JP2001135604A - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

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JP2001135604A
JP2001135604A JP2000250392A JP2000250392A JP2001135604A JP 2001135604 A JP2001135604 A JP 2001135604A JP 2000250392 A JP2000250392 A JP 2000250392A JP 2000250392 A JP2000250392 A JP 2000250392A JP 2001135604 A JP2001135604 A JP 2001135604A
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Tetsuji Togawa
哲二 戸川
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暢行 高田
Satoshi Wakabayashi
聡 若林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライイン/ドライアウト方式のポリッシン
グ装置に適用可能であり、単位時間あたり及び単位設置
面積あたりの処理能力を損なうこと無く、洗浄工程にお
ける洗浄段数を3段以上備え、微細化に伴う半導体ウエ
ハのクリーン化に対応できるポリッシング装置を提供す
る。 【解決手段】 研磨面を有した研磨テーブル34,3
5,36,37と、ポリッシング対象物を保持し、かつ
ポリッシング対象物を研磨面に押圧するトップリング3
2,33と、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3
台以上の洗浄装置5,6,22,23と、3台以上の洗
浄装置5,6,22,23間で研磨後のポリッシング対
象物を搬送する搬送機構20,21とを備え、搬送機構
20,21は3台以上の洗浄装置5,6,22,23間
における搬送ルートを変更可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物の表面を平坦且つ鏡面にするポリッシ
ング装置に係り、特にポリッシング後の洗浄を行う洗浄
装置を備えたポリッシング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハの製造工程におけるウエハ表面を平坦且つ鏡面に
するためにポリッシングを行い、またデバイス製造工程
におけるデバイス上に形成された層を平坦且つ鏡面にす
るためにポリッシングを行っている。これら半導体ウエ
ハの製造工程及びデバイス製造工程におけるポリッシン
グ工程には、ポリッシング装置が使用されている。
【0003】従来のポリッシング装置は、ポリッシング
だけを行う専用のポリッシング装置であり、ポリッシン
グの完了した半導体ウエハは移動式の水槽の中に入れて
次の洗浄工程へ搬送されていた。ところが、この方法で
は、ポリッシング工程において、クリーンルームのクリ
ーン度を損ない、かつポリッシング終了後の半導体ウエ
ハの搬送も人手による搬送手段に頼らざるを得なく、ま
たポリッシング装置とその後の洗浄工程で使用する洗浄
機の2種類の装置を必要とするため、設置スペースも広
く必要であった。
【0004】そこで、ポリッシング工程のクリーン化を
図り、かつ装置の設置スペースの縮小を図るため、ポリ
ッシング工程と洗浄工程を同一装置内で行い、半導体ウ
エハをドライな状態で装置に入れ、処理後に半導体ウエ
ハをクリーンでドライな状態で装置から払い出すドライ
イン/ドライアウト方式を実現したポリッシング装置が
開発された。しかしながら、ドライイン/ドライアウト
方式を採用したポリッシング装置は、ポリッシングだけ
を行う専用のポリッシング装置に比べて、単位時間及び
単位設置面積あたりの処理能力が低かった。そこで、今
日までに、この課題を解決する方法が特願平11−59
522号において提案されており、ポリッシングだけを
行う専用のポリッシング装置に比べ多くの面で、優れた
特徴を持った装置になっている。
【0005】上述のドライイン/ドライアウト方式のポ
リッシング装置では、単位設置面積あたりの処理能力を
高めるため、ポリッシング終了後の洗浄工程では、それ
ぞれ互いに異なる洗浄方式を備えた2台の洗浄装置で、
2段にわたって洗浄を行い、最低限の機能でより小さな
設置面積に装置を収めていた。ところが、デバイスの微
細化が進むにつれ、ポリッシング終了後の半導体ウエハ
のクリーン度をより高い状態で搬出する要求が高まり、
ポリッシング終了後の洗浄工程における洗浄段数が2段
から3段へと増えてきた。これら洗浄装置の工程はポリ
ッシング終了後における半導体ウエハ上に付着した微細
なパーティクルを取り除く工程と、半導体ウエハ上に付
着した金属イオンを取り除く工程と、半導体ウエハを乾
燥させてドライな状態にする工程とからなる。また、場
合によっては、半導体ウエハ上に付着した2種類以上の
金属イオンを、半導体ウエハ上に供給する薬液を変えて
洗浄を行い、洗浄工程の段数は4段となることも考えら
れる。4段の洗浄工程は、全て異なる4台の洗浄装置で
行われるか、または3台の洗浄装置のうち、1台の洗浄
装置の中で2段の洗浄工程が行われても良い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、3段以
上の洗浄工程を2台の洗浄装置で行うと、少なくとも1
台の洗浄装置で2段の洗浄工程を行うことになり、これ
に伴い1台の洗浄装置における単位時間あたりの処理能
力は低くなる。また、3台以上の洗浄装置を一列にポリ
ッシング装置内に備えると、ポリッシング装置全体の大
きさが大きくなり、単位設置面積あたりの処理能力が低
くなる。上記のどちらの手段をとっても、特願平11-
59522号で提案されている特徴が損なわれることに
なる。
【0007】本発明は、ドライイン/ドライアウト方式
のポリッシング装置に適用可能であり、単位時間あたり
及び単位設置面積あたりの処理能力を損なうこと無く、
洗浄工程における洗浄段数を3段以上備え、微細化に伴
う半導体ウエハのクリーン化に対応できるポリッシング
装置を提供することを目的とする。
【0008】また本発明は、上述のドライイン/ドライ
アウト方式のポリッシング装置に適用可能であり、半導
体ウエハ等のポリッシング対象物の単位時間及び単位面
積あたりの処理能力を飛躍的に高めることができるポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明の第1の態様は、研磨面を有した研磨テーブ
ルと、ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング
対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、研磨後
のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄装置
と、前記3台以上の洗浄装置間で研磨後のポリッシング
対象物を搬送する搬送機構とを備え、前記搬送機構は前
記3台以上の洗浄装置間における搬送ルートを変更可能
であることを特徴とするものである。本発明によれば、
同一の装置で、様々なポリッシング工程に応じた必要な
洗浄工程の洗浄段数を単位設置面積あたりの処理能力を
落すこと無く確保し、各洗浄工程における洗浄プロセス
時間を短時間に抑えるように、長い時間を必要とする洗
浄工程を2台以上の洗浄装置に分けて処理するように、
搬送ルートを変えることで単位時間あたりのポリッシン
グ対象物の処理枚数(スループット)を増加させること
ができる。
【0010】本発明の第2の態様は、研磨面を有した複
数の研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持し、か
つポリッシング対象物を前記研磨面に押圧する複数のト
ップリングと、前記複数のトップリングが到達可能な位
置に設置され、回転中心から所定円周上に位置しポリッ
シング対象物を保持する複数の部分を有し、かつこの複
数の部分におけるポリッシング対象物の入れ換えを行う
機能を有するロータリトランスポータと、前記ロータリ
トランスポータとトップリングとの間でポリッシング対
象物を受け渡しするプッシャーと、前記ロータリトラン
スポータとの間でポリッシング対象物を受け渡し可能で
あるとともにポリッシング対象物を反転する機能を有す
る反転機とを備えたことを特徴とするものである。本発
明によれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物をト
ップリングに搬送する時間を短縮することが可能とな
り、単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を飛躍的に増加させることができる。
【0011】本発明の第3の態様は、ポリッシング対象
物の研磨を行う研磨部と、研磨後のポリッシング対象物
を洗浄する洗浄部と、研磨前および研磨後のポリッシン
グ対象物を反転する反転機とを備え、前記研磨部ではポ
リッシング対象物の被研磨面を下向きにした状態で処理
し、前記洗浄部ではポリッシング対象物の被研磨面を上
向きにした状態で処理することを特徴とするものであ
る。本発明によれば、全ての洗浄工程において、研磨後
のポリッシング対象物の被研磨面を上向きの状態で処理
することができる。
【0012】本発明の第4の態様は、研磨面を有した研
磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しかつポリッ
シング対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、
研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
と、前記複数の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象
物を搬送する搬送機構と、前記複数の洗浄装置を経由し
てポリッシング対象物が複数段の洗浄工程を経る間にポ
リッシング対象物を待機させるための置き台を具備した
ステーションとを備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、研磨後のポリッシング対象物を洗浄工
程を経る間に待機させることができるため、洗浄プロセ
ス時間が異なる複数の洗浄工程を複数のポリッシング対
象物について並列して行う場合に対応することができ
る。
【0013】本発明の第5の態様は、研磨すべきポリッ
シング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング
対象物を受け入れるロードアンロード部と、ポリッシン
グ対象物の研磨を行う研磨部と、研磨後のポリッシング
対象物を洗浄する洗浄部とを備え、前記ロードアンロー
ド部、研磨部および洗浄部は、それぞれポリッシング対
象物を通過させるための開口を備えた隔壁によって仕切
られた部屋に収容されていることを特徴とするものであ
る。本発明によれば、洗浄度が異なる各部屋が隔壁によ
って仕切られているため、汚染された部屋の雰囲気が他
の清浄な部屋に流入して清浄度を低下させる恐れがな
い。
【0014】本発明の第6の態様は、研磨面を有した複
数の研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しかつ
ポリッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリン
グと、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗
浄装置と、ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを
備え、前記複数の研磨テーブルの研磨面は、粗研磨を行
う研磨面と仕上げ研磨を行う研磨面から構成されている
ことを特徴とするものである。本発明によれば、研磨速
度を大きくすることに重点を置いた研磨面と、研磨速度
は遅いが研磨後の被研磨面の表面状態のきめが更に細か
くなる仕上げ研磨用の研磨面とを組み合わせることによ
り、ポリッシング対象物を効率的に研磨を行うことがで
きるとともに良好な被研磨面が得られる。
【0015】本発明の第7の態様は、研磨すべきポリッ
シング対象物を供給するとともに研磨後のポリッシング
対象物を受け入れるロードアンロード部と、研磨面を有
した研磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持し、か
つポリッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリ
ングと、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以
上の洗浄装置と、ポリッシング対象物を搬送する搬送機
構とを備え、前記3台以上の洗浄装置の少なくとも2台
は、同一洗浄機能を有することを特徴とするものであ
る。本発明によれば、3台以上の洗浄装置のうち、同一
の洗浄モジュールの洗浄装置を少なくとも2台搭載して
いるため、長い時間を必要とする洗浄工程を2台以上の
洗浄装置に分けて処理することができ、即ち、タクトタ
イムの分散を図ることができ、単位時間あたりの処理枚
数(スループット)を増加させることができる。
【0016】本発明の第8の態様は、研磨面を有した研
磨テーブルと、ポリッシング対象物を保持しポリッシン
グ対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと、前記
ポリッシング対象物を載置するとともに移動可能な複数
の置き台を備えた搬送機構と、前記置き台とトップリン
グとの間でポリッシング対象物を受け渡しするプッシャ
ーと、前記置き台との間でポリッシング対象物を受け渡
し可能であるとともにポリッシング対象物を反転する機
能を有する反転機とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本
発明の第1の実施形態に係るポリッシング装置の各部の
配置構成を示す平面図である。図1に示すポリッシング
装置は多数の半導体ウエハをストックするウエハカセッ
ト1を載置するロードアンロードステージ2を4つ備え
ている。ロードアンロードステージ2は昇降可能な機構
を有していても良い。ロードアンロードステージ2上の
各ウエハカセット1に到達可能となるように、走行機構
3の上に2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置さ
れている。
【0018】前記搬送ロボット4における2つのハンド
のうち下側のハンドはウエハカセット1より半導体ウエ
ハを受け取るときのみに使用され、上側のハンドはウエ
ハカセット1に半導体ウエハを戻すときのみに使用され
る。これは、洗浄した後のクリーンなウエハを上側にし
て、それ以上ウエハを汚さないための配置である。下側
のハンドはウエハを真空吸着する吸着型ハンドであり、
上側のハンドはウエハの周縁部を保持する落し込み型ハ
ンドである。吸着型ハンドはカセット内のウエハのずれ
に関係なく正確に搬送し、落し込み型ハンドは真空吸着
のようにごみを集めてこないのでウエハの裏面のクリー
ン度を保って搬送できる。搬送ロボット4の走行機構3
を対称軸に、ウエハカセット1とは反対側に2台の洗浄
機5,6が配置されている。各洗浄機5,6は搬送ロボ
ット4のハンドが到達可能な位置に配置されている。ま
た2台の洗浄機5,6の間で、ロボット4が到達可能な
位置に、4つの半導体ウエハの載置台7,8,9,10
を備えたウエハステーション50が配置されている。前
記洗浄機5,6は、ウエハを高速回転させて乾燥させる
スピンドライ機能を有しており、これによりウエハの2
段洗浄及び3段洗浄にモジュール交換することなく対応
することができる。
【0019】前記洗浄機5,6と載置台7,8,9,1
0が配置されている領域Bと前記ウエハカセット1と搬
送ロボット4が配置されている領域Aのクリーン度を分
けるために隔壁14が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター1
1が設けられている。洗浄機5と3つの載置台7,9,
10に到達可能な位置に2つのハンドを有した搬送ロボ
ット20が配置されており、洗浄機6と3つの載置台
8,9,10に到達可能な位置に2つのハンドを有した
搬送ロボット21が配置されている。
【0020】前記載置台7は、搬送ロボット4と搬送ロ
ボット20との間で半導体ウエハを互いに受渡すために
使用され、半導体ウエハの有無検知用センサ71を具備
している。載置台8は、搬送ロボット4と搬送ロボット
21との間で半導体ウエハを受渡すために使用され、半
導体ウエハの有無検知用センサ72を具備する。載置台
9は、搬送ロボット21から搬送ロボット20へ半導体
ウエハを搬送するために使用され、半導体ウエハの有無
検知用センサ73と半導体ウエハの乾燥防止、もしくは
洗浄用のリンスノズル75を具備している。載置台10
は、搬送ロボット20から搬送ロボット21へ半導体ウ
エハを搬送するために使用され、半導体ウエハの有無検
知用センサ74と半導体ウエハの乾燥防止、もしくは洗
浄用のリンスノズル76を具備している。載置台9及び
10は共通の防水カバーの中に配置されていて、搬送用
のカバー開口部にはシャッター77を設けている。載置
台9は載置台10の上にあり、洗浄後のウエハを載置台
9に、洗浄前のウエハを載置台10に置くことにより、
リンス水の落下による汚染を防止している。なお、図1
においては、センサ71,72,73,74、リンスノ
ズル75,76、およびシャッター77は模式的に示し
たものであって、位置および形状は正確に図示されてい
ない。
【0021】前記搬送ロボット20および搬送ロボット
21の上側のハンドは、一度洗浄された半導体ウエハを
洗浄機もしくはウエハステーション50の載置台へ搬送
するのに使用され、下側のハンドは1度も洗浄されてい
ない半導体ウエハ、及び研磨される前の半導体ウエハを
搬送するのに使用される。下側のハンドで反転機へのウ
エハの出し入れを行うことにより、反転機上部の壁から
のリンス水のしずくにより上側のハンドを汚染すること
がない。前記洗浄機5と隣接するように搬送ロボット2
0のハンドが到達可能な位置に洗浄機22が配置されて
いる。また、洗浄機6と隣接するように搬送ロボット2
1のハンドが到達可能な位置に洗浄機23が配置されて
いる。前記洗浄機5,6,22,23とウエハステーシ
ョン50の載置台7,8,9,10と搬送ロボット2
0,21は全て領域Bの中に配置されていて、領域A内
の気圧よりも低い気圧に調整されている。前記洗浄機2
2,23は、両面洗浄可能な洗浄機である。
【0022】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング46を有しており、前記ハウジング46内
は隔壁14、隔壁15、隔壁16、隔壁24、および隔
壁47により複数の部屋(領域A、領域Bを含む)に区
画されている。隔壁24によって領域Bと区分されたポ
リッシング室が形成され、ポリッシング室は更に隔壁4
7によって2つの領域CとDに区分されている。そし
て、2つの領域C,Dにはそれぞれ2つの研磨テーブル
と、1枚の半導体ウエハを保持しかつ半導体ウエハを前
記研磨テーブルに対して押し付けながら研磨するための
1つのトップリングが配置されている。即ち、領域Cに
は研磨テーブル34,36、領域Dには研磨テーブル3
5,37がそれぞれ配置されており、また、領域Cには
トップリング32、領域Dにはトップリング33がそれ
ぞれ配置されている。また領域C内の研磨テーブル34
に研磨砥液を供給するための砥液ノズル40と、研磨テ
ーブル34のドレッシングを行うためのドレッサ38と
が配置されている。領域D内の研磨テーブル35に研磨
砥液を供給するための砥液ノズル41と、研磨テーブル
35のドレッシングを行うためのドレッサ39とが配置
されている。さらに、領域C内の研磨テーブル36のド
レッシングを行うためのドレッサ48と、領域D内の研
磨テーブル37のドレッシングを行うためのドレッサ4
9とが配置されている。なお、研磨テーブル36,37
の替わりに、湿式タイプのウエハ膜厚測定機を設置して
もよい。その場合は、研磨直後のウエハの膜厚を測定す
ることができ、ウエハの削り増しや、測定値を利用して
次のウエハへの研磨プロセスの制御を行うこともでき
る。
【0023】図2はトップリング32と研磨テーブル3
4,36との関係を示す図である。なお、トップリング
33と研磨テーブル35,37の関係も同様になってい
る。図2に示すように、トップリング32は回転可能な
トップリング駆動軸91によってトップリングヘッド3
1から吊下されている。トップリングヘッド31は位置
決め可能な揺動軸92によって支持されており、トップ
リング32は研磨テーブル34,36にアクセス可能に
なっている。また、ドレッサ38は回転可能なドレッサ
駆動軸93によってドレッサヘッド94から吊下されて
いる。ドレッサヘッド94は位置決め可能な揺動軸95
によって支持されており、ドレッサ38は待機位置と研
磨テーブル34上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。ドレッサ48も同様に、回転可能なドレッサ
駆動軸96によってドレッサヘッド97から吊下されて
いる。ドレッサヘッド97は位置決め可能な揺動軸98
によって支持されており、ドレッサ48は待機位置と研
磨テーブル36上のドレッサ位置との間を移動可能にな
っている。
【0024】図1に示すように、隔壁24によって領域
Bとは区切られた領域Cの中にあって、搬送ロボット2
0のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させ
る反転機28が、搬送ロボット21のハンドが到達可能
な位置に半導体ウエハを反転させる反転機28’がそれ
ぞれ配置されている。また、領域Bと領域Cを区切る隔
壁24には、半導体ウエハ搬送用の開口部が設けられ、
それぞれの反転機28と反転機28’専用のシャッター
25,26が開口部に設けられている。前記反転機28
及び反転機28’は、半導体ウエハをチャックするチャ
ック機構と半導体ウエハの表面と裏面を反転させる反転
機構と半導体ウエハを前記チャック機構によりチャック
しているかどうかを確認するウエハ有無検知センサとを
備えている。また、反転機28には搬送ロボット20に
よって半導体ウエハが搬送され、反転機28’には搬送
ロボット21によって半導体ウエハが搬送される。
【0025】前記反転機28及び28’とトップリング
32及び33の下方に、洗浄室(領域B)とポリッシン
グ室(領域C,D)の間でウエハを搬送するロータリト
ランスポータ27が配置されている。ロータリトランス
ポータ27には、ウエハを載せるステージが4ヶ所等配
に設けてあり、同時に複数のウエハが搭載可能になって
いる。反転機28及び28’に搬送されたウエハは、ロ
ータリトランスポータ27のステージの中心と、反転機
28または28’でチャックされたウエハの中心の位相
が合った時に、ロータリトランスポータ27の下方に設
置されたリフタ29または29’が昇降することで、ロ
ータリトランスポータ27上に搬送される。ロータリト
ランスポータ27のステージ上に載せられたウエハは、
ロータリトランスポータ27の位置を90°変えること
で、トップリング32または33の下方へ搬送される。
トップリング32または33は予めロータリトランスポ
ータ27の位置に揺動している。トップリング32また
は33の中心が前記ロータリトランスポータ27に搭載
されたウエハの中心と位相が合ったとき、それらの下方
に配置されたプッシャー30または30’が昇降するこ
とで、ウエハはロータリトランスポータ27からトップ
リング32または33へ移送される。
【0026】前記トップリング32および33に移送さ
れたウエハは、トップリングの真空吸着機構により吸着
され、ウエハは研磨テーブル34または35まで吸着さ
れたまま搬送される。そして、ウエハは研磨テーブル3
4,35上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等から
なる研磨面で研磨される。トップリング32及び33が
それぞれに到達可能な位置に、前述した第2の研磨テー
ブル36と37が配置されている。これにより、ウエハ
は第1の研磨テーブル34,35で研磨が終了した後、
第2の研磨テーブル36,37で研磨できるようになっ
ている。しかしながら、半導体ウエハに付けられた膜種
によっては、第2の研磨テーブル36,37で研磨され
た後、第1の研磨テーブル34,35で処理されること
もある。この場合、第2の研磨テーブルの研磨面が小径
であることから、研磨パッドに比べて値段の高い砥石を
貼り付け、粗削りをした後に、大径の第1の研磨テーブ
ルに寿命が砥石に比べて短い研磨パッドを貼り付けて仕
上げ研磨をすることで、ランニングコストを低減するこ
とが可能である。このように、第1の研磨テーブルを研
磨パッド、第2の研磨テーブルを砥石とすることによ
り、安価な研磨テーブルを供給できる。というのは、砥
石の価格は研磨パッドより高く、径にほぼ比例して高く
なる。また、砥石より研磨パッドの方が寿命が短いの
で、仕上げ研磨のように軽荷重で行った方が寿命が延び
る。また、径が大きいと接触頻度が分散でき、寿命が延
びる。よって、メンテナンス周期が延び、生産性が向上
する。
【0027】この場合、第1の研磨テーブル34でウエ
ハを研磨した後に、第2の研磨テーブル36にトップリ
ング32が移動する前に、トップリング32が研磨テー
ブル34から離間した位置で、研磨テーブル34に隣接
して設置された洗浄液ノズル510によりトップリング
32に保持されたウエハに向けて洗浄液が噴射される。
これにより、第2の研磨テーブル36へ移動する前にウ
エハが一旦リンスされるので、複数の研磨テーブル相互
間の汚染が防止できる。
【0028】また、第1の研磨面にロデールニッタ社製
の研磨パッドIC1000/SUBA400を張り付
け、第2の研磨面に同じくロデールニッタ社製の研磨パ
ッドPOLITEXを張り付けるような2段研磨の方法
もある。この2段研磨は、小径の第2の研磨テーブルを
使用しなくても、大径のテーブル2つを使って順次研磨
することもできる。上記ではそれぞれ異なる研磨パッド
を使用して2段研磨をする方法を述べたが、同一の研磨
パッド、もしくは砥石を使用しても良い。第1の研磨面
および第2の研磨面で研磨が終了した後、ドレッサ3
8,39,48,49によってそれぞれの研磨面のドレ
ッシングを行う。ドレッシングとは、研磨テーブルの研
磨面がウエハの研磨によって劣化したことに対して、そ
の回復を図るための処置で、コンディショニング,修正
などと呼ばれることもある。
【0029】研磨が終了したウエハは、再び同じルート
で反転機28および28’まで戻される。反転機まで戻
されたウエハは、純水もしくは洗浄用の薬液によりリン
スノズルによってリンスされる。また、ウエハを離脱し
たトップリング32,33のウエハ吸着面は、トップリ
ング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によって洗浄さ
れ、場合によっては乾燥防止のためにリンスされる。そ
して、隔壁にはプッシャー洗浄ノズルが取り付けてあ
り、前記プッシャーの洗浄も行えるようになっている。
また、ウエハの歩留まり、洗浄効果の向上のため、ウエ
ハをトップリングに吸着させた状態で薬液リンスするこ
ともでき、プッシャーの上方でロータリトランスポータ
27に保持された状態で薬液リンスすることもできる。
また後述するノズルでリフターを洗浄することもでき
る。
【0030】図2の右側部分には、ロータリトランスポ
ータ27と、反転機28又は28’と、リフタ29又は
29’と、プッシャー30又は30’との関係が示され
ている。図2に示すように、ロータリトランスポータ2
7の上方に反転機28又は28’が配置され、ロータリ
トランスポータ27の下方にリフタ29又は29’およ
びプッシャー30又は30’がそれぞれ配置されてい
る。
【0031】次に、ウエハの搬送ルートを説明する。本
装置の通常処理ルートは全てのユニットを自由に組合
せ、設定できるようにソフトウェアが組まれている。例
えば、以下の3通りの方法がある。 (1)2つのポリッシング室(領域Cおよび領域D)の
うち片側で1つのウエハカセット内のウエハを処理し、
もう片側のポリッシング室で別のウエハカセット内のウ
エハの処理に使用する方法(2カセットパラレル運転) (2)1つのウエハカセット内のウエハを任意に2つの
ポリッシング室に振り分けて処理を行う方法(1カセッ
トパラレル運転) (3)ウエハカセットからでたウエハを1つのポリッシ
ング室で処理した後、もう一方のポリッシング室で2段
目の処理をする方法(シリーズ運転)
【0032】また、洗浄室側では、ポリッシング室より
処理を終えて出てきたウエハを、以下の6通りの方法で
処理する。 (A)洗浄機22→洗浄機5と洗浄機23→洗浄機6の
2列の2段洗浄で払い出す方法 (B)洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の1列の3段洗
浄で払い出す方法、又は洗浄機22→洗浄機23又は6
→洗浄機5の1列の3段洗浄で払い出す方法 (C)洗浄機22と洗浄機23のどちらか洗浄の行われ
ていない方で洗浄する2列の1段洗浄と洗浄機6→洗浄
機5の1列の2段洗浄を組合せた3段洗浄で払い出す方
法 (D)洗浄機23→洗浄機6→洗浄機22→洗浄機5の
1列の4段洗浄で払い出す方法 (E)洗浄機22→洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の
1列の4段洗浄で払い出す方法 (F)1段目のポリッシングを終えたウエハを洗浄機2
2で洗浄した後に再び2段目のポリッシングを行い、そ
の後洗浄機23→洗浄機6→洗浄機5の1列の3段洗浄
で払い出す方法
【0033】上記(1)〜(3)および(A)〜(F)
を適宜組み合わせれば、組合せ方により以下の特徴があ
る。 (1−A)この組み合わせでは、2つのカセット間でプ
ロセスが異なる場合と複数のロットを高スループットで
払い出す場合にそれぞれ有効である。2つのカセット間
でプロセスが異なる場合には、2台のドライイン/ドラ
イアウトの装置が1台にまとまったような装置となる。
また、この組み合わせがもっともスループットが出るの
で、2つのカセットが同一のプロセスで生産能力がより
求められる場合に使用される。 (2−A)この組み合わせでは、1つのカセット内のウ
エハを短時間に処理する場合に有効である。また、1つ
のカセット内のウエハを任意に2種類のプロセスに分け
て処理することも可能である。 (3−A)2段洗浄工程のうち少なくとも1ヶ所の洗浄
時間が2段研磨のどちらの研磨時間よりも長い場合に
は、2段洗浄工程が1列だけであると洗浄時間につられ
て研磨の処理能力が低下してしまう。この場合に2段洗
浄工程が2列あると、研磨終了後のウエハが洗浄時間に
つられることなく払い出される。このようなケースで
は、この組み合わせがきわめて有効である。 (1−B)研磨終了後の洗浄工程で、3種類以上の洗浄
工程が必要な場合にこの組み合わせが取られる。また、
この組み合わせでは、洗浄工程が1列で処理されるため
に洗浄の処理能力が落ちるので、研磨時間が洗浄時間に
比べて長くなる時にはきわめて有効となる。 (2−B)1−Bのように複数のロットを1度に処理せ
ずに、1つのロットだけを処理する場合に使用され、1
−Bと同じ効果が得られる。 (3−B)1−Bと同じように、洗浄段数を3段要する
時にこの組み合わせで処理を行う。 (1−C)この組み合わせは、1−Bと同じ効果が得ら
れるが、1段目の洗浄工程での洗浄時間が他のウエハ処
理ユニットに比べ長い場合に、1段目の洗浄工程を2台
の洗浄機を使用することで、ウエハが搬送ルート上の1
段目の洗浄機で渋滞するのを緩和させ、処理能力を上げ
ることができる。 (2−C)1−Cと同様で2−Bと同じ理由からこの組
み合わせが使われる。 (3−C)1−Cと同様で3−Bと同じ理由からこの組
み合わせが使われる。(1,2,3−D,E)それぞれ
のポリッシング室の使い方に加え、洗浄工程が4段必要
な場合に使用される。 (3−F)2段研磨を行う上で、2段目の研磨でウエハ
に1段目の研磨剤が付着したまま研磨を行うのを防ぐた
めに、2段目の研磨に入る前に洗浄工程を入れて搬送さ
せるのにこの組み合わせを使用する。
【0034】本発明においては、それぞれ研磨テーブル
34,35を有した2つの研磨部を備えているため、研
磨部の少なくとも1つを使用してポリッシング装置を運
転中に他の研磨部のメンテナンスが可能である。洗浄部
はポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄機5,6,
22,23を備え、前記洗浄機の少なくとも1つを使用
してポリッシング装置を運転中に他の洗浄機のメンテナ
ンスが可能である。
【0035】図3乃至図22は、図1に示すポリッシン
グ装置によってウエハのポリッシングを行う場合の一例
を示す模式的工程図であり、図3乃至図14は一つのウ
エハカセット(CS1)からウエハが取り出され、研磨
工程、洗浄工程を経てウエハカセット(CS1)に戻さ
れるまでの各工程と、もう一つのウエハカセット(CS
2)からウエハが取り出され、研磨工程、洗浄工程を経
てウエハカセット(CS2)に戻されるまでの各工程を
図示したものである。また図15乃至図22は一つのウ
エハカセット(CS1)からウエハが取り出され、研磨
工程、洗浄工程を経てウエハカセット(CS1)に戻さ
れるまでの各工程を図示したものである。図3乃至図2
2において、ウエハカセット1はCS1,CS2,CS
3,CS4で表し、搬送ロボット4,20,21はそれ
ぞれRBD,RBL,RBRで表し、洗浄機22,2
3,6,5はCL1,CL2,CL3,CL4で表し、
反転機28,28’はTOL,TORで表し、研磨テー
ブル34,35はTTL,TTRで表し、トップリング
32,33はTRL,TRRで表し、ロータリトランス
ポータ27のロード用置き台はLR,LLで表し、アン
ロード用置き台はULR,ULLで表している。またウ
エハステーション50の置き台7,8,9,10はそれ
ぞれDSL,DSR,WS1,WS2で表している。
【0036】図3乃至図7は2段洗浄の2カセットパラ
レル処理を示している。図3乃至図7に示すように、一
方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボッ
ト(RBD)→ウエハステーションの置き台(DSL)
→搬送ロボット(RBL)→反転機(TOL)→ロード
用の置き台(LL)→トップリング(TRL)→研磨テ
ーブル(TTL)→トップリング(TRL)→アンロー
ド用の置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬送ロボ
ット(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボット(R
BL)→洗浄機(CL4)→搬送ロボット(RBD)→
ウエハカセット(CS1)に至る経路を経る。
【0037】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット(RBD)→ウエハステーシ
ョンの置き台(DSR)→搬送ロボット(RBR)→反
転機(TOR)→ロード用の置き台(LR)→トップリ
ング(TRR)→研磨テーブル(TTR)→トップリン
グ(TRR)→アンロード用の置き台(ULR)→反転
機(TOR)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL
2)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬
送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS2)に至
る経路を経る。
【0038】図8乃至図14は3段洗浄の2カセットパ
ラレル処理を示している。図8乃至図14に示すよう
に、一方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送
ロボット(RBD)→ウエハステーションの置き台(D
SL)→搬送ロボット(RBL)→反転機(TOL)→
ロード用の置き台(LL)→トップリング(TRL)→
研磨テーブル(TTL)→トップリング(TRL)→ア
ンロード用の置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬
送ロボット(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボッ
ト(RBL)→ウエハステーションの置き台(WS2)
→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬送ロ
ボット(RBR)→ウエハステーションの置き台(WS
1)→搬送ロボット(RBL)→洗浄機(CL4)→搬
送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS1)に至
る経路を経る。
【0039】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット(RBD)→ウエハステーシ
ョンの置き台(DSR)→搬送ロボット(RBR)→反
転機(TOR)→ロード用の置き台(LR)→トップリ
ング(TRR)→研磨テーブル(TTR)→トップリン
グ(TRR)→アンロード用の置き台(ULR)→反転
機(TOR)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL
2)→搬送ロボット(RBR)→洗浄機(CL3)→搬
送ロボット(RBR)→ウエハステーションの置き台
(WS1)→搬送ロボット(RBL)→洗浄機(CL
4)→搬送ロボット(RBD)→ウエハカセット(CS
2)に至る経路を経る。
【0040】図15乃至図22は3段洗浄のシリーズ処
理を示している。図15乃至図22に示すように、ウエ
ハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボット(RB
D)→ウエハステーションの置き台(DSL)→搬送ロ
ボット(RBL)→反転機(TOL)→ロード用の置き
台(LL)→トップリング(TRL)→研磨テーブル
(TTL)→トップリング(TRL)→アンロード用の
置き台(ULL)→反転機(TOL)→搬送ロボット
(RBL)→洗浄機(CL1)→搬送ロボット(RB
L)→ウエハステーションの置き台(WS2)→搬送ロ
ボット(RBR)→反転機(TOR)→ロード用の置き
台(LR)→トップリング(TRR)→研磨テーブル
(TTR)→トップリング(TRR)→アンロード用の
置き台(ULR)→反転機(TOR)→搬送ロボット
(RBR)→洗浄機(CL2)→搬送ロボット(RB
R)→洗浄機(CL3)→搬送ロボット(RBR)→ウ
エハステーションの置き台(WS1)→搬送ロボット
(RBL)→洗浄機(CL4)→搬送ロボット(RB
D)→ウエハカセット(CS1)に至る経路を経る。図
3乃至図22では、一方のウエハがウエハカセット(C
S1)から、他方のウエハがウエハカセット(CS2)
から取り出されると記述しているが、ウエハカセット
(CS1,CS2)を一方の研磨テーブル(TTL)へ
ウエハを供給するカセットとし、ウエハカセット(CS
3,CS4)を他方の研磨テーブル(TTR)へウエハ
を供給するカセットとしてもよい。
【0041】次に、図1に示すポリッシング装置の各部
の構成を詳細に説明する。ロードアンロード部 図23(a)および図23(b)はロードアンロード部
を示す図であり、図23(a)は正面図、図23(b)
は側面図である。図23(a)および図23(b)に示
すように、ロードアンロード部は、ウエハカセット1
(オープンカセット)を装置に搭載するためのロードア
ンロードステージ2を4つ備えている。このロードアン
ロードステージ2はウエハカセットの下の形状にあわせ
たブロックによる位置決め機構を有し、繰り返しカセッ
トを載せても常に同じ位置になるよう構成されている。
また、正しい位置にウエハカセットが搭載された場合に
は、ボタン式のセンサによりカセットの存在を検知す
る。同時にそのとき透過型光センサ351をウエハがカ
セットからある一定長飛出した場合に遮光されるように
カセットの上下に配置することで、ウエハ飛出しを検知
し、カセットのスロットにウエハが正しく収まっている
かどうかを見る。飛出しを検知した場合は、インターロ
ックが作動し、搬送ロボット4やサーチ機構352等が
ロードアンロード部に対してアクセスできないように制
御する。
【0042】各ロードアンロードステージ2の下にはダ
ミーウエハステーション353がある。ダミーウエハス
テーション353は、ウエハを各1枚以上載置すること
が可能であり、製品ウエハを処理する前に研磨パッドの
状態を安定した状態にするのに使用するダミーウエハ
や、装置の状態を確認するために搬送させるQCウエハ
等を入れる。ダミーウエハステーション353内には、
ウエハ有無検知用のセンサ354が設置されており、ウ
エハの存在を確認することができる。また、飛出しセン
サも構成するが、ウエハ飛出しセンサ351で機能を共
有しても良い。ダミーウエハステーション353にウエ
ハを載せるため、カセットが載置されていない場合には
ステーションの上部に構成されるロードアンロードステ
ージ2を持ち上げて、手作業にてウエハを載せることも
可能になっている。ただ、標準的にダミーウエハステー
ション353へウエハを搭載する方法としては、ウエハ
を挿入したカセットを、任意のロードアンロードステー
ジ2に載せたあと、ウエハのサーチをし、どのウエハを
どのダミーウエハステーションに送るかをコントロール
パネルより指示すれば、カセット、ダミーウエハステー
ション双方にアクセス可能な搬送ロボット4によって、
ウエハをカセットからダミーウエハステーションへ移送
する方法がとられる。
【0043】ロードアンロードステージ2の下部(ダミ
ーウエハステーションがある場合はさらにその下)に
は、ウエハサーチ機構352を備えている。サーチ機構
352は駆動源(パルスモータ)355により、上下に
ストローク可能で、その先には、ウエハサーチセンサ3
56が配置されている。サーチ機構352はウエハサー
チ動作中以外には装置内部に待機していて、他の動作部
分との干渉を防いでいる。サーチセンサ356は、ロー
ドアンロード部側面からみて、光線がカセット内を水平
に貫通するように向かい合って配置される。ウエハサー
チ時にはサーチ機構352がダミーウエハステーション
353の下からカセットの最終スロット上部まで往復
し、ウエハによって光線が遮光された回数をカウント
し、ウエハの枚数をカウントすると共にその位置を駆動
源のパルスモータのパルスから検知して、カセット内の
どのスロットにウエハがあるのかを判断する。また、あ
らかじめカセットのスロット間隔を入力しておき、その
間隔以上のパルス間でセンサの光線が遮光された場合に
はウエハが斜めに挿入されていることを検知するウエハ
斜め検知機能も設置されている。
【0044】また、ウエハカセットの開口部と装置の間
には、シリンダにより上下に駆動されるシャッター35
7が配置され、カセット搭載エリアと装置内を遮断す
る。前記シャッター357はカセットに対して搬送ロボ
ット4がウエハを出し入れしている場合を除き、閉じら
れている。さらには、装置前面に対して複数並べられた
ロードアンロードステージ2の間にはそれぞれ隔壁35
8を設ける。これにより、処理終了後のカセット交換作
業中、隣のカセットが稼働中でも人が誤って触れること
なくカセットにアクセスできる。また、ロードアンロー
ド部の前面は更に扉360で装置外部と遮られている。
扉360には、ロック機構と、開閉判別用のセンサ36
1が設けられており、処理中に扉360をロックするこ
とにより、カセットの保護と人体への危険を未然に防止
している。また、扉が一定時間開き放しになっている時
にアラーム(警報)を発するようになっている。
【0045】カセットをロードアンロード部へ載置する
方法として以下の2通りある。 (1)ウエハが収納されたカセットでそのまま載置台へ
置く方法。これはクリーンルームのロードアンロード部
に面している部屋が比較的清浄な状態にある場合、例え
ば、クラス100以下の時にとられる手段である。 (2)クリーンルームのロードアンロード部に面した部
屋が比較的ダーティ(汚れた)な状態にある場合、例え
ば、クラス1000以上の時にはカセットをクラス10
0程度に管理された箱の中に入れ、クリーンルーム内を
搬送し、そのままロードアンロード部へ載置する手段が
とられる。(1)の手段をとる場合には、ロードアンロ
ード部にフィルタファンユニット10000を構成する
ことでカセットの載置される場所を特に清浄な状態に保
つ。
【0046】図24はロードアンロード部の他の例を示
す図であり、上記(2)の手段をとる場合を示す図であ
る。(2)の手段をとる場合には、箱367の中にウエ
ハカセット1が収納された状態でロードアンロードステ
ージ2上に置かれる。箱367がロードアンロードステ
ージ2上に置かれると、ロードアンロードステージ2に
取り付けられたステージ366と箱367の底板363
はロックされるように互いに固定される。箱367と底
板363は密閉されるように取付けられている。また、
ステージ366と底板363がロックされると同時にロ
ードアンロードステージ2と箱367は密着され、箱3
67と底板363は解放されて自由に取外しができるよ
うになる。
【0047】ステージ366は昇降機構362を具備し
ており、ステージ366とウエハカセット1を載せた底
板363は共に昇降可能である。ステージ366と底板
363がロックされたことを確認すると、ステージ36
6は下降し、ウエハカセット1を装置内部364へ入れ
込む。装置内部364を清浄な状態に保っていれば、ウ
エハカセット1は装置内部364よりもダーティな装置
外の雰囲気365にさらされることなく装置内部へ搬入
することができ、ロードアンロードステージ2よりも下
に位置する場所に搬送ロボット4がウエハを受取りに来
ることでウエハをポリッシング装置内に搬入することが
できる。
【0048】洗浄機 本ポリッシング装置に搭載される洗浄機のうち、洗浄機
22と23では、ロール状のスポンジをロールの軸を中
心に回転させてウエハに押付けてウエハの裏面を洗浄で
きるようになっており、ウエハの表面はロール状のスポ
ンジを回転させながらウエハに押付けて洗浄するロール
タイプと、半球状のスポンジを回転させながら押付けて
洗浄するペンシルタイプのどちらかが選択でき、更に、
洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの
のものを付加することができる。洗浄機22及び23は
主にウエハ上のパーティクルを落す役割を担っている。
また、どの方法を選んだ場合にも、各洗浄機には3種類
以上の洗浄液をウエハの表面(被研磨面)及びウエハの
裏面に供給することができる。前記洗浄液は純水を使用
しても良い。
【0049】洗浄機5,6には、ウエハの裏面はリンス
洗浄することができ、ウエハ表面の洗浄は半球状のスポ
ンジを回転させながら押付けて洗浄するペンシルタイプ
と、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プが同時にできるようになっている。各洗浄機では3種
類以上の洗浄液をウエハの表面及びウエハの裏面に供給
することができる。前記洗浄液は純水を使用しても良
い。そして、ウエハをチャックするステージは高速で回
転させることが可能で、洗浄後のウエハを乾燥させる機
能がつけられている。
【0050】また、上記の各洗浄機に搭載可能なメガソ
ニックタイプに代わり、キャビテーション効果を利用し
たキャビジェットタイプでも同様な効果が得られるの
で、キャビジェットタイプを搭載しても良い。上記洗浄
機5,6,22,23のウエハ搬入口には、図1に示す
ように、それぞれシャッター5a,6a,22a,23
aが取り付けられており、ウエハが搬入される時のみ開
口可能となっている。また、各洗浄液供給ラインにはエ
アーの圧力で制御できる定流量弁が配備されており、エ
アー圧を制御する電空レギュレータを組合せることで、
コントロールパネルから流量を自由に設定可能になって
いる。そして、各洗浄機に供給される洗浄液、洗浄方
法、洗浄時間はコントロールパネルから任意に設定でき
るようになっている。洗浄室(領域B)のベース部分に
は、ガイドが取り付けられ、このガイド内に洗浄機を入
れ込むことで、容易に洗浄機のタイプを交換できるよう
に構成され、交換後も同じ位置に搭載できるように位置
決め機構が設けられている。
【0051】気流 本装置はロードアンロード部(領域A)、洗浄室(領域
B)、ポリッシング室(領域C,D)の4つの領域に区
画されている。ポリッシング室(領域C,D)の気流構
成は大きく4つに分類され、1つ目はスラリー等のダス
トの飛散防止を目的とした研磨テーブル廻りの排気、2
つ目はプッシャー領域でのウエハ、プッシャー及びトッ
プリングの洗浄時に発生する洗浄液のミストの飛散防止
を目的としたプッシャー周辺の排気、3つ目は研磨パッ
ド等の消耗部材を交換する際に、ポリッシング室内のウ
エットな雰囲気を外に出さないように、ポリッシング室
のウエットな雰囲気に通じる扉を開くと同時にその領域
全体を排気する、ポリッシング室のウエット領域全体の
排気、4つ目はモータやその他制御機器から排出された
熱を吸引するための排気であり、全てが排気をとること
で、ポリッシング室全体がポリッシング室外部に比べて
負圧となっている。3つ目の排気構成では、扉を開くと
同時に排気を取るようにするために、扉のセンサと連動
させて、自動的にダンパを開く構造をとる必要があるの
で、ダンパへアクチュエータを取り付け、ダンパを開閉
させている。
【0052】また、他の各排気通路には、排気量を調整
できるダンパが取り付けられるようになっており、必要
に応じて、各排気通路の排気量を調整して全体の排気バ
ランスを取っている。ポリッシング装置の1次側の排気
口には圧力スイッチが設置されており、排気が取られて
いないときには装置から警報を出力したり、場合によっ
ては装置を停止させることで、安全に装置を運用できる
ように設定されている。
【0053】図25は、洗浄室(領域B)の気流構成を
示す模式図である。図25に示すように、洗浄室(領域
B)の気流構成は、洗浄室(領域B)の天井部に取り付
けられたフィルタ190(例えばULPAフィルタやH
EPAフィルタ)とファン191とを有するフィルタフ
ァンユニット194と、洗浄室(領域B)内の空気をフ
ィルタファンユニット194に戻して空気を循環させる
ためのダクト193と、4台の洗浄機からの個別排気1
97と、フィルタファンユニット194に設けられた空
気の吸入口195とから構成されている。また、空気中
に含まれる金属イオン(例えばNH やK等)を除
去したい場合には、更にケミカルフィルタを追加するこ
とができる。
【0054】洗浄室(領域B)内の空気は、フィルタフ
ァンユニット194のファン191によって空気がフィ
ルタ190を介して送り込まれ、さらにはダウンフロー
を与えられる。この与えられるダウンフローは、ファン
191の風量を調整する機構198によって調整されて
いる。機構198はインバータやサイリスタ式交流電力
調整器から構成されている。洗浄機より排気された分の
空気Eは、フィルタファンユニット194に設けられた
開口部195より洗浄室(領域B)内へ取り込まれ補わ
れる。また、洗浄機から排気された空気以外の空気F
は、ダクト193を介してフィルタファンユニット19
4に送られ、再びフィルタ190を通して空気を清浄な
状態にして洗浄室(領域B)に戻され循環される。洗浄
室(領域B)内の気圧はダクト193に設けられたダン
パ192の開度によって調整される。
【0055】各洗浄機より排気される空気は、個別に設
置された排気経路から排気されるが、使用する洗浄薬液
同士の化学反応等によって悪影響を及ぼすことがなけれ
ば、それぞれの排気経路をまとめて装置外へ排気しても
よい。また、各排気経路にはダンパが設けられており、
排気量のバランスが取られるようになっている。
【0056】ロードアンロード部(領域A)の気流構成
は、洗浄室(領域B)から洗浄機の個別排気を除いた構
成と同様に構成される。したがって、気流の調整方法も
洗浄室(領域B)と同様であるが、唯一異なる部分は、
洗浄室(領域B)内の気圧よりもロードアンロード部
(領域A)内の気圧を高く調整するところにある。この
ように、リターンダクト193を設置して装置内の空気
を循環させ、フィルタ190を介して再利用すること
で、クリーンルーム内から装置内へ取り込むクリーンに
された空気の量を削減し、省エネルギー化に役立ててい
る。
【0057】装置全体での気流を見ると、最もクリーン
度を要求されるロードアンロード部(領域A)が最も気
圧が高くなり、次いで洗浄室(領域B)、ポリッシング
室(領域C,D)という順に気圧が下がるように調整さ
れる。また、クリーンルームのクリーン度によっては、
例えばクリーンルームのクリーン度がウエハに必要とさ
れるクリーン度よりも落ちる場合には、装置内の気圧を
クリーンルームよりも高くし、クリーンルーム内のクリ
ーン度がウエハに必要とされるクリーン度と同等かそれ
以上であった場合には、装置内の気圧をクリーンルーム
内の気圧よりも下げるように、装置内全体の気圧をダン
パで調整できるようになっている。
【0058】搬送ロボット 図26は、搬送ロボット4を示す側面図である。図26
に示すように、搬送ロボット4は、旋回のθ軸120、
ハンド伸縮のR1(上ハンド),R2(下ハンド)軸1
21−1,121−2、上下のZ軸122、カセットの
並び方向の走行X軸123を有している。ただし、ロボ
ットのZ軸122は、ロボットボディ124に組み込ん
であっても良い。また、ハンドには上下ハンド共に真空
ラインを有しており、従来のように真空吸着ハンドとし
て使用することも可能である。また、ウエハ101の裏
面を汚染しないために、上ハンドに、ウエハのエッジ部
分を保持するセラミックス製薄型落し込みハンド125
を使用してもよい。該セラミック製薄型押し込みハンド
125は、洗浄機5,6からウエハを取出し、ウエハカ
セット1に収納するまでの搬送工程に使用すると効果的
である。つまり、少なくとも洗浄終了後のウエハの搬送
に該落し込みハンドを使用するのがよい。但し、膜厚測
定器がある場合には、同ハンドにて、膜厚測定器への受
取受渡しを行う。下ハンドには、セラミックス製2股真
空吸着ハンド126を用いており、真空ラインを有して
いる。このハンド126はウエハカセット1からのウエ
ハ取出し及びウエハステーション50へのウエハの受渡
し動作を行う。
【0059】図27は搬送ロボット20(又は21)を
示す斜視図である。図27に示すように、搬送ロボット
20(又は21)は、旋回のθ軸120、ハンド伸縮の
R1(上ハンド),R2(下ハンド)軸121−1,1
21−2、上下のZ軸122を有している。また、上ハ
ンド125、下ハンド126は、ともに落し込みハンド
を使用する。搬送ロボット20の上ハンド125は、洗
浄機22、洗浄機5、ウエハステーション50の置き台
9,10に対してアクセス可能である。搬送ロボット2
0の下ハンド126は、ウエハステーション50の置き
台7、洗浄機22、反転機28に対してアクセス可能で
ある。また搬送ロボット21の上ハンド125は洗浄機
23、洗浄機6、ウエハステーション50の置き台9,
10に対してアクセス可能である。搬送ロボット21の
下ハンド126はウエハステーションの置き台8、洗浄
機23、反転機28’に対してアクセス可能である。図
27においては、上ハンド125、下ハンド126は、
ともにウエハ101を保持した状態を示している。
【0060】ウエハステーション 図28はウエハステーションを示す図であり、図28
(a)は正面図、図28(b)は側面図、図28(c)
は図28(a)のI矢視図、図28(d)は図28
(a)のII矢視図、図28(e)は図28(a)のIII
矢視図である。図28(a)乃至図28(e)に示すよ
うに、ウエハステーション50は、ウエハ置き台7,
8,9,10から構成され、同時に4枚のウエハが保持
可能になっている。大きく分けてステーションは左右に
振り分けられた置き台7,8のドライステーションと上
下に振り分けられた置き台9,10のウェットステーシ
ョンに区別される。
【0061】ドライステーション7,8は、ポリッシン
グ前ウエハの仮置き台となっている。ドライステーショ
ン8は搬送ロボット4、及び搬送ロボット21からアク
セス可能になっており、搬送ロボット4から右側の研磨
部へウエハを搬送する搬送ロボット21へのウエハの受
渡しを可能にしている。同様にドライステーション7は
搬送ロボット4から左側の研磨部へウエハを搬送する搬
送ロボット20へのウエハの受渡しが可能である。ここ
にウエハ載置台を各ロボット20,21に1つずつ用意
することで、各ポリッシング室への専用ルートを確保
し、それぞれのポリッシング工程で研磨時間に差がある
ときでも、片側のテーブルに比べて研磨時間が長い方の
処理につられてルートがふさがれることなく、それぞれ
のポリッシング室へ絶えず処理するウエハを供給するこ
とができる。
【0062】ドライステーション7,8には、搬送ロボ
ット4が真空吸着にてウエハカセットから引抜いたウエ
ハが搬送されるが、カセット内のウエハの位置精度はそ
れ程良くないため、ロボットの真空吸着ハンドに保持さ
れるウエハも同じように位置精度が良くない。その位置
精度のズレを吸収し、後のロボットハンドで受渡しを行
うため、ウエハの置かれるガイドブロック78,79に
は位置決め用テーパ180を持っていて求芯するように
なっている。ここでのガイドブロックのテーパ長さは、
カセット内でのズレ量が他の機構に比べ大きいために、
テーパ面を長くする必要がある。搬送ロボット4は、下
側ハンドをドライステーションのガイドブロックの内側
に位置させ、真空を破壊してウエハを落し込みながら求
芯・受渡しを行う。また、各ドライステーション7,8
にはウエハ有無検知用の透過型光センサ71及び72が
配置されており、ウエハの有無を検知している。
【0063】ドライステーション7,8は、洗浄エリ
ア、ドライエリア間の中間地点に位置しているため、ク
リーン度の異なるエリアの雰囲気の混合を避けるため、
エリア遮断用のシャッター11を設けている。シャッタ
ー11は常時閉じているが、搬送ロボット4が、ドライ
ステーション7,8にアクセスする時のみ開く。ウェッ
トステーション9,10は研磨後のウエハの載置台とな
っている。ウェットステーション9,10はそれぞれロ
ボット20、ロボット21からアクセスできて、それぞ
れのロボット間のウエハ受渡しを可能にしている。ステ
ーション9は少なくとも一度洗浄した清浄なウエハを置
く台になっていて、ステーション10は研磨された後で
ウェットステーション9に置くウエハよりも洗浄回数の
少ないウエハを置く台になっている。このようにクリー
ン度によって使い分けることで、ステーションを介して
のコンタミネーションの拡散を防ぐことができる。
【0064】各ウェットステーション9,10は、ピン
でウエハガイドを構成しており、オリエンテーションフ
ラット付ウエハ及びノッチ式ウエハ双方の仮置き台とし
て対応可能となっている。また、複数のピンによる点接
触構造にすることで、コンタミネーションの拡散を防い
でいる。また、各ウェットステーション9,10にはウ
エハ有無検知用の透過型光センサ73,74が配置され
ており、ウエハの有無を検知している。それぞれのステ
ーションには、ウエハ乾燥防止兼洗浄用ノズル75,7
6が設置されており、ウエハ上面、下面に洗浄液が供給
できるようになっている。ウエハステーション50の筐
体内で発生する洗浄のミストを筐体内から拡散しないよ
うに局所排気ラインを備えている。洗浄液には、純水や
イオン水等、膜種によって様々な液体が使われる。この
ようにウェットステーションには、防水のために、搬送
ロボット20,21のウエハ搬送用の開口部にシリンダ
81で昇降するシャッター77を設置している。シャッ
ター77は常時閉じられており、搬送ロボット20,2
1がステーションにアクセスするときのみ開かれる。
【0065】反転機 図29は反転機を示す図であり、図29(a)は平面
図、図29(b)は一部断面された側面図である。反転
機28と28’とは同一構造であるため、以下の説明は
反転機28のみを説明する。図29(a)および図29
(b)に示すように、反転機28は2本の円弧状のアー
ム230を備え、アーム230にウエハをクランプする
ための溝が形成されたコマ231が複数(たとえば6
個)固定されている。このアーム230はシリンダ23
2と圧縮バネ233の力を利用して押し引きされるシャ
フト234の動きに合せて開閉されるように構成されて
いる。アーム230は、シリンダ232が伸びたときに
開き、シリンダ232が縮んだときに圧縮バネ233の
力で閉じられる。シャフト234とシリンダ232の先
端には間隔が設けてあり、シャフト234は圧縮バネ2
33の力でエンドブロック236にストッパ235が当
たるまで引き戻される。
【0066】また、ウエハ101がチャックされている
ときは、ストッパ235とエンドブロック236の間に
は1mmのクリアランスができるようにエンドブロック
236が調整されている。そして、ストッパ235には
スリットが切られており、ウエハをクランプした位置で
このスリットを透過するように透過型光センサ237が
配置されている。したがって、ウエハ101をクランプ
していない時、もしくは正常にクランプできなかったと
きには、このセンサ237の光は透過しないため、ウエ
ハ101の有無をこのセンサ237が認識できるように
なっている。
【0067】また、シャフト234のスライド機構とプ
ーリ238とが接続されており、プーリ238はステッ
ピングモータ239の軸端のプーリ240とベルト24
1で連結されており、ステッピングモータ239が回転
するとアーム230が回転する構造になっている。ま
た、図1に示すように、反転機28,28’と搬送ロボ
ット20,21との間にはシャッター25,26が設置
されており、反転機の入っているポリッシング室と搬送
ロボットのある洗浄室とを仕切っている。ウエハの搬送
時にはこのシャッター25,26を開き、搬送ロボット
20,21のハンドが出入りする。搬送ロボット20,
21のハンドの出入りがないときにはこのシャッター2
5,26は閉まっており、ウエハの洗浄やアームに固定
されたチャックコマの洗浄などが行えるように防水機構
をなしている。
【0068】次に、上述のように構成された反転機の動
作を説明する。反転機28へは搬送ロボット20とリフ
タ29がアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。また
反転機28’へは搬送ロボット21とリフタ29’がア
クセス可能で、ウエハの受渡しを行う。反転機28は搬
送ロボット20やリフタ29から搬送されてくるウエハ
をアーム230を開いた状態で待っている。搬送ロボッ
ト20の下ハンド、又はリフタ29で搬送されるウエハ
の位置がアームに固定されたコマ231のウエハクラン
プ用の溝と平面的に同じ高さで、且つアームのコマ配置
の概ね中心に搬送されてきた時、搬送ロボット20やリ
フタ29からの移動完了の信号を受けてアーム230を
閉じる。センサ237でウエハ101の有無を確認した
後、搬送ロボット20はハンドをある所定の高さまで下
げて、その後ハンドを引き抜く。一方、リフタ29はセ
ンサ237がウエハ101の有無を確認した後、下方に
待避してウエハの反転機28への受け渡しを完了する。
反転機28に受け渡されたウエハ101はアーム230
と共にステッピングモータ239にて反転される。反転
されたウエハ101はその後の搬送機構である搬送ロボ
ット20やリフタ29がウエハを受け取りにくるまでそ
の状態で待機する。
【0069】反転の動作はポリッシングの前後にそれぞ
れ行なわれる。ポリッシング後のウエハ101を反転す
る場合は、ポリッシング時にウエハ101についた砥液
や研磨屑がウエハ101上で乾燥し、固着してウエハ1
01にダメージを与えるのを防止するため、反転中や反
転後にウエハ101へ洗浄液をリンスする。リンスされ
る洗浄液は純水や薬液が使用され、スプレーノズルによ
り必要流量、圧力で、最適な角度から所望の時間吹き付
ける。このリンスにより後段の洗浄性能が充分に発揮で
きる。ウエハ101が反転機28上で待機する場合、そ
の間中、洗浄液を流し続けるが、ランニングコストを考
慮し洗浄液を間欠的に流して洗浄液の使用量を低減して
も良い。また、反転機28がウエハ101をクランプし
ていない時に、ウエハ101をクランプする溝やその周
辺をその洗浄液で洗浄し、ウエハ101に接触する部位
からウエハ101が逆汚染されるのを防ぐこともでき
る。
【0070】リフタ 図30はリフタを示す縦断面図である。リフタ29と2
9’とは同一の構造であるため、以下の説明ではリフタ
29のみを説明する。リフタ29は、ウエハを載置する
ステージ260とステージの上昇下降動作を行うシリン
ダ261とを備えており、シリンダ261とステージ2
60とはスライド可能なシャフト262で連結されてい
る。ステージ260は上方から見て等角度に配置される
3本の爪263に分かれていて、それぞれの爪263は
オリフラウエハを載置した場合でも搬送に影響しない範
囲内にウエハを保持できるような間隔で配置される。こ
の爪263は反転機28のチャック用のコマ231と位
相が一致しない向きに配置されている。つまりチャック
用のコマ231がウエハを保持する第一のウエハエッジ
部と、リフタの爪が保持する第二のウエハエッジ部は一
致しない。また、反転機28やロータリトランスポータ
27とのウエハ受け渡しを行う爪263にはウエハが載
置される面があり、それより上方はウエハが載置される
際に搬送位置決め誤差を吸収し、ウエハを求芯するよう
にテーパ状になっている。
【0071】シリンダの上昇動作でステージ260のウ
エハ保持面は反転機のウエハ保持高さまで上昇する。こ
の上昇動作を停止させるためにストッパとして緩衝機能
のあるストッパ264が設置されている。このストッパ
264にシリンダの軸に固定されたストッパベース26
5が当接するとシリンダ261の上昇が停止し、シリン
ダ261の軸に連結されているステージ260の上昇も
同時に停止する。このストッパ264の位置によりステ
ージ260の上昇する高さを受け渡し高さに調整でき
る。また、このシリンダ261には上昇位置と下降位置
のそれぞれを検知するセンサ266,267が設けられ
ており、シリンダ261の上昇下降の動作が完了したこ
とを検知できるようになっている。
【0072】次に、上述のように構成されたリフタの動
作を説明する。リフタ29は反転機28とロータリトラ
ンスポータ27の間のウエハ搬送機構である。ポリッシ
ング前のウエハは搬送ロボット20から反転機28へ搬
送される。その後、ウエハは反転され、パターン面が下
を向く。反転機28で保持されたウエハに対し下方から
リフタ29が上昇してきてウエハの直下で停止する。リ
フタ29の上端にはウエハを載置するステージ260が
あり、ウエハを載置することができる。リフタ29の上
昇がウエハの直下で停止したのを、例えばリフタの上昇
確認用センサ266で確認すると、反転機28はウエハ
のクランプを開放し、ウエハはリフタ29のステージ2
60に載る。その後、リフタ29はウエハを載置したま
ま下降をする。下降の途中でウエハはロータリトランス
ポータ27に受け渡される。このとき、ウエハはロータ
リトランスポータ27のピン上に載置される。ウエハが
ロータリトランスポータ27に受け渡された後もリフタ
29は下降を続け、シリンダ261のストローク分まで
下降して停止する。
【0073】逆にポリッシング後のウエハは、ロータリ
トランスポータ27から反転機28にリフタ29によっ
て搬送される。ポリッシング後のウエハはロータリトラ
ンスポータ27に載ってリフタ29の上方に搬送されて
くる。この時、リフタ29はロータリトランスポータ2
7の下の位置にある。ロータリトランスポータ27に載
せられたウエハがリフタの真上に来て停止したことを確
認した後、リフタ29は上昇を開始する。リフタ29は
上昇の途中でロータリトランスポータ27に載ったウエ
ハを下方から取り去る。その後、ウエハを載せたまま上
昇を続ける。この時、反転機28はウエハをクランプす
る準備としてアーム230が開いた状態で待っている。
反転機28のアーム230のウエハをクランプするコマ
231のウエハクランプ用の溝の高さでウエハの上昇は
停止し、上昇終了となる。上昇終了は前述のシリンダ2
61のセンサ266で検知され、この検知信号は装置本
体の制御系に送られ、上昇終了が認識される。その信号
を受け、反転機28はクランプ動作として開いているア
ーム230を閉じる。この動作によりウエハは反転機2
8に保持される。反転機28で保持を確認したら、リフ
タ29は下降する。
【0074】ロータリトランスポータ 図31および図32はロータリトランスポータを示す図
であり、図31は平面図、図32は縦断面図である。図
31および図32に示すように、ウエハ101を搭載し
て搬送するロータリトランスポータ27には4ヶ所のウ
エハ搭載ステージ(90°等配)を有し、4ヶ所のウエ
ハ搭載ステージそれぞれには、ウエハを少なくとも3点
のピンで支持すればよいが、オリフラノッチ兼用とする
ため本実施例では6点のエッジで支えるために6本のピ
ン201が立設されている。ピン201の先端部にはテ
ーパ202(15°〜25°ぐらいが望ましい)が形成
されており、ウエハ搭載時に求芯することができるよう
になっている。
【0075】各々のポジションにはウエハ有無センサ2
50がロータリトランスポータ27から外れた場所に設
置されている。センサ250はフォトセンサーであり投
光側250aと受光側250bで構成され、センサ25
0はステージと一緒に回転しない。搭載するウエハは各
ステージで決まっており、処理前ウエハを搭載するロー
ドステージ(L、R側)と処理後ウエハを搭載するアン
ロードステージ(L、R側)からなる。各ステージに搭
載されるウエハの状態はいつも決まっており、ロータリ
トランスポータ27は研磨テーブル34で処理する前の
ウエハを搭載するステージ210と研磨テーブル34で
処理されたウエハを搭載するステージ211と研磨テー
ブル35で処理する前のウエハを搭載するステージ21
2と研磨テーブル35で処理されたウエハを搭載するス
テージ213からなる。
【0076】4ヶ所の各ウエハ搭載ポジションにはウエ
ハに洗浄液を供給するためのリンスノズル501,50
2,503,504がロータリトランスポータを挟み上
下方向にロータリトランスポータ27から外れた場所に
設置されている。ノズルはステージと一緒に回転しな
い。洗浄液は純水やイオン水などが使われることが多
い。各ウエハ搭載ステージは、スラリーの飛散やウエハ
洗浄およびトップリング洗浄時の水の飛散を防ぐため、
それぞれがセパレータ204で仕切られている。ロータ
リトランスポータ27はサーボモータ205に連結され
ており、サーボモータ205の回転によりウエハを搬送
する。ロータリトランスポータ27の下部には原点セン
サ206が設置され、ウエハ搬送ポジションの位置決め
は原点センサ206とサーボモータ205によって制御
される。位置決めされる搬送ポジションはHP(ホーム
ポジション)位置を中心とした90°づつ位相を異にし
た3位置である。
【0077】次に、上述のように構成されたロータリト
ランスポータの動作を説明する。図31は、ホームポジ
ション(HP)位置を示している。ロータリトランスポ
ータは反時計廻りに90゜回転し、ステージ210がリ
フター29の上方に予め位置している。トップリング3
2へ搬送されるべきウエハ101は、搬送ロボット20
によって反転機28に搬送される。反転機28はウエハ
101をチャックした後、ウエハ101を180°反転
させる。反転したウエハ101は、リフタ29によって
反転機28より受取られ、そのまま下降すると、ロータ
リトランスポータ27のウエハ搭載ステージ210上の
ピン201のテーパ202により、リフタ29上に載せ
られたウエハ101は求芯され、ピン201の肩に載せ
られる。リフタ29は、ウエハ101がピン201に載
せられた後も、ロータリトランスポータ27が回転して
も互いに干渉しない位置まで下降を続ける。リフタ29
が下降を完了すると、ロータリトランスポータ27は時
計廻りに90°位置を変え、プッシャー30上にウエハ
101を位置させる。ロータリトランスポータ27の位
置決めが完了すると、プッシャー30が上昇し、その上
方にあるトップリング32へウエハ101を搬送する。
【0078】トップリング32で研磨されたウエハ10
1は、予めトップリング32の下に位置させたロータリ
トランスポータ27のウエハ搭載ステージ211に向け
て前記プッシャー30により搬送される。トップリング
32よりプッシャー30によって受取られたウエハ10
1は、ウエハ搭載ステージ上のピン201のテーパ20
2により求芯されて、ピン201の肩の上に載せられ
る。ウエハ搭載ステージ211上にウエハが載せられ、
プッシャー30がロータリトランスポータ27と干渉し
ない位置まで下降したら、ロータリトランスポータ27
が反時計周りに90°位置を変え、リフタ29上にウエ
ハ101を位置させる。ロータリトランスポータ27の
位置決めが完了すると、リフタ29が上昇し、ウエハ搭
載ステージ211よりウエハ101を受取り、反転機2
8へ搬送する。
【0079】プッシャー 図33および図34はプッシャーを示す図であり、図3
3はプッシャーの縦断面図、図34はプッシャーの動作
説明図である。プッシャー30と30’は同一構造であ
るため、以下の説明ではプッシャー30のみを説明す
る。図33に示すように、中空シャフト140の延長上
にトップリングを保持するためのガイドステージ141
が設置され、中空シャフト140の中をスプラインシャ
フト142が通り、スプラインシャフト142の延長上
にウエハを保持するプッシュステージ143が設置され
ている。スプラインシャフト142には軸ブレに対して
フレキシブルに軸を接続可能なフローティングジョイン
ト144によってエアシリンダ145が連結されてい
る。エアシリンダは2個直列に上下に配置されている。
最下段に配置されたエアシリンダ146はガイドステー
ジ141の上昇・下降用、及びプッシュステージ143
の上昇・下降用で、エアシリンダ145ごと中空シャフ
ト140を上下させる。エアシリンダ145はプッシュ
ステージ143の上昇・下降用である。
【0080】トップリングガイド148に位置合わせ機
構を持たせるため、X軸、Y軸方向に移動可能なリニア
ウェイ149を配置している。ガイドステージ141は
リニアウェイ149に固定されている。リニアウェイ1
49は中空シャフト140に固定されている。中空シャ
フト140はスライドブッシュ150を介してベアリン
グケース151に保持されている。エアシリンダ146
のストロークは圧縮バネ152によって中空シャフト1
40に伝えられる。
【0081】プッシュステージ143はガイドステージ
141の上方にあり、プッシュステージ143の中心よ
り下方に伸びるプッシュロッド160はガイドステージ
141の中心のスライドブッシュ147を通すことで芯
出しされ、スプラインシャフト142に接している。プ
ッシュステージ143はスプラインシャフト142を介
してシリンダ145によって上下し、トップリング32
へウエハ101をロードする。プッシュステージ143
の端には位置決めのための圧縮バネ159が配置されて
いる。
【0082】ガイドステージ141の最外周には、トッ
プリングガイド148が3個設置されている。トップリ
ングガイド148は2段の階段構造となっており、上段
部200はガイドリング301下面とのアクセス部であ
り、下段部201はウエハ101の求芯用、及び保持用
である。上段部200にはガイドリング301の呼び込
みのためテーパ(25°〜35°ぐらいが望ましい)が
ついており、下段部201にはウエハ101の呼び込み
用のテーパ(10°〜20°ぐらいが望ましい)がつい
ている。ウエハアンロード時は直接トップリングガイド
148でウエハエッジを受ける。
【0083】ガイドステージ141の裏面には防水と上
昇したステージが元の位置に復帰するため案内の機能を
持ったガイドスリーブ153が設置されている。ガイド
スリーブ153の内側にはプッシャーのセンタリングの
ためのセンタスリーブ154がベアリングケース151
に固定されている。プッシャーはベアリングケース15
1で研磨部側のモータハウジング104に固定されてい
る。
【0084】プッシュステージ143とガイドステージ
141の間の防水にはVリング155が用いられ、Vリ
ング155のリップ部分がガイドステージ141と接触
し、内部への水の浸入を防いでいる。ガイドステージ1
41が上昇するとG部の容積が大きくなり、圧力が下が
り水を吸い込んでしまう。これを防ぐためにVリング1
55の内側に穴202を設け、圧力が下がることを防止
している。
【0085】トップリングガイド148がトップリング
32にアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸収
のために、ショックキラー156が設置される。各々の
エアシリンダにはプッシャー上下方向の位置確認のため
上下リミットセンサが具備される。即ち、シリンダ14
5にセンサ203,204が、シリンダ146にセンサ
205,206がそれぞれ具備される。プッシャーに付
着したスラリーなどからウエハへの逆汚染を防止するた
め、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別途設置され
る。プッシャー上のウエハ有無を確認するためのウエハ
有無センサが別途設置される場合もある。エアシリンダ
の制御はダブルソレノイドバルブで行う。プッシャー3
0,30’はトップリング32,33の各々に1ユニッ
トずつ設置される。
【0086】次に、上述のように構成されたプッシャー
の動作を説明する。 1)ウエハロード時 図34(a)に示すように、プッシャー上方にロータリ
トランスポータ27によってウエハ101が搬送され
る。トップリング32がプッシャー上方のウエハロード
位置にあってウエハを保持していない時、図34(b)
に示すように、エアシリンダ145によりプッシュステ
ージ143が上昇する。プッシュステージ143の上昇
完了がセンサー203で確認されると、図34(c)に
示すように、エアシリンダ146によりガイドステージ
141周りの構成品一式が上昇していく。上昇途中でロ
ータリトランスポータ27のウエハ保持位置を通過す
る。このとき、通過と同時にウエハ101をトップリン
グガイド148のテーパ207でウエハ101を求芯
し、プッシュステージ143によりウエハ101の(エ
ッジ以外の)パターン面を保持する。プッシュステージ
143がウエハ101を保持したままトップリングガイ
ド148は停止することなく上昇していき、トップリン
グガイド148のテーパ208によってガイドリング3
01を呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリニア
ウェイ149による位置合わせでトップリング32に求
芯し、トップリングガイド148の上段部200がガイ
ドリング301下面と接触することでガイドステージ1
41の上昇は終了する。
【0087】ガイドステージ141はトップリングガイ
ド148の上段部200がガイドリング301下面に接
触して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ146はショックキラー156に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ152は収縮するた
めスプラインシャフト142のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ143がさらに上昇する。この時、図34
(d)に示すように、プッシュステージ143はウエハ
101の(エッジ以外の)パターン面を保持し、トップ
リング32までウエハ101を搬送する。ウエハ101
がトップリングに接触した後にシリンダ146が上昇す
るストロークはバネ159が吸収し、ウエハ101を保
護している。トップリング32がウエハ101の吸着を
完了すると、プッシャーは下降を開始し、図34(a)
の状態まで下降する。下降の際、トップリング求芯のた
めセンタ位置を移動していたガイドステージ141はガ
イドスリーブ153に設けられたテーパ部とセンタスリ
ーブ154に設けられたテーパ部によってセンタリング
される。下降終了で動作完了する。
【0088】2)ウエハアンロード時 プッシャー上方のウエハアンロード位置にトップリング
32によってウエハ101が搬送される。ロータリトラ
ンスポータ27のウエハアンロードステージがプッシャ
ー上方にあってウエハを搭載していない時、エアシリン
ダ146によりガイドステージ141周りの構成品一式
が上昇し、トップリングガイド148のテーパ208に
よってガイドリング301を呼び込む。リニアウェイ1
49による位置合わせでトップリング32に求芯し、ト
ップリングガイド148の上段部200がガイドリング
301の下面と接触することでガイドステージ141の
上昇は終了する。エアシリンダ146はショックキラー
156に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステージ
141はトップリングガイド148の上段部200がガ
イドリング301の下面に接触して固定されているた
め、エアシリンダ146は圧縮バネ152の反発力に打
勝ってスプラインシャフト142をエアシリンダ145
ごと押し上げ、プッシュステージ143を上昇させる。
この時、図34(e)に示すように、プッシュステージ
143はトップリングガイド148の下段201のウエ
ハ保持部より高い位置になることはない。本実施例では
シリンダ146はトップリングガイド148がガイドリ
ング301に接触した所から更にストロークするように
設定されている。この時の衝撃はバネ152によって吸
収される。
【0089】エアシリンダ146の上昇が終了するとト
ップリング32よりウエハ101がリリースされる。こ
の時、トップリングガイド148の下段テーパ207に
よってウエハ101は求芯され、トップリングガイド1
48の下段部201にエッジ部を保持される。ウエハ1
01がプッシャーに保持されると、プッシャーは下降を
開始する。下降の際、トップリング求芯のためセンタ位
置を移動していたガイドステージ141はガイドスリー
ブ153とセンタスリーブ154によりセンタリングさ
れる。下降の途中でプッシャーよりロータリトランスポ
ータ27にウエハ101のエッジ部で受け渡され、下降
終了で動作完了する。
【0090】図33および図34に示す構成のプッシャ
ーによれば、プッシャー30にトップリング32への求
芯機構を持たせることにより、プッシャーとトップリン
グとの位置関係の調整が容易になる。また、プッシュス
テージ143の上昇ストロークをトップリング32の下
面より2mm高い位置までとすることで、高さ方向の位
置合わせが容易になる。その際、高さ方向での当たりを
バネにより吸収できるようにしている。
【0091】トップリング 図35はトップリングの構造を示す部分的に断面された
側面図である。トップリング32と33は同一構造であ
るため、以下の説明ではトップリング32のみを説明す
る。トップリング32はトップリング32を回転、押付
け、揺動などの動作をさせるトップリングヘッド31に
支持されている。トップリング32は、ウエハの上面を
保持するとともに研磨テーブルの研磨面に押し付けるト
ップリング本体300と、ウエハの外周を保持するガイ
ドリング301と、トップリング32とウエハの間に入
る緩衝役のバッキングフィルム302とを備えている。
トップリング本体300はたわみの少ない材質、たとえ
ばセラミックによって形成されており、ウエハの全面を
均一に押付けられるようにウエハ側の面が平坦に仕上げ
られている。但し研磨するウエハによってはこの面が緩
やかに凹凸があってもよい。
【0092】ガイドリング301はウエハの外周が抑え
られるようにウエハ外径よりわずかに大きい内径を有し
ており、ガイドリング301内にウエハが挿入される。
トップリング本体300にはウエハ押付け面に開口する
とともに反対側の面に開口する複数の貫通穴303が形
成されている。そして、これら貫通穴303を介して上
方からウエハ接触面に対して陽圧のクリーンエアや窒素
ガスを供給し、ウエハのある領域を選択的にかつ部分的
に押付けられるようになっている。また貫通穴303を
負圧にすることでウエハを吸着することが可能になり、
トップリング本体300にウエハを吸着しウエハの搬送
を行っている。また貫通穴303からクリーンエアや窒
素ガスをウエハに吹き付けウエハをトップリング本体3
00から離脱できるようにもなっている。この場合、エ
アやガスに純水などを混合することでウエハの離脱力を
高め、確実なウエハの離脱を行うことも可能になってい
る。
【0093】またトップリング32の上面には取付けフ
ランジ304が取付けられており、この取付けフランジ
304の上面の中心部には半球状の穴が形成されてい
る。取付けフランジ304の上方には、トップリング駆
動軸91に固定された駆動フランジ314が配設されて
おり、この駆動フランジ314にも同様の半球状の穴が
形成されている。これら両穴の中に硬質のたとえばセラ
ミックの球305が収容され、駆動フランジ314に加
えられる下方向への押付け力は球305を介して下の取
付けフランジ304に伝達されるようになっている。
【0094】一方、トップリングヘッド31は、スプラ
インシャフトからなるトップリング駆動軸91を介して
トップリング32を支持している。またトップリングヘ
ッド31は揺動軸92によって支持されている。揺動軸
92は、軸の下端に連結されたモータ(図40において
符号407)が回転することで揺動し、トップリングヘ
ッド31が旋回できるようになっており、この旋回によ
ってトップリング32を研磨位置、メンテナンス位置、
および搬送位置へ移動させることが可能になっている。
揺動軸92の上方で、トップリングヘッド31の上面に
モータ309が設けられており、モータを回転させる
と、このモータの軸端に取付けられた駆動プーリ310
が回転し、トップリング駆動軸91の外周にある従動プ
ーリ311がベルト312を介して回転する。従動プー
リ311が回転すると、トップリング駆動軸91が同様
に回転する。トップリング駆動軸91の回転がトップリ
ング32に伝達され、トップリング32が回転する。
【0095】また、トップリングヘッド31の上面には
シリンダ313が軸を下向きにして取付けられており、
トップリングヘッド31とシリンダ313の軸とはフレ
キシブルに結合されている。シリンダ313に供給する
エアの圧力をコントロールすることで、トップリング駆
動軸91を上昇下降させる力、即ちトップリング32を
押し引きする力をコントロールできるようになってい
る。また、シリンダ313とトップリングヘッド31の
結合部分に引っ張り/圧縮式の荷重測定器322(ロー
ドセル)が介装されており、シリンダ313がトップリ
ングヘッド31を基点にし、上下の推力を発するときに
その推力を測定することが可能になっている。この推力
はウエハを押付けている力に置き換えられるので、押付
け力の管理を目的として、この測定された推力を利用し
てフィードバック回路を形成してもよい。シリンダ31
3のボディーとスプラインシャフトからなるトップリン
グ駆動軸91とは、トップリング駆動軸91が回転可能
な状態で連結されている。したがって、シリンダ313
が上下方向に動作すると、トップリング駆動軸91は同
時に上下方向に動作する。トップリング駆動軸91の内
部には貫通穴が形成されており、貫通孔内にチューブ
(図示せず)が設けられている。トップリング駆動軸9
1とトップリング31が回転するので、チューブの上端
部には回転継手316が設置されている。この回転継手
316を介して、真空、N、クリーンエアや純水等の
気体及び/又は液体がトップリング本体300に供給さ
れる。
【0096】上述のように構成されたトップリング32
はプッシャー30に搬送されたウエハを真空吸着し、ウ
エハをトップリング32のガイドリング301内に保持
する。その後、トップリング32はプッシャー30の上
方から研磨テーブル上の研磨面の上方へ揺動する。トッ
プリング32が研磨テーブル上方のポリッシング可能な
位置に揺動してきたら、トップリング32を所望の回転
数で回転させ、シリンダ313によりトップリング32
を下降させ、研磨テーブルの上面まで下降させる。トッ
プリング32が研磨テーブル上面まで下降したら、シリ
ンダ313の下降点検出用のセンサ321が作動し、下
降動作が完了したことを信号として発する。その信号を
受け、シリンダ313は所望の押付け荷重に対応する圧
力に設定されたエアーが供給され、トップリング32を
研磨テーブル34に押付け、ウエハに押付け力を加え
る。同時にウエハを吸着していた負圧用の回路を遮断す
る。この時、例えばウエハの研磨する膜質などにより、
この負圧はかけたままにしたり、遮断したり、更にバル
ブを切り換えて気体の圧力をコントロールして陽圧をか
けたりして、ウエハの研磨プロファイルをコントロール
する。この時の圧力はトップリング32のウエハ保持部
分に形成された貫通穴303にのみかかるので、ウエハ
のどの領域にその圧力をかけたいかにより貫通穴303
の穴径、数、位置を変えて所望の研磨プロファイルを達
成する。
【0097】その後、所望の研磨時間が終了すると、ト
ップリング32はウエハを吸着保持する。そして、研磨
テーブル上をウエハと研磨パッドが接触したまま揺動
し、ウエハ101の中心が研磨テーブル34上に存在し
可能な限り研磨テーブル34の外周近傍に位置し、ウエ
ハの表面の40%程度が研磨テーブル34からはみ出す
ところまで移動する。その後、シリンダ313を作動さ
せ、ウエハと共にトップリング32を上昇させる。これ
は、使用する研磨パッドによっては、パッド上のスラリ
ーとウエハとの間の表面張力がトップリングの吸着力よ
りも強くなることがあり、ウエハが研磨パッド上に残さ
れてしまうため、その表面張力を減少させるために、研
磨テーブル上よりもウエハを飛び出させてからトップリ
ング32を上昇させる。ウエハがウエハ面積の40%以
上研磨テーブルからはみ出ると、トップリングは傾き、
ウエハが研磨テーブルのエッジに当たりウエハが割れて
しまう恐れがあるので40%程度のはみ出しが望まし
い。即ち、ウエハ中心が研磨テーブル34上にあること
が重要である。
【0098】トップリング32の上昇が完了すると、シ
リンダ313の上昇点検出センサ320が作動し、上昇
動作が完了したことが確認できる。そして、トップリン
グ32の揺動動作を開始し、プッシャー30の上方へ移
動してプッシャーへのウエハの受け渡しを行う。ウエハ
をプッシャー30に受け渡した後、トップリング32に
向って下方から洗浄液を吹き付け、トップリング32の
ウエハ保持面やその周辺を洗浄する。この洗浄水の供給
は、次のウエハがトップリング32に受け渡されるまで
の間トップリングの乾燥防止を目的とし、継続してもよ
い。ランニングコストを考慮して間欠的に洗浄水を吹き
付けてもよい。ポリッシングの間に、例えばポリッシン
グ時間を複数のステップに分割し、そのステップ毎にト
ップリングの押付け力や、回転数、ウエハの保持方法を
変更することが可能になっている。また使用する砥液の
種類、量、濃度、温度、供給のタイミングなどを変更す
ることが可能である。
【0099】また、ポリッシングの最中に、例えばトッ
プリングの回転用のモータへの電流値をモニターしてお
くと、このモータが出力しているトルクが算出できる。
ウエハのポリッシングの終点に伴いウエハと研磨パッド
との摩擦に変化が生じる。このトルク値の変化を利用
し、ポリッシングの終点を検知するようにしてもよい。
同様にターンテーブル34の電流をモニタし、トルクの
変化を算出し、ポリッシングの終点を検知してもよい。
同様にトップリングの振動を測定しながらポリッシング
を行い、その振動波形の変極点を検知し、ポリッシング
終了の確認を行ってもよい。さらに静電容量を測定して
ポリッシング完了を検知してもよい。この4通りのポリ
ッシング完了検知はウエハの研磨前と研磨後の表面の凹
凸の違いや表面の膜質の違いまたは残膜量から判断する
方法である。また、ポリッシングを終了したウエハの表
面を洗浄し、研磨量を確認し、研磨不足を測定してから
再度不足分をポリッシングしてもよい。
【0100】ドレッサ 図36および図37はドレッサを示す縦断面図であり、
図36はダイヤモンドドレッサを示し、図37はブラシ
ドレッサを示す。ドレッサ38と39は同一構造である
ため、以下の説明ではドレッサ38のみを説明する。図
36に示すように、ドレッサ38は、研磨パッドをドレ
ッシングするドレッサ面を有するドレッサプレート37
0を備えている。ドレッサプレート370は取付けフラ
ンジ375に締結されており、取付けフランジ375の
上面の中心部には半球状の穴が形成されている。取付け
フランジ375の上方には、ドレッサ駆動軸93に固定
された駆動フランジ371が配置されており、駆動フラ
ンジ371にも同様の半球状の穴が形成されている。こ
れら両穴の中に硬質のたとえばセラミックの球372が
収容され、駆動フランジ371に加えられる下方向への
押付け力は球372を介して下のドレッサプレート37
0に伝達されるようになっている。ドレッサプレート3
70の下面には、パッドの形状修正や目立てを行うため
にダイヤモンド粒373が電着されている。ダイヤモン
ド粒以外にも硬質の例えばセラミックの突起が多数配置
されたものなどでもよい。これらの交換はドレッサプレ
ート370のみを交換すればよく、他種類のプロセスに
容易に対応できるようになっている。いずれも表面の形
状がドレッシング対象であるパッドの表面形状に反映さ
れるのでドレッサのドレッシング面は平面に仕上げられ
ている。
【0101】前記ドレッサ駆動軸93はドレッサヘッド
94(図2参照)に支持されている。ドレッサヘッド9
4の機能は、概略トップリングヘッド31と同様であ
り、ドレッサ駆動軸93をモータによって回転させると
もにドレッサ駆動軸93をシリンダによって昇降させる
ようになっている。ドレッサヘッド94の詳細構造は、
トップリングヘッド31と概略同一であるため、図示は
省略する。図37はブラシドレッサを示し、ドレッサプ
レート370の下面にダイヤモンド粒373に代わって
ブラシ374が設けられている。その他の構成は図36
に示すダイヤモンドドレッサと概略同様である。
【0102】上述の構成において、研磨パッドの形状修
正や目立てを行う際、ドレッサは洗浄位置から揺動し、
研磨テーブル上のドレッシング位置の上方に移動する。
揺動が完了するとドレッサは所望の回転数で回転し、上
昇下降のシリンダが作動し、ドレッサが下降する。研磨
テーブルの上面にドレッサが接触すると、シリンダに設
けられた下降点検出センサが検知し、テーブル上にドレ
ッサ38がタッチダウンしたという信号を発する。その
信号を受けシリンダはドレッサ38に押付け力を加え、
所望の押圧力にて研磨テーブル上のパッドをドレッシン
グする。所望の時間、ドレッシングを行った後、シリン
ダが上昇方向に動作しドレッサは研磨テーブル面から離
れる。その後、ドレッサ38は揺動し、洗浄位置へ移動
し、その場でたとえば水桶43,43’(図1参照)に
水没させてドレッサ自身を洗浄する。この洗浄は例えば
水桶に水没させ、又はスプレーノズルで吹き付け洗浄
し、又は水桶の底面に植毛されたブラシに押付けて回転
させ洗浄してもよい。なお、水桶43’はドレッサ39
用のものである。
【0103】水桶43へドレッサ38を浸漬する場合
は、洗浄水を超音波にて振動させておいても良い。桶に
浸漬する場合は、ドレッサの上面も沈むと、その後上昇
している時に乾燥し、研磨カスが固まり、やがてドレッ
シング中に研磨テーブルに落ちてポリッシングに悪影響
を及ぼすので、たとえばドレッサの下面だけを洗浄水に
沈め、上面はスプレーノズルなどを用いて洗浄してもよ
い。この時は、上面にスプレー洗浄の飛沫がかかるので
防水キャップ376とVリング377により、更に37
8aと378bで構成されるラビリンス378により洗
浄水の侵入を防ぐことができるようになっている。ま
た、その時に使用する洗浄液も純水や薬液を用いても良
い。同様に図35に図示したトップリング32や図37
に図示したドレッサ38に上述の構造を適用してもよ
い。ドレッシング作業はたとえばドレッサの回転用のモ
ータの電流値を測定しながら行い、ある電流値になった
時に形状修正、目立ての作業が完了したことを確認する
目安としてもよい。
【0104】第2の研磨テーブルのドレッシング 図1および図2に示すように、第1の研磨テーブル3
4,35に比べて径が小さい第2の研磨テーブル36,
37が設けられている。この第2の研磨テーブルは、ウ
エハの表面を僅かに削り取る、いわゆるバフオフなどの
仕上げ研磨に使用される場合もある。この第2の研磨テ
ーブルに対しても、ドレッシングを行うためのドレッ
サ、即ち図1におけるドレッサ48,49が設けられて
いる。以下に、このドレッサの詳細を示す。なお、図1
および図2ではドレッサ部の総称としてドレッサ48,
49としたが、ここでの説明では、先端の一部をドレッ
サ3000として説明する。図38はドレッサの構造を
示す縦断面図であり、図39は研磨テーブルとドレッサ
の側面図を示す。なお、図1および図2に示すドレッサ
48,49は、研磨テーブルに対向する部分の形状が円
形の場合を示しているが、図38および図39に示すド
レッサ3000は、研磨テーブルに対向する部分が細長
い形状の場合を示す。
【0105】ドレッサ3000は、ウエハ研磨中は、水
桶3020内に待避しており、ウエハの研磨終了後にシ
リンダ3008の動作に連動して上昇する。ドレッサ3
000の上昇下降機構を説明する。ドレッサ3000
は、駆動フランジ3019を挟んで、ブラシ固定座30
02の端部で、スプラインが切ってあるドレッサ駆動軸
96と連結されている。ドレッサ駆動軸96の上端部は
ベアリング3006により支持されている。ベアリング
3006を収容したベアリングケース3023とシリン
ダ3008がブラケット3007を挟んで締結されてい
る。シリンダ3008はベース3009の上部下面に固
定され、シリンダ3008の上昇下降運動をドレッサ3
000に伝達する機構をなしている。更に、シリンダ3
008の上昇下降の直線運動を支持するためのガイド3
010がベース3009に取り付けてある。ガイド30
10上を直動するスライダ3018がブラケット300
7に取り付けられており、シリンダ3008の動作が案
内される。
【0106】また、ドレッサ回転軸96にはシリンダ3
008からドレッサ3000に到る一連の上下方向可動
部分の直動運動を案内するロータリボールスプライン3
028が装着されている。ロータリボールスプライン3
028はスプライン外輪3029とフランジ外輪303
0からなり、スプライン外輪3029はドレッサ駆動軸
96の直動を支持し、且つドレッサ駆動軸96に回転運
動を伝達する。フランジ外輪3030は、スプライン外
輪3029の回転を支持している。スプライン外輪30
29には、プーリ3005が取り付けられている。プー
リ3005の回転は、スプライン外輪3029を回転さ
せ、ドレッサ駆動軸96に伝達される。
【0107】次に、ドレッサ3000は上昇位置に到達
し、上昇位置到達を知らせる上昇端センサ3021が信
号を発した後、ドレッサヘッド97と共にドレッシング
開始位置まで揺動する。この揺動機構は、シリンダ30
16の直線運動が、クランク3017を介して、ドレッ
サヘッド97に締結されている中空の回転軸98に回転
運動を与えることによる。次に、ドレッシング位置に到
達したドレッサ3000は、シリンダ3016の終端セ
ンサ3024が信号を発した後、ドレッサ駆動軸96を
中心として回転運動を行う。この回転は以下のように行
われる。モータ3014に回転軸3013が連結されて
おり、モータ3014が回転することにより、回転軸3
013も回転する。回転軸3013は、その外側にある
中空シャフト98の両端に設置された軸受3032によ
って支持されている。モータ3014によって回転軸3
013が回転されると、シャフト3013の上端に装着
したプーリ3011が、タイミングベルト3012を介
して、プーリ3005に回転運動を伝達する。そして、
プーリ3005の回転がスプライン外輪3029を介し
て、ドレッサ駆動軸96に伝達される。
【0108】次に、ドレッサ3000の回転数が定常状
態なったことをモータ3014が検知すると、シリンダ
3008が下降し、研磨パッドのドレッシングを開始す
る。この時、下降端センサ3022が信号を発しない場
合、ドレッサ3000が正常な下降位置に到達していな
いと判断しエラーを表示する。ドレッシング中は、研磨
テーブル36上のドレッシング剤供給口3031から、
液体(純水もしくは薬液等)を導入することが可能であ
る。ドレッシング終了後、ドレッサ3000が上昇し、
シリンダ3008の上昇端センサが信号を発した後、ド
レッサ3000の回転が停止する。モータ3014が回
転停止を確認後、待機位置まで揺動し、シリンダ301
6の終端センサ3025が信号を発した後、ドレッサ3
000は下降し、水桶3020内に収まり、一連の動作
が終了する。
【0109】ここで、上記の研磨パッドは、固定砥粒
(砥石)とも互換可能である。また、ブラシ本体300
1は、ダイヤモンドドレッサとも互換可能である。そし
て、ブラシ3000は、ブラシ本体3001とブラシ固
定座3002からなり、ブラシ本体3001は消耗品と
して交換可能である。また、回転軸98の部分及びロー
タリボールスプライン3028の部分には、それぞれに
ラビリンス機構を持つ保護外装3026,3027が形
成されており、使用環境中における液体(純水、スラ
リ、薬液)の外装内部への侵入を防いでいる。前述のよ
うに、ここではドレッサ3000の研磨テーブルに対向
する部分が細長い形状の場合を示しているが、ドレッサ
3000の形状が細長で、回転軸が端部に位置している
ため円形のドレッサと比較して、小さい占有面積で同等
のドレッシング面積を確保できることが特徴である。
【0110】研磨テーブル 図40は研磨テーブルを示す正面図である。研磨テーブ
ル34,35は、各ポリッシング室に1個ずつ設置され
ている。ポリッシングの処理工程によっては、2段研磨
時の処理能力を上げるため、小径の研磨テーブル36,
37をポリッシング室に設置するようになっている。研
磨テーブル34,35,36,37には、回転型研磨テ
ーブルとスクロール型研磨テーブルの2種類の機構が用
意されている。両者とも、同じ領域内で取付け可能とな
っており、多様なポリッシング工程に応じて選択可能で
ある。図40に示す研磨テーブルは回転型研磨テーブル
を示す正面図である。回転型研磨テーブル34は、テー
ブル半径の方が、ウエハ直径よりも大きく、研磨テーブ
ル34とウエハが同一方向に回転し、かつウエハがテー
ブル中心から外れた位置でポリッシングすることで、ウ
エハ上の任意点において、ウエハ対テーブルの相対速度
が等しくなっている。
【0111】図40に示すように、研磨テーブル34
は、モータ401により直接駆動され、スラスト、ラジ
アルの軸荷重はモータの軸受けにより受ける構造となっ
ている。また、このモータ401は、モータハウジング
402に収められている。このモータハウジング402
は、トップリングを揺動させる揺動軸用のハウジング4
03、ドレッサーを揺動させる揺動軸用のモータハウジ
ング404とも一体構造となっている。また、モータハ
ウジングには装置全体を支えるベースに、直接据え付け
られたものと、ベースと一体構造のものがある。さら
に、このモータのロータは中空であって、内部に複数本
の配管などを通すことが可能な構造となっている。そし
て、ロータ下部にはロータリージョイント405が配置
されており、内部の配管はこれに接続される。
【0112】また、ロータ下部には、ロータの回転に同
期する機構を有し、これにエンコーダ406を接続する
ことにより、モータの回転数を常に計測できるようにな
っている。モータを制御するドライバへ、回転数の信号
を送ることにより、モータは適正な回転数を保つことが
できるようになっている。また、モータ電流をモニタリ
ングすることにより、ポリッシングの終点検出が可能で
ある。そして、モータのステータケースには、モータ冷
却用の冷却水を流す流路が形成されており、高い負荷で
の連続運転が行えるようになっている。その他、研磨テ
ーブル34には、トップリング32からのウエハ飛び出
し等の異常を、光学式で検知するセンサを有する場合が
ある。異常発生時には、センサからの信号を受け、研磨
テーブル駆動モータは、研磨テーブルを即座に停止する
ことが可能である。
【0113】研磨テーブル34は、駆動モータ401と
装置に搭載した状態において、脱着できる構造になって
いる。そして、研磨テーブル34には、研磨テーブル3
4上にパッドを貼り付けて使用する方式と、研磨テーブ
ルと容易に脱着可能なカートリッジにパッドを貼り付け
て使用する方法がある。また、両方式とも、定盤形状に
は、平面、凸面および凹面がある。そして、一体式の定
盤は、研磨パッドを貼り付けて使用し、カートリッジ式
では研磨パッド、または、固定砥粒(砥石)が取付け可
能である。一体式には、ステンレス製のものと、セラミ
ック製のものがある。また、カートリッジ式は、前記の
定盤形状およびパッド又は固定砥粒の変更が、カートリ
ッジを交換するだけで済む。既にパッドを貼り付けたカ
ートリッジ定盤を用意しておくことで、定盤のパッド交
換時間を短縮することが可能である。加えて、カートリ
ッジ式定盤には、中実のものと、内部がハニカム構造で
中空部分があり、軽量化を計ったものがある。ハニカム
構造のものは、カートリッジ交換作業時の作業者負荷を
低減できる。
【0114】(研磨テーブル冷却及び温度調整)定盤下
部には、定盤を温度調整する機構を備えている。温調水
は、モータ401の中空シャフト内の配管より定盤下部
のテーブル冷却チャンバーへ供給される。テーブル冷却
チャンバー内部はテーブル全面が均一に冷却されるよう
に冷却水の流路が設けられており、使用する定盤によっ
て流路の配置の方法が異なる。装置に供給される温調水
の配管上には、温度センサが設けられ、設定された温度
から許容できる範囲を外れるとインターロックがかかる
ようになっている。また、この温度の信号を装置外部の
温調水コントロールユニットに送られることで、フィー
ドバック制御もできるようになっている。そして同ライ
ン上に流量計や、圧力計を設けることで異常な流量と圧
力の温調水が供給された場合にもインターロックがかか
るようになっている。また、流量や圧力を装置内でコン
トロールできるように、流量調整弁と圧力レギュレータ
も設置されている。また別の温度制御方法としては、テ
ーブル34上の研磨面の温度を非接触式の温度センサを
用いて計測し、この測定結果を元に温調水コントロール
ユニットに信号を送ることによってフィードバック制御
することもある。
【0115】次に、図40に示す研磨テーブル以外の方
式の研磨テーブルを説明する。 (スクロール型研磨テーブル)図41はスクロール型の
第2の研磨テーブルを示す縦断面図であり、図42
(a)は図41のP−P線断面図であり、図42(b)
は図42(a)のX−X線断面図である。スクロール型
の第2の研磨テーブル36は、中空シャフトをもつモー
タ750の上部フランジ751、内部が中空になったシ
ャフト752が順にボルトによって締結されている。シ
ャフト752の上部にはベアリング753によりセット
リング754が支持されている。このセットリング75
4の上面にテーブル759が締結され、その上部に研磨
テーブル755がボルト790により締結されている。
研磨テーブル755は、全体を例えば砥石で構成しても
よいし、研磨テーブル755を例えばステンレス等の耐
食性に優れた金属で構成し、その上面に研磨パッドを貼
り付けて使用してもよい。また、砥石や研磨パッドを利
用する場合、研磨テーブル755の上面は、平坦でも良
いし、凹凸をつけても良い。これらは、被研磨物である
ウエハ101の種類により選択される。テーブル755
の外形はウエハの直径+2“e”以上に設定されてい
て、研磨テーブル755が並進運動をしてもウエハが研
磨テーブル755からはみ出さない大きさになってい
る。
【0116】前記セットリング754には、周方向に3
つ以上の支持部758が形成され、テーブル759はこ
れら支持部758により支持されている。支持部758
の上面と円筒状部材795の上端に対応する位置には、
周方向に等間隔に複数の凹所760,761が形成さ
れ、これらの凹所760,761にはベアリング76
2,763がそれぞれ装着されている。ベアリング76
2,763には、図41および図42に示すように、
“e”だけずれた2つの軸体764,765を持つ支持
部材766が各軸体の端部を挿入して支持され、モータ
750を回転することにより研磨テーブル755が半径
“e”の円に沿って並進運動可能となっている。
【0117】また、フランジ751がモータ750とシ
ャフト752との間で同様に“e”だけ偏心している。
偏心による負荷のバランスを取るためバランサ767が
シャフト752に取り付けられている。研磨テーブル7
55上への研磨砥液の供給は、モータ750とシャフト
752の内部を通り、テーブル759の中央に設けられ
た貫通孔757に継ぎ手791を介して供給される。供
給された研磨砥液は一旦研磨テーブル755とテーブル
759の間で形成される空間756に溜められ、研磨テ
ーブル755に設けられた複数の貫通孔768を経由し
て、直接ウエハ101に接触するように供給される。貫
通孔768はプロセスの種類により数や位置が適宜選択
される。研磨パッドを研磨テーブル755に貼り付けて
使用する場合は、研磨パッドにも貫通孔768の位置に
対応した位置に貫通孔が設けられる。研磨テーブル75
5の全体を砥石で製作する場合は、研磨テーブルの上面
に、格子状、スパイラル状、あるいは放射状等の溝を設
け、この溝に貫通孔768を連通させるようにしても良
い。
【0118】また、供給される研磨砥液は純水や薬液や
スラリー等のうち最適なものが選定され、必要に応じて
一種類以上の研磨砥液が同時に、または交互に、または
順番に供給されるように制御される。研磨中の研磨砥液
から並進運動を行う機構を保護するために、テーブル7
55にフリンガー769が取り付けられていて、樋77
0とラビリンス機構を形成している。
【0119】上述の構成において、上下ベアリング76
2,763は、上下ベアリング762,763に嵌合さ
れた上下の軸体764,765を有したクランク軸から
なる支持部材766によって軸方向に相互に接続されて
いる。これゆえ、上下ベアリング762,763は距
離”e”だけ水平方向にずれている。下部ベアリング7
63を支持する円筒状部材795はフレームに固定され
ており、これゆえ静止している。モータ750が駆動さ
れると、中空のシャフト752はモータ750の回転軸
の回りを半径”e”で回転する。これゆえ、研磨テーブ
ル755はクランク軸を介して循環並進運動(スクロー
ル運動)を行ない、トップリング32に取り付けられた
ウエハ101は研磨テーブル755の研磨面上に押し付
けられる。貫通孔757、空間756、貫通孔768を
介して研磨面に供給された研磨砥液により、ウエハ10
1は研磨される。研磨テーブル755上の研磨面とウエ
ハ101の間には、半径”e”の微小な相対並進円運動
が生じて、ウエハ101の被研磨面はその全面において
均一な研磨がなされる。なお、被研磨面と研磨面の位置
関係が同じであると、研磨面の局部的な差異による影響
を受けるので、これを避けるためにトップリング32を
徐々に自転させて、研磨面の同じ場所のみで研磨される
のを防止している。
【0120】(オーバーハング型研磨テーブル)図43
はオーバーハング型の第2の研磨テーブルを示す縦断面
図である。オーバーハング型の第2の研磨テーブル36
は、定盤700がフランジ704を介してモータ705
に取り付けられている。このモータ705を回転させる
ことにより、その回転に同期して定盤700が回転す
る。定盤700の回転数は、定盤700に取り付けられ
たドグ707が回転し、近接スイッチ708を通過する
回数をカウントすることにより計測し表示される。ま
た、オーバーハング型研磨テーブルは、ポリッシングや
ドレッシング時に使用されるスラリーや純水からラビリ
ンス701、Oリング702,703、ラビリンス70
1の内側に具備された第二のラビリンス710により保
護されている。また、高荷重ポリッシングや長時間の連
続ポリッシングに耐えうるようにハウジング706には
排気用のポート709が形成されており、ハウジング7
06とモータ705の隙間の熱を排熱し、モータ705
の負荷を軽減している。
【0121】オーバーハング型研磨テーブルは、研磨す
るウエハ直径内にテーブル中心がある。また、ウエハ、
テーブル双方とも同一方向に回転することにより、ウエ
ハ上の任意の点は、ウエハ対テーブルの相対速度は等し
くなる。テーブル上面には定盤700が配置され、定盤
700には、研磨パッド、又は固定砥粒(砥石)が取付
け可能である。また、砥液、薬液および水は、上方より
ノズルにて、定盤上に供給されるようになっている。
【0122】砥液供給ノズル 砥液供給ノズルは、研磨テーブル上の研磨面(例えば研
磨パッドからなる)に研磨砥液を供給する装置である。
図44および図45は砥液供給ノズルを示す図である。
図44(a)は砥液供給ノズルの平面図であり、図44
(b)は砥液供給ノズルの部分断面を有する側面図であ
り、図45は砥液供給ノズル40の研磨テーブル34に
対する位置を示したものである。砥液供給ノズル40
は、図45に示すように、研磨テーブル34上において
液体を供給する供給位置F、第1の待避位置E、第2の
待避位置Dに位置することができるようになっている。
砥液供給ノズル40は、回転軸3051を中心として回
転することにより液体供給アーム3050の先端を所定
の位置に保持することができるようになっている。
【0123】次に、砥液供給ノズル40の回転機構につ
いて説明する。回転軸3051の回転運動は、回転軸3
051の下端に取り付けられている揺動アーム3052
が、回転軸3051を中心に揺動運動することで得られ
るものである。揺動アーム3052は、シリンダ305
3,シリンダ3054と共にリンク機構を構成してい
る。即ち、シリンダ3053とシリンダ3054のロッ
ド伸縮による直線運動により、揺動アーム3052が揺
動運動する。そして、揺動アーム3052の回転中心に
位置する回転軸3051が回転する。シリンダ3054
は、ベース3055に締結されたシリンダブラケット3
056に固定されている。シリンダ3053は、シリン
ダ3054のロッド先端でロッド先端に対して回転でき
るようにピン止めされている。回転軸3051は、ベア
リングベース3058内に収容されたベアリング305
7により回転自在に支持されている。
【0124】次に、上記2本のシリンダの動作について
説明する。液体供給アーム3050の先端が研磨テーブ
ル上、例えば本実施例では研磨テーブル34の中央に位
置する場合には、シリンダ3053のロッドは伸びた状
態でシリンダ3054のロッドは縮んだ状態である。こ
の時、シリンダ3053の位置センサ3066及びシリ
ンダ3054の位置センサ3068が信号を発する。そ
の信号が検知できない場合は、砥液供給ノズル40が正
常な位置にないと制御コンピュータが判断し、エラー表
示を出し、プロセスはインターロックされる。
【0125】次に、液体供給アーム3050の先端がE
位置にある場合は、シリンダ3053のロッド及びシリ
ンダ3054のロッドは共に縮んだ状態にある。この時
も、シリンダ3053の位置センサ3067及びシリン
ダ3054の位置センサ3068が信号を発すること
で、制御コンピュータが砥液供給ノズル40の位置を認
識できるようになっている。また、液体供給アーム30
50の先端がD位置にある場合は、シリンダ3053の
ロッドは、縮んだ状態で、シリンダ3054のロッドは
伸びた状態である。この時も、シリンダ3053の位置
センサ3067及びシリンダ3054の位置センサ30
69が信号を発することで、制御コンピュータが砥液供
給ノズル40の位置を認識できるようになっている。
【0126】次に、液体供給アーム3050に取り付け
られたセンサ3064について説明する。センサ306
4は、研磨テーブル34の周囲の飛散防止カバー307
0を正規の設置位置に設置した際、センサ3064の直
下にあたる飛散防止カバー3070の位置に取りつけら
れたドグ3065に反応し、信号を発する。これによ
り、飛散防止カバー3070の付け忘れや、位置ずれが
容易に検出できるようにしている。即ち、飛散防止カバ
ー3070は上下動可能なので、研磨テーブル34のメ
ンテナンス時は下げているが、下げたまま研磨作業が行
われると、研磨液などが周囲に飛散してしまう恐れがあ
る。センサ3064が発する信号により、研磨テーブル
34の駆動モータ等が誤作動しないようにすることがで
き、上記のような事態を未然に防ぐことが可能となる。
また、回転軸3051の回転機構を液体(砥液、薬液、
純水等)から保護するための保護機構として、アーム本
体3059にフリンガー3060が装着されている。そ
して、フリンガー3060はポリッシャパン3061と
の間でラビリンス機構を形成している。
【0127】次に、液体供給アーム3050の動作を説
明する。液体供給アーム3050は、液体供給位置Fに
おいて、4つのチューブ3063が研磨テーブル34の
回転中心に一致するように位置決めされ、4つのチュー
ブ3063のうち所定のチューブ3063から研磨液を
吐出する。吐出された研磨液は、研磨テーブル34の中
央に落ち、研磨テーブル34の全面に均一に広がり、そ
の研磨面全体を覆う。また、チューブ3063は、中空
の液体供給アーム3050の中に挿入されており、且
つ、固定部材3062によって該液体供給アーム305
0に対して固定されている。これにより、チューブ30
63の先端が研磨テーブル34に対して垂直になるよう
に案内されている。また、ドレッシング時には、チュー
ブ3063からドレッシング液が吐出されるが、このド
レッシング液も前記研磨液と同様に研磨テーブル34の
中央に垂直に落ちるようにされ、研磨テーブル34全面
に均一に広がる。すなわち、本実施形態における液体供
給アーム3050の場合、いずれのチューブ3063か
ら吐出される液体も、研磨テーブル34の中央に垂直に
垂れるように供給され、従って、研磨テーブル34の研
磨面の所要の位置に正確に供給することができる。
【0128】液体を垂直に供給するための方法として
は、図示のごとく、チューブ3063の先端を垂直下向
きにする方法の他に、液体を貯留するタンクT,T
とチューブとの間に流量調整バルブV,Vを設けて
チューブに供給する流量を調整できるようにし、チュー
ブ先端から吐出された液体が直ちに垂直に流下する程度
の流量に調節することによって行うことも可能である。
研磨テーブル34上に貼り付けた研磨パッドの張り替え
等を行う場合は、前記2本のシリンダ駆動によるリンク
機構により液体供給アーム3050を第一の待避位置E
まで揺動させる。これによって、研磨テーブル34の真
上には何も存在しないこととなり、研磨クロスの張り替
え等の作業が容易に行える。また、この時、液体供給ア
ーム3050の先端にあるチューブ3063の先端は、
飛散防止カバー3070の切り欠き部3071の真上に
位置する。これにより、チューブ3063から垂れる液
体は該切り欠き部を通してその下に位置する桶内に落下
し、漏出した液が研磨テーブル34の周囲を汚すことは
ない。また、このような構成となっているためチューブ
3063を純水源にも接続しておき、純水を通水するこ
とにより、当該チューブの洗浄を周囲を汚すことなく行
える。
【0129】前記2つのポジションE,Fでは行えない
メンテナンスの必要が発生した場合、たとえば液体の吐
出流量計測、研磨テーブル周辺の点検等の場合は、前記
2本のシリンダ駆動によるリンク機構により液体供給ア
ーム3050を第2の待避位置Dまで揺動させる。これ
によって、研磨テーブル34及び飛散防止カバー307
0上に何物も存在しなくなり、上記メンテナンスが容易
に行える。また、上記実施形態では、シリンダ305
3,3054を用いたリンク機構による液体供給アーム
3050の停止位置を2箇所としたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、液体供給位置及び待避位置が
それぞれ少なくとも一つずつあればよい。
【0130】図46乃至図48は研磨砥液供給方式を示
す模式図である。本装置は複数の研磨面を有し、各研磨
面に対してそれぞれ複数のスラリーを供給可能としてい
る。供給方式には、装置外部より研磨に使用される必要
分の砥液流量が安定して供給される場合と、圧力や流量
が一定に制御されることなく供給される場合と、装置外
に砥液を溜めたタンクを設置し、そこから砥液を吸い上
げる場合とがある。砥液流量が安定して供給される場合
は、図46および図47に示すように、必要に応じて供
給ラインの1次繋ぎ込み口に3方弁を取りつけ、砥液が
研磨面上に供給されていない時には、3方弁のうちバル
ブ420を閉じ、バルブ421を開くことで砥液を装置
外へ戻して循環させる。そして、砥液を研磨面上に供給
する時には、バルブ420を開き、バルブ421を閉じ
る。
【0131】これらのバルブの他に、砥液の供給ライン
上に圧力センサを設けて砥液の供給圧を監視し、供給圧
が高すぎたり、供給されていなかったりした場合には、
その圧力を検知することでインターロックをかけること
もできる。そして、バルブの下流側に定流量弁を設ける
ことで、研磨面上に供給する砥液の流量を研磨面に近い
ところで精密に制御することができる。この定流量弁は
電気的な信号によって流量を可変できるようなシステム
を組むことで、1枚のウエハの研磨ごとに流量を変えた
り、1枚の研磨中に様々な回転数と流量を組合せて段階
的に研磨することも可能である。また、研磨終了後に、
砥液の代わりに純水を用いてウエハの研磨、もしくは洗
浄を行うことが有るが、これに対応すべく、純水のライ
ンを研磨面上に供給できるように設けてあり、バルブ4
26の開閉で供給のタイミングを制御する。この純水ラ
インからは、ドレッシング時にも純水を研磨面上に供給
しても良い。
【0132】供給される砥液の流量が一定でない場合
や、装置外に置かれたタンク内より砥液を吸い上げるよ
うな時には、図48に示すように、砥液の供給ライン上
にポンプ430,432を設ける。使用するポンプは、
医療機器として使われることの多いチュービングポンプ
が小型で使い勝手が良い。ポンプ430,432を設け
ることで、流量を一定に、且つ1枚のウエハの研磨ごと
に流量を変えたり、1枚の研磨中に様々な回転数と流量
を組合せて段階的に研磨することも可能である。この他
に、研磨面に砥液を供給する直前で少なくとも2種類以
上の砥液を混合したり、砥液を純水で希釈する場合に備
え、図46に示すように、バルブ440及びバルブ44
1が設置できるようになっている。これらのラインも定
流量弁や圧力センサを組み込むことで、自由に濃度を変
えて供給することが可能となる。そして、全ての回路に
おいて、砥液供給ライン内に溜まった砥液を、乾燥して
固まらないように純水で洗浄することを目的としたフラ
ッシングラインとバルブ424,425を設ける。この
バルブはウエハの研磨終了ごとに、一定時間だけ開いて
ライン内を洗浄することもでき、また、装置が次の処理
を待っている時間内に一定間隔でライン内を洗浄するこ
ともできる。
【0133】ウエハ洗浄 図32は、ウエハの洗浄およびウエハを取扱う各機器の
洗浄動作を示す模式図である。ロータリトランスポータ
27とプッシャー30,30’とリフタ29,29’と
トップリング32,33と反転機28,28’で搬送さ
れるウエハはポリッシング後の搬送中に洗浄される。こ
れはポリッシング中にウエハに付着した砥液や研磨カス
を早い段階で洗浄し、砥液のケミカル成分による余分な
エッチングや酸化を防ぐことを目的としている。また、
砥液や研磨カスがウエハ上で乾燥するとウエハへの付着
が強固になり、その後の洗浄機で洗浄しても落ちなくな
ることがある。そのため乾燥させずに洗浄機までの搬送
を行うことも必要になる。また、そのウエハを搬送する
これら5つのユニットも、汚れたウエハに接触するので
それぞれ洗浄する必要がある。
【0134】プッシャー30,30’はトップリング3
2,33とロータリトランスポータ27の間でウエハの
搬送を行う。ポリッシング前のウエハはロータリトラン
スポータ27に載ってプッシャー30,30’の上方へ
搬送されてくる。プッシャー30,30’はこのウエハ
をトップリング32,33に搬送する。また、ポリッシ
ング後のウエハはトップリング32,33からロータリ
トランスポータ27へプッシャー30,30’を介して
搬送される。ポリッシング後のウエハは砥液や研磨カス
が付着しているので、このウエハを搬送するプッシャー
30,30’にもその砥液や研磨カスが付着してしま
う。プッシャー自身を洗浄しないと次に搬送するポリッ
シング前のウエハを汚してしまうことになる。また、洗
浄をせずに長時間経過すると砥液や研磨カスが固まって
乾燥し大きな粒となり、それがウエハに付着してウエハ
のポリッシングが行われるとウエハに大きなダメージ
(スクラッチ)を与えてしまう。そのためプッシャー3
0,30’の、とくにウエハを載置するステージを洗浄
することが必要であり、図32に示すように、洗浄液
(純水・薬液・イオン水やオゾン水等)をスプレーノズ
ル500を用いて吹き付けることで洗浄を行う。洗浄の
タイミングは、研磨後のウエハ101をプッシャー3
0,30’が上昇し受け取り、下降途中にロータリート
ランスポータにウエハを渡し、更に下降し、下降終了の
信号をセンサから発するのを受けて、ノズル500から
洗浄液を噴射することにより洗浄する。
【0135】ロータリトランスポータ27はウエハを上
面に載置し、リフタ29,29’との受け渡し位置とプ
ッシャー30,30’との受け渡し位置との間を回転し
てウエハを搬送する。ポリッシング終了後のウエハの搬
送では砥液やポリッシングのカスが残ったウエハを搬送
するので、ウエハ載置用ピン201やその周辺が砥液や
研磨カスで汚れる。ポリッシングを完了したウエハはロ
ータリトランスポータ27上のウエハ載置用ピン201
の上にプッシャー30,30’を経由して搬送される。
ウエハがロータリトランスポータ27に搬送されたらウ
エハの上面と下面に向けて洗浄液(純水・薬液・イオン
水やオゾン水等)をかけて洗浄する。洗浄液をかけるた
めには、ポリッシャーパン80,80’(図1参照)や
隔壁24(図1参照)に固定されているスプレーノズル
501,502,503,504を用い、所望の流量と
圧力、角度、範囲でウエハを洗浄することが可能になっ
ている。ウエハの上面と下面の洗浄は同時のタイミング
で行い洗浄液の操作用エアオペレートバルブは共有して
もよい。その場合、エアオペレートバルブの出口より下
流で配管を分岐させ、上面と下面への供給を行えばよ
い。また、ここでのウエハはパターン面が下を向いてい
るので、下からの洗浄を充実させた方がウエハの歩留ま
りが良くなるので、上面への洗浄用ノズルよりも大流量
を流せるノズルを下からの洗浄に使ったり、配管を下面
用だけ太くすることで下からの洗浄を上からの洗浄より
も充実させることが可能になる。もちろん操作用エアオ
ペレートバルブをそれぞれ下面用と上面用とで分けても
同様のことが可能である。また、ウエハを保持していな
い時にロータリトランスポータ27のピンを洗浄するた
めに、このノズルを用いウエハ載置ピン201の洗浄を
行ってもよい。
【0136】リフタ29,29’は反転機28,28’
とロータリトランスポータ27のウエハの搬送を行う。
ポリッシング前のウエハはロボットにより反転機28,
28’へ搬送されてくる。リフタ29,29’はこのウ
エハをロータリトランスポータ27に搬送する。また、
ポリッシング後のウエハはロータリトランスポータ27
に載ってリフタ上方に搬送されてくるので、このウエハ
を反転機28,28’へ搬送する。ポリッシング後のウ
エハは砥液や研磨カスがロータリトランスポータ27上
である程度洗浄されている。しかし、この洗浄が充分で
ない場合はこのウエハを搬送するリフタ29,29’も
汚れてしまうことがある。そのためウエハの搬送の合間
にリフタのとくにウエハを載置するステージ260(図
30参照)を洗浄することが必要である。ここでも洗浄
液(純水・薬液)をスプレーノズル505を用いて吹き
付けることで洗浄を行う。特に、研磨後のウエハ101
を反転機28,28’へ搬送した後、リフター29,2
9’が下降し、下降端センサー267が下降終了の信号
を発したのを受けて、洗浄を開始するのが効果的であ
る。
【0137】トップリング32,33はポリッシング毎
に砥液や研磨カスで汚れる。ポリッシング終了後にウエ
ハを離脱し、次のウエハを受取る前に前回のポリッシン
グの汚れを洗浄する必要がある。ウエハを離脱するとウ
エハ保持部分32a,33aが開放される。次のウエハ
を保持してポリッシングを開始する前にこの開放したウ
エハ保持部分32a,33aを洗浄することで砥液や研
磨カスが次にポリッシングするウエハとウエハ保持部分
との間に入ることを防げる。ここでも、図32に示すよ
うに、洗浄液(純水・薬液・イオン水・オゾン水等)を
スプレーノズル506で吹き付けて洗浄を行う。また、
ポリッシング後のウエハをすぐにプッシャー30,3
0’へ離脱せず、このノズル506でウエハのパターン
面を洗浄することも可能である。
【0138】反転機28,28’はロボットとリフタ3
0,30’の搬送の間にウエハを反転させる。ポリッシ
ング終了後のウエハは反転機28,28’に運ばれてく
るまでに簡易的な洗浄をされただけなのでこの反転機で
のウエハ滞留時間中もウエハの洗浄と乾燥防止を兼ね
て、図32に示すように、スプレーノズル507,50
8を用いてウエハに洗浄水(純水・薬液・イオン水・オ
ゾン水等)をかける。ポリッシング後のウエハは反転機
に搬送された後、反転されてパターン面が上を向いてい
る。この後ロボットが受取に来るまでウエハは反転機上
で待機することになる。ウエハのポリッシングや洗浄の
処理時間の条件によってはウエハがこの反転機上で待機
する時間が長くなることも考慮して、ここでは乾燥防止
としての役目も強くなる。また、洗浄機5,6,22,
23のうち、1,もしくはそれ以上の洗浄時間がポリッ
シング時間よりも極端に長い場合は反転機28,28’
の他にロータリトランスポータ27上のステージ21
1,213(図31参照)でもウエハ101を待機させ
ることができる。この場合も上述の反転機28,28’
の時と同様に乾燥防止の目的で、該スプレーノズル50
3,504を用いて洗浄水を流してもよい。
【0139】以上ロータリトランスポータの周辺でのウ
エハ洗浄とそれぞれのユニットの洗浄について述べた
が、まとめるとポリッシング後、ウエハを洗浄する順番
は、 1)トップリング32,33上での洗浄 2)ロータリトランスポータ27上での洗浄 3)反転機28,28’での洗浄 となる。砥液による必要以上のエッチングや酸化を防ぐ
ために、薬液での洗浄はポリッシング完了後ただちに行
なうことが望ましい。従ってトップリング上での洗浄や
ロータリトランスポータ上での洗浄は薬液で行う方が有
効である。反対に反転機での洗浄はウエハがその前段階
である程度洗浄されていることを考慮すると、洗浄とい
う目的よりも乾燥防止の目的を重視できる。
【0140】したがって、例えばトップリングとロータ
リトランスポータでのウエハ洗浄は薬液で、反転機での
洗浄は純水で、と分けることで最適でしかもコストを最
小限にした洗浄を行うこともできる。また、トップリン
グとロータリトランスポータでの洗浄では時間をかける
とその分ウエハの処理時間に直接影響を及ぼすが、反転
機での待ち時間の洗浄は装置の処理時間に影響を与えな
い。したがって、トップリングやロータリトランスポー
タでの洗浄水の吹き付けは強く短時間で行い、反転機で
の洗浄は乾燥を防止する程度の流量でたとえば間欠的に
洗浄するのが良い。
【0141】図49は、本発明の第2の実施形態に係る
ポリッシング装置の各部の配置構成を示す平面図であ
る。また図50は図49に示すポリッシング装置の斜視
図である。図49および図50においてはポリッシング
装置全体を囲っているハウジングは図示を省略してい
る。また図50においては隔壁は図示を省略している。
第1の実施形態のポリッシング装置においては、領域
C,D内に配置された2つの研磨部に共通の搬送機構と
して回転移動する4台のステージ(置き台)を備えた共
通の1台のロータリトランスポータ27を配置したが、
第2の実施形態においては、2つの研磨部にそれぞれ専
用の搬送機構として往復直線移動をする2台のステージ
を備えたリニアトランスポータを個別に配置しているこ
とが異なっている。図49および図50に示すポリッシ
ング装置は多数の半導体ウエハをストックするウエハカ
セット1を載置するロードアンロードステージ2を4つ
備えている。ロードアンロードステージ2上の各ウエハ
カセット1に到達可能となるように、走行機構3の上に
2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置されてい
る。走行機構3にはリニアモータからなる走行機構が採
用されている。リニアモータからなる走行機構を採用す
ることにより、ウエハが大口径化し重量が高速且つ安定
した搬送ができる。
【0142】図49に示す実施形態は、ウエハカセット
1を載置するロードアンロードステージ2としてSMI
F(Standard Manufacturing Interface)ポッド、もし
くはFOUP(Front Opening Unified Pod)を用い、
ロードアンロードステージが外付けされた例である。S
MIF,FOUPは、中にウエハカセットを収納し、隔
壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つ
ことができる密閉容器である。SMIFもしくはFOU
Pを、ポリッシング装置のロードアンロードステージ2
に設置した場合、ポリッシング装置側のハウジング46
に設けられたシャッター52及びSMIFもしくはFO
UP側のシャッターが開くことにより、ポリッシング装
置とウエハカセット1側が一体化する。SMIFもしく
はFOUPは、研磨工程が終わると、シャッターを閉
じ、ポリッシング装置と分離し、別の処理工程へ自動も
しくは手動で搬送されるため、その内部雰囲気を清浄に
保っておく必要がある。
【0143】そのため、ウエハがカセットに戻る直前に
通る領域Aの上部には、ケミカルフィルタを通して清浄
な空気のダウンフローが形成されている。又、搬送ロボ
ット4の移動にリニアモータを用いているため、発塵が
抑えられ、領域Aの雰囲気をより正常に保つことができ
る。尚、ウエハカセット1内のウエハを清浄に保つため
に、SMIFやFOUPの様な密閉容器にケミカルフィ
ルタ、ファンを内蔵し、自らクリーン度を維持するクリ
ーンボックスを用いるようにしてもよい。
【0144】搬送ロボット4の走行機構3を対称軸に、
ウエハカセット1とは反対側に2台の洗浄機5,6が配
置されている。各洗浄機5,6は搬送ロボット4のハン
ドが到達可能な位置に配置されている。また2台の洗浄
機5,6の間で、ロボット4が到達可能な位置に、4つ
の半導体ウエハの載置台7,8,9,10を備えたウエ
ハステーション50が配置されている。
【0145】前記洗浄機5,6と載置台7,8,9,1
0が配置されている領域Bと前記ウエハカセット1と搬
送ロボット4が配置されている領域Aのクリーン度を分
けるために隔壁14が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター1
1が設けられている。洗浄機5と3つの載置台7,9,
10に到達可能な位置に搬送ロボット20が配置されて
おり、洗浄機6と3つの載置台8,9,10に到達可能
な位置に搬送ロボット21が配置されている。
【0146】前記洗浄機5と隣接するように搬送ロボッ
ト20のハンドが到達可能な位置に洗浄機22が配置さ
れている。また、洗浄機6と隣接するように搬送ロボッ
ト21のハンドが到達可能な位置に洗浄機23が配置さ
れている。前記洗浄機5,6,22,23とウエハステ
ーション50の載置台7,8,9,10と搬送ロボット
20,21は全て領域Bの中に配置されていて、領域A
内の気圧よりも低い気圧に調整されている。前記洗浄機
22,23は、両面洗浄可能な洗浄機である。
【0147】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング(図示せず)を有しており、前記ハウジン
グ内は隔壁14、隔壁24A,24Bにより複数の部屋
(領域A、領域Bを含む)に区画されている。隔壁24
Aおよび24Bによって、領域Bと区分された2つのポ
リッシング室が形成される2つの領域CとDに区分され
ている。そして、2つの領域C,Dにはそれぞれ2つの
研磨テーブルと、1枚の半導体ウエハを保持しかつ半導
体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けながら研
磨するための1つのトップリングが配置されている。即
ち、領域Cには研磨テーブル34,36、領域Dには研
磨テーブル35,37がそれぞれ配置されており、ま
た、領域Cにはトップリング32、領域Dにはトップリ
ング33がそれぞれ配置されている。また領域C内の研
磨テーブル34に研磨砥液を供給するための砥液ノズル
40と、研磨テーブル34のドレッシングを行うための
ドレッサ38とが配置されている。領域D内の研磨テー
ブル35に研磨砥液を供給するための砥液ノズル41
と、研磨テーブル35のドレッシングを行うためのドレ
ッサ39とが配置されている。さらに、領域C内の研磨
テーブル36のドレッシングを行うためのドレッサ48
と、領域D内の研磨テーブル37のドレッシングを行う
ためのドレッサ49とが配置されている。
【0148】研磨テーブル34,35は、機械的ドレッ
サー38,39の他に、流体圧によるドレッサーとし
て、アトマイザー44,45を備えている。アトマイザ
ーとは、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素)の混
合流体を霧状にして、複数のノズルから研磨面に噴射す
るものである。アトマイザーの主な目的は、研磨面上に
堆積、目詰まりした研磨カス、スラリー粒子を洗い流す
ことである。アトマイザーの流体圧による研磨面の浄化
と、機械的接触であるドレッサー38,39による研磨
面の目立て作業により、より望ましいドレッシング、即
ち研磨面の再生を達成することができる。
【0149】図51はトップリング32と研磨テーブル
34,36との関係を示す図である。なお、トップリン
グ33と研磨テーブル35,37の関係も同様になって
いる。図51に示すように、トップリング32は回転可
能なトップリング駆動軸91によってトップリングヘッ
ド31から吊下されている。トップリングヘッド31は
位置決め可能な揺動軸92によって支持されており、ト
ップリング32は研磨テーブル34,36にアクセス可
能になっている。また、ドレッサ38は回転可能なドレ
ッサ駆動軸93によってドレッサヘッド94から吊下さ
れている。ドレッサヘッド94は位置決め可能な揺動軸
95によって支持されており、ドレッサ38は待機位置
と研磨テーブル34上のドレッサ位置との間を移動可能
になっている。ドレッサヘッド(揺動アーム)97は位
置決め可能な揺動軸98によって支持されており、ドレ
ッサ48は待機位置と研磨テーブル36上のドレッサ位
置との間を移動可能になっている。ドレッサ48はテー
ブル36の直径よりも長い長尺状の形状を成しており、
ドレッサヘッド97が揺動軸98を中心に揺動する。ド
レッサヘッド97の揺動軸98と反対側のドレッサ固定
機構96とドレッサ48がピボット運動することによ
り、ドレッサ48は自転を伴わず車のワイパーの様な動
きで、研磨テーブル36上をドレッシングできるよう
に、ドレッサ固定機構96によってドレッサヘッド97
から吊り下げられている。ここで、研磨テーブル36,
37としては、前述のスクロール型研磨テーブルを使用
している。
【0150】図49に示すように、隔壁24Aによって
領域Bとは仕切られた領域Cの中にあって、搬送ロボッ
ト20のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転
させる反転機28が配置されている。隔壁24Bによっ
て領域Bとは仕切られた領域Dの中にあって、搬送ロボ
ット21のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反
転させる反転機28’が配置されている。また、領域B
と領域C,Dを仕切る隔壁24A,24Bには、半導体
ウエハ搬送用の開口部が設けられ、それぞれの反転機2
8と反転機28’専用のシャッター25,26が開口部
に設けられている。
【0151】前記反転機28及び反転機28’は、半導
体ウエハをチャックするチャック機構と半導体ウエハの
表面と裏面を反転させる反転機構と半導体ウエハを前記
チャック機構によりチャックしているかどうかを確認す
るウエハ有無検知センサとを備えている。また、反転機
28には搬送ロボット20によって半導体ウエハが搬送
され、反転機28’には搬送ロボット21によって半導
体ウエハが搬送される。
【0152】一方のポリッシング室を構成する領域C内
には、反転機28とトップリング32との間で半導体ウ
エハを移送するための搬送機構を構成するリニアトラン
スポータ27Aが配置されている。他方のポリッシング
室を構成する領域D内には、反転機28’とトップリン
グ33との間で半導体ウエハを移送するための搬送機構
を構成するリニアトランスポータ27Bが配置されてい
る。本実施形態のリニアトランスポータ27A(又は2
7B)が第1実施形態のロータリトランスポータ27と
異なる点は、リニアトランスポータ27Aが直線往復移
動する2個のステージを備えていること、リニアトラン
スポータとトップリング又は反転機との間で半導体ウエ
ハを受け渡しする場合にウエハトレイを介して行うこと
である。
【0153】図51の右側部分には、リニアトランスポ
ータ27Aとリフタ29とプッシャー30との関係が示
されている。リニアトランスポータ27Bとリフタ2
9’とプッシャー30’との関係も図51に示すものと
同様であるため、以下の説明ではリニアトランスポータ
27A、リフタ29およびプッシャー30のみを説明す
る。図51に示すように、リニアトランスポータ27A
の下方にリフタ29とプッシャー30とが配置されてい
る。またリニアトランスポータ27Aの上方に反転機2
8が配置されている。そして、トップリング32は揺動
してプッシャー30およびリニアトランスポータ27A
の上方に位置できるようになっている。
【0154】図52はリニアトランスポータ27Aとリ
フタ29とプッシャー30を示す斜視図である。図52
に示すように、リニアトランスポータ27Aは半導体ウ
エハを載せる置き台を構成する直線往復移動可能な2つ
のステージ901,902と、ステージ901,902
を支持するサポート903,904と、サポート90
3,904を直線往復移動させるガイド付エアシリンダ
906,905とを備えている。なおガイド付エアシリ
ンダ905,906は、支持プレート921の上下面に
対称的に固定されている(図54参照)。ステージ90
1とステージ902とは高さ位置が異なっており、両ス
テージ901,902は互いに干渉することなく自由に
移動可能になっている。したがって、ステージ901を
リフタ29の上方に、ステージ902をプッシャー30
の上方にそれぞれ位置させた後に、両ステージ901,
902を同時に移動させ擦れ違わせた後に、ステージ9
01をプッシャー30の上方に、ステージ902をリフ
タ29の上方にそれぞれ位置させることができる。ステ
ージ901,902には、それぞれ4本のピン920が
固定されており、これらピン920によってリング状の
ウエハトレイ925が支持されている。
【0155】図53はガイド付エアシリンダ905(又
は906)を示す図であり、図53(a)は斜視図、図
53(b)は図53(a)の要部を示す部分断面を有し
た平面図である。図53に示すように、ガイド付エアシ
リンダ905はサポート903を支持する移動可能なス
ライダ908と、スライダ908の摺動を案内するガイ
ドレール909と、スライダ908に連結されスライダ
908を直線往復移動させるマグネット型シリンダ91
0とから構成されている。マグネット型シリンダ910
はガイドパイプ911と、ガイドパイプ911内に設け
られエアを供給することによりガイドパイプ911内で
移動可能なピストン912と、マグネット913により
磁気カップリングしてピストン912とともに移動する
移動体914とから構成されている。したがって、ガイ
ドパイプ911内にエアを供給すると、ピストン912
がガイドパイプ911内で移動し、ピストン912に磁
気カップリングした移動体914がピストン912とと
もに移動する。これにより、スライダ908がガイドレ
ール909に沿って摺動し、スライダ908に固定され
たサポート903およびステージ901が直線往復移動
する。
【0156】図54はリニアトランスポータ27Aの全
体構成を示す図であり、図54(a)は平面図、図54
(b)は図54(a)のA矢視図、図54(c)は図5
4(a)のB矢視図である。なお、図54(a)におい
ては、ウエハトレイ925の図示を省略している。図5
4(b)および図54(c)に示すように、ステージ9
01とステージ902とは高さ位置が異なっており、両
ステージ901,902は互いに干渉することなく自由
に移動可能になっている。そして、ステージ901,9
02のピン920上には、それぞれウエハトレイ925
が載せられている。ピン920とウエハトレイ925の
外周面とにより、ウエハトレイ925は自動調芯がされ
るようになっている。ウエハトレイ925はその上面に
半導体ウエハを載置保持するためのウエハ保持面926
を有している。図55に示すように、ウエハ保持面92
6は、全面に渡ってリングに凹凸が設けられており、凸
部926aには、外周に向けて高くなるようにテーパを
設け、ウエハとの接触面積を減らすようになっている。
なお、この実施例においては、ステージ901はロード
用ステージを構成し、ステージ902はアンロード用ス
テージを構成している。
【0157】図56はリニアトランスポータと反転機お
よびリニアトランスポータとトップリングとの半導体ウ
エハの受け渡しを説明するための模式図である。図56
に示すように、搬送ロボット20により反転機28に搬
送された研磨前の半導体ウエハ101は、反転機28に
より反転される。そして、リフタ29が上昇すること
で、ロード用ステージ901上のウエハトレイ925は
リフタ29に移載される。リフタ29は更に上昇し、半
導体ウエハ101は反転機28からリフタ29上のウエ
ハトレイ925に移載される。その後、リフタ29が下
降し、半導体ウエハ101はウエハトレイ925ととも
にロード用ステージ901に載置される。ウエハトレイ
925と半導体ウエハ101はロード用ステージ901
の直線移動によりプッシャー30の上方へ搬送される。
このとき、アンロード用ステージ902はウエハトレイ
925を介して研磨済の半導体ウエハ101をトップリ
ング32から受け取り、リフタ29に向かって移動す
る。ロード用ステージ901とアンロード用ステージ9
02は移動途中ですれ違うこととなる。ロード用ステー
ジ901がプッシャー30の上方へ到達したときには、
トップリング32は図56に示す位置に予め揺動してい
る。次に、プッシャー30が上昇し、プッシャー30は
ロード用ステージ901からウエハトレイ925および
半導体ウエハ101を受け取った後にさらに上昇し、半
導体ウエハ101のみをトップリング32へ移送する。
【0158】前記トップリング32に移送されたウエハ
101は、トップリング32の真空吸着機構により吸着
され、ウエハ101は研磨テーブル34まで吸着された
まま搬送される。そして、ウエハ101は研磨テーブル
34上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等からなる
研磨面で研磨される。トップリング32がそれぞれに到
達可能な位置に、前述した第2の研磨テーブル36が配
置されている。これにより、ウエハは第1の研磨テーブ
ル34で研磨が終了した後、第2の研磨テーブル36で
研磨できるようになっている。しかしながら、半導体ウ
エハに形成された膜種によっては、第2の研磨テーブル
36で研磨された後、第1の研磨テーブル34で処理さ
れることもある。
【0159】研磨が終了したウエハ101は、前述とは
逆のルートで反転機28まで戻される(後述する)。反
転機28まで戻されたウエハは、純水もしくは洗浄用の
薬液によりリンスノズルによってリンスされる。また、
ウエハを離脱したトップリング32のウエハ吸着面は、
トップリング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によって
洗浄される。
【0160】次に、図49乃至図51に示すポリッシン
グ装置の処理工程の概略を説明する。2段洗浄の2カセ
ットパラレル処理の場合には、一方のウエハは、ウエハ
カセット(CS1)→搬送ロボット4→ウエハステーシ
ョン50の置き台7→搬送ロボット20→反転機28→
リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
→トップリング32→研磨テーブル34→研磨テーブル
36(必要に応じ)→リニアトランスポータ27Aのア
ンロード用ステージ902→反転機28→搬送ロボット
20→洗浄機22→搬送ロボット20→洗浄機5→搬送
ロボット4→ウエハカセット(CS1)に至る経路を経
る。
【0161】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット4→ウエハステーション50
の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア
トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トッ
プリング33→研磨テーブル35→トップリング33→
リニアトランスポータ27Bのアンロード用ステージ9
02→反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→
搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット4→ウエハ
カセット(CS2)に至る経路を経る。
【0162】また3段洗浄の2カセットパラレル処理の
場合は、一方のウエハは、ウエハカセット(CS1)→
搬送ロボット4→ウエハステーション50の置き台7→
搬送ロボット20→反転機28→リニアトランスポータ
27Aのロード用ステージ901→トップリング32→
研磨テーブル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→
リニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ9
02→反転機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬
送ロボット20→ウエハステーション50の置き台10
→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウ
エハステーション50の置き台9→搬送ロボット20→
洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハカセット(CS1)
に至る経路を経る。
【0163】また、他方のウエハは、ウエハカセット
(CS2)→搬送ロボット4→ウエハステーション50
の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア
トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トッ
プリング33→研磨テーブル35→研磨テーブル37
(必要に応じ)→リニアトランスポータ27Bのアンロ
ード用ステージ902→反転機28’→搬送ロボット2
1→洗浄機23→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロ
ボット21→ウエハステーション50の置き台9→搬送
ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハカセ
ット(CS2)に至る経路を経る。
【0164】さらに3段洗浄のシリーズ処理の場合に
は、ウエハは、ウエハカセット(CS1)→搬送ロボッ
ト4→ウエハステーション50の置き台7→搬送ロボッ
ト20→反転機28→リニアトランスポータ27Aのロ
ード用ステージ901→トップリング32→研磨テーブ
ル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→リニアトラ
ンスポータ27Aのアンロード用ステージ902→反転
機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬送ロボット
20→ウエハステーション50の置き台10→搬送ロボ
ット21→反転機28’→リニアトランスポータ27B
のロード用ステージ901→トップリング33→研磨テ
ーブル35→研磨テーブル37(必要に応じ)→リニア
トランスポータ27Bのアンロード用ステージ902→
反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→搬送ロ
ボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウエハステ
ーション50の置き台9→搬送ロボット20→洗浄機5
→搬送ロボット4→ウエハカセット(CS1)に至る経
路を経る。
【0165】次に、図52乃至図54に示すリニアトラ
ンスポータ27A、リフタ29、プッシャー30の動作
を詳述する。なお、リニアトランスポータ27B、リフ
タ29’、プッシャー30’の動作は同様に行われるた
め説明を省略する。またリフタ29およびプッシャー3
0は第1の実施形態において用いたものと概略同一の構
成を有しているため、それらの詳細構造の説明は省略す
る。第2の実施形態におけるプッシャー30はプッシュ
ステージ143’を有している。このプッシュステージ
143’は第1の実施形態におけるプッシュステージ1
43とは異なっている。ウエハ受け渡し時 リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
がリフタ29の上方に位置している。研磨前のウエハ1
01は搬送ロボット20から反転機28へ搬送される。
その後、ウエハ101は反転機28により反転され、ウ
エハのパターン面が下を向く。リフタ29(図30に示
す)は上昇し、リフタ29の上部のステージ260はリ
ニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901上
のロード専用のウエハトレイ925と係合して結合す
る。
【0166】次にリフタ29は、その上部にウエハトレ
イ925を載置したまま反転機28からウエハ101を
受け取る位置まで上昇し停止する。リフタ29の上昇が
ウエハ101の直下で停止したのを、例えばリフタ29
の上昇用シリンダ261のセンサ266で確認すると、
反転機28はウエハ101のクランプを開放し、ウエハ
101はリフタ29上のウエハトレイ925の上に移載
される。
【0167】その後、リフタ29はウエハ101をウエ
ハトレイ925上に載置したまま下降をする。すると、
リニアトランスポータ27Aのロード用ステージ901
上のピン720により、リフタ29上に載せられたウエ
ハトレイ925は求芯されつつリフタ29からリニアト
ランスポータ27Aのロード用ステージ901へ移載さ
れる。リフタ29は、ウエハトレイ925がリニアトラ
ンスポータ27Aのロード用ステージ901に載せられ
た後も、リニアトランスポータ27Aのロード用ステー
ジ901が移動しても干渉しない位置まで下降を続け所
定位置で停止する。
【0168】ウエハロード時 リフタ29が下降を完了すると、リニアトランスポータ
27Aのロード用ステージ901は移動して、プッシャ
ー30(図33参照)の上方に、半導体ウエハ101を
保持したロード専用のウエハトレイ925を位置させ
る。ロード用ステージ901の位置決めが完了すると、
エアシリンダ146によりプッシャー30がガイドステ
ージ141周りの構成品と共に上昇していき、上昇途中
でリニアトランスポータ27Aのロード用ステージ90
1のウエハ保持位置を通過する。このとき、通過と同時
にウエハ101をその上面に載置したウエハトレイ92
5とプッシャー30のプッシュステージ143’とが係
合し、プッシャー30はウエハトレイ925をリニアト
ランスポータ27Aのロード用ステージ901から受け
取る。
【0169】プッシュステージ143’がウエハトレイ
925を保持したままトップリングガイド148は停止
することなく上昇していき、トップリングガイド148
のテーパ208によってトップリング32のガイドリン
グ301を呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリ
ニアウェイ149による位置合わせでトップリング32
に求芯し、トップリングガイド148の段部200がガ
イドリング301下面と接触することでガイドステージ
141の上昇は終了する。
【0170】ガイドステージ141はトップリングガイ
ド148の段部200がガイドリング301下面に接触
して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ146はショックキラー156に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ152は収縮するた
めスプラインシャフト142のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ143’がさらに上昇する。ウエハ101が
トップリング32に接触した後にシリンダ146が上昇
するストロークはバネ159が吸収し、ウエハ101を
保護している。
【0171】次に、エアシリンダ145によりプッシュ
ステージ143’がウエハトレイ925を保持したまま
更に上昇し、トップリング32によりウエハ101が吸
着保持される。しかる後、エアシリンダ145が逆作動
してウエハトレイ925がプッシュステージ143’と
共に下降する。そして、エアシリンダ146によりプッ
シャー30がガイドステージ141周りの構成品と共に
下降していき、下降途中でウエハトレイ925をリニア
トランスポータ27Aのロード用ステージ901に受け
渡し、更に下降して所定の位置で停止する。
【0172】ウエハアンロード時 プッシャー30上方のウエハアンロード位置にトップリ
ング32によってウエハ101が搬送され、リニアトラ
ンスポータ27Aのアンロード用ステージ902の移動
により、アンロード専用のウエハトレイ925がプッシ
ャー30の上方に位置する。すると、エアシリンダ14
6によりプッシャー30がガイドステージ141周りの
構成品と共に上昇していき、上昇途中でリニアトランス
ポータ27Aのアンロード用ステージ902のウエハ保
持位置を通過する。このとき、通過と同時に空のウエハ
トレイ925とプッシャー30のプッシュステージ14
3’とが係合し、プッシャー30はウエハトレイ925
をリニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ
902から受け取る。
【0173】そして、トップリングガイド148のテー
パ面208によってトップリング32のガイドリング3
01を呼び込み、リニアウェイ149による位置合わせ
でトップリング32に求芯し、トップリングガイド14
8の段部200がガイドリング301の下面と接触する
ことでガイドステージ141の上昇は終了する。
【0174】この時、エアシリンダ146はショックキ
ラー156に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステ
ージ141はトップリングガイド148の段部200が
ガイドリング301の下面に接触して固定されているた
め、エアシリンダ146は圧縮バネ152の反発力に打
勝ってスプラインシャフト142をエアシリンダ145
ごと押し上げ、プッシュステージ143’を上昇させ
る。この時、プッシュステージ143’はトップリング
ガイド148のウエハ保持部より高い位置になることは
ない。本実施例ではシリンダ146はトップリングガイ
ド148がガイドリング301に接触した所から更にス
トロークするように設定されている。この時の衝撃はバ
ネ152によって吸収される。
【0175】エアシリンダ146の上昇が終了するとト
ップリング32よりウエハ101がリリースされ、アン
ロード専用のウエハトレイ925の上に保持される。ウ
エハ101がアンロード専用のウエハトレイ925上に
保持されると、プッシャー30は下降を開始する。そし
て、アンロード専用のウエハトレイ925は研磨済ウエ
ハとともにリニアトランスポータ27Aのアンロード用
ステージ902上に移載され、プッシャー30は引き続
き下降し、下降終了で動作が完了する。
【0176】リニアトランスポータ27Aのアンロード
用ステージ902は移動して研磨済ウエハが載置された
アンロード専用のウエハトレイ925をリフタ29の上
方に位置させる。リフタ29が上昇し、リフタ29は研
磨済ウエハが載置されたアンロード専用のウエハトレイ
925をリニアトランスポータ27Aのアンロード用ス
テージ902から受け取り、更に上昇して、反転機28
へのウエハ受け渡し位置へウエハを位置させる。反転機
28のグリッパがウエハ101を受け取った後、リフタ
29は下降して、アンロード専用のウエハトレイ925
がリニアトランスポータ27Aのアンロード用ステージ
902に移載された後、更に下降後、停止して、トップ
リング32から反転機28へのウエハの移載動作が完了
する。その後、ウエハ101は反転機28により反転さ
れた後、搬送ロボット20により受け取られる。
【0177】本発明の第2の実施形態のポリッシング装
置によれば、各研磨部に専用の搬送機構として、直線往
復移動する少なくとも2台のステージ(置き台)を有し
たリニアトランスポータを備えたため、反転機とトップ
リングとの間でポリッシング対象物を移送するのに要す
る時間を短縮することができ、単位時間当たりのポリッ
シング対象物の処理枚数を増加させることができる。ま
た、ポリッシング対象物がリニアトランスポータのステ
ージと反転機との間で移送されるとき、ポリッシング対
象物はウエハトレイと反転機との間で移送される。そし
て、ポリッシング対象物がリニアトランスポータのステ
ージとトップリングとの間で移送されるとき、ポリッシ
ング対象物はウエハトレイとトップリングとの間で移送
される。それゆえ、ウエハトレイは移送時の衝撃を吸収
でき、ポリッシング対象物の移送速度を増加させること
ができ、ポリッシング対象物のスループットを上昇させ
ることができる。また、反転機からトップリングへのウ
エハの移載をリニアトランスポータの各ステージに着脱
自在に保持したトレイを介して行うことで、例えば、リ
フタとリニアトランスポータとの間、リニアトランスポ
ータとプッシャーとの間でのウエハの移し替えをなくし
て、発塵や把持ミスに伴う損傷を防止することができ
る。
【0178】さらに、複数のトレイを研磨前のポリッシ
ング対象物を保持するロード専用のトレイと、研磨後の
ポリッシング対象物を保持するアンロード専用のトレイ
に2分することで、研磨前のウエハはプッシャーからで
なく、ロード専用のトレイからトップリングへ受け渡さ
れ、又、研磨後のウエハはトップリングからプッシャー
にではなくアンロード専用のトレイに受け渡される。従
って、トップリングへのウエハのロードとトップリング
からのウエハのアンロードが、別の治具(又は部材)で
行われるため、研磨後のウエハに付着した砥液等がロー
ドとアンロード共通のウエハの支持部材に付着、固化し
て砥液等が研磨前のウエハに傷つけたり、又、付着する
といった問題点を解決できる。
【0179】
【発明の効果】本発明によれば、同一の装置で、様々な
ポリッシング工程に応じた必要な洗浄工程の洗浄段数を
単位設置面積あたりの処理能力を落すこと無く確保し、
各洗浄工程における洗浄プロセス時間を短時間に抑える
ように、長い時間を必要とする洗浄工程を2台以上の洗
浄装置に分けて処理するように、搬送ルートを変えるこ
とで単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を増加させることができる。また、本
発明によれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を
トップリングに搬送する時間を短縮することが可能とな
り、単位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数
(スループット)を飛躍的に増加させることができる。
【0180】本発明によれば、研磨後のポリッシング対
象物を洗浄工程を経る間に待機させることができるた
め、洗浄プロセス時間が異なる複数の洗浄工程を複数の
ポリッシング対象物について並列して行う場合に対応す
ることができる。即ち、複数の洗浄工程のうち、長い方
の洗浄工程によってルートがふさがれることなく、それ
ぞれの洗浄工程に絶えず処理するポリッシング対象物を
供給できる。また、本発明によれば、洗浄度が異なる各
部屋が隔壁によって仕切られているため、汚染された部
屋の雰囲気が他の清浄な部屋に流入して清浄度を低下さ
せる恐れがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るポリッシング装
置の各部の配置構成を示す平面図である。
【図2】トップリングと研磨テーブルとの関係を示す図
である。
【図3】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
【図4】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
【図5】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
【図6】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
【図7】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。
【図8】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図で
ある。
【図9】図1に示すポリッシング装置によってウエハの
ポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図で
ある。
【図10】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
【図11】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
【図12】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
【図13】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
【図14】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の他の例を示す模式的工程図
である。
【図15】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図16】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図17】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図18】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図19】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図20】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図21】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図22】図1に示すポリッシング装置によってウエハ
のポリッシングを行う場合の更に他の例を示す模式的工
程図である。
【図23】図23(a)および図23(b)はロードア
ンロード部を示す図であり、図23(a)は正面図、図
23(b)は側面図である。
【図24】ロードアンロード部の他の例を示す図であ
る。
【図25】洗浄室の気流構成を示す模式図である。
【図26】搬送ロボットを示す側面図である。
【図27】搬送ロボットを示す斜視図である。
【図28】ウエハステーションを示す図であり、図28
(a)は正面図、図28(b)は側面図、図28(c)
は図28(a)のI矢視図、図28(d)は図28
(a)のII矢視図、図28(e)は図28(a)のIII
矢視図である。
【図29】反転機を示す図であり、図29(a)は平面
図、図29(b)は一部断面された側面図である。
【図30】リフタを示す縦断面図である。
【図31】ロータリトランスポータを示す平面図であ
る。
【図32】ロータリトランスポータを示す縦断面図であ
る。
【図33】プッシャーの縦断面図である。
【図34】プッシャーの動作説明図である。
【図35】トップリングの構造を示す部分的に断面され
た側面図である。
【図36】ドレッサを示す縦断面図であり、ダイヤモン
ドドレッサを示す。
【図37】ドレッサを示す縦断面図であり、ブラシドレ
ッサを示す。
【図38】第2の研磨テーブルのドレッサの構造を示す
縦断面図である。
【図39】第2の研磨テーブルのドレッサの側面図を示
す。
【図40】回転型研磨テーブルを示す正面図である。
【図41】スクロール型研磨テーブルを示す縦断面図で
ある。
【図42】図42(a)は図41のP−P線断面図であ
り、図42(b)は図42(a)のX−X線断面図であ
る。
【図43】オーバーハング型研磨テーブルを示す縦断面
図である。
【図44】砥液供給ノズルを示す図であり、図44
(a)は砥液供給ノズルの平面図であり、図44(b)
は砥液供給ノズルの部分断面を有する側面図である。
【図45】砥液供給ノズルを示す図であり、砥液供給ノ
ズルの研磨テーブルに対する位置を示したものである。
【図46】研磨砥液供給方式を示す模式図である。
【図47】研磨砥液供給方式を示す模式図である。
【図48】研磨砥液供給方式を示す模式図である。
【図49】本発明の第2の実施形態に係るポリッシング
装置の各部の配置構成を示す平面図である。
【図50】図49に示すポリッシング装置の斜視図であ
る。
【図51】トップリングと研磨テーブルとの関係を示す
図である。
【図52】リニアトランスポータとリフタとプッシャー
を示す斜視図である。
【図53】ガイド付エアシリンダを示す図であり、図5
3(a)は斜視図、図53(b)は図53(a)の要部
を示す部分断面を有した平面図である。
【図54】リニアトランスポータの全体構成を示す図で
あり、図54(a)は平面図、図54(b)は図54
(a)のA矢視図、図54(c)は図54(a)のB矢
視図である。
【図55】図54に示すリニアトランスポータの斜視図
である。
【図56】リニアトランスポータと反転機およびリニア
トランスポータとトップリングとの半導体ウエハの受け
渡しを説明するための模式図である。
【符号の説明】
1 ウエハカセット 2 ロードアンロードステージ 3 走行機構 4,20,21 搬送ロボット 5,6,22,23 洗浄機 5a,6a,11,22a,23a,25,26,5
2,77,357シャッター 7,8 ドライステーション 9,10 ウエットステーション 14,15,16,24,47,358 隔壁 27 ロータリトランスポータ 27A,27B リニアトランスポータ 28,28’ 反転機 29,29’ リフタ 30,30’ プッシャー 31 トップリングヘッド 32,33 トップリング 34,35,36,37,755 研磨テーブル 38,39,48,49,3000 ドレッサ 40,41 砥液供給ノズル 43,43’,3020 水桶 44,45 アトマイザー 46 ハウジング 50 ウエハステーション 51 揺動アーム 60 トップリング洗浄ノズル 71,72,73,74,237,351,354
透過型光センサ 75,76,100,101,203 リンスノズル 78,79 ガイドブロック 80,80’,3061 ポリッシャーパン 81,232,261,313,3008,3016,
3053,3054シリンダ 91 トップリング駆動軸 92,95,98,3013,3051 回転軸 93 ドレッサ駆動軸 96 ドレッサ固定機構 94,97 ドレッサヘッド 98 揺動軸 101 ウエハ 103,301 ガイドリング 104,402,404 モータハウジング 120 θ軸 121 R1,R2軸 122 Z軸 123 X軸 124 ロボットボディ 125 上ハンド 126 下ハンド 140 中空シャフト 141 ガイドステージ 142 スプラインシャフト 143,143’ プッシュステージ 144 フローティングジョイント 145,146 エアシリンダ 147,150 スライドブッシュ 148 トップリングガイド 149 リニアウェイ 151,3058 ベアリングケース 152,159,233 圧縮バネ 153 ガイドスリーブ 154 センタスリーブ 155 Vリング 156 ショックキラー 160 プッシュロッド 180 位置決め用テーパ 190 フィルタ 191 ファン 192 ダンパ 193 ダクト 194 フィルタファンユニット 195 吸入口(開口部) 197 個別排気 198 機構 201 ウエハ載置用ピン 202 テーパ 204 セパレータ 205 サーボモータ 206 原点センサ 210,211,212,213,216,260,3
66,901,902ステージ 230 アーム 231 コマ 234,262,752 シャフト 235,264 ストッパ 236 エンドブロック 237 センサ 238,240,3005,3011 プーリ 239 ステッピングモータ 241,312 ベルト 250 ウエハ有無センサ 250a 投光側 250b 受光側 263 爪 265 ストッパベース 266,267,3064 センサ 300 トップリング本体 302 バッキングフィルム 303 貫通穴 304 取付けフランジ 305 球 306 旋回アーム 309,401,633,750,3014 モータ 310 駆動プーリ 311 従動プーリ 314,371,3019 駆動フランジ 316 回転継手 352 サーチ機構 353 ダミーウエハステーション 355 駆動源(パルスモータ) 356 ウエハサーチセンサ 360 扉 361 開閉判別用センサ 362 昇降機構 363 底板 364 装置内部 365 装置外の雰囲気 367 箱 370 ドレッサプレート 373 ダイヤモンド粒 374 ブラシ 376 防水キャップ 377 Vリング 378,701,710 ラビリンス 403,706,709 ハウジング 405 ロータリージョイント 420,421,424,425,426,440,4
41 バルブ 430,432 ポンプ 501,502,503,504,505 スプレー
ノズル 634 ケーシング 635 支持板 636 支持部 637 定盤 638,639,648,760,761 凹所 640,641,753,762,763,3006,
3057 ベアリング 642,643,764,765 軸体 644 連結部材 645 主軸 646 駆動端 647,650,651,3032 軸受 649 モータ室 652a,652b,767 バランサ 653,654 板状部材 655 研磨液空間 656 研磨液供給口 657,658 研磨液吐出孔 659 研磨パッド 661 回転槽 700 定盤 702,703 Oリング 707 ドグ 708 近接スイッチ 709 ポート 751 上部フランジ 754 セットリング 757,768 貫通孔 758 支持部 759 テーブル 766 支持部材 769 フリンガー 770 樋 790 ボルト 791 継ぎ手 810,3050 液体供給アーム 812 スライド機構 813 ボックスカバー 814 ステー 815 ディテント機構 819 下面 821 開口 823 ノズル 824 コネクタ 825 供給チューブ 840 ノズルアセンブリ 840a ノズル設定部材 850 揺動軸 903,904 サポート 905,906 ガイド付エアシリンダ 908 スライダ 909 ガイドレール 910 マグネット型シリンダ 911 ガイドパイプ 912 ピストン 920 ピン 921 支持プレート 925 ウエハトレイ 926 ウエハ保持面 3002 ブラシ固定座 3007 ブラケット 3010 ガイド 3012 タイミングベルト 3017 クランク 3018 スライダ 3021 上昇端センサ 3022 下降端センサ 3024 終端センサ 3026,3027 保護外装 3028 ロータリボールスプライン 3029 スプライン外輪 3030 フランジ外輪 3031 ドレッシング剤供給口 3052 揺動アーム 3055 ベース 3056 シリンダブラケット 3059 アーム本体 3060 フリンガー 3062 インシロック 3063 チューブ 3065 ドグ 3066,3067,3068,3069 位置セン
サ 3070 飛散防止カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 644 H01L 21/304 644C 651 651B B24B 37/04 B24B 37/04 Z H01L 21/68 H01L 21/68 A (72)発明者 高田 暢行 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 若林 聡 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 斎藤 賢一郎 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 関本 雅彦 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 葉山 卓児 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 古賀 大輔 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内

Claims (46)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
    を前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄
    装置と、 前記3台以上の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象
    物を搬送する搬送機構とを備え、 前記搬送機構は前記3台以上の洗浄装置間における搬送
    ルートを変更可能であることを特徴とするポリッシング
    装置。
  2. 【請求項2】 前記3台以上の洗浄装置は、研磨後の各
    ポリッシング対象物を3段以上の段数の洗浄工程が可能
    であることを特徴とする請求項1記載のポリッシング装
    置。
  3. 【請求項3】 前記搬送機構は研磨後のポリッシング対
    象物を並列した2つの搬送ルートで洗浄装置間を搬送可
    能であり、前記3台以上の洗浄装置は、研磨後のポリッ
    シング対象物を2段以上の段数の洗浄工程が可能である
    ことを特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。
  4. 【請求項4】 前記洗浄装置の少なくとも2台は、ポリ
    ッシング対象物を回転させて乾燥させるスピンドライ機
    能を有することを特徴とする請求項1記載のポリッシン
    グ装置。
  5. 【請求項5】 研磨面を有した複数の研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
    を前記研磨面に押圧する複数のトップリングと、 前記複数のトップリングが到達可能な位置に設置され、
    回転中心から所定円周上に位置しポリッシング対象物を
    保持する複数の部分を有し、かつこの複数の部分におけ
    るポリッシング対象物の入れ換えを行う機能を有するロ
    ータリトランスポータと、 前記ロータリトランスポータとトップリングとの間でポ
    リッシング対象物を受け渡しするプッシャーと、 前記ロータリトランスポータとの間でポリッシング対象
    物を受け渡し可能であるとともにポリッシング対象物を
    反転する機能を有する反転機とを備えたことを特徴とす
    るポリッシング装置。
  6. 【請求項6】 前記複数のトップリングの各々は、回転
    軸を中心として揺動することにより、少なくとも1つの
    研磨テーブルとロータリトランスポータの上方とに移動
    することができることを特徴とする請求項5記載のポリ
    ッシング装置。
  7. 【請求項7】 前記複数のトップリングの各々は、回転
    軸を中心として揺動することにより、2つの研磨テーブ
    ルの上方に移動することができることを特徴とする請求
    項6記載のポリッシング装置。
  8. 【請求項8】 前記複数の研磨テーブルの1つはスクロ
    ール型研磨テーブルであることを特徴とする請求項5記
    載のポリッシング装置。
  9. 【請求項9】 前記複数の研磨テーブルは各々専用のド
    レッサーを具備し、かつ該ドレッサーをクリーニングす
    る機構も具備していることを特徴とする請求項5記載の
    ポリッシング装置。
  10. 【請求項10】 前記トップリングは、研磨終了後に研
    磨テーブルから離間したオーバーハング位置に揺動し、
    この状態で研磨テーブルに隣接して設置されたノズルか
    らトップリングに保持されたポリッシング対象物に洗浄
    液を供給することを特徴とする請求項5記載のポリッシ
    ング装置。
  11. 【請求項11】 前記ロータリトランスポータの複数の
    部分は、研磨前のウエハを保持するロード用置き台と、
    研磨後のウエハを保持するアンロード用置き台とからな
    ることを特徴とする請求項5又は6記載のポリッシング
    装置。
  12. 【請求項12】 前記反転機はロータリトランスポータ
    の上方又は下方に位置しており、反転機とロータリトラ
    ンスポータ間におけるポリッシング対象物の受け渡し
    は、ポリッシング対象物を保持して昇降するリフタによ
    り行うことを特徴とする請求項5記載のポリッシング装
    置。
  13. 【請求項13】 前記反転機は研磨後のポリッシング対
    象物を反転して被研磨面を上方に向け、その後、被研磨
    面が上向きの状態でポリッシング対象物が洗浄されるこ
    とを特徴とする請求項5乃至12のいずれか1項に記載
    のポリッシング装置。
  14. 【請求項14】 ポリッシング対象物の研磨を行う研磨
    部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する洗浄部と、 研磨前および研磨後のポリッシング対象物を反転する反
    転機とを備え、 前記研磨部ではポリッシング対象物の被研磨面を下向き
    にした状態で処理し、前記洗浄部ではポリッシング対象
    物の被研磨面を上向きにした状態で処理することを特徴
    とするポリッシング装置。
  15. 【請求項15】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持しかつポリッシング対象物を
    前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
    と、 前記複数の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象物を
    搬送する搬送機構と、 前記複数の洗浄装置を経由してポリッシング対象物が複
    数段の洗浄工程を経る間にポリッシング対象物を待機さ
    せるための置き台を具備したステーションとを備えたこ
    とを特徴とするポリッシング装置。
  16. 【請求項16】 前記ステーションは、待機中のポリッ
    シング対象物に乾燥防止用の洗浄液を供給するノズルを
    備えることを特徴とする請求項15記載のポリッシング
    装置。
  17. 【請求項17】 前記ステーションは、前記研磨テーブ
    ルと複数のポリッシング対象物を収容したカセットとの
    間に配置され、前記ステーションは、研磨前のポリッシ
    ング対象物を前記研磨テーブルに搬送する前に待機させ
    るための置き台を備えることを特徴とする請求項15記
    載のポリッシング装置。
  18. 【請求項18】 前記ステーションは、研磨後のポリッ
    シング対象物を前記カセットに収容する前に待機させる
    ための置き台を備えることを特徴とする請求項17記載
    のポリッシング装置。
  19. 【請求項19】 前記ステーションは、前記カセット側
    の領域と前記洗浄装置側の領域を仕切るためのシャッタ
    ーを備えていることを特徴とする請求項17に記載のポ
    リシング装置。
  20. 【請求項20】 前記置き台は、研磨前のポリッシング
    対象物を待機させる置き台と研磨後のポリッシング対象
    物を待機させる置き台とに分けられていることを特徴と
    する請求項15乃至19のいずれか1項に記載のポリシ
    ング装置。
  21. 【請求項21】 前記研磨前のポリッシング対象物を待
    機させる置き台を2個以上具備し、前記研磨後のポリッ
    シング対象物を待機させる置き台を2個以上具備し、前
    記研磨前のポリッシング対象物を待機させる少なくとも
    2個の置き台が重なることなく左右に設置され、その下
    方に前記研磨後のポリッシング対象物を待機させる2個
    以上の置き台が設置されていることを特徴とする請求項
    18記載のポリッシング装置。
  22. 【請求項22】 前記研磨後のポリッシング対象物を待
    機させる2個以上の置き台は、2台の搬送ロボットの搬
    送可能領域の交点に上下に位置していることを特徴とす
    る請求項21記載のポリッシング装置。
  23. 【請求項23】 前記研磨後のポリッシング対象物を待
    機させる2個以上の置き台は上下に位置し、上側の置き
    台には少なくとも一度洗浄したポリッシング対象物を待
    機させ、下側の置き台には洗浄前のポリッシング対象物
    を待機させることを特徴とする請求項21記載のポリッ
    シング装置。
  24. 【請求項24】 研磨すべきポリッシング対象物を供給
    するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れる
    ロードアンロード部と、 ポリッシング対象物の研磨を行う研磨部と、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する洗浄部とを備
    え、 前記ロードアンロード部、研磨部および洗浄部は、それ
    ぞれポリッシング対象物を通過させるための開口を備え
    た隔壁によって仕切られた部屋に収容されていることを
    特徴とするポリッシング装置。
  25. 【請求項25】 前記各隔壁の開口部には、開閉可能な
    シャッタが設けられていることを特徴とする請求項24
    記載のポリッシング装置。
  26. 【請求項26】 前記各部屋の気圧は独立に制御可能で
    あることを特徴とする請求項24記載のポリッシング措
    置。
  27. 【請求項27】 前記研磨部は複数個あり、各研磨部は
    相互に隔壁で仕切られていることを特徴とする請求項2
    4記載のポリッシング装置。
  28. 【請求項28】 前記研磨部の少なくとも1つを使用し
    てポリッシング装置を運転中に他の研磨部のメンテナン
    スが可能であることを特徴とする請求項27記載のポリ
    ッシング装置。
  29. 【請求項29】 前記洗浄部はポリッシング対象物を洗
    浄する複数の洗浄装置を備え、 前記洗浄装置の少なくとも1つを使用してポリッシング
    装置を運転中に他の洗浄装置のメンテナンスが可能であ
    ることを特徴とする請求項24記載のポリッシング装
    置。
  30. 【請求項30】 前記ロードアンロード部は、複数のポ
    リッシング対象物を収容するためのカセットを複数個載
    置可能であり、前記ロードアンロード部は載置された各
    カセットを仕切るための隔壁を備えていることを特徴と
    する請求項24記載のポリッシング措置。
  31. 【請求項31】 前記ロードアンロード部は4個以上の
    前記カセットを載置可能であり、少なくとも2個のカセ
    ット内のポリッシング対象物が並行して処理可能である
    ことを特徴とする請求項30記載のポリッシング装置。
  32. 【請求項32】 研磨面を有した複数の研磨テーブル
    と、 ポリッシング対象物を保持しかつポリッシング対象物を
    前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
    と、 ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを備え、 前記複数の研磨テーブルの研磨面は、粗研磨を行う研磨
    面と仕上げ研磨を行う研磨面から構成されていることを
    特徴とするポリッシング装置。
  33. 【請求項33】 前記複数の研磨テーブルの研磨面の少
    なくとも1つは、研磨パッドで構成され、他の少なくと
    も1つは砥石で構成されていることを特徴とする請求項
    32記載のポリシング装置。
  34. 【請求項34】 前記複数の研磨テーブルは、直径の異
    なった少なくとも2種類の研磨テーブルを含むことを特
    徴とする請求項32記載のポリッシング装置。
  35. 【請求項35】 前記砥石からなる研磨面でポリッシン
    グ対象物の第1段の研磨を行った後に、前記研磨パッド
    からなる研磨面で第1段研磨が終了したポリッシング対
    象物の第2段の研磨を行うことを特徴とする請求項33
    記載のポリッシング装置。
  36. 【請求項36】 研磨すべきポリッシング対象物を供給
    するとともに研磨後のポリッシング対象物を受け入れる
    ロードアンロード部と、 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持し、かつポリッシング対象物
    を前記研磨面に押圧するトップリングと、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する3台以上の洗浄
    装置と、 ポリッシング対象物を搬送する搬送機構とを備え、 前記3台以上の洗浄装置の少なくとも2台は、同一洗浄
    機能を有することを特徴とするポリッシング装置。
  37. 【請求項37】 前記搬送機構は複数のロボットからな
    り、前記ロードアンロード部に載置されたカセットとの
    間でポリッシング対象物を受け渡しするロボットは2つ
    のハンドを具備し、一方のハンドはポリッシング対象物
    を真空吸着する吸着型ハンドであり、他方のハンドはポ
    リッシング対象物の周縁部を保持する落し込み型ハンド
    であり、前記吸着型ハンドはカセットよりポリッシング
    対象物を受け取るときに使用され、前記落し込み型ハン
    ドはカセットにポリッシング対象物を戻すときに使用さ
    れることを特徴とする請求項36記載のポリッシング装
    置。
  38. 【請求項38】 前記搬送機構は複数のロボットからな
    り、少なくとも1つのロボットは上下に配置された2つ
    のハンドを具備し、上側のハンドは一度洗浄されたポリ
    ッシング対象物を保持し、下側のハンドは一度も洗浄さ
    れていないポリッシング対象物及び研磨前のポリッシン
    グ対象物を保持することを特徴とする請求項36記載の
    ポリッシング装置。
  39. 【請求項39】 前記洗浄装置の少なくとも2台は、ポ
    リッシング対象物の両面洗浄が可能であることを特徴と
    する請求項36記載のポリッシング装置。
  40. 【請求項40】 ポリッシング対象物を待機させる置き
    台を備え、前記吸着型ハンドはポリッシング対象物を保
    持した状態で前記置き台の上方に位置した後に、真空を
    破壊してポリッシング対象物を前記置き台のガイドによ
    りポリッシング対象物の求芯を行って置き台に受け渡す
    ことを特徴とする請求項37記載のポリシング装置。
  41. 【請求項41】 研磨面を有した研磨テーブルと、 ポリッシング対象物を保持しポリッシング対象物を前記
    研磨面に押圧するトップリングと、 前記ポリッシング対象物を載置するとともに移動可能な
    複数の置き台を備えた搬送機構と、 前記置き台とトップリングとの間でポリッシング対象物
    を受け渡しするプッシャーと、 前記置き台との間でポリッシング対象物を受け渡し可能
    であるとともにポリッシング対象物を反転する機能を有
    する反転機とを備えたことを特徴とするポリッシング装
    置。
  42. 【請求項42】 前記搬送機構は、前記トップリングが
    到達可能な位置に設置され、回転中心から所定円周上に
    位置しポリッシング対象物を保持する複数の置き台を有
    し、かつこの複数の置き台の割り出しを行うインデック
    ス機能を有するロータリトランスポータからなることを
    特徴とする請求項41記載のポリッシング装置。
  43. 【請求項43】 前記搬送機構は、前記トップリングが
    到達可能な位置に設置され、直線往復移動可能な複数の
    置き台を有するリニアトランスポータからなることを特
    徴とする請求項41記載のポリッシング装置。
  44. 【請求項44】 前記トップリングは、回転軸を中心と
    して揺動することにより、少なくとも1つの研磨テーブ
    ルと前記搬送機構の置き台の上方とに移動することがで
    きることを特徴とする請求項41乃至43のいずれか1
    項に記載のポリッシング装置。
  45. 【請求項45】 前記複数の置き台は、移動時に相互に
    干渉しないように異なった高さに位置していることを特
    徴とする請求項41乃至44のいずれか1項に記載のポ
    リッシング装置。
  46. 【請求項46】 前記搬送機構の置き台は、研磨前のポ
    リッシング対象物を保持するロード用置き台と、研磨後
    のポリッシング対象物を保持するアンロード用置き台と
    からなることを特徴とする請求項41乃至45のいずれ
    か1項に記載のポリッシング装置。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086545A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd 加工歪除去装置
JP2004327970A (ja) * 2003-03-28 2004-11-18 Integrated Dynamics Engineering Gmbh ウェハ移送用高速交換ステーション
WO2006115277A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法
JP2007067179A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム
KR100757138B1 (ko) 2006-07-27 2007-09-10 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 린스유닛을 폴리싱 헤드에 장착한 화학적기계적연마장치 및 웨이퍼 린스방법
US7645185B2 (en) 2002-03-29 2010-01-12 Ebara Corporation Substrate delivery mechanism
JP2010050436A (ja) * 2008-07-24 2010-03-04 Ebara Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2013254964A (ja) * 2008-01-23 2013-12-19 Ebara Corp 基板処理装置及び該基板処理装置の運転方法
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
KR20160040428A (ko) 2014-10-03 2016-04-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 처리 방법
JP2017147334A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社荏原製作所 基板の裏面を洗浄する装置および方法
KR20170114946A (ko) 2016-04-04 2017-10-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법
KR20180123805A (ko) * 2017-05-10 2018-11-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법
US10183374B2 (en) 2014-08-26 2019-01-22 Ebara Corporation Buffing apparatus, and substrate processing apparatus
US10340159B2 (en) 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
US10343192B2 (en) 2017-04-03 2019-07-09 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10651057B2 (en) 2017-05-01 2020-05-12 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR20210030331A (ko) * 2014-08-26 2021-03-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
CN114400154A (zh) * 2022-01-24 2022-04-26 淮安永捷电子科技有限公司 一种片式电容器件的表面处理设备及处理方法
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
CN117106542A (zh) * 2023-09-01 2023-11-24 罗定市丰智昌顺科技有限公司 一种食醋固态发酵设备的酸度实时监测***
CN117276161A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 和研半导体设备(沈阳)有限公司 一种晶圆加工***及方法

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086545A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd 加工歪除去装置
KR100956671B1 (ko) * 2002-03-29 2010-05-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판이송기구
US7645185B2 (en) 2002-03-29 2010-01-12 Ebara Corporation Substrate delivery mechanism
JP2004327970A (ja) * 2003-03-28 2004-11-18 Integrated Dynamics Engineering Gmbh ウェハ移送用高速交換ステーション
WO2006115277A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法
US8118640B2 (en) 2005-04-21 2012-02-21 Ebara Corporation Wafer transferring apparatus, polishing apparatus, and wafer receiving method
JP2007067179A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システム
KR100757138B1 (ko) 2006-07-27 2007-09-10 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 린스유닛을 폴리싱 헤드에 장착한 화학적기계적연마장치 및 웨이퍼 린스방법
JP2013254964A (ja) * 2008-01-23 2013-12-19 Ebara Corp 基板処理装置及び該基板処理装置の運転方法
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US11426834B2 (en) 2008-06-04 2022-08-30 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US9358662B2 (en) 2008-06-04 2016-06-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US9687957B2 (en) 2008-06-04 2017-06-27 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US10486285B2 (en) 2008-06-04 2019-11-26 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
JP2010050436A (ja) * 2008-07-24 2010-03-04 Ebara Corp 基板処理装置および基板処理方法
US10340159B2 (en) 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
US10183374B2 (en) 2014-08-26 2019-01-22 Ebara Corporation Buffing apparatus, and substrate processing apparatus
KR102326734B1 (ko) * 2014-08-26 2021-11-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
US11731240B2 (en) 2014-08-26 2023-08-22 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
KR20210030331A (ko) * 2014-08-26 2021-03-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
KR20160040428A (ko) 2014-10-03 2016-04-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 처리 방법
KR20210007008A (ko) 2014-10-03 2021-01-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 처리 방법
JP2017147334A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社荏原製作所 基板の裏面を洗浄する装置および方法
KR20170114946A (ko) 2016-04-04 2017-10-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법
US10816259B2 (en) 2016-04-04 2020-10-27 Ebara Corporation Substrate transport apparatus, substrate processing apparatus, and dew condensation suppression method
US10343192B2 (en) 2017-04-03 2019-07-09 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10926301B2 (en) 2017-04-03 2021-02-23 Ebara Corporation Liquid supplying device and liquid supplying method
US10651057B2 (en) 2017-05-01 2020-05-12 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR102135060B1 (ko) 2017-05-10 2020-07-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법
KR20180123805A (ko) * 2017-05-10 2018-11-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법
WO2022103528A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Substrate handling in a modular polishing system with single substrate cleaning chambers
CN114400154A (zh) * 2022-01-24 2022-04-26 淮安永捷电子科技有限公司 一种片式电容器件的表面处理设备及处理方法
CN117106542A (zh) * 2023-09-01 2023-11-24 罗定市丰智昌顺科技有限公司 一种食醋固态发酵设备的酸度实时监测***
CN117106542B (zh) * 2023-09-01 2024-05-14 罗定市丰智昌顺科技有限公司 一种食醋固态发酵设备的酸度实时监测***
CN117276161A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 和研半导体设备(沈阳)有限公司 一种晶圆加工***及方法
CN117276161B (zh) * 2023-11-22 2024-02-02 和研半导体设备(沈阳)有限公司 一种晶圆加工***及方法

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