JP2001134217A - Driving device for organic el element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）素子を駆動するための駆動装置に関
する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a driving apparatus for driving an organic electroluminescence (EL) element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年において、有機ＥＬ素子を用いた表
示装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数使用した
有機ＥＬ素子装置をアクティブマトリックス回路により
駆動する場合、各ＥＬのピクセル（画素）には、このビ
クセルに対して供給する電流を制御するための薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）の如きＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）が一組ずつ接続されている。すなわち有機ＥＬ素子
に駆動電流を流すバイアス用のＴＦＴと、そのバイアス
用ＴＦＴを選択すべきかを示すスイッチ用のＴＦＴが一
組ずつ接続されている。2. Description of the Related Art In recent years, display devices using organic EL elements have been developed. When an organic EL device using a large number of organic EL devices is driven by an active matrix circuit, each EL pixel has an FET such as a thin film transistor (TFT) for controlling a current supplied to the pixel. (Field effect transistors) are connected one by one. That is, a pair of a bias TFT for passing a drive current to the organic EL element and a switch TFT for indicating whether the bias TFT should be selected are connected one by one.
【０００３】従来のアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌ表示装置の回路図の一例を図１３，１４に示す。この
有機ＥＬ表示装置５０は、画面５１と、この画面５１を
駆動するためのＸ方向信号線Ｘ１，Ｘ２…、Ｙ方向信号
線Ｙ１，Ｙ２…、電源Ｖｄｄ線Ｖdd１，Ｖdd２…、スイ
ッチ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１，１２、Ｔｙ２１，
２２…、電流制御用ＴＦＴトランジスタＭ１１，１２、
Ｍ２１，２２…、有機ＥＬ素子ＥＬ１１０，１２０、Ｅ
Ｌ２１０，２２０…、コンデンサＣ１１，１２、Ｃ２
１，２２…、Ｘ方向周辺駆動回路（シフトレジスタＸ
軸）５２，Ｙ方向周辺駆動回路（シフトレジスタＹ軸）
５３等により構成される。Conventional active matrix type organic E
One example of a circuit diagram of the L display device is shown in FIGS. The organic EL display device 50 includes a screen 51, X-direction signal lines X1, X2,..., Y-direction signal lines Y1, Y2,..., Power supply Vdd lines Vdd1, Vdd2,. Ty11, 12, Ty21,
22,..., Current control TFT transistors M11, M12,
M21, 22,..., Organic EL elements EL110, 120, E
L210, 220 ..., capacitors C11, 12, C2
.., X-direction peripheral driving circuit (shift register X
Axis) 52, Y direction peripheral drive circuit (shift register Y axis)
53 and the like.
【０００４】Ｘ方向信号線Ｘ１，Ｘ２、Ｙ方向信号線Ｙ
１，Ｙ２により画素が特定され、その画素においてスイ
ッチ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１，１２、Ｔｙ２１，
２２がオンにされてその信号保持用コンデンサＣ１１，
１２、Ｃ２１，２２に画像データが保持される。これに
より、電流制御用のＴＦＴのＴＦＴトランジスタＭ１
１，１２、Ｍ２１，２２がオンにされ、電源線Ｖdd１、
Ｖdd２により有機ＥＬ素子ＥＬ１１０，１２０、ＥＬ２
１０，２２０に画像データに応じたバイアス用の電流が
流れ、これが発光される。[0004] X direction signal lines X1, X2, Y direction signal line Y
1, Y2, a pixel is specified, and the switching TFT transistors Ty11, Ty12, Ty21,
22 is turned on and its signal holding capacitor C11,
12, C21 and C22 hold image data. Thereby, the TFT transistor M1 of the current control TFT is used.
1,12, M21,22 are turned on, and the power supply lines Vdd1,
The organic EL elements EL110, 120, EL2
A bias current corresponding to the image data flows through 10, 220, which emits light.
【０００５】例えばｘ方向信号線Ｘ１に画像データに応
じた信号が出力され、Ｙ方向信号線Ｙ１にＹ方向走査信
号が出力されると、これにより特定された画素のスイッ
チ用ＴＦＴトランジスタＴｙ１１がオンになり、画像デ
ータに応じた信号により電流制御用ＴＦＴトランジスタ
Ｍ１１が導通されて有機ＥＬ素子えＬ１１０に、この画
像データに応じた発光電流が流れ、発光制御される。こ
のように、画素毎に、薄膜型のＥＬ素子と、前記ＥＬ素
子の発光制御用の電流制御用ＴＦＴトランジスタと、前
記電流制御用ＴＦＴトランジスタのゲート電極に接続さ
れた信号保持用のコンデンサと、前記キャパシタへのデ
ータ書き込み用のスイッチ用のＴＦＴトランジスタ等を
有するアクティブマトリックス型ＥＬ画像表示装置にお
いて、ＥＬ素子の発光強度は、信号保持用のキャパシタ
に蓄積された電圧によって制御された発光電流制御用の
非線形素子であるＴＦＴトランジスタに流れる電流で決
定される(A66-in 201pi Electroluminescent Display
T.P.Brody、F.C.Luo、et.al、IEEE Trans ElectronI)evice
s、Vol. ED-22、No. 9、Sep. 1975, P739~P749参照）。For example, when a signal corresponding to image data is output to the x-direction signal line X1 and a Y-direction scanning signal is output to the Y-direction signal line Y1, the switching TFT transistor Ty11 of the specified pixel is turned on. Then, the current control TFT transistor M11 is turned on by a signal corresponding to the image data, and a light emission current corresponding to the image data flows through the organic EL element L110 to control light emission. As described above, for each pixel, a thin-film EL element, a current control TFT transistor for emission control of the EL element, a signal holding capacitor connected to the gate electrode of the current control TFT transistor, In an active matrix EL image display apparatus having a TFT transistor for switching data for writing to the capacitor, the emission intensity of the EL element is controlled by a voltage stored in a capacitor for holding a signal. (A66-in 201pi Electroluminescent Display)
TPBrody, FCLuo, et.al, IEEE Trans ElectronI) evice
s, Vol. ED-22, No. 9, Sep. 1975, P739 to P749).
【０００６】このとき、使用される信号保持用のコンデ
ンサの容量は、微少な選択時間内で画素スイッチＴＦＴ
トランジスタが十分に電荷を充電できる容量以下であ
り、また、この画素スイッチＴＦＴトランジスタの非選
択時のリーク電流が次の書き込み時間まで失わせる電荷
により発生するコンデンサの保持電圧の低下が表示パネ
ルの画像に悪影響を与えない容量以上であることが求め
られる。At this time, the capacity of the used capacitor for holding the signal is changed within a very short selection time.
The capacity of the transistor is less than the capacity that can sufficiently charge the charge. Also, the decrease in the holding voltage of the capacitor caused by the charge that causes the leakage current when the pixel switch TFT transistor is not selected to be lost until the next writing time is due to the image on the display panel It is required that the capacity is not less than the capacity that does not adversely affect the performance.
【０００７】ところで、通常アクティブマトリクスの表
示装置は、例えば、図１５や図１６に示すような回路構
成要素を有している。ここで図１５は、選択回路に用い
られているシフトレジスターの基本単位を構成するイン
バータＭ３１，Ｍ３２であり、図１６は有機ＥＬ素子Ｄ
１を駆動する選択トランジスタＭ２３およびバイアスト
ランジスタＭ２２である。これらのトランジスタは、図
１５に示した例ではＰ型トランジスタＭ３１とＮ型トラ
ンジスタＭ３２とのコンプリメンタリ回路であり、図１
６の例では有機ＥＬ素子Ｄ１を直接駆動するバイアスト
ランジスタＭ２３がＰ型である場合には、選択トランジ
スタＭ２２はＮ型となる。Incidentally, a display device of an ordinary active matrix usually has circuit components as shown in FIGS. 15 and 16, for example. FIG. 15 shows inverters M31 and M32 constituting a basic unit of the shift register used in the selection circuit, and FIG.
1 and a selection transistor M23 and a bias transistor M22. These transistors are complementary circuits of a P-type transistor M31 and an N-type transistor M32 in the example shown in FIG.
In the example of No. 6, when the bias transistor M23 for directly driving the organic EL element D1 is P-type, the selection transistor M22 is N-type.
【０００８】ところで、このような表示装置の構成回路
は、通常、１つの基板上に形成される。特に、選択トラ
ンジスタ、およびバイアストランジスタは、マトリクス
配置された有機ＥＬ素子に合わせて個々に形成、配置さ
れる。このため、トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するた
めの工程がＰ型、Ｎ型用にそれぞれ必要であり、製造工
程が長くなり複雑になるとともに、トランジスタ形成用
のマスクも多くなり、製造コストを引き上げる要因とな
っていた。By the way, such a constituent circuit of a display device is usually formed on one substrate. In particular, the selection transistor and the bias transistor are individually formed and arranged according to the organic EL elements arranged in a matrix. Therefore, a process for forming a transistor (TFT) is required for each of the P-type and the N-type, and the manufacturing process becomes longer and more complicated, and the number of masks for forming the transistor increases, which increases the manufacturing cost. Had become.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、比較
的簡単化かつ短い工程で製造でき、製造コストの低減が
可能な有機ＥＬ素子の駆動装置を実現することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic EL element driving device which can be manufactured in a relatively simple and short process and can reduce the manufacturing cost.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。 （１） マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子と、各
有機ＥＬ素子と接続され、これを直接駆動する第１のス
イッチング素子と、この第１のスイッチング素子を駆動
する第２のスイッチング素子と、前記各有機ＥＬ素子を
選択し、選択信号を与える選択回路とを有し、少なくと
も前記第１のスイッチング素子および第２のスイッチン
グ素子がＮ型またはＰ型のスイッチング素子のみにより
形成されている有機ＥＬ素子の駆動装置。 （２） さらに、前記選択回路を構成するスイッチング
素子が、第１のスイッチング素子および第２のスイッチ
ング素子と同一のＮまたはＰ型のスイッチング素子によ
り形成されている有機ＥＬ素子の駆動装置。 （３） 各スイッチング素子間の活性層の間隔が４μm
以下である部位を有する上記（１）または（２）の有機
ＥＬ素子。 （４） 前記スイッチング素子はＰ型で統一されている
上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素子。 （５） 前記スイッチング素子は、エンハンスメント型
である上記（１）〜（４）のいずれかの有機ＥＬ素子。That is, the above object is achieved by the following constitutions. (1) an organic EL element arranged in a matrix, a first switching element connected to each organic EL element and directly driving the organic EL element, a second switching element driving the first switching element, A selection circuit for selecting each of the organic EL elements and providing a selection signal, wherein at least the first switching element and the second switching element are formed by only N-type or P-type switching elements Device driving device. (2) A driving device for an organic EL element, wherein the switching elements forming the selection circuit are formed by the same N- or P-type switching elements as the first switching element and the second switching element. (3) The distance between the active layers between the switching elements is 4 μm
The organic EL device according to the above (1) or (2), having the following site. (4) The organic EL element according to any one of (1) to (3), wherein the switching element is a unified P-type. (5) The organic EL element according to any one of (1) to (4), wherein the switching element is an enhancement type.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置
は、マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子と、各有機
ＥＬ素子と接続され、これを直接駆動する第１のスイッ
チング素子と、この第１のスイッチング素子を駆動する
第２のスイッチング素子と、前記各有機ＥＬ素子を選択
し、選択信号を与える選択回路とを有し、少なくとも前
記第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素
子がＮ型またはＰ型のスイッチング素子みにより構成さ
れているものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic EL element driving apparatus according to the present invention comprises: an organic EL element arranged in a matrix; a first switching element connected to each organic EL element and directly driving the organic EL element; A second switching element that drives the first switching element; and a selection circuit that selects each of the organic EL elements and provides a selection signal, wherein at least the first switching element and the second switching element are N It is constituted by only a type or P type switching element.
【００１２】また、好ましくは、さらに、前記選択回路
を構成するスイッチング素子が、第１のスイッチング素
子および第２のスイッチング素子と同一のＮまたはＰ型
のスイッチング素子により構成されているものである。Preferably, the switching element forming the selection circuit is formed of the same N-type or P-type switching element as the first switching element and the second switching element.
【００１３】このように、第１のスイッチング素子と、
第２のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成
するスイッチング素子とをＰ型またはＮ型のみで構成す
ることにより、工程数が減り、製造工程が短縮化される
とともに、マスク枚数が減り、製造コストを格段に引き
下げることができる。Thus, the first switching element,
By forming the second switching element and preferably the switching element forming the selection circuit only with P-type or N-type, the number of steps is reduced, the number of manufacturing steps is shortened, and the number of masks is reduced. Costs can be significantly reduced.
【００１４】本発明の駆動装置は、主に上記第１のスイ
ッチング素子、第２のスイッチング素子、および選択回
路（シフトレジスター）を構成するスイッチング素子に
より構成されている。また、これ以外でも画素となる有
機ＥＬ素子を駆動するために必要とされる素子であれ
ば、いずれのものにも適用可能である。本発明の選択回
路（シフトレジスター）は、通常、入力信号（データ）
に応じてケタ上がり出力を発生しうるものであり、その
構成はいかなるものであってもよい。一般に、シフトレ
ジスターはフリップフロップの組み合わせにより構成さ
れる。なお、シフトレジスターは表示画面の行要素、ま
たは列要素を順次選択して時分割駆動するために用いら
れるものであり、これと同等の機能を有するものも本発
明の選択回路（シフトレジスター）に含まれる。The driving device according to the present invention mainly comprises the first switching element, the second switching element, and a switching element constituting a selection circuit (shift register). In addition, any other elements required for driving an organic EL element serving as a pixel can be applied. The selection circuit (shift register) according to the present invention generally includes an input signal (data)
, And an output can be generated, which may be of any configuration. Generally, a shift register is configured by a combination of flip-flops. Note that the shift register is used to sequentially select row elements or column elements of the display screen and perform time-division driving, and a shift register having a function equivalent thereto is also included in the selection circuit (shift register) of the present invention. included.
【００１５】一般に、ディスプレイの駆動装置は、構成
するトランジスタとしてＮ型とＰ型とを組み合わせる場
合が多い。これは、それぞれ最適な動作範囲で動作させ
たり、特性を向上させたりするためである。また、Ｐ型
またはＮ型のみのトランジスタで駆動装置を構成した場
合、消費電流が増大してしまい、電源などを強化する必
要が生じるためである。ところが、有機ＥＬ素子の場
合、電流駆動素子であるため、全体として消費する電流
が多く、個々の駆動回路での消費電流はさほど問題とな
らない。また、有機ＥＬ素子の電流消費に見合う容量の
電源を搭載するので、駆動回路をＰ型またはＮ型のみの
トランジスタで構成しても特に電源を変更する必要も生
じない。In general, display driving devices often combine N-type and P-type transistors as constituent transistors. This is for the purpose of operating in an optimum operation range and improving characteristics. Further, in the case where a driving device is formed using only P-type or N-type transistors, current consumption increases, and it is necessary to strengthen a power supply and the like. However, in the case of an organic EL element, since it is a current driving element, a large amount of current is consumed as a whole, and current consumption in individual driving circuits does not matter much. In addition, since a power supply having a capacity commensurate with the current consumption of the organic EL element is mounted, it is not necessary to change the power supply even if the drive circuit is configured with only P-type or N-type transistors.
【００１６】また、マスクあわせのためのマージンを必
要としないため、それぞれの活性層（各素子）の間隔を
狭くすることができ、装置の小型化と、画素面積の大型
化が可能となり、高輝度高精細なディスプレーが可能と
なる。Further, since a margin for mask alignment is not required, the interval between the respective active layers (elements) can be reduced, and the device can be reduced in size and the pixel area can be increased. A display with high brightness and high definition is possible.
【００１７】第１のスイッチング素子と、第２のスイッ
チング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチ
ング素子は、Ｎ型であってもＰ型であってもよいが、い
ずれか一方の形式に統一されている必要がある。また、
スイッチング素子はＮ型、またはＰ型のトランジスタで
あればその具体的な構造は問わないが、特に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）が好ましい。The first switching element, the second switching element, and preferably the switching element forming the selection circuit may be of the N-type or the P-type. Must have been. Also,
The specific structure of the switching element is not limited as long as it is an N-type or P-type transistor, but a thin film transistor (TFT) is particularly preferable.
【００１８】第１のスイッチング素子と、第２のスイッ
チング素子と、選択回路をＮ型、またはＰ型で構成する
手段としては特に限定されるものではなく、プッシュプ
ル回路のインバータをシングルトランジスタのインバー
タに置換するようにしてもよいし、例えば、図１〜図３
に記載されているような回路に置換すればよい。The means for configuring the first switching element, the second switching element, and the selection circuit to be of the N-type or the P-type is not particularly limited. May be replaced with, for example, FIGS.
May be replaced with a circuit as described in (1).
【００１９】図１は、図２１に示したインバータ回路を
Ｎ型のスイッチング素子〔トランジスタ（ＦＥＴ）〕Ｍ
１のみにより構成した例を示す回路図である。図におい
て、インバータは入力端子ＩＮから直接選択回路を構成
するスイッチング素子Ｍ１の制御端子に接続され、プラ
ス電源Ｖ＋は制限抵抗Ｒ１を介してスイッチング素子Ｍ
１の一端側に接続され、このスイッチング素子Ｍ１の一
端側は出力端子ＯＵＴに接続されている。また、スイッ
チング素子Ｍ１の他端側はマイナス電源Ｖ−と接続され
ている。FIG. 1 shows an inverter circuit shown in FIG. 21 which is an N-type switching element (transistor (FET)) M
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an example configured with only one. In the figure, an inverter is directly connected from an input terminal IN to a control terminal of a switching element M1 constituting a selection circuit, and a positive power supply V + is connected to a switching element M1 via a limiting resistor R1.
1 and one end of the switching element M1 is connected to the output terminal OUT. The other end of the switching element M1 is connected to a minus power supply V-.
【００２０】図２は、図２２に示した有機ＥＬ素子の駆
動用選択トランジスタＭ２３およびバイアストランジス
タＭ２２をＰ型のトランジスタ（ＦＥＴ）Ｍ３、Ｍ２の
みにより構成した例を示す回路図である。図において、
第２のスイッチング素子（選択トランジスタ）Ｍ３は、
その制御端子に入力端子ＩＮ１が接続され、その被制御
端子の他端に入力端子ＩＮ２が接続されている。第２の
スイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端は、第１のス
イッチング素子（ドライバートランジスタ）Ｍ２の制御
端子に接続され、第１のスイッチング素子の被制御端子
の一端はプラス電源Ｖ＋に接続されるとともに、その他
端側は有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード側に接続されてい
る。有機ＥＬ素子Ｄ１のカソード側は、マイナス電源Ｖ
−と接続されている。なお、入力端子ＩＮ１およびＩＮ
２には、通常選択回路からの選択信号が入力される。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example in which the driving selection transistor M23 and the bias transistor M22 of the organic EL element shown in FIG. 22 are constituted only by P-type transistors (FETs) M3 and M2. In the figure,
The second switching element (selection transistor) M3 is
The input terminal IN1 is connected to the control terminal, and the input terminal IN2 is connected to the other end of the controlled terminal. The other end of the controlled terminal of the second switching element M3 is connected to the control terminal of the first switching element (driver transistor) M2, and one end of the controlled terminal of the first switching element is connected to the positive power supply V +. The other end is connected to the anode of the organic EL element D1. The cathode side of the organic EL element D1 is a negative power supply V
-Is connected. Note that the input terminals IN1 and IN1
2, a selection signal from a normal selection circuit is input.
【００２１】なお、上記例ではＰ型のスイッチング素子
のみで駆動回路を構成したが、Ｎ型のみで構成すること
も可能であり、その場合には接続が逆になる。In the above-described example, the drive circuit is constituted only by the P-type switching elements. However, the drive circuit may be constituted only by the N-type. In this case, the connection is reversed.
【００２２】また、この例では、第１のスイッチング素
子Ｍ２を有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード側に接続し、排出
側で駆動している。このため、図示例のようなＰ型の素
子で構成した場合には有機ＥＬ素子のＩ／Ｖ特性は２次
関数で近似される特性となり問題ないが、Ｎ型で構成し
た場合には指数関数で近似される特性となり、何らかの
補償回路を必要としてしまう。そこで、図３に示すよう
に、スイッチング素子の吸入側で駆動することにより、
有機ＥＬ素子のＩ／Ｖ特性を２次関数で近似される特性
とすることができ、補償回路を省略することができる。In this example, the first switching element M2 is connected to the anode side of the organic EL element D1 and is driven on the discharge side. For this reason, the I / V characteristic of the organic EL element is a characteristic approximated by a quadratic function when configured with a P-type element as in the illustrated example, and there is no problem. , And requires some kind of compensation circuit. Therefore, as shown in FIG. 3, by driving on the suction side of the switching element,
The I / V characteristic of the organic EL element can be a characteristic approximated by a quadratic function, and the compensation circuit can be omitted.
【００２３】図３は、図２２に示した有機ＥＬ素子の駆
動用選択トランジスタＭ２３およびバイアストランジス
タＭ２２をＮ型のトランジスタ（ＦＥＴ）Ｍ３、Ｍ２の
みにより構成した例を示す回路図である。図において、
第２のスイッチング素子（選択トランジスタ）Ｍ３は、
その制御端子に入力端子ＩＮ１が接続され、その被制御
端子の他端に入力端子ＩＮ２が接続されている。第２の
スイッチング素子Ｍ３の被制御端子の他端は、第１のス
イッチング素子（ドライバートランジスタ）Ｍ２の制御
端子に接続され、第１のスイッチング素子の被制御端子
の一端は有機ＥＬ素子Ｄ１のカソード側に接続され、有
機ＥＬ素子のアノード側はプラス電源Ｖ＋に接続されて
いる。第１のスイッチング素子の被制御端子の他端側
は、マイナス電源Ｖ−と接続されている。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example in which the driving selection transistor M23 and the bias transistor M22 of the organic EL element shown in FIG. 22 are constituted only by N-type transistors (FETs) M3 and M2. In the figure,
The second switching element (selection transistor) M3 is
The input terminal IN1 is connected to the control terminal, and the input terminal IN2 is connected to the other end of the controlled terminal. The other end of the controlled terminal of the second switching element M3 is connected to the control terminal of a first switching element (driver transistor) M2, and one end of the controlled terminal of the first switching element is connected to the cathode of the organic EL element D1. , And the anode side of the organic EL element is connected to a positive power supply V +. The other end of the controlled terminal of the first switching element is connected to a minus power supply V−.
【００２４】このように、Ｐ型またはＮ型トランジスタ
のみで有機ＥＬ素子の駆動回路を構成することができ
る。有機ＥＬ素子ではドライバートランジスタがＮ型の
場合、図３の構成では有機ＥＬ素子の陰極側にドライバ
ートランジスタが接続される構成となる。このため、通
常の構成では有機ＥＬ素子を陰極側が基板側となるいわ
ゆる逆積層としなければならなるのでＰ型がより好まし
いといえる。As described above, a drive circuit for an organic EL element can be constituted by only P-type or N-type transistors. In the organic EL element, when the driver transistor is an N-type, the configuration in FIG. 3 is such that the driver transistor is connected to the cathode side of the organic EL element. For this reason, in a normal configuration, the organic EL element must be a so-called reverse stack in which the cathode side is the substrate side, so that the P-type is more preferable.
【００２５】なお、有機ＥＬ素子の第１のスイッチング
素子と、第２のスイッチング素子と、好ましくは選択回
路を構成するスイッチング素子とをＰ型で統一した場
合、Ｐ型の素子の移動度が遅いため、ドライブ能力が不
足するなど動作上問題となることがある。このような場
合にはスイッチング素子の制御電極の長さ（Ｌ）と幅
（Ｗ）との比を表すＬ／Ｗ値を調整することにより特性
を改善することができる。なお、Ｌ／Ｗ値は、要求され
る性能、特性などにより適宜最適な値に調整すればよ
い。When the first switching element, the second switching element, and preferably the switching element forming the selection circuit of the organic EL element are unified with the P type, the mobility of the P type element is slow. Therefore, there may be a problem in operation such as a shortage of drive capacity. In such a case, the characteristics can be improved by adjusting the L / W value representing the ratio between the length (L) and the width (W) of the control electrode of the switching element. Note that the L / W value may be appropriately adjusted to an optimum value according to required performance and characteristics.
【００２６】さらに、本発明の駆動回路は、第１のスイ
ッチング素子と、第２のスイッチング素子と、好ましく
は選択回路を構成するスイッチング素子とをエンハンス
メント型で統一することが好ましい。Further, in the drive circuit of the present invention, it is preferable that the first switching element, the second switching element, and preferably, the switching element constituting the selection circuit be of the enhancement type.
【００２７】第１のスイッチング素子と、第２のスイッ
チング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチ
ング素子とをエンハンスメント型で統一することによ
り、最適動作範囲が第１のスイッチング素子と、第２の
スイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するス
イッチング素子とでほぼ同一となり、それぞれの素子に
供給する電源をほぼ同一のものとすることができる。こ
れにより、従来、第１のスイッチング素子と、第２のス
イッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイ
ッチング素子とで異なった電源を用いていたものを統一
させることができ、電源を少なくすることができる。By unifying the first switching element, the second switching element, and preferably the switching element constituting the selection circuit in an enhancement type, the optimum operation range is the first switching element and the second switching element. The switching element and preferably the switching element constituting the selection circuit are substantially the same, and the power supplied to each element can be substantially the same. As a result, the first switching element, the second switching element, and the switching element that preferably constitutes the selection circuit conventionally use different power supplies, so that the number of power supplies can be reduced. Can be.
【００２８】本発明のスイッチング素子は、制御電極と
一組の被制御電極とがシリコン基体に形成され、有機Ｅ
Ｌ素子を直接駆動する半導体であれば特に規制されるも
のではないが、表示装置として機能させるにはＴＦＴ
（Thin Film Transistor）タイプのものが好ましい。In the switching element of the present invention, a control electrode and a set of controlled electrodes are formed on a silicon substrate,
There is no particular restriction on the semiconductor as long as it is a semiconductor that directly drives the L element.
(Thin Film Transistor) type is preferable.
【００２９】次に、本発明のスイッチング素子のより具
体的な構成、およびその製造工程について図を参照しつ
つ説明する。Next, a more specific configuration of the switching element of the present invention and a manufacturing process thereof will be described with reference to the drawings.
【００３０】先ず、図４に示すように、基板１０１上に
スパッタ法、各種ＣＶＤ法、好ましくはプラズマＣＶＤ
法等により、α−Ｓｉ層１０２を積層する。First, as shown in FIG. 4, a sputtering method, various CVD methods, preferably a plasma CVD
The α-Si layer 102 is stacked by a method or the like.
【００３１】その後、図５に示すように、エキシマーレ
ーザー１１５等によりアニール、結晶化を行い、活性層
１０２ａを形成する。その際、熱アニールを併用しても
よい。After that, as shown in FIG. 5, annealing and crystallization are performed by an excimer laser 115 or the like to form an active layer 102a. At that time, thermal annealing may be used together.
【００３２】さらに、図６に示すように、結晶化された
活性層（ポリシリコン層）１０２ａをフォトリソグラフ
ィによりアイランドにパターン化する。Further, as shown in FIG. 6, the crystallized active layer (polysilicon layer) 102a is patterned into islands by photolithography.
【００３３】次に、図７に示すように、絶縁ゲート１０
３をポリシリコンアイランド１０２ａ上および絶縁基板
１０１の表面にわたり積層する。基板温度としては２５
０〜４００℃が好ましくさらに高品質の絶縁ゲート材料
を得るためにはアニールを３００〜６００℃で１〜３時
間程度施すのが好ましい。Next, as shown in FIG.
3 over the polysilicon island 102a and the surface of the insulating substrate 101. The substrate temperature is 25
Annealing is preferably performed at 300 to 600 ° C. for about 1 to 3 hours in order to obtain a high quality insulated gate material.
【００３４】次に、図８に示すように、ゲート電極１０
４を蒸着またはスパッタリングで成膜する。Next, as shown in FIG.
4 is formed by vapor deposition or sputtering.
【００３５】次いで、図９に示すように、ゲート電極１
０４をパターニングし、パターニングされたゲート電極
１０４上からイオンドーピング１１６を行い、ｎ+ また
はｐ+ の部位を形成し、さらに、信号電極線および走査
電極線をフォトリソグラフィーにより形成する。Next, as shown in FIG.
04 is patterned, ion doping 116 is performed on the patterned gate electrode 104 to form an n + or p + site, and further, a signal electrode line and a scanning electrode line are formed by photolithography.
【００３６】次いで、ドレイン，ソースなどのコンタク
トを形成する。コンタクトは、絶縁膜１１１を開口した
箇所で行う。先ず、常圧ＣＶＤ法により、層間絶縁層と
してＳｉＯ2 膜を成膜する。次いで、層間絶縁層をエッ
チングしてコンタクトホールを形成し、ドレイン、ソー
ス接続部を開口する。Next, contacts such as a drain and a source are formed. The contact is made at a location where the insulating film 111 is opened. First, an SiO 2 film is formed as an interlayer insulating layer by a normal pressure CVD method. Next, the interlayer insulating layer is etched to form a contact hole, and a drain / source connection portion is opened.
【００３７】開口したドレイン、ソース接続部に、それ
ぞれドレイン配線電極１１２、ソース配線電極１１３を
成膜して、ドレイン、ソース電極と接続する。この場
合、ドレイン、ソース電極のいずれか一方が、有機ＥＬ
素子の第１の電極、または第２の電極として機能する
か、これと接続される。図示例ではホール注入電極であ
るＩＴＯ（１１５）と接続される。さらに、ドレイン配
線電極１１２上に絶縁膜１１４を形成し、同時に画素部
分以外を覆うエッジカバーを形成して図１０に示すよう
なスイッチング素子を得る。A drain wiring electrode 112 and a source wiring electrode 113 are formed on the opened drain and source connection portions, respectively, and connected to the drain and source electrodes. In this case, one of the drain and source electrodes is an organic EL.
Functions or is connected to a first electrode or a second electrode of the element. In the illustrated example, it is connected to ITO (115) which is a hole injection electrode. Further, an insulating film 114 is formed on the drain wiring electrode 112, and at the same time, an edge cover covering portions other than the pixel portion is formed to obtain a switching element as shown in FIG.
【００３８】なお、ホール注入電極等、有機ＥＬ素子の
電極との接続には、例えば図１１に示すように配線電極
１１３と、ホール注入電極１１５との間に両者の接続性
を向上させるために、ＴｉＮ等の接続金属層１１６を形
成するとよい。The connection with an electrode of an organic EL element such as a hole injection electrode is made between the wiring electrode 113 and the hole injection electrode 115 as shown in FIG. , TiN or other connecting metal layer 116 may be formed.
【００３９】本発明のスイッチング素子について、図１
２を参照しつつさらに具体的に説明する。図１２は、有
機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴアレイの一例を示した平面
図である。FIG. 1 shows the switching element of the present invention.
This will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 12 is a plan view showing an example of a TFT array for driving an organic EL element.
【００４０】図において、ソースバス１１にはソース電
極１３が接続され、コンタクトホール１３ａを介してシ
リコン基体２１上に形成されているソース部位と接続し
ている。このシリコン基体２１上には図示しない他の画
素のＴＦＴ素子と共通に接続されているゲートバス１２
が形成されていて、このゲートバス１２がシリコン基体
２１と交わる部分にゲート電極が形成される。In the figure, a source electrode 13 is connected to a source bus 11 and is connected to a source portion formed on a silicon substrate 21 via a contact hole 13a. On the silicon substrate 21, a gate bus 12 commonly connected to a TFT element of another pixel (not shown)
Are formed, and a gate electrode is formed at a portion where the gate bus 12 intersects the silicon substrate 21.
【００４１】ソース部位とゲート電極を挟んでシリコン
基体上に形成されているドレイン部位にはコンタクトホ
ール１４ａを介してドレイン配線１４が接続されてい
る。このドレイン配線１４はコンタクトホール１４ｂを
介してゲートライン１５と接続され、このゲートライン
１５はＴＦＴ２を構成するシリコン基体２２上に形成さ
れるとともに、キャパシタ１８の一方の電極と接続され
ている。キャパシタ１８の他方の電極はアースバス２３
と接続されるとともに、ソース電極１７と接続され、こ
のソース電極１７はコンタクトホール１７ａを介してＴ
ＦＴ１のソース部位と接続されている。ゲートライン１
５がシリコン素体２２と交わる部位に、ゲート電極が形
成されることとなる。The drain wiring 14 is connected to the drain part formed on the silicon substrate with the source part and the gate electrode interposed therebetween through the contact hole 14a. The drain wiring 14 is connected to a gate line 15 via a contact hole 14b. The gate line 15 is formed on a silicon substrate 22 constituting the TFT 2 and is connected to one electrode of a capacitor 18. The other electrode of the capacitor 18 is connected to the ground bus 23.
And the source electrode 17 is connected to the source electrode 17 via a contact hole 17a.
Connected to the source part of FT1. Gate line 1
A gate electrode is formed at a portion where 5 intersects the silicon body 22.
【００４２】ソース部位とゲート電極１５を挟んでシリ
コン基体上に形成されているドレイン部位にはコンタク
トホール１６ａを介してドレイン配線１６が接続され、
このドレイン配線１６は画素となる有機ＥＬ素子の一方
の電極を構成するか、それと接続されている。A drain wiring 16 is connected to a drain part formed on the silicon substrate with the source part and the gate electrode 15 interposed therebetween through a contact hole 16a.
The drain wiring 16 forms one electrode of an organic EL element serving as a pixel or is connected thereto.
【００４３】この有機ＥＬ素子を直接駆動するＴＦＴ１
が本発明における第１のスイッチング素子に相当し、こ
の第１のスイッチング素子を駆動するＴＦＴ２が本発明
における第２のスイッチング素子に相当する。また、ソ
ースバス１１，ゲートバス１２には図示しない選択回路
が接続されている。TFT1 for directly driving this organic EL element
Corresponds to a first switching element in the present invention, and the TFT 2 that drives the first switching element corresponds to a second switching element in the present invention. A selection circuit (not shown) is connected to the source bus 11 and the gate bus 12.
【００４４】次に、本発明における有機ＥＬ素子の構成
について説明する。有機ＥＬ素子は、第１の電極と、第
２の電極との間に、少なくとも発光機能に関与する有機
物質を含有する有機層を有する。そして、第１の電極
と、第２の電極とから与えられる電子・ホールが、有機
層中で再結合することにより発光する。Next, the structure of the organic EL device of the present invention will be described. An organic EL element has an organic layer containing at least an organic substance involved in a light emitting function between a first electrode and a second electrode. Then, light is emitted when electrons and holes provided from the first electrode and the second electrode recombine in the organic layer.
【００４５】第１の電極、および第２の電極は、いずれ
をホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通
常、基板側の第１の電極がホール注入電極となり、第２
の電極は電子注入電極となる。Either of the first electrode and the second electrode may be a hole injection electrode or an electron injection electrode, but usually, the first electrode on the substrate side is a hole injection electrode and the second electrode is a second electrode.
Are used as electron injection electrodes.
【００４６】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。As the electron injection electrode, a substance having a low work function is preferable. For example, K, Li, Na, Mg, La, C
e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
It is preferable to use a single metal element such as n or Zr, or a two-component or three-component alloy system containing them for improving the stability. As an alloy system, for example, Ag · Mg (A
g: 0.1 to 50 at%), Al.Li (Li: 0.01)
１４14 at%), In · Mg (Mg: 50 to 80 at%),
Al.Ca (Ca: 0.01 to 20 at%) and the like. Note that the electron injection electrode can also be formed by an evaporation method or a sputtering method.
【００４７】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、
好ましくは１nm以上、より好ましくは３nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は３〜５００nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。The thickness of the electron injecting electrode thin film may be a certain thickness or more capable of sufficiently injecting electrons.
The thickness is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 3 to 500 nm. An auxiliary electrode or a protection electrode may be further provided on the electron injection electrode.
【００４８】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０-8〜１
×１０-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。The pressure at the time of vapor deposition is preferably 1 × 10 −8 to 1
The heating temperature of the evaporation source is 100 to 1400 ° C. for a metal material and 100 to 50 ° C. for an organic material at × 10 −5 Torr.
About 0 ° C. is preferable.
【００４９】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ
（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドー
プ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。The hole injection electrode is preferably a transparent or translucent electrode for extracting emitted light. As the transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , I
Examples include n 2 O 3 , and preferably ITO (tin-doped indium oxide) and IZO (zinc-doped indium oxide). ITO usually contains In 2 O 3 and SnO in a stoichiometric composition, but the amount of O may slightly deviate from this. When transparency is not required, the hole injection electrode may be made of a known opaque metal material.
【００５０】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。The thickness of the hole injecting electrode may be a certain thickness or more that can sufficiently inject holes, and is preferably 5 or more.
The range is preferably from 0 to 500 nm, more preferably from 50 to 300 nm. The upper limit is not particularly limited, but if the thickness is too large, there is a fear of peeling or the like. If the thickness is too small, there is a problem in the film strength at the time of manufacturing, the hole transport ability, and the resistance value.
【００５１】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスＤ
Ｃスパッタ法により形成することが好ましい。The hole injection electrode layer can be formed by a vapor deposition method or the like.
It is preferable to form by the C sputtering method.
【００５２】有機ＥＬ構造体の有機層は、次のような構
成とすることができる。発光層は、ホール（正孔）およ
び電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の
再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層
には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いるこ
とが好ましい。The organic layer of the organic EL structure can have the following configuration. The light emitting layer has a function of injecting holes (holes) and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively electronically neutral compound for the light emitting layer.
【００５３】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。The hole injecting and transporting layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injecting electrode, a function of stably transporting holes, and a function of preventing electrons.
The electron injection transport layer has a function of facilitating injection of electrons from the electron injection electrode, a function of stably transporting electrons, and a function of preventing holes. These layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and improve luminous efficiency.
【００５４】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method.
It is preferable that the thickness be in the range of 10 to 300 nm.
【００５５】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. When the hole or electron injection layer and the transport layer are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 1 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 500 nm for the injection layer and 500 nm for the transport layer.
It is about. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.
【００５６】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号公
報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願平
６−１１４４５６号）のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。The light emitting layer of the organic EL device contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of such a fluorescent substance include, for example, JP-A-63-26469.
No. 2 discloses at least one compound selected from compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Also, Tris (8
Quinolinol derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, such as (quinolinolato) aluminum; tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. Further, phenylanthracene derivatives described in JP-A-8-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569), tetraarylethene derivatives described in JP-A-8-12969 (Japanese Patent Application No. 6-114456), and the like are used. be able to.
【００５７】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０体積% 、さらには
０．１〜１５体積% であることが好ましい。特にルブレ
ン系では、０．０１〜２０体積％であることが好まし
い。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、
ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長
波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光
効率や安定性が向上する。Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is preferable to use it as a dopant. In such a case, the content of the compound in the light emitting layer is preferably 0.01 to 20% by volume, more preferably 0.1 to 15% by volume. In particular, for a rubrene-based material, the content is preferably 0.01 to 20% by volume. By using in combination with the host substance,
The emission wavelength characteristic of the host material can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the emission efficiency and stability of the device are improved.
【００５８】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７７
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。The host substance is preferably a quinolinolato complex, and more preferably an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7707
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.
【００５９】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum and poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane].
【００６０】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６
９号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。Other host materials are disclosed in
Phenylanthracene derivative described in JP-A-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569) and JP-A-8-1296
No. 9 (Japanese Patent Application No. 6-114456) is also preferable.
【００６１】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。The light emitting layer may also serve as an electron injection / transport layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. These fluorescent substances may be deposited.
【００６２】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０体積% 、さらには０．１〜１５体積
% とすることが好ましい。The light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one kind of hole injecting and transporting compound and at least one kind of electron injecting and transporting compound, if necessary.
Further, it is preferable that a dopant is contained in the mixed layer. The content of the compound in such a mixed layer is 0.01 to 20% by volume, further 0.1 to 15% by volume.
% Is preferable.
【００６３】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。In the mixed layer, a hopping conduction path of carriers is formed, so that each carrier moves in a polarly advantageous substance, and injection of carriers of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged. This has the advantage that the element life is extended. Further, by including the above-described dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristics of the mixed layer itself can be changed, the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, and the emission intensity is increased, The stability of the device can be improved.
【００６４】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。The hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound used in the mixed layer may be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer and the compounds for the electron injecting and transporting layer, respectively. Among them, compounds for the hole injection transport layer include amine derivatives having strong fluorescence,
For example, it is preferable to use a triphenyldiamine derivative which is a hole transport material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring.
【００６５】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。As the compound capable of injecting and transporting electrons, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylethene derivatives.
【００６６】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。As the compound for the hole injecting and transporting layer, an amine derivative having strong fluorescence, for example, a triphenyldiamine derivative as the above-described hole transporting material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring is used. Is preferred.
【００６７】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。The mixing ratio in this case depends on the respective carrier mobility and carrier concentration. In general, the weight ratio of the compound of the hole injecting / transporting compound / the compound having the electron injecting / transporting function is 1/99 to less. 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, particularly preferably 20/80
It is preferable to set it to about 80/20.
【００６８】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。The thickness of the mixed layer is preferably not less than the thickness of one molecular layer and less than the thickness of the organic compound layer. Specifically, the thickness is preferably 1 to 85 nm, more preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.
【００６９】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。As a method of forming the mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.
【００７０】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。The hole injecting and transporting layer is described in, for example,
JP-A-3-295695, JP-A-2-191694, JP-A-3-792, JP-A-5-234681
JP, JP-A-5-239455, JP-A-5-5-2
JP-A-99174, JP-A-7-126225, JP-A-7-126226, JP-A-8-100172
Various organic compounds described in JP-A No. 06509555 A1 and the like can be used. For example, a tetraarylbendicine compound (triaryldiamine or triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine,
Examples include hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, and polythiophene. These compounds may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, they may be stacked as separate layers or mixed.
【００７１】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。When the hole injecting and transporting layer is divided into a hole injecting layer and a hole transporting layer, a preferred combination can be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to laminate the compounds in order from the hole injecting electrode (ITO or the like) with the smallest ionization potential. Further, it is preferable to use a compound having a good thin film property on the surface of the hole injection electrode. Such a stacking order is the same when two or more hole injection transport layers are provided. With such a stacking order, the driving voltage is reduced, and the occurrence of current leakage and the occurrence and growth of dark spots can be prevented. In addition, in the case of forming an element, since a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free because evaporation is used,
Even if a compound having a small ionization potential and having absorption in the visible region is used for the hole injection layer, it is possible to prevent a change in the color tone of the emission color and a decrease in efficiency due to reabsorption. The hole injecting and transporting layer can be formed by vapor deposition of the above compound in the same manner as the light emitting layer and the like.
【００７２】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。The electron injecting / transporting layer includes a quinoline derivative such as an organometallic complex having 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) or a derivative thereof as a ligand, an oxadiazole derivative, a perylene derivative, or the like. A pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, a nitro-substituted fluorene derivative, or the like can be used. The electron injection / transport layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like, similarly to the light emitting layer.
【００７３】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。In the case where the electron injecting and transporting layer is divided into an electron injecting layer and an electron transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compounds in descending order of the electron affinity value from the electron injection electrode side. Such a stacking order is the same when two or more electron injection / transport layers are provided.
【００７４】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．２μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。In forming the hole injection transport layer, the light emitting layer and the electron injection transport layer, a uniform thin film can be formed.
It is preferable to use a vacuum deposition method. When vacuum deposition is used, the amorphous state or the crystal grain size is 0.2 μm
The following homogeneous thin film is obtained. If the crystal grain size exceeds 0.2 μm, the light emission becomes non-uniform, the driving voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【００７５】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
The degree of vacuum is 0 -4 Pa or less, and the deposition rate is 0.01 to 1 nm /
It is preferable to set it to about sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the occurrence and growth of dark spots can be suppressed.
【００７６】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。In the case where a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used for forming each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.
【００７７】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。The emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate.
【００７８】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。As the color filter film, a color filter used in a liquid crystal display or the like may be used.
The characteristics of the color filter may be adjusted in accordance with the light emitted from the organic EL element to optimize the extraction efficiency and the color purity.
【００７９】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。If a color filter capable of cutting off short-wavelength external light that is absorbed by the EL element material or the fluorescence conversion layer is used, the light resistance of the element and the contrast of display are improved.
【００８０】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。An optical thin film such as a dielectric multilayer film may be used instead of the color filter.
【００８１】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。The fluorescence conversion filter film absorbs EL light and emits light from the phosphor in the fluorescence conversion film to convert the color of the emitted light. It is formed from a fluorescent material and a light absorbing material.
【００８２】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。As the fluorescent material, basically, a material having a high fluorescence quantum yield may be used, and it is desirable that the fluorescent material has strong absorption in the EL emission wavelength region. In practice, laser dyes and the like are suitable, and rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (including subphthalocyanines, etc.) naphthalimide compounds, condensed ring hydrocarbon compounds, condensed heterocyclic compounds A styryl compound, a coumarin compound or the like may be used.
【００８３】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極（ＩＴＯ、ＩＺＯ）の成膜
時にダメージを受けないような材料が好ましい。As the binder, a material that does not quench the fluorescence may be basically selected, and a binder that can be finely patterned by photolithography, printing, or the like is preferable. In the case where the hole injection electrode is formed on the substrate in contact with the hole injection electrode, a material which is not damaged when the hole injection electrode (ITO, IZO) is formed is preferable.
【００８４】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。The light absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is insufficient, but may be omitted when unnecessary. As the light absorbing material, a material that does not quench the fluorescence of the fluorescent material may be selected.
【００８５】本発明における有機ＥＬ素子は、通常、直
流駆動型、パルス駆動型のＥＬ素子として用いられる。
印加電圧は、通常、２〜３０V 程度とされる。The organic EL device of the present invention is generally used as a DC drive type or pulse drive type EL device.
The applied voltage is usually about 2 to 30V.
【００８６】[0086]
【実施例】＜実施例１＞コーニング製１７３７耐熱性無
アルカリガラス基板の上にアモルファス・シリコン層を
約６００Åの厚さで減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により
成膜した。この成膜条件は、下記の通りである。 Ｓｉ2Ｈ6 ガス：１００SCCM、圧力：０．３Torr、温
度：４８０℃。EXAMPLES Example 1 An amorphous silicon layer was formed on a Corning 1737 heat-resistant alkali-free glass substrate to a thickness of about 600 ° by low pressure CVD (LPCVD). The film forming conditions are as follows. Si 2 H 6 gas: 100 SCCM, pressure: 0.3 Torr, temperature: 480 ° C.
【００８７】それからこのアモルファス・シリコン層を
固相成長させて活性層（ポリシリコン層）とした。この
固相成長は、熱アニールとレーザーアニールを併用し
た。その条件は下記の通りである。Then, this amorphous silicon layer was solid-phase grown to form an active layer (polysilicon layer). This solid phase growth used both thermal annealing and laser annealing. The conditions are as follows.
【００８８】＜熱アニール＞ Ｎ2 ：１ＳＬＭ、温度：６００℃、処理時間：２４時間<Thermal annealing> N 2 : 1 SLM, temperature: 600 ° C., processing time: 24 hours
【００８９】＜レーザーアニール＞ ＫｒＦ：２５４nm、エネルギー密度：２００mJ／cm2 、
ショット数：２００<Laser annealing> KrF: 254 nm, energy density: 200 mJ / cm 2 ,
Number of shots: 200
【００９０】次いで、このポリシリコン層をパターニン
グして活性シリコン層：５００Åを得た。Next, this polysilicon layer was patterned to obtain an active silicon layer: 500 °.
【００９１】この活性シリコン層の上にゲート酸化膜と
なるＳｉＯ2 層を、例えばプラズマＣＶＤ法により、約
８００Å成膜した。成膜条件は例えば下記の通りであ
る。 投入パワー：５０Ｗ、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）ガス：５０SCCM、Ｏ 2 ：５００SCCM、圧力：０．１
〜０．５Torr、温度：３５０℃。A gate oxide film is formed on the active silicon layer.
Becomes SiOTwoThe layer is formed, for example, by a plasma CVD method.
A film was formed at 800 °. The film forming conditions are as follows, for example.
You. Input power: 50W, TEOS (tetraethoxysila
G) Gas: 50 SCCM, O Two: 500 SCCM, pressure: 0.1
0.5 Torr, temperature: 350 ° C.
【００９２】このＳｉＯ2 層の上に、ゲート電極となる
Ｍｏ−Ｓｉ2 層を、スパッタ法により、約１０００Å成
膜した。それからこのＭｏ−Ｓｉ2 層および上記で形成
したＳｉＯ2 層を、例えばドライエッチングによりパタ
ーニングし、ゲート電極およびゲード酸化膜を得た。On this SiO 2 layer, a Mo—Si 2 layer serving as a gate electrode was formed to a thickness of about 1000 ° by a sputtering method. Then, the Mo—Si 2 layer and the SiO 2 layer formed above were patterned by, for example, dry etching to obtain a gate electrode and a gate oxide film.
【００９３】次いで、ドーピングマスクおよび上記ゲー
ト電極をマスクとしてシリコン活性層のソース・ドレイ
ン領域となるべき部分にイオンドーピング法により、Ｐ
型の不純物：Ｂをドーピングし、次いでチャネル部にも
少量ドープすることにより、エンハンスメント型である
第１のスイッチング素子、第２のスイッチング素子、選
択回路用スイッチング素子を形成した。なお、ソース
部、ドレイン部のドーピング条件は、一般のＴＦＴの製
法に準じて行えばよい。Next, using the doping mask and the gate electrode as a mask, the portions to be the source / drain regions of the silicon active layer are ion-doped by ion doping.
The first switching element, the second switching element, and the switching circuit for the selection circuit, which are of the enhancement type, were formed by doping a type impurity: B and then a small amount of doping also in the channel portion. Note that the doping conditions for the source portion and the drain portion may be set according to a general TFT manufacturing method.
【００９４】この工程でＮ型用のマスクを使用すること
なく第１のスイッチング素子、第２のスイッチング素
子、選択回路用スイッチング素子を形成できた。また、
各スイッチング素子の間隔は、単一のマスクのみ用いて
いるため、マスクあわせのマージンをとる必要がなく、
最も狭い部分で２μm 以下とすることができた。In this step, the first switching element, the second switching element, and the switching element for the selection circuit could be formed without using an N-type mask. Also,
Since only a single mask is used for the interval between each switching element, there is no need to take a margin for mask alignment,
In the narrowest part, it could be reduced to 2 μm or less.
【００９５】次に、これを窒素雰囲気中で約５５０℃で
１０時間加熱して、ドーパントの活性化を行った。さら
に、水素雰囲気中で約４００℃で３０分加熱処理して水
素化を行い、半導体の欠陥準位密度を減少させた。Next, this was heated in a nitrogen atmosphere at about 550 ° C. for 10 hours to activate the dopant. Further, hydrogenation was performed by heat treatment at about 400 ° C. for 30 minutes in a hydrogen atmosphere to reduce the defect state density of the semiconductor.
【００９６】そして、この基板全体に層間絶縁層となる
ＳｉＯ2 層を、厚さ約８０００Å成形した。この層間絶
縁層となるＳｉＯ2 の成膜条件は、以下の通りである。 Ｏ2／Ｎ2 ：１０ＳＬＭ ５％ＳｉＨ4／Ｎ2 ：１ＳＬＭ １％ＰＨ3／Ｎ2 ：５００SCCM Ｎ2 ：１０ＳＬＭ 温度：４１０℃ 圧力：大気圧Then, an SiO 2 layer serving as an interlayer insulating layer was formed on the entire substrate to a thickness of about 8000 mm. The conditions for forming the SiO 2 film serving as the interlayer insulating layer are as follows. O 2 / N 2 : 10 SLM 5% SiH 4 / N 2 : 1 SLM 1% PH 3 / N 2 : 500 SCCM N 2 : 10 SLM Temperature: 410 ° C. Pressure: atmospheric pressure
【００９７】この層間絶縁層となるＳｉＯ2 膜をエッチ
ングし、コンタクト用のホールを形成した。次いで、ド
レイン、ソース配線電極としてＡｌを蒸着した。The SiO 2 film serving as the interlayer insulating layer was etched to form a contact hole. Next, Al was deposited as a drain and source wiring electrode.
【００９８】得られたＴＦＴアレイの動作電圧を求めた
ところ、本発明サンプルは、選択回路（シフトレジスタ
ー）用電源が、ＶDD：１０V 、V SS：０Ｖであり、有機
ＥＬ素子用電源が、ＶD ：１０V 、Ｖcom ：０V となっ
ていた。When the operating voltage of the obtained TFT array was obtained, the sample of the present invention showed that the power supply for the selection circuit (shift register) was VDD: 10 V, VSS: 0 V, and the power supply for the organic EL element was VDD. : 10V, Vcom: 0V.
【００９９】このことから、本発明のサンプルは、従来
の装置に比べて、少ない電源で最適に動作させることが
できることがわかる。From this, it is understood that the sample of the present invention can be optimally operated with a smaller power supply than the conventional device.
【０１００】次に、有機ＥＬ素子の形成領域にホール注
入電極となるＩＴＯを成膜し、前記配線電極と接続し
た。そして、発光領域（画素部分）のみ発光させるよう
に、上記と同様にして層間絶縁膜ＳｉＯ2 を４０００Å
成膜し、発光領域となる部分を開口した。Next, an ITO film serving as a hole injection electrode was formed in a region where the organic EL element was formed, and was connected to the wiring electrode. Then, in order to emit light only in the light emitting region (pixel portion), the interlayer insulating film SiO 2 is formed in a thickness of 4000
A film was formed, and a portion serving as a light emitting region was opened.
【０１０１】以上のように作製された、本発明サンプル
ＴＦＴ薄膜パターンの画素領域（ＩＴＯ上）に発光層を
含む有機層を真空蒸着法により成膜した。成膜した材料
は以下の通りである。ここでは一例のみを挙げるが、本
発明はその概念から明らかなように、蒸着法で形成可能
であれば成膜材料によらずに適用できる。An organic layer including a light emitting layer was formed by a vacuum deposition method on the pixel region (on the ITO) of the sample TFT thin film pattern of the present invention produced as described above. The materials formed are as follows. Here, only one example is given, but as is clear from the concept, the present invention can be applied irrespective of a film forming material as long as it can be formed by an evaporation method.
【０１０２】ホール注入層およびホール輸送層として、
Ｎ,Ｎ´−ビス（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ,Ｎ´−ジフ
ェニル−１,１´−ビフェニル−４,４´−ジアミン（N,
N´-bis(m-methyl phenyl)-N,N´-diphenyl-1,1´-biph
enyl-4,4´-diamine以下ＴＰＤと略す）を、発光層兼電
子輸送層としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アル
ミニウム（tris (8-hydroxyquinoline)aluminium以下Ａ
ｌｑ3 と略す)を、さらに真空を破らずに第２の電極１
２として陰極を、引き続き成膜した。As the hole injection layer and the hole transport layer,
N, N'-bis (m-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (N,
N´-bis (m-methyl phenyl) -N, N´-diphenyl-1,1´-biph
enyl-4,4′-diamine or abbreviated as TPD), and tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (hereinafter A)
lq3), the second electrode 1 without breaking the vacuum.
As No. 2, a cathode was continuously formed.
【０１０３】成膜方法としては、ホール注入層およびホ
ール輸送層は真空蒸着法を、第２の電極はＤＣスパッタ
法を選択した。第２の電極としてはＡl／Ｌｉ合金（Ｌ
ｉ濃度：７at%）をガス圧１Pa、パワー１Ｗ／cm2 で膜
厚５nmだけ成膜し、さらに、配線電極としてＡlを０．
３Pa、パワー１Ｗ／cm2 で膜厚２００nm積層した。As the film forming method, a vacuum evaporation method was selected for the hole injection layer and the hole transport layer, and a DC sputtering method was selected for the second electrode. As the second electrode, an Al / Li alloy (L
i concentration: 7 at%) with a gas pressure of 1 Pa, a power of 1 W / cm 2 and a film thickness of 5 nm.
The film was laminated at a thickness of 200 nm with a power of 3 Pa and a power of 1 W / cm 2 .
【０１０４】得られた、有機ＥＬ表示装置の各画素を１
０mA／cm2 の定電流駆動したところ、ＴＦＴの動作に従
って、オン−オフ動作（発光）が確認され、Ｐ型トラン
ジスタのみで構成した場合でも、少ない電源で問題なく
動作することがわかった。Each pixel of the obtained organic EL display device is set to 1
When the device was driven at a constant current of 0 mA / cm 2 , an on-off operation (light emission) was confirmed in accordance with the operation of the TFT, and it was found that even with a P-type transistor alone, the device could be operated with a small power supply without any problem.
【０１０５】このように、本発明の装置は、Ｎ型、また
はＰ型用のマスクを１枚減らすことができ、少ない工程
で安価に製造できるとともに、少ない電源で有機ＥＬ素
子を駆動することができ、装置の低コスト化、省スペー
ス化に寄与することができる。As described above, the apparatus of the present invention can reduce the number of N-type or P-type masks by one, can be manufactured in a small number of steps at low cost, and can drive the organic EL element with a small number of power supplies. This can contribute to cost reduction and space saving of the device.
【０１０６】[0106]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、比較的簡
単化かつ短い工程で製造でき、製造コストの低減が可能
な有機ＥＬ素子の駆動装置を実現することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to realize an organic EL element driving device which can be manufactured in a relatively simple and short process and can reduce the manufacturing cost.
【図１】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であ
って、インバーターをＮ型のトランジスタのみにより構
成した例を示した図である。FIG. 1 is a circuit diagram illustrating one embodiment of a driving device of the present invention, and is a diagram illustrating an example in which an inverter is configured using only N-type transistors.
【図２】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であ
って、有機ＥＬ素子の駆動用選択トランジスタおよびバ
イアストランジスタをＰ型のトランジスタのみにより構
成した例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of a driving device of the present invention, and is a circuit diagram showing an example in which a driving selection transistor and a bias transistor of an organic EL element are constituted only by P-type transistors.
【図３】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であ
って、有機ＥＬ素子の駆動用選択トランジスタおよびバ
イアストランジスタをＮ型のトランジスタのみにより構
成した例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing one embodiment of a driving device of the present invention, and is a circuit diagram showing an example in which a driving selection transistor and a bias transistor of an organic EL element are constituted only by N-type transistors.
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the driving device for an organic EL element of the present invention.
【図５】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the driving device for an organic EL element of the present invention.
【図６】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the driving device for the organic EL element of the present invention.
【図７】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the driving device for the organic EL element of the present invention.
【図８】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the drive device for the organic EL element of the present invention.
【図９】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程を
示す一部断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of the drive device for an organic EL element of the present invention.
【図１０】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程
を示す一部断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a step of manufacturing an organic EL element driving device according to the present invention.
【図１１】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の製造工程
を示す一部断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing a step of manufacturing the driving device for the organic EL element of the present invention.
【図１２】本発明の有機ＥＬ素子の駆動装置の構成例を
示す一部平面図である。FIG. 12 is a partial plan view showing a configuration example of a driving device for an organic EL element of the present invention.
【図１３】従来のアクティブマトリックス型の有機ＥＬ
表示装置の回路図の一例を示した概略構成図である。FIG. 13 shows a conventional active matrix type organic EL.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a circuit diagram of a display device.
【図１４】図１３のＡ部拡大図である。FIG. 14 is an enlarged view of a portion A in FIG.
【図１５】従来の駆動装置の一形態を示した回路図であ
って、インバーターをＰ型とＮ型のトランジスタにより
構成した例を示した図である。FIG. 15 is a circuit diagram illustrating one embodiment of a conventional driving device, and is a diagram illustrating an example in which an inverter is configured by P-type and N-type transistors.
【図１６】従来の駆動装置の一形態を示した回路図であ
って、有機ＥＬ素子の駆動用選択トランジスタおよびバ
イアストランジスタをＰ型とＮ型のトランジスタにより
構成した例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing one mode of a conventional driving device, and is a circuit diagram showing an example in which a driving selection transistor and a bias transistor of an organic EL element are constituted by P-type and N-type transistors.
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３ スイッチング素子 Ｄ１ 有機ＥＬ素子 １１ ソースバス １２ ゲートバス １３ ソース電極 １４ ドレイン電極 １５ ゲートライン １６ ドレイン電極 １７ ソース電極 １８ キャパシタ ２１、２２ シリコン基体 １０１ 基板 １０２ アモルファスシリコン層 １０２ａ 活性層 １０３ ゲート酸化膜 １０４ ゲート電極 １０５ 絶縁膜 １０６ レジスト M1, M2, M3 Switching element D1 Organic EL element 11 Source bus 12 Gate bus 13 Source electrode 14 Drain electrode 15 Gate line 16 Drain electrode 17 Source electrode 18 Capacitor 21, 22 Silicon base 101 Substrate 102 Amorphous silicon layer 102a Active layer 103 Gate Oxide film 104 gate electrode 105 insulating film 106 resist
Claims (5)
と、 各有機ＥＬ素子と接続され、これを直接駆動する第１の
スイッチング素子と、 この第１のスイッチング素子を駆動する第２のスイッチ
ング素子と、 前記各有機ＥＬ素子を選択し、選択信号を与える選択回
路とを有し、 少なくとも前記第１のスイッチング素子および第２のス
イッチング素子がＮ型またはＰ型のスイッチング素子の
みにより形成されている有機ＥＬ素子の駆動装置。1. An organic EL element arranged in a matrix, a first switching element connected to each organic EL element and directly driving the organic EL element, and a second switching element driving the first switching element And a selection circuit for selecting each of the organic EL elements and providing a selection signal, wherein at least the first switching element and the second switching element are formed only by N-type or P-type switching elements. Driving device for organic EL element.
チング素子が、第１のスイッチング素子および第２のス
イッチング素子と同一のＮまたはＰ型のスイッチング素
子により形成されている有機ＥＬ素子の駆動装置。2. A driving device for an organic EL element, wherein a switching element forming the selection circuit is formed by the same N-type or P-type switching element as a first switching element and a second switching element.
４μm 以下である部位を有する請求項１または２の有機
ＥＬ素子。3. The organic EL device according to claim 1, further comprising a portion in which a distance between active layers between the switching elements is 4 μm or less.
ている請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein said switching device is of a P-type.
ント型である請求項１〜４のいずれかの有機ＥＬ素子。5. The organic EL device according to claim 1, wherein said switching device is of an enhancement type.
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2001134217A (en) |
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027998A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El display panel and el display apparatus comprising it |
| JP2008304922A (en) * | 2002-04-26 | 2008-12-18 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El display device |
| US7817149B2 (en) | 2002-04-26 | 2010-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Semiconductor circuits for driving current-driven display and display |
| US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US8736524B2 (en) | 2004-12-15 | 2014-05-27 | Ignis Innovation, Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US8743096B2 (en) | 2006-04-19 | 2014-06-03 | Ignis Innovation, Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US8941697B2 (en) | 2003-09-23 | 2015-01-27 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
| US8994617B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime uniformity parameter extraction methods |
| US9093029B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9093028B2 (en) | 2009-12-06 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
| US9111485B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-18 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
| US9125278B2 (en) | 2006-08-15 | 2015-09-01 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
| US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
| US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
| US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9305488B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
| US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9343006B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-05-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9430958B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-08-30 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
| US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US9773439B2 (en) | 2011-05-27 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9786209B2 (en) | 2009-11-30 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9947293B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of reduced memory bandwidth compensation |
| US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US10019941B2 (en) | 2005-09-13 | 2018-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
| US10078984B2 (en) | 2005-02-10 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Driving circuit for current programmed organic light-emitting diode displays |
| US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10181282B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-01-15 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variations in emissive devices |
| US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
| US10235933B2 (en) | 2005-04-12 | 2019-03-19 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
| US10311780B2 (en) | 2015-05-04 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of optical feedback |
| US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
| US10339860B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-07-02 | Ignis Innovation, Inc. | Systems and methods of pixel calibration based on improved reference values |
| US10388221B2 (en) | 2005-06-08 | 2019-08-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
| US10439159B2 (en) | 2013-12-25 | 2019-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US10573231B2 (en) | 2010-02-04 | 2020-02-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10867536B2 (en) | 2013-04-22 | 2020-12-15 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for OLED display panels |
| US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
-
1999
- 1999-11-09 JP JP31786799A patent/JP2001134217A/en not_active Withdrawn
Cited By (127)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027998A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | El display panel and el display apparatus comprising it |
| JP2008304922A (en) * | 2002-04-26 | 2008-12-18 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El display device |
| US7817149B2 (en) | 2002-04-26 | 2010-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Semiconductor circuits for driving current-driven display and display |
| US10089929B2 (en) | 2003-09-23 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
| US9472139B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
| US9472138B2 (en) | 2003-09-23 | 2016-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit with load-balance in current mirror circuit |
| US9852689B2 (en) | 2003-09-23 | 2017-12-26 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
| US8941697B2 (en) | 2003-09-23 | 2015-01-27 | Ignis Innovation Inc. | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
| USRE47257E1 (en) | 2004-06-29 | 2019-02-26 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| USRE45291E1 (en) | 2004-06-29 | 2014-12-16 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US8816946B2 (en) | 2004-12-15 | 2014-08-26 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US8994625B2 (en) | 2004-12-15 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US9970964B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-05-15 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US8736524B2 (en) | 2004-12-15 | 2014-05-27 | Ignis Innovation, Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US10699624B2 (en) | 2004-12-15 | 2020-06-30 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10078984B2 (en) | 2005-02-10 | 2018-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Driving circuit for current programmed organic light-emitting diode displays |
| US10235933B2 (en) | 2005-04-12 | 2019-03-19 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
| US10388221B2 (en) | 2005-06-08 | 2019-08-20 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
| US10019941B2 (en) | 2005-09-13 | 2018-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
| US9842544B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-12-12 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US10453397B2 (en) | 2006-04-19 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US10127860B2 (en) | 2006-04-19 | 2018-11-13 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US9633597B2 (en) | 2006-04-19 | 2017-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US8743096B2 (en) | 2006-04-19 | 2014-06-03 | Ignis Innovation, Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US10325554B2 (en) | 2006-08-15 | 2019-06-18 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
| US9125278B2 (en) | 2006-08-15 | 2015-09-01 | Ignis Innovation Inc. | OLED luminance degradation compensation |
| US9530352B2 (en) | 2006-08-15 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | OLED luminance degradation compensation |
| US9418587B2 (en) | 2009-06-16 | 2016-08-16 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
| US9117400B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-25 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
| US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
| US9111485B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-08-18 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
| US10553141B2 (en) | 2009-06-16 | 2020-02-04 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for color shift in displays |
| US10679533B2 (en) | 2009-11-30 | 2020-06-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US10699613B2 (en) | 2009-11-30 | 2020-06-30 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| US9786209B2 (en) | 2009-11-30 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
| US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| US10304390B2 (en) | 2009-11-30 | 2019-05-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9059117B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-06-16 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
| US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
| US9093028B2 (en) | 2009-12-06 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
| US9262965B2 (en) | 2009-12-06 | 2016-02-16 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for power conservation for AMOLED pixel drivers |
| US10971043B2 (en) | 2010-02-04 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9773441B2 (en) | 2010-02-04 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US11200839B2 (en) | 2010-02-04 | 2021-12-14 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10573231B2 (en) | 2010-02-04 | 2020-02-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9430958B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-08-30 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10032399B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-07-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10395574B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-08-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US8994617B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-03-31 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime uniformity parameter extraction methods |
| US10460669B2 (en) | 2010-12-02 | 2019-10-29 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US9997110B2 (en) | 2010-12-02 | 2018-06-12 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US9489897B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US10325537B2 (en) | 2011-05-20 | 2019-06-18 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10475379B2 (en) | 2011-05-20 | 2019-11-12 | Ignis Innovation Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9589490B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-03-07 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
| US9355584B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-05-31 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9799248B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10580337B2 (en) | 2011-05-20 | 2020-03-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9093029B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-07-28 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10127846B2 (en) | 2011-05-20 | 2018-11-13 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10032400B2 (en) | 2011-05-20 | 2018-07-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9978297B2 (en) | 2011-05-26 | 2018-05-22 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| US10706754B2 (en) | 2011-05-26 | 2020-07-07 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| US9640112B2 (en) | 2011-05-26 | 2017-05-02 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| US10417945B2 (en) | 2011-05-27 | 2019-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US9773439B2 (en) | 2011-05-27 | 2017-09-26 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US10380944B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-08-13 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US9792857B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-10-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US10453394B2 (en) | 2012-02-03 | 2019-10-22 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US9343006B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-05-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US10043448B2 (en) | 2012-02-03 | 2018-08-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
| US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9536460B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-01-03 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9940861B2 (en) | 2012-05-23 | 2018-04-10 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9368063B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9741279B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US10176738B2 (en) | 2012-05-23 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US10140925B2 (en) | 2012-12-11 | 2018-11-27 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US10311790B2 (en) | 2012-12-11 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
| US9685114B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US10847087B2 (en) | 2013-01-14 | 2020-11-24 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
| US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| US11875744B2 (en) | 2013-01-14 | 2024-01-16 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| US10198979B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-02-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| US9305488B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| US9818323B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-11-14 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| US9536465B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-03 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
| US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
| US9721512B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
| US9997107B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-06-12 | Ignis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
| US10460660B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-29 | Ingis Innovation Inc. | AMOLED displays with multiple readout circuits |
| US10867536B2 (en) | 2013-04-22 | 2020-12-15 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for OLED display panels |
| US9990882B2 (en) | 2013-08-12 | 2018-06-05 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| US10600362B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-03-24 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| US10395585B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-08-27 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US10186190B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US10439159B2 (en) | 2013-12-25 | 2019-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
| US10181282B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-01-15 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variations in emissive devices |
| US10311780B2 (en) | 2015-05-04 | 2019-06-04 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of optical feedback |
| US10403230B2 (en) | 2015-05-27 | 2019-09-03 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of reduced memory bandwidth compensation |
| US9947293B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods of reduced memory bandwidth compensation |
| US10339860B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-07-02 | Ignis Innovation, Inc. | Systems and methods of pixel calibration based on improved reference values |
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