JP2001135697A - Substrate transfer device and substrate carrying method - Google Patents
Substrate transfer device and substrate carrying methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板移載装置お
よび基板移載方法に関し、特に、半導体装置、液晶装置
または磁気ディスクの製造に用いられる基板移載装置に
適用して好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer device and a substrate transfer method, and more particularly, to a substrate transfer device used for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal device, or a magnetic disk. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置、液晶装置あるいは磁
気ディスクなどの電子基板の製造は、一般に、塵埃が低
減されたクリーンルーム内において行われる。ところ
が、クリーンルーム内において工程間の搬送を行うと、
半導体ウェーハに、ホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）な
どの分子吸着汚染が生じる場合がある。そこで、この分
子吸着汚染を防止するために、電子基板の搬送は、電子
基板を収納したウェーハカセットを可搬式の密閉コンテ
ナに収納して行われる。2. Description of the Related Art Conventionally, electronic substrates such as semiconductor devices, liquid crystal devices, and magnetic disks are generally manufactured in a clean room where dust is reduced. However, when transporting between processes in a clean room,
In some cases, a semiconductor wafer may be contaminated by adsorption of molecules such as boron (B) or phosphorus (P). Therefore, in order to prevent this molecular adsorption contamination, the electronic substrate is transported by storing a wafer cassette containing the electronic substrate in a portable closed container.
【０００３】さらに、電子基板における自然酸化膜の成
長やフタル酸エステルなどの有機物などの分子吸着汚染
を防止するために、近年、密閉コンテナの内部の雰囲気
を、窒素（Ｎ2 ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不
活性ガスにより置換することが行われている。Further, in order to prevent the growth of a natural oxide film on an electronic substrate and to prevent the adsorption of molecules such as organic substances such as phthalic acid esters, the atmosphere inside a sealed container has recently been changed to nitrogen (N 2 ) gas or argon (N 2 ). Replacement with an inert gas such as Ar) gas has been performed.
【０００４】このように、Ｎ2 ガスを充満させた密閉コ
ンテナにウェーハカセットを収納して、電子基板の搬送
や保管を行うには、密閉コンテナの内部の雰囲気を、大
気からＮ2 ガスなどの不活性ガスに置換して、密閉コン
テナ内の酸素（Ｏ2 ）や水分濃度を低減する必要があ
る。As described above, when the wafer cassette is housed in a sealed container filled with N 2 gas and the electronic substrate is transported or stored, the atmosphere inside the sealed container is changed from the atmosphere to N 2 gas or the like. It is necessary to reduce the concentration of oxygen (O 2 ) and moisture in the closed container by replacing with an inert gas.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た密閉コンテナなどの可搬式コンテナとプロセス処理装
置との間で電子基板を移載する基板移載装置内の雰囲気
は、オゾン（Ｏ3 ）ガスや揮発性有機物ガスが存在する
雰囲気である。そのため、電子基板をプロセス処理装置
から可搬式コンテナに移載する際に、可搬式コンテナ内
にＯ3 ガスや揮発性有機物ガスが侵入してしまう。特
に、可搬式コンテナの底蓋を開け、ウェーハカセットと
底蓋とを下降させる際、可搬式コンテナの内部は負圧に
なっているため、高い流速でＯ3 ガスや揮発性有機物ガ
スが侵入してしまう。このとき、Ｏ3ガスや揮発性有機
物ガスは、可搬式コンテナの内部に侵入するのみなら
ず、電子基板表面にも接触する。これによって、電子基
板表面に自然酸化膜が成長したり、有機物が吸着したり
するという問題があった。However, the atmosphere in the substrate transfer device for transferring an electronic substrate between a portable container such as the above-mentioned closed container and the processing apparatus is an ozone (O 3 ) gas or the like. This is an atmosphere in which volatile organic gas exists. Therefore, when the electronic substrate is transferred from the processing apparatus to the portable container, O 3 gas and volatile organic gas enter the portable container. In particular, when the bottom cover of the portable container is opened and the wafer cassette and the bottom cover are lowered, the inside of the portable container is at a negative pressure, so that O 3 gas and volatile organic gas enter at a high flow rate. Would. At this time, the O 3 gas and the volatile organic gas not only enter the inside of the portable container but also contact the surface of the electronic substrate. As a result, there is a problem that a natural oxide film grows on the surface of the electronic substrate and organic substances are adsorbed.
【０００６】また、可搬式コンテナ内の雰囲気を不活性
ガスなどにより置換して、可搬式コンテナを密閉する場
合、パージガスとしてＮ2 ガスを用いると、パージガス
はＯ2 や水分などを除去して送られてくる。ところが、
パージガス中のＯ3 や揮発性有機物については除去され
ないまま供給されてしまう。そのため、パージを行って
いる間に、電子基板表面に自然酸化膜が成長したり、揮
発性有機物が吸着したりしてしまう。Further, the atmosphere in the transportable container is replaced by an inert gas, to seal the transportable container, the use of N 2 gas as the purge gas, the purge gas feed to remove such as O 2 and moisture Come. However,
O 3 and volatile organic substances in the purge gas are supplied without being removed. Therefore, during the purging, a natural oxide film grows on the surface of the electronic substrate and volatile organic substances are adsorbed.
【０００７】そして、このような自然酸化膜の成長や揮
発性有機物の吸着により、電子基板における電気的特性
などの品質の劣化や、歩留まりの低下を招いていた。[0007] The growth of such a natural oxide film and the adsorption of volatile organic substances have caused deterioration in quality such as electrical characteristics of the electronic substrate and a decrease in yield.
【０００８】したがって、この発明の目的は、可搬式コ
ンテナおよび移載装置の内部の雰囲気を、オゾンや有機
物が低減された雰囲気とすることにより、ガスパージ中
や基板の移載中において、基板表面における自然酸化膜
の成長や有機物の吸着を防止することができ、電気的特
性などの品質を保持し、歩留まりの向上を図ることがで
きる基板移載装置および基板移載方法を提供することに
ある。Accordingly, an object of the present invention is to make the atmosphere inside a portable container and a transfer device an atmosphere in which ozone and organic substances are reduced so that the surface of the substrate can be removed during a gas purge or during the transfer of the substrate. An object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus and a substrate transfer method that can prevent the growth of a natural oxide film and the adsorption of organic substances, maintain quality such as electrical characteristics, and improve the yield.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、閉成可能かつ基板を収納
可能に構成されたコンテナを載置するコンテナ載置手段
と、基板を昇降可能に構成された昇降手段と、少なくと
もコンテナの内部に、ガスを供給可能に構成されたガス
供給手段と、少なくともコンテナの内部のガスを排気可
能に構成されたガス排気手段とを有する基板移載装置で
あって、ガス供給手段および／または昇降手段の部分
に、オゾンおよび／または有機物を除去する除去フィル
ターが設けられていることを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a container mounting means for mounting a container which can be closed and is capable of storing a substrate; A substrate having a lifting means configured to be able to raise and lower a gas, a gas supply means configured to be able to supply a gas to at least the inside of the container, and a gas exhaust means configured to be able to exhaust the gas at least to the inside of the container A transfer device, wherein a removal filter for removing ozone and / or organic matter is provided at a portion of a gas supply unit and / or a lifting unit.
【００１０】この第１の発明において、オゾンを効率よ
く除去するために、典型的には、オゾンを除去する除去
フィルターは、触媒反応型オゾンガス除去フィルターま
たは活性炭吸着型オゾンガス除去フィルターである。In the first invention, in order to efficiently remove ozone, the removal filter for removing ozone is typically a catalytic reaction type ozone gas removal filter or an activated carbon adsorption type ozone gas removal filter.
【００１１】この第１の発明において、有機物を効率よ
く除去するために、典型的には、有機物を除去する除去
フィルターは、セラミックハニカム型有機物除去フィル
ターまたは活性炭素繊維有機物除去フィルターである。In the first invention, in order to efficiently remove organic substances, typically, the removal filter for removing organic substances is a ceramic honeycomb type organic substance removal filter or an activated carbon fiber organic substance removal filter.
【００１２】この発明の第２の発明は、閉成可能かつ基
板を収納可能に構成されたコンテナを載置するコンテナ
載置手段と、基板を昇降可能に構成された昇降手段と、
少なくともコンテナの内部に、ガスを供給可能に構成さ
れたガス供給手段と、少なくともコンテナの内部のガス
を排気可能に構成されたガス排気手段とを有する基板移
載装置を用いた基板移載方法であって、ガス供給手段お
よび／または昇降手段の部分に、オゾンおよび／または
有機物を除去する除去フィルターが設けられ、除去フィ
ルターにより、オゾンおよび／または有機物が除去され
た雰囲気中において基板の移動を行うようにしたことを
特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a container mounting means for mounting a container configured to be able to close and store a substrate, an elevating means configured to elevate the substrate,
A substrate transfer method using a substrate transfer device having at least the inside of the container, gas supply means configured to be able to supply gas, and gas exhaust means configured to be able to exhaust at least the gas inside the container. In addition, a removal filter for removing ozone and / or organic matter is provided at a portion of the gas supply means and / or the elevating means, and the removal filter moves the substrate in an atmosphere from which ozone and / or organic matter has been removed. It is characterized by doing so.
【００１３】上述のように構成されたこの発明による基
板移載装置および基板移載方法によれば、ガス供給手段
および／または昇降手段の部分に、オゾンおよび／また
は有機物を除去する除去フィルターを設けるようにして
いることにより、オゾンや有機物をこの除去フィルター
によって分解、捕捉することができるので、基板移載装
置および可搬式コンテナの内部の雰囲気をオゾンや有機
物が含まれない清浄な雰囲気とすることができ、この清
浄化された雰囲気中において基板の移載を行うことがで
きる。According to the substrate transfer apparatus and the substrate transfer method according to the present invention configured as described above, the gas supply means and / or the elevating means are provided with the removal filter for removing ozone and / or organic substances. By doing so, ozone and organic substances can be decomposed and captured by the removal filter, so that the atmosphere inside the substrate transfer device and the portable container should be a clean atmosphere that does not contain ozone or organic substances. The substrate can be transferred in this clean atmosphere.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。図１は、この一実施
形態による可搬式コンテナ用基板移載装置（以下、基板
移載装置）が、基板洗浄装置に搭載されているとともに
可搬式コンテナが設置された状態を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a state in which a portable container substrate transfer device (hereinafter, referred to as a substrate transfer device) according to this embodiment is mounted on a substrate cleaning device and a portable container is installed.
【００１５】図１に示すように、この一実施形態による
基板移載装置１は、可搬式コンテナ２を載置可能に構成
されている。また、この基板移載装置１は洗浄処理装置
３に搭載され、接続されている。As shown in FIG. 1, a substrate transfer device 1 according to this embodiment is configured so that a portable container 2 can be placed thereon. The substrate transfer apparatus 1 is mounted on and connected to the cleaning apparatus 3.
【００１６】可搬式コンテナ２は、開口部を有するコン
テナ本体４および開口部を気密に閉成する底蓋５から構
成されている。この可搬式コンテナ２において、コンテ
ナ本体４の内部は、複数の半導体ウェーハ６を所定位置
に載置可能に構成されたウェーハカセット７を収納可能
に構成されている。そして、ウェーハカセット７を可搬
式コンテナ２内に収納する場合、ウェーハカセット７は
底蓋５上に載置される。The portable container 2 comprises a container body 4 having an opening and a bottom lid 5 for hermetically closing the opening. In the portable container 2, the inside of the container body 4 is configured to be able to store a wafer cassette 7 configured to mount a plurality of semiconductor wafers 6 at predetermined positions. When the wafer cassette 7 is stored in the portable container 2, the wafer cassette 7 is placed on the bottom cover 5.
【００１７】また、コンテナ本体４の開口部には、閉成
時の密閉性を向上させるためのフランジが設けられてい
る。そして、底蓋５とフランジとを密着させることによ
り、底蓋５上に載置されたウェーハカセット７を密閉収
納することができるように構成されている。また、図示
省略するが、底蓋５は中空になっており、この中空内に
は、例えば、底蓋５を固定するためのラッチと、このラ
ッチを支持する支持部材と、底蓋５がフランジに密着す
るようにラッチを付勢するばねとからなる、機械的閉成
手段が設けられている。The opening of the container body 4 is provided with a flange for improving hermeticity when closed. The bottom cover 5 and the flange are brought into close contact with each other so that the wafer cassette 7 placed on the bottom cover 5 can be hermetically stored. Although not shown, the bottom cover 5 is hollow, and for example, a latch for fixing the bottom cover 5, a support member for supporting the latch, and a bottom cover 5 And a spring for biasing the latch so as to be in close contact with the latch.
【００１８】また、洗浄処理装置３は、洗浄カップ１
１、排液ライン１２、カップ内回転テーブル１３、洗浄
ノズル１４およびカバー１５を有して構成されている。The cleaning apparatus 3 comprises a cleaning cup 1
1, a drain line 12, a cup rotating table 13, a cleaning nozzle 14, and a cover 15.
【００１９】洗浄カップ１１は、半導体ウェーハ６上に
吐出された洗浄液を回収して廃棄するためのものであ
り、その側壁面は、円筒状の部分と、その上方の内側に
向けてせり出した部分とから構成されている。また、洗
浄カップ１１の底面には、使用済みの洗浄液を外部に排
出するための排液ライン１２が接続されている。また、
カップ内回転テーブル１３は、その中心軸が洗浄カップ
１１の中央部に位置して設けられている。カップ内回転
テーブル１３の上部は半導体ウェーハ６を保持可能に構
成されており、半導体ウェーハ６の面の中心の法線方向
を軸として回転可能に構成されている。また、洗浄ノズ
ル１４は、洗浄液を半導体ウェーハ６上に吐出するため
のものであり、カップ内回転テーブル１３の上方に設け
られている。また、カバー１５は、洗浄液の洗浄カップ
１１外への飛散を防止するためのものであり、洗浄カッ
プ１１の上部の開口を覆うように設けられている。The cleaning cup 11 is for collecting and discarding the cleaning liquid discharged onto the semiconductor wafer 6, and its side wall surface has a cylindrical portion and a portion protruding inward above. It is composed of In addition, a drain line 12 for discharging used cleaning liquid to the outside is connected to the bottom surface of the cleaning cup 11. Also,
The in-cup rotating table 13 is provided with its central axis located at the center of the cleaning cup 11. The upper part of the in-cup turntable 13 is configured to be able to hold the semiconductor wafer 6 and is configured to be rotatable about the normal direction of the center of the surface of the semiconductor wafer 6 as an axis. The cleaning nozzle 14 is for discharging the cleaning liquid onto the semiconductor wafer 6 and is provided above the in-cup rotating table 13. The cover 15 is for preventing the washing liquid from scattering outside the washing cup 11, and is provided so as to cover the upper opening of the washing cup 11.
【００２０】また、基板移載装置１は、ウェーハカセッ
ト７を昇降可能な昇降機２１を有する。この昇降機２１
は、半導体ウェーハ６に対して所定の処理を行う処理装
置の内部、この一実施形態においては洗浄処置装置３の
内部に、半導体ウェーハ６を搬送できる高さにまで下降
可能に構成されている。また、昇降機２１は、可搬式コ
ンテナ２を載置する高さ、すなわちウェーハカセット７
をコンテナ本体４の内部に収納可能な高さにまで上昇可
能に構成されている。The substrate transfer apparatus 1 has an elevator 21 capable of moving up and down the wafer cassette 7. This elevator 21
Is configured such that it can be lowered to a height at which the semiconductor wafer 6 can be transported inside a processing apparatus for performing a predetermined process on the semiconductor wafer 6, in this embodiment, inside the cleaning treatment apparatus 3. The elevator 21 has a height at which the portable container 2 is placed, that is, the wafer cassette 7.
Can be raised to a height that can be stored inside the container body 4.
【００２１】また、昇降機２１の上部にはコンテナ台２
２が設けられている。このコンテナ台２２は、上面に底
蓋５を介してウェーハカセット７を載置可能に構成され
ている。コンテナ台２２のほぼ中心には、底蓋５のコン
テナ本体４への取り付け、およびコンテナ本体４からの
取り外しのための、上述したラッチを操作するラッチ操
作手段（いずれも図示せず）が設けられている。The container table 2 is located above the elevator 21.
2 are provided. The container table 22 is configured such that the wafer cassette 7 can be placed on the upper surface via the bottom cover 5. At substantially the center of the container base 22, a latch operating means (both not shown) for operating the above-mentioned latch for attaching the bottom cover 5 to the container main body 4 and removing it from the container main body 4 is provided. ing.
【００２２】また、基板移載装置１の内部における昇降
機２１の下部には、昇降部フィルター２３が設けられて
いる。この昇降部フィルター２３は、昇降機２１におけ
る上昇動作および下降動作に支障なく設けられている。
具体的には、昇降機フィルター２３は、昇降機２１およ
びコンテナ台２２が下降して基板導入待機状態にあると
きに重ならない位置に設けられているとともに、昇降機
２１の軸とは非干渉な状態に設けられている。また、昇
降部フィルター２３は、基板移載装置１の内部の雰囲気
中に含まれるＯ3 ガスおよび有機物ガスを捕捉、分解
し、基板移載装置１内の雰囲気を清浄化するためのもの
である。この昇降部フィルター２３においては、金属酸
化物触媒として、例えば縮合ケイ酸の一部をアルミニウ
ムに置換したアルミノケイ酸イオンと各種の金属イオン
からなるアルミノケイ酸塩（一般式、（ＭＯ）x （Ａｌ
2 Ｏ3 ）y （ＳｉＯ2 ）z 、（Ｍ2 Ｏ）x （Ａｌ
2 Ｏ3 ）y（ＳｉＯ2 ）z （ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｘ、ｙ、
ｚはいずれも正数））を添着したセラミックハニカムフ
ィルタが用いられる。具体的には、昇降部フィルター２
３は、例えば触媒反応型オゾンガス除去フィルター（例
えば、高砂熱学工業株式会社製のＴＩＯＳ−Ｚ（商品
名））や活性炭吸着型オゾンガス除去フィルター（例え
ば、株式会社タクマ社製のＰＵＲＡＴＥＸ−ＣＳ型（商
品名））などのオゾンガス除去フィルターと、例えばセ
ラミックハニカム型有機物除去フィルター（例えば、高
砂熱学工業株式会社製のＴＩＯＳ−Ｏ（商品名））や活
性炭素繊維有機物除去フィルター（例えば、近藤工業株
式会社製のクリーンソーブＣＨシリーズ）などの有機物
除去フィルターとから構成される。なお、必要に応じ
て、昇降部フィルター２３を、オゾンガス除去フィルタ
ーのみで構成することも可能であり、有機物除去フィル
ターのみで構成することも可能である。An elevating unit filter 23 is provided below the elevator 21 inside the substrate transfer apparatus 1. The elevating filter 23 is provided without any hindrance to the ascent and descent operations of the elevator 21.
Specifically, the elevator filter 23 is provided at a position where the elevator 21 and the container table 22 do not overlap when the container table 22 is lowered and is in a substrate introduction standby state, and is provided so as not to interfere with the axis of the elevator 21. Have been. The elevating filter 23 captures and decomposes O 3 gas and organic gas contained in the atmosphere inside the substrate transfer device 1, and cleans the atmosphere inside the substrate transfer device 1. . In the elevating / lowering unit filter 23, as a metal oxide catalyst, for example, an aluminosilicate composed of an aluminosilicate ion in which a part of condensed silicic acid is substituted by aluminum and various metal ions (general formula: (MO) x (Al
2 O 3 ) y (SiO 2 ) z , (M 2 O) x (Al
2 O 3 ) y (SiO 2 ) z (x + y + z = 1, x, y,
z is a positive number), and a ceramic honeycomb filter to which a) is attached is used. Specifically, the elevating filter 2
3 is, for example, a catalytic reaction type ozone gas removal filter (for example, TIOS-Z (trade name) manufactured by Takasago Thermal Engineering Co., Ltd.) or an activated carbon adsorption type ozone gas removal filter (for example, PURATEX-CS type (manufactured by Takuma Co., Ltd.) Ozone gas removal filter such as, for example, a ceramic honeycomb type organic substance removal filter (for example, TiOS-O (trade name) manufactured by Takasago Thermal Engineering Co., Ltd.) and an activated carbon fiber organic substance removal filter (for example, Kondo Kogyo Co., Ltd.) It is composed of an organic matter removal filter such as a company-made Cleansorb CH series). In addition, if necessary, the elevating / lowering unit filter 23 can be configured with only an ozone gas removal filter, or can be configured with only an organic substance removal filter.
【００２３】また、基板移載装置１の上部には、窒素導
入管２４が設けられている。窒素導入管２４は、少なく
ともコンテナ本体４の開口部の周縁部と接する部分にそ
の一端が接続され、コンテナ本体４の内部にＮ2 ガスを
導入可能に設けられている。窒素導入管２４の他端は、
図示省略したＮ2 ガスラインなどの不活性ガスラインに
接続されている。また、窒素導入管２４の途中の部分に
は、開閉可能な給気弁２５が設けられている。この給気
弁２５により、Ｎ2 ガスのコンテナ本体４内への導入を
制御することができるようになっている。Further, a nitrogen introducing pipe 24 is provided above the substrate transfer apparatus 1. One end of the nitrogen introduction pipe 24 is connected to at least a portion in contact with the peripheral edge of the opening of the container main body 4, and is provided so that N 2 gas can be introduced into the container main body 4. The other end of the nitrogen introduction tube 24
It is connected to an inert gas line such as an N 2 gas line not shown. An openable / closable air supply valve 25 is provided in a portion of the nitrogen introduction pipe 24. The introduction of the N 2 gas into the container body 4 can be controlled by the air supply valve 25.
【００２４】また、窒素導入管２４の途中の部分には、
ガス導入管フィルター２６が設けられている。このガス
導入管フィルター２６は、図示省略したＮ2 ガスライン
から供給されるＮ2 ガス中に含まれるＯ3 ガスや有機物
ガスを、捕捉、分解し、Ｎ2ガスの清浄化を行うための
ものである。そして、このＮ2 ガスの清浄化に用いるた
めに、ガス導入管フィルター２６は、上述の昇降部フィ
ルター２３におけると同様の、金属酸化物触媒として、
例えばアルミノケイ酸塩などが添着されたセラミックハ
ニカムフィルタが用いられる。また、ガス導入管フィル
ター２６は、上述の昇降部フィルター２３におけると同
様に、オゾンガス除去フィルターと有機物除去フィルタ
ーとにより構成される。なお、必要に応じて、ガス導入
管フィルター２６を、オゾンガス除去フィルターのみで
構成することも可能であり、有機物除去フィルターのみ
で構成することも可能である。In the middle of the nitrogen inlet tube 24,
A gas inlet filter 26 is provided. The gas inlet filter 26 captures and decomposes O 3 gas and organic gas contained in N 2 gas supplied from an N 2 gas line (not shown), and purifies the N 2 gas. It is. Then, in order to use this N 2 gas for purification, the gas inlet pipe filter 26 is a metal oxide catalyst similar to that in the above-described elevating / lowering section filter 23.
For example, a ceramic honeycomb filter to which aluminosilicate or the like is attached is used. Further, the gas inlet tube filter 26 is composed of an ozone gas removal filter and an organic substance removal filter, as in the elevating unit filter 23 described above. If necessary, the gas inlet pipe filter 26 can be configured with only an ozone gas removal filter, or can be configured with only an organic substance removal filter.
【００２５】また、基板移載装置１の上部には、排気管
２７が設けられている。この排気管２７は、コンテナ本
体４の開口部の周縁部と接する部分で、かつ、この周縁
部において窒素導入管２４とほぼ反対の位置にその一端
が接続され、少なくともコンテナ本体４の内部のガスを
排気可能に構成されている。排気管２７の他端は、図示
省略した排気ダクトに接続されている。排気管２７の途
中の部分には、開閉可能な排気弁２８が設けられてい
る。この排気弁２８は、コンテナ本体４からの排気を制
御するためのものである。An exhaust pipe 27 is provided above the substrate transfer device 1. One end of the exhaust pipe 27 is connected to a portion in contact with the peripheral edge of the opening of the container main body 4, and one end of the exhaust pipe 27 is connected to a position substantially opposite to the nitrogen introduction pipe 24. It is configured to be able to exhaust. The other end of the exhaust pipe 27 is connected to an exhaust duct (not shown). An exhaust valve 28 that can be opened and closed is provided in a part of the exhaust pipe 27. The exhaust valve 28 is for controlling exhaust from the container body 4.
【００２６】以上のように構成された基板移載装置１と
洗浄処理装置３とは、搬送路２９を通じて接続されてい
る。そして、この搬送路２９を通じて、ウェーハカセッ
ト７と洗浄処理装置３との間で半導体ウェーハ６を移載
可能に構成されている。The substrate transfer apparatus 1 and the cleaning apparatus 3 configured as described above are connected through the transport path 29. The semiconductor wafer 6 can be transferred between the wafer cassette 7 and the cleaning apparatus 3 through the transfer path 29.
【００２７】次に、以上のように構成されたこの一実施
形態による基板移載装置における、半導体ウェーハ６の
移載方法について説明する。Next, a description will be given of a method of transferring the semiconductor wafer 6 in the substrate transfer apparatus according to this embodiment configured as described above.
【００２８】まず、図２に示すように、可搬式コンテナ
２が基板移載装置１に設置されていない状態において
は、複数の半導体ウェーハ６が所定位置に載置されたウ
ェーハカセット７が底蓋５上に載置されて、コンテナ本
体４の内部に収納されている。そして、この状態におい
て、図１に示すように、可搬式コンテナ２を基板移載装
置１のコンテナ台２２上に載置する。First, as shown in FIG. 2, when the portable container 2 is not installed in the substrate transfer apparatus 1, the wafer cassette 7 on which a plurality of semiconductor wafers 6 are mounted at predetermined positions is closed. 5 and housed inside the container body 4. Then, in this state, the portable container 2 is placed on the container table 22 of the substrate transfer device 1 as shown in FIG.
【００２９】次に、コンテナ台２２に設けられたラッチ
操作手段（図示せず）により底蓋５内のラッチを操作
し、底蓋５を可搬式コンテナ２から取り外し可能な状態
とする。これにより、コンテナ台２２上にウェーハカセ
ット７とともに底蓋５が載置される。Next, the latch in the bottom cover 5 is operated by a latch operation means (not shown) provided on the container table 22 so that the bottom cover 5 can be removed from the portable container 2. Thus, the bottom cover 5 is placed on the container table 22 together with the wafer cassette 7.
【００３０】次に、昇降機２１によりコンテナ台２２を
下降させ、底蓋５上のウェーハカセット７を下降させ
る。このとき、コンテナ台２２の下降の際には、可搬式
コンテナ２の内部は減圧状態になっているため、基板移
載装置１内の清浄化された気体は、コンテナ本体４の内
部に高い流速で侵入する。しかしながら、基板移載装置
１の内部の雰囲気は、昇降部フィルター２３によりＯ3
ガスや有機物ガスが捕捉、分解され、清浄化されてい
て、Ｏ3 ガスや有機物ガスがほとんど含まれていない状
態になっているため、半導体ウェーハ６表面に、自然酸
化膜の成長が生じたり、有機物の吸着が生じたりするこ
とはない。Next, the container table 22 is lowered by the elevator 21 and the wafer cassette 7 on the bottom cover 5 is lowered. At this time, when the container table 22 descends, the inside of the portable container 2 is in a depressurized state, so that the purified gas in the substrate transfer device 1 flows into the container body 4 at a high flow rate. Invading. However, the atmosphere inside the substrate transfer device 1 is O 3
Since the gas and organic gas are trapped, decomposed and purified, and contain little O 3 gas or organic gas, a natural oxide film grows on the surface of the semiconductor wafer 6, There is no adsorption of organic matter.
【００３１】続けて、ウェーハカセット７を載置したコ
ンテナ台２２を下降させ、半導体ウェーハ６を洗浄処理
装置３内に導入可能な高さで停止させ、基板導入待機状
態とする。Subsequently, the container table 22 on which the wafer cassette 7 is placed is lowered, and the semiconductor wafer 6 is stopped at a height at which the semiconductor wafer 6 can be introduced into the cleaning processing apparatus 3 to be in a substrate introduction standby state.
【００３２】次に、ウェーハカセット７から、１枚ずつ
半導体ウェーハ６が取り出されて洗浄処理装置３内に搬
送され、カップ内回転テーブル１３上に載置される。そ
の後、この洗浄処理装置３内において、半導体ウェーハ
６の洗浄処理が行われる。Next, the semiconductor wafers 6 are taken out one by one from the wafer cassette 7, conveyed into the cleaning apparatus 3, and placed on the in-cup rotating table 13. After that, the cleaning processing of the semiconductor wafer 6 is performed in the cleaning processing apparatus 3.
【００３３】洗浄処理が終了した後、半導体ウェーハ６
は、搬送路２６を通じてウェーハカセット７に搬送さ
れ、その所定位置に載置される。After the cleaning process is completed, the semiconductor wafer 6
Is transferred to the wafer cassette 7 through the transfer path 26 and is placed at a predetermined position.
【００３４】全ての半導体ウェーハ６に対して洗浄処理
が終了し、ウェーハカセット７に全ての半導体ウェーハ
６が戻された後、昇降機２１を、底蓋５が閉まる直前の
高さまで上昇させる。これとともに、給気弁２５と排気
弁２８とを開け、窒素導入管２４と排気管２７とを開弁
する。これによって、Ｏ2 や水分が除去されたＮ2 ガス
が、Ｎ2 ガスライン（図示せず）から窒素導入管２４を
通じガス導入管フィルター２６を通過して、コンテナ本
体４の内部に供給される。このＮ2 ガスがガス導入管フ
ィルター２６を通過する際に、Ｎ2 ガスに含まれるＯ3
や有機物は捕捉、分解される。清浄化されたＮ2 ガスが
コンテナ本体４の内部に供給されるとともに、コンテナ
本体４内にもともと存在したガスが押し出され、清浄化
されたＮ2 ガスに置換される。排気ガスは、排気管２７
を通じて排気ダクトから外部に排出される。After the cleaning process for all the semiconductor wafers 6 is completed and all the semiconductor wafers 6 are returned to the wafer cassette 7, the elevator 21 is raised to a height just before the bottom lid 5 is closed. At the same time, the air supply valve 25 and the exhaust valve 28 are opened, and the nitrogen introduction pipe 24 and the exhaust pipe 27 are opened. As a result, the N 2 gas from which O 2 and moisture have been removed is supplied from the N 2 gas line (not shown) through the gas introduction pipe filter 26 through the nitrogen introduction pipe 24 to the inside of the container body 4. . When the N 2 gas passes through the gas inlet pipe filter 26, the O 3 gas contained in the N 2 gas
And organic matter are captured and decomposed. The purified N 2 gas is supplied to the inside of the container main body 4, and the gas originally present in the container main body 4 is pushed out and replaced with the purified N 2 gas. The exhaust gas is supplied to the exhaust pipe 27.
Through the exhaust duct to the outside.
【００３５】その後、清浄化されたＮ2 ガスで置換され
たコンテナ本体４の内部の酸素濃度および水分濃度がそ
れぞれ所定の値以下、この一実施形態においては例えば
１０ｐｐｍ以下に達した段階で、給気弁２５および排気
弁２８を閉じ、窒素導入管２４および排気管２７を閉弁
する。そして、コンテナ台２２を上昇させ、ウェーハカ
セット７をコンテナ本体４の内部に収納するとともに、
底蓋５をコンテナ本体４の開口部に密着させる。その
後、底蓋５中のラッチをラッチ操作部により操作し、底
蓋５をコンテナ本体４に固定させる。これにより、可搬
式コンテナ２が閉成され、密閉される。After that, when the oxygen concentration and the water concentration inside the container body 4 replaced with the purified N 2 gas respectively reach a predetermined value or less, for example, 10 ppm or less in this embodiment, the supply is performed. The gas valve 25 and the exhaust valve 28 are closed, and the nitrogen introduction pipe 24 and the exhaust pipe 27 are closed. Then, the container table 22 is raised, and the wafer cassette 7 is stored in the container main body 4.
The bottom cover 5 is brought into close contact with the opening of the container body 4. Thereafter, the latch in the bottom cover 5 is operated by the latch operation section, and the bottom cover 5 is fixed to the container body 4. Thereby, the portable container 2 is closed and hermetically closed.
【００３６】その後、図２に示すように、密閉された可
搬式コンテナ２を基板移載装置１から取り外す。そし
て、可搬式コンテナ２を、図１に示す基板移載装置にお
けると同様な基板移載装置が搭載されている、例えば酸
化装置や成膜装置などの次工程の処理装置に搬送し、そ
のコンテナ台上に載置する。そして、上述と同様の移載
動作を行い、搬送体ウェーハ６に所定の処理を行う。Thereafter, as shown in FIG. 2, the sealed portable container 2 is removed from the substrate transfer device 1. Then, the portable container 2 is transported to a processing device in the next step, such as an oxidation device or a film forming device, on which a substrate transfer device similar to that in the substrate transfer device shown in FIG. Place on a table. Then, the same transfer operation as described above is performed, and a predetermined process is performed on the carrier wafer 6.
【００３７】以上のようにして、基板移載装置１におけ
る半導体ウェーハ６の移載動作が行われる。As described above, the transfer operation of the semiconductor wafer 6 in the substrate transfer device 1 is performed.
【００３８】図３は、上述のように構成された基板移載
装置１において、その内部にシリコンウェーハを放置し
たときの、その表面に成長する自然酸化膜の膜厚の経時
変化を、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）法を用いて測定した
結果を示す。なお、比較のため、従来の基板移載装置に
おいて、その内部にシリコンウェーハを放置したとき
の、その表面に成長する自然酸化膜の膜厚の経時変化を
測定した結果も併せて示す。FIG. 3 is a graph showing the change with time of the thickness of the natural oxide film growing on the surface of a silicon wafer when the silicon wafer is left inside in the substrate transfer apparatus 1 configured as described above. The result measured using the photoelectron spectroscopy (XPS) method is shown. For comparison, the results of measuring the change over time of the thickness of the natural oxide film grown on the surface of a conventional substrate transfer apparatus when a silicon wafer is left inside the apparatus are also shown.
【００３９】図３より、従来の基板移載装置内にシリコ
ンウェーハを放置した場合、極めて短い時間で自然酸化
膜が成長するのに対し、この発明による基板移載装置内
にシリコンウェーハを放置した場合では、自然酸化膜の
成長が全く見られないことが分かる。このように、従来
の基板移載装置では、この装置内に微量に存在するＯ3
ガスによる自然酸化膜の成長が著しいが、この発明によ
る基板移載装置によれば、自然酸化膜の成長が防止され
ることが確認された。FIG. 3 shows that when a silicon wafer is left in a conventional substrate transfer apparatus, a natural oxide film grows in an extremely short time, whereas a silicon wafer is left in a substrate transfer apparatus according to the present invention. In this case, it can be seen that the growth of the native oxide film is not observed at all. As described above, in the conventional substrate transfer device, a small amount of O 3 exists in the device.
Although the growth of the natural oxide film by the gas is remarkable, it was confirmed that the growth of the natural oxide film was prevented by the substrate transfer device according to the present invention.
【００４０】以上説明したように、この一実施形態によ
れば、基板移載装置１内の雰囲気中のＯ3 ガスや有機物
ガスを捕捉または分解する除去フィルターを、昇降機２
１の下部および窒素導入管２４の途中に設けるようにし
ていることにより、基板移載装置１内のＯ3 ガスおよび
有機物ガスを大幅に低減することができるので、半導体
ウェーハ６表面をＯ3 ガスや有機物ガスにさらすことな
く、半導体ウェーハ６の移載を行うことができ、半導体
ウェーハ６表面に発生する化学汚染吸着や自然酸化膜の
成長を防止することができる。これによって、半導体ウ
ェーハ６上に製造される半導体装置における電気特性な
どの品質を、良好な状態に保持することができるととも
に、製造歩留まりの向上を図ることができる。As described above, according to this embodiment, the removal filter that captures or decomposes O 3 gas or organic gas in the atmosphere in the substrate transfer device 1 is replaced by the lift 2
By being so provided in the middle of one of the lower and nitrogen inlet tube 24, since the O 3 gas and organic gas of the substrate transfer apparatus 1 can be greatly reduced, the O 3 gas of the semiconductor wafer 6 surface The transfer of the semiconductor wafer 6 can be performed without exposing the semiconductor wafer 6 to an organic substance gas, and the adsorption of chemical contamination and the growth of a natural oxide film generated on the surface of the semiconductor wafer 6 can be prevented. As a result, the quality such as the electrical characteristics of the semiconductor device manufactured on the semiconductor wafer 6 can be maintained in a good state, and the manufacturing yield can be improved.
【００４１】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。Although the embodiment of the present invention has been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible. is there.
【００４２】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、フィルターの材質、動作はあくまでも例に過ぎ
ず、必要に応じてこれと異なる数値、フィルターの材
質、動作を用いてもよい。For example, the numerical values, filter materials, and operations described in the above embodiment are merely examples, and different numerical values, filter materials, and operations may be used as needed.
【００４３】また、上述の一実施形態においては、可搬
式コンテナ用基板移載装置を用いて、窒素パージおよび
密閉搬送を行った場合について説明したが、この発明
を、大気中で微粒子から基板を隔離するための基板移載
装置に適用することも可能であり、この場合も、上述の
一実施形態におけると同様の効果を得ることができる。
これは、Ｏ2 が大量に存在する雰囲気中であっても、さ
らにＯ3 が微量でも存在すると自然酸化膜の成長が格段
に速くなるが、微量なＯ3 ガスをも除去することによ
り、自然酸化膜の急激な成長を抑制することができるか
らである。Further, in the above-described embodiment, the case where the nitrogen purge and the sealed transfer are performed by using the portable container substrate transfer device has been described. The present invention can also be applied to a substrate transfer device for isolation, and in this case, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.
This is because even in an atmosphere O 2 is present in large amounts, but more O 3 is much faster growth of the native oxide film to be present in trace amounts, by also removing the small amount of the O 3 gas, natural This is because rapid growth of the oxide film can be suppressed.
【００４４】また、上述の一実施形態においては、基板
移載装置が搭載されている処理装置として、枚葉式の洗
浄処理装置を用いているが、言うまでもなく、バッチ式
の洗浄処理装置に用いることも可能であり、また、ＣＶ
Ｄ装置やスパッタリング装置などの成膜装置、酸化装
置、レジスト塗布装置など、あらゆる処理装置を用いる
ことも可能である。In the above-described embodiment, a single-wafer-type cleaning apparatus is used as a processing apparatus on which the substrate transfer apparatus is mounted. Needless to say, the apparatus is used in a batch-type cleaning apparatus. It is also possible to
Any processing apparatus such as a film forming apparatus such as a D apparatus and a sputtering apparatus, an oxidizing apparatus, and a resist coating apparatus can be used.
【００４５】また、上述の一実施形態においては、導入
する不活性ガスとして、Ｎ2 ガスを用いているが、Ａｒ
ガスなどの不活性ガスを用いることも可能であり、その
他の不活性ガスを用いることも可能である。In the above embodiment, N 2 gas is used as the inert gas to be introduced.
An inert gas such as a gas can be used, and another inert gas can be used.
【００４６】また、上述の一実施形態においては、昇降
部フィルター２３を昇降機２１の下部に設け、ガス導入
管フィルター２６を窒素導入管２４の途中に設けるよう
にしているが、ガス導入管フィルター２６を設けずに、
昇降部フィルター２３のみ設けるようにしてもよい。こ
の場合においても、基板移載装置１内の雰囲気中にＯ3
や有機物がほとんど含まれない状態にすることができる
ので、上述の一実施形態に置けると同様の効果を得るこ
とができる。他方、昇降部フィルター２３を設けずに、
ガス導入管フィルター２６のみ設けるようにしてもよ
い。この場合においても、ウェーハカセット７を収納す
る際に、コンテナ本体４内の雰囲気をＯ3や有機物が含
まれない状態にすることができるので、同様の効果を得
ることができる。In the above embodiment, the elevating filter 23 is provided below the elevator 21 and the gas inlet filter 26 is provided in the middle of the nitrogen inlet 24. Without providing
You may make it provide only the raising / lowering part filter 23. In this case, too, O 3 is contained in the atmosphere in the substrate transfer device 1.
And organic substances can be hardly contained, so that the same effect can be obtained as in the above embodiment. On the other hand, without providing the elevating filter 23,
Only the gas inlet tube filter 26 may be provided. Also in this case, when the wafer cassette 7 is stored, the atmosphere in the container main body 4 can be set to a state that does not include O 3 or an organic substance, so that the same effect can be obtained.
【００４７】また、上述の一実施形態においては、可搬
式コンテナ２における底蓋５を、図示省略したラッチを
操作することによりコンテナ本体４に固定するようにし
ているが、底蓋５を真空吸着によりコンテナ本体４に固
定するようにしてもよい。In the above-described embodiment, the bottom cover 5 of the portable container 2 is fixed to the container body 4 by operating a latch (not shown). May be fixed to the container body 4.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、処理装置に搭載される基板移載装置におけるガス供
給手段および／または昇降手段の部分に、オゾンおよび
／または有機物を除去する除去フィルターを設けるよう
にしていることにより、コンテナ内および基板移載装置
内のオゾンガスおよび有機物ガスを大幅に低減すること
ができるので、基板表面をオゾンや有機物にさらすこと
なく、基板の移載を行うことができ、基板表面に発生す
る化学汚染吸着や自然酸化膜の成長を防止することがで
きる。したがって、基板における電気特性などの品質
を、良好な状態に維持することができるとともに、製造
歩留まりの向上を図ることができる。As described above, according to the present invention, the removal filter for removing ozone and / or organic substances is provided at the gas supply means and / or the elevating means in the substrate transfer device mounted on the processing apparatus. Is provided, the ozone gas and organic substance gas in the container and the substrate transfer device can be significantly reduced, so that the substrate can be transferred without exposing the substrate surface to ozone and organic substances. Thus, it is possible to prevent the adsorption of chemical contamination and the growth of a natural oxide film generated on the substrate surface. Therefore, the quality of the substrate such as electrical characteristics can be maintained in a good state, and the production yield can be improved.
【図１】この発明の一実施形態による基板移載装置、可
搬式コンテナおよび洗浄処理装置を示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate transfer device, a portable container, and a cleaning processing device according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施形態による基板移載装置に用
いられる可搬式コンテナを示す略線図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a portable container used in the substrate transfer device according to one embodiment of the present invention.
【図３】この発明および従来の基板移載装置内に放置さ
れたシリコンウェーハ表面に成長する自然酸化膜の膜厚
の経時変化を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a change with time of the thickness of a natural oxide film growing on the surface of a silicon wafer left in the substrate transfer apparatus of the present invention and the conventional one.
１・・・基板移載装置、２・・・可搬式コンテナ、２１
・・・昇降機、２２・・・コンテナ台、２３・・・昇降
部フィルター、２４・・・窒素導入管、２６・・・ガス
導入管フィルター、２７・・・排気管DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate transfer apparatus, 2 ... Portable container, 21
... Elevator, 22 ... Container stand, 23 ... Elevator filter, 24 ... Nitrogen inlet pipe, 26 ... Gas inlet pipe filter, 27 ... Exhaust pipe
Claims (4)
たコンテナを載置するコンテナ載置手段と、 上記基板を昇降可能に構成された昇降手段と、 少なくとも上記コンテナの内部に、ガスを供給可能に構
成されたガス供給手段と、 少なくとも上記コンテナの内部のガスを排気可能に構成
されたガス排気手段とを有する基板移載装置であって、 上記ガス供給手段および／または上記昇降手段の部分
に、オゾンおよび／または有機物を除去する除去フィル
ターが設けられていることを特徴とする基板移載装置。1. A container mounting means for mounting a container configured to be capable of closing and storing a substrate, an elevating means configured to elevate the substrate, and a gas at least inside the container. A substrate transfer device comprising: a gas supply unit configured to be able to supply gas; and a gas exhaust unit configured to exhaust at least gas inside the container, wherein the gas supply unit and / or the elevating unit include A substrate transfer device, wherein a removal filter for removing ozone and / or organic substances is provided in a portion.
が、触媒反応型オゾンガス除去フィルターまたは活性炭
吸着型オゾンガス除去フィルターであることを特徴とす
る請求項１記載の基板移載装置。2. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the removal filter for removing ozone is a catalytic reaction type ozone gas removal filter or an activated carbon adsorption type ozone gas removal filter.
が、セラミックハニカム型有機物除去フィルターまたは
活性炭素繊維を用いた有機物除去フィルターであること
を特徴とする請求項１記載の基板移載装置。3. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the removal filter for removing organic substances is a ceramic honeycomb type organic substance removal filter or an organic substance removal filter using activated carbon fibers.
たコンテナを載置するコンテナ載置手段と、 上記基板を昇降可能に構成された昇降手段と、 少なくとも上記コンテナの内部に、ガスを供給可能に構
成されたガス供給手段と、 少なくとも上記コンテナの内部のガスを排気可能に構成
されたガス排気手段とを有する基板移載装置を用いた基
板移載方法であって、 上記ガス供給手段および／または上記昇降手段の部分
に、オゾンおよび／または有機物を除去する除去フィル
ターが設けられ、 上記除去フィルターにより、オゾンおよび／または有機
物が除去された雰囲気中において上記基板の移動を行う
ようにしたことを特徴とする基板移載方法。4. A container mounting means for mounting a container configured to be able to close and store a substrate, an elevating means configured to be able to elevate and lower the substrate, and a gas is provided at least inside the container. A substrate transfer method using a substrate transfer device, comprising: a gas supply unit configured to be able to supply gas; and a gas exhaust unit configured to exhaust at least gas inside the container. And / or a removal filter for removing ozone and / or organic matter is provided at a portion of the elevating means, and the substrate is moved in an atmosphere from which ozone and / or organic matter has been removed by the removal filter. A substrate transfer method characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP31487999A JP2001135697A (en) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | Substrate transfer device and substrate carrying method |
Applications Claiming Priority (1)
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