JP2001128361A - Power supply apparatus, heating treatment apparatus, voltage control method and temperature control method - Google Patents
Power supply apparatus, heating treatment apparatus, voltage control method and temperature control methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電源装置、加熱処
理装置、電圧制御方法及び温度制御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device, a heat treatment device, a voltage control method and a temperature control method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジストを
塗布し、所定のパターンを露光した後に、このウェハに
対して現像液を供給して現像処理している。2. Description of the Related Art In a photoresist processing step in the manufacture of a semiconductor device, a resist is applied to a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") and a predetermined pattern is exposed. Is supplied with a developing solution to perform the developing process.
【０００３】これらの処理は、例えば露光装置に対して
レジスト塗布と現像処理を行う塗布現像処理装置を接続
したシステムによって行われている。かかる塗布現像処
理装置には、ウェハの塗布現像処理に必要な一連の処
理、例えばレジストの定着性を向上させるための疎水化
処理（アドヒージョン処理）、レジストを塗布するレジ
スト塗布処理、レジスト塗布後のウェハを加熱してレジ
ストを硬化させる加熱処理、露光後のウェハを所定の温
度で加熱するための加熱処理、露光後のウェハに対して
現像処理を施す現像処理等の各処理を個別に行う処理ユ
ニットが備えられ、ウェハ搬送装置によってこれら処理
ユニット間でのウェハの受け渡しが行われるようになっ
ている。[0003] These processes are performed by, for example, a system in which a coating and developing processing apparatus for performing resist coating and developing processing on an exposure apparatus is connected. Such a coating and developing apparatus includes a series of processing necessary for the coating and developing processing of the wafer, for example, a hydrophobic treatment (adhesion processing) for improving the fixability of the resist, a resist coating processing for applying the resist, and a resist coating after the resist coating. A process for individually performing various processes such as a heating process for heating the wafer to cure the resist, a heating process for heating the exposed wafer at a predetermined temperature, and a developing process for developing the exposed wafer. A unit is provided, and a wafer transfer device transfers a wafer between these processing units.
【０００４】一般に、上述した加熱処理を行う加熱処理
ユニットでは、ヒータが埋設された加熱処理板上にウエ
ハを載置するように構成されている。そして、加熱処理
板における加熱温度を一定に保つために、例えば加熱処
理板内に温度検出素子を埋め込み、温度検出素子により
検出結果に応じてヒータに対する電力供給をオン／オフ
する制御が行われている。例えば加熱処理板がある一定
の温度になるまでヒータに対する電力供給を行って、一
定の温度に達したときにヒータに対する電力供給を停止
し、その後一定の温度以下になると再びヒータに対する
電力供給を行っている。Generally, a heat processing unit for performing the above-described heat processing is configured to place a wafer on a heat processing plate in which a heater is embedded. Then, in order to keep the heating temperature in the heat treatment plate constant, for example, a temperature detection element is embedded in the heat treatment plate, and control is performed to turn on / off power supply to the heater according to the detection result by the temperature detection element. I have. For example, power supply to the heater is performed until the heat treatment plate reaches a certain temperature, power supply to the heater is stopped when the temperature reaches a certain temperature, and then power supply to the heater is performed again when the temperature falls below a certain temperature. ing.
【０００５】一方、加熱処理ユニットにおける加熱処理
温度はウエハ上に形成されるレイヤーに応じてそれぞれ
異なる場合がある。その場合には、露光装置側でレチク
ルを交換する間に加熱処理ユニットにおける加熱処理温
度を所望の温度に設定しておくことが望まれる。そのた
め、上記の加熱処理板を非常に薄くすることで、熱に対
する応答性を高めることが行われている。[0005] On the other hand, the heat treatment temperature in the heat treatment unit may differ depending on the layer formed on the wafer. In this case, it is desirable to set the heat treatment temperature in the heat treatment unit to a desired temperature while exchanging the reticle on the exposure apparatus side. Therefore, the response to heat is enhanced by making the above-mentioned heat treatment plate very thin.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように加熱処理板の応答性を高めると、ヒータに対す
る電力供給をオン／オフしたことがそのまま加熱処理温
度に影響する、という課題がある。より具体的には、ヒ
ータに対する電力供給をオン状態からオフ状態にすると
加熱処理温度が若干下がり、その逆にヒータに対する電
力供給をオフ状態からオン状態にすると加熱処理温度が
若干上がり、その結果加熱処理温度が脈動することにな
る。そのため、ウエハに対する加熱処理を正確な温度で
行えない、という問題がある。However, when the responsiveness of the heat treatment plate is increased as described above, there is a problem that turning on / off the power supply to the heater directly affects the heat treatment temperature. More specifically, when the power supply to the heater is changed from the on state to the off state, the heating processing temperature decreases slightly, and conversely, when the power supply to the heater is changed from the off state to the on state, the heating processing temperature slightly increases. The processing temperature will pulsate. Therefore, there is a problem that the heating process on the wafer cannot be performed at an accurate temperature.
【０００７】本発明は、このような課題に対処したもの
で、その目的は、上記のような加熱処理温度の脈動を抑
えて正確な温度制御等を行うことができる電源装置、加
熱処理装置、電圧制御方法及び温度制御方法を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address such a problem, and an object of the present invention is to provide a power supply device, a heat treatment apparatus, and the like that can perform accurate temperature control and the like by suppressing the pulsation of the heat treatment temperature as described above. An object of the present invention is to provide a voltage control method and a temperature control method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の電源装置は、交流電源を少なくとも第１の
電圧及び第２の電圧に変圧する変圧手段と、前記変圧手
段により変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電
圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に切替えて負
荷側に印加するための切替手段と、前記切替手段による
切替えを前記交流電源の周期に同期して制御する制御手
段とを具備することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a power supply device according to the present invention comprises a transformer for transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and a transformer transformed by the transformer. Switching means for selectively switching one of an AC power supply of a first voltage and an AC power supply of a second voltage to apply to a load side; and synchronizing switching by the switching means with a cycle of the AC power supply. And control means for performing the control.
【０００９】本発明では、所望の出力を得たい場合に負
荷側に対する電力供給をオフする期間を設けるのではな
く、少なくとも２種類の異なる電圧を負荷側に選択的に
印加するように構成しつつ、これら異なる電圧の切替え
を交流電源の周期に同期して制御しているので、例えば
かかる構成の電源装置によって電力供給が制御される加
熱処理装置等の加熱処理温度の脈動を抑えて正確な温度
制御等を行うことができる。According to the present invention, at least two different voltages are selectively applied to the load side instead of providing a period for turning off the power supply to the load side to obtain a desired output. Since the switching of these different voltages is controlled in synchronization with the cycle of the AC power supply, for example, the pulsation of the heating processing temperature of a heating processing apparatus or the like in which the power supply is controlled by the power supply apparatus having such a configuration is suppressed, and the accurate temperature is controlled. Control and the like can be performed.
【００１０】本発明の一の形態によれば、負荷側の電圧
や温度等の負荷側の状態を検出する状態検出手段を有
し、制御手段は、前記検出された負荷側の状態に応じ
て、前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に
同期して制御することを特徴とする。これにより、負荷
側の状態に応じた正確な温度制御等を行うことができ
る。According to one aspect of the present invention, there is provided state detecting means for detecting a state of the load such as a voltage and a temperature of the load, and the control means controls the state of the load in accordance with the detected state of the load. The switching by the switching means is controlled in synchronization with the cycle of the AC power supply. Thus, accurate temperature control or the like according to the state on the load side can be performed.
【００１１】本発明の一の形態によれば、前記交流電源
の電圧を検出する電源電圧検出手段を有し、前記制御手
段は、前記検出された交流電源の電圧に応じて、前記切
替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期して制
御することを特徴とする。これにより、交流電源の変動
に応じてより応答性のよい温度制御等を行うことができ
る。According to one aspect of the present invention, there is provided a power supply voltage detecting means for detecting a voltage of the AC power supply, wherein the control means controls the switching means according to the detected voltage of the AC power supply. The switching is controlled in synchronization with the cycle of the AC power supply. This makes it possible to perform temperature control and the like with better responsiveness according to the fluctuation of the AC power supply.
【００１２】本発明の一の形態によれば、前記制御手段
は、前記切替手段による切替えを前記交流電源の１／２
周期毎に制御することを特徴とする。これにより、正確
な温度制御等を行うことができる。According to one aspect of the present invention, the control means controls the switching by the switching means to a half of the AC power supply.
It is characterized in that control is performed for each cycle. Thereby, accurate temperature control and the like can be performed.
【００１３】本発明の一の形態によれば、前記切替手段
に印加される電圧のゼロクロス点を検出するゼロクロス
点検出手段を有し、前記制御手段は、前記切替手段によ
る切替えを前記検出されたゼロクロス点で行うように制
御することを特徴とする。これにより、例えば従来のイ
ンバータや電子スライダックスでは切替え時にスイッチ
ングノイズが発生していたのに対して、本発明では切替
手段による切替えによってスイッチングノイズが発生す
ることはなくなる。According to one aspect of the present invention, there is provided a zero-crossing point detecting means for detecting a zero-crossing point of the voltage applied to the switching means, and the control means detects the switching by the switching means. It is characterized in that control is performed so as to be performed at the zero cross point. Thus, for example, switching noise is generated at the time of switching in a conventional inverter or electronic slidax, whereas switching noise is not generated by switching by the switching means in the present invention.
【００１４】別の観点に係る本発明は、基板を加熱処理
する加熱処理装置において、基板が表面に載置される載
置板と、前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加
熱素子と、前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを
備え、前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電
圧及び第２の電圧に変圧する変圧手段と、前記変圧手段
により変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧
の交流電源のうちいずれか一方を選択的に切替えて前記
加熱素子に印加するための切替手段と、前記載置板の温
度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により
検出された温度に応じて、前記切替手段による切替えを
前記交流電源の周期に同期して制御する制御手段とを具
備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, comprising: a mounting plate on which the substrate is mounted on a front surface; and a back surface of the mounting plate or the mounting plate. A heating element, and a power supply for supplying power to the heating element, wherein the power supply is transformed by the transforming means for transforming the AC power supply into at least a first voltage and a second voltage. Switching means for selectively switching one of an AC power supply of a first voltage and an AC power supply of a second voltage to apply to the heating element; and a temperature detection means for detecting a temperature of the mounting plate. And control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply in accordance with the temperature detected by the temperature detecting means.
【００１５】別の観点に係る本発明は、基板を加熱処理
する加熱処理装置において、基板が表面に載置される載
置板と、前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加
熱素子と、前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを
備え、前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電
圧及び第２の電圧に変圧する変圧手段と、前記変圧手段
により変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧
の交流電源のうちいずれか一方を選択的に切替えて前記
加熱素子に印加するための切替手段と、前記交流電源の
電圧を検出する電源電圧検出手段と、前記電源電圧検出
手段により検出された電圧に応じて、前記切替手段によ
る切替えを前記交流電源の周期に同期して制御する制御
手段とを具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, wherein the mounting plate has a substrate mounted on a front surface thereof and a back surface of the mounting plate or the mounting plate is disposed on the mounting plate. A heating element, and a power supply for supplying power to the heating element, wherein the power supply is transformed by the transforming means for transforming the AC power supply into at least a first voltage and a second voltage. Switching means for selectively switching one of an AC power supply of a first voltage and an AC power supply of a second voltage to apply to the heating element, and a power supply voltage detecting means for detecting a voltage of the AC power supply And control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply in accordance with the voltage detected by the power supply voltage detecting means.
【００１６】別の観点に係る本発明は、基板を加熱処理
する加熱処理装置において、基板が表面に載置される載
置板と、前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加
熱素子と、前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを
備え、前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電
圧及び第２の電圧に変圧する変圧手段と、前記変圧手段
により変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧
の交流電源のうちいずれか一方を選択的に切替えて前記
加熱素子に印加するための切替手段と、前記加熱素子に
印加された電圧を検出する素子電圧検出手段と、前記素
子電圧検出手段により検出された電圧に応じて、前記切
替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期して制
御する制御手段とを具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for subjecting a substrate to heat treatment, wherein the placing plate has a substrate mounted on a front surface thereof, and is disposed on the back surface of the placing plate or in the placing plate. A heating element, and a power supply for supplying power to the heating element, wherein the power supply is transformed by the transforming means for transforming the AC power supply into at least a first voltage and a second voltage. Switching means for selectively switching one of an AC power supply of a first voltage and an AC power supply of a second voltage to apply to the heating element, and an element for detecting a voltage applied to the heating element It is characterized by comprising voltage detecting means, and control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply in accordance with a voltage detected by the element voltage detecting means.
【００１７】さらに別の観点に係る本発明は、交流電源
を少なくとも第１の電圧及び第２の電圧に変圧する工程
と、前記変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電
圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に前記交流電
源の周期に同期して切替えて負荷側に印加する工程とを
具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, a step of transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and the step of transforming the AC power of the transformed first voltage and the AC of a second voltage are performed. Selectively switching any one of the power supplies in synchronization with the cycle of the AC power supply and applying the switched power supply to the load side.
【００１８】別の観点に係る本発明は、加熱素子を有す
る熱処理板上で基板を加熱処理する加熱処理装置の温度
を制御する方法において、交流電源を少なくとも第１の
電圧及び第２の電圧に変圧する工程と、前記交流電源の
電圧を検出する工程と、前記検出された電圧に応じて、
前記変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧の
交流電源のうちいずれか一方を選択的に前記交流電源の
周期に同期して切替えて前記加熱素子に印加する工程と
を具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus for heating a substrate on a heat treatment plate having a heating element, comprising: changing an AC power supply to at least a first voltage and a second voltage. Transforming, and detecting the voltage of the AC power supply, according to the detected voltage,
Selectively switching one of the transformed first voltage AC power supply and the second voltage AC power supply in synchronization with a cycle of the AC power supply and applying the switched one to the heating element. It is characterized by the following.
【００１９】別の観点に係る本発明は、加熱素子を有す
る熱処理板上で基板を加熱処理する加熱処理装置の温度
を制御する方法において、交流電源を少なくとも第１の
電圧及び第２の電圧に変圧する工程と、前記熱処理板の
温度を検出する工程と、前記検出された温度に応じて、
前記変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧の
交流電源のうちいずれか一方を選択的に前記交流電源の
周期に同期して切替えて前記加熱素子に印加する工程と
を具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus for heating a substrate on a heat treatment plate having a heating element, the method comprising controlling an AC power supply to at least a first voltage and a second voltage. Step of transforming the pressure, a step of detecting the temperature of the heat-treated plate, and according to the detected temperature,
Selectively switching one of the transformed first voltage AC power supply and the second voltage AC power supply in synchronization with a cycle of the AC power supply and applying the switched one to the heating element. It is characterized by the following.
【００２０】別の観点に係る本発明は、加熱素子を有す
る熱処理板上で基板を加熱処理する加熱処理装置の温度
を制御する方法において、交流電源を少なくとも第１の
電圧及び第２の電圧に変圧する工程と、前記加熱素子に
印加される電圧を検出する工程と、前記検出された電圧
に応じて、前記変圧された第１の電圧の交流電源及び第
２の電圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に前記
交流電源の周期に同期して切替えて前記加熱素子に印加
する工程とを具備することを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus for heating a substrate on a heat treatment plate having a heating element, wherein the AC power supply is controlled to at least a first voltage and a second voltage. A step of transforming the voltage, a step of detecting a voltage applied to the heating element, and, according to the detected voltage, any one of the transformed first voltage AC power supply and the second voltage AC power supply Selectively switching either one of them in synchronization with the cycle of the AC power supply and applying the selected one to the heating element.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２２】図１は本発明の一実施形態に係る加熱処理
装置の構成を示す回路図である。図１に示すように、こ
の加熱処理装置１は、ウエハＷを加熱処理するための加
熱処理ユニット２と、加熱処理ユニット２に対して電力
を供給するための電源装置３とを備える。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 includes a heat treatment unit 2 for heating the wafer W, and a power supply device 3 for supplying power to the heat treatment unit 2.
【００２３】加熱処理ユニット２内には、加熱素子とし
てのヒータ４が埋設された加熱処理板５が配置されてい
る。この加熱処理板５上にはウエハＷが載置されてウエ
ハＷの加熱処理が行われるようになっている。In the heat treatment unit 2, a heat treatment plate 5 in which a heater 4 as a heating element is embedded is arranged. The wafer W is placed on the heat processing plate 5 and heat processing of the wafer W is performed.
【００２４】電源装置３は、交流電源７を少なくとも２
種、この実施形態では３種の電圧（例えば交流電源７の
電圧の１００％、５０％、２５％の電圧）に変圧するト
ランス８を有する。トランス８の２次巻線側には変圧さ
れた３種の電圧のうち１種の電圧（トランス８のタッ
プ）を選択するためのスイッチ素子９が設けられてい
る。また、トランス８の２次巻線側にはスイッチ素子９
に印加される電圧のゼロクロス点を検出するゼロクロス
点検出器１１及びヒータ４に印加された電圧を検出する
ための電圧検出器６が配置されている。そして、制御部
１０が電圧検出器６により検出された電圧に応じて、ス
イッチ素子９の切替えを制御し、スイッチ素子９により
選択された電圧が上記のヒータ４に印加されるようにな
っている。The power supply device 3 has an AC power supply 7 of at least 2
In this embodiment, there is provided a transformer 8 which transforms the voltage into three types (for example, 100%, 50%, and 25% of the voltage of the AC power supply 7). On the secondary winding side of the transformer 8, a switch element 9 for selecting one voltage (tap of the transformer 8) among the three transformed voltages is provided. A switching element 9 is provided on the secondary winding side of the transformer 8.
A zero cross point detector 11 for detecting a zero cross point of a voltage applied to the heater 4 and a voltage detector 6 for detecting a voltage applied to the heater 4 are arranged. Then, the control unit 10 controls switching of the switch element 9 according to the voltage detected by the voltage detector 6, and the voltage selected by the switch element 9 is applied to the heater 4. .
【００２５】図２は制御部１０によるスイッチ素子９の
切替え制御を説明するための波形図である。FIG. 2 is a waveform chart for explaining the switching control of the switch element 9 by the control unit 10.
【００２６】ここで、 ｅｎ−１：前回誤差 ｐｎ：所定期間Ｔｃの電源装置３の出力（要求出力） Ｔｋ：ｐｎのすぐ上のタップ Ｔｋ−１：ｐｎのすぐ下のタップ Ｔｈｋ：しきい値 （Ｔｋ＋Ｔｋ−１）／２ Ｘｎ：今回出力したタップ ｅｎ：今回誤差 とすると、 ｅｎ−１＋ｐｎ≧Ｔｈｋなら、Ｘｎ＝Ｔｋ ｅｎ−１＋ｐｎ＜Ｔｈｋなら、Ｘｎ＝Ｔｋ−１ となるように、即ち要求出力との誤差を最小に（パワー
を最大限平準化）するように制御部１０はスイッチ素子
９の切替えを制御する。Here, en -1 : previous error pn : output (required output) of the power supply 3 during a predetermined period Tc Tk : tap immediately above pn Tk-1 : immediately below pn tap T hk: threshold (T k + T k-1 ) / 2 X n: currently outputted tap e n: If this is an error, if e n-1 + p n ≧ T hk, X n = T k e If n−1 + pn < Thk , the control unit 10 controls the switching element 9 so that Xn = Tk −1 , that is, to minimize the error with the required output (maximize the power). Control switching.
【００２７】従って、 ｅｎ＝ｐｎ＋ｅｎ−１−Ｘｎ となり、以下このような切替え制御を例えば図２に示す
ように交流電源の周期の１／２毎（１山毎）、かつ、ス
イッチ素子９に印加される電圧のゼロクロス点で行う。
このように切替えを交流電圧の１山毎に行うことにより
精度良く電圧を制御できる。また上記切替えをスイッチ
素子９に印加される電圧のゼロクロス点で行うことで、
スイッチングノイズが発生することはなくなり、スイッ
チングノイズに伴う機器の誤動作等を防止することがで
きる。[0027] Therefore, e n = p n + e n-1 -X n , and the following every half of such switching cycle of the AC power source as shown in the control in FIG. 2, for example (1 Yamagoto), and, This is performed at the zero cross point of the voltage applied to the switch element 9.
As described above, by performing the switching for each peak of the AC voltage, the voltage can be accurately controlled. Further, by performing the above switching at the zero cross point of the voltage applied to the switch element 9,
Switching noise does not occur, and malfunction of the device due to the switching noise can be prevented.
【００２８】図２に示した波形図は例えば所定期間Ｔｃ
の電源装置３の出力が３７．５％である場合を示してお
り、この場合には例えば５０％のタップと２５％のタッ
プが交互に選択される。図３は従来の一例を図示してお
り、この場合には電源装置出力が１００％の期間（Ｔｃ
×０．３７５）と０％の期間（Ｔｃ×０．６２５）とを
つなぎ合わせたものとなる。The waveform diagram shown in FIG. 2 is, for example, a predetermined period Tc.
Shows that the output of the power supply device 3 is 37.5%. In this case, for example, 50% taps and 25% taps are alternately selected. FIG. 3 illustrates an example of the related art, in which the power supply output is 100% (T c).
× 0.375) and the period of 0% (T c × 0.625).
【００２９】このように本実施形態では、所望の出力を
得たい場合にヒータ４側に対する電力供給をオフする期
間を設けるのではなく、例えば３種類の異なる電圧をヒ
ータ４に対して選択的に印加するように構成しつつ、こ
れら異なる電圧の切替えを交流電源の周期に同期（例え
ば周期の１／２）して制御しているので、加熱処理板５
の加熱処理温度の脈動を抑えて正確な温度制御等を行う
ことができる。As described above, in the present embodiment, when a desired output is desired, a period in which the power supply to the heater 4 is turned off is not provided, but, for example, three different voltages are selectively applied to the heater 4. Since the switching of these different voltages is controlled in synchronization with the cycle of the AC power supply (for example, 周期 of the cycle) while being configured to be applied, the heat treatment plate 5
Pulsation of the heat treatment temperature can be suppressed, and accurate temperature control and the like can be performed.
【００３０】なお、上述した実施形態では、ヒータ４に
印加された電圧を電圧検出器６で検出し、この検出結果
に基づき制御部１０がスイッチング素子９の切替えを制
御するものであったが、図４に示すように、トランス８
の１次巻線側に電圧検出器４１を設けて交流電源７側の
電圧を検出し、この検出結果に基づき制御部１０がスイ
ッチング素子９の切替えを制御するように構成しても良
いし、図５に示すように、加熱処理板５内に例えば温度
検出素子５１を埋設して、温度検出素子５１により検出
された結果に基づき制御部１０がスイッチング素子９の
切替えを制御するように構成しても良い。In the above-described embodiment, the voltage applied to the heater 4 is detected by the voltage detector 6, and the control unit 10 controls the switching of the switching element 9 based on the detection result. As shown in FIG.
A voltage detector 41 may be provided on the primary winding side to detect the voltage on the AC power supply 7 side, and the control unit 10 may control the switching of the switching element 9 based on the detection result, As shown in FIG. 5, for example, a temperature detecting element 51 is embedded in the heat treatment plate 5, and the control unit 10 controls the switching of the switching element 9 based on the result detected by the temperature detecting element 51. May be.
【００３１】次に本発明に好適な加熱処理ユニットの実
施形態を説明する。図６はこの実施形態に係る加熱処理
ユニットの正面図、図７はその平面図である。Next, an embodiment of a heat treatment unit suitable for the present invention will be described. FIG. 6 is a front view of the heat treatment unit according to this embodiment, and FIG. 7 is a plan view thereof.
【００３２】図６に示すように、この加熱処理ユニット
６１では、薄いセラミック製の円形の加熱処理板６２の
裏面にヒータ６３ａ〜６３ｇがそれぞれ所定の間隔をお
いて直線上に配置されている。そして、各ヒータ６３ａ
〜６３ｇにはそれぞれ別個に本発明に係る電源装置３が
接続されている。電源装置３は例えば図５に示した温度
検出素子５１により負荷側の状態を検出するものが望ま
しく、その場合には各ヒータ６３ａ〜６３ｇに対応した
加熱処理板６２の領域毎に温度検出素子５１を設けるこ
とが望ましい。これにより、各ヒータ６３ａ〜６３ｇに
対応した加熱処理板６２の領域毎に温度制御を行うこと
が可能となり、より精度良くウエハＷを加熱処理するこ
とができる。As shown in FIG. 6, in this heat treatment unit 61, heaters 63a to 63g are arranged on a back surface of a thin ceramic heat treatment plate 62 in a straight line at predetermined intervals. And each heater 63a
The power supply device 3 according to the present invention is separately connected to each of the power supply devices 3 to 63 g. It is desirable that the power supply device 3 detects the state on the load side by the temperature detection element 51 shown in FIG. 5, for example. In this case, the temperature detection element 51 is provided for each area of the heat treatment plate 62 corresponding to each of the heaters 63a to 63g. Is desirably provided. This makes it possible to perform temperature control for each region of the heat processing plate 62 corresponding to each of the heaters 63a to 63g, and to heat the wafer W with higher accuracy.
【００３３】また、加熱処理板６２には、その表面から
複数本、例えば３本の支持ピン７１が出没可能に配置さ
れている。これら支持ピン７１は加熱処理板６２の裏面
側に配置された昇降機構（図示せず）により昇降するよ
うになっている。そして、支持ピン７１は加熱処理板６
２の表面から突出した状態で例えば搬送装置のアーム
（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しを行い、加熱
処理板６２の表面から没した状態でウエハＷを加熱処理
するようになっている。A plurality of, for example, three support pins 71 are arranged on the heat-treated plate 62 so as to be able to protrude and retract from the surface thereof. These support pins 71 are moved up and down by an elevating mechanism (not shown) arranged on the back side of the heat treatment plate 62. The support pins 71 are connected to the heat treatment plate 6.
The wafer W is transferred between, for example, an arm (not shown) of a transfer device in a state where the wafer W protrudes from the surface of the heat treatment plate 62, and the wafer W is heated while being immersed in the surface of the heat processing plate 62. I have.
【００３４】また、加熱処理板６２の表面には、加熱処
理板６２の表面側を覆って密閉空間を形成するための蓋
６８が配置されている。この蓋６８は図示を省略した昇
降機構により上下に昇降してウエハの受け渡しが行える
ようになっている。パージリング６４には、この密閉空
間に向けて冷却用の窒素ガスを噴出すための孔６９がパ
ージリング６４の表面沿って多数設けられ、蓋６８のほ
ぼ中央には排出口７０が設けられ、パージリング６４の
孔６９から噴出された上記ガスが加熱処理板６２の表面
を通り排出口７０から排出されることで、加熱処理板６
２の冷却が行われるようになっている。A lid 68 is provided on the surface of the heat treatment plate 62 to cover the surface of the heat treatment plate 62 and form a closed space. The lid 68 is vertically moved up and down by a lifting mechanism (not shown) so that wafers can be transferred. The purge ring 64 is provided with a large number of holes 69 for ejecting nitrogen gas for cooling toward the closed space along the surface of the purge ring 64, and a discharge port 70 is provided at substantially the center of the lid 68. The gas ejected from the hole 69 of the purge ring 64 passes through the surface of the heat treatment plate 62 and is discharged from the discharge port 70, so that the heat treatment plate 6
2 is performed.
【００３５】このように本実施形態に係る加熱処理ユニ
ット６１では、加熱処理板６２を薄くし、しかもセラミ
ックにより構成することによって、加熱処理板６２の熱
に対する応答性を高めているが、その場合に本発明に係
る電源装置３により電力を供給するように構成すれば、
上記応答性を高めたことにより発生する加熱処理板６２
の加熱処理温度の脈動を抑えて正確な温度制御等を行う
ことができる。As described above, in the heat treatment unit 61 according to the present embodiment, the heat treatment plate 62 is made thinner and made of ceramic to increase the responsiveness of the heat treatment plate 62 to heat. If power is supplied by the power supply device 3 according to the present invention,
Heat treatment plate 62 generated by increasing the above responsiveness
Pulsation of the heat treatment temperature can be suppressed, and accurate temperature control and the like can be performed.
【００３６】以上のように構成された本発明に係る加熱
処理ユニットは、図８〜図１０に示す塗布現像処理シス
テムに適用されることが好ましい。It is preferable that the heat processing unit according to the present invention configured as described above is applied to the coating and developing processing system shown in FIGS.
【００３７】図８に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハ
Ｗを順次取り出すカセット部８０と、カセット部８０に
よって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部８１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部８２とを備えている。As shown in FIG. 8, the coating and developing system includes a cassette unit 80 for sequentially taking out wafers W from a cassette CR in which wafers W are stored, and a resist solution coating process for the wafers W taken out by the cassette unit 80. And a process unit 81 for performing a development process, and an interface unit 82 for transferring the wafer W coated with the resist solution to an exposure apparatus (not shown).
【００３８】前記カセット部８０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部う８０ａと、この
突起部８０ａによって保持されたカセット内からウエハ
Ｗを取り出す第１のサブアーム機構９１とが設けられて
いる。このサブアーム機構９１は、θ方向に回転自在に
構成され、カセットから取り出したウエハＷを、このウ
エハＷを前記プロセス処理部８１に設けられたメインア
ーム機構９２側に受け渡す機能を有する。The cassette section 80 is provided with four projections 80a for positioning and holding the cassette CR, and a first sub-arm mechanism 91 for taking out the wafer W from the cassette held by the projections 80a. Have been. The sub arm mechanism 91 is configured to be rotatable in the θ direction, and has a function of transferring the wafer W taken out of the cassette to the main arm mechanism 92 provided in the process section 81.
【００３９】このカセット部８０とプロセス処理部８１
間でのウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３
を介して行われるようになっている。この第３の処理ユ
ニット群Ｇ３は、図１０に示すように複数のプロセス処
理ユニットを縦形に積み上げて構成したものである。す
なわち、この処理ユニット群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処
理するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに対す
るレジスト液の定着性を高める疎水化処理を行なうアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを
するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待
機させておくためのエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、レジスト塗布後の加熱処理を行なう２つプリベー
キングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び露光処理後の
加熱処理を行なうポストエキスポージャーベーキングユ
ニット（ＰＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が順次下から上へと積み上げて構成さ
れている。これらプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、ポストエキスポージャーベーキングユニット
（ＰＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）は本発明の加熱処理装置によって構成されて
いる。The cassette section 80 and the processing section 81
The transfer of the wafer W between the third processing unit group G3
Is to be done through. The third processing unit group G3 is configured by vertically stacking a plurality of process processing units as shown in FIG. That is, the processing unit group G3 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer W, an adhesion unit (AD) for performing a hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist solution to the wafer W, and alignment of the wafer W. Alignment unit (ALIM), and an extension unit (EX) for holding the wafer W on standby.
T), two pre-baking units (PREBAKE) for performing a heating process after resist application, and a post-exposure baking unit (PEBAKE) and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process after an exposure process are sequentially arranged from bottom to top. It is configured by stacking. These pre-baking units (PREBA
KE), post exposure baking unit (PEBAKE) and post baking unit (PO
BAKE) is constituted by the heat treatment apparatus of the present invention.
【００４０】なお、この図に示すように、前記メインア
ーム機構９２を挟んだ前記第３の処理ユニット群Ｇ３の
反対側には、第４の処理ユニット群Ｇ４が設けられてい
るが、前記第３の処理ユニット群Ｇ３と略同様に構成さ
れているので、その詳しい説明は省略する。As shown in the figure, a fourth processing unit group G4 is provided on the opposite side of the third processing unit group G3 across the main arm mechanism 92. Since the configuration is substantially the same as that of the third processing unit group G3, a detailed description thereof will be omitted.
【００４１】また、図８に示すように、このメインアー
ム機構９２の周囲には、前記第３、第４の処理ユニット
群Ｇ３、Ｇ４を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜
Ｇ５がこのメインアーム機構９２を囲むように設けられ
ている。前述した第３の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４と同
様に、他の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ５も各種の処
理ユニットを上下方向に積み上げ的に構成されている。As shown in FIG. 8, the first to fifth processing unit groups G1 to G4 including the third and fourth processing unit groups G3 and G4 are provided around the main arm mechanism 92.
G5 is provided so as to surround the main arm mechanism 92. Similarly to the third processing unit groups G3 and G4 described above, the other processing unit groups G1, G2 and G5 are configured by vertically stacking various processing units.
【００４２】この実施形態の現像処理装置（ＤＥＶ）
は、図９に示すように、前記第１、第２の処理ユニット
群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第１、第２の処理
ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）
と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成
したものである。The developing device (DEV) of this embodiment
Are provided in the first and second processing unit groups G1 and G2, as shown in FIG. The first and second processing unit groups G1 and G2 are provided with a resist coating device (COT)
And a developing device (DEV) are vertically stacked.
【００４３】一方、前記メインアーム機構９２は、図１
０に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド９
９と、ガイド９９に沿って上下駆動されるメインアーム
９８を備えている。また、このメインアーム９８は平面
方向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム９８を、上下方向に
駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。On the other hand, the main arm mechanism 92 is
0, a cylindrical guide 9 extending vertically.
9 and a main arm 98 driven up and down along a guide 99. The main arm 98 is configured to rotate in a plane direction and to be driven forward and backward. Therefore, by driving the main arm 98 in the up-down direction, the wafer W is transferred to each of the processing unit groups G1.
To G5 can be arbitrarily accessed.
【００４４】前記第１のサブアーム機構９１からメイン
アーム機構９２への前記ウエハＷの受け渡しは、前記第
３の処理ユニット群Ｇ３の前記エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を
介して行われる。The transfer of the wafer W from the first sub-arm mechanism 91 to the main arm mechanism 92 is performed via the extension unit (EXT) and the alignment unit (ALIM) of the third processing unit group G3. .
【００４５】ウエハＷを受け取ったメインアーム機構９
２は、先ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３
のアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処
理を行なう。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）
からウエハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）
で冷却処理する。Main arm mechanism 9 receiving wafer W
2. First, the wafer W is transferred to the third processing unit group G3.
And carried into a hydrophobic treatment. Next, Adhesion Unit (AD)
Unloads the wafer W from the cooling unit (COL)
To cool.
【００４６】冷却処理されたウエハＷは、前記メインア
ーム機構９２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１
（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）によりレジスト液が塗
布されたウエハＷは、メインアーム機構９２によってア
ンロードされ、第３、第４の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４
の加熱処理ユニット（ＰＥＢＡＫＥ）でレジスト溶媒を
蒸発させる加熱処理を施される。The wafer W having been subjected to the cooling process is transferred to the first processing unit group G1 by the main arm mechanism 92.
(Or the second processing unit group G2) is positioned so as to face the resist liquid coating apparatus (COT), and is carried in. The wafer W coated with the resist liquid by the resist liquid coating device (COT) is unloaded by the main arm mechanism 92, and the third and fourth processing unit groups G3, G4
Is subjected to heat treatment for evaporating the resist solvent in the heat treatment unit (PEBAKE).
【００４７】次に、前記ウエハＷはクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、第４の処理ユニット群Ｇ４
のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して前記イ
ンタフェース部８２に設けられた第２のサブアーム機構
８４に受け渡される。Next, after the wafer W is cooled by the cooling unit (COL), the fourth processing unit group G4
Is transferred to a second sub-arm mechanism 84 provided in the interface unit 82 via the extension unit (EXT).
【００４８】ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機
構８４は、受け取ったウエハＷを順次バッファカセット
（ＢＵＣＲ）内に収納する。その後、図示しない露光装
置より受け取り信号が出されるとバッファカセット（Ｂ
ＵＣＲ）に収納されたウエハを順次サブアーム機構８４
により露光装置に受け渡す。この露光装置による露光が
終了したならば、露光済みウエハをサブアーム機構８４
で受け取り、周辺露光ユニット（ＷＥＥ）により、ウエ
ハ周縁部を例えば２ｍｍの幅で周辺露光処理する。The second sub-arm mechanism 84 that has received the wafer W sequentially stores the received wafer W in a buffer cassette (BUCR). Thereafter, when a receiving signal is output from an exposure device (not shown), the buffer cassette (B
The wafers stored in the UCR) are sequentially transferred to the sub-arm mechanism 84.
To the exposure apparatus. When the exposure by the exposure apparatus is completed, the exposed wafer is moved to the sub arm mechanism 84.
And the peripheral exposure unit (WEE) performs peripheral exposure processing on the wafer peripheral portion with a width of, for example, 2 mm.
【００４９】周辺露光処理された後のウエハＷは、前記
とは逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアー
ム機構９２に受け渡され、このメインアーム機構９２
は、この露光後のウエハＷをポストエキスポージャーベ
ーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に受け渡す。このこ
とで、前記ウエハＷは加熱処理され、その後、クーリン
グユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却処理され
る。The wafer W that has been subjected to the peripheral exposure processing is transferred to the main arm mechanism 92 via the fourth processing unit group G4 in the opposite manner as described above.
Transfers the exposed wafer W to a post-exposure baking unit (PEBAKE). As a result, the wafer W is subjected to a heat treatment, and thereafter, is cooled to a predetermined temperature in a cooling unit (COL).
【００５０】ついで、ウエハＷは、メインアーム機構９
２により、現像装置（ＤＥＶ）に挿入され、現像処理が
施される。現像処理後のウエハＷは、いずれかのベーキ
ングユニットに搬送され、加熱乾燥した後、この第３の
処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を介してカセット部８０に排出される。Then, the wafer W is moved to the main arm mechanism 9
By 2, it is inserted into a developing device (DEV) and is subjected to a developing process. The wafer W after the development processing is transported to any one of the baking units, and after being heated and dried, the extension unit (EX) of the third processing unit group G3 is used.
T), and is discharged to the cassette section 80.
【００５１】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール８５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構９２及び前記第１〜
第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。The fifth processing unit group G5 includes:
This is selectively provided, and in this example, is configured similarly to the fourth processing unit group G4. The fifth processing unit group G5 is movably held by a rail 85, and is provided with the main arm mechanism 92 and the first to the fifth processing units.
Maintenance processing can be easily performed on the fourth processing unit groups G1 to G4.
【００５２】本発明の加熱処理装置を、図８〜図１０に
示した塗布現像ユニットに適用した場合、正確な温度で
加熱処理を行なえるから、ウエハＷ上に形成されるレジ
スト膜の膜厚のばらつきを抑えることができ、よって線
幅制御をより正確に行うことができる。When the heat treatment apparatus of the present invention is applied to the coating and developing units shown in FIGS. 8 to 10, the heat treatment can be performed at an accurate temperature, so that the thickness of the resist film formed on the wafer W can be increased. Can be suppressed, and the line width can be controlled more accurately.
【００５３】なお、本発明は、このような塗布現像ユニ
ット以外の装置にも適用可能であることはもちろんであ
る。The present invention is of course applicable to devices other than such a coating and developing unit.
【００５４】また、本発明の電源装置は、加熱処理装置
ばかりでなく、正確な電源制御が要求される他の装置に
も当然適用することができる。The power supply device of the present invention can be applied not only to a heat treatment device but also to other devices requiring accurate power supply control.
【００５５】その他、本発明の要旨を変更しない範囲で
種々変形可能なことはいうまでもない。It goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱処理装置等の加熱処理温度の脈動を抑えて正確な温
度制御等を行うことができる。As described above, according to the present invention,
Accurate temperature control and the like can be performed by suppressing pulsation of the heat treatment temperature of the heat treatment device or the like.
【図１】本発明の一実施形態に係る加熱処理装置の構成
を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した制御部によるスイッチ素子の切替
え制御を説明するための波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram for explaining switching control of a switch element by a control unit shown in FIG. 1;
【図３】図２に対比した従来技術を説明するための波形
図である。FIG. 3 is a waveform diagram for explaining a conventional technique compared to FIG. 2;
【図４】他の実施形態に係る加熱処理装置の構成を示す
回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration of a heat treatment apparatus according to another embodiment.
【図５】更に別の実施形態に係る加熱処理装置の構成を
示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a heat treatment apparatus according to still another embodiment.
【図６】本発明の実施形態に係る加熱処理ユニットの正
面図である。FIG. 6 is a front view of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図７】図６に示した加熱処理ユニットの平面図であ
る。FIG. 7 is a plan view of the heat treatment unit shown in FIG.
【図８】本発明の一実施形態が適用される塗布現像シス
テムの全体構成を示す平面配置図である。FIG. 8 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図９】本発明の一実施形態が適用される塗布現像シス
テムの全体構成を示す正面配置図である。FIG. 9 is a front layout diagram showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図１０】本発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す背面配置図である。FIG. 10 is a rear layout diagram showing the entire configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
１ 加熱処理装置 ２、６１ 加熱処理ユニット ３ 電源装置 ４、６３ａ〜６３ｇ ヒータ ５、６２ 加熱処理板 ６、４１ 電圧検出器 ７ 交流電源 ８ トランス ９ スイッチ素子 １０ 制御部 １１ ゼロクロス点検出器 ５１ 温度検出素子 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing apparatus 2, 61 Heat processing unit 3 Power supply device 4, 63a-63g Heater 5, 62 Heat processing plate 6, 41 Voltage detector 7 AC power supply 8 Transformer 9 Switch element 10 Control part 11 Zero cross point detector 51 Temperature detection Device W Wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｈ ５６７ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 3/00 310 H01L 21/30 502H 567
Claims (16)
２の電圧に変圧する変圧手段と、 前記変圧手段により変圧された第１の電圧の交流電源及
び第２の電圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に
切替えて負荷側に印加するための切替手段と、 前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期
して制御する制御手段とを具備することを特徴とする電
源装置。1. A transformer for transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and any one of an AC power supply of a first voltage and an AC power supply of a second voltage transformed by the transformer. A power supply apparatus, comprising: switching means for selectively switching one of the two to apply to a load side; and control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply.
段を有し、 前記制御手段は、前記検出された負荷側の状態に応じ
て、前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に
同期して制御することを特徴とする請求項１に記載の電
源装置。2. The apparatus according to claim 1, further comprising: a state detection unit configured to detect a state of the load, wherein the control unit synchronizes switching by the switching unit with a cycle of the AC power supply in accordance with the detected state of the load. The power supply device according to claim 1, wherein the power supply device is controlled.
として前記負荷側の電圧を検出することを特徴とする請
求項２に記載の電源装置。3. The power supply device according to claim 2, wherein the state detection unit detects the load-side voltage as the load-side state.
として前記負荷側の温度を検出することを特徴とする請
求項２に記載の電源装置。4. The power supply device according to claim 2, wherein the state detection unit detects the temperature on the load side as the state on the load side.
検出手段を有し、 前記制御手段は、前記検出された交流電源の電圧に応じ
て、前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に
同期して制御することを特徴とする請求項１に記載の電
源装置。5. A power supply voltage detecting means for detecting a voltage of the AC power supply, wherein the control means performs switching by the switching means in a cycle of the AC power supply in accordance with the detected voltage of the AC power supply. The power supply device according to claim 1, wherein the power supply device is controlled in synchronization.
替えを前記交流電源の１／２周期毎に制御することを特
徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか１項に記
載の電源装置。6. The power supply according to claim 1, wherein the control means controls switching by the switching means at every half cycle of the AC power supply. apparatus.
ロス点を検出するゼロクロス点検出手段を有し、 前記制御手段は、前記切替手段による切替えを前記検出
されたゼロクロス点で行うように制御することを特徴と
する請求項１乃至請求項６のうちいずれか１項に記載の
電源装置。7. A zero-crossing point detecting means for detecting a zero-crossing point of a voltage applied to the switching means, wherein the control means controls the switching by the switching means to be performed at the detected zero-crossing point. The power supply device according to any one of claims 1 to 6, wherein:
て、 基板が表面に載置される載置板と、 前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加熱素子
と、 前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを備え、 前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電圧及び
第２の電圧に変圧する変圧手段と、 前記変圧手段により変圧された第１の電圧の交流電源及
び第２の電圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に
切替えて前記加熱素子に印加するための切替手段と、 前記載置板の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段により検出された温度に応じて、前記
切替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期して
制御する制御手段とを具備することを特徴とする加熱処
理装置。8. A heat treatment apparatus for heat-treating a substrate, comprising: a mounting plate on which the substrate is mounted on a front surface; a heating element disposed on the back surface of the mounting plate or in the mounting plate; A power supply device for supplying power to the power supply, the power supply device transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and an AC power supply of a first voltage transformed by the transformer A switching unit for selectively switching any one of the AC power supply of the second voltage and the second voltage to apply to the heating element; a temperature detection unit for detecting a temperature of the mounting plate; and the temperature detection unit. A heat treatment apparatus comprising: control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply in accordance with the detected temperature.
て、 基板が表面に載置される載置板と、 前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加熱素子
と、 前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを備え、 前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電圧及び
第２の電圧に変圧する変圧手段と、 前記変圧手段により変圧された第１の電圧の交流電源及
び第２の電圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に
切替えて前記加熱素子に印加するための切替手段と、 前記交流電源の電圧を検出する電源電圧検出手段と、 前記電源電圧検出手段により検出された電圧に応じて、
前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期
して制御する制御手段とを具備することを特徴とする加
熱処理装置。9. A heating apparatus for heat-treating a substrate, comprising: a mounting plate on which the substrate is mounted on a front surface; a heating element disposed on the back surface of the mounting plate or in the mounting plate; A power supply device for supplying power to the power supply, the power supply device transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and an AC power supply of a first voltage transformed by the transformer Switching means for selectively switching any one of an AC power supply of a second voltage and a second voltage to apply to the heating element; power supply voltage detection means for detecting a voltage of the AC power supply; and power supply voltage detection means Depending on the voltage detected by
Control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply.
いて、 基板が表面に載置される載置板と、 前記載置板の裏面又は載置板内に配置された加熱素子
と、 前記加熱素子に電力を供給する電源装置とを備え、 前記電源装置は、交流電源を少なくとも第１の電圧及び
第２の電圧に変圧する変圧手段と、 前記変圧手段により変圧された第１の電圧の交流電源及
び第２の電圧の交流電源のうちいずれか一方を選択的に
切替えて前記加熱素子に印加するための切替手段と、 前記加熱素子に印加された電圧を検出する素子電圧検出
手段と、 前記素子電圧検出手段により検出された電圧に応じて、
前記切替手段による切替えを前記交流電源の周期に同期
して制御する制御手段とを具備することを特徴とする加
熱処理装置。10. A heat treatment apparatus for heating a substrate, comprising: a mounting plate on which the substrate is mounted on a front surface; a heating element disposed on the back surface of the mounting plate or in the mounting plate; A power supply device for supplying power to the power supply, the power supply device transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and an AC power supply of a first voltage transformed by the transformer Switching means for selectively switching any one of an AC power supply of a second voltage and a second voltage to apply the voltage to the heating element; element voltage detection means for detecting a voltage applied to the heating element; According to the voltage detected by the voltage detecting means,
Control means for controlling switching by the switching means in synchronization with a cycle of the AC power supply.
切替えを前記交流電源の１／２周期毎に制御することを
特徴とする請求項８乃至請求項１０のうちいずれか１項
に記載の加熱処理装置。11. The heating apparatus according to claim 8, wherein the control unit controls the switching by the switching unit at every half cycle of the AC power supply. Processing equipment.
クロス点を検出するゼロクロス点検出手段を有し、 前記制御手段は、前記切替手段による切替えを前記検出
されたゼロクロス点で行うように制御することを特徴と
する請求項８乃至請求項１１のうちいずれか１項に記載
の加熱処理装置。12. A zero cross point detecting means for detecting a zero cross point of a voltage applied to the switching means, wherein the control means controls the switching by the switching means to be performed at the detected zero cross point. The heat treatment apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein:
第２の電圧に変圧する工程と、 前記変圧された第１の電圧の交流電源及び第２の電圧の
交流電源のうちいずれか一方を選択的に前記交流電源の
周期に同期して切替えて負荷側に印加する工程とを具備
することを特徴とする電圧制御方法。13. A step of transforming an AC power supply into at least a first voltage and a second voltage, and selecting one of the transformed first voltage AC power supply and the second voltage AC power supply. Switching the voltage in synchronization with the cycle of the AC power supply and applying the voltage to the load side.
加熱処理する加熱処理装置の温度を制御する方法におい
て、 交流電源を少なくとも第１の電圧及び第２の電圧に変圧
する工程と、 前記交流電源の電圧を検出する工程と、 前記検出された電圧に応じて、前記変圧された第１の電
圧の交流電源及び第２の電圧の交流電源のうちいずれか
一方を選択的に前記交流電源の周期に同期して切替えて
前記加熱素子に印加する工程とを具備することを特徴と
する温度制御方法。14. A method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus that heats a substrate on a heat treatment plate having a heating element, comprising: transforming an AC power supply to at least a first voltage and a second voltage; A step of detecting a voltage of a power supply; and selectively selecting one of the transformed AC power supply of the first voltage and the AC power supply of the second voltage in accordance with the detected voltage. Switching the voltage in synchronization with the cycle and applying the voltage to the heating element.
加熱処理する加熱処理装置の温度を制御する方法におい
て、 交流電源を少なくとも第１の電圧及び第２の電圧に変圧
する工程と、 前記熱処理板の温度を検出する工程と、 前記検出された温度に応じて、前記変圧された第１の電
圧の交流電源及び第２の電圧の交流電源のうちいずれか
一方を選択的に前記交流電源の周期に同期して切替えて
前記加熱素子に印加する工程とを具備することを特徴と
する温度制御方法。15. A method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus that heats a substrate on a heat treatment plate having a heating element, the method comprising: changing an AC power supply to at least a first voltage and a second voltage; Detecting the temperature of the plate; and selectively selecting one of the transformed AC power source of the first voltage and the AC power source of the second voltage in accordance with the detected temperature. Switching the voltage in synchronization with the cycle and applying the voltage to the heating element.
加熱処理する加熱処理装置の温度を制御する方法におい
て、 交流電源を少なくとも第１の電圧及び第２の電圧に変圧
する工程と、 前記加熱素子に印加される電圧を検出する工程と、 前記検出された電圧に応じて、前記変圧された第１の電
圧の交流電源及び第２の電圧の交流電源のうちいずれか
一方を選択的に前記交流電源の周期に同期して切替えて
前記加熱素子に印加する工程とを具備することを特徴と
する温度制御方法。16. A method for controlling the temperature of a heat treatment apparatus that heats a substrate on a heat treatment plate having a heating element, comprising: transforming an AC power supply to at least a first voltage and a second voltage; Detecting a voltage applied to the element; and selectively selecting one of the transformed AC power source of the first voltage and the AC power source of the second voltage in accordance with the detected voltage. Switching the voltage in synchronization with the cycle of the AC power supply and applying the voltage to the heating element.
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| JP30113499A JP2001128361A (en) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | Power supply apparatus, heating treatment apparatus, voltage control method and temperature control method |
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| JP30113499A JP2001128361A (en) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | Power supply apparatus, heating treatment apparatus, voltage control method and temperature control method |
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ID=17893231
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|---|---|---|---|
| JP30113499A Pending JP2001128361A (en) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | Power supply apparatus, heating treatment apparatus, voltage control method and temperature control method |
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| JP (1) | JP2001128361A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101011600B1 (en) * | 2005-08-31 | 2011-01-27 | 파나소닉 주식회사 | Power supply circuit driver |
| WO2016029428A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Trane Air Conditioning Systems (China) Co., Ltd. | Systems and methods to detect heater malfunction and prevent dry burning |
| JP2020526870A (en) * | 2017-08-10 | 2020-08-31 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | Systems and methods for controlling power to heaters |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30113499A patent/JP2001128361A/en active Pending
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| US10365009B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-07-30 | Trane International Inc. | Systems and methods to detect heater malfunction and prevent dry burning |
| JP2020526870A (en) * | 2017-08-10 | 2020-08-31 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | Systems and methods for controlling power to heaters |
| JP7242567B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-03-20 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | System and method for controlling power to heater |
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