JP2001156015A - レーザアニーリング装置 - Google Patents
レーザアニーリング装置Info
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Abstract
板に照射することができるレーザアニーリング装置を提
供し、コスト低減及びフットプリント縮小を実現する。 【解決手段】 レーザ発振器11からのレーザビームを
整形する光学系として、矩形ビーム用光学系12と長尺
ビーム用光学系13とを設ける。また、レーザ発振器と
長尺ビーム用光学系との間の光路状に進入/退避可能な
光路切替ミラー及びこれを駆動する空気圧シリンダ15
を設ける。レーザ発振器からのレーザ光は、長尺ビーム
用光学系又は矩形ビーム用光学系に入射し、そこで整形
された後、ミラー16b又は16cを介して処理基板1
7に照射される。
Description
グ装置に関する。
オンを注入した後、そのイオン注入によって生じた結晶
ひずみ(格子欠陥)を除去する目的、あるいは注入され
たイオンを活性化する目的で、その半導体基板の熱処理
(アニーリング)が行なわれる。このようなアニーリン
グ行う装置の一つとして、レーザビームを用いてアニー
リングを行うレーザアニーリング装置が有る。
シリコン薄膜を作製する目的で、アモルファスシリコン
薄膜を溶融、再結晶化するためにも使用される。
ビームを発生するレーザ発振器(エキシマレーザ等)
と、レーザ発振器からのレーザビームを整形する光学系
(シリンドリカルレンズ等)とを備えている。
置を用いてアニーリングを行う場合、その処理に要求さ
れる精度に応じて、精密で照射面積が比較的小さい矩形
ビームと、粗く照射面積が比較的大きい長尺ビーム(上
記矩形ビームとの関係から、便宜上、長尺ビームと呼ぶ
が、その形状は矩形に近い。)とを使い分ける必要が有
る。ところが、従来のレーザアニーリング装置では、そ
の光学系によって規定される1つの形状のレーザビーム
しか照射することができないので、このような2つの形
状のレーザビームの使い分けを行うには、互いに異なる
光学系を備えた2台のレーザアニーリング装置を用意し
なければならない。このため、従来のレーザアニーリン
グ装置を用いて2つの形状のレーザビームを使い分ける
には、多大なコストと、大きなフットプリントとを要す
るという問題点がある。
ムを、処理基板に照射することができるレーザアニーリ
ング装置を提供し、もってコストの低減及びフットプリ
ントの縮小を目的とする。
板に照射するためのレーザビームを発生するレーザ発振
器と、該レーザ発振器から出射した前記レーザビームを
整形して前記処理基板に照射する光学系とを備えたレー
ザアニーリング装置において、前記光学系として、互い
に異なる形状に前記レーザビームを整形する2系統の光
学系を設け、かつ、これら2系統の光学系に対して選択
的に前記レーザビームを入射させる光路切替手段を設
け、前記2系統の光学系のうちいずれか一方を通過した
前記レーザビームを前記処理基板に照射するようにした
ことを特徴とするレーザアニーリング装置が得られる。
系の一方を通過したレーザビームの形状が矩形であり、
他方の光学系を通過したレーザビームの形状が前記矩形
の長辺より長い長辺を有する長尺形であることを特徴と
する。また、本発明は、前記光路切替手段が、全反射ミ
ラーと、該全反射ミラーを直動させる空気圧式シリンダ
とを有し、前記全反射ミラーを前記レーザ発振器から出
射するレーザビームの光路上に進入/退避させること
で、前記レーザビームが前記2系統の光学系のいずれか
に選択的に入射するようにしたことを特徴とする。
施の形態について説明する。
レーザアニーリング装置は、レーザビームを発生するレ
ーザ発振器11、レーザ発振器11からのレーザビーム
を整形する矩形ビーム用光学系12及び長尺ビーム用光
学系13、光路切替用ミラー14、光路切替用ミラー1
4を駆動してレーザ発振器11から出射するレーザビー
ムの光路上へ出し入れするための空気圧シリンダ15、
及び複数のミラー16a,16,及び16cを有してい
る。
ザビームをパルス発振するエキシマレーザ発振器であ
る。このレーザ発振器11は、長尺ビーム用光学系13
に向かってレーザビームを出射させる。
1からのレーザビームを全反射するミラーである。この
光路切替用ミラー14は、空気圧式シリンダ15によっ
て、レーザ発振器11と長尺ビーム用光学系13を結ぶ
光路上に出し入れ可能となっている。つまり、空気圧式
シリンダ15は、レーザ発振器11から出射し、長尺ビ
ーム用光学系13へと向かうレーザビームの光路上に光
路切替用ミラー14を進入させ、またそこから光路切替
用ミラー14を退避させる。
ラー14を光路上に進入させたとき、レーザビームは光
路切替用ミラー14によって反射され、進行方向を変え
る。そして、光路切替用ミラー14で反射されたレーザ
ビームは、ミラー16aを介して矩形ビーム用光学系1
2に入射する。逆に、空気圧式シリンダ15により光路
切替用ミラー14を光路上から退避させると、レーザビ
ームは直進して長尺ビーム用光学系13に入射する。
(図示せず)を有している。この集光レンズは、矩形ビ
ーム用光学系12に入射したレーザビームを集光して、
断面形状が矩形(正方形を含む)のレーザビームを出射
させる。矩形ビーム用光学系12から出射したレーザビ
ームは、ミラー16bにて反射され、処理基板17に照
射される。
ドリカルレンズ(図示せず)を有している。そして、シ
リンドリカルレンズは、入射したレーザビームを一軸方
向に関して集光し、その断面形状が長尺状(線状)のレ
ーザビームを出射させる。ここで、このシリンドリカル
レンズに別のシリンドリカルレンズを組み合わせること
で、線状のレーザビームの幅のみならず長さをも調節す
るようにできる。なお、長尺ヒビーム用光学系13は、
シリンドリカルレンズに代えてホモジナイザを有してい
てもよい。長尺ビーム用光学系13から出射したレーザ
ビームは、ミラー16cにて反射され、処理基板17に
照射される。
ーザアニーリング装置では、光路切替用ミラーを光路上
に進入又は退避させることにより、矩形ビーム用光学系
及び長尺ビーム用光学系のいずれか一方に、レーザビー
ムを入射させることができる。つまり、このレーザアニ
ーリング装置によれば、処理の目的に応じて矩形ビーム
又は長尺ビームを使い分けることができる。しかも、矩
形ビーム用光学系及び長尺ビーム用光学系を備えた点
と、光路切替用ミラー等を備えた点を除き、従来のレー
ザアニーリング装置と同じであるので、2台のレーザア
ニーリング装置を用いる場合に比べ、コストを低減する
ことができる。また、矩形ビーム光学系と長尺ビーム用
光学系とを上下方向に配置させることで、そのフットプ
リントを従来のレーザアニーリング装置とほぼ同じにす
ることができる。
は、ビームの強さを調整するためのアッテネータ、レー
ザビームの広がり角を補正するための補正光学系、エネ
ルギー分布を等しくする均一光学系、ビームを整形する
ビームエキスパンダー等が、必要に応じて設けられる
が、これらは例えば、レーザ発振器11と光路切替用ミ
ラー14の挿入位置との間に設けられる。
ー14を空気圧式シリンダ15駆動するようにしたが、
これに限られるものではなく、モータ等を用いてもよ
い。また、光路切替用ミラー14は、必ずしも直動させ
る必要は無く、回動させるようにしてもよい。
機構等について説明していないが、通常、処理基板は、
プロセスチャンバ内で基板ホルダ等に保持され、不活性
ガス雰囲気下に置かれている。そして、レーザビーム
は、プロセスチャンバに設けらたウインドウを通して行
なわれる。
置の光学系として2つ光学系を設け、これら2つの光学
系に選択的にレーザ発振器からのレーザビームを入射さ
せる光路切替手段を設けたことで、2種のレーザビーム
を使い分けることができるレーザアニーリング装置が得
られ、コストの低減、フットプリントの縮小を実現でき
る。
グ装置の構成を示すブロック図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 処理基板に照射すべきレーザビームを発
生するレーザ発振器と、該レーザ発振器から出射した前
記レーザビームを整形して前記処理基板に照射する光学
系とを備えたレーザアニーリング装置において、 前記光学系として、互いに異なる形状に前記レーザビー
ムを整形する2系統の光学系を設け、かつ、これら2系
統の光学系に対して選択的に前記レーザビームを入射さ
せる光路切替手段を設け、前記2系統の光学系のうちい
ずれか一方を通過した前記レーザビームを前記処理基板
に照射するようにしたことを特徴とするレーザアニーリ
ング装置。 - 【請求項2】 前記2系統の光学系の一方を通過したレ
ーザビームの形状が矩形であり、他方の光学系を通過し
たレーザビームの形状が前記矩形の長辺より長い長辺を
有する長尺形であることを特徴とする請求項1のレーザ
アニーリング装置。 - 【請求項3】 前記光路切替手段が、全反射ミラーと、
該全反射ミラーを直動させる空気圧式シリンダとを有
し、前記全反射ミラーを前記レーザ発振器から出射する
レーザビームの光路上に進入/退避させることで、前記
レーザビームが前記2系統の光学系のいずれかに選択的
に入射するようにしたことを特徴とする請求項1又は2
のレーザアニーリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33540099A JP3413484B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | レーザアニーリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP33540099A JP3413484B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | レーザアニーリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001156015A true JP2001156015A (ja) | 2001-06-08 |
JP3413484B2 JP3413484B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=18288129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP33540099A Expired - Fee Related JP3413484B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | レーザアニーリング装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3413484B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20180078680A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 참엔지니어링(주) | 레이저 처리 장치 및 방법 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33540099A patent/JP3413484B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2012040555A (ja) * | 2004-11-09 | 2012-03-01 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 熱分解レーザ作用により連続するフラックス中でナノメートルサイズ又はサブミクロンサイズの粉体を製造するシステム及び方法 |
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KR101918203B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2018-11-14 | 참엔지니어링(주) | 레이저 처리 장치 및 방법 |
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