JP2001168230A

JP2001168230A - シリコーン版およびシリコーン版の作製方法

Info

Publication number: JP2001168230A
Application number: JP35263799A
Authority: JP
Inventors: Masashi Sato; 真史佐藤; Satoru Kuramochi; 悟倉持
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-12-13
Filing date: 1999-12-13
Publication date: 2001-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】転写材をその凹部に形成し、被転写部材に転
写形成する作業を、繰り返し行うための転写版であっ
て、転写性が良く、繰り返し使用することができる転写
版を提供する。更に具体的には、配線の高密度化、即ち
微細化に対応でき、且つ、品質的にも高信頼性がある配
線形成が行え、且つ、繰り返し使用することができる配
線転写形成用の転写版を提供する。【解決手段】転写材をその凹部に形成し、被転写部材
に転写形成する作業を、繰り返し行うための転写版であ
って、ベース基材面上に、所定形状の開口により凹部を
形成したシリコーン層からなる賦型層を設けている。更
に、シリコーン層が付加型である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、転写材をその凹部
に形成し、被転写部材に転写形成する作業を、繰り返し
行うための転写版に関し、特に、ベース基材面上に、所
定形状の凹部を形成したシリコーン層からなる賦型層を
設けているシリコーン版に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高密度化、高機能化が
進む中、益々、半導体装置の高密度化、高機能化、半導
体パッケージの小型化、多ピン化、外部端子のファイン
ピッチ化が求められている。半導体素子、半導体装置の
極小化、薄型化が進み、高密度実装の時代となった。Ｌ
ＳＩを直接プリント配線板に実装、あるいはＣＳＰ（Ｃ
ｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）をプリント配線板に実装する
ようになってきた。最近では、半導体素子（フリフチッ
プ）をマザーボードであるプリント配線板に搭載するた
めの中間的な配線となるインターポーザ（配線基板）
や、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）タイプ
の半導体装置を形成するための配線基板も、高密度化の
要求に対応して、開発されるようになってきた。これに
伴い、マザーボード（プリント配線板）についても、益
々、配線の高密度化が求められ、図４に示すような、Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ、インターポーザ等の外部端子部と接合す
るためのピン端子４１５を二次元的に配列（エリアアレ
イ）させ、ピン端子４１５からの配線４１０を多層配線
としている、ビルトアップ法により作製された多層配線
基板も開発されている。尚、図４（ｂ）は、ビルトアッ
プ基板の一部を示した平面図で、図４（ａ）はそのＡ３
領域をＡ４−Ａ５方向からみた場合の配線位置を示した
ものである。図４（ｂ）はそれをＡ１−Ａ２方向からみ
た図に相当する。図４中、４１０は配線、４１３は（充
填タンプの）バイアホール、４１５はピン端子、４１７
は外部端子、４２１、４２２、４２３は絶縁層である。

【０００３】一般に、多層配線基板の配線部の形成方法
としては、主としてサブトラクティブ法とアディティブ
法があるが、図４に示すビルトアップ法による多層配線
基板の配線部の形成方法は、配線の微細化の点からアデ
ィティブ法が採られている。配線層およびバイアホール
を１層づつ、絶縁層を介して積み上げ形成していく方法
をビルトアップ法と言い、通常、絶縁性の基材上ないし
絶縁性樹脂層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき
等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっ
き等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属
層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジス
トを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した
部分のみをエッチングすることにより配線部の形成を行
う。図４に示すようなビルトアップ法による多層配線基
板については、絶縁層を介した配線間の接続にバイアホ
ールを形成する必要があり、レーザやフォトリソグラフ
ィーにより絶縁層に孔開加工を施し、めっきにより、あ
るいは導電性ペーストを埋め込み、接続をとるが、この
場合、接続の信頼性を維持しつつ、密度を上げることが
難しい。また、ビルトアップ法による多層配線基板の製
造は手間がかかる。

【０００４】尚、一般には、絶縁性の基板の上全面に金
属配線部を形成するための金属層（銅箔）を形成してお
き、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去
して配線部を形成する方法をサブトラクティブ法と言
い、めっき等により形成された金属配線部を直接ないし
間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していく方法を
アディティブ法と言う。そして、サブトラクティブ法の
場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅
箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、
技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ
等による制約から配線部の微細加工が難しいという問題
があり、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配
線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、
コスト信頼性の面で難がある。

【０００５】上記のように、ビルトアップ法による多層
配線基板やその製造方法には種々問題がある為、最近、
配線の微細化を達成しつつ多層配線を比較的簡単に可能
とする多層配線基板の製造方法として、複数の転写版
に、それぞれ、所定の形状にめっき形成された配線層
を、配線を形成するベース基板に順次、配線を固定する
接着剤層である絶縁層を介して転写して、配線層を多層
に形成する多層配線基板の製造方法も提案されている。
この方法の場合、配線を固定し、且つ重なる配線間を絶
縁する絶縁層（接着剤層）の形成方法としては、印刷
方法、感光性樹脂のフォトリソグラフィー法、電着
形成法がある。印刷方法は、スクリーン印刷等の印刷によるもので、
量産的で、安価となるが、精度的に問題があり、高精度
高密度の配線形成には適していない。感光性樹脂のフォトリソグラフィー法の場合、高精度
高密度の配線形成には適しているが、工程が長く、作業
時間が長く、且つ複雑で、設備も高価となり、結果コス
ト高となる。さらに、ビルトアップ法による多層配線基
板の作製に適用する場合、材料費がはらむ。電着形成法としては、本出願人により、導電性基板上
に、配線層をめっき形成し、更に配線層上に電着によ
り、配線を固定し、且つ重なる配線間を絶縁する絶縁層
（接着剤層）の形成する方法が提案されている。

【０００６】電着形成法を、図３に基づいて簡単に説
明する。図３（ａ）は、レジスト３２０の膜厚より厚
く、配線となる導電性層３３０を形成する場合で、レジ
スト３２０をつけた状態で、更に導電性層３３０上に電
着樹脂層３４０が形成されている。レジスト３２０と電
着樹脂層３４０の接触する領域は少なく、レジストを付
けたこの状態で、配線形成用基板（図示していない）と
圧着して、電着樹脂層３４０を介して配線となる導電性
層３３０が転写される。この場合は、レジスト製版をい
くら微細に行っても、マッシュルーム状に配線となる導
電性層３３０がめっき形成されるため、配線の幅の精度
が確保できない。図３（ｂ）は、レジスト３２０の膜厚
より薄く、配線となる導電性層３３０を形成する場合で
ある。この場合は、配線となる導電性層上に、電着によ
り電着樹脂層３４０を形成すると、微細配線を形成する
ための微細な幅のレジストの開口部を形成するためには
レジスト３２０の厚さをある程度以下に薄くすることが
必要で、通常、図３（ｂ）のように電着樹脂層はマッシ
ュルーム状に形成されるが、レジスト３２０を電着樹脂
層３４０との接触領域が大で、レジスト３２０をつけた
まま、配線形成用基板（図示していない）と圧着して、
電着樹脂層３４０を介して配線となる導電性層３３０を
転写することは難しい。このため、図３（ｂ）の状態か
らレジスト３２０を剥離した後に、転写する方法も考え
られるが、この方法の場合、微細配線のめっき形成自体
は可能であるが、レジストの剥離処理において、電着樹
脂層３４０の破損があり、転写が均一に行えない、即ち
転写性が悪くなるという問題がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、簡便に、配線の高密度化ができて、品質的にも高信
頼性がある配線形成方法が求められていた。本発明は、
これに対応するもので、転写材をその凹部に形成し、被
転写部材に転写形成する作業を、繰り返し行うための転
写版であって、転写性が良く、繰り返し使用することが
できる転写版を提供しようとするものである。更に具体
的には、配線の高密度化、即ち微細化に対応でき、且
つ、品質的にも高信頼性がある配線形成が行え、且つ、
繰り返し使用することができる配線転写形成用の転写版
を提供しようとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のシリコーン版
は、転写材をその凹部に形成し、被転写部材に転写形成
する作業を、繰り返し行うための転写版であって、ベー
ス基材面上に、所定形状の開口により凹部を形成したシ
リコーン層からなる賦型層を設けていることを特徴とす
るものである。そして、上記において、シリコーン層が
付加型であることを特徴とするものである。そしてま
た、上記において、シリコーン層を設けているベース基
材面は導電性で、シリコーン層の開口からなる凹部に、
ベース基材面側から順に、配線層をめっき形成し、更
に、接着性の電着樹脂層を電着形成し、電着樹脂層を介
して、配線層を、被転写部材に転写形成する、転写用配
線部材であることを特徴とするものである。また、上記
において、ベース基材がステンレス材であることを特徴
とするものである。

【０００９】本発明のシリコーン版の作製方法は、転写
材をその凹部に形成し、被転写部材に転写形成する作業
を、繰り返し行うための転写版で、ベース基材面上に、
所定形状の開口により凹部を形成するシリコーン層から
なる賦型層を設けているシリコーン版を作製する、シリ
コーン版の作製方法であって、シリコーン層からなる賦
型層の形成をリフトオフ法にて行うことを特徴とするも
のである。そして、上記において、リフトオフ法は、順
に、（ａ）ベース基材面上に、前記所定形状の凹部に対
応した形状に開口を有する、レジスト層を形成する、レ
ジスト製版工程と、（ｂ）レジスト層を覆うように全面
にシリコーン層を塗布し、所定の温度で硬化する、シリ
コーン層形成工程と、（ｃ）レジスト層を溶解させ、レ
ジスト層上のシリコーン層を同時に除去し、前記開口の
みにシリコーン層を残す、レジスト層除去工程とを有す
るものであることを特徴とするものであり、シリコーン
層が付加型であることを特徴とするものである。また、
上記において、レジスト製版工程後、シリコーン層形成
工程前に、形成するシリコーン層のプライマー層を塗布
形成する、プライマー層形成工程を行うことを特徴とす
るものである。また、上記において、ベース基材がステ
ンレス材であり、リフトオフ法による賦型層の形成に先
たち、ベース基材の、賦型層形成面側に粗面化処理を施
し、中心線平均粗さＲａを０. ０５μｍ〜０. ５μｍに
制御しておくことを特徴とするものであり、粗面化処理
がウエットブラスト処理によることを特徴とするもの
である。尚、リフトオフ法による賦型層のパターン化の
面からＲｍａｘは３. ０μｍ以下であることが必要であ
る。また、ここで言う、ウエットブラスト処理は、水中
にアルミナ等の砥材を混入し、これを処理面に当てて、
物理的に粗面化するもので、ベース基材をステンレス材
とした転写用配線部材である場合、配線部をめっき形成
する面の粗さとしては、中心線平均粗さＲａが、０．０
５μｍ〜０．５μｍの範囲が好ましい。

【００１０】

【作用】本発明のシリコーン版は、このような構成にす
ることにより、転写材をその凹部に形成し、被転写部材
に転写形成する作業を、繰り返し行うための転写版であ
って、転写性が良く、繰り返し使用することができる転
写版の提供を可能にしている。更には、配線の高密度
化、即ち微細化に対応でき、且つ、品質的にも高信頼性
がある配線形成が行え、且つ、繰り返し使用することが
できる配線転写形成用の転写版の提供を可能にしてい
る。具体的には、転写材をその凹部に形成し、被転写部
材に転写形成する作業を、繰り返し行うための転写版で
あって、ベース基材面上に、所定形状の開口により凹部
を形成したシリコーン層からなる賦型層を設けているこ
とにより、更には、シリコーン層が付加型であることに
より、これを達成している。配線を選択めっき形成し、
これを転写形成するための転写用配線部材としては、シ
リコーン層を設けているベース基材面は導電性とする。
特に、シリコーン層の開口からなる凹部に、ベース基材
面側から順に、配線層をめっき形成し、更に、接着性の
電着樹脂層を電着形成し、電着樹脂層を介して、配線層
を、被転写部材に転写形成する転写用配線部材とした場
合には、有効である。転写版としては、転写用配線部材
に限定されない。各種転写部材を転写対象とすることが
できる。たとえば、インキを凹部に充填形成して印刷版
として用いることもできる。

【００１１】本発明のシリコーン版の作製方法は、この
ような構成にすることにより、上記の本発明のシリコー
ン版の製造を可能としている。シリコーン層からなる賦
型層の形成をリフトオフ法にて行うことにより、所定形
状の開口による凹部の形成を、微細に且つ精度良く行う
ことができる。配線形成用の転写版として用いた場合に
は、配線の高密度化、即ち微細化に対応でき、且つ、品
質的にも高信頼性がある配線形成が行え、且つ、繰り返
し使用することができ、生産面からは有利である。即
ち、本発明のシリコーン版の作製方法は、配線の微細化
に対応でき、且つ、品質的にも信頼できる転写用配線基
板の量産を可能とするものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の実施の形態例を挙
げ、図に基づいて説明する。図１（ｅ）は本発明のシリ
コーン版の実施の形態の１例の１断面図で、図１（ａ）
〜図１（ｅ）は本発明のシリコーン版の作製方法の実施
の形態の１例の断面工程図で、図２は本発明のシリコー
ン版が転写用配線基板である場合の配線部の形成と被転
写基板への配線の転写を説明するための断面図である。
図１、図２中、１１０はベース基板、１１０Ｓはベース
基板面、１２０はレジストパターン（単にレジストとも
言う）、１３０はプライマー層（下引き層とも言う）、
１４０はシリコーン、１４５は開口部（凹部とも言
う）、１７０は配線、１８０は電着樹脂層、１９０は被
転写基板である。

【００１３】先ず、本発明のシリコーン版の実施の形態
の１例を図１（ｅ）に基づいて説明する。本例のシリコ
ーン版は、シリコーン層１４０を設けているベース基板
１１０の一面１１０Ｓを導電性とする転写用配線基板
で、シリコーン層１４０の開口部（凹部）１４５に、ベ
ース基材面１１０Ｓ側から順に、配線層をめっき形成
し、更に、接着性の電着樹脂層を電着形成し、電着樹脂
層を介して、配線層を、被転写部材に転写形成するもの
である。そして、シリコーン層１４０の下、ベース基板
面１１０Ｓ上には、シリコーン層１４０の密着性を向上
させるためのプライマー層（下引き層）１３０を設けて
いる。

【００１４】ベース基板１１０としては、シリコーン層
１４０を設ける側の面１１０Ｓが導電性で、耐めっき性
があり、機械的強度があり、処理性の良いものであれ
ば、金属単体や、複合材問わないが、通常、ステンレス
材が用いられる。ベース基材をステンレス材とした転写
用配線部材である場合、めっき形成により配線部を形成
する面の粗さとしては、中心線平均粗さＲａが、０．０
５μｍ〜０．５μｍの範囲が好ましい。

【００１５】シリコーン層１４０としては、各種、反応
型、硬化形式、形態のシリコーン材が適用できるが、版
を作る上での下層との密着性の面等から、付加反応型シ
リコーンが特に好ましい。尚、付加反応型シリコーン
は、下記化学式（化１）で示される両末端、あるいは両
末端および鎖中に、ビニル基を有する直鎖状メチルビニ
ルポリシロキサンと、下記化学式（化２）で示されるメ
チルハイドロジェンポリシロキサンとを、白金系触媒の
存在下で下式（化３）のように反応させる型のものであ
り、ここでは、単に、付加型とも言う。

【化１】

【化２】

【化３】付加反応型シリコーンの、溶剤型は、通常固形分濃度３
０％のものが市販されており、これを固形分２〜１０％
程度にトルエン、ｎヘキサンなどで希釈し触媒を加えて
使用する。近年では、固形分１０〜３０％で塗工する高
濃度塗工タイプも市販されている。溶液濃度や粘度は、
ぬれ性、ポットライフ、硬化性に微妙な影響を与える。
無溶剤型は主剤に触媒を添加するだけで使用するもの
で、溶剤を使用しないため、安全性、衛生性、大気汚染
の面で非常に利点があるが、塗工性の面で問題がある。
硬化型としては、熱硬化型、紫外線硬化型、電子線硬化
型があるが、現状では、電子線硬化型は性能面で劣り、
熱硬化型、紫外線硬化型が適用できる。熱硬化型シリコ
ーンは、基材に対してはエネルギーの付与率が大きいた
め、硬化時の熱の影響を受け易い。２００〜４００ｎｍ
の紫外線のエネルギーにより硬化する方式の紫外線硬化
型シリコーンは、熱硬化型シリコーンに比較し、エネル
ギー効率が高く、基材に対してはエネルギーの付与率が
小さいため、硬化時の熱の影響を受けにくい。

【００１６】プライマー層（下引き層）１３０として
は、シランカップリング剤が用いられ、一般的にはアミ
ノシラン系が用いられる。シランカップリング剤は、被
着体表面（ベース基板面１３０Ｓ）に化学吸着し、加水
分解してシロキサンを形成し、被着体表面（ベース基板
面１３０Ｓ）の改質を行うとともに、シリコーン層１４
０の材質にもよるが、シリコーン層１４０が硬化する際
に、化学結合して取り込まれ接着性を付与しているもの
と思われる。

【００１７】次に、本発明のシリコーン版の作製方法の
実施の形態の１例を、図１（ａ）〜図１（ｅ）に基づい
て説明する。本例は、図１（ｅ）に示す、上記の実施の
形態例のシリコーン版で、転写用配線基板を形成するた
めのシリコーン版の製造方法の１例である。先ず、シリ
コーン層１４０を設ける側の面１１０Ｓが導電性で、耐
めっき性があり、機械的強度があり、処理性の良いベー
ス基板１１０を用意し（図１（ａ））、配線部の形状に
合わせた開口を有するシリコーン層を、リフトオフ法に
より形成するための、レジストパターン１２０を形成す
る。（図１（ｂ））ベース基板１１０としては、通常、ステンレス材が用い
られるが、その場合、、通常、めっき形成により配線部
を形成する面の粗さとしては、中心線平均粗さＲａが、
０．０５μｍ〜０．５μｍの範囲に制御するため、ウェ
ットブラスト処理により物理的研磨を行なっておく。レ
ジストパターン１２０の材質としては、シリコーン層１
４０をその上に覆った状態で、所定の剥離液でレジスト
パターンを剥離除去でき、同時にレジストパターン１２
０上のシリコーン層１４０を除去でき、その際、レジス
トパターン１２０上のシリコーン層１４０以外のシリコ
ーン層１４０に対し、ダメージの少ないものが、好まし
い。尚、レジストとしては、配線の微細化に対応できる
解像性を有することが必要なことは言うまでもない。

【００１８】次いで、レジストパターン１２０をも含
め、全面を覆うように、プライマー層１３０を塗布す
る。（図１（ｃ））プライマー層（下引き層）１３０としては、通常、シラ
ンカップリング剤を用いる。

【００１９】次いで、プライマー層（下引き層）１３０
上にシリコーン層１４０を、所定の厚に塗布する。（図
１（ｄ））シリコーン層１４０としては、通常、付加反応型シリコ
ーンで、溶剤型で、室温硬化（ＲＴＶとも言い、ＲＴＶ
はＲｏｏｍＴｅｍｍｐｅｒａｔｕｒｅ V ｕｌｃａｎ
ｉｚｉｎｇの略）するものが、処理性、品質面から用い
られる。

【００２０】次いで、シリコーン層１４０がその上に覆
った状態で、所定の剥離液でレジストパターンを剥離除
去し、同時にレジストパターン１２０上のシリコーン層
１４０を除去し、シリコーン版を得る。（図１（ｅ））このようにして、シリコーン版を得ることができる。

【００２１】次に、上記のようにして、得られたシリコ
ーン版の転写用配線基板としての使用例を、図２に基づ
いて簡単に説明しておく。先ず、シリコーン版のシリコ
ーン層１４０をめっきマスクとして、シリコーン層１４
０の開口（凹部とも言う）１４５に配線部１７０をめっ
き形成する。配線部１７０は、めっき形成された導電性
層からなり、材質としては銅および銅合金、ニッケ
ル、ニッケル合金、亜鉛、錫、クロム、金、銀、白金等
が挙げられる。導電性、コストの面から、銅めっき層お
よび銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、
ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通
常、用いられる。めっき法としては、公知のめっき法が
適用できる。

【００２２】次いで、露出した配線部１７０上に、転写
の際の接着層となる電着樹脂層１８０を電着形成する。
（図２（ｃ））配線部１７０を転写する際の接着剤層となる電着樹脂層
１８０を、必要に応じて、乾燥、硬化して、転写用の配
線基板を得る。（図２（ｃ）の配線基板をここでは転写
用の配線基板と言う）。

【００２３】電着液（電着剤）に用いられる高分子とし
ては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン
性合成高分子樹脂を挙げることができる。アニオン性合
成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル
樹脂、マレイン化油樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、
あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物と
して使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂と
メラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋
性樹脂とを併用しても良い。また、カチオン性合成高分
子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せ
による混合物として使用できる。さらに、上記のカチオ
ン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂
等の架橋性樹脂を併用しても良い。また、上記の高分子
樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン
系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加す
ることも可能である。上記高分子樹脂は、後述する製造
方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して
水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供
される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールア
ミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモ
ニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン
性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸
等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化され
た高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈
された状態で使用される。

【００２４】特に、絶縁信頼性の点から、好ましい電着
液（電着剤）としては、イオン性基を含有するポリイミ
ド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、
水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物から
なる電着塗料組成物が挙げられる。この電着塗料組成物
は、保存安定性の面からも好ましい。ポリイミドとして
は、溶剤可溶で、耐熱性、絶縁性、機械的強度を保てれ
ば良く、各種の芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンと
を、目的、機能により選択する。これらの芳香族酸ジ無
水物と、芳香族ジアミンとを加熱、脱水してポリイミド
が合成される。電着する機能を付加させるために、官能
基、イオン性基を導入する。例えば、カルボン酸を導入
する。この場合の方法としては、芳香族ジアミンとし
て、芳香族ジアミノカルボン酸等を用いることができ
る。尚、良好な接着性を持たせるためには、ジアミノジ
フェニルスルホンなどを導入する。

【００２５】使用できるポリイミドは、芳香族テトラカ
ルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンをほぼ等量用い、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンなどの有機極性溶媒中で加
熱、重縮合する。必要に応じて触媒を添加して１４０〜
２００°Ｃに加熱し、縮合により生じた水を系外に除去
する。

【００２６】電着するために導入する官能基すなわちイ
オン性基としては、アニオン性基であるならば、例え
ば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノー
ル基等を、カチオン性基としては、例えば、アミノ基等
を用いる。アニオン性基を導入する場合、特にカルボン
酸基が好ましく、モノマーとしてはジアミノ安息香酸等
が用いられる。

【００２７】アニオン電着液の場合、溶媒中に溶解した
アニオン性基を有する電着用ポリイミドを塩基性化合物
で中和し、適当な溶剤、水を添加する。塩基性化合物と
しては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、メ
チルモルホリンなどを使うことができる。カチオン電着
液の場合、溶媒中に溶解したカチオン性基を有する電着
液用ポリイミドを酸性化合物で中和し、適当な溶剤、水
を添加する。酸性化合物としては、ギ酸、乳酸、酢酸、
酪酸等を使うことができる。

【００２８】次いで、被転写基板１９０の転写面側に転
写用配線基板（図２（ｃ））の電着樹脂層１８０を向け
（図２（ｄ））、必要に応じ熱をかけ、両者を圧着し
（図２た（ｅ））後、シリコーン版（図２（ａ））を剥
離して、被転写版上に配線部１７０を電着樹脂層１８０
を介して転写形成する。（図２（ｆ））このようにして、シリコーン版を用い、めっき形成され
た配線部を目的の被転写基板に転写形成できる。

【００２９】

【実施例】更に、本発明を実施例を挙げて説明する。実
施例は、上記例の図１（ａ）〜図１（ｅ）に示すシリコ
ーン版の作製方法にて、図２のようにして配線部を被転
写基板に転写するための転写用配線基板である、図１
（ｅ）に示すシリコーン版を得たものである。図１
（ａ）〜図１（ｅ）に基づいて説明する。ベース基板１
１０として厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４，
新日本製鉄株式会社製）からなるベース基板１１０（図
１（ａ））を用い、そのシリコーン層形成面側を、以下
の処理条件でウエットブラスト処理を施し、十分水洗、
乾燥した。（ウエットブラスト処理条件）装置マコー株式会社製ウエットブラスト加工セル使用砥材多角形アルミナ＃１０００、平均粒径約１１. ５μｍ砥材濃度２０％ポンプ圧０. ８５ｋｇ／ｃｍ² エアー圧１. ０ｋｇ／ｃｍ² 処理速度１０ｍ／ｍｉｎ投射距離２０ｍｍ投射角度９０度ベース基板１１０の処理面１１０Ｓの粗さを、中心線平
均粗さＲａで、０．１５μｍにした。

【００３０】東京応化工業株式会社製のレジストＰＭＥ
Ｒ−ＡＲ９００（フェノール系ノボラック系レジスト）
を、粗面化されたベース基板面１１０Ｓ上に１４μｍの
厚みに塗布し、８５℃、３０分間のプリベークの後、所
定のパタン版を用い、１５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露
光し、所定の現像液にて現像し、８５℃、３０分間のポ
ストベークを行った。（図１（ｂ））現像液はＰ６Ｇ（東京応化工業株式会社製）を用い、リ
ンスは純水を用い行なった。

【００３１】次いで、東芝シリコーン製の、シランカッ
プリング剤ＴＳＬ８３３１をＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）で３％に希釈し、基板上に塗布し、８５℃、１
０分間の乾燥を行った。（図１（ｃ））

【００３２】次いで、付加反応型シリコーンである、Ｄ
ＯＷＣＯＲＮＩＮＩＧ社製のシラスコＲＴＶ−４０８
６を４μｍの厚さに塗布し、８５℃で１時間の硬化処理
を行った。（図１（ｄ））

【００３３】次いで、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）に
浸漬し、レジスト１２０を溶解させ、同時に、レジスト
１２０上のシリコーン層１４０を除去し、所定開口１４
５を有するシリコーン版を得た。（図１（ｅ））

【００３４】このようにして、図１（ｅ）に示すシリコ
ーン版を得た後、図２の方法により、以下のようにし
て、転写用配線基板を作製し、被転写用基板に配線部を
転写形成したが、繰り返し３００回使用してみたが、実
用に耐えるものであった。図２に基づいて、簡単に、転
写用配線基板（図２（ｃ））の作製と、被転写用基板へ
の配線部の転写形成を説明する。先ず、シリコーン版
（図１（ｅ））の開口１４５にベース基板面１１０Ｓ側
から順に、以下のようにして、金めっき、電解光沢Ｎｉ
（ニッケル）めっき、銅めっきを、それぞれ、１μｍ、
１μｍ、１０μｍ厚に形成した。（図２（ｂ））（電解金めっき）テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学社製）温度６０℃ 電流密度０. ４Ａ／ｄｍ² 時間１分（電解光沢ニッケルめっき）硫酸ニッケル（６水塩）３００ｇ／ｌ塩化ニッケル（６水塩）４５ｇ／ｌほう酸４０ｇ／ｌＰＣニッケルＡ−１１０ｍｌ／ｌＡ−２１ｍｌ／ｌ温度５０℃ 電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１分（電解銅めっき）硫酸銅（５水塩）７０ｇ／ｌ硫酸２００ｇ／ｌ塩酸０. ５ｍｌ／ｌスパースロー２０００光沢剤１０ｍｌ／ｌスパースロー２０００補正剤５ｍｌ／ｌ温度２０℃ 電流密度４Ａ／ｄｍ² 時間１２分

【００３５】次いで、以下のようにして、調整したポリ
イミド電着剤を用い、全体を電着浴槽１５０の電着液１
５５内に浸漬し、ベース基板１１０を一方の電極とし
て、１５０ｖ、10分間電着し、露出した開口部１４５
に、電着樹脂層１８０を形成した。そして、電着樹脂層
１８０を形成後、減圧下５０℃、６０分間乾燥を行ない
３０μｍ厚の電着生成された電着樹脂層１８０を転写の
際の接着剤層として得た。（図２（ｃ））電着剤の液温度はほぼ２５°Ｃになるようにして行っ
た。

【００３６】以下のようにポリイミドワニスを作製し、
電着液の調整を行った。＜ポリイミドワニスの製造＞１１容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。３、
４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモ
ル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）
スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モ
ル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モ
ル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ
（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエ
ン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室
温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８
０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させ
る。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、
ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミ
ノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．
１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、
室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇
温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍ
ｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除
きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終
了した。２０％ポリイミドワニスを得た。＜電着液の調製＞２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇ
に３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−
ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベ
ンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ
（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４
％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。

【００３７】次いで、ホットプレート、転写用配線基
板、被転写基板、ゴム板の順に重ね、２００℃前後まで
加熱し、ホットプレートとゴム板間を真空することによ
り転写用配線基板と被転写基板を密着させ（図２
（ｅ））、シリコーン版のみを剥離し、転写用配線基板
の配線部を被転写基板へ転写形成した。（図２（ｆ））このようにして、所望の配線を被転写基板に転写形成す
ることができた。

【００３８】この後、３００°Ｃ、３０分間で電着生成
物を加熱処理して硬化させ、乾燥膜厚２０μｍを得た。

【００３９】

【発明の効果】本発明は、上記のように、転写材をその
凹部に形成し、被転写部材に転写形成する作業を、繰り
返し行うための転写版であって、転写性が良く、繰り返
し使用することができる転写版の提供を可能にした。更
に具体的には、配線の高密度化、即ち微細化に対応で
き、且つ、品質的にも高信頼性がある配線形成が行え、
且つ、繰り返し使用することができる転写形成用の転写
版の提供を可能にした。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ｅ）は本発明のシリコーン版の実施の形
態の１例の１断面図で、図１（ａ）〜図１（ｅ）は本発
明のシリコーン版の作製方法の実施の形態の１例の断面
工程図である。

【図２】本発明のシリコーン版が転写用配線基板である
場合の配線部の形成と被転写基板への配線の転写を説明
するための断面図である。

【図３】転写版の絶縁層（接着剤層）の形成を電着形成
する電着形成法と転写性を説明するための図

【図４】ビルトアップ基板の一部を示した図

【符号の説明】

１１０ベース基板１１０Ｓベース基板面１２０レジストパターン（単にレジストと
も言う）１３０プライマー層（下引き層とも言う）１４０シリコーン１４５開口部（凹部とも言う）１７０配線１８０電着樹脂層１９０被転写基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】転写材をその凹部に形成し、被転写部材
に転写形成する作業を、繰り返し行うための転写版であ
って、ベース基材面上に、所定形状の開口により凹部を
形成したシリコーン層からなる賦型層を設けていること
を特徴とするシリコーン版。
【請求項２】請求項１において、シリコーン層が付加
型であることを特徴とするシリコーン版。
【請求項３】請求項１ないし２において、シリコーン
層を設けているベース基材面は導電性で、シリコーン
層の開口からなる凹部に、ベース基材面側から順に、配
線層をめっき形成し、更に、接着性の電着樹脂層を電着
形成し、電着樹脂層を介して、配線層を、被転写部材に
転写形成する、転写用配線部材であることを特徴とする
シリコーン版。
【請求項４】請求項３において、ベース基材がステン
レス材であることを特徴とするシリコーン版。
【請求項５】転写材をその凹部に形成し、被転写部材
に転写形成する作業を、繰り返し行うための転写版で、
ベース基材面上に、所定形状の開口により凹部を形成す
るシリコーン層からなる賦型層を設けているシリコーン
版を作製する、シリコーン版の作製方法であって、シリ
コーン層からなる賦型層の形成をリフトオフ法にて行う
ことを特徴とするシリコーン版の作製方法。
【請求項６】請求項５において、リフトオフ法は、順
に、（ａ）ベース基材面上に、前記所定形状の凹部に対
応した形状に開口を有する、レジスト層を形成する、レ
ジスト製版工程と、（ｂ）レジスト層を覆うように全面
にシリコーン層を塗布し、所定の温度で硬化する、シリ
コーン層形成工程と、（ｃ）レジスト層を溶解させ、レ
ジスト層上のシリコーン層を同時に除去し、前記開口の
みにシリコーン層を残す、レジスト層除去工程とを有す
るものであることを特徴とするシリコーン版の作製方
法。
【請求項７】請求項において、シリコーン層が付加型
であることを特徴とするシリコーン版の作製方法。
【請求項８】請求項６ないし７において、レジスト製
版工程後、シリコーン層形成工程前に、形成するシリコ
ーン層のプライマー層を塗布形成する、プライマー層形
成工程を行うことを特徴とするシリコーン版の作製方
法。
【請求項９】請求項５ないし８において、ベース基材
がステンレス材であり、リフトオフ法による賦型層の形
成に先たち、ベース基材の、賦型層形成面側に粗面化処
理を施し、中心線平均粗さＲａを０. ０５μｍ〜０. ５
μｍに制御しておくことを特徴とするシリコーン版の作
製方法。
【請求項１０】請求項９において、粗面化処理がウ
エットブラスト処理によることを特徴とするシリコーン
版の作製方法。