
徴とする表示装置。1. A display device in which a first electrode, a light-emitting element layer, and a second electrode are stacked to form a light-emitting region, wherein the first electrode is provided at an end of the first electrode, and a light-emitting region is formed. A display device, comprising: an insulating film for separating an element layer or a second electrode.
に絶縁膜を備えた請求項１に記載の表示装置。2. The display device according to claim 1, further comprising an insulating film between the first electrode and the light emitting element layer.
有し、該端部が傾斜を有することを特徴とする請求項１
又は２に記載の表示装置。3. The device according to claim 1, wherein the insulating film has an end on the first electrode, and the end has a slope.
Or the display device according to 2.
表面に対する仰角が２０°乃至８０°であることを特徴
とする請求項３に記載の表示装置。4. The display device according to claim 3, wherein the angle of the inclined portion has an elevation angle of 20 ° to 80 ° with respect to the surface of the first electrode.
前記第１の電極と重畳していることを特徴とする請求項
１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。5. The display device according to claim 1, wherein the insulating film overlaps with the first electrode all around the first electrode.
電極の積層構造はエレクトロルミネッセンス素子である
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に
記載の表示装置。6. The display device according to claim 1, wherein the stacked structure of the first electrode, the light emitting element layer, and the second electrode is an electroluminescent element.
成されており、前記第１の電極は薄膜トランジスタに接
続されていることを特徴とする請求項１乃至６のうちい
ずれか１項に記載の表示装置。7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first electrode is formed separately for each pixel, and the first electrode is connected to a thin film transistor. The display device according to claim 1.
有し、該絶縁膜上に第１の電極を備えたことを特徴とす
る請求項７に記載の表示装置。8. The display device according to claim 7, wherein an insulating film is provided above the thin film transistor, and a first electrode is provided on the insulating film.
特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の
表示装置。9. The display device according to claim 1, wherein the insulating film is a planarizing insulating film.
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