JP2001140054A - Cleaning method for vacuum film depositing system, and vacuum film depositing system - Google Patents
Cleaning method for vacuum film depositing system, and vacuum film depositing systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は真空成膜装置のクリ
ーニング方法及び真空成膜装置に係わり、特に真空槽内
の防着シート上の薄膜の除去方法及び防着シートを具備
した真空成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a vacuum film forming apparatus and a vacuum film forming apparatus, and more particularly to a method for removing a thin film on a sheet for preventing deposition in a vacuum chamber and a vacuum film forming apparatus provided with the sheet for preventing deposition. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空雰囲気中でガラス基板、セラミック
基板、半導体基板等に、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶ
Ｄ法等により薄膜を形成する真空成膜装置において、真
空槽の内壁に薄膜が付着するのを防止するために、防着
シールド（防着板）を真空槽内に備える。2. Description of the Related Art Sputtering, vacuum deposition, and CV sputtering are performed on glass, ceramic, and semiconductor substrates in a vacuum atmosphere.
In a vacuum film forming apparatus for forming a thin film by the method D or the like, a deposition prevention shield (anti-deposition plate) is provided in the vacuum chamber in order to prevent the thin film from adhering to the inner wall of the vacuum chamber.
【０００３】しかしこの場合、長時間の成膜プロセスに
より防着シールドから薄膜が剥がれ落ちることによるゴ
ミが歩留まりへ悪影響を及ぼす。However, in this case, dust is adversely affected on the yield due to peeling of the thin film from the deposition shield due to a long film forming process.
【０００４】そのため、ある程度防着シールドに薄膜が
付着した時点で真空槽を大気に開放し、防着シールドを
交換する必要がある。Therefore, when the thin film adheres to the deposition shield to some extent, it is necessary to open the vacuum chamber to the atmosphere and replace the deposition shield.
【０００５】例えば特開平６−３３８４９６号公報に
は、防着シールド（防着板）を真空槽から取り外し、加
熱装置で加熱し、冷却装置で冷却することにより付着し
て薄膜を剥離し、ブラシ等により剥離した薄膜を除去し
た後、再度真空槽に防着シールド装着する技術を開示し
ている。[0005] For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-338496 discloses that a deposition shield (deposition plate) is removed from a vacuum chamber, heated by a heating device, cooled by a cooling device, and adhered to peel off a thin film. A technique is disclosed in which a thin film that has been peeled off by, for example, is removed, and then a shield is attached to the vacuum chamber again.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来技術では、防着シールドをクリーニングするため
に真空槽から取り外し、クリーニング後に再度装着しな
くてはならないから、真空成膜装置の稼働率が低下し、
生産への悪影響を生じる。However, in such a conventional technique, the vacuum shield must be removed from the vacuum chamber in order to clean the anti-adhesion shield, and must be re-mounted after cleaning. And
This has a negative effect on production.
【０００７】また、このために真空槽を大気に開放する
から、この点からも真空成膜装置の稼働率低下は避ける
ことができない。[0007] In addition, since the vacuum chamber is opened to the atmosphere for this purpose, a decrease in the operating rate of the vacuum film forming apparatus cannot be avoided from this point of view.
【０００８】したがって本発明の目的は、真空成膜装置
の稼働率を低下させることなく、真空成膜装置の真空槽
内の防着シールドをクリーニングする方法を提供するこ
とである。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for cleaning a deposition prevention shield in a vacuum chamber of a vacuum film forming apparatus without lowering the operation rate of the vacuum film forming apparatus.
【０００９】本発明の他の目的は、稼働率を低下させる
ことなく真空槽内の防着シールドをクリーニングするこ
とが可能な真空成膜装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide a vacuum film forming apparatus capable of cleaning a deposition prevention shield in a vacuum chamber without lowering the operation rate.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、基板に
所定の成膜を行う真空槽の内壁を被覆する防着シールド
に堆積した薄膜を除去するに際し、前記防着シールドを
前記真空槽に装着したままで前記除去を行う真空成膜装
置のクリーニング方法にある。ここで、前記真空槽を大
気に開放しないで前記除去を行うことが好ましい。A feature of the present invention is to remove a thin film deposited on a deposition-proof shield covering an inner wall of a vacuum chamber for forming a predetermined film on a substrate. And a cleaning method for a vacuum film forming apparatus for performing the above-mentioned removal while being attached to the apparatus. Here, it is preferable that the removal be performed without opening the vacuum chamber to the atmosphere.
【００１１】さらに、高温状態の前記防着シールドを冷
却することにより堆積した前記薄膜を前記防着シールド
から剥離し、成膜用配管からガスの供給と排気系による
排気作用により前記剥離した薄膜を排気チャンバーに集
めることが好ましい。Further, the thin film deposited by cooling the deposition shield in a high-temperature state is peeled off from the deposition shield, and the peeled thin film is supplied from a film-forming pipe by a gas supply and an exhaust action by an exhaust system. Preferably, it is collected in an exhaust chamber.
【００１２】この場合、前記冷却は前記防着シールドの
裏面に設けられたパイプに冷却媒体を流すことにより行
うことができる。また、前記防着シールドの裏面に設け
られたパイプに高温媒体を流すことにより前記防着シー
ルドを高温状態にすることができる。あるいは、前記防
着シールドの裏面に設けられたヒータに電流を流すこと
により前記防着シールドを高温状態にすることができ
る。In this case, the cooling can be performed by flowing a cooling medium through a pipe provided on the back surface of the deposition shield. In addition, by flowing a high-temperature medium through a pipe provided on the back surface of the deposition shield, the deposition shield can be set to a high temperature state. Alternatively, the shield can be set to a high temperature state by passing a current through a heater provided on the back surface of the shield.
【００１３】本発明の他の特徴は、真空槽内に防着シー
ルドを装着した真空成膜装置において、前記防着シール
ドの裏面に前記防着シールドを冷却する手段及び加熱す
る手段が設けられている真空成膜装置にある。Another feature of the present invention is that in a vacuum film forming apparatus having a deposition shield mounted in a vacuum chamber, means for cooling and heating the deposition shield are provided on the back surface of the deposition shield. Vacuum deposition equipment.
【００１４】ここで、前記防着シールドの裏面に高温媒
体及び冷却媒体の循環を行う冷却媒体・高温媒体循環用
パイプが設けられていることができる。Here, a cooling medium / high temperature medium circulating pipe for circulating the high temperature medium and the cooling medium may be provided on the back surface of the deposition prevention shield.
【００１５】あるいは、前記防着シールドの裏面に高温
媒体の循環を行う高温媒体用パイプおよび低温媒体の循
環を行う低温媒体用パイプがそれぞれ設けられているこ
とができる。Alternatively, a high-temperature medium pipe for circulating a high-temperature medium and a low-temperature medium pipe for circulating a low-temperature medium may be provided on the back surface of the deposition-inhibiting shield.
【００１６】あるいは、前記防着シールドの裏面にヒー
タと、低温媒体の循環を行う低温媒体用パイプとが設け
られていることができる。Alternatively, a heater and a low-temperature medium pipe for circulating the low-temperature medium may be provided on the back surface of the deposition-inhibiting shield.
【００１７】また、前記防着シールドの表面に凹凸処
理、例えばブラスト処理が施されていることが好まし
い。Further, it is preferable that the surface of the anti-adhesion shield is subjected to a concavo-convex treatment, for example, a blast treatment.
【００１８】さらに、前記真空槽の下方に排気チャンバ
ーが位置しており、前記排気チャンバーに向かう前記防
着シールドの段差の箇所が傾斜面になっていることが好
ましい。また、前記真空槽と前記排気チャンバーとの間
に開閉バルブが設けられていることが好ましい。[0018] Further, it is preferable that an exhaust chamber is located below the vacuum chamber, and a stepped portion of the anti-adhesion shield facing the exhaust chamber has an inclined surface. Further, it is preferable that an open / close valve is provided between the vacuum chamber and the exhaust chamber.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２０】図１は本発明の実施の懈怠の真空成膜装置
を示す図である。排気系を備えた真空槽１の内部に成膜
用ターゲット３、それに対向して成膜対象物である基板
２を配置し、スパッタリングにより基板２に薄膜を形成
する。FIG. 1 is a view showing a vacuum film forming apparatus in which the present invention is omitted. A film-forming target 3 and a substrate 2 as a film-forming target are placed inside a vacuum chamber 1 provided with an exhaust system, and a thin film is formed on the substrate 2 by sputtering.
【００２１】成膜対象物やターゲット以外の真空槽１の
内部は防着シールド４で覆われている。防着シールド４
の材料としては、成膜用ターゲット３の材料と熱膨張係
数が大きく異なる物が好ましい。これは、防着シールド
を加熱、冷却した際に、防着シールドに堆積した薄膜を
効率的に剥離するためである。The inside of the vacuum chamber 1 other than the object to be formed and the target is covered with an anti-adhesion shield 4. Shield 4
It is preferable that the material has a coefficient of thermal expansion that is significantly different from the material of the film forming target 3. This is because when the deposition shield is heated and cooled, the thin film deposited on the deposition shield is efficiently peeled off.
【００２２】また、防着シールド４の表面はブラスト等
の凹凸表面処理を行い、成膜初期段階で膜が剥離しない
ようにするのが好ましい。例えば防着シールドの表面
は、粒径＃１２０程度のアルミナを使用してブラスト処
理が施されていて、表面荒さは、Ｒａ＝４μｍである。Preferably, the surface of the deposition-inhibiting shield 4 is subjected to an uneven surface treatment such as blasting so that the film does not peel off at the initial stage of film formation. For example, the surface of the deposition shield is blasted using alumina having a particle size of about # 120, and the surface roughness is Ra = 4 μm.
【００２３】裏面には高温媒体もしくは低温媒体を循環
させることができるパイプ６が備えられており、パイプ
６に高温媒体を流して防着シールドを加熱し、低温媒体
を流して防着シールドを冷却し、これにより防着シール
ド４の表面に堆積した薄膜を熱膨張係数の差により強制
的に剥離する。A pipe 6 through which a high-temperature medium or a low-temperature medium can be circulated is provided on the back surface. The high-temperature medium flows through the pipe 6 to heat the deposition shield, and the low-temperature medium flows to cool the deposition shield. Thus, the thin film deposited on the surface of the deposition-inhibiting shield 4 is forcibly peeled off due to a difference in thermal expansion coefficient.
【００２４】高温媒体として約３００℃の気体、例えば
窒素ガスや空気を用いることができる。また、冷却媒体
として約５℃の冷水を用いることができる。また、低温
媒体としてさらに低温度の液体窒素を用いることもでき
る。A gas at about 300 ° C., for example, nitrogen gas or air can be used as the high-temperature medium. Further, cold water of about 5 ° C. can be used as a cooling medium. Further, liquid nitrogen at a lower temperature can be used as the low-temperature medium.
【００２５】そして、剥離したのゴミは、成膜用ガス配
管５からガスを出し、バルブ８を開けて真空排気を行う
ことで真空槽１内にダウンフローができ、ゴミが排気チ
ャンバー７に落下した後、バルブ８を閉めることでゴミ
は真空槽１から隔離される。このようにして、真空成膜
装置のクリーニングが行われる。The debris is discharged from the film forming gas pipe 5, and the valve 8 is opened to evacuate the vacuum, thereby causing a downflow into the vacuum chamber 1, and the debris falls into the exhaust chamber 7. After that, the dust is isolated from the vacuum chamber 1 by closing the valve 8. Thus, the cleaning of the vacuum film forming apparatus is performed.
【００２６】図２（Ａ）は図１の防着シールドの裏面を
拡大して示した断面図であり、冷却媒体・高温媒体循環
用パイプ６は高温媒体及び冷却媒体の循環を兼用したも
のである。FIG. 2A is an enlarged sectional view of the back surface of the deposition-inhibiting shield of FIG. 1. The cooling medium / high temperature medium circulating pipe 6 is used for both circulation of the high temperature medium and the cooling medium. is there.
【００２７】図２（Ｂ）は一変更例の防着シールドの裏
面を拡大して示した断面図であり、高温媒体循環用パイ
プ１１を設けて高温媒体を循環させ、それとは別に冷却
媒体循環循環用パイプ１２を設けて冷却媒体を循環させ
る。すなわちパイプ１１とパイプ１２とが並行して図１
のパイプ６のように防着シールドの裏面全体に延在分布
している。FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view showing the back surface of the deposition-inhibiting shield according to a modification, in which a high-temperature medium circulation pipe 11 is provided to circulate the high-temperature medium, and the cooling medium is circulated separately. A circulation pipe 12 is provided to circulate the cooling medium. That is, the pipe 11 and the pipe 12
As shown in the pipe 6 of FIG.
【００２８】図２（Ｃ）は他の変更例の防着シールドの
裏面を拡大して示した断面図であり、高温媒体循環用パ
イプの代わりに絶縁物１３Ａにより被覆されたヒータ１
３を設け、パイプとしては冷却媒体循環用パイプ１２だ
けが設けられている。FIG. 2C is an enlarged cross-sectional view showing the back surface of the deposition-inhibiting shield of another modification, and shows a heater 1 covered with an insulator 13A instead of a high-temperature medium circulation pipe.
3, and only the cooling medium circulation pipe 12 is provided as a pipe.
【００２９】次に図１を参照して動作について説明す
る。Next, the operation will be described with reference to FIG.
【００３０】排気系を備えた真空槽１の内部に装着され
た基板２上に、成膜用ターゲット３の物質の薄膜をスパ
ッタリングにより形成する。A thin film of the material of the film forming target 3 is formed by sputtering on a substrate 2 mounted inside a vacuum chamber 1 provided with an exhaust system.
【００３１】その際、薄膜は防着シールド４の表面にも
付着する。この表面にはブラスト等の凹凸処理が施され
ているが、トータルで長時間成膜を行うと防着シールド
４に堆積した薄膜が徐々に剥離してゴミになり、図４に
示すように増加する。そして、製品の歩留まりに悪影響
を与えてしまう。At this time, the thin film also adheres to the surface of the shield 4. Although the surface is subjected to an uneven treatment such as blasting, when the film is formed for a long time in total, the thin film deposited on the deposition-inhibiting shield 4 gradually peels off to become dust, and as shown in FIG. I do. Then, the yield of the product is adversely affected.
【００３２】そこで、ある程度ゴミが増加した時点で基
板２を取り出した状態にし、防着シールド４に堆積した
薄膜の強制剥離を行う。Therefore, when the dust has increased to some extent, the substrate 2 is taken out, and the thin film deposited on the deposition shield 4 is forcibly peeled off.
【００３３】具体的には、防着シールド４の背面のパイ
プ６に約３００℃の高温媒体を流して防着シールドを加
熱し、その後、パイプ６に約５℃の低温媒体を流して防
着シールドを急冷することにより、防着シールドと薄膜
との熱膨張係数の差により防着シールドの表面に堆積し
た薄膜が強制的に剥離される。More specifically, a high-temperature medium of about 300 ° C. is passed through the pipe 6 on the back side of the deposition-preventing shield 4 to heat the deposition-preventing shield. By rapidly cooling the shield, the thin film deposited on the surface of the deposition shield is forcibly peeled off due to the difference in thermal expansion coefficient between the deposition shield and the thin film.
【００３４】この際に図２（Ｂ）に示す装置では、高温
媒体をパイプ１１を流して循環させ、低温媒体を別のパ
イプであるパイプ１２を流して循環させる。At this time, in the apparatus shown in FIG. 2B, a high-temperature medium is circulated by flowing through a pipe 11, and a low-temperature medium is circulated by flowing through another pipe 12, which is a pipe.
【００３５】また図２（Ｃ）に示す装置では、ヒータ１
３に電流を流して防着シールド４を約３００℃に加熱し
た後、低温媒体をパイプ１２を流して循環させる。Further, in the apparatus shown in FIG.
After a current is passed through 3 to heat the shield 4 to about 300 ° C., a low temperature medium is circulated through the pipe 12.
【００３６】さらにこのクリーニング処理直前の薄膜形
成工程により防着シールド４が約３００℃となっている
場合には、高温媒体もしくはヒータによる加熱ステップ
を省略することができる。Further, when the deposition prevention shield 4 is at about 300 ° C. in the thin film forming process immediately before the cleaning process, the heating step using a high-temperature medium or a heater can be omitted.
【００３７】剥離したゴミは、成膜用配管５からガスを
出し、バルブ８を開けて真空排気を行うことで真空槽１
内にダウンロードされ、真空槽１内を大気開放せずにゴ
ミは排気チャンバー７に落下した後、バルブ８を閉める
ことでゴミは真空槽１から隔離される。そのためにゴミ
が拡散することなが無く、図３に示すようにゴミ量の最
大値１０を抑えてゴミを減らすことができる。The debris that has been peeled is released from the film forming pipe 5 by gas, and the valve 8 is opened to evacuate the vacuum.
After the dust is dropped into the exhaust chamber 7 without opening the inside of the vacuum chamber 1 to the atmosphere, the dust is isolated from the vacuum chamber 1 by closing the valve 8. Therefore, the dust is not diffused, and the dust can be reduced by suppressing the maximum value 10 of the dust as shown in FIG.
【００３８】また剥離したゴミは、防着シールド４の排
気口側に向かう段差の箇所が傾斜面９となっているから
容易に排気チャンバー７に落下させることができる。Further, the separated dust can be easily dropped into the exhaust chamber 7 because the stepped portion toward the exhaust port side of the deposition-inhibiting shield 4 is the inclined surface 9.
【００３９】図５は防着シールド４の他の例を示す斜視
図であり、奥行きにもう一つの排気チャンバー７がある
場合に対応している。この図５の防着シールド４の各排
気チャンバー７側の全ての四辺側において段差の箇所を
傾斜面９にし、そこからストレートに、すなわち垂直壁
のダクト構造を有して排気チャンバー７に落下する構造
になっているから、剥離した薄膜のゴミのかき集めがさ
らに容易になる。FIG. 5 is a perspective view showing another example of the deposition-inhibiting shield 4 and corresponds to a case where another exhaust chamber 7 is provided at a depth. On all four sides of each of the exhaust chambers 7 of the deposition-inhibiting shield 4 in FIG. 5, a step portion is formed as an inclined surface 9, from which it falls straight down, that is, into the exhaust chamber 7 having a vertical wall duct structure. Because of the structure, it is easier to collect dust from the peeled thin film.
【００４０】本発明のクリーニング方法の実施の形態と
して、例えば、ガラス基板、約２０００枚に二酸化シリ
コン薄膜をスパッタリングで形成する処理をした後、全
てのガラス基板を真空槽から除去する。この時点で防着
シールド上に約２００μｍの厚さに薄膜が堆積してい
る。As an embodiment of the cleaning method of the present invention, for example, after performing a process of forming a silicon dioxide thin film on about 2,000 glass substrates by sputtering, all the glass substrates are removed from the vacuum chamber. At this point, a thin film having a thickness of about 200 μm has been deposited on the deposition shield.
【００４１】そこで、高温媒体の循環もしくはヒータに
より防着シールド４を約３００℃、２時間ほど加熱す
る。加熱した後、約５℃の低温媒体を３時間ほど循環さ
せて防着シート４を冷却する。この際、防着シールドと
薄膜との熱膨張係数の差により、防着シールド４に付着
した薄膜が剥離するので、冷却中はゲート８を開き、真
空引きを行いながら、成膜用ガス配管５から成膜用ガス
（Ａｒ）を流す。Therefore, the shield 4 is heated at about 300 ° C. for about 2 hours by circulation of a high-temperature medium or a heater. After heating, the low-temperature medium of about 5 ° C. is circulated for about 3 hours to cool the anti-adhesion sheet 4. At this time, the thin film adhered to the deposition-inhibiting shield 4 is peeled off due to the difference in thermal expansion coefficient between the deposition-inhibiting shield and the thin film. Through which a film-forming gas (Ar) flows.
【００４２】これにより、真空中に微少なガスの流れが
出来るので剥離した薄膜、すなわちゴミを排気チャンバ
ー７に落とし込み、真空槽内からゴミを除去する。As a result, a minute gas flows in the vacuum, so that the peeled thin film, that is, dust is dropped into the exhaust chamber 7, and the dust is removed from the vacuum chamber.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明の第１の効果は、製品の歩留まり
が向上することである。その理由は、図４に示すように
成膜時間が長くなると防着シールドに堆積した薄膜が徐
々に剥がれることでゴミが増加していたが、本発明によ
り、防着シールドに付着した剥離し易い薄膜を強制的に
剥離させることができ、これにより図３に示すように、
ゴミ量の最大値１０を抑えてゴミを減らすことができる
からである。The first effect of the present invention is that the product yield is improved. The reason is that as shown in FIG. 4, as the film formation time becomes longer, the thin film deposited on the deposition shield gradually peels off, thereby increasing dust. However, according to the present invention, the dust attached to the deposition shield is easily peeled. The thin film can be forcibly peeled off, thereby, as shown in FIG.
This is because the maximum value 10 of the amount of dust can be suppressed to reduce dust.
【００４４】本発明の第２の効果は、真空成膜装置の稼
働率が向上することである。その理由は、従来技術では
ゴミが増加すると真空槽を大気に開放して防着シールド
を交換する必要があるため装置を長時間停止していた
が、本発明では真空槽を大気に開放しないでゴミを減ら
すことができるのでき、防着シールドの交換周期が従来
技術と比較して長くできるからである。The second effect of the present invention is that the operation rate of the vacuum film forming apparatus is improved. The reason is that in the prior art, when dust increases, it is necessary to open the vacuum chamber to the atmosphere and replace the deposition shield, so that the apparatus has been stopped for a long time, but in the present invention, the vacuum chamber must not be opened to the atmosphere. This is because dust can be reduced, and the replacement cycle of the deposition shield can be made longer as compared with the related art.
【図１】本発明の実施の形態による真空成膜装置のクリ
ーニング方法及び真空成膜装置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a cleaning method of a vacuum film forming apparatus and a vacuum film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態における防着シールド裏面
側の種々の構造をそれぞれ示す断面図である。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views showing various structures on the rear surface side of the deposition shield in the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態による成膜時間とゴミ量と
の関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a film forming time and a dust amount according to the embodiment of the present invention.
【図４】従来技術の成膜時間とゴミ量との関係を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the film formation time and the amount of dust in the related art.
【図５】本発明の実施の形態の防着シールドの変更例を
示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a modification of the deposition shield of the embodiment of the present invention.
１ 真空槽 ２ 基板 ３ 成膜用ターゲット ４ 防着シールド ５ 成膜用配管 ６ 高温媒体・低温媒体循環用パイプ ７ 排気チャンバー ８ バルブ ９ 傾斜面 １０ ゴミ量の最大値 １１ 高温媒体循環用パイプ １２ 冷却媒体循環循環用パイプ １３ ヒータ １３Ａ 絶縁物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum tank 2 Substrate 3 Target for film formation 4 Deposition shield 5 Deposition piping 6 Pipe for circulation of high-temperature medium / low-temperature medium 7 Exhaust chamber 8 Valve 9 Slope 10 Maximum value of refuse 11 Pipe for high-temperature medium circulation 12 Cooling Pipe for medium circulation and circulation 13 Heater 13A Insulator
Claims (14)
被覆する防着シールドに堆積した薄膜を除去するに際
し、前記防着シールドを前記真空槽に装着したままで前
記除去を行うことを特徴とする真空成膜装置のクリーニ
ング方法。When removing a thin film deposited on a deposition-inhibiting shield covering an inner wall of a vacuum chamber for performing a predetermined film formation on a substrate, the removal is performed while the deposition-inhibiting shield is attached to the vacuum chamber. A method for cleaning a vacuum film forming apparatus, comprising:
去を行うことを特徴とする請求項１記載の真空成膜装置
のクリーニング方法。2. The method for cleaning a vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the removing is performed without opening the vacuum chamber to the atmosphere.
ことにより堆積した前記薄膜を前記防着シールドから剥
離し、成膜用配管からガスの供給と排気系による排気作
用により前記剥離した薄膜を排気チャンバーに集めるこ
とを特徴とする請求項１記載の真空成膜装置のクリーニ
ング方法。3. The thin film deposited by cooling the deposition shield in a high temperature state is peeled off from the deposition shield, and the peeled thin film is supplied from a film forming pipe by a gas supply and an exhausting action by an exhaust system. 2. The method for cleaning a vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the cleaning is performed in an exhaust chamber.
けられたパイプに冷却媒体を流すことにより行うことを
特徴とする請求項３記載の真空成膜装置のクリーニング
方法。4. The cleaning method for a vacuum film forming apparatus according to claim 3, wherein said cooling is performed by flowing a cooling medium through a pipe provided on a back surface of said deposition prevention shield.
イプに高温媒体を流すことにより前記防着シールドを高
温状態にすることを特徴とする請求項３又は請求項４記
載の真空成膜装置のクリーニング方法。5. The vacuum film forming apparatus according to claim 3, wherein a high-temperature medium is caused to flow through a pipe provided on a back surface of the deposition shield to bring the deposition shield to a high temperature state. Cleaning method.
ータに電流を流すことにより前記防着シールドを高温状
態にすることを特徴とする請求項３又は請求項４記載の
真空成膜装置のクリーニング方法。6. The vacuum film forming apparatus according to claim 3, wherein a current is passed through a heater provided on a back surface of the deposition shield to bring the deposition shield to a high temperature state. Cleaning method.
成膜装置において、前記防着シールドの裏面に前記防着
シールドを冷却する手段及び加熱する手段が設けられて
いることを特徴とする真空成膜装置。7. A vacuum film forming apparatus in which a deposition shield is mounted in a vacuum chamber, wherein a means for cooling and heating the deposition shield is provided on a back surface of the deposition shield. Vacuum film forming equipment.
冷却媒体の循環を行う冷却媒体・高温媒体循環用パイプ
が設けられていることを特徴とする請求項７記載の真空
成膜装置。8. The vacuum film forming apparatus according to claim 7, wherein a cooling medium / high temperature medium circulating pipe for circulating a high temperature medium and a cooling medium is provided on a back surface of the deposition shield.
環を行う高温媒体用パイプおよび低温媒体の循環を行う
低温媒体用パイプがそれぞれ設けられていることを特徴
とする請求項７記載の真空成膜装置。9. The vacuum according to claim 7, wherein a pipe for a high-temperature medium for circulating a high-temperature medium and a pipe for a low-temperature medium for circulating a low-temperature medium are provided on a back surface of the deposition shield. Film forming equipment.
低温媒体の循環を行う低温媒体用パイプとが設けられて
いることを特徴とする請求項７記載の真空成膜装置。10. A heater on a back surface of the deposition prevention shield,
The vacuum film forming apparatus according to claim 7, further comprising a low-temperature medium pipe for circulating the low-temperature medium.
施されていることを特徴とする請求項７記載の真空成膜
装置。11. The vacuum film forming apparatus according to claim 7, wherein the surface of the deposition-inhibiting shield is subjected to an unevenness treatment.
とを特徴とする請求項１１記載の真空成膜装置。12. The vacuum film forming apparatus according to claim 11, wherein said concavo-convex processing is blast processing.
位置しており、前記排気チャンバーに向かう前記防着シ
ールドの段差の箇所は傾斜面になっていること特徴とす
る請求項７記載の真空成膜装置。13. The vacuum chamber according to claim 7, wherein an exhaust chamber is located below the vacuum chamber, and a step portion of the deposition-proof shield facing the exhaust chamber has an inclined surface. Membrane equipment.
間に開閉バルブが設けられていることを特徴とする請求
項１３記載の真空成膜装置。14. The vacuum film forming apparatus according to claim 13, wherein an opening / closing valve is provided between said vacuum chamber and said exhaust chamber.
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