JP2001168061A - Target for forming film on semiconductor substrate by laser irradiation and method of production - Google Patents
Target for forming film on semiconductor substrate by laser irradiation and method of productionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザを用いて金
属や絶縁物などの成膜を半導体基板上に形成するターゲ
ット及び前記ターゲットを用いた成膜の形成方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a target for forming a film of a metal or an insulator on a semiconductor substrate by using a laser and a method for forming a film using the target.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来半導体装置に用いられる半導体基板
には金属膜などを堆積させる手段として、金属膜などの
材料をターゲットとし、このターゲットをレーザを用い
て蒸発させ、これを半導体基板上に堆積させる方法が知
られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a means for depositing a metal film or the like on a semiconductor substrate used for a semiconductor device, a material such as a metal film is used as a target, and the target is evaporated using a laser and deposited on the semiconductor substrate. A method for causing this to occur is known.
【０００３】図１８は、従来のレーザを利用した蒸着装
置を模式的に示す断面図である。ここで示した従来のレ
ーザ蒸着法とは、ターゲット基板２の斜め方向からレー
ザ光を照射し、ターゲットをアブレーションすることに
より、ターゲット上方に設置された基板１に薄膜を形成
する方法である。この方法を用いて基板１上で形成され
た膜は、液滴状で蒸着されており、その結果、平坦性が
悪くなるという問題が生じている。また、基板−ターゲ
ット間の距離が長いために選択的な蒸着が原理的に不可
能となり、基板上に所望のパターンを形成することが困
難である。選択的な蒸着方法の従来例としては、図１９
（ａ）に示すように、レーザ光を容易に透過させる石英
基板３上にアルミニウム等の金属薄膜４を形成したもの
を用いる。また、この石英基板３の金属薄膜４に対向し
て半導体基板１を配置する。そして、図１９（ｂ）のよ
うに、石英基板３側からレーザ照射することにより、タ
ーゲット膜である金属薄膜４の前方に設置された半導体
基板１へ金属薄膜を転写している。FIG. 18 is a sectional view schematically showing a conventional vapor deposition apparatus using a laser. The conventional laser deposition method shown here is a method in which a thin film is formed on the substrate 1 placed above the target by irradiating the target substrate 2 with laser light from an oblique direction and ablating the target. The film formed on the substrate 1 using this method is deposited in the form of droplets, and as a result, there is a problem that the flatness is deteriorated. Further, since the distance between the substrate and the target is long, selective vapor deposition becomes impossible in principle, and it is difficult to form a desired pattern on the substrate. FIG. 19 shows a conventional example of a selective vapor deposition method.
As shown in FIG. 1A, a metal thin film 4 made of aluminum or the like is formed on a quartz substrate 3 through which laser light is easily transmitted. Further, the semiconductor substrate 1 is arranged so as to face the metal thin film 4 of the quartz substrate 3. Then, as shown in FIG. 19B, the metal thin film is transferred to the semiconductor substrate 1 provided in front of the metal thin film 4 as the target film by irradiating the laser from the quartz substrate 3 side.
【０００４】以上のように、図１９に示す方法を用いる
ことにより、選択的に膜を形成することは可能となる
が、半導体基板１上では液滴状の余分な膜が形成されて
おり、平坦性が確保できないといった問題が生じてい
る。さらに、この方法では、ＳｉＯ2 等のレーザを殆ど
吸収しない物質をターゲット薄膜４に用いると、薄膜４
をレーザ照射によりアブレーションできなくなり、基板
上への成膜が不可能となるという問題があった。As described above, it is possible to selectively form a film by using the method shown in FIG. 19, but an extra film in the form of a droplet is formed on the semiconductor substrate 1, There is a problem that flatness cannot be ensured. Further, in this method, when a substance that hardly absorbs laser, such as SiO 2 , is used for the target thin film 4,
Cannot be ablated by laser irradiation, making it impossible to form a film on a substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】それ故、本発明の目的
は、レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するタ
ーゲットを提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a target for forming a film on a semiconductor substrate by laser irradiation.
【０００６】本発明の他の目的は、レーザ照射により半
導体基板上に導電性物質、半導体物質及び絶縁性物質か
ら選択された成膜を形成するターゲットを提供すること
である。It is another object of the present invention to provide a target for forming a film selected from a conductive material, a semiconductor material and an insulating material on a semiconductor substrate by laser irradiation.
【０００７】本発明の別の目的は、レーザ照射により半
導体基板上に薄膜又は厚膜形成するターゲットを提供す
ることである。Another object of the present invention is to provide a target for forming a thin film or a thick film on a semiconductor substrate by laser irradiation.
【０００８】本発明のさらに他の目的は、レーザ照射に
より半導体基板上に成膜を形成する方法を提供すること
である。It is still another object of the present invention to provide a method for forming a film on a semiconductor substrate by laser irradiation.
【０００９】本発明のさらに別の目的は、リソグラフィ
技術を用いることなく、半導体基板上に成膜を形成する
方法を提供することである。Still another object of the present invention is to provide a method for forming a film on a semiconductor substrate without using a lithography technique.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明によるターゲット
は、互いに対向する第１及び第２の表面を有する透明基
板と、前記第１の表面上に設けられたガス発生膜と、前
記ガス発生膜上に設けられたターゲット膜とからなり、
前記第２の表面からのレーザ照射により前記ターゲット
膜と対向配置された半導体基板上に成膜を形成してい
る。前記ガス発生膜として、ニトロセルロース、テトラ
ゾール等のガス発生剤が用いられ、また、前記ターゲッ
ト膜として、金、アルミニウム、銅等からなる金属、シ
リコンのような半導体、又はシリコン酸化物、シリコン
窒化物のような絶縁物を使用することができる。A target according to the present invention comprises a transparent substrate having first and second surfaces facing each other, a gas generating film provided on the first surface, and a gas generating film. Consisting of a target film provided on top,
A film is formed on a semiconductor substrate opposed to the target film by laser irradiation from the second surface. As the gas generating film, a gas generating agent such as nitrocellulose or tetrazole is used, and as the target film, a metal such as gold, aluminum, or copper, a semiconductor such as silicon, or a silicon oxide or silicon nitride An insulator such as can be used.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明は、照射レーザに対して透
明な基板上にレーザによりガスを発生する物質とターゲ
ットとなる物質を含んだ構造のターゲット膜を形成し、
透明な基板側からレーザを照射することを特徴とする。
このような構成により、低エネルギーのレーザ照射で半
導体基板上に金属薄膜などの成膜を施すことができ、ま
た、ターゲット膜を飛散させることなく良好なパターン
を形成することができる。また、照射レーザに対して透
明な基板上にレーザが照射されると、その照射部分のタ
ーゲット膜のみを選択的に半導体基板上に転写させるこ
とができる。したがって、半導体基板上の所定の部分を
予め決めておけば、リソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることなく、所定のパターンを有するターゲット
膜を半導体基板上に転写させることができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention forms a target film having a structure containing a substance generating a gas by a laser and a substance serving as a target on a substrate transparent to an irradiation laser,
It is characterized by irradiating a laser from the transparent substrate side.
With such a structure, a thin metal film or the like can be formed on a semiconductor substrate by low-energy laser irradiation, and a favorable pattern can be formed without scattering the target film. Further, when the laser is irradiated onto the transparent substrate with respect to the irradiation laser, only the target film at the irradiated portion can be selectively transferred onto the semiconductor substrate. Therefore, if a predetermined portion on the semiconductor substrate is determined in advance, a target film having a predetermined pattern can be transferred onto the semiconductor substrate without patterning using a lithography technique.
【００１２】本発明の方法は、金属膜を用いる場合には
電極パッド形成に適しているが、レーザ照射で形成した
ターゲット膜を半導体基板上に繋げていけば配線を形成
することもできる。また、半導体基板上の絶縁膜は、広
い面積に形成されることが多いが、上記のようにターゲ
ット膜を連結しながら形成する方法を用いるなら容易に
広い面積の絶縁膜形成に本発明を適用することができ
る。レーザビーム径を大きくすればターゲット膜を大き
くすることができるし、半導体基板とレーザとの間にマ
スクを介在させれば、任意の形状のターゲット膜が得ら
れる。The method of the present invention is suitable for forming an electrode pad when a metal film is used, but it is also possible to form a wiring if a target film formed by laser irradiation is connected to a semiconductor substrate. In addition, an insulating film on a semiconductor substrate is often formed over a wide area. However, if the method of forming while connecting target films as described above is used, the present invention is easily applied to the formation of an insulating film over a large area. can do. The target film can be made larger by increasing the laser beam diameter, and a target film of any shape can be obtained by interposing a mask between the semiconductor substrate and the laser.
【００１３】前記照射されるレーザに対して透明な基板
上に形成されるレーザ照射によりガスを発生する物質を
有するターゲットは、前記透明な基板上に形成されたレ
ーザ照射によりガスを発生する膜と、このレーザ照射に
よりガスを発生する膜上に形成されたターゲット膜とか
らなる。ガス発生膜を用いることにより、成膜する膜を
飛散させることなく、半導体基板上に形成させることが
可能となる。前記照射レーザに対して透明な基板上に形
成されるターゲットは、導電性粒子であり、前記導電性
粒子中にレーザ照射によりガスを発生する物質が溶剤と
して含有されているようにしても良い。[0013] The target having a substance which generates a gas by laser irradiation formed on a transparent substrate with respect to the laser to be irradiated includes a film formed on the transparent substrate and which generates gas by laser irradiation. And a target film formed on a film that generates gas by the laser irradiation. By using the gas generating film, the film to be formed can be formed over the semiconductor substrate without scattering. The target formed on the substrate transparent to the irradiation laser may be a conductive particle, and the conductive particle may contain a substance that generates a gas by laser irradiation as a solvent.
【００１４】レーザ照射により容易にガスを発生する溶
剤を有する導電性ペーストをターゲット基板に用いて成
膜を施すと、従来の印刷法と比較して、より微細なパタ
ーンを形成することが可能となり、さらに、印刷法で問
題となっているボイド等の欠陥生成も軽減される。前記
照射レーザに対して透明な基板上に形成されるターゲッ
トは、レーザ照射によりガスを発生する膜と、導電性粒
子の膜とからなる。より低エネルギーのレーザ照射で、
より厚膜の導電性ペーストを形成することが可能とな
る。前記照射レーザに対して透明な基板上に形成される
ターゲットは、前記照射レーザに対して透明な基板上に
形成されたレーザ照射によりガスを発生する膜と、前記
ガスを発生する膜上に形成され、金属バンプを構成する
厚膜とからなるようにしても良い。半導体基板の任意の
場所のパッドに金属バンプを設置すると同時に接続も行
うことができる。When a film is formed using a conductive paste having a solvent which easily generates gas by laser irradiation on a target substrate, a finer pattern can be formed as compared with a conventional printing method. Further, the generation of defects such as voids, which is a problem in the printing method, is reduced. The target formed on the substrate transparent to the irradiation laser includes a film that generates a gas by laser irradiation and a film of conductive particles. With lower energy laser irradiation,
It is possible to form a thicker conductive paste. The target formed on the substrate transparent to the irradiation laser is formed on a film that generates gas by laser irradiation formed on the substrate that is transparent to the irradiation laser, and a film that generates the gas. In this case, a thick film forming a metal bump may be used. The connection can be made at the same time as the metal bumps are placed on the pads at arbitrary places on the semiconductor substrate.
【００１５】また、本発明は、上記レーザ照射によりガ
スを発生する膜を用いて、半導体基板上に形成された銅
箔などの薄膜を所定のパターンにエッチングする方法に
適用することができる。パターニングされた薄膜は、配
線や電極などに用いられる。薄膜材料には銅の他にアル
ミニウム、ポリシリコンなどが用いられる。また、エッ
チングガスは、上記材料をエッチングすることができる
ものならどのようなガスでも良い。Further, the present invention can be applied to a method of etching a thin film such as a copper foil formed on a semiconductor substrate into a predetermined pattern by using the above-mentioned film which generates gas by laser irradiation. The patterned thin film is used for wiring, electrodes, and the like. Aluminum, polysilicon, or the like is used as the thin film material in addition to copper. The etching gas may be any gas that can etch the above-described material.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】本発明は、レーザに対して透明な基板上に
形成するターゲットをレーザ照射によりガスを発生する
膜（以下、この膜をガス発生膜という）と成膜される膜
の多層構造もしくはレーザ照射によりガスを発生する物
質と成膜する粒子との混合物又はガスを発生する物質の
膜上に金属バンプを接合した構造とし、ターゲット膜や
粒子もしくはバンプを飛散させることなく半導体基板上
へパターン形成させることができる。According to the present invention, there is provided a multi-layer structure of a film which generates a gas by irradiating a laser on a target formed on a substrate transparent to a laser (hereinafter, this film is referred to as a gas generating film) or a film formed by a laser A structure in which a metal bump is bonded to a mixture of a substance that generates gas by irradiation and a particle that forms a film or a substance that generates a gas, and a pattern is formed on a semiconductor substrate without scattering target films, particles, or bumps Can be done.
【００１８】まず、図１乃至図８を参照して第１の実施
例を説明する。First, a first embodiment will be described with reference to FIGS.
【００１９】図１は、この実施例で用いるターゲットを
示している。レーザ光を透過させる合成石英基板１０上
にレーザ照射によってガスを発生する膜（ガス発生膜）
１１を形成する。このガス発生膜１１としては、例え
ば、ニトルセルロース膜（火薬剤）を用いる。さらに、
ガス発生膜１１上にターゲット膜１２を形成する。ター
ゲット膜１２としては、例えば、金、アルミニウム、
銅、シリコン、シリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）もしくはシ
リコン窒化物（Ｓｉ3 Ｎ4 ）が用いられる。ガス発生膜
としてはこの他にテトラゾールなどのガス発生剤などが
用いられる。FIG. 1 shows a target used in this embodiment. A film that generates gas by laser irradiation on a synthetic quartz substrate 10 that transmits laser light (gas generating film)
11 is formed. As the gas generating film 11, for example, a nitrous cellulose film (explosive) is used. further,
A target film 12 is formed on the gas generating film 11. As the target film 12, for example, gold, aluminum,
Copper, silicon, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ) is used. In addition, a gas generating agent such as tetrazole or the like is used as the gas generating film.
【００２０】次に、図２及び図３を参照してレーザ照射
装置の概略を説明する。この実施例では、図２に示すよ
うに、レーザ照射軸と同軸で観察用の光を半導体基板１
上へ入射させることができるように構成されている。こ
の観察光を用いて半導体基板１上に形成されたアライメ
ントマークを観察し、半導体基板１とレーザ照射軸との
アライメントを施すことができる。図３に示すように、
アライメント終了後、ターゲット基板駆動装置１６を用
いてターゲット基板１３をステージ１４上に搭載されて
いる半導体基板１の上部に設置する。ターゲット基板１
３は、図１に示すように、レーザ光を透過させる石英基
板１０とこの上に形成されたガス発生膜１１及びターゲ
ット膜１２から構成されており、ターゲット基板１３
は、石英基板１０側からレーザ照射されるように設置さ
れて、レーザ照射によってターゲット膜１２前方に設置
された半導体基板１上への成膜を行う。ここで用いられ
る観察光は、ＣＣＤカメラにより検知され、モニタによ
りその位置が修正される。ターゲット基板駆動装置１６
は、ターゲット基板１３を保持するターゲットホルダ１
５を有し、ターゲットホルダ１５の移動によって、ター
ゲット基板１３を半導体基板１上に配置させることがで
きる。Next, the outline of the laser irradiation apparatus will be described with reference to FIGS. In this embodiment, as shown in FIG.
It is configured to be able to be incident on the upper side. Using this observation light, the alignment mark formed on the semiconductor substrate 1 is observed, and alignment between the semiconductor substrate 1 and the laser irradiation axis can be performed. As shown in FIG.
After the alignment, the target substrate 13 is set on the semiconductor substrate 1 mounted on the stage 14 using the target substrate driving device 16. Target substrate 1
As shown in FIG. 1, reference numeral 3 denotes a quartz substrate 10 through which laser light is transmitted, and a gas generating film 11 and a target film 12 formed thereon.
Is installed so as to be irradiated with laser from the quartz substrate 10 side, and forms a film on the semiconductor substrate 1 installed in front of the target film 12 by laser irradiation. The observation light used here is detected by a CCD camera, and its position is corrected by a monitor. Target substrate driving device 16
Is a target holder 1 for holding a target substrate 13.
5, the target substrate 13 can be arranged on the semiconductor substrate 1 by moving the target holder 15.
【００２１】次に、図３の領域Ａを拡大した図４を参照
してレーザ照射による成膜工程を説明する。図４（ａ）
に示すように、半導体基板１に対向する石英基板１０の
背面からレーザが照射されると、図４（ｂ）のように、
半導体基板１上に選択的にターゲット膜が形成される。
ターゲット基板１３及び半導体基板１を走査させなが
ら、レーザ照射を繰り返すことにより、図４（ｃ）のよ
うに、半導体基板上１への薄膜パターンの形成が可能と
なる。Next, a film forming process by laser irradiation will be described with reference to FIG. 4 in which the area A in FIG. 3 is enlarged. FIG. 4 (a)
As shown in FIG. 4, when the laser is irradiated from the back of the quartz substrate 10 facing the semiconductor substrate 1, as shown in FIG.
A target film is selectively formed on the semiconductor substrate 1.
By repeating laser irradiation while scanning the target substrate 13 and the semiconductor substrate 1, a thin film pattern can be formed on the semiconductor substrate 1 as shown in FIG.
【００２２】図５は、半導体基板１の平面図である。図
４に示す方法により形成されたアルミニウムなどからな
るパッド電極１２１が所定のパターンで半導体基板１上
に形成されている。FIG. 5 is a plan view of the semiconductor substrate 1. Pad electrodes 121 made of aluminum or the like formed by the method shown in FIG. 4 are formed on semiconductor substrate 1 in a predetermined pattern.
【００２３】この実施例においてガス発生膜として用い
たニトロセルロースは、約３００ｎｍ以下の波長の光を
吸収することが知られている。したがって、この実施例
では波長が約３００ｎｍ以下となる照射レーザとして、
波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザもしくは波長２
６６ｎｍのＮｄ：ＹＡＧ第四高調波を用いる。It is known that nitrocellulose used as a gas generating film in this embodiment absorbs light having a wavelength of about 300 nm or less. Therefore, in this embodiment, as an irradiation laser having a wavelength of about 300 nm or less,
KrF excimer laser of wavelength 248 nm or wavelength 2
A 66 nm Nd: YAG fourth harmonic is used.
【００２４】以上のように、本実施例においてはガス発
生膜としてニトロセルロースを用い、照射レーザとして
波長３００ｎｍ以下のレーザを用いたが、どのようなレ
ーザであっても、その波長のレーザ光を吸収してガスを
発生することができる膜であれば本発明を適用すること
が可能であることは言うまでもない。As described above, in this embodiment, nitrocellulose is used as the gas generating film, and a laser having a wavelength of 300 nm or less is used as the irradiation laser. Needless to say, the present invention can be applied to any film that can generate a gas by absorption.
【００２５】この実施例における成膜効果を説明するた
めに、ガス発生膜を用いた場合とガス発生膜を使用せず
に石英基板上に直接ターゲットを形成した場合を図６乃
至図８を参照して比較する。To explain the film forming effect in this embodiment, FIGS. 6 to 8 show a case where a gas generating film is used and a case where a target is formed directly on a quartz substrate without using a gas generating film. And compare.
【００２６】図６は、金属もしくは半導体のターゲット
膜１７を石英基板１０上に形成した場合の結果を示して
いる。具体的には、金、アルミニウム、銅もしくはシリ
コンなどを用いた。図６（ａ）は、従来通りガス発生膜
を用いない場合であり、図６（ｂ）は、ガス発生膜１１
を用いた場合の実施結果を示している。図６（ａ）に示
すように、ガス発生膜を用いないと半導体基板１上にタ
ーゲット膜が飛散し、また液滴状になるので平坦性も非
常に悪いことが分かる。一方、図６（ｂ）に示されるよ
うに、ガス発生膜１１を用いた場合には飛散物は形成さ
れず、また平坦性も良好であることが分かる。FIG. 6 shows the result when the metal or semiconductor target film 17 is formed on the quartz substrate 10. Specifically, gold, aluminum, copper, silicon, or the like was used. FIG. 6A shows a case where a gas generating film is not used as in the related art, and FIG.
3 shows the results of the implementation using. As shown in FIG. 6A, it can be seen that when no gas generating film is used, the target film scatters on the semiconductor substrate 1 and becomes a droplet, so that the flatness is very poor. On the other hand, as shown in FIG. 6B, when the gas generating film 11 is used, no scattered matter is formed and the flatness is good.
【００２７】図７は、レーザを吸収せずに透過するシリ
コン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）をターゲット膜１８として石
英基板１０上に形成した場合の結果を示している。図７
（ａ）は、ガス発生膜を用いない場合であり、図７
（ｂ）は、ガス発生膜を用いた場合の結果を示してい
る。図７（ａ）に示すように、ガス発生膜を形成しない
場合にはレーザ光は石英基板１０とターゲット膜１８を
透過し、レーザ光が直接半導体基板上に照射されるので
半導体基板は照射損傷を受ける。一方、ＳｉＯ2 からな
るターゲット膜１８下にガス発生膜１１を形成すると、
ガス発生膜１１がレーザ光を吸収するので半導体基板１
上まではレーザが到達しない。したがって、半導体基板
１へのレーザ照射による損傷を抑制することになる。さ
らに、レーザエネルギーを吸収したガス発生膜１１がガ
ス化することによりターゲット膜１８を半導体基板１上
に形成させる。FIG. 7 shows a result in the case where a silicon oxide film (SiO 2 film) that transmits laser light without absorbing it is formed on the quartz substrate 10 as the target film 18. FIG.
FIG. 7A shows a case where the gas generating film is not used, and FIG.
(B) shows the result when the gas generating film was used. As shown in FIG. 7A, when the gas generating film is not formed, the laser light passes through the quartz substrate 10 and the target film 18 and the laser light is directly irradiated on the semiconductor substrate. Receive. On the other hand, when the gas generating film 11 is formed under the target film 18 made of SiO 2 ,
Since the gas generating film 11 absorbs laser light, the semiconductor substrate 1
The laser does not reach up. Therefore, damage to the semiconductor substrate 1 due to laser irradiation is suppressed. Further, the target film 18 is formed on the semiconductor substrate 1 by gasifying the gas generating film 11 that has absorbed the laser energy.
【００２８】図８は、シリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）
をターゲット膜１９として石英基板１０上に形成した場
合の結果を示している。図８（ａ）は、ガス発生膜を用
いない場合であり、図８（ｂ）は、ガス発生膜を用いた
場合の結果を示している。図８（ａ）に示すように、ガ
ス発生膜を用いないでターゲット膜１９にレーザを照射
した場合には、半導体基板１上でＳｉ3 Ｎ4 は粒子状で
飛散することが分かる。このような飛散現象は、Ｓｉ3
Ｎ4 膜がレーザ光を吸収するにも関わらず、Ｓｉ3 Ｎ4
の熱拡散長が金属膜や半導体膜と比較して著しく短い為
にレーザ照射面において局所的に温度が上昇し、その結
果、Ｓｉ3 Ｎ4 膜内部で大きな歪みが生じるためである
と考えられる。一方、ガス発生膜１１を用いた場合に
は、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を飛散させることなくターゲット膜を
成膜させることが可能となる。FIG. 8 shows a silicon nitride film (Si 3 N 4 film).
Shows the result when the target film 19 is formed on the quartz substrate 10 as the target film 19. FIG. 8A shows a case where the gas generating film is not used, and FIG. 8B shows a result where the gas generating film is used. As shown in FIG. 8A, when the target film 19 is irradiated with a laser without using the gas generating film, it can be seen that Si 3 N 4 is scattered in the form of particles on the semiconductor substrate 1. Such scattering phenomenon is caused by Si 3
Despite the fact that the N 4 film absorbs laser light, Si 3 N 4
Is considered to be because the thermal diffusion length of is significantly shorter than that of the metal film or the semiconductor film, so that the temperature locally rises on the laser irradiation surface, and as a result, a large distortion occurs inside the Si 3 N 4 film. . On the other hand, when the gas generating film 11 is used, the target film can be formed without scattering the Si 3 N 4 film.
【００２９】以上、この実施例ではレーザを容易に透過
する基板上にレーザ光を吸収するガス発生膜を形成し、
その上部にターゲット膜を形成すると、ターゲット膜の
レーザ透過率や吸収率等の光学的特性あるいは金属、半
導体、絶縁体等の物質の違いに依存することなく良好な
パターンを半導体基板上に形成することができる。As described above, in this embodiment, a gas generating film that absorbs laser light is formed on a substrate that easily transmits laser.
When a target film is formed thereon, a good pattern is formed on a semiconductor substrate without depending on optical characteristics such as laser transmittance and absorptivity of the target film or a difference in a material such as a metal, a semiconductor, and an insulator. be able to.
【００３０】次に、図９乃至図１３を参照して第２の実
施例を説明する。Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
【００３１】図９及び図１２は、ターゲット基板の断面
図、図１０は、従来法による工程を説明する工程断面
図、図１１及び図１３は、この実施例による工程断面図
である。第１の実施例においては、照射レーザに対して
透明な基板上にレーザ照射によりガスを発生する膜を形
成し、その上部にターゲット膜を形成する方法について
説明した。この実施例においては、照射レーザに対して
透明な基板上にレーザ照射によりガス化する溶液を含有
する導電性ぺーストを塗布したターゲットを用いてター
ゲット膜を形成する方法について説明する。FIGS. 9 and 12 are cross-sectional views of a target substrate, FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a process according to a conventional method, and FIGS. 11 and 13 are cross-sectional views of a process according to this embodiment. In the first embodiment, a method has been described in which a film that generates gas by laser irradiation is formed on a substrate transparent to an irradiation laser, and a target film is formed thereon. In this embodiment, a method of forming a target film using a target in which a conductive paste containing a solution gasified by laser irradiation is applied to a substrate transparent to an irradiation laser is described.
【００３２】図９は、この実施例で用いたターゲット基
板１３の断面図である。すなわち、このターゲット基板
１３は、照射レーザを容易に透過する合成石英基板１０
とこの石英基板１０上に塗布された導電性ペースト層２
０から構成されている。この実施例で用いた導電性ペー
ストは、金などの金属微粒子、エポキシなどの樹脂及び
プロピレングリコール、モノメチルエーテルなどの溶剤
の混合物から構成されている。この溶剤の沸点は、１２
０℃であるので低エネルギーのレーザ照射により容易に
ガス化させることができる。FIG. 9 is a sectional view of the target substrate 13 used in this embodiment. That is, the target substrate 13 is a synthetic quartz substrate 10 that easily transmits the irradiation laser.
And the conductive paste layer 2 applied on the quartz substrate 10
0. The conductive paste used in this embodiment is composed of a mixture of fine metal particles such as gold, a resin such as epoxy, and a solvent such as propylene glycol and monomethyl ether. The boiling point of this solvent is 12
Since the temperature is 0 ° C., it can be easily gasified by low-energy laser irradiation.
【００３３】溶剤の沸点が１００℃〜２００℃であり、
低エネルギーのレーザ照射によりガス化する溶剤を用い
れば本発明を適用することができる。The solvent has a boiling point of 100 ° C. to 200 ° C.,
The present invention can be applied to a solvent that is gasified by low-energy laser irradiation.
【００３４】図９で示したターゲット基板１３を図２及
び図３で示したレーザ照射装置のターゲットホルダ１５
上に石英基板１０側からレーザ照射できるように設置す
る。第１の実施例と同様に、半導体基板１とレーザ照射
軸のアライメントを施した後にターゲット基板１３を半
導体基板１上部に挿入し、ターゲット基板１３及び半導
体基板１を走査させながらレーザ照射を行うことによ
り、図１１に示すように、半導体基板１上に導電性ペー
ストから得られるターゲット膜のパターン形成が行われ
る。The target substrate 13 shown in FIG. 9 is placed on the target holder 15 of the laser irradiation apparatus shown in FIGS. 2 and 3.
It is set up so that laser irradiation can be performed from the quartz substrate 10 side. As in the first embodiment, after aligning the semiconductor substrate 1 with the laser irradiation axis, the target substrate 13 is inserted into the upper portion of the semiconductor substrate 1, and laser irradiation is performed while scanning the target substrate 13 and the semiconductor substrate 1. Thereby, as shown in FIG. 11, pattern formation of the target film obtained from the conductive paste on the semiconductor substrate 1 is performed.
【００３５】従来、導電性ペーストのパターン形成に
は、いわゆる印刷法が用いられており、以下にこの従来
法とこの実施例の成膜形成を比較する。Heretofore, a so-called printing method has been used for forming a pattern of a conductive paste, and the conventional method and the film formation of this embodiment will be compared below.
【００３６】図１０は、それぞれ従来の印刷法を示すも
のであり、図１１は、この実施例により半導体基板上に
導電性ペーストのパターンを形成した場合の成膜形状を
示している。従来の印刷法において、まず、図１０
（ａ）に示すように、半導体基板１上に金属などからな
るマスク２１を設置する。次に、図１０（ｂ）、（ｃ）
のように、マスク２１を配置した半導体基板１の上部か
ら導電性ペースト２０をスキージ２２を用いて塗布する
ことによりパターンを形成し、しかる後、金属マスク２
１を除去して、導電性ペーストパターンを半導体基板１
上に形成する。FIG. 10 shows a conventional printing method, and FIG. 11 shows a film forming shape when a conductive paste pattern is formed on a semiconductor substrate according to this embodiment. In the conventional printing method, first, FIG.
As shown in FIG. 1A, a mask 21 made of metal or the like is provided on a semiconductor substrate 1. Next, FIGS. 10B and 10C
A pattern is formed by applying a conductive paste 20 from above the semiconductor substrate 1 on which the mask 21 is disposed using a squeegee 22, as shown in FIG.
1 to remove the conductive paste pattern from the semiconductor substrate 1
Form on top.
【００３７】しかしながら、印刷法で形成されたパター
ンの最小寸法限界は、せいぜい約１０μｍであり、また
塗布される導電性ペーストの内部にはボイドが形成され
るといった問題が生じる。However, the minimum size limit of the pattern formed by the printing method is at most about 10 μm, and there is a problem that voids are formed inside the conductive paste to be applied.
【００３８】一方、図１１に示すように、この実施例で
形成されたパターンの最小寸法は、約３μｍであり、印
刷法と比較してより微細なパターンを有するターゲット
膜形成が可能であることが分かる。さらに、印刷法で観
測された導電性ペースト内部のボイド形成も十分抑制す
ることができる。On the other hand, as shown in FIG. 11, the minimum dimension of the pattern formed in this embodiment is about 3 μm, and it is possible to form a target film having a finer pattern than the printing method. I understand. Further, void formation inside the conductive paste observed by the printing method can be sufficiently suppressed.
【００３９】次に、図１２及び図１３を参照して、より
低いエネルギーのレーザ照射で図９より厚膜の導電性ペ
ーストを形成する方法を説明する。図１２に示すよう
に、照射レーザに対して透明な基板１０上にレーザ照射
によりガスを発生する膜１１を形成し、その上部に導電
性ペースト２０を塗布したターゲット基板１３を形成す
る。Next, with reference to FIGS. 12 and 13, a method of forming a thicker conductive paste than in FIG. 9 by laser irradiation with lower energy will be described. As shown in FIG. 12, a film 11 for generating a gas by laser irradiation is formed on a substrate 10 transparent to an irradiation laser, and a target substrate 13 on which a conductive paste 20 is applied is formed thereon.
【００４０】図１３に示すように、半導体基板１とレー
ザ照射軸のアライメントを施した後にターゲット基板１
３を半導体基板１上部に配置し、ターゲット基板１３及
び半導体基板１を走査させながらレーザ照射を行うこと
により半導体基板１上に導電性ペーストから得られるタ
ーゲット膜のパターン形成が行われる。As shown in FIG. 13, after alignment of the semiconductor substrate 1 with the laser irradiation axis, the target substrate 1
By arranging 3 on the semiconductor substrate 1 and irradiating a laser while scanning the target substrate 13 and the semiconductor substrate 1, a pattern of a target film obtained from a conductive paste is formed on the semiconductor substrate 1.
【００４１】ターゲット基板１３にガス発生膜を用いる
と、図１１に示したガス発生膜を用いない場合と比較し
て厚膜の導電性ペーストのパターンを形成することがで
きる。したがって、厚膜の導電性ペーストを形成する場
合には、図１２に示したガス発生膜を用いたターゲット
基板を用いることが望ましい。When a gas generating film is used for the target substrate 13, a thick conductive paste pattern can be formed as compared with the case where the gas generating film shown in FIG. 11 is not used. Therefore, when forming a thick conductive paste, it is desirable to use a target substrate using the gas generating film shown in FIG.
【００４２】次に、図１４乃至図１６を参照して第３の
実施例を説明する。Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS.
【００４３】図１４は、ターゲット基板の断面図、図１
５及び図１６は、バンプを形成する工程断面図である。
この実施例ではレーザ照射によりガス化するガス発生膜
上にハンダや金等の金属バンプを形成したターゲット基
板を用いる。図１４において、ターゲット基板１３は、
レーザ光を透過する石英基板１０とこの上に形成された
レーザ照射によりガスを発生する膜１１及びハンダや金
などの金属バンプ３０とから構成されている。ターゲッ
ト基板１３を図２及び図３で示したレーザ照射装置のタ
ーゲットホルダ１５に石英基板１０側からレーザ照射で
きるように設置し、半導体基板１とレーザ照射軸のアラ
イメントを施した後にターゲット基板１３を半導体基板
１上部に挿入し、ターゲット基板１３及び半導体基板１
を走査しながらレーザ照射を行うことにより半導体基板
１上に金属バンプ３０の接続を行う。FIG. 14 is a sectional view of the target substrate, and FIG.
5 and 16 are cross-sectional views of a process for forming a bump.
In this embodiment, a target substrate having a metal bump made of solder, gold, or the like formed on a gas generating film that is gasified by laser irradiation is used. In FIG. 14, the target substrate 13 is
It is composed of a quartz substrate 10 that transmits laser light, a film 11 formed on the quartz substrate 10 that emits gas by laser irradiation, and a metal bump 30 such as solder or gold. The target substrate 13 is set on the target holder 15 of the laser irradiation apparatus shown in FIGS. 2 and 3 so that the laser irradiation can be performed from the quartz substrate 10 side. The target substrate 13 and the semiconductor substrate 1 are inserted into the upper part of the semiconductor substrate 1.
The metal bumps 30 are connected on the semiconductor substrate 1 by performing laser irradiation while scanning the.
【００４４】本実施例で用いた金属バンプ３０は、ハン
ダバンプ又は金バンプであり、また、図１５（ａ）に示
すように、半導体基板１上にはアルミニウム（Ａｌ）パ
ッド３１が形成されている。金属バンプ３０上部からレ
ーザを照射するとレーザ照射によりガスを発生する膜が
ガス化することにより、金属バンプ３０が半導体基板１
側へ移動する。この膜がガス化することにより、金属バ
ンプ３０には１００気圧以上の圧力が印加される。ま
た、この時の金属バンプ３０の温度は、レーザ照射によ
りガスを発生する膜のガス化に伴う熱の影響を受けて数
１００℃になっていると予想される。The metal bumps 30 used in this embodiment are solder bumps or gold bumps, and an aluminum (Al) pad 31 is formed on the semiconductor substrate 1 as shown in FIG. . When a laser is irradiated from above the metal bump 30, the film that generates a gas by the laser irradiation is gasified, so that the metal bump 30 is
Move to the side. When this film is gasified, a pressure of 100 atm or more is applied to the metal bump 30. At this time, the temperature of the metal bump 30 is expected to be several hundred degrees Celsius due to the influence of heat accompanying the gasification of the film that generates gas by laser irradiation.
【００４５】以上のような圧力及び熱が金属バンプ３０
に与えられることにより、図１５（ｂ）のように、金属
バンプ３０は、半導体基板１上のアルミニウムパッド３
１と接続される。さらに、強固な接続を必要とする場合
には、図１６（ａ）に示すように、続けてレーザを照射
し、アルミニウムパッド３１上に付着している金属バン
プ３０に直接レーザを照射することにより接合強度を強
固にすることができる。図１５（ｂ）の状態で十分な接
合強度が得られている場合には図１６（ａ）の工程を省
いても良い。The above pressure and heat are applied to the metal bump 30.
15B, the metal bump 30 is formed on the aluminum pad 3 on the semiconductor substrate 1 as shown in FIG.
1 is connected. Further, when a strong connection is required, as shown in FIG. 16A, the laser is continuously irradiated, and the metal bump 30 attached on the aluminum pad 31 is directly irradiated with the laser. Bonding strength can be increased. When a sufficient bonding strength is obtained in the state of FIG. 15B, the step of FIG. 16A may be omitted.
【００４６】図１６（ｂ）のように、ターゲット基板及
び半導体基板を走査させながらレーザを照射することに
より、半導体基板１上の任意の場所に形成されたアルミ
ニウムパッド３１上に金属バンプ３０を形成することが
可能である。As shown in FIG. 16B, by irradiating a laser while scanning the target substrate and the semiconductor substrate, a metal bump 30 is formed on an aluminum pad 31 formed at an arbitrary position on the semiconductor substrate 1. It is possible to
【００４７】第１の実施例では、本発明の方法により半
導体基板内部の集積回路と電気的に接続されたパッド電
極を形成したが、第３の実施例では、パッド電極上にバ
ンプを形成する。また、図１７に示すように、本発明の
方法を用いて半導体基板に配線を形成することもでき
る。即ち、ターゲット基板及び半導体基板を走査させな
がらレーザを複数回照射されることにより半導体基板１
上の所定の位置にレーザ照射毎に所定の大きさの領域４
１、４２、４３をこれらを接合するように形成してい
き、最終的に配線４５を形成することができる。また、
レーザ照射の途中でビームの形状を適宣変えればサイズ
の異なる領域４１、４２、４３を容易に形成させること
ができる。In the first embodiment, the pad electrode electrically connected to the integrated circuit inside the semiconductor substrate is formed by the method of the present invention. In the third embodiment, a bump is formed on the pad electrode. . Further, as shown in FIG. 17, a wiring can be formed on a semiconductor substrate by using the method of the present invention. That is, the semiconductor substrate 1 is irradiated with the laser a plurality of times while scanning the target substrate and the semiconductor substrate.
An area 4 of a predetermined size in each of the laser irradiation at a predetermined position on the upper side
1, 42 and 43 are formed so as to join them, and finally the wiring 45 can be formed. Also,
Regions 41, 42, and 43 having different sizes can be easily formed by appropriately changing the shape of the beam during laser irradiation.
【００４８】さらに、図２０乃至図２４を参照して第４
の実施例を説明する。この実施例ではレーザ光源とし
て、安価で信頼性の高い半導体レーザを用いている。用
いる半導体レーザの波長は７８５ｎｍであり、その平均
出力は３ワットである。この場合、半導体レーザに接続
されている電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより、レーザ
光を任意のパルス幅でパルス発振させることができる。Further, referring to FIG. 20 to FIG.
An example will be described. In this embodiment, an inexpensive and highly reliable semiconductor laser is used as a laser light source. The wavelength of the semiconductor laser used is 785 nm, and the average output is 3 watts. In this case, by turning on / off the power supply connected to the semiconductor laser, the laser light can be pulse-oscillated with an arbitrary pulse width.
【００４９】しかしながら、前記したように、ガス発生
膜としてニトロセルロースを用いた場合には、ニトロセ
ルロースは波長３００ｎｍ以上の波長を有する光を吸収
しない。それ故、前記半導体レーザのレーザ光をニトロ
セルロースを用いたガス発生膜に照射しても、ガス発生
膜はガスを発生しない。However, as described above, when nitrocellulose is used as the gas generating film, the nitrocellulose does not absorb light having a wavelength of 300 nm or more. Therefore, even if the laser beam of the semiconductor laser is applied to the gas generating film using nitrocellulose, the gas generating film does not generate gas.
【００５０】しかして、ニトロセルロースにレーザ光を
吸収させてガスを発生させるために、可視光から赤外光
を吸収する色素を約２ｗｔ％添加したニトロセルロース
をガス発生膜として用いる。レーザ光の照射領域が１０
０μｍ×１００μｍである場合、３ワットのレーザ光を
５０μｓｅｃ照射すれば、色素を添加したガス発生膜を
ガス化し、ターゲット膜を基板上に転写することができ
る。即ち、可視光から赤外光のレーザを用いる場合に
は、その波長の光を吸収する熱吸収体をガス発生膜に添
加することにより、ガス発生膜をガス化することが可能
となる。In order to generate gas by causing nitrocellulose to absorb laser light, nitrocellulose to which a dye that absorbs visible light to infrared light is added at about 2 wt% is used as a gas generating film. Laser irradiation area is 10
In the case of 0 μm × 100 μm, irradiation with a 3 watt laser beam for 50 μsec can gasify the gas generating film to which the dye is added, and transfer the target film onto the substrate. That is, when a laser from visible light to infrared light is used, it is possible to gasify the gas generating film by adding a heat absorber that absorbs light of that wavelength to the gas generating film.
【００５１】Ｎｄ：ＹＡＧ第４高調波やＫｒＦエキシマ
レーザ等のＤＵＶ光を用いた場合には、透明基板として
高価な合成石英基板を用いることが必要である。しかし
ながら、前記した可視光や赤外光のレーザを照射する際
には、安価なガラス基板や樹脂基板等を透明基板として
用いることができるという、メリットも生じる。ここで
いう透明とは、透明基板を透過した光によりガス発生膜
がガス化し、かつ透明基板が照射されたレーザにより直
接損傷を受けないことを示す。When DUV light such as the Nd: YAG fourth harmonic or KrF excimer laser is used, it is necessary to use an expensive synthetic quartz substrate as the transparent substrate. However, when irradiating the laser of visible light or infrared light as described above, there is an advantage that an inexpensive glass substrate, resin substrate, or the like can be used as the transparent substrate. Here, "transparent" means that the gas generating film is gasified by the light transmitted through the transparent substrate, and the transparent substrate is not directly damaged by the irradiated laser.
【００５２】一方、ガス発生膜中に添加された色素は、
レーザ照射後にガス化せず、基板上にダストとして付着
するという問題が生じる。On the other hand, the dye added to the gas generating film is
There is a problem that the gas does not gasify after the laser irradiation and adheres to the substrate as dust.
【００５３】図２０乃至図２３は、前記した問題を解消
したターゲットを示している。即ち、図２０（ａ）に示
すように、半導体レーザ光を透過するガラス基板或いは
樹脂基板１０上に、前記した実施例と同様に、ガス発生
膜１１が設けられ、前記ガス発生膜１１上にターゲット
膜１２が形成されている。また、前記した実施例と同様
に、前記ガラス基板１０及び基板１の少なくとも一方は
走査される。さらに、前記ガス発生膜１１はニトロセル
ロースと、ニトロセルロースに混入されたカーボン繊
維、カーボンメッシュのようなメッシュ状の熱吸収体と
から構成されている。FIGS. 20 to 23 show targets which have solved the above-mentioned problem. That is, as shown in FIG. 20A, a gas generating film 11 is provided on a glass substrate or a resin substrate 10 through which a semiconductor laser beam passes, similarly to the above-described embodiment. A target film 12 is formed. Further, similarly to the above-described embodiment, at least one of the glass substrate 10 and the substrate 1 is scanned. Further, the gas generating film 11 is composed of nitrocellulose, carbon fibers mixed into nitrocellulose, and a mesh-shaped heat absorber such as carbon mesh.
【００５４】図２０（ｂ）に示すように、前記ガラス基
板１０に半導体レーザを照射すると、前記カーボン繊維
がレーザ光を吸収し、周囲のニトロセルロース膜の温度
を上昇させて前記ニトロセルロースをガス化させる。こ
のガス化による力により、前記ターゲット膜１２の一部
分５１が所定のパターンで前記ターゲット膜１２に対向
配置された基板１上に転写される。この時、前記ニトロ
セルロースに含まれる前記カーボン繊維は、それぞれの
繊維が絡み合っているので、前記ガラス基板１０上にと
どまり、不所望なダストの発生が抑制される。As shown in FIG. 20 (b), when the glass substrate 10 is irradiated with a semiconductor laser, the carbon fibers absorb the laser light, and the temperature of the surrounding nitrocellulose film is increased to convert the nitrocellulose into gas. To Due to the gasification force, a portion 51 of the target film 12 is transferred in a predetermined pattern onto the substrate 1 disposed opposite to the target film 12. At this time, since the carbon fibers contained in the nitrocellulose are entangled with each other, they remain on the glass substrate 10 and the generation of undesired dust is suppressed.
【００５５】また、Ｃｕ（銅）は、低抵抗の配線層、パ
ッド、バンプ等を形成する材料として使用されている。
しかし、Ｃｕは大気中で熱処理すると酸化が進行して抵
抗が著しく上昇することが知られている。即ち、Ｃｕを
用いる場合には、Ｃｕの周りに保護膜となる絶縁膜を形
成するなど、後の熱工程での酸化を防止する処理が必要
である。Further, Cu (copper) is used as a material for forming low-resistance wiring layers, pads, bumps and the like.
However, it is known that when heat treatment is performed in the air, Cu is oxidized and the resistance is significantly increased. That is, when Cu is used, it is necessary to perform a process for preventing oxidation in a subsequent heat process, such as forming an insulating film serving as a protective film around Cu.
【００５６】図２１はＣｕ配線層を形成すると共に、Ｃ
ｕの酸化を抑制することのできるターゲットを示してい
る。即ち、図２１（ａ）に示すように、ニトロセルロー
ス中にカーボン微粒子６１を添加してガス発生膜１１を
形成している。ターゲット膜１２としてＣｕ粒子が混入
したＣｕペーストを用いると共に、透明基板１０にはプ
ラスチック基板を用いている。また、照射レーザとし
て、波長７８５ｎｍの半導体レーザを使用している。図
２１（ｂ）のように、前記透明基板１０にレーザ光を照
射すると、前記カーボン微粒子６１が前記レーザ光を吸
収して周囲のニトロセルロースがガス化し、前記Ｃｕペ
ーストがＣｕバンプ６２として対向配置された基板１上
に転写される。転写されたペースト状のＣｕバンプ６２
上には、前記ニトロセルロース内に混入されたカーボン
微粒子６１が多数付着している。この後、前記ペースト
状のＣｕバンプ６２を硬化させるために大気中において
熱処理を行う。この場合、前記ペースト状のＣｕバンプ
６２の表面にカーボンが付着しているので、熱処理後も
酸化が進行せず、低抵抗のＣｕバンプが得られる。この
ことは、表面に付着したカーボンにＣｕの酸化を抑止す
る効果があることを示している。FIG. 21 shows that a Cu wiring layer is formed,
This shows a target capable of suppressing the oxidation of u. That is, as shown in FIG. 21A, the gas generating film 11 is formed by adding carbon fine particles 61 to nitrocellulose. A Cu paste mixed with Cu particles is used as the target film 12, and a plastic substrate is used as the transparent substrate 10. A semiconductor laser having a wavelength of 785 nm is used as an irradiation laser. As shown in FIG. 21B, when the transparent substrate 10 is irradiated with laser light, the carbon fine particles 61 absorb the laser light and gasify the surrounding nitrocellulose. It is transferred onto the substrate 1 that has been processed. The transferred paste-like Cu bump 62
A large number of carbon fine particles 61 mixed in the nitrocellulose adhere to the upper part. Thereafter, heat treatment is performed in the air to cure the paste-like Cu bumps 62. In this case, since carbon adheres to the surface of the paste-like Cu bump 62, oxidation does not proceed even after the heat treatment, and a low-resistance Cu bump is obtained. This indicates that carbon attached to the surface has an effect of suppressing oxidation of Cu.
【００５７】一方、ニトロセルロースにカーボン微粒子
を添加しないで、照射レーザとしてＹＡＧの第４高調波
を用いて前記Ｃｕペーストを前記基板１上に転写して熱
処理を行うと、前記Ｃｕペーストが酸化し、抵抗が著し
く上昇してしまう。On the other hand, when the Cu paste is transferred onto the substrate 1 by using the fourth harmonic of YAG as an irradiation laser without adding carbon fine particles to the nitrocellulose, the Cu paste is oxidized. , The resistance rises significantly.
【００５８】以上のように、ガス発生剤の膜中に混入さ
れる熱吸収体を表面添加剤として用いられる物質により
構成することにより、パターンの形成と共に、表面に他
の物質を添加することが可能となる。As described above, by forming the heat absorber mixed into the film of the gas generating agent with the substance used as the surface additive, it is possible to form the pattern and to add another substance to the surface. It becomes possible.
【００５９】カーボン微粒子の他に、Ｆｅ微粒子やＣｒ
微粒子を前記ニトロセルロースに添加しても、同様に、
Ｃｕの酸化抑制効果が得られる。In addition to carbon fine particles, Fe fine particles and Cr
Even if microparticles are added to the nitrocellulose,
An effect of suppressing oxidation of Cu can be obtained.
【００６０】図２２（ａ）、（ｂ）は、透明基板１０上
に形成され、カーボン微粒子６１が添加されたニトロセ
ルロース膜１１を用いて、半導体チップ７１の表面に露
出しているＣｕパッド７２に前記カーボン微粒子６１を
付着させる方法を示している。FIGS. 22A and 22B show a Cu pad 72 exposed on the surface of a semiconductor chip 71 by using a nitrocellulose film 11 formed on a transparent substrate 10 and having carbon fine particles 61 added thereto. The method for attaching the carbon fine particles 61 to the above is shown.
【００６１】前記透明基板１０側からレーザ光を照射す
ると、前記カーボン微粒子６１の周囲のニトロセルロー
スがガス化し、ガス発生に伴って前記カーボン微粒子６
１が前記Ｃｕパッド７２に吹き付けられ、前記カーボン
微粒子６１が前記Ｃｕパッド７２に付着する。前記した
ように、カーボン微粒子６１が付着したＣｕパッド７２
は、熱処理に対する酸化耐性が向上するので、後の熱処
理が可能となる。When the transparent substrate 10 is irradiated with a laser beam, the nitrocellulose around the carbon fine particles 61 is gasified, and the gas is generated.
1 is sprayed on the Cu pad 72, and the carbon fine particles 61 adhere to the Cu pad 72. As described above, the Cu pad 72 with the carbon fine particles 61 attached thereto
Improves the oxidation resistance to heat treatment, so that heat treatment can be performed later.
【００６２】現在、前記したようなＣｕパッドの酸化を
抑制するために、Ｃｕパッド上にはＡｌ等の酸化耐性の
高い金属薄膜を形成している。しかし、Ｃｕパッド上に
Ａｌ薄膜を形成するためには、リソグラフィ工程が必要
となり、工程数が増加するという問題が生じる。At present, in order to suppress the oxidation of the Cu pad as described above, a metal thin film having high oxidation resistance such as Al is formed on the Cu pad. However, in order to form an Al thin film on a Cu pad, a lithography step is required, which causes a problem that the number of steps increases.
【００６３】しかしながら、前記したように、カーボン
微粒子を含むニトロセルロース膜にレーザ光を照射する
ことにより、Ｃｕパッドにカーボン微粒子を付着させて
酸化耐性を向上させることが可能となる。それ故、一工
程で簡単にＣｕパッドの酸化を抑制することができる。However, as described above, by irradiating the nitrocellulose film containing the fine carbon particles with the laser beam, the fine carbon particles can be attached to the Cu pad to improve the oxidation resistance. Therefore, oxidation of the Cu pad can be easily suppressed in one step.
【００６４】図２３はマスクパターン内に埋め込まれた
導電ペーストを有するターゲットを示す。即ち、図２３
（ａ）に示すように、透明基板１０上にガス発生膜１１
を形成し、前記ガス発生膜１１上に所望のパターンを有
するマスク８１を形成する。前記透明基板１０及び前記
マスク８１は樹脂基板を用い、また、前記ガス発生膜１
１及び前記マスク８１は粘着剤により固定されている。
レーザ光源は半導体レーザであり、ガス発生膜１１とし
てカーボン粒子が混入されたニトロセルロースを用いて
いる。FIG. 23 shows a target having a conductive paste embedded in a mask pattern. That is, FIG.
As shown in (a), a gas generating film 11 is formed on a transparent substrate 10.
Is formed, and a mask 81 having a desired pattern is formed on the gas generating film 11. The transparent substrate 10 and the mask 81 are made of a resin substrate.
1 and the mask 81 are fixed with an adhesive.
The laser light source is a semiconductor laser, and nitrocellulose mixed with carbon particles is used as the gas generating film 11.
【００６５】前記マスク８１のパターン内にＣｕペース
ト８２を埋め込み、前記透明基板１０側からレーザ光を
照射すると、図２３（ｂ）のように、対向配置された基
板１上にマスクパターン内に埋め込まれた前記Ｃｕペー
スト８２が転写される。このようなマスクを用いた転写
はマスクを使用しない転写に比べて、転写の制御が精度
よく行うことができ、また、照射ピッチもより微細にで
きるという利点を有する。When a Cu paste 82 is embedded in the pattern of the mask 81 and a laser beam is irradiated from the transparent substrate 10 side, as shown in FIG. 23B, the Cu paste 82 is embedded in the mask pattern on the opposed substrate 1. The obtained Cu paste 82 is transferred. The transfer using such a mask has the advantages that the transfer can be controlled with higher accuracy and that the irradiation pitch can be made finer than the transfer using no mask.
【００６６】図２４（ａ）乃至（ｄ）は凹部を有する透
明基板を用いたターゲットの製造工程を示す。図２４
（ａ）に示すように、凹部９１を有する透明基板１を用
意する。前記凹部９１の形成を容易にするため、前記透
明基板１として樹脂基板を用いている。FIGS. 24A to 24D show a process of manufacturing a target using a transparent substrate having a concave portion. FIG.
As shown in (a), a transparent substrate 1 having a concave portion 91 is prepared. In order to facilitate the formation of the concave portion 91, a resin substrate is used as the transparent substrate 1.
【００６７】図２４（ｂ）に示すように、色素或いはカ
ーボン粒子の添加されたニトロセルロースをアセトンの
ような溶剤に溶してガス発生剤９２を作成し、このガス
発生剤９２を、例えば、スキージを用いて前記凹部９１
内に塗布する。As shown in FIG. 24B, a gas generating agent 92 is prepared by dissolving nitrocellulose to which a dye or carbon particles have been added in a solvent such as acetone. Using a squeegee, the recess 91
Apply inside.
【００６８】図２４（ｃ）のように、前記凹部９１内に
塗布されたガス発生剤９２を乾燥すると、前記各凹部９
１の底部のみにガス発生膜９３が形成される。As shown in FIG. 24C, when the gas generating agent 92 applied in the concave portions 91 is dried, each of the concave portions 9
The gas generating film 93 is formed only at the bottom of the first.
【００６９】図２４（ｄ）のように、前記ガス発生膜９
３を有する前記凹部９１内にＣｕペーストのような金属
ペースト９４を埋め込みターゲットを形成する。As shown in FIG. 24D, the gas generating film 9
A metal paste 94 such as a Cu paste is buried in the concave portion 91 having 3 to form a target.
【００７０】しかる後、前記した実施例と同様に、前記
透明基板１側から半導体レーザによるレーザ光を照射し
て対向配置された基板上に前記凹部９１内に埋め込まれ
た前記金属ペースト９４が転写される。Thereafter, similarly to the above-described embodiment, the transparent substrate 1 is irradiated with laser light from a semiconductor laser to transfer the metal paste 94 embedded in the concave portion 91 onto the opposed substrate. Is done.
【００７１】図２５は、本発明で用いた半導体製造装置
の概略図である。半導体基板１０２は、ステージ１０３
上に設置されており、真空槽１０６内で走査することが
可能である。ノズル１０１は、塩素（Ｃｌ2 ）などのエ
ッチングガスで満たされており、エッチングガス流量及
びポンプ排気量を調整することにより、ノズル１０１内
のエッチングガス圧を制御することが可能である。ノズ
ル１０１上にはガス発生剤供給装置１００が設置されて
おり、レンズ１０４及び石英窓１０５を介してレーザ光
をガス発生剤（図２６のガス発生膜１０７）に照射する
ことが可能である。FIG. 25 is a schematic view of a semiconductor manufacturing apparatus used in the present invention. The semiconductor substrate 102 includes a stage 103
It is installed on the top and can scan in the vacuum chamber 106. The nozzle 101 is filled with an etching gas such as chlorine (Cl 2 ), and the etching gas pressure in the nozzle 101 can be controlled by adjusting the flow rate of the etching gas and the pumping amount. A gas generating agent supply device 100 is provided on the nozzle 101, and can irradiate the gas generating agent (the gas generating film 107 in FIG. 26) with laser light through a lens 104 and a quartz window 105.
【００７２】ガス発生剤供給装置１００及びノズル１０
１の断面構造を図２６に示す。ガス発生剤供給装置１０
０は、帯状のガス発生剤（ガス発生膜）１０７を両端で
円筒状に巻かれた形状であり、円筒状の巻取装置１０９
を回転させることによりガス発生剤を移動させることが
できる。また、巻取装置１０９間には石英基板１０８が
ガス発生膜１０７と接触するように配置されている。Gas generator supply device 100 and nozzle 10
FIG. 26 shows a cross-sectional structure of No. 1. Gas generating agent supply device 10
Numeral 0 denotes a shape in which a band-shaped gas generating agent (gas generating film) 107 is wound at both ends in a cylindrical shape.
The gas generating agent can be moved by rotating. Further, a quartz substrate 108 is arranged between the winding devices 109 so as to be in contact with the gas generating film 107.
【００７３】図２７及び図２８を用いて、図２５及び図
２６の半導体製造装置を用いた本発明の実施例を説明す
る。このときエッチングガスは、塩素（Ｃｌ2 ）であ
る。また、半導体基板上には銅の薄膜１１１が形成され
ている。このときのエッチングガスは、２００℃であ
る。An embodiment of the present invention using the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIGS. 25 and 26 will be described with reference to FIGS. 27 and 28. At this time, the etching gas is chlorine (Cl 2 ). A copper thin film 111 is formed on the semiconductor substrate. The etching gas at this time is 200 ° C.
【００７４】まず、図２７（ａ）に示されるように、塩
素などのエッチングガスがノズル１１０内に満された状
態で、石英基板１０８側からレーザを照射する。レーザ
を照射するとガス発生膜１０７がガス化し、図２７
（ｂ）のように、ノズル１１０から勢い良くガスが吹き
出す。このとき、ガス発生膜１０７から発生したガスだ
けでなく、ノズル１１０内に充填されていた塩素ガスも
同様にノズル１１０から半導体基板１１２に向けて吹き
出す。ノズル１１０から吹き出したエッチングガスによ
って、銅薄膜１１１は、図２８（ａ）のように、選択的
にエッチングすることが可能になる。巻取装置１０９を
回転させながら、半導体基板１１２を走査し、レーザを
照射することにより、図２８（ｂ）のように、半導体基
板１１２上の同薄膜１１１を任意のパターンに選択的に
エッチングが可能になる。ガス発生膜は、前の実施例と
同じ材料を用いる。First, as shown in FIG. 27A, a laser is irradiated from the quartz substrate 108 side with the nozzle 110 being filled with an etching gas such as chlorine. When the laser is irradiated, the gas generating film 107 is gasified, and FIG.
As shown in (b), the gas is blown out of the nozzle 110 with great force. At this time, not only the gas generated from the gas generating film 107 but also the chlorine gas filled in the nozzle 110 is blown out from the nozzle 110 toward the semiconductor substrate 112. By the etching gas blown out from the nozzle 110, the copper thin film 111 can be selectively etched as shown in FIG. By scanning the semiconductor substrate 112 and irradiating a laser while rotating the winding device 109, the thin film 111 on the semiconductor substrate 112 can be selectively etched into an arbitrary pattern as shown in FIG. Will be possible. The gas generating film uses the same material as in the previous embodiment.
【００７５】[0075]
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、レーザを
用いた成膜方法のターゲットにガスを発生する物質を用
いることにより、低エネルギーのレーザ照射で半導体基
板上に成膜を施すことが可能となり、ターゲットを飛散
させることなく成膜させることができる。また、選択的
なエッチングを容易に行うことが可能になる。According to the present invention, a film is formed on a semiconductor substrate by low-energy laser irradiation by using a gas-generating substance as a target in a film-forming method using a laser. This makes it possible to form a film without scattering the target. In addition, selective etching can be easily performed.
【図１】本発明の実施例によるターゲットを示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a target according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例で用いるレーザ照射装置を示す
概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a laser irradiation apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例で用いるレーザ照射装置を示す
概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a laser irradiation apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例による半導体基板上に成膜を形
成する工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of forming a film on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例により形成されたパッドを有す
る半導体基板を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a semiconductor substrate having pads formed according to an embodiment of the present invention.
【図６】従来例との比較において本発明を説明する成膜
の製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a film forming manufacturing process for explaining the present invention in comparison with a conventional example.
【図７】従来例との比較において本発明を説明する成膜
の製造工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a film forming manufacturing process for explaining the present invention in comparison with a conventional example.
【図８】従来例との比較において本発明を説明する成膜
の製造工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a film forming manufacturing process for explaining the present invention in comparison with a conventional example.
【図９】本発明の実施例によるターゲットを示す断面図
である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a target according to an embodiment of the present invention.
【図１０】従来例による半導体基板上に導電膜を形成す
る製造工程を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing process for forming a conductive film on a semiconductor substrate according to a conventional example.
【図１１】本発明の実施例による半導体基板上に成膜を
形成する製造工程を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process for forming a film on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の実施例によるターゲットを示す断面
図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a target according to an embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の実施例による半導体基板上に成膜を
形成する工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a film on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の実施例による金属バンプを有するタ
ーゲットを示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a target having a metal bump according to an embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の実施例による半導体基板上に金属バ
ンプを形成する製造工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process for forming a metal bump on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の実施例による半導体基板上に金属バ
ンプを形成する製造工程を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process for forming a metal bump on a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の実施例により形成された半導体基板
上の配線層を示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing a wiring layer on a semiconductor substrate formed according to an example of the present invention.
【図１８】従来のレーザを利用した蒸着装置を模式的に
示すの断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a conventional vapor deposition apparatus using a laser.
【図１９】従来のレーザを利用して半導体基板上に選択
的に金属薄膜を転写する工程を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a step of selectively transferring a metal thin film onto a semiconductor substrate using a conventional laser.
【図２０】本発明の実施例によるターゲット及び半導体
レーザ光により基板上に成膜を形成する様子を示す断面
図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing a state in which a film is formed on a substrate by a target and a semiconductor laser beam according to an embodiment of the present invention.
【図２１】本発明の実施例によるターゲット及び半導体
レーザ光により基板上にＣｕバンプを形成する様子を示
す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing a state in which a Cu bump is formed on a substrate by a target and a semiconductor laser beam according to an embodiment of the present invention.
【図２２】本発明の実施例によるターゲット及び半導体
レーザ光により基板上に形成されたＣｕパッドにカーボ
ン微粒子を付着させる様子を示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing a state in which carbon fine particles are adhered to a Cu pad formed on a substrate by a target and a semiconductor laser beam according to an embodiment of the present invention.
【図２３】本発明の実施例によるマスクパターン内に埋
め込まれた導電ペーストを有するターゲット及び半導体
レーザ光により基板上に導電層を形成する様子を示す断
面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a target having a conductive paste embedded in a mask pattern according to an embodiment of the present invention and a state in which a conductive layer is formed on a substrate by a semiconductor laser beam.
【図２４】本発明の実施例による凹部を有する透明基板
を用いたターゲットの製造工程を示す断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a target using a transparent substrate having a concave portion according to an embodiment of the present invention.
【図２５】本発明において用いた製造装置を示す概略図
である。FIG. 25 is a schematic view showing a manufacturing apparatus used in the present invention.
【図２６】本発明において用いたガス発生剤供給装置及
びノズルを示す断面図である。FIG. 26 is a sectional view showing a gas generating agent supply device and a nozzle used in the present invention.
【図２７】図２５及び図２６の製造装置を用いて薄膜を
選択的に除去する工程を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a step of selectively removing a thin film using the manufacturing apparatus of FIGS. 25 and 26.
【図２８】図２５及び図２６の製造装置を用いて薄膜を
選択的に除去する工程を示す断面図である。FIG. 28 is a cross-sectional view showing a step of selectively removing a thin film using the manufacturing apparatus of FIGS. 25 and 26.
１…半導体基板、１０…石英基板、１１…ガス発生膜、
１２…ターゲット膜、１３…ターゲット基板、１４…ス
テージ、１５…ターゲットホルダ、１６…ターゲット基
板駆動装置、１２１…パッド電極、１７、１８、１９…
ターゲット膜、２０…導電性ペースト層、３０…金属バ
ンプ、３１…アルミニウムパッド、４１、４２、４３…
領域、４５…配線、５１…ターゲット膜１２の一部分、
６１…カーボン微粒子、６２…Ｃｕバンプ、７１…半導
体チップ、７２…Ｃｕパッド、８１…マスク、８２…Ｃ
ｕペースト、９１…凹部、９２…ガス発生剤、９３…ガ
ス発生膜、９４…金属ペースト、１００…ガス発生剤供
給装置、１０１…ノズル、１０２…半導体基板、１０３
…ステージ、１０４…レンズ、１０５…石英窓、１０６
…真空槽、１０７…ガス発生膜、１０８…石英基板、１
０９…巻取装置、１１０…ノズル、１１１…薄膜、１１
２…半導体基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor substrate, 10 ... Quartz substrate, 11 ... Gas generation film,
Reference numeral 12: target film, 13: target substrate, 14: stage, 15: target holder, 16: target substrate driving device, 121: pad electrode, 17, 18, 19 ...
Target film, 20: conductive paste layer, 30: metal bump, 31: aluminum pad, 41, 42, 43 ...
Region, 45: wiring, 51: a part of the target film 12,
61: carbon fine particles, 62: Cu bump, 71: semiconductor chip, 72: Cu pad, 81: mask, 82: C
u paste, 91: concave portion, 92: gas generating agent, 93: gas generating film, 94: metal paste, 100: gas generating agent supply device, 101: nozzle, 102: semiconductor substrate, 103
... Stage, 104 ... Lens, 105 ... Quartz window, 106
... vacuum chamber, 107 ... gas generating film, 108 ... quartz substrate, 1
09: winding device, 110: nozzle, 111: thin film, 11
2 ... Semiconductor substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ２３Ｃ 14/28 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/302 Ｂ (72)発明者 早坂 伸夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // C23C 14/28 H01L 21/88 B H01L 21/3065 21/302 B (72) Inventor Nobuo Hayasaka Kanagawa 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Japan Inside the Toshiba Yokohama Office (72) Inventor Katsuya Okumura 1st, Komukai-Toshiba-cho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Inside Toshiba Microelectronics Center
Claims (19)
する透明基板と、前記第１の表面上に設けられたガス発
生膜と、前記ガス発生膜上に設けられたターゲット膜と
からなり、前記第２の表面からのレーザ照射により前記
ターゲット膜と対向配置された半導体基板上に成膜を形
成することを特徴とするターゲット。1. A transparent substrate having first and second surfaces facing each other, a gas generating film provided on the first surface, and a target film provided on the gas generating film. And forming a film on a semiconductor substrate opposed to the target film by laser irradiation from the second surface.
から選択されることを特徴とする請求項１記載のターゲ
ット。2. The target according to claim 1, wherein the transparent substrate is selected from quartz, glass, and resin.
凹部を有し、前記凹部内に前記ガス発生膜を介して前記
ターゲット膜が設けられていることを特徴とする請求項
１記載のターゲット。3. The transparent substrate according to claim 1, wherein the first surface has a plurality of recesses, and the target film is provided in the recesses via the gas generating film. Target.
トラゾール等のガス発生剤からなることを特徴とする請
求項１記載のターゲット。4. The target according to claim 1, wherein the gas generating film is made of a gas generating agent such as nitrocellulose and tetrazole.
を含むことを特徴とする請求項１記載のターゲット。5. The target according to claim 1, wherein the gas generating film includes a mesh-shaped heat absorber.
維及びカーボンメッシュから選択されることを特徴とす
る請求項５記載のターゲット。6. The target according to claim 5, wherein said mesh-shaped heat absorber is selected from carbon fibers and carbon mesh.
ことを特徴とする請求項１記載のターゲット。7. The target according to claim 1, wherein the gas generating film contains carbon fine particles.
銅等からなる金属、シリコンのような半導体、又はシリ
コン酸化物、シリコン窒化物のような絶縁物であること
を特徴とする請求項１記載のターゲット。8. The target film is made of gold, aluminum,
2. The target according to claim 1, wherein the target is a metal such as copper, a semiconductor such as silicon, or an insulator such as silicon oxide or silicon nitride.
する透明な基板と、前記第１の表面上に設けられ、導電
性ペーストからなるターゲット膜とからなり、前記第２
の表面からのレーザ照射により前記ターゲット膜と対向
配置された半導体基板上に成膜を形成することを特徴と
するターゲット。9. A transparent substrate having first and second surfaces opposed to each other, and a target film provided on the first surface and made of a conductive paste,
Forming a film on a semiconductor substrate opposed to the target film by laser irradiation from the surface of the target.
りガス化する溶剤を含むことを特徴とする請求項９記載
のターゲット。10. The target according to claim 9, wherein the conductive paste contains a solvent that is gasified by laser irradiation.
有する透明な基板と、前記第１の表面上に設けらたガス
発生膜と、前記ガス発生膜上に設けられたマスクパター
ンと、前記マスクパターン内に埋め込まれた導電性ペー
ストからなるターゲット膜とからなり、前記第２の表面
からのレーザ照射により前記ターゲット膜と対向配置さ
れた半導体基板上に成膜を形成することを特徴とするタ
ーゲット。11. A transparent substrate having first and second surfaces facing each other, a gas generating film provided on the first surface, and a mask pattern provided on the gas generating film. A target film made of a conductive paste embedded in the mask pattern, and forming a film on a semiconductor substrate opposed to the target film by laser irradiation from the second surface. Target.
含むことを特徴とする請求項１１記載のターゲット。12. The target according to claim 11, wherein the conductive paste contains carbon particles.
膜は薄膜又は厚膜であることを特徴とする請求項１、
９、１１いずれか１項記載のターゲット。13. The method according to claim 1, wherein the film formed on the semiconductor substrate is a thin film or a thick film.
12. The target according to any one of items 9 and 11.
の波長を有するレーザ装置により行われることを特徴と
する請求項１記載のターゲット。14. The target according to claim 1, wherein the laser irradiation is performed by a laser device having a wavelength of 300 nm or less.
の波長を有する半導体レーザにより行われることを特徴
とする請求項５、６、７、１１いずれか１項記載のター
ゲット。15. The target according to claim 5, wherein the laser irradiation is performed by a semiconductor laser having a wavelength of 300 nm or more.
有する透明な基板を用意する工程と、 前記第１の表面にガス発生膜を形成する工程と、 前記ガス発生膜上にターゲット膜を形成する工程と、 前記ターゲット膜に対向して半導体基板を配置する工程
と、 前記ターゲット膜をレーザ照射し、前記半導体基板に前
記ターゲット膜を転写して成膜を形成する工程とを備え
たことを特徴とする半導体基板上に成膜を形成する方
法。16. A step of preparing a transparent substrate having first and second surfaces facing each other, a step of forming a gas generating film on the first surface, and forming a target film on the gas generating film. Forming, forming a semiconductor substrate facing the target film, and irradiating the target film with a laser, and transferring the target film to the semiconductor substrate to form a film. A method of forming a film on a semiconductor substrate.
有する透明な基板を用意する工程と、 前記第１の表面にレーザ照射によりガス化する溶剤を含
む導電性ペーストからなるターゲット膜を形成する工程
と、 前記ターゲット膜に対向して半導体基板を配置する工程
と、 前記ターゲット膜をレーザ照射し、前記半導体基板に前
記ターゲット膜を転写して成膜を形成する工程とを備え
たことを特徴とする半導体基板上に成膜を形成する方
法。17. A step of preparing a transparent substrate having first and second surfaces opposed to each other, and forming a target film made of a conductive paste containing a solvent gasified by laser irradiation on the first surface. Performing a step of: arranging a semiconductor substrate facing the target film; and irradiating the target film with a laser, and transferring the target film to the semiconductor substrate to form a film. A method for forming a film on a semiconductor substrate.
板上にレーザ照射によりガスを発生する物質の膜を形成
する工程と、前記透明な基板側からレーザを選択的に前
記レーザ照射によりガスを発生する物質の膜に照射し、
照射された部分の前記ガスを発生する物質をガス化させ
る工程とを具備し、前記ガスを発生する物質をガス化す
ることによって、前記ガスを発生する物質周辺に充填さ
れたエッチングガスを駆動し、前記ガスを発生する膜前
方に設置された半導体基板にエッチングガスを吹き付け
て、前記半導体基板上の成膜を選択的にエッチングする
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。18. A step of forming a film of a substance which generates a gas by laser irradiation on a substrate transparent to an irradiated laser beam, and selectively applying a laser from the transparent substrate side to the gas by the laser irradiation. Irradiate the film of the substance that generates
Gasifying the gas-generating substance in the irradiated portion, and gasifying the gas-generating substance, thereby driving an etching gas filled around the gas-generating substance. Spraying an etching gas onto a semiconductor substrate provided in front of the film that generates the gas to selectively etch a film formed on the semiconductor substrate.
れたエッチングガスは、塩素ガスであり、レーザを照射
することにより前記半導体基板上に形成された金属薄膜
を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項１８
に記載の半導体装置の製造方法。19. An etching gas filled around a substance generating a gas is a chlorine gas, and a metal thin film formed on the semiconductor substrate is selectively etched by irradiating a laser. Claim 18
13. The method for manufacturing a semiconductor device according to item 5.
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