JP2001170539A - Film-forming apparatus - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To raise uniformity of a discharge amount of processing liquid supplied onto a surface of a substrate from a supply nozzle in a coating apparatus of, for example, resist liquid. SOLUTION: The resist liquid is sent to a supply nozzle 6 by a bellows pump 8, the resist liquid is discharged onto a surface of a wafer W held almost horizontally by a wafer holling part 2 thus from the supply nozzle 6, and a film of the resist liquid is formed on the surface of the wafer W. In a supply system of the resist liquid, a pressure inside a supply duct 76 of the resist liquid between the bellows pump 8 and the supply nozzle 6 is detected by a pressure- detection part 77, and a pushing amount of a rod 82a of an air cylinder 82 of the bellows pump 8 is controlled by a control part C so that a discharge pressure of the resist liquid from the supply nozzle 6 becomes an almost constant pressure based on the detected value. Since an amount of the resist liquid discharged to the wafer W becomes almost constant thereby, a liquid film of a stabilized film thickness can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板や露光マスク等の被処理基板上に樹脂等
を溶解させたものからなる液体、特にレジスト液を塗布
し、この液体の膜を形成する成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of applying a liquid, especially a resist liquid, made of a resin or the like dissolved on a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer, an LCD substrate or an exposure mask, and forming a film of the liquid. The present invention relates to a film forming apparatus for forming.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基
板の表面に回路パタ−ンを形成するためのマスクは、基
板表面にレジスト液を塗布した後、光、電子線あるいは
イオン線などをレジスト面に照射し、現像することによ
って得られる。このうちレジスト液を塗布する手法とし
てはスピンコーティング法が主流をなしている。この手
法は、例えば図１２に示すように、真空吸着機能を備え
たスピンチャック１１の上に基板例えば半導体ウエハ
（以下「ウエハ」という））Ｗを吸着保持し、ウエハＷ
の中心部にノズル１２からレジスト液１３を滴下した
後、ウエハＷを高速で回転させることにより、レジスト
液１３を回転遠心力によってウエハＷ全体に拡散させ、
ウエハＷの全面に亘って略均一なレジスト液膜を形成す
るというものである。2. Description of the Related Art A mask for forming a circuit pattern on the surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate is formed by applying a resist solution onto a substrate surface and then resisting light, an electron beam or an ion beam. It is obtained by irradiating the surface and developing. Among them, a spin coating method is mainly used as a method of applying a resist liquid. In this method, for example, as shown in FIG. 12, a substrate, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) W is suction-held on a spin chuck 11 having a vacuum suction function, and the wafer W
After the resist solution 13 is dropped from the nozzle 12 to the center of the wafer W, the resist solution 13 is diffused over the entire wafer W by rotating the wafer W by rotating the wafer W at a high speed,
This is to form a substantially uniform resist liquid film over the entire surface of the wafer W.

【０００３】ところで、近年回路パターンの線幅がます
ます微細化する傾向にあり、回路の線幅はレジスト膜の
膜厚と露光波長とに比例することから、レジスト膜の薄
膜化が要求されている。前記スピンコーティング法で
は、ウエハＷの回転速度の高速化を図ることによりレジ
スト膜厚を薄くすることができ、このため例えば８イン
チウエハＷの場合、２００〜４０００ｒｐｍという回転
数で高速回転させるようにしている。In recent years, the line width of circuit patterns has become increasingly finer, and the line width of circuits is proportional to the thickness of the resist film and the exposure wavelength. I have. In the spin coating method, the resist film thickness can be reduced by increasing the rotation speed of the wafer W. For example, in the case of an 8-inch wafer W, the wafer W is rotated at a high rotation speed of 200 to 4000 rpm. ing.

【０００４】しかしながらこのスピンコーティング法で
は、次の様な解決すべき課題がある。先ずこの手法では
ウエハＷが大型化すると外周部での周速度が速くなるの
で、空気の乱流が引き起こされ、この乱流によりレジス
ト膜の膜厚が変動しやすくなり、これが原因となって露
光解像度が低下してしまう。このためこの手法では０．
４μｍ以下の膜厚では一定の塗膜を得ることが困難であ
り、数ギガ程度以上の半導体の製造には自ずと限界があ
る。However, this spin coating method has the following problems to be solved. First, in this method, when the size of the wafer W is increased, the peripheral speed at the outer peripheral portion is increased, so that turbulence of air is caused, and the turbulence tends to change the film thickness of the resist film. The resolution will be reduced. For this reason, in this method, 0.
If the film thickness is less than 4 μm, it is difficult to obtain a uniform coating film, and there is naturally a limit in the production of semiconductors having a thickness of about several giga or more.

【０００５】次にこの手法によれば、レジスト液がウエ
ハＷの中心部から周縁部に向けて拡散していく過程にお
いて、レジスト液に含まれる溶剤が順次蒸発していく。
このため拡散方向に沿ってレジスト液の粘度が異なって
しまい、中心部と周縁部との間で形成されたレジスト膜
の厚さが異なるおそれがある。Next, according to this method, in the process of diffusing the resist solution from the center of the wafer W toward the peripheral portion, the solvent contained in the resist solution evaporates sequentially.
For this reason, the viscosity of the resist liquid varies along the diffusion direction, and the thickness of the resist film formed between the central portion and the peripheral portion may vary.

【０００６】またこの手法では、ウエハＷを高速で回転
させるために、ウエハＷの周縁部から飛散し無駄になる
レジスト液の量が多い。一例によれば、ウエハＷ上に供
給されたレジスト液のうち１０％以下の量しかレジスト
液膜の形成に寄与していないことが分かっている。Further, in this method, since the wafer W is rotated at a high speed, a large amount of the resist solution is scattered from the peripheral portion of the wafer W and wasted. According to one example, it is known that only 10% or less of the resist liquid supplied onto the wafer W contributes to the formation of the resist liquid film.

【０００７】さらにこの手法では、飛散するレジスト液
を受け止めるため、ウエハＷをカップ内で回転させる必
要があるが、このカップに付着したレジスト液がパーテ
ィクルとなってウエハＷを汚染するおそれがあり、この
ためカップを頻繁に洗浄する必要がある。Further, in this method, it is necessary to rotate the wafer W in the cup in order to receive the scattered resist solution. However, the resist solution adhered to the cup may become particles and contaminate the wafer W. This requires frequent cleaning of the cup.

【０００８】さらにまたこの手法では、ウエハＷの回路
形成領域の外側の領域にもレジスト液が塗布されてしま
うが、この領域にレジスト液を残しておくと、後の工程
においてパーティクル発生の原因となるので、この領域
のレジスト液は、レジスト液塗布工程の直後にエッジリ
ムーバと呼ばれる専用の装置によって除去しなくてはな
らない。Further, in this method, the resist solution is also applied to a region outside the circuit formation region of the wafer W. However, if the resist solution is left in this region, it may cause the generation of particles in a later process. Therefore, the resist liquid in this region must be removed by a dedicated device called an edge remover immediately after the resist liquid coating step.

【０００９】このため本発明者らは、スピンコーティン
グ法に代わる手法として、例えば図１３に実線で示すよ
うに、例えばレジスト液１３をウエハＷ表面に吐出する
ためのノズルとウエハＷとを相対的に、Ｙ方向に所定ピ
ッチづつ間欠送りしながらＸ方向に往復させ、いわゆる
一筆書きの要領で、ウエハＷに対してレジスト液１３の
塗布を行う手法（以下「一筆書き方式」という）を検討
している。この際ウエハＷに回路形成領域１４の外側の
領域を覆うマスク部材を被せることにより、前記回路形
成領域１４のみにレジスト液の塗布を行うようにしてい
る。For this reason, as an alternative to the spin coating method, for example, as shown by a solid line in FIG. 13, for example, a nozzle for discharging a resist solution 13 onto the surface of the wafer W and a wafer W are relatively moved. Next, a method of applying the resist liquid 13 to the wafer W in a so-called one-stroke manner by reciprocating in the X-direction while intermittently feeding at a predetermined pitch in the Y-direction (hereinafter referred to as a "single-stroke writing method") is studied. ing. At this time, a resist member is applied only to the circuit formation region 14 by covering the wafer W with a mask member covering an area outside the circuit formation region 14.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで従来スピンコ
ーティング法を採用したレジスト液の塗布装置では、図
１４に示すように、レジスト液貯留タンク１５内のレジ
スト液１３をベローズポンプ１６等の押圧式ポンプによ
り流路内に送り出し、フィルタ１７等を介して、前記供
給ノズル１１を通してウエハＷ表面に供給している。By the way, in a conventional resist coating apparatus employing the spin coating method, as shown in FIG. 14, a resist pump 13 such as a bellows pump 16 or the like pumps a resist buffer 13 in a resist reservoir tank 15. And is supplied to the surface of the wafer W through the supply nozzle 11 via the filter 17 and the like.

【００１１】この際前記ベローズポンプ１６に、例えば
ウエハＷ５枚分のレジスト液１３を貯めておき、ここか
ら１枚分のレジスト液１３を押し出して、ノズル１１を
介してウエハＷ表面に供給するようにしていた。At this time, for example, the resist solution 13 for five wafers W is stored in the bellows pump 16, and one resist solution 13 is pushed out from this and supplied to the surface of the wafer W via the nozzle 11. I was

【００１２】しかしながらこのようなレジスト液１３の
供給系をそのまま前記一筆書き方式のコーティング法に
採用した場合、次のような問題の発生が考えられる。つ
まりスピンコーティング法では、ノズル１１からウエハ
Ｗにレジスト液を吐出している時間は１〜４秒程度であ
るのに対し、一筆書き方式ではノズルをウエハＷ全体に
亘ってＸＹ方向に相対的に移動させ、この間レジスト液
１３を吐出し続けているので、吐出時間が例えば１分程
度とかなり長くなる。However, when such a supply system of the resist solution 13 is employed as it is in the one-stroke writing coating method, the following problems may occur. That is, in the spin coating method, the time during which the resist liquid is discharged from the nozzle 11 to the wafer W is about 1 to 4 seconds, whereas in the one-stroke writing method, the nozzle is relatively moved in the XY directions over the entire wafer W. Since the liquid is moved and the resist liquid 13 is continuously discharged during this time, the discharge time becomes considerably long, for example, about 1 minute.

【００１３】ここでノズル１１からのレジスト液１３の
吐出圧はそのままウエハＷに供給されるレジスト液の液
量に影響するので、膜厚の均一化を図るためには、レジ
スト液の吐出圧をほぼ一定に保つことが要求される。し
かしながら一筆書き方式のコーティング法では、既述の
ように吐出時間がかなり長くなるので、レジスト液をウ
エハＷに供給している間中、一定の吐出圧を維持するこ
とは困難であり、これが原因となってウエハＷに供給さ
れるレジスト液１３の液量にばらつきが生じ、結果とし
てレジスト膜の膜厚の均一性が悪化するおそれがある。Here, the discharge pressure of the resist solution 13 from the nozzle 11 directly affects the amount of the resist solution supplied to the wafer W. Therefore, in order to make the film thickness uniform, the discharge pressure of the resist solution 13 must be reduced. It is required to keep it almost constant. However, in the one-stroke coating method, the discharge time is considerably long as described above, and it is difficult to maintain a constant discharge pressure while the resist solution is supplied to the wafer W. As a result, the amount of the resist solution 13 supplied to the wafer W varies, and as a result, the uniformity of the thickness of the resist film may be deteriorated.

【００１４】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、供給ノズルから基板に吐出され
る処理液の吐出量のばらつきを抑えることにより、安定
した膜厚を得ることができる成膜装置を提供することに
ある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to obtain a stable film thickness by suppressing a variation in a discharge amount of a processing liquid discharged from a supply nozzle onto a substrate. It is an object of the present invention to provide a film forming apparatus capable of forming a film.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
基板保持部に略水平に保持された基板の表面に、供給ノ
ズルから処理液を吐出し、この基板表面に処理液の液膜
を形成する成膜装置において、前記処理液を前記供給ノ
ズルに送液するための、ポンプ本体と押圧部材とを備
え、押圧部材を引くことにより上流側からポンプ本体内
に処理液が送り込まれ、押圧部材を押圧することにより
ポンプ本体から下流側に処理液が送り出され、押圧部材
の押圧量により下流側に送り出される処理液の量が調整
される押圧式ポンプと、前記押圧式ポンプと供給ノズル
との間の処理液の流路内の圧力を検出する圧力検出部
と、前記圧力検出部からの検出値に基づいて前記押圧式
ポンプの押圧部材の押圧量を制御する制御部と、を備
え、前記押圧式ポンプと供給ノズルの間との処理液の流
路内の圧力に基づいて前記押圧式ポンプの押圧部材の押
圧量を制御し、前記供給ノズルから基板表面に供給され
る処理液の吐出量を制御することを特徴とする。Therefore, in the present invention,
In a film forming apparatus for discharging a processing liquid from a supply nozzle onto a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding unit and forming a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate, the processing liquid is sent to the supply nozzle. A pump body and a pressing member for liquid supply are provided, and the processing liquid is sent into the pump body from the upstream side by pulling the pressing member, and the processing liquid is sent out from the pump body to the downstream side by pressing the pressing member. A pressurized pump in which the amount of the processing liquid sent to the downstream side is adjusted by a pressing amount of the pressing member, and a pressure detection for detecting a pressure in a flow path of the processing liquid between the pressurized pump and the supply nozzle. And a control unit for controlling a pressing amount of a pressing member of the pressing pump based on a detection value from the pressure detecting unit, and a flow path of a processing liquid between the pressing pump and a supply nozzle. Based on the pressure within Controlling the pressing amount of the pressing member of the pressing pump, and controlling the discharge amount of the treatment liquid supplied from the supply nozzle to the substrate surface.

【００１６】このような構成では、前記押圧式ポンプと
供給ノズルの間との処理液の流路内の圧力に基づいて前
記供給ノズルから基板表面に供給される処理液の吐出圧
がほぼ一定になるように前記押圧式ポンプの押圧部材の
押圧量を制御しているので、前記処理液の吐出量が処理
の間中揃えられ、安定した膜厚の液膜を形成することが
できる。In such a configuration, the discharge pressure of the processing liquid supplied to the substrate surface from the supply nozzle based on the pressure in the flow path of the processing liquid between the pressing pump and the supply nozzle becomes substantially constant. Since the pressing amount of the pressing member of the pressing pump is controlled so that the discharge amount of the processing liquid is uniform during the processing, a liquid film having a stable film thickness can be formed.

【００１７】また本発明では、前記押圧式ポンプの押圧
部材の押圧量を検出するための変位計と、前記変位計か
らの検出値に基づいてアラーム発生部の動作を制御する
制御部と、を備え、前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧
量が予め設定された基準範囲から外れたときに前記アラ
ーム発生部を作動させるように成膜装置を構成するよう
にしてもよく、この場合には供給ノズルの目詰まり等の
異常を早期に検知することができ、適切な対応措置をと
ることができて、再び安定した液膜の形成を行うまでの
復帰時間が短くて済む。Further, in the present invention, a displacement meter for detecting a pressing amount of a pressing member of the pressing pump, and a control unit for controlling an operation of an alarm generating unit based on a detection value from the displacement meter are provided. The film forming apparatus may be configured to operate the alarm generating unit when the pressing amount of the pressing member of the pressing pump deviates from a preset reference range. An abnormality such as nozzle clogging can be detected at an early stage, an appropriate countermeasure can be taken, and a recovery time until a stable liquid film is formed again can be shortened.

【００１８】さらに本発明では、前記押圧式ポンプの押
圧部材の押圧量を検出するための変位計と、前記供給ノ
ズルを洗浄するための洗浄部と、前記供給ノズルを前記
洗浄部まで移動させる駆動機構と、前記変位計からの検
出値に基づいて前記駆動機構の動作を制御する制御部
と、を備え、前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量が予
め設定された基準範囲から外れたときに、前記供給ノズ
ルを前記駆動機構により洗浄部まで移動させ、供給ノズ
ルの洗浄を行うように成膜装置を構成するようにしても
よく、この場合には供給ノズルの目詰まり等の異常が発
生したときに、作業者の手を煩わせることなく速やかに
供給ノズルの洗浄を行うことができる。Further, according to the present invention, a displacement gauge for detecting a pressing amount of a pressing member of the pressing pump, a cleaning unit for cleaning the supply nozzle, and a drive for moving the supply nozzle to the cleaning unit. Mechanism, and a control unit that controls the operation of the drive mechanism based on the detection value from the displacement meter, when the pressing amount of the pressing member of the pressing pump deviates from a predetermined reference range. The supply nozzle may be moved to a cleaning unit by the drive mechanism, and the film forming apparatus may be configured to perform cleaning of the supply nozzle. In this case, an abnormality such as clogging of the supply nozzle has occurred. Sometimes, the supply nozzle can be quickly cleaned without bothering the operator.

【００１９】さらにまた本発明では、前記供給ノズル
を、前記処理液の流路と、前記処理液の流路に接続さ
れ、処理液を細径の線状に吐出するための吐出孔と、前
記処理液の流路を塞ぐように設けられ、処理液から気泡
等を除去するためのフィルタと、を備えるように構成し
てもよく、この場合には前記気泡の存在が原因となる処
理液の吐出圧の変動等が抑えられ、基板に対して安定し
た処理液の供給を行うことができ、液膜の膜厚の均一性
の向上を図ることができる。この際前記フィルタは、多
孔質の樹脂より構成することが望ましい。Still further, in the present invention, the supply nozzle is connected to a flow path of the processing liquid, and a discharge hole for discharging the processing liquid in a linear shape having a small diameter, A filter for removing air bubbles and the like from the processing liquid, which may be provided so as to close the flow path of the processing liquid, and in this case, the processing liquid may be removed due to the presence of the air bubbles. Fluctuations in the discharge pressure and the like can be suppressed, the processing liquid can be supplied stably to the substrate, and the uniformity of the liquid film thickness can be improved. At this time, it is desirable that the filter is made of a porous resin.

【００２０】ここで本発明は、前記基板保持部と供給ノ
ズルとを、基板の面方向に沿って相対的に駆動させなが
ら、供給ノズルから処理液を吐出し、この基板表面に処
理液の液膜を形成するタイプの成膜装置に適用すること
ができる。In the present invention, the processing liquid is discharged from the supply nozzle while the substrate holding unit and the supply nozzle are relatively driven along the surface direction of the substrate, and the processing liquid is discharged onto the surface of the substrate. The present invention can be applied to a film forming apparatus of a type for forming a film.

【００２１】また本発明は、粘度の高い処理液とこの処
理液の溶剤とを混合して粘度の低い処理液を調整するた
めの混合槽を備え、この混合槽内の粘度が調整された処
理液を前記押圧式ポンプにより供給ノズルに送液するよ
うにしてもよく、この場合には粘度の制限を設けること
なく、粘度の高い処理液を用いることができるので、汎
用性が高められる。ここで処理液の例としてはレジスト
液が挙げられる。Further, the present invention comprises a mixing tank for adjusting a low-viscosity processing liquid by mixing a high-viscosity processing liquid and a solvent for the processing liquid, and the processing liquid having an adjusted viscosity in the mixing tank. The liquid may be sent to the supply nozzle by the pressurized pump. In this case, a high-viscosity treatment liquid can be used without limiting the viscosity, so that the versatility is improved. Here, an example of the processing liquid includes a resist liquid.

【００２２】[0022]

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る成膜装置を、
被処理基板をなす半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う）にレジスト液塗布するレジスト液塗布装置に適用し
た実施の形態の構成を示す縦断面図であり、図２はその
平面図を示すものである。FIG. 1 shows a film forming apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a configuration of an embodiment applied to a resist liquid applying apparatus for applying a resist liquid to a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) as a substrate to be processed, and FIG. 2 is a plan view thereof. .

【００２３】図１及び図２中２は、基板保持部をなすウ
エハ保持体であり、このウエハ保持体２は、フレーム３
内にＹ方向に移動可能に保持されている。フレーム３
は、例えば上方に解放するチャンネル状に形成された部
材であって、Ｙ方向に長尺に形成されており、Ｙ方向一
端側はレジスト液の塗布が行われるレジスト液塗布部
Ｒ、他端側はウエハＷの受け渡しを行うウエハロード・
アンロード部Ｌとして構成されている。またフレーム３
は、前記レジスト液塗布部Ｒとウエハロード・アンロー
ド部Ｌとに亘って延設された一対のＹレール３１を備え
ており、前記ウエハ保持体２は、このＹレール３１上に
Ｙスライダ３２を介してＹ方向に移動自在に保持され、
Ｙ駆動モータ３３によりボールねじ３４を回転させるこ
とでナット３５を介してＹ方向に位置決め自在に駆動さ
れるようになっている。1 and 2, reference numeral 2 denotes a wafer holder which forms a substrate holder, and the wafer holder 2 comprises a frame 3
Is held movably in the Y direction. Frame 3
Is a member formed in a channel shape that is opened upward, for example, is formed to be long in the Y direction, and one end side in the Y direction is a resist liquid application section R on which a resist liquid is applied, and the other end side Is a wafer load
It is configured as an unload section L. Also frame 3
Is provided with a pair of Y rails 31 extending over the resist coating section R and the wafer loading / unloading section L. The wafer holder 2 is provided with a Y slider 32 on the Y rail 31. Is held movably in the Y direction via
When the ball screw 34 is rotated by the Y drive motor 33, the ball screw 34 is driven via the nut 35 so as to be freely positioned in the Y direction.

【００２４】前記ウエハ保持体２は、カップ状に形成さ
れた本体２１と、前記ウエハＷを保持するウエハ吸着テ
ーブル２２とを有し、前記本体２１は、前記ウエハＷの
下面に対向する位置に溶剤（シンナー溶液）を貯留する
ための液溜めチャンネル２３を備えており、この液溜め
チャンネル２３内に、液温及び液面高さコントロールさ
れた溶剤を満たし、この溶剤を蒸発させることによって
ウエハＷの周囲を所定濃度の溶剤雰囲気に保つようにな
っている。The wafer holder 2 has a main body 21 formed in a cup shape and a wafer suction table 22 for holding the wafer W. The main body 21 is located at a position facing the lower surface of the wafer W. A liquid reservoir channel 23 for storing a solvent (thinner solution) is provided. The liquid reservoir channel 23 is filled with a solvent whose liquid temperature and liquid level are controlled, and the solvent is evaporated to thereby form a wafer W. Is kept in a solvent atmosphere of a predetermined concentration.

【００２５】またウエハ吸着テーブル２２は、上面にウ
エハＷを保持する保持部２４を備えており、この保持部
２４には図示しない真空装置が接続されていて、ウエハ
Ｗを真空チャッキングできるようになっている。また保
持部２４はＺθ駆動機構２５に接続されており、前記ウ
エハＷ保持体２が、ウエハロード・アンロード部Ｌに移
動した際に、Ｚ位置決め・ノッチ合わせ部２６がＺθ駆
動機構２５を作動させ、ウエハＷの受け渡しを行うため
のＺ方向動作と、ノッチ合わせを行うためのθ動作を行
わせるようになっている。さらにウエハ吸着テーブル２
２には、図示しないアジテーション発生部に接続され、
吸着保持したウエハＷを振動させるための超音波振動子
２７が固定されている。The wafer suction table 22 has a holding portion 24 for holding the wafer W on its upper surface, and a vacuum device (not shown) is connected to the holding portion 24 so that the wafer W can be vacuum chucked. Has become. The holding unit 24 is connected to a Zθ driving mechanism 25. When the wafer W holder 2 moves to the wafer loading / unloading unit L, the Z positioning / notch aligning unit 26 activates the Zθ driving mechanism 25. Then, a Z-direction operation for transferring the wafer W and a θ operation for notch alignment are performed. Further, a wafer suction table 2
2 is connected to an agitation generator (not shown),
An ultrasonic vibrator 27 for vibrating the wafer W held by suction is fixed.

【００２６】さらにまた本体２１の底面の、前記ウエハ
吸着テーブル２２（ウエハＷ）を囲む四隅には、この本
体２１内の気流を制御するための、図示しない排気装置
に接続された４つの強制排気口２８ａ〜２８ｄが形成さ
れている。これら強制排気口２８ａ〜２８ｄからの排気
流量は、夫々個別に制御されるようになっており、例え
ば２つの排気口２８ａ、２８ｂのみから排気を行わせる
ことにより、本体２１中に一方向に偏った微弱な気流を
生じさせ、このことにより塗布したレジスト液から揮発
した溶剤の流れを制御し、これにより溶剤の過度の揮発
を抑制するようになっている。Further, at four corners of the bottom surface of the main body 21 surrounding the wafer suction table 22 (wafer W), four forced exhausts connected to an exhaust device (not shown) for controlling the air flow in the main body 21 are provided. Ports 28a to 28d are formed. The exhaust flow rates from the forced exhaust ports 28a to 28d are individually controlled. For example, by performing exhaust from only the two exhaust ports 28a and 28b, the exhaust flow is biased in one direction in the main body 21. Then, a weak air flow is generated, thereby controlling the flow of the solvent volatilized from the applied resist solution, thereby suppressing excessive volatilization of the solvent.

【００２７】またこのウエハ保持体２内には、マスク部
材４をウエハＷの直上で保持すると共に、このマスク部
材４を図２に矢印Ａで示す方向（Ｘ方向）に駆動し、こ
のウエハ保持体２内から挿脱するためのマスク部材駆動
機構４１が設けられている。マスク部材４は、図３に示
すように、ウエハＷの回路形成領域４０以外の領域を覆
い、レジスト液がウエハＷの周縁部に塗布されてしまう
のを防止するためのものであり、前記マスク部材駆動機
構４１は、レジスト液で汚れたマスク部材４を図２に矢
印Ａで示すように前記ウエハ保持体２及びフレーム３に
設けられた挿脱通路２０，３０を通してこのレジスト塗
布装置から取り出し、この図に４２で示すマスク部材洗
浄装置に搬送するものである。なお図３中４３は、ウエ
ハＷに形成されたノッチである。In the wafer holder 2, a mask member 4 is held just above the wafer W, and the mask member 4 is driven in a direction (X direction) indicated by an arrow A in FIG. A mask member driving mechanism 41 for inserting and removing from the body 2 is provided. As shown in FIG. 3, the mask member 4 covers an area other than the circuit formation area 40 of the wafer W to prevent the resist solution from being applied to the peripheral portion of the wafer W. The member driving mechanism 41 takes out the mask member 4 contaminated with the resist solution from the resist coating apparatus through the insertion / removal passages 20 and 30 provided in the wafer holder 2 and the frame 3 as shown by an arrow A in FIG. It is transported to a mask member cleaning device indicated by reference numeral 42 in FIG. In FIG. 3, reference numeral 43 denotes a notch formed on the wafer W.

【００２８】図中５は、前記ウエハ保持体２の上方を覆
うようにフレーム３に設けられた温度調節機能付き天板
であって、例えば線状のヒータ５１が埋設され、所定の
温度で発熱するように構成されている。これにより天板
５は、前記ウエハＷの周囲に満たされた溶剤雰囲気を維
持・コントロールする機能と、後述する供給ノズル６を
加熱し、このノズル６の目詰まりや吐出されたレジスト
液流の「切れ」を防止する機能を有する。In the drawing, reference numeral 5 denotes a top plate with a temperature control function provided on the frame 3 so as to cover the upper part of the wafer holder 2, for example, a linear heater 51 is buried therein and generates heat at a predetermined temperature. It is configured to be. Accordingly, the top plate 5 has a function of maintaining and controlling the solvent atmosphere filled around the wafer W, and heats a supply nozzle 6 to be described later. It has a function to prevent "cut".

【００２９】前記天板５は、前記レジスト液塗布部Ｒの
部分のみに、前記ウエハ保持体２をＹ方向に最大限移動
させた場合であってもこのウエハ保持体２を覆い続けら
れる程度にウエハ保持体２を覆うようになっている。ま
た天板５のＹ方向中途部には、供給ノズル６のＸ方向移
動を許容するためのスリット５２が形成されており、こ
のスリット５２はウエハＷの幅に対応する長さでかつ前
記供給ノズル６の挿通を許容する幅で設けられている。The top plate 5 is positioned so that it can continue to cover the wafer holder 2 only in the resist liquid application section R even when the wafer holder 2 is moved to the maximum in the Y direction. The wafer holder 2 is covered. A slit 52 for allowing the supply nozzle 6 to move in the X direction is formed in the middle of the top plate 5 in the Y direction. The slit 52 has a length corresponding to the width of the wafer W and 6 are provided with a width that allows insertion.

【００３０】前記供給ノズル６は、前記フレーム３の上
端部にＸ方向に沿って架設されたリニアスライド機構５
３によって保持されている。このリニアスライド機構５
３は、Ｘレール５４と、このＸレール５４にスライド自
在に設けられたスライダ５５と、このスライダ５５を駆
動させるためのボールねじ５６と、このボールねじ５６
を回転駆動するＸ駆動モータ５７とを備えており、前記
供給ノズル６は、前記スライダ５５によって、前記天板
５のスリット５２に対応する位置に保持され、その下端
部をこのスリット５２を通してウエハ保持体２内に延出
させている。前記Ｘ駆動モータ５７及び前記Ｙ駆動モー
タ３３は、ノズル・ウエハ駆動部３６により同期をとっ
て作動されるように構成されており、前記供給ノズル６
をウエハＷの所定の経路に対向させつつ移動させるよう
になっている。The supply nozzle 6 is a linear slide mechanism 5 that is installed at the upper end of the frame 3 along the X direction.
3. This linear slide mechanism 5
3 is an X rail 54, a slider 55 slidably provided on the X rail 54, a ball screw 56 for driving the slider 55, and a ball screw 56
The supply nozzle 6 is held by the slider 55 at a position corresponding to the slit 52 of the top plate 5, and the lower end of the supply nozzle 6 is held through the slit 52. It extends into the body 2. The X drive motor 57 and the Y drive motor 33 are configured to be operated synchronously by the nozzle / wafer drive unit 36, and the supply nozzle 6
Is moved while facing a predetermined path of the wafer W.

【００３１】次に前記供給ノズル６におけるレジスト液
の供給系について図４により説明する。図中７１は、例
えば粘度の高いレジスト液７０を貯留するための高粘度
レジスト液槽であり、７２はレジスト液の溶剤例えばシ
ンナー溶液を貯留するための溶剤槽であって、これら高
粘度レジスト液槽７１内の粘度の高いレジスト液と、溶
剤槽７２内のシンナー溶液は夫々ポンプＰ１，Ｐ２によ
り混合槽７３に送液され、次いで混合槽７３の下流側の
バッファ槽７４にポンプＰ３により送液されるように構
成されている。Next, the supply system of the resist liquid in the supply nozzle 6 will be described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 71 denotes a high-viscosity resist solution tank for storing, for example, a high-viscosity resist solution 70, and 72 denotes a solvent tank for storing a solvent for the resist solution, for example, a thinner solution. The high-viscosity resist solution in the tank 71 and the thinner solution in the solvent tank 72 are sent to the mixing tank 73 by pumps P1 and P2, respectively, and then sent to the buffer tank 74 downstream of the mixing tank 73 by the pump P3. It is configured to be.

【００３２】前記混合槽７３は、所定量の粘度の高いレ
ジスト液と、所定量のシンナー溶液とを混合して所定粘
度のレジスト液を調整するための槽であり、撹拌機構を
備えている。バッファ槽７４内のレジスト液は押圧式ポ
ンプ例えばベローズポンプ８により、フィルタ装置７５
を介して供給ノズル６に送られ、このノズル６の後述す
る吐出孔６０から吐出されるように構成されており、こ
れらバッファ槽７４，フィルタ装置７５，供給ノズル６
は供給流路７６により接続されている。The mixing tank 73 is a tank for mixing a predetermined amount of a high-viscosity resist solution and a predetermined amount of a thinner solution to adjust a predetermined-viscosity resist solution, and has a stirring mechanism. The resist solution in the buffer tank 74 is filtered by a pressurizing pump, for example, a bellows pump 8 to a filter device 75.
Is supplied to the supply nozzle 6 through the nozzle 6 and is discharged from a discharge hole 60 of the nozzle 6 to be described later. The buffer tank 74, the filter device 75, and the supply nozzle 6
Are connected by a supply channel 76.

【００３３】本発明ではバッファ槽７４の下流側に設け
られたベローズポンプ８のロッドの押圧量を調整するこ
とにより供給ノズル６から吐出されるレジスト液の吐出
圧を制御することに特徴があり、先ずベローズポンプ８
について説明する。このポンプは例えば図５に示すよう
に、たわみ管８１と、エアシリンダ８２と、送液部８３
とを備えている。たわみ管８１は軟質の樹脂で作られた
伸縮自在な蛇腹であり、たわみ管８１の一端側は送液部
８３のフランジ８３ａに締結され、他端側は盲板８４の
フランジ８４ａを介して押圧部材をなすエアシリンダ８
２のロッド８２ａに接続されていて、エアシリンダ８２
は、制御部Ｃによって制御される圧縮エア供給源８０に
連通されている。The present invention is characterized in that the discharge pressure of the resist liquid discharged from the supply nozzle 6 is controlled by adjusting the pressing amount of the rod of the bellows pump 8 provided on the downstream side of the buffer tank 74. First, bellows pump 8
Will be described. As shown in FIG. 5, for example, the pump includes a flexible pipe 81, an air cylinder 82, and a liquid feeding section 83.
And The flexible tube 81 is an elastic bellows made of a soft resin, and one end of the flexible tube 81 is fastened to the flange 83 a of the liquid supply unit 83, and the other end is pressed via the flange 84 a of the blind plate 84. Air cylinder 8 as a member
2 of the air cylinder 82
Is connected to a compressed air supply source 80 controlled by the control unit C.

【００３４】送液部８３は、液溜め部８５と、液溜め部
８５の上流側と下流側に夫々設けられた１対のボールバ
ルブ８６ａ，８６ｂとを備えており、上流側ボールバル
ブ８６ａ及び下流側ボールバルブ８６ｂは、夫々セラミ
ックなどからなる硬質ボール８７ａ，８７ｂと、ストッ
パ８８ａ，８８ｂとを備えている。The liquid feeding section 83 includes a liquid reservoir 85 and a pair of ball valves 86a and 86b provided on the upstream and downstream sides of the liquid reservoir 85, respectively. The downstream ball valve 86b includes hard balls 87a and 87b made of ceramic or the like, and stoppers 88a and 88b, respectively.

【００３５】図５(a)に示すように、ロッド８２ａを引
いてたわみ管８１を伸ばすと、上流側のボールバルブ８
６ａが開き、液溜め部８５内に液が吸い込まれ、図５
(b)に示すように、ロッド８２ａを押圧してたわみ管８
１を縮めると、上流側ボールバルブ８６ａは閉じ、下流
側ボールバルブ８６ｂが開き、液溜め部８５から下流側
に液が押し出される。つまりこの例ではたわみ管８１を
伸ばしたときにバッファ槽７４からレジスト液が流れ込
み、たわみ管８１を縮めると供給ノズル６に向けてレジ
スト液が送液される。As shown in FIG. 5 (a), when the flexible pipe 81 is extended by pulling the rod 82a, the ball valve 8 on the upstream side is bent.
6a is opened, the liquid is sucked into the liquid reservoir 85, and FIG.
As shown in (b), the flexible pipe 8 is pressed by pushing the rod 82a.
When 1 is contracted, the upstream ball valve 86a closes, the downstream ball valve 86b opens, and the liquid is pushed out from the liquid reservoir 85 to the downstream side. That is, in this example, when the flexible pipe 81 is extended, the resist liquid flows from the buffer tank 74, and when the flexible pipe 81 is contracted, the resist liquid is sent toward the supply nozzle 6.

【００３６】またこの例のべローズポンプ８はたわみ管
８１と液溜め部８５に５枚のウエハＷにレジスト液を塗
布する場合に必要なレジスト液の液量以上の量のレジス
ト液が貯留され、エアシリンダ８２のロッド８２ａのス
トローク量（押圧量）Ｌにより、液溜め部８５から下流
側に押し出されるレジスト液の液量が制御されるように
なっている。この例ではたわみ管８１と液溜め部８５と
がポンプ本体に相当する。In the bellows pump 8 of this embodiment, the flexible pipe 81 and the liquid reservoir 85 store a resist liquid in an amount equal to or larger than the amount of the resist liquid necessary for applying the resist liquid to the five wafers W. The amount of resist liquid pushed out from the liquid reservoir 85 to the downstream side is controlled by the stroke amount (pressing amount) L of the rod 82a of the air cylinder 82. In this example, the flexible pipe 81 and the liquid reservoir 85 correspond to a pump body.

【００３７】続いて供給ノズル６について図６により説
明する。この供給ノズル６は、例えば上側が閉じられ、
下側が開口する円筒型の例えばポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＴＦＥ）により形成された上側部材６１と、上
側が開口し、下側が閉じられた円筒型の例えばＰＴＦＥ
により形成された下側部材６２とを組み合わせて構成さ
れており、夫々の部材６１，６２は所定の位置にねじ切
り部６３が形成されていて上側部材６１の外側から下側
部材６２が螺合されるようになっている。Next, the supply nozzle 6 will be described with reference to FIG. This supply nozzle 6 is closed, for example, on the upper side,
An upper member 61 formed of, for example, polyethylene terephthalate (PTFE) having a lower opening and a cylindrical opening having an upper opening and a lower closing, for example.
The lower member 62 is formed by combining the lower member 62 with a threaded portion 63 formed at a predetermined position, and the lower member 62 is screwed from the outside of the upper member 61. It has become so.

【００３８】また上側部材６１の上面には前記フィルタ
装置７５よりのレジスト液を当該供給ノズル６に供給す
るための供給流路７６の一端側が接続されており、下端
側には開口部を塞ぐように、例えば厚さ０．５ｍｍ程度
の樹脂例えばＰＴＦＥ膜よりなるフィルタ６４が設けら
れている。The upper surface of the upper member 61 is connected to one end of a supply channel 76 for supplying the resist solution from the filter device 75 to the supply nozzle 6, and the lower end of the supply channel 76 is closed. Is provided with a filter 64 made of a resin such as a PTFE film having a thickness of about 0.5 mm, for example.

【００３９】ここで前記ＰＴＦＥ膜は多数の微小な孔を
有する多孔質の膜であるのでフィルタ６４として用いる
ことができ、この例では例えば０．０５μｍ〜１０μｍ
程度、特に５μｍ程度の孔径を有するＰＴＦＥ膜を用い
ることが望ましい。これにより後述するように、レジス
ト液に含まれる例えば５μｍ程度の大きさの気泡の透過
を妨げ、レジスト液のみを透過させることができる。Since the PTFE film is a porous film having a large number of fine holes, it can be used as the filter 64. In this example, for example, 0.05 μm to 10 μm
It is preferable to use a PTFE membrane having a pore size of about 5 μm. As a result, as described later, it is possible to prevent the transmission of bubbles having a size of, for example, about 5 μm contained in the resist solution and to allow only the resist solution to pass.

【００４０】下側部材６２にはねじ切り部６３が形成さ
れている位置より直ぐ下側にフィルタ６４の形状に相当
する段部６５が形成されており、前記フィルタ６４は上
側部材６１の下端側と下側部材６２の段部６５とに挟ま
れた状態で固定されている。さらに下側部材６２の下面
にはレジスト液をウエハＷ上に供給するための例えば口
径１０μｍ〜２００μｍ程度の大きさの吐出孔６０が形
成されている。A step 65 corresponding to the shape of the filter 64 is formed on the lower member 62 immediately below the position where the threaded portion 63 is formed. The filter 64 is connected to the lower end of the upper member 61. The lower member 62 is fixed while being sandwiched between the step 65 and the lower member 62. Further, on the lower surface of the lower member 62, an ejection hole 60 having a diameter of, for example, about 10 μm to 200 μm for supplying a resist solution onto the wafer W is formed.

【００４１】これにより当該供給ノズル６に供給流路７
６を介して供給されたレジスト液は、上側部材６１と下
側部材６２との内側に形成された流路６６内を、この流
路６６を塞ぐように設けられたフィルタ６４を通過し
て、吐出孔６０を介してウエハＷ上に吐出されることに
なる。As a result, the supply flow path 7 is connected to the supply nozzle 6.
The resist solution supplied through 6 passes through a filter 66 provided to close the flow path 66 in a flow path 66 formed inside the upper member 61 and the lower member 62, The liquid is discharged onto the wafer W through the discharge holes 60.

【００４２】またこの例では例えばフィルタ装置７５と
供給ノズル６との間の供給流路７６内の圧力を例えばダ
イヤフラム型ひずみ検出方式の圧力検出部７７より検出
し、この検出値に基づいて制御部Ｃにより圧縮エア源８
０を介して前記ベローズポンプ８のエアシリンダ８２の
ロッド８２ａの押圧量（ストローク量）Ｌが調整される
ようになっている。In this example, for example, the pressure in the supply channel 76 between the filter device 75 and the supply nozzle 6 is detected by, for example, a pressure detector 77 of a diaphragm type strain detection system, and the control unit is controlled based on the detected value. Compressed air source 8 by C
0, the pressing amount (stroke amount) L of the rod 82a of the air cylinder 82 of the bellows pump 8 is adjusted.

【００４３】また前記エアシリンダ８２のロッド８２ａ
のストローク量Ｌは例えば光を利用した変位計７８によ
り検出され、この検出値に基づいて制御部Ｃによりアラ
ーム発生部７９の動作が制御されるようになっている。The rod 82a of the air cylinder 82
Is detected by, for example, a displacement meter 78 using light, and the operation of the alarm generating section 79 is controlled by the control section C based on the detected value.

【００４４】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。先ずウエハ保持体２をウエハロード・アンロード部
Ｌに位置させ、保持部２４を昇降させることにより図示
しないウエハ搬送用のメインアームからウエハ吸着テー
ブル２２にウエハＷを受け渡し、ウエハＷを吸着保持す
る。続いてノッチ合わせ部２６によりウエハＷのノッチ
合わせを行った後、保持部２４を下降させてウエハＷを
ウエハ保持体２内に収容する。次いでウエハ保持体２を
レジスト液塗布部Ｒに位置させ、マスク部材駆動機構４
１によりマスク部材４をウエハ上で保持する。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the wafer holding body 2 is positioned at the wafer loading / unloading section L, and the holding section 24 is moved up and down to transfer the wafer W from the wafer transfer main arm (not shown) to the wafer suction table 22 to hold the wafer W by suction. . Subsequently, after the notch alignment of the wafer W is performed by the notch alignment unit 26, the holding unit 24 is lowered to accommodate the wafer W in the wafer holder 2. Next, the wafer holder 2 is positioned at the resist liquid application section R, and the mask member driving mechanism 4
1 holds the mask member 4 on the wafer.

【００４５】一方レジスト液の供給系では、高粘度レジ
スト液槽７１内の例えば粘度が０．０５Ｐａ・Ｓ程度の
レジスト液（高粘度レジスト液）及び、溶剤槽７２内の
シンナー溶液は、夫々ポンプＰ１，Ｐ２により所定の液
量で混合槽７３に送液され、ここで両者が混合されて、
所定の粘度例えば粘度が０．００３Ｐａ・Ｓ程度のレジ
スト液（低粘度レジスト液）７０が調整される。そして
この混合槽７３内のレジスト液７０はポンプＰ３により
バッファ槽７４に送液され、ここに貯留される。On the other hand, in the resist liquid supply system, the resist liquid (high-viscosity resist liquid) having a viscosity of, for example, about 0.05 Pa · S in the high-viscosity resist liquid tank 71 and the thinner solution in the solvent tank 72 are pumped, respectively. A predetermined amount of liquid is sent to the mixing tank 73 by P1 and P2, where both are mixed,
A resist solution (low-viscosity resist solution) 70 having a predetermined viscosity, for example, a viscosity of about 0.003 Pa · S is prepared. Then, the resist solution 70 in the mixing tank 73 is sent to the buffer tank 74 by the pump P3 and stored therein.

【００４６】バッファ槽７４内のレジスト液７０はベロ
ーズポンプ８のエアシリンダ８２のロッド８２ａを所定
量引き、たわみ管８１を所定の長さに伸ばすことによ
り、例えばウエハ５枚分の塗布に用いられるレジスト液
７０の液量がたわみ管８１と液溜め部８５に送り込ま
れ、ここに貯留される。次いで前記エアシリンダ８２の
ロッド８２ａを所定の押圧量で押圧することにより、ポ
ンプ８内のレジスト液７０をフィルタ装置７５を介して
供給ノズル６に送り、この供給ノズル６の吐出孔６０か
らウエハＷ表面に所定の吐出圧で吐出する。The resist solution 70 in the buffer tank 74 is used for coating, for example, five wafers by pulling a rod 82a of the air cylinder 82 of the bellows pump 8 by a predetermined amount and extending the flexible tube 81 to a predetermined length. The amount of the resist solution 70 is sent to the flexible tube 81 and the liquid reservoir 85 and stored therein. Next, the resist liquid 70 in the pump 8 is sent to the supply nozzle 6 through the filter device 75 by pressing the rod 82a of the air cylinder 82 by a predetermined pressing amount, and the wafer W is discharged from the discharge hole 60 of the supply nozzle 6. Discharge is performed at a predetermined discharge pressure on the surface.

【００４７】この際前記供給ノズル６の吐出孔６０から
吐出されるレジスト液７０の吐出圧を、レジスト液７０
を吐出する間ほぼ一定に保つように、フィルタ装置７５
と供給ノズル６の間の供給流路７６内のレジスト液７０
の圧力を圧力検出部７７により検出し、この検出値に基
づいて制御部Ｃにより前記エアシリンダ８２のロッド８
２ａの押圧量を制御する。At this time, the discharge pressure of the resist liquid 70 discharged from the discharge holes 60 of the supply nozzle 6 is reduced.
Filter device 75 so as to keep it substantially constant while discharging
Liquid 70 in the supply channel 76 between the nozzle and the supply nozzle 6
Is detected by the pressure detecting unit 77, and the control unit C controls the rod 8 of the air cylinder 82 based on the detected value.
2a is controlled.

【００４８】つまりベローズポンプ８では、エアシリン
ダ８２のロッド８２ａの押圧量によりたわみ管８１の長
さが調整され、これによりポンプ８から押し出されるレ
ジスト液７０の吐出圧（液量）が変化する。例えば前記
ロッド８２ａの押圧量を大きくして、たわみ管８１を短
くすると、それだけ前記供給ノズル６の吐出孔６０から
ウエハＷの表面に吐出されるレジスト液７０の吐出圧が
大きくなり、一方前記ロッド８２ａの押圧量を小さくす
ると、レジスト液７０の吐出圧が小さくなる。また前記
供給流路７６内の圧力は供給ノズル６からのレジスト液
の吐出圧に比例し、供給流路７６内の圧力が大きいと前
記レジスト液の吐出圧が大きくなり、供給流路７６内の
圧力が小さいとの吐出圧が小さくなる。That is, in the bellows pump 8, the length of the flexible pipe 81 is adjusted by the pressing amount of the rod 82 a of the air cylinder 82, thereby changing the discharge pressure (liquid amount) of the resist liquid 70 pushed out from the pump 8. For example, when the amount of pressure on the rod 82a is increased and the flexible tube 81 is shortened, the discharge pressure of the resist liquid 70 discharged from the discharge hole 60 of the supply nozzle 6 to the surface of the wafer W increases accordingly. When the pressing amount of 82a is reduced, the discharge pressure of the resist liquid 70 decreases. The pressure in the supply flow path 76 is proportional to the discharge pressure of the resist liquid from the supply nozzle 6. When the pressure in the supply flow path 76 is large, the discharge pressure of the resist liquid increases, When the pressure is small, the discharge pressure becomes small.

【００４９】従って前記供給流路７６内のレジスト液７
０の圧力を所定のタイミング例えば１秒毎に検出し、こ
の検出値に基づいて圧縮エア供給源８０から前記エアシ
リンダ８２に供給されるエア量を制御してロッド８２ａ
の押圧量を制御することにより、前記供給ノズル６の吐
出孔６０からのレジスト液７０の吐出圧をほぼ一定に制
御することができる。Accordingly, the resist solution 7 in the supply flow path 76
The pressure of 0 is detected at a predetermined timing for example every second, rod 82a from the compressed air source 80 on the basis of the detected value by controlling the amount of air supplied to the air cylinder 82
By controlling the amount of pressing, the discharge pressure of the resist liquid 70 from the discharge holes 60 of the supply nozzle 6 can be controlled to be substantially constant.

【００５０】さらにこの例では、前記エアシリンダ８２
のロッド８２ａのストローク量Ｌを変位計７８により所
定のタイミング例えば１秒毎に検出し、この検出値に基
づいて、ストローク量Ｌに異常があるときには、制御部
Ｃによりアラーム発生部７９のスイッチが入り、異常の
発生を知らせるようになっている。Further, in this example, the air cylinder 82
The stroke amount L of the rod 82a is detected by the displacement meter 78 at a predetermined timing, for example, every one second. When the stroke amount L is abnormal based on the detected value, the switch of the alarm generation unit 79 is controlled by the control unit C. And informs you of the occurrence of an abnormality.

【００５１】例えば図７に示すように、一定の圧力を得
るためには、前記エアシリンダ８２のロッド８２ａのス
トローク変位量は時間に比例するものであるが、例えば
供給ノズル６の吐出孔６０の目詰まり等の異常があると
きには、ストローク変位量は前記比例曲線から外れてし
まう。つまり吐出孔６０の目詰まりの際には、吐出孔６
０が塞がれて供給流路７６内の圧力が高まってしまうの
で、図７に点線で示すように、所定の圧力を得るために
必要なストローク変位量が設定値よりも少なくて済む。
これを吐出量との関係で見てみると、図８に示すよう
に、ノズルの吐出圧が一定であれば吐出量も一定である
が、ノズルの目詰まりの時には図に点線で示すように、
吐出量が時間と共に少なくなってくる。For example, as shown in FIG. 7, in order to obtain a constant pressure, the stroke displacement of the rod 82a of the air cylinder 82 is proportional to time. When there is an abnormality such as clogging, the stroke displacement amount deviates from the proportional curve. That is, when the discharge holes 60 are clogged, the discharge holes 6
Since the pressure in the supply flow path 76 increases due to the blockage of 0, the stroke displacement required to obtain the predetermined pressure is smaller than the set value, as shown by the dotted line in FIG.
Looking at this in relation to the discharge amount, as shown in FIG. 8, if the discharge pressure of the nozzle is constant, the discharge amount is constant, but when the nozzle is clogged, as shown by the dotted line in the figure. ,
The discharge amount decreases with time.

【００５２】従って予め一定の吐出圧を得るための前記
エアシリンダ８２のロッド８２ａのストローク変位量の
時間変化の基準範囲を求めておき、一方変位計７８によ
り実際のエアシリンダ８２のロッド８２ａのストローク
量Ｌを時間毎に求め、これらを比較して実際のストロー
ク量Ｌが設定されたストローク量の基準範囲から外れて
いるときにはアラーム部７９に作動信号を出力するよう
に制御部Ｃを構成することにより、前記供給ノズル６の
吐出孔６０の目詰まり等の何らかの異常の発生が検知で
きる。Therefore, a reference range of the time change of the stroke displacement of the rod 82a of the air cylinder 82 for obtaining a constant discharge pressure is obtained in advance, and the actual stroke of the rod 82a of the air cylinder 82 is measured by the displacement meter 78. The control unit C is configured to determine the amount L for each time, compare these values, and output an activation signal to the alarm unit 79 when the actual stroke amount L is out of the set stroke amount reference range. Accordingly, occurrence of any abnormality such as clogging of the discharge hole 60 of the supply nozzle 6 can be detected.

【００５３】こうして供給流路７６を介して供給ノズル
６に供給されたレジスト液７０を、吐出孔６０からほぼ
一定の吐出圧で、ウエハＷ表面に供給しつつ、所定の塗
布条件に基づいて供給ノズル６とウエハＷとを相対移動
させることにより、レジスト液７０を塗布する。つまり
例えば図３に示すように、供給ノズル６をＹ方向に所定
ピッチずつ間欠送りしながら、Ｘ方向に往復させ、こう
して供給ノズル６をウエハＷに対して相対的にジグザグ
経路に移動させながら、ノズル６からウエハＷにレジス
ト液７０を吐出し、これによりウエハＷの回路形成領域
４０に均一な液膜を形成する。The resist liquid 70 thus supplied to the supply nozzle 6 through the supply flow path 76 is supplied from the discharge hole 60 to the surface of the wafer W at a substantially constant discharge pressure, and is supplied based on predetermined application conditions. The resist liquid 70 is applied by relatively moving the nozzle 6 and the wafer W. That is, for example, as shown in FIG. 3, the supply nozzle 6 is reciprocated in the X direction while intermittently feeding at a predetermined pitch in the Y direction, thus moving the supply nozzle 6 in a zigzag path relative to the wafer W, The resist liquid 70 is discharged from the nozzle 6 onto the wafer W, thereby forming a uniform liquid film on the circuit formation region 40 of the wafer W.

【００５４】ここで供給ノズル６からウエハＷ上に吐出
され、ここに着地したレジスト液７０は、その粘度に応
じて一定の広がりを生じるので、この広がり量に対応し
て適正なＹ方向の送りピッチを設定することにより、ウ
エハＷの回路形成領域４０に満遍なく均一なレジスト膜
を形成することができる。Here, the resist liquid 70 discharged from the supply nozzle 6 onto the wafer W and lands there, generates a certain spread in accordance with the viscosity thereof. By setting the pitch, a uniform and uniform resist film can be formed on the circuit formation region 40 of the wafer W.

【００５５】このようにしてレジスト液の塗布を行った
後、前記ウエハ吸着テーブル２２に取着された超音波振
動子２７を作動させ、ウエハＷに対して超音波帯域での
振動を印加する。このことで塗布されたレジスト液膜に
アジテーションが加えられ、液膜の表面の平坦化が図ら
れる。After the application of the resist liquid in this manner, the ultrasonic vibrator 27 attached to the wafer suction table 22 is operated to apply the vibration in the ultrasonic band to the wafer W. As a result, agitation is applied to the applied resist liquid film, and the surface of the liquid film is planarized.

【００５６】この後レジスト液７０が付着したマスク部
材４をマスク部材洗浄装置４２側へ排出し、次いで前記
ウエハ保持体２をレジスト液塗布部Ｒから前記ウエハロ
ード・アンンロード部Ｌにさせる。そして保持部２４を
昇降させて図示しない主アームにウエハＷを受け渡し、
当該レジスト液塗布装置からウエハＷをアンロードす
る。Thereafter, the mask member 4 to which the resist solution 70 has adhered is discharged to the mask member cleaning device 42 side, and then the wafer holder 2 is moved from the resist liquid application section R to the wafer load / unload section L. Then, the holding unit 24 is moved up and down to deliver the wafer W to a main arm (not shown).
The wafer W is unloaded from the resist coating device.

【００５７】このように本発明の成膜装置では、既述の
ように、ウエハＷに対して供給ノズル６から一定の吐出
圧（吐出量）でレジスト液７０を吐出することができ
る。このためウエハＷ上にレジスト液７０を途切れるこ
となく一定の線幅で連続的に吐出することができるの
で、ウエハＷ上に供給されるレジスト液７０の液量がウ
エハＷの回路形成領域４０の全面に亘ってほぼ均一にな
り、これによりレジスト膜の膜厚の面内均一性が向上す
る。この際供給ノズル６の吐出孔６０の径は１０μｍ〜
２００μｍ程度とかなり細径に形成されているので、膜
厚が薄く、膜厚の均一性の高いレジスト膜を形成するこ
とができる。As described above, in the film forming apparatus of the present invention, the resist liquid 70 can be discharged from the supply nozzle 6 to the wafer W at a constant discharge pressure (discharge amount) as described above. Therefore, the resist solution 70 can be continuously discharged onto the wafer W with a constant line width without interruption, so that the amount of the resist solution 70 supplied on the wafer W It becomes substantially uniform over the entire surface, thereby improving the in-plane uniformity of the thickness of the resist film. At this time, the diameter of the discharge hole 60 of the supply nozzle 6 is 10 μm or more.
Since it is formed with a very small diameter of about 200 μm, it is possible to form a resist film having a small thickness and high uniformity.

【００５８】また異常事態の発生をアラームが知らせる
ようになっているので、異常事態を早期に検知すること
ができ、このような事態に早く対処できる。この例では
レジスト液７０にシンナー溶液が混入されているが、既
述のように供給ノズル６の吐出孔６０がかなり細径に形
成されているので、前記シンナー溶液が揮発し、目詰ま
りが起きやすくなっている。従って、例えば異常事態が
供給ノズル６の目詰まりである場合には、目詰まりを初
期段階のうちに発見することができ、目詰まりを解消し
て再び供給ノズル６からウエハＷ上にレジスト液７０を
一定の線幅で連続的に吐出することができる。Further, since the occurrence of an abnormal situation is notified by an alarm, the abnormal situation can be detected at an early stage, and such a situation can be dealt with quickly. In this example, the thinner solution is mixed in the resist solution 70. However, as described above, the discharge hole 60 of the supply nozzle 6 is formed to have a considerably small diameter, so that the thinner solution volatilizes and clogging occurs. It is easier. Therefore, for example, when the abnormal situation is clogging of the supply nozzle 6, the clogging can be found in the initial stage, the clogging is eliminated, and the resist solution 70 is again supplied from the supply nozzle 6 onto the wafer W. Can be continuously discharged at a constant line width.

【００５９】仮にこのような異常事態発生の検知が遅れ
た場合には、目詰まりした供給ノズル６からウエハＷ上
にレジスト液７０を供給することになるので、ウエハＷ
に対して一定の吐出圧でレジスト液７０を吐出すること
ができなくなる。このためレジスト膜の膜厚の面内均一
性が悪化してしまい、レジスト液の塗布処理のスループ
ットが低下する。If the detection of the occurrence of such an abnormal situation is delayed, the resist liquid 70 is supplied onto the wafer W from the clogged supply nozzle 6.
Cannot discharge the resist liquid 70 at a constant discharge pressure. For this reason, the in-plane uniformity of the thickness of the resist film is deteriorated, and the throughput of the coating process of the resist liquid is reduced.

【００６０】また目詰まりの初期段階では供給ノズル６
の洗浄などを行わなくても目詰まりを解消することがで
きるか、または簡単な洗浄で済むので、ノズル６の洗浄
回数やトータルの洗浄時間を短縮することができ、この
点からもスループットの向上が図られる。In the initial stage of clogging, the supply nozzle 6
The clogging can be eliminated without performing cleaning of the nozzle 6 or simple cleaning can be performed, so that the number of times of cleaning the nozzle 6 and the total cleaning time can be reduced, and from this point the throughput can be improved. Is achieved.

【００６１】さらにこの例では、供給ノズル６内に流路
６６を塞ぐように、ＰＴＦＥ膜からなるフィルタ６４を
設けているので、ノズル６からウエハＷにさらに安定し
たレジスト液７０の供給を行うことができる。つまりレ
ジスト液７０には、そもそも溶解していたガスが配管の
屈曲による圧力変化等のために５μｍ程度の大きさの気
泡が出現してくることがあり、このような気泡が供給ノ
ズル６の吐出孔６０付近に存在すると、この気泡がクッ
ションとなってレジスト液７０の吐出圧が小さくなった
り、気泡が潰れてなくなったときには吐出圧が一時的に
大きくなったりして、結果としてレジスト液７０の吐出
圧が変動してしまう。Further, in this example, the filter 64 made of a PTFE film is provided in the supply nozzle 6 so as to close the flow path 66, so that the nozzle 6 can supply the resist solution 70 to the wafer W more stably. Can be. In other words, in the resist solution 70, bubbles having a size of about 5 μm may appear in the resist solution 70 due to pressure change or the like due to bending of the pipe. When the bubbles are present near the hole 60, the bubbles serve as a cushion, and the discharge pressure of the resist solution 70 decreases. When the bubbles are not crushed and disappear, the discharge pressure temporarily increases. The discharge pressure fluctuates.

【００６２】一方フィルタ６４を設けると、このフィル
タ６４によりレジスト液７０から気泡が除去できるの
で、気泡が原因となるレジスト液７０の吐出圧の変動が
抑えられ、安定したレジスト液の供給を行うことができ
る。この際この例では孔径が５μｍ程度のＰＴＦＥ膜を
用いているので、圧力損失は抑えられる。On the other hand, if the filter 64 is provided, bubbles can be removed from the resist solution 70 by the filter 64, so that fluctuations in the discharge pressure of the resist solution 70 caused by bubbles can be suppressed, and a stable supply of the resist solution can be performed. Can be. At this time, in this example, since a PTFE membrane having a pore diameter of about 5 μm is used, pressure loss can be suppressed.

【００６３】またこの例では、レジスト液の供給系にお
いて高粘度のレジスト液を混合槽内でシンナー溶液によ
り希釈しているので、従来は使用が困難であった高粘度
のレジスト液を用いることができる。これによりレジス
ト液の粘度制限をなくすことができ、この塗布方法の汎
用性が高められる。In this example, since a high-viscosity resist solution is diluted with a thinner solution in a mixing tank in a resist solution supply system, a high-viscosity resist solution which has been conventionally difficult to use can be used. it can. Thereby, the viscosity limitation of the resist liquid can be eliminated, and the versatility of this coating method can be enhanced.

【００６４】この際混合槽７３で粘度が調整されたレジ
スト液７０を一旦バッファ槽７４に送液し、ここから押
圧力の制御系を備えたベローズポンプ８により供給ノズ
ル６に供給するようにしているので、制御が容易であ
る。つまり混合槽７３やバッファ槽７４を設けずに、直
接高粘度レジスト液槽７１と、溶剤槽７２から夫々の薬
液を供給ノズル６に供給するようにすると、夫々のポン
プＰ１，Ｐ２が押圧力の制御系を備えることが必要であ
り、この場合には夫々のポンプＰ１，Ｐ２の同期をとら
なくてはならないので、制御が面倒だからである。At this time, the resist solution 70 whose viscosity has been adjusted in the mixing tank 73 is once sent to the buffer tank 74, from which it is supplied to the supply nozzle 6 by the bellows pump 8 equipped with a control system for the pressing force. Control is easy. That is, when the respective chemicals are directly supplied from the high-viscosity resist liquid tank 71 and the solvent tank 72 to the supply nozzle 6 without providing the mixing tank 73 and the buffer tank 74, the respective pumps P1 and P2 reduce the pressing force. This is because it is necessary to provide a control system, and in this case, since the respective pumps P1 and P2 must be synchronized, the control is troublesome.

【００６５】続いて本発明の他の例について図９により
説明するが、この例はベローズポンプ８のエアシリンダ
８２のロッド８２ａのストロークの異常を検出し、異常
値が出た際に供給ノズル６の洗浄を行うシステムであ
る。例えばこの例ではウエハロード・アンロード部Ｌに
供給ノズル６を洗浄するための洗浄部６７が設けられて
いると共に、供給ノズル６を保持するスライダ５５が昇
降機構６８により昇降自在に構成されている。前記洗浄
部９１は例えば供給ノズル６を洗浄液６９に所定時間浸
漬させて洗浄するようになっており、前記昇降機構６８
はノズル・ウエハ駆動部３６により動作が制御されるよ
うに構成されている。Next, another example of the present invention will be described with reference to FIG. 9. In this example, the abnormality of the stroke of the rod 82a of the air cylinder 82 of the bellows pump 8 is detected, and when an abnormal value appears, the supply nozzle 6 This is a system for cleaning. For example, in this example, a cleaning unit 67 for cleaning the supply nozzle 6 is provided in the wafer load / unload unit L, and the slider 55 holding the supply nozzle 6 is configured to be able to move up and down by an elevating mechanism 68. . The cleaning unit 91 is configured to immerse the supply nozzle 6 in a cleaning liquid 69 for a predetermined time for cleaning, for example.
Is configured so that the operation is controlled by the nozzle / wafer driving unit 36.

【００６６】そして前記エアシリンダ８２のロッド８２
ａのストローク量Ｌを変位計７８により所定のタイミン
グ例えば１秒毎に検出し、この検出値に基づいて、スト
ローク量Ｌが予め設定された基準範囲から外れたときに
は、制御部Ｃによりノズル・ウエハ駆動部３６を介して
供給ノズル６を洗浄部６７に移動させ、ノズル６の洗浄
が行われるように構成されている。The rod 82 of the air cylinder 82
The stroke amount L is detected by the displacement meter 78 at a predetermined timing, for example, every one second. When the stroke amount L deviates from a preset reference range based on the detected value, the control unit C controls the nozzle / wafer. The supply nozzle 6 is moved to the cleaning unit 67 via the drive unit 36, and the nozzle 6 is cleaned.

【００６７】このような例では、自動的に供給ノズル６
の洗浄が行われるので、目詰まり等の異常事態が発生し
た場合であっても、作業者の手を煩わせることなくスム
ーズに異常事態を解消することができる。In such an example, the supply nozzle 6
Is performed, even if an abnormal situation such as clogging occurs, the abnormal situation can be smoothly resolved without bothering the operator.

【００６８】次に上述の現像装置をユニットに組み込ん
だ塗布・現像装置の一例の概略について図１０及び図１
１を参照しながら説明すいる。図１０及び図１１中、９
はウエハカセットを搬入出するための搬入出ステ−ジで
あり、例えば２５枚収納されたカセットＣが例えば自動
搬送ロボットにより載置される。搬入出ステ−ジ９に臨
む領域にはウエハＷの受け渡しア−ム９０がＸ，Ｙ方向
およびθ回転（鉛直軸回りの回転）自在に設けられてい
る。更にこの受け渡しア−ム９０の奥側には、例えば搬
入出ステ−ジ９から奥を見て例えば右側には塗布・現像
系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷
却系のユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されている
と共に、塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニット
との間でウエハＷの受け渡しを行うための、例えば昇降
自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自
在に構成されたウエハ搬送ア−ムＭＡが設けられてい
る。但し図１１では便宜上ユニットＵ２及びウエハ搬送
ア−ムＭＡは描いていない。Next, an example of a coating / developing apparatus in which the above-described developing apparatus is incorporated in a unit will be described with reference to FIGS.
1 will be described. In FIGS. 10 and 11, 9
Is a loading / unloading stage for loading / unloading a wafer cassette. For example, a cassette C containing 25 sheets is placed by, for example, an automatic transfer robot. A transfer arm 90 for the wafer W is provided in a region facing the loading / unloading stage 9 so as to be freely rotatable in X, Y directions and θ (rotation about a vertical axis). Further, behind the transfer arm 90, a coating / developing unit U1 is located on the right side, for example, as viewed from the loading / unloading stage 9, and heating / cooling is located on the left, front and rear sides. System units U2, U3, and U4 are arranged, respectively, and for transferring a wafer W between a coating / developing system unit and a heating / cooling system unit, for example, freely movable up and down, movable left and right, and back and forth. A wafer transfer arm MA rotatably arranged about a vertical axis is provided. However, in FIG. 11, the unit U2 and the wafer transfer arm MA are not drawn for convenience.

【００６９】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に２個の現像ユニット９１が、下段に２個の上述
の成膜装置を備えた塗布ユニット９２が設けられてい
る。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニット
や冷却ユニット、疎水化処理ユニット等が上下にある。In the coating / developing system unit, for example, two developing units 91 are provided in an upper stage, and a coating unit 92 provided with two film forming apparatuses is provided in a lower stage. In a heating / cooling system unit, a heating unit, a cooling unit, a hydrophobizing unit, and the like are provided above and below.

【００７０】塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニ
ットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことに
すると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェ
イスユニット９３を介して露光装置９４が接続されてい
る。インタ−フェイスユニット９３は例えば昇降自在、
左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構
成されたウエハ搬送ア−ム９５によりクリ−ントラック
と露光装置９４との間でウエハＷの受け渡しを行うもの
である。The above-described portion including the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit is referred to as a clean track, and the back side of the clean track is exposed through an interface unit 93 through an exposure apparatus. 94 is connected. The interface unit 93 can be moved up and down, for example.
The wafer W is transferred between the clean track and the exposure device 94 by a wafer transfer arm 95 configured to be movable left / right, forward / backward, and rotatable about a vertical axis.

【００７１】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが前記搬入出ステ−ジ９に搬入され、ウエハ搬送ア−
ム９０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、
既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡
し台を介してウエハ搬送ア−ムＭＡに受け渡される。次
いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が
行われた後、塗布ユニット９２にてレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布された
ウエハＷは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイ
スユニット９３を介して露光装置９４に送られ、ここで
パタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。The flow of wafers in this apparatus will be described. First, a wafer cassette C containing a wafer W is loaded into the loading / unloading stage 9 from the outside, and a wafer transporting arm is loaded.
The wafer W is taken out of the cassette C by the
The wafer is transferred to the wafer transfer arm MA via a transfer table, which is one of the shelves of the heating / cooling unit U3. Next, after a hydrophobic treatment is performed in the processing section of one shelf of the unit U3, a resist liquid is applied by the application unit 92 to form a resist film. After being heated by the heating unit, the wafer W coated with the resist film is sent to an exposure device 94 via an interface unit 93, where exposure is performed via a mask corresponding to the pattern.

【００７２】その後ウエハＷは加熱ユニットで加熱され
た後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット９
１に送られて現像処理され、レジストマスクが形成され
る。しかる後ウエハＷは搬入出ステ−ジ９上のカセット
Ｃ内に戻される。Thereafter, the wafer W is heated by the heating unit, cooled by the cooling unit, and subsequently cooled by the developing unit 9.
The resist film is sent to the developing device 1 and subjected to a development process, thereby forming a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette C on the loading / unloading stage 9.

【００７３】以上において本発明では、前記ベローズポ
ンプ８と供給ノズル６の間との供給流路７６内の圧力に
基づいて前記ベローズポンプの押圧量を制御し、前記供
給ノズル６からウエハＷ表面に供給されるレジスト液の
吐出量を制御する構成と、前記ベローズポンプ８の押圧
量が予め設定された基準範囲から外れたときに前記アラ
ーム発生部７９を作動させる構成と、前記ベローズポン
プ８の押圧量が予め設定された基準範囲から外れたとき
に、前記供給ノズル６の洗浄を行う構成と、レジスト液
から気泡を除去するためのフィルタ７４を備えた供給ノ
ズル６を用いる構成と、を夫々組み合わせるようにして
もよいし、別個に構成してもよい。As described above, according to the present invention, the pressing amount of the bellows pump is controlled based on the pressure in the supply flow path 76 between the bellows pump 8 and the supply nozzle 6, and the pressure is supplied from the supply nozzle 6 to the surface of the wafer W. A configuration for controlling the discharge amount of the supplied resist solution, a configuration for activating the alarm generating section 79 when the pressing amount of the bellows pump 8 is out of a preset reference range, and a configuration for controlling the pressing of the bellows pump 8 When the amount deviates from a preset reference range, the structure for cleaning the supply nozzle 6 and the structure for using the supply nozzle 6 including the filter 74 for removing bubbles from the resist solution are combined. This may be done or may be configured separately.

【００７４】またレジスト液の供給系に、高粘度レジス
ト液のシンナー溶液による希釈を行う混合槽７３の代わ
りに、スタティックミキサーと呼ばれるインラインミキ
サーを設け、ここで高粘度レジスト液とシンナー溶液と
を混合して所定の粘度の低粘度レジスト液を調整するよ
うにしてもよい。このインラインミキサーは配管の中に
右９０度に旋回するネジッタ板と、左９０度に旋回する
ネジッタ板とが交互に取り付けられ、この配管内に旋回
する流路を形成するものであり、ここに所定量の高粘度
レジスト液と所定量のシンナー溶液とが送液されると、
これらの溶液が前記流路内を流れながら撹拌混合され、
所定の粘度の低粘度レジスト液が調整される。このよう
に混合槽７３の代わりにインラインミキサーを設けた場
合には、混合槽７３からバッファ槽７４に低粘度レジス
ト液を送液するポンプを設けなくても済むので、装置の
小型化及び低コスト化を図ることができる。Instead of a mixing tank 73 for diluting a high-viscosity resist solution with a thinner solution, an in-line mixer called a static mixer is provided in the resist solution supply system, where the high-viscosity resist solution and the thinner solution are mixed. Then, a low-viscosity resist solution having a predetermined viscosity may be adjusted. In this in-line mixer, a negitator plate turning right 90 degrees and a negitator plate turning left 90 degrees are alternately mounted in a pipe to form a swirling flow path in the pipe. When a predetermined amount of a high-viscosity resist solution and a predetermined amount of a thinner solution are sent,
These solutions are stirred and mixed while flowing in the channel,
A low-viscosity resist solution having a predetermined viscosity is adjusted. When an in-line mixer is provided instead of the mixing tank 73 in this manner, a pump for sending the low-viscosity resist solution from the mixing tank 73 to the buffer tank 74 does not need to be provided. Can be achieved.

【００７５】さらにレジスト液の供給系に、高粘度レジ
スト液のシンナー溶液による希釈を行う混合槽７３を設
けず、直接低粘度レジスト液を押圧力制御を行うベロー
ズポンプ８を用いて供給ノズル６に供給するようにして
もよいし、バッファ槽７４を設けず、混合槽７４から直
接押圧力制御を行うベローズポンプ８を用いて供給ノズ
ル６に送液するようにしてもよい。この場合には、例え
ば混合槽７３に所定量の高粘度レジスト液とシンナー溶
液とを供給して所定の粘度のレジスト液の調整を行った
後、ここへ高粘度レジスト液とシンナー溶液の送液を停
止した状態でベローズポンプ８により下流側にレジスト
液を送液するようにすればよい。Further, in the resist solution supply system, a mixing tank 73 for diluting a high-viscosity resist solution with a thinner solution is not provided. The liquid may be supplied to the supply nozzle 6 without using the buffer tank 74 and using the bellows pump 8 that directly controls the pressing force from the mixing tank 74. In this case, for example, a predetermined amount of the high-viscosity resist solution and a thinner solution are supplied to the mixing tank 73 to adjust the predetermined-viscosity resist solution, and then the high-viscosity resist solution and the thinner solution are supplied thereto. In this state, the resist solution may be sent downstream by the bellows pump 8.

【００７６】さらにまた高粘度レジスト液との溶剤とを
直接供給ノズル６に夫々押圧力制御を行うベローズポン
プを用いて供給するようにしてもよく、この場合には夫
々のベローズポンプが同期をとりながら制御される。Further, a high-viscosity resist solution and a solvent may be directly supplied to the supply nozzle 6 by using bellows pumps for controlling the pressing force. In this case, the respective bellows pumps are synchronized. While being controlled.

【００７７】さらにまた本発明の押圧力制御を行う押圧
式ポンプとしてはベローズポンプに限られず、例えばダ
イアフラムポンプや回転式ポンプ等を用いるようにして
もよいし、押圧部材はエアシリンダに限らず、モータ等
によりロッドを押圧するものであってもよい。Further, the pressing pump for performing the pressing force control of the present invention is not limited to the bellows pump, but may be, for example, a diaphragm pump or a rotary pump. The pressing member is not limited to an air cylinder. The rod may be pressed by a motor or the like.

【００７８】さらにまた本発明では、ベローズポンプ８
と供給ノズル６との間にフィルタ装置７５を設ける代わ
りに、バッファ槽７４とベローズポンプ８との間にフィ
ルタ装置７５を設ける構成としてもよく、この場合に
は、バッファ槽７４で発生した泡をフィルタ装置７５で
除去できるので、ベローズポンプ８内に前記泡が入り込
むことを抑えることができ、有効である。Further, in the present invention, the bellows pump 8
Instead of providing the filter device 75 between the nozzle and the supply nozzle 6, a filter device 75 may be provided between the buffer tank 74 and the bellows pump 8, and in this case, bubbles generated in the buffer tank 74 may be removed. Since it can be removed by the filter device 75, it is possible to suppress the bubbles from entering the bellows pump 8, which is effective.

【００７９】さらにまた上述の例では、処理液としてレ
ジスト液を例にして説明したが、これに限定されるもの
ではなく、例えば層間絶縁膜材料や高導電性材料、低誘
電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、銀
ペースト等の金属ペースト等に適用することができる。
さらにまた供給ノズル６に設けられるフィルタ７４とし
てＰＴＦＥ膜に限らず、例えばナイロン等の樹脂を用い
るようにしてもよい。また基板としては、半導体ウエハ
に限らず、ＬＣＤ基板や露光マスクなどであってもよ
い。さらに供給ノズル６とウエハＷとは相対的に移動さ
れるものであって、例えば供給ノズル６を固定してウエ
ハＷをＸＹ方向に駆動するようにしてもよい。また供給
ノズル６やウエハ保持体２の駆動機構についても上述の
例に限定されるものではなく、例えばベルト駆動機構等
を用いてもよい。ここで本発明の中で略水平とは、ほぼ
水平な状態を含むということである。Further, in the above-described example, the resist solution was used as an example of the processing liquid. However, the present invention is not limited to this. For example, an interlayer insulating film material, a high conductive material, a low dielectric material, a ferroelectric The present invention can be applied to a body material, a wiring material, an organic metal material, a metal paste such as a silver paste, and the like.
Further, the filter 74 provided in the supply nozzle 6 is not limited to the PTFE film, but may be a resin such as nylon. The substrate is not limited to a semiconductor wafer, but may be an LCD substrate or an exposure mask. Further, the supply nozzle 6 and the wafer W are relatively moved. For example, the supply nozzle 6 may be fixed and the wafer W may be driven in the XY directions. Also, the drive mechanism of the supply nozzle 6 and the wafer holder 2 is not limited to the above example, and a belt drive mechanism or the like may be used, for example. Here, substantially horizontal in the present invention includes a substantially horizontal state.

【００８０】[0080]

【発明の効果】請求項１の発明によれば、押圧式ポンプ
と供給ノズルの間との処理液の流路内の圧力に基づいて
前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量を制御しているの
で、前記処理液の吐出量が処理の間中揃えられ、安定し
た膜厚の液膜を形成することができる。According to the first aspect of the present invention, the pressing amount of the pressing member of the pressing pump is controlled based on the pressure in the flow path of the processing liquid between the pressing pump and the supply nozzle. Therefore, the discharge amount of the processing liquid is uniform throughout the processing, and a liquid film having a stable film thickness can be formed.

【００８１】請求項２の発明によれば、供給ノズルの目
詰まり等の異常を早期に検知することができ、請求項３
の発明によれば、供給ノズルの目詰まり等の異常が発生
したときに、作業者の手を煩わせることなく速やかに供
給ノズルの洗浄を行うことができる。According to the invention of claim 2, an abnormality such as clogging of the supply nozzle can be detected at an early stage.
According to the invention, when an abnormality such as clogging of the supply nozzle occurs, the supply nozzle can be quickly cleaned without bothering the operator.

【００８２】請求項４の発明によれば、処理液に含まれ
る気泡の存在が原因となる処理液の吐出圧の変動等が抑
えられ、基板に対して安定した処理液の供給を行うこと
ができ、液膜の膜厚の均一性の向上を図ることができ
る。According to the fourth aspect of the invention, fluctuations in the discharge pressure of the processing liquid due to the presence of bubbles contained in the processing liquid are suppressed, and the processing liquid can be stably supplied to the substrate. Thus, the uniformity of the liquid film thickness can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の成膜装置の実施の形態の一例を示す断
面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of a film forming apparatus of the present invention.

【図２】前記成膜装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the film forming apparatus.

【図３】レジスト液の塗布経路を説明するための斜視図
である。FIG. 3 is a perspective view for explaining a coating path of a resist liquid.

【図４】レジスト液の供給系を説明するための構成図で
ある。FIG. 4 is a configuration diagram for describing a resist liquid supply system.

【図５】ベローズポンプを説明するための断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a bellows pump.

【図６】供給ノズルを説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a supply nozzle.

【図７】ベローズポンプのストローク量の時間変化と、
供給ノズルからのレジスト液の吐出圧の時間変化とを示
す特性図である。FIG. 7 shows a time change of the stroke amount of the bellows pump,
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a change over time in a discharge pressure of a resist liquid from a supply nozzle.

【図８】供給ノズルからのレジスト液の吐出量の時間変
化とを示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing a temporal change of a discharge amount of a resist liquid from a supply nozzle.

【図９】レジスト液の供給系のさらに他の例を示す構成
図である。FIG. 9 is a configuration diagram showing still another example of a resist liquid supply system.

【図１０】本発明の成膜装置を備えた塗布現像装置を示
す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a coating and developing apparatus provided with the film forming apparatus of the present invention.

【図１１】前記塗布現像装置を示す概観斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view showing the coating and developing apparatus.

【図１２】従来のレジスト液の塗布装置を示す側面図で
ある。FIG. 12 is a side view showing a conventional resist liquid coating apparatus.

【図１３】一筆書き方式のレジスト液の塗布方法を示す
平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a one-stroke writing method of applying a resist solution.

【図１４】レジスト液の供給系を示す構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram showing a resist liquid supply system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ 半導体ウエハ ２ ウエハ保持体 ３ フレーム ４ マスク部材 ５ 天板 ５ａ スリット ６ 供給ノズル ６０ 吐出孔 ６４ フィルタ ６９ 洗浄部 ７１ 高粘度レジスト液槽 ７２ 溶剤槽 ７３ 混合槽 ７４ バッファ槽 ７６ 供給流路 ７７ 圧力検出部 ７８ 変位計 ７９ アラーム発生部 ８ ベローズポンプ ８２ エアシリンダ ８２ａ ロッド W Semiconductor wafer 2 Wafer holder 3 Frame 4 Mask member 5 Top plate 5a Slit 6 Supply nozzle 60 Discharge hole 64 Filter 69 Washing unit 71 High viscosity resist liquid tank 72 Solvent tank 73 Mixing tank 74 Buffer tank 76 Supply flow path 77 Pressure detection Part 78 Displacement gauge 79 Alarm generating part 8 Bellows pump 82 Air cylinder 82a Rod

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成１２年２月１日（２０００．２．１）[Submission date] February 1, 2000 (2000.2.1)

【手続補正１】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All figures

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図１】 FIG.

【図２】 FIG. 2

【図７】 FIG. 7

【図８】 FIG. 8

【図１２】 FIG.

【図１３】 FIG. 13

【図３】 FIG. 3

【図４】 FIG. 4

【図９】 FIG. 9

【図１４】 FIG. 14

【図５】 FIG. 5

【図６】 FIG. 6

【図１１】 FIG. 11

【図１０】 FIG. 10

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江崎 幸彦 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 石坂 信和 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 古閑 法久 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 竹下 和宏 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 大隈 博文 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 飽本 正己 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA04 EA05 EA10 4F041 AA06 AB01 BA05 BA31 BA34 BA56 4F042 AA07 AB00 BA07 BA08 BA12 BA15 BA16 CB02 CB03 CB25 CC04 CC08 DH02 5F045 AF01 BB02 DP02 DP28 EB02 EB19 EF10 EF11 EM02 EM08 EM09 EM10 EN04 EN05 HA16 HA25 5F046 JA02  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yukihiko Ezaki 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Inside the Electron Kyushu Co., Ltd. Inside Electron Kyushu Kumamoto Office (72) Inventor Nohisa Koga 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Corporation Kumamoto Office, 2655 No. 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd.Kumamoto Office (72) Inventor Hirofumi Okuma 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Corporation Kumamoto Office, 2655 Address Tokyo Electron Kyushu Kuma Co., Ltd. In-house F-term (Reference) 2H025 AA18 AB16 EA04 EA05 EA10 4F041 AA06 AB01 BA05 BA31 BA34 BA56 4F042 AA07 AB00 BA07 BA08 BA12 BA15 BA16 CB02 CB03 CB25 CC04 CC08 DH02 5F045 AF01 BB02 EN02 EB10 EM02 EB02 EM02 EB02 HA25 5F046 JA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板保持部に略水平に保持された基板の
表面に、供給ノズルから処理液を吐出し、この基板表面
に処理液の液膜を形成する成膜装置において、 前記処理液を前記供給ノズルに送液するための、ポンプ
本体とポンプ本体を押圧する押圧部材とを備え、押圧部
材を引くことにより上流側からポンプ本体内に処理液が
送り込まれ、押圧部材を押圧することによりポンプ本体
から下流側に処理液が送り出され、押圧部材の押圧量に
より下流側に送り出される処理液の量が調整される押圧
式ポンプと、 前記押圧式ポンプと供給ノズルとの間の処理液の流路内
の圧力を検出する圧力検出部と、 前記圧力検出部からの検出値に基づいて前記押圧式ポン
プの押圧部材の押圧量を制御する制御部と、を備え、 前記押圧式ポンプと供給ノズルの間との処理液の流路内
の圧力に基づいて前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量
を制御し、前記供給ノズルから基板表面に供給される処
理液の吐出量を制御することを特徴とする成膜装置。1. A film forming apparatus that discharges a processing liquid from a supply nozzle onto a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding unit and forms a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate. A pump body for sending the liquid to the supply nozzle, and a pressing member for pressing the pump body, the processing liquid is sent into the pump body from the upstream side by pulling the pressing member, by pressing the pressing member A processing liquid is sent to the downstream side from the pump body, and a pressing pump in which the amount of the processing liquid sent to the downstream is adjusted by the pressing amount of the pressing member; and a processing liquid between the pressing pump and the supply nozzle. A pressure detecting unit that detects a pressure in the flow path; and a control unit that controls a pressing amount of a pressing member of the pressing pump based on a detection value from the pressure detecting unit. Between nozzles Controlling the amount of pressing of the pressing member of the pressing pump based on the pressure in the flow path of the processing liquid, and controlling the discharge amount of the processing liquid supplied from the supply nozzle to the substrate surface. Membrane equipment. 【請求項２】 基板保持部に略水平に保持された基板の
表面に、供給ノズルから処理液を吐出し、この基板表面
に処理液の液膜を形成する成膜装置において、 前記処理液を前記供給ノズルに送液するための、ポンプ
本体と押圧部材とを備え、押圧部材を引くことにより上
流側からポンプ本体内に処理液が送り込まれ、押圧部材
を押圧することによりポンプ本体から下流側に処理液が
送り出され、押圧部材の押圧量により下流側に送り出さ
れる処理液の量が調整される押圧式ポンプと、 前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量を検出するための
変位計と、 前記変位計からの検出値に基づいてアラーム発生部の動
作を制御する制御部と、を備え、 前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量が予め設定された
基準範囲から外れたときに前記アラーム発生部を作動さ
せることを特徴とする成膜装置。2. A film forming apparatus which discharges a processing liquid from a supply nozzle onto a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding part and forms a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate, A pump main body and a pressing member for feeding the liquid to the supply nozzle are provided. The processing liquid is fed into the pump main body from the upstream side by pulling the pressing member, and the downstream side from the pump main body by pressing the pressing member. The processing liquid is sent out, and a pressing pump in which the amount of the processing liquid sent downstream is adjusted by the pressing amount of the pressing member, and a displacement meter for detecting the pressing amount of the pressing member of the pressing pump, A control unit that controls the operation of an alarm generation unit based on a detection value from the displacement meter, wherein the alarm is generated when a pressing amount of a pressing member of the pressing pump deviates from a preset reference range. Deposition apparatus characterized by actuating a. 【請求項３】 基板保持部に略水平に保持された基板の
表面に、供給ノズルから処理液を吐出し、この基板表面
に処理液の液膜を形成する成膜装置において、 前記処理液を前記供給ノズルに送液するための、ポンプ
本体と押圧部材とを備え、押圧部材を引くことにより上
流側からポンプ本体内に処理液が送り込まれ、押圧部材
を押圧することによりポンプ本体から下流側に処理液が
送り出され、押圧部材の押圧量により下流側に送り出さ
れる処理液の量が調整される押圧式ポンプと、 前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量を検出するための
変位計と、 前記供給ノズルを洗浄するための洗浄部と、 前記供給ノズルを前記洗浄部まで移動させる駆動機構
と、 前記変位計からの検出値に基づいて前記駆動機構の動作
を制御する制御部と、を備え、 前記押圧式ポンプの押圧部材の押圧量が予め設定された
基準範囲から外れたときに、前記供給ノズルを前記駆動
機構により洗浄部まで移動させ、供給ノズルの洗浄を行
うことを特徴とする成膜装置。3. A film forming apparatus that discharges a processing liquid from a supply nozzle onto a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding unit and forms a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate. A pump main body and a pressing member for feeding the liquid to the supply nozzle are provided. The processing liquid is fed into the pump main body from the upstream side by pulling the pressing member, and the downstream side from the pump main body by pressing the pressing member. The processing liquid is sent out, and a pressing pump in which the amount of the processing liquid sent downstream is adjusted by the pressing amount of the pressing member, and a displacement meter for detecting the pressing amount of the pressing member of the pressing pump, A cleaning unit for cleaning the supply nozzle; a drive mechanism for moving the supply nozzle to the cleaning unit; and a control unit for controlling operation of the drive mechanism based on a detection value from the displacement meter. , When the pressing amount of the pressing member of the pressing pump deviates from a preset reference range, the supply nozzle is moved to a cleaning unit by the driving mechanism, and the supply nozzle is cleaned. apparatus. 【請求項４】 基板保持部に略水平に保持された基板の
表面に、供給ノズルから処理液を吐出し、この基板表面
に処理液の液膜を形成する成膜装置において、 前記供給ノズルは、前記処理液の流路と、 前記処理液の流路に接続され、処理液を細径の線状に吐
出するための吐出孔と、 前記処理液の流路を塞ぐように設けられ、処理液から気
泡を除去するためのフィルタと、を備えたことを特徴と
する成膜装置。4. A film forming apparatus for discharging a processing liquid from a supply nozzle onto a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding unit and forming a liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate, wherein the supply nozzle is A processing liquid flow path; a discharge port connected to the processing liquid flow path, for discharging the processing liquid in a linear shape having a small diameter; and a processing hole provided to close the processing liquid flow path. A film forming apparatus comprising: a filter for removing bubbles from a liquid. 【請求項５】 前記フィルタは、多孔質の樹脂よりなる
ことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。5. The film forming apparatus according to claim 4, wherein said filter is made of a porous resin. 【請求項６】 前記基板保持部と供給ノズルとを、基板
の面方向に沿って相対的に駆動させながら、供給ノズル
から処理液を吐出し、この基板表面に処理液の液膜を形
成することを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記
載の成膜装置。6. A processing liquid is discharged from a supply nozzle while relatively driving the substrate holding unit and a supply nozzle along a surface direction of a substrate, and a liquid film of the processing liquid is formed on the surface of the substrate. The film forming apparatus according to claim 1, 2, 3, 4, or 5, wherein 【請求項７】 粘度の高い処理液とこの処理液の溶剤と
を混合して粘度の低い処理液を調整するための混合槽を
備え、この混合槽内の粘度が調整された処理液を前記押
圧式ポンプにより供給ノズルに送液することを特徴とす
る請求項１，２，３，４，５又は６記載の成膜装置。7. A mixing tank for adjusting a low-viscosity processing liquid by mixing a high-viscosity processing liquid and a solvent of the processing liquid, wherein the viscosity-adjusted processing liquid in the mixing tank is provided. 7. The film forming apparatus according to claim 1, wherein liquid is sent to a supply nozzle by a pressurizing pump. 【請求項８】 前記処理液はレジスト液であることを特
徴とする請求項１，２，３，４，５，６，又は７記載の
成膜装置。8. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a resist liquid.