JP2001172732A - 合金箔の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の合金製造法では得られない合金組成を
持つ極薄の箔の製造を可能とする。 【解決手段】 一連の行程を通じて薄合金箔を製造する
方法である。研磨担体表面を持つ担体10が、積層チャン
バー内に配置される。担体10表面は、全体的に研磨され
て鏡面仕上げがなされる。仮層14が、担体10表面上に被
覆される。仮層14は、金属箔を取り外すために容易に溶
解され担体10から分離され得る材料からなる。担体10表
面と仮層14は、積層チャンバー内に配置される。仮層14
は、仮層14上の堆積層となる気化された第一金属22で蒸
着される。その後第二金属28が、第一金属と同時にある
いはそれに引き続いて、被覆される。第一及び第二の蒸
着金属は、多層箔を形成する様に仮層14上で固化する。
多層箔はその後取り外され、加熱されて合金を形成す
る。合金成分としては、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｂ−Ｙ等があ
る。
持つ極薄の箔の製造を可能とする。 【解決手段】 一連の行程を通じて薄合金箔を製造する
方法である。研磨担体表面を持つ担体10が、積層チャン
バー内に配置される。担体10表面は、全体的に研磨され
て鏡面仕上げがなされる。仮層14が、担体10表面上に被
覆される。仮層14は、金属箔を取り外すために容易に溶
解され担体10から分離され得る材料からなる。担体10表
面と仮層14は、積層チャンバー内に配置される。仮層14
は、仮層14上の堆積層となる気化された第一金属22で蒸
着される。その後第二金属28が、第一金属と同時にある
いはそれに引き続いて、被覆される。第一及び第二の蒸
着金属は、多層箔を形成する様に仮層14上で固化する。
多層箔はその後取り外され、加熱されて合金を形成す
る。合金成分としては、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｂ−Ｙ等があ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着技術を用いた
薄い合金箔の製造方法を教示するものである。より具体
的には、本発明は、異種金属を積層し、その層を合金と
なる様に加熱することによって、合金箔を製造する方法
を教示する。
薄い合金箔の製造方法を教示するものである。より具体
的には、本発明は、異種金属を積層し、その層を合金と
なる様に加熱することによって、合金箔を製造する方法
を教示する。
【０００２】
【従来の技術】広範な用途に対して薄い金属箔の製造が
要求されている。その様な用途の一つには、化学成分の
分離器が含まれる。本発明は、分離器として用いられ得
る薄金属箔の製造方法として記載している。分離器は、
片側の面にて混合気流に晒される。分離器材料は、気流
のある成分にその材料を通過することを可能とさせ、上
記混合気流から一種類の選択された非常に高い濃度の気
体に分離する。
要求されている。その様な用途の一つには、化学成分の
分離器が含まれる。本発明は、分離器として用いられ得
る薄金属箔の製造方法として記載している。分離器は、
片側の面にて混合気流に晒される。分離器材料は、気流
のある成分にその材料を通過することを可能とさせ、上
記混合気流から一種類の選択された非常に高い濃度の気
体に分離する。
【０００３】金属製の分離器が、水素と他の気体を含む
気流から水素を分離するのに使用されてきた。水素分離
器は通常、触媒作用によって、気体水素を選択的に箔を
透過する水素原子に解離させる。水素原子は、気体水素
を形成する様に、箔の反対側の面にて再結合する。分離
器の透過性は、箔の厚さの減少につれて増加する。薄金
属箔は、より厚い箔に比べ、水素分離行程における効率
が非常に良い。
気流から水素を分離するのに使用されてきた。水素分離
器は通常、触媒作用によって、気体水素を選択的に箔を
透過する水素原子に解離させる。水素原子は、気体水素
を形成する様に、箔の反対側の面にて再結合する。分離
器の透過性は、箔の厚さの減少につれて増加する。薄金
属箔は、より厚い箔に比べ、水素分離行程における効率
が非常に良い。
【０００４】従来、金属箔はロール成形やプレス成形技
術を用いて製造されてきた。所望の成分を持つ金属のイ
ンゴットが、鋳造され、そして箔状にロール成形又はプ
レス成形される。その様なロール成形やプレス成形技術
は、ピンホールが確実に無いものとしては25ミクロン以
上の厚さを持つ箔の製造のみ可能である。25ミクロン未
満の厚さにロール成形された際には、箔は亀裂及びピン
ホールを生じてしまう場合がある。
術を用いて製造されてきた。所望の成分を持つ金属のイ
ンゴットが、鋳造され、そして箔状にロール成形又はプ
レス成形される。その様なロール成形やプレス成形技術
は、ピンホールが確実に無いものとしては25ミクロン以
上の厚さを持つ箔の製造のみ可能である。25ミクロン未
満の厚さにロール成形された際には、箔は亀裂及びピン
ホールを生じてしまう場合がある。
【０００５】多くの金属から合金を形成する様な箔の製
造も、望まれている。合金は、例えば非脆化性のような
優れた物理的特性を持ち、より効率的に混合気流からあ
る成分を分離し得る。合金は従来、金属粉やショットを
混合し、そしてそれらの混合物を加熱して金属を溶融す
ることにより、形成されてきた。溶融金属は混ざり合
い、冷却されると合金を形成する。合金インゴットはそ
の後、薄い金属箔を形成するようロール成形やプレス成
形される。
造も、望まれている。合金は、例えば非脆化性のような
優れた物理的特性を持ち、より効率的に混合気流からあ
る成分を分離し得る。合金は従来、金属粉やショットを
混合し、そしてそれらの混合物を加熱して金属を溶融す
ることにより、形成されてきた。溶融金属は混ざり合
い、冷却されると合金を形成する。合金インゴットはそ
の後、薄い金属箔を形成するようロール成形やプレス成
形される。
【０００６】合金のロール成形に伴う問題は、薄箔の製
造のために多くの連続的な「ロール成形と焼なまし行程」
を要することである。合金のインゴットは、一度の処理
では所望の厚さまで薄くされることが出来ない。インゴ
ットは、各ロール処理の間に一度ずつ焼なまし処理され
ながら、一度に数ミリメートルずつ薄くされる。
造のために多くの連続的な「ロール成形と焼なまし行程」
を要することである。合金のインゴットは、一度の処理
では所望の厚さまで薄くされることが出来ない。インゴ
ットは、各ロール処理の間に一度ずつ焼なまし処理され
ながら、一度に数ミリメートルずつ薄くされる。
【０００７】セラミックや金属の基材などの表面上に、
金属を電気化学的に積層することも可能である。極薄被
膜は、この技術を用いれば製造可能である。無電解メッ
キが、電気化学的に積層された金属の一例である。無電
解メッキに伴う問題は、材料に望ましくない成分を持ち
込んでしまうことである。本発明は、担体に無関係に用
いられ、また成分の純度を高める、自立形の箔を製造し
ようというものである。
金属を電気化学的に積層することも可能である。極薄被
膜は、この技術を用いれば製造可能である。無電解メッ
キが、電気化学的に積層された金属の一例である。無電
解メッキに伴う問題は、材料に望ましくない成分を持ち
込んでしまうことである。本発明は、担体に無関係に用
いられ、また成分の純度を高める、自立形の箔を製造し
ようというものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ロール成形
やプレス成形処理を活用しない薄合金箔の製造方法を提
供しようというものである。その方法は、従来の合金製
造法では得られない合金組成を持つ極薄の箔の製造を可
能とする。上述の、及び関連する技術の他の不都合は、
ここで述べられる方法により解決される。
やプレス成形処理を活用しない薄合金箔の製造方法を提
供しようというものである。その方法は、従来の合金製
造法では得られない合金組成を持つ極薄の箔の製造を可
能とする。上述の、及び関連する技術の他の不都合は、
ここで述べられる方法により解決される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一連の行程を
通じて薄合金箔を製造する方法を教示する。研磨された
担体表面を持つ担体が、積層チャンバー内に配置され
る。仮層が、担体表面上に被覆される。仮層は、金属箔
を取り外すために容易に溶解されて、担体から分離され
得る材料からなる。適切な仮層は、電気回路基板の製造
において用いられる、一般的なフォトレジスト層を含
む。
通じて薄合金箔を製造する方法を教示する。研磨された
担体表面を持つ担体が、積層チャンバー内に配置され
る。仮層が、担体表面上に被覆される。仮層は、金属箔
を取り外すために容易に溶解されて、担体から分離され
得る材料からなる。適切な仮層は、電気回路基板の製造
において用いられる、一般的なフォトレジスト層を含
む。
【００１０】担体表面と仮層は、積層チャンバー内に配
置される。仮層は、仮層上に蒸着される気化された第一
金属に晒される。その後気化された第二金属が、第一金
属と同時にあるいはそれに引き続いて、被覆される。第
一及び第二の気化金属は、多層箔を形成する様に仮層上
で固化する。この時点では、多層箔は気化金属の別個の
層ないし領域を含んでいる。
置される。仮層は、仮層上に蒸着される気化された第一
金属に晒される。その後気化された第二金属が、第一金
属と同時にあるいはそれに引き続いて、被覆される。第
一及び第二の気化金属は、多層箔を形成する様に仮層上
で固化する。この時点では、多層箔は気化金属の別個の
層ないし領域を含んでいる。
【００１１】担体、仮層、及び多層箔は、仮層を溶解さ
せるために溶液中に浸される。多層箔は、担体表面から
取り外される。多層箔は、還元性雰囲気中に配置され、
昇温状態に晒される。多層箔は、積層金属の合金を形成
する。ここに記載の方法は、１から10ミクロンの間の厚
さを持つ薄金属箔の製造を可能とする。本発明は、５ミ
クロン以下の厚さの箔の製造に特に有用である。１ミク
ロン以下の極薄箔がこれまで製造されてきた。１ミクロ
ン以下の箔は製造し得るが、亀裂の発生なしに使用する
のは困難であろう。
せるために溶液中に浸される。多層箔は、担体表面から
取り外される。多層箔は、還元性雰囲気中に配置され、
昇温状態に晒される。多層箔は、積層金属の合金を形成
する。ここに記載の方法は、１から10ミクロンの間の厚
さを持つ薄金属箔の製造を可能とする。本発明は、５ミ
クロン以下の厚さの箔の製造に特に有用である。１ミク
ロン以下の極薄箔がこれまで製造されてきた。１ミクロ
ン以下の箔は製造し得るが、亀裂の発生なしに使用する
のは困難であろう。
【００１２】更に、本方法は異種金属からなる箔の製造
を可能とする。本発明は水素分離器用の薄金属箔の製法
として、試験が行われたとともに記載がなされている。
この用途においては、パラジウムと銅の合金が好ましい
ものであった。他の用途及び金属成分に対しても、ここ
に記載され特許請求された方法を用いることが可能であ
る。
を可能とする。本発明は水素分離器用の薄金属箔の製法
として、試験が行われたとともに記載がなされている。
この用途においては、パラジウムと銅の合金が好ましい
ものであった。他の用途及び金属成分に対しても、ここ
に記載され特許請求された方法を用いることが可能であ
る。
【００１３】他の適用可能な金属成分は、次のものを含
むが、ただしそれらに限定されるものではない。それら
は、Pd-Ag、Pd-Y、及びV-Cu、である。それらの合金は
光学的用途、検出用途、触媒的用途、及び耐摩耗性を要
する用途に、用いられ得る。
むが、ただしそれらに限定されるものではない。それら
は、Pd-Ag、Pd-Y、及びV-Cu、である。それらの合金は
光学的用途、検出用途、触媒的用途、及び耐摩耗性を要
する用途に、用いられ得る。
【００１４】その使用及び本発明の他の所望の目的は、
以下の詳細な記載及び上述した特許請求の範囲を読む間
に、より明確となろう。本発明は、例示的な実施態様が
示された添付の図面を参照すれば、最も充分に把握され
よう。
以下の詳細な記載及び上述した特許請求の範囲を読む間
に、より明確となろう。本発明は、例示的な実施態様が
示された添付の図面を参照すれば、最も充分に把握され
よう。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、薄い金属箔の製造方法
として例示及び記載されている。その箔は、水素分離器
の製造において特に有用である。しかしかなら、他の金
属箔、特に合金を要するものであれば、本発明に記載の
方法を用いて製造され得る。それらの、及び他の装置と
製造方法は、ここに述べられる本発明の範囲内に含まれ
る。以下の記載は、図面中に記載された構成要素の用語
リストであり、本発明の理解促進のために整理してお
く。 用語リスト 10 基材 12 基材表面 14 仮層 16 積層チャンバー 18 るつぼ 20 第一金属 22 第一金属層 24 るつぼ 26 第二金属 28 第二金属層 30 多層箔 32 合金箔
として例示及び記載されている。その箔は、水素分離器
の製造において特に有用である。しかしかなら、他の金
属箔、特に合金を要するものであれば、本発明に記載の
方法を用いて製造され得る。それらの、及び他の装置と
製造方法は、ここに述べられる本発明の範囲内に含まれ
る。以下の記載は、図面中に記載された構成要素の用語
リストであり、本発明の理解促進のために整理してお
く。 用語リスト 10 基材 12 基材表面 14 仮層 16 積層チャンバー 18 るつぼ 20 第一金属 22 第一金属層 24 るつぼ 26 第二金属 28 第二金属層 30 多層箔 32 合金箔
【００１６】図１に示されるのは、蒸着金属を被覆され
ることになる基材10である。基材10は、10センチメート
ル（４インチ）の単晶珪素研磨ウエハーから形成され
る。しかしながら、珪素の機械的特性を有するいかなる
平滑基材も使用され得る。
ることになる基材10である。基材10は、10センチメート
ル（４インチ）の単晶珪素研磨ウエハーから形成され
る。しかしながら、珪素の機械的特性を有するいかなる
平滑基材も使用され得る。
【００１７】基材10は、鏡面仕上げとなる様に、約0.5
ミクロン研磨される。高研磨表面は、仮層の容易な除去
を可能にする。基材は、箔のシートを形成するよう平坦
にされるか、あるいは筒形状の金属箔を形成するよう円
筒状にされ得る。基材10は基材表面12を有する。基材表
面12は、図２に示される様に仮層14が施される。仮層14
は、基材から金属箔を分離するよう、容易に除去される
一時的な層である。適切な仮層は、ワックス、グリー
ス、オイル、及びフォトレジスト、を含む。フォトレジ
ストは、化学的に耐性のあるパターンをシリコン・ウエ
ハーに被覆するためにエレクトロニクス産業にて一般的
に使用されている感光性ポリマーである。本用途にて使
用されるフォトレジストのメーカーは、Hoechst Celane
seである。仮層14は、基材を高速で回転させフォトレジ
ストを塗布することにより、形成される。フォトレジス
トは、約0.8から1.5ミクロンの厚さである。
ミクロン研磨される。高研磨表面は、仮層の容易な除去
を可能にする。基材は、箔のシートを形成するよう平坦
にされるか、あるいは筒形状の金属箔を形成するよう円
筒状にされ得る。基材10は基材表面12を有する。基材表
面12は、図２に示される様に仮層14が施される。仮層14
は、基材から金属箔を分離するよう、容易に除去される
一時的な層である。適切な仮層は、ワックス、グリー
ス、オイル、及びフォトレジスト、を含む。フォトレジ
ストは、化学的に耐性のあるパターンをシリコン・ウエ
ハーに被覆するためにエレクトロニクス産業にて一般的
に使用されている感光性ポリマーである。本用途にて使
用されるフォトレジストのメーカーは、Hoechst Celane
seである。仮層14は、基材を高速で回転させフォトレジ
ストを塗布することにより、形成される。フォトレジス
トは、約0.8から1.5ミクロンの厚さである。
【００１８】仮層14中の溶媒が蒸発可能とされた後、基
材10と仮層14は積層チャンバー16内に配置される。積層
チャンバー16は、蒸着装置、スパッタリング装置又はCV
D装置であり得る。
材10と仮層14は積層チャンバー16内に配置される。積層
チャンバー16は、蒸着装置、スパッタリング装置又はCV
D装置であり得る。
【００１９】真空蒸着を使用する際には、気化材料に平
均自由行路を与えるためにチャンバー16内の空気が排出
される。第一金属20を収容するるつぼ18が、加熱され
る。第一金属20は気化し、図４に示される様に仮層14上
に第一金属層22が堆積する。第一金属層22の堆積と同時
に、あるいはそれに引き続いて、るつぼ24は第二金属26
を加熱し第二金属を気化させる。第二金属26は第二金属
層28を堆積させる。第一及び第二金属層22, 28は、図５
及び６に示される様に多層箔30を形成する。多層箔30は
個々の金属20, 26の互いに独立した領域ないし層を含ん
でいる。多層箔30は、この時点ではまだ合金としての物
理的特性を持たない。
均自由行路を与えるためにチャンバー16内の空気が排出
される。第一金属20を収容するるつぼ18が、加熱され
る。第一金属20は気化し、図４に示される様に仮層14上
に第一金属層22が堆積する。第一金属層22の堆積と同時
に、あるいはそれに引き続いて、るつぼ24は第二金属26
を加熱し第二金属を気化させる。第二金属26は第二金属
層28を堆積させる。第一及び第二金属層22, 28は、図５
及び６に示される様に多層箔30を形成する。多層箔30は
個々の金属20, 26の互いに独立した領域ないし層を含ん
でいる。多層箔30は、この時点ではまだ合金としての物
理的特性を持たない。
【００２０】基材10、仮層14、及び多層箔30は、仮層14
を溶解させ基材10から多層箔30を分離するために、溶液
槽内に配置される。アセトンが、フォトレジスト仮層の
除去に適した溶液であることが明らかとなった。
を溶解させ基材10から多層箔30を分離するために、溶液
槽内に配置される。アセトンが、フォトレジスト仮層の
除去に適した溶液であることが明らかとなった。
【００２１】多層箔30は、図６に示される様に、還元性
雰囲気炉内に配置される。多層箔30は、第一及び第二の
金属層22, 28が合金を形成するのに充分な温度に加熱さ
れる。合金は、所望の特性を得るために、ベース金属に
他の金属又は非金属を添加することにより生成される金
属である。通常、合金金属は元のベース金属の硬度を増
加させる。多層箔30は、図７に示す様に、自立した薄合
金箔32に変態させられる。
雰囲気炉内に配置される。多層箔30は、第一及び第二の
金属層22, 28が合金を形成するのに充分な温度に加熱さ
れる。合金は、所望の特性を得るために、ベース金属に
他の金属又は非金属を添加することにより生成される金
属である。通常、合金金属は元のベース金属の硬度を増
加させる。多層箔30は、図７に示す様に、自立した薄合
金箔32に変態させられる。
【００２２】複数の金属又は合金の望ましくない酸化を
防止するために、多層箔30は、水素などの還元性雰囲気
中で加熱される。それで、記載の本方法は、１ミクロン
と５ミクロンの間の厚さを持つ合金箔32の製造を可能と
する。
防止するために、多層箔30は、水素などの還元性雰囲気
中で加熱される。それで、記載の本方法は、１ミクロン
と５ミクロンの間の厚さを持つ合金箔32の製造を可能と
する。
【００２３】
【実施例】以下の例は、２成分からなる合金箔の構成に
関して記載している。しかしながら、３種類以上の金属
合金が、同様又は類似の技術を用いて製造され得る。60
%のパラジウムと40%の銅の組成を持つ合金箔が望まし
い。４インチの、単晶シリコン・ウエハーが、基材とし
て作用する。ウエハーは、+/-6ミクロンの表面平滑度ま
で化学機械的に研磨される。ウエハーは、真空チャック
を回転させる保持具内に配置される。AZ1512のフォトレ
ジストが、仮層を形成する様にシリコン・ウエハー上に
回転しながら塗布される。フォトレジストは、一般的な
回転塗布技術により塗布され、0.8から１ミクロンの厚
さを持つ。ウエハーにフォトレジストが塗布された後、
フォトレジスト中の溶剤を気化させるため、ウエハーと
フォトレジストは加熱灯の下で20分間焼かれる。フォト
レジストは、追加処理なしに平滑な最終状態に硬化され
る。
関して記載している。しかしながら、３種類以上の金属
合金が、同様又は類似の技術を用いて製造され得る。60
%のパラジウムと40%の銅の組成を持つ合金箔が望まし
い。４インチの、単晶シリコン・ウエハーが、基材とし
て作用する。ウエハーは、+/-6ミクロンの表面平滑度ま
で化学機械的に研磨される。ウエハーは、真空チャック
を回転させる保持具内に配置される。AZ1512のフォトレ
ジストが、仮層を形成する様にシリコン・ウエハー上に
回転しながら塗布される。フォトレジストは、一般的な
回転塗布技術により塗布され、0.8から１ミクロンの厚
さを持つ。ウエハーにフォトレジストが塗布された後、
フォトレジスト中の溶剤を気化させるため、ウエハーと
フォトレジストは加熱灯の下で20分間焼かれる。フォト
レジストは、追加処理なしに平滑な最終状態に硬化され
る。
【００２４】TEMESCAL電子ビーム金属気化システムが、
フォトレジスト表面上に金属を蒸着させるのに用いられ
る。シリコン・ウエハーは、蒸着中にシリコン・ウエハ
ーを回転させるプラネタリ機構内に装填される。蒸着中
のウエハーの回転が、蒸着金属の表面凹凸を減少させ
る。個別の金属層の厚さは、以下の式を用いて決定され
得る。 tc/tp=ρPd*Fc[ρCu*(1-Fc)] ここで、tcは銅の厚さと等しく、tpはパラジウムの厚さ
と等しく、ρPdはパラジウムの密度（12.02*103 kg/
m3）と等しく、ρCuは銅の密度（8.96*103 kg/m3）と等
しくFcは銅の重量比（40%）と等しい。
フォトレジスト表面上に金属を蒸着させるのに用いられ
る。シリコン・ウエハーは、蒸着中にシリコン・ウエハ
ーを回転させるプラネタリ機構内に装填される。蒸着中
のウエハーの回転が、蒸着金属の表面凹凸を減少させ
る。個別の金属層の厚さは、以下の式を用いて決定され
得る。 tc/tp=ρPd*Fc[ρCu*(1-Fc)] ここで、tcは銅の厚さと等しく、tpはパラジウムの厚さ
と等しく、ρPdはパラジウムの密度（12.02*103 kg/
m3）と等しく、ρCuは銅の密度（8.96*103 kg/m3）と等
しくFcは銅の重量比（40%）と等しい。
【００２５】60%のパラジウムと40%の銅を含有する合金
を生成するには、tc/tpは0.894と等しい。それで、銅と
パラジウムの比率は、1 : 0.894となる。
を生成するには、tc/tpは0.894と等しい。それで、銅と
パラジウムの比率は、1 : 0.894となる。
【００２６】銅は5000オングストロームずつ蒸着され、
パラジウムは4470オングストロームずつ蒸着された。全
体の厚さが4.2ミクロンとなるまで蒸着された。シリコ
ン・ウエハーが蒸着システムから取り除かれ、アセトン
に浸された。4.2ミクロン厚の多層箔を形成する様に、
多層箔がシリコン・ウエハーから即座に分離した。多層
箔は、管状炉内の3%の水素を含む還元性雰囲気中で２時
間、800℃の状態下に置かれた。多層箔は均一で一様な
合金に、変態した。
パラジウムは4470オングストロームずつ蒸着された。全
体の厚さが4.2ミクロンとなるまで蒸着された。シリコ
ン・ウエハーが蒸着システムから取り除かれ、アセトン
に浸された。4.2ミクロン厚の多層箔を形成する様に、
多層箔がシリコン・ウエハーから即座に分離した。多層
箔は、管状炉内の3%の水素を含む還元性雰囲気中で２時
間、800℃の状態下に置かれた。多層箔は均一で一様な
合金に、変態した。
【００２７】合金箔は、X線回折分析を用いて分析され
た。その結果は、均一合金構造であることを示してい
る。定量的組成分析が、走査型電子顕微鏡（scanning e
lectronmicroscope、略してSEM）を用いたエネルギー分
散型分析法（energy dispersivespectroscopy、略してE
DS）により、行われた。その結果は、40.65%の銅と59.3
5%のパラジウムを含む組成を持つ合金を示している。合
金箔のSEM写真は、密な、ピンホールのない粒状組織を
示している。
た。その結果は、均一合金構造であることを示してい
る。定量的組成分析が、走査型電子顕微鏡（scanning e
lectronmicroscope、略してSEM）を用いたエネルギー分
散型分析法（energy dispersivespectroscopy、略してE
DS）により、行われた。その結果は、40.65%の銅と59.3
5%のパラジウムを含む組成を持つ合金を示している。合
金箔のSEM写真は、密な、ピンホールのない粒状組織を
示している。
【００２８】本発明の特定の実施態様を例示及び説明し
たが、本発明の範疇から逸脱しない範囲で各種の変更と
改良がなされ得ること及び、本発明の正当な技術思想及
び範囲に含まれるものとしての、その様な全ての改良案
と均等物が、特許請求の範囲に包含されることを意図さ
れていることは、本技術分野の当業者には明らかであろ
う。
たが、本発明の範疇から逸脱しない範囲で各種の変更と
改良がなされ得ること及び、本発明の正当な技術思想及
び範囲に含まれるものとしての、その様な全ての改良案
と均等物が、特許請求の範囲に包含されることを意図さ
れていることは、本技術分野の当業者には明らかであろ
う。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、従来の合金製造法では
得られない合金組成を持つ極薄の箔の製造が可能とな
る。
得られない合金組成を持つ極薄の箔の製造が可能とな
る。
【図１】基材の断面図である。
【図２】基材と仮層の断面図である。
【図３】蒸着による積層行程中の断面図である。
【図４】仮層の上部に被覆される多層箔の断面図であ
る。
る。
【図５】仮層を除去する行程中の断面図である。
【図６】加熱行程中の断面図である。
【図７】薄金属箔の断面図である。
10 基材 14 仮層 22 第一金属層 28 第二金属層 32 合金箔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ムヘーブ イシマエル イハス アメリカ合衆国 ミシガン州 48197，イ プシランティ スコット コート 5541 (72)発明者 プラブハカール シン アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 15632，エクスポート ウッドモント ド ライヴ 2227
Claims (7)
- 【請求項１】 合金箔を製造する方法であって、 表面を有する担体を供給する行程と、 該担体表面上に第一の金属層を被覆する行程と、 該第一の層上に第二の金属層を被覆する行程と、 上記担体表面から上記第一及び第二の金属層を取り外す
行程と、 上記合金箔を形成する様に上記第一及び第二の金属層を
合金化させる行程と、 を有する方法。 - 【請求項２】 上記第一の金属の被覆行程前に、上記担
体表面上に仮層を被覆する行程を有する請求項１に記載
の方法。 - 【請求項３】 上記第二の金属層を被覆する行程後に上
記仮層を除去して、上記担体表面から上記第一及び第二
の層を分離させる行程を有する請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 上記第一の金属層が、パラジウムと銅か
らなる金属の群から選択される請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 上記被覆行程が、上記第一と第二の金属
層を加熱する行程を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 第一と第二の金属層を還元性雰囲気中で
加熱する行程を更に含む請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 上記合金箔が1から5ミクロンの厚さを有
する請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US09/420620 | 1999-10-19 | ||
| US09/420,620 US6315820B1 (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | Method of manufacturing thin metal alloy foils |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172732A true JP2001172732A (ja) | 2001-06-26 |
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ID=23667195
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000319166A Pending JP2001172732A (ja) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | 合金箔の製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6315820B1 (ja) |
| EP (1) | EP1096026A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001172732A (ja) |
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| US10005172B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-06-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled-porosity method for forming polishing pad |
| US10011002B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-07-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
| US10092998B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
| US10105825B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-10-23 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
| US10144115B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-12-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
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| US6540850B2 (en) * | 2001-05-03 | 2003-04-01 | Ford Motor Company | Membrane and a method for making a membrane |
| WO2003084628A2 (en) | 2002-04-03 | 2003-10-16 | Colorado School Of Mines | Process for preparing palladium alloy composite membranes for use in hydrogen separation, palladium alloy composite membranes and products incorporating or made from the membranes |
| US8101243B2 (en) | 2002-04-03 | 2012-01-24 | Colorado School Of Mines | Method of making sulfur-resistant composite metal membranes |
| JP2004008966A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 水素分離膜、水素分離ユニット、水素分離膜の製造方法 |
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| DE102004024461A1 (de) * | 2004-05-14 | 2005-12-01 | Konarka Technologies, Inc., Lowell | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht |
| DE102006017549A1 (de) | 2006-04-13 | 2007-10-18 | Imi Intelligent Medical Implants Ag | Verfahren zur Herstellung von Implantatstrukturen zur Kontaktierung oder Elektrostimulation von lebenden Gewebezellen oder Nerven |
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| JP4970556B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2012-07-11 | シエル・インターナシヨナル・リサーチ・マートスハツペイ・ベー・ヴエー | ガス分離膜システムおよびその調製または再生方法および使用 |
| US9044715B2 (en) | 2007-08-22 | 2015-06-02 | Colorado School Of Mines | Unsupported palladium alloy membranes and methods of making same |
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| CN114107889A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-01 | 杭州四马化工科技有限公司 | 一种金属箔脱模方法 |
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| US3428476A (en) * | 1965-06-22 | 1969-02-18 | Engelhard Min & Chem | Method for producing hydrogen diffusion cells |
| US3350845A (en) * | 1965-11-18 | 1967-11-07 | Union Carbide Corp | Metal alloy for hydrogen separation and purification |
| DE1648367A1 (de) * | 1967-06-05 | 1971-04-15 | Varian Mat Gmbh | Diffusionsmembran-Anordnung,insbesondere fuer Lecksuchroehren |
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1999
- 1999-10-19 US US09/420,620 patent/US6315820B1/en not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-10-05 EP EP00308786A patent/EP1096026A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-19 JP JP2000319166A patent/JP2001172732A/ja active Pending
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Also Published As
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| US6315820B1 (en) | 2001-11-13 |
| EP1096026A3 (en) | 2005-10-26 |
| EP1096026A2 (en) | 2001-05-02 |
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